JP2001344710A - ウエハの平面度制御方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
ウエハの平面度制御方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JP2001344710A JP2001344710A JP2000167411A JP2000167411A JP2001344710A JP 2001344710 A JP2001344710 A JP 2001344710A JP 2000167411 A JP2000167411 A JP 2000167411A JP 2000167411 A JP2000167411 A JP 2000167411A JP 2001344710 A JP2001344710 A JP 2001344710A
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- H10P52/00—
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- H10P70/273—
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハの反りをウエハプロセス中に容易に修
正することができるウエハの平面度制御方法及び薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 凹状の反りを有するウエハの凹状の面に
極低温ガスを吹き付けることによりこのウエハの反りを
修正する。
正することができるウエハの平面度制御方法及び薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 凹状の反りを有するウエハの凹状の面に
極低温ガスを吹き付けることによりこのウエハの反りを
修正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハの平面度制
御方法及びこの方法を用いてウエハから多数の薄膜磁気
ヘッドを作成する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
御方法及びこの方法を用いてウエハから多数の薄膜磁気
ヘッドを作成する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドを製造する場合、ウエハ
上に多数の薄膜磁気変換素子を整列して形成するための
種々のウエハプロセスが行われる。特に、現在主流の磁
気抵抗効果（ＭＲ）型変換素子を搭載した複合型薄膜磁
気ヘッドにおいては、特性向上のためにその構造が複雑
化しているのでその製造工程も非常に複雑となってきて
おり、従来行われなかったようなウエハプロセスも経験
している。その結果、ウエハ全体に様々な応力が複雑に
影響を与えることとなっている。
上に多数の薄膜磁気変換素子を整列して形成するための
種々のウエハプロセスが行われる。特に、現在主流の磁
気抵抗効果（ＭＲ）型変換素子を搭載した複合型薄膜磁
気ヘッドにおいては、特性向上のためにその構造が複雑
化しているのでその製造工程も非常に複雑となってきて
おり、従来行われなかったようなウエハプロセスも経験
している。その結果、ウエハ全体に様々な応力が複雑に
影響を与えることとなっている。
【０００３】現状では、このような複雑な応力の影響を
補償するのが難しいことから、各プロセス毎に平面状態
が異なる状態下で処理が行われている。
補償するのが難しいことから、各プロセス毎に平面状態
が異なる状態下で処理が行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、記録密
度の向上等の性能向上が、今後一層要求されてくると、
ウエハ平面度の低下が、フォトプロセスにおける焦点深
度（ＤＯＦ）に影響したり、化学機械研磨（ＣＭＰ）処
理における不均一研磨の原因となったりする可能性が高
い。その結果、不良品の発生が増加して歩留まりが悪化
してしまう。
度の向上等の性能向上が、今後一層要求されてくると、
ウエハ平面度の低下が、フォトプロセスにおける焦点深
度（ＤＯＦ）に影響したり、化学機械研磨（ＣＭＰ）処
理における不均一研磨の原因となったりする可能性が高
い。その結果、不良品の発生が増加して歩留まりが悪化
してしまう。
【０００５】従って本発明の目的は、ウエハの反りをウ
エハプロセス中に容易に修正することができるウエハの
平面度制御方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることにある。
