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JP2001300285A - Abrasive grain dispersing agent for polishing and slurry for grinding - Google Patents

Abrasive grain dispersing agent for polishing and slurry for grinding

Info

Publication number
JP2001300285A
JP2001300285A JP2000117074A JP2000117074A JP2001300285A JP 2001300285 A JP2001300285 A JP 2001300285A JP 2000117074 A JP2000117074 A JP 2000117074A JP 2000117074 A JP2000117074 A JP 2000117074A JP 2001300285 A JP2001300285 A JP 2001300285A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
carbon atoms
examples
abrasive
alcohol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000117074A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Yamada
康博 山田
Takesuke Yamaguchi
武亮 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Chemical Industries Ltd filed Critical Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority to JP2000117074A priority Critical patent/JP2001300285A/en
Publication of JP2001300285A publication Critical patent/JP2001300285A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Emulsifying, Dispersing, Foam-Producing Or Wetting Agents (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an abrasive grain dispersing agent having improved polishing speed and surface roughness, and slurry for polishing. SOLUTION: An abrasive grain dispersing agent containing a polymer of a specified monomer, and slurry for polishing comprising abrasive grains and water are used.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は研磨用砥粒分散剤及
び研磨用スラリーに関する。さらに詳しくは、ガラス、
シリコンウエハ、磁気ディスク、セラミック、合成石
英、水晶、サファイア等の表面を鏡面に仕上げる際の砥
粒の分散剤及び研磨用スラリーに関する。
The present invention relates to an abrasive dispersant for polishing and a polishing slurry. More specifically, glass,
The present invention relates to a dispersant for abrasive grains and a polishing slurry for polishing a surface of a silicon wafer, magnetic disk, ceramic, synthetic quartz, quartz, sapphire, or the like to a mirror surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ガラス等の鏡面仕上げを行う方法
としては、上下の回転する定盤の間で酸化セリウム、ア
ルミナ、酸化ジルコニウム、二酸化珪素、ダイヤモンド
等の平均粒径3μm以下の砥粒と砥粒の分散用分散剤及
び水を混合したスラリーを連続的に供給し、ウレタン製
研磨クロス等を用いて研磨する方法が使われている。さ
らに半導体装置の製造工程においてもCVD等の方法で
形成される二酸化珪素等の絶縁膜層の平坦化(CMP:
ケミカルメカニカルポリッシング)においてもこれらの
スラリーを用いた検討が行われている。砥粒の分散剤と
してはポリアクリル酸塩等が知られている。(特開平1
1−181406号公報)。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method for mirror finishing glass or the like, abrasives having an average particle size of 3 μm or less such as cerium oxide, alumina, zirconium oxide, silicon dioxide, diamond and the like are used between a vertically rotating platen. A method in which a slurry in which a dispersant for dispersing abrasive grains and water are mixed is continuously supplied and polishing is performed using a urethane polishing cloth or the like is used. Further, in the manufacturing process of a semiconductor device, an insulating film layer such as silicon dioxide formed by a method such as CVD is planarized (CMP:
Investigations using these slurries have also been conducted in chemical mechanical polishing). Polyacrylates and the like are known as dispersants for abrasive grains. (Japanese Unexamined Patent Publication No.
1-1181406).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポリア
クリル酸塩を分散剤として使用した場合、研磨速度、表
面粗さの改善のいずれも十分ではないといった問題を有
している。
However, when a polyacrylate is used as a dispersant, there is a problem that neither the polishing rate nor the improvement in surface roughness is sufficient.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
を解決するべく鋭意検討した結果、特定の単量体を重合
させてなる重合体を用いることにより、上記問題点が解
決されることを見いだし本発明に到達した。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to solve the above problems, and as a result, the above problems can be solved by using a polymer obtained by polymerizing a specific monomer. That is, the present invention has been achieved.

【0005】すなわち本発明は、下記一般式(1)で表
される(a)及び/又は一般式(2)で表される(b)
からなる単量体の重合体(A)を含むことを特徴とする
研磨用砥粒分散剤(I);並びに研磨用砥粒分散剤
(I)、砥粒(II)及び水からなる研磨用砥粒スラリ
ーである。 一般式 R1−O−[(C24O)m1/(C36O)n1]−R2 (1) {式中、R1は炭素数2〜5のアルケニル基であり、R2
は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基である。m1
は1〜30の整数、n1は0又は1〜10の整数であ
る。n1≠0のとき、[(C24O)m1/(C36O)n1]
は、ランダム状付加又はブロック状付加を示し、付加順
序は問わない。} 一般式 R3−COO−[(C24O)m2/(C36O)n2]−R4 (2) {式中、R3は炭素数2〜5のアルケニル基であり、R4
は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基である。m2
は1〜30の整数、n2は0又は1〜10の整数であ
る。n2≠0のとき、[(C24O)m2/(C36O)n2]
は、ランダム状付加又はブロック状付加を示し、付加順
序は問わない。}
That is, the present invention provides (a) represented by the following general formula (1) and / or (b) represented by the following general formula (2)
Abrasive dispersant (I) for polishing, characterized by containing a monomer polymer (A) consisting of: and an abrasive dispersant (I) for polishing comprising abrasive (II) and water. This is an abrasive slurry. General formula R 1 —O — [(C 2 H 4 O) m1 / (C 3 H 6 O) n1 ] —R 2 (1) wherein R 1 is an alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms; R 2
Is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. m1
Is an integer of 1 to 30, and n1 is 0 or an integer of 1 to 10. When n1 ≠ 0, [(C 2 H 4 O) m1 / (C 3 H 6 O) n1 ]
Indicates random addition or block addition, and the addition order does not matter. } General formula R 3 -COO - [(C 2 H 4 O) m2 / (C 3 H 6 O) n2] -R 4 (2) { wherein, R 3 is an alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms , R 4
Is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. m2
Is an integer of 1 to 30, and n2 is 0 or an integer of 1 to 10. When n2 ≠ 0, [(C 2 H 4 O) m2 / (C 3 H 6 O) n2 ]
Indicates random addition or block addition, and the addition order does not matter. }

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

【0007】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
一般式(1)で示される単量体(a)において、R1
炭素数2〜5のアルケニル基であり、具体例としては、
CH2=CH−基、CH3CH=CH−基、CH2=CH
CH2−基、CH2=C(CH3)−基、CH3CH=CHC
2−基、CH3CH=CHCH2CH2−基、CH2=C
HCH2CH2CH2−基、CH2=C(CH3)CH2CH2
−基等が挙げられる。好ましいのは、CH2=CH−基
及びCH2=C(CH3)−基である。n1≠0のとき、
[(C24O)m1/(C36O)n1]はランダム状付加でもブ
ロック状付加でもよく、付加順序は問わないが、好まし
くはブロック状付加である。m1は1〜30、n1は0
又は1〜10の整数であり、好ましくはm1が5〜2
0、n1が1〜6の整数である。m1/n1の比は通
常、100/0〜20/80であり、好ましくは95/
5〜40/60である。R2は水素原子又は炭素数1〜
4のアルキル基であり、具体例としては、メチル基、エ
チル基、イソプロピル基及びn−ブチル基等が挙げられ
る。好ましいのは、水素原子又はメチル基であり、特に
好ましくは水素原子である。
Hereinafter, the present invention will be described in detail. In the monomer (a) represented by the general formula (1) of the present invention, R 1 is an alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms.
CH 2 = CH- group, CH 3 CH = CH- group, CH 2 = CH
CH 2 — group, CH 2 CC (CH 3 ) — group, CH 3 CH = CHC
H 2 — group, CH 3 CH = CHCH 2 CH 2 — group, CH 2 CC
HCH 2 CH 2 CH 2 — group, CH 2 CC (CH 3 ) CH 2 CH 2
-Groups and the like. Preference is, CH 2 = CH- group and CH 2 = C (CH 3) - is a group. When n1 ≠ 0,
[(C 2 H 4 O) m1 / (C 3 H 6 O) n1 ] may be random addition or block addition, and the addition order is not limited, but is preferably block addition. m1 is 1 to 30, n1 is 0
Or an integer of 1 to 10, preferably m1 is 5 to 2
0 and n1 are integers of 1 to 6. The ratio of m1 / n1 is usually from 100/0 to 20/80, preferably 95 / n1.
5 to 40/60. R 2 is a hydrogen atom or carbon number 1
And specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, and an n-butyl group. Preferred are a hydrogen atom and a methyl group, and particularly preferred is a hydrogen atom.

