JP2001358267A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁基板の裏面側パターン又はベース板に接
合部の厚さを規制する複数個の突起が設けられる半導体
装置において、上記突起の周囲の上記接合部に生じる熱
ストレスを抑制し、接合部の耐クラック性を向上させ、
信頼性に優れる半導体装置を得る。 【解決手段】 絶縁基板の裏面側パターン又はベース板
に、上記裏面側パターンとベース板との接合部の厚さを
規制する複数個の突起を設け、この突起における上記裏
面側パターンの周縁に面する端部を、上記周縁から１ｍ
ｍ〜１０ｍｍ離間した領域に位置させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、パワーモジュー
ルに関し、特に絶縁基板とベース板とを接合部で接合し
た半導体装置およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１７と図１８は、例えば特開平１１−
１８６３３１号公報に示された従来の半導体装置を示す
図であり、図１７はその断面図、図１８はベース板を示
す斜視図である。図において、１はＳｉ製の半導体素
子、２はセラミックスである窒化アルミ、３、４は窒化
アルミ２の両面に設けられた導電パターンで、表面側パ
ターンと裏面側パターン、５はセラミック２と表面側パ
ターン３と裏面側パターン４とからなる絶縁基板、６は
ベース板、７は半導体素子１と絶縁基板５との固着に用
いた半田、８は絶縁基板５とベース版６との固着に用い
た半田などの接合部、９はベース板の各角の近傍に金属
接合された複数個の突起であり、アルミ材等から構成さ
れ、互いに平行に配置されており、図１８に示される突
起９の端部９ａ、９ｂが上記絶縁基板５の裏面側パター
ン４の周縁４ａに近接して位置している。

【０００３】図１７の状態で、まず、半導体装置を半田
などの接合部８の溶融温度以上の温度で大気圧下の減圧
槽におく。この時、接合部８は溶融状態になり、内部に
は無数の小径ボイドが発生する。次に、その後、減圧槽
内を減圧すると、ボイド中の圧力が槽内圧に比べて高い
のでボイドは膨張し、近辺のボイドと合併するなどして
大型化する。また、ボイドは大型化することによって流
動性を増し溶融した接合材の中を徐々に移動して周囲の
槽内に散逸する。次に、減圧状態を暫く続けると、ボイ
ドはほとんど周囲の槽内に散逸してしまい、突起９の周
囲のボイドとほんの僅かのボイドだけとなる。次に、減
圧槽内を大気圧に戻すと、溶融した接合部８の圧力が槽
内圧と等しくなるため、突起９の周囲に存在するボイド
も接合部８中に僅かに残ったボイドも収縮し、小さくな
る。その後、接合部８を凝固させることによって、絶縁
基板５とベース板６との接合部８による接合を行う。こ
のように、突起９を有する接合部８においたボイドは充
分小さくなる。

【０００４】また、複数個の突起９はベース板６の各角
の近傍に金属接合されており、上記裏面側パターン４と
上記ベース板６を半田などの接合部８で接合する際に、
その接合部８の厚さが規制される。

【０００５】また一方、半田としてフラックスレスの半
田を用いた場合、半田付け工程に、従来に用いていた薬
液による洗浄工程は不要となり、環境問題を解決でき、
また、製造コストの低減を図れる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は、
ベース板の各角の近傍に複数個の突起が金属接合されて
いるので、これらの複数個の突起は絶縁基板の裏面側パ
ターンの周縁に極めて近接して位置することがあり、こ
のような場合に、上記突起の端部の周囲に位置した半田
などの接合部に熱応力が集中し、突起を起点として接合
部に早期にクラックが発生するという問題を有してい
た。また、フラックスレスの半田を用いて裏面側パター
ンと上記ベース板とを半田接合する工程において、大気
圧下あるいは減圧下でハンダ接合させた場合、半田の接
合面での半田の濡れ性不良が生じる恐れがあるという問
題を有していた。

【０００７】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、突起の端部の周囲に位置す
る半田などの接合部に生じようとする熱ストレスを抑制
し、接合部の耐クラック性を向上させ、信頼性に優れる
半導体装置を提供することを目的とする。

