JP2001358555A - 弾性表面波共振子 - Google Patents
弾性表面波共振子Info
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 左右反射器の間に配置したすだれ状トランス
デューサ（ＩＤＴ）から励振した弾性表面波（ＳＡＷ）
を利用したＳＡＷ共振子において、反射器の反射率を高
め、ＳＡＷの閉じ込めを強くしてＣＩ（crystal impeda
nce）値を小さくし、かつ反射体本数を少なくして、低
い周波数においても小型化を図る。 【解決手段】 圧電基板１１と、その表面に形成された
少なくとも１組の交差指電極からなるＩＤＴ１３と、該
ＩＤＴを挟んでその両側に配置された左側及び右側の反
射器１４ａ、１４ｂとを備え、各反射器が、それぞれＩ
ＤＴ側から外側に向けて同一ピッチＰR の格子構造をな
すｎ本（ｎ≧２）の反射体１５ａ、１５ｂを有し、かつ
反射体の線幅ＬR が、ＬR(１)＜ＬR(ｎ)、及びＬR(ｉ)
≦ＬR(i+1)（但し、１≦ｉ≦ｎ−１）を満足するように
設定される。
デューサ（ＩＤＴ）から励振した弾性表面波（ＳＡＷ）
を利用したＳＡＷ共振子において、反射器の反射率を高
め、ＳＡＷの閉じ込めを強くしてＣＩ（crystal impeda
nce）値を小さくし、かつ反射体本数を少なくして、低
い周波数においても小型化を図る。 【解決手段】 圧電基板１１と、その表面に形成された
少なくとも１組の交差指電極からなるＩＤＴ１３と、該
ＩＤＴを挟んでその両側に配置された左側及び右側の反
射器１４ａ、１４ｂとを備え、各反射器が、それぞれＩ
ＤＴ側から外側に向けて同一ピッチＰR の格子構造をな
すｎ本（ｎ≧２）の反射体１５ａ、１５ｂを有し、かつ
反射体の線幅ＬR が、ＬR(１)＜ＬR(ｎ)、及びＬR(ｉ)
≦ＬR(i+1)（但し、１≦ｉ≦ｎ−１）を満足するように
設定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、左側及び右側反射
器の間に配置したすだれ状トランスデューサ（ＩＤＴ）
から励振した弾性表面波（ＳＡＷ：surface acoustic w
ave）を利用したＳＡＷ共振子に関し、特に比較的低い
周波数や小型化に適したＳＡＷ共振子に関する。
器の間に配置したすだれ状トランスデューサ（ＩＤＴ）
から励振した弾性表面波（ＳＡＷ：surface acoustic w
ave）を利用したＳＡＷ共振子に関し、特に比較的低い
周波数や小型化に適したＳＡＷ共振子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にＳＡＷ共振子は、基本波発振が可
能で小型化・高Ｑ値を実現できることから、各種通信装
置や家電製品に使用されている。図６は、従来の一般的
な１ポートＳＡＷ共振子を示しており、圧電基板１の表
面には、アルミニウム薄膜等からなる複数の交差指電極
２ａ、２ｂを有するＳＡＷ励振用のＩＤＴ３と、該ＩＤ
Ｔの左右両側から漏洩したＳＡＷを音響的に反射してＩ
ＤＴに戻すための反射器４ａ、４ｂとが形成されてい
る。反射器４ａ、４ｂは、格子構造をなす複数の反射体
５ａ、５ｂを有し、隣接する反射体のピッチＰR （即
ち、隣接する２本の反射体の中心間隔）は通常、各反射
体からのＳＡＷ反射波が同位相となって反射率が最大と
なるように、ＩＤＴ３の交差指電極と同じく、励振され
るＳＡＷの半波長λ／２にほぼ等しくかつ均一に設定さ
れる。
能で小型化・高Ｑ値を実現できることから、各種通信装
置や家電製品に使用されている。図６は、従来の一般的
な１ポートＳＡＷ共振子を示しており、圧電基板１の表
面には、アルミニウム薄膜等からなる複数の交差指電極
２ａ、２ｂを有するＳＡＷ励振用のＩＤＴ３と、該ＩＤ
Ｔの左右両側から漏洩したＳＡＷを音響的に反射してＩ
ＤＴに戻すための反射器４ａ、４ｂとが形成されてい
る。反射器４ａ、４ｂは、格子構造をなす複数の反射体
５ａ、５ｂを有し、隣接する反射体のピッチＰR （即
ち、隣接する２本の反射体の中心間隔）は通常、各反射
体からのＳＡＷ反射波が同位相となって反射率が最大と
なるように、ＩＤＴ３の交差指電極と同じく、励振され
るＳＡＷの半波長λ／２にほぼ等しくかつ均一に設定さ
れる。
