JP2001308224A - Package for chip component - Google Patents
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ部品用パッ
ケ−ジに関し、より詳細には高周波信号等の伝送特性を
劣化させることなく外部回路と電気的に接続させること
が可能なチップ部品用パッケ−ジに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package for chip components, and more particularly to a package for chip components which can be electrically connected to an external circuit without deteriorating transmission characteristics of high frequency signals and the like. -With respect to di.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、例えば高周波集積回路が搭載
されるパッケ−ジは、誘電体基板上に、高周波集積回路
が搭載され、パッケ−ジ内の高周波集積回路と外部回路
基板の導体パタ−ンとを接続するための高周波用信号線
路が誘電体基板の表面あるいは内部に設けられ、パッケ
−ジを所定の外部回路基板の表面に実装して信号の入出
力が行われる。このような高周波用パッケ−ジにおいて
は、高周波信号特性を劣化させることなく外部回路基板
へ高周波信号を入出力することが可能なパッケ−ジ構造
及び信号線路の形成が求められる。2. Description of the Related Art Conventionally, a package on which a high-frequency integrated circuit is mounted, for example, has a high-frequency integrated circuit mounted on a dielectric substrate, and a high-frequency integrated circuit in the package and a conductor pattern of an external circuit board. A high-frequency signal line for connecting to a circuit is provided on or on the surface of a dielectric substrate, and a package is mounted on a surface of a predetermined external circuit board to input and output signals. In such a high-frequency package, it is required to form a package structure and a signal line capable of inputting and outputting a high-frequency signal to and from an external circuit board without deteriorating high-frequency signal characteristics.
【0003】図8は従来のこの種のチップ部品用パッケ
−ジの主要部分を示した模式図であり、(a)は斜視
図、(b)は(a)におけるB−B線断面図を示してい
る。枠体73の両側面に取り付け孔73aが設けられ、
この取り付け孔73aに誘電体部71が、その一端を枠
体73の側面から外部に前記側面に対して垂直方向に引
き出した状態で配置されている。そして誘電体部71上
面の取り付け孔73a内に誘電体部72が積層配置され
ている。誘電体部71の表面には、この枠体の内外を電
気的に接続する導体パタ−ン71aが複数個形成され、
この導体パタ−ン71aは、外部プリント基板76に形
成された導体パタ−ン76aの接合部と外部リ−ド端子
75を介して電気的に接続されるように構成されてい
る。FIGS. 8A and 8B are schematic views showing the main parts of a conventional package for such a chip component, wherein FIG. 8A is a perspective view, and FIG. 8B is a sectional view taken along the line BB in FIG. Is shown. Mounting holes 73a are provided on both side surfaces of the frame 73,
The dielectric portion 71 is disposed in the mounting hole 73a such that one end thereof is pulled out from the side surface of the frame 73 to the outside in a direction perpendicular to the side surface. The dielectric portion 72 is stacked and arranged in the mounting hole 73a on the upper surface of the dielectric portion 71. A plurality of conductor patterns 71a for electrically connecting the inside and outside of the frame are formed on the surface of the dielectric portion 71,
The conductor pattern 71a is configured to be electrically connected to a joint of the conductor pattern 76a formed on the external printed circuit board 76 via an external lead terminal 75.
【0004】このように構成されたチップ部品用パッケ
−ジでは、外部リ−ド端子75と外部プリント基板76
上の導体パタ−ン76a間、および外部リ−ド端子75
とパッケ−ジの導体パタ−ン71a間では、導体の線路
構造が大きく異なるため、特性インピ−ダンスの不整合
が大きくなり、外部リ−ド端子75と外部プリント基板
76上の導体パタ−ン76aとの接合部、および外部リ
−ド端子75とパッケ−ジの導体パタ−ン71aとの接
合部における、特性インピ−ダンスの不整合を原因とす
る信号反射が大きくなるものであった。[0004] In the package for a chip component configured as described above, an external lead terminal 75 and an external printed circuit board 76 are provided.
Between the upper conductor pattern 76a and the external lead terminal 75
Since the line structure of the conductor greatly differs between the conductor pattern 71a and the package, the mismatch of the characteristic impedance becomes large, and the conductor pattern on the external lead terminal 75 and the external printed board 76 becomes large. The signal reflection due to the characteristic impedance mismatch at the junction with the external lead terminal 75a and the junction with the external lead terminal 75 and the conductor pattern 71a of the package is increased.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記図8に示したチッ
プ部品用パッケ−ジにおいては、上述したように、外部
プリント基板76と電気的に接続する際、外部リ−ド端
子75を使用するため、外部リ−ド端子75と外部プリ
ント基板76上の導体パタ−ン76a間、および外部リ
−ド端子75とパッケ−ジの導体パタ−ン71a間で
は、導体の線路構造が大きく異なるために、特性インピ
−ダンスの不整合が大きくなりやすく、そのため、外部
リ−ド端子75と外部プリント基板76上の導体パタ−
ン76aとの接合部、および外部リ−ド端子75とパッ
ケ−ジの導体パタ−ン71aとの接合部における特性イ
ンピ−ダンスの不整合を原因とする信号反射が大きくな
りやすく信号の伝送特性が劣化するという課題があっ
た。In the package for chip components shown in FIG. 8, the external lead terminals 75 are used when electrically connecting to the external printed circuit board 76, as described above. Therefore, the line structure of the conductor is significantly different between the external lead terminal 75 and the conductor pattern 76a on the external printed circuit board 76 and between the external lead terminal 75 and the conductor pattern 71a of the package. In addition, the mismatch of the characteristic impedance is likely to be large, so that the external lead terminals 75 and the conductor pattern on the external printed circuit board 76 are not easily formed.
Signal reflection due to characteristic impedance mismatch at the junction with the lead 76a and the junction between the external lead terminal 75 and the conductor pattern 71a of the package is likely to increase, and the signal transmission characteristics However, there was a problem that the steel was deteriorated.
【0006】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、パッケ−ジと外部回路基板との接合強度を高め、
電気的に接合される部分の特性インピ−ダンスの不整合
を小さくして、信号反射を小さくすることが可能な、特
に高周波域での伝送特性に優れたチップ部品用パッケ−
ジを提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has an object to increase the bonding strength between a package and an external circuit board.
A package for chip parts which is capable of reducing the mismatch of the characteristic impedance of the part to be electrically joined and reducing the signal reflection, and particularly has excellent transmission characteristics in a high frequency range.
