JP2001342062A - 圧電磁器及び積層圧電素子並びに噴射装置 - Google Patents
圧電磁器及び積層圧電素子並びに噴射装置Info
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- JP2001342062A JP2001342062A JP2000161606A JP2000161606A JP2001342062A JP 2001342062 A JP2001342062 A JP 2001342062A JP 2000161606 A JP2000161606 A JP 2000161606A JP 2000161606 A JP2000161606 A JP 2000161606A JP 2001342062 A JP2001342062 A JP 2001342062A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】圧電歪み定数d33が大きく、低温焼成できる圧
電磁器、及び変位量が大きく、かつ発生力が大きく、内
部電極中のAg比率を大きくすることができる積層圧電
素子並びに噴射装置を提供する。 【解決手段】PbZrO3−PbTiO3を主成分とし、
少なくともPb(Yb1/ 2Nb1/2)O3、Pb(Co1/3
Nb2/3)O3及びPb(Zn1/3Nb2 /3)O3を副成分
とするペロブスカイト型複合酸化物からなり、Zr/T
i比が0.85〜0.96を満足し、かつ、前記副成分
を10〜20モル%含有するものである。
電磁器、及び変位量が大きく、かつ発生力が大きく、内
部電極中のAg比率を大きくすることができる積層圧電
素子並びに噴射装置を提供する。 【解決手段】PbZrO3−PbTiO3を主成分とし、
少なくともPb(Yb1/ 2Nb1/2)O3、Pb(Co1/3
Nb2/3)O3及びPb(Zn1/3Nb2 /3)O3を副成分
とするペロブスカイト型複合酸化物からなり、Zr/T
i比が0.85〜0.96を満足し、かつ、前記副成分
を10〜20モル%含有するものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は圧電磁器及び積層圧
電素子並びに噴射装置に関するものであり、特に内部電
極を有する同時焼成型の圧電トランス、インクジェト用
プリンターヘッド、積層圧電アクチュエータ等に適する
圧電磁器及び積層圧電素子並びに噴射装置に関するもの
である。
電素子並びに噴射装置に関するものであり、特に内部電
極を有する同時焼成型の圧電トランス、インクジェト用
プリンターヘッド、積層圧電アクチュエータ等に適する
圧電磁器及び積層圧電素子並びに噴射装置に関するもの
である。
【0002】
【従来技術】従来から、内部電極を有する同時焼成型の
積層圧電素子としては、圧電トランス、インクジェト用
プリンターヘッド、および同時焼成型積層圧電アクチュ
エータなどがある。
積層圧電素子としては、圧電トランス、インクジェト用
プリンターヘッド、および同時焼成型積層圧電アクチュ
エータなどがある。
【0003】ここで、同時焼成型積層圧電アクチュエー
タは、圧電体層と内部電極を交互に積層し、一体焼成お
よび電気的配線を行うことによって作製され、圧電現象
を介して発生する変位量を利用するものである。内部電
極の金属成分としてAg、Pd、Ptなどを含むものが
使用されており、金属成分の比率は、融点の低いAgに
PdやPtなどの貴金属を導入し、一体焼成時に内部電
極が溶融する温度を高温側にシフトさせ、凝縮による電
極の形成不良を回避できるように設定されている。
タは、圧電体層と内部電極を交互に積層し、一体焼成お
よび電気的配線を行うことによって作製され、圧電現象
を介して発生する変位量を利用するものである。内部電
極の金属成分としてAg、Pd、Ptなどを含むものが
使用されており、金属成分の比率は、融点の低いAgに
PdやPtなどの貴金属を導入し、一体焼成時に内部電
極が溶融する温度を高温側にシフトさせ、凝縮による電
極の形成不良を回避できるように設定されている。
【0004】通常、同時焼成型積層圧電アクチュエータ
では、圧電磁器の焼結温度に合わせており、その焼成温
度は1100℃以上となっている。そのため、内部電極
を構成する金属成分中のAg比率は、電極の形成不良が
発生しないよう金属成分中70重量%以下のものが使用
されている。
では、圧電磁器の焼結温度に合わせており、その焼成温
度は1100℃以上となっている。そのため、内部電極
を構成する金属成分中のAg比率は、電極の形成不良が
発生しないよう金属成分中70重量%以下のものが使用
されている。
【0005】一方、コスト低減の観点からは、Agの比
率は大きい方が有利であることから、特開平11−21
7263号公報では、1000℃以下の低温で焼成可能
で、製造コストを低減できる圧電磁器材料が開示されて
いる。
率は大きい方が有利であることから、特開平11−21
7263号公報では、1000℃以下の低温で焼成可能
で、製造コストを低減できる圧電磁器材料が開示されて
いる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
11−217263号公報に開示された圧電材料では、
変位の目安となる圧電歪み定数d33が400pm/V未
満であり、同時焼成型積層圧電アクチュエータとしては
変位量が不十分であった。
11−217263号公報に開示された圧電材料では、
変位の目安となる圧電歪み定数d33が400pm/V未
満であり、同時焼成型積層圧電アクチュエータとしては
変位量が不十分であった。
【0007】また、積層圧電アクチュエータではヤング
率と発生力の間に正の相関関係があるため、圧電歪み定
数d33が小さい場合、発生力を大きくするためにZr/
Ti比を調整してヤング率を大きくすることが考えられ
るが、この場合には、更に圧電歪み定数d33が低下し、
積層圧電アクチュエータの変位が更に低下するという問
題があった。
率と発生力の間に正の相関関係があるため、圧電歪み定
数d33が小さい場合、発生力を大きくするためにZr/
