JP2001326170A - Adjustment method in beam processing device - Google Patents
Adjustment method in beam processing deviceInfo
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステージ移動に伴うヨーイング、ピッチン
グ、ローリングによるビーム処理位置のエラーの発生を
防止することができるビーム処理装置における調整方法
を実現する。
【解決手段】 ステージのX方向の位置は、3本のレー
ザx1,x2,x3で測定され、ステージのY方向の位
置は、3本のレーザy1,y2,y3で測定される。X
軸の回転量は、レーザy3に基づく値とレーザy1に基
づく値の差により求められる。Y軸の回転量は、レーザ
y3に基づく値とレーザy1に基づく値の差により求め
られる。Z軸の回転量は、レーザx2とレーザx1との
差分と、レーザy2とレーザy1との差分の平均によっ
て求められる。このようにして求められた移動量、回転
量は、コンピュータ11に供給され、電子ビームの照射
位置の補正量が求められる。
(57) [Problem] To provide an adjustment method in a beam processing apparatus capable of preventing occurrence of an error in a beam processing position due to yawing, pitching, and rolling caused by stage movement. The position of the stage in the X direction is measured by three lasers x1, x2, and x3, and the position of the stage in the Y direction is measured by three lasers y1, y2, and y3. X
The rotation amount of the shaft is obtained from the difference between the value based on the laser y3 and the value based on the laser y1. The rotation amount of the Y axis is obtained from the difference between the value based on the laser y3 and the value based on the laser y1. The rotation amount of the Z axis is obtained by averaging the difference between the laser x2 and the laser x1 and the difference between the laser y2 and the laser y1. The movement amount and the rotation amount thus obtained are supplied to the computer 11, and the correction amount of the irradiation position of the electron beam is obtained.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームやイオンビ
ームを被描画材料に投射するようにした荷電粒子ビーム
描画装置等のビーム処理装置において、精度高く描画等
の処理を行うためのビーム処理装置における調整方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a beam processing apparatus such as a charged particle beam drawing apparatus for projecting an electron beam or an ion beam onto a material to be drawn. The present invention relates to an adjustment method in an apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子ビーム描画装置において、パターン
を描画する場合、電子ビームを偏向して一度に描画でき
る範囲(フィールド)が限られているため、電子ビーム
の偏向と被描画材料が載せられたステージの移動とを組
み合わせてチップ全体の所望の描画を行うようにしてい
る。この際、ステージの移動量や位置を測定するため
に、レーザ干渉計を用いた測定系が用意されている。2. Description of the Related Art When a pattern is drawn in an electron beam drawing apparatus, the range (field) in which the electron beam can be deflected and drawn at a time is limited. A desired drawing of the entire chip is performed in combination with the movement of the stage. At this time, a measurement system using a laser interferometer is prepared to measure the movement amount and position of the stage.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ステージを移動させた
場合、ステージの移動後の回転により、電子ビームの照
射位置エラーが生じる。なお、ステージの回転は、ヨー
イング、ピッチング、ローリングの3方向生じる。この
電子ビームの照射位置エラーはアッベエラーとして良く
知られており、電子ビーム描画装置では、X,Y,Zの
3方向について、アッベエラーの生じないアッベ条件下
で描画を行うことが望まれる。When the stage is moved, an error occurs in the irradiation position of the electron beam due to the rotation after the movement of the stage. The rotation of the stage occurs in three directions: yawing, pitching, and rolling. This irradiation position error of the electron beam is well known as Abbe error, and it is desired that the electron beam drawing apparatus performs drawing in three directions of X, Y, and Z under Abbe conditions in which Abbe error does not occur.
【0004】上記Z方向のアッベ条件とは、レーザ測長
計によるレーザビームと描画材料の高さとを一致させる
ことに相当する。従来では、このアッベ条件を容易に確
認し、また、アッベエラーが生じていた場合にそれを調
整する方法が存在していなかった。通常、レーザービー
ム軸の調整は、ステージが配置されている材料描画室の
真空を破った状態で機械的に行うことが必要であるが、
このような真空を破った状態での調整は、多大な時間を
必要とする。また、調整のためには、電子光学カラムを
ステージ上から取り外す必要があり、このため、調整を
行ったとしても、改めて電子光学カラムをステージ上に
取り付けても、精度良く電子ビーム光軸と材料との関係
を一致させることができず、電子ビームの照射位置が結
果として再びずれてしまうことになる。[0004] The Abbe condition in the Z direction corresponds to making the height of the drawing material coincide with the laser beam obtained by the laser length measuring device. Conventionally, there has been no method for easily confirming the Abbe condition and adjusting the Abbe error when it has occurred. Normally, it is necessary to mechanically adjust the laser beam axis while breaking the vacuum of the material drawing chamber where the stage is placed,
Such adjustment in a state where the vacuum is broken requires a great deal of time. In addition, for adjustment, it is necessary to remove the electron optical column from the stage. Therefore, even if the adjustment is performed, even if the electron optical column is mounted on the stage again, the electron beam optical axis and the material can be accurately detected. Cannot be matched with each other, and the irradiation position of the electron beam is shifted again as a result.
【0005】ここでZ方向のアッベエラーについて図1
を参照して説明する。図中Sはステージ(被描画材料を
含む)であり、その側面はレーザビームBの反射面Rと
なっている。このステージSの上面が描画面Dであり、
この描画面Dに電子ビームEBが照射される。ステージ
Sは図示していない駆動系によって水平方向(XY方
向)に移動可能にされている。なお、図において紙面に
垂直な方向がXY方向にであり、上下方向がZ方向であ
る。FIG. 1 shows the Abbe error in the Z direction.
