JP2001238460A - 電力変換装置 - Google Patents
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- H02M7/72—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output with possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/79—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output with possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
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- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
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- H02M1/325—Means for protecting converters other than automatic disconnection with means for allowing continuous operation despite a fault, i.e. fault tolerant converters
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- Rectifiers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 モジュール型スイッチング素子を直列接続し
た場合の信頼性を高める手段を備えた電力変換装置を提
供する。 【解決手段】 阻止すべき電圧に応じて直列接続された
複数の自己消弧型半導体スイッチング素子を有する電力
変換装置において、自己消弧型半導体スイッチング素子
が、半導体チップ３を絶縁基板上に搭載したモジュール
型スイッチング素子であり、モジュール型スイッチング
素子３と電気的に並列に、半導体チップを両面からパッ
ケージ電極で挟み込んだ圧接型スイッチング素子４を接
続した。故障が発生した時に、故障したスイッチング素
子３に並列接続された圧接型スイッチング素子４が短絡
状態となり、そのアームはオン状態に復帰する。それ以
降は、故障したスイッチング素子３をバイパスし、他の
健全なスイッチング素子３だけで、通常通りの運転を継
続できる。
た場合の信頼性を高める手段を備えた電力変換装置を提
供する。 【解決手段】 阻止すべき電圧に応じて直列接続された
複数の自己消弧型半導体スイッチング素子を有する電力
変換装置において、自己消弧型半導体スイッチング素子
が、半導体チップ３を絶縁基板上に搭載したモジュール
型スイッチング素子であり、モジュール型スイッチング
素子３と電気的に並列に、半導体チップを両面からパッ
ケージ電極で挟み込んだ圧接型スイッチング素子４を接
続した。故障が発生した時に、故障したスイッチング素
子３に並列接続された圧接型スイッチング素子４が短絡
状態となり、そのアームはオン状態に復帰する。それ以
降は、故障したスイッチング素子３をバイパスし、他の
健全なスイッチング素子３だけで、通常通りの運転を継
続できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体スイッチン
グ素子を直列接続して使用する電力変換装置に係り、特
に、モジュール型スイッチング素子を直列接続して使用
する際の信頼性を高める手段に関する。
グ素子を直列接続して使用する電力変換装置に係り、特
に、モジュール型スイッチング素子を直列接続して使用
する際の信頼性を高める手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】高電圧自励式の電力変換器では、高電圧
