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JP2001330534A - Leak check method of decompression processing apparatus and decompression processing apparatus - Google Patents

Leak check method of decompression processing apparatus and decompression processing apparatus

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Publication number
JP2001330534A
JP2001330534A JP2001069866A JP2001069866A JP2001330534A JP 2001330534 A JP2001330534 A JP 2001330534A JP 2001069866 A JP2001069866 A JP 2001069866A JP 2001069866 A JP2001069866 A JP 2001069866A JP 2001330534 A JP2001330534 A JP 2001330534A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
partial pressure
processing
oxygen partial
exhaust system
processing container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001069866A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomohisa Shimazu
知久 島津
Yoshitaka Tsunashima
祥隆 綱島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Electron Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2001069866A priority Critical patent/JP2001330534A/en
Publication of JP2001330534A publication Critical patent/JP2001330534A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
  • Examining Or Testing Airtightness (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理容器のリークチェックを設備の増大を伴
わずに低コストで容易に短時間で行えるようにし、TA
Tの短縮および排気系からの戻り汚染の低減を図る。 【解決手段】 被処理体wを密閉可能な処理容器1内に
収容し、この処理容器1内を排気系16により減圧排気
して前記被処理体wに所定の処理を施す減圧処理装置の
リークチェック方法において、前記排気系16に酸素分
圧計18を設け、処理容器1内を排気系16により減圧
排気しながら前記酸素分圧計18により酸素分圧を計測
し、この酸素分圧に基いて処理容器1のリークの有無を
チェックする。
PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to easily perform a leak check of a processing vessel in a short time at a low cost without increasing the number of facilities,
The aim is to reduce T and reduce return contamination from the exhaust system. SOLUTION: A processing object w is housed in a sealable processing container 1, and the processing container 1 is evacuated and evacuated by an exhaust system 16 to perform predetermined processing on the processing object w. In the checking method, an oxygen partial pressure gauge 18 is provided in the exhaust system 16, and while the inside of the processing vessel 1 is depressurized and evacuated by the exhaust system 16, the oxygen partial pressure is measured by the oxygen partial pressure gauge 18, and processing is performed based on the oxygen partial pressure. Check the container 1 for leaks.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、減圧処理装置のリ
ークチェック方法および減圧処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for checking leaks in a decompression processing apparatus and a decompression processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理体例えば半導体ウエハに所定の減圧下で酸化、拡散、
CVD、アニールなどの処理を施すために、半導体製造
装置の一つとして減圧処理装置が使用されている。この
減圧処理装置は、被処理体を密閉可能な処理容器(チャ
ンバ)内に収容し、この処理容器内を排気系により減圧
排気して前記被処理体に所定の処理を施すように構成さ
れている。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, an object to be processed, such as a semiconductor wafer, is oxidized, diffused,
In order to perform processes such as CVD and annealing, a decompression processing device is used as one of semiconductor manufacturing devices. The decompression processing apparatus is configured to accommodate a target object in a process chamber (chamber) capable of being hermetically sealed, and to perform a predetermined process on the target object by depressurizing and exhausting the interior of the processing container by an exhaust system. I have.

【0003】このような減圧処理装置においては、処理
開始前に処理容器の気密性を確認するためのリークチェ
ック(漏れ検査)が行われている。従来では、このリー
クチェックの方法として、ビルドアップ法(放置法、圧
力上昇法)が採用されていた。このビルドアップ法は、
減圧到達圧力を確認してから、排気弁を閉じ、その後の
処理容器内の圧力上昇具合から処理容器にリークがある
かないかを判断する方法である。
[0003] In such a decompression processing apparatus, a leak check (leakage inspection) for confirming the airtightness of the processing container is performed before the processing is started. Conventionally, a build-up method (a neglected method, a pressure rise method) has been adopted as a method of the leak check. This build-up method
This is a method in which after confirming the depressurization reaching pressure, the exhaust valve is closed, and it is determined whether or not there is a leak in the processing container based on the degree of pressure increase in the processing container thereafter.

【0004】具体的には、図2に示すように、排気系の
減圧ポンプの駆動および排気弁の操作により、スロー排
気および全開排気を順に行って処理容器内を大気圧から
所定の到達圧力まで減圧し、この到達圧力時点で排気弁
を閉じ、その後の処理容器内の圧力上昇具合を圧力計例
えば全圧計により測定してビルドアップ法によるリーク
チェックを行う。
More specifically, as shown in FIG. 2, by driving a vacuum pump of an exhaust system and operating an exhaust valve, slow exhaust and full open exhaust are sequentially performed to evacuate the processing chamber from atmospheric pressure to a predetermined ultimate pressure. The pressure is reduced, and the exhaust valve is closed at the time of the ultimate pressure. Then, the degree of pressure increase in the processing container is measured by a pressure gauge, for example, a total pressure gauge, and a leak check is performed by a build-up method.

【0005】前記圧力上昇具合から処理容器にリークが
あると判断したなら、以降の作業を停止し、リーク箇所
のメンテナンスを行う。リークがないと判断したなら、
排気弁を開けて再排気を行ない、所定の圧力に到達して
から処理を開始する。
[0005] If it is determined that there is a leak in the processing container based on the pressure increase, the subsequent work is stopped and maintenance of the leak location is performed. If you determine that there is no leak,
The exhaust valve is opened to perform exhaust again, and the process is started after reaching a predetermined pressure.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記減
圧処理装置のリークチェック方法においては、スロー排
気に10分程度、全開排気に10分程度、リークチェッ
クに1分程度、再排気に5分程度を要し、処理を開始す
るまでに26分程度と多くの時間を要する問題があっ
た。このため、減圧処理装置のTAT(Turn Aroud T
ime)すなわち被処理体が処理装置(処理容器を含む)
に入ってから出てくるまでの時間が長くなっていた。ま
た、前記リークチェック方法では、排気弁を閉じるた
め、排気系からの戻り汚染すなわち排気系の排気弁から
上流部分に存在するパーティクルや脱ガス等が処理容器
内に逆流することによる被処理体への汚染が発生する恐
れがあった。
However, in the leak check method of the decompression processing apparatus, about 10 minutes for slow exhaust, about 10 minutes for fully open exhaust, about 1 minute for leak check, and about 5 minutes for re-exhaust. It takes a long time, about 26 minutes, to start the process. For this reason, the TAT (Turn Aroud T
ime) That is, the object to be processed is a processing device (including a processing container)
The time between entering and coming out was longer. In the leak check method, since the exhaust valve is closed, return contamination from the exhaust system, that is, particles or degassed gas present in an upstream portion from the exhaust valve of the exhaust system flow back into the processing container to be processed. Contamination may occur.

