JP2001319380A

JP2001319380A - Ｒｆｉｄ付光ディスク

Info

Publication number: JP2001319380A
Application number: JP2000137998A
Authority: JP
Inventors: Takanori Endo; 貴則遠藤; Masa Yonezawa; 政米沢; Seiro Hachiman; 誠朗八幡
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2000-05-11
Filing date: 2000-05-11
Publication date: 2001-11-16

Abstract

(57)【要約】【課題】再生させることなく光ディスクに記録された情
報内容を速やかに知る。【解決手段】光ディスクは、中心孔１１ａを有するディ
スク基板１１のその中心孔周囲の表面に反射膜１２が形
成され、反射膜のリードイン部１２ａからリードアウト
部１２ｂの間に情報をピット１２ｃとして記憶可能に構
成される。中心孔の周囲を１又は２回以上巻回して形成
されたコイル１４とコイルの両端に接続されたＩＣチッ
プ１６とにより構成されたＲＦＩＤ１３が中心孔の孔縁
とリードイン部との間の反射膜の表面に設けられ、反射
膜の内縁からコイルを横断して先端がコイルの外縁から
２．５ｍｍ以上離れる半径方向の切欠き１７が反射膜に
形成される。切欠きの先端に接する円１２ｄとリードア
ウト部の間の反射膜１２に導電膜１８が直接又は保護膜
を介して形成され、導電膜１８の幅が１ｃｍであって長
さが１ｃｍであるとき導電膜１８の電気抵抗値が０．２
５Ω以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザを用
いた高密度情報記録媒体である光ディスクに関する。更
に詳しくはＲＦＩＤが付された光ディスクに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクは、予め記録された音声や映
像を専ら再生させることを目的とする再生専用型光ディ
スク、及び企業の研究開発におけるデータやシステム開
発におけるプログラムを記憶させる追記型光ディスク及
び書換え可能型光ディスクに類別される。企業において
光ディスクに記録された研究開発におけるデータやプロ
グラムはを貴重なものであるため、そのようなデータ又
はプログラムが記録された光ディスクの保管場所からの
出し入れは厳重に管理され、その使用に際しては光ディ
スクに貼付けられたラベルに印刷されたタイトル等を目
視により確認して所望の光ディスクを選択している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、比較的多くの
光ディスクが同一の場所に保管されている場合には、個
々の光ディスクのラベルに印刷されたタイトル等も近似
するものが比較的多くなり、所望の光ディスクをそのタ
イトル等だけでは直ちに選択できない不具合がある。即
ち、近似するタイトルが複数の光ディスクに印刷されて
いる場合には、それら複数の光ディスクを先ず選択して
再生装置に挿入し、実際に記憶された情報を個別に読み
出さなければ所望の光ディスクであるか否かを判断する
ことができない問題点がある。

【０００４】この点を解消するためには、ラベルに光デ
ィスクを識別しうるに十分な量の内容を予め記載するこ
とも考えられるが、ラベルの記載スペースには限界があ
り、光ディスクの記憶内容を書き換えた場合にはラベル
を張り替えて新たに記載しなければならない煩わしさが
ある。また、ラベルに何も記載しなくても光ディスクを
特定できれば、視認による光ディスクの特定に起因する
盗難を抑制することも可能になる。本発明の目的は、実
際に再生させることなく光ディスクに記録された情報内
容を速やかに知ることができるＲＦＩＤ付光ディスクを
提供することにある。本発明の別の目的は、光ディスク
のデータとＲＦＩＤのデータを用いた多様な潜在的用途
を開発することができるＲＦＩＤ付光ディスクを提供す
ることにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、中心孔１１ａを有するディスク基板
１１のその中心孔１１ａ周囲の表面に反射膜１２が形成
され、反射膜１２のリードイン部１２ａからリードアウ
ト部１２ｂの間に情報をピット１２ｃとして記憶可能に
構成された光ディスクの改良である。その特徴ある構成
は、中心孔１１ａの周囲を１又は２回以上巻回して形成
されたコイル１４とコイル１４の両端に接続されたＩＣ
チップ１６とにより構成されたＲＦＩＤ１３が中心孔１
１ａの孔縁とリードイン部１２ａとの間の反射膜１２の
表面に設けられ、反射膜１２の内縁からコイル１４を横
断して先端がコイル１４の外縁から２．５ｍｍ以上離れ
る半径方向の切欠き１７が反射膜１２に形成されたとこ
ろにある。