エハプロセス中に容易に修正することができるウエハの
平面度制御方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、凹状の
反りを有するウエハの凹状の面に極低温ガスを吹き付け
ることによりこのウエハの反りを修正する平面度制御方
法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
反りを有するウエハの凹状の面に極低温ガスを吹き付け
ることによりこのウエハの反りを修正する平面度制御方
法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【０００７】何らかの原因により反りが生じ平面度の悪
化したウエハについて、その反りの凹状の面に極低温ガ
スを吹き付けることにより、ウエハの表裏の応力バラン
スが取られてその反りが修正され、平面度が向上する。
このように、極低温ガスを吹き付けるという簡単な処理
で反りの修正ができるため、ウエハプロセス内で容易に
かつ短時間にウエハの平面度を許容範囲内に制御でき
る。従って、複雑なウエハプロセスを精度良く実行する
ことができ、高性能な薄膜磁気ヘッドを良好な歩留まり
で製造することが可能となる。また、ガスを吹き付ける
ことによってウエハ表面に非接触で反り修正ができるた
め、ウエハ表面に素子が形成されていても平面度制御が
行えるので、従来は実行できなかったプロセス過程にお
いても行うことが可能である。しかも、表面が変質しな
いという利点もある。
化したウエハについて、その反りの凹状の面に極低温ガ
スを吹き付けることにより、ウエハの表裏の応力バラン
スが取られてその反りが修正され、平面度が向上する。
このように、極低温ガスを吹き付けるという簡単な処理
で反りの修正ができるため、ウエハプロセス内で容易に
かつ短時間にウエハの平面度を許容範囲内に制御でき
る。従って、複雑なウエハプロセスを精度良く実行する
ことができ、高性能な薄膜磁気ヘッドを良好な歩留まり
で製造することが可能となる。また、ガスを吹き付ける
ことによってウエハ表面に非接触で反り修正ができるた
め、ウエハ表面に素子が形成されていても平面度制御が
行えるので、従来は実行できなかったプロセス過程にお
いても行うことが可能である。しかも、表面が変質しな
いという利点もある。
【０００８】極低温ガスが、このガスと同一材料の粒子
を含んでいることが好ましい。
を含んでいることが好ましい。
【０００９】反り修正用の極低温ガスの吹き付けと同時
に、ウエハの凹状の面とは反対側の面にクリーニング用
の極低温ガスを吹き付けることも好ましい。
に、ウエハの凹状の面とは反対側の面にクリーニング用
の極低温ガスを吹き付けることも好ましい。
【００１０】極低温ガスが、ＣＯ２、Ｈｅ、Ａｒ及びＮ
２から選択された１つの極低温ガスであることも好まし
い。
２から選択された１つの極低温ガスであることも好まし
い。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態におけ
る処理プロセスを概略的に示す図である。
る処理プロセスを概略的に示す図である。
【００１２】同図（Ａ）に示すように、薄膜磁気ヘッド
を製造する際のウエハプロセス中において、何らかの原
因でウエハ１０に反りが生じ、その裏面１０ａが凹状に
歪んだとする。
を製造する際のウエハプロセス中において、何らかの原
因でウエハ１０に反りが生じ、その裏面１０ａが凹状に
歪んだとする。
【００１３】同図（Ｂ）に示すように、このウエハ１０
をその裏面１０ａが上向きとなるようにテーブル１１上
に載置し、ノズル１２より極低温のガス状及び固体粒子
状のＣＯ２１３をこの裏面１０ａの全体に吹き付ける。
ノズル１２が単数の場合は、このノズル１２とテーブル
１１とを相対的にスキャンさせてウエハ全体に吹き付け
る。もちろん、ノズルを複数設けてスキャンせずに一度
にウエハ全体に吹き付けを行っても良い。
をその裏面１０ａが上向きとなるようにテーブル１１上
に載置し、ノズル１２より極低温のガス状及び固体粒子
状のＣＯ２１３をこの裏面１０ａの全体に吹き付ける。
ノズル１２が単数の場合は、このノズル１２とテーブル
１１とを相対的にスキャンさせてウエハ全体に吹き付け
る。もちろん、ノズルを複数設けてスキャンせずに一度
にウエハ全体に吹き付けを行っても良い。
【００１４】これにより、ウエハ１０の表裏面の温度差
によるサーマルショック効果、粒子によるブラスト効果
等によりウエハ裏面１０ａに応力が発生し、同図（Ｃ）
に示すように、ウエハ表裏の応力バランスが取られて反
りが修正され、平面度が改善される。