This will be described with reference to FIG. In the figure, S is a stage (including a material to be drawn), and the side surface thereof is a reflection surface R of the laser beam B. The upper surface of the stage S is a drawing surface D,
This drawing surface D is irradiated with an electron beam EB. The stage S can be moved in the horizontal direction (XY directions) by a drive system (not shown). In the drawings, the direction perpendicular to the paper plane is the XY direction, and the vertical direction is the Z direction.
【0006】ステージSは移動に伴ってローリング(ス
テージの移動方向に対して横ゆれ)、ピッチング(ステ
ージの移動方向に対して前後のゆれ)が発生し、理想的
な状態Sから回転した状態S´となる。この回転の中心
をOとし、回転の角度をθとする。なお、このO点にお
いてはレーザビームBと電子ビームが照射する点(描画
材料の高さ)が一致していることになり、アッベ条件が
満たされている。The stage S undergoes rolling (swaying in the moving direction of the stage) and pitching (swing back and forth in the moving direction of the stage) as it moves, and the state S rotated from the ideal state S. '. The center of this rotation is O, and the angle of rotation is θ. At the point O, the point irradiated with the laser beam B and the electron beam (the height of the drawing material) coincides, and the Abbe condition is satisfied.
【0007】この回転により、電子ビームEBの照射点
であるA点(0,a)はA´点(Δx,Δz)に移動す
る。なお、ステージSの回転にともなって生じるレーザ
ビームBによる測定誤差は、δLである。この結果、ロ
ーリング、ピッチングによるアッベエラーΔxは、Δx
=a・sinθとなる。通常、δLは無視できるほど小
さく問題とならないが、しかし、アッベエラーはステー
ジ回転量とレーザビームからのずれ量に大きく依存し無
視できない大きさとなる。[0007] By this rotation, point A (0, a), which is the irradiation point of the electron beam EB, moves to point A '(Δx, Δz). The measurement error due to the laser beam B caused by the rotation of the stage S is δL. As a result, Abbe error Δx due to rolling and pitching becomes Δx
= A · sin θ. Normally, δL is negligibly small and poses no problem. However, Abbe error greatly depends on the amount of rotation of the stage and the amount of deviation from the laser beam, and is not negligible.
【0008】次にXY方向のアッベエラーについて図2
を参照して説明する。図中Sはステージであり、上方か
ら見た図である。レーザビームBはX,Y両方から照射
されており、電子ビームは図面に垂直方向に照射され
る。ステージSは移動に伴ってヨーイングが発生し、X
Y方向(水平方向)に回転してS´の状態となる。この
回転の中心をOとし、回転の角度をθとする。この回転
により、電子ビームの照射点であるB点(b,0)はB
´点(b+Δx,Δy)に移動する。なお、ステージS
の回転にともなって生じるレーザビームBによる測定誤
差は、δLxとδLyである。この結果、ヨーイングに
よるアッベエラーΔxとΔyは、以下のようになる。Next, the Abbe error in the XY directions is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. S in the figure is a stage viewed from above. The laser beam B is emitted from both X and Y, and the electron beam is emitted in a direction perpendicular to the drawing. In stage S, yawing occurs with movement, and X
It rotates in the Y direction (horizontal direction) to be in the state of S ′. The center of this rotation is O, and the angle of rotation is θ. By this rotation, point B (b, 0), which is the irradiation point of the electron beam, becomes B
Move to point (b + Δx, Δy). The stage S
Are caused by the laser beam B due to the rotation of δLx and δLy. As a result, Abbe errors Δx and Δy due to yawing are as follows.
【0009】Δx=−b(1−cosθ) Δy=−b・sinθ 上記したヨーイング、ピッチング、ローリングによるア
ッベエラーの存在の下で描画を行っても、精度の高い正
確な描画は行えない。Δx = −b (1−cos θ) Δy = −b · sin θ Even if drawing is performed in the presence of Abbe error due to yawing, pitching, and rolling, accurate and accurate drawing cannot be performed.
【0010】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、ステージ移動に伴うヨーイング、
ピッチング、ローリングによるビーム処理位置のエラー
の発生を防止することができるビーム処理装置における
調整方法を実現するにある。[0010] The present invention has been made in view of the above points, and has as its object the purpose of yawing accompanying stage movement,
An object of the present invention is to realize an adjustment method in a beam processing apparatus that can prevent an error in a beam processing position due to pitching and rolling.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に基づ
くビーム処理装置における調整方法は、被処理材料を載
せたステージを移動させ、ビームによって被処理材料に
所望の描画等の処理を行うようにすると共に、ステージ
の移動量をレーザ干渉計により監視するようにしたビー
ム処理装置において、干渉計から3本のレーザビームを
ステージと共に移動するミラーに照射し、3本のレーザ
ビームに基づく3種類の移動量測定値に基づき、ステー
ジ(材料)の回転量を求め、求められた回転量に応じて
被処理材料に照射されるビームと被処理材料の相対的な
位置の補正を行うようにしたビーム処理装置における調
整方法を特徴としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided an adjustment method in a beam processing apparatus, wherein a stage on which a material to be processed is mounted is moved, and a desired drawing or the like is performed on the material to be processed by a beam. In addition, in a beam processing apparatus in which the amount of movement of the stage is monitored by a laser interferometer, three laser beams are irradiated from the interferometer onto a mirror that moves together with the stage, and the three laser beams are used based on the three laser beams. The amount of rotation of the stage (material) is obtained based on the measured amount of movement of the type, and the relative position between the beam irradiated on the material to be processed and the material to be processed is corrected according to the obtained amount of rotation. It is characterized by an adjustment method in the beam processing apparatus described above.
