JP2001358084A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理容器の下方にローディングエリアや昇降
機構を設ける必要がなく、装置高さを低くすることがで
きると共に、構造の単純化やプロセス性能の向上が図れ
る熱処理装置を提供する。 【解決手段】 複数枚の被処理体ｗが高さ方向に所定間
隔で保持された保持具１を収容して被処理体ｗに所定の
処理を施すための処理容器３と、この処理容器３の側壁
部に設けられ前記保持具１を搬入搬出するための開口部
９と、この開口部９を気密に閉塞する開閉可能な蓋体１
０と、前記処理容器３に設けらたガス導入部４および排
気口５と、前記処理容器３の周囲および前記蓋体１０内
に設けられ処理容器３内の被処理体ｗを加熱する抵抗発
熱体からなるヒータ１５，１６とを備えている。
機構を設ける必要がなく、装置高さを低くすることがで
きると共に、構造の単純化やプロセス性能の向上が図れ
る熱処理装置を提供する。 【解決手段】 複数枚の被処理体ｗが高さ方向に所定間
隔で保持された保持具１を収容して被処理体ｗに所定の
処理を施すための処理容器３と、この処理容器３の側壁
部に設けられ前記保持具１を搬入搬出するための開口部
９と、この開口部９を気密に閉塞する開閉可能な蓋体１
０と、前記処理容器３に設けらたガス導入部４および排
気口５と、前記処理容器３の周囲および前記蓋体１０内
に設けられ処理容器３内の被処理体ｗを加熱する抵抗発
熱体からなるヒータ１５，１６とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理体例えば半導体ウエハに、酸化、拡散、ＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition）などの処理を行うために、
各種の熱処理装置が用いられている。そして、その一つ
として、一度に多数枚の被処理体の熱処理が可能な縦型
熱処理装置が知られている。この縦型熱処理装置は、上
端が閉塞され下端が炉口として開口された円筒状の処理
容器を有し、この処理容器の周囲には螺旋状等に加工さ
れた抵抗発熱体からなるヒータおよび円筒状の断熱材が
設置されている。前記処理容器の下端の開口部には、開
閉可能な蓋体が気密に閉塞されるようになっている。
理体例えば半導体ウエハに、酸化、拡散、ＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition）などの処理を行うために、
各種の熱処理装置が用いられている。そして、その一つ
として、一度に多数枚の被処理体の熱処理が可能な縦型
熱処理装置が知られている。この縦型熱処理装置は、上
端が閉塞され下端が炉口として開口された円筒状の処理
容器を有し、この処理容器の周囲には螺旋状等に加工さ
れた抵抗発熱体からなるヒータおよび円筒状の断熱材が
設置されている。前記処理容器の下端の開口部には、開
閉可能な蓋体が気密に閉塞されるようになっている。
【０００３】前記蓋体上には、多数枚例えば１５０枚程
度のウエハを高さ方向に所定ピッチ間隔で保持する保持
具（ボートともいう。）が炉口断熱手段である保温筒を
介して載置される。前記処理容器の下方には、保持具を
蓋体と共に降下させてウエハの移載を行うための作業領
域であるローディングエリアが設けられ、このローディ
ングエリアには前記蓋体を昇降させて処理容器内への保
持具の搬入搬出を行う昇降機構が設置されている。
度のウエハを高さ方向に所定ピッチ間隔で保持する保持
具（ボートともいう。）が炉口断熱手段である保温筒を
介して載置される。前記処理容器の下方には、保持具を
蓋体と共に降下させてウエハの移載を行うための作業領
域であるローディングエリアが設けられ、このローディ
ングエリアには前記蓋体を昇降させて処理容器内への保
持具の搬入搬出を行う昇降機構が設置されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記構
成の縦型熱処理装置においては、処理容器の下方から保
持具を搬入搬出する構造であるため、処理容器の下方に
ローディングエリアや昇降機構を配置するスペースを確
保する必要があり、装置の高さが高くなるという問題が
あった。ローディングエリアがロードロック仕様の場合
には、更に真空保持のための構造物により高さ方向の寸
法が必要となるため、装置の高さの制約によりウエハピ
ッチを詰めなければならず、その結果、目的の性能の膜
が得にくくなる問題があった。
成の縦型熱処理装置においては、処理容器の下方から保
持具を搬入搬出する構造であるため、処理容器の下方に
ローディングエリアや昇降機構を配置するスペースを確
