JP2001345554A - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents
多層配線基板及びその製造方法Info
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- JP2001345554A JP2001345554A JP2001095202A JP2001095202A JP2001345554A JP 2001345554 A JP2001345554 A JP 2001345554A JP 2001095202 A JP2001095202 A JP 2001095202A JP 2001095202 A JP2001095202 A JP 2001095202A JP 2001345554 A JP2001345554 A JP 2001345554A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁樹脂層との密着強度を有する構造物、導体
配線層線幅のばらつきを最小限にし、かつ、絶縁樹脂層
との高い接着強度を有し、局所的に導体配線層の剥離が
起こらず、かつ、耐熱性が高く、信頼性の高い多層配線
基板を提供する。 【解決手段】絶縁性基板上に少なくとも絶縁樹脂層と配
線パターンを有する導体層が形成された多層配線基板に
おいて、前記絶縁樹脂層１の配線パターンを有する導体
層２側の表面が該絶縁樹脂層と配位結合をした金属と配
位子からなる配位高分子錯体を含む下地層4とする。
配線層線幅のばらつきを最小限にし、かつ、絶縁樹脂層
との高い接着強度を有し、局所的に導体配線層の剥離が
起こらず、かつ、耐熱性が高く、信頼性の高い多層配線
基板を提供する。 【解決手段】絶縁性基板上に少なくとも絶縁樹脂層と配
線パターンを有する導体層が形成された多層配線基板に
おいて、前記絶縁樹脂層１の配線パターンを有する導体
層２側の表面が該絶縁樹脂層と配位結合をした金属と配
位子からなる配位高分子錯体を含む下地層4とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は絶縁樹脂層と配線パ
ターンを有する導体配線層を層状に形成する電気配線
板、交互に積層して形成される、いわゆる、ビルドアッ
プ法による多層配線基板に関する。
ターンを有する導体配線層を層状に形成する電気配線
板、交互に積層して形成される、いわゆる、ビルドアッ
プ法による多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器への高速化、高機能化、小型化
等の要求に対し、それに組み込まれる配線基板に対して
も高配線密度化、薄型化、小型化等の要求が高まってい
る。これらの要求に対応する一つの配線基板の構成とし
て、ビルドアップ工法配線基板が挙げられる。
等の要求に対し、それに組み込まれる配線基板に対して
も高配線密度化、薄型化、小型化等の要求が高まってい
る。これらの要求に対応する一つの配線基板の構成とし
て、ビルドアップ工法配線基板が挙げられる。
【０００３】ビルドアップ工法とは、基板上に絶縁樹脂
層と導体配線層とを交互に積み上げていく方式であり、
例えば、特開平４−１４８５９０号公報に記載されてい
る。この工法にて作製された多層配線基板の絶縁樹脂層
は、従来の多層配線基板の絶縁樹脂層のように、ガラス
クロスなどの芯材を使用せず、感光性樹脂組成物あるい
は熱硬化樹脂組成物を絶縁性基板上に塗布し、硬化させ
ることにより形成される。導体配線はめっきで形成され
る。このため、従来の多層配線板に比べ、高配線密度
化、薄型化、小型化を図ることができる。
層と導体配線層とを交互に積み上げていく方式であり、
例えば、特開平４−１４８５９０号公報に記載されてい
る。この工法にて作製された多層配線基板の絶縁樹脂層
は、従来の多層配線基板の絶縁樹脂層のように、ガラス
クロスなどの芯材を使用せず、感光性樹脂組成物あるい
は熱硬化樹脂組成物を絶縁性基板上に塗布し、硬化させ
ることにより形成される。導体配線はめっきで形成され
る。このため、従来の多層配線板に比べ、高配線密度
化、薄型化、小型化を図ることができる。
【０００４】上下導体配線層の導通は、樹脂組成物の感
光性を利用してフォトリソグラフィーによる微細な孔を
形成し、同様に、めっきにて行うことができる。この孔
内配線をビアホールと呼ぶ。
光性を利用してフォトリソグラフィーによる微細な孔を
形成し、同様に、めっきにて行うことができる。この孔
内配線をビアホールと呼ぶ。
【０００５】従来の多層配線基板の導通方法であるスル
ーホールではその系は３００μｍが限界であったのに対
し、ビルドアップ工法のうち、フォトリソグラフィーに
よるビアホール径は１００μｍ以下、また、レーザ加工
では５０μｍ以下も可能となる。このことは、導体配線
面のランド径を小さくすることができることを意味し、
配線の高密度化を図ることができる。
ーホールではその系は３００μｍが限界であったのに対
し、ビルドアップ工法のうち、フォトリソグラフィーに
よるビアホール径は１００μｍ以下、また、レーザ加工
では５０μｍ以下も可能となる。このことは、導体配線
面のランド径を小さくすることができることを意味し、
配線の高密度化を図ることができる。
【０００６】また、発熱量の大きい半導体集積素子を搭
載するには、耐熱性の高い多層配線基板が必要になる。
ここでは、主に、セラミック多層配線基板上にビルドア
ップ工法で絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積みあげ
られたものが用いられる。絶縁樹脂層には、耐熱性が高
い、ポリイミドが用いられる。ポリイミドには感光性を
有するタイプと感光性のないタイプ、両方が用いられ
る。
載するには、耐熱性の高い多層配線基板が必要になる。
ここでは、主に、セラミック多層配線基板上にビルドア
ップ工法で絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積みあげ
られたものが用いられる。絶縁樹脂層には、耐熱性が高
い、ポリイミドが用いられる。ポリイミドには感光性を
有するタイプと感光性のないタイプ、両方が用いられ
る。
【０００７】近年、電気信号の高速化に対応するため、
絶縁樹脂層に対し低誘電率化の要求が高まっている。こ
のため、誘電率３．０を切る高分子材料の開発が進めら
れている。この中で、フッ素化ポリイミドの適応が考え
られている。この材料は、ポリイミドに導入されたフッ
素原子により、誘電率３．０を切り、同時に低吸水性を
示す。また、ポリイミド骨格を有するので耐熱性も高
く、ガラス転移温度は３００℃以上である。特開平７−
１０６７２４号公報ではフッ素化ポリイミドを絶縁樹脂
層に用いたマルチチップモジュールが開示されている。
絶縁樹脂層に対し低誘電率化の要求が高まっている。こ
のため、誘電率３．０を切る高分子材料の開発が進めら
れている。この中で、フッ素化ポリイミドの適応が考え
られている。この材料は、ポリイミドに導入されたフッ
素原子により、誘電率３．０を切り、同時に低吸水性を
示す。また、ポリイミド骨格を有するので耐熱性も高
く、ガラス転移温度は３００℃以上である。特開平７−
１０６７２４号公報ではフッ素化ポリイミドを絶縁樹脂
層に用いたマルチチップモジュールが開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ビルドアッ
プ工法における導体配線層は、上記絶縁樹脂層上に無電
解めっきによって形成される。一般的に、絶縁樹脂層上
の無電解めっき層の接着力は低い。特に、高密度配線の
要求により、その幅は５０μｍ以下になり、ますます接
着力は低くなる傾向にある。接着力の低下は製品の信頼
性に大きく影響を与える。
プ工法における導体配線層は、上記絶縁樹脂層上に無電
解めっきによって形成される。一般的に、絶縁樹脂層上
の無電解めっき層の接着力は低い。特に、高密度配線の
要求により、その幅は５０μｍ以下になり、ますます接
着力は低くなる傾向にある。接着力の低下は製品の信頼
性に大きく影響を与える。
【０００９】絶縁樹脂層上の無電解めっき膜の接着力の
向上のためのめっき前処理として、過マンガン酸塩や重
クロム酸塩などの酸化処理が行われている。この方法
は、酸化分解による表面の粗面化、ならびに、絶縁樹脂
表面に酸素原子が導入され、極性基が導入されることに
より、めっき液の濡れ性向上、めっき金属との結合性が
付与され接着力が向上すると考えられている。
向上のためのめっき前処理として、過マンガン酸塩や重
クロム酸塩などの酸化処理が行われている。この方法
は、酸化分解による表面の粗面化、ならびに、絶縁樹脂
表面に酸素原子が導入され、極性基が導入されることに
より、めっき液の濡れ性向上、めっき金属との結合性が
付与され接着力が向上すると考えられている。
【００１０】しかしながら、過マンガン酸塩や重クロム
酸塩などの酸化反応は、グリシジル基とか炭素・炭素二
重結合部など限られた基でしか起こらず、極性基の形成
は絶縁樹脂の構造によって左右される。
酸塩などの酸化反応は、グリシジル基とか炭素・炭素二
重結合部など限られた基でしか起こらず、極性基の形成
は絶縁樹脂の構造によって左右される。
【００１１】信頼性のあるめっき接着強度の目安は、９
０°引き剥がし強度で１０００ｇ／ｃｍであると言われ
ている。絶縁樹脂層として一般的なエポキシ樹脂系の場
合、上記酸化反応は比較的起こりやすいと推定される
が、それでも、めっき接着強度は５００ｇ／ｃｍであ
る。したがって、接着強度のさらなる向上が必要とな
る。
０°引き剥がし強度で１０００ｇ／ｃｍであると言われ
ている。絶縁樹脂層として一般的なエポキシ樹脂系の場
合、上記酸化反応は比較的起こりやすいと推定される
が、それでも、めっき接着強度は５００ｇ／ｃｍであ
る。したがって、接着強度のさらなる向上が必要とな
る。
【００１２】一方、ポリイミド樹脂では、過マンガン酸
