JP2001302578A - 重合性液晶化合物及びそれらを利用した電荷輸送材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】結晶化せずに安定で、室温で電荷輸送能を示
し、しかも、電荷移動度が大きく、配向及び製膜が容易
で、流動性を示さない電荷輸送材料を提供する。 【解決手段】一般式（Ｉ）あるいは（ＩＩ）により表さ
れる重合性液晶化合物又はその重合体からなることを特
徴とする電荷輸送材料。 【化１】 （式中Ｒ₁、Ｒ₂はそれぞれ独立に炭素数４〜１４の飽和
もしくは不飽和の炭化水素基を、Ｒ’は水素原子または
メチル基を、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に酸素または硫黄原
子を表す。ｌは０または１を、ｍは０、または２〜８の
整数を、ｎは２〜８の整数を表す。但し、ｌが０のとき
ｍは０を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一次元導電体への
応用、更に詳しくは電子写真感光体の電荷輸送物質、Ｅ
Ｌ素子、光センサー、ホトリソグラフティブ、太陽電
池、非線形光学などの材料として有用な電荷輸送性を有
する新規な重合性液晶化合物およびその重合体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、有機化合物の電荷輸送材料として
はスチルベン化合物、アリールアミン化合物、ヒドラゾ
ン化合物、ブタジエン化合物などが知られている。これ
らは一般にポリカーボネートなどの樹脂に分散させて使
用しており、電荷移動度は１０^-6〜１０^-4ｃｍ²／Ｖ・
ｓと小さいためその用途は限定され、電子写真感光体な
どに使用されているにすぎない。

【０００３】一方、液晶性電荷輸送化合物としては種々
の構造を有する化合物が知られており、高い電荷移動度
を有すると発表されている代表的なものとして、例えば
ディスコティック液晶では、Phys.Rev.Lett.,70,457(19
93)に２，３，６，７，１０，１１−ヘキサペンチルオ
キシトリフェニレンが、Nature,371,141(1994)に２，
３，６，７，１０，１１−ヘキサヘキシルチオトリフェ
ニレンが記載されている。スメクチック液晶では、Phy
s.Rev.Lett.,78,2184(1997)に２−(４’−ヘプチルオキ
シフェニル）−６−ドデシルチオベンゾチアゾールが、
Appl.Phys.Lett.,71,602(1997)に２−(４’−オクチル
フェニル）−６−ドデシルオキシナフタレンが、Appl.P
hys.Lett.,73,3733(1998)に２−（４’−オクチルフェ
ニル）−６−ブトキシナフタレンが、１９９９年日本液
晶学会討論会講演予稿集に２，５−ジアルキル−２，
２’：５’、２”−ターチオフェンが記載されている。

【０００４】液晶性電荷輸送化合物は液晶状態で高い電
荷移動度を発現するものであるが、上記化合物は液晶相
への転移点が高い、液晶温度範囲が狭い等の問題があ
り、室温以下で電荷輸送機能を発揮するようにさせるた
めに他の液晶化合物と混合し電荷輸送機能を犠牲にし
て、上記問題点を解決しなければならないという問題が
ある。

【０００５】一方、液晶相への転移温度を下げる方法と
して特開平７−３０９８１３に２，３，６，７，１０，
１１−ヘキサ（４−アルキルオキシベンゾイルオキシ）
トリフェニレンのアルキル基にエーテル基を導入するこ
とが記載されているが、それでもなお液晶への転移温度
は１００℃に近いものでかなり高温であり、更にこの化
合物が液晶性電荷輸送化合物であるかどうかは不明であ
る。

【０００６】電荷輸送性液晶化合物の重合体として特開
平１１−１４８０６７にはトリフェニレンに重合性基を
導入した化合物、特開平１１−８７０６４にはディスコ
ティック液晶、あるいは棒状液晶の重合体からなる配向
可能な高分子液晶材料が掲げられているが、電荷輸送能
を有す化合物がトリフェニレンに限定されていたり、配
向が難しい、温度的安定性に劣る等の問題がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、結晶化せずに安定で、室温で電荷輸送能を
示し、しかも、電荷移動度が大きく、配向及び製膜が容
易で、流動性を示さない電荷輸送材料を提供することに
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究を重
ねた結果、上記目的が達成できる新規な構造を有する重
合性液晶化合物を開発し、本発明を完成するに至った。