【０００８】また、本発明は、フラックスレスの半田を
用いて裏面側パターンと上記ベース板とを半田接合する
工程において、半田の接合面での半田の濡れ性を向上で
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】第１の発明に係わる半導
体装置は、両面に導電パターンが形成され、その表面側
パターンに半導体素子が実装されると共に、裏面側パタ
ーンにベース板が接合部を介して接合される絶縁基板を
備え、上記裏面側パターン又は上記ベース板に上記接合
部の厚さを規制する複数個の突起が設けられる半導体装
置において、上記突起は、上記裏面側パターンの周縁に
面する端部が上記周縁から１ｍｍ〜１０ｍｍ離間した領
域に位置しているものである。

【００１０】さらに、第２の発明に係わる半導体装置
は、第１の発明に係わる半導体装置において、裏面側パ
ターンは方形状部分を有し、突起は上記裏面側パターン
の角部近傍において、上記方形状部分の辺に対して傾斜
して延在されているものである。

【００１１】また、第３の発明に係わる半導体装置は、
第２の発明に係わる半導体装置において、裏面側パター
ンは方形状部分を有し、突起は上記方形状部分の辺に対
し略４５度に延在されているものである。

【００１２】また、第４の発明に係わる半導体装置は、
第１の発明に係わる半導体装置において、突起は、ベー
ス板に接合され、上記突起の突出面はベースの接合面と
略平行に構成したものである。

【００１３】また、第５の発明に係わる半導体装置は、
第１の発明に係わる半導体装置において、突起は、裏面
側パターンに接合され、上記突起の突出面は裏面側パタ
ーンの面と略平行に構成したものである。

【００１４】また、第６の発明に係わる半導体装置の製
造方法は、両面に導電パターンが形成された絶縁基板の
表面側パターンに半導体素子を実装する工程、上記絶縁
基板の裏面側パターンにベース板を接合部を介して接合
する工程、上記裏面側パターンと上記ベース板を接合す
る前に、その接合部の厚さを規制する複数個の突起を上
記裏面側パターン又は上記ベース板に設ける工程を有す
る半導体装置の製造方法において、上記突起は、上記裏
面側パターンの周縁に面する端部が上記周縁から１ｍｍ
〜１０ｍｍの領域に位置するように形成する工程からな
り、上記裏面側パターンに上記ベース板を接合する際に
は還元性ガス、または不活性ガス、または還元性ガスと
不活性ガスとの混合ガスの雰囲気中で行うものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】実施の形態１．この発明の実施の
形態１を図１乃至図６により説明する。なお、図１は半
導体装置の断面図、図２は絶縁基板の部分拡大底面図、
図３はベース板の平面図、図４は絶縁基板とベース板と
を接合した半田の熱応力特性図、図５は絶縁基板とベー
ス板とを接合した状態を示す断面図、図６は絶縁基板の
部分拡大底面図である。図において、１はＳｉ製の半導
体素子、２はセラミックスからなり、角部２ａは円状に
丸みが形成されている窒化アルミ、３は窒化アルミ２の
表面に設けられた表面側パターン、４は裏面に設けられ
た裏面側パターンであり、長方形や正方形等の方形状の
周縁４ａは各辺４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅと、円状の角部
４ｆで構成されている。５は窒化アルミ２と、表面側パ
ターン３と、裏面側パターン４とからなる絶縁基板、６
はベース板であり、上面６ａの破線６ｂは上記裏面側パ
ターン４の方形状の周縁４ａに対向した領域を示す仮想
線で各辺６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆと、円状の角部６ｇを
有している。７は半導体素子１と絶縁基板５との固着に
用いた半田、８は絶縁基板５とベース板６との固着に用
いた半田からなる接合部、９０はベース板６の角部６ｇ
の近傍に金属接合された複数個の突起であり、アルミ材
等から構成され、互いに平行に配置されており、図３に
おいてＬ１、Ｌ２で示すように各端部９０ａ、９０ｂ
は、上記裏面側パターン４に対向する領域を示す破線６
ｂの各辺６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆと、角部６ｇから１ｍ
ｍ以上離間している。ここで、ベース板６の破線６ｂと
上記裏面側パターン４の周縁４ａとが対向していること
から、突起９０の各端部９０ａ、９０ｂは、図２に破線
で示す上記絶縁基板５の裏面側パターン４との対向領域
が、図中、Ｌ１，Ｌ２のように裏面側パターン４の周縁
４ａの各辺４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅと、角部４ｆから１
ｍｍ以上離間することになる。