塩や重クロム酸塩などの酸化剤による処理を行っても、
ベンゼン環が部分的に酸化されるのみで、粗面化もほと
んどされず、めっき接着強度は１００ｇ／ｃｍにも満た
ない。また、フッ素化ポリイミドでは、表面エネルギー
がさらに低いためめっき強度はほとんどゼロに等しい。
これらの樹脂に対しても、同様に接着強度のさらなる向
上が必要となる。
塩や重クロム酸塩などの酸化剤による処理を行っても、
ベンゼン環が部分的に酸化されるのみで、粗面化もほと
んどされず、めっき接着強度は１００ｇ／ｃｍにも満た
ない。また、フッ素化ポリイミドでは、表面エネルギー
がさらに低いためめっき強度はほとんどゼロに等しい。
これらの樹脂に対しても、同様に接着強度のさらなる向
上が必要となる。
【００１３】このため、絶縁樹脂層上の無電解めっき膜
のさらなる接着向上についてはさまざまな技術が開示さ
れているが、その多くは、より大きなアンカー形成用凹
部を設けることについて述べられている。たとえば、特
開平２−１８８９９２号公報では、酸化剤に対して難溶
性の耐熱樹脂中に、酸化剤に可溶な平均粒径２〜１０μ
ｍの耐熱性樹脂粒子と平均粒径２μｍの耐熱性樹脂粒子
の混合物を、あるいは、平均粒径２〜１０μｍの耐熱性
樹脂粒子と平均粒径２μｍの耐熱性樹脂粒子の疑似粒子
を混合することにより、酸化剤処理後の絶縁樹脂層にア
ンカー形成用の凹部を設け、めっき膜の接着強度向上が
図られている。
のさらなる接着向上についてはさまざまな技術が開示さ
れているが、その多くは、より大きなアンカー形成用凹
部を設けることについて述べられている。たとえば、特
開平２−１８８９９２号公報では、酸化剤に対して難溶
性の耐熱樹脂中に、酸化剤に可溶な平均粒径２〜１０μ
ｍの耐熱性樹脂粒子と平均粒径２μｍの耐熱性樹脂粒子
の混合物を、あるいは、平均粒径２〜１０μｍの耐熱性
樹脂粒子と平均粒径２μｍの耐熱性樹脂粒子の疑似粒子
を混合することにより、酸化剤処理後の絶縁樹脂層にア
ンカー形成用の凹部を設け、めっき膜の接着強度向上が
図られている。
【００１４】しかしながら、この技術ではアンカーとな
るべき凹部が大きすぎ、凹部に配線端部がかかってしま
う場合、配線の直線性が失われるという問題が起こる。
すなわち、エッチングによる導体配線層形成方法である
サブトラクティブ法においては、めっきによって析出し
た凹部内部金属のエッチング残りが発生する。また、め
っきにて導体配線層を形成するアディティブ法において
は、凹部へのめっきレジストの被覆が不完全になり、凹
部内部にめっき金属が析出してしまう。このため、導体
配線層の直線性が失われる。特に、５０μｍ程度、ある
いは、それ以下の線幅の要求に対し、線幅のばらつきは
無視できなくなり、高速信号波形の歪みを引き起こす原
因となる。
るべき凹部が大きすぎ、凹部に配線端部がかかってしま
う場合、配線の直線性が失われるという問題が起こる。
すなわち、エッチングによる導体配線層形成方法である
サブトラクティブ法においては、めっきによって析出し
た凹部内部金属のエッチング残りが発生する。また、め
っきにて導体配線層を形成するアディティブ法において
は、凹部へのめっきレジストの被覆が不完全になり、凹
部内部にめっき金属が析出してしまう。このため、導体
配線層の直線性が失われる。特に、５０μｍ程度、ある
いは、それ以下の線幅の要求に対し、線幅のばらつきは
無視できなくなり、高速信号波形の歪みを引き起こす原
因となる。
【００１５】また、上記の凹部の形状が複雑であるた
め、めっき金属と絶縁樹脂間に空気層を形成しやすく、
めっき膜の接着強度が高いにも関わらず、後プロセスの
熱履歴により空気層の膨張が起こり、局所的に導体配線
層が剥離を起こすといった問題があった。
め、めっき金属と絶縁樹脂間に空気層を形成しやすく、
めっき膜の接着強度が高いにも関わらず、後プロセスの
熱履歴により空気層の膨張が起こり、局所的に導体配線
層が剥離を起こすといった問題があった。
【００１６】一方、アンカーを使わない方法としては、
「縄舟ら、エレクトロニクス実装学会誌、ｖｏｌ２、Ｎ
ｏ．５、ｐ３９０，１９９９年」において、ポリイミド
樹脂表面にアルカリ処理を行い、一部のイミド環を開環
して、カルボン酸を形成した後、銅イオンをカルボキシ
ル基に配位させ、その後、還元処理を行い、金属銅を樹
脂表面上に析出させる方法の提案を行っている。
「縄舟ら、エレクトロニクス実装学会誌、ｖｏｌ２、Ｎ
ｏ．５、ｐ３９０，１９９９年」において、ポリイミド
樹脂表面にアルカリ処理を行い、一部のイミド環を開環
して、カルボン酸を形成した後、銅イオンをカルボキシ
ル基に配位させ、その後、還元処理を行い、金属銅を樹
脂表面上に析出させる方法の提案を行っている。
【００１７】しかし、この方法では、イミド開環部がポ
リイミド表面に限られてしまい、このため、めっき金属
との配位点が多くなく、めっき接着強度が充分に取れな
いという問題がある。あるいは、配位基の種類がイミド
開環により形成されたカルボキシル基及びアミド基に限
られてしまい、金属と相互作用があまり強くないという
問題点がある。
リイミド表面に限られてしまい、このため、めっき金属
との配位点が多くなく、めっき接着強度が充分に取れな
いという問題がある。あるいは、配位基の種類がイミド
開環により形成されたカルボキシル基及びアミド基に限
られてしまい、金属と相互作用があまり強くないという
問題点がある。
【００１８】本発明では、上記問題を解決すべく、導体
配線層線幅のばらつきを最小限にし、かつ、絶縁樹脂と
の高い接着強度を有し、局所的な導体配線層の剥離を起
こさず、かつ、耐熱性が高く、信頼性の高い多層配線基
板を提供するものである。
配線層線幅のばらつきを最小限にし、かつ、絶縁樹脂と
の高い接着強度を有し、局所的な導体配線層の剥離を起
こさず、かつ、耐熱性が高く、信頼性の高い多層配線基
板を提供するものである。
【００１９】
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
導体配線層、下地層、絶縁樹脂層間の断面図を図１〜５
に示す。なお、下地層とは、絶縁樹脂層と導体配線層と
の間に設けられた層をいう。
導体配線層、下地層、絶縁樹脂層間の断面図を図１〜５
に示す。なお、下地層とは、絶縁樹脂層と導体配線層と
の間に設けられた層をいう。
【００２１】図１のように、多層配線基板の絶縁樹脂層
１表面の絶縁樹脂層に由来する第一の配位子と化学的配
位結合を有する配位高分子錯体を形成することで、配線
パターンを有する導体配線層２との接着強度の高い下地
層４を形成させる。
１表面の絶縁樹脂層に由来する第一の配位子と化学的配
位結合を有する配位高分子錯体を形成することで、配線
パターンを有する導体配線層２との接着強度の高い下地
層４を形成させる。
【００２２】あるいは図２のように、多層配線基板の絶
縁樹脂層１表面の第一の配位子と化学的配位結合を有す
る配位高分子錯体を形成することで配線パターンを有す
る導体配線層２との接着強度の高い下地層４を形成さ
せ、さらに、その下地層４である配位高分子錯体に導電
性を付与することにより、無電解めっきの工程を省くこ
とができる。
縁樹脂層１表面の第一の配位子と化学的配位結合を有す
る配位高分子錯体を形成することで配線パターンを有す
る導体配線層２との接着強度の高い下地層４を形成さ
せ、さらに、その下地層４である配位高分子錯体に導電
性を付与することにより、無電解めっきの工程を省くこ
とができる。
【００２３】もしくは図３のように、多層配線基板の絶
縁樹脂層１表面の第一の配位子に第三の配位子を結合さ
せ、第三の配位子に金属を作用させて導体配線層２を形
成する。
縁樹脂層１表面の第一の配位子に第三の配位子を結合さ
せ、第三の配位子に金属を作用させて導体配線層２を形
成する。
【００２４】または図４のように、多層配線基板の絶縁
樹脂層１表面の第一の配位子に第三の配位子を結合さ
せ、第三の配位子と化学的配位結合を有する配位高分子
錯体を形成することで配線パターンを有する導体配線層
２との接着強度の高い下地層４を形成させる。
樹脂層１表面の第一の配位子に第三の配位子を結合さ
せ、第三の配位子と化学的配位結合を有する配位高分子
錯体を形成することで配線パターンを有する導体配線層
２との接着強度の高い下地層４を形成させる。
【００２５】または図５のように多層配線基板の絶縁樹
脂層１表面の第一の配位子に第三の配位を複数個有する
ポリマーを結合させ、第三の配位子に金属を作用させて
導体配線層２を形成させる。
脂層１表面の第一の配位子に第三の配位を複数個有する
ポリマーを結合させ、第三の配位子に金属を作用させて
導体配線層２を形成させる。
【００２６】もしくは図６のように多層配線基板の絶縁
樹脂層１表面の第一の配位子に第三の配位を複数個有す
るポリマーを結合させ、第三の配位子と化学的配位結合
を有する配位高分子錯体を形成することで配線パターン
を有する導体配線層２との接着強度の高い下地層４を形
成させる。
樹脂層１表面の第一の配位子に第三の配位を複数個有す
るポリマーを結合させ、第三の配位子と化学的配位結合
を有する配位高分子錯体を形成することで配線パターン
を有する導体配線層２との接着強度の高い下地層４を形
成させる。
【００２７】ここで言う多層配線基板とは電気配線基
板、電気光配線基板等、一般的に絶縁樹脂層と導体配線
層が交互に積層された構造を持つ基板のことを示してい
る。
板、電気光配線基板等、一般的に絶縁樹脂層と導体配線
層が交互に積層された構造を持つ基板のことを示してい
る。
【００２８】絶縁樹脂層に由来する第一の配位子とは、
絶縁樹脂層を構成していた原子団が化学反応により配位
子に変化したものである。例えば、ポリイミドの場合、
イミド環が開環して得られるカルボキシル基、アミド基
が挙げられる。
絶縁樹脂層を構成していた原子団が化学反応により配位
子に変化したものである。例えば、ポリイミドの場合、
イミド環が開環して得られるカルボキシル基、アミド基
が挙げられる。
【００２９】下地層を形成する第二の配位子を有する化
合物としては耐熱性が高く、主鎖に芳香族環や複素環を
