JP2001358134A

JP2001358134A - 基板処理装置及び基板処理方法

Info

Publication number: JP2001358134A
Application number: JP2000181445A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Motomura; 雅洋基村
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-06-16
Filing date: 2000-06-16
Publication date: 2001-12-26

Abstract

(57)【要約】【課題】デバイス構造の変化があってものエッチング性
能を維持できる。【解決手段】ウエハＷに所定の処理を行う基板処理装置
において、ウエハＷにエッチング処理を行うための処理
部１０と、処理部１０にあるウエハＷにフッ素系不活性
液体、有機溶媒であるイソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）及びフッ酸を含む処理液を供給する処理部２７と、
を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、
光ディスク用ガラス基板等の基板に、エッチング処理等
の所定の処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、基板の一種であるウエハに処
理を行う際には、薬液等の処理液によるエッチング処
理、純水による洗浄処理、及び乾燥処理が順次ウエハに
対して行われて、ウエハに対する一連の処理が達成され
ている。これらの各処理のうちエッチング処理は、ウエ
ハの表面に形成された薄膜をエッチングする際に実行さ
れている。

【０００３】従来の基板処理装置においてのエッチング
処理の方式では、ウエハの表面にフッ酸（ＨＦ）水溶液
を供給して、エッチング処理が行われている。このエッ
チング処理の方式としては、まず、処理槽にフッ酸水溶
液を貯溜し、このフッ酸水溶液にウエハを浸漬してエッ
チング処理を行うものがある。また、ウエハＷを回転保
持部材で保持しながら回転させて、ウエハの表面に供給
ノズル等からフッ酸を供給してエッチング処理を行うも
のがある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年、次世代デバイス
の構造としては、親水性と疎水性とが混在したものや、
アスペクト比（径に対する長さの比）の大きなトレンチ
構造を有するもの等が出てきている。しかしながら、フ
ッ酸をウエハの表面に供給する従来からの基板処理装置
及び基板処理方法では、かかる新素材のデバイス構造の
変化には対応できず、ウエハに対するエッチング性能が
低下してしまうという問題がある。

【０００５】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、デバイス構造の変化があってもエッチング
性能を維持できる基板処理装置及び基板処理方法を提供
することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１に記載の基板処理装置は、基板に所定
の処理を行う基板処理装置において、基板に処理を行う
ための処理部と、前記処理部にある基板にフッ素系不活
性液体、有機溶媒及びフッ酸を含む処理液を供給する処
理液供給手段と、を備えたことを特徴とするものであ
る。

【０００７】また、請求項２に記載の基板処理装置は、
請求項１に記載の基板処理装置において、前記処理部
が、前記処理液供給手段から供給されたフッ素系不活性
液体、有機溶媒及びフッ酸を含む処理液を貯溜し、処理
液に基板を浸漬することによって基板の処理を行うため
の処理槽と、前記処理槽へ基板を搬入するための搬送手
段とを備えたことを特徴とするものである。

【０００８】また、請求項３に記載の基板処理装置は、
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置におい
て、前記処理液供給手段に接続され、フッ素系不活性液
体、有機溶媒及びフッ酸を混合させて処理液を生成する
処理液生成手段をさらに備えたことを特徴とするもので
ある。

【０００９】また、請求項４に記載の基板処理装置は、
請求項１乃至請求項３に記載の基板処理装置において、
前記処理部で使用されたフッ素系不活性液体、有機溶媒
及びフッ酸を含む処理液を回収し、前記処理液供給手段
が、回収された処理液を循環路を介して再度前記処理部
にある基板に供給することを特徴とするものである。

【００１０】また、請求項５に記載の基板処理装置は、
請求項１乃至請求項４に記載の基板処理装置において、
前記有機溶媒が、イソプロピルアルコールであることを
特徴とするものである。

【００１１】また、請求項６に記載基板に所定の処理を
行う基板処理装置において、基板に処理を行うための処
理部と、前記処理部にある基板にフッ素系不活性液体及
びフッ酸を含む処理液を供給する処理液供給手段と、を
備えたことを特徴とするものである。