【0007】なお、処理容器内の雰囲気ガスの分析を行
う手段として、高真空質量分析装置が知られており、こ
の高真空質量分析装置を用いてリークチェックを行う技
術も提案されている(特開平8−45856号公報)。
しかしながら、通常の低真空ないし中真空(例えば10
−3Torr台)の減圧処理装置に高真空質量分析装置
を適用する場合には、高真空(例えば10−5Torr
以下)領域を確保可能な高価な差動排気型高真空質量分
析装置が必要であり、且つ高真空ポンプ例えばターボ分
子ポンプが別途必要になると共に、ターボ分子ポンプの
後段に背圧を確保するための低真空ないし中真空ポンプ
例えばドライポンプを接続する必要があり、設備の増大
を余儀なくされる問題がある。
[0007] A high vacuum mass spectrometer is known as a means for analyzing the atmospheric gas in the processing vessel, and a technique of performing a leak check using this high vacuum mass spectrometer has been proposed (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-157,086). JP-A-8-45856).
However, the usual low to medium vacuum (eg 10
When a high-vacuum mass spectrometer is applied to a decompression processing apparatus of the order of −3 Torr, a high vacuum (for example, 10 −5 Torr) is used.
In the following, an expensive differentially evacuated high vacuum mass spectrometer capable of securing an area is required, and a high vacuum pump, for example, a turbo molecular pump is separately required, and a back pressure is secured at a stage subsequent to the turbo molecular pump. It is necessary to connect a low vacuum to medium vacuum pump, for example, a dry pump, and there is a problem that the equipment must be increased.

【0008】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、処理容器のリークチェックを設備の増大を伴わず
に低コストで容易に短時間で行うことができ、TATの
短縮および排気系からの戻り汚染の低減が図れる減圧処
理装置のリークチェック方法および減圧処理装置を提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and allows a leak check of a processing container to be performed easily and in a short time at a low cost without an increase in equipment, thereby reducing the TAT and reducing the exhaust system. It is an object of the present invention to provide a leak check method and a decompression processing device of a decompression processing device capable of reducing return contamination from water.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項1
の発明は、被処理体を密閉可能な処理容器内に収容し、
この処理容器内を排気系により減圧排気して前記被処理
体に所定の処理を施す減圧処理装置のリークチェック方
法において、前記排気系に酸素分圧計を設け、処理容器
内を前記排気系により減圧排気しながら前記酸素分圧計
により酸素分圧を計測し、この酸素分圧に基いて処理容
器のリークの有無をチェックすることを特徴とする。
Means for Solving the Problems In the present invention, claim 1 is provided.
According to the invention, the object to be processed is housed in a processable container that can be closed,
In the leak check method of the decompression processing apparatus for performing a predetermined process on the object to be processed by depressurizing and exhausting the inside of the processing container by an exhaust system, an oxygen partial pressure gauge is provided in the exhaust system, and the inside of the processing container is depressurized by the exhaust system. The method is characterized in that the oxygen partial pressure is measured by the oxygen partial pressure gauge while the gas is exhausted, and the presence or absence of a leak in the processing container is checked based on the oxygen partial pressure.

【0010】請求項2の発明は、被処理体を密閉可能な
処理容器内に収容し、この処理容器内を減圧ポンプを備
えた排気系により減圧排気して前記被処理体に所定の処
理を施す減圧処理装置のリークチェック方法において、
前記排気系の減圧ポンプの上流近傍に酸素分圧計を設
け、処理容器内を前記排気系により減圧排気しながら前
記酸素分圧計により酸素分圧を計測し、この酸素分圧に
基いて処理容器のリークの有無をチェックすることを特
徴とする。
According to a second aspect of the present invention, the object to be processed is housed in a processable container which can be hermetically sealed, and the inside of the processing container is depressurized and evacuated by an exhaust system equipped with a decompression pump to perform predetermined processing on the object to be processed. In the leak check method of the decompression processing device to be applied,
An oxygen partial pressure gauge is provided near the upstream of the decompression pump in the exhaust system, and while the inside of the processing vessel is depressurized and evacuated by the exhaust system, the oxygen partial pressure is measured by the oxygen partial pressure gauge. It is characterized in that the presence or absence of a leak is checked.

【0011】請求項3の発明は、被処理体を密閉可能な
処理容器内に収容し、この処理容器内を排気系により減
圧排気して前記被処理体に所定の処理を施す減圧処理装
置において、前記排気系に処理容器のリークをチェック
するための酸素分圧計を設けたことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a decompression processing apparatus for accommodating an object to be processed in a hermetically sealable processing container, depressurizing and exhausting the interior of the processing container by an exhaust system, and performing predetermined processing on the object to be processed. An oxygen partial pressure gauge for checking a leak in the processing container is provided in the exhaust system.

【0012】請求項4の発明は、被処理体を密閉可能な
処理容器内に収容し、この処理容器内を排気系により減
圧排気して前記被処理体に所定の処理を施す減圧処理装
置において、前記排気系の減圧ポンプの上流近傍に処理
容器のリークをチェックするための酸素分圧計を設けた
ことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a reduced-pressure processing apparatus for accommodating a processing object in a hermetically sealable processing container, depressurizing and exhausting the processing container by an exhaust system, and performing predetermined processing on the processing object. An oxygen partial pressure gauge for checking a leak of the processing container is provided near the upstream of the pressure reducing pump of the exhaust system.

【0013】請求項5の発明は、請求項3または4記載
の減圧処理装置において、前記排気系の前記酸素分圧計
よりも上流に排気ガス中の反応副生成物等を捕獲する捕
獲器が設けられていることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the decompression processing apparatus according to the third or fourth aspect, a trap for capturing a reaction by-product or the like in the exhaust gas is provided upstream of the oxygen partial pressure gauge in the exhaust system. It is characterized by having been done.

【0014】請求項6の発明は、請求項3,4または5
記載の減圧処理装置において、前記酸素分圧計がジルコ
ニア式酸素濃度計であることを特徴とする。
The invention of claim 6 is the invention of claim 3, 4 or 5
In the reduced pressure treatment apparatus described above, the oxygen partial pressure gauge is a zirconia-type oxygen concentration meter.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図1は本発明を縦型熱処理装
置に適用した実施の形態を示す構成図、図2は本発明方
法と従来方法を比較するための図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus, and FIG. 2 is a diagram for comparing the method of the present invention with a conventional method.

【0016】図1において、1は被処理体例えば半導体
ウエハwを収容して所定の処理例えば減圧CVDを施す
ための熱処理炉を構成する処理容器(チャンバ)であ
る。この処理容器1は、例えば石英製の縦長の反応管2
と、この反応管2に接合されガス導入部3および排気部
4を有すると共に炉口5を形成する金属製例えばステン
レス鋼製のマニホールド6と、このマニホールド6によ
り形成された炉口5を密閉する金属製例えばステンレス
鋼製の蓋体7とから主に構成されている。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a processing vessel (chamber) which constitutes a heat treatment furnace for accommodating an object to be processed, for example, a semiconductor wafer w, and performing predetermined processing, for example, low pressure CVD. The processing vessel 1 includes, for example, a vertically long reaction tube 2 made of quartz.
A manifold 6 made of metal, for example, stainless steel, which is connected to the reaction tube 2 and has a gas introduction section 3 and an exhaust section 4 and forms a furnace port 5, and hermetically seals the furnace port 5 formed by the manifold 6. It is mainly composed of a metal lid, for example, stainless steel.