Ti比を調整してヤング率を大きくすることが考えられ
るが、この場合には、更に圧電歪み定数d33が低下し、
積層圧電アクチュエータの変位が更に低下するという問
題があった。
【0008】また、通常の圧電磁器では焼成温度が11
00〜1300℃程度であり、内部電極を構成する金属
成分中のAg比率を70重量%より大きくした場合、先
に述べたように、内部電極が焼成の昇温過程で溶融し、
降温過程で凝縮することによって電極の形成不良が発生
してしまうといった問題があった。
00〜1300℃程度であり、内部電極を構成する金属
成分中のAg比率を70重量%より大きくした場合、先
に述べたように、内部電極が焼成の昇温過程で溶融し、
降温過程で凝縮することによって電極の形成不良が発生
してしまうといった問題があった。
【0009】本発明は、圧電歪み定数d33が大きく、低
温焼成できる圧電磁器、及び変位量が大きく、かつヤン
グ率が大きく、内部電極中のAg比率を大きくすること
ができる積層圧電素子並びに噴射装置を提供することを
目的とする。
温焼成できる圧電磁器、及び変位量が大きく、かつヤン
グ率が大きく、内部電極中のAg比率を大きくすること
ができる積層圧電素子並びに噴射装置を提供することを
目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電磁器は、P
bZrO3−PbTiO3を主成分とし、少なくともPb
(Yb1/2Nb1/2)O3、Pb(Co1/3Nb2/3)O3及
びPb(Zn1/3Nb2 /3)O3を副成分とするペロブス
カイト型複合酸化物からなり、Zr/Ti比が0.85
〜0.96を満足し、かつ、前記副成分を10〜20モ
ル%含有するものである。
bZrO3−PbTiO3を主成分とし、少なくともPb
(Yb1/2Nb1/2)O3、Pb(Co1/3Nb2/3)O3及
びPb(Zn1/3Nb2 /3)O3を副成分とするペロブス
カイト型複合酸化物からなり、Zr/Ti比が0.85
〜0.96を満足し、かつ、前記副成分を10〜20モ
ル%含有するものである。
【0011】本発明の圧電磁器は、PbZrO3−Pb
TiO3を主成分とし、少なくともPb(Yb1/2Nb
1/2)O3、Pb(Co1/3Nb2/3)O3及びPb(Zn
1/3Nb2 /3)O3を副成分とするペロブスカイト型複合
酸化物からなるため、キュリー温度を高く維持しつつ圧
電歪み定数d33を大きくできるとともに、焼成温度を低
下させることができ、さらに積層圧電素子の発生力を大
きくするために、Zr/Ti比を0.85〜0.96の
範囲で変化させヤング率を大きくしても、600pm/
V以上の圧電歪み定数d33を確保できる。
TiO3を主成分とし、少なくともPb(Yb1/2Nb
1/2)O3、Pb(Co1/3Nb2/3)O3及びPb(Zn
1/3Nb2 /3)O3を副成分とするペロブスカイト型複合
酸化物からなるため、キュリー温度を高く維持しつつ圧
電歪み定数d33を大きくできるとともに、焼成温度を低
下させることができ、さらに積層圧電素子の発生力を大
きくするために、Zr/Ti比を0.85〜0.96の
範囲で変化させヤング率を大きくしても、600pm/
V以上の圧電歪み定数d33を確保できる。
【0012】また、副成分の含有量を、全量中10〜2
0モル%とすることにより、さらに圧電磁器の圧電歪み
定数d33を向上させ、また高いキュリー温度を確保でき
る。
0モル%とすることにより、さらに圧電磁器の圧電歪み
定数d33を向上させ、また高いキュリー温度を確保でき
る。
【0013】また、ペロブスカイト型複合酸化物のA/
B比は1<A/B≦1.01であることが望ましい。例
えば、Pb量を過剰として、A/B比を1<A/B≦
1.01に制御することができ、1000℃以下の焼成
温度で磁器の緻密化を十分に進めることができ、内部電
極を構成する金属成分中のAg比率を90重量%以上と
した場合でも、電極の形成不良が発生せず、内部電極の
コストを大きく低減することができる。
B比は1<A/B≦1.01であることが望ましい。例
えば、Pb量を過剰として、A/B比を1<A/B≦
1.01に制御することができ、1000℃以下の焼成
温度で磁器の緻密化を十分に進めることができ、内部電
極を構成する金属成分中のAg比率を90重量%以上と
した場合でも、電極の形成不良が発生せず、内部電極の
コストを大きく低減することができる。
【0014】さらに、ペロブスカイト型複合酸化物のA
サイト中に、アルカリ土類元素を8モル%以下含有する
ことが望ましい。これにより、圧電磁器の圧電歪み定数
d33をさらに向上できる。
サイト中に、アルカリ土類元素を8モル%以下含有する
ことが望ましい。これにより、圧電磁器の圧電歪み定数
d33をさらに向上できる。
【0015】また、本発明の積層圧電素子は、内部電極
と圧電体層とを交互に積層してなる積層圧電素子であっ
て、前記圧電体層が、上記圧電磁器からなり、前記内部
電極におけるAg量が、金属成分中90重量%以上であ
ることを特徴とする。
と圧電体層とを交互に積層してなる積層圧電素子であっ
て、前記圧電体層が、上記圧電磁器からなり、前記内部
電極におけるAg量が、金属成分中90重量%以上であ
ることを特徴とする。
【0016】このような積層圧電素子では、圧電磁器が
上記したように、キュリー温度を高く維持しつつ圧電歪
み定数d33を大きくでき、焼成温度を低下させることが
でき、さらにZr/Ti比を0.85〜0.96の範囲
で変化させヤング率を大きくしても、600pm/V以
上の圧電歪み定数d33を確保できるため、内部電極にお
けるAg量を金属成分中90重量%以上とでき、安価に
製造できるとともに、変位量及び発生力を大きくするこ
とができる。
上記したように、キュリー温度を高く維持しつつ圧電歪
み定数d33を大きくでき、焼成温度を低下させることが
でき、さらにZr/Ti比を0.85〜0.96の範囲
で変化させヤング率を大きくしても、600pm/V以
上の圧電歪み定数d33を確保できるため、内部電極にお
けるAg量を金属成分中90重量%以上とでき、安価に
製造できるとともに、変位量及び発生力を大きくするこ
とができる。
