JP2001300869A - Scribing line forming device for wafer cleavage - Google Patents
Scribing line forming device for wafer cleavageInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ表面を保護しつつ、脆く割れ易いウエ
ハであっても、正確に劈開できるように、ウエハ劈開用
のけがき線を形成する装置を提供する。
【解決手段】 本ウエハ劈開用のけがき線形成装置10
は、架台12と、カッタ14を上端部に備え、直立して
X方向に移動自在なカッタ保持体16と、カッタ保持体
をX方向に移動自在に支持しつつかつY方向に移動自在
な移動台18と、カッタの上方に配置され、ウエハを保
持するウエハ保持台20と、移動体の一方の端部から直
立して上方に伸びる柱体22の上端に設けられたレーザ
光出射装置24と、透明なダミーウエハとを備える。ウ
エハのけがき線形成の前に、ウエハ保持台上にダミーウ
エハを載置し、レーザ光出射装置からのレーザ光の照射
によってカッタを位置決めし、次いでカッタでけがき線
をウエハ裏面に形成する。
(57) [PROBLEMS] To provide an apparatus for forming a scribe line for cleaving a wafer so that the wafer surface can be cleaved accurately even while protecting the wafer surface, even for a brittle and fragile wafer. A scribe line forming apparatus for cleaving a wafer of the present invention is provided.
Is provided with a gantry 12 and a cutter 14 at an upper end thereof, and a cutter holder 16 that stands upright and is movable in the X direction. A movable body that supports the cutter holder in the X direction and is movable in the Y direction. A table 18, a wafer holding table 20 disposed above the cutter and holding a wafer, and a laser beam emitting device 24 provided at an upper end of a column 22 extending upright from one end of the moving body and extending upward. , A transparent dummy wafer. Before forming a scribe line on a wafer, a dummy wafer is placed on a wafer holding table, the cutter is positioned by irradiation of laser light from a laser light emitting device, and then a scribe line is formed on the back surface of the wafer by the cutter.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ劈開用のけ
がき線形成装置及びその方法に関し、更に詳細には、ウ
エハ裏面にけがき線を所定のラインに沿って容易に形成
できる構成を備えた、ウエハ劈開用のけがき線形成装
置、及びその方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for forming a scribe line for cleaving a wafer, and more particularly, to a method for forming a scribe line along a predetermined line on the back surface of a wafer. The present invention also relates to a scribe line forming apparatus for cleaving a wafer and a method therefor.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造では、所定のプロセス
工程を経たウエハの品質を確認するために、ウエハを劈
開して、走査型電子顕微鏡(SEM)やオージェ電子分
光法などによってウエハの劈開面を拡大し、目視で劈開
面の検査、解析を行うことが多い。また、劈開面のみな
らず、ウエハ表面のパターン形成状態を電子顕微鏡等で
検査する際、ウエハ試料を電子顕微鏡の試料台に装着し
易い寸法のウエハ試料を作製するために、パターンを形
成したウエハを劈開して所定寸法のウエハ試料を作製す
ることが多い。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, a wafer is cleaved and the cleavage surface of the wafer is subjected to scanning electron microscopy (SEM) or Auger electron spectroscopy in order to check the quality of the wafer after a predetermined process step. In many cases, the cleavage plane is inspected and analyzed visually. In addition, when inspecting not only the cleavage plane but also the pattern formation state of the wafer surface with an electron microscope or the like, the wafer on which the pattern is formed is formed in order to produce a wafer sample having a size that allows the wafer sample to be easily mounted on a sample stage of the electron microscope. Is often cleaved to produce a wafer sample of a predetermined size.
【0003】例えば、シリコンウエハのパターン形成面
又は劈開面を検査するために、シリコンウエハを劈開し
てウエハ試料を作製する場合には、ウエハの表面(加工
面)、又はウエハの裏面を下向きにして、所定の劈開用
プレート上にウエハを載せ、カットしたいラインに沿っ
てマーカーで印をつけ、又は定規をあてがい、ダイヤモ
ンドペン等でけがき線を形成し、けがき線近傍のウエハ
領域に下向きの荷重を加えることにより、けがき線に沿
ってウエハを劈開している。For example, when a wafer is prepared by cleaving a silicon wafer to inspect a pattern formation surface or a cleavage surface of the silicon wafer, the wafer surface (working surface) or the back surface of the wafer faces downward. Then, place the wafer on a predetermined cleavage plate, mark it with a marker along the line to be cut, or apply a ruler, form a scribe line with a diamond pen or the like, and face down to the wafer area near the scribe line. The wafer is cleaved along the scribe line by applying a load of.
