JP2002042664A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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-
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- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマディスプレイパネルの発光効率を向上
させるために、誘電体層の実質的な厚さを放電セル内で
変化させ、維持電極が対向する箇所の誘電体層の膜厚を
最も薄くする構造が提案されているが、誘電体層の厚さ
をプラズマディスプレイパネル全体にわたって制御する
ことが難しく、厚さむらが放電特性に影響し良好なプラ
ズマディスプレイパネルを得ることが困難であった。 【解決手段】複数の層からなる下部電極１２１及び上部
電極１２２を電極対の形状にそれぞれ形成し、上層に位
置する上部電極１２２の上に上部誘電体層１４を形成
し、面放電電極対上の誘電体層の膜厚を薄くすることに
より、低い放電維持電圧を保ち、且つ、高い発光効率を
得ることが可能となり、ひいては表示品位を向上させる
ことができる。
させるために、誘電体層の実質的な厚さを放電セル内で
変化させ、維持電極が対向する箇所の誘電体層の膜厚を
最も薄くする構造が提案されているが、誘電体層の厚さ
をプラズマディスプレイパネル全体にわたって制御する
ことが難しく、厚さむらが放電特性に影響し良好なプラ
ズマディスプレイパネルを得ることが困難であった。 【解決手段】複数の層からなる下部電極１２１及び上部
電極１２２を電極対の形状にそれぞれ形成し、上層に位
置する上部電極１２２の上に上部誘電体層１４を形成
し、面放電電極対上の誘電体層の膜厚を薄くすることに
より、低い放電維持電圧を保ち、且つ、高い発光効率を
得ることが可能となり、ひいては表示品位を向上させる
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は大面積化が容易なフ
ラットパネルディスプレイとして、パーソナルコンピュ
ータ、ワークステーションの表示出力用、および壁掛け
テレビなどに用いられるカラープラズマディスプレイパ
ネル（カラーＰＤＰ）に関し、特に輝度を改善し、消費
電力を低減するカラーＰＤＰの構造及びその製造方法に
関するものである。
ラットパネルディスプレイとして、パーソナルコンピュ
ータ、ワークステーションの表示出力用、および壁掛け
テレビなどに用いられるカラープラズマディスプレイパ
ネル（カラーＰＤＰ）に関し、特に輝度を改善し、消費
電力を低減するカラーＰＤＰの構造及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のいわゆる面放電型プラズマディス
プレイパネルは、第一のガラス基板上に多数の対になる
誘電体層で覆われた電極群を有し、第一のガラス基板と
対向する第二のガラス基板の間にガスを充填し、この電
極対に電圧を印加することによって放電を発生させ、こ
の放電からの紫外光を蛍光体に照射して可視発光を表示
させる。
プレイパネルは、第一のガラス基板上に多数の対になる
誘電体層で覆われた電極群を有し、第一のガラス基板と
対向する第二のガラス基板の間にガスを充填し、この電
極対に電圧を印加することによって放電を発生させ、こ
の放電からの紫外光を蛍光体に照射して可視発光を表示
させる。
【０００３】この従来のプラズマディスプレイパネルの
一放電セルに相当する部分を図２０に示す。図２０にお
いて、図２０（ａ）は、従来のプラズマディスプレイパ
ネルの一放電セルを上から見た上面図、図２０（ｂ）
は、同図（ａ）の切断線Ａ−Ａ’における断面図、図２
０（ｃ）は、図（ａ）の切断線Ｃ−Ｃ’における断面図
である。
一放電セルに相当する部分を図２０に示す。図２０にお
いて、図２０（ａ）は、従来のプラズマディスプレイパ
ネルの一放電セルを上から見た上面図、図２０（ｂ）
は、同図（ａ）の切断線Ａ−Ａ’における断面図、図２
０（ｃ）は、図（ａ）の切断線Ｃ−Ｃ’における断面図
である。
【０００４】図に示すように、第１ガラス基板７１１の
上の同一平面に電極対となる維持電極７１２を形成し、
維持電極７１２を低融点ガラスからなる誘電体層７２
４、さらに、酸化マグネシウム（以下、ＭｇＯと記載す
る）等からなる保護膜７１５で被覆している。
上の同一平面に電極対となる維持電極７１２を形成し、
維持電極７１２を低融点ガラスからなる誘電体層７２
４、さらに、酸化マグネシウム（以下、ＭｇＯと記載す
る）等からなる保護膜７１５で被覆している。
【０００５】このとき、維持電極７１２上の誘電体層７
２４の厚さはほぼ均一となる。このように維持電極７１
２上の誘電体層７２４の厚さをほぼ均一な構造とした場
合、誘電体層７２４を厚くすると発光効率は向上するが
放電維持電圧が上昇し、逆に薄くすると放電維持電圧を
低く抑えることができるが発光効率も低下していた。
２４の厚さはほぼ均一となる。このように維持電極７１
２上の誘電体層７２４の厚さをほぼ均一な構造とした場
合、誘電体層７２４を厚くすると発光効率は向上するが
放電維持電圧が上昇し、逆に薄くすると放電維持電圧を
低く抑えることができるが発光効率も低下していた。
【０００６】また、これらの問題を回避する為の例とし
て、特開２０００−１１３８２７号公報に示される２つ
の従来例を図２１に断面図で示す。
て、特開２０００−１１３８２７号公報に示される２つ
の従来例を図２１に断面図で示す。
【０００７】図２１（ａ）、（ｂ）のように、誘電体層
８２４、９２４の実質的な厚さを放電セル内で変化さ
せ、維持電極８１２、９１２が対向する箇所の誘電体層
８２４、９２４の膜厚を最も薄くする構造も提案されて
いる。
８２４、９２４の実質的な厚さを放電セル内で変化さ
せ、維持電極８１２、９１２が対向する箇所の誘電体層
８２４、９２４の膜厚を最も薄くする構造も提案されて
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この構
造のプラズマディスプレイパネルを形成するためには、
誘電体層８２４、９２４の厚さをプラズマディスプレイ
パネル全体にわたって制御することが難しく、厚さむら
が放電特性に影響し良好なプラズマディスプレイパネル
を得ることが困難であった。
造のプラズマディスプレイパネルを形成するためには、
誘電体層８２４、９２４の厚さをプラズマディスプレイ
パネル全体にわたって制御することが難しく、厚さむら
が放電特性に影響し良好なプラズマディスプレイパネル
を得ることが困難であった。
【０００９】本発明の目的は、カラープラズマディスプ
レイの発光効率を向上させ、ひいては良好な表示品位と
消費電力の低減を実現するカラープラズマディスプレイ
パネルとその製造方法を提供することにある。
レイの発光効率を向上させ、ひいては良好な表示品位と
消費電力の低減を実現するカラープラズマディスプレイ
パネルとその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマディス
プレイパネルは、誘電体層で覆われた複数の電極対を有
する第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に充填されたガスと
を有し、放電セル内の前記電極対間に電圧を印加して前
記放電セル内のガスを放電させるプラズマディスプレイ
パネルであって、前記電極対のうち少なくとも一つの電
極が、前記誘電体層の厚さ方向で上下に分離されている
と共に、互いに同電位となるように電気的に接続された
下部電極及び上部電極を有するという構成を基本構造と
している。
プレイパネルは、誘電体層で覆われた複数の電極対を有
する第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に充填されたガスと
を有し、放電セル内の前記電極対間に電圧を印加して前
記放電セル内のガスを放電させるプラズマディスプレイ
パネルであって、前記電極対のうち少なくとも一つの電
極が、前記誘電体層の厚さ方向で上下に分離されている
と共に、互いに同電位となるように電気的に接続された
下部電極及び上部電極を有するという構成を基本構造と
している。
【００１１】上記プラズマディスプレイパネルの基本構
造は、以下のように種々の適用形態を有する。
造は、以下のように種々の適用形態を有する。
【００１２】まず、上記のプラズマディスプレイパネル
において、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前
記電極対の一方の電極及び他方の電極は前記基板の上に
相対向して併走し、前記複数の電極対は互いに離間して
併走する形にそれぞれ形成され、前記上部電極は、前記
誘電体層中に位置する１層以上の上部電極からなり、前
記上部電極が複数のときは、それぞれの上部電極は、前
記誘電体層の厚さ方向の途中の異なる位置に位置し、前
記電極対の両方が前記上部電極及び下部電極を有し、一
方の上部電極及び他方の上部電極は、それぞれの上部電
極の層数が同じであり、それぞれの互いに対応する層
は、前記誘電体層の厚さ方向の途中の同じ位置に相対向
して形成され、前記電極対の一方の下部電極と他方の下
部電極とに挟まれる領域を下部電極対向領域とすると
き、前記一方の上部電極及び前記他方の上部電極は、前
記下部電極対向領域の中心に関して略対称に形成され、
前記電極対の両方が前記上部電極及び下部電極を有し、
一方の下部電極と他方の下部電極とに挟まれる領域を下
部電極対向領域とし、前記上部電極において、前記電極
対の一方の上部電極及び他方の上部電極のうち互いに最
も近接する一方の上部電極と他方の上部電極とに挟まれ
る領域を上部電極対向領域とするとき、前記上部電極対
向領域が前記下部電極対向領域と一致するか、或いは、
前記上部電極対向領域が前記下部電極対向領域の内側に
あるか、或いは、前記下部電極対向領域が前記上部電極
対向領域の内側にあるかのいずれかであり、前記電極対
の一方の上部電極及び他方の上部電極が共に単層であ
り、前記上部電極対向領域が前記下部電極対向領域の内
側にあるとき、前記一方の上部電極及び前記他方の上部
電極が共に前記下部電極対向領域の内側にある、或い
は、前記電極対の両方が前記上部電極及び下部電極を有
し、一方の上部電極及び他方の上部電極が共に単層であ
るとき、前記上部電極対向領域が前記下部電極対向領域
と一致するか、或いは、前記下部電極対向領域が前記上
部電極対向領域の内側にある、というものである。
において、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前
記電極対の一方の電極及び他方の電極は前記基板の上に
相対向して併走し、前記複数の電極対は互いに離間して
併走する形にそれぞれ形成され、前記上部電極は、前記
誘電体層中に位置する１層以上の上部電極からなり、前
記上部電極が複数のときは、それぞれの上部電極は、前
記誘電体層の厚さ方向の途中の異なる位置に位置し、前
記電極対の両方が前記上部電極及び下部電極を有し、一
方の上部電極及び他方の上部電極は、それぞれの上部電
極の層数が同じであり、それぞれの互いに対応する層
は、前記誘電体層の厚さ方向の途中の同じ位置に相対向
して形成され、前記電極対の一方の下部電極と他方の下
部電極とに挟まれる領域を下部電極対向領域とすると
き、前記一方の上部電極及び前記他方の上部電極は、前
記下部電極対向領域の中心に関して略対称に形成され、
前記電極対の両方が前記上部電極及び下部電極を有し、
一方の下部電極と他方の下部電極とに挟まれる領域を下
部電極対向領域とし、前記上部電極において、前記電極
対の一方の上部電極及び他方の上部電極のうち互いに最
も近接する一方の上部電極と他方の上部電極とに挟まれ
る領域を上部電極対向領域とするとき、前記上部電極対
向領域が前記下部電極対向領域と一致するか、或いは、
前記上部電極対向領域が前記下部電極対向領域の内側に
あるか、或いは、前記下部電極対向領域が前記上部電極