【0017】図示例の反応管2は、内管2aと外管2b
の二重管構造とされている。内管2aは、上端および下
端が開口されている。外管2bは、上端が閉塞され、下
端が開口されている。外管2bの下端には、フランジ部
8が形成されている。内管2aは、実質的な処理空間を
形成しており、内管2aと外管2bとの間の環状空間が
処理ガスの排気通路9を形成している。
The illustrated reaction tube 2 has an inner tube 2a and an outer tube 2b.
It has a double tube structure. The upper end and the lower end of the inner tube 2a are open. The outer tube 2b has an upper end closed and a lower end opened. A flange 8 is formed at the lower end of the outer tube 2b. The inner tube 2a forms a substantial processing space, and the annular space between the inner tube 2a and the outer tube 2b forms an exhaust passage 9 for the processing gas.

【0018】前記マニホールド6は、反応管2の外管2
bとほぼ同径の短管状に形成されており、上端部には外
管2bの下端フランジ部8を載置して図示しないフラン
ジ押えにより接合支持するためのフランジ部(外管支持
部)10が形成されている。
The manifold 6 is provided on the outer tube 2 of the reaction tube 2.
and a flange portion (outer tube support portion) 10 on which a lower end flange portion 8 of the outer tube 2b is mounted on the upper end portion and joined and supported by a flange holder (not shown). Are formed.

【0019】また、マニホールド6の内周部には、前記
内管2aの下端部を支持するための支持部(内管支持
部)11が設けられている。マニホールド6は、図示し
ないベースプレートの下部に取付けられており、また、
ベースプレートの上部には、反応管2内を所定の温度に
加熱制御可能な円筒状のヒータ12が設置されている。
A support portion (inner tube support portion) 11 for supporting a lower end portion of the inner tube 2a is provided on an inner peripheral portion of the manifold 6. The manifold 6 is attached to a lower portion of a base plate (not shown).
Above the base plate, a cylindrical heater 12 capable of controlling the inside of the reaction tube 2 to a predetermined temperature is provided.

【0020】マニホールド6の下端に開口した炉口5の
開口端には、図示しない昇降機構により開閉操作される
蓋体7が気密に接合されるようになっている。蓋体7の
上部には、多数例えば150枚程度のウエハwを水平状
態で上下方向に所定間隔で支持搭載する石英製のボート
13が炉口5の断熱手段である石英製の保温筒14を介
して載置されている。
A lid 7 that is opened and closed by a lifting mechanism (not shown) is hermetically joined to an opening end of the furnace port 5 opened at a lower end of the manifold 6. A quartz boat 13 that supports and mounts a large number of, for example, about 150 wafers w at predetermined intervals in a horizontal state at a predetermined interval in the upper part of the lid 7 includes a quartz heat insulating cylinder 14 that is a heat insulating means of the furnace port 5. Has been placed through.

【0021】この場合、ウエハwを面内均一に熱処理す
るために、蓋体7に回転導入部を介して回転テーブル1
5を設け、この回転テーブル15上に保温筒14を介し
てボート13を載置するように構成されていてもよい。
処理容器1内へのボート13と保温筒22の搬入および
搬出操作は、昇降機構により開閉操作される蓋体7を介
して行われるようになっている。
In this case, in order to uniformly heat-treat the wafer w in the plane, the rotary table 1 is attached to the lid 7 via a rotation introducing section.
5 may be provided, and the boat 13 may be placed on the rotary table 15 via the heat retaining tube 14.
The operation of loading and unloading the boat 13 and the heat retaining tube 22 into and from the processing container 1 is performed via the lid 7 that is opened and closed by a lifting mechanism.

【0022】また、マニホールド6の管壁(側部)に
は、図示しないガス供給系(ガス供給管)を接続するた
めの短管状の前記ガス導入部3と、処理容器1内を減圧
排気可能な排気系(排気管)16を接続するための短管
状の排気部4とが形成されている。ガス導入部3は、ガ
ス種に応じて複数形成されていてもよい。また、ガス供
給系には、供給弁が設けられている(図示省略)。
The tube wall (side) of the manifold 6 has a short gas inlet 3 for connecting a gas supply system (gas supply pipe) (not shown), and the inside of the processing vessel 1 can be evacuated and evacuated. And a short tubular exhaust portion 4 for connecting a simple exhaust system (exhaust pipe) 16. A plurality of gas introduction sections 3 may be formed according to the gas type. The gas supply system is provided with a supply valve (not shown).

【0023】前記排気系16には、処理容器1内を所望
の減圧ないし真空度に制御可能な排気弁17および減圧
ポンプ(真空ポンプ)18が設けられている。本実施の
形態の縦型熱処理装置(減圧処理装置)は、低真空ない
し中真空(10−3Torr台)で使用されるので、減
圧ポンプ18として例えばドライポンプが用いられてい
る。
The evacuation system 16 is provided with an evacuation valve 17 and a decompression pump (vacuum pump) 18 capable of controlling the inside of the processing vessel 1 to a desired reduced pressure or a desired degree of vacuum. Since the vertical heat treatment apparatus (decompression processing apparatus) of the present embodiment is used in a low vacuum to a medium vacuum (on the order of 10 −3 Torr), for example, a dry pump is used as the decompression pump 18.

【0024】前記排気弁17は、メイン排気弁17Aと
スロー排気弁17Bとからなる。前記排気系16には、
メイン排気弁17Aが設けられると共に、スロー排気を
行うためにメイン排気弁17Aをバイパスするバイパス
管19が設けられている。このバイパス管19は、主配
管である排気系16よりも細い配管とされ、このバイパ
ス管19にはスロー排気を行うためのスロー排気弁17
Bが設けられている。
The exhaust valve 17 comprises a main exhaust valve 17A and a slow exhaust valve 17B. The exhaust system 16 includes:
A main exhaust valve 17A is provided, and a bypass pipe 19 that bypasses the main exhaust valve 17A for performing slow exhaust is provided. The bypass pipe 19 is a pipe thinner than the exhaust system 16 which is a main pipe. The bypass pipe 19 has a slow exhaust valve 17 for performing slow exhaust.
B is provided.

【0025】前記処理容器1は、マニホールド6と外管
2bの接合部、およびマニホールド6と蓋体7の接合部
に気密材である耐熱性のOリング25,26が設けら
れ、気密性が確保されているが、例えば前記接合部の接
合不良やOリングの劣化等により気密性が損なわれる場
合がある。
The processing vessel 1 is provided with heat-resistant O-rings 25 and 26, which are air-tight materials, at the junction between the manifold 6 and the outer tube 2b and at the junction between the manifold 6 and the lid 7, thereby ensuring air-tightness. However, the hermeticity may be impaired due to, for example, poor bonding at the bonding portion or deterioration of the O-ring.