有し、かつ、金属と２カ所以上配位する能力のある配位
子を有する化合物を用いる。芳香族環としてはベンゼン
環、ナフタレン環、複素環としてはピリジン、ピラジ
ン、ピリミジン等があげられる。例えば、４，４′−ビ
ピリジンを用いる。
合物としては耐熱性が高く、主鎖に芳香族環や複素環を
有し、かつ、金属と２カ所以上配位する能力のある配位
子を有する化合物を用いる。芳香族環としてはベンゼン
環、ナフタレン環、複素環としてはピリジン、ピラジ
ン、ピリミジン等があげられる。例えば、４，４′−ビ
ピリジンを用いる。
【００３０】絶縁樹脂層に由来しない第三の配位子と
は、配位子を構成する原子が全て絶縁樹脂層の外部から
与えられたものである。例えば、アミノ基、アミド基、
アジド基、アゾ基、ジアゾ基、シアノ基、イソシアン
基、シアナト基、チオシアナト基、エピイミノ基、ヒド
ロキシイミノ基、ピリジル基等の窒素原子を含む化合
物、例えば、イソシアノナト基、エポキシ基、エピジオ
キシ基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトロソ基、
ヒドロキシ基等の酸素原子を含む化合物、例えば、イソ
チオシアノナト基、エピチオ基、エピジチオ基、ジチオ
基、ジチオカルボキシ基、チオ基、チオカルボニル基、
チオキソ基、メルカプト基等の硫黄原子を含む化合物、
例えば、ホスフィノ基、ホスホロ基、ホスホソ基等のリ
ン原子を含む化合物、例えば、クロル基、フロル基、ブ
ロム基のハロゲン原子を含む化合物、ヨード基を含む化
合物を用いることができる。
は、配位子を構成する原子が全て絶縁樹脂層の外部から
与えられたものである。例えば、アミノ基、アミド基、
アジド基、アゾ基、ジアゾ基、シアノ基、イソシアン
基、シアナト基、チオシアナト基、エピイミノ基、ヒド
ロキシイミノ基、ピリジル基等の窒素原子を含む化合
物、例えば、イソシアノナト基、エポキシ基、エピジオ
キシ基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトロソ基、
ヒドロキシ基等の酸素原子を含む化合物、例えば、イソ
チオシアノナト基、エピチオ基、エピジチオ基、ジチオ
基、ジチオカルボキシ基、チオ基、チオカルボニル基、
チオキソ基、メルカプト基等の硫黄原子を含む化合物、
例えば、ホスフィノ基、ホスホロ基、ホスホソ基等のリ
ン原子を含む化合物、例えば、クロル基、フロル基、ブ
ロム基のハロゲン原子を含む化合物、ヨード基を含む化
合物を用いることができる。
【００３１】下地層を形成する配位高分子錯体の金属５
としては、第３周期、第４周期、第５周期のいずれの金
属でもよいが、特に６配位、５配位、４配位と複数箇所
で配位子と配位できる能力のある金属が挙げられる。例
えば、さまざまな配位様式を持つ銅原子やパラジウム、
主に平面４配位をとる白金などが挙げられる。
としては、第３周期、第４周期、第５周期のいずれの金
属でもよいが、特に６配位、５配位、４配位と複数箇所
で配位子と配位できる能力のある金属が挙げられる。例
えば、さまざまな配位様式を持つ銅原子やパラジウム、
主に平面４配位をとる白金などが挙げられる。
【００３２】下地層を形成する配位高分子錯体として
は、例えば、[[Cu(SO4)(C5H4N)2]]ｎ化合物、｛[Cu(SiF
6)(C5H4N)2]｝n化合物、｛K2[Pt(CN)4]｝n化合物等がこ
れに当てはまる。
は、例えば、[[Cu(SO4)(C5H4N)2]]ｎ化合物、｛[Cu(SiF
6)(C5H4N)2]｝n化合物、｛K2[Pt(CN)4]｝n化合物等がこ
れに当てはまる。
【００３３】導体配線層との接着強度は、この下地層中
の配位子との配位結合により高められる。
の配位子との配位結合により高められる。
【００３４】本発明によれば、導体配線層２が結合の強
固な下地層及び／または第三の配位子を介して絶縁樹脂
層１と結合するため、層間剥離が発生しない。また、絶
縁樹脂層の構成樹脂のみと化学的配位結合をするため、
ビアホール孔を形成した後に下地層を形成することがで
き、ビアホール孔側のめっき強度の向上も図れる。
固な下地層及び／または第三の配位子を介して絶縁樹脂
層１と結合するため、層間剥離が発生しない。また、絶
縁樹脂層の構成樹脂のみと化学的配位結合をするため、
ビアホール孔を形成した後に下地層を形成することがで
き、ビアホール孔側のめっき強度の向上も図れる。
【００３５】本発明においては、絶縁樹脂層に光導波路
を形成することで、光配線層と導体配線層を交互に積層
して形成される光・電気配線基板に応用できる。
を形成することで、光配線層と導体配線層を交互に積層
して形成される光・電気配線基板に応用できる。
【００３６】
【実施例】〈実施例１〉絶縁性基板として、あらかじ
め、熱処理により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポ
リイミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコ
ーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分に
て乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁
樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであっ
た。この基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポ
リイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の
配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入さ
せた。
め、熱処理により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポ
リイミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコ
ーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分に
て乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁
樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであっ
た。この基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポ
リイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の
配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入さ
せた。
【００３７】さらに、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００３８】次いで、１モルの４，４′−ビピリジンを
含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた
後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビ
ピリジンを銅原子上に配位させた。
含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた
後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビ
ピリジンを銅原子上に配位させた。
【００３９】上記硫酸銅水溶液に浸漬する工程以降を複
数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配
位高分子錯体を形成した。
数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配
位高分子錯体を形成した。
【００４０】めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成
した。
した。
【００４１】〈実施例２〉絶縁性基板としてガラス基板
上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰ
Ｉ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍ
で塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０
分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂
層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミ
ドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子
であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰ
Ｉ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍ
で塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０
分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂
層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミ
ドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子
であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