によるサーマルショック効果、粒子によるブラスト効果
等によりウエハ裏面１０ａに応力が発生し、同図（Ｃ）
に示すように、ウエハ表裏の応力バランスが取られて反
りが修正され、平面度が改善される。
【００１５】なお、本実施形態における同図（Ｂ）の処
理は、エコ−スノー（Ｅｃｏ−Ｓｎｏｗ（登録商標））
システム社による精密クリーニングシステムを利用し
て、極低温のガス状及び固体粒子状のＣＯ２をウエハに
ジェットスプレイするようにしてもよい。この場合、ウ
エハの裏面が、約６０℃に維持されるように加温され
る。このエコ−スノー精密クリーニングシステムは、半
導体集積回路製造工程中で発生したウエハのバリ（フォ
トレジストや再付着物等）や汚れ等を除去しクリーニン
グするための装置である。即ち、極低温のガス状及び固
体粒子状のＣＯ２をウエハにジェットスプレイすること
により、フォトレジストや再付着物を瞬間的に冷却又は
冷凍させてウエハとフォトレジストや再付着物との膨張
係数を非整合状態とし、急速な収縮を起こさせてフォト
レジストや再付着物の固着状態を緩める。さらに固体粒
子を衝突させることによってこれらフォトレジストや再
付着物をウエハからはがし易くし、ジェットスプレイに
よって剥離除去するものである。
理は、エコ−スノー（Ｅｃｏ−Ｓｎｏｗ（登録商標））
システム社による精密クリーニングシステムを利用し
て、極低温のガス状及び固体粒子状のＣＯ２をウエハに
ジェットスプレイするようにしてもよい。この場合、ウ
エハの裏面が、約６０℃に維持されるように加温され
る。このエコ−スノー精密クリーニングシステムは、半
導体集積回路製造工程中で発生したウエハのバリ（フォ
トレジストや再付着物等）や汚れ等を除去しクリーニン
グするための装置である。即ち、極低温のガス状及び固
体粒子状のＣＯ２をウエハにジェットスプレイすること
により、フォトレジストや再付着物を瞬間的に冷却又は
冷凍させてウエハとフォトレジストや再付着物との膨張
係数を非整合状態とし、急速な収縮を起こさせてフォト
レジストや再付着物の固着状態を緩める。さらに固体粒
子を衝突させることによってこれらフォトレジストや再
付着物をウエハからはがし易くし、ジェットスプレイに
よって剥離除去するものである。
【００１６】表１は、このエコ−スノー精密クリーニン
グシステムを利用してウエハの反りの変化を実際に測定
した結果である。なお、表内の数値はウエハの反りの程
度を表しており、具体的には、ウエハの基準部（周囲
部）から凸状の頂部までの距離である。ウエハの集積面
（表面）方向に凸状となった場合を正としており、単位
はμｍである。「表面（裏面）２スキャン後」とは、エ
コ−スノー精密クリーニングシステムのノズルからのジ
ェットスプレイによって、ウエハの表面（裏面）を１回
スキャンした後、１８０°回転させて１回スキャンした
後であることを意味する。反りの測定は、東京精密
（株）のＳｕｒｆｃｏｍを使用し、測定長さは６８ｍｍ
で行った。サンプルは測定前に１０分以上室内に放置し
ている。
グシステムを利用してウエハの反りの変化を実際に測定
した結果である。なお、表内の数値はウエハの反りの程
度を表しており、具体的には、ウエハの基準部（周囲
部）から凸状の頂部までの距離である。ウエハの集積面
（表面）方向に凸状となった場合を正としており、単位
はμｍである。「表面（裏面）２スキャン後」とは、エ
コ−スノー精密クリーニングシステムのノズルからのジ
ェットスプレイによって、ウエハの表面（裏面）を１回
スキャンした後、１８０°回転させて１回スキャンした
後であることを意味する。反りの測定は、東京精密
（株）のＳｕｒｆｃｏｍを使用し、測定長さは６８ｍｍ
で行った。サンプルは測定前に１０分以上室内に放置し
ている。
【００１７】
【表１】
【００１８】この測定結果からも明らかのように、初期
状態のウエハをエコ−スノー精密クリーニングシステム
で、その集積面、即ち表面をクリーニング処理すること
によってバリや汚れ等を除去する作業を行うと、ウエハ
に応力が発生してその表面方向が凸状となるように反り
が生じる。そこで、このウエハの裏面にエコ−スノー精
密クリーニングシステムによって極低温のガス状及び固
体粒子状のＣＯ２を吹き付けると、反りは修正され、初
期状態にほぼ戻る。この反りの修正状態は、３日後であ
ってもほとんど変らないので、温度差によって一時的に
修正されたものではないことが分かる。
状態のウエハをエコ−スノー精密クリーニングシステム
で、その集積面、即ち表面をクリーニング処理すること
によってバリや汚れ等を除去する作業を行うと、ウエハ
に応力が発生してその表面方向が凸状となるように反り
が生じる。そこで、このウエハの裏面にエコ−スノー精