【０００６】請求項１に記載された発明では、ＲＦＩＤ
（Radio Frequency Identification）１３を光ディスク
１０に直接設けることにより、ＲＦＩＤとの情報交換に
より情報内容等を発する他の機器との関連においてその
光ディスク１０に関する情報内容を速やかに知ることが
できる。光ディスクの反射膜１２は相応の抵抗を持つ導
電性を有する。この反射膜１２にはコイル１４に流れる
電流の相互誘導により電圧が印加され電流が流れ、エネ
ルギーの損失がある。このエネルギーの損失はＲＦＩＤ
１３のＱ値の低下をもたらし、その共振の強さを弱め
る。一方、反射膜１２に切欠き１７を形成してその先端
とコイル１４の外縁との間隔を２．５ｍｍ以上とするこ
とにより、コイル１４のＱ値に影響を与える反射膜１２
における電流の発生を防止し、そのＱ値が低下すること
を防止する。

【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、中心孔１１ａと同心であって切欠き１７の
先端に接する円１２ｄリードアウト部１２ｂとの間の反
射膜１２に導電膜１８が直接又は保護膜を介して形成さ
れたＲＦＩＤ付光ディスクである。中心孔１１ａと同心
であって反射膜１２の切欠き１７の先端に接する円１２
ｄからリードアウト部１２ｂの間はＲＦＩＤ１３に対し
て電気抵抗の小さい回路としての影響を及す。導電膜１
８には相互誘導により電流が流れるが、高周波の場合に
は導電膜１８の抵抗が低くても導電膜１８の自己インダ
クタンスの影響で流れる電流は増加しないので、抵抗が
低ければ損失は少なくＱ値は高くなる。このため、この
請求項２に記載されたＲＦＩＤ付光ディスクでは、導電
膜１８を設けることによりそのＱ値を高くすることがで
きる。

【０００８】請求項３に係る発明は、請求項２に係る発
明であって、導電膜１８の幅が１ｃｍであって長さが１
ｃｍであるとき導電膜１８の電気抵抗値が０．２５Ω以
下であるＲＦＩＤ付光ディスクである。この請求項３に
記載されたＲＦＩＤ付光ディスクでは、導電膜１８の電
気抵抗値が０．２５Ω以下であるので、導電膜１８によ
る損失によるＱ値の低下を少なくすることができる。な
お、この導電膜１８に流れる電流の影響により自己イン
ダクタンスは小さくなるが、導電膜１８の影響下で所定
のインダクタンスになるようにコイルの巻数を増やすこ
とにより、その自己インダクタンスを調整することがで
きる。

【０００９】

【発明の実施の形態】次に本発明のＲＦＩＤ付光ディス
クを図面に基づいて詳しく説明する。図１及び図２に示
すように、光ディスク１０は、中心孔１１ａを有するデ
ィスク基板１１と、この中心孔１１ａ周囲のディスク基
板１１の表面に直接形成されたアルミニウム蒸着膜から
なる反射膜１２とを備える。この光ディスク１０はいわ
ゆるカード型のコンパクトディスクであり、企業の研究
開発におけるデータやシステム開発におけるプログラム
が記憶される。この光ディスク１０はデータ又はプログ
ラムが記憶された後、企業の開発室に収納される。デー
タ又はプログラムからなる情報はディスク基板１１上に
設けられた反射膜１２の中心孔１１ａ近傍のリードイン
部１２ａからディスク基板１１の外周縁近傍のリードア
ウト部１２ｂの間の凹凸からなる位相ピット１２ｃに記
録され、この情報はディスク基板１１の裏面側から照射
されるレーザ光の解析により再生されるように構成され
る。なお、光ディスクはコンパクトディスクではなく、
ＤＶＤ−ＲＡＭ（DigitalVersatile Disc-Random Acces
s Memory），ＤＶＤ−Ｒ（DVD-Recordable），ＤＶＤ−
ＲＷ（DVD-ReWritable）ＣＤ−Ｒ（Compact Disc-Recor
dable），ＣＤ−ＲＷ（Compact Disc-ReWritable）等の
追記型又は書換え型の光ディスクなどでもよい。

