JP2001523354A - 非平面状基材上での酸化亜鉛膜の製造方法およびその用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 実質的に無指向性の堆積方法および実質的に静止した基材堆積形態を用いて被覆を堆積する工程を含む非平面状基材の上に実質的に連続した周囲被覆を製造する方法が開示される。圧電モジュレーション特性または電気光学モジュレーション特性を有する被覆を堆積することができる。被覆は、理想的には、酸化亜鉛被覆を含む。無指向性堆積方法は、化学蒸着ないしは単一ソース化学蒸着を含み得る。適当な基材には、光ファイバが包含され、光ファイバは、堆積中、実質的に平面状の加熱表面に留められる。光ファイバは、光ファイバの自由末端の動きが実質的に光ファイバの軸に沿った動きに制限されるように、堆積中、加熱表面の一端に配置されたファイバの部分で留められ得る。

Description

【発明の詳細な説明】 非平面状基材上での酸化亜鉛膜の製造方法およびその用途 技術分野 本発明は、非平面状基材、例えば光ファイバー上への酸化亜鉛膜の製造方法、 および圧電性または電気光学モジュレータのような素子でのその使用に関する。 発明の背景 近年、全ファイバー音響光学（acousto-optic）モジュレータに使用するため の薄膜圧電材料の開発に対する関心が高まっている。図１に、典型的なモジュレ ータ素子構造１０の模式図が示されているが、このモジュレータでは、活性物質 のフィルム１１（例えば、厚さ５〜数十μｍ）が、ファイバの３６０°全周を覆 っている２枚の電気接点層１２,１３（厚さ１μｍまで）の間に挟まれている。 この素子１０の円筒形状により、ファイバコア１５に音波が集められる場合に、 高効率分極非依存性モジュレータとなる。 活性物質１１は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）であってよく、酸化亜鉛は、１ＧＨｚま での振動数レスポンスを持つコンパクト薄膜ファイバモジュレータに使用するの に理想的な強い圧電および電気光学特性を有するII−VI半導体である。結晶性酸 化亜鉛では、交互に並んだ亜鉛および酸素層間の効果的なイオンチャージの故に 、ｃ軸が極性軸である。従って、酸化亜鉛薄膜は、クリスタライトが印可された 電場に平行なｃ軸に配向されている膜であることが重要である。 これまで、全ファイバモジュレータの製造に使用される酸化亜鉛膜は、ＺｎＯ ターゲットから種々のスパッタリングを用いて堆積されてきた。これまで製造さ れた素子では、達成できる最大効率およびフェーズモジュレーシヨンは限られて いた。さらに、スパッタリングを用いると、高エネルギー堆積方法の指向性の故 に、光ファイバを回転する必要がある。このことは、素子性能に望ましくない影 響を与えることが分かっている。加えて、このような素子での最も重要な制限要 因は、堆積された膜の無視できない導電性であると考えられる。 発明の開示 本発明の目的は、光ファイバなどのような非平面状基材の上に酸化亜鉛膜を製 造する改良された方法を提供することである。 さらに本発明の目的は、上記の改良された方法を用いて素子を製造することで ある。 本発明の第１の要旨によれば、非平面状基材の上に実質的に連続した周囲被覆 を製造する方法であって、 実質的に無指向性の堆積方法および実質的に静止した基材堆積形態を用いて被 覆を堆積する工程を含む方法が提供される。 圧電モジュレーション特性または電気光学モジュレーション特性を含んだ被覆 を堆積することができる。理想的には、被覆は、半導体特性を有する。被覆の種 類は、理想的には酸化亜鉛被覆を含む。 無指向性堆積方法は、単一ソース化学蒸着を用いた化学蒸着を含み得る。 適当な基材には、堆積中実質的に平面状の加熱表面上に留められた光ファイバ が含まれる。光ファイバの自由末端の動きが実質的に光ファイバの軸に沿った動 きに制限されるように、光ファイバは、堆積中、加熱表面の一端に配置されたフ ァイバの部分で留められる。 