【００１２】また、請求項７に記載の基板処理装置は、
請求項６に記載の基板処理装置において、前記処理部
が、前記処理液供給手段から供給されたフッ素系不活性
液体及びフッ酸を含む処理液を貯溜し、処理液に基板を
浸漬することによって基板の処理を行うための処理槽
と、前記処理槽へ基板を搬入するための搬送手段とを備
えたことを特徴とするものである。

【００１３】また、請求項８に記載の基板処理装置は、
請求項６または請求項７に記載の基板処理装置におい
て、前記処理液供給手段に接続され、フッ素系不活性液
体及びフッ酸を混合させて処理液を生成する処理液生成
手段をさらに備えたことを特徴とするものである。

【００１４】また、請求項９に記載の基板処理装置は、
請求項６乃至請求項８に記載の基板処理装置において、
前記処理部で使用されたフッ素系不活性液体及びフッ酸
を含む処理液を回収し、前記処理液供給手段が、回収さ
れた処理液を循環路を介して再度前記処理部にある基板
に供給することを特徴とするものである。

【００１５】また、請求項１０に記載の基板処理装置
は、請求項１乃至請求項９に記載の基板処理装置におい
て、前記フッ素系不活性液体が、一般式（Ｃ_（ｎ）Ｆ
_（２ｎ＋ _１）−Ｏ−Ｒ_１）（但し、Ｒ_１はアルキル基、
ｎは自然数）で示されていることを特徴とするものであ
る。

【００１６】また、請求項１１に記載の基板処理装置
は、請求項１乃至請求項９に記載の基板処理装置におい
て、前記フッ素系不活性液体が、エチルパーフルオロブ
チルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９−Ｏ−Ｃ_２Ｈ_５）であることを
特徴とするものである。

【００１７】また、請求項１２に記載の基板処理方法
は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、フ
ッ素系不活性液体、有機溶媒及びフッ酸を含む流体によ
り基板の処理を行うことを特徴とするものである。な
お、ここでいう「流体」としては、処理液としたもの、
あるいはベーパー状にしたものが考えられる。

【００１８】また、請求項１３に記載の基板処理方法
は、請求項１２に記載の基板処理方法において、流体に
より基板の処理を行った後、純水による基板の洗浄を行
うことを特徴とするものである。

【００１９】また、請求項１４に記載の基板処理方法
は、請求項１３に記載の基板処理方法において、純水に
よる基板の洗浄を行った後、基板を乾燥させることを特
徴とするものである。

【００２０】また、請求項１５に記載の基板処理方法
は、請求項１２乃至請求項１４に記載の基板処理方法に
おいて、前記有機溶媒が、イソプロピルアルコールであ
ることを特徴とするものである。

【００２１】また、請求項１６に記載の基板処理方法
は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、フ
ッ素系不活性液体及びフッ酸を含む処理液により基板の
処理を行うことを特徴とするものである。

【００２２】また、請求項１７に記載の基板処理方法
は、請求項１６に記載の基板処理方法において、処理液
により基板の処理を行った後、純水による基板の洗浄を
行うことを特徴とするものである。

【００２３】また、請求項１８に記載の基板処理方法
は、請求項１７に記載の基板処理方法において、純水に
よる基板の洗浄を行った後、基板を乾燥させることを特
徴とするものである。

【００２４】また、請求項１９に記載の基板処理方法
は、請求項１２乃至請求項１８に記載の基板処理方法に
おいて、前記フッ素系不活性液体は、一般式（Ｃ_（ｎ）
Ｆ_（２ _ｎ＋１）−Ｏ−Ｒ_１）（但し、Ｒ_１はアルキル
基、ｎは自然数）で示されていることを特徴とするもの
である。

【００２５】また、請求項２０に記載の基板処理方法
は、請求項１２乃至請求項１８に記載の基板処理方法に
おいて、前記フッ素系不活性液体が、エチルパーフルオ
ロブチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９−Ｏ−Ｃ_２Ｈ_５）であるこ
とを特徴とするものである。

【００２６】さらに、請求項２１に記載の基板処理方法
は、請求項１２乃至請求項２０に記載の基板処理方法に
おいて、流体による基板の処理が、エッチング処理であ
ることを特徴とするものである。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係る基板処理装置の実施の形態について説明する。

