JP2002050520A - マイクロインダクタあるいはマイクロトランスタイプのマイクロ要素 - Google Patents
マイクロインダクタあるいはマイクロトランスタイプのマイクロ要素Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F3/00—Cores, Yokes, or armatures
- H01F3/10—Composite arrangements of magnetic circuits
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-
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- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0033—Printed inductances with the coil helically wound around a magnetic core
-
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- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特定の高周波で作動可能な磁気コアを装備し
た誘導マイクロ要素を提供することである。 【解決手段】 ソレノイドの形状を有する金属巻線
（２）とソレノイド（２）の中心に位置する強磁性材料
から成る磁気コア（４）とを備えたマイクロインダクタ
あるいはマイクロトランスのような誘導マイクロ要素
（１）であって、 コア（４）は、ソレノイド（４）の
主軸（２０）に垂直に配向したカットアウト（１７−１
９）によって分離された複数のセクション（１３−１
６）から成ることを特徴とする。
た誘導マイクロ要素を提供することである。 【解決手段】 ソレノイドの形状を有する金属巻線
（２）とソレノイド（２）の中心に位置する強磁性材料
から成る磁気コア（４）とを備えたマイクロインダクタ
あるいはマイクロトランスのような誘導マイクロ要素
（１）であって、 コア（４）は、ソレノイド（４）の
主軸（２０）に垂直に配向したカットアウト（１７−１
９）によって分離された複数のセクション（１３−１
６）から成ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロエレクト
ロニクスの分野、さらに詳細にはマイクロ要素を製造す
るセクターにおいて、特に無線周波数応用製品に使用す
ることを意図した要素に関するものである。さらに詳細
には、特定の高周波で作動可能な磁気コアを装備したマ
イクロインダクタあるいはマイクロトランス（マイクロ
変圧器）のようなマイクロ要素に関するものである。
ロニクスの分野、さらに詳細にはマイクロ要素を製造す
るセクターにおいて、特に無線周波数応用製品に使用す
ることを意図した要素に関するものである。さらに詳細
には、特定の高周波で作動可能な磁気コアを装備したマ
イクロインダクタあるいはマイクロトランス（マイクロ
変圧器）のようなマイクロ要素に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】周知の
ように、特に携帯電話のような無線周波数応用製品で使
用される電子回路は、キャパシタ及びインダクタを含む
振動回路を備える。
ように、特に携帯電話のような無線周波数応用製品で使
用される電子回路は、キャパシタ及びインダクタを含む
振動回路を備える。
【０００３】微小化へのトレンドでは、マイクロインダ
クタのようなマイクロ要素は、十分に高いインダクタン
ス値及び質の高い係数を保持しながら、占有面積を益々
小さくするのが本質である。
クタのようなマイクロ要素は、十分に高いインダクタン
ス値及び質の高い係数を保持しながら、占有面積を益々
小さくするのが本質である。
【０００４】さらに、トレンドは動作周波数を高くする
方向に向かっている。ＧＳＭ標準で使用される周波数は
900から1800メガヘルツであるが、新しいＵＭＴＳ標準
で使用する周波数の例、2.4ギガヘルツの領域について
記載する。
方向に向かっている。ＧＳＭ標準で使用される周波数は
900から1800メガヘルツであるが、新しいＵＭＴＳ標準
で使用する周波数の例、2.4ギガヘルツの領域について
記載する。