【００１６】そして、絶縁基板５とベース板６とを金属
接合した場合、接合部８の半田に加わる熱応力は、実験
の結果、図４に示されるように、裏面側パターン４の周
縁４ａからの寸法が１ｍｍより小さいと応力が急激に高
くなり、１ｍｍ以上になると応力が大きく低減されるこ
とが分かった。この実施の形態１では、図４のグラフに
示される実験結果に基づき、熱応力が低減している位
置、即ち１ｍｍ以上の位置を選択して突起９０の端部９
０ａ、９０ｂの位置を構成している。従って、突起９０
の端部９０ａ、９０ｂの周囲の接合部８に生じる熱応力
が抑制され、接合部８の耐クラック性が向上し、信頼性
に優れる半導体装置を得ることができる。

【００１７】ところで、上記絶縁基板５の裏面側パター
ン４と上記ベース板６を半田接合する際に、突起９０で
接合部８の厚さが規制されるが、図４のグラフに示され
る実験結果に基づき、熱応力が低減している位置に、突
起９０の端部９０ａ、９０ｂを配置する場合、図５にお
いて、裏面側パターン４の周縁４ａからの寸法が１０ｍ
ｍを越えて端部９０ａ、９０ｂが離間すると、突起９０
の端部９０ａを中心にして絶縁基板５に傾きαが生じ、
端部９０ａよりも周縁４ａの接合部８の厚さｄが、薄く
なり、その薄肉部分に熱応力が集中しようとするが、こ
の発明の実施の形態１では、図６において突起９０の端
部９０ａ、９０ｂの位置をＬ１、Ｌ２のように裏面側パ
ターン４の周縁４ａから１ｍｍ以上で且つ１０ｍｍ以下
に位置させているので、突起９０の端部９０ａ、９０ｂ
を中心にして絶縁基板５に傾きαが生じても、その傾き
αは僅かであり、接合部８の厚さを確保できる。ここ
で、図５において、熱応力Δεと、接合部８の半田の長
さ方向の変形量ΔＬと、接合部の半田の厚さｄとの関係
は、Δε＝Ｋ×ΔＬ／ｄであり、上記のように接合部８
の厚さｄが確保されることで、熱応力の集中を防止で
る。従って、接合部８の周辺部分のクラックの発生を防
止できる。

【００１８】実施の形態２．この発明の実施の形態２を
図７と図８と図９により説明する。なお、図７は半導体
装置に用いる絶縁基板の裏面図、図８はベース板の平面
図、図９は図７の部分拡大平面図である。図７におい
て、４は裏面に設けられた裏面側パターンであり、方形
状の周縁４ａは各辺４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅと、円状の
角部４ｆで構成されている。図８、図９において、６は
ベース板であり、上面６ａの破線６ｂは上記裏面側パタ
ーン４の方形状の周縁４ａに対向した領域を示す仮想線
で各辺６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆと、円状の角部６ｇを有
している。９０はベース板６の破線６ｂの各角６ｇの近
傍に金属接合され、上記各辺６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆに
対して傾斜して延在されている複数個の突起であり、ア
ルミ材から構成されており、各端部９０ａ、９０ｂは、
上記裏面側パターン４に対向する領域を示す破線６ａの
各辺６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆと、角部６ｇから１ｍｍ〜
１０ｍｍの範囲で離間している。従って、上記突起９０
の各端部９０ａ、９０ｂは、図７のＬ１、Ｌ２で示すよ
うに上記裏面側パターン４の周縁４ａの各辺４ｂ、４
ｃ、４ｄ、４ｅと、角部４ｆから１ｍｍ〜１０ｍｍの範
囲で離間することになる。

【００１９】この構成では、複数個の突起９０は、ベー
ス板６における裏面側パターン４に対向する領域を示す
破線６ｂの角部６ｇ近傍において、各辺６ｃ、６ｄ、６
ｅ、６ｆに対して傾斜して延在されているので、複数個
の突起９は、裏面側パターン４の各辺４ａ、４ｂ、４
ｃ、４ｄに対しても傾斜して延在することになる。従っ
て、端部９ａの位置のみを破線６ｂから１ｍｍ離間させ
れば、端部９ｂはおのずから裏面側パターン４の周縁４
ａから１ｍｍよりも離間し、熱応力の低い領域に位置さ
れる。即ち、突起９０を各辺４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄに
対して平行に配置させるものに比し、突起９０を熱応力
の低い領域に位置決めすることが容易になる。