【0026】そこで、前記処理容器1の気密性を確保す
べく、処理容器1のリークチェックを行うために、前記
排気系16には酸素分圧計20が設けられている。この
酸素分圧計20としては、例えば中真空度(10−3
orr台)で使用可能な簡易型の四重極質量分析計(Q
マス)またはジルコニア式酸素濃度計が用いられる。酸
素分圧計20には、その検出信号を基に酸素分圧が所定
分圧(設定分圧)以上の場合にアラーム(警報)を発し
たり、以降の作業を停止させたりするための制御装置が
設けられていてもよい。Qマスは、排気系16内の雰囲
気中から採取した原子をイオン化してこれを電界により
加速し、その運動量を計測することにより質量スペクト
ルを得る。そして、採取した雰囲気中における酸素原子
の質量スペクトルの強さから酸素の分圧を求めることが
できる。
Therefore, in order to ensure the airtightness of the processing container 1, the exhaust system 16 is provided with an oxygen partial pressure gauge 20 for performing a leak check of the processing container 1. The oxygen partial pressure gauge 20 may be, for example, a medium vacuum (10 −3 T).
or quadruple mass spectrometer (Q)
Mass) or a zirconia oxygen meter. The oxygen partial pressure gauge 20 includes a control device for issuing an alarm (alarm) when the oxygen partial pressure is equal to or higher than a predetermined partial pressure (set partial pressure) based on the detection signal, or for stopping the subsequent work. It may be provided. The Q mass ionizes atoms collected from the atmosphere in the exhaust system 16, accelerates them by an electric field, and obtains a mass spectrum by measuring the momentum. Then, the partial pressure of oxygen can be determined from the intensity of the mass spectrum of oxygen atoms in the sampled atmosphere.

【0027】一般に、前記排気系16においては、処理
容器1から減圧ポンプ18までの距離が4〜10mと長
く、その配管抵抗により圧力勾配が生じ、減圧ポンプ1
8に近いほど圧力が低く(例えば7×10−3Torr
程度)、処理容器1側へ遠ざかるほど圧力が高く(例え
ば8×10−3Torr程度)なる。一方、酸素分圧計
20は、特にQマスの場合、低い圧力で安定して動作す
る特性を有すると共に、圧力が低いほど色々なガスと接
する量も減少して劣化しにくくなる傾向がある。そこ
で、前記酸素分圧計20は、動作の安定化および耐久性
の向上を図るために、排気系16における減圧ポンプ1
8の上流近傍に設けられていることが好ましい。
Generally, in the exhaust system 16, the distance from the processing vessel 1 to the decompression pump 18 is as long as 4 to 10 m, and a pressure gradient is generated due to the piping resistance.
8, the pressure is lower (for example, 7 × 10 −3 Torr).
), The pressure increases (for example, about 8 × 10 −3 Torr) as the distance from the processing container 1 increases. On the other hand, the oxygen partial pressure gauge 20 has a characteristic that it operates stably at a low pressure, particularly in the case of Q mass, and the lower the pressure, the smaller the amount of contact with various gases and the more difficult it is to deteriorate. Therefore, the oxygen partial pressure gauge 20 is provided with a pressure reducing pump 1 in the exhaust system 16 in order to stabilize operation and improve durability.
8 is preferably provided near the upstream side.

【0028】また、酸素分圧計20は、リークチェック
時にのみ使用するために、前記排気系16に開閉弁23
を介して取付けられており、開閉弁23は通常閉弁され
ていて、リークチェック時に開弁される。また、排気系
16には、減圧ポンプ18の耐久性の向上を図るため
に、排気ガス中の反応副生成物等を捕獲する捕獲器(ト
ラップ)30が設けられていているが、この場合、捕獲
器30を通過した奇麗なガスを用いてリークチェックを
行ない、酸素分圧計20の耐久性の向上を図るために、
前記排気系16の前記酸素分圧計20よりも上流に捕獲
器30が設けられていることが好ましい。
The oxygen partial pressure gauge 20 has an on-off valve 23 on the exhaust system 16 for use only at the time of leak check.
The on-off valve 23 is normally closed, and is opened at the time of a leak check. Further, the exhaust system 16 is provided with a trap 30 for trapping reaction by-products and the like in the exhaust gas in order to improve the durability of the decompression pump 18. In this case, In order to improve the durability of the oxygen partial pressure gauge 20 by performing a leak check using the clean gas that has passed through the trap 30,
It is preferable that a trap 30 is provided in the exhaust system 16 upstream of the oxygen partial pressure gauge 20.

【0029】ここで、リークチェックの原理を説明す
る。処理容器1内は、減圧ポンプ18による排気によ
り、水分や窒素ガスが主体(主成分)になる。水分は、
その吸着性により排気され難いから残る。また、窒素
は、半導体製造装置に減圧ポンプとして多用されている
ドライポンプ自身のパージ用窒素ガスの戻り成分であ
る。これに対して、酸素は、処理容器1内から排気され
易く、且つ処理容器1内には酸素の発生源がないので、
前記主成分に対して非常に低い分圧となる。
Here, the principle of the leak check will be described. The inside of the processing container 1 is mainly (mainly) water and nitrogen gas by exhaustion by the decompression pump 18. Moisture
It remains because it is hard to be exhausted due to its adsorptivity. Nitrogen is a return component of the purge nitrogen gas of the dry pump itself, which is often used as a decompression pump in a semiconductor manufacturing apparatus. On the other hand, oxygen is easily exhausted from the processing container 1 and there is no source of oxygen in the processing container 1.
Very low partial pressure for the main component.

【0030】一方、大気中には、約20%の酸素が含ま
れる。従って、大気が処理容器1内にリークすれば、前
記の如く低いはずの酸素分圧が上昇する。そこで、この
酸素分圧の上昇を検知するようにすれば、ビルドアップ
法を用いなくても、排気状態のままで高感度にリークを
検知することが可能となる。
On the other hand, the atmosphere contains about 20% oxygen. Therefore, if the atmosphere leaks into the processing container 1, the oxygen partial pressure, which should be low as described above, increases. Therefore, if the increase in the oxygen partial pressure is detected, it is possible to detect a leak with high sensitivity in an exhausted state without using the build-up method.

【0031】次に、以上の構成からなる減圧処理装置で
ある縦型熱処理装置の作用およびそのリークチェック方
法を述べる。まず、昇降機構により蓋体7を上昇させて
ボート13および保温筒14を処理容器1内に搬入する
と共に炉口5を蓋体7で密閉する。この時、ガス供給系
の供給弁および排気系16の排気弁17(17A,17
B)は、閉じられている。また、減圧ポンプ18は、常
時駆動されている。
Next, the operation of the vertical heat treatment apparatus which is a reduced pressure treatment apparatus having the above-described structure and a method for checking the leak thereof will be described. First, the lid 7 is raised by the elevating mechanism to carry the boat 13 and the heat retaining tube 14 into the processing vessel 1, and the furnace port 5 is sealed with the lid 7. At this time, the supply valve of the gas supply system and the exhaust valve 17 (17A, 17A) of the exhaust system 16
B) is closed. The decompression pump 18 is constantly driven.