【０００５】動作周波数の増加は、マイクロインダクタ
の磁気コアの挙動に関する問題を生ずる。
の磁気コアの挙動に関する問題を生ずる。
【０００６】このため、優れた品質ファクタを得るため
には、マイクロインダクタのインダクタンスの増加が通
常求められている。このため、幾何学的配置及び寸法が
最大の透磁率を得ることを可能にする磁気材料が選択さ
れる。
には、マイクロインダクタのインダクタンスの増加が通
常求められている。このため、幾何学的配置及び寸法が
最大の透磁率を得ることを可能にする磁気材料が選択さ
れる。
【０００７】しかしながら、磁気回転現象において、透
磁率が周波数に従って変化し、さらに詳細には、それ以
上ではインダクタが容量性の挙動を有する共鳴周波数が
あることが周知である。言い換えると、マイクロインダ
クタは絶対的に、この共鳴周波数以下の周波数で使用し
なければならない。
磁率が周波数に従って変化し、さらに詳細には、それ以
上ではインダクタが容量性の挙動を有する共鳴周波数が
あることが周知である。言い換えると、マイクロインダ
クタは絶対的に、この共鳴周波数以下の周波数で使用し
なければならない。
【０００８】しかしながら、所定の幾何学的配置に対し
て、インダクタが最適な形で使用可能な周波数範囲を制
限する磁気回転共鳴現象に反して使用周波数が増加して
くる。
て、インダクタが最適な形で使用可能な周波数範囲を制
限する磁気回転共鳴現象に反して使用周波数が増加して
くる。
【０００９】本発明が解決することが提案する問題は、
磁気回転現象の存在に固有の使用周波数の制限に関する
ものである。
磁気回転現象の存在に固有の使用周波数の制限に関する
ものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、ソレノ
イドの形状を有する金属巻線と巻線の中心に位置する強
磁性材料から成る磁気コアとを備えた、マイクロインダ
クタあるいはマイクロトランスのような誘導マイクロ要
素を提供することである。
イドの形状を有する金属巻線と巻線の中心に位置する強
磁性材料から成る磁気コアとを備えた、マイクロインダ
クタあるいはマイクロトランスのような誘導マイクロ要
素を提供することである。
【００１１】本発明では、このマイクロ要素のコアは、
ソレノイドの主軸に垂直に配向したカットアウトによっ
て分離された複数のセクションから成る。
ソレノイドの主軸に垂直に配向したカットアウトによっ
て分離された複数のセクションから成る。
【００１２】言い換えると、磁気コアは、ソレノイドの
軸に沿って位置合わせされたモノリシック部を形成しな
いで、逆に、ソレノイドの方向でセグメントに分けられ
ている。
軸に沿って位置合わせされたモノリシック部を形成しな
いで、逆に、ソレノイドの方向でセグメントに分けられ
ている。
【００１３】磁気コアの分割は各セクションの磁気透磁
率の低下、従って、マイクロ要素のインダクタンス値の
低下を招来する。にもかかわらず、この欠点は、マイク
ロ要素におけるその誘導挙動を保持する最大周波数の増
加によって補償されることに注目されたい。
率の低下、従って、マイクロ要素のインダクタンス値の
低下を招来する。にもかかわらず、この欠点は、マイク
ロ要素におけるその誘導挙動を保持する最大周波数の増
加によって補償されることに注目されたい。
【００１４】磁気回転共鳴周波数は、以下のランダウ−
リフシッツの式によって決定される：
リフシッツの式によって決定される：
【数１】 ここで、Ｍは磁気モーメント、Ｈはこのモーメントが置
かれた磁場、γは磁気回転定数、αは減衰因子である。
かれた磁場、γは磁気回転定数、αは減衰因子である。
【００１５】ソレノイドの主軸に対応する強磁性材料の
磁化困難軸に沿った透磁率を決定するために、材料が置
かれる様々な磁場を決定する必要がある。従って、所定
形状の材料を磁場（Ｈext）に置いたときに、磁化は整
列しようとする。
磁化困難軸に沿った透磁率を決定するために、材料が置
かれる様々な磁場を決定する必要がある。従って、所定
形状の材料を磁場（Ｈext）に置いたときに、磁化は整
列しようとする。
【００１６】従って、材料の中性は失われ、外部磁場に
反対の磁場を形成する電荷が現れ、その結果によって内
部磁場（Ｈint）を低下させる。外部磁場に反する磁場
は通常“反磁場”（Ｈd）と呼ばれ、幾何学的配置に強
く依存する。さらに詳細には、反磁場係数は以下の式で