【0008】単量体(a)の具体的な例としては、アリ
ルアルコールのエチレンオキサイド10モル/プロピレ
ンオキサイド2モルのブロック状付加物、アリルアルコ
ールのエチレンオキサイド8モル/プロピレンオキサイ
ド2モルのランダム状付加物、メタアリルアルコールの
エチレンオキサイド6モル/プロピレンオキサイド2モ
ルのブロック状付加物及びクロチルアルコールのエチレ
ンオキサイド12モル/プロピレンオキサイド2モルの
ブロック状付加物等が挙げられる。
Specific examples of the monomer (a) include a block-shaped adduct of 10 mol of allyl alcohol ethylene oxide / 2 mol of propylene oxide, and a random adduct of 8 mol of allyl alcohol ethylene oxide / 2 mol of propylene oxide. Examples of the adduct include a block-form adduct of 6 mol of ethylene oxide of methallyl alcohol / 2 mol of propylene oxide and a block-form adduct of 12 mol of ethylene oxide of crotyl alcohol / 2 mol of propylene oxide.

【0009】一般式(2)で示される単量体(b)にお
いて、R3は炭素数2〜5のアルケニル基であり、具体
例としては、前記R1と同じものが挙げられる。好まし
いのは、CH2=CH−基及びCH2=C(CH3)−基で
ある。n2≠0のとき、[(C24O)m2/(C36O)n2]
はランダム状付加でもブロック状付加でもよく、付加順
序は問わないが、好ましくはブロック状付加である。m
2は1〜30、n2は0又は1〜10の整数であり、好
ましくはm2が5〜20、n2が1〜6の整数である。
m2/n2の比は通常、10/0〜2/8であり、好ま
しくは8/2〜4/6である。R4は水素原子又は炭素
数1〜4のアルキル基であり、具体例としては、メチル
基、エチル基、イソプロピル基及びn−ブチル基等が挙
げられる。好ましいのは、水素原子又はメチル基であ
り、特に好ましくは水素原子である。
In the monomer (b) represented by the general formula (2), R 3 is an alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms, and specific examples thereof include the same as the above R 1 . Preference is, CH 2 = CH- group and CH 2 = C (CH 3) - is a group. When n2 ≠ 0, [(C 2 H 4 O) m2 / (C 3 H 6 O) n2 ]
May be random addition or block addition, and the addition order does not matter, but preferably block addition. m
2 is 1 to 30, n2 is 0 or an integer of 1 to 10, preferably m2 is 5 to 20, and n2 is an integer of 1 to 6.
The ratio of m2 / n2 is usually from 10/0 to 2/8, preferably from 8/2 to 4/6. R 4 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and specific examples include a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, and an n-butyl group. Preferred are a hydrogen atom and a methyl group, and particularly preferred is a hydrogen atom.

【00010】単量体(b)の具体的な例としては、ポ
リエチレングリコール{重量平均分子量[ゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィー(以下、GPCと略記す
る。)により測定。以下同様とする。]300}モノ
(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(重量
平均分子量500)モノアクリレート、アクリル酸とエ
チレンオキサイド10モル/プロピレンオキサイド3モ
ルのブロック状付加物とのエステル化物等が挙げられ
る。単量体(a)と(b)はそれぞれ単独でも、併用で
もかまわないが、好ましくは(a)単独又は(a)と
(b)の併用である。
A specific example of the monomer (b) is polyethylene glycol {weight average molecular weight [measured by gel permeation chromatography (hereinafter abbreviated as GPC). The same applies hereinafter. 300 ° mono (meth) acrylate, polyethylene glycol (weight average molecular weight 500) monoacrylate, esterified product of acrylic acid and a block-like adduct of ethylene oxide 10 mol / propylene oxide 3 mol, and the like. The monomers (a) and (b) may be used alone or in combination, but preferably (a) alone or in combination of (a) and (b).

【0011】本発明の(A)は、分散性の観点から、さ
らに下記一般式(3)で表される単量体(c)及び必要
により他の単量体(d)を含有する単量体の重合体であ
ることが好ましい。 一般式 Z−R5−COOX (3) [式中、Zは水素原子又はカルボキシル基である。Xは
水素原子又はM1/kである。M1/kはk価のカチオンを示
し、kは1又は2である。R5は炭素数2〜5のアルケ
ニレン基である。Zがカルボキシル基、Xが水素原子の
ときは無水物を形成していてもよい。]
From the viewpoint of dispersibility, (A) of the present invention comprises a monomer containing a monomer (c) represented by the following general formula (3) and optionally another monomer (d). It is preferably a solid polymer. Formula Z-R 5 -COOX (3) [ wherein, Z is hydrogen atom or a carboxyl group. X is a hydrogen atom or M1 / k . M 1 / k represents a k-valent cation, where k is 1 or 2. R5 is an alkenylene group having 2 to 5 carbon atoms. When Z is a carboxyl group and X is a hydrogen atom, it may form an anhydride. ]

【0012】本発明の一般式(3)で表される単量体
(c)において、Zは水素原子又はカルボキシル基であ
る。R5は炭素数2〜5のアルケニレン基であり、具体
例としては、前記R1と同じものが挙げられる。好まし
いのは、CH2=CH−基及びCH2=C(CH3)−基で
ある。
In the monomer (c) represented by the general formula (3) of the present invention, Z is a hydrogen atom or a carboxyl group. R 5 is an alkenylene group having 2 to 5 carbon atoms, and specific examples thereof include the same as those described above for R 1 . Preference is, CH 2 = CH- group and CH 2 = C (CH 3) - is a group.

【0013】Xは水素原子又はM1/kである。M1/kはk
価のカチオンを示し、kは1又は2である。1価のカチ
オンとしては、例えばアルカリ金属カチオン、アンモニ
ウムカチオン、有機アミンカチオン及び4級アンモニウ
ムカチオンが挙げられる。アルカリ金属カチオンとして
は、例えば、ナトリウム、カリウム及びリチウムのカチ
オン等が挙げられる。これらのうち好ましいのは、ナト
リウムカチオンである。有機アミンカチオンとしては、
例えば、炭素数1〜24のアルキルアミンカチオン及び
炭素数2〜8のアルカノールアミンカチオン;並びにこ
れらのエチレンオキサイド付加物(1〜10モル)、プ
ロピレンオキサイド付加物(1〜10モル)及びエチレ
ンオキサイド(1〜9モル)/プロピレンオキサイド
(1〜9モル)付加物(ブロック状でもランダム状でも
よい)等が挙げられる。アルキルアミンカチオンとして
は、例えば、メチルアミン及びドデシルアミンのカチオ
ン等が挙げられる。アルカノールアミンカチオンとして
は、例えば、モノエタノールアミンのカチオン等が挙げ
られる。4級アンモニウムカチオンとしては、例えば、
炭素数1〜12のテトラアルキル4級アンモニウムカチ
オン等が挙げられる。テトラアルキル4級アンモニウム
カチオンとしては、例えば、テトラエチルアンモニウム
のカチオン等が挙げられる。これらのうち好ましいの
は、炭素数6〜18の1級アミン及び2級アミン並びに
炭素数6〜18の1級アミンのエチレンオキサイド付加
物であり、さらに好ましくは、炭素数6〜18の1級ア
ミンのエチレンオキサイド付加物である。
X is a hydrogen atom or M 1 / k . M 1 / k is k
Represents a cation having a valence, and k is 1 or 2. Examples of the monovalent cation include an alkali metal cation, an ammonium cation, an organic amine cation, and a quaternary ammonium cation. Examples of the alkali metal cation include cations of sodium, potassium and lithium. Preferred among these are the sodium cations. As the organic amine cation,
For example, an alkylamine cation having 1 to 24 carbon atoms and an alkanolamine cation having 2 to 8 carbon atoms; and ethylene oxide adducts (1 to 10 mol), propylene oxide adducts (1 to 10 mol), and ethylene oxide ( (1-9 mol) / propylene oxide (1-9 mol) adducts (block-like or random-like). Examples of the alkylamine cation include cations of methylamine and dodecylamine. Examples of the alkanolamine cation include a cation of monoethanolamine. As the quaternary ammonium cation, for example,
Examples thereof include a tetraalkyl quaternary ammonium cation having 1 to 12 carbon atoms. Examples of the tetraalkyl quaternary ammonium cation include a cation of tetraethylammonium. Of these, preferred are primary and secondary amines having 6 to 18 carbon atoms and ethylene oxide adducts of primary amines having 6 to 18 carbon atoms, and more preferred are primary amines having 6 to 18 carbon atoms. It is an ethylene oxide adduct of an amine.

