JP2001351910A - Substrate processing equipment - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １つの装置で薄膜から厚膜まで対応すること
ができるようにする。
【解決手段】 反応室１外に設置した水蒸気発生手段か
ら反応室１内に水蒸気を導入することにより、反応室１
内の基板に対して酸化処理を施す酸化処理装置におい
て、前記水蒸気発生手段として、水素ガスと酸素ガスと
を燃焼反応させて水蒸気を発生させる第１の水蒸気発生
装置としての外部燃焼装置１１と、水素ガスと酸素ガス
とを燃焼反応させないで水蒸気を発生させる第２の水蒸
気発生装置としての水分発生装置を設け、外部燃焼装置
１１に水素ガス及び酸素ガスを供給するガス供給システ
ム１５と、水分発生装置１２に水素ガス及び酸素ガスを
供給するガス供給システム１５とを共通化して１台のみ
装備した。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To enable a single device to handle from a thin film to a thick film. SOLUTION: Steam is introduced into the reaction chamber 1 from steam generation means installed outside the reaction chamber 1 so that the reaction chamber 1
In an oxidation treatment apparatus for performing oxidation treatment on a substrate inside, an external combustion device 11 as a first steam generation device for generating a steam by causing a combustion reaction between a hydrogen gas and an oxygen gas as the steam generation means, A gas supply system 15 for supplying hydrogen gas and oxygen gas to the external combustion device 11 by providing a moisture generator as a second steam generator for generating steam without causing a combustion reaction between hydrogen gas and oxygen gas; Only one gas supply system 15 for supplying hydrogen gas and oxygen gas to the apparatus 12 was provided in common.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ等の
基板の表面に酸化膜を形成するための基板処理装置に関
する。The present invention relates to a substrate processing apparatus for forming an oxide film on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造において
は、半導体ウェハの表面に酸化膜を形成する酸化処理工
程がある。この酸化処理の一方法として、酸化処理炉内
において半導体ウェハを高温下で水蒸気と接触させて酸
化膜を形成する方式がある。この水蒸気を利用した酸化
処理装置としては、酸化処理炉内に水素ガスと酸素ガス
を直接供給して、該酸化処理炉内で水素ガスと酸素ガス
とを燃焼反応させて水蒸気を発生させる方式が知られて
いる。2. Description of the Related Art For example, in the manufacture of semiconductor devices, there is an oxidation treatment step for forming an oxide film on the surface of a semiconductor wafer. As one method of the oxidation treatment, there is a method of forming an oxide film by bringing a semiconductor wafer into contact with water vapor at a high temperature in an oxidation treatment furnace. As an oxidation treatment apparatus using this steam, a method of directly supplying hydrogen gas and oxygen gas into an oxidation treatment furnace and causing a combustion reaction between the hydrogen gas and oxygen gas in the oxidation treatment furnace to generate steam is used. Are known.
【０００３】しかしながら、この酸化処理炉内において
水素ガスと酸素ガスを燃焼させる方式においては、水素
ガスと酸素ガスの燃焼度合によって酸化処理炉内の温度
が大きく左右されるので、半導体ウェハの酸化処理温度
を十分に制御することが困難であることから、半導体ウ
ェハに対する酸化処理の信頼性・安全性及び再現性が低
い。However, in the method of burning hydrogen gas and oxygen gas in the oxidation furnace, the temperature in the oxidation furnace is greatly affected by the degree of combustion of the hydrogen gas and oxygen gas. Since it is difficult to sufficiently control the temperature, the reliability, safety and reproducibility of the oxidation treatment on the semiconductor wafer are low.
【０００４】そこで、最近では酸化処理炉の外部に水蒸
気発生装置としての外部燃焼装置を独立して設け、この
外部燃焼装置に水素ガスと酸素ガスを供給して燃焼反応
させることにより水蒸気を発生させ、この水蒸気を配管
を通して酸化処理炉に供給することにより、酸化処理炉
内で基板に酸化膜を形成する方式が注目されてきてい
る。この外部燃焼方式によれば、酸化処理炉における加
熱状態を、水蒸気発生装置としての外部燃焼装置の動作
状態と分離して制御することができるので、酸化処理炉
での半導体ウェハに対する酸化処理が高い信頼性と安全
性及び再現性を持って実施できるようになる。Therefore, recently, an external combustion device as a steam generator is provided independently outside the oxidation treatment furnace, and hydrogen gas and oxygen gas are supplied to the external combustion device to cause a combustion reaction to generate steam. Attention has been paid to a method of forming an oxide film on a substrate in an oxidation treatment furnace by supplying the water vapor to the oxidation treatment furnace through a pipe. According to this external combustion method, the heating state in the oxidation processing furnace can be controlled separately from the operation state of the external combustion apparatus as the steam generator, so that the oxidation processing on the semiconductor wafer in the oxidation processing furnace is high. It can be implemented with reliability, safety and reproducibility.