本発明の第２の要旨によれば、実質的に無指向性の堆積方法および実質的に静 止した基材堆積形態を用いて光ファイバ上に外周被覆を製造する方法において使 用されるように配置される光ファイバのための受容器（receptacle）が提供され 、該受容器は、実質的に平面状の加熱表面；基材ファイバを加熱表面に留めるク ランプ手段であって、被覆の製造中、加熱表面の一端に配置されている光ファイ バの部分でファイバを留めるように配置されているクランプ手段；および光ファ イバの自由末端の動きを実質的に光ファイバの軸に沿った動きに制限する手段を 含んでなる。 本発明の別の要旨によれば、実質的に０.２５rad／√ＦＭＷ／cmより大きいフ ェーズモジュレーション効率を有し、好ましくはさらに、３６ｍＷより大きい駆 動パワーでフェーズモジュレーションと駆動パワーとの間に実質的に直線関係を 有する、音響光学フェーズモジュレータが提供される。 実際に、化学蒸着技術を採用することにより、０.２５rad／√ＭＷ／cmを越え る高いレベルの効率を有する音響光学フェーズモジュレータが製造できることが 分かった。さらに、上記の技術を用いたフェーズモジュレータは、従来可能であ ったよりも実質的に高いフェーズモジュレーション能をを有していることが見出 された。これにより、そのようなフェーズモジュレータを干渉光学装置に組み込 んで、改良されたフェーズモジュレーションを有する干渉光学装置を提供するこ とができる。 図面の簡単な説明 本発明の範囲に含まれ得る他の形態もあるが、本発明の好ましい形態を、単な る例として、添付図面を参照して説明する。図面中、 図１は、代表的な薄膜音響光学ファイバフェーズモジュレータの模式図である ； 図２は、好ましい態様におけるＣＶＤ膜製造に持ちいるＣＶＤシステムを示す 図である； 図３ａおよび図３ｂは、好ましい態様に従って組み立てたサンプルホルダを示 す図である； 図４は、好ましい態様において使用されるファイバホルダの断面図である； 図５は、好ましい態様において堆積された膜について記録された酸化亜鉛被膜 のＸ線回折図である； 図６は、ＣＶＤ酸化亜鉛膜の深さ方向のプロフィールのプロットである； 図７は、好ましい態様に従って堆積したＺｎＯフィルムのＸ線回折強度のプロ ットである； 図８は、好ましい態様に従って組み立てたモジュレータの一例を示す図である ； 図９は、好ましい態様に従って組み立てた機器と従来技術の機器についての、 種々の共鳴周波数における駆動パワーに対する測定されたフェーズモジュレーシ ヨンのプロットである。 図１０は、先駆体圧力および基材温度の両方の関数として成長させたＺｎＯ膜 の好ましい配向（または構造）のチャートである； 図１１ａ〜図１１ｃは、種々の変形クヌーセンセルの模式図である。 好ましい態様および他の態様の説明 好ましい態様において、全ファイバ音響光学フェーズモジュレータは、有機金 属先駆体から修正単一ソース化学蒸着（single source chemical vapor deposit ion；ＳＳＣＶＤ）法により堆積されたＺｎＯ膜を用いて製造された。使用され た先駆体は、Ｚｎ₄Ｏ（ＣＨ₃ＣＯＯ）₆（塩基性酢酸亜鉛；ＢＺＡ）であった。 図２に、モジュレータを製造するために使用した高真空チャンバ２０を概略的 に示す。膜は、高真空（Ｐ≦１×１０^-6mbar）で堆積し、ＢＺＳ先駆体２１は、 クヌーセンセル２２中でセルを抵抗加熱することにより蒸発させた。図１１ａ〜 図１１ｂに、変形２ゾーンクヌーセンセルの種々の形状を示す。セルは、ストッ パ１１１中にスクリューを用いて形成された貯槽１１０、外部セル１１２、およ び加熱のためのセラミック絶縁Ｔａ抵抗線を受容するための一連の孔１１４を含 んでいる。物質を取り出すための出口開口１１５も設けられている。 セル温度は、チャンバ２０内のＢＺＡの分圧が約１×１０^-5mbarとなるように 調節した。膜は、２×１０^-3mbarの周囲水分の存在下に、４５０℃に加熱された サンプル基材２３（図２）上に堆積された。膜の成長は、有機金属先駆体の熱分 解により、通常の方法で行った。化学量論的ＺｎＯを形成する分解メカニズムは 、水蒸気の存在により促進されることが見出された。 光ファイバ（溶融シリカ、直径１２５μｍ）の上に堆積するため、この種の基 材の脆い特性から生じる要求事項に合わせるように、図３ａおよび図３ｂに示す ような特別なサンプルホルダを設計した。