【００１０】中心孔１１ａの孔縁とリードイン部１２ａ
との間の反射膜１２の表面にはＲＦＩＤ（Radio Freque
ncy Identification）１３が設けられる。このＲＦＩＤ
１３は、ディスク基板１１の中心孔１１ａの周囲を１又
は２回以上巻回して形成されたコイル１４と、このコイ
ル１４の両端に接続されたＩＣチップ１６とにより構成
される。この実施形態におけるコイル１４とＩＣチップ
１６は反射膜１２の表面に設けられる。具体的に、コイ
ル１４はアルミニウム箔や銅箔等の導電性材料をエッチ
ング法又は打抜き法等により不要部分を除去して渦巻き
状に形成され、コイル１４の内縁と中心孔１１ａの孔縁
との間隔が０．１ｍｍ以上であって、コイル１４の外縁
とリードイン部１２ａとの間隔が２．５ｍｍ以上に形成
される。ＩＣチップ１６はコイル１４の両端に接続され
た状態で図示しない絶縁膜を介挿させた状態で反射膜１
２に搭載される。

【００１１】反射膜１２には半径方向に切欠き１７が形
成される。切欠き１７は反射膜１２の内縁からコイル１
４を横断して形成され、コイル１４の外縁から切欠き１
７の先端までの間隔Ａは２．５ｍｍ以上になるように形
成される。この実施の形態における切欠き１７はＩＣチ
ップ１６が設けられた位置と反対側の反射膜１２を中心
孔１１ａから０．１ｍｍの幅に切削することにより形成
される。切欠き１７は低電圧の渦電量が反射膜１２に発
生することを阻止するためのものであるので、その幅は
極めて小さくて良く、レーザ光を用いて切削することに
より反射膜１２に例えば幅１μｍの切欠き１７を形成さ
せた場合であっても十分である。なお、この切欠き１７
は反射膜１２であるアルミニウムを蒸着する際に同時に
形成しても良く、１カ所でも２カ所以上の複数本形成し
ても良い。

【００１２】切欠き１７の先端に接する中心孔１１ａと
同心の円１２ｄとリードアウト部１２ｂの間の反射膜１
２の表面には導電膜１８が形成される。この実施の形態
における導電膜１８は図示しない接着剤層により反射膜
１２に直接貼付けて何ら保護膜を設けていないが、導電
膜１８の上に図示しない保護膜を形成しても良い。ま
た、反射膜１２上に図示しない保護膜を形成してこの保
護膜上に導電膜を形成しても良い。更に、導電膜１８は
接着剤層によらずに蒸着により貼付け、若しくは導電性
のフレークを含む塗料を塗布しても良い。導電性のフレ
ークを含む塗料を塗布する場合には導電膜に保護膜とし
ての機能を兼ねさせることも可能になる。導電膜１８が
アルミ箔、銅箔又は銀膜等により形成される場合には、
その厚さは５μｍ〜３０μｍの範囲にあることが好まし
く、蒸着膜の場合の好ましい厚さは０．０５μｍ〜０．
５０μｍの範囲である。塗料の場合、その厚さは固有抵
抗値により幅１ｃｍで長さ１ｃｍのときの電気抵抗値が
０．２５Ω以下になるように選定される。

【００１３】図３に示すように、ＩＣチップ１６は電源
回路１６ａと無線周波数（ＲＦ）回路１６ｂと変調回路
１６ｃと復調回路１６ｄとＣＰＵ１６ｅとこれに接続さ
れた光ディスク１０固有の情報を記憶するメモリ１６ｆ
を有する。電源回路１６ａはコンデンサ（図示せず）を
内蔵し、このコンデンサはコイル１４とともに共振回路
を形成する。このコンデンサにはコイル１４が特定の共
振周波数の電波を受信したときにその電磁誘導で生じる
電力が充電される。電源回路１６ａはこの電力を整流し
安定化してＣＰＵ１６ｅに供給し、ＩＣチップ１６を活
性化する。メモリ１６ｆはＲＯＭ（read only memor
y）、ＲＡＭ（ramdom-access memory）及びＥＥＰＲＯ
Ｍ（electrically erasable pogramable read only mem
ory）を含み、ＣＰＵ１６ｅの制御の下で後述する書込
・読出手段３０からの電波のデータ通信による読出しコ
マンドに応じて記憶されたデータの読出しを行うととも
に、書込・読出手段３０からの書込みコマンドに応じて
データの書込みが行われる。