【０００５】この外部燃焼方式は、外部燃焼装置におい
て大量（２リットル／分以上）の水蒸気を発生させるこ
とができることから、厚い酸化膜を形成する場合に広く
採用されている。The external combustion system is widely used for forming a thick oxide film because a large amount (2 liters / minute or more) of steam can be generated in the external combustion device.
【０００６】また、薄い酸化膜を形成する場合には、少
量（２リットル／分以下）の水分を発生させる必要があ
ることから、燃焼反応によらずに、白金などの触媒反応
により水素ガスと酸素ガスを、燃焼温度よりも低い温度
で反応させて水蒸気を発生させる方式も知られている。Further, when forming a thin oxide film, it is necessary to generate a small amount of water (2 liters / minute or less). There is also known a method in which oxygen gas is reacted at a temperature lower than the combustion temperature to generate steam.
【０００７】図２は、従来の厚い酸化膜を形成するのに
適した酸化処理装置（基板処理装置）の概略構成を示し
ている。１は炉体、２は炉体１に装備された反応室、３
は反応室２の上端に設けられたガス吹出口、４はガス供
給路、５Ａはガス供給路４に水蒸気を送り込む水蒸気配
管、６は排気管である。FIG. 2 shows a schematic configuration of a conventional oxidation processing apparatus (substrate processing apparatus) suitable for forming a thick oxide film. 1 is a furnace body, 2 is a reaction chamber equipped in the furnace body 1, 3
Is a gas outlet provided at the upper end of the reaction chamber 2, 4 is a gas supply path, 5A is a steam pipe for feeding steam to the gas supply path 4, and 6 is an exhaust pipe.
【０００８】炉体１の外部には、水蒸気発生装置（水蒸
気発生手段）として、水素ガスと酸素ガスの燃焼反応に
より水蒸気を発生する外部燃焼装置１１が設置されてお
り、この外部燃焼装置１１にはガス供給システム（ガス
供給源）１５から水素ガスと酸素ガスとが供給されるよ
うになっている。なお、ガス供給システム１５には、水
素ガス及び酸素ガスの他に窒息ガスも導入されている。An external combustion device 11 that generates steam by a combustion reaction between hydrogen gas and oxygen gas is installed outside the furnace body 1 as a steam generation device (steam generation means). The hydrogen gas and the oxygen gas are supplied from a gas supply system (gas supply source) 15. In addition, asphyxiation gas is introduced into the gas supply system 15 in addition to hydrogen gas and oxygen gas.
【０００９】この酸化処理装置では、ガス供給システム
１５から水素ガスと酸素ガスとを外部燃焼装置１１に供
給することで、外部燃焼装置１１にて燃焼反応により水
蒸気を発生させ、その水蒸気を水蒸気配管５Ａで反応室
２内に導入することにより、反応室２内に装入した基板
の表面に厚い酸化膜を形成する。In this oxidation treatment device, hydrogen gas and oxygen gas are supplied from a gas supply system 15 to an external combustion device 11 to generate steam by a combustion reaction in the external combustion device 11, and the steam is supplied to a steam pipe. By introducing into the reaction chamber 2 at 5A, a thick oxide film is formed on the surface of the substrate loaded in the reaction chamber 2.
【００１０】また、図３（ａ）は、従来の薄い酸化膜を
形成するのに適した酸化処理装置（基板処理装置）の概
略構成を示している。この酸化処理装置では、水蒸気発
生手段として、外部燃焼装置に替えて、水素ガスと酸素
ガスとを燃焼反応させないで水蒸気を発生する水分発生
装置１２を備えている。他は、図２のものと同じであ
る。FIG. 3A shows a schematic configuration of a conventional oxidation processing apparatus (substrate processing apparatus) suitable for forming a thin oxide film. In this oxidation treatment apparatus, a moisture generator 12 that generates steam without causing a combustion reaction between hydrogen gas and oxygen gas is provided in place of the external combustion device as the steam generation means. Others are the same as those of FIG.