【0017】本発明の噴射装置は、噴射孔を有する収納
容器と、該収納容器内に収容された上記した積層圧電素
子と、該積層圧電素子の駆動により前記噴射孔から液体
を噴出させるバルブとを具備してなるものである。
容器と、該収納容器内に収容された上記した積層圧電素
子と、該積層圧電素子の駆動により前記噴射孔から液体
を噴出させるバルブとを具備してなるものである。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明の圧電アクチュエータから
なる積層圧電素子は、図1に示すように、圧電磁器1と
内部電極3a、3bを交互に積層して積層圧電素子5が
形成されており、この積層圧電素子5の外面には、内部
電極3a、3bを交互に接続する一対の外部電極7a、
7bが形成されている。
なる積層圧電素子は、図1に示すように、圧電磁器1と
内部電極3a、3bを交互に積層して積層圧電素子5が
形成されており、この積層圧電素子5の外面には、内部
電極3a、3bを交互に接続する一対の外部電極7a、
7bが形成されている。
【0019】外部電極7a、7bと接続されない内部電
極3b、3aの端部には凹溝が形成されており、この凹
溝内に絶縁体8を充填することにより、外部電極7a、
7bと内部電極3b、3aとが絶縁されている。外部電
極7a、7bにはそれぞれリード線9が接続されてい
る。
極3b、3aの端部には凹溝が形成されており、この凹
溝内に絶縁体8を充填することにより、外部電極7a、
7bと内部電極3b、3aとが絶縁されている。外部電
極7a、7bにはそれぞれリード線9が接続されてい
る。
【0020】そして、本発明では、内部電極3a、3b
の金属成分中、Agを90重量%以上含有するものであ
り、このようにAgを90重量%以上含有しているた
め、積層型圧電素子5自体は1000℃以下で焼成され
ている。
の金属成分中、Agを90重量%以上含有するものであ
り、このようにAgを90重量%以上含有しているた
め、積層型圧電素子5自体は1000℃以下で焼成され
ている。
【0021】また、圧電磁器1は、ペロブスカイト型複
合酸化物を主成分とし、Aサイト構成元素としてPbを
含有し、かつ、Bサイト構成元素として、Zr、Ti、
Yb、Nb、Co及びZnを含有するものである。
合酸化物を主成分とし、Aサイト構成元素としてPbを
含有し、かつ、Bサイト構成元素として、Zr、Ti、
Yb、Nb、Co及びZnを含有するものである。
【0022】具体的には、圧電磁器1は、Pb(Zr,
Ti)O3からなる主成分と、Pb(Yb1/2Nb1/2)
O3と、Pb(Co1/3Nb2/3)O3と、Pb(Zn1/3
Nb2 /3)O3を副成分としているもので、これらが固溶
して圧電磁器1が形成される。
Ti)O3からなる主成分と、Pb(Yb1/2Nb1/2)
O3と、Pb(Co1/3Nb2/3)O3と、Pb(Zn1/3
Nb2 /3)O3を副成分としているもので、これらが固溶
して圧電磁器1が形成される。
【0023】ペロブスカイト型複合酸化物で広く用いら
れているPb(Zr,Ti)O3(以下、PZTと記す
る場合もある)を主成分とし、副成分として、Pb(Y
b1/ 2Nb1/2)O3およびPb(Co1/3Nb2/3)O3を
固溶させることにより、圧電歪み定数d33を高めること
ができ、しかもキュリー温度を高く維持することができ
る。また、併せてPb(Zn1/3Nb2/3)O3を固溶さ
せることにより、1000℃以下の温度で焼成が可能と
なる。副成分を個々に添加しても、キュリー温度、圧電
歪み定数d33および焼成温度を十分に改善できないが、
上記のように、Pb(Zr,Ti)O3に少なくとも特
定の3種のペロブスカイト型複合酸化物を固溶させるこ
とにより、これらの特性を同時に改善できる。
れているPb(Zr,Ti)O3(以下、PZTと記す
る場合もある)を主成分とし、副成分として、Pb(Y
b1/ 2Nb1/2)O3およびPb(Co1/3Nb2/3)O3を
固溶させることにより、圧電歪み定数d33を高めること
ができ、しかもキュリー温度を高く維持することができ
る。また、併せてPb(Zn1/3Nb2/3)O3を固溶さ
せることにより、1000℃以下の温度で焼成が可能と
なる。副成分を個々に添加しても、キュリー温度、圧電
歪み定数d33および焼成温度を十分に改善できないが、
上記のように、Pb(Zr,Ti)O3に少なくとも特
定の3種のペロブスカイト型複合酸化物を固溶させるこ
とにより、これらの特性を同時に改善できる。
【0024】尚、Pb(Zr,Ti)O3は、PbZr
O3とPbTiO3との固溶体であり、Pb(Yb1/2N
b1/2)O3および(Co1/3Nb2/3)O3で置換すると
ともに、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3で置換すること
で、高いキュリー温度で、大きな圧電歪定数を有し、低
温焼成を実現できる。
O3とPbTiO3との固溶体であり、Pb(Yb1/2N
b1/2)O3および(Co1/3Nb2/3)O3で置換すると
ともに、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3で置換すること
で、高いキュリー温度で、大きな圧電歪定数を有し、低
温焼成を実現できる。
【0025】特に、上記副成分の含有量は全量中10〜
20モル%であることが望ましい。これは、この範囲な
らば、圧電歪定数d33を著しく向上できるとともに、キ
ュリー温度を高く維持できるからである。逆に、副成分
の含有量が全量中10モル%未満では、圧電歪定数d33
が小さく、20モル%より多いとPZTの割合が少なく
なり、PZT自体の有する高いキュリー温度が低下して
しまうからである。副成分の含有量は、高いキュリー温
度と大きな圧電歪定数を同時に達成するという点から、
全量中15〜20モル%であることが特に望ましい。
20モル%であることが望ましい。これは、この範囲な
らば、圧電歪定数d33を著しく向上できるとともに、キ
ュリー温度を高く維持できるからである。逆に、副成分
の含有量が全量中10モル%未満では、圧電歪定数d33