密クリーニングシステムによって極低温のガス状及び固
体粒子状のＣＯ２を吹き付けると、反りは修正され、初
期状態にほぼ戻る。この反りの修正状態は、３日後であ
ってもほとんど変らないので、温度差によって一時的に
修正されたものではないことが分かる。
【００１９】本実施形態のように、極低温のＣＯ２ガス
及び粒子を吹き付けるという簡単な処理で反りの修正が
できるため、ウエハプロセス内で容易にかつ短時間にウ
エハの平面度を許容範囲内に制御することができる。従
って、複雑なウエハプロセス内において、この処理を繰
り返すことにより、各プロセスを精度良く実行すること
ができ、高性能な薄膜磁気ヘッドを良好な歩留まりで製
造することが可能となる。また、ガス等を吹き付けるこ
とによってウエハ表面に非接触で反り修正ができるた
め、ウエハ表面に素子が形成されていても平面度制御が
行える。これは、従来は実行できなかったプロセス過程
においてもそりの修正を行うことが可能であることを意
味する。しかも、ガスを吹き付けるのみであるので、表
面が変質しない。
及び粒子を吹き付けるという簡単な処理で反りの修正が
できるため、ウエハプロセス内で容易にかつ短時間にウ
エハの平面度を許容範囲内に制御することができる。従
って、複雑なウエハプロセス内において、この処理を繰
り返すことにより、各プロセスを精度良く実行すること
ができ、高性能な薄膜磁気ヘッドを良好な歩留まりで製
造することが可能となる。また、ガス等を吹き付けるこ
とによってウエハ表面に非接触で反り修正ができるた
め、ウエハ表面に素子が形成されていても平面度制御が
行える。これは、従来は実行できなかったプロセス過程
においてもそりの修正を行うことが可能であることを意
味する。しかも、ガスを吹き付けるのみであるので、表
面が変質しない。
【００２０】なお、ＣＯ２ガスを用いる代わりに、極低
温のガス状及び固体粒子状のＨｅ、Ａｒ又はＮ２を用い
ても良いことは明らかである。
温のガス状及び固体粒子状のＨｅ、Ａｒ又はＮ２を用い
ても良いことは明らかである。
【００２１】図２は本発明の他の実施形態における処理
プロセスを概略的に示す図である。
プロセスを概略的に示す図である。
【００２２】この実施形態では、エコ−スノー精密クリ
ーニングシステムで、ウエハ１０の表面１０ｂをクリー
ニング処理することによってその集積面のバリや汚れ等
を除去する作業を行うと同時に、ウエハ１０の裏面１０
ａに対しても極低温のＣＯ２ガス及び粒子を吹き付ける
ことにより、表面のクリーニングによって生じるウエハ
の反り及びその他のプロセスで生じるウエハの反りをク
リーニングと同時に修正しようとするものである。
ーニングシステムで、ウエハ１０の表面１０ｂをクリー
ニング処理することによってその集積面のバリや汚れ等
を除去する作業を行うと同時に、ウエハ１０の裏面１０
ａに対しても極低温のＣＯ２ガス及び粒子を吹き付ける
ことにより、表面のクリーニングによって生じるウエハ
の反り及びその他のプロセスで生じるウエハの反りをク
リーニングと同時に修正しようとするものである。
【００２３】即ち、図２に示すように、このウエハ１０
をその集積面１０ｂの全面にノズル２２極低温のガス状
及び固体粒子状のＣＯ２２３をジェットスプレイするこ
とによりクリーニングを行い、同時に、ウエハ１０の裏
面１０ａにノズル１２より極低温のガス状及び固体粒子
状のＣＯ２１３をこの裏面１０ａ全体に吹き付ける。ノ
ズル２２及び１２が単数の場合は、これらノズル２２及
び１２とウエハ１０とを相対的にスキャンさせてウエハ
全体に吹き付けを行う。
をその集積面１０ｂの全面にノズル２２極低温のガス状
及び固体粒子状のＣＯ２２３をジェットスプレイするこ
とによりクリーニングを行い、同時に、ウエハ１０の裏
面１０ａにノズル１２より極低温のガス状及び固体粒子
状のＣＯ２１３をこの裏面１０ａ全体に吹き付ける。ノ
ズル２２及び１２が単数の場合は、これらノズル２２及
び１２とウエハ１０とを相対的にスキャンさせてウエハ
全体に吹き付けを行う。
【００２４】これにより、ウエハ表裏の応力バランスが
取られて反りが発生しないか、既に生じていた反りが修
正され、平面度が改善される。
取られて反りが発生しないか、既に生じていた反りが修
正され、平面度が改善される。
【００２５】本実施形態における他の効果及び変更態様
等は、図１の実施形態の場合とほぼ同様である。
等は、図１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００２６】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００２７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、何らかの原因により反りが生じ平面度の悪化したウ