The purpose is to provide
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るチップ部品用パッケ−ジ
(1)は、チップ部品を収納するためのキャビティ部を
備えたチップ部品用パッケ−ジにおいて、前記チップ部
品が電気的に接続される導体パタ−ンが形成された第1
の誘電体部と、該第1の誘電体部の上面に積層され、前
記導体パタ−ンに接続されて外部へ引き出される導電部
を備えた第2の誘電体部とを備えていることを特徴とし
ている。In order to achieve the above object, a package for chip parts according to the present invention is provided with a package for a chip part having a cavity for accommodating chip parts. Wherein a conductor pattern to which the chip component is electrically connected is formed.
And a second dielectric portion having a conductive portion laminated on the upper surface of the first dielectric portion and connected to the conductor pattern and drawn to the outside. Features.
【0008】上記したチップ部品用パッケ−ジ(1)に
よれば、前記チップ部品が電気的に接続される導体パタ
−ンが形成された第1の誘電体部と、該誘電体部の上面
に積層され、前記導体パタ−ンに接続されて外部へ引き
出される導電部を備えた第2の誘電体部とを備えている
ので、該第2の誘電体部の導電部と外部回路の導体パタ
−ンとを電気的に接続することができ、前記第1の誘電
体部の導体パタ−ンと前記第2の誘電体部の導電部との
間、及び前記第2の誘電体部の導電部と前記外部回路の
導体パタ−ンとの間における導体の線路構造を大きく変
化させることなく、電気的接続を行うことができる。従
って、接続部での特性インピ−ダンスの不整合を小さく
して、反射損失を減少させることができる。[0008] According to the chip component package (1), the first dielectric portion on which the conductor pattern to which the chip component is electrically connected is formed, and the upper surface of the dielectric portion. And a second dielectric portion having a conductive portion connected to the conductor pattern and drawn out to the outside. Therefore, the conductive portion of the second dielectric portion and the conductor of the external circuit are provided. And a conductive pattern between the conductor pattern of the first dielectric part and the conductive part of the second dielectric part, and a conductive part of the second dielectric part. Electrical connection can be made without significantly changing the line structure of the conductor between the conductive portion and the conductor pattern of the external circuit. Therefore, it is possible to reduce the mismatch of the characteristic impedance at the connection portion and reduce the reflection loss.
【0009】また、本発明に係るチップ部品用パッケ−
ジ(2)は、上記チップ部品用パッケ−ジ(1)におい
て、前記導電部が、端子板、金属箔、または導体パタ−
ンのいずれかで形成されていることを特徴としている。
上記したチップ部品用パッケ−ジ(2)によれば、パッ
ケ−ジの形状や外部回路基板との接合方式に合わせて、
前記第2の誘電体部の導電部の形態として端子板、金属
箔または導体パタ−ンのいずれかを選択すればよく、様
々な種類のパッケ−ジや前記外部回路基板の形態に適合
させることができる。Further, a package for a chip component according to the present invention is provided.
The chip (2) is the chip component package (1), wherein the conductive portion is a terminal plate, a metal foil, or a conductor pattern.
It is characterized by being formed of any one of the following.
According to the package for chip components (2) described above, according to the shape of the package and the bonding method with the external circuit board,
Any of a terminal plate, a metal foil, and a conductor pattern may be selected as the form of the conductive portion of the second dielectric portion, and the form is adapted to various types of packages and the form of the external circuit board. Can be.
【0010】また、本発明に係るチップ部品用パッケ−
ジ(3)は、上記チップ部品用パッケ−ジ(1)又は
(2)において、前記第2の誘電体部に、金属部が積層
されていることを特徴としている。上記したチップ部品
用パッケ−ジ(3)によれば、前記第2の誘電体部に、
金属部が積層されているため、前記第2の誘電体部を補
強できるとともに、シ−ルド効果や放熱特性を高めるこ
とができる。[0010] A package for chip parts according to the present invention.
The die (3) is characterized in that, in the chip component package (1) or (2), a metal part is laminated on the second dielectric part. According to the chip component package (3), the second dielectric portion includes:
Since the metal portion is laminated, the second dielectric portion can be reinforced, and the shielding effect and the heat radiation characteristics can be enhanced.
【0011】また、本発明に係るチップ部品用パッケ−
ジ(4)は、上記チップ部品用パッケ−ジ(1)〜
(3)のいずれかにおいて、前記第2の誘電体部に、外
部と接続するための外部接続パッド部が形成されている
ことを特徴としている。上記したチップ部品用パッケ−
ジ(4)によれば、前記第2の誘電体部に、外部と接続
するための外部接続パッド部が形成されているため、外
部回路パタ−ンとの接合を容易なものとし、かつ接合強
度を高めることができる。Further, a package for chip parts according to the present invention is provided.
The package (4) is a package (1) to
(3) In any one of the constitutions (3), an external connection pad portion for connecting to the outside is formed on the second dielectric portion. Package for chip components described above
According to the device (4), since the external connection pad for connecting to the outside is formed in the second dielectric portion, the connection with the external circuit pattern is facilitated and the connection is made easily. Strength can be increased.
【0012】また、本発明に係るチップ部品用パッケ−
ジ(5)は、上記チップ部品用パッケ−ジ(1)〜
(4)のいずれかにおいて、前記チップ部品が、高周波
駆動用集積回路であることを特徴としている。上記した
チップ部品用パッケ−ジ(5)によれば、前記チップ部
品が、高周波駆動用集積回路であるので、高周波域にお
いて特に問題となる外部との接続部分の特性インピ−ダ
ンスの不整合が大きくなり伝送特性が劣化し易いといっ
た問題を解消し、伝送特性に優れたチップ部品用パッケ
−ジとすることができる。Further, a package for a chip component according to the present invention is provided.
The chip (5) is the package for chip parts (1) to
(4) In any one of (4) and (4), the chip component is an integrated circuit for high-frequency driving. According to the chip component package (5), since the chip component is a high-frequency driving integrated circuit, the characteristic impedance of the connection portion with the outside, which is particularly problematic in a high-frequency range, is not matched. The problem that the transmission characteristics become large and the transmission characteristics are easily deteriorated can be solved, and a package for chip parts having excellent transmission characteristics can be obtained.
【0013】また、本発明に係るチップ部品用パッケ−
ジ(6)は、上記チップ部品用パッケ−ジ(1)〜
(5)のいずれかにおいて、前記第2の誘電体部が外部
基板に表面接続されるものであることを特徴としてい
る。上記したチップ部品用パッケ−ジ(6)によれば、
前記第2の誘電体部が外部基板に表面接続されるもので
あるので、外部基板への装着が容易となり、低コスト化
を図ることができる。Further, a package for chip parts according to the present invention is provided.