【００４２】さらに、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００４３】次いで、１モルの４，４′−ビピリジンを
含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた
後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビ
ピリジンを銅原子上に配位させた。
含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた
後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビ
ピリジンを銅原子上に配位させた。
【００４４】上記硫酸銅水溶液に浸漬する工程以降を複
数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配
位高分子錯体を形成した。
数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配
位高分子錯体を形成した。
【００４５】めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成
した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線
層を形成した。
した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線
層を形成した。
【００４６】〈実施例３〉絶縁性基板として、あらかじ
め、熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポ
リイミド（宇部興産社製ユピコート）をスピンコーター
にて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾燥
を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁樹脂層
を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。こ
の基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミ
ドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子
であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入させた。
め、熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポ
リイミド（宇部興産社製ユピコート）をスピンコーター
にて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾燥
を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁樹脂層
を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。こ
の基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミ
ドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子
であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入させた。
【００４７】さらに、１モルのスルファミドを含むピリ
ジン溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を
取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配
位子であるアミド基を導入した。
ジン溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を
取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配
位子であるアミド基を導入した。
【００４８】次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位さた。
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位さた。
【００４９】めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成
した。
した。
【００５０】〈実施例４〉絶縁性基板としてガラス基板
上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰ
Ｉ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍ
で塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０
分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂
層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミ
ドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子
であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰ
Ｉ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍ
で塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０
分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂
層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミ
ドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子
であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
【００５１】さらに、１モルのスルファミドを含むピリ
ジン溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を
取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配
位子であるアミド基を導入した。
ジン溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を
取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配
位子であるアミド基を導入した。
【００５２】次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００５３】めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成
した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線
層を形成した。
した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線
層を形成した。
【００５４】〈実施例５〉絶縁性基板として、あらかじ
め、熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポ
リイミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコ
ーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分に
て乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁
樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであっ
た。この基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポ
リイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の
配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入さ
せた。
め、熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポ
リイミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコ
ーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分に
て乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁
樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであっ
た。この基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポ
リイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の
配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入さ
せた。
【００５５】さらに、１モルのスルファミドを含むピリ
ジン溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を