保する必要があり、装置の高さが高くなるという問題が
あった。ローディングエリアがロードロック仕様の場合
には、更に真空保持のための構造物により高さ方向の寸
法が必要となるため、装置の高さの制約によりウエハピ
ッチを詰めなければならず、その結果、目的の性能の膜
が得にくくなる問題があった。
【０００５】また、前記蓋体には、処理容器の開口部と
の間を気密にシールするシール構造やこのシール構造を
高温から保護するための冷却構造の他に、前記保持具を
回転する回転機構等を設ける必要があるため、構造が複
雑になっていた。更に、保持具の上側のウエハと下側の
ウエハとでは、処理容器に搬入搬出する際に時差が生じ
るため、熱履歴が異なってしまうことが避けられなかっ
た。
の間を気密にシールするシール構造やこのシール構造を
高温から保護するための冷却構造の他に、前記保持具を
回転する回転機構等を設ける必要があるため、構造が複
雑になっていた。更に、保持具の上側のウエハと下側の
ウエハとでは、処理容器に搬入搬出する際に時差が生じ
るため、熱履歴が異なってしまうことが避けられなかっ
た。
【０００６】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、処理容器の下方にローディングエリアや昇降機構
を設ける必要がなく、装置高さを低くすることができる
と共に、構造の単純化やプロセス性能の向上が図れる熱
処理装置を提供することを目的とする。
ので、処理容器の下方にローディングエリアや昇降機構
を設ける必要がなく、装置高さを低くすることができる
と共に、構造の単純化やプロセス性能の向上が図れる熱
処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
の発明は、複数枚の被処理体が高さ方向に所定間隔で保
持された保持具を収容して被処理体に所定の処理を施す
ための処理容器と、この処理容器の側壁部に設けられ前
記保持具を搬入搬出するための開口部と、この開口部を
気密に閉塞する開閉可能な蓋体と、前記処理容器に設け
らたガス導入部および排気口と、前記処理容器の周囲お
よび前記蓋体内に設けられ処理容器内の被処理体を加熱
する抵抗発熱体からなるヒータとを備えたことを特徴と
する。
の発明は、複数枚の被処理体が高さ方向に所定間隔で保
持された保持具を収容して被処理体に所定の処理を施す
ための処理容器と、この処理容器の側壁部に設けられ前
記保持具を搬入搬出するための開口部と、この開口部を
気密に閉塞する開閉可能な蓋体と、前記処理容器に設け
らたガス導入部および排気口と、前記処理容器の周囲お
よび前記蓋体内に設けられ処理容器内の被処理体を加熱
する抵抗発熱体からなるヒータとを備えたことを特徴と
する。
【０００８】請求項２の発明は、請求項１において、前
記処理容器が、略逆円錐状に絞られた底部を有し、この
底部には前記保持具を回転する回転機構が設けられてい
ることを特徴とする。
記処理容器が、略逆円錐状に絞られた底部を有し、この
底部には前記保持具を回転する回転機構が設けられてい
ることを特徴とする。
【０００９】請求項３の発明は、請求項１または２にお
いて、前記ガス導入部が、被処理体間の隙間に処理ガス
を平行に導入すべく前記処理容器の側壁部に複数設けら
れていることを特徴とする。
いて、前記ガス導入部が、被処理体間の隙間に処理ガス
を平行に導入すべく前記処理容器の側壁部に複数設けら
れていることを特徴とする。
【００１０】請求項４の発明は、請求項１，２または３
において、前記処理容器の底部には、パーティクルを吸
い出す吸出口が設けられていることを特徴とする。
において、前記処理容器の底部には、パーティクルを吸
い出す吸出口が設けられていることを特徴とする。
【００１１】請求項５の発明は、請求項１，２または３
において、前記処理容器の頂部と底部には、略同一口径
の排気口がそれぞれ設けられていることを特徴とする。
において、前記処理容器の頂部と底部には、略同一口径
の排気口がそれぞれ設けられていることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態を
示す熱処理装置の縦断面図、図２は同熱処理装置の横断
面図である。
付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態を
示す熱処理装置の縦断面図、図２は同熱処理装置の横断
面図である。
【００１３】これらの図において、１は複数枚例えば３
０〜５０枚程度の被処理体例えば半導体ウエハｗを高さ
方向に所定間隔で保持する保持具（ボート）で、耐熱性
を有しウエハｗの汚染源にならない材料例えば石英によ
り形成されている。熱処理装置２は、前記保持具１を収
