JP2001345271A - ウェハの加熱制御方法 - Google Patents
ウェハの加熱制御方法Info
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- JP2001345271A JP2001345271A JP2000162511A JP2000162511A JP2001345271A JP 2001345271 A JP2001345271 A JP 2001345271A JP 2000162511 A JP2000162511 A JP 2000162511A JP 2000162511 A JP2000162511 A JP 2000162511A JP 2001345271 A JP2001345271 A JP 2001345271A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、ウェハの面内温度均一性を速やかに
向上することを課題とする。 【解決手段】反応容器１と、ウェハを支持するホルダー
３と、該ホルダー内に中心部より半径方向に少なくとも
３つのゾーンに分れて配置され、中心部に対応する第１
ヒータ部、該第１ヒータ部より外側の第２ヒータ部、及
びホルダーに対応する第３ヒータ部とを有するヒータ４
と、各ヒータ部に夫々接続するコントローラ５と、コン
トローラ５に接続され、ヒータの中心から半径方向に沿
う各ゾーンのウェハ温度を計測する放射温度計１０〜１
２とを具備した半導体処理装置においてウェハの加熱制
御を行う方法であり、放射温度計で各ゾーンのウェハ温
度が所定の温度になるように各ヒータ部の温度制御を行
い、温度安定後得られた温度分布のピーク値を示すウェ
ハ半径位置を読み取り、更に得られたウェハ半径位置に
放射温度計を移動させ、以後この位置で温度制御を行う
ことを特徴とする。
向上することを課題とする。 【解決手段】反応容器１と、ウェハを支持するホルダー
３と、該ホルダー内に中心部より半径方向に少なくとも
３つのゾーンに分れて配置され、中心部に対応する第１
ヒータ部、該第１ヒータ部より外側の第２ヒータ部、及
びホルダーに対応する第３ヒータ部とを有するヒータ４
と、各ヒータ部に夫々接続するコントローラ５と、コン
トローラ５に接続され、ヒータの中心から半径方向に沿
う各ゾーンのウェハ温度を計測する放射温度計１０〜１
２とを具備した半導体処理装置においてウェハの加熱制
御を行う方法であり、放射温度計で各ゾーンのウェハ温
度が所定の温度になるように各ヒータ部の温度制御を行
い、温度安定後得られた温度分布のピーク値を示すウェ
ハ半径位置を読み取り、更に得られたウェハ半径位置に
放射温度計を移動させ、以後この位置で温度制御を行う
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェハの加熱制御方
法に関し、特にＳｉウェハを回転しながら成膜するＣＶ
Ｄ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）装置において使用されるウェハの加熱制御方法
に関する。
法に関し、特にＳｉウェハを回転しながら成膜するＣＶ
Ｄ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）装置において使用されるウェハの加熱制御方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、上記ＣＶＤ装置としては、図１及
び図２に示す構成のものが知られている。ここで、図１
は同ＣＶＤ装置の全体を示す概略図、図２は同ＣＶＤ装
置の一構成であるヒータの概略的な平面図を示す。
び図２に示す構成のものが知られている。ここで、図１
は同ＣＶＤ装置の全体を示す概略図、図２は同ＣＶＤ装
置の一構成であるヒータの概略的な平面図を示す。
【０００３】図中の付番１は、反応容器を示す。この反
応容器１内には、Ｓｉウェハ２を支持する例えば矢印Ａ
方向に回転可能なホルダー３が配置されている。このホ
ルダー３の内部には、ウェハ２を加熱するヒータ４が配
置されている。ここで、ヒータ４は、ウェハ２の中心
部、その外縁部、ホルダー３の上部を夫々加熱するよう
に少なくとも３つのゾーンＺ１，Ｚ２，Ｚ３に配置され
たヒータ部４ａ，４ｂ，４ｃから構成されている。これ
らヒータ部４ａ，４ｂ，４ｃには、電源を備えたコント
ローラ５が接続されている。前記反応容器１の上部外壁
には、反応容器１内に反応性ガスを導入するためのガス
導入管６が設けられている。また、前記反応容器１の底
部には、排気管７が設けられている。
応容器１内には、Ｓｉウェハ２を支持する例えば矢印Ａ
方向に回転可能なホルダー３が配置されている。このホ
ルダー３の内部には、ウェハ２を加熱するヒータ４が配
置されている。ここで、ヒータ４は、ウェハ２の中心
部、その外縁部、ホルダー３の上部を夫々加熱するよう
に少なくとも３つのゾーンＺ１，Ｚ２，Ｚ３に配置され
たヒータ部４ａ，４ｂ，４ｃから構成されている。これ
らヒータ部４ａ，４ｂ，４ｃには、電源を備えたコント
ローラ５が接続されている。前記反応容器１の上部外壁
には、反応容器１内に反応性ガスを導入するためのガス
導入管６が設けられている。また、前記反応容器１の底