を阻止するために、自己消弧型半導体スイッチング素子
を直列接続する必要がある。電力用途などの高信頼性が
要求される電力変換器においては、一部のスイッチング
素子が故障しても運転を継続できるように、スイッチン
グ素子の直列接続数を増やし、電圧に関して余裕を持た
せてある。各スイッチング素子が故障した場合、電気的
に短絡状態になるように構成すると、残りの健全なスイ
ッチング素子だけで運転を継続できる。したがって、高
信頼性が要求される高電圧電力変換装置には、故障する
と短絡状態になる圧接型スイッチング素子を使用してき
た。
を阻止するために、自己消弧型半導体スイッチング素子
を直列接続する必要がある。電力用途などの高信頼性が
要求される電力変換器においては、一部のスイッチング
素子が故障しても運転を継続できるように、スイッチン
グ素子の直列接続数を増やし、電圧に関して余裕を持た
せてある。各スイッチング素子が故障した場合、電気的
に短絡状態になるように構成すると、残りの健全なスイ
ッチング素子だけで運転を継続できる。したがって、高
信頼性が要求される高電圧電力変換装置には、故障する
と短絡状態になる圧接型スイッチング素子を使用してき
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、圧接型スイッ
チング素子では、チップを均一に加圧しなければならな
いので、パッケージのバッファ電極を厚くする必要があ
り、チップからパッケージ表面までの熱抵抗が大きくな
る欠点がある。パッケージの熱抵抗が大きいと、スイッ
チング素子の発熱による温度上昇が大きくなり、許容損
失が低下する。高調波の除去には、スイッチング素子の
周波数を高くすることが好ましいが、スイッチング損失
の増大によるスイッチング素子の温度上昇がボトルネッ
クとなり、スイッチング周波数を上げることが困難とな
る。
チング素子では、チップを均一に加圧しなければならな
いので、パッケージのバッファ電極を厚くする必要があ
り、チップからパッケージ表面までの熱抵抗が大きくな
る欠点がある。パッケージの熱抵抗が大きいと、スイッ
チング素子の発熱による温度上昇が大きくなり、許容損
失が低下する。高調波の除去には、スイッチング素子の
周波数を高くすることが好ましいが、スイッチング損失
の増大によるスイッチング素子の温度上昇がボトルネッ
クとなり、スイッチング周波数を上げることが困難とな
る。
【０００４】一方、モジュール型スイッチング素子で
は、チップとパッケージ表面との距離を短くでき、熱抵
抗は小さいが、故障した場合には、モジュール型スイッ
チング素子が電気的に開放状態になるので、直列接続で
は、代替路を確保していわゆる冗長性を高めることがで
きず、高信頼性は得られなかった。
は、チップとパッケージ表面との距離を短くでき、熱抵
抗は小さいが、故障した場合には、モジュール型スイッ
チング素子が電気的に開放状態になるので、直列接続で
は、代替路を確保していわゆる冗長性を高めることがで
きず、高信頼性は得られなかった。
【０００５】本発明の目的は、モジュール型スイッチン
グ素子を直列接続した場合の信頼性を高める手段を備え
た電力変換装置を提供することである。
グ素子を直列接続した場合の信頼性を高める手段を備え
た電力変換装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、阻止すべき電圧に応じて直列接続された
複数の自己消弧型半導体スイッチング素子を有する電力
変換装置において、自己消弧型半導体スイッチング素子
が、半導体チップを絶縁基板上に搭載したモジュール型
スイッチング素子であり、モジュール型スイッチング素
子と電気的に並列に、半導体チップを両面からパッケー
ジ電極で挟み込んだ圧接型スイッチング素子を接続した
電力変換装置を提案する。
成するために、阻止すべき電圧に応じて直列接続された
複数の自己消弧型半導体スイッチング素子を有する電力
変換装置において、自己消弧型半導体スイッチング素子