取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配
位子であるアミド基を導入した。
ジン溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を
取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配
位子であるアミド基を導入した。
【００５６】次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００５７】さらに、１モルの４，４′−ビピリジンを
含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた
後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビ
ピリジンを銅原子上に配位させた。
含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた
後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビ
ピリジンを銅原子上に配位させた。
【００５８】上記硫酸銅水溶液に浸漬する工程以降を複
数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配
位高分子錯体を形成した。
数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配
位高分子錯体を形成した。
【００５９】めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成
した。
した。
【００６０】〈実施例６〉絶縁性基板としてガラス基板
上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰ
Ｉ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍ
で塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０
分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂
層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミ
ドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子
であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰ
Ｉ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍ
で塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０
分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂
層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミ
ドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子
であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
【００６１】さらに、１モルのスルファミドを含むピリ
ジン溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を
取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配
位子であるアミド基を導入した。
ジン溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を
取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配
位子であるアミド基を導入した。
【００６２】次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００６３】さらに、１モルの４，４′−ビピリジンを
含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた
後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビ
ピリジンを銅原子上に配位させた。
含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた
後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビ
ピリジンを銅原子上に配位させた。
【００６４】上記硫酸銅水溶液に浸漬する工程以降を複
数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配
位高分子錯体を形成した。
数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配
位高分子錯体を形成した。
【００６５】めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成
した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線
層を形成した。
した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線
層を形成した。
【００６６】〈実施例７〉絶縁性基板として、あらかじ
め、熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポ
リイミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコ
ーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分に
て乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁
樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであっ
た。この基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポ
リイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の
配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入さ
せた。
め、熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポ
リイミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコ
ーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分に
て乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁
樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであっ
た。この基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポ
リイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の
配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入さ
せた。
【００６７】さらに、５０ｍモルのベンゾフェノンを含
むアセトン溶液に１分浸漬させた後、基板を取り出し乾
燥して、表面にラジカル発生剤であるベンゾフェノンを
吸着させた。
むアセトン溶液に１分浸漬させた後、基板を取り出し乾
燥して、表面にラジカル発生剤であるベンゾフェノンを
吸着させた。
【００６８】次に、１モルのメタクリルアミド水溶液中
に、上記基板を１時間浸漬させながら、ＵＶを照射して
ラジカル反応を発生させ、第三の配位子であるアミド基
を有するモノマーを重合させた。
に、上記基板を１時間浸漬させながら、ＵＶを照射して
ラジカル反応を発生させ、第三の配位子であるアミド基
を有するモノマーを重合させた。
【００６９】次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００７０】めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成
した。
した。
【００７１】〈実施例８〉絶縁性基板としてガラス基板
上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰ
Ｉ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍ
で塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０
分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂
層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミ
ドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子
であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰ
Ｉ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍ
で塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０
分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂
層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミ
ドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子
であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
【００７２】さらに、５０ｍモルのベンゾフェノンを含
むアセトン溶液に１分浸漬させた後、基板を取り出し乾
燥して、ラジカル発生剤であるベンゾフェノンを吸着さ
せた。
むアセトン溶液に１分浸漬させた後、基板を取り出し乾
燥して、ラジカル発生剤であるベンゾフェノンを吸着さ
せた。
【００７３】次に、１モルのメタクリルアミド水溶液中
に、上記基板を１時間浸漬させながら、ＵＶを照射して
ラジカルを発生させ、第三の配位子であるアミド基を有
するモノマーを重合させた。
に、上記基板を１時間浸漬させながら、ＵＶを照射して
ラジカルを発生させ、第三の配位子であるアミド基を有
するモノマーを重合させた。
【００７４】次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００７５】めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成
した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線
層を形成した。
した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線
層を形成した。
【００７６】〈実施例９〉絶縁性基板として、あらかじ
め、絶縁処理を加えたシリコン基板上にポリイミド（宇
部興産社製商品名ユピコート）をスピンコーターにて１
０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾燥を行
い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁樹脂層を形
成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。この基
板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを
開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であ
るカルボキシル基、及び、アミド基を導入させた。
め、絶縁処理を加えたシリコン基板上にポリイミド（宇
部興産社製商品名ユピコート）をスピンコーターにて１
０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾燥を行
い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁樹脂層を形
成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。この基
板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを
開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であ
るカルボキシル基、及び、アミド基を導入させた。
【００７７】さらに、５０ｍモルのベンゾフェノンを含
むアセトン溶液に、１分浸漬させた後、基板を取り出し
乾燥して、ラジカル発生剤であるベンゾフェノンを吸着
させた。
むアセトン溶液に、１分浸漬させた後、基板を取り出し
乾燥して、ラジカル発生剤であるベンゾフェノンを吸着
させた。
【００７８】次に、１モルのメタクリルアミド水溶液中
に、上記基板を１時間浸漬させながら、ＵＶを照射して
ラジカルを発生させ、第三の配位子であるアミド基を有
するモノマーを重合させた。
に、上記基板を１時間浸漬させながら、ＵＶを照射して
ラジカルを発生させ、第三の配位子であるアミド基を有
するモノマーを重合させた。
【００７９】次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００８０】さらに、１モルの４，４′−ビピリジンを
含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた
後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビ
ピリジンを銅原子上に配位させた。
含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた
後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビ
ピリジンを銅原子上に配位させた。
【００８１】上記硫酸銅水溶液に浸漬する工程を複数回
繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配位高
分子錯体を形成した。
繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配位高
分子錯体を形成した。
【００８２】めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成
した。
した。
【００８３】〈実施例１０〉絶縁性基板としてガラス基
板上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名Ｏ
ＰＩ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐ
ｍで塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３
０分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹
脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであっ
た。この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリ
イミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配
位子であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
板上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名Ｏ
ＰＩ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐ
ｍで塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３
０分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹
脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであっ
た。この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリ
イミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配
位子であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
【００８４】さらに、５０ｍモルのベンゾフェノンを含
むアセトン溶液に１分浸漬させた後、基板を取り出し乾
燥して、ラジカル発生剤であるベンゾフェノンを吸着さ
せた。
むアセトン溶液に１分浸漬させた後、基板を取り出し乾
燥して、ラジカル発生剤であるベンゾフェノンを吸着さ
せた。
【００８５】次に、１モルのメタクリルアミド水溶液中
に、上記基板を１時間浸漬させながら、ＵＶを照射して
ラジカルを発生させ、第三の配位子であるアミド基を有
するモノマーを重合させた。
に、上記基板を１時間浸漬させながら、ＵＶを照射して
ラジカルを発生させ、第三の配位子であるアミド基を有
するモノマーを重合させた。
【００８６】次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅
を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００８７】さらに、１モルの４，４′−ビピリジンを
含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた
後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビ
ピリジンを銅原子上に配位させた。
含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた
後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビ
ピリジンを銅原子上に配位させた。
【００８８】上記硫酸銅水溶液に浸漬する工程を複数回
繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配位高
分子錯体を形成した。
繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配位高
分子錯体を形成した。
【００８９】めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成
した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線