部には、排気管７が設けられている。
【０００４】前記反応容器１の底部には、前記ホルダー
３が回転するように軸受８が設けられている。前記ウェ
ハ２の真上に位置する前記反応容器１の上部は開口され
ており、この開口部１ａに透明な材質からなる窓９が設
けられている。前記窓９の上方には、前記各ゾーンＺ
１，Ｚ２，Ｚ３に対応するウェハ２の中心部、その外縁
部及びホルダー３の温度を計測する放射温度計１０，１
１，１２が夫々配置されている。これらの放射温度計１
０，１１，１２は、前記コントローラ５に接続してお
り、各温度測定値に基き、対応するヒータゾーンのパワ
ーをフィードバック制御し、所定温度に制御可能であ
る。
３が回転するように軸受８が設けられている。前記ウェ
ハ２の真上に位置する前記反応容器１の上部は開口され
ており、この開口部１ａに透明な材質からなる窓９が設
けられている。前記窓９の上方には、前記各ゾーンＺ
１，Ｚ２，Ｚ３に対応するウェハ２の中心部、その外縁
部及びホルダー３の温度を計測する放射温度計１０，１
１，１２が夫々配置されている。これらの放射温度計１
０，１１，１２は、前記コントローラ５に接続してお
り、各温度測定値に基き、対応するヒータゾーンのパワ
ーをフィードバック制御し、所定温度に制御可能であ
る。
【０００５】ところで、こうした構成のＣＶＤ装置にお
いて、前記各ヒータ部４ａ，４ｂ，４ｃには、最初例え
ばパワーＷ１，Ｗ２，Ｗ３が夫々印加されている。前記
ウェハ２の温度制御は、従来、図２に示すようにヒータ
の中心部Ｏから半径方向に沿うヒータ部の中心点Ｐ１，
Ｐ２，Ｐ３に対応するように放射温度計１０〜１２を夫
々配置して、ウェハ２及びホルダー３の温度を測定し、
その後これらの温度が所定の温度となるようフィードバ
ック制御により各ヒータ部のパワーを変えることにより
ウェハの温度制御を行っていた。
いて、前記各ヒータ部４ａ，４ｂ，４ｃには、最初例え
ばパワーＷ１，Ｗ２，Ｗ３が夫々印加されている。前記
ウェハ２の温度制御は、従来、図２に示すようにヒータ
の中心部Ｏから半径方向に沿うヒータ部の中心点Ｐ１，
Ｐ２，Ｐ３に対応するように放射温度計１０〜１２を夫
々配置して、ウェハ２及びホルダー３の温度を測定し、
その後これらの温度が所定の温度となるようフィードバ
ック制御により各ヒータ部のパワーを変えることにより
ウェハの温度制御を行っていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように放射温度計１０〜１２の位置を変えずにヒータ部
４ａ，４ｂ，４ｃのパワーを変えることによりウェハ２
の温度制御を行うので、ウェハ面内温度差が最小となる
最適なパワーを求めるまでに多くの時間を要するという
問題があった。
ように放射温度計１０〜１２の位置を変えずにヒータ部
４ａ，４ｂ，４ｃのパワーを変えることによりウェハ２
の温度制御を行うので、ウェハ面内温度差が最小となる
最適なパワーを求めるまでに多くの時間を要するという
問題があった。
【０００７】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、放射温度計で複数のゾーンのウェハ温度が所定の温
度になるように各ヒータ部の温度制御を行った後、温度
安定してから得られた温度分布のピーク値を示すウェハ
半径位置を読み取り、得られたウェハ半径位置に放射温
度計を移動させ、以後この位置で温度制御を行うことに
より、各ヒータ部のウェハ面内温度差が最小となる最適
なパワーを従来と比べて短時間で求めうるウェハの加熱
制御方法を提供することを目的とする。
で、放射温度計で複数のゾーンのウェハ温度が所定の温
度になるように各ヒータ部の温度制御を行った後、温度
安定してから得られた温度分布のピーク値を示すウェハ
半径位置を読み取り、得られたウェハ半径位置に放射温
度計を移動させ、以後この位置で温度制御を行うことに
より、各ヒータ部のウェハ面内温度差が最小となる最適
なパワーを従来と比べて短時間で求めうるウェハの加熱
制御方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応容器と、
この反応容器内に配置され、ウェハを支持する回転可能
なホルダーと、前記ホルダー内に中心部より半径方向に
少なくとも３つのゾーンに分れて配置され、中心部に対
応する第１ヒータ部、該第１ヒータ部より外側の第２ヒ
ータ部、及び前記ホルダーに対応する第３ヒータ部とを
有するヒータと、前記各ヒータ部に夫々接続するコント
ローラと、このコントローラに接続され、前記ヒータの
中心から半径方向に沿う前記各ゾーンのウェハ温度を計
測する放射温度計とを具備した半導体処理装置において
ウェハの加熱制御を行う方法であり、前記放射温度計で
各ゾーンのウェハ温度が所定の温度になるように各ヒー
タ部の温度制御を行う工程と、温度安定後、得られた温
度分布のピーク値を示すウェハ半径位置を読み取る工程
と、得られたウェハ半径位置に放射温度計を移動させ、
以後この位置で温度制御を行う工程とを具備することを
特徴とするウェハの加熱制御方法である。
この反応容器内に配置され、ウェハを支持する回転可能
なホルダーと、前記ホルダー内に中心部より半径方向に
少なくとも３つのゾーンに分れて配置され、中心部に対
応する第１ヒータ部、該第１ヒータ部より外側の第２ヒ