【0032】次に、排気系16のスロー排気弁17Bを
開け、スロー排気を所定時間例えば3分程度行ってか
ら、メイン排気弁17Aを開けて全開排気を開始する。
この全開排気を所定時間例えば2分程度行ったなら、そ
の排気状態のままで、開閉弁23を開弁して酸素分圧計
20によりリークチェックを行う。このリークチェック
は、所定時間例えば30秒程度行えばよい。処理容器1
に接合部等からリークが発生していれば、処理容器1内
の酸素分圧が上昇しているため、酸素分圧計20により
処理容器1にリークが発生していることを検知すること
ができる。処理容器1にリークが発生していることが検
知されたなら、以降の作業を停止し、リーク箇所のメン
テナンスを行えばよい。リークが検知されない場合に
は、所定の処理例えば減圧CVDを開始する。
Next, the slow exhaust valve 17B of the exhaust system 16 is opened, the slow exhaust is performed for a predetermined time, for example, about 3 minutes, and then the main exhaust valve 17A is opened to start fully open exhaust.
When this fully opened exhaust is performed for a predetermined time, for example, about 2 minutes, the on-off valve 23 is opened and the leak check is performed by the oxygen partial pressure gauge 20 in the exhaust state. This leak check may be performed for a predetermined time, for example, about 30 seconds. Processing container 1
If a leak has occurred from the junction or the like, since the oxygen partial pressure in the processing vessel 1 has increased, the oxygen partial pressure gauge 20 can detect that a leak has occurred in the processing vessel 1. . If it is detected that a leak has occurred in the processing container 1, the subsequent work may be stopped and maintenance of the leak location may be performed. If no leak is detected, a predetermined process, for example, low pressure CVD is started.

【0033】この場合、まず、ガス供給系から処理容器
1内に不活性ガス例えば窒素ガスを導入して処理容器1
内を一度パージしてから、ヒータ12の作動により処理
容器1内のウエハwを所定の熱処理温度に加熱昇温させ
ると共に、ガス供給系により処理容器1内のウエハwに
所定の処理ガスを供給して、所定の処理例えば減圧CV
Dによる成膜処理を行う。処理が終了したら、ヒータ1
2の作動および処理ガスの供給を停止し、不活性ガスを
導入して処理容器1内をパージした後、処理容器1内を
常圧に復帰させてから蓋体7を降下させてボート13お
よび保温筒14を処理容器1内から搬出すればよい。
In this case, first, an inert gas, for example, a nitrogen gas is introduced into the processing vessel 1 from the gas supply system.
After the inside of the processing vessel 1 is purged once, the wafer w in the processing chamber 1 is heated to a predetermined heat treatment temperature by operating the heater 12, and a predetermined processing gas is supplied to the wafer w in the processing chamber 1 by the gas supply system. Then, a predetermined process such as a decompression CV
A film forming process by D is performed. When processing is completed, heater 1
After the operation of Step 2 and the supply of the processing gas are stopped, the inside of the processing vessel 1 is purged by introducing an inert gas, the inside of the processing vessel 1 is returned to normal pressure, and then the lid 7 is lowered to lower the boat 13 and What is necessary is just to carry out the heat retaining cylinder 14 from the inside of the processing container 1.

【0034】前記縦型熱処理装置のリークチェック方法
によれば、ウエハwを密閉可能な処理容器1内に収容
し、この処理容器1内を排気系16により減圧排気して
前記ウエハwに所定の処理を施す縦型熱処理装置におい
て、前記排気系16に酸素分圧計20を設け、前記処理
容器1内を排気系16により減圧排気しながら排気中の
酸素分圧を酸素分圧計20により計測し、その酸素分圧
に基いて処理容器1のリークの有無をチェックするよう
にしたので、処理容器1のリークチェックを設備の増大
を伴わずに低コストで容易に短時間で行うことができ
る。
According to the leak check method of the vertical heat treatment apparatus, the wafer w is housed in the hermetically sealable processing vessel 1 and the inside of the processing vessel 1 is evacuated and evacuated by the exhaust system 16 to the wafer w. In the vertical heat treatment apparatus for performing the processing, an oxygen partial pressure gauge 20 is provided in the exhaust system 16, and the oxygen partial pressure in the exhaust is measured by the oxygen partial pressure gauge 20 while the inside of the processing vessel 1 is evacuated and evacuated by the exhaust system 16. Since the presence / absence of a leak in the processing container 1 is checked based on the oxygen partial pressure, a leak check of the processing container 1 can be easily performed at a low cost and in a short time without an increase in equipment.

【0035】すなわち、酸素分圧計20として、例えば
低真空ないし中真空で使用可能な簡易型のQマスを用い
るため、高価な差動排気型高真空質量分析装置を用いる
場合と異なり、高真空ポンプ例えばターボ分子ポンプを
別途必要とすることなく、低真空ないし中真空で使用可
能な減圧ポンプ(例えばドライポンプ)18を有する排
気系16に取付けて使用することができ、コストの低減
および設備の小型化が図れる。
That is, since a simple Q-mass that can be used in low to medium vacuum, for example, is used as the oxygen partial pressure gauge 20, unlike a case of using an expensive differential pumping high vacuum mass spectrometer, a high vacuum pump is used. For example, it can be used by attaching to an exhaust system 16 having a vacuum pump (for example, a dry pump) 18 that can be used at a low vacuum to a medium vacuum without separately requiring a turbo molecular pump, thereby reducing costs and reducing the size of equipment. Can be achieved.

【0036】また、前記リークチェック方法によれば、
排気の速い酸素は長時間の排気が不要であり、しかも、
再排気も不要であることから、図2に示すように、スロ
ー排気に10分程度、全開排気に5分程度、リークチェ
ックに30秒程度で足り、ビルドアップ法が処理を開始
するまでに26分程度要するのに対して、15分30秒
程度と比較的短時間で済む。このため、縦型熱処理装置
のTATの短縮が図れる。また、前記リークチェック方
法では、ビルドアップ法と異なり、排気弁17(17
A,17B)を閉じないため、排気系16からの戻り汚
染の低減ないし防止が図れる。
According to the leak check method,
Oxygen with fast exhaust does not require long-term exhaust, and
Since re-evacuation is not required, as shown in FIG. 2, it takes about 10 minutes for slow exhaust, about 5 minutes for fully open exhaust, and about 30 seconds for leak check. It takes a relatively short time of about 15 minutes and 30 seconds, while it takes about a minute. Therefore, the TAT of the vertical heat treatment apparatus can be reduced. In the leak check method, unlike the build-up method, the exhaust valve 17 (17
A, 17B) is not closed, so that return contamination from the exhaust system 16 can be reduced or prevented.