対向領域の内側にあるかのいずれかであり、前記電極対
の一方の上部電極及び他方の上部電極が共に単層であ
り、前記上部電極対向領域が前記下部電極対向領域の内
側にあるとき、前記一方の上部電極及び前記他方の上部
電極が共に前記下部電極対向領域の内側にある、或い
は、前記電極対の両方が前記上部電極及び下部電極を有
し、一方の上部電極及び他方の上部電極が共に単層であ
るとき、前記上部電極対向領域が前記下部電極対向領域
と一致するか、或いは、前記下部電極対向領域が前記上
部電極対向領域の内側にある、というものである。
【００１３】また、上記のプラズマディスプレイパネル
において、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前
記電極対の一方の下部電極と他方の下部電極とに挟まれ
る領域を下部電極対向領域とし、前記上部電極におい
て、前記電極対の一方の上部電極及び他方の上部電極の
うち互いに最も近接する一方の上部電極と他方の上部電
極とに挟まれる領域を上部電極対向領域とするとき、前
記上部電極対向領域及び前記下部電極対向領域は、互い
に一部重畳する領域を有し、前記電極対の一方の上部電
極及び他方の上部電極が共に単層であるとき、前記一方
の上部電極及び前記他方の上部電極のうちいずれかの上
部電極が、前記下部電極対向領域の内側にある、という
形態も採り得る。
において、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前
記電極対の一方の下部電極と他方の下部電極とに挟まれ
る領域を下部電極対向領域とし、前記上部電極におい
て、前記電極対の一方の上部電極及び他方の上部電極の
うち互いに最も近接する一方の上部電極と他方の上部電
極とに挟まれる領域を上部電極対向領域とするとき、前
記上部電極対向領域及び前記下部電極対向領域は、互い
に一部重畳する領域を有し、前記電極対の一方の上部電
極及び他方の上部電極が共に単層であるとき、前記一方
の上部電極及び前記他方の上部電極のうちいずれかの上
部電極が、前記下部電極対向領域の内側にある、という
形態も採り得る。
【００１４】以上のプラズマディスプレイパネルにおい
て、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前記電極
対の両方が前記上部電極及び下部電極を有し、少なくと
も一方の下部電極に対応する一方の上部電極の横に、前
記一方の上部電極と同一平面上において前記他方の下部
電極から遠ざかる方向に前記一方の上部電極と同電位の
少なくとも一つの分割電極が設けられている、また、前
記上部電極は、その幅が前記下部電極の幅の２分の１以
下である、或いは、その幅が前記下部電極の幅の５分の
１以下である、また、前記上部電極は、導通用配線によ
り前記下部電極と接続されて前記下部電極と同電位とな
り、前記下部電極と共に低抵抗配線により配線され、前
記第２基板の上には、前記第１基板の上を併走する前記
電極対と直交して併走する隔壁が形成されており、前記
第１基板が、前記隔壁及び併走する複数の電極対を離間
する離間領域により均等に区画される領域を放電セル領
域とし、前記電極対に対応する前記上部電極の間の領域
を電極対向領域とするとき、前記導通用配線が、前記電
極対向領域を除く領域において、前記放電セル領域毎に
形成され、前記導通用配線が、前記隔壁に対向する領域
に形成され、前記低抵抗配線は、前記第１基板の上を併
走する前記電極対から離れた位置で前記電極対と併走す
る、という形態を採る。
て、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前記電極
対の両方が前記上部電極及び下部電極を有し、少なくと
も一方の下部電極に対応する一方の上部電極の横に、前
記一方の上部電極と同一平面上において前記他方の下部
電極から遠ざかる方向に前記一方の上部電極と同電位の
少なくとも一つの分割電極が設けられている、また、前
記上部電極は、その幅が前記下部電極の幅の２分の１以
下である、或いは、その幅が前記下部電極の幅の５分の
１以下である、また、前記上部電極は、導通用配線によ
り前記下部電極と接続されて前記下部電極と同電位とな
り、前記下部電極と共に低抵抗配線により配線され、前
記第２基板の上には、前記第１基板の上を併走する前記
電極対と直交して併走する隔壁が形成されており、前記
第１基板が、前記隔壁及び併走する複数の電極対を離間
する離間領域により均等に区画される領域を放電セル領
域とし、前記電極対に対応する前記上部電極の間の領域
を電極対向領域とするとき、前記導通用配線が、前記電
極対向領域を除く領域において、前記放電セル領域毎に
形成され、前記導通用配線が、前記隔壁に対向する領域
に形成され、前記低抵抗配線は、前記第１基板の上を併
走する前記電極対から離れた位置で前記電極対と併走す
る、という形態を採る。
【００１５】また、上記のプラズマディスプレイパネル
において、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前
記上部電極は、金属、或いは、金属微粒子を主成分とす
る導体からなる、また、前記低抵抗配線が、前記上部電
極と同じ材料により形成され、前記上部電極の膜厚は、
前記下部電極の膜厚及び前記低抵抗配線の膜厚よりも薄
く、前記低抵抗配線が、前記上部電極と異なる材料によ
り形成される、又は、前記低抵抗配線が、前記下部電極
と同じ基板の上、或いは、前記上部電極が位置する前記
誘電体層中の厚さ方向の途中の位置と同じ位置に形成さ
れる、又は、前記低抵抗配線が、前記下部電極と同じ基
板の上及び前記上部電極が位置する前記誘電体層中の厚
さ方向の途中の位置と同じ位置にそれぞれ形成される、
又は、前記低抵抗配線及び前記導通用配線は、同時に形
成される配線である、という形態を採る。
において、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前
記上部電極は、金属、或いは、金属微粒子を主成分とす
る導体からなる、また、前記低抵抗配線が、前記上部電
極と同じ材料により形成され、前記上部電極の膜厚は、
前記下部電極の膜厚及び前記低抵抗配線の膜厚よりも薄
く、前記低抵抗配線が、前記上部電極と異なる材料によ
り形成される、又は、前記低抵抗配線が、前記下部電極
と同じ基板の上、或いは、前記上部電極が位置する前記
誘電体層中の厚さ方向の途中の位置と同じ位置に形成さ
れる、又は、前記低抵抗配線が、前記下部電極と同じ基
板の上及び前記上部電極が位置する前記誘電体層中の厚
さ方向の途中の位置と同じ位置にそれぞれ形成される、
又は、前記低抵抗配線及び前記導通用配線は、同時に形
成される配線である、という形態を採る。
【００１６】また、上記のプラズマディスプレイパネル
において、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前
記上部電極が単層の上部電極であるとき、前記誘電体層
は、前記上部電極の下敷きとなり、かつ、前記基板の上
に堆積された第１誘電体層と、前記第１誘電体層を含む
前記基板を覆う第２誘電体層とを有し、前記上部電極が
単層の上部電極であり、前記単層の上部電極が前記電極
対にそれぞれ対応して単層の上部電極対を構成し、前記
単層の上部電極対に挟まれた領域を上部電極対向領域と
するとき、前記誘電体層が、少なくとも前記上部電極対
向領域の下には敷かれている、という形態を採る。
において、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前
記上部電極が単層の上部電極であるとき、前記誘電体層
は、前記上部電極の下敷きとなり、かつ、前記基板の上
に堆積された第１誘電体層と、前記第１誘電体層を含む
前記基板を覆う第２誘電体層とを有し、前記上部電極が
単層の上部電極であり、前記単層の上部電極が前記電極
対にそれぞれ対応して単層の上部電極対を構成し、前記
単層の上部電極対に挟まれた領域を上部電極対向領域と
するとき、前記誘電体層が、少なくとも前記上部電極対
向領域の下には敷かれている、という形態を採る。
【００１７】さらに、上記のプラズマディスプレイパネ
ルにおいて、本発明のプラズマディスプレイパネルは、
前記ガスは、蛍光体を励起する紫外光を発生させる成分
としてＸｅ，Ｋｒ，Ａｒ，窒素のうち少なくとも一つの
励起ガスを含み、かつ、Ｘｅ，Ｋｒ，Ａｒ，窒素のうち
いずれかを前記ガスの励起ガスとするときの前記励起ガ
スの分圧が１００ｈＰａ以上である、という形態を採
る。
ルにおいて、本発明のプラズマディスプレイパネルは、
前記ガスは、蛍光体を励起する紫外光を発生させる成分
としてＸｅ，Ｋｒ，Ａｒ，窒素のうち少なくとも一つの
励起ガスを含み、かつ、Ｘｅ，Ｋｒ，Ａｒ，窒素のうち
いずれかを前記ガスの励起ガスとするときの前記励起ガ
スの分圧が１００ｈＰａ以上である、という形態を採
る。
【００１８】次に、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法は、基板の表面を覆う誘電体層を形成し
て、前記基板の表面から前記誘電体層の表面までの間に
複数の電極対を形成する工程を有するプラズマディスプ
レイパネルの製造方法であって、前記基板の表面を覆う
誘電体層を形成して、前記基板の表面から前記誘電体層
の表面までの間に複数の電極対を形成する工程が、前記
基板の表面に下部電極となる第１電極対を形成する工程
と、前記第１電極対が挟む下部電極対向領域を少なくと
も覆う第１誘電体層を形成する工程と、前記第１誘電体
層の上に上部電極を構成する第２電極を形成する工程
と、前記第１誘電体層を含む前記基板を覆って第２誘電
体層を堆積させる工程とを有することを基本構成として
いる。
ルの製造方法は、基板の表面を覆う誘電体層を形成し
て、前記基板の表面から前記誘電体層の表面までの間に
複数の電極対を形成する工程を有するプラズマディスプ
レイパネルの製造方法であって、前記基板の表面を覆う
誘電体層を形成して、前記基板の表面から前記誘電体層
の表面までの間に複数の電極対を形成する工程が、前記
基板の表面に下部電極となる第１電極対を形成する工程
と、前記第１電極対が挟む下部電極対向領域を少なくと
も覆う第１誘電体層を形成する工程と、前記第１誘電体
層の上に上部電極を構成する第２電極を形成する工程
と、前記第１誘電体層を含む前記基板を覆って第２誘電
体層を堆積させる工程とを有することを基本構成として
いる。
【００１９】上記プラズマディスプレイパネルの製造方
法の基本構成は、以下のように種々の適用形態を有す
る。
法の基本構成は、以下のように種々の適用形態を有す
る。
【００２０】まず、上記基本構成のプラズマディスプレ
イパネルの製造方法において、本発明のプラズマディス
プレイパネルの製造方法は、前記第１電極対が挟む下部
電極対向領域を少なくとも覆う第１誘電体層を形成する
工程が、前記下部電極対向領域を少なくとも覆う形に前
記誘電体膜をパターニングすることにより行われる、或
いは、前記下部電極対向領域を少なくとも覆う形に前記
基板の上に誘電体膜をスクリーン印刷することにより行
われる、という形態を採る。
イパネルの製造方法において、本発明のプラズマディス
プレイパネルの製造方法は、前記第１電極対が挟む下部
電極対向領域を少なくとも覆う第１誘電体層を形成する
工程が、前記下部電極対向領域を少なくとも覆う形に前
記誘電体膜をパターニングすることにより行われる、或
いは、前記下部電極対向領域を少なくとも覆う形に前記
基板の上に誘電体膜をスクリーン印刷することにより行
われる、という形態を採る。
【００２１】また、上記のプラズマディスプレイパネル
の製造方法において、本発明のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法は、前記第１誘電体層及び前記第２誘電
体層は、共にガラス材料からなり、前記第２誘電体層の
ガラス材料の軟化点は、前記第１誘電体層のガラス材料
の軟化点よりも低い、また、前記基板の表面に下部電極