【0012】請求項1の発明では、干渉計から3本のレ
ーザビームをステージと共に移動するミラーに照射し、
3本のレーザビームに基づく3種類の移動量測定手値に
基づき、ステージ(材料)の少なくともX軸、Y軸回転
量を求め、求められた回転量に応じて被処理材料に照射
されるビームと被処理材料の相対的な位置の補正を行
う。According to the first aspect of the present invention, three laser beams are irradiated from an interferometer to a mirror moving together with a stage,
Based on three kinds of movement amount measurement values based on three laser beams, at least the X-axis and Y-axis rotation amounts of the stage (material) are obtained, and the beam applied to the material to be processed according to the obtained rotation amounts And the relative position of the material to be processed is corrected.
【0013】本発明の請求項2の発明では、請求項1の
発明における位置補正を、材料に投射するビームの照射
位置を補正することによって行う。本発明の請求項3の
発明では、請求項1の発明における位置補正を、材料の
機械的な移動によって行うようにしたことを特徴として
いる。According to a second aspect of the present invention, the position correction in the first aspect is performed by correcting the irradiation position of the beam projected on the material. The invention of claim 3 of the present invention is characterized in that the position correction in the invention of claim 1 is performed by mechanically moving the material.
【0014】[0014]
【実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形
態を詳細に説明する。図3は本発明の方法を実施するた
めの可変面積型電子ビーム描画装置の一例を示してい
る。1は電子ビームEBを発生する電子銃であり、該電
子銃1から発生した電子ビームEBは、照明レンズ2を
介して第1成形アパーチャ3上に照射される。第1成形
アパーチャの開口像は、成形レンズ4により、第2成形
アパーチャ6上に結像されるが、その結像の位置は、成
形偏向器5により変えることができる。第2成形アパー
チャ6により成形された像は、縮小レンズ7、対物レン
ズ8を経て描画材料10上に照射される。描画材料10
への照射位置は、位置決め偏向器9により変えることが
できる。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 3 shows an example of a variable area type electron beam writing apparatus for carrying out the method of the present invention. Reference numeral 1 denotes an electron gun that generates an electron beam EB. The electron beam EB generated from the electron gun 1 is irradiated onto a first shaping aperture 3 via an illumination lens 2. The aperture image of the first shaping aperture is formed on the second shaping aperture 6 by the shaping lens 4, and the position of the image can be changed by the shaping deflector 5. The image formed by the second forming aperture 6 is irradiated onto the drawing material 10 via the reduction lens 7 and the objective lens 8. Drawing material 10
The irradiation position of the laser beam can be changed by the positioning deflector 9.
【0015】11はコンピュータであり、コンピュータ
11はパターンデータメモリー12からのパターンデー
タをデータ転送回路13に転送する。データ転送回路1
3からのパターンデータは、ショット分割器14に供給
されてショット分割される。ショット分割器14からの
描画データに応じた信号は、DA変換器15を介して成
形偏向器5に偏向電圧を供給する偏向増幅器16、DA
変換器17を介して位置決め偏向器9に偏向電圧を供給
する偏向増幅器18、DA変換器19を介して電子銃1
から発生した電子ビームのブランキングを行うブランキ
ング電極20を制御するブランキングコントロール回路
21に供給される。A computer 11 transfers the pattern data from the pattern data memory 12 to a data transfer circuit 13. Data transfer circuit 1
3 is supplied to the shot divider 14 to be divided into shots. A signal corresponding to the drawing data from the shot divider 14 is supplied to a deflection amplifier 16 for supplying a deflection voltage to the shaping deflector 5 via a DA converter 15,
A deflection amplifier 18 for supplying a deflection voltage to the positioning deflector 9 via a converter 17 and an electron gun 1 via a DA converter 19
Is supplied to a blanking control circuit 21 for controlling a blanking electrode 20 for blanking an electron beam generated from the above.
【0016】コンピュータ11は、材料のフィールド毎
の移動のために、材料10が載せられたステージ22の
駆動機構23を制御する。このステージ22の移動量
は、レーザ測長器24によって測定され、その測定結果
はコンピュータ11に供給される。材料10への電子ビ
ームEBの照射によって2次電子や反射電子が発生する
が、例えば、反射電子は一対の反射電子検出器25によ
って検出される。反射電子検出器25の検出信号は、加
算器26によって加算された後、マーク信号処理装置2
7に供給される。28は偏向器制御回路であり、この制
御回路の中にはシフトレジスタが含まれている。この偏
向器制御回路28は、コンピュータ11によって制御さ
れ、この回路から発生した信号はDA変換器17を介し
て、位置決め偏向器9に偏向電圧を供給する偏向増幅器
18に供給される。このような構成の動作を次に説明す
る。The computer 11 controls a driving mechanism 23 of a stage 22 on which the material 10 is placed for moving the material in each field. The movement amount of the stage 22 is measured by the laser length measuring device 24, and the measurement result is supplied to the computer 11. Irradiation of the material 10 with the electron beam EB generates secondary electrons and reflected electrons. For example, the reflected electrons are detected by a pair of reflected electron detectors 25. After the detection signal of the backscattered electron detector 25 is added by the adder 26, the mark signal processing device 2
7 is supplied. Reference numeral 28 denotes a deflector control circuit, which includes a shift register. The deflector control circuit 28 is controlled by the computer 11, and a signal generated from this circuit is supplied via a DA converter 17 to a deflection amplifier 18 which supplies a deflection voltage to the positioning deflector 9. The operation of such a configuration will now be described.