The package (6) is a package (1) to
(5) In any one of the constitutions (5), the second dielectric portion is surface-connected to an external substrate. According to the chip component package (6) described above,
Since the second dielectric portion is surface-connected to the external substrate, it can be easily mounted on the external substrate and cost can be reduced.
【0014】また、本発明に係るチップ部品用パッケ−
ジ(7)は、上記チップ部品用パッケ−ジ(1)〜
(5)のいずれかにおいて、前記第2の誘電体部が外部
基板に挿入接続されるものであることを特徴としてい
る。上記したチップ部品用パッケ−ジ(7)によれば、
前記第2の誘電体部が外部基板に挿入接続されるもので
あるので、従来挿入接続で、リ−ド端子を使用していた
ものを、この形態を変更することなくパッケ−ジの前記
第2の誘電体部の導電部を外部基板に挿入接続させるこ
とができ、電気的接続部における特性インピ−ダンスの
不整合を小さくして、反射損失を減少させ、また外部回
路基板との接続強度を高めることができる。Further, a package for a chip component according to the present invention is provided.
The package (7) is a package (1) to
(5) In any one of the constitutions (5), the second dielectric portion is inserted and connected to an external substrate. According to the chip component package (7) described above,
Since the second dielectric part is inserted and connected to the external substrate, the conventional insertion connection using lead terminals can be replaced by the first part of the package without changing this form. (2) The conductive portion of the dielectric portion can be inserted and connected to the external substrate, thereby reducing the characteristic impedance mismatch at the electrical connection portion, reducing the reflection loss, and connecting strength with the external circuit substrate. Can be increased.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るチップ部品用
パッケ−ジの実施の形態を図面に基づいて説明する。図
1は実施の形態(1)に係るチップ部品用パッケ−ジの
主要部分を模式的に示した図であり、(a)は斜視図、
(b)は(a)におけるB−B線断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a package for a chip component according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram schematically showing a main part of a package for chip components according to an embodiment (1), (a) is a perspective view,
(B) is a sectional view taken along line BB in (a).
【0016】誘電体部11はセラミック等を用いて構成
され、金属等からなる枠体15の内部に設置されるもの
であり、誘電体部11の上面には、導体パタ−ン11a
が形成され、その一端が枠体15内部のキャビティ内に
搭載される高周波駆動用集積回路であるチップ部品(図
示せず)とワイヤボンディングにより接続され、他端が
誘電体部11の上面に積層配置される誘電体部12の導
電部12aと電気的に接続されている。誘電体部12
は、その一端が枠体15の側面から外部に前記側面に対
して垂直方向に引き出された状態で誘電体部11の上面
に積層配置されている。誘電体部11との接合面には、
導体パタ−ン11aと導通する導体パタ−ンからなる導
電部12aが形成され、外部回路基板16の導体パタ−
ン16aと電気的に接続されるようになっている。誘電
体部12の上面に積層されている金属板部13は、誘電
体部12の機械的強度を補うと同時に、ノイズに対する
シ−ルド効果を付与し、さらにはパッケ−ジの放熱特性
を高める役割を果たしている。金属板部13および枠体
15の上方に接合される金属製のシ−ル部14は、その
上部にパッケ−ジ内部を気密に封止するための金属等か
らなる蓋(図示せず)がガラス、樹脂、ロウ材等により
接合封止されるようになっている。The dielectric portion 11 is made of ceramic or the like, and is installed inside a frame 15 made of metal or the like. On the upper surface of the dielectric portion 11, a conductor pattern 11a is provided.
And one end thereof is connected by wire bonding to a chip component (not shown), which is an integrated circuit for high-frequency driving mounted in a cavity inside the frame 15, and the other end is laminated on the upper surface of the dielectric portion 11. It is electrically connected to the conductive part 12a of the dielectric part 12 to be arranged. Dielectric part 12
Are stacked on the upper surface of the dielectric portion 11 with one end thereof pulled out from the side surface of the frame 15 to the outside in a direction perpendicular to the side surface. On the joint surface with the dielectric part 11,
A conductive portion 12a made of a conductor pattern that is conductive with the conductor pattern 11a is formed, and the conductor pattern of the external circuit board 16 is formed.
Is electrically connected to the connection 16a. The metal plate portion 13 laminated on the upper surface of the dielectric portion 12 supplements the mechanical strength of the dielectric portion 12 and at the same time imparts a shield effect against noise and further enhances the heat radiation characteristics of the package. Plays a role. A metal seal portion 14 joined above the metal plate portion 13 and the frame body 15 has a lid (not shown) made of metal or the like for hermetically sealing the inside of the package above the metal seal portion 14. It is designed to be joined and sealed with glass, resin, brazing material or the like.
【0017】なお、誘電体部11および誘電体部12
は、アルミナやムライト等のセラミック材料の他、ガラ
スセラミック等の無機系の材料、樹脂系材料や樹脂−セ
ラミック複合材料などを用いて形成され、これら誘電体
部11および誘電体部12の厚みや長さ等の寸法は、使
用されるチップ部品の信号特性や特性インピ−ダンスな
どに応じて設定すべきものである。また、導体パタ−ン
11aや導電部12aは、例えば銅、銀、金、タングス
テンやモリブデン等の金属材料を用いて形成され、その
厚みや幅なども、使用されるチップ部品の信号特性や特
性インピ−ダンスなどに応じて設定されるべきものであ
る。また、金属板部13の構成材料としては、例えば銅
−タングステン系合金、銅−モリブデン系合金、鉄−ニ
ッケル−コバルト系合金や鉄−ニッケル系合金などが挙
げられ、その厚みなどの寸法は、使用されるチップ部品
の放熱特性や誘電体部12の強度や熱膨張係数の整合性
などを考慮して適宜設定されるものである。The dielectric portion 11 and the dielectric portion 12
Is formed using an inorganic material such as a glass ceramic, a resin material, a resin-ceramic composite material, or the like, in addition to a ceramic material such as alumina or mullite. The dimensions such as the length should be set according to the signal characteristics and characteristic impedance of the chip component used. The conductor pattern 11a and the conductive portion 12a are formed using a metal material such as copper, silver, gold, tungsten, molybdenum, and the like, and the thickness and width of the conductor pattern 11a and the conductive portion 12a are determined by the signal characteristics and characteristics of the chip component used. It should be set according to the impedance and the like. Examples of the constituent material of the metal plate portion 13 include, for example, a copper-tungsten alloy, a copper-molybdenum alloy, an iron-nickel-cobalt alloy, an iron-nickel alloy, and the like. It is appropriately set in consideration of the heat radiation characteristics of the chip component used, the strength of the dielectric portion 12, the consistency of the thermal expansion coefficient, and the like.
