JP2001518169A - 流体用の微細加工された装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は流ダクト（１４）を備えた基板（１２）と、ポンプダイアフラムまたは逆止弁を形成するダイアフラムのような変形可能な薄い層（１８）とを具備する流体用微細加工装置（１０）に関する。薄い層（１８）は好ましくはチタンからなる薄く延ばされた金属シートであり、この金属シートは陽極溶接により流導管との重なり領域（２０）において基板（１２）に接続される。本発明は逆止弁を製造するのに有益である。

Description

【発明の詳細な説明】 流体用の微細加工された装置およびその製造方法 本発明は微細加工された流体流装置およびその製造方法に関し、この流体流装 置は流ダクトを有する基板と、変形可能なダイアフラムを形成する薄い層とを具 備する。 例えば上記流体流装置は逆止弁として用いられる又はマイクロポンプ内で用い られる液体出口を制御するための部材を構成する。 このタイプの弁は排他的な定義ではないが例えば一定量または制御された量の 薬を分配するために医療分野で用いられるマイクロポンプ内で見られる。マイク ロポンプの製造はシリコンを微細加工する技術および圧電アクチュエータを用い る技術に基づいて行われる。国際特許出願ＰＣＴＩＢ９５／０００２８は自己始 動マイクロポンプを開示している。この出願では特に漏れ量が最小となるように 、さらには零となるように入口弁、時には出口弁を作製する必要がある。弁から の漏れ量はダイアフラムが休止位置にある時、即ち弁が閉弁している時に弁を通 って流れる液体の量に相当する。さらにダイアフラムが弾性を有し、弁の入口に 流体が十分な圧力で噴射された時に上記弾性によりダイアフラムが変形できるこ とで弁が作動するので、内部応力が最小量であるダイアフラムを得るには弁を製 造する時にダイアフラム自体およびダイアフラム表面を劣化しないことが重要で ある。 本発明の目的は弁の閉弁位置において漏れ量が最小となるように加工された液 体出入口装置を提供することにあり、ここでの製造方法は内部応力が殆どない良 好な物理特性および機械特性を有するダイアフラムを提供する。 薄い金属層で基板を被覆する問題が生じた時には様々な方法が用いられる。薄 い金属層は蒸発または陰極スパッタリング技術により基板上に蒸着される。しか しながらこれら方法にも限界がある。 蒸着された金属層の物理特性は固まりの状態にある同じ材料の物理特性より劣 るのが普通である。従って特に蒸着層の結晶構造が蒸着条件に非常に敏感である ので得られる層における内部応力量はかなりのものである。さらに厚さを大きく するとなると蒸着するのに必要な時間が非常に長くなるので方法の実施費用が高 くなってしまい、従って蒸着される薄い層の厚さは約１μｍに制限される。 別の可能性としては電解的に金属層を形成することであり、この技術には上述 した欠点が全てない。しかしながら全ての材料、特に金属をこの方法により積層 することはできず、形成された層の物理特性および機械特性が不十分であること が多い。 本発明によればこれら目的は例えば変形可能なダイアフラムを形成する薄い層 を圧延金属シートとし、この圧延金属シートを重なり領域において好ましくは陽 極溶接技術により基板に接続することにより達成される。本発明によれば微細加 工された流体流装置を製造する製造方法は、流ダクトを有する基板を提供する基 板提供工程と、物理化学的な手段により前記基板上に犠牲層を形成する犠牲層形 成工程と、前記基板に取り付けられていないダイアフラムを生ずべき薄い層の領 域をホトリソグラフィおよび化学エッチングから保護する薄層保護工程と、金属 シートにより構成される変形可能な薄い層を圧延により作製する薄層作製工程と 、前記薄い層を前記基板上に配置する薄層配置工程と、前記犠牲層により覆われ ていない前記基板の領域に物理化学的な方法により前記薄い層を接続する薄層接 続工程と、前記薄い層を前記基板上に固着した後に前記薄い層をホトリソグラフ ィおよび化学的なエッチングにより加工する薄層加工 工程と、前記犠牲層を再びエッチングし、これにより前記基板から前記ダイアフ ラムを解放する犠牲層エッチング工程とを具備する。 従って本発明によれば圧延金属シートが用いられ、該シートが基板に接続され 、そして微細構造を作製するために再び加工される。本発明から生じる利点は特 に圧延後における非常に素晴らしく良好に制御された物理特性および機械特性で ある。