図３ａは、サンプルホルダの平面図で あり、図３ｂは、その側面図である。要求事項は、次の通りである： ｉ．真空転移の間、２０ｃｍまでの長さのファイバを固定する。 ii．４５０℃での堆積中、ホルダはファイバの膨張を許容する。 ４本までのファイバ、例えば３０，３１が、それぞれ直径２５０μｍの２本の コアを有するセラミックチューブ、例えば３２に装填される。チューブ、例えば ３２は、各コアの底縁が銅製加熱ブロック３８の表面と同水準になるように、配 置される。ファイバは、ファイバ上に均一な圧力分布が形成されるのを確保する ための中央スクリュー４０が取り付けられた銅製クランプ３９により、一端で銅 製加熱ブロックに押し付けられるが、ホルダ中に２本の光ファイバの最小部分が 必要である。研磨された銅製クランプの表面には、堆積された膜の結晶性を制御 するための平面参照表面も設けられている。銅製クランプから採ったＸ線回折（ ＸＲＤ）スペクトルを、堆積された膜中のｃ軸配向の程度を評価するために用い た。ＸＲＤパターンを、ファイバに堆積したＺｎＯ膜から直接得ることはできな い。従って、銅製クランプから得た参照ＸＲＤスペクトルのみを、成長条件が多 結晶ｃ軸配向膜を平面基材上に成長させるのに適しているか否かの指標として用 いることができる。４５０℃での堆積中にファイバ内部に内部応力を生じること なくファイバの膨張を可能にするために、ただ１個のクランプ３９をファイバに 対して用いる。図４は、銅製加熱ブロック上の装着されたファイバ、例えば３１ の断面図である。ＣＶＤ成長の１つの利点は、堆積方法の無指向成長特性であり 、これにより、衝突する原子のインパルスが高いスパッタリング堆積方法では生 じる著しい陰影効果を伴わずに、非平面基材への堆積が可能になる。ＣＶＤ成長 では、加熱ブロック近傍での先駆体の高い分圧により、先駆体蒸気中にあるあら ゆる加熱表面への膜成長が可能になる。これは、気相中の先駆体分子の動力学が ランダム熱運動により記述できるからである。 ファイバ３１がサンプルホルダ内でのみ加熱ブロック３８に留められていると いうことから、ファイバの底部とヒータ表面との間に空隙が残る。この空隙５０ の厚みは、相互に押し付けられている物質の粗度のオーダー（約０．５μｍと見 積もられる）であると考えられる。しかしながら、設計されたサンプルホルダに １個のクランプ３９のみを用いる場合、空隙（ｄで示す）の上限は、加熱ブロッ ク上のファイバの自由末端での配置から、ｄ＝ｄ_コア−ｄ_ファイバと見積もること ができる。ただし、設計図中クランプ３９とセラミック末端４４との間の短い長 さ（１ｃｍ）についてのヒータ３８の表面に垂直なファイバの湾曲は無視する。 コアの直径ｄ_コア＝２５０μｍおよびファイバの直径ｄ_ファイバ＝１２５μｍの場 合、この上限は、１２５μｍである。従って、ファイバを回転することなく、フ ァイバ表面の３６０°外周面上にＺｎＯ膜を堆積することができた。実験によれ ば、３５０℃から４５０℃のヒータ温度範囲が、ファイバ表面上に先駆体を堆積 させるのに適していることが分かった。 ＺｎＯ膜は、高真空スパッタリングシステム中室温でファイバ上にスパッタリ ングにより堆積された厚さ約１５ｎｍのクロムコンタクト層の上に、堆積した。 クロムのスパッタリング堆積中、陰影効果があるので３６０°完全にファイバを 被覆するために、ファイバは、２堆積サイクル間に１８０°回転するアルミ製フ レームに装着した。ＺｎＯ膜上にクロムのトップコンタクト層を堆積するために 、堆積領域を膜上の中央６ｍｍの長さに制限するマスクをフレームに取り付けた 。 ＺｎＯ膜の特性は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）およびＸ線光電子分光分析（ＸＰＳ） を持ちいて測定した。前者の技術は、ＺｎＯ膜の構造的特性を調べるために用い 、後者の技術は、膜の化学組成についての情報を与えた。ＸＲＤ測定は、非単色 化ＣｕＫα源を用い、大気中、Siemens社製Kristalloflexを用いて行い、ＸＰＳ 測定は、単色化ＡｌＫα源および半球状電子エネルギー分析器を備えたＶＧ Ｅ ＳＣＡＬＡＢ ２２０ＸＬ超高真空分析チャンバにより行った。 