層を形成した。
した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線
層を形成した。
【００９０】〈比較例１〉絶縁性基板として、あらかじ
め熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポリ
イミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコー
タにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾
燥を行い、さらに、１８０℃１時間で硬化して絶縁樹脂
層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
め熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポリ
イミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコー
タにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾
燥を行い、さらに、１８０℃１時間で硬化して絶縁樹脂
層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
【００９１】上記絶縁樹脂表面を５０℃に加熱した過マ
ンガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム
（２０ｇ／ｌ）水溶液中にて酸化処理した。この上に、
無電解めっき、電解めっきにて２０μｍ厚の導体配線層
を形成した。
ンガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム
（２０ｇ／ｌ）水溶液中にて酸化処理した。この上に、
無電解めっき、電解めっきにて２０μｍ厚の導体配線層
を形成した。
【００９２】〈比較例２〉絶縁樹脂としてセラミック基
板上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名Ｏ
ＰＩ−Ｎ１００５）をスピンコータにて１０００ｒｐｍ
で塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０
分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂
層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
板上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名Ｏ
ＰＩ−Ｎ１００５）をスピンコータにて１０００ｒｐｍ
で塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０
分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂
層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
【００９３】上記絶縁樹脂表面を５０℃に加熱した過マ
ンガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム
（２０ｇ／ｌ）水溶液中にて酸化処理した。この上に、
無電解めっき、電解めっきにて２０μｍ厚の導体配線層
を形成した。
ンガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム
（２０ｇ／ｌ）水溶液中にて酸化処理した。この上に、
無電解めっき、電解めっきにて２０μｍ厚の導体配線層
を形成した。
【００９４】〈めっき接着強度評価〉実施例１、実施例
２、実施例３、実施例４、実施例５、実施例６、実施例
７、実施例８、実施例９、実施例１０、比較例１、比較
例２で得られた各めっき導体配線層をフォトエッチング
プロセスにより幅１０ｍｍ、長さ７０ｍｍにパターン加
工し、めっき接着強度測定用サンプルを作製した。めっ
き接着強度の測定はＪＩＳ−Ｃ６４８１に基づいて行っ
た。すなわち、基板を固定し、引き剥がしためっき金属
の一端を引っ張り試験器のチャックに固定し、基板に対
して９０°方向の引き剥がし強度を測定したところ、実
施例１、実施例２、実施例３、実施例４、実施例５、実
施例６、実施例７、実施例８、実施例９、実施例１０、
の基板については１０００ｇ／ｃｍ以上の安定な接着強
度を示した。一方、比較例１，２の基板については１０
０ｇ／ｃｍ以上であった。
２、実施例３、実施例４、実施例５、実施例６、実施例
７、実施例８、実施例９、実施例１０、比較例１、比較
例２で得られた各めっき導体配線層をフォトエッチング
プロセスにより幅１０ｍｍ、長さ７０ｍｍにパターン加
工し、めっき接着強度測定用サンプルを作製した。めっ
き接着強度の測定はＪＩＳ−Ｃ６４８１に基づいて行っ
た。すなわち、基板を固定し、引き剥がしためっき金属
の一端を引っ張り試験器のチャックに固定し、基板に対
して９０°方向の引き剥がし強度を測定したところ、実
施例１、実施例２、実施例３、実施例４、実施例５、実
施例６、実施例７、実施例８、実施例９、実施例１０、
の基板については１０００ｇ／ｃｍ以上の安定な接着強
度を示した。一方、比較例１，２の基板については１０
０ｇ／ｃｍ以上であった。
【００９５】また、実施例３、実施例４、実施例５、実
施例６において、スルフィドの替わりに、２−アミノピ
リミジン、１−アミノ−４−（２−ヒドロキシエチル）
ピペラジン、４−アミノチオフェノール、トリフェニル
ホスフィン、ヨウ素を用いて同様に実施したところ同様
な効果が見られた。
施例６において、スルフィドの替わりに、２−アミノピ
リミジン、１−アミノ−４−（２−ヒドロキシエチル）
ピペラジン、４−アミノチオフェノール、トリフェニル
ホスフィン、ヨウ素を用いて同様に実施したところ同様
な効果が見られた。
【００９６】〈多層配線基板製造方法の実施形態例〉多
層配線基板製造方法の実施形態例を図７、図８にて説明
する。基板表面を酸化処理した０．５ｍｍ厚のシリコン
基板９上に、感光性を有する絶縁樹脂フォトニース（東
レ社製）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布
し、８０℃、６０分、乾燥を行い、さらに、１８０℃、
３０分、２５０℃、３０分、４００℃、１時間でイミド
化を行い、約２０μｍ厚の絶縁樹脂層１を形成した（図
７（Ａ）参照）。
層配線基板製造方法の実施形態例を図７、図８にて説明
する。基板表面を酸化処理した０．５ｍｍ厚のシリコン
基板９上に、感光性を有する絶縁樹脂フォトニース（東
レ社製）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布
し、８０℃、６０分、乾燥を行い、さらに、１８０℃、
３０分、２５０℃、３０分、４００℃、１時間でイミド
化を行い、約２０μｍ厚の絶縁樹脂層１を形成した（図
７（Ａ）参照）。
【００９７】次いで、上記の実施例１〜１０の様に絶縁
樹脂層上に下地層４を形成した（図７（Ｂ）参照）。
樹脂層上に下地層４を形成した（図７（Ｂ）参照）。
【００９８】めっきにて２０μｍ厚の導体配線層２を形
成した（図７（Ｃ）参照）。
成した（図７（Ｃ）参照）。
【００９９】次に、導体配線層状にフォトレジストを塗
布し露光、現像を行いエッチングを施すことによって導
体配線層を形成した（図７（Ｄ）参照）。導体幅精度は
５０μｍ±５μｍにおさまり、直線性も良好であった。
布し露光、現像を行いエッチングを施すことによって導
体配線層を形成した（図７（Ｄ）参照）。導体幅精度は
５０μｍ±５μｍにおさまり、直線性も良好であった。
【０１００】次に、感光性を有する絶縁樹脂であるフォ
トニース（東レ社製）をスピンコートして１０００ｒｐ
ｍで塗布し、８０℃、６０分にてイミド化を行い、２０
μｍ厚の絶縁樹脂層を形成した（図７（Ｅ）参照）。
トニース（東レ社製）をスピンコートして１０００ｒｐ
ｍで塗布し、８０℃、６０分にてイミド化を行い、２０
μｍ厚の絶縁樹脂層を形成した（図７（Ｅ）参照）。
【０１０１】次に、絶縁樹脂層に所定のビアパターンを
有するマスクを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯にて、２
００ｍＪ／ｃｍ2の露光量で露光を行い、専用現像液に
て、スプレー現像を行い、さらに、１８０℃、３０分、
さらに、２５０℃、３０分、さらに、４００℃（１時
間）のポストベークを行い、５０μｍ径のビアホール孔
１１を形成した（図７（Ｆ）参照）。
有するマスクを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯にて、２
００ｍＪ／ｃｍ2の露光量で露光を行い、専用現像液に
て、スプレー現像を行い、さらに、１８０℃、３０分、
さらに、２５０℃、３０分、さらに、４００℃（１時
間）のポストベークを行い、５０μｍ径のビアホール孔
１１を形成した（図７（Ｆ）参照）。
【０１０２】次いで、上記の実施例１〜１０の様に絶縁
樹脂層上に下地層４を形成した。その後、ビア孔に対し
てレーザー照射を行い、ビア孔底部の下地層を除去した
（図８（Ｇ）参照）。
樹脂層上に下地層４を形成した。その後、ビア孔に対し
てレーザー照射を行い、ビア孔底部の下地層を除去した
（図８（Ｇ）参照）。
【０１０３】次に、めっきを行い、２０μｍ厚の導体配
線層及びフィルドビア１２を形成した（図８（Ｈ）参
照）。
線層及びフィルドビア１２を形成した（図８（Ｈ）参
照）。
【０１０４】次に、導体配線層をフォトエッチング法に
よりパターン加工し、配線パターンを有する導体配線層
を形成した（図８（Ｉ）参照）。導体幅精度は２５μｍ
±３μｍにおさまり、直線性も良好であった。
よりパターン加工し、配線パターンを有する導体配線層
