[go: up one dir, main page]

JP2001351999A - Package forming method and apparatus - Google Patents

Package forming method and apparatus

Info

Publication number
JP2001351999A
JP2001351999A JP2000173550A JP2000173550A JP2001351999A JP 2001351999 A JP2001351999 A JP 2001351999A JP 2000173550 A JP2000173550 A JP 2000173550A JP 2000173550 A JP2000173550 A JP 2000173550A JP 2001351999 A JP2001351999 A JP 2001351999A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
package
chamber
lid
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000173550A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Aoki
康次 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2000173550A priority Critical patent/JP2001351999A/en
Publication of JP2001351999A publication Critical patent/JP2001351999A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a package, capable of making a device used for forming a package compact and forming a package highly hermetic sealed, and a device therefor. SOLUTION: A box 22 and an upper cover 24 are disposed in a bonding chamber 26. The bonding chamber 26 is partitioned into two chambers, by a removable separating wall 28, and the upper cover 24 and the box 22 are disposed in separate chambers. The box 22 is held in an inert gas atmosphere, and the upper cover 24 is fluorinated. The upper cover 24 and the box 22 are bonded to teach other in an inert gas to form a package.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージ形成方
法及び装置に係り、特に水晶振動子などを有した電子デ
バイスのパッケージを形成するパッケージ形成方法及び
装置に関する。
The present invention relates to a method and an apparatus for forming a package, and more particularly to a method and an apparatus for forming a package of an electronic device having a quartz oscillator or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、箱体と上蓋とを接合してパッケー
ジを形成する方法として、ロウ材を介してパッケージを
形成する方法がある。例えば、金と錫との合金や、銀と
錫との化合物などをロウ材とし、箱体あるいは上蓋のい
ずれかの接合面に前記ロウ材をプレコートする。そし
て、前記箱体と上蓋との接合面同士を互いに接触させて
加熱することにより、前記ロウ材を溶融させて箱体と上
蓋とを接合し、パッケージを形成することができる。あ
るいは、半田あるいはインジウムなどをロウ材として、
箱体あるいは上蓋の接合面にプレコートし、フラックス
を用いて接合時に半田やインジウムを加熱溶融すること
により、パッケージを形成することができる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of forming a package by joining a box and an upper lid, there is a method of forming a package via a brazing material. For example, an alloy of gold and tin, a compound of silver and tin, or the like is used as a brazing material, and the joining surface of either a box or an upper lid is pre-coated with the brazing material. Then, by bringing the joining surfaces of the box body and the upper lid into contact with each other and heating, the brazing material is melted, and the box body and the upper lid are joined to form a package. Or, using solder or indium as a brazing material,
A package can be formed by pre-coating the joining surface of the box or the upper lid and heating and melting solder or indium at the time of joining using a flux.

【0003】また、箱体あるいは上蓋の接合面の一方ま
たは両方に、ハロゲン化処理を行うことにより、接合材
(ロウ材)を介さずにパッケージを形成する方法があ
る。ハロゲン化処理(例えばフッ化処理)を行った接合
面同士を接触させると、接合面の活性なフッ素系ガスが
接合面内の原子結合を断ち切りつつ内部に進入する。結
合を断ち切られた接合面の原子は、接触している接合面
の原子と再結合するため、接合面同士の接合がなされて
パッケージを形成することができる。
There is also a method in which a package is formed without interposing a bonding material (a brazing material) by performing a halogenation treatment on one or both of the bonding surface of the box and the upper lid. When the bonded surfaces subjected to the halogenation treatment (for example, fluoridation treatment) are brought into contact with each other, the active fluorine-based gas on the bonded surface enters the inside while cutting off the atomic bond in the bonded surface. The atoms of the bonding surface whose bonding has been broken are recombined with the atoms of the bonding surface which are in contact with each other, so that the bonding surfaces are bonded to each other to form a package.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来において
は以下のような問題があった。
However, there have been the following problems in the prior art.

【0005】ロウ材を加熱溶融して箱体と上蓋とを接合
する場合には、ロウ材等の融点以上に加熱をする必要が
あり、パッケージを形成する装置が大掛かりになってし
まうという問題があった。
When the box body and the upper lid are joined by heating and melting the brazing material, it is necessary to heat the material to a temperature higher than the melting point of the brazing material or the like. there were.

【0006】また、特にフラックスを用いる場合では、
加熱を行うとフラックスがガス化する。このガス化した
フラックスがパッケージ内に入り込むと、パッケージ内
に封止された部材に悪影響を与える場合がある。
In particular, when using a flux,
The flux gasifies when heated. If the gasified flux enters the package, it may adversely affect the members sealed in the package.

【0007】さらに、接合面をハロゲン化処理をしてパ
ッケージを形成する方法においては、工程上の理由等に
より大気中に長時間さらされる場合がある。大気中に含
まれている水や酸素がハロゲン化処理(例えばフッ化処
理)した接合面に接触すると、接合面のフッ素と酸素が
結合してしまう。このようにフッ素が酸素と結合してし
まうと、フッ素は接合面内に進入しないため接合処理が
行えず、接合面にリークが発生する場合がある。また、
形成するパッケージ内に例えば水晶振動子などの部材を
有している場合、水晶振動子はハロゲン化処理ガスに触
れると損傷を受ける。このため、ハロゲン化処理時に水
晶振動子をハロゲン化ガスから隔離するように行う必要
があり、パッケージの形成を行うことが困難であった。
Further, in a method of forming a package by subjecting a bonding surface to a halogenation treatment, the package may be exposed to the air for a long time due to a process or the like. When water or oxygen contained in the air comes into contact with a halogenated (for example, fluorinated) bonding surface, fluorine and oxygen on the bonding surface are bonded. When fluorine is bonded to oxygen as described above, fluorine does not enter the bonding surface, so that bonding processing cannot be performed, and leakage may occur at the bonding surface. Also,
In the case where a package to be formed has a member such as a quartz oscillator, the quartz oscillator is damaged when exposed to a halogenated gas. For this reason, it is necessary to isolate the crystal unit from the halogenated gas during the halogenation treatment, and it has been difficult to form a package.

【0008】本発明の目的は、上記問題点を解決するた
めになされたもので、パッケージを形成する際の装置を
コンパクト化するとともに密着性の高いパッケージを形
成することのできるパッケージ形成方法及び装置を提供
することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and a method and apparatus for forming a package capable of reducing the size of an apparatus for forming a package and forming a package with high adhesion. Is to provide.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るパッケージ形成方法においては相互に
接合されて対象物を封入するパッケージ本体部と蓋部と
の少なくとも一方の接合面をハロゲン化処理したのち非
酸化雰囲気中に保持して、パッケージ本体部と蓋部とを
接合する構成とした。このような構成にすると、ハロゲ
ン化処理した接合面は、大気中に含まれている水や酸素
の影響による劣化が防止される。このため、接合面にお
いてリークが発生することを防止でき、密着性の高いパ
ッケージを形成することができる。また、ハロゲン化処
理により接合面の接合力が強化されているため、融点以
上に加熱する必要がなく、装置のコンパクト化を図るこ
とができる。
In order to achieve the above object, in a package forming method according to the present invention, at least one joint surface between a package main body and a lid which are joined to each other and enclose an object is formed. After the halogenation treatment, the package body is held in a non-oxidizing atmosphere, and the package body and the lid are joined. With this configuration, the halogenated joint surface is prevented from being deteriorated by the influence of water or oxygen contained in the atmosphere. For this reason, it is possible to prevent a leak from occurring at the joint surface, and to form a package having high adhesion. In addition, since the bonding strength of the bonding surface is strengthened by the halogenation treatment, it is not necessary to heat to a temperature higher than the melting point, and the apparatus can be made more compact.