【0017】まず、通常の描画動作について説明する。
パターンデータメモリ12に格納されたパターンデータ
は、逐次読み出され、データ転送回路13を経てショッ
ト分割器14に供給される。ショット分割器14で分割
されたデータに基づき、電子ビームの成形データはDA
変換器15を介して偏向増幅器16に供給され、そして
増幅器16によって増幅された信号が成形偏向器5に供
給される。また、描画パターンに応じた電子ビームの偏
向信号は、偏向器制御回路28,DA変換器17を介し
て偏向増幅器18に供給され、そして増幅器18によっ
て増幅された信号が位置決め偏向器9に供給される。First, a normal drawing operation will be described.
The pattern data stored in the pattern data memory 12 is sequentially read out and supplied to the shot divider 14 via the data transfer circuit 13. Based on the data divided by the shot divider 14, the shaping data of the electron beam is DA
The signal is supplied to the deflection amplifier 16 via the converter 15, and the signal amplified by the amplifier 16 is supplied to the shaping deflector 5. The deflection signal of the electron beam according to the drawing pattern is supplied to the deflection amplifier 18 via the deflector control circuit 28 and the DA converter 17, and the signal amplified by the amplifier 18 is supplied to the positioning deflector 9. You.
【0018】この結果、各分割されたパターンデータに
基づき、成形偏向器5により電子ビームの断面が所望の
面積の矩形形状に成形され、その断面が矩形のビーム
が、位置決め偏向器9に供給される偏向信号に応じて順
々に材料上にショットされ、所望の形状のパターン描画
が行われる。なお、この時、ブランキングコントロール
回路21からブランキング電極20へのブランキング信
号により、材料10への電子ビームのショットに同期し
て電子ビームのブランキングが実行される。As a result, the cross section of the electron beam is formed into a rectangular shape having a desired area by the shaping deflector 5 based on each divided pattern data, and the beam having the rectangular cross section is supplied to the positioning deflector 9. The shot is sequentially made on the material in accordance with the deflection signal, and a pattern drawing of a desired shape is performed. At this time, the blanking of the electron beam is executed in synchronization with the shot of the electron beam on the material 10 by the blanking signal from the blanking control circuit 21 to the blanking electrode 20.
【0019】また、電子ビームの偏向による描画動作
は、フィールド単位で行われ、特定のフィールド内の描
画が終了した後は、ステージ22が駆動機構23によっ
てフィールドの長さ分移動させられ、次のフィールドの
描画が行われる。このステージ22の移動量は、レーザ
測長器24によって測定され、その測定値はコンピュー
タ11に供給される。コンピュータ11は測定移動量に
基づき、駆動機構23を制御し、正確なステージ22の
移動を可能としている。The drawing operation by the deflection of the electron beam is performed in units of fields. After drawing in a specific field is completed, the stage 22 is moved by the length of the field by the driving mechanism 23, and the next operation is performed. The field is drawn. The amount of movement of the stage 22 is measured by the laser length measuring device 24, and the measured value is supplied to the computer 11. The computer 11 controls the drive mechanism 23 based on the measured movement amount, and enables the accurate movement of the stage 22.
【0020】次に、上記した描画動作に先立って行われ
るステージの調整動作について説明する。図4にはステ
ージ部分とレーザ測長システムの構成を示している。ス
テージ22は内部が真空に排気されるワークチャンバー
内に配置される。レーザヘッド31より発生したレーザ
ビームBは、ビームスプリッタ32によりX,Y軸測定
用の2本のビームに分割される。分割された一方のビー
ムは、X軸測定用としてビームベンダ33によりその方
向が曲げられ、ステージ22の側面に設けられたステー
ジミラー34xと垂直となるようにされる。分割された
他方のビームは、Y軸測定用としてビームベンダ35に
よりその方向が曲げられ、ステージミラー34yと垂直
となるようにされる。Next, the stage adjustment operation performed prior to the above-described drawing operation will be described. FIG. 4 shows the configuration of the stage portion and the laser length measuring system. The stage 22 is disposed in a work chamber whose inside is evacuated to a vacuum. The laser beam B generated from the laser head 31 is split by the beam splitter 32 into two beams for measuring the X and Y axes. The direction of one of the split beams is bent by a beam bender 33 for X-axis measurement so that the beam is perpendicular to a stage mirror 34x provided on the side surface of the stage 22. The direction of the other split beam is bent by a beam bender 35 for Y-axis measurement so that the beam is perpendicular to the stage mirror 34y.
【0021】各ビームベンダ33,35には、ビームの
横方向と縦方向とが微調整できる機構が取り付けられて
おり、その結果、レーザビームBのステージミラー34
に入射する位置は調整可能とされている。なお、レーザ
ビームBは干渉計36,37でそれぞれ3本のレーザビ
ームに分割され、それぞれのレーザビームに基づいての
ステージ22の移動量が測定される。Each of the beam benders 33 and 35 is provided with a mechanism capable of finely adjusting the horizontal and vertical directions of the beam. As a result, the stage mirror 34 of the laser beam B is provided.
Is adjustable. The laser beam B is divided into three laser beams by the interferometers 36 and 37, respectively, and the amount of movement of the stage 22 based on each of the laser beams is measured.
【0022】すなわち、X軸測定用のレーザビームとし
て、x1,x2,x3の3本のビームがミラー34xに
照射される。この3本のレーザビームごとに干渉計36
では参照光と干渉させ、それぞれの干渉光が検出され
る。また、Y軸測定用のレーザビームとして、y1,y
2,y3の3本のビームがミラー34yに照射される。
この3本のレーザビームごとに干渉計37では参照光と
干渉させ、それぞれの干渉光が検出される。それぞれの
干渉計36,37で検出した合計6種類の信号は、コン
ピュータ11に供給される。That is, three beams x1, x2, and x3 are irradiated on the mirror 34x as laser beams for X-axis measurement. An interferometer 36 is provided for each of these three laser beams.