となる第１電極対を形成する工程と、前記第１誘電体層
の上に上部電極を構成する第２電極を形成する工程との
間に、前記第１電極の引き出し配線抵抗を下げる第１電
極配線を形成する工程を有する、また、前記第１誘電体
層の上に上部電極を構成する第２電極を形成する工程の
後に、前記第２電極の引き出し配線抵抗を下げる第２電
極配線を形成する工程を有する、或いは、前記第２電極
を前記第２電極と対応する第１電極に接続する導通用配
線を形成する工程を有する、或いは、前記第１誘電体層
の上に上部電極を構成する第２電極を形成する工程の後
に、前記第２電極を前記第２電極と対応する第１電極に
接続する導通用配線及び前記第１電極及び前記第２電極
の引き出し配線抵抗を下げる共通電極配線を同時に形成
する工程を有する、という形態を採り、さらに、前記第
１誘電体層の上に上部電極を構成する第２電極を形成す
る工程が、前記第２電極の形成と同時に、前記第２電極
を前記第２電極と対応する第１電極に接続する導通用配
線を形成することにより行われる、或いは、前記第２電
極の形成と同時に、前記第２電極を前記第２電極と対応
する第１電極に接続する導通用配線及び前記第１電極及
び前記第２電極の引き出し配線抵抗を下げる共通電極配
線を形成することにより行われる、というもので、前記
導通用配線は、金属、或いは、金属微粒子からなる、と
いう形態を採るものである。また、前記上部電極が透明
導電膜であるとき、前記導通用配線が前記上部電極と同
じ材料により形成される、という形態も可能である。
の製造方法において、本発明のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法は、前記第１誘電体層及び前記第２誘電
体層は、共にガラス材料からなり、前記第２誘電体層の
ガラス材料の軟化点は、前記第１誘電体層のガラス材料
の軟化点よりも低い、また、前記基板の表面に下部電極
となる第１電極対を形成する工程と、前記第１誘電体層
の上に上部電極を構成する第２電極を形成する工程との
間に、前記第１電極の引き出し配線抵抗を下げる第１電
極配線を形成する工程を有する、また、前記第１誘電体
層の上に上部電極を構成する第２電極を形成する工程の
後に、前記第２電極の引き出し配線抵抗を下げる第２電
極配線を形成する工程を有する、或いは、前記第２電極
を前記第２電極と対応する第１電極に接続する導通用配
線を形成する工程を有する、或いは、前記第１誘電体層
の上に上部電極を構成する第２電極を形成する工程の後
に、前記第２電極を前記第２電極と対応する第１電極に
接続する導通用配線及び前記第１電極及び前記第２電極
の引き出し配線抵抗を下げる共通電極配線を同時に形成
する工程を有する、という形態を採り、さらに、前記第
１誘電体層の上に上部電極を構成する第２電極を形成す
る工程が、前記第２電極の形成と同時に、前記第２電極
を前記第２電極と対応する第１電極に接続する導通用配
線を形成することにより行われる、或いは、前記第２電
極の形成と同時に、前記第２電極を前記第２電極と対応
する第１電極に接続する導通用配線及び前記第１電極及
び前記第２電極の引き出し配線抵抗を下げる共通電極配
線を形成することにより行われる、というもので、前記
導通用配線は、金属、或いは、金属微粒子からなる、と
いう形態を採るものである。また、前記上部電極が透明
導電膜であるとき、前記導通用配線が前記上部電極と同
じ材料により形成される、という形態も可能である。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の発明の実施形態について
説明する前に、本発明のプラズマディスプレイパネルの
電極対及び誘電体層の実施例を図面を参照して説明して
おく。
説明する前に、本発明のプラズマディスプレイパネルの
電極対及び誘電体層の実施例を図面を参照して説明して
おく。
【００２３】図２０は、既に説明したように、一般的な
面放電型プラズマディスプレイの放電セルの上面図及び
断面図である。図１〜５は、図２０で示した隔壁７２５
を有する第２ガラス基板７２１と対向する第１ガラス基
板７１１に相当する第１ガラス基板の構成を示してお
り、本発明の１０種類の電極対及び誘電体層の実施例の
模式断面図である。
面放電型プラズマディスプレイの放電セルの上面図及び
断面図である。図１〜５は、図２０で示した隔壁７２５
を有する第２ガラス基板７２１と対向する第１ガラス基
板７１１に相当する第１ガラス基板の構成を示してお
り、本発明の１０種類の電極対及び誘電体層の実施例の
模式断面図である。
【００２４】まず、図１（ａ）を取り上げて、簡単にそ
の構造を説明する。
の構造を説明する。
【００２５】第１ガラス基板１１上に、まず最初に、第
１ガラス基板１１の上に酸化インジウムあるいは酸化錫
を主成分とするＩＴＯ等の透明導電材料などからなる下
部電極１２１が相対向する形に下部電極対１２として形
成される。
１ガラス基板１１の上に酸化インジウムあるいは酸化錫
を主成分とするＩＴＯ等の透明導電材料などからなる下
部電極１２１が相対向する形に下部電極対１２として形
成される。
【００２６】次に、第１ガラス基板１１の上には、下部
電極１２１を覆って低融点ガラスなどを主成分とする下
部誘電体層１３が形成され、さらに、下部誘電体層１３
の上には、下部電極１２１に対応して上記の透明導電材
料などからなる上部電極１２２が形成される。
電極１２１を覆って低融点ガラスなどを主成分とする下
部誘電体層１３が形成され、さらに、下部誘電体層１３
の上には、下部電極１２１に対応して上記の透明導電材
料などからなる上部電極１２２が形成される。
【００２７】次に、これら下部電極１２１、上部電極１
２２の上方に、放電空間と接するＭｇＯ膜等の保護膜１
５の表面が概ね平坦となるように低融点ガラスなどを主
成分とする上部誘電体層１４を形成する。
２２の上方に、放電空間と接するＭｇＯ膜等の保護膜１
５の表面が概ね平坦となるように低融点ガラスなどを主
成分とする上部誘電体層１４を形成する。
【００２８】このような誘電体層の形成方法により、上
部電極１２２の上の上部誘電体層１４の厚さが下部電極
１２１の上の誘電体層の厚さ（下部誘電体層１３と上部
誘電体層１４の厚さの和）より小さくなるような構成が
得られる。
部電極１２２の上の上部誘電体層１４の厚さが下部電極
１２１の上の誘電体層の厚さ（下部誘電体層１３と上部
誘電体層１４の厚さの和）より小さくなるような構成が
得られる。
【００２９】また、図１（ａ）、（ｂ）、図２（ｂ）及
び図３（ａ）、（ｂ）、図４（ｂ）では、下部電極対１
２の互いに相対向する電極端よりも内側に、相対向する
上部電極１２２に挟まれる領域が形成されている。図２
（ａ）及び図４（ａ）では、下部電極対１２に挟まれる
領域と、相対向する上部電極１２２に挟まれる領域とが
一致するように形成されている。図２（ｃ）及び図４
（ｃ）では、下部電極対１２に挟まれる領域が、相対向
する上部電極１２２に挟まれる領域よりも内側になるよ
うに形成されている。
び図３（ａ）、（ｂ）、図４（ｂ）では、下部電極対１
２の互いに相対向する電極端よりも内側に、相対向する
上部電極１２２に挟まれる領域が形成されている。図２
（ａ）及び図４（ａ）では、下部電極対１２に挟まれる
領域と、相対向する上部電極１２２に挟まれる領域とが
一致するように形成されている。図２（ｃ）及び図４
（ｃ）では、下部電極対１２に挟まれる領域が、相対向
する上部電極１２２に挟まれる領域よりも内側になるよ
うに形成されている。
【００３０】次に、本発明の上部電極の下部電極に対す
る相対的な位置関係を詳述する。
る相対的な位置関係を詳述する。
【００３１】図１（ａ）では、下部電極１２１の面放電
電極対の放電ギャップ側端部を含む相対向する領域に上
部電極１２２が下部誘電体層１３を挟んで形成され、電
極対端部での放電空間に対する誘電体層の厚さが、上部
電極１２２が存在することにより上部電極１２２を覆う
上部誘電体層１４の厚さとなり、上部電極対の端部から
放電空間までの誘電体層の厚さを薄くする構造を実現し
ている。
電極対の放電ギャップ側端部を含む相対向する領域に上
部電極１２２が下部誘電体層１３を挟んで形成され、電
極対端部での放電空間に対する誘電体層の厚さが、上部
電極１２２が存在することにより上部電極１２２を覆う
上部誘電体層１４の厚さとなり、上部電極対の端部から
放電空間までの誘電体層の厚さを薄くする構造を実現し
ている。
【００３２】次に、図１（ｂ）では、下部電極１２１と
上部電極１２２にほとんど重なりがないように形成され
ている。即ち、上部電極の相対向する側の側面と反対の
上部電極の側面が、下部電極の相対向する側面位置と平
面上ほぼ一致する。
上部電極１２２にほとんど重なりがないように形成され
ている。即ち、上部電極の相対向する側の側面と反対の
上部電極の側面が、下部電極の相対向する側面位置と平
面上ほぼ一致する。
【００３３】図２（ａ）では、下部電極１２１の相対向
する側面位置と上部電極１２２の相対向する側面位置と
が平面上完全に重なり、それぞれの面放電電極対の放電
ギャップ側端部がほぼ平面上一致するように形成されて
いる。
する側面位置と上部電極１２２の相対向する側面位置と
が平面上完全に重なり、それぞれの面放電電極対の放電
ギャップ側端部がほぼ平面上一致するように形成されて
いる。
【００３４】図２（ｂ）では、上部電極１２２の全てが
平面上、下部電極１２１の相対向する側面の内側に位置
するように形成されている。
平面上、下部電極１２１の相対向する側面の内側に位置
するように形成されている。
【００３５】図２（ｃ）では、下部電極１２１の相対向
する側面に挟まれた領域が、平面上、上部電極１２２の
相対向する側面に挟まれた領域の内側に位置するように
形成されている。
する側面に挟まれた領域が、平面上、上部電極１２２の
相対向する側面に挟まれた領域の内側に位置するように
形成されている。
【００３６】図３、４の例では、下部誘電体層１３は下
部電極１２１の相対向する側面に挟まれた領域を少なく
とも覆うように、第１ガラス基板１１上に部分的に形成
されている点が、図１、２の例と異なっており、上部電
極１２２は、下部誘電体層１３の上にあって、下部誘電
体層１３により下部電極１２１と分離された形に形成さ
れる。
部電極１２１の相対向する側面に挟まれた領域を少なく
とも覆うように、第１ガラス基板１１上に部分的に形成
されている点が、図１、２の例と異なっており、上部電
極１２２は、下部誘電体層１３の上にあって、下部誘電
体層１３により下部電極１２１と分離された形に形成さ
れる。
【００３７】また、本発明の電極対及び誘電体層の実施
例は、図１〜４に示される構造に限定されることなく、
図５（ａ）に示すように、上部電極対向領域１７及び下
部電極対向領域１６が互いに一部重畳する構成、また、
図５（ｂ）に示すように、上部電極対向領域１７が下部
電極対向領域１６の内側に在って、しかも、上部電極対
向領域１７の上部電極対向領域中心線１１７が下部電極
対向領域１６の下部電極対向領域中心線１１６と一致し
ない非対称形の構成もその適用形態として考えられる。
例は、図１〜４に示される構造に限定されることなく、
図５（ａ）に示すように、上部電極対向領域１７及び下
部電極対向領域１６が互いに一部重畳する構成、また、
図５（ｂ）に示すように、上部電極対向領域１７が下部
電極対向領域１６の内側に在って、しかも、上部電極対
向領域１７の上部電極対向領域中心線１１７が下部電極
対向領域１６の下部電極対向領域中心線１１６と一致し
ない非対称形の構成もその適用形態として考えられる。
【００３８】つまり、本発明によるプラズマディスプレ
イパネルの構造は、同一基板上の面放電電極対間放電の
発生し易さに影響する誘電体層の厚さを最適に設計する
ことが可能であり、特に大きく影響する相対向する電極
端部周辺の放電空間での電界強度を大きく保ったまま、
面放電での電流密度を抑えることが可能であり、放電を
維持するための電圧を低くすることと、高い発光効率を
両立させることができ、ひいては表示品位を向上させる
ことができるものである。
イパネルの構造は、同一基板上の面放電電極対間放電の