【0014】2価のカチオンとしては、例えば、アルカ
リ土類金属カチオン及び炭素数2〜6のアルキレンジア
ミンカチオン等が挙げられる。アルカリ土類金属カチオ
ンとしては、例えば、カルシウム及びマグネシウムのカ
チオン等が挙げられる。アルキレンジアミンカチオンと
しては、例えば、エチレンジアミンのカチオン等が挙げ
られる。これらのうち好ましいものは、マグネシウムカ
チオンである。
Examples of the divalent cation include an alkaline earth metal cation and an alkylenediamine cation having 2 to 6 carbon atoms. Examples of the alkaline earth metal cation include cations of calcium and magnesium. Examples of the alkylenediamine cation include a cation of ethylenediamine. Preferred among these are magnesium cations.

【0015】単量体(c)の具体的な例としては、アク
リル酸、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン酸、クロ
トン酸、メサコン酸、フマル酸、シトラコン酸、無水マ
レイン酸、無水シトラコン酸、無水イタコン酸、及びこ
れらの酸のナトリウム塩、マグネシウム塩及びアルキル
アミン塩等が挙げられる。単量体(a)、(b)、
(c)はそれぞれ一種類とは限らず、それぞれ二種以上
の単量体を構成単位とすることも可能である。
Specific examples of the monomer (c) include acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, itaconic acid, crotonic acid, mesaconic acid, fumaric acid, citraconic acid, maleic anhydride, citraconic anhydride, Itaconic acid and the sodium, magnesium and alkylamine salts of these acids. Monomers (a), (b),
(C) is not limited to one type, and two or more types of monomers may be used as constituent units.

【0016】また、本発明の重合体(A)には上記の構
成単位の他に、必要により本発明の性能を阻害しない範
囲の量で他の不飽和単量体(d)を共重合させることも
できる。このような単量体の具体的な例としては、メチ
ル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレー
ト、ブチル(メタ)アクリレート等の炭素数3〜24の
アルキル(メタ)アクリレート;スチレン、インデン等
の炭素数8〜30のビニル芳香族化合物;イソブチレ
ン、イソプレン等の炭素数2〜24のオレフィン;アリ
ルアルコール、メタリルアルコール、クロチルアルコー
ル、3−ブテニルアルコール、4−ペンテニルアルコー
ル、3−メチル−3−ブテニルアルコール等の炭素数2
〜24のアルケニルアルコール;アクリルアミド;並び
にアルケニルアルコール硫酸エーテル等が挙げられる。
In the polymer (A) of the present invention, in addition to the above structural units, another unsaturated monomer (d) may be copolymerized, if necessary, in an amount not to impair the performance of the present invention. You can also. Specific examples of such a monomer include alkyl (meth) acrylates having 3 to 24 carbon atoms such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, and butyl (meth) acrylate; Vinyl aromatic compounds having 8 to 30 carbon atoms; olefins having 2 to 24 carbon atoms such as isobutylene and isoprene; allyl alcohol, methallyl alcohol, crotyl alcohol, 3-butenyl alcohol, 4-pentenyl alcohol and 3-methyl- 2 carbon atoms such as 3-butenyl alcohol
To 24 alkenyl alcohols; acrylamide; and alkenyl alcohol sulfate ether.

【0017】該共重合体(A)中の、単量体(a)/
(b)/(c)で示される構成単位の含有割合はモル%
で、(a)は0〜100、(b)は0〜100、(c)
は0〜90が好ましく、特に(a)は30〜99、
(b)0〜69、(c)は1〜70が砥粒分散性の観点
から好ましい。(d)を使用する場合の使用量は、
(a)、(b)及び(c)の合計100重量部に対して
30重量部以下が好ましい。該共重合体(A)の重量平
均分子量は通常4,000〜20,000であり、好ま
しくは6,000〜15,000である。
In the copolymer (A), the monomer (a) /
The content ratio of the structural unit represented by (b) / (c) is mol%
(A) is 0 to 100, (b) is 0 to 100, (c)
Is preferably from 0 to 90, particularly (a) is from 30 to 99,
(B) 0 to 69 and (c) are preferably 1 to 70 from the viewpoint of abrasive grain dispersibility. If you use (d),
It is preferably 30 parts by weight or less based on 100 parts by weight in total of (a), (b) and (c). The weight average molecular weight of the copolymer (A) is usually from 4,000 to 20,000, preferably from 6,000 to 15,000.

【0018】本発明の共重合体(A)の製造方法は、特
に限定するものではなく、従来公知の方法がいずれも適
用できる。反応の形式としてはラジカル重合が一般的で
あり、溶液重合、乳化重合、懸濁重合及び塊状重合等の
方法が使用できる。例えば溶液重合の場合は、溶媒とし
ては水;メチルアルコール、エチルアルコール、イソプ
ロピルアルコール等のアルコール類;アセトン等のケト
ン類;並びにベンゼン、キシレン、トルエン、n−ヘキ
サン、シクロヘキサン等の炭化水素等が挙げられる。重
合開始剤としては過酸化ベンゾイル、過酸化水素等の過
酸化物;アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物;
並びに過硫酸塩等が使用できる。重量平均分子量及び分
子量分布を制御するためにメルカプトエタノール、メル
カプトプロピオン酸、ラウリルメルカプタン、トリエチ
レングリコールジメルカプタン等の連鎖移動剤を用いて
も良い。反応温度は溶媒や、重合開始剤によって異なる
が、通常50℃〜200℃で行うことができる。
The method for producing the copolymer (A) of the present invention is not particularly limited, and any conventionally known method can be applied. The reaction is generally performed by radical polymerization, and methods such as solution polymerization, emulsion polymerization, suspension polymerization, and bulk polymerization can be used. For example, in the case of solution polymerization, examples of the solvent include water; alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, and isopropyl alcohol; ketones such as acetone; and hydrocarbons such as benzene, xylene, toluene, n-hexane, and cyclohexane. Can be Peroxides such as benzoyl peroxide and hydrogen peroxide; azo compounds such as azobisisobutyronitrile;
In addition, persulfates and the like can be used. In order to control the weight average molecular weight and the molecular weight distribution, a chain transfer agent such as mercaptoethanol, mercaptopropionic acid, laurylmercaptan, and triethylene glycol dimercaptan may be used. Although the reaction temperature varies depending on the solvent and the polymerization initiator, the reaction can be usually performed at 50 ° C to 200 ° C.

【0019】本発明の(I)中の(A)の量は、通常1
0〜90重量%、好ましくは20〜80重量%である。
The amount of (A) in (I) of the present invention is usually 1
It is 0 to 90% by weight, preferably 20 to 80% by weight.

【0020】本発明の分散剤(I)には、粘度を調整す
る目的で、水溶性アルコールを、性能に悪影響のない範
囲の量[例えば(A)100重量部に対して40重量部
以下]で配合してもよい。水溶性アルコールとしては、
1価のアルコール及び2価以上のアルコールが使用でき
る。1価のアルコールとしては、例えば、メタノール、
エタノール及びプロパノール等が挙げられる。2価以上
のアルコールとしては、例えば、エチレングリコール、
プロピレングリコール、ブチレングリコール及びグリセ
リン等が挙げられる。また、これらは二種以上を併用し
てもよい。
In the dispersant (I) of the present invention, for the purpose of adjusting the viscosity, a water-soluble alcohol is added in an amount that does not adversely affect the performance (for example, 40 parts by weight or less for 100 parts by weight of (A)). May be blended. As the water-soluble alcohol,
Monohydric alcohols and dihydric or higher alcohols can be used. Examples of the monohydric alcohol include methanol,
Examples include ethanol and propanol. Examples of the dihydric or higher alcohol include ethylene glycol,
Examples include propylene glycol, butylene glycol, and glycerin. These may be used in combination of two or more.

【0021】本発明の(I)には公知のアニオン界面活
性剤やノニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性
界面活性剤を配合してもよい。
The (I) of the present invention may contain known anionic surfactants, nonionic surfactants, cationic surfactants, and amphoteric surfactants.

【0022】アニオン界面活性剤としてはカルボン酸又
はその塩、硫酸エステル塩、カルボキシメチル化物の
塩、スルホン酸塩及びリン酸エステル塩が使用できる。
As the anionic surfactant, a carboxylic acid or a salt thereof, a sulfate ester salt, a salt of a carboxymethylated product, a sulfonate salt and a phosphate ester salt can be used.