図５に、ＺｎＯ参照粉末６０（Aldrich製、９９．９％）と、理想的な条件下 で平面状ＳｉＯ₂基材上にＣＶＤ成長した膜６１のＸＲＤスペクトルを示す。参 照粉末では、ＺｎＯ結晶は、平面状サンプルホルダの方位に対してランダムに配 向していた。従って、ＸＲＤ分析において、全結晶面、すなわち６３−６５を検 出することができる。３０°〜３８°の選択された２０角範囲が、全スペクトル 中で最も強いピークをカバーするので、ＺｎＯを特性付けるために一般に採用さ れる。ＣＶＤ成長膜から得たＸＲＤスペクトル６１においては、（００２）結晶 面からの回折に関連した１つのピーク６７のみが存在する。このことは、膜結晶 が基材／平面状サンプル表面に垂直なｃ軸方向に配向されていることを示してい る。これは、圧電用途にとって好ましい配向である。何故なら、圧電効果は、極 性結晶軸に沿って最も強いからである。 図６に、同じ条件で堆積したＺｎＯ膜のＸＰＳ深さプロフィールを示す。膜成 分の原子濃度が、スパッタリング深さの関数としてプロットされている。膜の外 表面では、膜組成は、炭素不純物７０の増加および相対鉛濃度７１の低下が見ら れる点で、「バルク」と異なっている。このことは、膜の堆積後に膜が大気に曝 されることによる表面汚染によって説明することができる。このような表面汚染 は、主として酸素、水酸化物および炭化水素であり、膜表面における酸素および 炭素濃度の増大を招く。より深い膜層では、膜組成は、ＸＰＳ検出限界より低い 炭素汚染レベルである化学量論的ＺｎＯの組成である。 使用した定量化方法の精度は、ＺｎＯ膜を完全に除去した後に測定した基材組 成が６６．７％酸素および３３．３％珪素というＳｉＯ₂について予測される値 に一致する程度に制御することができる。上記の結果は、修正ＳＳＣＶＤ法を用 いて平面状基材上に堆積したＺｎＯ膜の優れた化学的および構造的特性を示して いる。 図７に、光ファイバ上へのＺｎ堆積中に銅参照表面へ堆積された膜のＸＲＤス ペクトル８０を示す。ここでも、（００２）面に関連した１つのピークのみが存 在し、堆積条件は理想的であることを示唆している。さらに、堆積したＺｎＯ膜 を有する光ファイバの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真から、膜は３６０°全範 囲に堆積されていることが明らかであった。 図８に、ＺｎＯフェーズモジュレータの応答を特性付けるのに使用した実験装 置を示す。トランスデューサ９１を、２つの５０％シングルモードカップラ９３ ，９４から構成されたマッハーツェンダー干渉計（ＭＺＩ）の一端９２に接続し た。アイソレータを有する１５５３ｎｍＤＦＢレーザダイオード９６（干渉長＞ １０ｍ）を、光源として用いた。干渉計のアウトプットでは、ＲＦスペクトルア ナライザ９８（帯域幅１．８ＧＨｚ）と組み合わせた高速（帯域幅＞＞１０ＧＨ ｚ）光検出器９７を用いて、光学モジュレーションの振幅を測定した。７００ｍ Ｗを５０Ωで送出することができるＲＦ電源１００を使用し、ＲＦ電力計１０２ および−２０ｄＢ指向性カプラー１０３により出力をモニタしながら、ＺｎＯ素 子９１を駆動した。測定中、直角位相の定常状態を保持するために、ＭＺＩから の干渉信号のＤＣ部分をフィードバック１０４として用いて、干渉計の参照アー ム１０７中のドライブ補償器（サーマル）１０６を制御した。 正弦波駆動電圧をモジュレータ９１に印加する場合、マッハーツェンダー干渉 計のアウトプット９７における信号の振幅は、下記式で表される： ［式中、Ｐ_maxは送出された強度、ｆ_modは駆動信号の振幅、およびφは干渉計（ フィードバック回路により定常に保持された）の２つのアーム間の定常状態位 相差である。モジュレーションインデックスβは、 （ここで、Δｎは有効コアインデックスにおけるピーク変化、λは波長１５５３ ｎｍ、およびＬは素子長約０．００６ｍである。） で与えられる。 式１は、ベッセル関数Ｊｎ(β)の和として表すこともでき、ベッセル関数Ｊｎ (β)は、駆動信号周波数の高調波で生じる： 第１および第２側波帯の測定振幅の比Ｊ₁(β)cosφ／Ｊ₂(β)sinφを用いて、 モジュレーションインデックスβは、干渉計の２つのアーム間の位相関係を知れ ば、計算することができる。 １００〜７００ＭＨｚの測定周波数範囲の全域で、装置９０は、ファイバー膜 複合体のラジアルモードに対応する一連のよく規定された共鳴を発現した。これ ら極大値は、約４９ＭＨｚ分離されており、これは１２５μｍのファイバについ て予測された値と一致した。 図９に、２つの共鳴周波数２８３ＭＨｚと４７８ＭＨｚについて、駆動電力の 平方根に対して測定されたフェーズモジュレーションを示す。２３８ＭＨｚでは 、３．５ラジアンの最大相シフトを伴って０．１７rad／√Ｍｗのほぼ直線的な モジュレーション効率が駆動電力５９０ｍＷで測定された。４７８ＭＨｚでは、 ６８０ｍＷにおいて０．１４rad／√Ｍｗおよび３．２ラジアンという同様の結 果 が得られた。 図９は、N.H．Ky，H.G．Limberger，R.P．SalatheおよびG.R．Fox，"400MHz a ll-fibre phase modulators using standard telecommuni-cations fibre"，The Proceedings of conference on Optical Fibre communi-cations"，1996，Feb ．25−Mar．１，1996，San Jose，California，USA(Ky et al.)に報告されてい る、スパッタリングにより堆積した厚さ６μｍのＺｎＯ膜を用いた長さ６ｍｍの 同等の素子についての１９６．５ＭＨｚの周波数で測定されたデータも含んでい る。明らかに、Ky et al.の素子の性能は、３６ｍＷ以上のインプットパワーに 限定されており、一方ＣＶＤ素子については、非線形効果は相当高いインプット パワーでのみ明らかである。この領域では、スイッチおよびモジュレータ用途に ついて最適である約πラジアンの得られるフェーズシフトが達成された。 以前には、文献において、素子効率は、素子長さのrad／√Mw／cmの経験図を 用いて比較されていた。好ましい形態に関して、０．２８rad／√Mw／cmの素子 効率（２８３ＭＨｚにおける）は、Ky et al．により報告された最も効率のよい 素子よりも、約３５％高い。構成されたモジュレータについて、飽和効果はもっ と高い駆動パワーで生じており、これは、ＣＶＤ成長ＺｎＯ膜の優れた化学的膜 組成および構造を示している。 膜厚が素子性能にどのように影響するかは２つの側面から考察することができ よう。第一に、同じ印加電圧に対して、より薄い膜を使用することにより、素子 中により高い電場が発生でき、その結果より大きい誘導歪が発生する。第二に、 活性膜とファイバとの問の弾性カップリングも、膜厚に影響される。従って、本 発明の素子において測定される改良された性能は、膜厚と化学組成との組み合わ せに関係している。 まとめてみると、全ファイバ音響光学フェーズモジュレータが、ＣＶＤ成長Ｚ ｎＯ膜を活性物質として使用することにより、開発された。ＣＶＤ堆積技術によ り、光ファイバを回転させることなく、光ファイバの３６０°被覆が可能である 。長さ６mmの素子について２８３ＭＨｚで測定された最大フェーズシフトは、５ ８０ｍＷの駆動パワーにおいて３．５ラジアンであった。スパッタリングにより 形成されたＺｎＯ膜を用いた従来の設計とは異なり、達成可能な最大フェーズ シフトは、より高い駆動パワーにおいて、熱的および機械的損失効果によって顕 著には制限されない。素子長さ０．２８rad／√Mw／cmの測定された効率は、こ れまでに報告されているよりも３５％高く、これは本発明のより薄い膜厚（０． ４〜０．９μｍ）の結果であろう。 より広範に記載されている本発明の本質および範囲から離れることなく、特定 の態様について示した本発明に、多くの変形および／または改変を加えることが できることは、当業者なら理解できるであろう。例えば、膜を成長させるために 他の塩基性亜鉛化合物を用いることに加え、単一ソースＣＶＤ法を用いて、ある 範囲の温度条件を採用して堆積を行うことにより、同様の性質の膜を製造するこ とができる。例えば、図１０に、成長させたＺｎＯ膜について得られた結果が先 駆体圧力および基材温度両方の関数としてプロットされている。