が小さく、20モル%より多いとPZTの割合が少なく
なり、PZT自体の有する高いキュリー温度が低下して
しまうからである。副成分の含有量は、高いキュリー温
度と大きな圧電歪定数を同時に達成するという点から、
全量中15〜20モル%であることが特に望ましい。
【0026】圧電磁器1は、全量中、Pb(Yb1/2N
b1/2)O3を3〜8モル%、Pb(Co1/3Nb2/3)O
3を3〜6モル%、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3を3〜9
モル%が含有することが好適である。
b1/2)O3を3〜8モル%、Pb(Co1/3Nb2/3)O
3を3〜6モル%、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3を3〜9
モル%が含有することが好適である。
【0027】そして、本発明の圧電磁器では、ペロブス
カイト型複合酸化物のZr/Ti比が0.85〜0.9
6を満足することが必要である。この範囲でZr/Ti
比を変化させることにより、アクチュエータのヤング率
を30GPa以上と大きくでき、発生力が大きく、しか
も圧電歪定数d33の大きな積層圧電素子を得ることがで
きる。
カイト型複合酸化物のZr/Ti比が0.85〜0.9
6を満足することが必要である。この範囲でZr/Ti
比を変化させることにより、アクチュエータのヤング率
を30GPa以上と大きくでき、発生力が大きく、しか
も圧電歪定数d33の大きな積層圧電素子を得ることがで
きる。
【0028】一方、ペロブスカイト型複合酸化物のZr
/Ti比が0.85よりも小さい場合には充分な圧電歪
定数d33を得ることができず、また、0.96よりも大
きい場合、ヤング率が低下するからである。
/Ti比が0.85よりも小さい場合には充分な圧電歪
定数d33を得ることができず、また、0.96よりも大
きい場合、ヤング率が低下するからである。
【0029】また、ペロブスカイト型複合酸化物のA/
B比が、1<A/B≦1.01であることが望ましい。
例えば、Pb量を過剰として、A/B比を1<A/B≦
1.01に制御することができ、1000℃以下の焼成
温度で磁器の緻密化を十分に進めることができ、内部電
極を構成する金属成分中のAg比率を90重量%以上と
した場合でも、電極の形成不良が発生せず、内部電極の
コストを大きく低減することができる。
B比が、1<A/B≦1.01であることが望ましい。
例えば、Pb量を過剰として、A/B比を1<A/B≦
1.01に制御することができ、1000℃以下の焼成
温度で磁器の緻密化を十分に進めることができ、内部電
極を構成する金属成分中のAg比率を90重量%以上と
した場合でも、電極の形成不良が発生せず、内部電極の
コストを大きく低減することができる。
【0030】一方、A/B比が1以下である場合には、
焼成温度が高くなったり、或いは圧電歪定数d33が低下
するからであり、1.01よりも大きい場合には、圧電
歪定数d33の低下が大きくなるからである。ペロブスカ
イト型複合酸化物のA/B比は、1.005であること
が望ましい。
焼成温度が高くなったり、或いは圧電歪定数d33が低下
するからであり、1.01よりも大きい場合には、圧電
歪定数d33の低下が大きくなるからである。ペロブスカ
イト型複合酸化物のA/B比は、1.005であること
が望ましい。
【0031】さらに、本発明では、圧電磁器1を構成す
るペロブスカイト型酸化物のAサイト構成元素として、
圧電磁器の圧電歪定数を高めるため、さらにアルカリ土
類元素をAサイト中8モル%以下で含有することが望ま
しい。アルカリ土類元素としてはCa、Sr、Ba等が
あるが、このうちでも、AサイトのPbの一部を置換す
る元素としては、特にはBaが望ましい。
るペロブスカイト型酸化物のAサイト構成元素として、
圧電磁器の圧電歪定数を高めるため、さらにアルカリ土
類元素をAサイト中8モル%以下で含有することが望ま
しい。アルカリ土類元素としてはCa、Sr、Ba等が
あるが、このうちでも、AサイトのPbの一部を置換す
る元素としては、特にはBaが望ましい。
【0032】即ち、圧電歪定数d33は、電気機械結合係
数K33と誘電率ε33 TおよびコンプライアンスS33 Eによ
り、d33=K33(ε33 T・S33 E)1/2と表されるが、A
サイト中にアルカリ土類元素を含有させると、誘電率ε
33 Tを高める効果が大きいため、その結果圧電歪定数d
33を大きくすることができるからである。一方で、Aサ
イト中にアルカリ土類元素量が、8モル%を越える割合
で含有させるとキュリー温度が低下する傾向がある。
数K33と誘電率ε33 TおよびコンプライアンスS33 Eによ
り、d33=K33(ε33 T・S33 E)1/2と表されるが、A
サイト中にアルカリ土類元素を含有させると、誘電率ε
33 Tを高める効果が大きいため、その結果圧電歪定数d
33を大きくすることができるからである。一方で、Aサ
イト中にアルカリ土類元素量が、8モル%を越える割合
で含有させるとキュリー温度が低下する傾向がある。
【0033】圧電歪定数d33を向上し、キュリー温度の
低下を防止するという点から、アルカリ土類元素は、A
サイト中4モル%以下で含有することが望ましい。
低下を防止するという点から、アルカリ土類元素は、A
サイト中4モル%以下で含有することが望ましい。
【0034】さらにまた、PZTのBサイトの一部をN
bで1モル%以下置換すると、電気機械結合係数K33を
大きくし、その結果圧電歪定数d33を大きくすることが
できるため望ましい。しかし、Bサイト中のNb置換量
が1モル%を越える割合で含有させるとその効果が低下
し、電気機械結合係数K33が低下する傾向にある。
bで1モル%以下置換すると、電気機械結合係数K33を
大きくし、その結果圧電歪定数d33を大きくすることが
できるため望ましい。しかし、Bサイト中のNb置換量
が1モル%を越える割合で含有させるとその効果が低下
し、電気機械結合係数K33が低下する傾向にある。
【0035】副成分であるPb(Zn1/3Nb2/3)O3