【０００３】入力側及び出力側の交差指電極２ａ、２ｂ
は、それぞれ図示しないＳＡＷ共振子の入力端子及び出
力端子に接続されており、前記入出力端子間に高周波信
号電圧が印加されると、前記入力側及び出力側交差指電
極間の電界の作用により、圧電基板１の表面が周期的に
歪み、入力信号と同じ周波数のＳＡＷが励振する。ＳＡ
Ｗは、ＩＤＴ３の左右両側に外側に向けて伝搬し、左右
の反射器４ａ、４ｂに達すると、反射されてＩＤＴ３の
中心に向けて向かう。この結果、両反射器間の領域にＳ
ＡＷの定在波が発生し、即ち、両反射器間に表面波エネ
ルギが閉じ込められて損失の少ない（即ち、Ｑ値の高
い）共振特性が得られる。
は、それぞれ図示しないＳＡＷ共振子の入力端子及び出
力端子に接続されており、前記入出力端子間に高周波信
号電圧が印加されると、前記入力側及び出力側交差指電
極間の電界の作用により、圧電基板１の表面が周期的に
歪み、入力信号と同じ周波数のＳＡＷが励振する。ＳＡ
Ｗは、ＩＤＴ３の左右両側に外側に向けて伝搬し、左右
の反射器４ａ、４ｂに達すると、反射されてＩＤＴ３の
中心に向けて向かう。この結果、両反射器間の領域にＳ
ＡＷの定在波が発生し、即ち、両反射器間に表面波エネ
ルギが閉じ込められて損失の少ない（即ち、Ｑ値の高
い）共振特性が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような１ポートＳ
ＡＷ共振子では、反射器の反射率が低いと、ＩＤＴ３の
両側から漏洩したＳＡＷが、そのまま共振子の伝送損失
となる。従って、反射率を大きくして共振尖鋭度Ｑ値を
大きくするためには、反射体の本数を多くすればよい
が、共振子の小型化が妨げられる。また、反射体により
反射されずに外側に漏洩したＳＡＷは圧電基板の終端面
等で乱反射してバルク波にモード変換され、共振特性に
影響を及ぼす虞がある。
ＡＷ共振子では、反射器の反射率が低いと、ＩＤＴ３の
両側から漏洩したＳＡＷが、そのまま共振子の伝送損失
となる。従って、反射率を大きくして共振尖鋭度Ｑ値を
大きくするためには、反射体の本数を多くすればよい
が、共振子の小型化が妨げられる。また、反射体により
反射されずに外側に漏洩したＳＡＷは圧電基板の終端面
等で乱反射してバルク波にモード変換され、共振特性に
影響を及ぼす虞がある。
【０００５】これに対し、従来より、圧電媒体に溝を凹
設して反射率を向上させ、反射体本数を減らす方法が提
案されている。また、特公平２−７２０７号公報には、
反射器の反射係数が最大となる周波数とトランスデュー
サの放射コンダクタンスが最大となる周波数とを一致さ
せ、かつ該周波数において共振条件を満足するようにト
ランスデューサと反射器との間隔を設定し、小型でＱ値
が高く、共振抵抗及び容量比が小さいＳＡＷ共振子が開
示されている。
設して反射率を向上させ、反射体本数を減らす方法が提
案されている。また、特公平２−７２０７号公報には、
反射器の反射係数が最大となる周波数とトランスデュー
サの放射コンダクタンスが最大となる周波数とを一致さ
せ、かつ該周波数において共振条件を満足するようにト
ランスデューサと反射器との間隔を設定し、小型でＱ値
が高く、共振抵抗及び容量比が小さいＳＡＷ共振子が開
示されている。
【０００６】しかしながら、上述した従来のＳＡＷ共振
子では、一般に圧電基板が同一サイズの場合、特に共振
周波数が低くなるとＳＡＷの波長λが大きくなるので、
配置できる反射体の本数がそれだけ少なくなる。反射体
本数が少なくなるほどＳＡＷの閉じ込めが弱くなるか
ら、反射体から外側に漏洩したＳＡＷのバルク波へのモ
ード変換が共振子の性能に悪影響を及ぼすという問題が
ある。他方、圧電基板のサイズを小さく抑えるために
は、反射体１本当たりの反射率を大きくすれば良いが、
反射器の終端部でＳＡＷがバルク波にモード変換するこ
とによる損失が大きくなって、却ってＱ値が低下する虞
がある。
子では、一般に圧電基板が同一サイズの場合、特に共振
周波数が低くなるとＳＡＷの波長λが大きくなるので、
配置できる反射体の本数がそれだけ少なくなる。反射体
本数が少なくなるほどＳＡＷの閉じ込めが弱くなるか
ら、反射体から外側に漏洩したＳＡＷのバルク波へのモ
ード変換が共振子の性能に悪影響を及ぼすという問題が
ある。他方、圧電基板のサイズを小さく抑えるために