【0023】上記カルボン酸又はその塩としては、炭素
数8〜22の飽和もしくは不飽和脂肪酸又はその塩が使
用できる。例えば、ラウリン酸、ステアリン酸及びオレ
イン酸があげられる。塩としてはそれらのナトリウム、
カリウム、アンモニウム、アルカノールアミン等の塩が
挙げられる。
As the carboxylic acid or a salt thereof, a saturated or unsaturated fatty acid having 8 to 22 carbon atoms or a salt thereof can be used. For example, lauric acid, stearic acid and oleic acid can be mentioned. As salts, those sodium,
Salts such as potassium, ammonium, alkanolamine and the like can be mentioned.

【0024】上記硫酸エステル塩としては、高級アルコ
ール硫酸エステル塩、高級アルキルエーテル硫酸エステ
ル塩、硫酸化油、硫酸化脂肪酸エステル及び硫酸化オレ
フィンが使用できる。塩としては、ナトリウム塩、カリ
ウム塩、アンモニウム塩及びアルカノールアミン塩が使
用できる。高級アルコール硫酸エステル塩としては、炭
素数8〜18の脂肪族アルコールの硫酸エステル塩が使
用できる。例えば、オクチルアルコール硫酸エステル
塩、ラウリルアルコール硫酸エステル塩及びステアリル
アルコール硫酸エステル塩等が挙げられる。高級アルキ
ルエーテル硫酸エステル塩としては、炭素数8〜18の
脂肪族アルコールのエチレンオキサイド1〜10モル付
加物の硫酸エステル塩が使用できる。例えば、ラウリル
アルコールエチレンオキサイド2モル付加物硫酸エステ
ル塩及びオクチルアルコールエチレンオキサイド3モル
付加物硫酸エステル塩等が挙げられる。
As the above-mentioned sulfate, higher alcohol sulfate, higher alkyl ether sulfate, sulfated oil, sulfated fatty acid ester and sulfated olefin can be used. As the salt, a sodium salt, a potassium salt, an ammonium salt and an alkanolamine salt can be used. As the higher alcohol sulfate, a sulfate of an aliphatic alcohol having 8 to 18 carbon atoms can be used. For example, octyl alcohol sulfate, lauryl alcohol sulfate, stearyl alcohol sulfate and the like can be mentioned. As the higher alkyl ether sulfate, a sulfate of 1 to 10 moles of ethylene oxide adduct of an aliphatic alcohol having 8 to 18 carbon atoms can be used. For example, a sulfuric acid ester salt of lauryl alcohol ethylene oxide 2 mol adduct and a sulfuric acid ester salt of octyl alcohol ethylene oxide 3 mol are exemplified.

【0025】硫酸化油としては、天然の不飽和油脂又は
不飽和のロウをそのまま硫酸化して中和したものが使用
できる。例えば、ヒマシ油、オリーブ油及び牛脂等の硫
酸化物のナトリウム、カリウム、アンモニウム及びアル
カノールアミン塩等が挙げられる。硫酸化脂肪酸エステ
ルとしては、不飽和脂肪酸の低級アルコールエステルを
硫酸化して中和したものが使用できる。例えば、オレイ
ン酸ブチル及びリシノレイン酸ブチル等の硫酸化物のナ
トリウム、カリウム、アンモニウム及びアルカノールア
ミン塩等が挙げられる。硫酸化オレフィンとしては、炭
素数12〜18のオレフィンを硫酸化して中和したもの
が使用できる。例えば、ティーポール(シェル社製)等
が挙げられる。
As the sulfated oil, natural unsaturated fats and oils or unsaturated waxes which have been sulfated and neutralized can be used. Examples include sodium, potassium, ammonium and alkanolamine salts of sulfates such as castor oil, olive oil and tallow. As the sulfated fatty acid ester, those obtained by sulfating and neutralizing a lower alcohol ester of an unsaturated fatty acid can be used. Examples include sodium, potassium, ammonium and alkanolamine salts of sulfates such as butyl oleate and butyl ricinoleate. As the sulfated olefin, those obtained by sulfating and neutralizing an olefin having 12 to 18 carbon atoms can be used. For example, a tea pole (manufactured by Shell Inc.) and the like can be mentioned.

【0026】上記カルボキシメチル化物の塩としては、
脂肪族アルコール(炭素数8〜16)のカルボキシメチ
ル化物の塩及び脂肪族アルコール(炭素数8〜16)の
エチレンオキサイド(1〜10モル)付加物のカルボキ
シメチル化物の塩が使用できる。脂肪族アルコールのカ
ルボキシメチル化物の塩としては、例えば、オクチルア
ルコールカルボキシメチル化ナトリウム塩及びラウリル
アルコールカルボキシメチル化ナトリウム塩等が挙げら
れる。脂肪族アルコールのエチレンオキサイド付加物の
カルボキシメチル化物の塩としては、例えば、オクチル
アルコールエチレンオキサイド3モル付加物カルボキシ
メチル化ナトリウム塩及びラウリルアルコールエチレン
オキサイド4モル付加物カルボキシメチル化ナトリウム
塩等が挙げられる。
The carboxymethylated salts include:
A salt of a carboxymethylated product of an aliphatic alcohol (8 to 16 carbon atoms) and a salt of a carboxymethylated product of an ethylene oxide (1 to 10 mol) adduct of an aliphatic alcohol (8 to 16 carbon atoms) can be used. Examples of the salt of a carboxymethylated aliphatic alcohol include octyl alcohol carboxymethylated sodium salt and lauryl alcohol carboxymethylated sodium salt. Examples of the salt of a carboxymethylated product of an ethylene oxide adduct of an aliphatic alcohol include sodium carboxymethylated octyl alcohol ethylene oxide 3 mol adduct and sodium carboxymethylated lauryl alcohol ethylene oxide 4 mol adduct. .

【0027】上記スルホン酸塩としては、アルキル(炭
素数8〜16)ベンゼンスルホン酸塩、アルキル(炭素
数8〜16)ナフタレンスルホン酸塩、α−オレフィン
(炭素数8〜16)スルホン酸塩及びイゲポンT型が使
用できる。アルキルベンゼンスルホン酸塩としては、例
えば、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム塩等が挙
げられる。アルキル(炭素数8〜16)ナフタレンスル
ホン酸塩としては、例えば、ドデシルナフタレンスルホ
ン酸ナトリウム塩等が挙げられる。
The sulfonic acid salt includes alkyl (8 to 16 carbon atoms) benzene sulfonate, alkyl (8 to 16 carbon atoms) naphthalene sulfonate, α-olefin (8 to 16 carbon atoms) sulfonate and Igepon T type can be used. Examples of the alkylbenzene sulfonate include sodium dodecylbenzenesulfonate. Examples of the alkyl (C.sub.8 to C.sub.16) naphthalenesulfonic acid salt include sodium dodecylnaphthalenesulfonic acid salt.

【0028】上記リン酸エステル塩としては、高級アル
コール(炭素数8〜16)リン酸エステル塩及び高級ア
ルコール(炭素数8〜16)エチレンオキサイド(1〜
20モル)付加物のリン酸エステル塩が使用できる。高
級アルコールリン酸エステル塩としては、例えば、ラウ
リルアルコールリン酸モノエステルジナトリウム塩、ラ
ウリルアルコールリン酸ジエステルナトリウム塩等が挙
げられる。高級アルコールエチレンオキサイド付加物の
リン酸エステル塩としては、オレイルアルコールエチレ
ンオキサイド5モル付加物リン酸モノエステルジナトリ
ウム塩等が挙げられる。
The above-mentioned phosphoric acid ester salt includes a higher alcohol (8 to 16 carbon atoms) phosphoric acid ester salt and a higher alcohol (8 to 16 carbon atoms) ethylene oxide (1 to 6).
20 mol) Phosphate salt of the adduct can be used. Examples of the higher alcohol phosphate ester salts include lauryl alcohol phosphate monoester disodium salt, lauryl alcohol phosphate diester sodium salt, and the like. Examples of the phosphoric acid ester salt of a higher alcohol ethylene oxide adduct include disodium phosphate monoester of a oleyl alcohol ethylene oxide 5 mol adduct.