の少なくとも一部をPb(Zn1/2W 1/2)O3や、Pb
(Fe2/3W1/3)O3で置換すると、焼成温度を低下さ
せる効果が著しくなるため望ましい。
の少なくとも一部をPb(Zn1/2W 1/2)O3や、Pb
(Fe2/3W1/3)O3で置換すると、焼成温度を低下さ
せる効果が著しくなるため望ましい。
【0036】本発明では、特に、圧電磁器が、Pb(Z
r,Ti)O3からなる主成分に対して、副成分として
Pb(Yb1/2Nb1/2)O3と、Pb(Co1/3N
b2/3)O3と、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3とを固溶し
てなるとともに、AサイトのPbの一部をBaで8モル
%以下置換し、かつ、Bサイトの一部をNbで1モル%
以下置換することが望ましい。
r,Ti)O3からなる主成分に対して、副成分として
Pb(Yb1/2Nb1/2)O3と、Pb(Co1/3N
b2/3)O3と、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3とを固溶し
てなるとともに、AサイトのPbの一部をBaで8モル
%以下置換し、かつ、Bサイトの一部をNbで1モル%
以下置換することが望ましい。
【0037】尚、副成分についてはPb(Yb1/2Nb
1/2)O3、Pb(Co1/3Nb2/3)O3、Pb(Zn1/3
Nb2/3)O3以外のPb系ペロブスカイト型複合酸化
物、例えばPb(Zn1/3Sb2/3)O3、Pb(Fe1/3
W1/2)O3を固溶しても良い。
1/2)O3、Pb(Co1/3Nb2/3)O3、Pb(Zn1/3
Nb2/3)O3以外のPb系ペロブスカイト型複合酸化
物、例えばPb(Zn1/3Sb2/3)O3、Pb(Fe1/3
W1/2)O3を固溶しても良い。
【0038】特に、本発明の圧電磁器は以下のような組
成の場合に、1000℃以下の低い焼成温度が可能とな
り、かつキュリー温度と圧電歪定数を顕著に高めること
ができ、Zr/Ti比を変化させヤング率を大きくして
も、高い圧電歪み定数d33を確保でき、積層圧電素子の
発生力を大きくできる。
成の場合に、1000℃以下の低い焼成温度が可能とな
り、かつキュリー温度と圧電歪定数を顕著に高めること
ができ、Zr/Ti比を変化させヤング率を大きくして
も、高い圧電歪み定数d33を確保でき、積層圧電素子の
発生力を大きくできる。
【0039】全体組成として、Pba-xBax(Yb1/2
Nb1/2)b(Zn1/3Nb2/3)c(Co1/3Nb2/3)dN
by(ZreTi1-e)1-b-c-d-yO3で表わした時、前記
a、b、c、d、e、xおよびyが、1<a≦1.0
1、0.03≦b≦0.08、0.03≦c≦0.0
9、0.03≦d≦0.06、0.10≦b+c+d≦
0.2、0.85≦e/(1−e)≦0.96、x≦
0.08、y≦0.01を満足する場合。尚、ここで、
A/B比はaとなり、Zr/Ti比はe/(1−e)と
なり、b+c+dが副成分量となる。
Nb1/2)b(Zn1/3Nb2/3)c(Co1/3Nb2/3)dN
by(ZreTi1-e)1-b-c-d-yO3で表わした時、前記
a、b、c、d、e、xおよびyが、1<a≦1.0
1、0.03≦b≦0.08、0.03≦c≦0.0
9、0.03≦d≦0.06、0.10≦b+c+d≦
0.2、0.85≦e/(1−e)≦0.96、x≦
0.08、y≦0.01を満足する場合。尚、ここで、
A/B比はaとなり、Zr/Ti比はe/(1−e)と
なり、b+c+dが副成分量となる。
【0040】以上のような積層圧電素子は、以下のプロ
セスにより製造される。先ず、原料粉末として高純度の
PbO、ZrO2、TiO2、ZnO、Nb2O5、Yb2
O3およびCo3O4などの各原料粉末を所定量秤量し、
ボールミル等で10〜24時間湿式混合し、次いで、こ
の混合物を脱水、乾燥した後、700〜900℃で1〜
3時間仮焼し、当該仮焼物を再びボールミル等で粒度分
布がD50で0.5±0.2μm、D90で0.8μm未満
となるように湿式粉砕する。このような微粉を用いるこ
とにより、さらに低温焼成できる。得られた粉砕原料と
有機高分子からなるバインダーと、可塑剤とを混合した
スラリーを作製し、スリップキャステイング法によりセ
ラミックグリーンシートを作製する。
セスにより製造される。先ず、原料粉末として高純度の
PbO、ZrO2、TiO2、ZnO、Nb2O5、Yb2
O3およびCo3O4などの各原料粉末を所定量秤量し、
ボールミル等で10〜24時間湿式混合し、次いで、こ
の混合物を脱水、乾燥した後、700〜900℃で1〜
3時間仮焼し、当該仮焼物を再びボールミル等で粒度分
布がD50で0.5±0.2μm、D90で0.8μm未満
となるように湿式粉砕する。このような微粉を用いるこ
とにより、さらに低温焼成できる。得られた粉砕原料と
有機高分子からなるバインダーと、可塑剤とを混合した
スラリーを作製し、スリップキャステイング法によりセ
ラミックグリーンシートを作製する。
【0041】このグリーンシートの片面に、Ag/貴金
属(Pd、Ptなど)の重量比率が90/10以上とな
る導電性ペーストを内部電極3a、3bとしてスクリー
ン印刷法により印刷する。この導電性ペーストを乾燥さ
せた後、導電性ペーストが塗布された複数のグリーンシ
ートを所定の枚数だけ積層し、この積層体の積層方向の
両端部に、導電性ペーストが塗布されていないグリーン
シートを積層する。
属(Pd、Ptなど)の重量比率が90/10以上とな
る導電性ペーストを内部電極3a、3bとしてスクリー
ン印刷法により印刷する。この導電性ペーストを乾燥さ
せた後、導電性ペーストが塗布された複数のグリーンシ
ートを所定の枚数だけ積層し、この積層体の積層方向の
両端部に、導電性ペーストが塗布されていないグリーン
シートを積層する。
【0042】次に、この積層体を50〜200℃で加熱
を行いながら加圧を行い、積層体を一体化する。一体化
された積層体は所定の大きさに切断された後、400〜
800℃で5〜40時間、脱バインダが行われ、950
〜1000℃で2〜5時間で本焼成が行われ、アクチュ