【００１４】書込・読出手段３０は、送受信アンテナ３
１と、バッテリを内蔵する電源回路３２と無線周波数
（ＲＦ）回路３３、と変調回路３４と、復調回路３５
と、ＣＰＵ３６と、これに接続されたメモリ３７、ディ
スプレイ３８及び入力装置３９を有する。この書込・読
出手段３０は、送受信アンテナ３１を介して光ディスク
２０のコイル１４に特定周波数の電波を送信してＩＣチ
ップ１６を活性化し、かつそのチップ１６のメモリ１６
ｆに対してデータの読出し・書込みを行い送受信アンテ
ナ３１を介して受信するコイル１４からの応答信号によ
りメモリ１７ｆに記憶された光ディスク２０に関する情
報を非接触で読出すように構成され、その情報内容をデ
ィスプレイ３８に表示するように構成される。

【００１５】このように構成されたＲＦＩＤ付光ディス
クでは、ＩＣチップ１６のメモリ１６ｆにその光ディス
ク２０固有の情報、例えば光ディスクに記録させたデー
タのタイトル、種別、内容、記憶時間、光記録開始の位
置等を入力する。この場合、書き換え可能な光ディスク
では電子記憶装置のタイトル等も入力することができ
る。具体的な入力は、書込・読出手段３０の入力装置３
９を介して行われ、その入力信号は送受信アンテナ３１
からＲＦＩＤ１３のコイル１４に向けて特定周波数の電
波に載せて送信される。この信号は２値化されたデジタ
ル信号である。書込・読出手段３０から発せられるデジ
タル信号は、図示しない信号発生器から発せられ変調回
路３４で変調を受ける。無線周波数（ＲＦ）回路３３で
はこの変調した信号を増幅して送受信アンテナ３１から
送信する。この変調には例えばＡＳＫ（振幅変調）、Ｆ
ＳＫ（周波数変調）又はＰＳＫ（位相変調）が挙げられ
る。

【００１６】送信された光ディスクに関する情報信号を
含む電波はＲＦＩＤ１３のコイル１４に受信され、この
受信により電源回路１６ａのコンデンサに電磁誘導で生
じる電力が充電される。このとき、光ディスクの反射膜
１２にはコイル１４に流れる電流の相互誘導により電流
が流れようとするが、反射膜１２に形成された切欠き１
７により、その電流の発生は防止され、そのＱ値の低下
が抑制される。また、反射膜１２の表面に形成された導
電膜１８は反射膜１２とともにコイル１４及びコンデン
サにより構成される共振回路に対して電気抵抗の小さい
回路として影響を及ぼす。導電膜１８には相互誘導によ
り電流が流れるけれども、高周波の場合には導電膜１８
の抵抗が低くても導電膜１８の自己インダクタンスの影
響で流れる電流は増加しないので、抵抗が低ければ損失
は少なくＱ値は高くなる。このため、上記共振回路は導
電膜１８によりそのＱ値が高められ、電源回路１６ａは
電力を整流し安定化して、ＣＰＵ１６ｅに供給し、ＩＣ
チップ１６を活性化する。次いでＩＣチップ１６のＲＦ
回路１６ｂでは復調に必要な信号のみを取込み、復調回
路１６ｄで元のデジタル信号の番組情報の信号を再現さ
せてメモリ１６ｆに記憶させる。このようにして各光デ
ィスク１０のＩＣチップ１６のメモリ１６ｆに情報が記
憶され、このように情報が記憶された光ディスク１０は
それに貼り付けられたラベルに簡単なタイトルを記載し
た後、この状態で開発室に他の比較的多くの光ディスク
とともに同一の場所に保管される。

【００１７】通常の開発業務における光ディスク１０の
識別は、格納場所から近似するタイトルが印刷された複
数の光ディスク１０を選択して取出す。次のこれら複数
の光ディスク１０を送受信アンテナ３１に順次対向させ
る。即ち、書込・読出手段２１は、送受信アンテナ３１
を介して光ディスク２０のコイル１４に特定周波数の電
波を送信してＩＣチップ１６を活性化し、かつそのチッ
プ１６のメモリ１６ｆに対してデータの読出し・書込み
を行い送受信アンテナ３１を介して受信するコイル１４
からの応答信号によりメモリ１７ｆに記憶された光ディ
スク２０に関する情報を非接触で読出してディスプレイ
３８に表示する。