【０００９】即ち本発明は、（１）一般式（Ｉ）あるい
は（ＩＩ）により表される重合性液晶化合物。

【００１０】

【化２】 （式中Ｒ₁、Ｒ₂はそれぞれ独立に炭素数４〜１４の飽和
もしくは不飽和の炭化水素基を、Ｒ’は水素原子または
メチル基を、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に酸素または硫黄原
子を表す。ｌは０または１を、ｍは０、または２〜８の
整数を、ｎは２〜８の整数を表す。但し、ｌが０のとき
ｍは０を表す。）

【００１１】（２） 一般式（Ｉ）あるいは（ＩＩ）で
表される化合物又はその重合体からなることを特徴とす
る電荷輸送材料。

【００１２】（３）一般式（Ｉ）あるいは（ＩＩ）によ
り表される化合物のスメクチック液晶相の重合体からな
ることを特徴とする電荷輸送材料。を提供する。

【００１３】以下に本発明の一般式（Ｉ）あるいは（Ｉ
Ｉ）で表される化合物について詳しく説明する。

【００１４】一般式（Ｉ）あるいは（ＩＩ）で表される
化合物のＲ₁、Ｒ₂はそれぞれ独立に炭素数４〜１４の飽
和もしくは不飽和の炭化水素基を表し、具体的にはブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
トリデシル基、テトラデシル基、ブテニル基、ペンテニ
ル基、オクテニル基、デカニル基などが挙げられる。
Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に酸素あるいは硫黄原子を表し、
ｌは０または１を、ｍは０、または２〜８の整数を、ｎ
は２〜８の整数を表すが、ｌが０のときｍは０を表す。
そのなかで、好ましくはｍ、ｎは共に２〜５が良い。

【００１５】以下に本発明の一般式（Ｉ）および（Ｉ
Ｉ）で表される化合物の具体例を示すが本発明はこれに
限定されるものではない。

【００１６】

【化３】

【００１７】

【化４】

【００１８】次に、本発明の一般式（Ｉ）で表される化
合物の合成例を下記に示すが本発明はこれに限定される
ものではない。

【００１９】

【化５】 （式中Ｒ₁、Ｒ’、Ｘ、ｍは一般式（Ｉ）と同一の意義
を有する）

【００２０】即ち、乾燥ＴＨＦ中で２−ブロモ−６−メ
トキシナフタレン或いは２−ブロモ−６−チオメトキシ
ナフタレンにマグネシウムを反応後トリメトキシボラ
ン、或いはトリイソプロポキシボランのようなトリアル
コキシボランを反応させ６−メトキシナフタレン−２−
ホウ酸を得る。次に、これにＰｄ（ＰＰｈ₃）₄ を触媒
としてｐ−アルキルブロモベンゼン或いはｐ−アルキル
クロロベンゼンのようなｐ−アルキルハロゲン化ベンゼ
ンを反応させて２−（４’−アルキルフェニル）−６−
メトキシナフタレン或いは２−（４’−アルキルフェニ
ル）−６−チオメトキシナフタレンを得る。

【００２１】次に、上で得られた２−（４’−アルキル
フェニル）−６−メトキシナフタレン、或いは２−
（４’−アルキルフェニル）−６−チオメトキシナフタ
レンを無水ジクロロメタン中で三臭化硼素と反応させる
事により２−（４’−アルキルフェニル）−６−ヒドロ
キシナフタレン或いは２−（４’−アルキルフェニル）
−６−チオヒドロキシナフタレンを得、次いで、これに
ブロモアルキルアルコール、クロロアルキルアルコール
のようなハロゲン化アルキルアルコールを炭酸カリウム
等のアルカリの存在化で反応させる事により２−(４’
−アルキルフェニル）−６−（ヒドロキシアルキレンオ
キシ）ナフタレン、或いは２−(４’−アルキルフェニ
ル）−６−（ヒドロキシアルキレンチオオキシ）ナフタ
レンを得る。更に、これにトリエチルアミンのような三
級アミンの存在下でアクリル酸クロライド、或いはメタ
クリル酸クロライドを反応させる事により目的物を得る
事ができる。ｌが０に相当する化合物は、上の反応式で
ハロゲン化アルキルアルコールを反応させる工程を省略
して、２−（４’−アルキルフェニル）−６−ヒドロキ
シナフタレン或いは２−（４’−アルキルフェニル）−
６−チオヒドロキシナフタレンにアクリル酸クロライ
ド、或いはメタクリル酸クロライドを反応させれば良
い。

