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JP2002040096A - 半導体集積回路の検査装置 - Google Patents

半導体集積回路の検査装置

Info

Publication number
JP2002040096A
JP2002040096A JP2000228025A JP2000228025A JP2002040096A JP 2002040096 A JP2002040096 A JP 2002040096A JP 2000228025 A JP2000228025 A JP 2000228025A JP 2000228025 A JP2000228025 A JP 2000228025A JP 2002040096 A JP2002040096 A JP 2002040096A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lsi
semiconductor integrated
temperature
integrated circuit
socket
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000228025A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Noguchi
佳裕 野口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2000228025A priority Critical patent/JP2002040096A/ja
Publication of JP2002040096A publication Critical patent/JP2002040096A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
  • Connecting Device With Holders (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 LSIソケット内に挿入したLSIの温度を
測定することができ、また温度条件を考慮した電気特性
の検査を自動化できるようにする。 【解決手段】 LSI1に接触する複数の測定ピン2を
有したLSIソケット3と、LSIソケット3の各測定
ピン2に電気的に接続し測定ピン2を介してLSIの電
気特性を評価および検査するLSIテスター6とを備え
た半導体集積回路の検査装置において、少なくとも1つ
の測定ピン2にLSIの温度を検出し電気信号として出
力する温度センサー2bを配置し、この温度センサー2
bからの温度情報をLSIテスター6で取り出すように
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路ソ
ケットを用いて半導体集積回路の電気特性を評価および
検査する半導体集積回路の検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路(以下、LSIとも記
す)の電気特性を評価および検査する際には、図3に示
すような検査装置において、LSI11の端子にLSI
ソケット12の測定ピン13を物理的に接触させ、測定
ピン13にパフォーマンスボード14を介して電気的に
接続させたLSIテスター15によって各種検査項目に
係る測定を行なっている。LSI11の電気特性に影響
する温度の管理は、LSIソケット12を囲むように配
置したサーモストリーマ16によって行なっている。1
7はLSIソケット12の蓋部である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の装置構成では、サーモストリーマ16より印加
された熱は、熱伝導率の低いLSIソケット12および
その蓋部17を通してLSI11に伝わるため、サーモ
ストリーマ16内の雰囲気温度が所望の温度X℃に達し
ても、LSI11の温度がX℃に達したかどうかはわか
らなかった。また温度情報はLSIテスター15に入力
されないため、温度条件を考慮した電気特性の検査およ
び評価を自動化することはできなかった。
【0004】したがって、LSIの温度を確認すること
ができ、温度条件を考慮した電気特性の検査を自動化で
きるようにすることが課題となっていた。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、半導体集積回路に接触させる測定ピンに温
度センサーを設け、その温度情報を電気信号として検査
手段に入力させるようにすることで、半導体集積回路の
温度を直接に確認できるようにするとともに、検査を自
動化できるようにしたものである。
【0006】請求項1記載の本発明は、半導体集積回路
に接触する複数の測定ピンを有した半導体集積回路ソケ
ットと、前記半導体集積回路ソケットの各測定ピンに電
気的に接続し前記測定ピンを介して前記半導体集積回路
の電気特性を評価および検査する検査手段とを備えた半
導体集積回路の検査装置において、少なくとも1つの前
記測定ピンに前記半導体集積回路の温度を検出し電気信
号として出力する温度センサーを配置し、この温度セン
サーからの温度情報を前記検査手段で取り出すように構
成したことを特徴とする。
【0007】温度センサーは、半導体集積回路の温度を
検出し電気信号に変えるものであればよく、たとえば熱
電対を使用して熱起電力を取り出し温度情報とすること
ができる。
【0008】請求項2記載の本発明は、請求項1記載の
半導体集積回路の検査装置において、温度センサーから
の温度情報に基づき、予め決めた温度条件で半導体集積
回路の所定の電気特性を評価および検査するように検査
手段を制御する制御手段を配置したことを特徴とする。
制御手段は、検査手段と一体に構成してもよいし、別体
に構成してもよい。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施
の形態における半導体集積回路の検査装置の概略全体構
成図である。図1に示すように、半導体集積回路である
LSI1に接触する複数の測定ピン2を有したLSIソ
ケット3は、パフォーマンスボード4上に搭載されサー
モストリーマ5に囲まれている。LSIソケット3の測
定ピン2は前記パフォーマンスボード4を介してLSI
テスター6に電気的に接続されていて、LSI1の電気
特性の評価および検査に必要な電気信号はパフォーマン
スボード4を通して伝達されるようになっている。7は
LSIソケット3の蓋部である。
【0010】このLSIソケット3は、図2に示したよ
うにCSP(Chip Scale Package)用のものであって、
ソケット取り付けねじ8を用いて上記パフォーマンスボ
ード4に取付けられるとともに、上記した複数の測定ピ
ン2を中央領域のランド部9に備えている。LSI1
は、その端子が測定ピン2に接触するようにこのLSI
ソケット3上に設置され、蓋部7で抑えつけられること
で、LSIテスター6に電気的に接続される。
【0011】ただし、複数の測定ピン2は、CSP用の
LSIソケット3にあっては一般的なように、LSI端
子に接触させるための測定端子2aが複数列、副数段に
配列される一方で、その角部にはLSI端子に接触しな
いNC端子が配置されている。そしてここでは、これら
のNC端子が熱電対からなる温度センサー2bとして構
成されている。
【0012】上記構成における作用を説明する。LSI
1の温度は、LSIソケット3の温度センサー2bにお
いて常時、あるいは適当時間間隔で熱起電力として検出
される。
【0013】LSIテスター6は、この熱起電力から電
圧を測定し、温度センサー2bについて予め記憶した電
圧―温度特性に基づいてLSI1の温度を自動的に計算
し、表示部に表示する。
【0014】したがって、このLSIテスター6で取り
出された温度情報に基づき、図示しない制御手段により
(あるいはオペレータにより)サーモストリーマ5を調
節してLSI1を所望温度に管理しつつ、測定端子2a
を介して各種検査項目に係る測定を行なうことが可能で
あり、LSI1の所望の電気特性を一定の温度にて評価
および検査することができる。
【0015】また、LSIテスター6の検査プログラム
に温度条件を加えることができる。すなわち、図示しな
い制御手段によってサーモストリ−マ5の温度を一定の
割合で連続的に変化させつつ、LSIテスター6によっ
て、LSI1の温度を算出しその温度情報に基づいて所
定の温度間隔で自動的に測定を行なうことなどが可能で
あり、LSI1の温度特性の評価および検査の自動化を
実現できる。
【0016】NC端子を温度センサー2bとして利用し
たことは、LSIソケット3に汎用性を持たせる結果と
もなっている。ただし、温度センサーを導電性材料で構
成するなら、測定端子2aに配置することも可能であ
る。
【0017】なお、半導体の電気特性の評価および検査
の全般において温度管理は重要であるが、その中でも特
に温度管理が必要な項目としては、電源電流テスト、フ
ァンクションテストなどが挙げられる。
【0018】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体集
積回路ソケットの測定ピンに温度センサーを配置すると
いう簡単な変更を加えることにより、検査および評価の
際に半導体集積回路の温度を直接に確認することが可能
になる。したがって、半導体集積回路を温度管理するこ
と、および検査プログラムに温度条件を加えることが可
能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における半導体集積回路の
検査装置の概略全体構成図
【図2】図1に示した半導体集積回路の検査装置の一部
を構成する半導体集積回路ソケットの平面図
【図3】従来の半導体集積回路の温度測定方法の全体図
【符号の説明】
1 LSI 2 測定ピン 2a 測定端子 2b 温度センサー 3 LSIソケット 4 パフォーマンスボード 5 サーモストリーマ 6 LSIテスター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01R 13/66 H01R 33/76 504Z 33/76 504 G01R 31/28 H K Fターム(参考) 2G003 AA07 AC03 AG01 AH00 2G011 AA05 AA14 AB06 AC00 AC11 AD01 AE02 AF07 2G032 AA00 AB01 AB13 AJ07 AK01 AL00 5E021 FA05 FB03 FC40 MA04 5E024 CA15 CB01 CB10