【0010】上記構成において、前記ハロゲン化処理
は、フッ化処理である構成とすることができる。前記フ
ッ化処理は、反応性フッ素系ガスを前記接合面と接触さ
せて行う構成としてもよい。反応性フッ素系ガスとして
は、フッ素単原子やフッ化ガス、フッ素ラジカルやフッ
素原子を含む遊離基等がある。このような反応性フッ素
系ガスは、ハロゲン化を行うガスの中でも反応性が強い
ため、高い接合力を発揮することができる。前記フッ化
処理は、前記接合面にフッ化水素酸を塗布、または前記
接合面をフッ化水素酸の蒸気に晒して行う構成としても
よい。
In the above structure, the halogenation treatment may be a fluorination treatment. The fluorination treatment may be performed by bringing a reactive fluorine-based gas into contact with the bonding surface. The reactive fluorine-based gas includes a single atom of fluorine, a fluorinated gas, a fluorine radical, a free radical containing a fluorine atom, and the like. Such a reactive fluorine-based gas has a high reactivity among gases for halogenation, and thus can exhibit high bonding strength. The fluorination treatment may be performed by applying hydrofluoric acid to the bonding surface or exposing the bonding surface to a vapor of hydrofluoric acid.

【0011】上記構成において、前記ハロゲン化処理
は、塩素化処理である構成とすることができる。塩素は
フッ素ほど反応性は高くないが、塩素化処理の制御を容
易に行うことができる。前記塩素化処理は、前記接合面
に塩酸を塗布、または前記接合面を塩酸蒸気に晒して行
う構成としてもよい。
In the above configuration, the halogenation treatment may be a chlorination treatment. Chlorine is not as reactive as fluorine, but can easily control chlorination. The chlorination treatment may be performed by applying hydrochloric acid to the bonding surface or exposing the bonding surface to hydrochloric acid vapor.

【0012】上記構成において、前記接合は、前記接合
面を加熱して行う構成としてもよい。このようにするこ
とで接合面のハロゲン化処理を促進でき、接合力が強化
される。
In the above configuration, the bonding may be performed by heating the bonding surface. By doing so, the halogenation treatment of the bonding surface can be promoted, and the bonding strength is enhanced.

【0013】上記構成において、前記非酸化雰囲気は、
不活性ガス雰囲気である構成としてもよい。また、上記
構成において、前記非酸化雰囲気は、真空である構成と
してもよい。
In the above structure, the non-oxidizing atmosphere is
It may be configured to be an inert gas atmosphere. In the above structure, the non-oxidizing atmosphere may be a vacuum.

【0014】本発明におけるパッケージ形成装置におい
ては、相互に接合するパッケージ本体部と蓋部とが配置
される接合処理室と、接合処理室内にハロゲン化ガスを
供給するハロゲン化ガス供給手段と、接合処理室内を非
酸化雰囲気にする非酸化雰囲気形成手段と、前記パッケ
ージ本体部と前記蓋部との接合面を相互に圧接する加圧
手段と、を有する構成とした。
In the package forming apparatus according to the present invention, a joining processing chamber in which a package body and a lid to be joined to each other are arranged, a halogenating gas supply means for supplying a halogenating gas into the joining processing chamber, A non-oxidizing atmosphere forming means for making the inside of the processing chamber a non-oxidizing atmosphere, and a pressurizing means for mutually pressing the joint surfaces of the package body and the lid are provided.

【0015】上記構成において、前記接合処理室は、開
閉自在な仕切部材により、前記パッケージ本体部が配置
される接合房と、前記蓋部が配置されるハロゲン化房と
に区画され、前記ハロゲン化ガス供給手段は、ハロゲン
化房に接続してなる構成とすることができる。
In the above construction, the joining processing chamber is divided by an openable and closable partition member into a joining chamber in which the package body is disposed and a halogenating chamber in which the lid is disposed, and The gas supply means can be configured to be connected to the halogenation chamber.

【0016】上記構成において、前記接合房は前記接合
処理室の下部に形成され、前記ハロゲン化房は前記接合
房の上に形成されるとともに、前記加圧手段は前記ハロ
ゲン化房に設けられて、前記蓋部が装着される構成とす
ることができる。
In the above structure, the bonding chamber is formed at a lower portion of the bonding chamber, the halogenating chamber is formed on the bonding chamber, and the pressurizing means is provided in the halogenating chamber. , The lid may be mounted.

【0017】上記構成において、前記非酸化雰囲気形成
手段は、前記接合処理室内に不活性ガスを供給する不活
性ガス供給手段である構成とすることができる。
In the above structure, the non-oxidizing atmosphere forming means may be an inert gas supply means for supplying an inert gas into the bonding chamber.

【0018】上記構成において、前記非酸化雰囲気形成
手段は、前記接合処理室内を減圧する真空ポンプである
構成とすることができる。
In the above structure, the non-oxidizing atmosphere forming means may be a vacuum pump for reducing the pressure in the bonding chamber.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態におけるパッケ
ージ形成方法及び装置について図面を用いて詳細に説明
する。本実施形態においては、蓋部である上蓋の接合面
をフッ化処理ガスによりハロゲン化処理して、パッケー
ジ本体部である箱体とを非酸化雰囲気中に保持して接合
することにより、パッケージを形成する場合について説
明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A package forming method and apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the present embodiment, the package is formed by subjecting the bonding surface of the upper lid, which is the lid, to halogenation treatment with a fluorinated gas, and bonding the package with the box, which is the package main body, in a non-oxidizing atmosphere. The case of forming will be described.

【0020】図1、図2、図3は本発明の実施形態にお
けるパッケージ形成工程の説明図である。図1に示すよ
うに、本実施形態におけるパッケージ形成装置20は、
箱体22と、上蓋24とを配置する接合室26を有して
いる。前記接合室26には仕切り壁板28を開閉自在に
設けてある。前記仕切り壁板28により接合室26内を
区画することにより、接合室26内に複数の区画室3
0、32を形成させている。本実施形態においては、前
記仕切り壁板28により区画された上部区画室30をハ
ロゲン化房として前記上蓋24を配置するとともに、下
部区画室32を接合房として前記箱体22を配置してい
る。
FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 3 are explanatory views of a package forming step in the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the package forming apparatus 20 according to the present embodiment includes:
It has a joining chamber 26 in which a box 22 and an upper lid 24 are arranged. In the joining chamber 26, a partition wall plate 28 is provided so as to be freely opened and closed. By partitioning the inside of the joining chamber 26 by the partition wall plate 28, a plurality of compartments 3
0 and 32 are formed. In the present embodiment, the upper lid 24 is arranged with the upper compartment 30 partitioned by the partition wall plate 28 as a halogenated chamber, and the box 22 is arranged with the lower compartment 32 as a jointed chamber.

【0021】図5は前記箱体22の平面図である。図6
は前記箱体22の断面図である。図5に示したように、
箱体22は上面を開口した直方体形状をなしている。前
記箱体22は、図6に示したように断面コの字形状に形
成された基板部34を有している。前記基板部34はセ
ラミックにて形成されている。前記基板部34の上面に
は、スクリーン印刷により形成したタングステン層36
が焼き付けられている。前記タングステン層36の表面
には、金メッキ層38が形成してある。本実施形態にお
いては、前記金メッキ層38の表面が接合面となる。こ
のように金メッキ層38を形成したことにより、接合力
を強化することができる。なお、タングステン層36
は、他の金属で形成してもよい。また、基板部34は、
上記したセラミックの他、銅等の他の金属、ガラスで形
成することができる。
FIG. 5 is a plan view of the box 22. FIG.
Is a sectional view of the box 22. FIG. As shown in FIG.
The box 22 has a rectangular parallelepiped shape with an open upper surface. The box body 22 has a substrate portion 34 formed in a U-shaped cross section as shown in FIG. The substrate 34 is formed of ceramic. On the upper surface of the substrate part 34, a tungsten layer 36 formed by screen printing is formed.
Is baked. On the surface of the tungsten layer 36, a gold plating layer 38 is formed. In the present embodiment, the surface of the gold plating layer 38 serves as a bonding surface. By forming the gold plating layer 38 in this manner, the bonding strength can be enhanced. The tungsten layer 36
May be formed of another metal. In addition, the substrate unit 34
In addition to the ceramics described above, other metals such as copper and glass can be used.

【0022】前記箱体22内には、電子部品である水晶
振動子40が設けられている。前記水晶振動子40は、
薄板状の水晶から形成されている。そして、水晶振動子
40の表裏両面には図6に示したように、薄膜状の励振
電極42、44を一体的に形成している。前記励振電極
42、44は銀などを蒸着することにより形成すること
ができるが、これに限られるものではない。このように
形成した励振電極42、44は、一対の導電性接着剤4
6、48を介して基板部34に印刷された図示しない導
電パターンに接続している。この導電性接着剤46、4
8の材質としては、エポキシ、ポリイミド、シリコン等
を主剤とするものが好ましく用いられる。
A quartz oscillator 40 as an electronic component is provided in the box 22. The quartz oscillator 40 includes:
It is made of thin quartz crystal. As shown in FIG. 6, thin-film-like excitation electrodes 42 and 44 are integrally formed on both front and back surfaces of the crystal unit 40. The excitation electrodes 42 and 44 can be formed by evaporating silver or the like, but are not limited thereto. The excitation electrodes 42 and 44 thus formed are connected to a pair of conductive adhesives 4.
It is connected to a conductive pattern (not shown) printed on the substrate unit 34 via the connectors 6 and 48. This conductive adhesive 46, 4
As the material of No. 8, a material mainly containing epoxy, polyimide, silicon or the like is preferably used.

【0023】一方、前記箱体22と接合する上蓋24
は、略矩形形状の板として形成されている。前記上蓋2
4は、例えばコバール(鉄、ニッケル、コバルトの合
金)の表面に銅等をめっきして形成することができる。
On the other hand, an upper lid 24 joined to the box 22
Is formed as a substantially rectangular plate. The upper lid 2
4 can be formed, for example, by plating copper or the like on the surface of Kovar (an alloy of iron, nickel, and cobalt).

【0024】前記箱体22を配置する下部区画室32、
前記上蓋24を配置する上部区画室30について以下に
説明する。まず、下部区画室32について説明する。
A lower compartment 32 in which the box 22 is disposed;
The upper compartment 30 in which the upper lid 24 is arranged will be described below. First, the lower compartment 32 will be described.

【0025】下部区画室32の床面には箱体加熱ヒータ
45が設けてある。前記箱体加熱ヒータ45は上面にて
箱体22を当接支持するとともに箱体22を加熱して接
合力を強化することができるようにしている。本実施形
態においては、前記箱体加熱ヒータ45により、箱体2
2の接合面が90℃程度になるように加熱を行わせる。
また、前記下部区画室32には下部ガス供給口47が接
続されてあり、当該下部ガス供給口47により窒素50
などの不活性ガスが下部区画室32内に流入されるので
ある。また、前記下部区画室32には、下部ガス排出口
49が設けてある。前記下部ガス排出口49は下部ガス
排気ポンプ51に接続してあり、当該下部ガス排気ポン
プ51により下部区画室32内のガスを下部ガス排出口
49を介して強制的に排出することができる。
A box heater 45 is provided on the floor of the lower compartment 32. The box body heater 45 supports the box body 22 on the upper surface thereof and also heats the box body 22 so that the joining force can be strengthened. In this embodiment, the box 2
Heating is performed so that the bonding surface of No. 2 becomes approximately 90 ° C.
Further, a lower gas supply port 47 is connected to the lower compartment 32, and the lower gas supply port 47 supplies nitrogen 50.
Such an inert gas flows into the lower compartment 32. The lower compartment 32 is provided with a lower gas outlet 49. The lower gas exhaust port 49 is connected to a lower gas exhaust pump 51, and the lower gas exhaust pump 51 can forcibly exhaust the gas in the lower compartment 32 through the lower gas exhaust port 49.

【0026】次に上部区画室30について説明する。上
部区画室30の上面中央部にはシリンダ本体52が突出
して設けられている。前記シリンダ本体52は円筒形状
に形成してあり、下面部が開口して上部区画室30の床
面に臨ませている。前記シリンダ本体52内には昇降ロ
ッド53が上下方向に摺動可能に内挿されている。昇降
ロッド53の下端部には上部加熱ヒータ(ホットプレー
ト)56が設けてある。さらに、前記上部加熱ヒータ5
6の下部には保持具54が配置され、当該保持具54の
下面側に前記上蓋24が装着される。このように前記上
蓋24は、前記昇降ロッド53により上下方向に移動さ
れるのである。また、前記上部加熱ヒータ56により前
記上蓋24を90℃程度に加熱することができるように
なっている。
Next, the upper compartment 30 will be described. At the center of the upper surface of the upper compartment 30, a cylinder body 52 is provided to protrude. The cylinder main body 52 is formed in a cylindrical shape, and its lower surface is open to face the floor of the upper compartment 30. An elevating rod 53 is inserted into the cylinder body 52 so as to be slidable in the vertical direction. An upper heater (hot plate) 56 is provided at the lower end of the lifting rod 53. Further, the upper heater 5
A holder 54 is disposed at a lower portion of the holder 6, and the upper lid 24 is attached to a lower surface of the holder 54. In this way, the upper lid 24 is moved up and down by the lifting rod 53. Further, the upper lid 24 can be heated to about 90 ° C. by the upper heater 56.

【0027】上部区画室30には上部ガス供給口58が
設けてあり、当該上部ガス供給口58を介して上部区画
室30内にフッ化処理ガスを供給する。また、上部区画
室30には上部ガス排出口59が設けてあり、上部区画
室30内のガスを排出することができる。前記上部ガス
排出口59は上部ガス排出ポンプ60に接続してあり、
上部ガス排出ポンプ60を駆動することで上部区画室3
0内のガスを強制的に排気することができる。
An upper gas supply port 58 is provided in the upper compartment 30, and a fluorinated gas is supplied into the upper compartment 30 through the upper gas supply port 58. In addition, the upper compartment 30 is provided with an upper gas outlet 59 so that the gas in the upper compartment 30 can be discharged. The upper gas discharge port 59 is connected to an upper gas discharge pump 60,
By driving the upper gas discharge pump 60, the upper compartment 3
The gas in 0 can be forcibly exhausted.

【0028】以下に、上部区画室30と下部区画室32
とに供給されるガスの供給経路について説明する。図4
は本実施形態におけるガスの供給経路を示す系統図であ
る。図4に示したように、上部区画室30はフッ化処理
ガスの原料である四フッ化炭素(CF4)供給源62に
接続されている。前記四フッ化炭素供給源62は原料ガ
ス供給管64の一端部に接続してあり、当該原料ガス供
給管64にて四フッ化炭素を流入可能となっている。前
記原料ガス供給管64には、開閉弁66が設けてあり、
当該開閉弁66により四フッ化炭素を供給や遮断をする
ことができる。前記開閉弁66の後段側にて前記原料ガ
ス供給管64は分岐し、この分岐管68の先端を水保持
容器70の水72中に挿入している。これにより、分岐
管68から流入する四フッ化炭素に水分を混合すること
ができる。また、前記水保持容器70の上面には、前記
原料ガス供給管64からの分岐管74の先端が臨ませて
あり、当該分岐管74から水分を含んだ四フッ化炭素を
原料ガス供給管64内に流入させることができる。
Hereinafter, the upper compartment 30 and the lower compartment 32
A description will be given of the supply path of the gas supplied to the above. FIG.
FIG. 1 is a system diagram showing a gas supply path in the present embodiment. As shown in FIG. 4, the upper compartment 30 is connected to a carbon tetrafluoride (CF 4 ) supply source 62 which is a raw material of a fluorinated gas. The carbon tetrafluoride supply source 62 is connected to one end of a source gas supply pipe 64 so that the carbon tetrafluoride can flow through the source gas supply pipe 64. The source gas supply pipe 64 is provided with an on-off valve 66,
The on-off valve 66 can supply and shut off carbon tetrafluoride. The source gas supply pipe 64 is branched at the subsequent stage of the on-off valve 66, and the tip of the branch pipe 68 is inserted into the water 72 of the water holding container 70. Thus, water can be mixed with the carbon tetrafluoride flowing from the branch pipe 68. On the upper surface of the water holding container 70, the tip of a branch pipe 74 from the source gas supply pipe 64 faces, and carbon tetrafluoride containing water is supplied from the branch pipe 74 to the source gas supply pipe 64. It can flow into.

【0029】前記分岐管68には流量制御弁76が設け
てあり、四フッ化炭素の流入を調節することができる。
また、前記原料ガス供給管64における前記分岐管68
と分岐管74との間にも流量制御弁78が設けてある。
このようにしたため、前記流量制御弁76、78を制御
することで、四フッ化炭素に含ませる水分の量を調節す
ることができる。
The branch pipe 68 is provided with a flow control valve 76 for controlling the flow of carbon tetrafluoride.
Further, the branch pipe 68 in the source gas supply pipe 64 is used.
A flow control valve 78 is also provided between the fuel cell and the branch pipe 74.
Thus, by controlling the flow control valves 76 and 78, the amount of water contained in the carbon tetrafluoride can be adjusted.

【0030】前記合流した原料ガス供給管64の先端部
は放電ユニット80の入口側に大気圧状態で導入され
る。前記放電ユニット80により、流入した四フッ化炭
素を介して気体放電を発生させて、フッ素(F)または
フッ化水素(HF)などのフッ化処理ガス55を生成す
ることができる。
The leading end of the combined source gas supply pipe 64 is introduced into the discharge unit 80 at the inlet side under atmospheric pressure. The discharge unit 80 can generate a gas discharge through the inflowing carbon tetrafluoride to generate a fluorinated gas 55 such as fluorine (F) or hydrogen fluoride (HF).

【0031】前記放電ユニット80の出口側にはフッ化
処理ガス供給管81の一端部が挿入配置してある。そし
て、前記フッ化処理ガス供給管81の他端部は上部区画
室30の上部ガス供給口58内に挿入され、フッ化処理
ガスを上部区画室30に導入することができる。
One end of a fluorinated gas supply pipe 81 is inserted and arranged on the outlet side of the discharge unit 80. The other end of the fluorinated gas supply pipe 81 is inserted into the upper gas supply port 58 of the upper compartment 30 so that the fluorinated gas can be introduced into the upper compartment 30.

【0032】一方、下部区画室32は不活性ガスである
窒素の供給源である窒素ガス供給源82に接続してあ
る。前記窒素ガス供給源82は窒素ガス供給管84に接
続してある。前記窒素ガス供給管84は制御弁96が設
けてあり、供給する窒素ガスの量を制御できるようにし
ている。そして、供給管84の端部は下部区画室32の
下部ガス供給口47に挿入配置してあり、これにより供
給管84内に不活性ガスを流入させることができる。
On the other hand, the lower compartment 32 is connected to a nitrogen gas source 82 which is a source of nitrogen as an inert gas. The nitrogen gas supply source 82 is connected to a nitrogen gas supply pipe 84. The nitrogen gas supply pipe 84 is provided with a control valve 96 so that the amount of nitrogen gas supplied can be controlled. The end of the supply pipe 84 is inserted and arranged in the lower gas supply port 47 of the lower compartment 32, so that an inert gas can flow into the supply pipe 84.

【0033】また、窒素供給管84とフッ素ガス供給管
81とは、接続管85を介して接続されている。前記フ
ッ素ガス供給管81、前記接続管85には、それぞれ開
閉弁86、87が設けてある。この開閉弁86、87の
開閉制御により、窒素供給管84内に流入する不活性ガ
スをフッ素ガス供給管81を介して上部区画室30に導
入することができる。
The nitrogen supply pipe 84 and the fluorine gas supply pipe 81 are connected via a connection pipe 85. On-off valves 86 and 87 are provided on the fluorine gas supply pipe 81 and the connection pipe 85, respectively. By controlling the opening and closing of the on-off valves 86 and 87, the inert gas flowing into the nitrogen supply pipe 84 can be introduced into the upper compartment 30 via the fluorine gas supply pipe 81.

【0034】このように構成したパッケージ形成装置2
0の作用は以下のようになる。まず、図1に示したよう
に、接合室26を仕切り板28により遮断して上部区画
室30と下部区画室32とに区画する。そして、前記上
部区画室30の保持具54に上蓋24を装着するととも
に、下部区画室32の箱体加熱ヒータ45上に箱体22
を固定配置する。
The package forming apparatus 2 thus configured
The operation of 0 is as follows. First, as shown in FIG. 1, the joining chamber 26 is blocked off by a partition plate 28 and partitioned into an upper compartment 30 and a lower compartment 32. The upper lid 24 is attached to the holder 54 in the upper compartment 30 and the box 22 is placed on the box heater 45 in the lower compartment 32.
Is fixedly arranged.

【0035】そして、図4に示したように、上部区画室
30内にフッ化処理ガスを導入する。すなわち、四フッ
化炭素供給源62から原料ガス供給管64に四フッ化炭
素を供給する。本実施形態においては、原料ガス供給管
64の制御弁78と、分岐管68の制御弁76とを制御
して、水72を含んだ混合ガスを放電ユニット80に供
給する。これにより、放電ユニット80にてフッ化処理
ガス55を生成して、このフッ化処理ガス55を上部区
画室30内に導入する。このフッ化処理ガス55により
上部区画室30内に配置した上蓋24の下面側をフッ化
処理することができる。このように、上蓋24の接合面
をフッ化処理することにより、フラックスを使用しなく
ても接合することができる。
Then, as shown in FIG. 4, a fluorinated gas is introduced into the upper compartment 30. That is, carbon tetrafluoride is supplied from the carbon tetrafluoride supply source 62 to the source gas supply pipe 64. In the present embodiment, the control valve 78 of the source gas supply pipe 64 and the control valve 76 of the branch pipe 68 are controlled to supply the mixed gas containing the water 72 to the discharge unit 80. Thus, the discharge unit 80 generates the fluorinated gas 55 and introduces the fluorinated gas 55 into the upper compartment 30. The lower surface side of the upper lid 24 disposed in the upper compartment 30 can be fluorinated by the fluorinated gas 55. By fluorinating the bonding surface of the upper lid 24, bonding can be performed without using a flux.

【0036】上記したように、下部区画室32は仕切り
壁板28により上部区画室30と遮断されている。この
ため、下部区画室32は、上部区画室30に導入したフ
ッ化処理ガス55の影響を受けない。従って、下部区画
室32内に配置した箱体22はフッ化処理ガス55の影
響を受けず、箱体22内の水晶振動子40もフッ化処理
ガスによる変質等の悪影響を受けるおそれがない。ま
た、本実施形態においては、窒素ガス供給源82から供
給管84に窒素ガスが下部区画室32内に供給される。
このように、下部区画室32内を窒素ガスなどの不活性
ガスにて満たすことにより、箱体22を大気中の水や酸
素から隔離することができる。これにより、箱体22の
加熱による酸化を防止することができる。なお、実施形
態においては、下部区画室32内を不活性ガス雰囲気に
保持させているが、下部区画室32内をフッ化処理ガス
から保護できる構成であれば、これに限られない。
As described above, the lower compartment 32 is isolated from the upper compartment 30 by the partition wall plate 28. Therefore, the lower compartment 32 is not affected by the fluorinated gas 55 introduced into the upper compartment 30. Therefore, the box 22 disposed in the lower compartment 32 is not affected by the fluorinated gas 55, and the quartz oscillator 40 in the box 22 is not likely to be adversely affected by the fluorinated gas. In the present embodiment, the nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply source 82 to the supply pipe 84 into the lower compartment 32.
By filling the lower compartment 32 with an inert gas such as nitrogen gas, the box 22 can be isolated from water and oxygen in the atmosphere. Thereby, oxidation by heating of the box body 22 can be prevented. In the embodiment, the inside of the lower compartment 32 is kept in an inert gas atmosphere. However, the configuration is not limited to this as long as the inside of the lower compartment 32 can be protected from the fluorinated gas.

【0037】上記のように上部区画室30内で上蓋24
のフッ化処理を行った後、上部区画室30内のフッ化処
理ガスを上部ガス排出ポンプ60により上部ガス排出口
59から排出する。そして、本実施形態においては、上
部区画室30内に窒素ガスなどの不活性ガスを導入し
て、上部区画室30内を不活性ガス雰囲気に保持させ
る。
As described above, the upper cover 24 in the upper compartment 30
After performing the fluoridation process, the fluorinated gas in the upper compartment 30 is discharged from the upper gas outlet 59 by the upper gas discharge pump 60. Then, in the present embodiment, an inert gas such as a nitrogen gas is introduced into the upper compartment 30 to maintain the inside of the upper compartment 30 in an inert gas atmosphere.

【0038】このようにしてから、図2に示すように、
接合室26を遮断していた仕切り壁板28を外して、上
部区画室30と下部区画室32とを一体化させて接合室
26とする。このとき、フッ化処理ガスは上記したよう
に接合室26内から除去されているため、箱体22内の
水晶振動子40に悪影響を与えることがない。そして、
接合室26内は窒素ガス雰囲気とされているため、上蓋
24のフッ化処理された接合面に酸素や水の悪影響を受
けることなく接合処理を行わせることができる。
After doing so, as shown in FIG.
The partition wall plate 28 blocking the joining chamber 26 is removed, and the upper compartment 30 and the lower compartment 32 are integrated to form the joining chamber 26. At this time, since the fluorinated gas has been removed from the inside of the bonding chamber 26 as described above, there is no adverse effect on the crystal unit 40 in the box 22. And
Since the inside of the bonding chamber 26 is in a nitrogen gas atmosphere, the fluorinated bonding surface of the upper lid 24 can be bonded without being adversely affected by oxygen or water.

【0039】上蓋24と箱体22との接合工程は以下の
ように行われる。上蓋24が昇降ロッド53により下降
されて、図3に示すように対向する箱体22の金メッキ
層38表面に当接する。上記したように上蓋24の下面
はフッ化処理されているため、接合材を介在することな
く上蓋24と金メッキ層38と接合することができる。
このようなハロゲン化による接合作用は以下のように考
えられる。すなわち、接合処理時に上蓋24表面に付着
したフッ素は、上蓋24の内部に拡散して結晶を形成し
ている結合手を切断するとともに、一部が箱体22の金
メッキ層38に拡散してその結合手を切断する。このた
め、上蓋24と金メッキ層38との表層部にフリーな結
合手が生じて相互に接合し、固体接合をすることができ
る。このときの昇降ロッド53による加圧圧力は、接合
する箱体22や上蓋24の強度、形状などによって異な
るが、できるだけ大きい方が望ましい。また、接合時に
加熱を行うと、前記上蓋24に付着したフッ素が活性化
され、上蓋24内への拡散が早期に進行する。このとき
の加熱する温度については、箱体22や上蓋24が軟化
しない限り高温の方が望ましい。
The joining process of the upper lid 24 and the box 22 is performed as follows. The upper lid 24 is lowered by the lifting rod 53 and comes into contact with the surface of the gold plating layer 38 of the opposing box 22 as shown in FIG. Since the lower surface of the upper lid 24 is fluorinated as described above, the upper lid 24 and the gold plating layer 38 can be joined without interposing a joining material.
Such a bonding effect by halogenation is considered as follows. That is, the fluorine adhered to the surface of the upper lid 24 at the time of the bonding process is diffused into the upper lid 24 to cut the bonds forming crystals, and partly diffuses into the gold plating layer 38 of the box body 22 to diffuse the bonds. Cut the bond. For this reason, a free bond is generated in the surface layer portion of the upper lid 24 and the gold plating layer 38, and they are joined to each other, so that solid joining can be performed. The pressure applied by the lifting rod 53 at this time depends on the strength and shape of the box 22 and the upper lid 24 to be joined, but it is desirable that the pressure be as large as possible. Further, when heating is performed at the time of bonding, the fluorine attached to the upper lid 24 is activated, and diffusion into the upper lid 24 proceeds at an early stage. As for the heating temperature at this time, a higher temperature is preferable unless the box body 22 and the upper lid 24 are softened.

【0040】なお、実施形態においては、箱体22と上
蓋24との接合を一つの接合室26内で行ったが、上蓋
24のフッ化処理中、及び上蓋24との接合処理中にお
いて箱体22をフッ化処理ガスから保護できる形態であ
ればこれに限られず、例えばフッ化処理した上蓋24を
搬送ロボットなどによって移載してフッ化処理ガスから
保護された箱体22に接合処理を行ってもよい。
In the embodiment, the box 22 and the upper lid 24 are joined in one joining chamber 26. However, during the fluoridation of the upper lid 24 and the joining process with the upper lid 24, the box 22 is The embodiment is not limited to this as long as it can protect the 22 from the fluorinated gas. For example, the upper cover 24 after the fluorinated treatment is transferred by a transfer robot or the like to perform the joining process on the box 22 protected from the fluorinated gas. You may.

【0041】また、前記上蓋24のフッ化処理はフッ素
やフッ化水素に限らず、フッ素単原子やフッ化ガス、フ
ッ素ラジカルやフッ素原子を含む遊離基等の活性なフッ
素を上蓋24に接触させることにより行うことができ
る。このように、活性なフッ素を導入することで、高い
接合力を発揮することができる。また、前記上蓋24の
ハロゲン化は、フッ素を含む処理液(フッ酸など)を塗
布したり、フッ素を含む処理液の蒸気に接触させること
により行うことができる。これにより、フッ素をプラズ
マ化する等の処理を行う必要がないため、プラズマ化す
る場合よりもコストを低減することができる。また、前
記上蓋24と箱体22との接合は、融点以下に加熱して
行ったが、融点以上に加熱して行ってもよい。これによ
り、接合力を大幅に強化することができる。また、加熱
を行わなくても接合することができる。また、前記上蓋
24のハロゲン化は、塩素化することにより行うことが
できる。塩素はフッ素ほど反応性は高くないため、塩素
化処理の制御を容易に行うことができる。
The fluoridation treatment of the upper lid 24 is not limited to fluorine and hydrogen fluoride, and active fluorine such as a single atom of fluorine, a fluorinated gas, or a free radical containing a fluorine radical or a fluorine atom is brought into contact with the upper lid 24. It can be done by doing. In this way, by introducing active fluorine, a high bonding force can be exhibited. The halogenation of the upper lid 24 can be performed by applying a processing liquid containing fluorine (such as hydrofluoric acid) or by bringing the processing liquid into contact with the vapor of the processing liquid containing fluorine. Thus, since it is not necessary to perform a process such as converting fluorine into plasma, the cost can be reduced as compared with the case where plasma is converted into plasma. Further, the joining of the upper lid 24 and the box body 22 is performed by heating to below the melting point, but may be performed by heating to above the melting point. Thereby, the joining force can be greatly enhanced. Also, bonding can be performed without heating. The halogenation of the upper lid 24 can be performed by chlorination. Since chlorine is not as reactive as fluorine, control of the chlorination treatment can be performed easily.

【0042】また、実施形態においては、上蓋24と箱
体22との接合処理を不活性ガス雰囲気で行ったが、真
空中にて行ってもよい。これは、前記下部ガス排出口4
9や前記上部ガス排出口59から接合室26内のガスを
排気することで行うことができる。
In the embodiment, the joining process of the upper lid 24 and the box 22 is performed in an inert gas atmosphere, but may be performed in a vacuum. This is the lower gas outlet 4
9 or by exhausting the gas in the joining chamber 26 from the upper gas outlet 59.

【0043】[0043]

【実施例】図7は実施例におけるハロゲン化処理手段1
00を示す説明図である。ハロゲン化処理手段100
は、テフロン(登録商標)ビーカ112を有している。
前記テフロンビーカ112には、HF水溶液(フッ酸)
やHCl水溶液(塩酸)等のハロゲン化処理溶液114
が入っている。前記テフロンビーカ112内にテフロン
製治具115が挿入してある。前記テフロン製治具11
5は、平板形状の支持プレート116の中心部に、円柱
形状の支持軸118の先端面を突き合わせてあり、逆T
字形状となるように形成してある。本実施例においては
前記テフロン製治具115を、図7に示したように前記
支持プレート116がテフロンビーカ112内のハロゲ
ン化処理溶液114上方近傍になるとともに、前記支持
軸118の先端がテフロンビーカ112の上面より突出
するように配置している。前記テフロンビーカ112の
上面にテフロン蓋120をかぶせて、テフロンビーカ1
12内を密閉可能に保持するとともに、前記テフロン製
治具115を固定保持可能としている。
FIG. 7 shows a halogenating means 1 in the embodiment.
It is explanatory drawing which shows 00. Halogenation treatment means 100
Has a Teflon (registered trademark) beaker 112.
The Teflon beaker 112 contains an aqueous HF solution (hydrofluoric acid).
Solution 114 such as water or HCl aqueous solution (hydrochloric acid)
Contains. A Teflon jig 115 is inserted into the Teflon beaker 112. The Teflon jig 11
Reference numeral 5 denotes an end face of a cylindrical support shaft 118 abutting against the center of a flat support plate 116,
It is formed so as to have a character shape. In this embodiment, as shown in FIG. 7, the Teflon jig 115 is moved so that the support plate 116 is positioned near the halogenated solution 114 in the Teflon beaker 112 and the tip of the support shaft 118 is Teflon beaker. It is arranged to protrude from the upper surface of 112. The Teflon beaker 112 is covered with the Teflon lid 120 on the upper surface of the Teflon beaker 112.
The inside of the jig 12 is held tightly and the jig 115 made of Teflon can be fixedly held.

【0044】一方、前記支持プレート116上にはテフ
ロン容器122が配置してある。テフロン容器112の
容積は1000mlである。前記テフロン容器112中
にワーク110が配置してある。前記テフロンビーカ1
12を加熱して、ハロゲン化処理溶液114を蒸発さ
せ、テフロンビーカ112内にフッ酸蒸気や塩酸蒸気と
いったハロゲン化処理ガスを満たす。これにより、ワー
ク110をハロゲン化処理ガスに晒してハロゲン化する
のである。テフロンビーカ112よりワーク110を取
出してから5分以内に、実施例1から実施例6に示す雰
囲気、圧力下にワーク110を保持した。その後、図示
しない接合装置内に配置した本体部に前記ワーク110
を接合してパッケージを形成し、当該パッケージの接合
面からのリーク発生の有無を測定した。実施例1、実施
例3、実施例5のワーク110は、フッ酸溶液にてハロ
ゲン化処理を行った場合である。また、実施例2、実施
例4、実施例6のワーク110は、塩酸溶液にてハロゲ
ン化処理を行った場合である。
On the other hand, on the support plate 116, a Teflon container 122 is arranged. The volume of the Teflon container 112 is 1000 ml. A work 110 is arranged in the Teflon container 112. Teflon beaker 1
12 is heated to evaporate the halogenated solution 114, and the Teflon beaker 112 is filled with a halogenated gas such as hydrofluoric acid vapor or hydrochloric acid vapor. Thereby, the work 110 is exposed to the halogenation processing gas to be halogenated. Within 5 minutes after removing the work 110 from the Teflon beaker 112, the work 110 was held under the atmosphere and pressure shown in Examples 1 to 6. Thereafter, the work 110 is attached to a main body disposed in a joining device (not shown).
Were bonded to form a package, and the presence or absence of leakage from the bonding surface of the package was measured. The work 110 of the first, third, and fifth embodiments is a case where the halogenation treatment is performed with a hydrofluoric acid solution. Further, the workpieces 110 of the second, fourth, and sixth embodiments are obtained by performing a halogenation treatment with a hydrochloric acid solution.

【0045】《実施例1》フッ酸溶液にてハロゲン化処
理したワーク110をテフロンビーカ112より取出し
てから5分以内に、大気中に保持した。このときワーク
110は加圧せず、大気圧にて保持した。このような状
態でワーク110を3時間保持した。
Example 1 A work 110 halogenated with a hydrofluoric acid solution was taken out of a Teflon beaker 112 and kept in the air within 5 minutes. At this time, the work 110 was not pressurized but was maintained at the atmospheric pressure. In this state, the work 110 was held for 3 hours.

【0046】その後、図示しない接合装置内に配置した
本体部に向けてワーク110を下降させて接合処理を行
い、パッケージを形成した。このようにワーク110を
接合処理して形成したパッケージは、接合面からリーク
が発生した。
Thereafter, the workpiece 110 was lowered toward a main body disposed in a bonding apparatus (not shown) to perform a bonding process to form a package. In the package formed by bonding the work 110 in this manner, a leak occurred from the bonding surface.

【0047】《実施例2》塩酸溶液にてハロゲン化処理
したワーク110をテフロンビーカ112より取出して
から5分以内に、大気中に保持した。このときワーク1
10は加圧せず、大気圧にて保持した。このような状態
でワーク110を3時間保持した。
Example 2 A work 110 halogenated with a hydrochloric acid solution was taken out of the Teflon beaker 112 and kept in the air within 5 minutes. At this time work 1
10 was not pressurized and kept at atmospheric pressure. In this state, the work 110 was held for 3 hours.

【0048】その後、図示しない接合装置内に配置した
本体部に向けてワーク110を下降させて接合処理を行
い、パッケージを形成した。このようにワーク110を
接合処理して形成したパッケージは、接合面からリーク
が発生した。
Thereafter, the workpiece 110 was lowered toward a main body disposed in a bonding apparatus (not shown) to perform a bonding process to form a package. In the package formed by bonding the work 110 in this manner, a leak occurred from the bonding surface.

【0049】《実施例3》フッ酸溶液にてハロゲン化処
理したワーク110をテフロンビーカ112より取出し
てから5分以内に、窒素雰囲気に保持した図示しない接
合装置内に配置した。このときワーク110は加圧せ
ず、大気圧にて保持した。このような状態でワーク11
0を3時間保持した。
Example 3 A work 110 which had been halogenated with a hydrofluoric acid solution was taken out of a Teflon beaker 112 and placed within a joining apparatus (not shown) maintained in a nitrogen atmosphere within 5 minutes. At this time, the work 110 was not pressurized but was maintained at the atmospheric pressure. Work 11 in such a state
0 was held for 3 hours.

【0050】その後、図示しない接合装置内に配置した
本体部に向けてワーク110を下降させて接合処理を行
い、パッケージを形成した。このようにワーク110を
接合処理して形成したパッケージは、接合面からリーク
が発生しなかった。
Thereafter, the workpiece 110 was lowered toward a main body disposed in a bonding apparatus (not shown) to perform a bonding process to form a package. In the package formed by bonding the work 110 in this manner, no leak occurred from the bonding surface.

【0051】《実施例4》塩酸溶液にてハロゲン化処理
したワーク110をテフロンビーカ112より取出して
から5分以内に、窒素雰囲気に保持した図示しない接合
装置内に配置した。このときワーク110は加圧せず、
大気圧にて保持した。このような状態でワーク110を
3時間保持した。
Example 4 A work 110 halogenated with a hydrochloric acid solution was placed in a joining apparatus (not shown) maintained in a nitrogen atmosphere within 5 minutes after being taken out of the Teflon beaker 112. At this time, the work 110 is not pressurized,
It was kept at atmospheric pressure. In this state, the work 110 was held for 3 hours.