【００２２】次に、本発明の一般式（ＩＩ）で表される
化合物の合成例を示す。

【００２３】

【化６】 （式中Ｒ₂、Ｙ、ｎは一般式（Ｉ）と同一の意義を有す
る）

【００２４】上記化合物は一般式（Ｉ）の合成過程で得
られる２−（４’−アルキルフェニル）−６−ヒドロキ
シナフタレン或いは２−(４’−アルキルフェニル）−
６−チオヒドロキシナフタレンにブロモアルキレンビニ
ルエーテル或いはクロロアルキレンビニルエーテルを炭
酸カリウム等のアルカリの存在下で反応させる事により
得ることができる。

【００２５】本発明で使用する重合性液晶は、単独で用
いても、或いは２種以上を混合して用いてもよい。重合
性を有する液晶を単独で用いる場合には、その化合物が
液晶性を示す必要がある。一方、重合性を有する液晶を
複数混合して用いる場合には、混合状態で液晶性を示せ
ば良く、必ずしもすべての化合物が液晶性を示す必要は
なく、例えば、液晶性を示す化合物とコアを有するが液
晶性を示さない化合物と混合することにより液晶性を示
す組成物を調整しても良い。

【００２６】本発明の重合性液晶を含有する組成物は、
通常この分野で液晶相と認識される相であれば特に制限
無く用いることができるが、その中でも、スメクチック
相を発現するものが好ましい。重合性を有する液晶もし
くは該液晶を含有する重合性液晶組成物が液晶相を示す
温度には特に制限はないが、配向などの工程が容易とな
るので、当該液晶相を示す温度は１５０℃以下が好まし
く、特に１００℃以下が好ましい。

【００２７】本発明で使用する重合性液晶組成物には、
重合性官能基を有していない液晶化合物を、組成物中の
総量が１０重量％を越えない範囲で添加することもでき
る。重合性官能基を有していない液晶化合物としては、
ネマチック液晶化合物、スメクチック液晶化合物、コレ
ステリック液晶化合物など、通常この技術分野で液晶と
認識されるものであれば特に制限無く用いることができ
るが、電荷輸送性能がない液晶であるとその添加量が増
えるに従い、重合性液晶組成物を光重合して得られる重
合体の電荷輸送性能が低下する傾向にあるので、添加量
を適宜調整する必要がある。

【００２８】また、本発明で使用する重合性液晶組成物
には、液晶性を示さない重合性の化合物を添加すること
もできる。そのような化合物としては、通常この技術分
野で高分子形成性モノマーあるいは高分子形成性オリゴ
マーとして認識されるものであればよい。

【００２９】また、本発明の重合性液晶、もしくは重合
性液晶混合物には、その重合反応性を向上させることを
目的として、光重合開始剤を添加することもできる。光
重合開始剤としては、例えば、公知のベンゾインエーテ
ル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジル
ケタール類、多核キノン化合物、アクリジン、フェナジ
ン、オキサジアゾール化合物等が挙げられる。本発明に
おける光重合開始剤の量は重合性液晶組成物の０．０１
％〜２０重量％が好ましく、更に好ましくは０．５％〜
５重量％が良い。

【００３０】本発明の重合性液晶組成物には、その保存
安定性を向上させるために、既知の熱安定剤及び酸化防
止剤、例えば、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノア
ルキルエーテルの如きハイドロキノン誘導体、第三ブチ
ルカテコール、ピロガロール、チオフェノール化合物、
ニトロ化合物、β−ナフチルアミン化合物、β−ナフト
ール化合物などを添加することもできる。その安定剤を
添加する場合の添加量は、重合性液晶混合物の１重量％
以下の範囲であることが好ましい。

【００３１】次に、本発明の重合性液晶もしくは重合性
液晶組成物を用いた電荷輸送材料の製造方法について説
明する。

【００３２】本発明の重合性液晶もしくは重合性液晶組
成物を液晶相を示す温度において電子線又は紫外線等の
エネルギー線を照射することによって光重合を行い、高
分子化して配向を固定化する事によって、電荷輸送材料
を製造することができる。本発明の重合性を有する重合
性液晶、もしくは重合性液晶組成物は基板に塗布した後
重合させても、或いは２枚以上複数の基板を用いてセル
を作成し、このセル中に封入した後、重合させても良
い。また、基板の上にディスペンサー等で滴下した後、
別の基板を重ねてから重合しても良い。