ータ部、及び前記ホルダーに対応する第３ヒータ部とを
有するヒータと、前記各ヒータ部に夫々接続するコント
ローラと、このコントローラに接続され、前記ヒータの
中心から半径方向に沿う前記各ゾーンのウェハ温度を計
測する放射温度計とを具備した半導体処理装置において
ウェハの加熱制御を行う方法であり、前記放射温度計で
各ゾーンのウェハ温度が所定の温度になるように各ヒー
タ部の温度制御を行う工程と、温度安定後、得られた温
度分布のピーク値を示すウェハ半径位置を読み取る工程
と、得られたウェハ半径位置に放射温度計を移動させ、
以後この位置で温度制御を行う工程とを具備することを
特徴とするウェハの加熱制御方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明において、ヒータを構成するヒータ部の数
はウェハの中心部、外縁部及びホルダーを少なくとも別
々に加熱できればその数は特に限定されないが、ウェハ
の中心部、外縁部及びホルダーの各ゾーンに対応する部
分を加熱できるようにヒータを配置することが最小限の
ヒータでウェハの全域を均一に加熱できるので、効率の
点で好ましい。但し、ヒータ部とともに放射温度計の数
を増やしてウェハの温度制御をすることにより、より一
層精度の高い温度制御が可能となる。また、放射温度計
は、一般に前記ヒータ部の数に対応させて設置させれば
よいが、これに限らない。なお、各ゾーンごとのヒータ
部のパワーは、ゾーンごとに電流及び電圧を変えること
により設定することができ、これによりウェハやホルダ
ーの温度を任意に設定できる。
する。本発明において、ヒータを構成するヒータ部の数
はウェハの中心部、外縁部及びホルダーを少なくとも別
々に加熱できればその数は特に限定されないが、ウェハ
の中心部、外縁部及びホルダーの各ゾーンに対応する部
分を加熱できるようにヒータを配置することが最小限の
ヒータでウェハの全域を均一に加熱できるので、効率の
点で好ましい。但し、ヒータ部とともに放射温度計の数
を増やしてウェハの温度制御をすることにより、より一
層精度の高い温度制御が可能となる。また、放射温度計
は、一般に前記ヒータ部の数に対応させて設置させれば
よいが、これに限らない。なお、各ゾーンごとのヒータ
部のパワーは、ゾーンごとに電流及び電圧を変えること
により設定することができ、これによりウェハやホルダ
ーの温度を任意に設定できる。
【００１０】本発明によれば、放射温度計で複数のゾー
ンのウェハ温度が所定の温度になるように各ヒータ部の
温度制御を行った後、温度安定してから得られた温度分
布のピーク値を示すウェハ半径位置を読み取り、得られ
たウェハ半径位置に放射温度計を移動させ、以後この位
置で温度制御を行うので、各ヒータ部のウェハ面内温度
差が最小となる最適なパワーを従来と比べて短時間で求
めることができる。
ンのウェハ温度が所定の温度になるように各ヒータ部の
温度制御を行った後、温度安定してから得られた温度分
布のピーク値を示すウェハ半径位置を読み取り、得られ
たウェハ半径位置に放射温度計を移動させ、以後この位
置で温度制御を行うので、各ヒータ部のウェハ面内温度
差が最小となる最適なパワーを従来と比べて短時間で求
めることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例に係るウェハの加熱制
御方法について説明する。但し、本発明は従来のＣＶＤ
装置をそのまま用いるので、図１及び図２の付番はその
まま使用する。
御方法について説明する。但し、本発明は従来のＣＶＤ
装置をそのまま用いるので、図１及び図２の付番はその
まま使用する。
【００１２】即ち、本実施例では、まず、ヒータ４の各
ヒータ部４ａ，４ｂ，４ｃの領域をゾーンＺ１，Ｚ２，
Ｚ３の３つの領域に分け、前記放射温度計１０〜１２
を、図３に示すようにヒータ４の中心Ｏから半径方向の
中心位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３に対応するように配置した。
つまり、放射温度計１０〜１２は、ウェハ２の中心から
半径方向に沿う中心部、外縁部及びホルダー３の真上に
位置するように窓９の上方に配置した。この状態で、コ
ントローラ５によりウェハ２の温度が所定の温度になる
ようにヒータ４の各ヒータ部４ａ，４ｂ，４ｃのパワー
を変え、各ヒータ部４ａ〜４ｃの温度制御を行った。
ヒータ部４ａ，４ｂ，４ｃの領域をゾーンＺ１，Ｚ２，
Ｚ３の３つの領域に分け、前記放射温度計１０〜１２
を、図３に示すようにヒータ４の中心Ｏから半径方向の
中心位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３に対応するように配置した。
つまり、放射温度計１０〜１２は、ウェハ２の中心から
半径方向に沿う中心部、外縁部及びホルダー３の真上に
位置するように窓９の上方に配置した。この状態で、コ
ントローラ５によりウェハ２の温度が所定の温度になる
ようにヒータ４の各ヒータ部４ａ，４ｂ，４ｃのパワー
を変え、各ヒータ部４ａ〜４ｃの温度制御を行った。
【００１３】次に、前記ウェハ２の中心部、外縁部及び
ホルダー３の温度が安定した後、図４（Ａ）（温度初期
設定位置）より得られた温度分布のピーク値を示すウェ