【0004】また、GaAsウエハは、シリコンウエハ
とは異なる方法でウエハを劈開している。ここで、、図
6及び図7を参照して、GaAsウエハ等の化合物半導
体ウエハを劈開する従来の方法を説明する。図6(a)
から(c)及び図7(d)と(e)は、それぞれ、従来
の方法によってGaAsウエハを劈開する際の手順を示
す模式図である。この例では、半導体装置のパターンが
形成されているパターン領域のパターン形成状態を電子
顕微鏡によって検査、解析するために、電子顕微鏡の試
料台に載せるウエハ試料をウエハの劈開によって作製す
る際のウエハ劈開を例にしている。そして、ウエハ試料
の幅が、オリエンテーションフラットの幅とほぼ同じで
あるとする。先ず、図6(a)に示すウエハ40を劈開
したいとき、図6(b)に示すように、カットしたいラ
インとウエハ40のオリエンテーションフラット41と
の交点、例えばA点及びB点にダイヤモンドカッタ等で
切り傷を入れる。次いで、図6(c)に示すように、切
り傷を付けたA点及びB点の外側のウエハ部分40a、
40bを掴んで引き裂くようにして分断し、中央のウエ
ハ部分40cを分離する。Further, a GaAs wafer is cleaved by a method different from that of a silicon wafer. Here, a conventional method of cleaving a compound semiconductor wafer such as a GaAs wafer will be described with reference to FIGS. FIG. 6 (a)
7 (c) and 7 (d) and 7 (e) are schematic diagrams showing procedures for cleaving a GaAs wafer by a conventional method. In this example, in order to inspect and analyze a pattern formation state of a pattern region where a pattern of a semiconductor device is formed by an electron microscope, a wafer cleavage when a wafer sample placed on a sample stage of the electron microscope is manufactured by cleavage of the wafer. Is taken as an example. It is assumed that the width of the wafer sample is substantially the same as the width of the orientation flat. First, when it is desired to cleave the wafer 40 shown in FIG. 6A, as shown in FIG. 6B, a diamond cutter or the like is set at the intersection between the line to be cut and the orientation flat 41 of the wafer 40, for example, points A and B. Make a cut with. Next, as shown in FIG. 6C, the wafer portions 40a outside the cut points A and B,
The wafer portion 40c is gripped and divided by tearing, and the central wafer portion 40c is separated.
【0005】続いて、半導体装置のパターンが形成され
ているパターン領域のウエハ試料を得るために、図7
(d)に示すように、ウエハ部分40cのパターン領域
の横方向カットラインに沿ってけがき線をダイヤモンド
ペンでけがき、上述したウエハの縦劈開加工と同様にし
て、けがき線に沿って劈開し、ウエハ部分42a〜42
dを得る。次に、電子顕微鏡の試料台に載せ易い寸法に
するため、ウエハ試料の高さを約10mmに揃えるよう
に、ウエハ部分42a〜42dを劈開加工して、図7
(e)に示すウエハ試料44a〜44cを得る。Subsequently, in order to obtain a wafer sample in a pattern region where a pattern of a semiconductor device is formed, FIG.
As shown in (d), a scribe line is scribed with a diamond pen along a horizontal cut line of the pattern region of the wafer portion 40c, and cleaved along the scribe line in the same manner as the above-described vertical cleavage of the wafer. And the wafer portions 42a-42
Obtain d. Next, the wafer portions 42a to 42d are cleaved so that the height of the wafer sample is adjusted to about 10 mm in order to make the size easily mountable on the sample stage of the electron microscope.
The wafer samples 44a to 44c shown in FIG.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のウエハ
劈開方法には、次のような問題点があった。第1の問題
は、GaAs基板を劈開する際、所望のラインに沿って
劈開できないことである。GaAs基板の劈開では、ウ
エハ周辺部にカット用の切り傷を入れ、そこから引き裂
くようにして劈開するために、劈開線がウエハ結晶の成
長方向に依存する。その結果、オリエンテーションフラ
ットに直交する所望のラインに沿って真っ直ぐに劈開で
きず、図8に示すように、例えば40bと40cとの間
の劈開線が斜めになって割れることが多いことである。
第2の問題は、目で確認できる寸法はせいぜいmm単位
であるから、GaAsウエハやシリコンウエハに限ら
ず、ウエハの劈開に際し、ウエハ試料を目視して、正確
なけがき線をパターン領域に形成することが難しいこと
である。However, the conventional wafer cleavage method has the following problems. A first problem is that when cleaving a GaAs substrate, it cannot be cleaved along a desired line. In the cleavage of the GaAs substrate, a cleavage line is made in the peripheral portion of the wafer, and the wafer is cleaved so as to be torn therefrom. Therefore, the cleavage line depends on the growth direction of the wafer crystal. As a result, it is difficult to cleave straight along a desired line orthogonal to the orientation flat, and for example, as shown in FIG. 8, the cleavage line between 40b and 40c is often inclined and broken.
The second problem is that since the dimensions that can be confirmed by the eye are at most mm units, not only GaAs wafers and silicon wafers, but also, when cleaving the wafer, an accurate scribe line is formed in the pattern area by visually observing the wafer sample. It is difficult.
【0007】第3の問題は、ウエハ表面(パターン面)
にけがき線を形成すると、検査、解析を行いたいパター
ン面が損傷したり、ウエハの切子がダストとなって検査
するパターン面を汚染したりする恐れが大きいことであ
る。また、ウエハ裏面にけがき線を形成する場合も、下
向きになったウエハ表面をカッティングプレート(ウエ
ハ乗せ台)に押さえ付ける恰好となり、ウエハ表面に傷
が付き、パターン面が破壊されるという問題がある。第
4の問題は、上述のように種々の問題があるために、ウ
エハ劈開加工には、熟練と経験を要し、個人差が生じる
ことである。The third problem is that the wafer surface (pattern surface)
When a scribe line is formed, there is a high possibility that a pattern surface to be inspected and analyzed is damaged, and a chip of a wafer becomes dust and contaminates the pattern surface to be inspected. Also, when a scribe line is formed on the back surface of the wafer, the downwardly facing surface of the wafer is pressed against a cutting plate (wafer mounting table), which causes a problem that the wafer surface is scratched and the pattern surface is destroyed. is there. The fourth problem is that, because of various problems as described above, the wafer cleavage requires skill and experience, and individual differences occur.
【0008】特に、GaAsウエハ等の化合物半導体ウ
エハは、脆く割れ易いために、ダイヤモンドペン等で切
り傷やけがき線を形成する際、けがき線形成中にダイヤ
モンドペン等の点圧によってウエハに亀裂が生じ易い。In particular, compound semiconductor wafers such as GaAs wafers are brittle and easily broken. When a cut or scribe line is formed with a diamond pen or the like, cracks are formed on the wafer by the point pressure of the diamond pen or the like during formation of the scribe line. Easy to occur.