【００３３】基板への塗布は、本発明の重合性液晶、も
しくは重合性液晶組成物をそのまま塗布する方法、ある
いは重合性液晶、もしくは重合性液晶組成物を溶媒に溶
解した塗布液を塗布した後、乾燥させる方法であっても
良い。

【００３４】後者の方法で用いる溶媒は、公知慣用のも
のを使用することが可能である。そのような溶媒として
は、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、メチルイ
ソブチルケトン、ブチロラクトンの如きケトン類、メタ
ノール、エタノール、ｎープロピルアルコール、ｉｓｏ
−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ペンタ
ノール、オクタノールの如きアルコール類、、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールジメチルエーテルの如きエーテル
類、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル、メ
チルセロソルブアセテート、エチルセロソロブアセテー
トの如きエステル類、トルエン、キシレン、クロルベン
ゼンの如き芳香族化合物、ジメチルアセトアミド、ジメ
チルホルムアミドの如きアミド類、塩化メチレン、クロ
ロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエタンの如きハ
ロゲン化炭化水素などが挙げられる。これらの溶剤は、
単独で使用しても或いは２種類以上を組み合わせて使用
しても良い。溶剤の配合割合は重合性液晶、もしくは重
合性組成物を基板に塗布する際の必要膜厚、塗布条件、
重合後の膜厚等必要に応じて適宜調整が可能である。

【００３５】コーティング方法としては、例えば、ワイ
ヤ−バ−コ−ティング、スピンコ−ティング、ロ−ルコ
−ティング、ディップコ−ティング、スプレ−コ−ティ
ング、ダイコ−ティング、或いは浸漬引き上げ法など、
公知慣用の塗布方法を広く使用できる。これらのコ−テ
ィング方法の中でもスピンコ−ティング及びダイコ−テ
ィングが好ましい。

【００３６】本発明の重合性液晶もしくは重合性液晶組
成物を塗布する基板あるいは、重合性液晶もしくは重合
性液晶組成物を封入するセルを構成する基板は、有機材
料、無機材料を問わずに用いることができる。

【００３７】基板を構成する有機材料としては、例え
ば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカ−ボネ−ト、
ポリイミド、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、
ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエ
チレン、ポリクロロトリフロオロエチレン、ポリアリレ
−ト、ポリスルホン、セルロース等が挙げられる。ま
た、基板を構成する無機材料としては、例えば、シリコ
ン、ガラス、金属等が挙げられる。

【００３８】これらの基板の表面は、例えば、電極とし
ての処理を施しておくこともできる。電極を構成する材
料としては、例えば、インジウムティンオキサイド（Ｉ
ＴＯ）、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、ナトリウ
ム、カリウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、
銅、インジウム等が挙げられる。

【００３９】基板の表面には、重合性液晶を一定方向に
配向させるために、配向処理を施しても良い。配向方法
としては、例えば、基板表面を布等でラビング処理する
方法、基板表面へＳｉ０₂ を斜方蒸着する方法等が挙げ
られる。また、配向処理を施していない基板を用いる場
合には、電場又は磁場を利用して重合性液晶を配向させ
ることもできる。これらの配向手段は、単独で用いて
も、組み合わせて用いてもよい。

【００４０】基板を布などでラビングすることによって
適当な配向性を得られないときは、公知の方法に従って
ポリイミド薄膜又はポリビニルアルコール薄膜等の有機
薄膜を基板表面に形成し、これを布等でラビングしても
よい。また、通常のツイステッド・ネマチック（ＴＮ）
又はスーパー・ツイステッド・ネマチック（ＳＴＮ）セ
ルで使用されているようなプレチルト角を与えるポリイ
ミド薄膜を用いてもよい。また、ラビング処理の代わり
に光配向法を用いることもできる。

【００４１】電場によって配向状態を制御する場合に
は、電極層を有する基板を使用することができ、この場
合は電極上に前述のポリイミド薄膜等の有機薄膜を形成
することが好ましい。

【００４２】重合の方法としては、迅速な重合の進行が
望ましいので、紫外線又は電子線等のエネルギ−線を前
述の基板に照射することによって、光重合させる方法が
好ましい。この時の温度は、本発明で使用する重合性液
晶を含有する重合性液晶組成物の液晶状態が保持される
温度でなければならないが、熱重合を避けるためには、
できるだけ室温に近い温度で重合させることが好まし
い。