【0052】その後、図示しない接合装置内に配置した
本体部に向けてワーク110を下降させて接合処理を行
い、パッケージを形成した。このようにワーク110を
接合処理して形成したパッケージは、接合面からリーク
が発生しなかった。
Thereafter, the workpiece 110 was lowered toward the main body disposed in a bonding apparatus (not shown) to perform a bonding process to form a package. In the package formed by bonding the work 110 in this manner, no leak occurred from the bonding surface.

【0053】《実施例5》フッ酸溶液にてハロゲン化処
理したワーク110をテフロンビーカ112より取出し
てから5分以内に、真空減圧した図示しない接合装置内
に配置した。このとき接合装置内の圧力は、1.33×
10-3Pa(1×10-5Torr)とした。このような
状態でワーク110を3時間保持した。
Example 5 A work 110 which had been halogenated with a hydrofluoric acid solution was taken out of a Teflon beaker 112 and, within 5 minutes, placed in a vacuum-reduced joining apparatus (not shown). At this time, the pressure in the joining device is 1.33 ×
The pressure was set to 10 −3 Pa (1 × 10 −5 Torr). In this state, the work 110 was held for 3 hours.

【0054】その後、図示しない接合装置内に配置した
本体部に向けてワーク110を下降させて接合処理を行
い、パッケージを形成した。このようにワーク110を
接合処理して形成したパッケージは、接合面からリーク
が発生しなかった。
Thereafter, the workpiece 110 was lowered toward the main body disposed in a bonding apparatus (not shown) to perform a bonding process to form a package. In the package formed by bonding the work 110 in this manner, no leak occurred from the bonding surface.

【0055】《実施例6》塩酸溶液にてハロゲン化処理
したワーク110をテフロンビーカ112より取出して
から5分以内に、真空減圧した図示しない接合装置内に
配置した。このとき接合装置内の圧力は、1.33×1
-3Pa(1×10-5Torr)とした。このような状
態でワーク110を3時間保持した。
Example 6 A work 110 which had been halogenated with a hydrochloric acid solution was taken out of a Teflon beaker 112 and placed within a not-shown bonding apparatus (not shown) within 5 minutes. At this time, the pressure in the joining device was 1.33 × 1
The pressure was set to 0 −3 Pa (1 × 10 −5 Torr). In this state, the work 110 was held for 3 hours.

【0056】その後、図示しない接合装置内に配置した
本体部に向けてワーク110を下降させて接合処理を行
い、パッケージを形成した。このようにワーク110を
接合処理して形成したパッケージは、接合面からリーク
が発生しなかった。
Thereafter, the workpiece 110 was lowered toward the main body disposed in a bonding apparatus (not shown) to perform a bonding process to form a package. In the package formed by bonding the work 110 in this manner, no leak occurred from the bonding surface.

【0057】以上の実施例にて示されたように、ハロゲ
ン化したワークを不活性ガス雰囲気中や真空中に保持
し、連続的に接合処理をすることにより、パッケージの
封止性能が向上することがわかった。
As shown in the above embodiments, the sealing performance of the package is improved by holding the halogenated work in an inert gas atmosphere or in a vacuum and performing the bonding process continuously. I understand.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、ハロゲン化処理した接合面は、大気中に含まれてい
る水や酸素の影響による劣化が防止される。このため、
接合面においてリークが発生することを防止でき、密着
性の高いパッケージを形成することができる。また、ハ
ロゲン化処理により接合面の接合力が強化されているた
め、融点以上に加熱する必要がなく、装置のコンパクト
化を図ることができる。
As described above, in the present invention, the joint surface subjected to the halogenation treatment is prevented from being deteriorated by the influence of water or oxygen contained in the atmosphere. For this reason,
Leakage can be prevented from occurring at the joint surface, and a package with high adhesion can be formed. In addition, since the bonding strength of the bonding surface is strengthened by the halogenation treatment, it is not necessary to heat to a temperature higher than the melting point, and the apparatus can be made more compact.

【0059】[0059]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態におけるパッケージの形成工
程を示す工程図である。
FIG. 1 is a process chart showing a package forming process in an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態におけるパッケージの形成工
程を示す工程図である。
FIG. 2 is a process chart showing a package forming process in the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施形態におけるパッケージの形成工
程を示す工程図である。
FIG. 3 is a process chart showing a package forming process in the embodiment of the present invention.

【図4】本実施形態のパッケージ形成方法を示す概念図
である。
FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating a package forming method according to the embodiment.

【図5】箱体の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a box.

【図6】箱体の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a box.

【図7】実施例における測定装置の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the measuring device in the example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20………パッケージ形成装置 22………箱体 24………上蓋 26………接合室 28………仕切り壁板 30………上部区画室 32………下部区画室 34………基板部 36………タングステン層 38………金メッキ層 40………水晶振動子 42………励振電極 44………励振電極 45………箱体加熱ヒータ 46………導電性接着剤 47………下部ガス供給口 48………導電性接着剤 49………下部ガス排出口 50………窒素 51………下部ガス排出ポンプ 52………シリンダ本体 53………昇降ロッド 54………保持具 55………ハロゲン化処理ガス 56………上蓋加熱ヒータ 58………上部ガス供給口 59………上部ガス排出口 60………上部ガス排出ポンプ 62………四フッ化炭素供給源 64………原料ガス供給管 66………開閉弁 68………分岐管 70………水保持容器 72………水 74………分岐管 76………流量制御弁 78………流量制御弁 80………放電ユニット 81………フッ化処理ガス供給管 82………窒素ガス供給源 84………供給管 85………接続管 86………開閉弁 87………開閉弁 96………制御弁 100………ハロゲン化処理手段 110………ワーク 112………テフロンビーカ 114………ハロゲン化処理溶液 115………テフロン製治具 116………支持プレート 118………支持軸 120………テフロン蓋 122………テフロン容器 20 package forming apparatus 22 box 24 top cover 26 joining chamber 28 partition wall plate 30 upper compartment 32 lower compartment 34 substrate Section 36 Tungsten layer 38 Gold plating layer 40 Crystal oscillator 42 Excitation electrode 44 Excitation electrode 45 Box heater 46 Conductive adhesive 47 Lower gas supply port 48 Conductive adhesive 49 Lower gas discharge port 50 Nitrogen 51 Lower gas discharge pump 52 Cylinder body 53 Lifting rod 54 Holder 55 Halogenated gas 56 Upper heater 58 Upper gas supply port 59 Upper gas discharge port 60 Upper gas discharge pump 62 Carbon tetrafluoride Supply source 64: Source gas supply pipe 6 ... On-off valve 68 ... Branch pipe 70 ... Water holding container 72 ... Water 74 ... Branch pipe 76 ... Flow control valve 78 ... Flow control valve 80 ... Discharge unit 81 Fluorination treatment gas supply pipe 82 Nitrogen gas supply source 84 Supply pipe 85 Connection pipe 86 On-off valve 87 On-off valve 96 Control valve 100 … Halogenating means 110… Workpiece 112… Teflon beaker 114… Halogenated solution 115… Teflon jig 116… Support plate 118… Support shaft 120… Teflon lid 122 ... Teflon container