【００２８】図１は、本発明に係る基板処理装置の全体
構成を示す図である。この基板処理装置は、基板の一種
であるウエハＷに対してエッチング処理を行う基板処理
装置である。

【００２９】この基板処理装置は、本発明の処理部に相
当する処理部１０を備えており、この処理部１０は蓋
（図示省略）を閉じることによって内部を密閉空間にす
ることができる筐体である。この処理部１０へのウエハ
Ｗの搬出入はその蓋を開放した状態にて、搬送ロボット
によって行われる。

【００３０】処理部１０の内部には、処理槽２０が固定
配置されている。処理槽２０は、フッ素系不活性液体、
イソプロピルアルコール（ＩＰＡ：以下ＩＰＡとする）
及びフッ酸（ＨＦ）を含む処理液（処理液Ａ）、あるい
はフッ素系不活性液体、及びフッ酸（ＨＦ）を含む処理
液（処理液Ｂ）を貯溜し、その処理液にウエハＷを浸漬
することによってウエハＷに対してエッチング処理を行
うための槽である。この処理槽２０の上側周囲には、オ
ーバーフロー槽２１が形成されている。このオーバーフ
ロー槽２１は、処理槽２０から溢れ出た処理液を滞留す
るためのものである。

【００３１】また、処理槽２１の内部には、リフターＬ
Ｈが設けられている。リフターＬＨは、リフターアーム
２５を矢印Ａに示すように鉛直方向に昇降させる機能を
有している。リフターアーム２５には、３本の保持部２
６ａ、２６ｂ、２６ｃがその長手方向が略水平になるよ
うに固設されており、３本の保持部２６ａ、２６ｂ、２
６ｃのそれぞれには、ウエハＷの外縁部が嵌まり込んで
ウエハＷを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定の
間隔に配列して設けられている。

【００３２】このようなリフターＬＨの構成により、リ
フターＬＨは３本の保持部２６ａ、２６ｂ、２６ｃによ
って相互に平行に積層配列されて保持された複数のウエ
ハＷを処理槽２０に貯溜された処理液に浸漬する位置と
引き上げた位置との間で、矢印Ａに示したように上下方
向に昇降させることができる。なお、リフターＬＨは、
リフタアーム２５を昇降させる機構としてボールネジを
用いた送りネジ機構やプーリとベルトを用いたベルト機
構等種々の機構を採用することができる。

【００３３】また、処理部１０の内部には、２本の窒素
ガス供給ノズル６０が設けられている。２本の窒素ガス
供給ノズル６０は、いずれも長手方向を略水平方向にし
て、３本の保持部２６ａ、２６ｂ、２６ｃと平行に配置
された中空の円筒形状の部材である。この窒素ガス供給
ノズル６０には複数の吐出孔６１が形成されている。

【００３４】ここで、窒素ガス供給ノズル６０に設けら
れた吐出孔６１は、処理槽２０上の位置において略水平
方向になるように形成されている。そして、その吐出孔
６１は、リフターＬＨの３本の保持部２６ａ、２６ｂ、
２６ｃによって相互に平行に配列保持された複数のウエ
ハＷのそれぞれの間に位置するように形成されている
（図示省略）。

【００３５】窒素ガス供給ノズル６０には、処理部１０
の外部に設けられた窒素ガス供給機構から窒素ガスが送
給される。この窒素ガス供給機構は、窒素ガス供給源６
２と、配管６３と、配管６３の途中に設けられたヒータ
６４とを備えている。

【００３６】また、処理槽２０の内底部には、処理液を
処理槽２０内へ供給するための処理液供給手段に相当す
る供給部２７が２つ設けられている。この供給部２７
は、円筒形状をしており、長手方向が略水平となるよう
に設けられており、処理液供給路３０の一端側が接続さ
れている。

【００３７】処理液供給路３０の他端側には、処理液を
生成するための処理液生成部４０が接続されている。こ
の処理液生成部４０には、循環路５０を介して、オーバ
ーフロー槽２１と連通接続されている。この循環路５０
により、オーバーフロー槽２１に滞留されている処理液
をさらに処理液生成部４０、処理液供給管３０及び供給
部２７を介して処理槽２０へ循環させることができる。