【００４３】本発明の電荷輸送材料は、ＥＬ素子、光セ
ンサー、電子写真感光体、画像記録素子の如き電子素子
を作成することができる。ＥＬ素子に用いる場合、必要
に応じて発光材料を添加した本発明の電荷輸送材料を発
光層として２枚の電極（少なくとも一つはＩＴＯのよう
な透明電極）に挟むことにより作成することができる。
また、多層型有機発光素子の場合、本発明の電荷輸送材
料をホール輸送層、電子輸送層あるいは発光層として用
いることもできる。光センサーに用いる場合、本発明の
電荷輸送材料を２枚の電極（少なくとも１枚は透明）に
挟持させることにより、光照射による電流変化を検出す
ることができる。電子写真感光体又は画像記録素子とし
て用いる場合には、基板又は電極上に電荷発生層と本発
明の電荷輸送層を積層することにより作成することがで
きる。

【００４４】電子写真感光体又は画像記録素子を構成す
る電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層あるいは電荷発
生材料を結着樹脂中に分散してなる層である。

【００４５】電荷発生材料としては、例えばクロロジア
ンブルーの如きジスアゾ顔料、アントアントロンの如き
多環キノン顔料、ペリレン顔料、インジゴ、チオインジ
ゴの如きインジゴ顔料、フタロシアニン顔料等が挙げら
れる。

【００４６】結着樹脂としては、例えばポリカーボネー
ト樹脂、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリ酢
酸ビニル、アクリル樹脂等が挙げられる。

【００４７】樹脂分散型の電荷発生層は、前記電荷発生
物質を０．３〜４倍量の結着樹脂および溶剤とともに、
ホモジナイザー、超音波分散、ボールミル、振動ボール
ミル、サンドミル、アトライター、ロールミル、液衝突
型高速分散機などの方法で良く分散させた分散液を、塗
布、乾燥させて形成することができる。電荷発生層の膜
厚は、５μｍ以下が好ましく、特に好ましくは０．１〜
２μｍが良い。

【００４８】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説
明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例の範囲
に限定されるものではない。¹Ｈ−ＮＭＲの測定は溶媒
としてＣＤＣｌ₃を、基準物質としてＴＭＳを使用し得
られた主なスペクトルのケミカルシフトδ（ｐｐｍ）を
示し（ ）内に多重度、水素数、帰属を示した。

【００４９】（実施例１）化合物（Ｉ−１１）の合成 金属マグネシウム６ｇ（０，１１ｍｏｌ）に２−ブロモ
−６−メトキシナフタレン２３．７ｇ（０．１ｍｏｌ）
を無水ＴＨＦ８５ｍｌに溶解させた液を５ｍｌ滴下し加
熱した。還流したら熱源をとりさり、残りのＴＨＦ溶液
を還流が止まらない速度で滴下した。滴下後更に加熱し
１時間還流した。トリイソプロポキシボラン２０．８ｇ
（０．１１ｍｏｌ）をＴＨＦ３２ｍｌに溶解し、−５０
℃以下に冷却して上記ＴＨＦ溶液を滴下した。滴下後−
４０〜−５０℃で３０分撹拌後、更に室温で２時間撹拌
した。次いで−１０〜−２０℃に保ち、１０％塩酸１０
０ｍｌを滴下し、同温度で３０分撹拌後、更に室温で２
時間撹拌した後、酢酸エチル／飽和食塩水で抽出し、油
層を炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄した。次いで油層を
硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去し、粗生成
物をトルエン中で撹拌洗浄し６−メトキシナフタレン−
２−ホウ酸１２．３ｇ（収率：３７．５％）を得た。

【００５０】６−メトキシナフタレン−２−ホウ酸１１
ｇ（０．０３３ｍｏｌ）、ｐ−オクチルブロモベンゼン
９ｇ（０．０３３ｍｏｌ）及び Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄ ０．
９６ｇ（０．０００８３ｍｏｌ）をジメトキシエタン１
３０ｍｌに分散し、炭酸カリウム１４％水溶液１２０ｍ
ｌを加え１時間還流した。冷却後、生じた沈殿を濾別
し、水、メタノールで洗浄して２−（４’−オクチルフ
ェニル）−６−メトキシナフタレン１０．５ｇ（収率：
９２％）を得た。

【００５１】２−（４’−オクチルフェニル）−６−メ
トキシナフタレン９．１ｇ（０．０２６ｍｏｌ）を無水
ジクロロメタン１５５ｍｌに溶解し、窒素気流中−５０
℃以下で三臭化硼素１２．８ｍｌを無水ジクロロメタン
８０ｍｌに溶解させた液を滴下後、室温で８時間撹拌し
た。次いで８００ｍｌの水にあけて撹拌し、生じた沈殿
を濾別後エタノールで再結晶して２−（４’−オクチル
フェニル）−６−ヒドロキシナフタレン７．２ｇ（収
率：８２．８％）を得た。