【0029】前記ノニオン界面活性剤としては、アルキ
レンオキシド付加型ノニオン界面活性剤及び多価アルコ
ール型ノニオン界面活性剤が挙げられる。アルキレンオ
キシド付加型ノニオン界面活性剤としては、ポリオキシ
アルキレン(炭素数2〜4、重合度2〜50)アルキル
(炭素数8〜18)エーテル、ポリオキシアルキレン
(炭素数2〜4、重合度2〜50)脂肪酸(炭素数12
〜24)エステル、ポリオキシアルキレン(炭素数2〜
4、重合度2〜50)多価アルコール(2〜6価、炭素
数2〜12)脂肪酸(炭素数12〜24)エステル、ポ
リオキシアルキレン(炭素数2〜4、重合度2〜50)
アルキル(炭素数8〜12)フェニルエーテル、ポリオ
キシアルキレン(炭素数2〜4、重合度2〜50)アル
キル(炭素数8〜24)アミノエーテル及びポリオキシ
アルキレン(炭素数2〜4、重合度2〜50)アルキル
(炭素数12〜24)アルカノール(炭素数2〜12)
アミドが使用できる。
Examples of the nonionic surfactant include an alkylene oxide addition type nonionic surfactant and a polyhydric alcohol type nonionic surfactant. Examples of the alkylene oxide-added nonionic surfactant include polyoxyalkylene (C2-4, polymerization degree 2-50) alkyl (C8-18) ether, polyoxyalkylene (C2-4, polymerization degree 2). -50) fatty acids (12 carbon atoms)
-24) esters, polyoxyalkylenes (2 to 2 carbon atoms)
4, polymerization degree 2-50) polyhydric alcohol (2-6, C2-12) fatty acid (C12-24) ester, polyoxyalkylene (C2-4, polymerization degree 2-50)
Alkyl (C8-12) phenyl ether, polyoxyalkylene (C2-4, degree of polymerization 2-50) alkyl (C8-24) amino ether and polyoxyalkylene (C2-4, degree of polymerization) 2 to 50) alkyl (C12 to C24) alkanol (C2 to C12)
Amides can be used.

【0030】ポリオキシアルキレンアルキルエーテルと
しては、例えば、オクチルアルコールエチレンオキサイ
ド付加物及びラウリルアルコールエチレンオキサイド付
加物等が挙げられる。ポリオキシアルキレン脂肪酸エス
テルとしては、例えば、ステアリル酸エチレンオキサイ
ド付加物及びラウリル酸エチレンオキサイド付加物等が
挙げられる。ポリオキシアルキレン多価アルコール脂肪
酸エステルとしては、例えば、ポリエチレングリコール
のラウリン酸ジエステル及びポリエチレングリコールの
オレイン酸ジエステル等が挙げられる。ポリオキシアル
キレンアルキルフェニルエーテルとしては、例えば、ノ
ニルフェノールエチレンオキサイド付加物及び、ノニル
フェノールエチレンオキサイドプロピレンオキサイドブ
ロック付加物等が挙げられる。ポリオキシアルキレンア
ルキルアミノエーテルとしては、例えば、ラウリルアミ
ンエチレンオキサイド付加物及びステアリルアミンエチ
レンオキサイド付加物等が挙げられる。ポリオキシアル
キレンアルキルアルカノールアミドとしては、例えば、
ヒドロキシエチルラウリン酸アミドのエチレンオキサイ
ド付加物等が挙げられる。
Examples of the polyoxyalkylene alkyl ether include octyl alcohol ethylene oxide adduct and lauryl alcohol ethylene oxide adduct. Examples of the polyoxyalkylene fatty acid ester include stearyl acid ethylene oxide adduct and lauric acid ethylene oxide adduct. Examples of the polyoxyalkylene polyhydric alcohol fatty acid ester include lauric acid diester of polyethylene glycol and oleic acid diester of polyethylene glycol. Examples of the polyoxyalkylene alkylphenyl ether include a nonylphenol ethylene oxide adduct and a nonylphenol ethylene oxide propylene oxide block adduct. Examples of the polyoxyalkylene alkylamino ether include an adduct of laurylamine ethylene oxide and an adduct of stearylamine ethylene oxide. As the polyoxyalkylene alkyl alkanolamide, for example,
Examples thereof include an ethylene oxide adduct of hydroxyethyl lauric amide.

【0031】上記多価アルコール型ノニオン界面活性剤
としては、多価(2〜6価)アルコール(炭素数2〜1
2)脂肪酸(炭素数8〜24)エステル、多価(2〜6
価)アルコール(炭素数2〜12)脂肪酸(炭素数8〜
24)エステルアルキレンオキサイド(炭素数2〜4)
付加物(2〜50モル)、多価(2〜6価)アルコール
(炭素数2〜12)アルキル(炭素数1〜24)エーテ
ル及び多価(2〜6価)アルコール(炭素数2〜12)
アルキル(炭素数1〜24)エーテルアルキレンオキサ
イド(炭素数2〜4)付加物(2〜50モル)が使用で
きる。多価アルコール脂肪酸エステルとしては、例え
ば、ペンタエリスリトールモノラウレート及びペンタエ
リスリトールモノオレート等が挙げられる。多価アルコ
ール脂肪酸エステルアルキレンオキサイド付加物として
は、例えば、エチレングリコールモノオレートエチレン
オキサイド付加物及びエチレングリコールモノステアレ
ートエチレンオキサイド付加物等が挙げられる。多価ア
ルコールアルキルエーテルとしては、例えば、ペンタエ
リスリトールモノブチルエーテル及びペンタエリスリト
ールモノラウリルエーテル等が挙げられる。多価アルコ
ールアルキルエーテルアルキレンオキサイド付加物とし
ては、例えば、ソルビタンモノステアリルエーテルエチ
レンオキサイド付加物及びメチルグリコシドエチレンオ
キサイドプロピレンオキサイドランダム付加物等が挙げ
られる。
Examples of the polyhydric alcohol type nonionic surfactant include polyhydric (2 to 6) alcohols (2 to 1 carbon atoms).
2) fatty acid (C8-24) ester, polyvalent (2-6)
(Valent) alcohol (C2-12) fatty acid (C8-8)
24) Ester alkylene oxide (C2-4)
Adducts (2 to 50 mol), polyhydric (2 to 6 valent) alcohols (2 to 12 carbons) alkyl (1 to 24 carbons) ethers and polyhydric (2 to 6 valent) alcohols (2 to 12 carbons) )
An alkyl (1 to 24 carbon atoms) ether alkylene oxide (2 to 4 carbon atoms) adduct (2 to 50 mol) can be used. Examples of the polyhydric alcohol fatty acid ester include pentaerythritol monolaurate and pentaerythritol monooleate. Examples of the polyhydric alcohol fatty acid ester alkylene oxide adduct include ethylene glycol monooleate ethylene oxide adduct and ethylene glycol monostearate ethylene oxide adduct. Examples of the polyhydric alcohol alkyl ether include pentaerythritol monobutyl ether and pentaerythritol monolauryl ether. Examples of the polyhydric alcohol alkyl ether alkylene oxide adduct include sorbitan monostearyl ether ethylene oxide adduct and methyl glycoside ethylene oxide propylene oxide random adduct.

【0032】前記両性界面活性剤としては、アミノ酸型
両性界面活性剤及びベタイン型両性界面活性剤が使用で
きる。アミノ酸型両性界面活性剤としては、例えば、ス
テアリルアミノプロピオン酸ナトリウム、ラウリルアミ
ノプロピオン酸ナトリウム及びラウリルアミノ酢酸ナト
リウム等が挙げられる。ベタイン型両性界面活性剤とし
ては、例えば、ステアリルジメチルアミノ酢酸ベタイン
等が挙げられる。
As the amphoteric surfactant, amino acid-type amphoteric surfactants and betaine-type amphoteric surfactants can be used. Examples of the amino acid-type amphoteric surfactant include sodium stearylaminopropionate, sodium laurylaminopropionate, and sodium laurylaminoacetate. Examples of the betaine-type amphoteric surfactant include betaine stearyldimethylaminoacetate.