発生し易さに影響する誘電体層の厚さを最適に設計する
ことが可能であり、特に大きく影響する相対向する電極
端部周辺の放電空間での電界強度を大きく保ったまま、
面放電での電流密度を抑えることが可能であり、放電を
維持するための電圧を低くすることと、高い発光効率を
両立させることができ、ひいては表示品位を向上させる
ことができるものである。
【００３９】上記本発明構造の効果は、以下の知見に基
づいている。即ち、（１）面放電電極上の誘電体層を厚
くすると電流密度が制限され発光効率が向上すること、
（２）面放電電極上の誘電体層を厚くすると放電を維持
するための電圧が上昇し、駆動が困難になること、
（３）ＨｅやＮｅなど希ガスを主成分とする放電ガスを
用いる場合、蛍光体を励起するのに利用する紫外光を発
生するガス種の組成比が増加すると発光効率が向上する
こと、（４）ＨｅやＮｅなど希ガスを主成分とする放電
ガスを用いる場合、蛍光体を励起するのに利用する紫外
光を発生するガス種の組成比が増加すると放電を維持す
るための電圧が上昇し、駆動が困難になること、（５）
面放電電極上の一部の誘電体層の厚さが薄いこと、特に
相対向する部位上の誘電体層の厚さが薄ければ、他の部
位の誘電体層が厚くても、あるいは紫外光を発生するガ
ス種の組成比が高くても、放電を維持するための電圧を
実用的な範囲に抑制することができること、等の知見で
ある。
づいている。即ち、（１）面放電電極上の誘電体層を厚
くすると電流密度が制限され発光効率が向上すること、
（２）面放電電極上の誘電体層を厚くすると放電を維持
するための電圧が上昇し、駆動が困難になること、
（３）ＨｅやＮｅなど希ガスを主成分とする放電ガスを
用いる場合、蛍光体を励起するのに利用する紫外光を発
生するガス種の組成比が増加すると発光効率が向上する
こと、（４）ＨｅやＮｅなど希ガスを主成分とする放電
ガスを用いる場合、蛍光体を励起するのに利用する紫外
光を発生するガス種の組成比が増加すると放電を維持す
るための電圧が上昇し、駆動が困難になること、（５）
面放電電極上の一部の誘電体層の厚さが薄いこと、特に
相対向する部位上の誘電体層の厚さが薄ければ、他の部
位の誘電体層が厚くても、あるいは紫外光を発生するガ
ス種の組成比が高くても、放電を維持するための電圧を
実用的な範囲に抑制することができること、等の知見で
ある。
【００４０】以上説明した本発明の種々の電極対及び誘
電体層の実施例は、その特徴を模式的な構造断面図で示
しているが、以上の電極対及び誘電体層の実施例を以下
に説明する具体的な実施形態のすべての実施形態に適用
することができる。即ち、以下の第１から第６の実施形
態において、誘電体層の構造を除いた電極対の構成は、
上記に述べた図１（ａ）、或いは、図３（ａ）の構成を
主体として説明しているが、図１（ｂ）、図２（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、図５（ａ）、（ｂ）に示される６種類
の構成をそれぞれの実施形態において適用できることは
言うまでもない。
電体層の実施例は、その特徴を模式的な構造断面図で示
しているが、以上の電極対及び誘電体層の実施例を以下
に説明する具体的な実施形態のすべての実施形態に適用
することができる。即ち、以下の第１から第６の実施形
態において、誘電体層の構造を除いた電極対の構成は、
上記に述べた図１（ａ）、或いは、図３（ａ）の構成を
主体として説明しているが、図１（ｂ）、図２（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、図５（ａ）、（ｂ）に示される６種類
の構成をそれぞれの実施形態において適用できることは
言うまでもない。
【００４１】図６〜１７は、本発明の実施形態の更に詳
しい、即ち、構造断面図だけではなく、その上面図も加
えた形で実施形態を説明するための図である。
しい、即ち、構造断面図だけではなく、その上面図も加
えた形で実施形態を説明するための図である。
【００４２】また、本発明の実施形態においては、下部
電極及び上部電極が共に低抵抗化配線及び導通用配線に
より引き出される構造を示しているが、本発明は、低抵
抗化配線及び導通用配線がなく、下部電極及び上部電極
が共にパネル端部で電気的に接続される形態も、これら
の実施形態の変形例として含むことは言うまでもないこ
とである。
電極及び上部電極が共に低抵抗化配線及び導通用配線に
より引き出される構造を示しているが、本発明は、低抵
抗化配線及び導通用配線がなく、下部電極及び上部電極
が共にパネル端部で電気的に接続される形態も、これら
の実施形態の変形例として含むことは言うまでもないこ
とである。
【００４３】まず、本発明の第１の実施形態を図６及び
図７を用いて説明する。本発明の構造を説明する図６〜
１７の各図において、偶数図番と、次の奇数図番は、ペ
アでそれぞれの実施形態の特徴を示すものであり、それ
ぞれの実施形態において、（ａ）は上面図、（ｂ）は上
面図（ａ）のそれぞれ切断線Ａ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’での断
面図であり、それぞれの実施形態の相違が明確になるよ
うになっている。
図７を用いて説明する。本発明の構造を説明する図６〜
１７の各図において、偶数図番と、次の奇数図番は、ペ
アでそれぞれの実施形態の特徴を示すものであり、それ
ぞれの実施形態において、（ａ）は上面図、（ｂ）は上
面図（ａ）のそれぞれ切断線Ａ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’での断
面図であり、それぞれの実施形態の相違が明確になるよ
うになっている。
【００４４】図６（ａ）は、第１ガラス基板の上面図で
あるが、第１ガラス基板上の素子のレイアウトを明確に
するために、第２ガラス基板の隔壁領域３１を同じ紙面
に一点鎖線で示している。従って、第２ガラス基板隔壁
領域３１は、特に奇数図番の（ｂ）の断面図においては
図示を省略している。この図においては、切断線Ａ−
Ａ’は、併行する第２ガラス基板隔壁領域３１の間を第
２ガラス基板隔壁領域３１に平行して走っている。
あるが、第１ガラス基板上の素子のレイアウトを明確に
するために、第２ガラス基板の隔壁領域３１を同じ紙面
に一点鎖線で示している。従って、第２ガラス基板隔壁
領域３１は、特に奇数図番の（ｂ）の断面図においては
図示を省略している。この図においては、切断線Ａ−
Ａ’は、併行する第２ガラス基板隔壁領域３１の間を第
２ガラス基板隔壁領域３１に平行して走っている。
【００４５】まず、図６（ｂ）に示すように、第１ガラ
ス基板１１の上に下部電極１２１、概ね平坦面に形成さ
れた下部電極１２１の一辺上に第１低抵抗化配線２２１
が形成される。この第１低抵抗化配線２２１は、下部電
極１２１の引き出し配線抵抗を下げるための配線であ
り、アルミニウム、銅、クロム、銀などを少なくとも含
む金属材料の薄膜、あるいはこれらの金属微粒子、ある
いは金属微粒子と低融点ガラスの混合物を焼成したもの
等の低抵抗材料により構成される。
ス基板１１の上に下部電極１２１、概ね平坦面に形成さ
れた下部電極１２１の一辺上に第１低抵抗化配線２２１
が形成される。この第１低抵抗化配線２２１は、下部電
極１２１の引き出し配線抵抗を下げるための配線であ
り、アルミニウム、銅、クロム、銀などを少なくとも含
む金属材料の薄膜、あるいはこれらの金属微粒子、ある
いは金属微粒子と低融点ガラスの混合物を焼成したもの
等の低抵抗材料により構成される。
【００４６】次に、下部電極１２１及びその上の第１低
抵抗化配線２２１を全て覆うように下部誘電体層１３が
形成され、さらに、下部誘電体層１３の上には、相対向
する下部電極１２１に対応して上部電極１２２が形成さ
れ、これら電極上に、放電空間と接するＭｇＯ膜等の保
護膜１５の表面が概ね平坦となるように上部誘電体層１
４が形成されている。
抵抗化配線２２１を全て覆うように下部誘電体層１３が
形成され、さらに、下部誘電体層１３の上には、相対向
する下部電極１２１に対応して上部電極１２２が形成さ
れ、これら電極上に、放電空間と接するＭｇＯ膜等の保
護膜１５の表面が概ね平坦となるように上部誘電体層１
４が形成されている。
【００４７】また、上部電極１２２と同一の平面上に
は、上記低抵抗材料からなる第２低抵抗化配線２２２が
形成されている。
は、上記低抵抗材料からなる第２低抵抗化配線２２２が
形成されている。
【００４８】次に、図７（ａ）は、図６（ａ）と同じ第
１ガラス基板の上面図であるが、切断線Ｂ−Ｂ’は、第
２ガラス基板隔壁領域３１の中心を第２ガラス基板隔壁
領域３１に平行して走っている。
１ガラス基板の上面図であるが、切断線Ｂ−Ｂ’は、第
２ガラス基板隔壁領域３１の中心を第２ガラス基板隔壁
領域３１に平行して走っている。
【００４９】図７（ｂ）は、上部電極１２２と同一平面
上に形成された第２低抵抗化配線２２２が、上部電極１
２２と接続する様子を示している。この図においては、
上部電極１２２は、上記低抵抗材料により構成される導
通用配線２２３を通して第２低抵抗化配線２２２と接続
するが、この例では、導通用配線２２３が第２低抵抗化
配線２２２と同じ材料で形成される場合を示している。
勿論、導通用配線２２３が、第２低抵抗化配線２２２と
異なる材料で形成される場合も本実施形態の変形例とし
て考えられることは言うまでもない。また、導通用配線
２２３と上部電極１２２が同一材料であっても良い。
上に形成された第２低抵抗化配線２２２が、上部電極１
２２と接続する様子を示している。この図においては、
上部電極１２２は、上記低抵抗材料により構成される導
通用配線２２３を通して第２低抵抗化配線２２２と接続
するが、この例では、導通用配線２２３が第２低抵抗化
配線２２２と同じ材料で形成される場合を示している。
勿論、導通用配線２２３が、第２低抵抗化配線２２２と
異なる材料で形成される場合も本実施形態の変形例とし
て考えられることは言うまでもない。また、導通用配線
２２３と上部電極１２２が同一材料であっても良い。
【００５０】また、図６、７（ａ）において破線で囲ん
だ領域は、プラズマディスプレイパネルにおける一つの
放電セル１００を示し、上述した第２低抵抗化配線２２
２及び導通用配線２２３が、全ての放電セル１００にお
いて同様に形成されていることを示している。
だ領域は、プラズマディスプレイパネルにおける一つの
放電セル１００を示し、上述した第２低抵抗化配線２２
２及び導通用配線２２３が、全ての放電セル１００にお
いて同様に形成されていることを示している。
【００５１】この実施形態においては、第１低抵抗化配
線２２１及び第２低抵抗化配線２２２は、第１ガラス基
板１１の上を下部電極１２１及び上部電極１２２と平行
して走査するが、パネルの端部において接続され同電位
となる。
線２２１及び第２低抵抗化配線２２２は、第１ガラス基
板１１の上を下部電極１２１及び上部電極１２２と平行
して走査するが、パネルの端部において接続され同電位
となる。
【００５２】以上のような構造及び製造方法により、上
部電極１２２の上の誘電体層の厚さムラは、プラズマデ
ィスプレイパネルの実用的な表示が可能となるという意
味において、無視することができた。これは、本発明の
２層電極の構造及び製造方法が、上部電極１２２の幅を
パネル全体に均一に形成することを可能とするためであ
る。
部電極１２２の上の誘電体層の厚さムラは、プラズマデ
ィスプレイパネルの実用的な表示が可能となるという意
味において、無視することができた。これは、本発明の
２層電極の構造及び製造方法が、上部電極１２２の幅を
パネル全体に均一に形成することを可能とするためであ
る。
【００５３】次に、本発明の第２の実施形態を図８及び
図９を用いて説明する。
図９を用いて説明する。
【００５４】図８、９では、下部電極１２１の相対向す
る領域を少なくとも覆うようにして下部誘電体層２３を
第１ガラス基板１１の上に部分的に形成し、下部誘電体
層２３の上に下部電極１２１に対応するように上部電極
１２２を形成する。上部電極１２２及び下部電極１２１