【００３８】この循環路５０には、循環路５０を流れる
処理液のパーティクルを除去するフィルタ５１と、循環
路５０に処理液を流すための循環ポンプ５２と、循環路
５０内の処理液の循環を制御する開閉弁５３と、が設け
られている。

【００３９】また、処理液生成部４０は、配管４１を介
してフッ素供給源４２と接続されている。この配管４１
の途中には、開閉弁４３が設けられており、この開閉弁
４３の開閉制御により、フッ素の供給・停止が制御され
る。

【００４０】また、処理液生成部４０は、配管４４を介
してＩＰＡ供給源４５と接続されている。この配管４４
途中には、開閉弁４６が設けられており、この開閉弁４
６の開閉制御により、有機溶媒であるＩＰＡの供給・停
止が制御される。

【００４１】さらに、処理液生成部４０は、配管４７を
介してフッ素系不活性液体供給源４８と接続されてい
る。この配管４７途中には、開閉弁４９が設けられてお
り、この開閉弁４９の開閉制御により、フッ素系不活性
液体の供給・停止が制御される。

【００４２】なお、循環路５０の途中に設けられている
循環ポンプ５２の「ＯＮ」「ＯＦＦ」の制御、開閉弁５
３の開閉制御、配管４１に設けられている開閉弁４３の
開閉制御、配管４４に設けられている開閉弁４６の開閉
制御、及び配管４７に設けられている開閉弁４９の開閉
制御は、制御部７０によって行われる。

【００４３】フッ素不活性液体供給源４８にあるフッ素
系不活性液体は、不活性な素材であって金属、プラスチ
ック、ゴム等の構成材料を侵さず、不燃性で環境に負荷
を与えない。本発明におけるフッ素系不活性液体の一般
構造式を以下に示す。

【００４４】

【化１】

【００４５】但し、Ｒ_１はアルキル基であり、ｎは自然
数である。本発明の実施の形態では、フッ素系不活性液
体としてエチルパーフルオロブチルエーテルを用いてい
る。エチルパーフルオロブチルエーテルの構造式を以下
に示す。

【００４６】

【化２】

【００４７】次に、本発明に係る基板処理装置を使用し
た基板処理方法の実施の形態について、図２乃至図４に
基づいて説明する。

【００４８】図２は、本発明に係る基板処理方法を示す
フローチャートである。まず、この基板処理装置におい
ては、図２のフローチャートに示すように、ウエハＷに
対するエッチング処理を行う（ステップＳ１）。エッチ
ング処理においては、図３に示すように、まず、処理部
２７から処理槽２０への処理液の供給を開始する（ステ
ップＳ１１）。このとき、フッ酸、ＩＰＡ、及びフッ素
系不活性液体を含む処理液を用いる場合、すなわち処理
液Ａを用いる場合は、制御部７０からの制御により開閉
弁４３、開閉弁４６、及び開閉弁４９を「開」にする。
これにより、処理液生成部４０においてフッ酸、ＩＰ
Ａ、及びフッ素系不活性液体が混合されて処理液が生成
され、生成された処理液は、処理液供給管３０及び供給
部２７を介して洗浄槽２1内へ供給される（図４（ａ）
の状態）。なお、このときのＩＰＡは６％以内とするこ
とで、非可燃性有機溶媒として扱うことができる。

【００４９】また、フッ酸及びフッ素系不活性液体を含
む処理液を用いる場合、すなわち処理液Ｂを用いる場合
は、制御部７０からの制御により開閉弁４３及び開閉弁
４９を「開」にする。これにより、処理液生成部４０に
おいてフッ酸、及びフッ素系不活性液体が混合されて処
理液が生成され、生成された処理液は、処理液供給管３
０及び供給部２７を介して処理槽２１内へ供給される
（図４（ａ）の状態）。

【００５０】処理槽２０の中が処理液でみたされると、
処理槽２０への処理液の供給を停止する（ステップＳ１
２）。そして、相互に間隔を隔てて積層配列させたウエ
ハＷを保持部２６ａ、２６ｂ、２６ｃに保持しつつ、リ
フターＬＨのリフターアーム２５を矢印Ａに示すように
下降させ、ウエハＷを処理槽２０内の処理液に浸漬させ
る（ステップＳ１３）（図４（ｂ）の状態）。これによ
り、ウエハＷのエッチング処理の進行が開始される。