エハについて、その反りの凹状の面に極低温ガスを吹き
付けることにより、ウエハの表裏の応力バランスが取ら
れてその反りが修正され、平面度が向上する。このよう
に、極低温ガスを吹き付けるという簡単な処理で反りの
修正ができるため、ウエハプロセス内で容易にかつ短時
間にウエハの平面度を許容範囲内に制御することができ
る。従って、複雑なウエハプロセス内において、この処
理を繰り返すことにより、各プロセスを精度良く実行す
ることができ、高性能な薄膜磁気ヘッドを良好な歩留ま
りで製造することが可能となる。また、ガス等を吹き付
けることによってウエハ表面に非接触で反り修正ができ
るため、ウエハ表面に素子が形成されていても平面度制
御が行える。これは、従来は実行できなかったプロセス
過程においてもそりの修正を行うことが可能であること
を意味する。しかも、ガスを吹き付けるのみであるの
で、表面が変質しない。
ば、何らかの原因により反りが生じ平面度の悪化したウ
エハについて、その反りの凹状の面に極低温ガスを吹き
付けることにより、ウエハの表裏の応力バランスが取ら
れてその反りが修正され、平面度が向上する。このよう
に、極低温ガスを吹き付けるという簡単な処理で反りの
修正ができるため、ウエハプロセス内で容易にかつ短時
間にウエハの平面度を許容範囲内に制御することができ
る。従って、複雑なウエハプロセス内において、この処
理を繰り返すことにより、各プロセスを精度良く実行す
ることができ、高性能な薄膜磁気ヘッドを良好な歩留ま
りで製造することが可能となる。また、ガス等を吹き付
けることによってウエハ表面に非接触で反り修正ができ
るため、ウエハ表面に素子が形成されていても平面度制
御が行える。これは、従来は実行できなかったプロセス
過程においてもそりの修正を行うことが可能であること
を意味する。しかも、ガスを吹き付けるのみであるの
で、表面が変質しない。
【図１】本発明の一実施形態における処理プロセスを概
略的に示す図である。
略的に示す図である。
【図２】本発明の他の実施形態における処理プロセスを
概略的に示す図である。
概略的に示す図である。
１０ ウエハ １０ａ 裏面 １０ｂ 表面 １１ テーブル １２、２２ ノズル １３、２３ ＣＯ２
Claims (8)
- 【請求項１】 凹状の反りを有するウエハの該凹状の面
に極低温ガスを吹き付けることにより該ウエハの反りを
修正することを特徴とするウエハの平面度制御方法。 - 【請求項２】 前記極低温ガスが、該ガスと同一材料の
粒子を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の方
法。 - 【請求項３】 前記反り修正用の極低温ガスの吹き付け
と同時に、前記ウエハの前記凹状の面とは反対側の面に
クリーニング用の極低温ガスを吹き付けることを特徴と
する請求項１又は２に記載の方法。 - 【請求項４】 前記極低温ガスが、ＣＯ２、Ｈｅ、Ａｒ
及びＮ２から選択された１つの極低温ガスであることを
特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の方
法。 - 【請求項５】 ウエハの表面に複数の磁気変換素子を形
成した後、該ウエハを切断して最終的に個々の前記磁気
変換素子を得る薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、凹
状の反りを有する前記ウエハの該凹状の面に極低温ガス
を吹き付けることにより該ウエハの反りを修正すること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 前記極低温ガスが、該ガスと同一材料の
粒子を含んでいることを特徴とする請求項５に記載の製
造方法。 - 【請求項７】 前記反り修正用の極低温ガスの吹き付け
と同時に、前記ウエハの前記凹状の面とは反対側の面に
クリーニング用の極低温ガスを吹き付けることを特徴と
する請求項５又は６に記載の製造方法。 - 【請求項８】 前記極低温ガスが、ＣＯ２、Ｈｅ、Ａｒ
及びＮ２から選択された１つの極低温ガスであることを