従って金属内に存在する応力は小さく、結果的にはダイアフラムの最終的 な応力状態は主にダイアフラムを基板に接着する方法から生じる。 本発明の他の利点はシートを基板のキャビティ上に固着でき、エッチング工程 なしでもダイアフラムまたはブリッジを直接作製できることにある。 本発明の他の重要な特徴はシートを基板上に固着するために陽極溶接を用いた ことにある。従来の技術には金属シート用としてこのような技術を用いることは 開示されていない。 陽極溶接技術自体は公知であり、この技術は組み立てるべき部品、即ち基板お よびダイアフラムの温度を約３００℃まで上昇し、これら重ねたものを二つの電 極間に配置し、これら電極を基板とダイアフラムとに接触させると共に基板に押 しつけられた電極に対して約１０００Ｖの負電位を提供することからなる。従っ てダイアフラムと基板との間において比較的低い温度で耐漏れ性を有する溶接が 得られる。 圧延金属シートを用いることにより弁またはマイクロポンプ内のダイアフラム として後に機能する金属シートの厚さを非常に正確で且つ非常に広い値の範囲で 決めることが可能となる。 本明細書いおいて”圧延シート”という用語はロール間を連続して通過させる ことによりシートを得る金属加工方法により得られるシートを意味するものとし て用いられる。 例を用いた以下の実施例の説明を参照すれば本発明を良好に理解でき、二次的 な特徴や利点が明らかとなる。 当然のことながら説明および図面は単に非限定的な表示により与えられている 。添付図面を参照すると、 図１は本発明の第一実施例の微細加工された弁の線図的な断面図であり、 図２は図１の方向II−IIから見た、即ち弁の上方から見た図１の弁を示す図で あり、 図３はマイクロポンプ内に組み入れられるのに適した本発明の第二実施例の弁 の線図的な断面図であり、 図４は本発明のマイクロポンプを具体化したところを示した図である。 本発明の第一実施例において微細加工された弁１０は逆止弁を構成する。この 弁１０は例えば貫通した流ダクト１４を備えた”パイレックス（Ｐｙｒｅｘ）” 型のガラスの基板１２を具備する。流ダクト１４の出口は基板１２の上面１６で 開口する。例えば２μｍから１０μｍの範囲内の厚さの圧延チタンシートのダイ アフラム１８が流ダクト１４の出口オリフィスを覆い、このダイアフラム１８は 周辺領域２０で基板の上面１６に固着される。ダイアフラム１８は少なくとも一 つの流オリフィス22を有する薄いディスクを形成し、この流オリフィス２２が流 ダクト１４の出口オリフィスを包囲するダイアフラム領域に配置されるので、ダ イアフラム１８が休止位置にある時には流ダクト１４とオリフィス２２とが互い に流通することはできない。 図２に示したようにダイアフラム１８を通る流オリフィス２２は例えば楕円形 であり、ダイアフラムの中央領域１９内で互いに等しい距離だけ離間し、流ダク ト１４の出口オリフィスと中心を同じく する円形状に分布せしめられる。従って流オリフィス２２を有するダイアフラム １８の中央領域１９は基板に固着されていない。 流ダクト１４の入口オリフィスを介した流体が十分な圧力に達した時にこの液 体圧がダイアフラムの中央領域１９に達し、そしてダイアフラムが湾曲して弾性 的に変形し、このダイアフラム１８の変形によりダイアフラムと基板との間に空 間が形成されるので、液体がこの空間を介してダイアフラム１８の流オリフィス ２２を通って通過し（図１の矢印）、これは弁１０の開弁位置である。 従って上記弁が作動するにはダイアフラム１８の周辺領域２０が基板１２上に 永久的に固着され、ダイアフラム１８がその中央領域１９内において基板１２か ら離れるように移動でき、基板を貫通する流ダクト１４とダイアフラムを貫通す るオリフィス２２とが相対的にずれているために弁が休止位置または閉弁位置に ある時にこれら流ダクト１４とオリフィス２２とが互いに流通しない相対位置に あり、弁が開弁位置にある時にオリフィス２２を通ってダクト１４から液体が流 れるようにこれら流ダクト１４とオリフィス２２とが互いに流通できるような相 対位置にあることが必要である。 上記ダイアフラム弁を製造する方法を以下で説明する。例えば超音波ドリルに より例えば”パイレックス”ウエハの基板１２を貫通して流ダクト１４が約０． １ｍｍの直径で形成される。流ダクト１４の出口オリフィスを包囲する基板１２ の上面１６上にアルミニウムの薄い犠牲層が蒸着され、該犠牲層は蒸発により約 ０．