【００１１】水分発生装置１２は、図３（ｂ）に示すよ
うに、水分発生反応炉１２ａと、水素ガスセンサ１２ｂ
と、フィルタ１２ｃとを直列につないだもので、水分発
生反応炉１２ａ内に水素ガスと酸素ガスを供給して白金
の触媒作用により反応性を高めたラジカルを生成し、水
素混合ガスの発火温度よりも低い温度下で瞬時に反応さ
せて、高温燃焼することなしに水分を生成するものであ
る。水素ガスセンサ１２ｂは、水分発生反応炉１２ａか
ら出てきたガスの水素濃度を検知して、異常を知らせる
機能を果たす。As shown in FIG. 3 (b), the water generating device 12 includes a water generating reaction furnace 12a and a hydrogen gas sensor 12b.
And a filter 12c connected in series. Hydrogen gas and oxygen gas are supplied into the moisture generation reaction furnace 12a to generate radicals having enhanced reactivity by the catalytic action of platinum, and the ignition temperature of the hydrogen mixed gas is increased. It reacts instantaneously at a lower temperature to generate moisture without burning at high temperatures. The hydrogen gas sensor 12b has a function of detecting the hydrogen concentration of the gas discharged from the moisture generation reaction furnace 12a and reporting an abnormality.
【００１２】この酸化処理装置では、水分発生装置１２
で生成した水蒸気を水蒸気配管５Ｂで反応室２内に導入
することにより、反応室２内に装入した基板の表面に薄
い酸化膜を形成する。In this oxidation treatment apparatus, the moisture generator 12
Is introduced into the reaction chamber 2 through the steam pipe 5B to form a thin oxide film on the surface of the substrate loaded in the reaction chamber 2.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２、図３
に示した従来の酸化処理装置は、水分を発生させる手段
を１系統しか持たなかったため、図２の外部燃焼装置１
１しか持たない酸化処理装置の場合は厚膜にしか対応で
きず、図３の水分発生装置１２しか持たない酸化処理装
置の場合は薄膜にしか対応できなかった。従って、薄膜
から厚膜までを研究対象とするような用途の場合には、
二種類の酸化処理装置を用意しなくてはならず、二重装
備になる欠点があった。また、水素ガスや酸素ガスを供
給するガス供給システムについても、それぞれ別に装備
する関係上、大きな無駄が生じることになっていた。FIGS. 2 and 3 show an embodiment of the present invention.
Since the conventional oxidation treatment apparatus shown in FIG. 1 has only one system for generating moisture, the external combustion apparatus 1 shown in FIG.
In the case of the oxidation processing apparatus having only one, only the thick film can be handled, and in the case of the oxidation processing apparatus having only the moisture generating apparatus 12 in FIG. Therefore, in the case of applications where the research target is from thin film to thick film,
There was a drawback that two types of oxidation treatment equipment had to be prepared, and the equipment became double equipment. In addition, a gas supply system for supplying hydrogen gas and oxygen gas is also provided with separate components, so that large waste is caused.
【００１４】本発明は、上記事情を考慮し、１つの装置
で、薄膜から厚膜までに対応することのできる基板処理
装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a substrate processing apparatus that can handle from a thin film to a thick film with one apparatus.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、反応
室外に設置した水蒸気発生手段から反応室内に水蒸気を
導入することにより、反応室内の基板に対して酸化処理
を施す基板処理装置において、前記水蒸気発生手段とし
て、水素ガスと酸素ガスとを燃焼反応させて水蒸気を発
生する第１の水蒸気発生装置と、水素ガスと酸素ガスと
を燃焼反応させないで水蒸気を発生する第２の水蒸気発
生装置とを設け、前記第１の水蒸気発生手段に水素ガス
及び酸素ガスを供給するガス供給源と、前記第２の水蒸
気発生手段に水素ガス及び酸素ガスを供給するガス供給
源とを共通化したことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for oxidizing a substrate in a reaction chamber by introducing steam into the reaction chamber from steam generation means provided outside the reaction chamber. A first steam generator for generating a steam by burning and reacting a hydrogen gas and an oxygen gas as the steam generating means, and a second steam generating device for generating a steam without causing a combustion reaction between the hydrogen gas and the oxygen gas A gas supply source for supplying hydrogen gas and oxygen gas to the first steam generation means and a gas supply source for supplying hydrogen gas and oxygen gas to the second steam generation means. It is characterized by the following.