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体集積回路に接触する複数の測定ピ
    ンを有した半導体集積回路ソケットと、前記半導体集積
    回路ソケットの各測定ピンに電気的に接続し前記測定ピ
    ンを介して前記半導体集積回路の電気特性を評価および
    検査する検査手段とを備えた半導体集積回路の検査装置
    において、 少なくとも1つの前記測定ピンに前記半導体集積回路の
    温度を検出し電気信号として出力する温度センサーを配
    置し、この温度センサーからの温度情報を前記検査手段
    で取り出すように構成したことを特徴とする半導体集積
    回路の検査装置。
  2. 【請求項2】 温度センサーからの温度情報に基づき、
    予め決めた温度条件で半導体集積回路の所定の電気特性
    を評価および検査するように検査手段を制御する制御手
    段を配置したことを特徴とする請求項1記載の半導体集
    積回路の検査装置。
JP2000228025A 2000-07-28 2000-07-28 半導体集積回路の検査装置 Pending JP2002040096A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006275700A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Fujitsu Ltd 回路異常動作検出システム
JP2013196722A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Tdk Corp プローブ組立体、これを用いた測定装置、及び、研磨装置
US9915681B2 (en) 2014-12-24 2018-03-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor test apparatus having pogo pins coated with conduction films

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006275700A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Fujitsu Ltd 回路異常動作検出システム
JP2013196722A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Tdk Corp プローブ組立体、これを用いた測定装置、及び、研磨装置
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