【0018】上記したチップ部品用パッケ−ジ10によ
れば、チップ部品が電気的に接続される導体パタ−ン1
1aが形成された誘電体部11と、誘電体部11の上面
に積層配置され、導体パタ−ン11aに接続されて外部
へ引き出される導電部12aを備えた誘電体部12とを
備えているので、誘電体部12の導電部12aと外部回
路基板16の導体パタ−ン16aとを電気的に接続する
ことにより、誘電体部11の導体パタ−ン11aと誘電
体部12の導電部12aとの間、及び誘電体部12の導
電部12aと外部回路基板16の導体パタ−ン16aと
の間における導体の線路構造を大きく変化させることな
く、電気的接続を行うことができる。従って、電気的接
続部における特性インピ−ダンスの不整合を小さくし
て、反射損失を減少させることができる。According to the chip component package 10 described above, the conductor pattern 1 to which the chip components are electrically connected.
A dielectric portion 11 having a dielectric portion 1a formed thereon and a dielectric portion 12 having a conductive portion 12a, which is laminated on the upper surface of the dielectric portion 11 and is connected to the conductor pattern 11a and drawn out, are provided. Therefore, by electrically connecting the conductive portion 12a of the dielectric portion 12 and the conductive pattern 16a of the external circuit board 16, the conductive pattern 11a of the dielectric portion 11 and the conductive portion 12a of the dielectric portion 12 are electrically connected. , And between the conductive portion 12a of the dielectric portion 12 and the conductor pattern 16a of the external circuit board 16 without significantly changing the line structure of the conductor. Therefore, it is possible to reduce the mismatch of the characteristic impedance at the electrical connection portion and reduce the reflection loss.
【0019】また、上記実施の形態(1)におけるチッ
プ部品用パッケ−ジ10では、導電部12aが導体パタ
−ンにより構成されているが、導電部12aは導体パタ
−ンに限定されるものではなく、パッケ−ジの形状や外
部回路基板との接合方式に合わせて、誘電体部12の導
電部12aを適当な線長あるいは線幅の端子板、金属箔
で構成してもよく、パッケ−ジの種類や形状に合わせて
適切な導電部を選択することができ、電気的接続部にお
ける特性インピ−ダンスの不整合を小さくして容易に反
射損失を減少させることができる。In the package 10 for a chip component according to the first embodiment, the conductive portion 12a is formed of a conductor pattern, but the conductive portion 12a is limited to a conductor pattern. Instead, the conductive portion 12a of the dielectric portion 12 may be made of a terminal plate or a metal foil having an appropriate line length or line width in accordance with the shape of the package and the bonding method with the external circuit board. -An appropriate conductive portion can be selected according to the type and shape of the die, and the mismatch in characteristic impedance at the electrical connection portion can be reduced to easily reduce the reflection loss.
【0020】また、チップ部品が高周波駆動用集積回路
であるので高周波域において特に問題となる外部との接
続部分の特性インピ−ダンスの不整合が大きくなり伝送
特性が劣化し易いといった問題を解消し、伝送特性に優
れたチップ部品用パッケ−ジ10とすることができる。
また、誘電体部12の導電部12aと外部回路基板16
上の導体パタ−ン16aとが表面接続されるので、外部
回路基板16へのチップ部品パッケ−ジ10の装着が容
易となり、接合強度を高めることができると同時に低コ
スト化を図ることができる。Further, since the chip component is a high-frequency driving integrated circuit, the problem that the characteristic impedance mismatch at the connection portion with the outside, which is particularly problematic in the high-frequency range, becomes large, and the transmission characteristics are easily degraded is solved. And a package 10 for chip parts having excellent transmission characteristics.
The conductive portion 12a of the dielectric portion 12 and the external circuit board 16
Since the upper conductor pattern 16a is surface-connected, the mounting of the chip component package 10 on the external circuit board 16 becomes easy, so that the bonding strength can be increased and the cost can be reduced. .
【0021】図2は、実施の形態(2)に係るチップ部
品用パッケ−ジを示す模式図であり、(a)は平面図、
(b)は正面図、(C)は側面図である。また、図3
は、実施の形態(2)に係るチップ部品用パッケ−ジを
外部回路基板に実装した状態を示す模式図であり、
(a)は平面図、(b)は(a)におけるB−B線断面
図である。FIG. 2 is a schematic view showing a package for chip components according to the embodiment (2), wherein (a) is a plan view,
(B) is a front view, (C) is a side view. FIG.
FIG. 4 is a schematic diagram showing a state in which the package for chip components according to Embodiment (2) is mounted on an external circuit board;
(A) is a plan view, (b) is a cross-sectional view taken along the line BB in (a).
【0022】接続部材26は、パッケ−ジを放熱板32
(図3(b))等の外部部材に固定するためのものであ
り、伝熱特性に優れた銅−タングステン系の合金等から
成り、両端部近傍にはボルト(図示せず)等が挿通され
る取り付け孔26aが設けられている。接続部材26上
にはロウ付け等の方法で金属等からなる枠体25が接合
され、枠体25は誘電体部21、22を設置するための
収容部25bを備えている。また、枠体25の一側面に
は金属等からなる筒体27が接合され、この筒体27に
は光ファイバ−等が挿通されるようになっている。ま
た、枠体25の内側領域の略中央部は光電変換素子等の
チップ部品(図示せず)を搭載するためのスペ−ス25
aとなっている。この枠体25の収容部25bには、誘
電体部21が設置され、誘電体部21の表面には、パッ
ケ−ジ内部に搭載されるチップ部品とパッケ−ジ外部の
回路基板31(図3)とを電気的に接続するための導体
パタ−ン21aが被着形成されている。この導体パタ−
ン21aは、マイクロストリップ線路、ストリップ線
路、またはグランデッドコプレナ等の伝送線路構造をと
ることができ、伝送線路構造パタ−ンの調整を行うこと
により、信号線路としての導体パタ−ン21aの特性イ
ンピ−ダンスを調整することができる。また、導体パタ
−ン21aの一端部は、導体パタ−ン21aとチップ部
品(図示せず)とを電気的に接続するためのパット部2
1bとなっている。The connecting member 26 is formed by connecting the package to a heat sink 32.
(FIG. 3 (b)) for fixing to an external member such as a copper-tungsten alloy having excellent heat transfer characteristics, and bolts (not shown) inserted near both ends. Mounting hole 26a is provided. A frame 25 made of metal or the like is joined onto the connection member 26 by a method such as brazing, and the frame 25 has a housing portion 25b for installing the dielectric portions 21 and 22. A cylindrical body 27 made of metal or the like is joined to one side surface of the frame 25, and an optical fiber or the like is inserted into the cylindrical body 27. A substantially central portion of the inner area of the frame 25 is provided with a space 25 for mounting chip components (not shown) such as photoelectric conversion elements.
a. A dielectric portion 21 is installed in the housing portion 25b of the frame 25, and a chip component mounted inside the package and a circuit board 31 outside the package (FIG. 3) are provided on the surface of the dielectric portion 21. And a conductor pattern 21a for electrical connection between the conductor pattern 21a. This conductor pattern
The transmission line 21a can have a transmission line structure such as a microstrip line, a strip line, or a grounded coplanar. By adjusting the transmission line structure pattern, the conductor pattern 21a as a signal line can be formed. The characteristic impedance can be adjusted. One end of the conductor pattern 21a is provided with a pad portion 2 for electrically connecting the conductor pattern 21a to a chip component (not shown).
1b.
【0023】誘電体部21の上面には、その一端が枠体
25の側面から該側面に対して垂直方向に外部に引き出
された状態で誘電体部22が積層配置されている。誘電
体部22の誘電体部21との接合面には、導体パタ−ン
21aと導通する導電部22aが形成され、導体パタ−
ン21aと導電部22aとによりパッケ−ジ内部のチッ
プ部品とパッケ−ジ外部の回路基板31とを電気的に接
続する導電部28が構成されている。また、外部の回路
基板31と接合するための接合パッド部22bが外部に
引き出された導電部22aの一端に形成されている。こ
の導電部22aは、マイクロストリップ線路、ストリッ
プ線路、またはグランデッドコプレナ等の伝送線路構造
をとることができ、伝送線路構造パタ−ンの調整を行う
ことにより、信号線路としての導電部22aの特性イン
ピ−ダンスを調整することができる。On the upper surface of the dielectric portion 21, the dielectric portion 22 is stacked and arranged with one end thereof being drawn out from the side surface of the frame 25 in the direction perpendicular to the side surface. A conductive portion 22a that is electrically connected to the conductor pattern 21a is formed on a joint surface of the dielectric portion 22 with the dielectric portion 21.
The conductive portion 28 electrically connects the chip components inside the package and the circuit board 31 outside the package with the component 21a and the conductive portion 22a. Further, a bonding pad portion 22b for bonding to the external circuit board 31 is formed at one end of the conductive portion 22a which is drawn out. The conductive portion 22a can have a transmission line structure such as a microstrip line, a strip line, or a grounded coplanar. By adjusting the transmission line structure pattern, the conductive portion 22a as a signal line can be formed. The characteristic impedance can be adjusted.
【0024】誘電体部22の上面に積層される金属板部
23は、例えば銅−タングステン系合金等から構成さ
れ、誘電体部22の機械的強度を補うと同時に、ノイズ
に対するシ−ルド効果を付与し、さらにはパッケ−ジの
放熱特性を高める役割を果たしている。枠体25および
金属板部23の上方には金属製のシ−ル部24が接合さ
れ、その上部には、パッケ−ジ内部を気密に封止するた
めの金属等からなる蓋(図示せず)が半田、ロウ付け等
により接合されるようになっている。The metal plate portion 23 laminated on the upper surface of the dielectric portion 22 is made of, for example, a copper-tungsten alloy or the like, and supplements the mechanical strength of the dielectric portion 22 and at the same time has a shielding effect on noise. And further serves to enhance the heat dissipation characteristics of the package. A metal seal portion 24 is joined above the frame 25 and the metal plate portion 23, and a lid (not shown) made of metal or the like for hermetically sealing the inside of the package is provided above the metal seal portion 24. ) Are joined by soldering, brazing, or the like.
【0025】このように構成されたチップ部品用パッケ
−ジ20を使用する場合、図3において、信号は外部基
板31の導体パタ−ン31aから導電部28端部のパッ
ド部22bより導電部22a、導体パタ−ン21a、そ
して導体パタ−ン21a端部のパッド部21bを介して
ボンディングワイヤからチップ部品(図示せず)に入力
される一方、チップ部品より、ボンディングワイヤ、導
体パタ−ン21a端部のパッド部21b、導体パタ−ン
21a、導電部22aを介して導電部28端部のパッド
部22bから外部基板31の導体パタ−ン31aに出力
される。When the chip component package 20 constructed as described above is used, in FIG. 3, signals are transmitted from the conductor pattern 31a of the external substrate 31 to the conductive portion 22a from the pad portion 22b at the end of the conductive portion 28. , A conductor pattern 21a, and a pad part 21b at the end of the conductor pattern 21a are inputted from a bonding wire to a chip component (not shown), while the bonding wire and the conductor pattern 21a are inputted from the chip component. The signal is output from the pad portion 22b at the end of the conductive portion 28 to the conductor pattern 31a of the external substrate 31 via the pad portion 21b at the end portion, the conductor pattern 21a, and the conductive portion 22a.
【0026】上記説明から明らかなように、実施の形態
(2)に係るチップ部品用パッケ−ジ20によれば、チ
ップ部品が電気的に接続される導体パタ−ン21aが形
成された誘電体部21と、誘電体部21の上面に積層配
置され、導体パタ−ン21aに接続されて外部へ引き出
される導電部22aを備えた誘電体部22とを備えてい
るので、誘電体部22の導電部22aと外部回路基板3
1の導体パタ−ン31aとを電気的に接続することがで
き、誘電体部21の導体パタ−ン21aと誘電体部22
の導電部22aとの間、及び誘電体部22の導電部22
aと外部回路基板31の導体パタ−ン31aとの間にお
ける導体の線路構造を大きく変化させることなく、電気
的接続を行うことができる。従って、電気的接続部にお
ける特性インピ−ダンスの不整合を小さくして、反射損
失を減少させることができる。As is clear from the above description, according to the package 20 for the chip component according to the embodiment (2), the dielectric member in which the conductor pattern 21a to which the chip component is electrically connected is formed. And a dielectric portion 22 provided on the upper surface of the dielectric portion 21 and having a conductive portion 22a connected to the conductor pattern 21a and drawn to the outside. Conductive part 22a and external circuit board 3
The first conductor pattern 31a and the second conductor pattern 31a can be electrically connected to each other.
And the conductive portion 22a of the dielectric portion 22
a and the conductor pattern between the conductor pattern 31a of the external circuit board 31 can be electrically connected without greatly changing the line structure of the conductor. Therefore, it is possible to reduce the mismatch of the characteristic impedance at the electrical connection portion and reduce the reflection loss.
【0027】また、枠体25に、接続部材26が接合さ
れているため、枠体25を補強できるとともに、チップ
部品用パッケ−ジ20の発熱量を接合部材26を介して
効率的に放熱板32へ放熱でき、放熱特性をさらに高め
ることができる。また、誘電体部22の導電部22aの
一端に、外部回路基板31と接続するための外部接続パ
ッド部22bが形成されているため、外部回路基板31
の導体パタ−ン31aとの接合を容易なものとし、かつ
接合強度を高めることができる。Further, since the connecting member 26 is joined to the frame 25, the frame 25 can be reinforced and the amount of heat generated by the chip component package 20 can be efficiently reduced via the joining member 26. 32 can be dissipated, and the heat dissipation characteristics can be further improved. Further, since the external connection pad portion 22b for connecting to the external circuit board 31 is formed at one end of the conductive portion 22a of the dielectric portion 22, the external circuit board 31
Can be easily joined to the conductor pattern 31a, and the joining strength can be increased.
【0028】なお、図2および図3に示す実施の形態
(2)に係るチップ部品用パッケ−ジ20では、外部信
号端子が14本の例を示しているが、本発明に係るチッ
プ部品用パッケ−ジにおける端子数は何ら14本に限定
されるものではない。また、上記実施の形態(2)に係
るチップ部品用パッケ−ジ20では、誘電体部21、2
2が、それぞれ各1層で構成されている場合について説
明したが、別の実施の形態のものでは、これら誘電体部
21、22が、多層構造をとることも可能である。The package 20 for a chip component according to the embodiment (2) shown in FIGS. 2 and 3 shows an example in which there are 14 external signal terminals. The number of terminals in the package is not limited to 14 at all. In the package 20 for a chip component according to the embodiment (2), the dielectric portions 21 and 2
2 has been described as having one layer each. However, in another embodiment, these dielectric portions 21 and 22 may have a multilayer structure.
【0029】また、上記実施の形態(2)に係るチップ
部品用パッケ−ジ20では、誘電体部22がパッケ−ジ
側面に対して垂直に引き出された場合について説明した
が、別の実施の形態では、誘電体部22をパッケ−ジ側
面に対して平行に下面方向に引き出す形態としてもよ
く、かかる構成とすることにより、誘電体部22の一端
部を外部回路基板31に形成された透孔に挿入して導電
部22aを外部回路基板側の配線パタ−ンと電気的に接
続することも可能である。このような構成によれば、誘
電体部22が外部回路基板31に挿入接続されるもので
あるので、従来挿入接続にリ−ド端子を使用していたも
のを、この形態を変更することなくパッケ−ジの誘電体
部22の導電部22aを外部回路基板31に挿入接続さ
せることができ、電気的接続部における特性インピ−ダ
ンスの不整合を小さくして、反射損失を減少させ、また
外部回路基板との接続強度を高めることができる。In the package 20 for a chip component according to the above embodiment (2), the case where the dielectric portion 22 is drawn out perpendicular to the side surface of the package has been described. In the embodiment, the dielectric portion 22 may be pulled out in the direction of the lower surface in parallel with the side surface of the package. With such a configuration, one end of the dielectric portion 22 is formed on the external circuit board 31 through the transparent portion. It is also possible to electrically connect the conductive portion 22a to the wiring pattern on the external circuit board side by inserting it into the hole. According to such a configuration, since the dielectric portion 22 is inserted and connected to the external circuit board 31, the conventional structure using lead terminals for insertion connection can be used without changing this form. The conductive portion 22a of the dielectric portion 22 of the package can be inserted and connected to the external circuit board 31, thereby reducing the characteristic impedance mismatch at the electrical connection portion, reducing the reflection loss, and reducing the external loss. The connection strength with the circuit board can be increased.
【0030】また、上記実施の形態(2)に係るチップ
部品用パッケ−ジでは、チップ部品として光ファイバ−
が接続される光電変換素子を搭載するパッケ−ジについ
て説明したが、本発明に係るチップ部品用パッケ−ジは
何らこれに限定されるものではなく、搭載されるチップ
部品としてはICチップの他、電気信号を処理するチッ
プ部品であれば何でもよく、またパッケ−ジのタイプと
しては上記したタイプの他、QFPタイプのパッケ−ジ
にも同様に適用可能であり、要は従来リ−ド端子を使用
して外部回路基板と接続していたタイプのパッケ−ジに
はすべて適応可能である。In the package for chip components according to the embodiment (2), an optical fiber is used as the chip component.
Has been described, but the package for chip components according to the present invention is not limited to this, and the chip components to be mounted may be other than IC chips. Any type of chip parts can be used as long as it can process electric signals. In addition to the above-mentioned types, the present invention can be applied to QFP type packages. The present invention can be applied to any type of package that has been connected to an external circuit board by using.
【0031】[0031]
【実施例及び比較例】以下、実施例及び比較例に係るチ
ップ部品用パッケ−ジを用い、パッケ−ジの高周波信号
の通過特性及び反射特性を解析した結果について説明す
る。図4(a)は比較例1に係る従来構造のパッケ−ジ
において、パッケ−ジと外部回路基板との接続部を示す
部分平面図であり、図4(b)は(a)におけるB−B
線断面図である。図5(a)は実施例1に係る本発明構
造のパッケ−ジにおいて、パッケ−ジと外部回路基板と
の接続部を示す部分平面図であり、図5(b)は(a)
におけるB−B線断面図である。EXAMPLES AND COMPARATIVE EXAMPLES The results of analyzing the high-frequency signal passing characteristics and reflection characteristics of the packages using the chip component packages according to the examples and the comparative examples will be described below. FIG. 4A is a partial plan view showing a connection portion between a package and an external circuit board in a package having a conventional structure according to Comparative Example 1, and FIG. B
It is a line sectional view. FIG. 5A is a partial plan view showing a connection portion between the package and an external circuit board in the package having the structure according to the first embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line BB in FIG.