【００１６】この発明では、反応室内に水蒸気を導入す
る手段として、燃焼反応により水蒸気を発生する第１の
水蒸気発生装置と、燃焼反応によらずに水蒸気を発生す
る第２の水蒸気発生手段とを設けているので、大量の水
蒸気を反応室内に導入して厚膜を形成する場合と、少量
の水蒸気を反応室内に導入して薄膜を形成する場合の両
方に対応することができる。しかも、第１、第２の水蒸
気発生装置に水素ガス及び酸素ガスを供給するガス供給
源を共通としたので、過剰な装備を省くことができて、
コストダウンに貢献することができる。According to the present invention, as means for introducing steam into the reaction chamber, a first steam generator for generating steam by a combustion reaction and a second steam generator for generating steam without a combustion reaction are used. Since it is provided, it is possible to cope with both the case where a large amount of water vapor is introduced into the reaction chamber to form a thick film and the case where a small amount of water vapor is introduced into the reaction chamber to form a thin film. In addition, since a common gas supply source is used for supplying hydrogen gas and oxygen gas to the first and second steam generators, excessive equipment can be omitted,
It can contribute to cost reduction.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は本発明の実施形態の酸化処理
装置（基板処理装置）の概略構成図で、１は炉体、２は
反応室、３はガス吹出口、４はガス供給路、５Ａ、５Ｂ
は水蒸気配管、６は排気管である。これらは図２、図３
の装置と同様のものである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an oxidation treatment apparatus (substrate treatment apparatus) according to an embodiment of the present invention. 1 is a furnace body, 2 is a reaction chamber, 3 is a gas outlet, 4 is a gas supply path, 5A, 5B.
Denotes a steam pipe, and 6 denotes an exhaust pipe. These are shown in FIGS.
It is similar to the device of the above.
【００１８】異なるのは、この酸化処理装置が、反応室
２外に、第１の水蒸気発生装置としての外部燃焼装置１
１と、第２の水蒸気発生装置としての水分発生装置１２
の両方を装備しており、しかも、外部燃焼装置１１に水
素ガス及び酸素ガスを供給するガス供給源と、水分発生
装置１２に水素ガス及び酸素ガスを供給するガス供給源
とを共通化し、１個のガス供給システム１５として統一
している点である。The difference is that this oxidation treatment device is provided outside the reaction chamber 2 with an external combustion device 1 as a first steam generator.
1 and a water generator 12 as a second water vapor generator
In addition, the gas supply source for supplying hydrogen gas and oxygen gas to the external combustion device 11 and the gas supply source for supplying hydrogen gas and oxygen gas to the moisture generation device 12 are shared, and The point is that the gas supply system 15 is unified.
【００１９】なお、１３は外部燃焼装置１１及び水分発
生装置１２に水素ガスを供給する配管、１４は外部燃焼
装置１１及び水分発生装置１２に酸素ガスを供給する配
管である。また、１６は排気管６の途中に窒素ガスを導
入するための配管である。Reference numeral 13 denotes a pipe for supplying hydrogen gas to the external combustion device 11 and the moisture generator 12, and reference numeral 14 denotes a pipe for supplying oxygen gas to the external combustion device 11 and the moisture generator 12. Reference numeral 16 denotes a pipe for introducing nitrogen gas into the exhaust pipe 6.
【００２０】この酸化処理装置では、基板表面に厚膜を
形成する場合には、外部燃焼装置１１に水素ガス及び酸
素ガスを供給して燃焼反応により多量の水蒸気を発生さ
せ、その水蒸気を反応室２内に導入することで、反応室
２内に装入した基板の表面に酸化膜を形成する。In this oxidation treatment apparatus, when a thick film is formed on the substrate surface, hydrogen gas and oxygen gas are supplied to the external combustion device 11 to generate a large amount of steam by a combustion reaction, and the steam is supplied to the reaction chamber. 2, an oxide film is formed on the surface of the substrate loaded in the reaction chamber 2.
【００２１】また、基板表面に薄膜を形成する場合に
は、水分発生装置１２に水素ガス及び酸素ガスを供給し
て、燃焼温度以下において触媒作用により多量の水蒸気
を発生させ、その水蒸気を反応室２内に導入すること
で、反応室２内に装入した基板の表面に酸化膜を形成す
る。When a thin film is formed on the substrate surface, hydrogen gas and oxygen gas are supplied to the moisture generator 12 to generate a large amount of water vapor by a catalytic action at a combustion temperature or lower, and the water vapor is supplied to the reaction chamber. 2, an oxide film is formed on the surface of the substrate loaded in the reaction chamber 2.