示されるＮである：
反対の磁場を形成する電荷が現れ、その結果によって内
部磁場（Ｈint）を低下させる。外部磁場に反する磁場
は通常“反磁場”（Ｈd）と呼ばれ、幾何学的配置に強
く依存する。さらに詳細には、反磁場係数は以下の式で
示されるＮである：
【数２】
【００１７】この係数は、幾何学的配置にだけ依存す
る。磁化困難軸の方向における磁気成分によって形成さ
れるこの反磁場はその結果生ずる内部磁場を低下し、そ
のため、フラックス線の通過を拒絶する。言い換える
と、この反磁場は透磁率を低下する結果を有する。
る。磁化困難軸の方向における磁気成分によって形成さ
れるこの反磁場はその結果生ずる内部磁場を低下し、そ
のため、フラックス線の通過を拒絶する。言い換える
と、この反磁場は透磁率を低下する結果を有する。
【００１８】このモデルを用いると、困難軸に沿った透
磁率の値を決定するために、ランダウ−リフシッツの式
を解くことが可能である。周知のように、透磁率は、実
部が有効透磁率を表し、虚部が損失を表す複素数の量で
ある。そのため、これらの式を解くことは、周波数の関
数としての実部（μ’）及び虚部（μ”）の値、及び、
Ｎの値、材料の固有値の値を与える。
磁率の値を決定するために、ランダウ−リフシッツの式
を解くことが可能である。周知のように、透磁率は、実
部が有効透磁率を表し、虚部が損失を表す複素数の量で
ある。そのため、これらの式を解くことは、周波数の関
数としての実部（μ’）及び虚部（μ”）の値、及び、
Ｎの値、材料の固有値の値を与える。
【００１９】μ”の値が最大となる共鳴周波数は以下の
ように与えられる：
ように与えられる：
【数３】 ここで、Ｎは反磁場係数、γは磁気磁気定数、Ｈkは飽
和磁場の値、Ｍsは飽和における磁気モーメントの値で
ある。
和磁場の値、Ｍsは飽和における磁気モーメントの値で
ある。
【００２０】従って、共鳴周波数は反磁場係数Ｎととも
に増加することがわかっている。平行六面体について
は、反磁場係数は次の値に依存する： ・困難軸、すなわち、ソレノイド軸に沿って測定された
平行六面体の長さ ・平行六面体の厚さ ・容易アクセスに沿った幅
に増加することがわかっている。平行六面体について
は、反磁場係数は次の値に依存する： ・困難軸、すなわち、ソレノイド軸に沿って測定された
平行六面体の長さ ・平行六面体の厚さ ・容易アクセスに沿った幅
【００２１】従って、本発明によるコアに対して選択し
た幾何学的配置のため、磁場係数ははソレノイドの全長
を占めるモノリシックコアに対してよりかなり大きい。
そのため、反磁場もより強く、困難軸に沿った磁場透磁
率はより小さくなっている。
た幾何学的配置のため、磁場係数ははソレノイドの全長
を占めるモノリシックコアに対してよりかなり大きい。
そのため、反磁場もより強く、困難軸に沿った磁場透磁
率はより小さくなっている。
【００２２】その代わりに、磁気回転効果についての共
鳴周波数はより大きく、大きめの周波数でマイクロイン
ダクタあるいはマイクロトランスを使用することが可能
となる。
鳴周波数はより大きく、大きめの周波数でマイクロイン
ダクタあるいはマイクロトランスを使用することが可能
となる。
【００２３】好都合なことには、実際、ソレノイド軸の
方向で測定されたコアのセクションに分離するカットア
ウトの幅がコアの厚さの４倍以上のとき、コアの様々な
セクション間の結合現象は無視できるか、又は、ほとん
ど効果がないことがわかっている。
方向で測定されたコアのセクションに分離するカットア
ウトの幅がコアの厚さの４倍以上のとき、コアの様々な
セクション間の結合現象は無視できるか、又は、ほとん
ど効果がないことがわかっている。
【００２４】この幅はこの値よりかなり小さいときは、
すでに述べた共鳴周波数に関連した制限と共に、種々の
セクション間の磁気結合現象は、一群のセクションにモ
ノリシックコアの挙動に類似する挙動を与えるのに寄与
する。反対に、セクションの分離が大きすぎると、イン
ダクタンスの値は磁気体積の減少により低下する。
すでに述べた共鳴周波数に関連した制限と共に、種々の
セクション間の磁気結合現象は、一群のセクションにモ
ノリシックコアの挙動に類似する挙動を与えるのに寄与
する。反対に、セクションの分離が大きすぎると、イン
ダクタンスの値は磁気体積の減少により低下する。
【００２５】好都合なことには、実際、コアの厚さは0.