【００２０】この発明の実施の形態１、２では、突起を
ベース板に接合したもので説明したが、絶縁基板に接合
したものでも同様の効果を奏する。

【００２１】実施の形態３．この発明の実施の形態３を
図１０、図１１により説明する。なお、図１０は半導体
装置に用いる絶縁基板の底面図、図１１はその部分拡大
底面図である。図において、２はセラミックスからな
り、長方形や正方形等の方形状部分の辺２ａ、２ｂ、２
ｃ、２ｄを有する窒化アルミで、一辺側の辺２ｃの両角
に傾斜部２ｅが形成され、各角部２ｆは円状に丸みが形
成されている。４は窒化アルミ２と相似形状に小さく形
成され、方形状の周縁４ａの各辺４ｂ、４ｃ、４ｄ、４
ｅと円状の角部４ｆ構成された裏面側パターンで、一辺
側の辺４ｄの両角に傾斜部４ｇが形成されている。９０
は裏面側パターン４の角部４ｆ近傍に金属接合されてお
り、上記方形状部分の各辺４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅに対
し略４５度に延在された複数個の突起であり、上記裏面
側パターン４の周縁４ａに面する端部９０ａの角部９０
ｃが上記裏面側パターン４の周縁４ａから２．５ｍｍ離
間している。

【００２２】この構成では、突起９０は絶縁基板４の各
角４ｆの近傍に金属接合され、上記方形状部分の辺４
ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅに対し略４５度に延在されている
ので、端部９ａの一方の角部９ｃを位置決めすれば、他
方はおのずから裏面側パターンの周縁から２．５ｍｍ離
間するので、突起９０を接合する際の位置決めがきわめ
て容易になる。また、突起９０は裏面側パターン４の両
辺４ａ、４ｄからの距離が略同様になるため、突起９０
の両側の熱応力が均一となり、突起９０の辺４ａ側、又
は辺４ｄ側の一方に熱応力が集中するのを防止できる。

【００２３】上記の発明の実施の形態では、突起９０の
端部９０ａの角部９０ｃを裏面側パターン４の周縁から
２．５ｍｍ離間した構成で説明したが、絶縁基板５の裏
面側パターン４の周縁４ａから１ｍｍ〜１０ｍｍの領域
に離間させたものであれば同様の効果を奏する。

【００２４】また、この発明の実施の形態３では、突起
を絶縁基板に接合したが、ベース板に接合しても同様の
効果を奏する。

【００２５】実施の形態４．この発明の実施の形態４を
図１２、図１３により説明する。図１２はベース板の断
面図、図１３はベース板を用いた半導体装置の断面図で
ある。図において、９０はボンディングワイヤ片で構成
された突起であり、ベース板６の各角の近傍に金属接合
され、その突出面９０ｃはベース板６の上面６ａと略平
行に構成されている。

【００２６】この構成では、ベース板６の上面６ａに対
し、突起９０の突出面９０ｃが略平行であるため、裏面
側パターン４の面４ｈがベース板６の上面６ａに平行に
なり、ベース板６に対し、裏面側パターン４の面４ｈの
傾きを防止でき、接合部８の厚さを均一にでき、熱応力
の集中が抑制され、接合部８のクラックの発生を防止で
きる。

【００２７】実施の形態５．この発明の実施の形態５を
図１４により説明する。図１４は絶縁基板に突起を接合
した状態を示す断面図であり、図において、９０はボン
ディングワイヤ片で構成された突起であり、裏面側パタ
ーン４の各角の近傍に金属接合され、その突出面９０ｃ
は裏面側パターン４の面４ｈと略平行に構成されてい
る。

【００２８】この構成では、裏面側パターン４の面４ｈ
に対し、突起９０の突出面９０ｃが略平行であるため、
裏面側パターン４の面４ｈとベース板６の接合面が平行
になり、ベース板６に対する裏面側パターン４の面４ｈ
の傾きを防止でき、実施の形態４と同様に、接合部８の
厚さが均一になり、熱応力の集中を抑え、接合部のクラ
ックの発生を防止できる。