エータ本体となる積層焼結体を得る。このアクチュエー
タ本体の側面には、内部電極3a、3bの端部が露出し
ている。
を行いながら加圧を行い、積層体を一体化する。一体化
された積層体は所定の大きさに切断された後、400〜
800℃で5〜40時間、脱バインダが行われ、950
〜1000℃で2〜5時間で本焼成が行われ、アクチュ
エータ本体となる積層焼結体を得る。このアクチュエー
タ本体の側面には、内部電極3a、3bの端部が露出し
ている。
【0043】その後、該アクチュエータ本体の2つの側
面において、内部電極3a、3b端部を含む圧電磁器1
の端部に該2側面において互い違いになるように、1層
おきに深さ50〜500μm、積層方向の幅50〜30
0μmの溝を形成し、該溝部にシリコーンゴム等の絶縁
体8を充填する。以上のように、内部電極3a、3bは
互い違いに1層おきに絶縁され、交互に同一の外部電極
7a、7bに接続される。
面において、内部電極3a、3b端部を含む圧電磁器1
の端部に該2側面において互い違いになるように、1層
おきに深さ50〜500μm、積層方向の幅50〜30
0μmの溝を形成し、該溝部にシリコーンゴム等の絶縁
体8を充填する。以上のように、内部電極3a、3bは
互い違いに1層おきに絶縁され、交互に同一の外部電極
7a、7bに接続される。
【0044】この後、正極用外部電極、負極用外部電極
にリード線9を接続し、アクチュエータの外周面にデイ
ッピング等の方法により、シリコーンゴムを被覆した
後、0.1〜3kVの分極電圧を印加し、アクチュエー
タ全体を分極処理することで、最終的な積層圧電アクチ
ュエータを得る。
にリード線9を接続し、アクチュエータの外周面にデイ
ッピング等の方法により、シリコーンゴムを被覆した
後、0.1〜3kVの分極電圧を印加し、アクチュエー
タ全体を分極処理することで、最終的な積層圧電アクチ
ュエータを得る。
【0045】なお、本発明の積層圧電素子は、四角柱、
六角柱、円柱等、どのような柱体であっても構わない
が、切断の容易性から四角柱状が望ましい。
六角柱、円柱等、どのような柱体であっても構わない
が、切断の容易性から四角柱状が望ましい。
【0046】本発明の積層圧電素子では、圧電磁器にお
ける径方向の電気機械結合係数Krも大きくすることが
できるため、フィルターや圧電ブザーなどにも使用する
ことができる。なお、本発明における圧電磁器はペロブ
スカイト型結晶を主結晶相とするものであるが、粒界に
他の結晶相としてパイロクロア相等が少々存在していて
もよい。また、Al、S、Cl、Eu、Y、K、P、C
u、Mg、Si等が不可避不純物として混入する場合も
あるが、特性上は何ら問題はない。
ける径方向の電気機械結合係数Krも大きくすることが
できるため、フィルターや圧電ブザーなどにも使用する
ことができる。なお、本発明における圧電磁器はペロブ
スカイト型結晶を主結晶相とするものであるが、粒界に
他の結晶相としてパイロクロア相等が少々存在していて
もよい。また、Al、S、Cl、Eu、Y、K、P、C
u、Mg、Si等が不可避不純物として混入する場合も
あるが、特性上は何ら問題はない。
【0047】図2は、本発明の噴射装置を示すもので、
図において符号51は収納容器を示している。この収納
容器51の一端には噴射孔53が設けられ、また収納容
器51内には、噴射孔53を開閉することができるニー
ドルバルブ55が収容されている。
図において符号51は収納容器を示している。この収納
容器51の一端には噴射孔53が設けられ、また収納容
器51内には、噴射孔53を開閉することができるニー
ドルバルブ55が収容されている。
【0048】噴射孔53には燃料通路57が連通可能に
設けられ、この燃料通路57は外部の燃料供給源に連結
され、燃料通路57に常時一定の高圧で燃料が供給され
ている。従って、ニードルバルブ55が噴射孔53を開
放すると、燃料通路57に供給されていた燃料が一定の
高圧で内燃機関の図示しない燃料室内に噴出されるよう
に形成されている。
設けられ、この燃料通路57は外部の燃料供給源に連結
され、燃料通路57に常時一定の高圧で燃料が供給され
ている。従って、ニードルバルブ55が噴射孔53を開
放すると、燃料通路57に供給されていた燃料が一定の
高圧で内燃機関の図示しない燃料室内に噴出されるよう
に形成されている。
【0049】また、ニードルバルブ55の上端部は直径
が大きくなっており、収納容器51に形成されたシリン
ダ59と摺動可能なピストン61となっている。そし
て、収納容器51内には、上記した圧電アクチュエータ
63が収納されている。
が大きくなっており、収納容器51に形成されたシリン
ダ59と摺動可能なピストン61となっている。そし
て、収納容器51内には、上記した圧電アクチュエータ
63が収納されている。
【0050】このような噴射装置では、圧電アクチュエ
ータ63が電圧を印加されて伸長すると、ピストン61
が押圧され、ニードルバルブ55が噴射孔53を閉塞
し、燃料の供給が停止される。また、電圧の印加が停止
されると圧電アクチュエータ63が収縮し、バネ65が
ピストン61を押し返し、噴射孔53が燃料通路57と
連通して燃料の噴射が行われるようになっている。
ータ63が電圧を印加されて伸長すると、ピストン61
が押圧され、ニードルバルブ55が噴射孔53を閉塞
し、燃料の供給が停止される。また、電圧の印加が停止
されると圧電アクチュエータ63が収縮し、バネ65が
ピストン61を押し返し、噴射孔53が燃料通路57と
連通して燃料の噴射が行われるようになっている。
【0051】
【実施例】以下、本発明を次の実施例で説明する。原料
粉末として高純度のPbO、ZrO2、TiO2、BaC
O3、ZnO、Nb2O5、Yb2O3およびCo3O4の各
原料粉末を、焼結体が、Pba-xBax(Yb1/2N
b1/2)b(Zn1/3Nb2/3)c(Co1/3Nb2/3)dNb
y(ZreTi1-e)1-b-c-d-yO3で表わされる組成とな
るように(表1では、x、y、a、b、c、dおよびe
は、上記組成式で与えられる原子比を百分率換算したも
のである)所定量秤量し、ボールミルで20時間湿式混
合した。次いで、この混合物を脱水、乾燥した後、70
0〜900℃で2時間仮焼し、当該仮焼物を再びボール
ミルで湿式粉砕した。
粉末として高純度のPbO、ZrO2、TiO2、BaC
O3、ZnO、Nb2O5、Yb2O3およびCo3O4の各
原料粉末を、焼結体が、Pba-xBax(Yb1/2N
b1/2)b(Zn1/3Nb2/3)c(Co1/3Nb2/3)dNb
y(ZreTi1-e)1-b-c-d-yO3で表わされる組成とな
るように(表1では、x、y、a、b、c、dおよびe
は、上記組成式で与えられる原子比を百分率換算したも
のである)所定量秤量し、ボールミルで20時間湿式混
合した。次いで、この混合物を脱水、乾燥した後、70
0〜900℃で2時間仮焼し、当該仮焼物を再びボール
ミルで湿式粉砕した。
【0052】得られた粉砕原料と、有機高分子からなる
バインダーと、可塑剤とを混合したスラリーを作製し、
スリップキャステイング法により、厚み150μmのセ
ラミックグリーンシートを作製した。
バインダーと、可塑剤とを混合したスラリーを作製し、
スリップキャステイング法により、厚み150μmのセ
ラミックグリーンシートを作製した。
【0053】このグリーンシートの片面に、Agが90
重量%、Pdが10重量%の比率からなる導電性ペース
トを、5μmの厚みにスクリーン印刷し、乾燥させた
後、導電性ペーストが塗布されたグリーンシートを20
0枚積層し、この積層体の積層方向の両端面に、導電性
ペーストが塗布されていないグリーンシートを10枚積
層した。
重量%、Pdが10重量%の比率からなる導電性ペース
トを、5μmの厚みにスクリーン印刷し、乾燥させた
後、導電性ペーストが塗布されたグリーンシートを20
0枚積層し、この積層体の積層方向の両端面に、導電性
ペーストが塗布されていないグリーンシートを10枚積
層した。
【0054】次に、この積層体を100℃で加熱を行い
ながら加圧を行い、積層体を一体にし、縦10mm×横
10mmの大きさに切断した後、800℃で10時間の
脱バインダを行い、表1に示す温度で2時間で焼成し、
この積層圧電素子の2つの側面において、内部電極端部
を含む圧電磁器の端部に該2側面において互い違いにな
るように、1層おきに深さ100μm、積層方向の幅5
0μmの溝を形成し、該溝部に絶縁体としてシリコーン
ゴムを充填した。
ながら加圧を行い、積層体を一体にし、縦10mm×横
10mmの大きさに切断した後、800℃で10時間の
脱バインダを行い、表1に示す温度で2時間で焼成し、
この積層圧電素子の2つの側面において、内部電極端部
を含む圧電磁器の端部に該2側面において互い違いにな
るように、1層おきに深さ100μm、積層方向の幅5
0μmの溝を形成し、該溝部に絶縁体としてシリコーン
ゴムを充填した。
【0055】この後、絶縁されていない内部電極の他方
の端面に外部電極として熱硬化性導電体を帯状に形成
し、200℃の熱処理を行った。この後、正極用外部電
極、負極用外部電極にリード線を接続し、アクチュエー
タの外周面にデイッピングにより、シリコーンゴムを被
覆した後、1kVの分極電圧を印加し、全体を分極処理
して、図1に示す本発明の積層型圧電素子を得た。
の端面に外部電極として熱硬化性導電体を帯状に形成
し、200℃の熱処理を行った。この後、正極用外部電
極、負極用外部電極にリード線を接続し、アクチュエー
タの外周面にデイッピングにより、シリコーンゴムを被
覆した後、1kVの分極電圧を印加し、全体を分極処理
して、図1に示す本発明の積層型圧電素子を得た。
【0056】得られた積層圧電素子について、変位量と
キュリー温度を測定した。変位量の測定は、上面にアル
ミニウム箔を張り付けた試料を防振台上に固定し、0〜
200Vの電圧を試料に印加し、レーザー変位計によ
り、素子の中心部及び周囲部3箇所で測定した値の平均
値で評価した。
キュリー温度を測定した。変位量の測定は、上面にアル
ミニウム箔を張り付けた試料を防振台上に固定し、0〜
200Vの電圧を試料に印加し、レーザー変位計によ
り、素子の中心部及び周囲部3箇所で測定した値の平均
値で評価した。
【0057】圧電歪定数d33は、積層数n=200と、
変位量ΔLおよび印加電圧V=200Vを用い、d33=
ΔL/(n×V)の式にて求めた。キュリー温度(T
c)の算出は、静電容量の温度依存性をマルチメーター
で測定し、最大値を示す温度をキュリー温度とした。ま
た、密度については、アクチュエータの不活性部分を切
り出してアルキメデス法により測定した。ヤング率の評
価はアクチュエータに200V電圧を印可した状態で加
重変位特性より求めた。その結果を表1に記載した。
変位量ΔLおよび印加電圧V=200Vを用い、d33=
ΔL/(n×V)の式にて求めた。キュリー温度(T
c)の算出は、静電容量の温度依存性をマルチメーター
で測定し、最大値を示す温度をキュリー温度とした。ま
た、密度については、アクチュエータの不活性部分を切
り出してアルキメデス法により測定した。ヤング率の評
価はアクチュエータに200V電圧を印可した状態で加
重変位特性より求めた。その結果を表1に記載した。
【0058】
【表1】
【0059】通常、純粋なPZTは、1000℃の焼成
温度では磁器密度が6.0g/cm 3程度となり、使用
できるものは得られない。しかし、本発明の圧電アクチ
ュエータでは1000℃以下の焼成温度にもかかわら
ず、すべて7.7g/cm3以上の密度を有しており、
緻密であった。また、本発明の試料では、いずれも焼成
温度1000℃以下で緻密な焼結体が得られ、圧電歪定
数d33が600pm/V以上、Tcが250℃以上と大
きな値が得られた。
温度では磁器密度が6.0g/cm 3程度となり、使用
できるものは得られない。しかし、本発明の圧電アクチ
ュエータでは1000℃以下の焼成温度にもかかわら
ず、すべて7.7g/cm3以上の密度を有しており、
緻密であった。また、本発明の試料では、いずれも焼成
温度1000℃以下で緻密な焼結体が得られ、圧電歪定
数d33が600pm/V以上、Tcが250℃以上と大
きな値が得られた。
【0060】一方、(Yb1/2Nb1/2)が置換されてい