Then, the light interferes with the reference light, and each interference light is detected. Also, as a laser beam for Y-axis measurement, y1, y
The three beams 2 and y3 are irradiated on the mirror 34y.
The interferometer 37 causes the interference light to interfere with the reference light for each of the three laser beams, and each interference light is detected. A total of six types of signals detected by the respective interferometers 36 and 37 are supplied to the computer 11.
【0023】上記したように、ステージのX方向の位置
は、3本のレーザx1,x2,x3で測定されるが、そ
の位置としては、3本のビームに基づく3種類の位置情
報の平均が求められる。同様に、ステージのY方向の位
置は、3本のレーザy1,y2,y3で測定されるが、
その位置としては、3本のビームに基づく3種類の位置
情報の平均が求められる。As described above, the position of the stage in the X direction is measured by three lasers x1, x2, and x3, and the position is an average of three types of position information based on the three beams. Desired. Similarly, the position of the stage in the Y direction is measured by three lasers y1, y2, and y3.
As the position, an average of three types of position information based on three beams is obtained.
【0024】X軸の回転量は、レーザy3に基づく値と
レーザy1に基づく値の差により求められる。Y軸の回
転量は、レーザx3に基づく値とレーザx1に基づく値
の差により求められる。Z軸の回転量は、レーザx2と
レーザx1との差分と、レーザy2とレーザy1との差
分の平均によって求められる。このようにして求められ
た移動量、回転量は、コンピュータ11に供給される。
なお、図5には+Y軸方向からみたステージミラー34
yに照射される3本のレーザy1,y2,y3の位置関
係を示している。The amount of rotation on the X axis is obtained from the difference between the value based on the laser y3 and the value based on the laser y1. The amount of rotation of the Y axis is obtained from the difference between the value based on the laser x3 and the value based on the laser x1. The rotation amount of the Z axis is obtained by averaging the difference between the laser x2 and the laser x1 and the difference between the laser y2 and the laser y1. The movement amount and the rotation amount obtained in this way are supplied to the computer 11.
FIG. 5 shows the stage mirror 34 viewed from the + Y axis direction.
The positional relationship between three lasers y1, y2, and y3 irradiated to y is shown.
【0025】さて、図1に示した描画システムにおい
て、描画時には、ステップアンドリピート方式により、
ステージ22の移動と、フィールドごとに電子ビームに
よる描画が繰り返される。このとき、次のX軸、Y軸、
Z軸の回転分の補正動作が並行して実施される。In the drawing system shown in FIG. 1, at the time of drawing, a step-and-repeat method is used.
The movement of the stage 22 and the drawing by the electron beam for each field are repeated. At this time, the next X axis, Y axis,
The correction operation for the rotation of the Z axis is performed in parallel.
【0026】次に、アッベエラーの影響を除去するため
の動作について説明する。まず、ステージが停止する都
度、ヨーイング、ピッチング、ローリング値を読みと
る。この場合、ピッチング、ローリングは、ステージの
移動方向によって変化するので、実際はX、Y軸の回転
となる。すなわち、X方向移動時はX軸回転がローリン
グ、Y軸回転がピッチングとなる。Next, an operation for removing the influence of Abbe error will be described. First, every time the stage stops, the yaw, pitch, and rolling values are read. In this case, pitching and rolling change depending on the moving direction of the stage, and therefore, the rotation is actually X and Y axes. That is, when moving in the X direction, the X axis rotation is rolling, and the Y axis rotation is pitching.
【0027】その後、読み取られたヨーイング量と同じ
角度だけフィールド回転補正を行う。この回転補正は、
コンピュータ11からの指令により、偏向器制御回路2
8により、電子ビームの偏向範囲位置を回転補正値に応
じて回転シフトさせることによって行う。Thereafter, the field rotation is corrected by the same angle as the read yawing amount. This rotation correction
In accordance with a command from the computer 11, the deflector control circuit 2
In step 8, the position of the deflection range of the electron beam is rotated and shifted in accordance with the rotation correction value.
【0028】同時に、事前に測定されているアッベエラ
ー値を読み取り、シフト補正値をコンピュータ11は計
算する。この計算されたシフト補正とは、コンピュータ
11から偏向器制御回路28に供給される。偏向器制御
回路内のシフトレジスタには、前記したヨーイング補正
値とシフト補正値とが加算して格納され、描画の際の電
子ビーム照射位置の補正を行う。このようにして、電子
ビームによる実描画時には、フィールド回転補正とシフ
ト補正とが行われる。At the same time, the Abbe error value measured in advance is read, and the computer 11 calculates the shift correction value. The calculated shift correction is supplied from the computer 11 to the deflector control circuit 28. The yaw correction value and the shift correction value described above are added and stored in a shift register in the deflector control circuit, and the electron beam irradiation position at the time of drawing is corrected. In this way, at the time of actual drawing by the electron beam, the field rotation correction and the shift correction are performed.
【0029】ここで、補正計算式について説明する。ま
ず、ヨーイング値によるシフト補正量であるが、Bx、
Byをレーザ軸交点からみた電子ビーム軸の位置、θyaw
をヨーイング値とすると、X方向のシフト補正量Syawx
とY方向のシフト補正量Syawyは次の式によって求めら
れる。Here, the correction formula will be described. First, the shift correction amount based on the yawing value is Bx,
The position of the electron beam axis as seen from the laser axis intersection,
Is the yawing value, the shift correction amount Syawx in the X direction
And the shift correction amount Syawy in the Y direction can be obtained by the following equation.