容してウエハｗに所定の処理例えばＣＶＤ処理を施すた
めの石英製の処理容器（反応管）３を備えている。
０〜５０枚程度の被処理体例えば半導体ウエハｗを高さ
方向に所定間隔で保持する保持具（ボート）で、耐熱性
を有しウエハｗの汚染源にならない材料例えば石英によ
り形成されている。熱処理装置２は、前記保持具１を収
容してウエハｗに所定の処理例えばＣＶＤ処理を施すた
めの石英製の処理容器（反応管）３を備えている。
【００１４】この処理容器３は、縦長円筒状に形成さ
れ、その頂部３ａと底部３ｃが漸次縮径して形成されて
いる。処理容器３は、前記保持具１を収容する縦型円筒
状の胴部３ｂと、略円錐状に絞られて形成された頂部３
ａと、略逆円錐状に絞られて形成された底部３ｃとを有
している。
れ、その頂部３ａと底部３ｃが漸次縮径して形成されて
いる。処理容器３は、前記保持具１を収容する縦型円筒
状の胴部３ｂと、略円錐状に絞られて形成された頂部３
ａと、略逆円錐状に絞られて形成された底部３ｃとを有
している。
【００１５】そして、処理容器３の胴部３ｂの下側部に
は、処理容器３内に処理ガスや不活性ガス例えば窒素
（Ｎ2）ガスを導入するガス導入部であるガス導入管４
が設けられている。また、処理容器３の頂部３ａには、
処理容器３内の雰囲気を排気するための排気口５が中央
部より上方へ突出して形成され、この排気口５には処理
容器内を所望の真空度に減圧排気可能な真空ポンプおよ
び圧力制御機構を備えた排気系が接続される。
は、処理容器３内に処理ガスや不活性ガス例えば窒素
（Ｎ2）ガスを導入するガス導入部であるガス導入管４
が設けられている。また、処理容器３の頂部３ａには、
処理容器３内の雰囲気を排気するための排気口５が中央
部より上方へ突出して形成され、この排気口５には処理
容器内を所望の真空度に減圧排気可能な真空ポンプおよ
び圧力制御機構を備えた排気系が接続される。
【００１６】処理容器３の底部３ｃの中央部には、前記
保持具１を回転する回転機構６が設けられている。この
回転機構６は、処理容器３内に設けられ保持具１を載置
する載置台である回転テーブル７と、処理容器３外に設
けられ図示しないモータの回転力を処理容器３内に気密
状態で導入して前記回転テーブル７に伝える回転導入部
８とから主に構成されている。回転テープル７の下面中
央部には、回転支柱７ａが下方へ突出して形成され、こ
の回転支柱７ａの下端部が前記回転導入部８の回転軸８
ａと連結されている。
保持具１を回転する回転機構６が設けられている。この
回転機構６は、処理容器３内に設けられ保持具１を載置
する載置台である回転テーブル７と、処理容器３外に設
けられ図示しないモータの回転力を処理容器３内に気密
状態で導入して前記回転テーブル７に伝える回転導入部
８とから主に構成されている。回転テープル７の下面中
央部には、回転支柱７ａが下方へ突出して形成され、こ
の回転支柱７ａの下端部が前記回転導入部８の回転軸８
ａと連結されている。
【００１７】前記処理容器３の胴部３ｂの側壁部には、
側方（横方向）から前記保持具１を搬入搬出するための
開口部９が設けられ、この開口部９にはこれを気密に閉
塞する例えば石英製の蓋体１０が開閉可能に設けられて
いる。前記開口部９は、処理容器３の胴部３ｂから外方
へ突出して形成され、その端部周縁部にはフランジ部１
１が形成されている。
側方（横方向）から前記保持具１を搬入搬出するための
開口部９が設けられ、この開口部９にはこれを気密に閉
塞する例えば石英製の蓋体１０が開閉可能に設けられて
いる。前記開口部９は、処理容器３の胴部３ｂから外方
へ突出して形成され、その端部周縁部にはフランジ部１
１が形成されている。
【００１８】前記蓋体１０は、開口部９内に緩く嵌入さ
れる嵌入部１２と、開口部９のフランジ部１１に対向し
て気密に当接されるフランジ部１３とを有している。嵌
入部１２の先端側には、処理容器３の胴部３ａと同じ曲
率の壁形成面１４ａを有する中空室１４が設けられてい
る。前記両フランジ部１１，１３には、対向面間を気密
にシールするために、例えば特開平１１−９７４４７号
公報に記載されている封止装置が設けられている。
れる嵌入部１２と、開口部９のフランジ部１１に対向し
て気密に当接されるフランジ部１３とを有している。嵌
入部１２の先端側には、処理容器３の胴部３ａと同じ曲
率の壁形成面１４ａを有する中空室１４が設けられてい
る。前記両フランジ部１１，１３には、対向面間を気密
にシールするために、例えば特開平１１−９７４４７号
公報に記載されている封止装置が設けられている。
【００１９】そして、前記処理容器３の周囲および蓋体
１０の中空室１４内には、処理容器３内のウエハｗを加
熱するための抵抗発熱体からなるヒータ１５，１６が設
けられている。ヒータ１５，１６は、棒状に形成されて