【0033】前記カチオン系界面活性剤としては、第4
級アンモニウム塩型カチオン界面活性剤及びアミン塩型
カチオン界面活性剤等が使用できる。第4級アンモニウ
ム塩型カチオン界面活性剤としては、例えば、ラウリル
トリメチルアンモニウムクロライド及びジデシルジメチ
ルアンモニウムクロライド等が挙げられる。アミン塩型
カチオン界面活性剤としては、例えば、ラウリルアミン
の無機酸塩又は有機酸塩、脂肪族アミンのエチレンオキ
サイド付加物等の無機酸塩又は有機酸塩等が挙げられ
る。また、これらは2種以上を併用してもよい。これら
の界面活性剤のうち、アニオン界面活性剤及びノニオン
界面活性剤が好ましい。
Examples of the cationic surfactant include the following:
Grade ammonium salt type cationic surfactants and amine salt type cationic surfactants can be used. Examples of the quaternary ammonium salt type cationic surfactant include lauryltrimethylammonium chloride and didecyldimethylammonium chloride. Examples of the amine salt type cationic surfactant include an inorganic acid salt or an organic acid salt of laurylamine and an inorganic acid salt or an organic acid salt such as an ethylene oxide adduct of an aliphatic amine. These may be used in combination of two or more. Among these surfactants, anionic surfactants and nonionic surfactants are preferred.

【0034】(I)中のアニオン界面活性剤、ノニオン
界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤の配
合量は、特に制限はなく、性能に影響のない範囲の量で
あればよい。[例えば(A)100重量部に対して40
重量部以下]
The amount of the anionic surfactant, nonionic surfactant, cationic surfactant, and amphoteric surfactant in (I) is not particularly limited, and may be any amount that does not affect the performance. [For example, 40 parts per 100 parts by weight of (A)
Weight parts or less]

【0035】また、本発明の(I)にはさらに公知のキ
レート剤、pH調整剤、防腐剤、消泡剤、水等を配合す
ることができる。
The (I) of the present invention may further contain known chelating agents, pH adjusters, preservatives, defoamers, water and the like.

【0036】キレート剤としてはポリアクリル酸ナトリ
ウム、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、コハク酸ナ
トリウム、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン
酸ナトリウム等が挙げられる。配合量としては特に限定
はないが通常0〜40重量%、好ましくは0〜30重量
%である。pH調整剤としては酢酸、ほう酸、クエン
酸、蓚酸、燐酸、塩酸等の酸;水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム等のアルカリが挙げられる。(I)中の配合
量としては特に限定はないが通常0〜10重量%、好ま
しくは0〜5重量%である。消泡剤としてはジメチルシ
リコーンオイルに微粉末シリカを配合したもの及びその
乳化物、及びポリオキシアルキレン変性シリコーンオイ
ル等シリコ−ン系消泡剤;高級アルコ−ルにアルキレン
オキサイドを付加したポリアルキレングリコ−ル系消泡
剤等が挙げられる。(I)中の配合量としては特に限定
はないが通常0〜5重量%、好ましくは0.001〜3
重量%である。本発明の(I)中の水の量は任意に変え
ることができるが、通常10〜90重量%、好ましくは
20〜80重量%である。
Examples of the chelating agent include sodium polyacrylate, sodium ethylenediaminetetraacetate, sodium succinate, sodium 1-hydroxyethane-1,1-diphosphonate and the like. The amount is not particularly limited, but is usually 0 to 40% by weight, preferably 0 to 30% by weight. Examples of the pH adjuster include acids such as acetic acid, boric acid, citric acid, oxalic acid, phosphoric acid, and hydrochloric acid; and alkalis such as sodium hydroxide and potassium hydroxide. The blending amount in (I) is not particularly limited, but is usually 0 to 10% by weight, preferably 0 to 5% by weight. Examples of the antifoaming agent include dimethyl silicone oil mixed with fine powdered silica and emulsions thereof, and silicone-based antifoaming agents such as polyoxyalkylene-modified silicone oil; polyalkylene glycol obtained by adding alkylene oxide to higher alcohol. -Defoamers and the like. The compounding amount in (I) is not particularly limited, but is usually 0 to 5% by weight, preferably 0.001 to 3% by weight.
% By weight. Although the amount of water in (I) of the present invention can be arbitrarily changed, it is usually 10 to 90% by weight, preferably 20 to 80% by weight.

【0037】本発明における砥粒(II)としては特に
限定されないが、例えば、酸化セリウム、アルミナ、酸
化ジルコニウム、二酸化珪素、ダイヤモンド等を乾式又
は湿式ミル等を用いて平均粒径3μm以下に粉砕したも
のが挙げられる。好ましいのは酸化セリウムである。
The abrasive grains (II) in the present invention are not particularly limited. For example, cerium oxide, alumina, zirconium oxide, silicon dioxide, diamond and the like are ground to a mean particle size of 3 μm or less using a dry or wet mill. Things. Preferred is cerium oxide.

【0038】本発明の(I)は予め(A)と他の成分を
混合したものであっても、研磨用スラリーを作成時に
(A)と他の成分を混合してもよい。
(I) of the present invention may be a mixture of (A) and other components in advance, or (A) and other components may be mixed at the time of preparing a polishing slurry.

【0039】本発明の第2発明である研磨用砥粒スラリ
ー中の分散剤(I)及び砥粒(II)のそれぞれの割合
は重量%で、好ましくは(I)が0.3〜3%、(I
I)が3〜30%である。(I)と(II)の割合は、
砥粒分散性の観点から、重量比で1/100〜30/1
00が好ましい。
The proportion of each of the dispersant (I) and the abrasive (II) in the abrasive slurry for polishing according to the second invention of the present invention is% by weight, preferably (I) is 0.3 to 3%. , (I
I) is 3 to 30%. The ratio of (I) and (II) is
From the viewpoint of abrasive grain dispersibility, the weight ratio is 1/100 to 30/1.
00 is preferred.

【0040】本発明のスラリーは、(I)をイオン交換
水等の水で希釈した後、(II)と混合することにより
作成できる。本発明の分散剤を用いた本発明のスラリー
は、ガラスディスクの鏡面仕上げ研磨等に好適である
が、その他にも、シリコンウエハ、アルミニウム、セラ
ミック、合成石英、水晶、サファイア等の鏡面仕上げ研
磨、二酸化珪素等の絶縁膜層を平坦化するCMP加工に
好適に使用できる。
The slurry of the present invention can be prepared by diluting (I) with water such as ion-exchanged water and mixing with (II). The slurry of the present invention using the dispersant of the present invention is suitable for mirror finish polishing of a glass disk and the like, but in addition, silicon wafer, aluminum, ceramic, synthetic quartz, crystal, sapphire and the like mirror finish polishing, It can be suitably used for CMP processing for flattening an insulating film layer such as silicon dioxide.

【0041】[0041]

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。な
お、特に記載のない場合、本文中の部は重量部を、%は
重量%を示す。GPCによる重量平均分子量の測定条件
は以下の通りである。ただし、モノマーとして酸を用い
た場合の分子量は、水酸化ナトリウムで完全中和したと
きの値である。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the present invention is limited thereto. Unless otherwise specified, parts in the text indicate parts by weight and% indicates% by weight. The conditions for measuring the weight average molecular weight by GPC are as follows. However, the molecular weight when an acid is used as a monomer is a value when completely neutralized with sodium hydroxide.

【0042】 《GPCの測定条件》 機種 カラム :Waters510(日本ウォーターズ・リミテッド社製) TSK gel G5000pwXL TSK gel G3000pwXL (いずれも東ソー株式会社製) カラム温度 :40℃ 検出器 :RI 溶媒 :0.5%酢酸ソーダ・水/メタノール(体積比70/30) 流速 :1.0ml/分 試料濃度 :0.25% 注入量 :200μl 標準 :ポリエチレングリコール (東ソー株式会社製;TSK STANDARD POLYETHYLENE OXIDE) データ処理装置:SC−8010(東ソー株式会社製)<< GPC Measurement Conditions >> Model Column: Waters 510 (manufactured by Nippon Waters Limited) TSK gel G5000pwXL TSK gel G3000pwXL (both manufactured by Tosoh Corporation) Column temperature: 40 ° C. Detector: RI solvent: 0.5% Sodium acetate / water / methanol (volume ratio 70/30) Flow rate: 1.0 ml / min Sample concentration: 0.25% Injection volume: 200 μl Standard: polyethylene glycol (Tosoh Corporation; TSK STANDARD POLYETHYLENE OXIDE) Data processing device: SC-8010 (Tosoh Corporation)