【0032】図4に示した比較例1では、誘電体基板4
1の表面に誘電体部42と金属製シ−ル部43で形成さ
れた枠体44を挟んで信号線層41aが形成され、信号
線層41aの周囲にギャップgを介してグランド層45
が形成されている。また、誘電体基板41の裏面には、
グランド層45が形成されている。この信号線層41a
と外部回路基板50側の導体パタ−ン50aとを半田等
によりリ−ド端子46を介して電気的に接続している。
また、外部回路基板50にはグランド層50bが形成さ
れている。In Comparative Example 1 shown in FIG.
A signal line layer 41a is formed on the surface of the frame 1 with a frame body 44 formed of a dielectric portion 42 and a metal seal portion 43 interposed therebetween, and a ground layer 45 is formed around the signal line layer 41a via a gap g.
Are formed. Also, on the back surface of the dielectric substrate 41,
A ground layer 45 is formed. This signal line layer 41a
The conductor pattern 50a on the external circuit board 50 side is electrically connected to the conductor pattern 50a via a lead terminal 46 by soldering or the like.
In addition, a ground layer 50b is formed on the external circuit board 50.
【0033】以下に比較例における各部材の仕様につい
て示す。 誘電体基板41の構成材料:アルミナ(εr 9.7) 厚みT1 :0.4mm 誘電体基板42の構成材料:アルミナ(εr 9.7) 厚みT2 :0.4mm 金属性シ−ル部43の構成材料:完全導体 厚みT3 :0.4mm 信号線層41aの構成材料:完全導体 幅W1 :1.2mm 幅W2 :0.6mm 長さl3 :1.5mm 長さl4 :1.5mm 長さl5 :1.5mm ギャップgの幅g1 :0.3mm リ−ド端子46の構成材料:完全導体 幅W3 :0.5mm 長さl6 :2.0mm 厚みT5 :0.15mm グランド層45の構成材料:完全導体 グランド層50bの構成材料:完全導体 導体パタ−ン50aの構成材料:完全導体 幅W4 :1.5mm 長さl1 :1.5mm 外部回路基板50の構成材料:FR4(εr 4.7) 厚みT9 :0.3mm 図5に示した実施例1の構造では、誘電体基板61の表
面に信号線層61aが形成され、信号線層61aの周囲
にギャップgを介してグランド層65が形成されてい
る。また、誘電体基板61の上面には、誘電体部62が
誘電体基板61よりも外部に引き出された状態で積層さ
れ、その接合面には、信号線層62aが形成され、誘電
体基板61の信号線層61aと半田等により電気的に接
続されている。この接合部における信号線層61a、6
2aの線路幅は、それ以外の部分の線路幅よりも狭く設
定してある。そして、誘電体基板61の裏面にはグラン
ド層65が形成されている。この信号線層62aと外部
回路基板50側の導体パタ−ン50aとを電気的に接続
している。また、外部回路基板50にはグランド層50
bが形成されている。The specifications of each member in the comparative example are shown below. Constituent material of dielectric substrate 41: alumina (ε r 9.7) Thickness T 1 : 0.4 mm Constituent material of dielectric substrate 42: alumina (ε r 9.7) Thickness T 2 : 0.4 mm Metallic sheath Material of complete part 43: Complete conductor Thickness T 3 : 0.4 mm Material of signal line layer 41a: Perfect conductor Width W 1 : 1.2 mm Width W 2 : 0.6 mm Length l 3 : 1.5 mm Length l 4 : 1.5 mm length l 5 : 1.5 mm width g 1 of gap g: 0.3 mm material of lead terminal 46: perfect conductor width W 3 : 0.5 mm length l 6 : 2.0 mm Thickness T 5 : 0.15 mm Material of ground layer 45: perfect conductor Material of ground layer 50 b: perfect conductor Material of conductor pattern 50 a: perfect conductor Width W 4 : 1.5 mm Length l 1 : 1. 5mm constituent material of the external circuit board 50: FR4 (ε r 4.7) thickness T 9: In the structure of Embodiment 1 shown in .3mm Figure 5, the signal line 61a on the surface of the dielectric substrate 61 is formed, a ground layer 65 is formed around the signal line 61a through the gap g. On the upper surface of the dielectric substrate 61, a dielectric portion 62 is laminated in a state of being drawn out of the dielectric substrate 61, and a signal line layer 62a is formed on the joint surface thereof. Is electrically connected to the signal line layer 61a by soldering or the like. The signal line layers 61a, 6 at this junction
The line width of 2a is set to be narrower than the line width of other portions. The ground layer 65 is formed on the back surface of the dielectric substrate 61. The signal line layer 62a is electrically connected to the conductor pattern 50a on the external circuit board 50 side. The external circuit board 50 has a ground layer 50.
b is formed.
【0034】以下に実施例における各部材の仕様につい
て示す。 誘電体基板61の構成材料:アルミナ(εr 9.7) 厚みT11:0.4mm 誘電体基板62の構成材料:アルミナ(εr 9.7) 厚みT12:0.4mm 金属板部63の構成材料:完全導体 厚みT13:0.4mm 信号線層61aの構成材料:完全導体 幅W11:1.2mm 幅W12:0.6mm 長さl14:3.0mm 長さl15:1.5mm 信号線層62aの構成材料:完全導体 幅W13:1.2mm 長さl12:0.5mm 長さl13:0.5mm 長さl14:3.0mm ギャップgの幅g2 :0.3mm ギャップgの幅g3 :0.65mm グランド層65の構成材料:完全導体 図6は、上記した比較例1と実施例1における高周波の
通過特性(S21)を示しており、また、図7は、反射
特性(S11)を示している。図6に示した通過特性
(S21)では、値がゼロに近いほど損失が少なく通過
特性がよいことを表わしているが、比較例の場合、1.
0GHzを超える周波数帯域では、通過特性が顕著に低
下している。一方、実施例に係るものでは、5.0GH
zまでの周波数帯域では通過特性がほとんど低下するこ
となく、優れた通過特性を示している。また、図7に示
した反射特性(S11)では、実施例に係るものの方が
比較例のものよりかなり数値が小さくなっており、優れ
た反射特性を示している。The specification of each member in the embodiment will be described below. Constituent material of dielectric substrate 61: Alumina (ε r 9.7) Thickness T 11 : 0.4 mm Constituent material of dielectric substrate 62: Alumina (ε r 9.7) Thickness T 12 : 0.4 mm Metal plate 63 of the material: perfect conductor thickness T 13: the material of 0.4mm signal line 61a: complete conductor width W 11: 1.2 mm width W 12: 0.6 mm length l 14: 3.0 mm length l 15: 1.5 mm Constituent material of the signal line layer 62a: perfect conductor Width W 13 : 1.2 mm Length l 12 : 0.5 mm Length l 13 : 0.5 mm Length l 14 : 3.0 mm Width g 2 of gap g : 0.3 mm Width g 3 of gap g: 0.65 mm Constituent material of ground layer 65: perfect conductor FIG. 6 shows high-frequency transmission characteristics (S21) in Comparative Example 1 and Example 1 described above. FIG. 7 shows the reflection characteristics (S11). The pass characteristics (S21) shown in FIG. 6 indicate that the closer to zero the value is, the smaller the loss is and the better the pass characteristics are.