【００１８】具体的に説明すると、光ディスク１０を送
受信アンテナ３１に対向させると、書込・読出手段３０
はその送受信アンテナ３１を介して光ディスク１０のコ
イル１４に向けてその識別コード質問信号を特定周波数
の電波により送信する。この実施の形態における質問信
号は２値化されたデジタル信号である。書込・読出手段
３０から発せられるデジタル信号は、図示しない信号発
生器から発せられ変調回路３４で変調を受ける。ＲＦ回
路３３ではこの変調した信号を増幅して送受信アンテナ
３１から送信する。この変調には例えばＡＳＫ（振幅変
調）、ＦＳＫ（周波数変調）又はＰＳＫ（位相変調）が
挙げられる。

【００１９】送信された質問信号の電波は光ディスク１
０のコイル１４に受信され、この受信により、電源回路
１６ａのコンデンサにはその電磁誘導で生じる電力が充
電される。このとき、光ディスクの反射膜１２にはコイ
ル１４に流れる電流の相互誘導により電流が流れようと
するが、反射膜１２に形成された切欠き１７により、そ
の電流の発生は防止され、そのＱ値の低下が抑制され
る。また、保護膜１２の表面に形成された導電膜１８
は、電源回路１６ａの図示しないコンデンサとコイル１
４からなる共振回路に対して反射膜２２とともに電気抵
抗の小さい回路としての影響を及す。導電膜１８には相
互誘導により電流が流れるが、高周波の場合には導電膜
１８の抵抗が低くても導電膜１８の自己インダクタンス
の影響で流れる電流は増加しないので、抵抗が低ければ
損失は少なくＱ値は高くなる。このため、共振回路は導
電膜１８によりそのＱ値が高められ、電源回路１６ａは
電力を整流し安定化して、ＣＰＵ１６ｅに供給し、ＩＣ
チップ１６を活性化する。次いでＩＣチップ１６のＲＦ
回路１６ｂでは復調に必要な信号のみを取込み、復調回
路１６ｄで元のデジタル信号の質問信号を再現させてメ
モリ１６ｆから光ディスク１０に関するデータを送信す
る。このデータの送信は２値化された識別コードをＩＣ
チップ１６の変調回路１６ｃで変調し、ＲＦ回路１６ｂ
で増幅してコイル１４から送出することにより行われ
る。

【００２０】送信されたデータは送受信アンテナ３１が
受信し、この書込・読出手段３０のＲＦ回路３３で復調
に必要な信号のみを取込み、復調回路３５で元のデジタ
ル信号を再現させてディスプレイ３８に表示させる。デ
ィスプレイ３８に表示された内容により、光ディスク１
０を再生装置に挿入して読み出すことなく、その光ディ
スク１０に関する情報内容を知ることができるので、所
望の光ディスク１０を速やかに探し出すことができる。
また、このようにディスプレイ３８に表示される内容に
より光ディスク１０が特定される結果、光ディスク１０
のラベルにあえて何も記載しなければ、視認による光デ
ィスク１０の特定が不可能になる。このように、光ディ
スクが特定されることに起因する盗難を抑制すること
等、本発明では光ディスクのデータとＲＦＩＤのデータ
を用いた多様な潜在的用途を開発することができる。

【００２１】

【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。＜実施例１＞図１に示すコイル１４とＩＣチップ１６か
らなるＲＦＩＤ１３を形成した。即ち、直径０．５ｍｍ
の被覆導線を一平面上で渦巻き状に５回巻いてコイル１
４を作製した。このコイル１４の内径は３０．５ｍｍで
あり、外径は３５．５ｍｍとした。このコイル１４の両
端にＩＣチップ１６を接続して共振周波数が１３．５Ｍ
ＨｚとなるＲＦＩＤ１３を得た。一方、直径が８ｍｍの
中心孔１１ａを有するポリカーボネートからなる７６ｍ
ｍ×５１ｍｍのディスク基板１１と、この中心孔１１ａ
周囲のディスク基板１１表面に反射膜１２が形成された
いわゆるカード型のコンパクトディスクを用意した。こ
のコンパクトディスクの反射膜１２に、その内縁から幅
が０．１ｍｍの切欠き１７を半径方向に１６ｍｍ形成し
た。このコンパクトディスクのこのように切欠き１７が
形成された反射膜１２上に上記のＲＦＩＤ１３を設け
た。この場合の切欠き１７のコイル１４を横断した先端
からそのコイル１４の外縁間での距離は４．２５ｍｍで
あった。このＲＦＩＤ付光ディスクを実施例１とした。