【００５１】そして、制御部７０の制御により、循環ポ
ンプ５２を「ＯＮ」に作動させ、処理槽２０からオーバ
ーフロー槽２１へ溢れ出た処理液を循環路５０、処理液
生成部４０、及び供給部２７を通して、再度処理槽２０
へ供給させる（ステップＳ１４）（図４（ｃ）の状
態）。なお、ウエハＷから剥離した物質は、循環路５０
の途中に設けられたフィルタ５１で回収されるので、回
収されて再度使用される処理液を処理槽２０へ供給した
際に、再度処理槽２０へ供給されるようなことはない。

【００５２】次に、エッチング処理が開始して所定の時
間が経過したか否かを判断する（ステップＳ１５）。所
定の時間が経過したと判断すると、循環ポンプ５２を停
止させる（ステップＳ１６）とともに、窒素ガス供給ノ
ズル６０からの窒素ガスの供給が開始され（ステップＳ
１７）（図４（ｄ）の状態）、次のステップＳ１８へ移
行される。

【００５３】ステップＳ１８においては、ウエハＷを保
持部２６ａ、２６ｂ、２６ｃに保持しつつ、リフターＬ
Ｈのリフターアーム２５を矢印Ａに示すように上昇さ
せ、ウエハＷを処理槽２０の処理液から引き上げる（図
４（ｅ）の状態）。このとき、窒素ガス供給ノズル６０
から窒素ガスまたはヒータ６４により加熱された窒素ガ
スが、ウエハＷの側方からウエハＷの表面へ供給され
る。窒素ガス供給ノズル６０から窒素ガスを供給するこ
とによって処理部１０内部の雰囲気が不活性な窒素ガス
に置換されるとともに、ウエハＷに付着した処理液内の
フッ素系不活性液体の気化が促進される。

【００５４】その後、窒素ガス供給ノズル６０からの窒
素ガスの供給が停止され（ステップＳ１９）（図４
（ｆ）の状態）、処理部１０の蓋（図示省略）を開い
て、処理部１０からのウエハＷの搬出が完了し、ステッ
プＳ１１からステップＳ１９までの一連のエッチング処
理が終了する。

【００５５】次に、ステップＳ１においてエッチング処
理を行ったウエハＷの洗浄処理を行う（ステップＳ
２）。この洗浄処理は、処理部１０とは異なる処理部に
おいて洗浄槽へウエハＷを浸漬して洗浄処理（水洗処
理）を行う（図示省略）。さらに、ステップＳ２におい
て洗浄処理を行ったウエハＷの乾燥処理（ステップＳ
３）を行う。なお、ステップＳ１のエッチング処理の後
にステップＳ２の洗浄処理を行うことにより、エッチン
グ処理後のウエハＷを清浄に保つことができ、さらに、
ステップＳ２の洗浄処理の後にステップＳ３の乾燥処理
を行うことにより、ウエハＷをドライな状態で次工程で
搬送等を行うことができる。以上により、一連のウエハ
Ｗに対する処理が終了する。

【００５６】以上のように、本発明に係る基板処理装置
においては、フッ酸、有機溶媒であるＩＰＡ、及びフッ
素系不活性液体を含む処理液、あるいはフッ酸、及びフ
ッ素系不活性液体を含む処理液により、ウエハＷのエッ
チング処理を行っている。このフッ素系不活性液体は表
面張力が小さく、水のそれが７１．８ｄｙｎ／ｃｍ、イ
ソプロピルアルコールが２０．８ｄｙｎ／ｃｍであるの
に、フッ素系不活性液体は１８ｄｙｎ／ｃｍ以下であ
る。このように、フッ素系不活性液体の表面張力が小さ
いことは、その浸透性がＩＰＡよりも高いことを意味し
ている。フッ素系不活性液体は、その浸透性が高いた
め、近年の微細化・複雑化されたデバイス構造であって
も容易に水分に置換することができ、特に、アスペクト
比の大きなトレンチ構造を有するものでも、アスペクト
比の大きな箇所においてもフッ素系不活性液体は水分と
置換することができる。したがって、フッ素系不活性液
体を用いたエッチング処理方式では、近年の微細化・複
雑化されたデバイス構造でも、エッチング性能を維持す
ることができる。