が、半導体チップを絶縁基板上に搭載したモジュール型
スイッチング素子であり、モジュール型スイッチング素
子と電気的に並列に、半導体チップを両面からパッケー
ジ電極で挟み込んだ圧接型スイッチング素子を接続した
電力変換装置を提案する。
【０００７】前記圧接型スイッチング素子は、具体的に
は、ｐｎｐ構造の半導体素子、ｐｎｐｎ構造の半導体素
子、互いに電気的に逆向きに直列接続されたダイオー
ド、または、モジュール型スイッチング素子内の還流ダ
イオードと同じ向きに接続されるダイオードである。
は、ｐｎｐ構造の半導体素子、ｐｎｐｎ構造の半導体素
子、互いに電気的に逆向きに直列接続されたダイオー
ド、または、モジュール型スイッチング素子内の還流ダ
イオードと同じ向きに接続されるダイオードである。
【０００８】いずれの電力変換装置においても、圧接型
スイッチング素子の耐圧を、モジュール型スイッチング
素子の耐圧よりも低くすることもできる。
スイッチング素子の耐圧を、モジュール型スイッチング
素子の耐圧よりも低くすることもできる。
【０００９】本発明では、モジュール型スイッチング素
子と並列に、このモジュール型スイッチング素子と同等
の耐電圧性を有する圧接型スイッチング素子を接続す
る。このような耐電圧性の圧接型スイッチング素子とし
ては、ｐｎｐ素子，ｐｎｐｎ素子，ダイオード素子，互
いに逆向きに直列接続されたダイオード素子などが考え
られる。
子と並列に、このモジュール型スイッチング素子と同等
の耐電圧性を有する圧接型スイッチング素子を接続す
る。このような耐電圧性の圧接型スイッチング素子とし
ては、ｐｎｐ素子，ｐｎｐｎ素子，ダイオード素子，互
いに逆向きに直列接続されたダイオード素子などが考え
られる。
【００１０】自己消弧型半導体スイッチング素子を用い
たアームにより直流電圧源からの電力を交流に変換し負
荷に供給する電力変換装置において、何らかの理由で、
あるモジュール型スイッチング素子が故障し、開放状態
になったとする。
たアームにより直流電圧源からの電力を交流に変換し負
荷に供給する電力変換装置において、何らかの理由で、
あるモジュール型スイッチング素子が故障し、開放状態
になったとする。
【００１１】もし、スイッチング素子の故障が発生した
時に、そのアームがオン状態であれば、直流電圧と負荷
のインダクタンスに発生する電圧とが、本発明において
は、故障したスイッチング素子に並列接続された圧接型
スイッチング素子にすべて印加され、その許容電圧を超
えるので、この圧接型スイッチング素子が短絡状態とな
り、そのアームはオン状態に復帰する。それ以降は、故
障したスイッチング素子をバイパスし、健全なスイッチ
ング素子だけで、通常通りの運転を継続できる。
時に、そのアームがオン状態であれば、直流電圧と負荷
のインダクタンスに発生する電圧とが、本発明において
は、故障したスイッチング素子に並列接続された圧接型
スイッチング素子にすべて印加され、その許容電圧を超
えるので、この圧接型スイッチング素子が短絡状態とな
り、そのアームはオン状態に復帰する。それ以降は、故
障したスイッチング素子をバイパスし、健全なスイッチ
ング素子だけで、通常通りの運転を継続できる。
【００１２】一方、スイッチング素子の故障が発生した
時に、そのアームがオフ状態であれば、直流電圧は、故
障したスイッチング素子に並列接続された圧接型スイッ
チング素子と他の直列接続されたスイッチング素子とで
分圧される。オン状態に移行すると、故障したスイッチ
ング素子を除くスイッチング素子が点弧され、低インピ
ーダンスとなるので、この場合も、直流電圧は、故障し
たスイッチング素子に並列接続された圧接型スイッチン
グ素子に印加され、この圧接型スイッチング素子が短絡
状態となり、オン状態に復帰する。それ以後は、通常通
りの運転を継続できる。
時に、そのアームがオフ状態であれば、直流電圧は、故
障したスイッチング素子に並列接続された圧接型スイッ
チング素子と他の直列接続されたスイッチング素子とで
分圧される。オン状態に移行すると、故障したスイッチ
ング素子を除くスイッチング素子が点弧され、低インピ