おり、これらが垂直状態で処理容器３および壁形成面１
４ａの周囲を取囲むように配設されている。処理容器３
の周囲に配設されるヒータ１５は、処理容器３の胴部３
ｂの周囲を加熱するセンターヒータ１５ａと、処理容器
３の頂部３ａおよび底部３ｃの周囲を加熱するサイドヒ
ータ１５ｂからなり、これらセンターヒータ１５ａとサ
イドヒータ１５ｂが周方向に交互に配置されていること
が好ましい。
１０の中空室１４内には、処理容器３内のウエハｗを加
熱するための抵抗発熱体からなるヒータ１５，１６が設
けられている。ヒータ１５，１６は、棒状に形成されて
おり、これらが垂直状態で処理容器３および壁形成面１
４ａの周囲を取囲むように配設されている。処理容器３
の周囲に配設されるヒータ１５は、処理容器３の胴部３
ｂの周囲を加熱するセンターヒータ１５ａと、処理容器
３の頂部３ａおよび底部３ｃの周囲を加熱するサイドヒ
ータ１５ｂからなり、これらセンターヒータ１５ａとサ
イドヒータ１５ｂが周方向に交互に配置されていること
が好ましい。
【００２０】また、処理容器３の頂部３ａおよび底部３
ｃに対向させて面状の抵抗発熱体からなるトップヒータ
１７とボトムヒータ１８がそれぞれ配設されていること
が好ましい。これらのヒータ１５〜１８により処理容器
３内の保持具１に保持された複数枚のウエハｗを面内均
一および面間均一に昇温させて熱処理することができる
ようになっている。
ｃに対向させて面状の抵抗発熱体からなるトップヒータ
１７とボトムヒータ１８がそれぞれ配設されていること
が好ましい。これらのヒータ１５〜１８により処理容器
３内の保持具１に保持された複数枚のウエハｗを面内均
一および面間均一に昇温させて熱処理することができる
ようになっている。
【００２１】そして、処理容器３の周囲には、ヒータ１
５，１７，１８の外側を覆うように水冷構造の覆い体１
９が設けられ、蓋体１０の中空室１４の外側にも水冷構
造の覆い体２０が設けられている。処理容器３の覆い体
１９は、開口部９を除いた胴部３ｂ、頂部３ａおよび底
部３ｃを覆うハウジング状に形成されており、この覆い
体１９内にヒータ１５，１６，１８が取付けられてい
る。蓋体１０の覆い体２０は、板状に形成されている。
前記処理容器３の側方には、開口部９を通して処理容器
３内と連通するロードロック室が設けられ、このロード
ロック室には前記蓋体１０の開閉機構や前記保持具１の
搬送機構等が設けられている（図示省略）。
５，１７，１８の外側を覆うように水冷構造の覆い体１
９が設けられ、蓋体１０の中空室１４の外側にも水冷構
造の覆い体２０が設けられている。処理容器３の覆い体
１９は、開口部９を除いた胴部３ｂ、頂部３ａおよび底
部３ｃを覆うハウジング状に形成されており、この覆い
体１９内にヒータ１５，１６，１８が取付けられてい
る。蓋体１０の覆い体２０は、板状に形成されている。
前記処理容器３の側方には、開口部９を通して処理容器
３内と連通するロードロック室が設けられ、このロード
ロック室には前記蓋体１０の開閉機構や前記保持具１の
搬送機構等が設けられている（図示省略）。
【００２２】以上の構成からなる熱処理装置の作用を述
べる。先ず、ウエハｗの移載が終了した保持具１は側方
のロードロック室から搬送機構により開口部９を通って
処理容器３内に搬入され、回転テーブル７上に載置され
る。次に、処理容器３の開口部９には、開閉機構によっ
て蓋体１０が取付けられて密閉される。そして、処理容
器３内を、排気口５からの減圧排気により所定の圧力な
いし真空度に制御すると共にヒータ１５〜１８により所
定の処理温度に制御し、回転テーブル７により保持具１
を回転させながらガス導入管４より処理ガスを導入して
ウエハｗに所定の熱処理例えばＣＶＤ処理を開始する。
べる。先ず、ウエハｗの移載が終了した保持具１は側方
のロードロック室から搬送機構により開口部９を通って
処理容器３内に搬入され、回転テーブル７上に載置され
る。次に、処理容器３の開口部９には、開閉機構によっ
て蓋体１０が取付けられて密閉される。そして、処理容
器３内を、排気口５からの減圧排気により所定の圧力な
いし真空度に制御すると共にヒータ１５〜１８により所
定の処理温度に制御し、回転テーブル７により保持具１
を回転させながらガス導入管４より処理ガスを導入して
ウエハｗに所定の熱処理例えばＣＶＤ処理を開始する。
【００２３】所定の熱処理が終了したなら、先ず、ヒー
タ１５〜１８の電源を切り、処理ガスの導入を停止し不
活性ガスの導入により処理容器３内をパージする。次
に、回転テーブル７の回転を停止し、開口部９から蓋体
１０を取外して、保持具１を処理容器３内からロードロ
ック室に搬出すればよい。
タ１５〜１８の電源を切り、処理ガスの導入を停止し不