特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載の製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167411A JP2001344710A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | ウエハの平面度制御方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US09/867,425 US6599435B2 (en) | 2000-06-05 | 2001-05-31 | Method for controlling flatness of wafer and manufacturing method of thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167411A JP2001344710A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | ウエハの平面度制御方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001344710A true JP2001344710A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18670568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000167411A Withdrawn JP2001344710A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | ウエハの平面度制御方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6599435B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001344710A (ja) |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| KR101883520B1 (ko) * | 2011-07-21 | 2018-07-30 | 신토고교 가부시키가이샤 | 반도체 소자용 기판의 처리 방법 |
| TWI559371B (zh) * | 2014-04-09 | 2016-11-21 | 東京威力科創股份有限公司 | 來自疊對之晶圓彎曲的修正方法 |
| JP7164289B2 (ja) * | 2016-09-05 | 2022-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体プロセッシング中のオーバレイを制御するための湾曲を制御する応力の位置特定チューニング |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4470856A (en) * | 1983-02-07 | 1984-09-11 | Hughes Aircraft Company | Self-compensating hydrostatic flattening of semiconductor substrates |
| US5382551A (en) * | 1993-04-09 | 1995-01-17 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for reducing the effects of semiconductor substrate deformities |
| US5853962A (en) | 1996-10-04 | 1998-12-29 | Eco-Snow Systems, Inc. | Photoresist and redeposition removal using carbon dioxide jet spray |
| US5821166A (en) * | 1996-12-12 | 1998-10-13 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafers |
-
2000
- 2000-06-05 JP JP2000167411A patent/JP2001344710A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-05-31 US US09/867,425 patent/US6599435B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6599435B2 (en) | 2003-07-29 |
| US20020045352A1 (en) | 2002-04-18 |
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