ーダンスとなるので、この場合も、直流電圧は、故障し
たスイッチング素子に並列接続された圧接型スイッチン
グ素子に印加され、この圧接型スイッチング素子が短絡
状態となり、オン状態に復帰する。それ以後は、通常通
りの運転を継続できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、図１ないし図２１を参照し
て、本発明による電力変換装置の実施形態を詳細に説明
する。
て、本発明による電力変換装置の実施形態を詳細に説明
する。
【００１４】
【実施形態１】図１は、本発明を適用する電力変換装置
の全体構成を概略的に示す系統図である。本電力変換装
置においては、２段に直列接続したアーム５を３相分並
列接続し、直流電圧源６にまとめて接続してある。２段
に直列接続した各アームの中点には、各相の負荷７１を
接続してある。ＰＷＭ制御やＰＡＭ制御により生成した
ドライブ信号をＩＧＢＴ１に入力して、アーム５全体を
オンオフさせて、交流電圧を作り出し、負荷７１に印加
させる。
の全体構成を概略的に示す系統図である。本電力変換装
置においては、２段に直列接続したアーム５を３相分並
列接続し、直流電圧源６にまとめて接続してある。２段
に直列接続した各アームの中点には、各相の負荷７１を
接続してある。ＰＷＭ制御やＰＡＭ制御により生成した
ドライブ信号をＩＧＢＴ１に入力して、アーム５全体を
オンオフさせて、交流電圧を作り出し、負荷７１に印加
させる。
【００１５】図２は、図１の系統構成から、本発明によ
る電力変換装置の実施形態１における１相分の主要部を
抜き出して示すブロック図である。２つのアーム５が直
流電源６と直列接続され、２つのアーム５の中点には、
インダクタンス負荷７が接続されている。それぞれのア
ーム５では、ＩＧＢＴ１と還流ダイオード２とが並列に
接続されモジュール型スイッチング素子３を形成してい
る。複数のモジュール型スイッチング素子３は、それぞ
れのドライブ回路８に接続されるとともに、互いには直
列接続されている。
る電力変換装置の実施形態１における１相分の主要部を
抜き出して示すブロック図である。２つのアーム５が直
流電源６と直列接続され、２つのアーム５の中点には、
インダクタンス負荷７が接続されている。それぞれのア
ーム５では、ＩＧＢＴ１と還流ダイオード２とが並列に
接続されモジュール型スイッチング素子３を形成してい
る。複数のモジュール型スイッチング素子３は、それぞ
れのドライブ回路８に接続されるとともに、互いには直
列接続されている。
【００１６】本実施形態１では、主素子であるモジュー
ル型スイッチング素子３にそれぞれ並列に、圧接型のｐ
ｎｐ素子４を接続してある。圧接型のｐｎｐ素子４は、
ＩＧＢＴ１の順耐圧と同等の順逆耐圧特性を有する。な
お、ＩＧＢＴ１および還流ダイオード２は、任意の数の
チップからなる。
ル型スイッチング素子３にそれぞれ並列に、圧接型のｐ
ｎｐ素子４を接続してある。圧接型のｐｎｐ素子４は、
ＩＧＢＴ１の順耐圧と同等の順逆耐圧特性を有する。な
お、ＩＧＢＴ１および還流ダイオード２は、任意の数の
チップからなる。
【００１７】図３は、モジュール型スイッチング素子３
内部の回路構成を示す図である。パッケージ３１の外面
には、エミッタ端子３４１と、コレクタ端子３４２と、
エミッタ補助端子３４１１と、ゲート端子３４３とを設
置してある。エミッタ端子３４１は、ＩＧＢＴのエミッ
タおよび還流ダイオード２１のアノードと電気的に接続
され、エミッタ補助端子３４１１は、エミッタ端子３４
１と電気的に接続されている。コレクタ端子３４２は、
ＩＧＢＴのコレクタと電気的に接続されている。ゲート
端子３４３は、各ＩＧＢＴチップ１１のゲートと電気的
に接続されている。エミッタ端子３４１およびコレクタ
端子３４２は、主電流の通流に用い、ゲート端子３４３
とエミッタ補助端子３４１１は、ゲート回路との接続に
用いる。各端子の数および接続されるＩＧＢＴチップや
ダイオードチップの数は任意である。
内部の回路構成を示す図である。パッケージ３１の外面