【００５２】２−（４’−オクチルフェニル）−６−ヒ
ドロキシナフタレン５ｇ（０．０１５ｍｏｌ）、２−ブ
ロモエタノール２．８ｇ（０．０２２ｍｏｌ）、炭酸カ
リウム７．８ｇをシクロヘキサノン３０ｍｌに分散し４
時間還流した。放冷後水に注いで撹拌し、生じた沈殿を
濾別後エタノールで再結晶し、更にペンタノールで再結
晶して２−(４’−オクチルフェニル）−６−（２”−
ヒドロキシエトキシ）ナフタレン２．７ｇ（収率：４
７．７％）を得た。

【００５３】次に、上で得られた２−(４’−オクチル
フェニル）−６−（２”−ヒドロキシエトキシ）ナフタ
レン２．２６ｇ（０．００６ｍｏｌ）をジメチルアセト
アミド２０ｍｌに溶解後、トリエチルアミン１．８ｇを
加え５℃以下に冷却した後、窒素気流下でアクリル酸ク
ロライド１．４ｇ（０．０１５ｍｏｌ）を滴下した。更
に７０℃で１時間反応させ冷却後、希塩酸中に注ぎ析出
した結晶を濾取、乾燥後トルエンを流出溶媒としてカラ
ム精製した後、エタノールで再結晶し、白色の２−
(４’−オクチルフェニル）−６−（２”−アクリロイ
ルオキシエトキシ）ナフタレンを得た。

【００５４】得られた¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定結果
を示す。７．９６（１Ｈ、ｓ、aromatic）、７．７９
（２Ｈ，ｄ、aromatic）、７．７２（１Ｈ、ｄ、aromat
ic）、７．７０（１Ｈ、ｄ、aromatic）、７．６１（１
Ｈ、ｄ、aromatic）、７．２６（２Ｈ，ｄ、aromati
c）、７．２１（１Ｈ、ｄ、aromatic）、７．１８（１
Ｈ、ｄ、aromatic）、６．４７（１Ｈ、ｄｄ、−ＣＨ＝
ＣＨ₂）、６．１９（１Ｈ、ｑ、−ＣＨ＝ＣＨ₂）、５．
８７（１Ｈ、ｄｄ、−ＣＨ＝ＣＨ₂）、４．６０（２
Ｈ、ｔ、−ＣＨ₂Ｏ−）、４．３６（２Ｈ，ｔ、−ＯＣ
Ｈ₂−）、２．６６（２Ｈ，ｔ、Ｐｈ−ＣＨ₂−）、１．
６４〜１．６６（２Ｈ、ｍ、−ＣＨ₂−）、１．２８〜
１．３４（１０Ｈ、ｍ、−ＣＨ₂−）、０．８９（３
Ｈ、ｔ、−ＣＨ₃）

【００５５】ＤＳＣ及び偏光顕微鏡における相転移温度
測定 （スメクチック１相とスメクチック２相は同じスメクチ
ック液晶であるが相が異なることを意味する）

【００５６】（実施例２）化合物（Ｉ−１）の合成 （実施例１）における２−(４’−オクチルフェニル）
−６−（２”−ヒドロキシエトキシ）ナフタレンのかわ
りに （実施例１）に従って得られた２−（４’−オク
チルフェニル）−６−ヒドロキシナフタレンを使用し、
これに（実施例１）の合成条件に準じてアクリル酸クロ
ライドを反応させ２−(４’−オクチルフェニル）−６
−（アクリロイルオキシ）ナフタレンを得た。

【００５７】得られた¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定結果
を示す。 ８．０３（１Ｈ、ｓ、aromatic）、７．８８（２Ｈ，ｄ
ｄ、aromatic）、７．７７（１Ｈ、ｄ、aromatic）、
７．７４（１Ｈ、ｄ、aromatic）、７．６３（２Ｈ，
ｄ、aromatic）、７．３０（１Ｈ、ｄ、aromatic）、
７．２８（１Ｈ、ｄ、aromatic）、７．２６（１Ｈ、
ｄ、aromatic）、６．６７（１Ｈ、ｄｄ、−ＣＨ＝ＣＨ
₂）、６．３９（１Ｈ、ｑ、−ＣＨ＝ＣＨ₂）、６．０５
（１Ｈ、ｄｄ、−ＣＨ＝ＣＨ₂）、２．６７（２Ｈ，
ｔ、Ｐｈ−ＣＨ₂−）、１．６４〜１．６７（２Ｈ、
ｍ、−ＣＨ₂−）、１．２８〜１．３４（１０Ｈ、ｍ、
−ＣＨ₂−）、０．８９（３Ｈ、ｔ、−ＣＨ₃）