1μｍから10μｍの間であってもよい。磁気コアの各セ
クションの厚さをできる限り大きい値に制限することに
よって、使用周波数が高いほど大きくなる誘導電流現象
を克服することが可能であることがわかった。
1μｍから10μｍの間であってもよい。磁気コアの各セ
クションの厚さをできる限り大きい値に制限することに
よって、使用周波数が高いほど大きくなる誘導電流現象
を克服することが可能であることがわかった。
【００２６】しかしながら、透磁率を十分高い値に保持
するために、本発明の実施形態においては、各層が制限
された厚さを有するような複数の積層磁気層からコアを
作ることが可能である。
するために、本発明の実施形態においては、各層が制限
された厚さを有するような複数の積層磁気層からコアを
作ることが可能である。
【００２７】実際、コアは、鉄、ニッケル、コバルト、
ジルコニウム、あるいはニオブ母材合金から成るグルー
プから選択された材料から作ることができる。
ジルコニウム、あるいはニオブ母材合金から成るグルー
プから選択された材料から作ることができる。
【００２８】最小系列抵抗を有するマイクロインダクタ
及びそのため特に高品質ファクタは、クォーツあるはガ
ラスのような絶縁基板上に堆積可能な電気銅（electrol
yticcopper）からソレノイドを作ることによって得られ
る。ソレノイドは、この基板とソレノイドとの間の絶縁
層を挟んで、導電性基板あるいは半導電性基板上にも堆
積可能である。
及びそのため特に高品質ファクタは、クォーツあるはガ
ラスのような絶縁基板上に堆積可能な電気銅（electrol
yticcopper）からソレノイドを作ることによって得られ
る。ソレノイドは、この基板とソレノイドとの間の絶縁
層を挟んで、導電性基板あるいは半導電性基板上にも堆
積可能である。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明及びその利点を実現する方
法は、添付図面を参照して、以下で記載する実施形態か
ら適切に理解されるだろう。
法は、添付図面を参照して、以下で記載する実施形態か
ら適切に理解されるだろう。
【００３０】すでに述べたように、本発明は、磁気コア
が分割されたマイクロインダクタあるいはマイクロトラ
ンスのようなマイクロ要素に係る。
が分割されたマイクロインダクタあるいはマイクロトラ
ンスのようなマイクロ要素に係る。
【００３１】図１で示したように、本発明に係るマイク
ロインダクタ（１）は、磁気コアのまわりを巻回する複
数のターン（３）から成る巻線（２）を備える。
ロインダクタ（１）は、磁気コアのまわりを巻回する複
数のターン（３）から成る巻線（２）を備える。
【００３２】さらに詳細には、ソレノイドの各ターン
（３）は、基板（６）の面において挿入された下部
（５）と、隣接下部（５，５’）の端部（８，９）に結
合する複数のアーチ（７）とを備えている。
（３）は、基板（６）の面において挿入された下部
（５）と、隣接下部（５，５’）の端部（８，９）に結
合する複数のアーチ（７）とを備えている。
【００３３】このようなインダクタを得るために、複数
の平行チャネル（１０）は、絶縁基板又は導電性あるい
は半導体基板（６）上の絶縁層の上面にエッチングされ
る。各ターン（３）の下部（５）は、銅の電解成長によ
って得られ、基板（６）の面は最適面状態を生成するた
めに平坦化される。
の平行チャネル（１０）は、絶縁基板又は導電性あるい
は半導体基板（６）上の絶縁層の上面にエッチングされ
る。各ターン（３）の下部（５）は、銅の電解成長によ
って得られ、基板（６）の面は最適面状態を生成するた
めに平坦化される。
【００３４】次に、シリカ層（１１）は、基板（６）の
上面の頂部上に堆積され、それによってターンの下部
（５）を頂部上に堆積される磁気材料から絶縁する。
上面の頂部上に堆積され、それによってターンの下部
（５）を頂部上に堆積される磁気材料から絶縁する。
【００３５】次に、電解堆積物のスパッタリングのよう
な種々の方法によって生成することが可能な磁気コア
（４）を作る。付加技術を用いて、磁気材料の電解堆積
は、ターンの下部を形成する複数のセグメント（５）の
頂部上に位置する所定成長領域の頂部上で行う。
な種々の方法によって生成することが可能な磁気コア
（４）を作る。付加技術を用いて、磁気材料の電解堆積
は、ターンの下部を形成する複数のセグメント（５）の
頂部上に位置する所定成長領域の頂部上で行う。
【００３６】本発明では、磁気コア（４）は、ソレノイ
ド（２）の長軸（２０）に垂直なカットアウト（１７−
１９）によって互いに分離された複数のセクション（１
３−１６）を有する。磁気コア（４）のセクション数
は、使用される磁気材料の種類、インダクタが使用され
ねばならない最大周波数、所望のインダクタンス値及び
磁気材料の層の厚さのような種々のパラメータによって
決定する。
ド（２）の長軸（２０）に垂直なカットアウト（１７−