には、エミッタ端子３４１と、コレクタ端子３４２と、
エミッタ補助端子３４１１と、ゲート端子３４３とを設
置してある。エミッタ端子３４１は、ＩＧＢＴのエミッ
タおよび還流ダイオード２１のアノードと電気的に接続
され、エミッタ補助端子３４１１は、エミッタ端子３４
１と電気的に接続されている。コレクタ端子３４２は、
ＩＧＢＴのコレクタと電気的に接続されている。ゲート
端子３４３は、各ＩＧＢＴチップ１１のゲートと電気的
に接続されている。エミッタ端子３４１およびコレクタ
端子３４２は、主電流の通流に用い、ゲート端子３４３
とエミッタ補助端子３４１１は、ゲート回路との接続に
用いる。各端子の数および接続されるＩＧＢＴチップや
ダイオードチップの数は任意である。
【００１８】図４は、図３のモジュール型スイッチング
素子３の内部構造の一例を示す断面図である。絶縁基板
３２上にコレクタ電極１１２を介してＩＧＢＴチップ１
１が設置され、その上にエミッタ電極１１１が形成され
ている。エミッタ電極１１１は、ワイヤボンディング３
５により、エミッタパッド３４１５と接続されている。
同様に、コレクタ電極１１２は、ワイヤボンディング３
５により、コレクタパッド３４２５と接続されている。
パッド３４１５は、銅バーにより、エミッタ端子３４１
と接続されている。パッド３４２５は、銅バー３３によ
り、コレクタ端子３４２と接続されている。
素子３の内部構造の一例を示す断面図である。絶縁基板
３２上にコレクタ電極１１２を介してＩＧＢＴチップ１
１が設置され、その上にエミッタ電極１１１が形成され
ている。エミッタ電極１１１は、ワイヤボンディング３
５により、エミッタパッド３４１５と接続されている。
同様に、コレクタ電極１１２は、ワイヤボンディング３
５により、コレクタパッド３４２５と接続されている。
パッド３４１５は、銅バーにより、エミッタ端子３４１
と接続されている。パッド３４２５は、銅バー３３によ
り、コレクタ端子３４２と接続されている。
【００１９】本発明のモジュール型スイッチング素子
は、図３または図４に示した構成には限定されない。Ｉ
ＧＢＴチップと還流ダイオードチップとを内蔵し、アノ
ード電極，カソード電極など主電流が通流する半導体チ
ップ上の電極が、ワイヤボンディングまたは半田等を介
して、パッケージ上の端子に電気的に接続され、過電
圧，過電流などでＩＧＢＴチップまたは還流ダイオード
チップが電気的に破壊した時に、素子電極とパッケージ
電極との間の金属線が切断され、電気的に開放となる可
能性がある素子であれば、本発明のモジュール型スイッ
チング素子として採用できる。
は、図３または図４に示した構成には限定されない。Ｉ
ＧＢＴチップと還流ダイオードチップとを内蔵し、アノ
ード電極，カソード電極など主電流が通流する半導体チ
ップ上の電極が、ワイヤボンディングまたは半田等を介
して、パッケージ上の端子に電気的に接続され、過電
圧，過電流などでＩＧＢＴチップまたは還流ダイオード
チップが電気的に破壊した時に、素子電極とパッケージ
電極との間の金属線が切断され、電気的に開放となる可
能性がある素子であれば、本発明のモジュール型スイッ
チング素子として採用できる。
【００２０】図５は、圧接型のｐｎｐ素子４の上面構造
を示す図であり、図６は、圧接型のｐｎｐ素子４の内部
構造を示す断面図である。パッケージ４１の上面にカソ
ード端子４４１が設置され、下面にアノード端子４４２
が設置されている。ｐｎｐチップ４０１の上面にはカソ
ード電極４２２が形成され、下面には、アノード電極４
２３が形成されている。カソード電極４２２，ｐｎｐチ
ップ４０１，アノード電極４２３は、上下をモリブデン
バッファ４２５に挟まれており、モリブデンバッファ４
２５も、カソード端子４４１とアノード端子４４２とに
挟み込まれている。カソード端子４４１とアノード端子
４４２とを圧接すると、電気的導通状態が保たれ、ｐｎ
ｐチップ４０１が過電圧，過電流などで電気的に故障し
て短絡となっても、電極４２２と端子４４１との間の導
通および電極４２３と４４２との間の導通は保たれる。