は、反射体１本当たりの反射率を大きくすれば良いが、
反射器の終端部でＳＡＷがバルク波にモード変換するこ
とによる損失が大きくなって、却ってＱ値が低下する虞
がある。
【０００７】そこで、本発明は、上述した従来の問題点
に鑑みてなされたものであり、その目的は、反射器の反
射率を高めることにより、ＳＡＷの閉じ込めを強くして
ＣＩ（crystal impedance）値を小さくすることがで
き、かつ反射体本数を少なくすることにより、低い周波
数においても小型化を図ることができるＳＡＷ共振子を
提供することにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的は、反射器の反
射率を高めることにより、ＳＡＷの閉じ込めを強くして
ＣＩ（crystal impedance）値を小さくすることがで
き、かつ反射体本数を少なくすることにより、低い周波
数においても小型化を図ることができるＳＡＷ共振子を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的を達成するために、圧電体基板と、該圧電体基板の表
面に形成された少なくとも１組の交差指電極からなるす
だれ状トランスデューサと、圧電体基板の表面にトラン
スデューサを挟んでその両側に配置された左側及び右側
の反射器とを備え、各反射器が、トランスデューサ側か
ら外側に向けて同一ピッチＰR の格子構造をなすｎ本
（ｎ≧２）の反射体を有し、かつ反射体の線幅ＬR が、
ＬR(１)＜ＬR(ｎ)、及びＬR(ｉ)≦ＬR(i+1)（但し、１
≦ｉ≦ｎ−１）を満足することを特徴とする弾性表面波
共振子が提供される。
的を達成するために、圧電体基板と、該圧電体基板の表
面に形成された少なくとも１組の交差指電極からなるす
だれ状トランスデューサと、圧電体基板の表面にトラン
スデューサを挟んでその両側に配置された左側及び右側
の反射器とを備え、各反射器が、トランスデューサ側か
ら外側に向けて同一ピッチＰR の格子構造をなすｎ本
（ｎ≧２）の反射体を有し、かつ反射体の線幅ＬR が、
ＬR(１)＜ＬR(ｎ)、及びＬR(ｉ)≦ＬR(i+1)（但し、１
≦ｉ≦ｎ−１）を満足することを特徴とする弾性表面波
共振子が提供される。
【０００９】このように各反射器を設定することによ
り、各反射体の反射率が、その線幅に対応してＳＡＷの
伝搬方向に沿ってトランスデューサ側から外側に向けて
大きくなるので、反射器全体としてモード変換による損
失が少なく、同じ反射体本数でより大きい反射率が得ら
れる。従って、従来より少ない反射体本数で、同等の性
能即ちＣＩ値を発揮するＳＡＷ共振子が得られると共
に、反射器から漏洩したＳＡＷが圧電基板の端面等で乱
反射することによる共振子の性能劣化を防止することが
できる。
り、各反射体の反射率が、その線幅に対応してＳＡＷの
伝搬方向に沿ってトランスデューサ側から外側に向けて
大きくなるので、反射器全体としてモード変換による損
失が少なく、同じ反射体本数でより大きい反射率が得ら
れる。従って、従来より少ない反射体本数で、同等の性
能即ちＣＩ値を発揮するＳＡＷ共振子が得られると共
に、反射器から漏洩したＳＡＷが圧電基板の端面等で乱
反射することによる共振子の性能劣化を防止することが
できる。
【００１０】また、トランスデューサと反射器間で電極
幅と反射体線幅とが急激に変化すると、励振されるＳＡ
Ｗが反射器から効率よく反射されなくなる虞があるの
で、これを防止するために、或る実施例では、トランス
デューサに隣接する反射体の線幅を反射体ピッチＰR の
１／２に等しくするのが好ましい。
幅と反射体線幅とが急激に変化すると、励振されるＳＡ
Ｗが反射器から効率よく反射されなくなる虞があるの
で、これを防止するために、或る実施例では、トランス
デューサに隣接する反射体の線幅を反射体ピッチＰR の
１／２に等しくするのが好ましい。
【００１１】前記反射体の線幅は、後述するように本願
発明者が等価回路モデルを用いて確認したところ、ＬR
(ｉ)＝｛η0 ＋（η1 −η0）・（ｉ−１）／（ｎ−
１）｝×ＰR （但し、１≦ｉ≦ｎ）に設定し、又はＬR
(ｉ)＝［η0 ＋（η1 −η0）・ｃｏｓ｛（π／２）・
（ｎ−ｉ）／（ｎ−１）｝］×ＰR （但し、１≦ｉ≦