【0037】一方、前記縦型熱処理装置によれば、ウエ
ハwを密閉可能な処理容器1内に収容し、この処理容器
1内を排気系16により減圧排気して前記ウエハwに所
定の処理を施す縦型熱処理装置において、前記処理容器
1の排気系16に処理容器1のリークをチェックするた
めの酸素分圧計20を設けているため、処理容器1のリ
ークチェックを容易に短時間で行うことができ、TAT
の短縮および排気系16からの戻り汚染の低減が図れ
る。
On the other hand, according to the vertical heat treatment apparatus, the wafer w is accommodated in the process chamber 1 which can be hermetically sealed, and the interior of the process chamber 1 is evacuated and evacuated by the evacuation system 16 to perform predetermined processing on the wafer w. In the vertical heat treatment apparatus, since the oxygen partial pressure gauge 20 for checking the leak of the processing vessel 1 is provided in the exhaust system 16 of the processing vessel 1, the leak check of the processing vessel 1 can be easily performed in a short time. And TAT
And return contamination from the exhaust system 16 can be reduced.

【0038】特に、前記リークチェック方法ないし縦型
熱処理装置においては、前記排気系16の減圧ポンプ1
8の上流近傍に酸素分圧計20を設けているため、酸素
分圧計20を減圧ポンプ18近傍の低い圧力で使用で
き、高い圧力での使用と異なり、種々のガスと接する量
が抑制され、酸素分圧計20の動作の安定性および耐久
性の向上が図れる(特にQマスの場合有利になる)。ま
た、前記排気系16の前記酸素分圧計20よりも上流に
排気ガス中の反応副生成物等を捕獲する捕獲器30が設
けられているため、捕獲器30を通過した奇麗なガスを
用いてリークチェックができ、酸素分圧計20の耐久性
の向上が図れる。
In particular, in the leak check method or the vertical heat treatment apparatus, the pressure reducing pump 1 of the exhaust system 16 is used.
8, the oxygen partial pressure gauge 20 can be used at a low pressure near the decompression pump 18, and unlike the use at a high pressure, the amount of contact with various gases is suppressed. The stability and durability of the operation of the partial pressure gauge 20 can be improved (particularly in the case of Q mass). Further, since a trap 30 for trapping reaction by-products and the like in the exhaust gas is provided upstream of the oxygen partial pressure gauge 20 in the exhaust system 16, a clean gas that has passed through the trap 30 is used. A leak check can be performed, and the durability of the oxygen partial pressure gauge 20 can be improved.

【0039】前記酸素分圧計20としては、Qマス以外
に、安価なジルコニア式酸素濃度計を用いることがで
き、このジルコニア式酸素濃度計を用いれば、コストの
更なる低減が図れる。ジルコニア式酸素濃度計は、ジル
コニアセラミックスからなる検出セルを赤熱させて結晶
構造中を酸素イオンが移動し易くし、検出セルの内外面
の酸素分圧の差で電圧(セル電圧)が生じる。検出セル
の内側を大気に、外側を排気系16内の雰囲気に接触さ
せることにより、大気の酸素濃度を基準としたセル電圧
によって排気系16内の酸素濃度を検出することができ
る。
In addition to the Q mass, an inexpensive zirconia oxygen meter can be used as the oxygen partial pressure gauge 20, and the cost can be further reduced by using this zirconia oxygen meter. In a zirconia oxygen meter, a detection cell made of zirconia ceramics is red-heated to facilitate movement of oxygen ions in a crystal structure, and a voltage (cell voltage) is generated due to a difference in oxygen partial pressure between the inner and outer surfaces of the detection cell. By contacting the inside of the detection cell with the atmosphere and the outside with the atmosphere in the exhaust system 16, the oxygen concentration in the exhaust system 16 can be detected by the cell voltage based on the oxygen concentration in the atmosphere.

【0040】図3は本発明を縦型熱処理装置に適用した
他の実施の形態を示す構成図である。図3の実施の形態
において、図1の実施の形態と同じ部分は、同じ参照符
号を付して説明を省略する。図3の熱処理装置は、処理
容器1の下部に真空またはN パージされているロード
ロック室35を備えている。このロードロック室35を
備えた熱処理装置の場合、炉口5のシール部の所には酸
素が存在しないため、この部分については酸素検知によ
るリークチェックを行なうことが困難である。
FIG. 3 shows the present invention applied to a vertical heat treatment apparatus.
FIG. 14 is a configuration diagram illustrating another embodiment. Embodiment of FIG.
, The same parts as those in the embodiment of FIG.
Numbers are added and explanations are omitted. The heat treatment apparatus of FIG.
Vacuum or N at the bottom of container 1 2Load being purged
A lock chamber 35 is provided. This load lock chamber 35
In the case of a heat treatment apparatus equipped with
Since oxygen is not present, this part is detected by oxygen detection.
It is difficult to perform a leak check.

【0041】そこで、前記部分のリークチェックを可能
とするために、マニホールド6と蓋体7の接合部にOリ
ング26が二重に設けられ、両Oリング26,26間の
環状通路36には被検知ガスとして例えば不活性ガス好
ましくはアルゴン(Ar)ガスを導入するガス導入管3
7およびガス排出管38が接続されている。そして、Q
マス20によりArの有無を検知することによって、前
記部分のリークチェックを行なうことができる。
Therefore, in order to enable a leak check of the above-mentioned portion, an O-ring 26 is provided at the junction of the manifold 6 and the lid 7, and an annular passage 36 between the O-rings 26, 26 is provided. A gas introducing pipe 3 for introducing, for example, an inert gas, preferably an argon (Ar) gas, as a gas to be detected.
7 and the gas discharge pipe 38 are connected. And Q
By detecting the presence / absence of Ar using the mass 20, it is possible to perform a leak check of the aforementioned portion.

【0042】リークチェック後は、ガス導入管37から
ガスを導入して前記環状通路36内のArガスをガ
ス排気管37から排出することにより、蓋体7の開放時
に不要なArガスがロードロック室35や処理容器1内
に入るのを防ぐことができる。なお、前記環状通路36
内に導入する被検知ガスとしては、酸素(O)であっ
てもよい。ロードロック室35を有するシステムでは、
処理容器1内にOが存在しないため、真空全開排気の
時間を更に短縮することが可能となる。
After the leak check, N 2 gas is introduced from the gas introduction pipe 37 and the Ar gas in the annular passage 36 is exhausted from the gas exhaust pipe 37 so that unnecessary Ar gas when the lid 7 is opened is removed. It can be prevented from entering the load lock chamber 35 or the processing container 1. The annular passage 36
Oxygen (O 2 ) may be used as the detection gas introduced into the inside. In the system having the load lock chamber 35,
Since in the processing container 1 O 2 is not present, it is possible to further shorten the time of the vacuum fully open exhaust.