を形成した（図８（Ｉ）参照）。導体幅精度は２５μｍ
±３μｍにおさまり、直線性も良好であった。
【０１０５】さらに、上記の操作を繰り返すことによ
り、複数の絶縁樹脂層と配線パターンを有する導体配線
層とが交互に積層された多層配線基板が得られた（図８
（Ｊ）参照）。
り、複数の絶縁樹脂層と配線パターンを有する導体配線
層とが交互に積層された多層配線基板が得られた（図８
（Ｊ）参照）。
【０１０６】
【発明の効果】本発明によれば、導体配線層が結合の強
固な下地層及び／または、第三の配位子を介して絶縁樹
脂層と結合するため、層間剥離が発生しない。
固な下地層及び／または、第三の配位子を介して絶縁樹
脂層と結合するため、層間剥離が発生しない。
【０１０７】また、配線パターンを有する導体配線層の
配線幅のばらつきが小さく、配線パターンを有する導体
配線層との接着強度の良好な、信頼性の高い多層配線基
板が得られる。
配線幅のばらつきが小さく、配線パターンを有する導体
配線層との接着強度の良好な、信頼性の高い多層配線基
板が得られる。
【０１０８】さらに、絶縁樹脂層を光配線であり、電気
配線では高周波電流が流れることでノイズ及び電磁波が
発生して周囲に悪影響を与えることにもなる信号を、光
に置き換えることで回避できる。
配線では高周波電流が流れることでノイズ及び電磁波が
発生して周囲に悪影響を与えることにもなる信号を、光
に置き換えることで回避できる。
【０１０９】
【図１】本発明に係わる多層配線基板の導体配線層、絶
縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
【図２】本発明に係わる多層配線基板の導体配線層、絶
縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
【図３】本発明に係わる多層配線基板の導体配線層、絶
縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
【図４】本発明に係わる多層配線基板の導体配線層、絶
縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
【図５】本発明に係わる多層配線基板の導体配線層、絶
縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
【図６】本発明に係わる多層配線基板の導体配線層、絶
縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の実施形態例を示す
多層プリント配線板の構成及び製造工程を部分断面図で
表した説明図である。
多層プリント配線板の構成及び製造工程を部分断面図で
表した説明図である。
【図８】（Ｇ）〜（Ｊ）は、本発明の実施形態例を示す
多層プリント配線板の構成及び製造工程を部分断面図で
表した説明図である。
多層プリント配線板の構成及び製造工程を部分断面図で
表した説明図である。
１…絶縁樹脂層（光導波路） ２…導体配線層、または導体配線層 ３…配位高分子錯体 ４…下地層 ５…第二の配位子 ６…下地層を形成する配位高分子錯体の金属 ７…第一の配位子 ８…第三の配位子 ９…無電解めっき １０…シリコン基板 １１…ビアホール孔 １２…フィルドビア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 四井 健太 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 佐々木 淳 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 市川 浩二 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 5E343 AA17 AA18 AA19 CC34 CC44 CC52 DD32 DD76 EE37 GG02 5E346 AA02 AA12 AA32 CC09 CC10 CC14 DD22 EE33 EE38 HH11
Claims (16)
- 【請求項１】少なくとも絶縁樹脂層と導体配線層が形成
された多層配線基板において、前記絶縁樹脂層と導体配
線層間に配位高分子錯体を含む下地層を有することを特
徴とする多層配線基板。 - 【請求項２】絶縁樹脂層の表面に絶縁樹脂層に由来する
第一の配位子が存在し、第一の配位子と配位高分子錯体
中の金属が配位結合していることを特徴とする請求項１
記載の多層配線基板。 - 【請求項３】絶縁樹脂層の表面に絶縁樹脂層に由来しな
い第三の配位子が存在し、第三の配位子と配位高分子錯
体中の金属が配位結合していることを特徴とする請求項
１記載の多層配線基板。 - 【請求項４】配位高分子錯体が第二の配位子を有する化
合物を含むことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記
載の多層配線基板。 - 【請求項５】少なくとも絶縁樹脂層と導体配線層が形成
された多層配線基板において、前記絶縁樹脂層と導体配
線層間に絶縁樹脂層に由来しない第三の配位子を含む下
地層を有することを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項６】第一の配位子が、少なくともカルボキシル
基、またはアミド基、を含むことを特徴とする請求項２
に記載の多層配線基板。 - 【請求項７】第三の配位子が少なくとも窒素原子、酸素
原子、硫黄原子、リン原子、ハロゲン原子を含むことを
特徴とする請求項３、５に記載の多層配線基板。 - 【請求項８】第二の配位子が少なくとも金属と配位する
部分を２つ以上有することを特徴とする請求項４に記載
の多層配線基板。 - 【請求項９】該絶縁樹脂層がポリイミドであることを特
徴とする請求項１〜８の何れかに記載の多層配線基板。 - 【請求項１０】該絶縁樹脂層がフッ素原子を含有する樹
脂であることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載
の多層配線基板。 - 【請求項１１】該絶縁樹脂層がフッ素化ポリイミドであ
ることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の多層
配線基板。 - 【請求項１２】多層配線基板の製造方法であって、 絶縁樹脂層中のイミド環を開環して第一の配位子である
アミド基とカルボキシル基を形成する工程、 第二の配位子を有する化合物と金属を交互に作用させて
下地層を形成する工程、 導体配線層を形成する工程、を有することを特徴とする
多層配線基板の製造方法。 - 【請求項１３】多層配線基板の製造方法であって、 絶縁樹脂層中のイミド環を開環して第一の配位子である
アミド基とカルボキシル基を形成する工程、 第三の配位子を付加または縮合させる工程、 第三の配位子に金属を配位させる工程、 導体配線層を形成する工程、を有することを特徴とする
多層配線基板の製造方法。 - 【請求項１４】多層配線基板の製造方法であって、 絶縁樹脂層中のイミド環を開環して第一の配位子である
アミド基とカルボキシル基を形成する工程、 第三の配位子を付加または縮合させる工程、 第二の配位子を有する化合物と金属を交互に作用させて
下地層を形成する工程、 導体配線層を形成する工程、を有することを特徴とする
多層配線基板の製造方法。 - 【請求項１５】多層配線基板の製造方法であって、 絶縁樹脂層中のイミド環を開環してアミド基とカルボキ
シル基を形成する工程、 ラジカル発生剤と光または熱を作用させてラジカルを形
成する工程、 該ラジカルから第三の配位子を有するモノマーを重合さ
せる工程、 該モノマー上の第三の配位子に金属を配位させる工程、 導体配線層を形成する工程、を有することを特徴とする
多層配線基板の製造方法。 - 【請求項１６】多層配線基板の製造方法であって、 絶縁樹脂層中のイミド環を開環してアミド基とカルボキ
シル基を形成する工程、 ラジカル発生剤と光または熱を作用させてラジカルを形
成する工程、 該ラジカルから第三の配位子を有するモノマーを重合さ
せる工程、 該モノマー上の第三の配位子に第二の配位子を有する化
合物と金属を交互に作用させて下地層を形成する工程、 導体配線層を形成する工程、を有することを特徴とする
多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001095202A JP4826020B2 (ja) | 2000-03-29 | 2001-03-29 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-91205 | 2000-03-29 | ||
| JP2000091205 | 2000-03-29 | ||
| JP2000091205 | 2000-03-29 | ||
| JP2001095202A JP4826020B2 (ja) | 2000-03-29 | 2001-03-29 | 多層配線基板の製造方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP4826020B2 (ja) |
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-
2001
- 2001-03-29 JP JP2001095202A patent/JP4826020B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US20110247865A1 (en) * | 2008-12-26 | 2011-10-13 | Fujifilm Corporation | Method for producing multilayer wiring substrate and multilayer wiring substrate |
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