すなわち、スイッチング素子が故障した時は、電気的に
短絡状態となる。
を示す図であり、図６は、圧接型のｐｎｐ素子４の内部
構造を示す断面図である。パッケージ４１の上面にカソ
ード端子４４１が設置され、下面にアノード端子４４２
が設置されている。ｐｎｐチップ４０１の上面にはカソ
ード電極４２２が形成され、下面には、アノード電極４
２３が形成されている。カソード電極４２２，ｐｎｐチ
ップ４０１，アノード電極４２３は、上下をモリブデン
バッファ４２５に挟まれており、モリブデンバッファ４
２５も、カソード端子４４１とアノード端子４４２とに
挟み込まれている。カソード端子４４１とアノード端子
４４２とを圧接すると、電気的導通状態が保たれ、ｐｎ
ｐチップ４０１が過電圧，過電流などで電気的に故障し
て短絡となっても、電極４２２と端子４４１との間の導
通および電極４２３と４４２との間の導通は保たれる。
すなわち、スイッチング素子が故障した時は、電気的に
短絡状態となる。
【００２１】本発明の圧接型のｐｎｐ素子４は、図５ま
たは図６に示した構造に限定されない。パッケージ電極
と半導体チップ上の電極との間に、例えば１kg／cm２以
上の圧力を加えて、アノード，カソード電極などの半導
体チップ上の主電極をＭｏ，Ｃｕなどの金属板を介して
パッケージ上の電極に電気的に接続し、過電流，過電圧
により半導体チップが破壊しても、電気的には短絡され
た状態となる素子であれば、本発明の圧接型のｐｎｐ素
子として採用できる。
たは図６に示した構造に限定されない。パッケージ電極
と半導体チップ上の電極との間に、例えば１kg／cm２以
上の圧力を加えて、アノード，カソード電極などの半導
体チップ上の主電極をＭｏ，Ｃｕなどの金属板を介して
パッケージ上の電極に電気的に接続し、過電流，過電圧
により半導体チップが破壊しても、電気的には短絡され
た状態となる素子であれば、本発明の圧接型のｐｎｐ素
子として採用できる。
【００２２】図７は、図１の直列スイッチング素子のう
ち２段の直列分のみの実装構造を示す平面図であり、図
８は、図７の実装構造の側面図である。モジュール型ス
イッチング素子３の各エミッタ端子３４１と加圧治具８
０の下電極８４とは、銅板８１により電気的に接続され
ている。各コレクタ端子３４２と加圧治具８０の上電極
８３とは、電気的に接続されている。上電極８３と圧接
型のｐｎｐ素子４とは、エミッタ端子４４１を挟み込ん
でいる。下電極８４と圧接型のｐｎｐ素子４とは、コレ
クタ端子４４２を挟み込んでいる。上電極８４は、ばね
付き銅板８７およびボルト８６により、加圧状態に保た
れている。これらの構造物は、冷却フィン８５に取付け
られている。このように構成された１直列分は、銅板８
７により、他の直列スイッチング素子に接続される。し
たがって、１直列スイッチング素子群９００のモジュー
ル３が故障して開放となっても、それに並列接続された
圧接型のｐｎｐ素子４が短絡すれば、他の直列スイッチ
ング素子群９０１等に電流を通流できることになる。
ち２段の直列分のみの実装構造を示す平面図であり、図
８は、図７の実装構造の側面図である。モジュール型ス
イッチング素子３の各エミッタ端子３４１と加圧治具８
０の下電極８４とは、銅板８１により電気的に接続され
ている。各コレクタ端子３４２と加圧治具８０の上電極
８３とは、電気的に接続されている。上電極８３と圧接
型のｐｎｐ素子４とは、エミッタ端子４４１を挟み込ん
でいる。下電極８４と圧接型のｐｎｐ素子４とは、コレ
クタ端子４４２を挟み込んでいる。上電極８４は、ばね
付き銅板８７およびボルト８６により、加圧状態に保た
れている。これらの構造物は、冷却フィン８５に取付け
られている。このように構成された１直列分は、銅板８
７により、他の直列スイッチング素子に接続される。し
たがって、１直列スイッチング素子群９００のモジュー
ル３が故障して開放となっても、それに並列接続された
圧接型のｐｎｐ素子４が短絡すれば、他の直列スイッチ
ング素子群９０１等に電流を通流できることになる。