【0030】Syawx={Bx×cos(θyaw)−By×sin
(θyaw)}−Bx Syawy={Bx×sin(θyaw)−By×cos(θyaw)}−
By 次に、ピッチング、ローリングによる電子ビーム照射領
域のシフト量であるが、Hx、Hyをアッベエラー値、す
なわち、X、Y方向のレーザ軸高さと材料面高さとの差
とし、θyはY軸の回転角度、θxをX軸の回転角度とす
ると、シフト補正値(回転補正値)Sx、Syは次の式に
よって求められる。Syawx = {Bx × cos (θyaw) −By × sin
(Θyaw)} − Bx Syawy = {Bx × sin (θyaw) −By × cos (θyaw)} −
By is the shift amount of the electron beam irradiation area due to pitching and rolling. Hx and Hy are Abbe error values, that is, the difference between the laser axis height in the X and Y directions and the material surface height, and θy is the Y axis. Assuming that the rotation angle and θx are rotation angles of the X axis, shift correction values (rotation correction values) Sx and Sy are obtained by the following equations.
【0031】Sx=Hx×sin(θy) Sy=Hy×sin(θx) ところで、ヨーイングの回転中心をステージミラーのな
す四角形中心とした場合、アッベエラーがない状態、例
えば、レーザビームと電子ビーム描画のフィールド中心
位置ととが一致している状態では、フィールドの回転だ
け補正すればよく、シフトを補正する必要はない。厳密
には、ミラーが傾いたことによるレーザ測長エラーが存
在するが、この量は無視することができる。すなわち、
ヨーイングが3秒以下、アッベエラーが1mmでも、レー
ザ測長エラーは1nm未満となる。この場合、回転中心が
ずれたとしても、それは無視することができる。Sx = Hx.times.sin (.theta.y) Sy = Hy.times.sin (.theta.x) By the way, when the center of rotation of the yawing is the center of the square formed by the stage mirror, there is no Abbe error, for example, when the laser beam and the electron beam are drawn. In a state where the position coincides with the field center position, only the rotation of the field needs to be corrected, and the shift need not be corrected. Strictly, there is a laser length measurement error due to the mirror being tilted, but this amount can be ignored. That is,
Even if the yawing is 3 seconds or less and the Abbe error is 1 mm, the laser measurement error is less than 1 nm. In this case, even if the rotation center is shifted, it can be ignored.
【0032】図1にはアッベエラーがある場合のピッチ
ング、ローリングによる位置ずれの様子を示したが、ア
ッベエラーがない場合には、描画フィールドの中心はず
れず、位置ずれは生じない。また、フィールドサイズの
変化量は、無視できる程度に小さい。例えば、描画フィ
ールドのずれは、次の式によって求められる。FIG. 1 shows a state of displacement due to pitching and rolling when there is an Abbe error. When there is no Abbe error, the center of the drawing field does not deviate and no displacement occurs. Also, the amount of change in the field size is so small that it can be ignored. For example, the deviation of the drawing field is obtained by the following equation.
【0033】 [フィールドサイズ]×{1−cos[回転角度}]} この結果、フィールドサイズが1mm、ピッチングが10
秒であっても、描画フィールドのずれ量は高々0.00
1nmである。また、ミラーの傾きによるレーザ測長エラ
ーが発生するが、これも無視することができる。[Field size] × {1−cos [rotation angle}]} As a result, the field size is 1 mm and the pitch is 10
Even in seconds, the deviation of the drawing field is at most 0.00
1 nm. Further, a laser length measurement error due to the inclination of the mirror occurs, but this error can be ignored.
【0034】次にアッベエラーの影響を除去する方法に
ついて説明する。まず、ステージが停止した後の描画
中、ステージの停止位置と現在位置との差(以下これを
LBCと称す)は、常時高速な同期により、電子ビームの
照射位置補正としてフィードバックされる。Next, a method for eliminating the influence of Abbe error will be described. First, during drawing after the stage has stopped, the difference between the stop position of the stage and the current position (hereinafter referred to as
LBC) is always fed back as a correction of the irradiation position of the electron beam by high-speed synchronization.
【0035】LBCを計算するときには、3本のレーザx
1,x2,x3にある重みをかけて平均値が計算され
る。同様にして、3本のレーザy1,y2,y3に対し
ても計算される。この重み付けは、アッベエラーがあっ
てもこれを補正するように決定する。When calculating the LBC, three lasers x
An average value is calculated by multiplying 1, x2 and x3 by a certain weight. Similarly, calculation is performed for three lasers y1, y2, and y3. This weighting is determined so that even if there is an Abbe error, it is corrected.
【0036】図6と図7は、アッベエラーの補正値を求
めるための参考図であり、図6が+Z軸から見た図、図
7が+X軸方向から見た図である。ステージミラー34
yの目標面がT、目標面からずれた面がT’である。電
子ビーム位置Pは、レーザビームy1,y2の中心C1
よりもaxだけ左にずれている状態が示されている。な
お、材料位置はレーザビームy1,y3の中心C2より
もazだけ下にずれている。各レーザ軸による測定値は、
それぞれy1,y2,y3である。FIGS. 6 and 7 are reference diagrams for obtaining a correction value for Abbe error. FIG. 6 is a diagram viewed from the + Z axis, and FIG. 7 is a diagram viewed from the + X axis direction. Stage mirror 34
The target plane of y is T, and the plane shifted from the target plane is T '. The electron beam position P is at the center C1 of the laser beams y1 and y2.
The state is shifted to the left by ax from the left. The material position is shifted az below the center C2 of the laser beams y1 and y3. The measured value by each laser axis is
They are y1, y2, and y3, respectively.
【0037】ステージの現在位置は、図6,図7に示す
ようにずれており、この条件下におけるアッベエラーの
水平方向の補正値(LBCy)は、次の式により求められ
る。 LBCy={(DX/2)−ax}(y1−y2)/DX この水平方向の電子ビーム位置におけるLBCyと高さ方向
のLBCを考慮して補正すべきY軸のLBC123は次の式によ
って求められる。The current position of the stage is shifted as shown in FIGS. 6 and 7, and the horizontal correction value (LBCy) of Abbe error under this condition is obtained by the following equation. LBCy = {(DX / 2) -ax} (y1-y2) / DX The LBC123 of the Y axis to be corrected in consideration of the LBCy at the horizontal electron beam position and the LBC in the height direction is obtained by the following equation. Can be
【0038】 LBC123={(DZ/2)−az}(LBCy−y3)/DZ この求められたLBC123の値は、コンピュータ11から偏
向器制御回路28に供給され、この結果、試料10には
アッベエラーの影響が除去された電子ビームが照射され
ることになる。LBC123 = {(DZ / 2) −az} (LBCy−y3) / DZ The obtained value of LBC123 is supplied from the computer 11 to the deflector control circuit 28. As a result, the sample 10 Irradiation is performed with the electron beam from which the influence of the electron beam is removed.
【0039】なお、図2にヨーイング発生時の位置ずれ
の様子を示したが、ここではヨーイングの回転中心をス
テージミラーのなす4角形の中心としている。この図2
には示していないが、アッベエラーがないとき、すなわ
ち、レーザビーム軸と電子ビーム描画のフィールド中心
位置とが一致しているときには、フィールドの回転だけ
補正すればよく、シフトは補正する必要がない。厳密に
は、ミラーが傾いたことによるレーザ測長エラーが発生
するが、この量は無視できる。例えば、ヨーイングが3
秒、アッベエラーが1mmであっても、レーザ測長エラー
は1nm未満となる。また、回転中心がずれたとしても、
その影響は無視できる。FIG. 2 shows the state of the displacement when yawing occurs. Here, the center of rotation of the yawing is set to the center of the square formed by the stage mirror. This figure 2
However, when there is no Abbe error, that is, when the laser beam axis coincides with the field center position of the electron beam writing, only the rotation of the field needs to be corrected, and the shift does not need to be corrected. Strictly speaking, a laser length measurement error due to the tilt of the mirror occurs, but this amount can be ignored. For example, if yawing is 3
Even if the second and Abbe error are 1 mm, the laser length measurement error is less than 1 nm. Also, even if the rotation center is shifted,
The effect is negligible.
【0040】図1において、アッベエラーがある場合の
ピッチング、ローリングによる位置ずれの様子を示した
が、アッベエラーがある場合には、位置(描画フィール
ドの中心)はずれない。また、フィールドサイズの変化
量は無視できるほど小さい。この量は次の式によって求
められる。FIG. 1 shows the state of displacement due to pitching and rolling when there is an Abbe error. However, when there is an Abbe error, the position (center of the drawing field) does not deviate. Also, the amount of change in the field size is so small that it can be ignored. This quantity is determined by the following equation.
【0041】 [フィールドサイズ]×{1−cos[回転角度]} したがって、フィールドサイズが1mm、ピッチング10
秒では、フィールドサイズの変化量は、0.001nmと
極めて少ないものである。更に、ミラーの傾きによるレ
ーザ測長エラーが発生するが、これも無視できるほど小
さい。[Field size] × {1-cos [rotation angle]} Therefore, the field size is 1 mm, and the pitching 10
In seconds, the amount of change in the field size is as small as 0.001 nm. Furthermore, a laser length measurement error due to the tilt of the mirror occurs, which is also negligibly small.
【0042】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、可変面積型の電
子ビーム描画装置を例に説明したが、イオンビーム描画
装置にも本発明を用いることができる。また、反射電子
を検出するようにしたが、反射電子以外に電子ビームの
照射によって発生する、例えば、2次電子を検出しても
良い。更に、可変面積型の描画装置を例に説明したが、
スポットビームを用いて描画を行う装置にもレーザビー
ムを材料に照射する装置にも本発明を適用することがで
きる。Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this embodiment. For example, although a variable area type electron beam writing apparatus has been described as an example, the present invention can be applied to an ion beam writing apparatus. Further, the reflected electrons are detected. However, other than the reflected electrons, for example, secondary electrons generated by irradiation of an electron beam may be detected. Furthermore, although the variable area type drawing apparatus has been described as an example,
The present invention can be applied to an apparatus that performs writing using a spot beam and an apparatus that irradiates a material with a laser beam.
【0043】更にまた、補正値を電子ビーム照射位置の
シフト等によって行ったが、ステージの機械的な移動の
ループにフィードバックしても良い。また、ステージの
移動方式は、ステップアンドリピート方式に限らず、ス
テージ連続移動方式にも本発明は適用できる。そして、
X軸、Y軸の移動量を測定するため、3本のレーザビー
ムを用いたが、3本のビームのミラーへの照射位置関係
は、図5の位置関係には限定されない。Further, the correction value is obtained by shifting the electron beam irradiation position or the like, but may be fed back to a mechanical movement loop of the stage. The present invention is not limited to the step-and-repeat method, and can be applied to a stage continuous movement method. And
Although three laser beams were used to measure the movement amounts of the X axis and the Y axis, the positional relationship between the irradiation of the three beams to the mirror is not limited to the positional relationship shown in FIG.
【0044】[0044]
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明
は、干渉計から3本のレーザビームをステージと共に移
動するミラーに照射し、3本のレーザビームに基づく3
種類の移動量測定手値に基づき、ステージ(材料)の少
なくともX軸、Y軸、Z軸回転量を求め、求められた回
転量に応じて被処理材料に照射されるビームと被処理材
料の相対的な位置の補正を行う。この結果、ステージ移
動に伴うヨーイング、ピッチング、ローリングによるビ
ーム処理位置のエラーの発生を防止することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, three laser beams are radiated from the interferometer to the mirror that moves together with the stage, and the three laser beams are emitted based on the three laser beams.
At least the X-axis, Y-axis, and Z-axis rotation amounts of the stage (material) are obtained based on the type of movement amount measurement values, and the beam irradiated onto the material to be processed and the beam The relative position is corrected. As a result, it is possible to prevent an error in the beam processing position due to yawing, pitching, and rolling caused by the stage movement.
【0045】本発明の請求項2の発明では、請求項1の
発明における位置補正を、材料に投射するビームの照射
位置を補正することによって行うようにしたので、請求
項1と同様な効果が達成できる。In the second aspect of the present invention, the position correction in the first aspect of the invention is performed by correcting the irradiation position of the beam projected on the material. Can be achieved.
【0046】本発明の請求項3の発明では、請求項1の
発明における位置補正を、材料の機械的な移動によって
行うようにしたので、請求項1と同様な効果が達成でき
る。According to the third aspect of the present invention, the position correction in the first aspect of the invention is performed by mechanically moving the material, so that the same effect as that of the first aspect can be achieved.
【図1】ステージ移動後における高さ方向のアッベエラ
ーの発生を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining occurrence of Abbe error in a height direction after a stage is moved.
【図2】ステージ移動後における水平方向のアッベエラ
ーの発生を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining occurrence of an Abbe error in a horizontal direction after movement of a stage.
【図3】本発明を実施するための電子ビーム描画システ
ムの一例を示す図である。。FIG. 3 is a diagram showing an example of an electron beam writing system for implementing the present invention. .
【図4】レーザ干渉計部分の詳細を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing details of a laser interferometer part.
【図5】ステージミラーに照射される3本のレーザビー
ムの照射位置関係を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an irradiation positional relationship of three laser beams irradiated to a stage mirror.
【図6】アッベエラーの補正値を求める式を導くために
用いた図である。FIG. 6 is a diagram used to derive an equation for obtaining a correction value of Abbe error.
【図7】アッベエラーの補正値を求める式を導くために
用いた図である。FIG. 7 is a diagram used to derive an equation for obtaining a correction value of Abbe error.
1 電子銃 2 照明レンズ 3,6 成形アパーチャ 4 成形レンズ 5,9 偏向器 7 縮小レンズ 8 対物レンズ 10 材料 11 コンピュータ 12 メモリ 13 データ転送回路 14 ショット分割器 15,17,19 DA変換器 16,18 偏向増幅器 20 ブランキング電極 21 ブランキングコントロール回路 22 ステージ 23 駆動機構 24 レーザ測長器 25 反射電子検出器 26 加算器 27 マーク信号処理回路 28 偏向器制御回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron gun 2 Illumination lens 3,6 Molding aperture 4 Molding lens 5,9 Deflector 7 Reduction lens 8 Objective lens 10 Material 11 Computer 12 Memory 13 Data transfer circuit 14 Shot divider 15,17,19 DA converter 16,18 Deflection amplifier 20 Blanking electrode 21 Blanking control circuit 22 Stage 23 Drive mechanism 24 Laser length measuring device 25 Backscattered electron detector 26 Adder 27 Mark signal processing circuit 28 Deflector control circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 37/20 H01L 21/30 541D Fターム(参考) 2F065 AA03 AA39 BB15 BB25 CC17 DD03 FF55 GG04 LL46 MM03 MM04 PP12 QQ17 QQ23 2H097 AA03 AB05 BA10 BB10 CA16 KA01 KA29 5C001 AA03 AA04 AA06 CC06 5F056 AA04 CB22 CB25 CC05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI theme coat テ ー マ (Reference) H01J 37/20 H01L 21/30 541D F-term (Reference) 2F065 AA03 AA39 BB15 BB25 CC17 DD03 FF55 GG04 LL46 MM03 MM04 PP12 QQ17 QQ23 2H097 AA03 AB05 BA10 BB10 CA16 KA01 KA29 5C001 AA03 AA04 AA06 CC06 5F056 AA04 CB22 CB25 CC05
Claims (3)
せ、ビームによって被処理材料に所望の描画等の処理を
行うようにすると共に、ステージの移動量をレーザ干渉
計により監視するようにしたビーム処理装置において、
干渉計から3本のレーザビームをステージと共に移動す
るミラーに照射し、3本のレーザビームに基づく3種類
の移動量測定値に基づき、ステージ(材料)の回転量を
求め、求められた回転量に応じて被処理材料に照射され
るビームと被処理材料の相対的な位置の補正を行うよう
にしたビーム処理装置における調整方法。1. A beam in which a stage on which a material to be processed is mounted is moved so that desired processing such as drawing is performed on the material to be processed by a beam, and the amount of movement of the stage is monitored by a laser interferometer. In the processing device,
The three laser beams are irradiated from the interferometer onto the mirror that moves together with the stage, and the amount of rotation of the stage (material) is obtained based on three types of measured amounts of movement based on the three laser beams. An adjustment method in a beam processing apparatus configured to correct a relative position between a beam irradiated on a material to be processed and a material to be processed in accordance with the method.
射位置を補正することによって行う請求項1に記載のビ
ーム処理装置における調整方法。2. The adjustment method according to claim 1, wherein the position correction is performed by correcting an irradiation position of a beam projected on the material.
て行う請求項1に記載のビーム処理装置における調整方
法。3. The adjustment method according to claim 1, wherein the position correction is performed by mechanically moving the material.
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|---|---|---|---|
| JP2000146350A JP2001326170A (en) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | Adjustment method in beam processing device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070807 |