１μｍの厚さで作製される。このアルミニウム層の外形はホトリソグラフィ およびアルミニウムを侵食するための標準的な溶液を用いたエッチングにより修 正される。チタンシートの周辺領域２０とガラス基板１２の上面１６との間での 陽極溶接により圧延チタンシート１８がガラス基板に固着され、チタンシートの 中央領域１９はアルミニウ ムの犠牲層を覆う。チタンシートの外形はホトリソグラフィおよび稀弗化水素酸 の溶液を用いたエッチングにより修正される。弁の製造方法の最終工程ではアル ミニウムの犠牲層が標準的なアルミニウムエッチング溶液により完全に排除また は溶解される。 従って作動要素、即ちダイアフラムが実際に内部応力を有していない弁が得ら れ、このためこの弁は変形または疲労に対する良好な抵抗力のような良好な機械 的な性能や化学的な腐食に対する良好な抵抗を提供する。 このように犠牲層が溶解された後にダイアフラム１８の中央層１９は基板１２ にはいかなる形態でも固着されていない。 以下、例えば上記国際特許出願で説明されているようなマイクロポンプのよう なマイクロポンプで見られる種類の弁３０を示した図３を参照して第二実施例を 説明する。 本実施例において弁３０は例えばガラスの基板３２と、可撓性を有するダイア フラム３８と、例えばシリコンのプレート４４とを具備する。図３に示したよう に流ダクト３４は基板３２を貫通し、この流ダクト３４は図３の流ダクト３４の 上方部分に位置する入口オリフィス３５を有し、この入口オリフィス３５はダイ アフラム３８により塞がれている。例えば圧延されたシート状の金属、好ましく はチタンからなるこのダイアフラムは基板の流ダクト３４の入口オリフィス３５ に隣接してガラス基板３２の平面３６に固着される。ダイアフラム３８は流ダク ト３４に整合する中央領域３９と、ガラス３２の平面３６に固着される環状領域 ４０とを有する。 好ましくはダイアフラム３８の中央領域３９の中心においてオリフィス４２が ダイアフラム３８を貫通するので、オリフィス４２は基板３２の流ダクト３４に 整列し、好ましくは流ダクト３４の軸線に整列する。 またシリコンプレート４４は流ダクト３４の入口オリフィス３５近くにおいて ガラス基板３２の平面３６に固着される。ダイアフラム３８に整合したシリコン プレート４４の面は全体的には平面ではなく、ダイアフラム３８から離れて基板 ３２の平面３６に接続される接触面４５を有する。 ダイアフラム３８と整合したプレート４４の領域は液体が流れることができる 室４６を形成するような形状をしている。この室４６は基板３２とシリコンプレ ート４４との間に位置し、本発明の弁３０を構成する図３に示したマイクロポン プ領域を越えて液体入口手段に向かって延びる。 ダイアフラム３８のオリフィス４２に整合して配置せしめられるプレート４４ の領域は環状の突起４８を有し、この突起４８の図３に示した断面は二つのテー パを有する四辺形である。突起４８内の内部空間も同様にテーパとなっており、 この内部空間はダイアフラム３８内のオリフィス４２およびガラス基板３２内の 流ダクト３４に整列し且つ整合する空間５０を構成する。 環状の突起４８の自由端は弁３０が休止位置にある時にオリフィス４２周りで ダイアフラム３８の中央領域３９に接触する。従って弁３０が休止位置にある時 には環状の突起４８はシリコンプレート４４に隣接したところの室４６とガラス 基板の流ダクト３４との間における液体の流れに対する障害となる。弁３０が作 動する時には室４６内の液体の圧力が増大し、これにより弾性ダイアフラム３８ の中央領域３９を図３に示した配置に対して下方へと変形し、これにより突起４ ８の自由端からダイアフラム３８を離し、従って液体が空間５０へ向かって室４ ６から流れ、それから変形した可撓性を有するダイアフラム３８のオリフィス４ ２を通って室５０から流ダクト３４内へと液体が流れる。 室４６上流の液体入口手段からの液体全てが空間５０とオリフィス４２とを介 して流ダクト３４内へとマイクロポンプの他の室に向かって流れた時に室４６内 の圧力が減少し、ダイアフラム３８が弾性を有するため、ダイアフラム３８が初 期の位置に戻り、即ちダイアフラム３８が戻って環状の突起４８の自由端に接触 するので、室４６と流ダクト３４とはもはや互いに流通しなくなる。 従って基板３２の流ダクト３４内の液体の圧力が上昇しても上述した構成によ り突起４８の自由端がダイアフラム３８に接触したままであり、ダイアフラム３ ８の変形を防止しているので、ダイアフラム３８の変形により液体がオリフィス ４２および空間５０を介して室４６に向かって通ることができないので弁３０は 逆止弁として働く。 第二実施例ではシリコンプレートからの環状の突起４８はダイアフラム３８用 の弁座として機能し、ダイアフラム３８はこの突起４８に押しつけられる。ダイ アフラム３８の周囲部４０は好ましくは陽極溶接により基板３２の平面３６に固 着され、この同じ陽極溶接がシリコンプレート４４の表面４５とガラス基板の表 面３６との間の接着に適用される。 弁３０は上記弁１０とは逆の方向へと動作する逆止弁を形成する。基板上にダ イアフラムを固着する前に犠牲層を用いる必要がないという点で弁３０の製造は 弁１０の製造とは異なる。 図３に示したように流ダクト３４の横方向の大きさはダイアフラム３８のオリ フィス４２の大きさより大きく、従って流ダクト３４はキャビティを構成する。 図４はマイクロポンプの作製への本発明の適用を示している。ポンプは例えば シリコンから作製された壁６０を有し、この壁６０は内部キャビティ６２を画成 する。マイクロポンプ本体の底部６４に はそれぞれキャビティ６２内部に対する流体入口用および流体出口用の二つのオ リフィス６６および６８が孔開けされている。キャビティ６２の上方部分は好ま しくは上記方法を用いてチタンで作製された変形可能なダイアフラム７０により 閉鎖されている。このダイアフラムの周辺部は上述したように固着される。マイ クロポンプの本体６０は基板として機能する。オリフィス６６および６８は上述 した逆止弁として機能するそれぞれ変形可能なダイアフラム７４および７２をそ れぞれ内部および外部に備える。 他の実施例も本発明の範囲内で選択可能である。従って基板を好ましくは”パ イレックス”または珪硼酸ガラスのような他のタイプのガラスのみならずシリコ ン、セラミックあるいは用いられる金属の熱膨張係数に適合した他の材料で作製 してもよい。シートを基板上に固着するために接着剤、はんだ付け、シリコンと の組合せ（Ｔｉ、ＰｔＳｉ等）または共晶（例えばＡｕＳｉ）を形成するといっ た他の固着技術を用いることもできる。 圧延金属シートはこの材料が固まりの状態にある時の物理特性および機械特性 に近い特性を維持するので、ダイアフラムが蒸着により作製された時に有する磁 性特性よりずっと良好な磁性特性を有するダイアフラムを備える電磁アクチュエ ータまたはセンサに圧延シートを用いることができ、形状記憶合金を用いて作製 された金属シートも他の選択可能な実施例である。 白金、イリジウム、アルミニウムあるいはクロム、タンタル、ニオブ、モリブ デンまたは鉄ニッケル系のフェロニッケルのようなステンレス鋼合金のような他 の材料も金属シートとして適切である。しかしながら陽極溶接に対して最適な金 属はチタンのようである。さらにチタンは使用意図に対する最も適切な機械特性 および化学特性を有する。さらにチタンは腐食に耐えられ、化学エッチングによ り容易に加工可能である。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１０年８月１９日（１９９８．８．１９） 【補正内容】 蒸着された金属層の物理特性は固まりの状態にある同じ材料の物理特性より劣 るのが普通である。従って特に蒸着層の結晶構造が蒸着条件に非常に敏感である ので得られる層における内部応力量はかなりのものである。さらに厚さを大きく するとなると蒸着するのに必要な時間が非常に長くなるので方法の実施費用が高 くなってしまい、従って蒸着される薄い層の厚さは約１μｍに制限される。 別の可能性としては電解的に金属層を形成することであり、この技術には上述 した欠点が全てない。しかしながら全ての材料、特に金属をこの方法により積層 することはできず、形成された層の物理特性および機械特性が不十分であること が多い。 本発明によればこれら目的は例えば変形可能なダイアフラムを形成する薄い層 を圧延金属シートとし、この圧延金属シートを重なり領域において陽極溶接技術 により基板に接続することにより達成される。本発明によれば微細加工された流 体流装置を製造する製造方法は、流ダクトを有する基板を提供する基板提供工程 と、物理化学的な手段により前記基板上に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、 前記基板に取り付けられていないダイアフラムを生ずべき前記犠牲層の領域をホ トリソグラフィおよび化学エッチングから保護する薄層保護工程と、金属シート により構成される変形可能な薄い層を圧延により作製する薄層作製工程と、前記 薄い層を前記基板上に配置する薄層配置工程と、前記犠牲層により覆われていな い前記基板の領域に陽極溶接により前記薄い層を接続する薄層接続工程と、 請求の範囲 １．流ダクト（１４；３４）を有する基板（１２；３２）と、変形可能な薄い 層（１８；３８）とを具備する微細加工された流体流装置（１０；３０）におい て、前記薄い層（１８；３８）が前記流ダクトと重なり合う領域（２０；４０） において陽極溶接により前記基板（１２；３２）に接続される圧延された金属シ ートであることを特徴とする微細加工された流体流装置（１０；３０）。 ２．前記薄い層（１８；３８）の厚さが２μｍから１０μｍの範囲にあること を特徴とする請求項１に記載の微細加工された流体流装置（１０；３０）。 ３．前記薄い層（１８；３８）は白金、イリジウム、アルミニウム、クロム、 タンタル、ニオブおよびモリブデン、ならびに特に鉄ニッケル系のステンレス鋼 合金を具備するグループから選択された材料で作製されることを特徴とする前記 請求項のいずれか一つに記載の微細加工された流体流装置（１０；３０）。 ４．前記薄い層（１８；３８）がチタンで作製されることを特徴とする請求項 １または２に記載の微細加工された流体流装置（１０；３０）。 ５．前記基板がガラスで作製されることを特徴とする請求項４に記載の微細加 工された流体流装置。 ６．前記基板（１２；３２）がシリコンで作製されることを特徴とする請求項 １から３のいずれか一つに記載の微細加工された流体流装置（１０；３０）。 ７．前記薄い層がポンプダイアフラムであることを特徴とする請求項１から６ のいずれか一つに記載の微細加工された流体流装置の使用。 ８．前記薄い層が逆止弁を構成するダイアフラムである請求項１から６のいず れか一つに記載の微細加工された流体流装置の使用。 ９．流体を含む装置用の微細加工された装置（１０；３０）を製造する製造方 法において、 流ダクト（１４；３４）を有する基板（１２；３２）を提供する基板提供工程 と、 物理化学的な手段により前記基板上に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、 前記基板に取り付けられていないダイアフラムを生ずべき前記犠牲層の領域を ホトリソグラフィおよび化学エッチングから保護する犠牲層保護工程と、 金属シートにより構成される変形可能な薄い層（１８；３８）を圧延により作 製する薄層作製工程と、 前記基板（１２；３２）上に前記薄い層（１８；３８）を配置する薄層配置工 程と、 前記犠牲層により覆われていない前記基板の領域に陽極溶接により前記薄い層 を接続する薄層接続工程と、 前記薄い層が前記基板上に固着された後に前記薄い層をホトリソグラフィおよ び化学エッチングにより加工する薄層加工工程と、 前記犠牲層を再びエッチングし、これにより前記ダイアフラムを前記基板から 解放する犠牲層エッチング工程とを具備することを特徴とする製造方法。 １０．前記ダイアフラム（１８；３８）の厚さが２μｍから１０μｍの範囲に あることを特徴とする請求項９に記載の製造方法。 １１．前記ダイアフラム（１８；３８）が白金、イリジウム、アルミニウム、 クロム、タンタル、ニオブおよびモリブデン、ならびに特に鉄ニッケル系のステ ンレス鋼合金を具備するグループから選 択された材料で作製されることを特徴とする請求項９または１０に記載の製造方 法。 １２．前記薄い層（１８；３８）がチタンで作製されることを特徴とする請求 項９に記載の製造方法。 １３．前記基板がガラスで作製されることを特徴とする請求項１２に記載の製 造方法。 １４．前記基板（１２；３２）がシリコンで作製される請求項９から１２のい ずれか一つに記載の製造方法。 【手続補正書】 【提出日】平成１１年１０月１３日（１９９９．１０．１３） 【補正内容】 明細書の第９頁13行目〜同頁15行目「シリコンとの組合せ…こともできる。」 を『シリコンとの組合せ（TiSi，PtSi等）または共晶（例えばAuSi）を形成する といった他の固着技術を用いることもできる。』に補正します。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，Ｓ Ｄ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ， ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，Ｆ Ｉ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ， ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，Ｍ Ｗ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ， ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．流ダクト（１４；３４）を有する基板（１２；３２）と、ポンプダイアフ ラムまたは弁形成ダイアフラムのような変形可能な薄い層（１８；３８）とを具 備する微細加工された流体流装置（１０；３０）において、前記薄い層（１８； ３８）が圧延金属シートであることを特徴とする微細加工された流体流装置。 ２．前記薄い層（１８；３８）が前記流ダクトと重なり合う領域（２０；４０ ）において陽極溶接により前記基板（１２；３２）に接続されることを特徴とす る請求項１に記載の微細加工された流体流装置（１０；３０）。 ３．前記薄い層（１８；３８）の厚さが２μｍから１０μｍの範囲にあること を特徴とする請求項２に記載の微細加工された流体流装置（１０；３０）。 ４．前記薄い層（１８；３８）は白金、イリジウム、アルミニウム、クロム、 タンタル、ニオブおよびモリブデン、ならびに特に鉄ニッケル系のステンレス鋼 合金を具備するグループから選択された材料で作製されることを特徴とする前記 請求項のいずれか一つに記載の微細加工された流体流装置（１０；３０）。 ５．前記薄い層（１８；３８）がチタンで作製されることを特徴とする請求項 １から３のいずれか一つに記載の微細加工された流体流装置（１０；３０）。 ６．前記基板がガラスで作製されることを特徴とする請求項５に記載の微細加 工された流体流装置。 ７．前記基板（１２；３２）がシリコンで作製されることを特徴とする請求項 １から４のいずれか一つに記載の微細加工された流体流装置（１０；３０）。 ８．前記薄い層がポンプダイアフラムであることを特徴とする請求項１から７ のいずれか一つに記載の微細加工された流体流装置の使用。 ９．前記薄い層が逆止弁を構成するダイアフラムである請求項１から７のいず れか一つに記載の微細加工された流体流装置の使用。 １０．流体を含む装置用の微細加工された装置（１０；３０）を製造する製造 方法において、 流ダクト（１４；３４）を有する基板（１２；３２）を提供する基板提供工程 と、 物理化学的な手段により前記基板上に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、 前記基板に取り付けられていないダイアフラムを生ずべき前記薄い層の領域を ホトリソグラフィおよび化学エッチングから保護する薄層保護工程と、 金属シートにより構成される変形可能な薄い層（１８；３８）を圧延により作 製する薄層作製工程と、 前記基板（１２；３２）上に前記薄い層（１８；３８）を配置する薄層配置工 程と、 前記犠牲層により覆われていない前記基板の領域に物理化学的な方法により前 記薄い層を接続する薄層接続工程と、 前記薄い層が前記基板上に固着された後に前記薄い層をホトリソグラフィおよ び化学エッチングにより加工する薄層加工工程と、 前記犠牲層を再びエッチングし、これにより前記ダイアフラムを前記基板から 解放する犠牲層エッチング工程とを具備することを特徴とする製造方法。 １１．前記物理化学的な方法が陽極溶接であることを特徴とする請求項１０に 記載の製造方法。 １２．前記ダイアフラム（１８；３８）の厚さが２μｍから１０μｍの範囲に あることを特徴とする請求項１０または１１に記載の製造方法。 １３．前記ダイアフラム（１８；３８）が白金、イリジウム、アルミニウム、 クロム、タンタル、ニオブおよびモリブデン、ならびに特に鉄ニッケル系のステ ンレス鋼合金を具備するグループから選択された材料で作製されることを特徴と する請求項１０から１３のいずれか一つに記載の製造方法。 １４．前記薄い層（１８；３８）がチタンで作製されることを特徴とする請求 項１０に記載の製造方法。 １５．前記基板がガラスで作製されることを特徴とする請求項１４に記載の製 造方法。 １６．前記基板（１２；３２）がシリコンで作製される請求項１０から１４の いずれか一つに記載の製造方法。