In a frequency band exceeding 0 GHz, the pass characteristics are significantly reduced. On the other hand, in the case of the embodiment, 5.0 GH
In the frequency band up to z, excellent pass characteristics are shown with almost no decrease in pass characteristics. Further, in the reflection characteristics (S11) shown in FIG. 7, the value according to the example is considerably smaller than that of the comparative example, indicating excellent reflection characteristics.
【0035】上記の結果から明らかなように、実施例に
係るものでは、接合部分の特性インピ−ダンスの不整合
を小さくすることができ、通過特性、反射特性を優れた
ものにすることができた。As is clear from the above results, in the embodiment according to the present invention, it is possible to reduce the mismatch of the characteristic impedance at the junction, and to improve the transmission characteristic and the reflection characteristic. Was.
【図1】(a)は本発明に係るチップ部品用パッケ−ジ
の実施の形態(1)を模式的に示した部分斜視図、
(b)は(a)におけるB−B線断面図である。FIG. 1A is a partial perspective view schematically showing an embodiment (1) of a package for chip components according to the present invention,
(B) is a sectional view taken along line BB in (a).
【図2】実施の形態(2)に係るチップ部品用パッケ−
ジを示す模式図であり、(a)は平面図、(b)は正面
図、(c)は側面図である。FIG. 2 is a package for a chip component according to the embodiment (2).
FIGS. 3A and 3B are schematic views showing the same, wherein FIG. 3A is a plan view, FIG. 3B is a front view, and FIG.
【図3】実施の形態(2)に係るチップ部品用パッケ−
ジを外部回路基板に実装したときの状態を示す模式図で
あり、(a)は平面図、(b)は(a)におけるB−B
線断面図である。FIG. 3 is a package for a chip component according to the embodiment (2).
FIGS. 3A and 3B are schematic diagrams showing a state when the device is mounted on an external circuit board, wherein FIG. 3A is a plan view, and FIG.
It is a line sectional view.
【図4】比較例に係るチップ部品用パッケ−ジを模した
構造を示す模式図であり、(a)は部分平面図、(b)
は(a)におけるB−B線断面図である。4A and 4B are schematic views showing a structure simulating a package for a chip component according to a comparative example, in which FIG. 4A is a partial plan view, and FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line BB in FIG.
【図5】実施例に係るチップ部品用パッケ−ジを模した
構造を示す模式図であり、(a)は部分平面図、(b)
は(a)におけるB−B線断面図である。5A and 5B are schematic views showing a structure simulating a package for a chip component according to an embodiment, wherein FIG. 5A is a partial plan view and FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line BB in FIG.
【図6】比較例及び実施例に係るモデルにおける、通過
特性(S21)を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing pass characteristics (S21) in models according to a comparative example and an example.
【図7】比較例及び実施例に係るモデルにおける、反射
特性(S11)を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing reflection characteristics (S11) in models according to a comparative example and an example.
【図8】(a)は従来のチップ部品用パッケ−ジの主要
部を模式的に示した部分斜視図であり、(b)は(a)
におけるB−B線断面図である。FIG. 8A is a partial perspective view schematically showing a main part of a conventional package for chip components, and FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line BB in FIG.
10 チップ部品用パッケ−ジ 11 誘電体部 11a 導体パタ−ン 12 誘電体部 12a 導電部 13 金属板部 14 シ−ル部 15 枠体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Package for chip components 11 Dielectric part 11a Conductive pattern 12 Dielectric part 12a Conductive part 13 Metal plate part 14 Seal part 15 Frame
Claims (7)
部を備えたチップ部品用パッケ−ジにおいて、 前記チップ部品が電気的に接続される導体パタ−ンが形
成された第1の誘電体部と、 該第1の誘電体部の上面に積層され、前記導体パタ−ン
に接続されて外部へ引き出される導電部を備えた第2の
誘電体部とを備えていることを特徴とするチップ部品用
パッケ−ジ。1. A chip component package having a cavity for accommodating a chip component, comprising: a first dielectric portion having a conductor pattern to which the chip component is electrically connected; A second dielectric portion having a conductive portion laminated on the upper surface of the first dielectric portion and connected to the conductor pattern and drawn to the outside. Package.
導体パタ−ンのいずれかで形成されていることを特徴と
する請求項1記載のチップ部品用パッケ−ジ。2. The chip component package according to claim 1, wherein said conductive portion is formed of any one of a terminal plate, a metal foil, and a conductor pattern.
れていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の
チップ部品用パッケ−ジ。3. The chip component package according to claim 1, wherein a metal portion is laminated on said second dielectric portion.
接続するための外部接続パッド部が形成されていること
を特徴とする請求項1〜3のいずれかの項に記載のチッ
プ部品用パッケ−ジ。4. The device according to claim 1, wherein an external connection pad portion for connecting to the outside is formed in the conductive portion of the second dielectric portion. Package for chip parts.
路であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかの項
に記載のチップ部品用パッケ−ジ。5. The package for a chip component according to claim 1, wherein said chip component is a high frequency driving integrated circuit.
続されるものであることを特徴とする請求項1〜5のい
ずれかの項に記載のチップ部品用パッケ−ジ。6. The package for a chip component according to claim 1, wherein said second dielectric portion is surface-connected to an external substrate.
続されるものであることを特徴とする請求項1〜5のい
ずれかの項に記載のチップ部品用パッケ−ジ。7. The chip component package according to claim 1, wherein said second dielectric portion is inserted and connected to an external substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000124122A JP2001308224A (en) | 2000-04-25 | 2000-04-25 | Package for chip component |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2000124122A JP2001308224A (en) | 2000-04-25 | 2000-04-25 | Package for chip component |
Publications (1)
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| JP2001308224A true JP2001308224A (en) | 2001-11-02 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2001308224A (en) |
-
2000
- 2000-04-25 JP JP2000124122A patent/JP2001308224A/en active Pending
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