活性ガスの導入により処理容器３内をパージする。次
に、回転テーブル７の回転を停止し、開口部９から蓋体
１０を取外して、保持具１を処理容器３内からロードロ
ック室に搬出すればよい。
【００２４】このように前記熱処理装置２によれば、複
数枚のウエハｗが高さ方向に所定間隔で保持された保持
具１を収容してウエハｗに所定の処理を施すための処理
容器３と、この処理容器３の側壁部に設けられ前記保持
具１を搬入搬出するための開口部９と、この開口部９を
気密に閉塞する開閉可能な蓋体１０と、前記処理容器３
に設けらたガス導入管４および排気口５と、前記処理容
器３の周囲および前記蓋体１０内に設けられ処理容器３
内のウエハｗを加熱する抵抗発熱体からなるヒータ１
５，１６とを備え、処理容器３の側方から保持具１を搬
入搬出するように構成されているため、従来の縦型熱処
理装置と異なり処理容器３の下方にローディングエリア
や昇降機構を設ける必要がなく、装置高さを低くするこ
とができる。
数枚のウエハｗが高さ方向に所定間隔で保持された保持
具１を収容してウエハｗに所定の処理を施すための処理
容器３と、この処理容器３の側壁部に設けられ前記保持
具１を搬入搬出するための開口部９と、この開口部９を
気密に閉塞する開閉可能な蓋体１０と、前記処理容器３
に設けらたガス導入管４および排気口５と、前記処理容
器３の周囲および前記蓋体１０内に設けられ処理容器３
内のウエハｗを加熱する抵抗発熱体からなるヒータ１
５，１６とを備え、処理容器３の側方から保持具１を搬
入搬出するように構成されているため、従来の縦型熱処
理装置と異なり処理容器３の下方にローディングエリア
や昇降機構を設ける必要がなく、装置高さを低くするこ
とができる。
【００２５】また、装置高さの制約を受けないので、保
持具１におけるウエハｗのピッチを広げることができ、
プロセス性能の向上が図れる。また、縦型の処理容器３
の側壁部に開口部９を設け、側方から保持具１を搬入搬
出するため、保持具１の上側のウエハｗと下側のウエハ
ｗとで、搬入搬出時に時差が生じることがなく、熱履歴
を揃えて熱処理例えば成膜処理ができる。更に、従来の
縦型熱処理装置のように処理容器の底部に開口部や蓋体
等を設ける必要がないので、複雑な構成を単純化でき
る。
持具１におけるウエハｗのピッチを広げることができ、
プロセス性能の向上が図れる。また、縦型の処理容器３
の側壁部に開口部９を設け、側方から保持具１を搬入搬
出するため、保持具１の上側のウエハｗと下側のウエハ
ｗとで、搬入搬出時に時差が生じることがなく、熱履歴
を揃えて熱処理例えば成膜処理ができる。更に、従来の
縦型熱処理装置のように処理容器の底部に開口部や蓋体
等を設ける必要がないので、複雑な構成を単純化でき
る。
【００２６】図３は本発明の他の実施の形態を示す熱処
理装置の縦断面図である。図３の熱処理装置において、
図１の熱処理装置と同一部分は同一参照符号を付して説
明を省略し、異なる部分について説明する。図３の熱処
理装置においては、ウエハ３間の隙間に処理ガスを平行
に導入するために、処理容器３の側壁部に複数のガス導
入部（インジェクタ）５が設けられている。従って、図
３の熱処理装置によれば、図１の熱処理装置と同様の作
用効果を奏することができる他に、簡単な構造で処理ガ
スをウエハｗの表面に積極的に供給することができ、プ
ロセス性能の向上が図れる。
理装置の縦断面図である。図３の熱処理装置において、
図１の熱処理装置と同一部分は同一参照符号を付して説
明を省略し、異なる部分について説明する。図３の熱処
理装置においては、ウエハ３間の隙間に処理ガスを平行
に導入するために、処理容器３の側壁部に複数のガス導
入部（インジェクタ）５が設けられている。従って、図
３の熱処理装置によれば、図１の熱処理装置と同様の作
用効果を奏することができる他に、簡単な構造で処理ガ
スをウエハｗの表面に積極的に供給することができ、プ
ロセス性能の向上が図れる。
【００２７】図４は本発明の他の実施の形態を示す熱処
理装置の縦断面図である。図４の熱処理装置において、
図１の熱処理装置と同一部分は同一参照符号を付して説
明を省略し、異なる部分について説明する。図４の熱処
理装置においては、処理容器３の底部にパーティクルを
吸い出す吸出口２１が設けられている。また、トップヒ
ータ１７およびボトムヒータ１８が、処理容器３の頂部
３ａおよび底部３ｃの傾斜に合せて形成されている。図
４の熱処理装置によれば、図１の熱処理装置と同様の作
用効果を奏することができる他に、処理容器３内の底部
３ｃに落下したパーティクルを吸出口２１から吸い出す
ことができ、パーティクルの飛散付着によるウエハｗの
汚染を防止することができる。
理装置の縦断面図である。図４の熱処理装置において、