【0009】そこで、本発明の目的は、ウエハ表面を保
護しつつ、脆く割れ易いウエハであっても、正確に劈開
できるように、ウエハ劈開用のけがき線を形成する装置
及びその方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an apparatus and a method for forming a scribe line for cleaving a wafer so that the wafer surface can be cleaved accurately while protecting the wafer surface, even if the wafer is brittle and easily broken. It is to be.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るウエハ劈開用のけがき線形成装置は、
ウエハ裏面にウエハ劈開用のけがき線を引くけがき線形
成装置であって、Y方向に移動自在な移動台と、カッタ
を上端部に備え、移動台上に直立してX方向に褶動自在
なカッタ保持体と、透明な材料で形成され、ウエハと同
じ厚さのカッタ位置決め用ダミーウエハと、カッタの上
方に配置され、開口部を有する底板上に、ウエハ裏面を
下向きにしてウエハを水平に保持するウエハ保持台と、
移動体と一体的に移動するように設けられ、ウエハ保持
台上に載置されたダミーウエハ、次いでウエハにレーザ
光をポイント照射するレーザ光出射装置とを備え、ウエ
ハのけがき線形成の前に、ウエハ保持台上にダミーウエ
ハを載置し、レーザ光出射装置から照射されたレーザ光
によってカッタを位置決めするようにしたことを特徴と
している。In order to achieve the above object, a scribe line forming apparatus for cleaving a wafer according to the present invention comprises:
A scribing line forming apparatus for drawing a scribing line for cleaving a wafer on the back surface of a wafer, comprising a movable table movable in a Y direction and a cutter at an upper end portion, and standing upright on the movable table to be slid in the X direction. A flexible cutter holder, a dummy wafer for cutter positioning formed of a transparent material and having the same thickness as the wafer, and a wafer positioned horizontally above the cutter and having an opening on the bottom plate with the wafer back face down. A wafer holding table for holding the
A laser light emitting device that is provided so as to move integrally with the moving body, is placed on the wafer holding table, and then irradiates the wafer with laser light at a point, and before forming a scribe line on the wafer. A dummy wafer is placed on a wafer holding table, and a cutter is positioned by laser light emitted from a laser light emitting device.
【0011】本発明では、ウエハのけがき線形成の前
に、ウエハ保持台上にダミーウエハを載置し、カッタを
X方向に移動してレーザ光出射装置からのレーザ光の照
射ポイントとカッタとを位置合わせし、かつ位置決めし
ているので、ウエハ表面に形成されたパターンを確認し
つつ、けがき線を形成すべき所望のラインを設定し、そ
のラインにカッタを位置決めすることができる。また、
移動台をY方向に移動することにより、カッタでウエハ
裏面にけがき線を所望のラインに沿って形成することが
できる。In the present invention, before forming a scribe line on a wafer, a dummy wafer is placed on a wafer holding table, and the cutter is moved in the X direction to irradiate a laser light irradiation point from the laser light emitting device with the cutter. Is aligned and positioned, it is possible to set a desired line on which a scribe line is to be formed while confirming the pattern formed on the wafer surface, and position the cutter at that line. Also,
By moving the moving table in the Y direction, a scribe line can be formed on the back surface of the wafer along a desired line by the cutter.
【0012】本発明に係るウエハ劈開用のけがき線形成
装置は、シリコンウエハに加えて、劈開の際、破損し易
いGaAsウエハ、GaNウエハ、InPウエハ等の化
合物半導体ウエハ、更にはフェライト基板にも適用でき
る。本発明に係るウエハ劈開用のけがき線形成装置を使
えば、ウエハ表面のパターン、劈開面を保護しつつ、正
確に、個人差無く劈開することができる。The scribe line forming apparatus for cleaving a wafer according to the present invention can be applied to not only a silicon wafer but also a compound semiconductor wafer such as a GaAs wafer, a GaN wafer, an InP wafer or the like, which is easily damaged at the time of cleavage, and a ferrite substrate. Can also be applied. When the scribe line forming apparatus for cleaving a wafer according to the present invention is used, cleaving can be performed accurately and without any individual difference while protecting the pattern and cleaved surface on the wafer surface.
【0013】好適には、カッタ保持体が、移動台に固定
する固定手段を備え、カッタを位置決めした位置に固定
手段によって固定され、かつカッタを上方に付勢する弾
性体を備え、ウエハ保持台の開口部を通って、ウエハ裏
面にカッタを押圧する。これにより、一層確実にけがき
線をウエハ裏面い形成することができる。また、移動台
の下にリニヤガイドを設け、リニヤガイド上で移動台を
Y方向に摺動自在に移動させる移動手段を備えているよ
うにする。これにより、カッタを円滑にしかも正しくY
方向に移動できるので、けがき線を所望のラインに沿っ
て形成することができる。また、ウエハ保持台には、ウ
エハを収容するざぐり凹部が設けてある。これにより、
ウエハを正確にウエハ保持台に位置決めして、収容する
ことができる。けがき線を形成できる限りカッタの種類
には制約はなく、例えばカッタとしてダイヤモンドペン
を使用することができる。Preferably, the cutter holder includes fixing means for fixing the cutter to the moving table, and an elastic body fixed by the fixing means at a position where the cutter is positioned, and for urging the cutter upward. Through the opening, and presses the cutter against the back surface of the wafer. This makes it possible to more reliably form the scribe line on the back surface of the wafer. Further, a linear guide is provided below the moving base, and a moving means for slidably moving the moving base in the Y direction on the linear guide is provided. Thereby, the cutter can be smoothly and correctly Y-shaped.