を接続し、かつ、両電極からの引き出し配線抵抗を下げ
るために、低抵抗配線材料からなる低抵抗化配線２２０
が形成されている。
る領域を少なくとも覆うようにして下部誘電体層２３を
第１ガラス基板１１の上に部分的に形成し、下部誘電体
層２３の上に下部電極１２１に対応するように上部電極
１２２を形成する。上部電極１２２及び下部電極１２１
を接続し、かつ、両電極からの引き出し配線抵抗を下げ
るために、低抵抗配線材料からなる低抵抗化配線２２０
が形成されている。
【００５５】図９（ｂ）に、上部電極１２２が導通用配
線２２３を通して低抵抗化配線２２０により引き出さ
れ、下部電極１２１と導通されている様子が示されてい
る。第１の実施形態と同様、導通用配線２２３が低抵抗
化配線２２０と同じ材料で形成される場合を示している
が、導通用配線２２３が、低抵抗化配線２２０と異なる
材料で形成される場合も本実施形態の変形例として考え
られることは言うまでもない。また、導通用配線２２３
と上部電極１２２が同一材料であっても良い。
線２２３を通して低抵抗化配線２２０により引き出さ
れ、下部電極１２１と導通されている様子が示されてい
る。第１の実施形態と同様、導通用配線２２３が低抵抗
化配線２２０と同じ材料で形成される場合を示している
が、導通用配線２２３が、低抵抗化配線２２０と異なる
材料で形成される場合も本実施形態の変形例として考え
られることは言うまでもない。また、導通用配線２２３
と上部電極１２２が同一材料であっても良い。
【００５６】このような下部誘電体層２３をこのような
構造とすることにより、導通用配線２２３が、下部電極
１２１と上部電極１２２とを近接した領域で接続するこ
とになり、第１の実施形態に比べて、下部電極１２１と
上部電極１２２との電位差を小さくできるという効果が
ある。さらに、低抵抗化配線を下部電極及び上部電極に
対して一括して形成しているので、第１の実施形態に比
べて、製造工程が少なくて済み、製造コストの低コスト
化が図れ、工程数短縮による高信頼化も図れるという効
果も有している。
構造とすることにより、導通用配線２２３が、下部電極
１２１と上部電極１２２とを近接した領域で接続するこ
とになり、第１の実施形態に比べて、下部電極１２１と
上部電極１２２との電位差を小さくできるという効果が
ある。さらに、低抵抗化配線を下部電極及び上部電極に
対して一括して形成しているので、第１の実施形態に比
べて、製造工程が少なくて済み、製造コストの低コスト
化が図れ、工程数短縮による高信頼化も図れるという効
果も有している。
【００５７】次に、本発明の第３の実施形態を図１０及
び図１１を用いて説明する。
び図１１を用いて説明する。
【００５８】図１０の構成は、第２の実施形態と概略同
じ構成であるが、図１１の（ｂ）を見ると、上部電極１
２２が低抵抗配線材料と同一の材料の低抵抗化配線３２
０で構成されており、この点において、第２の実施形態
と異なっていることがわかる。従って、上部電極を形成
する製造工程を省略することができ、製造工程の簡略化
を図ることができる。
じ構成であるが、図１１の（ｂ）を見ると、上部電極１
２２が低抵抗配線材料と同一の材料の低抵抗化配線３２
０で構成されており、この点において、第２の実施形態
と異なっていることがわかる。従って、上部電極を形成
する製造工程を省略することができ、製造工程の簡略化
を図ることができる。
【００５９】次に、本発明の第４の実施形態を図１２及
び図１３を用いて説明する。
び図１３を用いて説明する。
【００６０】本実施形態では、下部電極１２１は、低抵
抗化配線４２０から離れて形成され、図１３（ｂ）に示
すように、第２ガラス基板隔壁領域３１に対応する領域
で、導通用配線４２３によって上部電極１２２及び低抵
抗化配線４２０と接続される。この実施形態において
も、導通用配線４２３が低抵抗化配線４２０と同時に形
成される場合を示しているが、低抵抗化配線４２０と異
なる工程で形成されても良い。また、この実施形態にお
いては、導通用配線２２３と上部電極１２２が同一材料
であっても良く、また、上部電極１２２、導通用配線４
２３、低抵抗化配線４２０が一体化していても良い。
抗化配線４２０から離れて形成され、図１３（ｂ）に示
すように、第２ガラス基板隔壁領域３１に対応する領域
で、導通用配線４２３によって上部電極１２２及び低抵
抗化配線４２０と接続される。この実施形態において
も、導通用配線４２３が低抵抗化配線４２０と同時に形
成される場合を示しているが、低抵抗化配線４２０と異
なる工程で形成されても良い。また、この実施形態にお
いては、導通用配線２２３と上部電極１２２が同一材料
であっても良く、また、上部電極１２２、導通用配線４
２３、低抵抗化配線４２０が一体化していても良い。
【００６１】次に、本発明の第５の実施形態を図１４及
び図１５を用いて説明する。
び図１５を用いて説明する。
【００６２】本実施形態では、下部電極１２１を覆って
形成された下部誘電体層２３の上に、上部電極が複数に
分離されて形成される場合を示し、上部電極が第１上部
電極５２２及びその横の第２上部電極５３２により構成
される様子を示している。本実施形態では、第１上部電
極５２２及び第２上部電極５３２が、同じ工程で同じ材
料で形成される場合を示したが、第１上部電極５２２及
び第２上部電極５３２がそれぞれ別の工程で異なる材料
で形成されても良い。また、上部電極が３つ以上に分離
されて形成されていても良い。
形成された下部誘電体層２３の上に、上部電極が複数に
分離されて形成される場合を示し、上部電極が第１上部
電極５２２及びその横の第２上部電極５３２により構成
される様子を示している。本実施形態では、第１上部電
極５２２及び第２上部電極５３２が、同じ工程で同じ材
料で形成される場合を示したが、第１上部電極５２２及
び第２上部電極５３２がそれぞれ別の工程で異なる材料
で形成されても良い。また、上部電極が３つ以上に分離
されて形成されていても良い。
【００６３】次に、本発明の第６の実施形態を図１６及
び図１７を用いて説明する。
び図１７を用いて説明する。
【００６４】本実施形態では、下部電極１２１をまず第
１ガラス基板上に部分的に形成された下部誘電体層２３
で覆い、続いて、下部誘電体層２３の上に第１上部電極
６２２を下部電極１２１に対応して形成し、さらに、中
間誘電体層６２４を、少なくとも下部電極１２１の相対
向する領域を覆うように、下部誘電体層２３の上に形成
する。この場合、中間誘電体層６２４の形状は、少なく
とも下部電極１２１の相対向する領域を覆っていれば良
く、図１６（ｂ）に示す断面図の形状よりも横方向に伸
びた形で、低抵抗化配線６２０を覆うまで伸びていても
差し支えない。
１ガラス基板上に部分的に形成された下部誘電体層２３
で覆い、続いて、下部誘電体層２３の上に第１上部電極
６２２を下部電極１２１に対応して形成し、さらに、中
間誘電体層６２４を、少なくとも下部電極１２１の相対
向する領域を覆うように、下部誘電体層２３の上に形成
する。この場合、中間誘電体層６２４の形状は、少なく
とも下部電極１２１の相対向する領域を覆っていれば良
く、図１６（ｂ）に示す断面図の形状よりも横方向に伸
びた形で、低抵抗化配線６２０を覆うまで伸びていても
差し支えない。
【００６５】この後、中間誘電体層６２４の上に第２上
部電極６３２を下部電極１２１に対応して形成する。最
後に、上部誘電体層２４により第１ガラス基板１１全体
を覆う。
部電極６３２を下部電極１２１に対応して形成する。最
後に、上部誘電体層２４により第１ガラス基板１１全体
を覆う。
【００６６】図１７は、第１上部電極６２２及び第２上
部電極６３２が、導通用配線６２３により互いに接続さ
れ、さらに、低抵抗化配線６２０にも接続される様子を
示している。また、この実施形態においては、導通用配
線２２３と上部電極１２２が同一材料であっても良く、
また、上部電極１２２、導通用配線４２３、低抵抗化配
線４２０が一体化していても良い。
部電極６３２が、導通用配線６２３により互いに接続さ
れ、さらに、低抵抗化配線６２０にも接続される様子を
示している。また、この実施形態においては、導通用配
線２２３と上部電極１２２が同一材料であっても良く、
また、上部電極１２２、導通用配線４２３、低抵抗化配
線４２０が一体化していても良い。
【００６７】この実施形態においては、第１上部電極６
２２及び第２上部電極６３２がそれぞれ電極対として対
称に形成され、しかも、相対向する下部電極１２１に挟
まれた領域の中心線に対しても対称となるように形成さ
れているが、本発明は、このような形態に限定されるも
のではなく、第１上部電極６２２及び第２上部電極６３
２がそれぞれ電極対として対称ではない場合、或いは、
第１上部電極６２２及び第２上部電極６３２がそれぞれ
電極対として同一平面上にない場合、第１上部電極６２
２及び第２上部電極６３２以外にさらに誘電体層中の異
なる平面上に別の上部電極を有する場合等も、本実施形
態の変形例として考えられる。
２２及び第２上部電極６３２がそれぞれ電極対として対
称に形成され、しかも、相対向する下部電極１２１に挟
まれた領域の中心線に対しても対称となるように形成さ
れているが、本発明は、このような形態に限定されるも
のではなく、第１上部電極６２２及び第２上部電極６３
２がそれぞれ電極対として対称ではない場合、或いは、
第１上部電極６２２及び第２上部電極６３２がそれぞれ
電極対として同一平面上にない場合、第１上部電極６２
２及び第２上部電極６３２以外にさらに誘電体層中の異
なる平面上に別の上部電極を有する場合等も、本実施形
態の変形例として考えられる。
【００６８】また、第１上部電極６２２及び第２上部電
極６３２がそれぞれ電極対として同一平面上になく、第
１上部電極６２２及び第２上部電極６３２以外にさらに
誘電体層中の異なる平面上に別の上部電極を有する場合
ない場合等の特殊な形態においては、これらの上部電極
のうち最も近接する上部電極対が面放電の主体となるこ
とになり、誘電体層が少なくともこの上部電極対の上を
覆う形に形成される構成となる。
極６３２がそれぞれ電極対として同一平面上になく、第
１上部電極６２２及び第２上部電極６３２以外にさらに
誘電体層中の異なる平面上に別の上部電極を有する場合
ない場合等の特殊な形態においては、これらの上部電極
のうち最も近接する上部電極対が面放電の主体となるこ
とになり、誘電体層が少なくともこの上部電極対の上を
覆う形に形成される構成となる。
【００６９】次に、本発明のプラズマディスプレイの製
造方法について図１８、１９を参照して説明する。図１
８、１９は、本発明のプラズマディスプレイの製造方法
の実施形態の一例を示す断面図である。
造方法について図１８、１９を参照して説明する。図１
８、１９は、本発明のプラズマディスプレイの製造方法
の実施形態の一例を示す断面図である。
【００７０】まず、平坦な第１ガラス基板１１に下部電
極１２１を所望の形状に形成し（図１８（ａ））、その
上に所望の形状に誘電体層材料ペーストを配置し、焼成
することによって下部電極１２１と上部電極１２２とを
分離する下部誘電体層２３とし（図１８（ｂ））、下部
誘電体層２３の上に上部電極１２２を下部電極１２１に
対応して形成し（図１８（ｃ））、この下部誘電体層２
３の上に上部電極１２２及び下部電極１２１を接続し、
且つ、上部電極１２２及び下部電極１２１の引き出し配
線の抵抗値を下げるための低抵抗配線材料からなる低抵
抗化配線２２０を形成し（図１９（ａ））、第１ガラス
基板１１全体を覆うように上部誘電体層２４を概ね平坦
に形成（図１９（ｂ））した後、ＭｇＯ膜等の保護膜１
５を形成する（図１９（ｃ））ことにより、第１ガラス
基板１１側の構成を完成させており、本発明のプラズマ
ディスプレイの構造を容易に作製することができる。
極１２１を所望の形状に形成し（図１８（ａ））、その
上に所望の形状に誘電体層材料ペーストを配置し、焼成
することによって下部電極１２１と上部電極１２２とを
分離する下部誘電体層２３とし（図１８（ｂ））、下部
誘電体層２３の上に上部電極１２２を下部電極１２１に
対応して形成し（図１８（ｃ））、この下部誘電体層２