ｎ）にすることが好ましい。ここで、η0 はＩＤＴに最
も近い位置の反射体の線幅／反射体間のピッチ、η1 は
ＩＤＴから最も外側に位置する反射体の線幅／反射体間
のピッチである。
発明者が等価回路モデルを用いて確認したところ、ＬR
(ｉ)＝｛η0 ＋（η1 −η0）・（ｉ−１）／（ｎ−
１）｝×ＰR （但し、１≦ｉ≦ｎ）に設定し、又はＬR
(ｉ)＝［η0 ＋（η1 −η0）・ｃｏｓ｛（π／２）・
（ｎ−ｉ）／（ｎ−１）｝］×ＰR （但し、１≦ｉ≦
ｎ）にすることが好ましい。ここで、η0 はＩＤＴに最
も近い位置の反射体の線幅／反射体間のピッチ、η1 は
ＩＤＴから最も外側に位置する反射体の線幅／反射体間
のピッチである。
【００１２】また、或る実施例では、反射体ピッチＰR
が、トランスデューサにより励起される弾性表面波のほ
ぼ半波長であると、各反射体からのＳＡＷの反射波が同
位相となって反射率が最大となるので好ましい。
が、トランスデューサにより励起される弾性表面波のほ
ぼ半波長であると、各反射体からのＳＡＷの反射波が同
位相となって反射率が最大となるので好ましい。
【００１３】更に本発明の弾性表面波共振子は、挿入損
失を小さくするように、左側の反射器と右側の反射器と
の間に２組の交差指電極からなるすだれ状トランスデュ
ーサを有する２ポート型ＳＡＷ共振子に構成することが
できる。
失を小さくするように、左側の反射器と右側の反射器と
の間に２組の交差指電極からなるすだれ状トランスデュ
ーサを有する２ポート型ＳＡＷ共振子に構成することが
できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、本発明によるＳＡＷ共振
片の一実施例を示している。このＳＡＷ共振片１０は、
水晶、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 等の圧電体材料を平
坦な矩形薄板に加工した圧電基板１１を有する。圧電基
板１１の主面には、その略中央に１組の交差指電極１２
ａ、１２ｂからなるＩＤＴ１３が形成され、かつその左
右両側に格子構造の反射器１４ａ、１４ｂが配置されて
いる。一般に前記交差指電極及び反射器は、金、アルミ
ニウム、アルミニウム合金のような導電性材料で形成さ
れる。ＳＡＷ共振片１０は、セラミックパッケージを構
成するベースにマウントされ、同じくセラミックパッケ
ージを構成する蓋により封止され、ＳＡＷ共振子を構成
する。
片の一実施例を示している。このＳＡＷ共振片１０は、
水晶、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 等の圧電体材料を平
坦な矩形薄板に加工した圧電基板１１を有する。圧電基
板１１の主面には、その略中央に１組の交差指電極１２
ａ、１２ｂからなるＩＤＴ１３が形成され、かつその左
右両側に格子構造の反射器１４ａ、１４ｂが配置されて
いる。一般に前記交差指電極及び反射器は、金、アルミ
ニウム、アルミニウム合金のような導電性材料で形成さ
れる。ＳＡＷ共振片１０は、セラミックパッケージを構
成するベースにマウントされ、同じくセラミックパッケ
ージを構成する蓋により封止され、ＳＡＷ共振子を構成
する。
【００１５】ＩＤＴ１３は、入力側及び出力側の交差指
電極１２ａ、１２ｂが互いに対称をなし、それぞれ隣接
する交差指電極の中心間距離即ちピッチＰR が、励振す
るＳＡＷの波長λの１／２即ち半波長にほぼ等しくなる
ように設定される。各反射器１４ａ、１４ｂは、それぞ
れ格子構造をなすｎ本（ｎ≧２）の反射体１５ａ、１５
ｂを有し、隣接する反射体のピッチＰR は、前記交差指
電極と同様にＳＡＷの半波長λ／２にほぼ等しくなるよ
うに設定される。
電極１２ａ、１２ｂが互いに対称をなし、それぞれ隣接
する交差指電極の中心間距離即ちピッチＰR が、励振す
るＳＡＷの波長λの１／２即ち半波長にほぼ等しくなる
ように設定される。各反射器１４ａ、１４ｂは、それぞ
れ格子構造をなすｎ本（ｎ≧２）の反射体１５ａ、１５
ｂを有し、隣接する反射体のピッチＰR は、前記交差指
電極と同様にＳＡＷの半波長λ／２にほぼ等しくなるよ
うに設定される。
【００１６】本実施例の前記各反射体の線幅ＬR は、次
式により、ＳＡＷの伝搬方向に沿ってトランスデューサ