図中、ｃまたは ａは、ｃ軸またはａ軸配向を示し、ｃ／ｒおよびａ／ｒは、ｃ軸またはａ軸配向 が優勢であるが、いくらかのランダム配向もあることを示し、ｒはランダム配向 を示す。従って、示された態様は、全ての面において、例示であって、限定的な ものと解釈されてはならない。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ， ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，Ｌ Ｓ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ， ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，Ｅ Ｅ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ， ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，Ｍ Ｄ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ， ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，Ｕ Ｚ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ラム，ロバート・ノーマン オーストラリア2233ニュー・サウス・ウェ ールズ州エンガディン、ガマット・ロード ９番 (72)発明者 ティンブレル，ピーター・ヨーク カナダ、ケイ１ビー・３シー３、オンタリ オ、オタワ、シルバー・アスペン・クレセ ント12番 (72)発明者 マール，ゴック・レオング オーストラリア2217ニュー・サウス・ウェ ールズ州コガラ、ロバートソン・ストリー ト７／35―37番

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．非平面状基材の上に実質的に連続した周囲被覆を製造する方法であって、 実質的に無指向性の堆積方法および実質的に静止した基材堆積形態を用いて被 覆を堆積する工程を含む方法。 ２．被覆は、圧電モジュレーション特性を有する請求項１に記載の方法。 ３．被覆は、電気光学モジュレーション特性を有する請求項１または２に記載 の方法。 ４．被覆は、半導体特性を有する請求項１〜３のいずれかに記載の方法。 ５．被覆は、実質的に酸化亜鉛を含んでなる請求項１〜４のいずれかに記載の 方法。 ６．無指向性堆積方法は、化学蒸着を含んでなる請求項１〜５のいずれかに記 載の方法。 ７．無指向性堆積方法は、単一ソース化学蒸着を含んでなる請求項６に記載の 方法。 ８．非平面状基材は、光ファイバである請求項１〜７のいずれかに記載の方法 。 ９．光ファイバの少なくとも一端は、堆積中、実質的に平面状の加熱表面上に 留められている請求項８に記載の方法。 １０．光ファイバは、堆積中、加熱表面の一端に配置されたファイバの部分で 留められている請求項８に記載の方法。 １１．光ファイバの自由末端の動きが実質的に光ファイバの軸に沿った動きに 制限されている請求項８に記載の方法。 １２．実質的に無指向性の堆積方法および実質的に静止した基材堆積形態を用 いて光ファイバ上に外周被覆を製造する方法において使用されるように配置され る光ファイバのための受容器であって、 実質的に平面状の加熱表面； 基材ファイバを加熱表面に留めるクランプ手段であって、被覆の製造中、加熱 表面の一端に配置されている光ファイバの部分でファイバを留めるように配置さ れているクランプ手段；および 光ファイバの自由末端の動きを実質的に光ファイバの軸に沿った動きに制限す る手段を含んでなる受容器。 １３．実質的に０．２５rad／√ＦＭＷ／cmより大きいフェーズモジュレーシ ョン効率を有する音響光学フェーズモジュレータ。 １４．３６ｍＷより大きい駆動パワーでフェーズモジュレーションと駆動パワ ーとの間に実質的に直線関係を有する音響光学フェーズモジュレータ。 １５．実質的に請求項１〜１１のいずれかに記載の方法により製造された酸化 亜鉛膜を有する圧電モジュレータを含む請求項１３または１４に記載の音響光学 フェーズモジュレータ。