３の上に上部電極１２２及び下部電極１２１を接続し、
且つ、上部電極１２２及び下部電極１２１の引き出し配
線の抵抗値を下げるための低抵抗配線材料からなる低抵
抗化配線２２０を形成し（図１９（ａ））、第１ガラス
基板１１全体を覆うように上部誘電体層２４を概ね平坦
に形成（図１９（ｂ））した後、ＭｇＯ膜等の保護膜１
５を形成する（図１９（ｃ））ことにより、第１ガラス
基板１１側の構成を完成させており、本発明のプラズマ
ディスプレイの構造を容易に作製することができる。
【００７１】次に、上記本発明のプラズマディスプレイ
の製造方法について、図８、９の例を中心に、さらに詳
細に説明する。
の製造方法について、図８、９の例を中心に、さらに詳
細に説明する。
【００７２】まず、第１ガラス基板１１の上に可視光を
透過する望ましくは透明な導体により下部電極１２１を
形成し（図１８（ａ））、この下部電極１２１の少なく
とも面放電電極対の放電ギャップ側端部１２５により挟
まれる領域を覆うように低融点ガラスを主成分とする誘
電体ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、焼成す
ることによって下部誘電体層１３を形成した（図１８
（ｂ））。この下部誘電体層１３をより高い位置精度で
形成するには、厚膜感光フィルムをパターニングし、そ
の開口部に下部誘電体層材料を埋め込んで形成する方
法、あるいは感光性誘電体層材料を直接露光現像してパ
ターニングする方法を用いることができた。
透過する望ましくは透明な導体により下部電極１２１を
形成し（図１８（ａ））、この下部電極１２１の少なく
とも面放電電極対の放電ギャップ側端部１２５により挟
まれる領域を覆うように低融点ガラスを主成分とする誘
電体ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、焼成す
ることによって下部誘電体層１３を形成した（図１８
（ｂ））。この下部誘電体層１３をより高い位置精度で
形成するには、厚膜感光フィルムをパターニングし、そ
の開口部に下部誘電体層材料を埋め込んで形成する方
法、あるいは感光性誘電体層材料を直接露光現像してパ
ターニングする方法を用いることができた。
【００７３】次に、第１ガラス基板１１全面に感光性材
料を形成し、下部誘電体層１３上の上部電極１２２を形
成する領域の感光性材料を除去するように露光現像処理
し、リフトオフ法によって透明導電材料からなる上部電
極１２２を形成した（図１８（ｃ））。上部電極１２２
は、金属あるいは金属微粒子からなる導体材料であって
もよく、これらを全面に薄膜形成あるいは塗布した後、
露光現像処理により所望の形状の上部電極１２２を得る
ことも可能である。また、スクリーン印刷法などパター
ン化された所望の形状に形成することも可能である。
料を形成し、下部誘電体層１３上の上部電極１２２を形
成する領域の感光性材料を除去するように露光現像処理
し、リフトオフ法によって透明導電材料からなる上部電
極１２２を形成した（図１８（ｃ））。上部電極１２２
は、金属あるいは金属微粒子からなる導体材料であって
もよく、これらを全面に薄膜形成あるいは塗布した後、
露光現像処理により所望の形状の上部電極１２２を得る
ことも可能である。また、スクリーン印刷法などパター
ン化された所望の形状に形成することも可能である。
【００７４】次に、下部電極１２１及び上部電極１２２
の引き出し配線抵抗を低抵抗化するために、アルミニウ
ム、銅、クロム、銀などを少なくとも含む金属材料の薄
膜、あるいはこれらの金属微粒子、あるいは金属微粒子
と低融点ガラスの混合物を焼成したもの等の低抵抗材料
からなる導通用配線２２３を、図８、９に示した放電セ
ル１００の周辺部、望ましくは、第２ガラス基板隔壁領
域３１と重なるかその幅より小さくなるように、下部電
極１２１と上部電極１２２とを接続すべく形成する。
の引き出し配線抵抗を低抵抗化するために、アルミニウ
ム、銅、クロム、銀などを少なくとも含む金属材料の薄
膜、あるいはこれらの金属微粒子、あるいは金属微粒子
と低融点ガラスの混合物を焼成したもの等の低抵抗材料
からなる導通用配線２２３を、図８、９に示した放電セ
ル１００の周辺部、望ましくは、第２ガラス基板隔壁領
域３１と重なるかその幅より小さくなるように、下部電
極１２１と上部電極１２２とを接続すべく形成する。
【００７５】この製造方法においては、導通用配線２２
３は、低抵抗化配線２２０と同時に形成される場合を例
としており、低抵抗化配線２２０は、面放電電極対の放
電ギャップ側端部１２５とは反対側の放電セル端部に下
部電極１２１と並置されるように形成される（図１９
（ａ））。
３は、低抵抗化配線２２０と同時に形成される場合を例
としており、低抵抗化配線２２０は、面放電電極対の放
電ギャップ側端部１２５とは反対側の放電セル端部に下
部電極１２１と並置されるように形成される（図１９
（ａ））。
【００７６】次に、放電セル１００全体を覆うように低
融点ガラスを主成分とする誘電体ペーストをスクリーン
印刷法により塗布し、焼成することによって上部誘電体
層２４を形成した（図１９（ｂ））。
融点ガラスを主成分とする誘電体ペーストをスクリーン
印刷法により塗布し、焼成することによって上部誘電体
層２４を形成した（図１９（ｂ））。
【００７７】この上部誘電体層２４は下部誘電体層２３
より焼成温度と軟化点が低いほうが望ましい。更に、こ
の上部誘電体層２４は焼成処理により下部誘電体層２３
などによる基板上の凹凸を吸収し、平坦化されることが
望ましい。
より焼成温度と軟化点が低いほうが望ましい。更に、こ
の上部誘電体層２４は焼成処理により下部誘電体層２３
などによる基板上の凹凸を吸収し、平坦化されることが
望ましい。
【００７８】最後に、上部誘電体層２４上にＭｇＯ膜等
の保護膜１５を形成し、プラズマディスプレイパネルの
第１ガラス基板１１側の素子を完成させた（図１９
（ｃ））。
の保護膜１５を形成し、プラズマディスプレイパネルの
第１ガラス基板１１側の素子を完成させた（図１９
（ｃ））。
【００７９】第２ガラス基板７２１の方の構成は、図２
０に示す従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法
と同じである。
０に示す従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法
と同じである。
【００８０】即ち、第２ガラス基板７２１に、放電を発
生する単位となる表示セルを分離するように隔壁７２５
を形成し、第１ガラス基板上を走査する１つの維持電極
７１２の対と互いに直交し、表示セルの放電を制御する
選択電極７４２を形成する。各表示セルには、ＲＧＢ３
原色の発光色を示すように、各表示色の表示セルの隔壁
７２５に囲まれたセル内面に蛍光体７４４を塗布し焼成
する。
生する単位となる表示セルを分離するように隔壁７２５
を形成し、第１ガラス基板上を走査する１つの維持電極
７１２の対と互いに直交し、表示セルの放電を制御する
選択電極７４２を形成する。各表示セルには、ＲＧＢ３
原色の発光色を示すように、各表示色の表示セルの隔壁
７２５に囲まれたセル内面に蛍光体７４４を塗布し焼成
する。
【００８１】最後に、第２ガラス基板７２１と第１ガラ
ス基板１１とを向かい合わせて張り合わせて封着し、真
空排気したのち基板間に形成される放電空間にキセノン
など蛍光体を励起する紫外光を発生するガスを混合した
放電ガスを充填し、カラープラズマディスプレイパネル
とした。
ス基板１１とを向かい合わせて張り合わせて封着し、真
空排気したのち基板間に形成される放電空間にキセノン
など蛍光体を励起する紫外光を発生するガスを混合した
放電ガスを充填し、カラープラズマディスプレイパネル
とした。
【００８２】図２０は、本発明のプラズマディスプレイ
パネルの効果を実証するための比較用に作製した従来の
プラズマディスプレイパネルの断面図である。
パネルの効果を実証するための比較用に作製した従来の
プラズマディスプレイパネルの断面図である。
【００８３】第１ガラス基板７１１に蛍光体を励起する
ための紫外光を発生する主要な放電を維持するための維
持電極７１２を電極対の形状に形成し、その上に誘電体
層７２４及び放電空間と接する領域にＭｇＯ膜等の保護
膜７１５を形成した。
ための紫外光を発生する主要な放電を維持するための維
持電極７１２を電極対の形状に形成し、その上に誘電体
層７２４及び放電空間と接する領域にＭｇＯ膜等の保護
膜７１５を形成した。
【００８４】一方、第２ガラス基板７２１には、放電を
発生する単位となる表示セルを分離するように隔壁７２
５を形成し、第１ガラス基板上を走査する１つの維持電
極７１２の対と互いに直交し表示セルの放電を制御する
選択電極７４２を形成する。各表示セルは、ＲＧＢ３原
色の発光色を示すように、各表示色の表示セルの隔壁７
２５に囲まれたセル内面に蛍光体７４４を塗布し焼成す
る。
発生する単位となる表示セルを分離するように隔壁７２
５を形成し、第１ガラス基板上を走査する１つの維持電
極７１２の対と互いに直交し表示セルの放電を制御する
選択電極７４２を形成する。各表示セルは、ＲＧＢ３原
色の発光色を示すように、各表示色の表示セルの隔壁７
２５に囲まれたセル内面に蛍光体７４４を塗布し焼成す
る。
【００８５】最後に、第２ガラス基板７２１を第１ガラ
ス基板７１１と向かい合わせて張り合わせて封着し、真
空排気したのち基板間に形成される放電空間にキセノン
など蛍光体を励起する紫外光を発生するガスを混合した
放電ガスを充填し、カラープラズマディスプレイパネル
とした。
ス基板７１１と向かい合わせて張り合わせて封着し、真
空排気したのち基板間に形成される放電空間にキセノン
など蛍光体を励起する紫外光を発生するガスを混合した
放電ガスを充填し、カラープラズマディスプレイパネル
とした。
【００８６】本発明の第２の実施形態を示す図８、９に
おいて、放電対の電極を２層とした時、下部誘電体層２
３の厚さを１０μｍから５０μｍまで変化させ、また、
上部誘電体層２４の厚さも１０μｍから５０μｍまで変
化させた。
おいて、放電対の電極を２層とした時、下部誘電体層２
３の厚さを１０μｍから５０μｍまで変化させ、また、
上部誘電体層２４の厚さも１０μｍから５０μｍまで変
化させた。
【００８７】下部誘電体層２３及び上部誘電体層２４の
膜厚をこのように変化させたときの第１の実施形態のプ
ラズマディスプレイパネルと、維持電極７２１上の誘電
体層と厚さが、第１の実施形態の下部誘電体層２３と上
部誘電体層２４との厚さの合計値と等しくなるような誘
電体層７２４を持つ従来型構造のプラズマディスプレイ
パネルと特性を比較した。
膜厚をこのように変化させたときの第１の実施形態のプ
ラズマディスプレイパネルと、維持電極７２１上の誘電
体層と厚さが、第１の実施形態の下部誘電体層２３と上
部誘電体層２４との厚さの合計値と等しくなるような誘
電体層７２４を持つ従来型構造のプラズマディスプレイ
パネルと特性を比較した。
【００８８】図２２は、上下誘電体層の厚さが等しい場
合、上下誘電体層の厚さの和と等しい厚さの誘電体層を
有する従来型構造パネルとの発光効率を１．０とし、下
部電極１２１及び上部電極１２２の合計面積のうちに上
部電極１２２が占める面積比率ｒを変化させて、本発明
のプラズマディスプレイパネルの発光効率を比較した結
果である。
合、上下誘電体層の厚さの和と等しい厚さの誘電体層を
有する従来型構造パネルとの発光効率を１．０とし、下
部電極１２１及び上部電極１２２の合計面積のうちに上
部電極１２２が占める面積比率ｒを変化させて、本発明
のプラズマディスプレイパネルの発光効率を比較した結
果である。
【００８９】上部電極の面積比率が大きい場合、結果的
に誘電体層の厚さが薄い場合と同様なため、従来型のパ
ネルに比べて発光効率が低下する。しかし、面積比率が
０．５以下になると発光効率が従来がより大きくなり、
特に０．２以下では著しい発光効率改善効果が認められ
た。
に誘電体層の厚さが薄い場合と同様なため、従来型のパ
ネルに比べて発光効率が低下する。しかし、面積比率が