側から外側に向けて、図２Ａに示すように一定の割合で
大きくなるように設定される。このように構成すること
により、各反射体の反射率がトランスデューサ側から外
側に向けて漸次高くなり、反射体の本数を少なくして
も、全体として高い反射率を得ることができる。
式により、ＳＡＷの伝搬方向に沿ってトランスデューサ
側から外側に向けて、図２Ａに示すように一定の割合で
大きくなるように設定される。このように構成すること
により、各反射体の反射率がトランスデューサ側から外
側に向けて漸次高くなり、反射体の本数を少なくして
も、全体として高い反射率を得ることができる。
【００１７】ＬR(ｉ)＝｛η0 ＋（η1 −η0）・（ｉ−
１）／（ｎ−１）｝×ＰR （但し、１≦ｉ≦ｎ） ここで、η0 はＩＤＴに最も近い位置の反射体の線幅／
反射体間のピッチ、η1はＩＤＴから最も外側に位置す
る反射体の線幅／反射体間のピッチである。
１）／（ｎ−１）｝×ＰR （但し、１≦ｉ≦ｎ） ここで、η0 はＩＤＴに最も近い位置の反射体の線幅／
反射体間のピッチ、η1はＩＤＴから最も外側に位置す
る反射体の線幅／反射体間のピッチである。
【００１８】本実施例のＳＡＷ共振子について、η0 ＝
０．５、η1 ＝０．７５、ｎ＝１００、ＩＤＴ対数＝９
０、周波数＝１２５．００ＭＨｚとして、等価回路法を
用いたシミュレーションを行ったところ、図３Ａに示す
ような良好なインピーダンス特性が得られ、そのＣＩ値
（図３Ａのグラフにおける極小値）は２８．０７Ωであ
った。これに対して、従来の均一な線幅＝λ／２の反射
体からなる反射器を有するＳＡＷ共振子について同様の
シミュレーションを行ったところ、図３Ｂに示すような
インピーダンス特性が得られ、そのＣＩ値（図３Ｂのグ
ラフにおける極小値）は３２．２９Ωであった。これら
のシミュレーション結果から、本実施例においてＣＩ値
が大幅に改善されることが分かる。
０．５、η1 ＝０．７５、ｎ＝１００、ＩＤＴ対数＝９
０、周波数＝１２５．００ＭＨｚとして、等価回路法を
用いたシミュレーションを行ったところ、図３Ａに示す
ような良好なインピーダンス特性が得られ、そのＣＩ値
（図３Ａのグラフにおける極小値）は２８．０７Ωであ
った。これに対して、従来の均一な線幅＝λ／２の反射
体からなる反射器を有するＳＡＷ共振子について同様の
シミュレーションを行ったところ、図３Ｂに示すような
インピーダンス特性が得られ、そのＣＩ値（図３Ｂのグ
ラフにおける極小値）は３２．２９Ωであった。これら
のシミュレーション結果から、本実施例においてＣＩ値
が大幅に改善されることが分かる。
【００１９】別の実施例では、各反射体の線幅ＬR が次
式により、ＳＡＷの伝搬方向に沿ってトランスデューサ
側から外側に向けて、図２Ｂに示すような曲線状に漸次
大きくなるように設定される。
式により、ＳＡＷの伝搬方向に沿ってトランスデューサ
側から外側に向けて、図２Ｂに示すような曲線状に漸次
大きくなるように設定される。
【００２０】ＬR(ｉ)＝［η0 ＋（η1 −η0）・ｃｏｓ
｛（π／２）・（ｎ−ｉ）／（ｎ−１）｝］×ＰR
（但し、１≦ｉ≦ｎ） 同様に、η0 はＩＤＴに最も近い位置の反射体の線幅／
反射体間のピッチ、η1はＩＤＴから最も外側に位置す
る反射体の線幅／反射体間のピッチである。
｛（π／２）・（ｎ−ｉ）／（ｎ−１）｝］×ＰR
（但し、１≦ｉ≦ｎ） 同様に、η0 はＩＤＴに最も近い位置の反射体の線幅／
反射体間のピッチ、η1はＩＤＴから最も外側に位置す
る反射体の線幅／反射体間のピッチである。
【００２１】このＳＡＷ共振子について、上記図２Ａの
実施例と同様にη0 ＝０．５、η1＝０．７５、ｎ＝１
００、ＩＤＴ対数＝９０、周波数＝１２５．００ＭＨｚ
として、等価回路法を用いてシミュレーションしたとこ
ろ、図４に示すような良好なインピーダンス特性が得ら
れ、そのＣＩ値は２４．３７Ωであった。これに対し
て、従来構造のＳＡＷ共振子について同様のシミュレー
ションを行ったところ、ＣＩ値は３２．２９Ωであり、
本実施例では従来構造と比較して約２５％と、大幅に改
善されることが分かった。別言すれば、８０本の反射体
で従来構造の１００本の反射体と同等のＣＩ値を得るこ
とができるから、圧電基板の長さを約１０％減少できる
ことになる。