図１の熱処理装置と同一部分は同一参照符号を付して説
明を省略し、異なる部分について説明する。図４の熱処
理装置においては、処理容器３の底部にパーティクルを
吸い出す吸出口２１が設けられている。また、トップヒ
ータ１７およびボトムヒータ１８が、処理容器３の頂部
３ａおよび底部３ｃの傾斜に合せて形成されている。図
４の熱処理装置によれば、図１の熱処理装置と同様の作
用効果を奏することができる他に、処理容器３内の底部
３ｃに落下したパーティクルを吸出口２１から吸い出す
ことができ、パーティクルの飛散付着によるウエハｗの
汚染を防止することができる。
【００２８】図５は本発明の他の実施の形態を示す熱処
理装置の縦断面図である。図５の熱処理装置において、
図１の熱処理装置と同一部分は同一参照符号を付して説
明を省略し、異なる部分について説明する。図５の熱処
理装置においては、処理容器３の頂部３ａと底部３ｃ
に、略同一口径の排気口５ａ，５ｂがそれぞれ設けられ
ている。従って、図４の熱処理装置によれば、図１の熱
処理装置と同様の作用効果を奏することができる他に、
処理容器３の頂部３ａと底部３ｃに２つの排気口５ａ，
５ｂを有することにより、排気量を多くして処理容器３
内の圧力をより下げることが可能となり、プロセス性能
の更なる向上が図れる。
理装置の縦断面図である。図５の熱処理装置において、
図１の熱処理装置と同一部分は同一参照符号を付して説
明を省略し、異なる部分について説明する。図５の熱処
理装置においては、処理容器３の頂部３ａと底部３ｃ
に、略同一口径の排気口５ａ，５ｂがそれぞれ設けられ
ている。従って、図４の熱処理装置によれば、図１の熱
処理装置と同様の作用効果を奏することができる他に、
処理容器３の頂部３ａと底部３ｃに２つの排気口５ａ，
５ｂを有することにより、排気量を多くして処理容器３
内の圧力をより下げることが可能となり、プロセス性能
の更なる向上が図れる。
【００２９】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態で
は、熱処理装置によりＣＶＤ処理を行う場合が示されて
いるが、本発明の熱処理装置は、ＣＶＤ処理に限定され
ず、例えば拡散処理、酸化処理、アニール処理等にも適
用可能である。また、被処理体としては、半導体ウエハ
以外に、例えばＬＣＤ基板やガラス基板等であってもよ
い。
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態で
は、熱処理装置によりＣＶＤ処理を行う場合が示されて
いるが、本発明の熱処理装置は、ＣＶＤ処理に限定され
ず、例えば拡散処理、酸化処理、アニール処理等にも適
用可能である。また、被処理体としては、半導体ウエハ
以外に、例えばＬＣＤ基板やガラス基板等であってもよ
い。
【００３０】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
な効果を奏することができる。
【００３１】（１）請求項１の発明によれば、複数枚の
被処理体が高さ方向に所定間隔で保持された保持具を収
容して被処理体に所定の処理を施すための処理容器と、
この処理容器の側壁部に設けられ前記保持具を搬入搬出
するための開口部と、この開口部を気密に閉塞する開閉
可能な蓋体と、前記処理容器に設けらたガス導入部およ
び排気口と、前記処理容器の周囲および前記蓋体内に設
けられ処理容器内の被処理体を加熱する抵抗発熱体から
なるヒータとを備え、処理容器の側方から保持具を搬入
搬出するように構成されているため、従来の縦型熱処理
装置と異なり処理容器の下方にローディングエリアや昇
降機構を設ける必要がなく、装置高さを低くすることが
できると共に、構造の単純化やプロセス性能の向上が図
れる。
被処理体が高さ方向に所定間隔で保持された保持具を収
容して被処理体に所定の処理を施すための処理容器と、
この処理容器の側壁部に設けられ前記保持具を搬入搬出
するための開口部と、この開口部を気密に閉塞する開閉
可能な蓋体と、前記処理容器に設けらたガス導入部およ
び排気口と、前記処理容器の周囲および前記蓋体内に設
けられ処理容器内の被処理体を加熱する抵抗発熱体から
なるヒータとを備え、処理容器の側方から保持具を搬入
搬出するように構成されているため、従来の縦型熱処理
装置と異なり処理容器の下方にローディングエリアや昇
降機構を設ける必要がなく、装置高さを低くすることが
できると共に、構造の単純化やプロセス性能の向上が図
れる。
【００３２】（２）請求項２の発明によれば、前記処理
容器が、略逆円錐状に絞られた底部を有し、この底部に
は前記保持具を回転する回転機構が設けられているた
め、処理容器の下部の構造を単純にできると共に、保持