The scribe line can be formed along a desired line because it can move in the direction. Further, a counterbore recess for accommodating a wafer is provided in the wafer holding table. This allows
The wafer can be accurately positioned on the wafer holder and accommodated. There is no limitation on the type of cutter as long as the scribe line can be formed. For example, a diamond pen can be used as the cutter.
【0014】本発明に係るけがき線の形成方法は、水平
なウエハ保持台上に、ウエハと同じ厚さで透明な、カッ
タ位置決め用ダミーウエハを載置し、カッタと一体的に
Y方向に移動するレーザ光出射装置を起動して、ダミー
ウエハにレーザ光を照射するステップと、次いで、ダミ
ーウエハ下のカッタをX方向に移動して、ダミーウエハ
上のレーザ光の照射ポイントとカッタとを位置合わせす
るステップと、位置合わせした位置に、カッタを固定す
るステップと、ダミーウエハに代えて、劈開するウエハ
をウエハ保持台に載置し、カッタをY方向に移動してウ
エハ裏面にけがき線を形成するステップとを有すること
を特徴としている。本発明に係るウエハ劈開用のけがき
線形成方法は、シリコンウエハに加えて、劈開の際、破
損し易いGaAsウエハ、GaNウエハ、InPウエハ
等の化合物半導体ウエハ、更にはフェライト基板にも適
用できる。In a method of forming a scribe line according to the present invention, a transparent dummy wafer for positioning a cutter having the same thickness as a wafer is placed on a horizontal wafer holding table and moved in the Y direction integrally with the cutter. Activating the laser light emitting device to irradiate the dummy wafer with laser light, and then moving the cutter below the dummy wafer in the X direction to align the laser light irradiation point on the dummy wafer with the cutter. Fixing the cutter at the aligned position, placing the wafer to be cleaved on the wafer holding table in place of the dummy wafer, and moving the cutter in the Y direction to form a scribe line on the back surface of the wafer. And characterized in that: The scribe line forming method for cleaving a wafer according to the present invention can be applied not only to a silicon wafer, but also to a compound semiconductor wafer such as a GaAs wafer, a GaN wafer, or an InP wafer, which is easily damaged during cleavage, and further to a ferrite substrate. .
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照して、実
施形態例に基づいて本発明をより詳細に説明する。ウエハ劈開用けがき線形成装置の実施形態例 本実施形態例は、本発明に係るウエハ劈開用のけがき線
形成装置の実施形態の一例である。図1は本実施形態例
のウエハ劈開用のけがき線形成装置の斜視図、図2は本
実施形態例のウエハ劈開用のけがき線形成装置の正面
図、図3はウエハ固定台の平面図、図4(a)及び
(b)は、それぞれ、ダミーウエハの平面図及び側面図
である。本実施形態例のウエハ劈開用のけがき線形成装
置10(以下、簡単にけがき線形成装置10と言う)
は、図1及び図2に示すように、架台12と、カッタ1
4を上端部に備え、直立してX方向に移動自在なカッタ
保持体16と、カッタ保持体16をX方向に移動自在に
支持しつつかつY方向に移動自在な移動台18と、カッ
タ14の上方に配置され、ウエハを保持するウエハ保持
台20と、移動体18の一方の端部から直立して上方に
伸びる柱体22の上端に設けられたレーザ光出射装置2
4とを備えている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings based on embodiments. Embodiment the present embodiment of the wafer cleavage for marking line forming apparatus is an example embodiment of the scribe line forming apparatus for wafer cleaved according to the present invention. FIG. 1 is a perspective view of a scribe line forming apparatus for cleaving a wafer according to this embodiment, FIG. 2 is a front view of the scribe line forming apparatus for cleaving a wafer according to this embodiment, and FIG. FIGS. 4A and 4B are a plan view and a side view of the dummy wafer, respectively. A scribe line forming apparatus 10 for cleaving a wafer according to the embodiment (hereinafter, simply referred to as a scribe line forming apparatus 10).
As shown in FIGS. 1 and 2, the gantry 12 and the cutter 1
A cutter holder 16 having an upper end 4 and movable upright and movable in the X direction; a movable base 18 supporting the cutter holder 16 movably in the X direction and movable in the Y direction; And a laser beam emitting device 2 provided at an upper end of a column 22 extending upward from one end of the moving body 18 and standing upright from one end of the moving body 18.
4 is provided.
【0016】架台12は、ウエハ保持台20を水平に載
置する上段12aと、移動台18を支持する下段12b
とを備えている。ウエハ保持台20は、劈開するウエハ
を水平に保持する板状体であって、ウエハWを保持し、
位置がずれないように、図3に示すように、ウエハWと
同じ形状のざくり凹部20aが設けてあり、また、ざく
り凹部の中央領域には、カッタ14のカッタ刃を貫通さ
せ、かつ貫通したカッタ刃を所定のラインに沿って走行
させるように、開口部26を備えている。The gantry 12 includes an upper stage 12a on which the wafer holder 20 is placed horizontally and a lower stage 12b for supporting the moving stage 18.
And The wafer holder 20 is a plate-like body that horizontally holds a cleaved wafer, holds a wafer W,
As shown in FIG. 3, a counterbore 20a having the same shape as the wafer W is provided so as not to be displaced, and a cutter blade of the cutter 14 is pierced and penetrated in a central region of the counterbore. An opening 26 is provided so that the cutter blade travels along a predetermined line.