１９）によって互いに分離された複数のセクション（１
３−１６）を有する。磁気コア（４）のセクション数
は、使用される磁気材料の種類、インダクタが使用され
ねばならない最大周波数、所望のインダクタンス値及び
磁気材料の層の厚さのような種々のパラメータによって
決定する。
【００３７】図示された例では、磁気コア（４）は、３
個のカットアウト（１７−１９）で分離された４つのセ
クション（１３−１６）を備える。これらの４つのセク
ション（１３−１６）は、すでに述べたように、銅セグ
メント（５）上に描いた４つの成長領域上で電解堆積を
行う付加技術によって得られる。
個のカットアウト（１７−１９）で分離された４つのセ
クション（１３−１６）を備える。これらの４つのセク
ション（１３−１６）は、すでに述べたように、銅セグ
メント（５）上に描いた４つの成長領域上で電解堆積を
行う付加技術によって得られる。
【００３８】これら４つのセクション（１３−１６）
は、第１の段階において、基板全体にわたって均一な磁
気層を堆積し、第２の段階において、種々のセクション
を形成するために磁気材料を除去するという減法技術に
よっても得ることができる。
は、第１の段階において、基板全体にわたって均一な磁
気層を堆積し、第２の段階において、種々のセクション
を形成するために磁気材料を除去するという減法技術に
よっても得ることができる。
【００３９】磁気層（１３−１６）の厚さ（ｅ）は、誘
導電流現象を制限しつつ十分高いインダクタンスを得る
ために、0.1μｍから10μｍの間で選択する。各セクシ
ョンを（１３−１６）を分離するカットアウト（１７−
１９）の幅（ｄ）は、磁気材料層の厚さの４倍に近い値
が選択されるのが好ましい。図を明瞭にする目的のため
に、図２ではこの比に従っていない。シリカあるいは窒
化シリコンのような非磁気層を好適には絶縁することに
よって互いに絶縁された、磁気材料の複数の積み重ね層
を堆積することによって、磁気コア（４）の全体の厚さ
を増加することが可能である。
導電流現象を制限しつつ十分高いインダクタンスを得る
ために、0.1μｍから10μｍの間で選択する。各セクシ
ョンを（１３−１６）を分離するカットアウト（１７−
１９）の幅（ｄ）は、磁気材料層の厚さの４倍に近い値
が選択されるのが好ましい。図を明瞭にする目的のため
に、図２ではこの比に従っていない。シリカあるいは窒
化シリコンのような非磁気層を好適には絶縁することに
よって互いに絶縁された、磁気材料の複数の積み重ね層
を堆積することによって、磁気コア（４）の全体の厚さ
を増加することが可能である。
【００４０】磁気材料（４）からコアを作った後、ター
ンの上部（７）から磁気コア（４）を電気的に絶縁する
ことを意図したシリカ層（２２）を堆積する。
ンの上部（７）から磁気コア（４）を電気的に絶縁する
ことを意図したシリカ層（２２）を堆積する。
【００４１】続いて、図１で図示したマイクロ要素を形
成するため、隣接下部（５，５”）の反対の端部を接続
するアーチ（７）を形成するために、銅の電解堆積を行
う。接続パッド（２３，２４）及びパッシベーションを
形成する後続段階を行うことができる。
成するため、隣接下部（５，５”）の反対の端部を接続
するアーチ（７）を形成するために、銅の電解堆積を行
う。接続パッド（２３，２４）及びパッシベーションを
形成する後続段階を行うことができる。
【００４２】前述したように、使用される磁気材料は、
それらが高い磁化及び制御された異方性を有するなら
ば、比較的変更可能である。例えば、ＣｏＺｒＮｂのよ
うな結晶あるいはアモルファス材料が使用可能である。
それらが高い磁化及び制御された異方性を有するなら
ば、比較的変更可能である。例えば、ＣｏＺｒＮｂのよ
うな結晶あるいはアモルファス材料が使用可能である。
【００４３】さらに、ソレノイドは図示したような銅か
ら成ってもよく、又は金のような低抵抗の他の材料が組
み込まれてもよい。
ら成ってもよく、又は金のような低抵抗の他の材料が組
み込まれてもよい。
【００４４】本発明をマイクロインダクタに関してより
詳細に説明したが、共通のコアの回りに巻回された巻線
を含むマイクロトランスの製造も本発明でカバーされる
こといは言うまでもない。
詳細に説明したが、共通のコアの回りに巻回された巻線
を含むマイクロトランスの製造も本発明でカバーされる
こといは言うまでもない。
【００４５】本発明によるマイクロ要素が多数の利点を
有し、特に、それらが同一のサイズ及び材料のマイクロ
要素に関して最大周波数を増大することはこれまでの記
載から明らかである。
有し、特に、それらが同一のサイズ及び材料のマイクロ
要素に関して最大周波数を増大することはこれまでの記
載から明らかである。
【００４６】これらのマイクロ要素は、無線周波数応用
製品、特に携帯電話において応用される。
製品、特に携帯電話において応用される。
【図１】 本発明に係るマイクロインダクタの概略平
面図である。
面図である。