【００２３】図２において、１つのアーム５内のＩＧＢ
Ｔ５、例えば、アーム５Ｎ内またはアーム５Ｐ内のモジ
ュール３のＩＧＢＴ１は、それぞれ同時にオンオフさせ
る。対となったアーム５は、同時にはオンさせない。Ｐ
ＷＭ制御やＰＡＭ制御により生成したドライブ信号をＩ
ＧＢＴ１に入力し、アーム５をオンオフさせ、インダク
タンス負荷７に印加する電圧実効値を制御する。
Ｔ５、例えば、アーム５Ｎ内またはアーム５Ｐ内のモジ
ュール３のＩＧＢＴ１は、それぞれ同時にオンオフさせ
る。対となったアーム５は、同時にはオンさせない。Ｐ
ＷＭ制御やＰＡＭ制御により生成したドライブ信号をＩ
ＧＢＴ１に入力し、アーム５をオンオフさせ、インダク
タンス負荷７に印加する電圧実効値を制御する。
【００２４】ここでアーム５Ｎとアーム５Ｐとを交互に
オンオフ制御して、アーム５Ｐへのドライブ信号がオフ
状態、アーム５がオン状態である時に着目する。オン状
態において、電流は、直流電圧源６→アーム５Ｎ→イン
ダクタンス負荷７という経路で流れる。
オンオフ制御して、アーム５Ｐへのドライブ信号がオフ
状態、アーム５がオン状態である時に着目する。オン状
態において、電流は、直流電圧源６→アーム５Ｎ→イン
ダクタンス負荷７という経路で流れる。
【００２５】アーム５Ｎをターンオフさせると、アーム
５Ｎには、主回路、すなわち、直流電圧源６→アーム５
Ｎ→アーム５Ｐ→直流電圧源６の経路に存在する配線イ
ンダクタンス９に発生する電圧と直流電圧源６の電圧の
和が印加される。そこで、アーム５Ｎ内のモジュール３
の直列接続数は、この電圧を阻止できるように設定する
必要がある。一部のモジュール３が故障しても、電力変
換装置の運転を継続できるように、直列接続数には、余
裕を持たせる。すべてのスイッチング素子には故障モー
ドが短絡となる圧接型のｐｎｐ素子４を並列に接続した
モジュール３を少なくとも１個余分に接続する。
５Ｎには、主回路、すなわち、直流電圧源６→アーム５
Ｎ→アーム５Ｐ→直流電圧源６の経路に存在する配線イ
ンダクタンス９に発生する電圧と直流電圧源６の電圧の
和が印加される。そこで、アーム５Ｎ内のモジュール３
の直列接続数は、この電圧を阻止できるように設定する
必要がある。一部のモジュール３が故障しても、電力変
換装置の運転を継続できるように、直列接続数には、余
裕を持たせる。すべてのスイッチング素子には故障モー
ドが短絡となる圧接型のｐｎｐ素子４を並列に接続した
モジュール３を少なくとも１個余分に接続する。
【００２６】なお、圧接型のｐｎｐ素子４は、定常時に
ＩＧＢＴ１の順耐圧と同等の順逆耐圧特性を示すので、
圧接型のｐｎｐ素子４には、電流は流れない。
ＩＧＢＴ１の順耐圧と同等の順逆耐圧特性を示すので、
圧接型のｐｎｐ素子４には、電流は流れない。
【００２７】例えば、アーム５Ｎがオフ状態において、
モジュール３ＦのＩＧＢＴが故障して、開放になったと
する。直流電圧源６の電圧は、故障したモジュール３Ｆ
に並列接続された圧接型のｐｎｐ素子４Ｆと、他のモジ
ュール３または圧接型のｐｎｐ素子４とにより分圧され
る。次にアーム５Ｎの各モジュール３にオン信号が印加
されると、故障したモジュール３Ｆを除くモジュール３
は、ターンオンして、低インピーダンスとなるので、圧
接型のｐｎｐ素子４Ｆには、直流電圧がすべて印加され
る。この状態では、圧接型のｐｎｐ素子４Ｆが過電圧印
加となり、故障して短絡する。したがって、電流は、短
絡した圧接型のｐｎｐ素子４Ｆを通して流れることが可
能となり、残りの健全なスイッチング素子により、運転
を継続できる。
モジュール３ＦのＩＧＢＴが故障して、開放になったと
する。直流電圧源６の電圧は、故障したモジュール３Ｆ
に並列接続された圧接型のｐｎｐ素子４Ｆと、他のモジ
ュール３または圧接型のｐｎｐ素子４とにより分圧され
る。次にアーム５Ｎの各モジュール３にオン信号が印加
されると、故障したモジュール３Ｆを除くモジュール３
は、ターンオンして、低インピーダンスとなるので、圧
接型のｐｎｐ素子４Ｆには、直流電圧がすべて印加され
る。この状態では、圧接型のