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JP2001320034A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents

固体撮像素子及びその製造方法

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Publication number
JP2001320034A
JP2001320034A JP2000135418A JP2000135418A JP2001320034A JP 2001320034 A JP2001320034 A JP 2001320034A JP 2000135418 A JP2000135418 A JP 2000135418A JP 2000135418 A JP2000135418 A JP 2000135418A JP 2001320034 A JP2001320034 A JP 2001320034A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
opening
pattern
solid
imaging device
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000135418A
Other languages
English (en)
Inventor
Taichi Natori
太知 名取
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2000135418A priority Critical patent/JP2001320034A/ja
Publication of JP2001320034A publication Critical patent/JP2001320034A/ja
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 反射防止パターンによる集光光の「けられ」
を防止して感度の向上と安定化を図ることができる固体
撮像素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板10表面のフォトセンサ11上を開
口する遮光膜16と、受光部11に光を集光するための
マイクロレンズ18との間に、フォトセンサ11上に開
口部31aを有する反射防止パターン31を備えた固体
撮像素子において、反射防止パターン31の開口部31
aは、その内壁上部がR状のテーパ形状に成形されたこ
とを特徴としており、これによってフォトセンサ11側
における開口部31aの開口径を広げることなく、マイ
クロレンズ18で集光された集光光hが反射防止パター
ン31の開口上部で「けられ」ることを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子及び
その製造方法に関し、特にはフレアの発生を防止するた
めの反射防止パターンを備えた固体撮像素子及びその製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図7には、インターライン転送型の固体
撮像素子の構成図を示す。この図に示す固体撮像素子
は、基板の表面側に行列状にフォトセンサ11(すなわ
ち受光部)を設けてなり、このフォトセンサ11の脇に
は列方向に沿って垂直転送CCD12が設けられてい
る。また各垂直転送CCD12の端部には、列方向に沿
って設けられた水平転送CCD13が接続されており、
その最終段には出力部14が接続されている。
【0003】また、図8には、インターライン転送型の
固体撮像素子の要部断面図(図7におけるA−A’矢視
断面図)を示す。この図に示すように、基板10の表面
側に設けられた各フォトセンサ11脇の垂直転送CCD
12は、基板10の表面側に設けられた拡散層12aと
その上部の転送電極12bとで構成されている。そし
て、基板10上には、フォトセンサ11上に開口部16
aを有する遮光膜16が、転送電極12bを覆う状態で
設けられている。この遮光膜16は、例えばAl(アル
ミニウム)で構成されている。そして、さらにこれらを
埋め込む状態で、基板10上に平坦化絶縁膜17が形成
され、この平坦化絶縁膜17上に各フォトセンサ11に
光を集光させるためのマイクロレンズ18が設けられて
いる。
【0004】ところが、このような構成の固体撮像素子
では、マイクロレンズ側から入射した光の全てがマイク
ロレンズ18によってフォトセンサ11に集光されるわ
けではなく、その一部は遮光膜16に照射される。ここ
で、遮光膜16を構成するAlは、波長600nmの光
の反射率が90%程度であり、可視光の反射率が高い。
このため、固体撮像素子に強い光が入射すると、遮光膜
16に照射された光がその表面で反射し、さらにここで
の図示は省略したマイクロレンズ18上方のシールガラ
スで反射して再び固体撮像素子内に入射してフレアを発
生させる。したがって、画像の品質が著しく損なわれる
ことになる。
【0005】そこで、図9に示す固体撮像素子では、遮
光膜16とマイクロレンズ18との間の例えば平坦化絶
縁膜17上に、反射防止パターン21を設けることによ
ってフレアの発生を防止するようにしている。この反射
防止パターン17は、透明な樹脂をパターン加工して黒
色素にて染色したり、黒色素を含有するフォトレジスト
をフォトリソグラフィー技術によってパターンニングす
ることによって形成されたもので、遮光膜16とほぼ同
様の形状に成形され、フォトセンサ11上に開口部21
aを有している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図9に示し
た固体撮像素子では、マイクロレンズ18で集光された
集光光hが、反射防止パターン21の角部で遮られる、
いわゆる「けられ」が発生し易く、感度が低くなると言
う問題がある。また、反射防止パターン21やマイクロ
レンズ18等の加工バラツキにより、「けられ」量にば
らつきが生じるため、感度が不均一になる。
【0007】特に、固体撮像素子の画素サイズの微細化
に伴い、カメラレンズF値の変化に対するCCD感度の
依存性を少なくするために、フォトセンサ11とマイク
ロレンズ18との距離dを狭くする必要が生じている。
これに伴い、反射防止パターン21とマイクロレンズ1
8との距離d1 も狭くなるため、さらに「けられ」が発
生し易くなる。
【0008】また、このような「けられ」の発生を防止
するために、ただ単に反射防止パターン21の幅を狭く
してその開口部21aの開口径を広げた場合には、反射
防止パターン21による反射防止効果が低下するため、
フレアの発生を防止する効果が低くなる。しかも、下地
(ここでは平坦化絶縁膜17)に対する反射防止パター
ン21の接着面積が狭くなるため、反射防止パターン2
1が剥離し易くなると言った問題も生じる。
【0009】そこで本発明は、反射防止パターンによる
集光光の「けられ」を防止して感度の向上と安定化を図
ることができる固体撮像素子及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の固体撮像素子は、基板表面の受光部上
を開口する遮光膜と、受光部に光を集光するためのマイ
クロレンズとの間に、受光部上に開口部を有する反射防
止パターンを備えた固体撮像素子において、反射防止パ
ターンの開口部の内壁上部がテーパ形状に成形されてい
ることを特徴としている。
【0011】このような構成の固体撮像素子では、反射
防止パターンの開口部はマイクロレンズ側ほど開口径が
広くなる。このため受光部側における開口部の開口径を
広げることなく、マイクロレンズで集光された集光光が
反射防止パターンの開口上部で「けられ」ることが防止
される。したがって、反射防止パターンにおける反射防
止効果を確保しつつも、マイクロレンズによる集光光を
受光部に入射させ易くすることができる。
【0012】また、本発明の固体撮像素子の製造方法
は、基板表面の受光部上を開口する遮光膜の上方に当該
受光部上に開口部を有する反射防止パターンを形成し、
受光部に光を集光するためのマイクロレンズを反射防止
パターンの上方に形成する固体撮像素子の製造方法にお
いて、第1の方法は、形成された反射防止パターンに対
してリフロー処理を施した後、マイクロレンズを形成す
ることを特徴としている。
【0013】このような第1の方法では、開口部を有す
る反射防止パターンに対してリフロー処理を施すため、
反射防止パターンが軟化してその角部分が丸みを帯び
る。したがって、反射防止パターンの開口部の内壁上部
がテーパ形状に成形される。
【0014】また、第2の方法は、反射防止パターンを
形成する工程において、先ず遮光膜の上方に反射防止膜
を形成し、受光部上に開口部を有するレジストパターン
を反射防止膜上に形成した後、当該レジストパターンに
対してリフロー処理を施し、次いでレジストパターン上
から当該レジストパターン及び反射防止膜をエッチング
することによって当該レジストパターンの形状を当該反
射防止膜に転写してなる反射防止パターンを形成するこ
とを特徴としている。
【0015】このような第2の方法では、開口部を有す
るレジストパターンに対してリフロー処理を施すため、
レジストパターンが軟化してその角部分が丸みを帯び、
開口部の内壁上部がテーパ形状に成形される。したがっ
て、このレジストパターンの形状を反射防止膜に転写し
てなる反射防止パターンには、内壁上部がテーパ形状に
成形された開口部が設けられることになる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。まず、本発明の固体撮像素
子の製造方法を説明するに先立ち、本発明の固体撮像素
子について説明する。尚、図9を用いて説明した従来の
固体撮像素子と同様の構成部品には同一の符号を付し、
重複する説明は省略する。
【0017】図1は、本発明の固体撮像素子の一実施形
態例を示す図である。この図に示す固体撮像素子は、従
来の技術で図9を用いて説明した固体撮像素子と同様
に、基板10の表面側に配列形成されたフォトセンサ
(すなわち受光部)11、このフォトセンサ11の脇に
設けられた垂直転送CCD12、垂直CCD12を構成
する転送電極12a上を覆いフォトセンサ11上に開口
部16aを有する遮光膜16、これらを埋め込む状態で
基板10上に形成された平坦化絶縁膜17、遮光膜16
と同様にパターニングされた開口部31aを有する反射
防止パターン31、及び各フォトセンサ11に光を集光
させるためのマイクロレンズ18が設けられている。
【0018】そして、この図1に示す固体撮像素子が、
図9に示した固体撮像素子と異なるところは、反射防止
パターン31の形状にある。すなわち、この反射防止パ
ターン31は、開口部31aの内壁上部がテーパ形状に
成形され、上部に向かって開口部31aの開口径が徐々
に広げられている。ここでは、反射防止パターン31
は、従来の図9に示した固体撮像素子の反射防止パター
ン(21)における開口部(21a)の内壁上部の角を
R状に削った形状に成形されていることとする。ただ
し、開口部31aにおける開口底部の開口径は、従来と
同様であることとする。
【0019】この開口部31aの内壁上部のテーパ形状
は、反射防止パターン31とマイクロレンズ18との距
離d1 によって決定され、その距離が近くなるほどRを
大きく、すなわち上部に向かって広く開口されることと
する。ただし、反射防止パターン31の開口端縁部分
は、ある程度の厚みを確保することで、反射防止パター
ン31の反射防止効果が維持されるようにする。
【0020】このように成形された反射防止パターン3
1を備えた固体撮像素子では、反射防止パターン31の
開口部31aの開口径が、マイクロレンズ18側ほど広
くなっている。このため、フォトセンサ11側における
開口部31aの開口径を広げることなく、マイクロレン
ズ18で集光された集光光hが反射防止パターン31の
開口上部で「けられ」ることが防止される。したがっ
て、開口部31aの実質的な開口径を確保して反射防止
パターン31における反射防止効果を確保しつつも、マ
イクロレンズ18による集光光hをフォトセンサ11に
入射させ易くすることができる。この結果、固体撮像素
子の感度の向上および安定化を図ることが可能になる。
【0021】上記実施の形態においては、反射防止パタ
ーン31の開口部31aの内壁上部をR状のテーパ形状
にした場合を説明した。しかし、本発明の固体撮像素子
は、次の図2または図3に示すような反射防止パターン
を備えたものであっても良い。
【0022】すなわち、図2に示す固体撮像素子の反射
防止パターン32は、レンズ状に成形されており、開口
部32aの内壁全体がR状のテーパ形状に成形されてい
る。
【0023】また、図3に示すような反射防止パターン
33は、開口部33aの内壁全体が一定角度のテーパ形
状に成形されている。つめり、開口部33aの内壁が平
面で構成されている。
【0024】こような形状に成形された反射防止パター
ン32,33は、図1で示した反射防止パターン31と
比較して、開口部32a,33aの端縁部分の膜厚が薄
くなるため反射防止効果がやや小さくなるものの、フォ
トセンサ11側からマイクロレンズ18側に向かう開口
径の広がりが大きくなるため開口部32a,33aの肩
部での集光光hの「けられ」を防止する効果が大きくな
る。
【0025】また上記実施の形態においては、平坦化絶
縁膜17上に反射防止パターン31(32,33)を設
けた場合を説明した。しかし、本発明の固体撮像素子
は、図4に示すように、遮光膜16の直上に反射防止パ
ターン34を設けた構成であっても良い。この反射防止
パターン34の形状は、図1乃至図3を用いて説明した
各反射防止パターン31,32,33の形状を適用でき
る。
【0026】こような構成の固体撮像素子においては、
図1乃至図3を用いて説明した固体撮像素子と比較し
て、マイクロレンズ18と反射防止パターン34との距
離d1を大きくできるため、さらに「けられ」を防止し
易くなる。
【0027】次に、本発明の固体撮像素子の製造方法に
関する各実施形態を説明する。尚、各実施形態において
は、図1を用いて説明した固体撮像素子の製造を例に採
って製造方法を説明する。また、平坦化絶縁膜17の形
成以前の工程については従来と同一であるので、ここで
は特に、その後の反射防止パターン31の形成方法を詳
細に説明する。
【0028】図5は、固体撮像素子の製造方法の第1実
施形態を示す断面工程図である。この図に示す第1実施
形態の製造方法では、先ず、図5(a)に示すように、
フォトセンサ11、転送電極12b、遮光膜16等の各
構成要素を覆う状態で、PSG(phospho silicate gla
ss)やBPSG(boro phospho silicate glass)から
なる平坦化絶縁膜17を基板10上に形成した後、この
平坦化絶縁膜17上に、フォトセンサ11上に開口部3
1aを有し、黒色に着色された反射防止パターン31を
形成する。
【0029】この反射防止パターン31は、例えばフォ
トレジストのようなリフロー処理によって軟化する樹脂
材料からなり、リソグラフィー技術によって形成したレ
ジストパターンを黒色素によって染色するか、または黒
色素を含有するフォトレジストをリソグラフィー技術に
よってパターニングすることによって得られる。この他
にも、レジストパターンをマスクにして樹脂膜をパター
ンエッチングした後、この樹脂膜を黒色素によって染色
するか、黒色素を含有する樹脂膜をレジストパターンを
マスクにしてパターンエッチングすることによって形成
しても良い。
【0030】次に、図5(b)に示すように、反射防止
パターン31に対してリフロー処理を施すことによっ
て、反射防止パターン31を軟化させ、その表面張力に
よって開口部31aの内壁上部を所定の曲率のテーパ形
状にする。この際、リフロー温度は、反射防止パターン
31を構成する材料及によって設定され、一例としてノ
ボラック系樹脂などを主成分とするポジ型のフォトレジ
ストの場合、110℃から180℃の範囲内で設定され
る。そして、この温度範囲内におけるリフロー温度の設
定によって、開口部31の内壁上部を所定の曲率のテー
パ形状にする。
【0031】以上の後、図5(c)に示すように、公知
の技術によって、反射防止パターン31の上方にマイク
ロレンズ18を形成し、これによって固体撮像素子を完
成させる。
【0032】以上のような製造方法によれば、図5
(b)を用いて説明したように、開口部31aを有する
反射防止パターン31に対してリフロー処理を施すた
め、反射防止パターン31が軟化して、表面張力によっ
てその角部分が丸みを帯びる。このため、反射防止パタ
ーン31の開口部31aの内壁上部をテーパ形状に成形
することが可能になる。したがって、反射防止パターン
による反射防止効果が十分で、かつ感度の向上と安定化
を図ることが可能な固体撮像素子を得ることができる。
【0033】尚、上記製造方法の第1実施形態におい
は、図5(b)を用いて説明した反射防止パターン31
のリフロー工程におけるリフロー温度の設定によって、
反射防止パターン31の開口部31aの内壁上部のみが
丸みを帯びる程度の形状から、反射防止パターン31全
体が表面張力によって丸みを帯びる程度にまで、開口部
31aの形状を制御することができる。このため、リフ
ロー工程の温度を高めに設定して反射防止パターン31
を十分に軟化させることで、図2を用いて説明したよう
なレンズ状の反射防止パターン32を形成することが可
能になり、開口部の内壁全体をテーパ形状とすることが
できる。
【0034】図6は、固体撮像素子の製造方法の第2実
施形態を示す断面工程図である。この図に示す第2実施
形態の製造方法では、先ず、図6(a)に示すように、
フォトセンサ11、転送電極12b、遮光膜16等の各
構成要素を覆う状態で、PSGやBPSGからなる平坦
化絶縁膜17を基板10上に形成した後、この平坦化絶
縁膜17上に、着色された樹脂材料からなる反射防止膜
30を形成する。この際、透明な樹脂を塗布した後に黒
色素にて染色したり、黒色素を含有する樹脂を塗布する
ことによって、この反射防止膜30を形成する。尚、こ
の反射防止膜30は、感光性材料である必要はない。
【0035】次に、反射防止膜30上に、リソグラフィ
ー技術によってレジストパターン41を形成する。この
レジストパターン41は、例えばポジ型レジストからな
り、フォトセンサ11上に開口部41aを有する形状に
形成されることとする。
【0036】その後、このレジストパターン41に対し
てリフロー処理を施すことによって、レジストパターン
41を軟化させ、その表面張力によって開口部41aの
内壁上部を所定の曲率のテーパ形状にする。この際、リ
フロー温度は、レジストパターン41を構成する材料及
によって設定され、一例としてノボラック系樹脂などを
主成分とするポジ型のフォトレジストの場合、110℃
から180℃の範囲内で設定される。そして、この温度
範囲内におけるリフロー温度の設定によって、開口部4
1aの内壁上部を所定の曲率のテーパ形状にする。
【0037】次いで、図6(b)に示すように、リフロ
ー処理後のレジストパターン(41)をマスクとして反
射防止膜30をエッチングする。この際のエッチング条
件は、レジストパターン(41)に対するエッチングレ
ートと反射防止膜30に対するエッチングレートとがほ
ぼ等しくなるように設定される。また、このエッチング
は、フォトセンサ11上の平坦化絶縁膜17が所定の面
積で露出すまで行う。尚、エッチング終了後に、反射防
止膜30上にレジストパターン(41)が残らないよう
に、反射防止膜30の膜厚はレジストパターン(41)
の膜厚よりも厚く設定されていることとする。
【0038】このようにしてエッチングを行うことによ
って、反射防止膜30をレジストパターン(41)の形
状に合わせて削り、反射防止膜30にレジストパターン
(41)の形状を転写してなる反射防止パターン31を
形成する。
【0039】以上の後、図6(c)に示すように、公知
の技術によって、反射防止パターン31の上方にマイク
ロレンズ18を形成し、これによって固体撮像素子を完
成させる。
【0040】以上のような製造方法によれば、開口部4
1aを有するレジストパターン41に対してリフロー処
理を施すため、レジストパターン41が軟化してその角
部分が丸みを帯び、開口部41aの内壁上部がテーパ形
状に成形される。このため、このレジストパターン41
の形状を反射防止膜30に転写してなる反射防止パター
ン31には、内壁上部がテーパ形状に成形された開口部
31aが設けられることになる。したがって、反射防止
パターン31による反射防止効果が十分で、かつ感度の
向上と安定化を図ることが可能な固体撮像素子を得るこ
とができる。
【0041】尚、上記製造方法の第2実施形態におい
は、図6(b)を用いて説明したレジストパターン41
のリフロー工程におけるリフロー温度の設定によって、
レジストパターン41の開口部41aの内壁上部のみが
丸みを帯びる程度の形状から、レジストパターン41全
体が表面張力によって丸みを帯びる程度にまで、開口部
41aの形状を制御することができる。このため、リフ
ロー工程の温度を高めに設定してレジストパターン41
を十分に軟化させてレンズ状のレジストパターン41を
形成することで、図2を用いて説明したようなレンズ状
の反射防止パターン32を形成することが可能になる。
【0042】また、上記製造方法の第1実施形態及び第
2実施形態では、平坦化絶縁膜17上に反射防止パター
ン31(32)を形成する方法を説明した。しかし、本
発明の固体撮像素子の製造方法は、図4を用いて説明し
たような遮光膜16の直上に反射防止パターン34を設
けてなる固体撮像素子の製造にも適用可能である。この
場合、遮光膜16を形成した後、平坦化絶縁膜17を形
成する前に、図5(a),図5(b)を用いて説明した
工程や図6(a),図6(b)を用いて説明した工程を
行い、その後平坦化絶縁膜17及びマイクロレンズ18
の形成を行うこととする。
【0043】
【発明の効果】以上説明した本発明の固体撮像素子によ
れば、反射防止パターンの開口部の内壁上部をテーパ形
状としたことで、受光部側における開口部の開口径を広
げることなく、マイクロレンズで集光された集光光が反
射防止パターンの開口上部で「けられ」ることを防止で
きる。したがって、反射防止パターンにおける反射防止
効果を低下させることなく、固体撮像素子の感度の向上
と安定化を図ることが可能になる。
【0044】また、本発明請求項2の固体撮像素子の製
造方法によれば、開口部を有する反射防止パターンに対
してリフロー処理を施すことによって、反射防止パター
ンを軟化させて開口部の内壁上部をテーパ形状に成形す
ることができる。したがって、反射防止パターンによる
反射防止効果が十分で、かつ感度の向上と安定化を図る
ことが可能な固体撮像素子を得ることができる。
【0045】さらに、本発明請求項3の固体撮像素子の
製造方法によれば、開口部を有するレジストパターンに
対してリフロー処理して開口部の内壁上部をテーパ形状
に成形し、これをマスクにして反射防止膜をエッチング
することで、内壁上部がテーパ形状に成形された開口部
を有する反射防止パターンを形成することができる。し
たがって、反射防止パターンによる反射防止効果が十分
で、かつ感度の向上と安定化を図ることが可能な固体撮
像素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の固体撮像素子の実施形態を示す断面図
である。
【図2】本発明の固体撮像素子における反射防止パター
ンの変形例(その1)を示す断面図である。
【図3】本発明の固体撮像素子における反射防止パター
ンの変形例(その2)を示す断面図である。
【図4】本発明の固体撮像素子の変形例を示す断面図で
ある。
【図5】本発明の固体撮像素子の製造方法の第1実施形
態を示す断面工程図である。
【図6】本発明の固体撮像素子の製造方法の第2実施形
態を示す断面工程図である。
【図7】インターライン転送型の固体撮像素子の構成図
である。
【図8】従来の固体撮像素子の断面図である。
【図9】従来の反射防止パターンを備えた構体撮像素子
の断面図である。
【符号の説明】
10…基板、11…受光部、16…遮光膜、17…マイ
クロレンズ、31,32,33,34…反射防止パター
ン、31a,32a,33a,34a…開口部、30…
反射防止膜、41…レジストパターン、41a…開口部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板表面の受光部上を開口する遮光膜
    と、前記受光部に光を集光するためのマイクロレンズと
    の間に、前記受光部上に開口部を有する反射防止パター
    ンを備えた固体撮像素子において、 前記反射防止パターンの開口部は、その内壁上部がテー
    パ形状に成形されたことを特徴とする固体撮像素子。
  2. 【請求項2】 基板表面の受光部上を開口する遮光膜の
    上方に当該受光部上に開口部を有する反射防止パターン
    を形成し、前記受光部に光を集光するためのマイクロレ
    ンズを前記反射防止パターンの上方に形成する固体撮像
    素子の製造方法において、 前記反射防止パターンに対してリフロー処理を施した
    後、前記マイクロレンズを形成することを特徴とする固
    体撮像素子の製造方法。
  3. 【請求項3】 基板表面の受光部上を開口する遮光膜の
    上方に当該受光部上に開口部を有する反射防止パターン
    を形成し、前記受光部に光を集光するためのマイクロレ
    ンズを前記反射防止パターンの上方に形成する固体撮像
    素子の製造方法において、 前記反射防止パターンを形成する工程では、前記遮光膜
    の上方に反射防止膜を形成し、前記受光部上に開口部を
    有するレジストパターンを前記反射防止膜上に形成した
    後、当該レジストパターンに対してリフロー処理を施
    し、次いで当該レジストパターン上から当該レジストパ
    ターン及び前記反射防止膜をエッチングすることによっ
    て当該レジストパターンの形状を当該反射防止膜に転写
    してなる反射防止パターンを形成することを特徴とする
    固体撮像素子の製造方法。
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