【００２９】実施の形態６．この発明の実施の形態６を
図１５、図１６により説明する。図１５はこの発明の製
造工程を示すフローチャート、図１６はベース板を示す
平面図であり、まず、Ｓ１では、窒化アルミ２の両面に
表面側パターン３と裏面側パターン４を形成する。この
際、裏面側パターン４は方形状の各辺４ｂ、４ｃ、４
ｄ、４ｅを有するように形成される。次に、Ｓ２では裏
面側パターン４の長方形状の各辺４ｂ、４ｃ、４ｄ、４
ｅに対し、ボンディングワイヤが略４５度に傾斜するよ
うにボンディングして突起９を接合する。この際に、上
記突起９０は、上記裏面側パターン４の周縁４ａに面す
る端部９０ａが上記裏面側パターン４の周縁４ａから１
ｍｍから１０ｍｍの領域に位置するように形成する。次
に、Ｓ３では絶縁基板５の表面側パターン４において半
導体素子１を実装する領域にフラックスレスのクリーム
半田を塗布する。一方、Ｓ４はベース板６にもクリーム
半田を塗布する。次に、Ｓ５は絶縁基板５の表面側パタ
ーン３に塗布したクリーム半田の上に半導体素子１を搭
載する。次に、Ｓ６は半導体素子１を搭載した絶縁基板
５をベース板６のフラックスレスのクリーム半田の上に
搭載する。次に、Ｓ７でベース板６の上に絶縁基板５を
搭載した状態で、不活性ガスの雰囲気中で半田を溶融さ
せて絶縁基板５とベース版６、絶縁基板５と半導体素子
１を接合させる。

【００３０】この方法では、フラックスレスの半田を用
いた場合でも、不活性ガスの雰囲気中で半田接合される
ため、半田の濡れ性と流動性の低下が抑制され、半田の
厚さが均一となり、図５で示されるような、ベース板６
に対する裏面側パターン４の傾きが防止され、接合部８
の熱応力の集中を防止できることになり、接合部８のク
ラックが一層抑えることができる。

【００３１】この方法では、絶縁基板５の裏面側パター
ン４に突起９０を設けた場合で説明したが、突起９０を
ベース板６に形成しても良く、この場合には、図１６の
ように、ベース板６に半田の流れを防止するレジスト１
０を塗布し、次に、裏面側パターン４の周縁４ａに面す
る端部９０ａの角部９０ｃが上記裏面側パターン４の周
縁から１ｍｍ〜１０ｍｍの領域に位置するように突起９
０を接合する。その後は、裏面側パターン４に突起９０
を形成した場合と同様の工程となる。

【００３２】また、この発明の実施の形態６では、不活
性ガスの雰囲気中で半田接合する場合で説明したが、還
元性ガス、または還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス
の雰囲気中で半田を接合するものでも同様の効果を奏す
る

【００３３】また、以上の発明の実施の形態では、接合
部８を半田で形成したもので説明したが、接着剤で構成
しても同様の効果を奏する。

【００３４】

【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に示すような効果を奏する。

【００３５】突起は、裏面側パターンの周縁に面する端
部が裏面側パターンの周縁から１ｍｍ〜１０ｍｍ離間し
た領域に位置しているので、突起の周囲の半田に生じる
熱応力が抑制され、半田の耐クラック性が向上し、信頼
性に優れる半導体装置を得ることができる。

【００３６】また、突起は、方形部分を有する裏面側パ
ターンの角部近傍において、方形部分の辺に対して傾斜
して延在されているので、端部のみの位置を裏面側パタ
ーンの周縁から１ｍｍ離間させれば、他の部分はおのず
から周縁から１ｍｍより離間するので、突起の位置決め
が容易になる。

【００３７】更に、裏面側パターンは方形部分を有し、
突起は方形部分の辺に対し略４５度に延在されているの
で、突起はこの突起を挟む裏面側パターンの両辺からの
距離が略同様になるため、突起の両側の熱応力が均一と
なり、熱応力の集中を防止できる。

【００３８】また、突起が、ベース板に接合され、突起
の裏面側パターンに対向する突出面と、ベースの裏面側
パターンに対抗する接合面とが略平行に構成されている
場合、または突起が、裏面側パワーンに接合され、突起
のベース側の突出面と、上記裏面側パワーンの面とが略
平行に構成されている場合は、いずれも裏面側パターン
の面がベース板に平行になり、ベース板に対し、裏面側
パターンの面の傾きを防止でき、接合部の厚さが均一に
なり、熱応力の集中を抑え、接合部のクラックの発生が
防止できる。