【００２２】＜実施例２＞コイル１４の外径が３８ｍｍ
であることを除いて実施例１と同一のＲＦＩＤ１３を得
た。そして、切欠き１７を実施例１と同一に形成した実
施例１と同一の光ディスクの反射膜１２上にこのＲＦＩ
Ｄ１３を設けた。この場合の切欠き１７のコイル１４を
横断した先端からそのコイル１４の外縁間での距離は３
ｍｍであった。更に、反射膜１２の切欠き１７の先端に
接する中心孔１１ａと同心の円１２ｄとリードアウト部
１２ｂの間にアルミからなる導電膜１８を直接形成し
た。このときの導電膜１８の幅が１ｃｍであって長さが
１ｃｍであるときの電気抵抗値は０．１Ωであった。こ
のＲＦＩＤ付光ディスクを実施例２とした。

【００２３】＜実施例３＞直径０．４ｍｍの被覆導線を
一平面上で渦巻き状に１０回巻いてコイル１４を作製し
た。このコイル１４の内径は９ｍｍであり、外径は１
７．５ｍｍとした。このコイル１４の両端にＩＣチップ
１６を接続して共振周波数が１３．５ＭＨｚとなるＲＦ
ＩＤ１３を得た。そして、切欠き１７を実施例１と同一
に形成した実施例１と同一の光ディスクの反射膜１２上
にこのＲＦＩＤ１３を設けた。この場合の切欠き１７の
コイル１４を横断した先端からそのコイル１４の外縁間
での距離は１３．３ｍｍであった。このＲＦＩＤ付光デ
ィスクを実施例３とした。

【００２４】＜実施例４＞コイル１４の外径が１８．５
ｍｍであることを除いて実施例３と同一のＲＦＩＤ１３
を得た。そして、切欠き１７を実施例１と同一に形成し
た実施例１と同一の光ディスクの反射膜１２上にこのＲ
ＦＩＤ１３を設けた。この場合の切欠き１７のコイル１
４を横断した先端からそのコイル１４の外縁間での距離
は１２．６ｍｍであった。更に、反射膜１２の切欠き１
７の先端に接する中心孔１１ａと同心の円１２ｄとリー
ドアウト部１２ｂの間に実施例２と同一の導電膜１８を
直接形成した。このＲＦＩＤ付光ディスクを実施例４と
した。

【００２５】＜比較例１＞実施例１と同一のＲＦＩＤを
ポリカーボネートからなる板の上に設けたこの模擬光デ
ィスクを比較例１とした。＜比較例２＞切欠きを形成することなくＲＦＩＤを反射
膜の上に設けたことを除いて実施例１と同一のＲＦＩＤ
付光ディスクを比較例２とした。＜比較例３＞実施例３と同一のＲＦＩＤをポリカーボネ
ートからなる板の上に設けたこの模擬光ディスクを比較
例３とした。

【００２６】＜比較例４＞切欠きを形成することなくＲ
ＦＩＤを反射膜の上に設けたことを除いて実施例３と同
一のＲＦＩＤ付光ディスクを比較例４とした。なお、実
施例１〜４及び比較例１〜４のコイルの外径、そのコイ
ルの外縁と切欠き先端までの距離、反射膜の種類及び導
電膜の有無、並びに導電膜を有する場合のその厚さと幅
１ｃｍで長さ１ｃｍのときの電気抵抗値の関係を表１に
示す。

【００２７】＜比較試験１及び評価＞実施例１〜４及び
比較例１〜４の光ディスクのＲＦＩＤにおけるコイルの
自己インダクタンスＬとＱ値をそれぞれ測定した後、書
込・読出手段３０の送受信アンテナ３１にそれぞれのＲ
ＦＩＤ付光ディスクを近づけて、作動する距離を測定し
た。この結果を表１に示す。

【００２８】

【表１】

【００２９】比較例１及び比較例３の結果から、実施例
に使用したＲＦＩＤは正常に作動するものであることが
判る。しかしこのように正常に作動するＲＦＩＤであっ
ても、比較例２及び比較例４の結果から、光ディスクの
反射膜に切欠きを形成することなく直接設けた後には作
動しなくなることが判る。これは、反射膜１２のコイル
１４に流れる電流による相互誘導により電圧が印加され
て電流が流れ、エネルギーの損失が発生してＲＦＩＤ１
３のＱ値の低下をもたらしたことに起因するものと考え
られる。