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 相互に接合されて対象物を封入するパッ
ケージ本体部と蓋部との少なくとも一方の接合面をハロ
ゲン化処理したのち非酸化雰囲気中に保持して、パッケ
ージ本体部と蓋部とを接合することを特徴とするパッケ
ージ形成方法。
At least one joining surface of a package body and a lid, which are joined to each other and enclose an object, is halogenated, and then held in a non-oxidizing atmosphere to form a package body and a lid. A package forming method.
【請求項2】 前記ハロゲン化処理は、フッ化処理であ
ることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ形成方
法。
2. The package forming method according to claim 1, wherein the halogenating process is a fluorinating process.
【請求項3】 前記フッ化処理は、反応性フッ素系ガス
を前記接合面と接触させて行うことを特徴とする請求項
2に記載のパッケージ形成方法。
3. The package forming method according to claim 2, wherein the fluorination treatment is performed by bringing a reactive fluorine-based gas into contact with the bonding surface.
【請求項4】 前記フッ化処理は、前記接合面にフッ化
水素酸を塗布、または前記接合面をフッ化水素酸の蒸気
に晒して行うことを特徴とする請求項2に記載のパッケ
ージ形成方法。
4. The package formation according to claim 2, wherein the fluoridation treatment is performed by applying hydrofluoric acid to the bonding surface or exposing the bonding surface to hydrofluoric acid vapor. Method.
【請求項5】 前記ハロゲン化処理は、塩素化処理であ
ることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ形成方
法。
5. The package forming method according to claim 1, wherein said halogenation treatment is a chlorination treatment.
【請求項6】 前記塩素化処理は、前記接合面に塩酸を
塗布、または前記接合面を塩酸蒸気に晒して行うことを
特徴とする請求項5に記載のパッケージ形成方法。
6. The package forming method according to claim 5, wherein the chlorination treatment is performed by applying hydrochloric acid to the joint surface or exposing the joint surface to hydrochloric acid vapor.
【請求項7】 前記接合は、前記接合面を加熱して行う
ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の
パッケージ形成方法。
7. The package forming method according to claim 1, wherein the bonding is performed by heating the bonding surface.
【請求項8】 前記接合は、前記パッケージ本体部の接
合面と、前記蓋部の接合面を相互に接続して行うことを
特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のパッケ
ージ形成方法。
8. The package forming method according to claim 1, wherein the bonding is performed by connecting a bonding surface of the package body and a bonding surface of the lid to each other. .
【請求項9】 前記非酸化雰囲気は、不活性ガス雰囲気
であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに
記載のパッケージ形成方法。
9. The method according to claim 1, wherein the non-oxidizing atmosphere is an inert gas atmosphere.
【請求項10】 前記非酸化雰囲気は、真空であること
を特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載のパッ
ケージ形成方法。
10. The package forming method according to claim 1, wherein the non-oxidizing atmosphere is a vacuum.
【請求項11】 相互に接合するパッケージ本体部と蓋
部とが配置される接合処理室と、接合処理室内にハロゲ
ン化ガスを供給するハロゲン化ガス供給手段と、接合処
理室内を非酸化雰囲気にする非酸化雰囲気形成手段と、
前記パッケージ本体部と前記蓋部との接合面を相互に圧
接する加圧手段と、を有することを特徴とするパッケー
ジ形成装置。
11. A bonding processing chamber in which a package body and a lid to be bonded to each other are disposed, a halogenating gas supply unit for supplying a halogenating gas into the bonding processing chamber, and a non-oxidizing atmosphere in the bonding processing chamber. Means for forming a non-oxidizing atmosphere,
A package forming apparatus, comprising: a pressurizing unit that presses the joining surfaces of the package body and the lid to each other.
【請求項12】 前記接合処理室は、開閉自在な仕切部
材により、前記パッケージ本体部が配置される接合房
と、前記蓋部が配置されるハロゲン化房とに区画され、
前記ハロゲン化ガス供給手段は、ハロゲン化房に接続し
てなることを特徴とする請求項11に記載のパッケージ
形成装置。
12. The joining processing chamber is partitioned by an openable and closable partition member into a joining chamber in which the package body is arranged and a halogenation chamber in which the lid is arranged.
The package forming apparatus according to claim 11, wherein the halogenated gas supply means is connected to a halogenation chamber.
【請求項13】 前記接合房は前記接合処理室の下部に
形成され、前記ハロゲン化房は前記接合房の上に形成さ
れるとともに、前記加圧手段は前記ハロゲン化房に設け
られて、前記蓋部が装着されることを特徴とする請求項
12に記載のパッケージ形成装置。
13. The bonding chamber is formed below the bonding chamber, the halogenation chamber is formed above the bonding chamber, and the pressurizing means is provided in the halogenation chamber, 13. The package forming apparatus according to claim 12, wherein a lid is mounted.
【請求項14】 前記非酸化雰囲気形成手段は、前記接
合処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段
であることを特徴とする請求項11ないし13のいずれ
かに記載のパッケージ形成装置。
14. The package forming apparatus according to claim 11, wherein said non-oxidizing atmosphere forming means is an inert gas supply means for supplying an inert gas into said bonding chamber. .
【請求項15】 前記非酸化雰囲気形成手段は、前記接
合処理室内を減圧する真空ポンプであることを特徴とす
る請求項11ないし13のいずれかに記載のパッケージ
形成装置。
15. The package forming apparatus according to claim 11, wherein said non-oxidizing atmosphere forming means is a vacuum pump for reducing the pressure in said bonding chamber.
【請求項16】 前記接合処理室には、前記パッケージ
本体部と前記蓋部との少なくともいずれか一方を加熱す
る加熱手段が設けてあることを特徴とする請求項11な
いし15のいずれかに記載のパッケージ形成装置。
16. The bonding processing chamber according to claim 11, further comprising a heating unit configured to heat at least one of the package body and the lid. Package forming equipment.
JP2000173550A 2000-06-09 2000-06-09 Package forming method and apparatus Withdrawn JP2001351999A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000173550A JP2001351999A (en) 2000-06-09 2000-06-09 Package forming method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000173550A JP2001351999A (en) 2000-06-09 2000-06-09 Package forming method and apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001351999A true JP2001351999A (en) 2001-12-21

Family

ID=18675757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000173550A Withdrawn JP2001351999A (en) 2000-06-09 2000-06-09 Package forming method and apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001351999A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007013594A (en) * 2005-06-30 2007-01-18 Kyocera Kinseki Corp Method for manufacturing piezoelectric device
JP2008507132A (en) * 2004-07-15 2008-03-06 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド Method and apparatus for assembling semiconductor components
JP5107432B2 (en) * 2008-10-01 2012-12-26 パイオニア株式会社 Ultrasonic bonding apparatus and method, and sealing apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008507132A (en) * 2004-07-15 2008-03-06 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド Method and apparatus for assembling semiconductor components
JP4833972B2 (en) * 2004-07-15 2011-12-07 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド Method for assembling semiconductor components
JP2007013594A (en) * 2005-06-30 2007-01-18 Kyocera Kinseki Corp Method for manufacturing piezoelectric device
JP5107432B2 (en) * 2008-10-01 2012-12-26 パイオニア株式会社 Ultrasonic bonding apparatus and method, and sealing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1193751B1 (en) Electrode and method of manufacturing an electrode
JP4029473B2 (en) Solid bonding method and apparatus, conductor bonding method, and packaging method
EP1359610B1 (en) Substrate heating device
CN102024736A (en) Mounting table structure and processing apparatus
JP2004532932A5 (en)
TWI495019B (en) Normal temperature bonding device and normal temperature bonding method
JP2008202107A (en) Substrate processing equipment
JP2020205304A (en) Etching method and etching equipment
JP2004050267A (en) Joint body manufacturing method and joint body
JP2001351999A (en) Package forming method and apparatus
JPH0878392A (en) Plasma processing apparatus and semiconductor wafer film formation processing method
JP2000223604A (en) Method and apparatus for manufacturing vibrator device
JPS63101085A (en) Diffused joining method
US6465363B1 (en) Vacuum processing method and vacuum processing apparatus
JPH05315400A (en) Bonder for electronic circuit device
US20100170938A1 (en) System and method for solder bonding
JP2876786B2 (en) High purity atmosphere bonding method and equipment
JPWO2007013445A1 (en) Metal member processing method and metal member processing apparatus
JPWO1998049720A1 (en) Vacuum processing method and apparatus
JPH11339638A (en) Display tube and its manufacturing device
JPS62259329A (en) Fluorescent character display tube
JPH11306983A (en) Method for manufacturing plasma display panel
JPH10223620A (en) Semiconductor manufacturing equipment
JP3244945B2 (en) Liquid crystal injection method and device
JPH0774104A (en) Reactor

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070904