具を回転させることで被処理体の面内均一な処理が可能
となる。
容器が、略逆円錐状に絞られた底部を有し、この底部に
は前記保持具を回転する回転機構が設けられているた
め、処理容器の下部の構造を単純にできると共に、保持
具を回転させることで被処理体の面内均一な処理が可能
となる。
【００３３】（３）請求項３の発明によれば、前記ガス
導入部が、被処理体間の隙間に処理ガスを平行に導入す
べく前記処理容器の側壁部に複数設けられているため、
簡単な構造で処理ガスを被処理体の表面に積極的に供給
することができ、プロセス性能の向上が図れる。
導入部が、被処理体間の隙間に処理ガスを平行に導入す
べく前記処理容器の側壁部に複数設けられているため、
簡単な構造で処理ガスを被処理体の表面に積極的に供給
することができ、プロセス性能の向上が図れる。
【００３４】（４）請求項４の発明によれば、前記処理
容器の底部には、パーティクルを吸い出す吸出口が設け
られているため、パーティクルの飛散付着による被処理
体の汚染を防止することができる。
容器の底部には、パーティクルを吸い出す吸出口が設け
られているため、パーティクルの飛散付着による被処理
体の汚染を防止することができる。
【００３５】（５）請求項５の発明によれば前記処理容
器の頂部と底部には、略同一口径の排気口がそれぞれ設
けられているため、排気量を多くして処理容器内の圧力
をより下げることが可能となり、プロセス性能の更なる
向上が図れる。
器の頂部と底部には、略同一口径の排気口がそれぞれ設
けられているため、排気量を多くして処理容器内の圧力
をより下げることが可能となり、プロセス性能の更なる
向上が図れる。
【図１】本発明の実施の形態を示す熱処理装置の縦断面
図である。
図である。
【図２】同熱処理装置の横断面図である。
【図３】本発明の他の実施の形態を示す熱処理装置の縦
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態を示す熱処理装置の縦
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態を示す熱処理装置の縦
断面図である。
断面図である。
【符号の説明】 ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 保持具 ２ 熱処理装置 ３ 処理容器 ３ａ 頂部 ３ｃ 底部 ４ ガス導入管（ガス導入部） ５ 排気口 ５ａ，５ｂ 排気口 ６ 回転機構 ９ 開口部 １０ 蓋体 １５，１６ ヒータ ２１ 吸出口
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ２７Ｂ 5/16 Ｆ２７Ｂ 5/16 Ｆ２７Ｄ 3/00 Ｆ２７Ｄ 3/00 Ｚ 7/02 7/02 Ａ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｆターム(参考） 4K055 AA06 BA03 4K061 AA01 BA11 CA05 DA05 EA10 FA07 4K063 AA05 AA12 AA15 BA12 CA03 CA04 DA13 DA22 5F045 BB15 DP04 DP05 DP19 DQ04 EC01 EF02 EF08 EF20 EK06 EK22 EM10 EN05
Claims (5)
- 【請求項１】 複数枚の被処理体が高さ方向に所定間隔
で保持された保持具を収容して被処理体に所定の処理を
施すための処理容器と、この処理容器の側壁部に設けら
れ前記保持具を搬入搬出するための開口部と、この開口
部を気密に閉塞する開閉可能な蓋体と、前記処理容器に
設けらたガス導入部および排気口と、前記処理容器の周
囲および前記蓋体内に設けられ処理容器内の被処理体を
加熱する抵抗発熱体からなるヒータとを備えたことを特
徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 前記処理容器が、略逆円錐状に絞られた
底部を有し、この底部には前記保持具を回転する回転機
構が設けられていることを特徴とする請求項１記載の熱
処理装置。 - 【請求項３】 前記ガス導入部が、被処理体間の隙間に
処理ガスを平行に導入すべく前記処理容器の側壁部に複
数設けられていることを特徴とする請求項１または２記
載の熱処理装置。 - 【請求項４】 前記処理容器の底部には、パーティクル
を吸い出す吸出口が設けられていることを特徴とする請
求項１，２または３記載の熱処理装置。 - 【請求項５】 前記処理容器の頂部と底部には、略同一
口径の排気口がそれぞれ設けられていることを特徴とす