ハ半径位置を読み取った。このときの前記ピーク値の位
置を、図３に示すようにヒータ４の中心Ｏから半径方向
に位置Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３とする。つづいて、この得られ
たウェハ半径位置Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３に前記放射温度計１
０〜１２を移動させ、図４（Ｂ）（放射温度計移動後の
位置）の状態に変更し、以後この位置で温度制御を行っ
た。
ホルダー３の温度が安定した後、図４（Ａ）（温度初期
設定位置）より得られた温度分布のピーク値を示すウェ
ハ半径位置を読み取った。このときの前記ピーク値の位
置を、図３に示すようにヒータ４の中心Ｏから半径方向
に位置Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３とする。つづいて、この得られ
たウェハ半径位置Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３に前記放射温度計１
０〜１２を移動させ、図４（Ｂ）（放射温度計移動後の
位置）の状態に変更し、以後この位置で温度制御を行っ
た。
【００１４】このように、上記実施例によれば、放射温
度計１０〜１２で複数のゾーンのウェハ温度が所定の温
度になるように各ヒータ部４ａ，４ｂ，４ｃの温度制御
を行った後、温度安定してから得られた温度分布のピー
ク値を示すウェハ半径位置を読み取り、得られたウェハ
半径位置に放射温度計１０〜１２を移動させ、以後この
位置で温度制御を行うので、各ヒータ部４ａ，４ｂ，４
ｃのウェハ面内温度差が最小となる最適なパワーを従来
と比べて短時間で求めることができる。
度計１０〜１２で複数のゾーンのウェハ温度が所定の温
度になるように各ヒータ部４ａ，４ｂ，４ｃの温度制御
を行った後、温度安定してから得られた温度分布のピー
ク値を示すウェハ半径位置を読み取り、得られたウェハ
半径位置に放射温度計１０〜１２を移動させ、以後この
位置で温度制御を行うので、各ヒータ部４ａ，４ｂ，４
ｃのウェハ面内温度差が最小となる最適なパワーを従来
と比べて短時間で求めることができる。
【００１５】なお、上記実施例では、放射温度計をヒー
タの中心から半径方向のゾーンＺ１，Ｚ２，Ｚ３の中心
位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３に夫々対応するように３箇所配置
した場合について述べたが、この数はこれに限定されな
い。
タの中心から半径方向のゾーンＺ１，Ｚ２，Ｚ３の中心
位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３に夫々対応するように３箇所配置
した場合について述べたが、この数はこれに限定されな
い。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、放射
温度計で複数のゾーンのウェハ温度が所定の温度になる
ように各ヒータ部の温度制御を行った後、温度安定して
から得られた温度分布のピーク値を示すウェハ半径位置
を読み取り、得られたウェハ半径位置に放射温度計を移
動させ、以後この位置で温度制御を行うことにより、各
ヒータ部のウェハ面内温度差が最小となる最適なパワー
を従来と比べて短時間で求めうるウェハの加熱制御方法
を提供できる。
温度計で複数のゾーンのウェハ温度が所定の温度になる
ように各ヒータ部の温度制御を行った後、温度安定して
から得られた温度分布のピーク値を示すウェハ半径位置
を読み取り、得られたウェハ半径位置に放射温度計を移
動させ、以後この位置で温度制御を行うことにより、各
ヒータ部のウェハ面内温度差が最小となる最適なパワー
を従来と比べて短時間で求めうるウェハの加熱制御方法
を提供できる。
【図１】ＣＶＤ装置の全体を示す概略図。
【図２】図１の装置のホルダーにセットされるウェハの
温度測定半径位置を示す図。
温度測定半径位置を示す図。
【図３】本発明の実施例に係るウェハの温度制御方法に
おいて、ヒータ部に対する放射温度計初期設定位置と移
動後の位置関係を示す説明図。
おいて、ヒータ部に対する放射温度計初期設定位置と移
動後の位置関係を示す説明図。
【図４】温度制御後のウェハ半径位置に対する温度分布
図。
図。
１…反応容器、 ２…Ｓｉウェハ、 ３…ホルダー、 ４…ヒータ、 ４ａ，４ｂ，４ｃ…ヒータ部、 ５…コントローラ、 ６…ガス導入管、 ７…排気管、 ８…軸受、 ９…窓、 １０，１１，１２…放射温度計。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 GA06 KA23 KA39 KA41 5F031 HA37 HA59 JA01 JA15 JA17 JA46 MA28 5F045 BB02 EK08 EK22 EM02 EM09 GB05
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器と、この反応容器内に配置さ
れ、ウェハを支持する回転可能なホルダーと、前記ホル
ダー内に中心部より半径方向に少なくとも３つのゾーン
に分れて配置され、中心部に対応する第１ヒータ部、該