【００５７】さらに、上述した実施の形態においては、
窒素ガス供給ノズル６０が、リフターＬＨによって処理
槽２０から引き上げられつつあるウエハＷに対して、側
方から窒素ガス供給ノズル６０によって窒素ガスを供給
している（ステップＳ１７からステップＳ１９）ので、
ウエハＷの表面が純水から離脱するのと同時にその離脱
したウエハＷの領域に窒素ガスが吹き付けられる。この
ため、ウエハＷの主面の水分は外気にほとんど曝される
ことはないので、ウエハＷのウォーターマークの発生を
より効果的に抑制することができる。

【００５８】以上本発明に係る基板処理装置及び基板処
理方法の実施の形態について説明したが、本発明はこれ
に限定されものではない。上述した実施の形態において
は、処理液の生成については、開閉弁の開閉制御によ
り、処理液生成部７で各液体を混合させて処理液の生成
を行っているが、フッ素系不活性液体にフッ酸のベーパ
ーをバブリングさせて処理液を生成してもよい。

【００５９】また、上述した実施の形態では、フッ素系
不活性液体として、エチルパーフルオロブチルエーテル
（Ｃ_４Ｆ_９−Ｏ−Ｃ_２Ｈ_５）を用いてきたが、フッ素系
不活性液体はこれに限定されるものではない。化１のよ
うな構造を有するものであれば、メチルパーフルオロイ
ソブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテ
ル、プロピルパーフルオロブチルエーテル、プロピルパ
ーフルオソイソブチルエーテル、メチルパーフルオロプ
ロピルエーテル、メチルパーフルオロイソプロピルエー
テル、エチルパーフルオロプロピルエーテル、エチルパ
ーフルオロイソプロピルエーテル、メチルパーフルオロ
ペンチルエーテル、または、エチルパーフルオロペンチ
ルエーテルであってもよい。

【００６０】さらに、上述した実施の形態では、複数の
ウエハＷを一括して処理するバッチ式の装置であった
が、これをウエハＷ１枚ずつ処理するいわゆる枚葉の装
置に対しても、本発明に係る基板処理装置及び基板処理
方法を適用することができる。

【００６１】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る基板処理装置及び基板処理方法によれば、処理液供
給手段によってフッ素系不活性液体、有機溶媒及びフッ
酸を含む処理液を供給しているので、アスペクト比の大
きなトレンチ構造のようなデバイス構造であってもエッ
チング性能を維持できるという効果がある。

【００６２】また、発明に係る基板処理装置及び基板処
理方法によれば、処理液供給手段によってフッ素系不活
性液体、及びフッ酸を含む処理液を供給しているので、
アスペクト比の大きなトレンチ構造のようなデバイス構
造であってもエッチング性能を維持できるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図
である。