０．５以下になると発光効率が従来がより大きくなり、
特に０．２以下では著しい発光効率改善効果が認められ
た。
【００９０】同様な評価を種々の放電ガス組成を用いて
実験したところ、蛍光体を励起する紫外線の主な発生源
となるＸｅ、Ｋｒ、ＡｒあるいはＮ2の分圧が１００ｈ
Ｐａ以上の時、望ましくは３００ｈＰａ以上の時、本発
明の構成による発光効率改善効果がより顕著であった。
実験したところ、蛍光体を励起する紫外線の主な発生源
となるＸｅ、Ｋｒ、ＡｒあるいはＮ2の分圧が１００ｈ
Ｐａ以上の時、望ましくは３００ｈＰａ以上の時、本発
明の構成による発光効率改善効果がより顕著であった。
【００９１】また、従来型では１００ｈＰａ以上の分圧
のＸｅ、Ｋｒ、ＡｒあるいはＮ2を有する放電ガスを用
いた場合、放電開始電圧が著しく上昇するだけではな
く、放電に不安定性が生じ、安定な表示放電の維持が困
難であった。しかし、本発明の構成ではこれらの電圧上
昇と放電不安定性を実用的な範囲で抑制することが可能
であった。
のＸｅ、Ｋｒ、ＡｒあるいはＮ2を有する放電ガスを用
いた場合、放電開始電圧が著しく上昇するだけではな
く、放電に不安定性が生じ、安定な表示放電の維持が困
難であった。しかし、本発明の構成ではこれらの電圧上
昇と放電不安定性を実用的な範囲で抑制することが可能
であった。
【００９２】第２の実施形態では、下部誘電体層２３が
下部電極１２１上の一部に形成されている場合である
が、下部誘電体層１３を放電セル内全面に形成し、低抵
抗化のための配線も２層にし、表示領域外でこれらを接
続する第１の実施形態（図６、７）の構成にしても同様
な効果が認められた。
下部電極１２１上の一部に形成されている場合である
が、下部誘電体層１３を放電セル内全面に形成し、低抵
抗化のための配線も２層にし、表示領域外でこれらを接
続する第１の実施形態（図６、７）の構成にしても同様
な効果が認められた。
【００９３】また、上部電極１２２の幅を１００μｍ以
下、望ましくは、５０μｍ以下の金属あるいは金属微粒
子からなる導体により構成しても同様な効果が認められ
た。
下、望ましくは、５０μｍ以下の金属あるいは金属微粒
子からなる導体により構成しても同様な効果が認められ
た。
【００９４】更に、上部電極と低抵抗化のための配線を
同一の材料を用い、同時に形成しても同様な効果及び製
造工程の簡易化が図れた。
同一の材料を用い、同時に形成しても同様な効果及び製
造工程の簡易化が図れた。
【００９５】また、図２１に示す従来例では誘電体層の
厚さにばらつきが生じたのに対し、本発明の構成では、
誘電体層の厚さムラは実用的な表示可能な範囲で無視す
ることができた。これは本発明の構成が、上部電極幅を
パネル全体に均一に形成することが可能且つ容易なため
である。
厚さにばらつきが生じたのに対し、本発明の構成では、
誘電体層の厚さムラは実用的な表示可能な範囲で無視す
ることができた。これは本発明の構成が、上部電極幅を
パネル全体に均一に形成することが可能且つ容易なため
である。
【００９６】以上、本発明の実施形態を主な放電を発生
する面放電電極を用いて説明したが、本発明の効果は概
ね同一平面上に形成される電極対について得られること
である。例えば、電極対が形成される面の高さが異なっ
ていても、電極幅が異なっていても、誘電体層の薄い領
域が非対称であっても本発明の効果が見られるのは明ら
かである。
する面放電電極を用いて説明したが、本発明の効果は概
ね同一平面上に形成される電極対について得られること
である。例えば、電極対が形成される面の高さが異なっ
ていても、電極幅が異なっていても、誘電体層の薄い領
域が非対称であっても本発明の効果が見られるのは明ら
かである。
【００９７】最後に、本発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、単層電極が対向することにより得られる面放電
電極対ではなく、複数の層からなる電極が対向すること
により得られる面放電電極対を形成し、上層に位置する
電極の上の誘電体層の膜厚を薄くすることにより発光効
率を高くしているのであり、以上に述べてきた実施形態
及びその変形例により、複数の層からなる電極が対向す
ることにより得られる面放電電極対のあらゆる構造を網
羅するものである。
ネルは、単層電極が対向することにより得られる面放電
電極対ではなく、複数の層からなる電極が対向すること
により得られる面放電電極対を形成し、上層に位置する
電極の上の誘電体層の膜厚を薄くすることにより発光効
率を高くしているのであり、以上に述べてきた実施形態
及びその変形例により、複数の層からなる電極が対向す
ることにより得られる面放電電極対のあらゆる構造を網
羅するものである。
【００９８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
ディスプレイパネルは、複数の層からなる電極が対向す
ることにより得られる面放電電極対を形成し、上層に位
置する電極の上の誘電体層の膜厚を薄くすることによ
り、低い放電維持電圧を保ち、且つ、高い発光効率を得
ることが可能となり、ひいては表示品位を向上させるこ
とができる。
ディスプレイパネルは、複数の層からなる電極が対向す
ることにより得られる面放電電極対を形成し、上層に位
置する電極の上の誘電体層の膜厚を薄くすることによ
り、低い放電維持電圧を保ち、且つ、高い発光効率を得
ることが可能となり、ひいては表示品位を向上させるこ
とができる。
【図１】本発明の電極対及び誘電体層の実施例の模式断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の電極対及び誘電体層の実施例の模式断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の電極対及び誘電体層の実施例の模式断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の電極対及び誘電体層の実施例の模式断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の電極対及び誘電体層の実施例の模式断
面図である。
面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の上面図及び断面図で
ある。
ある。
【図７】本発明の第１の実施形態の上面図及び図６とは
異なる領域の断面図である。
異なる領域の断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態の上面図及び断面図で
ある。
ある。
【図９】本発明の第２の実施形態の上面図及び図８とは
異なる領域の断面図である。
異なる領域の断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態の上面図及び断面図
である。
である。
【図１１】本発明の第３の実施形態の上面図及び図１０
とは異なる領域の断面図である。
とは異なる領域の断面図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態の上面図及び断面図
である。
である。
【図１３】本発明の第４の実施形態の上面図及び図１２
とは異なる領域の断面図である。
とは異なる領域の断面図である。
【図１４】本発明の第５の実施形態の上面図及び断面図
である。
である。
【図１５】本発明の第５の実施形態の上面図及び図１４
とは異なる領域の断面図である。
とは異なる領域の断面図である。
【図１６】本発明の第６の実施形態の上面図及び断面図
である。
である。
【図１７】本発明の第６の実施形態の上面図及び図１６
とは異なる領域の断面図である。
とは異なる領域の断面図である。
【図１８】本発明の実施形態の製造方法を、第２の実施
形態を取り上げて説明する製造工程順の断面図である。
形態を取り上げて説明する製造工程順の断面図である。
【図１９】図１８に続く製造工程を示す断面図である。
【図２０】従来のプラズマディスプレイパネルによる放
電セルの上面図及び断面図である。
電セルの上面図及び断面図である。
【図２１】プラズマディスプレイパネルの別の従来例に
よる放電セルを示す断面図である。
よる放電セルを示す断面図である。
【図２２】本発明の効果を説明するためのグラフであ
る。
る。
１１、７１１、８１１、９１１ 第１ガラス基板 １２ 電極対 １３、２３ 下部誘電体層 １４、２４ 上部誘電体層 １５、７１５、８１５、９１５ 保護膜 １６ 下部電極対向領域 １７ 上部電極対向領域 ３１、７３１ 第２ガラス基板隔壁領域 １００、７００ 放電セル １１６ 下部電極対向領域中心線 １１７ 上部電極対向領域中心線 １２１ 下部電極 １２２ 上部電極 １２５ 放電ギャップ側端部 ２２０、３２０、４２０、５２０、６２０ 低抵抗化
配線 ２２１ 第１低抵抗化配線 ２２２ 第２低抵抗化配線 ２２３、４２３、５２３、６２３ 導通用配線 ５２２、６２２ 第１上部電極 ５３２、６３２ 第２上部電極 ６２４ 中間誘電体層 ７１２、８１２、９１２ 維持電極 ７２１ 第２ガラス基板 ７２４、７４３、８２４、９２４ 誘電体層 ７２５ 隔壁 ７４２ 選択電極 ７４４ 蛍光体
配線 ２２１ 第１低抵抗化配線 ２２２ 第２低抵抗化配線 ２２３、４２３、５２３、６２３ 導通用配線 ５２２、６２２ 第１上部電極 ５３２、６３２ 第２上部電極 ６２４ 中間誘電体層 ７１２、８１２、９１２ 維持電極 ７２１ 第２ガラス基板 ７２４、７４３、８２４、９２４ 誘電体層 ７２５ 隔壁 ７４２ 選択電極 ７４４ 蛍光体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C027 AA05 5C040 FA01 FA04 GA02 GB02 GB03 GC03 GC06 GD02 GJ02 GJ08 JA01 JA12 MA03 MA12
Claims (39)
- 【請求項１】 誘電体層で覆われた複数の電極対を有す
る第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前
記第１基板と前記第２基板との間に充填されたガスとを
有し、放電セル内の前記電極対間に電圧を印加して前記
放電セル内のガスを放電させるプラズマディスプレイパ
ネルであって、前記電極対のうち少なくとも一つの電極
が、前記誘電体層の厚さ方向で上下に分離されていると
共に、互いに同電位となるように電気的に接続された下
部電極及び上部電極を有することを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネル。 - 【請求項２】 前記電極対の一方の電極及び他方の電極
は前記基板の上に相対向して併走し、前記複数の電極対
は互いに離間して併走する形にそれぞれ形成される請求
項１記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】 前記上部電極は、前記誘電体層中に位置
する１層以上の上部電極からなり、前記上部電極が複数
のときは、それぞれの上部電極は、前記誘電体層の厚さ
方向の途中の異なる位置に位置する請求項１又は２記載
のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】 前記電極対の両方が前記上部電極及び下
部電極を有し、一方の上部電極及び他方の上部電極は、
それぞれの上部電極の層数が同じであり、それぞれの互
いに対応する層は、前記誘電体層の厚さ方向の途中の同
じ位置に相対向して形成される請求項１、２又は３記載
のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】 前記電極対の一方の下部電極と他方の下
部電極とに挟まれる領域を下部電極対向領域とすると
き、前記一方の上部電極及び前記他方の上部電極は、前
記下部電極対向領域の中心に関して略対称に形成される
請求項４記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】 前記電極対の両方が前記上部電極及び下