第１ヒータ部より外側の第２ヒータ部、及び前記ホルダ
ーに対応する第３ヒータ部とを有するヒータと、前記各
ヒータ部に夫々接続するコントローラと、このコントロ
ーラに接続され、前記ヒータの中心から半径方向に沿う
前記各ゾーンのウェハ温度を計測する放射温度計とを具
備した半導体処理装置においてウェハの加熱制御を行う
方法であり、 前記放射温度計で各ゾーンのウェハ温度が所定の温度に
なるように各ヒータ部の温度制御を行う工程と、温度安
定後、得られた温度分布のピーク値を示すウェハ半径位
置を読み取る工程と、得られたウェハ半径位置に放射温
度計を移動させ、以後この位置で温度制御を行う工程と
を具備することを特徴とするウェハの加熱制御方法。 - 【請求項２】 前記各ヒータ部のパワーを前記コントロ
ーラにより変えることによりウェハ温度の制御を行うこ
とを特徴とする請求項１記載のウェハの加熱制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000162511A JP2001345271A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | ウェハの加熱制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000162511A JP2001345271A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | ウェハの加熱制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001345271A true JP2001345271A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18666401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000162511A Pending JP2001345271A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | ウェハの加熱制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001345271A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006511963A (ja) * | 2002-12-19 | 2006-04-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 犠牲的な膜を成長させ除去することにより材料を平坦化するための方法及び装置 |
| US7837794B2 (en) | 2007-03-29 | 2010-11-23 | Nuflare Technology, Inc. | Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method |
| KR101207234B1 (ko) * | 2011-02-07 | 2012-12-03 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치 및 이의 온도제어방법 |
| US12154775B2 (en) * | 2022-04-06 | 2024-11-26 | Materials Analysis Technology Inc. | Analysis system, auxiliary analysis apparatus and analysis method |
-
2000
- 2000-05-31 JP JP2000162511A patent/JP2001345271A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006511963A (ja) * | 2002-12-19 | 2006-04-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 犠牲的な膜を成長させ除去することにより材料を平坦化するための方法及び装置 |
| US7837794B2 (en) | 2007-03-29 | 2010-11-23 | Nuflare Technology, Inc. | Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method |
| KR101207234B1 (ko) * | 2011-02-07 | 2012-12-03 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치 및 이의 온도제어방법 |
| US12154775B2 (en) * | 2022-04-06 | 2024-11-26 | Materials Analysis Technology Inc. | Analysis system, auxiliary analysis apparatus and analysis method |
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