【0017】カッタ14は、上先端にカッタ刃を有し
て、カッタ保持体16の上端部に直立して保持されてい
る。カッタ保持体16は、カッタ14を直立して保持す
る保持板16aと、保持板16aと底板16bとの間に
介在するコイルバネ16cと、移動台18に設けられ
た、X方向の長孔18aを貫通する下端部16dと、下
端部16dに設けられたローレットネジ16eとを備え
ている。カッタ14のカッタ刃は、カッタ保持体16の
底板16bと保持板16aとの間に介在するコイルバネ
16cのバネ力によって、ウエハ保持台20の開口部2
6を貫通してウエハWの裏面に適度の押圧力で当接す
る。また、カッタ保持体16は、ローレットネジ16e
を締め込むことにより、所定の位置で移動台18に固定
される。The cutter 14 has a cutter blade at its upper end and is held upright on the upper end of a cutter holder 16. The cutter holding body 16 includes a holding plate 16a for holding the cutter 14 upright, a coil spring 16c interposed between the holding plate 16a and the bottom plate 16b, and a long hole 18a in the X direction provided on the moving table 18. It has a lower end 16d penetrating therethrough and a knurled screw 16e provided on the lower end 16d. The cutter blade of the cutter 14 causes the opening 2 of the wafer holder 20 to be moved by the spring force of the coil spring 16c interposed between the bottom plate 16b of the cutter holder 16 and the holding plate 16a.
6 and comes into contact with the back surface of the wafer W with an appropriate pressing force. Also, the cutter holder 16 is provided with a knurled screw 16e.
Is fixed to the movable table 18 at a predetermined position.
【0018】移動台18は、板状体で形成され、カッタ
保持体16の下端部16dを貫通させるX方向の長孔1
8aを有し、架台12の下段12b上を摺動する。柱体
22は、中間に移動用ノブ28を備え、移動用ノブ28
を持ってY方向に移動させることにより、移動体18と
一体的にY方向に移動する。また、移動用ノブ28を回
転させることにより、柱体22及び移動体18をY方向
に移動させるようにすることもできる。ここで、Y方向
は、図1では紙面に直交する方向であり、図2では、矢
印Yの方向である。X方向は図1及び図2の矢印Xの方
向である。The movable table 18 is formed of a plate-like body, and has a long hole 1 in the X direction penetrating the lower end 16 d of the cutter holder 16.
8a, and slides on the lower stage 12b of the gantry 12. The column body 22 has a movement knob 28 in the middle, and the movement knob 28
Is moved in the Y direction with the moving member 18, thereby moving in the Y direction integrally with the moving body 18. Further, by rotating the moving knob 28, the column 22 and the moving body 18 can be moved in the Y direction. Here, the Y direction is a direction orthogonal to the paper surface in FIG. 1 and a direction of an arrow Y in FIG. The X direction is the direction of the arrow X in FIGS.
【0019】レーザ光出射装置24は、図2及び図5に
示すように、レーザ光を出射する装置であって、カッタ
14のカッタ刃が当接しているウエハ裏面と反対側のウ
エハ表面位置にレーザ光を照射するようになっている。
そして、レーザ光出射装置24は、後述するカッタ14
との位置合わせの精度を高めるために、ウエハ上での照
射ポイントが小さくなるようにレーザーポインターを有
し、かつ取付ける角度を調整して、レーザ光の出射角度
を調整できるようになっている。As shown in FIGS. 2 and 5, the laser light emitting device 24 is a device that emits laser light. The laser light emitting device 24 is located at a position on the wafer surface opposite to the wafer back surface where the cutter blade of the cutter 14 contacts. A laser beam is irradiated.
The laser beam emitting device 24 is connected to a cutter 14 to be described later.
In order to increase the accuracy of the alignment with the laser beam, a laser pointer is provided so that the irradiation point on the wafer is reduced, and the angle of attachment is adjusted to adjust the emission angle of the laser beam.
【0020】移動用ノブ28は、柱体22の中間から内
方に伸びる支持板22a上に設けられていて、一方、支
持板22aは、リニアガイド(LMガイド)30を介し
て架台12の上段12a上にY方向に摺動自在に支持さ
れている。更に、移動台18を摺動自在にY方向に走行
させるために、移動台18は、両端部でリニアガイド
(LMガイド)32A、Bを介して架台12の下段12
b上に支持されている。また、載置したウエハが動かな
いように、ウエハ保持台20上には、樹脂製で逆L字形
の2枚のウエハ押さえ板34が、図2に示すように、ウ
エハWの両周辺部を横切ってY方向に延在するように設
けてある。また、ウエハ押さえ板34が強くウエハ表面
を押圧しないようにストッパ(図示せず)が設けてあ
る。尚、ウエハを動かないように保持するために、ウエ
ハ保持台20に真空吸着機構を設けても良い。The moving knob 28 is provided on a support plate 22 a extending inward from the center of the column 22, while the support plate 22 a is connected to the upper stage of the gantry 12 via a linear guide (LM guide) 30. 12a is slidably supported in the Y direction. Further, in order to make the movable table 18 slidably travel in the Y direction, the movable table 18 is connected to the lower stage 12 of the gantry 12 via linear guides (LM guides) 32A and 32B at both ends.
b. In order to prevent the mounted wafer from moving, two inverted L-shaped wafer pressing plates 34 made of resin are provided on the wafer holding table 20 so as to cover both peripheral portions of the wafer W as shown in FIG. It is provided so as to extend in the Y direction across it. Further, a stopper (not shown) is provided so that the wafer pressing plate 34 does not strongly press the wafer surface. Incidentally, a vacuum suction mechanism may be provided on the wafer holding table 20 in order to hold the wafer so as not to move.
【0021】本けがき線形成装置10は、レーザ光出射
装置24から出射されるレーザ光のウエハ上の照射スポ
ットと、カッタ14のカッタ刃との位置合わせを行うた
めに、位置合わせ用のダミーウエハ36を備えている。
ダミーウエハ36は、透明な樹脂製の板体であって、図
4(a)及び(b)に示すように、ウエハWと同じ外形
で、同じ厚さTを備えている。The scribing line forming apparatus 10 includes a dummy wafer for positioning in order to align an irradiation spot on the wafer of the laser beam emitted from the laser beam emitting device 24 with the cutter blade of the cutter 14. 36.