【図２】 図１のＩＩ−ＩＩ’面に沿った長軸方向断
面図である。
面図である。
【図３】 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ’面に沿った横方向
断面図である。
断面図である。
２ 金属巻線（ソレノイド） ４ コア １３−１６ セクション １７−１９ カットアウト ２０ 主軸 ｅ 厚み
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E041 AA00 AA06 CA01 HB19 NN01 NN05 5E070 AA01 AA11 AB03 BB01
Claims (7)
- 【請求項１】 ソレノイドの形状を有する金属巻線
（２）とソレノイド（２）の中心に位置する強磁性材料
から成る磁気コア（４）とを備えたマイクロインダクタ
あるいはマイクロトランスのような誘導マイクロ要素
（１）であって、 コア（４）は、ソレノイド（４）の主軸（２０）に垂直
に配向したカットアウト（１７−１９）によって分離さ
れた複数のセクション（１３−１６）から成るマイクロ
要素。 - 【請求項２】 ソレノイドの主軸（２０）の方向で測
定されたコア（４）の各セクションに分離するカットア
ウト（１７−１９）の幅がコア（４）の厚み（ｅ）の４
倍以上の大きさである請求項１に記載のマイクロ要素。 - 【請求項３】 ソレノイド（２）が絶縁基板上に堆積
された電気銅から成る請求項１に記載のマイクロ要素。 - 【請求項４】 ソレノイド（２）が導電性あるいは半
導体基板（６）上に存在する絶縁基板上に堆積された電
気銅から成る請求項１に記載のマイクロ要素。 - 【請求項５】 コアの厚み（ｅ）が0.1μｍから10μｍ
である請求項２に記載のマイクロ要素。 - 【請求項６】 コア（４）が、鉄、ニッケル、コバル
ト、ジルコニウム、あるいはニオブ母材合金から成るグ
ループから選択された材料から成る請求項１に記載のマ
イクロ要素。 - 【請求項７】 コアが複数の積層された層から成る請
求項１に記載のマイクロ要素。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| FR0008413A FR2811135B1 (fr) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | Microcomposant du type micro-inductance ou microtransformateur |
| FR0008413 | 2000-06-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002050520A true JP2002050520A (ja) | 2002-02-15 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001197086A Pending JP2002050520A (ja) | 2000-06-29 | 2001-06-28 | マイクロインダクタあるいはマイクロトランスタイプのマイクロ要素 |
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| EP (1) | EP1168383A1 (ja) |
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| CA (1) | CA2351790A1 (ja) |
| FR (1) | FR2811135B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100776406B1 (ko) | 2006-02-16 | 2007-11-16 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 인덕터 및 그 제작 방법 |
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| US7113066B2 (en) * | 2001-07-04 | 2006-09-26 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Electronic inductive and capacitive component |
| DE102005015745A1 (de) * | 2005-04-06 | 2006-10-12 | Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Ferro- oder ferrimagnetische Schicht, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| FR2908231B1 (fr) * | 2006-11-07 | 2009-01-23 | Commissariat Energie Atomique | Noyau magnetique ferme en forme de spirale et micro-inductance integree comportant un tel noyau magnetique ferme |