る請求項１，２または３記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000178742A JP2001358084A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000178742A JP2001358084A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358084A true JP2001358084A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18680127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000178742A Pending JP2001358084A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001358084A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004327528A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体処理装置 |
| JP2006298669A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Daiichi Kiden:Kk | 結晶シリコン製造装置 |
| JP2008107050A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Iwasaki Electric Co Ltd | 高温加熱炉 |
| JP2008172204A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-07-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および加熱装置 |
| JP2009263175A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Bridgestone Corp | 焼成炉及び炭化珪素粉体の製造方法 |
| JP2012099864A (ja) * | 2006-12-12 | 2012-05-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応管 |
| JP2019036610A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハボート支持部、熱処理装置及び熱処理装置のクリーニング方法 |
-
2000
- 2000-06-14 JP JP2000178742A patent/JP2001358084A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004327528A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体処理装置 |
| JP2006298669A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Daiichi Kiden:Kk | 結晶シリコン製造装置 |
| JP2008107050A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Iwasaki Electric Co Ltd | 高温加熱炉 |
| JP2008172204A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-07-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および加熱装置 |
| JP2012099864A (ja) * | 2006-12-12 | 2012-05-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応管 |
| JP2009263175A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Bridgestone Corp | 焼成炉及び炭化珪素粉体の製造方法 |
| JP2019036610A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハボート支持部、熱処理装置及び熱処理装置のクリーニング方法 |
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