【0043】実施例1 アリルアルコールのアルキレンオキサイド付加物(エチ
レンオキサイド10モルとプロピレンオキサイド1モル
のブロック状付加物)498部を、撹拌機、窒素導入
管、温度計、還流管、滴下ロートを備えたガラス製反応
容器に仕込み、さらに水284.8部を加えて室温で均
一に溶解し、雰囲気を窒素置換しながら100℃まで加
熱した。ここへ過硫酸ナトリウム23.8部を水95.
4部で希釈したものとマレイン酸40%水溶液290部
を同時に滴下して重合を開始させ、さらに反応温度を1
00℃に保ち4時間で反応を完結させた。これを水酸化
ナトリウム48%水溶液166.6部で中和し、本発明
の分散剤1を得た。(分散剤1の重量平均分子量は7,
300、共重合体(A)中の(a)からの構成単位は4
6モル%、(c)からの構成単位は54モル%であ
る。)
Example 1 498 parts of an alkylene oxide adduct of allyl alcohol (a block adduct of 10 mol of ethylene oxide and 1 mol of propylene oxide) were equipped with a stirrer, a nitrogen inlet tube, a thermometer, a reflux tube, and a dropping funnel. Then, 284.8 parts of water was further added and uniformly dissolved at room temperature, and heated to 100 ° C. while replacing the atmosphere with nitrogen. Here, 23.8 parts of sodium persulfate was added to 95.
The mixture diluted with 4 parts and 290 parts of a 40% aqueous solution of maleic acid were simultaneously dropped to initiate polymerization, and the reaction temperature was further reduced to 1 part.
The reaction was completed in 4 hours while maintaining the temperature at 00 ° C. This was neutralized with 166.6 parts of a 48% aqueous solution of sodium hydroxide to obtain Dispersant 1 of the present invention. (The weight average molecular weight of Dispersant 1 is 7,
300, the structural unit from (a) in the copolymer (A) is 4
6 mol%, the constitutional unit from (c) is 54 mol%. )

【0044】実施例2 アリルアルコールのアルキレンオキサイド付加物(エチ
レンオキサイド15モル/プロピレンオキサイド3モル
のランダム状付加物)498部を、撹拌機、窒素導入
管、温度計、還流管、滴下ロートを備えたガラス製反応
容器に仕込み、さらに水284.8部を加えて室温で均
一に溶解し、雰囲気を窒素置換しながら100℃まで加
熱した。ここへ過硫酸ナトリウム23.8部を水95.
4部で希釈したものとマレイン酸40%水溶液100部
を同時に滴下して重合を開始させ、さらに反応温度を1
00℃に保ち4時間で反応を完結させた。これを水酸化
ナトリウム48%水溶液57.4部で中和し、本発明の
分散剤2を得た。(分散剤2の重量平均分子量は9,7
00、共重合体(A)中の(a)からの構成単位は62
モル%、(c)からの構成単位は38モル%である。)
Example 2 498 parts of an alkylene oxide adduct of allyl alcohol (a random adduct of 15 mol of ethylene oxide / 3 mol of propylene oxide) was equipped with a stirrer, a nitrogen inlet tube, a thermometer, a reflux tube, and a dropping funnel. Then, 284.8 parts of water was further added and uniformly dissolved at room temperature, and heated to 100 ° C. while replacing the atmosphere with nitrogen. Here, 23.8 parts of sodium persulfate was added to 95.95 parts of water.
The polymerization was started by simultaneously dripping the solution diluted with 4 parts and 100 parts of a 40% aqueous solution of maleic acid.
The reaction was completed in 4 hours while maintaining the temperature at 00 ° C. This was neutralized with 57.4 parts of a 48% aqueous solution of sodium hydroxide to obtain Dispersant 2 of the present invention. (The weight average molecular weight of Dispersant 2 is 9,7
00, the structural unit from (a) in the copolymer (A) is 62
Mol%, the constituent unit from (c) is 38 mol%. )

【0045】実施例3 ポリエチレングリコール(重量平均分子量660)モノ
メタクリレート498部を、撹拌機、窒素導入管、温度
計、還流管、滴下ロートを備えたガラス製反応容器に仕
込み、さらに水284.8部を加えて室温で均一に溶解
し、雰囲気を窒素置換しながら100℃まで加熱した。
ここへ過硫酸ナトリウム23.8部を水95.4部で希
釈したものとマレイン酸40%水溶液100部を同時に
滴下して重合を開始させ、さらに反応温度を100℃に
保ち4時間で反応を完結させた。これを水酸化ナトリウ
ム48%水溶液57.4部で中和し、本発明の分散剤3
を得た。(分散剤3の重量平均分子量は8,500、共
重合体(A)中の(b)からの構成単位は66モル%、
(c)からの構成単位は34モル%である。)
Example 3 498 parts of polyethylene glycol (weight average molecular weight: 660) monomethacrylate were charged into a glass reaction vessel equipped with a stirrer, a nitrogen inlet tube, a thermometer, a reflux tube, and a dropping funnel, and furthermore, water was charged with 284.8. The mixture was uniformly dissolved at room temperature and heated to 100 ° C. while replacing the atmosphere with nitrogen.
A solution obtained by diluting 23.8 parts of sodium persulfate with 95.4 parts of water and 100 parts of a 40% aqueous solution of maleic acid were simultaneously added dropwise to initiate polymerization, and the reaction was further continued for 4 hours while maintaining the reaction temperature at 100 ° C. Completed. This was neutralized with 57.4 parts of a 48% aqueous sodium hydroxide solution, and the dispersant 3 of the present invention was used.
I got (The weight average molecular weight of Dispersant 3 is 8,500, the structural unit from (b) in copolymer (A) is 66 mol%,
The constituent unit from (c) is 34 mol%. )

【0046】実施例1〜3の各分散剤をそれぞれ1.0
%、酸化セリウムを10%となるように水を加え混合
し、実施例4〜6の研磨用スラリーを得た。また、ポリ
アクリル酸ナトリウム塩(重量平均分子量は10,00
0)の40%水溶液1.0%、酸化セリウムを10%と
なるように水を加え混合し、比較例1の研磨用スラリー
を得た。
Each of the dispersants of Examples 1 to 3 was
% And cerium oxide to 10%, and water was added and mixed to obtain polishing slurries of Examples 4 to 6. In addition, polyacrylic acid sodium salt (weight average molecular weight is 10,000
Water was added to and mixed with 1.0% of a 40% aqueous solution of 0) and 10% of cerium oxide to obtain a polishing slurry of Comparative Example 1.

【0047】これら実施例4〜6及び比較例1の研磨用
スラリーを用い、直径3.5インチ、厚み600μmの
ガラスディスク基板20枚を精密平面ラップ盤9BF4
M5G(浜井産業株式会社製)で15分間研磨した結果
を表1に示す。評価と判定は以下の方法で行った。 加工速度:研磨前後のガラスディスク基板の厚みを測定
し、1分間当たりの厚みの減少量を算出した。 表面粗さ:表面粗さ測定器(小坂研究所製計社製)を用
いて研磨後のガラスディスクの表面粗さ(Ra:μm)
を評価した。 ガラス汚れ性:研磨後のガラスディスクをイオン交換水
を入れた500mlビ−カに30秒間浸漬した後引き上
げ、ディスク表面に付着した砥粒等の汚れを目視判定し
た。 ○:汚れなし △:汚れあり ×:汚れ著しい
Using the polishing slurries of Examples 4 to 6 and Comparative Example 1, 20 glass disk substrates having a diameter of 3.5 inches and a thickness of 600 μm were placed on a precision flat lapping machine 9BF4.
Table 1 shows the results of polishing with M5G (manufactured by Hamai Sangyo Co., Ltd.) for 15 minutes. Evaluation and judgment were performed by the following methods. Processing speed: The thickness of the glass disk substrate before and after polishing was measured, and the amount of reduction in thickness per minute was calculated. Surface roughness: Surface roughness (Ra: μm) of a glass disk after polishing using a surface roughness measuring device (manufactured by Kosaka Laboratory Co., Ltd.)
Was evaluated. Glass dirtiness: The polished glass disk was immersed in a 500 ml beaker containing ion-exchanged water for 30 seconds, pulled up, and visually checked for dirt such as abrasive grains adhered to the disk surface. :: no stain △: stained ×: marked stain

【0048】[0048]

【表1】 [Table 1]

【0049】この結果から、本発明の研磨用砥粒分散剤
を含むスラリーは研磨加工速度が優れており、表面粗さ
が良好であるとともに、研磨後のガラス表面に対する汚
れの発生がないことが判る。
From these results, it can be seen that the slurry containing the abrasive dispersant for polishing of the present invention has an excellent polishing rate, good surface roughness and no generation of stain on the glass surface after polishing. I understand.