【００３０】一方、実施例１及び実施例３の結果から明
らかなように、そのまま設けただけでは作動しないＲＦ
ＩＤ１３であっても反射膜１２に切欠き１７を形成する
ことにより正常に動作するようになることが判る。これ
は、反射膜１２に形成された切欠き１７により、コイル
１４のＱ値に影響を与える反射膜１２における電流の発
生が防止されてＱ値の低下が抑制された結果と考えられ
る。更に、実施例２及び実施例４の結果から明らかなよ
うに、反射膜１２上に導電膜１８を形成すればその作動
距離を伸ばすことができることが判る。これは導電膜１
８によりコイル１４のＱ値の低下が更に抑制されたこと
に起因するものと考えられる。

【００３１】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、中
心孔の周囲を１又は２回以上巻回して形成されたコイル
とこのコイルの両端に接続されたＩＣチップとにより構
成されたＲＦＩＤを、中心孔の孔縁とリードイン部との
間の反射膜の表面に設けたので、ＲＦＩＤとの情報交換
により情報等を発する他の機器との関連においてその光
ディスクに関する情報内容を速やかに知ることができ
る。この場合、反射膜の内縁からコイルを横断して先端
がコイルの外縁から２．５ｍｍ以上離れる半径方向の切
欠きを反射膜に形成したので、コイルに流れる電流によ
る相互誘導により反射膜に電流が流れることを防止し、
このエネルギーの損失に起因するＲＦＩＤのＱ値の低下
を抑制することができる。

【００３２】また、中心孔と同心であって切欠きの先端
に接する円とリードアウト部の間の反射膜に導電膜を直
接又は保護膜を介して形成すれば、導電膜には相互誘導
により電流が流れるが、高周波の場合には導電膜の抵抗
が低くても導電膜の自己インダクタンスの影響で流れる
電流は増加しないので、抵抗が低ければ損失は少なくＱ
値は高くなる。このため、導電膜を設けることによりそ
のＱ値を更に高くして、実際に再生させることなく光デ
ィスクに記録された情報内容を確実に得ることができ
る。なお、導電膜の幅が１ｃｍであって長さが１ｃｍで
あるとき導電膜の電気抵抗値が０．２５Ω以下であれ
ば、導電膜による損失によるＱ値を有効に高めてＲＦＩ
Ｄを確実に作動させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＲＦＩＤ付光ディスクを示す図２のＢ
−Ｂ線断面図。

【図２】その光ディスクの平面図。

【図３】そのＲＦＩＤと書込・読出装置の構成を示す概
念図。

【符号の説明】

１０光ディスク１１ディスク基板１１ａ中心孔１２反射膜１２ａリードイン部１２ｂリードアウト部１２ｃピット１２ｄ切欠きの先端に接する中心孔と同心の円１３ＲＦＩＤ１４コイル１６ＩＣチップ１７切欠き１８導電膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者八幡誠朗東京都千代田区大手町１丁目６番１号知財サービス株式会社内Ｆターム(参考） 5D029 LB03 LC11 MA14 MA18 PA01 VA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】中心孔(11a)を有するディスク基板(11)
の前記中心孔(11a)周囲の表面に反射膜(12)が形成さ
れ、前記反射膜(12)のリードイン部(12a)からリードア
ウト部(12b)の間に情報をピット(12c)として記憶可能に
構成された光ディスク(10)において、前記中心孔(11a)の周囲を１又は２回以上巻回して形成
されたコイル(14)と前記コイル(14)の両端に接続された
ＩＣチップ(16)とにより構成されたＲＦＩＤ(13)が前記
中心孔(11a)の孔縁と前記リードイン部(12a)との間の前
記反射膜(12)の表面に設けられ、前記反射膜(12)の内縁から前記コイル(14)を横断して先
端が前記コイル(14)の外縁から２．５ｍｍ以上離れる半
径方向の切欠き(17)が前記反射膜(12)に形成されたこと
を特徴とするＲＦＩＤ付光ディスク。
【請求項２】中心孔(11a)と同心であって切欠き(17)
の先端に接する円(12d)とリードアウト部(12b)の間の反
射膜(12)に導電膜(18)が直接又は保護膜を介して形成さ
れた請求項１記載のＲＦＩＤ付光ディスク。
【請求項３】導電膜(18)の幅が１ｃｍであって長さが
１ｃｍであるとき前記導電膜(18)の電気抵抗値が０．２
５Ω以下である請求項２記載のＲＦＩＤ付光ディスク。