【００５８】ＤＳＣ及び偏光顕微鏡における相転移温度
測定 （スメクチック１相、スメクチック２相及びスメクチッ
ク３相は同じスメクチック液晶相であるが相が異なるこ
とを意味する）

【００５９】（実施例３）化合物（ＩＩ−３）の合成 （実施例１）に従って得られた２−（４’−オクチルフ
ェニル）−６−ヒドロキシナフタレン５ｇ（０．００１
５ｍｏｌ）をジメチルホルムアミド３０ｍｌに溶解し、
これにクロロエチルビニルエーテル３．２ｇ（０．０３
ｍｏｌ）、炭酸カリウム７．８ｇを添加し１２０〜１３
０℃で６時間反応し、放冷後水に注ぎ炭酸カリウム水溶
液で撹拌洗浄した。濾取後エタノールで再結晶を行い、
更にクロロホルム／ヘキサン＝２／１を流出溶媒として
カラム精製後、アセトニトリルを用いて再結晶を行い白
色の２−(４’−オクチルフェニル）−６−（２”−ビ
ニルオキシエトキシ）ナフタレンを得た。

【００６０】得られた¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定結果
を示す。 ７．９６（１Ｈ、ｓ、aromatic）、７．８０（１Ｈ，
ｄ、aromatic）、７．７７（１Ｈ、ｓ、aromatic）、
７．７１（１Ｈ、ｄｄ、aromatic）、７．６２（２Ｈ，
ｄ、aromatic）、７．２９（１Ｈ、ｓ、aromatic）、
７．２６（１Ｈ、ｄ、aromatic）７．２２（１Ｈ、ｓ、
aromatic）、７．１７（１Ｈ、ｄ、aromatic）、６．５
９（１Ｈ、ｑ、−ＣＨ＝ＣＨ₂）、４．３５（２Ｈ、ｄ
ｄ、−ＣＨ＝ＣＨ₂）、４．２６（１Ｈ、ｄｄ、−ＯＣ
Ｈ₂ＣＨ₂Ｏ−）、４．０８〜４．１４（３Ｈ、ｍ、−Ｏ
ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−）、２．６６（２Ｈ，ｔ、Ｐｈ−ＣＨ₂
−）、１．６１〜１．６９（２Ｈ、ｍ、−ＣＨ₂−）、
１．２８〜１．３４（１０Ｈ、ｍ、−ＣＨ₂−）、０．
８９（３Ｈ、ｔ、−ＣＨ₃）

【００６１】ＤＳＣ及び偏光顕微鏡における相転移温度
測定 （スメクチック１相、スメクチック２相は同じスメクチ
ック液晶であるが相が異なることを意味する）

【００６２】（実施例４）厚さ３００ÅのＩＴＯ電極を
有する厚さ１ｍｍ、大きさ３ｍｍ×３ｍｍのガラス基板
に実施例１で合成した（Ｉ−１１）に対し光重合開始剤
「イルガキュア（Ｉｒｇａｃｕｒｅ）−６５１」（チバ
ガイギー社製）１重量％を添加した組成物の塩化メチレ
ン２０重量％溶液０．５ｍｌをスピンコーターで塗布し
て薄膜を形成した。この薄膜を９０℃に加熱したところ
スメクチック液晶状態へ相転移した。この温度に保持
し、窒素雰囲気下で５０ｍＷの紫外線を１分間照射して
重合させ、５．２μｍの重合膜を得た。このサンプルを
室温に冷却し、偏光フィルムの間において観察したとこ
ろ、モノドメインのホモジニアス配向が見られた。