実施例と同様にη0 ＝０．５、η1＝０．７５、ｎ＝１
００、ＩＤＴ対数＝９０、周波数＝１２５．００ＭＨｚ
として、等価回路法を用いてシミュレーションしたとこ
ろ、図４に示すような良好なインピーダンス特性が得ら
れ、そのＣＩ値は２４．３７Ωであった。これに対し
て、従来構造のＳＡＷ共振子について同様のシミュレー
ションを行ったところ、ＣＩ値は３２．２９Ωであり、
本実施例では従来構造と比較して約２５％と、大幅に改
善されることが分かった。別言すれば、８０本の反射体
で従来構造の１００本の反射体と同等のＣＩ値を得るこ
とができるから、圧電基板の長さを約１０％減少できる
ことになる。
【００２２】この実施例について、実際にＳＡＷ共振子
を試作して試験したところ、従来のＳＡＷ共振子のＣＩ
値が５６．８９Ω（平均値）であるのに対し、本実施例
のＳＡＷ共振子のＣＩ値は４０．４１Ω（平均値）であ
り、約２９％も向上した。試作品のＣＩ値がシミュレー
ション結果と異なるのは、ＣＩ値に影響を与える様々な
要素に製造上ばらつきがあること等によるものと考えら
れる。いずれにせよ、これらの実測結果から、上記シミ
ュレーション結果が信頼性の高いものであり、本発明の
ＳＡＷ共振子が従来のＳＡＷ共振子よりも優れた共振特
性を発揮することが確認できた。
を試作して試験したところ、従来のＳＡＷ共振子のＣＩ
値が５６．８９Ω（平均値）であるのに対し、本実施例
のＳＡＷ共振子のＣＩ値は４０．４１Ω（平均値）であ
り、約２９％も向上した。試作品のＣＩ値がシミュレー
ション結果と異なるのは、ＣＩ値に影響を与える様々な
要素に製造上ばらつきがあること等によるものと考えら
れる。いずれにせよ、これらの実測結果から、上記シミ
ュレーション結果が信頼性の高いものであり、本発明の
ＳＡＷ共振子が従来のＳＡＷ共振子よりも優れた共振特
性を発揮することが確認できた。
【００２３】図５は、本発明の変形例を示しており、Ｓ
ＡＷ共振片１６が、圧電基板１７の主面に左側の反射器
１８ａと右側の反射器１８ｂとの間に２組の交差指電極
からなるＩＤＴ１９ａ、１９ｂを有し、挿入損失を小さ
くするようにした２ポート型の構成を有する。各反射器
は、図１の実施例と同様に、それぞれ格子構造をなすｎ
本（ｎ≧２）の反射体２０ａ、２０ｂを有し、かつ隣接
する反射体のピッチＰR がＳＡＷの半波長λ／２にほぼ
設定されると共に、各反射体の線幅ＬR が、ＳＡＷの伝
搬方向に沿ってトランスデューサ側から外側に向けて大
きくなるように設定される。従って、同様に各反射体の
反射率がトランスデューサ側から外側に向けて漸次高く
なり、反射体の本数を少なくしても、全体として高い反
射率を得ることができる。
ＡＷ共振片１６が、圧電基板１７の主面に左側の反射器
１８ａと右側の反射器１８ｂとの間に２組の交差指電極
からなるＩＤＴ１９ａ、１９ｂを有し、挿入損失を小さ
くするようにした２ポート型の構成を有する。各反射器
は、図１の実施例と同様に、それぞれ格子構造をなすｎ
本（ｎ≧２）の反射体２０ａ、２０ｂを有し、かつ隣接
する反射体のピッチＰR がＳＡＷの半波長λ／２にほぼ
設定されると共に、各反射体の線幅ＬR が、ＳＡＷの伝
搬方向に沿ってトランスデューサ側から外側に向けて大
きくなるように設定される。従って、同様に各反射体の
反射率がトランスデューサ側から外側に向けて漸次高く
なり、反射体の本数を少なくしても、全体として高い反
射率を得ることができる。
【００２４】以上、本発明についてその好適な実施例を
用いて説明したが、本発明はその技術的範囲内において
上記実施例に様々な変形・変更を加えることができる。
例えば、反射体の線幅は、必ずしもその隣接する全てを
トランスデューサ側から外側に向けて大きくする必要は
なく、一部分であっても全体として反射率を高める効果
が得られる。
用いて説明したが、本発明はその技術的範囲内において
上記実施例に様々な変形・変更を加えることができる。
例えば、反射体の線幅は、必ずしもその隣接する全てを
トランスデューサ側から外側に向けて大きくする必要は
なく、一部分であっても全体として反射率を高める効果
が得られる。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、上述したように各反射器の反
射体を、ＳＡＷの伝搬方向に沿ってトランスデューサ側