【００３９】更に、突起は、裏面側パターンの周縁に面
する端部が裏面側パターンの周縁から１ｍｍ〜１０ｍｍ
の領域に位置するように形成する工程からなり、絶縁基
板の裏面側パターンにベース板を接合する際には還元性
ガス、または不活性ガス、または還元性ガスと不活性ガ
スとの混合ガスの雰囲気中で行うものでは、フラックス
レスの半田を用いた場合でも、半田の濡れ性と流動性が
向上し、半田の厚さが均一となり、ベース板に対する裏
面側パターンの傾きが防止され、接合部の熱応力の集中
を防止できることになり、接合部のクラックを一層抑え
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１を示す半導体装置の
断面図である。

【図２】 この発明の実施の形態１を示す絶縁基板の部
分拡大底面図である。

【図３】 この発明の実施の形態１を示すベース板の平
面図である。

【図４】 この発明の実施の形態１を示す絶縁基板とベ
ース板とを接合した半田の熱応力特性図である。

【図５】 この発明の実施の形態１を示す絶縁基板とベ
ース板とを接合した状態を示す断面図である。

【図６】 この発明の実施の形態１を示す絶縁基板の部
分拡大底面図である。

【図７】 この発明の実施の形態２を示す絶縁基板の裏
面図である。

【図８】 この発明の実施の形態２を示すベース板の平
面図である。

【図９】 この発明の実施の形態２を示す絶縁基板の部
分拡大平面図である。

【図１０】 この発明の実施の形態３を示す絶縁基板の
底面図である。

【図１１】 この発明の実施の形態３を示す絶縁基板の
部分拡大底面図である。

【図１２】 この発明の実施の形態４を示すベース板の
断面図である。

【図１３】 この発明の実施の形態４を示すベース板を
用いた半導体装置の断面図である。

【図１４】 この発明の実施の形態５を示す絶縁基板に
突起を接合した状態を示す断面図である。

【図１５】 この発明の実施の形態６を示すフローチャ
ートである。

【図１６】 この発明の実施の形態６を示すベース板の
部分拡大平面図である。

【図１７】 従来の半導体装置を示す断面図である。

【図１８】 従来のベース板を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ 半導体素子、２ 窒化アルミ、３ 表面側パター
ン、４ 裏面側パターン、４ａ 周縁、４ｂ，４ｃ，４
ｄ，４ｅ 辺、５ 絶縁基板、６ ベース板、６ａ 接
合面、８ 接合部、９０ 突起、９０ａ，９０ｂ 端
部、９０ｃ 突出面

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 両面に導電パターンが形成され、その表
   面側パターンに半導体素子が実装されると共に、裏面側
   パターンにベース板が接合部を介して接合される絶縁基
   板を備え、上記裏面側パターン又は上記ベース板に上記
   接合部の厚さを規制する複数個の突起が設けられる半導
   体装置において、上記突起は、上記裏面側パターンの周
   縁に面する端部が上記周縁から１ｍｍ〜１０ｍｍ離間し
   た領域に位置していることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 裏面側パターンは方形状部分を有し、突
   起は上記裏面側パターンの角部近傍において、上記方形
   状部分の辺に対して傾斜して延在されていることを特徴
   とする請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 裏面側パターンは方形状部分を有し、突
   起は上記方形状部分の辺に対し略４５度に延在されてい
   ることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 突起は、ベース板に接合され、上記突起
   の裏面側パターン側の突出面と、上記ベースの上記裏面
   側パターン側の接合面とは略平行に構成されていること
   を特徴とする請求項１記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 突起は、裏面側パターンに接合され、上
   記突起のベース側の突出面と、上記裏面側パターンの面
   とは略平行に構成されていることを特徴とする請求項１
   記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 両面に導電パターンが形成された絶縁基
   板の表面側パターンに半導体素子を実装する工程、上記
   絶縁基板の裏面側パターンにベース板を接合部を介して
   接合する工程、上記裏面側パターンと上記ベース板を接
   合する前に、その接合部の厚さを規制する複数個の突起
   を上記裏面側パターン又は上記ベース板に設ける工程を
   有する半導体装置の製造方法において、上記突起は、上
   記裏面側パターンの周縁に面する端部が上記周縁から１
   ｍｍ〜１０ｍｍの領域に位置するように形成する工程か
   らなり、上記裏面側パターンに上記ベース板を接合する
   際には還元性ガス、または不活性ガス、または還元性ガ
   スと不活性ガスとの混合ガスの雰囲気中で行うことを特
   徴とする半導体装置の製造方法。