部電極を有し、一方の下部電極と他方の下部電極とに挟
まれる領域を下部電極対向領域とし、前記上部電極にお
いて、前記電極対の一方の上部電極及び他方の上部電極
のうち互いに最も近接する一方の上部電極と他方の上部
電極とに挟まれる領域を上部電極対向領域とするとき、
前記上部電極対向領域が前記下部電極対向領域と一致す
るか、或いは、前記上部電極対向領域が前記下部電極対
向領域の内側にあるか、或いは、前記下部電極対向領域
が前記上部電極対向領域の内側にあるかのいずれかであ
る請求項３、４又は５記載のプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項７】 前記電極対の一方の上部電極及び他方の
上部電極が共に単層であり、前記上部電極対向領域が前
記下部電極対向領域の内側にあるとき、前記一方の上部
電極及び前記他方の上部電極が共に前記下部電極対向領
域の内側にある請求項６記載のプラズマディスプレイパ
ネル。 - 【請求項８】 前記電極対の一方の上部電極及び他方の
上部電極が共に単層であるとき、前記上部電極対向領域
が前記下部電極対向領域と一致するか、或いは、前記下
部電極対向領域が前記上部電極対向領域の内側にある請
求項６記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項９】 前記電極対の両方が前記上部電極及び下
部電極を有し、一方の下部電極と他方の下部電極とに挟
まれる領域を下部電極対向領域とし、前記上部電極にお
いて、前記電極対の一方の上部電極及び他方の上部電極
のうち互いに最も近接する一方の上部電極と他方の上部
電極とに挟まれる領域を上部電極対向領域とするとき、
前記上部電極対向領域及び前記下部電極対向領域は、互
いに一部重畳する領域を有する請求項３又は４記載のプ
ラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１０】 前記電極対の一方の上部電極及び他方
の上部電極が共に単層であるとき、前記一方の上部電極
及び前記他方の上部電極のうちいずれかの上部電極が、
前記下部電極対向領域の内側にある請求項９記載のプラ
ズマディスプレイパネル。 - 【請求項１１】 前記電極対の両方が前記上部電極及び
下部電極を有し、少なくとも一方の下部電極に対応する
一方の上部電極の横に、前記一方の上部電極と同一平面
上において前記他方の下部電極から遠ざかる方向に前記
一方の上部電極と同電位の少なくとも一つの分割電極が
設けられている請求項１乃至１０のいずれかに記載のプ
ラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１２】 前記上部電極は、その幅が前記下部電
極の幅の２分の１以下である請求項１乃至１１のいずれ
かに記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１３】 前記上部電極は、その幅が前記下部電
極の幅の５分の１以下である請求項１乃至１１のいずれ
かに記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１４】 前記上部電極は、導通用配線により前
記下部電極と接続されて前記下部電極と同電位となり、
前記下部電極と共に低抵抗配線により配線される請求項
１乃至１３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパ
ネル。 - 【請求項１５】 前記第２基板の上には、前記第１基板
の上を併走する前記電極対と直交して併走する隔壁が形
成されており、前記第１基板が、前記隔壁及び併走する
複数の電極対を離間する離間領域により均等に区画され
る領域を放電セル領域とし、前記電極対に対応する前記
上部電極の間の領域を電極対向領域とするとき、前記導
通用配線が、前記電極対向領域を除く領域において、前
記放電セル領域毎に形成される請求項１４記載のプラズ
マディスプレイパネル。 - 【請求項１６】 前記導通用配線が、前記隔壁に対向す
る領域に形成される請求項１５記載のプラズマディスプ
レイパネル。 - 【請求項１７】 前記低抵抗配線は、前記第１基板の上
を併走する前記電極対から離れた位置で前記電極対と併
走する請求項１４、１５又は１６記載のプラズマディス
プレイパネル。 - 【請求項１８】 前記上部電極は、金属、或いは、金属
微粒子を主成分とする導体からなる請求項１乃至１７の
いずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１９】 前記低抵抗配線が、前記上部電極と同
じ材料により形成される請求項１３、１４、１５、１
６、１７又は１８記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２０】 前記上部電極の膜厚は、前記下部電極
の膜厚及び前記低抵抗配線の膜厚よりも薄い請求項１９
記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２１】 前記低抵抗配線が、前記上部電極と異
なる材料により形成される請求項１４、１５、１６、１
７又は１８記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２２】 前記低抵抗配線が、前記下部電極と同
じ基板の上、或いは、前記上部電極が位置する前記誘電
体層中の厚さ方向の途中の位置と同じ位置に形成される
請求項１４乃至２１のいずれかに記載のプラズマディス
プレイパネル。 - 【請求項２３】 前記低抵抗配線が、前記下部電極と同
じ基板の上及び前記上部電極が位置する前記誘電体層中
の厚さ方向の途中の位置と同じ位置にそれぞれ形成され
る請求項１４乃至２１のいずれかに記載のプラズマディ
スプレイパネル。 - 【請求項２４】 前記低抵抗配線及び前記導通用配線
は、同時に形成される配線である請求項１４乃至２３の
いずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２５】 前記上部電極が単層の上部電極である
とき、前記誘電体層は、前記上部電極の下敷きとなり、
かつ、前記基板の上に堆積された第１誘電体層と、前記
第１誘電体層を含む前記基板を覆う第２誘電体層とを有
する請求項１乃至２４のいずれかに記載のプラズマディ
スプレイパネル。 - 【請求項２６】 前記上部電極が単層の上部電極であ
り、前記単層の上部電極が前記電極対にそれぞれ対応し
て単層の上部電極対を構成し、前記単層の上部電極対に
挟まれた領域を上部電極対向領域とするとき、前記誘電
体層が、少なくとも前記上部電極対向領域の下には敷か
れている請求項２５記載のプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項２７】 前記ガスは、蛍光体を励起する紫外光
を発生させる成分としてＸｅ，Ｋｒ，Ａｒ，窒素のうち
少なくとも一つの励起ガスを含み、かつ、Ｘｅ，Ｋｒ，
Ａｒ，窒素のうちいずれかを前記ガスの励起ガスとする
ときの前記励起ガスの分圧が１００ｈＰａ以上である請
求項１乃至２６のいずれかに記載のプラズマディスプレ
イパネル。 - 【請求項２８】 基板の表面を覆う誘電体層を形成し
て、前記基板の表面から前記誘電体層の表面までの間に
複数の電極対を形成する工程を有するプラズマディスプ
レイパネルの製造方法であって、前記基板の表面を覆う
誘電体層を形成して、前記基板の表面から前記誘電体層
の表面までの間に複数の電極対を形成する工程が、前記
基板の表面に下部電極となる第１電極対を形成する工程
と、前記第１電極対が挟む下部電極対向領域を少なくと
も覆う第１誘電体層を形成する工程と、前記第１誘電体
層の上に上部電極を構成する第２電極を形成する工程
と、前記第１誘電体層を含む前記基板を覆って第２誘電
体層を堆積させる工程とを有することを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２９】 前記第１電極対が挟む下部電極対向領
域を少なくとも覆う第１誘電体層を形成する工程が、前
記下部電極対向領域を少なくとも覆う形に前記誘電体膜
をパターニングすることにより行われる請求項２８記載
のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３０】 前記第１電極対が挟む下部電極対向領
域を少なくとも覆う第１誘電体層を形成する工程が、前
記下部電極対向領域を少なくとも覆う形に前記基板の上
に誘電体膜をスクリーン印刷することにより行われる請
求項２８記載のプラズマディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項３１】 前記第１誘電体層及び前記第２誘電体
層は、共にガラス材料からなり、前記第２誘電体層のガ
ラス材料の軟化点は、前記第１誘電体層のガラス材料の
軟化点よりも低い請求項２８、２９又は３０記載のプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３２】 前記基板の表面に下部電極となる第１
電極対を形成する工程と、前記第１誘電体層の上に上部
電極を構成する第２電極を形成する工程との間に、前記
第１電極の引き出し配線抵抗を下げる第１電極配線を形
成する工程を有する請求項２８、２９、３０又は３１記
載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３３】 前記第１誘電体層の上に上部電極を構
成する第２電極を形成する工程の後に、前記第２電極の
引き出し配線抵抗を下げる第２電極配線を形成する工程
を有する請求項２８、２９、３０、３１又は３２記載の
プラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３４】 前記第１誘電体層の上に上部電極を構
成する第２電極を形成する工程の後に、前記第２電極を
前記第２電極と対応する第１電極に接続する導通用配線
を形成する工程を有する請求項２８、２９、３０又は３
１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３５】 前記第１誘電体層の上に上部電極を構
成する第２電極を形成する工程の後に、前記第２電極を
前記第２電極と対応する第１電極に接続する導通用配線
及び前記第１電極及び前記第２電極の引き出し配線抵抗
を下げる共通電極配線を同時に形成する工程を有する請
求項２８、２９、３０又は３１記載のプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。 - 【請求項３６】 前記第１誘電体層の上に上部電極を構
成する第２電極を形成する工程が、前記第２電極の形成
と同時に、前記第２電極を前記第２電極と対応する第１
電極に接続する導通用配線を形成することにより行われ
る請求項２８、２９、３０又は３１記載のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３７】 前記第１誘電体層の上に上部電極を構
成する第２電極を形成する工程が、前記第２電極の形成
と同時に、前記第２電極を前記第２電極と対応する第１
電極に接続する導通用配線及び前記第１電極及び前記第
２電極の引き出し配線抵抗を下げる共通電極配線を形成
することにより行われる請求項２８、２９、３０又は３
１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３８】 前記導通用配線は、金属、或いは、金
属微粒子からなる請求項３４、３５、３６又は３７記載
のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３９】 前記上部電極が透明導電膜であると
き、前記導通用配線が前記上部電極と同じ材料により形
成される請求項３４、３５、３６又は３７記載のプラズ
マディスプレイパネルの製造方法。
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