から外側に向けて線幅が大きくなるように設けることに
より、同じ反射体本数でより大きい反射率が得られるか
ら、従来より小型の圧電基板でかつ少ない反射体本数で
同等の性能即ちＣＩ値を発揮でき、従ってＳＡＷ共振子
の小型化を図ることができ、特に反射体本数が少なくな
ることによって、低周波数で動作する場合に有利であ
る。
射体を、ＳＡＷの伝搬方向に沿ってトランスデューサ側
から外側に向けて線幅が大きくなるように設けることに
より、同じ反射体本数でより大きい反射率が得られるか
ら、従来より小型の圧電基板でかつ少ない反射体本数で
同等の性能即ちＣＩ値を発揮でき、従ってＳＡＷ共振子
の小型化を図ることができ、特に反射体本数が少なくな
ることによって、低周波数で動作する場合に有利であ
る。
【図１】本発明によるＳＡＷ共振片の一実施例を概略的
に示す平面図である。
に示す平面図である。
【図２】Ａ図及びＢ図は、それぞれ反射体の位置に関す
る線幅の変化を示す線図である。
る線幅の変化を示す線図である。
【図３】Ａ図は図２Ａの実施例のインピーダンス特性を
示す線図、Ｂ図は従来例のインピーダンス特性を示す線
図である。
示す線図、Ｂ図は従来例のインピーダンス特性を示す線
図である。
【図４】図２Ｂの実施例のインピーダンス特性を示す線
図である。
図である。
【図５】本発明による２ポート型ＳＡＷ共振片の実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図６】従来のＳＡＷ共振片の一例を概略的に示す平面
図である。
図である。
１ 圧電基板 ２ａ、２ｂ 交差指電極 ３ ＩＤＴ ４ａ、４ｂ 反射器 ５ａ、５ｂ 反射体 １０ ＳＡＷ共振片 １１ 圧電基板 １２ａ、１２ｂ 交差指電極 １３ ＩＤＴ １４ａ、１４ｂ 反射器 １５ａ、１５ｂ 反射体 １６ ＳＡＷ共振片 １７ 圧電基板 １８ａ、１８ｂ 反射器 １９ａ、１９ｂ ＩＤＴ ２０ａ、２０ｂ 反射体
Claims (6)
- 【請求項１】 圧電体基板と、前記圧電体基板の表面
に形成された少なくとも１組の交差指電極からなるすだ
れ状トランスデューサと、前記圧電体基板の表面に前記
トランスデューサを挟んでその両側に配置された左側及
び右側の反射器とを備え、 前記各反射器が、前記トランスデューサ側から外側に向
けて同一ピッチＰR の格子構造をなすｎ本（ｎ≧２）の
反射体を有し、かつ前記反射体の線幅ＬR が、ＬR(１)
＜ＬR(ｎ)、及びＬR(ｉ)≦ＬR(i+1)（但し、１≦ｉ≦ｎ
−１）を満足することを特徴とする弾性表面波共振子。 - 【請求項２】 前記トランスデューサに隣接する前記
反射体の線幅が、前記反射体ピッチＰR の１／２に等し
いことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波共振
子。 - 【請求項３】 前記トランスデューサ側から外側に向
けて前記反射体の線幅が、η0 を前記トランスデューサ
に最も近い位置の前記反射体の線幅／反射体間のピッ
チ、η1 を前記トランスデューサから最も外側に位置す
る前記反射体の線幅／反射体間のピッチとして、ＬR
(ｉ)＝｛η0 ＋（η1 −η0）・（ｉ−１）／（ｎ−
１）｝×ＰR （但し、１≦ｉ≦ｎ）であることを特徴と
する請求項１又は２に記載の弾性表面波共振子。 - 【請求項４】 前記トランスデューサ側から外側に向
けて前記反射体の線幅が、η0 を前記トランスデューサ
に最も近い位置の前記反射体の線幅／反射体間のピッ
チ、η1 を前記トランスデューサから最も外側に位置す
る前記反射体の線幅／反射体間のピッチとして、ＬR
(ｉ)＝［η0 ＋（η1 −η0）・ｃｏｓ｛（π／２）・
（ｎ−ｉ）／（ｎ−１）｝］×ＰR （但し、１≦ｉ≦
ｎ）であることを特徴とする請求項１又は２に記載の弾
性表面波共振子。 - 【請求項５】 前記反射体ピッチＰR が、前記トラン
スデューサにより励起される弾性表面波のほぼ半波長で
あることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載
の弾性表面波共振子。 - 【請求項６】 前記左側の反射器と右側の反射器との
間に２組の交差指電極からなるすだれ状トランスデュー