【００２２】従って、上記のように、外部燃焼装置１１
と水分発生装置１２とを使い分けることにより、薄膜か
ら厚膜までを１台の装置で形成することができる。Therefore, as described above, the external combustion device 11
By selectively using the water generator 12 and the water generator 12, it is possible to form from a thin film to a thick film with a single device.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反応室外に、水素ガスと酸素ガスの燃焼反応により水蒸
気を発生する外部燃焼装置と、燃焼反応によらずに水蒸
気を発生する水分発生装置の両方を装備したので、薄膜
から厚膜までを１台の装置で形成することができ、装備
の二重化を防止して、設備コストの低減を図ることがで
きる。従って、薄膜から厚膜までを形成する必要のある
研究用の装置として最適である。また、高価なガス供給
源を１つに統一しているから、無駄がなくなり、コスト
の低減が図れる。As described above, according to the present invention,
Outside the reaction chamber, an external combustion device that generates water vapor by the combustion reaction of hydrogen gas and oxygen gas, and a moisture generation device that generates water vapor without the combustion reaction are equipped. This can prevent the equipment from being duplicated and reduce the equipment cost. Therefore, it is most suitable as a research device that needs to form a thin film to a thick film. In addition, since the expensive gas supply source is unified into one, waste can be eliminated and cost can be reduced.
【図１】本発明の実施形態の基板処理装置の概略構成図
である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来の基板処理装置の第１の例を示す概略構成
図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram illustrating a first example of a conventional substrate processing apparatus.
【図３】従来の基板処理装置の第２の例を示す概略構成
図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating a second example of a conventional substrate processing apparatus.
２ 反応室 １１ 外部燃焼装置（第１の水蒸気発生装置） １２ 水分発生装置（第２の水蒸気発生装置） １５ ガス供給システム（ガス供給源） 2 Reaction chamber 11 External combustion device (first steam generator) 12 Moisture generator (second steam generator) 15 Gas supply system (gas supply source)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羽田 幸人 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 渡辺 誠治 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 AA20 AB32 AC11 AF03 BB08 DP19 EE02 5F058 BA06 BA20 BC02 BF52 BF63 BJ01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Yukito Haneda 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric Inc. (72) Inventor Seiji Watanabe 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric Incorporated F term (reference) 5F045 AA20 AB32 AC11 AF03 BB08 DP19 EE02 5F058 BA06 BA20 BC02 BF52 BF63 BJ01
Claims (1)
反応室内に水蒸気を導入することにより、反応室内の基
板に対して酸化処理を施す基板処理装置において、 前記水蒸気発生手段として、水素ガスと酸素ガスとを燃
焼反応させて水蒸気を発生する第１の水蒸気発生装置
と、水素ガスと酸素ガスとを燃焼反応させないで水蒸気
を発生する第２の水蒸気発生装置とを設け、 前記第１の水蒸気発生手段に水素ガス及び酸素ガスを供
給するガス供給源と、前記第２の水蒸気発生手段に水素
ガス及び酸素ガスを供給するガス供給源とを共通化した
ことを特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for oxidizing a substrate in a reaction chamber by introducing water vapor into a reaction chamber from a water vapor generation means provided outside the reaction chamber, wherein the water vapor generation means includes hydrogen gas and oxygen gas. A first steam generator that generates a steam by causing a combustion reaction of a gas and a second steam generator that generates a steam without causing a combustion reaction between a hydrogen gas and an oxygen gas; A substrate processing apparatus, wherein a gas supply source for supplying hydrogen gas and oxygen gas to the means and a gas supply source for supplying hydrogen gas and oxygen gas to the second steam generating means are shared.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007129240A (en) * | 1997-03-05 | 2007-05-24 | Renesas Technology Corp | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device |
| KR101039163B1 (en) | 2005-11-15 | 2011-06-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Semiconductor Processing System and Vaporizer |
| KR20230135517A (en) | 2022-03-16 | 2023-09-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
-
2000
- 2000-06-06 JP JP2000168425A patent/JP2001351910A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007129240A (en) * | 1997-03-05 | 2007-05-24 | Renesas Technology Corp | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device |
| KR101039163B1 (en) | 2005-11-15 | 2011-06-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Semiconductor Processing System and Vaporizer |
| KR20230135517A (en) | 2022-03-16 | 2023-09-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
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