ない試料No.26はd33が850pm/V程度と高い
ものの、Tcが195℃と低かった。また、(Co1/3
Nb2 /3)と(Zn1/3Nb2/3)で置換されていない試
料No.27、(Co1/3Nb2 /3)で置換されていない
試料No.28、および(Zn1/3Nb2/3)で置換され
ていない試料No.29はいずれも、d33が600pm
/V未満と小さく、変位量も小さかった。
ない試料No.26はd33が850pm/V程度と高い
ものの、Tcが195℃と低かった。また、(Co1/3
Nb2 /3)と(Zn1/3Nb2/3)で置換されていない試
料No.27、(Co1/3Nb2 /3)で置換されていない
試料No.28、および(Zn1/3Nb2/3)で置換され
ていない試料No.29はいずれも、d33が600pm
/V未満と小さく、変位量も小さかった。
【0061】さらに、副成分の量(b+c+d)が10
モル%よりも少ない場合には圧電歪定数d33が小さく、
また、20モル%よりも多い場合にはキュリー温度が低
下することが判る。また、Zr/Ti比が0.85〜
0.96の範囲外の場合には、圧電歪定数d33が小さく
なることが判る。また、圧電歪み定数d33が非常に大き
いため、Zr/Ti比を変更しヤング率を大きくした場
合でも、圧電歪み定数d 33は、600pm/V以上を確
保できることが判る。
モル%よりも少ない場合には圧電歪定数d33が小さく、
また、20モル%よりも多い場合にはキュリー温度が低
下することが判る。また、Zr/Ti比が0.85〜
0.96の範囲外の場合には、圧電歪定数d33が小さく
なることが判る。また、圧電歪み定数d33が非常に大き
いため、Zr/Ti比を変更しヤング率を大きくした場
合でも、圧電歪み定数d 33は、600pm/V以上を確
保できることが判る。
【0062】尚、本発明の試料では、内部電極の形成状
態は同時焼成型積層圧電素子の研磨断面をSEMにて観
察し評価したところ、内部電極の凝集は発生していない
ことを確認した。
態は同時焼成型積層圧電素子の研磨断面をSEMにて観
察し評価したところ、内部電極の凝集は発生していない
ことを確認した。
【0063】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、P
bZrO3−PbTiO3を主成分とし、少なくともPb
(Yb1/2Nb1/2)O3、Pb(Co2/3Nb1/3)O3及
びPb(Zn1/2Nb1/2)O3を副成分とするペロブス
カイト型複合酸化物からなるため、キュリー温度を高く
維持しつつ圧電歪み定数d33を大きくできるとともに、
焼成温度を低下させることができ、さらに積層圧電素子
の発生力を大きくするために、Zr/Ti比を0.85
〜0.96の範囲で変化させヤング率を大きくしても、
600pm/V以上の圧電歪み定数d33を確保できる。
bZrO3−PbTiO3を主成分とし、少なくともPb
(Yb1/2Nb1/2)O3、Pb(Co2/3Nb1/3)O3及
びPb(Zn1/2Nb1/2)O3を副成分とするペロブス
カイト型複合酸化物からなるため、キュリー温度を高く
維持しつつ圧電歪み定数d33を大きくできるとともに、
焼成温度を低下させることができ、さらに積層圧電素子
の発生力を大きくするために、Zr/Ti比を0.85
〜0.96の範囲で変化させヤング率を大きくしても、
600pm/V以上の圧電歪み定数d33を確保できる。
【0064】また、副成分の含有量を、全量中10〜2
0モル%とすることにより、さらに圧電磁器の圧電歪み
定数を向上させ、また高いキュリー温度を確保できる。
0モル%とすることにより、さらに圧電磁器の圧電歪み
定数を向上させ、また高いキュリー温度を確保できる。
【図1】本発明の積層型圧電素子を用いた圧電アクチュ
エータを示す断面図である。
エータを示す断面図である。
【図2】本発明の噴射装置を示す概念図である。
1・・・圧電磁器 3a、3b・・・内部電極 5・・・積層圧電素子 7a、7b・・・外部電極 51・・・収納容器 53・・・噴射孔 55・・・バルブ 63・・・圧電アクチュエータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 41/083 H01L 41/08 Q 41/09 U 41/187 41/18 101E 101F
Claims (5)
- 【請求項1】PbZrO3−PbTiO3を主成分とし、
少なくともPb(Yb 1/2Nb1/2)O3、Pb(Co1/3
Nb2/3)O3及びPb(Zn1/3Nb2 /3)O3を副成分
とするペロブスカイト型複合酸化物からなり、Zr/T
i比が0.85〜0.96を満足し、かつ、前記副成分
を10〜20モル%含有することを特徴とする圧電磁
器。 - 【請求項2】ペロブスカイト型複合酸化物のA/B比
が、1<A/B≦1.01であることを特徴とする請求
項1記載の圧電磁器。 - 【請求項3】ペロブスカイト型複合酸化物のAサイト中
に、アルカリ土類元素を8モル%以下含有することを特
徴とする請求項1又は2記載の圧電磁器。 - 【請求項4】内部電極と圧電体層とを交互に積層してな
る積層圧電素子であって、前記圧電体層が、請求項1乃
至3のうちいずれかに記載の圧電磁器からなり、前記内
部電極におけるAg量が、金属成分中90重量%以上で
あることを特徴とする積層圧電素子。 - 【請求項5】噴射孔を有する収納容器と、該収納容器内
に収容された請求項4記載の積層圧電素子と、該積層圧
電素子の駆動により前記噴射孔から液体を噴出させるバ
ルブとを具備してなることを特徴とする噴射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000161606A JP2001342062A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 圧電磁器及び積層圧電素子並びに噴射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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