【００６３】ポリビニルブチラール樹脂１重量部をジク
ロロメタン２９重量部及び１，１，２−トリクロロエタ
ン４３重量部からなる混合溶媒に溶解した樹脂溶液にα
型チタニルフタロシアニン２重量部を分散した塗料を上
記（Ｉ−１１）の光重合膜の上にスピンコーターを用い
て塗布乾燥後、電極として金を約８００Åの厚さに真空
蒸着して電荷移動度測定用サンプルを作製した。このサ
ンプルの正孔移動度を２５℃で、ＩＴＯガラスを負極
に、金を正極につないで２００Ｖの電圧を印加し、窒素
レーザー励起の色素レーザーによる７７５ｎｍの光パル
スをＩＴＯ側から照射し、ＴＯＦ法による測定を行っ
た。その結果、非分散型のＴＯＦ波形が得られ、これか
ら計算された正孔移動度は２．１×１０^-3ｃｍ² ／V・
ｓであった。

【００６４】（実施例５）（実施例４）にて液晶化合物
（Ｉ−１１）の代わりに（Ｉ−１）を使用し、光重合温
度を６５℃とした以外は全く同様にして電荷移動度測定
用サンプルを作製した。このものの正孔移動度は１．８
×１０^-3ｃｍ² ／V・ｓであった。

【００６５】（実施例６）（実施例４）にて液晶化合物
（Ｉ−１１）の代わりに（Ｉ−１１）と（ＩＩ−３）を
１／１（重量比）の混合物で使用し、光重合温度を１０
０℃とした以外は全く同様にして電荷移動度測定用サン
プルを作製した。このものの正孔移動度は３．９×１０
^-3ｃｍ² ／V・ｓであった。

【００６６】（比較例）厚さ３００ÅのＩＴＯ電極を有
する厚さ１ｍｍ、大きさ３ｍｍ×３ｍｍのガラス基板に
実施例４で作成したチタニルフタロシアニンの分散液
を、乾燥後の膜厚が０．３μｍになるように塗布した
後、これを乾燥させて電荷発生層を形成した。この電荷
発生層を有するＩＴＯ基板の電荷発生層を内側にして、
別の電荷発生層を塗設していないＩＴＯ電極を有する基
板を９μｍのスペーサーを介して重ね合わせた後、注入
孔を除いた周縁部に接着剤を塗布し、乾燥させることに
より封縁してセルを作製した。

【００６７】このようにして作製したセルにAppl.Phys.
Lett.,73,3733(1998)に記載されている２−（４’−オ
クチルフェニル）−６−ブトキシナフタレンを１３５℃
に加熱し等方相の状態で封入した。

【００６８】電荷発生層を有する基板側を正極とし、２
０Ｖの電圧を印加し、７０℃に加熱してスメクチック液
晶相の状態で（実施例４）に従って正孔移動度を測定し
たところ９×１０^-3ｃｍ² ／V・ｓであった。ところ
が、この化合物は重合性基を有しないため、液晶相のま
ま硬化させることができず、２５℃では結晶相となり過
渡光電流は観測されず正孔移動度は低すぎて測定できな
かった。

【００６９】

【発明の効果】本発明の電荷輸送材料は、室温で高い電
荷輸送能を示し、結晶化せず安定であるため、一次元導
電体への応用、更に詳しくは電子写真感光体の電荷輸送
物質、ＥＬ素子、光センサー、ホトリソグラフティブ、
太陽電池、非線形光学などの材料として非常に有用であ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｆ 20/10 Ｃ０８Ｆ 20/10 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０３Ｇ 5/07 １０１ Ｇ０３Ｇ 5/07 １０１ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ 33/22 33/22 Ｂ Ｄ Ｆターム(参考） 2H068 AA20 BB06 BB49 3K007 AB18 CA01 CA04 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 4H006 AA01 AB46 AB64 BJ50 BP30 GP01 GP03 4J100 AE09P AL08P BA02P BA51P BC43P BC49P CA01 JA43

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式（Ｉ）あるいは（ＩＩ）により表さ
   れる重合性液晶化合物。 【化１】 （式中Ｒ₁、Ｒ₂はそれぞれ独立に炭素数４〜１４の飽和
   もしくは不飽和の炭化水素基を、Ｒ’は水素原子または
   メチル基を、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に酸素または硫黄原
   子を表す。ｌは０または１を、ｍは０、または２〜８の
   整数を、ｎは２〜８の整数を表す。但し、ｌが０のとき
   ｍは０を表す。）
2. 【請求項２】 一般式（Ｉ）あるいは（ＩＩ）で表され
   る化合物又はその重合体からなることを特徴とする電荷
   輸送材料。
3. 【請求項３】 一般式（Ｉ）あるいは（ＩＩ）により表
   される化合物のスメクチック液晶相の重合体からなるこ
   とを特徴とする電荷輸送材料。