The dummy wafer 36 is a transparent resin plate, and has the same outer shape and the same thickness T as the wafer W, as shown in FIGS. 4A and 4B.
【0022】ウエハのけがき線形成の前に、ウエハ保持
台20上にダミーウエハ36を載置し、レーザ光出射装
置24からのレーザ光の照射スポットとカッタ14とが
位置合わせするように、カッタ保持体16を移動台18
上でX方向に摺動させ、次いで位置合わせした位置に固
定する。次いで、移動台18をY方向に移動させること
により、カッタ14でけがき線をウエハ裏面に形成する
ことができる。以上の構成によって、脆く、損傷し易い
化合物半導体ウエハ等のウエハ裏面に精度良く、かつ作
業者間の個人差なく、ウエハを劈開するためのけがき線
を形成することができる。本実施形態例では、チップ・
パターンが形成されているウエハ表面のパターン位置を
確認し易くするために、斜光機を別途併用することによ
り、けがき線形成作業を一層容易にすることができる。Before forming the scribe line on the wafer, a dummy wafer 36 is placed on the wafer holding table 20 and the cutter 14 is positioned so that the irradiation spot of the laser beam from the laser beam emitting device 24 and the cutter 14 are aligned. Move the holding body 16 to the moving table 18
Slide in the X direction above and then lock in the aligned position. Next, by moving the movable table 18 in the Y direction, a scribe line can be formed on the back surface of the wafer by the cutter 14. According to the above configuration, a scribe line for cleaving the wafer can be formed on the back surface of a fragile and easily damaged compound semiconductor wafer or the like with high precision and without individual differences among operators. In this embodiment, the chip
By separately using an oblique light device in order to easily confirm the pattern position on the wafer surface on which the pattern is formed, the scribe line forming operation can be further facilitated.
【0023】ウエハ劈開用のけがき線形成方法の実施形
態例 本実施形態例は、上述のけがき線形成装置10を使って
本発明に係るウエハ劈開用のけがき線を形成する方法を
適用する実施形態の一例である。なお、図5はレーザ光
出射装置から出射されたレーザ光とカッタとの関係を示
す概念図である。本実施形態例の方法では、先ず、ウエ
ハ保持台20のザグリ凹部20a上に、ダミーウエハ3
6を載置し、レーザ光出射装置24を起動して、ダミー
ウエハ36にレーザ光を照射する。照射する位置は、ウ
エハのけがき線形成の予定ラインに相当するダミーウエ
ハ36の位置である。次いで、ダミーウエハ36に照射
されたレーザ光の照射ポイントを見ながら、移動台18
上をX方向にカッタ保持体16を移動させ、図5に示す
ように、レーザ光照射装置24から照射されたレーザ光
の照射ポイントとカッタ14のカッタ刃とを位置合わせ
する。位置合わせが終了した時点で、カッタ保持体16
のローレットネジ16eを締め込み、位置合わせした位
置で移動台18にカッタ保持体16、従ってカッタ14
を固定する。An embodiment of a scribe line forming method for cleaving a wafer
Embodiment This embodiment is an example of an embodiment to which the method for forming a scribe line for cleaving a wafer according to the present invention using the above-described scribe line forming apparatus 10 is applied. FIG. 5 is a conceptual diagram showing the relationship between the laser light emitted from the laser light emitting device and the cutter. In the method of the present embodiment, first, the dummy wafer 3 is placed on the counterbore recess 20a of the wafer holding table 20.
6, the laser light emitting device 24 is activated, and the dummy wafer 36 is irradiated with laser light. The irradiation position is a position of the dummy wafer 36 corresponding to a scheduled line for forming a scribe line of the wafer. Next, while observing the irradiation point of the laser beam applied to the dummy wafer 36,
The cutter holder 16 is moved upward in the X direction, and the irradiation point of the laser beam irradiated from the laser beam irradiation device 24 and the cutter blade of the cutter 14 are aligned as shown in FIG. When the alignment is completed, the cutter holder 16
The knurled screw 16e of the cutter holder 16 and the cutter 14
Is fixed.
【0024】次いで、ダミーウエハ36をウエハ保持台
20から取り出し、劈開するウエハをウエハ保持台20
のザグリ凹部20a上に載置する。載置する際、ウエハ
のオリエンテーションフラットをX方向に平行になるよ
うにウエハを載置する。そして、けがき線形成領域から
外方の領域でウエハをウエハ押さえ板34によって押さ
える。これによって、カッタ14のカッタ刃は、レーザ
光の照射ポイントと位置合わせされた状態で、ウエハの
裏面に当接する。次いで、移動用ノブ28を持ってY方
向に移動すると、移動体18及びカッタ保持体16、従
ってカッタ14がY方向に移動して、ウエハの裏面にけ
がき線を形成する。次に、けがき線が形成されたウエハ
をウエハ保持台20から取り出し、けがき線を跨いでウ
エハを両手で握り、左右に引き裂くように引っ張ると、
ウエハはけがき線に沿って劈開され、所望のウエハ試料
を得ることができる。Next, the dummy wafer 36 is taken out of the wafer holder 20, and the wafer to be cleaved is placed on the wafer holder 20.
On the counterbore recess 20a. At the time of mounting, the wafer is mounted so that the orientation flat of the wafer is parallel to the X direction. Then, the wafer is pressed by the wafer pressing plate 34 in a region outside the scribe line forming region. Thus, the cutter blade of the cutter 14 comes into contact with the back surface of the wafer in a state where the cutter blade is aligned with the irradiation point of the laser beam. Next, when the moving body 28 is moved in the Y direction while holding the moving knob 28, the moving body 18 and the cutter holder 16, that is, the cutter 14 are moved in the Y direction, and a scribe line is formed on the back surface of the wafer. Next, the wafer on which the scribe line is formed is taken out of the wafer holding table 20, and the wafer is held with both hands across the scribe line, and is pulled to tear right and left.
The wafer is cleaved along the scribe line to obtain a desired wafer sample.
【0025】劈開したウエハ試料を更に劈開するときに
は、ウエハ試料と同じ外形、同じ厚さで透明な別のダミ
ーウエハをウエハ保持台に載せ、前述した方法でカッタ
14を位置決めした後、ダミーウエハに代えて、予定け
がき線がY方向に平行になるようにしてウエハ保持台に
載置し、以下、同様にして、所望寸法のウエハ試料を作
製する。When the cleaved wafer sample is further cleaved, another transparent dummy wafer having the same outer shape and thickness as the wafer sample is placed on the wafer holding table, and the cutter 14 is positioned by the above-described method. Then, the wafer is placed on the wafer holding table such that the planned scribe line is parallel to the Y direction, and thereafter, a wafer sample having a desired size is manufactured in the same manner.
【0026】[0026]
【発明の効果】本発明によれば、カッタを備え、X方向
に褶動自在なカッタ保持体と、移動台と、ダミーウエハ
と、ウエハ保持台と、レーザ光をポイント照射するレー
ザ光出射装置とを備え、ウエハのけがき線形成の前に、
ウエハ保持台上にダミーウエハを載置し、レーザ光出射
装置からのレーザ光によってカッタを位置決めし、次い
でカッタでけがき線をウエハ裏面に形成することによ
り、脆く、損傷し易い化合物半導体ウエハを精度良く、
作業者間の個人差なく、ウエハを劈開するためのけがき
線を形成することができる。本発明に係るウエハ劈開用
のけがき線形成装置を使えば、ウエハ及びウエハ表面の
パターン領域を損傷することなく、劈開できるので、パ
ターン領域がダスト等で汚染されていない良質のウエハ
試料を作製することができる。本発明に係るウエハ劈開
用のけがき線形成装置は、シリコンウエハに加えて、劈
開の際、破損し易いGaAsウエハ、GaNウエハ、I
nPウエハ等の化合物半導体ウエハ、更にはフェライト
基板にも適用できる。本発明方法は、ウエハ及びウエハ
表面のパターン領域を損傷することなく、劈開できるよ
うにした、けがき線の形成方法を実現している。According to the present invention, there is provided a cutter holder having a cutter, which is slidable in the X direction, a movable table, a dummy wafer, a wafer holder, and a laser beam emitting device for irradiating a laser beam with a point. Before forming the scribe line of the wafer,
A dummy wafer is placed on a wafer holder, the cutter is positioned by laser light from a laser beam emitting device, and then a scribe line is formed on the back surface of the wafer by the cutter to accurately detect brittle and easily damaged compound semiconductor wafers. well,
A scribe line for cleaving a wafer can be formed without individual differences between workers. The scribe line forming apparatus for cleaving a wafer according to the present invention can be cleaved without damaging the wafer and the pattern region on the surface of the wafer, so that a high-quality wafer sample in which the pattern region is not contaminated with dust or the like can be produced. can do. The scribing line forming apparatus for cleaving a wafer according to the present invention includes, in addition to a silicon wafer, a GaAs wafer, a GaN wafer,
The present invention can be applied to a compound semiconductor wafer such as an nP wafer and a ferrite substrate. The method of the present invention realizes a method of forming a scribe line, which can be cleaved without damaging a wafer and a pattern region on the wafer surface.
【図1】実施形態例のウエハ劈開用のけがき線形成装置
の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a scribe line forming apparatus for cleaving a wafer according to an embodiment.
【図2】実施形態例のウエハ劈開用のけがき線形成装置
の正面図である。FIG. 2 is a front view of a scribe line forming apparatus for cleaving a wafer according to the embodiment.
【図3】ウエハ固定台の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a wafer fixing table.
【図4】図4(a)及び(b)は、それぞれ、ダミーウ
エハの平面図及び側面図である。FIGS. 4A and 4B are a plan view and a side view of a dummy wafer, respectively.
【図5】レーザ光出射装置から出射されたレーザ光とカ
ッタとの関係を示す概念図である。FIG. 5 is a conceptual diagram showing a relationship between a laser beam emitted from a laser beam emitting device and a cutter.
【図6】図6(a)から(c)は、それぞれ、従来の方
法によってウエハを劈開する際の手順を示す模式図であ
る。6 (a) to 6 (c) are schematic diagrams each showing a procedure for cleaving a wafer by a conventional method.
【図7】図7(d)と(e)は、それぞれ、図6(c)
に続いて、従来の方法によってウエハを劈開する際の手
順を示す模式図である。7 (d) and (e) are FIGS. 6 (c), respectively.
FIG. 9 is a schematic view showing a procedure for cleaving the wafer by a conventional method, following FIG.
【図8】従来の方法によってウエハを劈開した際の問題
を説明する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a problem when a wafer is cleaved by a conventional method.