【0050】[0050]

【発明の効果】本発明の研磨用砥粒分散剤を含む研磨用
スラリーは、従来使用されていたポリアクリル酸塩に比
較して加工速度に優れ、良好な表面粗さの研磨を行うこ
とができ、かつ研磨後のガラス表面の汚れ発生が少ない
ものである。さらに本発明の研磨用分散剤はガラスディ
スクのみならず、シリコンウエハ、アルミニウム、セラ
ミック、合成石英、水晶、サファイア等の鏡面仕上げ研
磨、二酸化珪素等の絶縁膜層を平坦化するCMP加工に
有用である。
The polishing slurry containing the abrasive dispersant for polishing according to the present invention is excellent in processing speed as compared with the conventionally used polyacrylate, and is capable of polishing with good surface roughness. It can be made and the generation of stain on the glass surface after polishing is small. Further, the polishing dispersant of the present invention is useful not only for glass disks, but also for mirror finish polishing of silicon wafers, aluminum, ceramics, synthetic quartz, quartz, sapphire and the like, and CMP processing for flattening an insulating film layer such as silicon dioxide. is there.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09K 3/14 550 C09K 3/14 550Z H01L 21/304 622 H01L 21/304 622D ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C09K 3/14 550 C09K 3/14 550Z H01L 21/304 622 H01L 21/304 622D

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下記一般式(1)で表される(a)及び/
又は一般式(2)で表される(b)からなる単量体の重
合体(A)を含むことを特徴とする研磨用砥粒分散剤
(I)。 一般式 R1−O−[(C24O)m1/(C36O)n1]−R2 (1) {式中、R1は炭素数2〜5のアルケニル基であり、R2
は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基である。m1
は1〜30の整数、n1は0又は1〜10の整数であ
る。n1≠0のとき、[(C24O)m1/(C36O)n1]
は、ランダム状付加又はブロック状付加を示し、付加順
序は問わない。} 一般式 R3−COO−[(C24O)m2/(C36O)n2]−R4 (2) {式中、R3は炭素数2〜5のアルケニル基であり、R4
は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基である。m2
は1〜30の整数、n2は0又は1〜10の整数であ
る。n2≠0のとき、[(C24O)m2/(C36O)n2]
は、ランダム状付加又はブロック状付加を示し、付加順
序は問わない。}
(1) A compound represented by the following general formula (1):
Or an abrasive dispersant (I) for polishing, comprising a polymer (A) of a monomer comprising (b) represented by the general formula (2). General formula R 1 —O — [(C 2 H 4 O) m1 / (C 3 H 6 O) n1 ] —R 2 (1) wherein R 1 is an alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms; R 2
Is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. m1
Is an integer of 1 to 30, and n1 is 0 or an integer of 1 to 10. When n1 ≠ 0, [(C 2 H 4 O) m1 / (C 3 H 6 O) n1 ]
Indicates random addition or block addition, and the addition order does not matter. } General formula R 3 -COO - [(C 2 H 4 O) m2 / (C 3 H 6 O) n2] -R 4 (2) { wherein, R 3 is an alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms , R 4
Is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. m2
Is an integer of 1 to 30, and n2 is 0 or an integer of 1 to 10. When n2 ≠ 0, [(C 2 H 4 O) m2 / (C 3 H 6 O) n2 ]
Indicates random addition or block addition, and the addition order does not matter. }
【請求項2】(A)が、さらに下記一般式(3)で表さ
れる単量体(c)及び必要により他の単量体(d)を含
有する単量体の重合体である請求項1記載の砥粒分散
剤。 一般式 Z−R5−COOX (3) [式中、Zは水素原子又はカルボキシル基である。Xは
水素原子又はM1/kである。M1/kはk価のカチオンを示
し、kは1又は2である。R5は炭素数2〜5のアルケ
ニレン基である。Zがカルボキシル基、Xが水素原子の
ときは無水物を形成していてもよい。]
2. The composition of claim 1, wherein (A) is a polymer of a monomer containing a monomer (c) represented by the following general formula (3) and optionally another monomer (d). Item 4. The abrasive dispersant according to Item 1. Formula Z-R 5 -COOX (3) [ wherein, Z is hydrogen atom or a carboxyl group. X is a hydrogen atom or M1 / k . M 1 / k represents a k-valent cation, where k is 1 or 2. R5 is an alkenylene group having 2 to 5 carbon atoms. When Z is a carboxyl group and X is a hydrogen atom, it may form an anhydride. ]
【請求項3】ガラス研磨用である請求項1又は2記載の
砥粒分散剤。
3. The abrasive dispersant according to claim 1, which is used for polishing glass.
【請求項4】請求項1〜3いずれか記載の砥粒分散剤
(I)、砥粒(II)及び水からなる研磨用砥粒スラリ
ー。
4. A polishing abrasive slurry comprising the abrasive dispersant (I) according to any one of claims 1 to 3, the abrasive particles (II) and water.
【請求項5】該研磨用砥粒スラリー中の(I)の含量が
(II)に対し重量で1〜30%である請求項4記載の
砥粒スラリー。
5. The abrasive slurry according to claim 4, wherein the content of (I) in the abrasive slurry for polishing is 1 to 30% by weight based on (II).
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142489A (en) * 2003-11-10 2005-06-02 Hitachi Chem Co Ltd Cmp polishing agent and method of polishing substrate
KR100769574B1 (en) * 2001-11-27 2007-10-23 주식회사 엘지생활건강 Dispersant for Lapping Slurries with Rheological Properties
JP2010512657A (en) * 2006-12-22 2010-04-22 テクノ セミケム シーオー., エルティーディー. Copper chemical mechanical polishing composition containing zeolite
JP2011082512A (en) * 2009-09-25 2011-04-21 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc Chemical mechanical polishing composition containing no abrasive grain
JP2011103498A (en) * 2004-07-23 2011-05-26 Hitachi Chem Co Ltd Cmp polishing agent and method for polishing substrate
JP2015051497A (en) * 2013-08-26 2015-03-19 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド Chemical mechanical polishing composition for polishing sapphire surface and application method of the same
WO2015046164A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 株式会社フジミインコーポレーテッド Polishing composition and production method therefor
JP2016216703A (en) * 2015-05-19 2016-12-22 昭和電工株式会社 Polishing composition and polishing method using the polishing composition
JP2023003633A (en) * 2021-06-24 2023-01-17 花王株式会社 Polishing liquid composition for silicon substrate

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100769574B1 (en) * 2001-11-27 2007-10-23 주식회사 엘지생활건강 Dispersant for Lapping Slurries with Rheological Properties
JP2005142489A (en) * 2003-11-10 2005-06-02 Hitachi Chem Co Ltd Cmp polishing agent and method of polishing substrate
US9293344B2 (en) 2004-07-23 2016-03-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Cmp polishing slurry and method of polishing substrate
JP2011103498A (en) * 2004-07-23 2011-05-26 Hitachi Chem Co Ltd Cmp polishing agent and method for polishing substrate
JP2013149992A (en) * 2004-07-23 2013-08-01 Hitachi Chemical Co Ltd Cmp polishing agent and method for polishing substrate
JP2010512657A (en) * 2006-12-22 2010-04-22 テクノ セミケム シーオー., エルティーディー. Copper chemical mechanical polishing composition containing zeolite
JP2011082512A (en) * 2009-09-25 2011-04-21 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc Chemical mechanical polishing composition containing no abrasive grain
JP2015051497A (en) * 2013-08-26 2015-03-19 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド Chemical mechanical polishing composition for polishing sapphire surface and application method of the same
WO2015046164A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 株式会社フジミインコーポレーテッド Polishing composition and production method therefor
JP2015067774A (en) * 2013-09-30 2015-04-13 株式会社フジミインコーポレーテッド Polishing composition and method for producing the same
CN105612236A (en) * 2013-09-30 2016-05-25 福吉米株式会社 Polishing composition and production method therefor
US9944838B2 (en) 2013-09-30 2018-04-17 Fujimi Incorporated Polishing composition and method for producing same
JP2016216703A (en) * 2015-05-19 2016-12-22 昭和電工株式会社 Polishing composition and polishing method using the polishing composition
JP2023003633A (en) * 2021-06-24 2023-01-17 花王株式会社 Polishing liquid composition for silicon substrate
JP7743212B2 (en) 2021-06-24 2025-09-24 花王株式会社 Polishing composition for silicon substrates

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