【0043】[0043]

【実施例】縦型熱処理装置の処理容器に酸素分圧計とし
て四重極質量分析計(Qマス)を取付けて、リーク検知
を行った。リークのない状態での酸素分圧は、2.7×
10-4Paであった。これに対して、故意にリークを発
生させると、酸素分圧が2.7×10-3Paに上昇し
た。この分圧が全てリークによるものとみなすと、リー
ク量は以下のように算出することができる。
EXAMPLE A quadrupole mass spectrometer (Q mass) as an oxygen partial pressure gauge was attached to a processing vessel of a vertical heat treatment apparatus to detect leaks. The oxygen partial pressure without leak is 2.7 ×
It was 10 -4 Pa. In contrast, when a leak was intentionally generated, the oxygen partial pressure was increased to 2.7 × 10 −3 Pa. Assuming that all of these partial pressures are caused by leaks, the leak amount can be calculated as follows.

【0044】酸素リーク量は、減圧ポンプの排気速度と
リーク時の酸素分圧との積により求まるので、減圧ポン
プの排気速度を10l/sとすると、 となる。
The amount of oxygen leak is determined by the product of the pumping speed of the pressure reducing pump and the oxygen partial pressure at the time of the leak. Therefore, if the pumping speed of the pressure reducing pump is 10 l / s, Becomes

【0045】また、大気全圧/大気酸素分圧=約5倍で
あるから、 大気としてのリーク量=5×2.7×10-5Pam3/s =1.4×10-4Pam3/s となる。
Further, since the total atmospheric pressure / atmospheric oxygen partial pressure is about 5 times, the amount of leakage as air = 5 × 2.7 × 10 −5 Pam 3 /s=1.4×10 −4 Pam 3 / S.

【0046】前記リーク状態での、ビルドアップ法によ
る実測リーク量は、9.3×10-5Pam3/sであ
り、酸素分圧から求めた場合と概ね一致する結果が得ら
れた。
In the above-mentioned leak state, the measured leak amount by the build-up method was 9.3 × 10 −5 Pam 3 / s, and a result almost coincident with that obtained from the oxygen partial pressure was obtained.

【0047】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。被処理体としては、半導体ウ
エハ以外に、例えばガラス基板等であってもよい。ま
た、本発明の減圧処理装置は、CVD以外に、例えば酸
化、拡散、アニール等の処理に適するように構成されて
いてもよい。また、本発明の減圧処理装置は、バッチ式
の縦型熱処理装置に限定されず、例えば横形や枚葉式で
あってもよい。
The embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and various design changes and the like can be made without departing from the gist of the present invention. Is possible. The object to be processed may be, for example, a glass substrate or the like other than the semiconductor wafer. Further, the decompression processing apparatus of the present invention may be configured to be suitable for processing such as oxidation, diffusion, and annealing, in addition to CVD. Further, the decompression processing apparatus of the present invention is not limited to a batch type vertical heat treatment apparatus, and may be, for example, a horizontal type or a single wafer type.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
In summary, according to the present invention, the following effects can be obtained.

【0049】(1)請求項1の発明によれば、被処理体
を密閉可能な処理容器内に収容し、この処理容器内を排
気系により減圧排気して前記被処理体に所定の処理を施
す減圧処理装置のリークチェック方法において、前記排
気系に酸素分圧計を設け、処理容器内を前記排気系によ
り減圧排気しながら前記酸素分圧計により酸素分圧を計
測し、この酸素分圧に基いて処理容器のリークの有無を
チェックするため、処理容器のリークチェックを設備の
増大を伴わずに低コストで容易に短時間で行うことがで
きると共に、TATの短縮および排気系からの戻り汚染
の低減が図れる。
(1) According to the first aspect of the present invention, the object to be processed is accommodated in a sealable processing container, and the inside of the processing container is evacuated to a reduced pressure by an exhaust system to perform a predetermined process on the object to be processed. In the leak check method of the decompression processing device to be performed, an oxygen partial pressure gauge is provided in the exhaust system, an oxygen partial pressure is measured by the oxygen partial pressure gauge while the inside of the processing vessel is depressurized and evacuated by the exhaust system, and the oxygen partial pressure is measured based on the oxygen partial pressure. In order to check for leaks in the processing container, it is possible to easily check the processing container for leaks at a low cost without increasing the number of facilities in a short time, and to shorten the TAT and reduce return contamination from the exhaust system. Reduction can be achieved.

【0050】(2)請求項2の発明によれば、被処理体
を密閉可能な処理容器内に収容し、この処理容器内を減
圧ポンプを備えた排気系により減圧排気して前記被処理
体に所定の処理を施す減圧処理装置のリークチェック方
法において、前記排気系の減圧ポンプの上流近傍に酸素
分圧計を設け、処理容器内を前記排気系により減圧排気
しながら前記酸素分圧計により酸素分圧を計測し、この
酸素分圧に基いて処理容器のリークの有無をチェックす
るため、酸素分圧計を減圧ポンプ近傍の低い圧力で使用
できて酸素分圧計の動作の安定性および耐久性の向上が
図れ、処理容器のリークチェックを設備の増大を伴わず
に低コストで容易に短時間で行うことができる。
(2) According to the second aspect of the present invention, the object to be processed is housed in a sealable processing container, and the inside of the processing container is evacuated and evacuated by an exhaust system equipped with a decompression pump. In the leak check method of the decompression processing device for performing a predetermined process, an oxygen partial pressure gauge is provided near an upstream of a decompression pump of the exhaust system, and the oxygen partial pressure gauge is used by the oxygen partial pressure gauge while the inside of the processing container is depressurized and exhausted by the exhaust system. The oxygen partial pressure gauge can be used at a low pressure near the decompression pump to measure the pressure and check for leaks in the processing vessel based on the oxygen partial pressure. This improves the operation stability and durability of the oxygen partial pressure gauge. Therefore, the leak check of the processing container can be easily performed in a short time at a low cost without increasing the equipment.

【0051】(3)請求項3の発明によれば、被処理体
を密閉可能な処理容器内に収容し、この処理容器内を排
気系により減圧排気して前記被処理体に所定の処理を施
す減圧処理装置において、前記排気系に処理容器のリー
クをチェックするための酸素分圧計を設けているため、
処理容器のリークチェックを設備の増大を伴わずに低コ
ストで容易に短時間で行うことができ、TATの短縮お
よび排気系からの戻り汚染の低減が図れる。
(3) According to the third aspect of the present invention, the object to be processed is housed in a sealable processing container, and the inside of the processing container is evacuated to a reduced pressure by an exhaust system to perform predetermined processing on the object to be processed. In the pressure reducing apparatus to be applied, since an oxygen partial pressure gauge for checking a leak of the processing container is provided in the exhaust system,
The leak check of the processing container can be easily performed in a short time at a low cost without increasing the number of facilities, and the TAT can be reduced and return contamination from the exhaust system can be reduced.