【図２】本発明に係る基板処理方法を示すフローチャー
トである。

【図３】本発明に係る基板処理方法のエッチング処理を
示すフローチャートである。

【図４】エッチング処理をしている際の基板処理装置の
状態を説明する図である。

【符号の説明】

１０処理部２０処理槽２１オーバーフロー槽２５リフターアーム２６ａ保持部２６ｂ保持部２６ｃ保持部２７供給部３０処理液供給管４０処理液生成部４１配管４２フッ素供給源４３開閉弁４４配管４５イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）供給源４６開閉弁４７配管４８フッ素系不活性液体供給源４９開閉弁５０循環路５２循環ポンプ７０制御部ＬＨリフターＷウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項1】基板に所定の処理を行う基板処理装置にお
いて、基板に処理を行うための処理部と、前記処理部にある基板にフッ素系不活性液体、有機溶媒
及びフッ酸を含む処理液を供給する処理液供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置において、前記処理部は、前記処理液供給手段から供給されたフッ
素系不活性液体、有機溶媒及びフッ酸を含む処理液を貯
溜し、処理液に基板を浸漬することによって基板の処理
を行うための処理槽と、前記処理槽へ基板を搬入するた
めの搬送手段とを備えたことを特徴とする基板処理装
置。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の基板処理
装置において、前記処理液供給手段に接続され、フッ素系不活性液体、
有機溶媒及びフッ酸を混合させて処理液を生成する処理
液生成手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装
置。
【請求項４】請求項１乃至請求項３に記載の基板処理装
置において、前記処理部で使用されたフッ素系不活性液体、有機溶媒
及びフッ酸を含む処理液を回収し、前記処理液供給手段
は、回収された処理液を循環路を介して再度前記処理部
にある基板に供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】請求項１乃至請求項４に記載の基板処理装
置において、前記有機溶媒は、イソプロピルアルコールであることを
特徴とする基板処理装置。
【請求項６】基板に所定の処理を行う基板処理装置にお
いて、基板に処理を行うための処理部と、前記処理部にある基板にフッ素系不活性液体及びフッ酸
を含む処理液を供給する処理液供給手段と、を備えたこ
とを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】請求項６に記載の基板処理装置において、前記処理部は、前記処理液供給手段から供給されたフッ
素系不活性液体及びフッ酸を含む処理液を貯溜し、処理
液に基板を浸漬することによって基板の処理を行うため
の処理槽と、前記処理槽へ基板を搬入するための搬送手
段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】請求項６または請求項７に記載の基板処理
装置において、前記処理液供給手段に接続され、フッ素系不活性液体及
びフッ酸を混合させて処理液を生成する処理液生成手段
をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】請求項６乃至請求項８に記載の基板処理装
置において、前記処理部で使用されたフッ素系不活性液体及びフッ酸
を含む処理液を回収し、前記処理液供給手段は、回収さ
れた処理液を循環路を介して再度前記処理部にある基板
に供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】請求項１乃至請求項９に記載の基板処理
装置において、前記フッ素系不活性液体は、一般式（Ｃ_（ｎ）Ｆ_{（２ｎ＋１）}−Ｏ−Ｒ_１）（但し、Ｒ_１はアルキル基、ｎは自然数）で示されてい
ることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】請求項１乃至請求項９に記載の基板処理
装置において、前記フッ素系不活性液体は、エチルパーフルオロブチル
エーテル（Ｃ_４Ｆ_９−Ｏ−Ｃ_２Ｈ_５）であることを特徴
とする基板処理装置。
【請求項１２】基板に所定の処理を行う基板処理方法に
おいて、フッ素系不活性液体、有機溶媒及びフッ酸を含む流体に
より基板の処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】請求項１２に記載の基板処理方法におい
て、流体により基板の処理を行った後、純水による基板の洗
浄を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】請求項１３に記載の基板処理方法におい
て、純水による基板の洗浄を行った後、基板を乾燥させるこ
とを特徴とする基板処理方法。
【請求項１５】請求項１２乃至請求項１４に記載の基板
処理方法において、前記有機溶媒は、イソプロピルアルコールであることを
特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】基板に所定の処理を行う基板処理方法に
おいて、フッ素系不活性液体及びフッ酸を含む流体により基板の
処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】請求項１６に記載の基板処理方法におい
て、流体により基板の処理を行った後、純水による基板の洗
浄を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１８】請求項１７に記載の基板処理方法におい
て、純水による基板の洗浄を行った後、基板を乾燥させるこ
とを特徴とする基板処理方法。
【請求項１９】請求項１２乃至請求項１８に記載の基板
処理方法において、前記フッ素系不活性液体は、一般式（Ｃ_（ｎ）Ｆ_{（２ｎ＋１）}−Ｏ−Ｒ_１）（但し、Ｒ_１はアルキル基、ｎは自然数）で示されてい
ることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２０】請求項１２乃至請求項１８に記載の基板
処理方法において、前記フッ素系不活性液体は、エチルパーフルオロブチル
エーテル（Ｃ_４Ｆ_９−Ｏ−Ｃ_２Ｈ_５）であることを特徴
とする基板処理方法。
【請求項２１】請求項１２乃至請求項２０に記載の基板
処理方法において、流体による基板の処理は、エッチング処理であることを
特徴とする基板処理方法。