10……実施形態例のウエハ劈開用けがき線形成装置、
12……架台、12a……上段、12b……下段、14
……カッタ、16……カッタ保持体、16a……保持
板、16c……コイルバネ、16d……下端部、16e
……ローレットネジ、18……移動台、18a……長
孔、20……ウエハ保持台、20a……ざくり凹部、2
2……柱体、24……レーザ光出射装置、26……開口
部、移動用ノブ、30……リニアガイド(LMガイ
ド)、32A、B……リニアガイド(LMガイド)、3
4……ウエハ押さえ板、36……ダミーウエハ、40…
…ウエハ、42……ウエハ部分。10 wafer scribing line forming apparatus of the embodiment,
12 ... stand, 12a ... upper, 12b ... lower, 14
... Cutter, 16 Cutter holder, 16a Holding plate, 16c Coil spring, 16d Lower end, 16e
... knurled screw, 18 ... moving table, 18a ... long hole, 20 ... wafer holding table, 20a ... counterbore recess, 2
2 ... column, 24 ... laser beam emitting device, 26 ... opening, moving knob, 30 ... linear guide (LM guide), 32A, B ... linear guide (LM guide), 3
4 ... Wafer holding plate, 36 ... Dummy wafer, 40 ...
... wafer, 42 ... wafer portion.
Claims (6)
引くけがき線形成装置であって、 Y方向に移動自在な移動台と、 カッタを上端部に備え、移動台上に直立してX方向に褶
動自在なカッタ保持体と、 透明な材料で形成され、ウエハと同じ厚さのカッタ位置
決め用ダミーウエハと、 カッタの上方に配置され、開口部を有する底板上に、ウ
エハ裏面を下向きにしてウエハを水平に保持するウエハ
保持台と、 移動体と一体的に移動するように設けられ、ウエハ保持
台上に載置されたダミーウエハ、次いでウエハにレーザ
光をポイント照射するレーザ光出射装置とを備え、 ウエハのけがき線形成の前に、ウエハ保持台上にダミー
ウエハを載置し、レーザ光出射装置から照射されたレー
ザ光によってカッタを位置決めするようにしたことを特
徴とするウエハ劈開用のけがき線形成装置。1. A scribe line forming apparatus for drawing a scribe line for cleaving a wafer on the back surface of a wafer, comprising: a movable table movable in a Y direction; A cutter holder that is foldable in the X direction, a cutter positioning dummy wafer formed of a transparent material and having the same thickness as the wafer, and a wafer rear face down on a bottom plate having an opening and disposed above the cutter. A wafer holder that holds the wafer horizontally, and a laser beam emitting device that is provided so as to move integrally with the moving body, and that irradiates the laser beam with a point on the dummy wafer placed on the wafer holder, and then irradiates the wafer with a point. Before forming the scribe line of the wafer, a dummy wafer is placed on the wafer holding table, and the cutter is positioned by the laser light emitted from the laser light emitting device. Scribe line forming device for cleaving wafers.
手段を備え、カッタを位置決めした位置に固定手段によ
って固定され、かつカッタを上方に付勢する弾性体を備
え、ウエハ保持台の開口部を通って、ウエハ裏面にカッ
タを押圧することを特徴とする請求項1に記載のウエハ
劈開用のけがき線形成装置。2. A wafer holding table, comprising: a fixing means for fixing the cutter holder to the moving table; an elastic body fixed by the fixing means at a position where the cutter is positioned; and an elastic body for urging the cutter upward. The scribe line forming apparatus for cleaving a wafer according to claim 1, wherein the cutter is pressed against the back surface of the wafer through the portion.
ヤガイド上で移動台をY方向に摺動自在に移動させる移
動手段を備えていることを特徴とする請求項1に記載の
ウエハ劈開用のけがき線形成装置。3. The wafer cleaving device according to claim 1, further comprising a linear guide provided below the moving table, and moving means for slidably moving the moving table in the Y direction on the linear guide. Scribe line forming equipment.
のざぐり凹部を設け、ウエハをざぐり凹部に収容するこ
とを特徴とする請求項1に記載のウエハ劈開用のけがき
線形成装置。4. The scribing line forming apparatus for cleaving a wafer according to claim 1, wherein a counterbore having the same shape as the outer shape of the wafer is provided in the wafer holding table, and the wafer is accommodated in the counterbore.
特徴とする請求項1に記載のウエハ劈開用のけがき線形
成装置。5. The scribe line forming apparatus for cleaving a wafer according to claim 1, wherein the cutter is a diamond pen.
厚さで透明な、カッタ位置決め用ダミーウエハを載置
し、カッタと一体的にY方向に移動するレーザ光出射装
置を起動して、ダミーウエハにレーザ光を照射するステ
ップと、 次いで、ダミーウエハ下のカッタをX方向に移動して、
ダミーウエハ上のレーザ光の照射ポイントとカッタとを
位置合わせするステップと、 位置合わせした位置に、カッタを固定するステップと、 ダミーウエハに代えて、劈開するウエハをウエハ保持台
に載置し、カッタをY方向に移動してウエハ裏面にけが
き線を形成するステップとを有することを特徴とするウ
エハ劈開用のけがき線形成方法。6. A transparent dummy wafer for positioning the cutter having the same thickness as the wafer is placed on a horizontal wafer holding table, and a laser beam emitting device that moves in the Y direction integrally with the cutter is started. Irradiating the dummy wafer with laser light, and then moving the cutter below the dummy wafer in the X direction,
Positioning the laser beam irradiation point on the dummy wafer with the cutter; fixing the cutter at the aligned position; placing the wafer to be cleaved on the wafer holding table in place of the dummy wafer; Forming a scribe line on the back surface of the wafer by moving in the Y direction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000118094A JP2001300869A (en) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | Scribing line forming device for wafer cleavage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000118094A JP2001300869A (en) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | Scribing line forming device for wafer cleavage |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001300869A true JP2001300869A (en) | 2001-10-30 |
Family
ID=18629297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000118094A Pending JP2001300869A (en) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | Scribing line forming device for wafer cleavage |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2001300869A (en) |
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2000
- 2000-04-19 JP JP2000118094A patent/JP2001300869A/en active Pending
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