【0052】(4)請求項4の発明によれば、被処理体
を密閉可能な処理容器内に収容し、この処理容器内を排
気系により減圧排気して前記被処理体に所定の処理を施
す減圧処理装置において、前記排気系の減圧ポンプの上
流近傍に処理容器のリークをチェックするための酸素分
圧計を設けているため、酸素分圧計を低い圧力で使用で
きて酸素分圧計の動作の安定性および耐久性の向上が図
れ、処理容器のリークチェックを設備の増大を伴わずに
低コストで容易に短時間で行うことができる。
(4) According to the fourth aspect of the present invention, the object to be processed is housed in a hermetically sealable processing container, and the inside of the processing container is evacuated and evacuated by an evacuation system to perform predetermined processing on the object to be processed. In the decompression processing device to be applied, since the oxygen partial pressure gauge for checking the leak of the processing vessel is provided near the upstream of the pressure reduction pump of the exhaust system, the oxygen partial pressure gauge can be used at a low pressure, and the operation of the oxygen partial pressure gauge can be reduced. Stability and durability can be improved, and a leak check of the processing container can be easily performed in a short time at a low cost without increasing the equipment.

【0053】(5)請求項5の発明によれば、前記排気
系の前記酸素分圧計よりも上流に排気ガス中の反応副生
成物等を捕獲する捕獲器が設けられているため、捕獲器
を通過した奇麗なガスを用いてリークチェックができ、
酸素分圧計の耐久性の向上が図れる。
(5) According to the fifth aspect of the present invention, a trap for trapping reaction by-products and the like in the exhaust gas is provided upstream of the oxygen partial pressure gauge in the exhaust system. The leak can be checked using the clean gas that has passed
The durability of the oxygen partial pressure gauge can be improved.

【0054】(6)請求項6の発明によれば、前記酸素
分圧計がジルコニア式酸素濃度計であるため、コストの
更なる低減が図れる。
(6) According to the invention of claim 6, since the oxygen partial pressure meter is a zirconia oxygen concentration meter, the cost can be further reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を縦型熱処理装置に適用した実施の形態
を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus.

【図2】本発明方法と従来方法を比較するための図であ
る。
FIG. 2 is a diagram for comparing a method of the present invention with a conventional method.

【図3】本発明を縦型熱処理装置に適用した他の実施の
形態を示す構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram showing another embodiment in which the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

w 半導体ウエハ(被処理体) 1 処理容器 16 排気系 18 減圧ポンプ 20 酸素分圧計 30 捕獲器 w Semiconductor wafer (object to be processed) 1 Processing container 16 Evacuation system 18 Decompression pump 20 Oxygen partial pressure gauge 30 Capturer

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理体を密閉可能な処理容器内に収容
し、この処理容器内を排気系により減圧排気して前記被
処理体に所定の処理を施す減圧処理装置のリークチェッ
ク方法において、前記排気系に酸素分圧計を設け、処理
容器内を前記排気系により減圧排気しながら前記酸素分
圧計により酸素分圧を計測し、この酸素分圧に基いて処
理容器のリークの有無をチェックすることを特徴とする
減圧処理装置のリークチェック方法。
1. A leak check method of a decompression processing apparatus for accommodating an object to be processed in a hermetically sealable processing container, depressurizing and exhausting the inside of the processing container by an exhaust system, and performing predetermined processing on the object to be processed. An oxygen partial pressure gauge is provided in the exhaust system, and while the inside of the processing vessel is depressurized and evacuated by the exhaust system, the oxygen partial pressure is measured by the oxygen partial pressure gauge, and the presence or absence of a leak in the processing vessel is checked based on the oxygen partial pressure. A leak check method for a decompression processing device, characterized by comprising:
【請求項2】 被処理体を密閉可能な処理容器内に収容
し、この処理容器内を減圧ポンプを備えた排気系により
減圧排気して前記被処理体に所定の処理を施す減圧処理
装置のリークチェック方法において、前記排気系の減圧
ポンプの上流近傍に酸素分圧計を設け、処理容器内を前
記排気系により減圧排気しながら前記酸素分圧計により
酸素分圧を計測し、この酸素分圧に基いて処理容器のリ
ークの有無をチェックすることを特徴とする減圧処理装
置のリークチェック方法。
2. A decompression processing apparatus for accommodating an object to be processed in a hermetically sealable processing container, evacuation of the inside of the processing container by an exhaust system equipped with a decompression pump, and performing predetermined processing on the object to be processed. In the leak check method, an oxygen partial pressure gauge is provided near the upstream of a pressure reducing pump of the exhaust system, and the oxygen partial pressure is measured by the oxygen partial pressure gauge while the inside of the processing chamber is evacuated and evacuated by the exhaust system. A method for checking a leak in a decompression processing apparatus, wherein the method checks whether or not there is a leak in the processing container.
【請求項3】 被処理体を密閉可能な処理容器内に収容
し、この処理容器内を排気系により減圧排気して前記被
処理体に所定の処理を施す減圧処理装置において、前記
排気系に処理容器のリークをチェックするための酸素分
圧計を設けたことを特徴とする減圧処理装置。
3. A decompression processing apparatus for accommodating an object to be processed in a sealable processing container, depressurizing and exhausting the inside of the processing container by an exhaust system and performing a predetermined process on the object to be processed. An apparatus for reducing pressure, comprising an oxygen partial pressure gauge for checking a leak in a processing container.
【請求項4】 被処理体を密閉可能な処理容器内に収容
し、この処理容器内を排気系により減圧排気して前記被
処理体に所定の処理を施す減圧処理装置において、前記
排気系の減圧ポンプの上流近傍に処理容器のリークをチ
ェックするための酸素分圧計を設けたことを特徴とする
減圧処理装置。
4. A decompression processing apparatus for accommodating an object to be processed in a hermetically sealable processing container and depressurizing and exhausting the interior of the processing container by an exhaust system to perform a predetermined process on the object to be processed. A decompression processing apparatus comprising: an oxygen partial pressure gauge for checking a leak in a processing container near an upstream of a decompression pump.
【請求項5】 前記排気系の前記酸素分圧計よりも上流
に排気ガス中の反応副生成物等を捕獲する捕獲器が設け
られていることを特徴とする請求項3または4記載の減
圧処理装置。
5. The decompression process according to claim 3, wherein a trap for capturing a reaction by-product or the like in the exhaust gas is provided upstream of the oxygen partial pressure gauge in the exhaust system. apparatus.
【請求項6】 前記酸素分圧計がジルコニア式酸素濃度
計であることを特徴とする請求項3,4または5記載の
減圧処理装置。
6. The decompression processing apparatus according to claim 3, wherein the oxygen partial pressure gauge is a zirconia-type oxygen concentration meter.
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