サを有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか
に記載の弾性表面波共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000173788A JP2001358555A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | 弾性表面波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000173788A JP2001358555A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | 弾性表面波共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358555A true JP2001358555A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18675949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000173788A Withdrawn JP2001358555A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | 弾性表面波共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001358555A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005050837A1 (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 弾性表面波フィルタ |
| JP2013168996A (ja) * | 2009-04-23 | 2013-08-29 | Panasonic Corp | アンテナ共用器とそれを搭載した電子機器 |
| CN111238604A (zh) * | 2020-01-14 | 2020-06-05 | 湖北楚禹水务科技有限公司 | 声波式水位计、水位检测方法、电子设备和存储介质 |
-
2000
- 2000-06-09 JP JP2000173788A patent/JP2001358555A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005050837A1 (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 弾性表面波フィルタ |
| JPWO2005050837A1 (ja) * | 2003-11-21 | 2007-06-14 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
| US7501917B2 (en) | 2003-11-21 | 2009-03-10 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave filter |
| CN100508382C (zh) * | 2003-11-21 | 2009-07-01 | 松下电器产业株式会社 | 声表面波滤波器 |
| JP2013168996A (ja) * | 2009-04-23 | 2013-08-29 | Panasonic Corp | アンテナ共用器とそれを搭載した電子機器 |
| US8723620B2 (en) | 2009-04-23 | 2014-05-13 | Panasonic Corporation | Antenna sharer with a ladder filter |
| CN111238604A (zh) * | 2020-01-14 | 2020-06-05 | 湖北楚禹水务科技有限公司 | 声波式水位计、水位检测方法、电子设备和存储介质 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050629 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070806 |