| CN107799278A (zh) * | 2017-11-27 | 2018-03-13 | 江苏天瑞仪器股份有限公司 | 一种质谱用射频电源空心线圈的设计 |
| US11935678B2 (en) * | 2020-12-10 | 2024-03-19 | GLOBALFOUNDARIES Singapore Pte. Ltd. | Inductive devices and methods of fabricating inductive devices |
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| JPH07122432A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-05-12 | Philips Electron Nv | インダクタ |
| JPH08250332A (ja) * | 1995-02-03 | 1996-09-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ３次元集積回路インダクタ |
| WO1999017319A1 (fr) * | 1997-09-29 | 1999-04-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede pour augmenter la frequence de fonctionnement d'un circuit magnetique et circuit magnetique correspondant |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE2701296C2 (de) * | 1977-01-14 | 1978-12-07 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Dünnschicht-Magnetfeld-Sensor |
| CA2062710C (en) * | 1991-05-31 | 1996-05-14 | Nobuo Shiga | Transformer for monolithic microwave integrated circuit |
| US5793272A (en) * | 1996-08-23 | 1998-08-11 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit toroidal inductor |
| US6249039B1 (en) * | 1998-09-10 | 2001-06-19 | Bourns, Inc. | Integrated inductive components and method of fabricating such components |
| US6147582A (en) * | 1999-03-04 | 2000-11-14 | Raytheon Company | Substrate supported three-dimensional micro-coil |
-
2000
- 2000-06-29 FR FR0008413A patent/FR2811135B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-31 US US09/870,819 patent/US6529110B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-13 EP EP01420135A patent/EP1168383A1/fr not_active Withdrawn
- 2001-06-28 JP JP2001197086A patent/JP2002050520A/ja active Pending
- 2001-06-28 CA CA002351790A patent/CA2351790A1/fr not_active Abandoned
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| EP1168383A1 (fr) | 2002-01-02 |
| CA2351790A1 (fr) | 2001-12-29 |
| FR2811135B1 (fr) | 2002-11-22 |
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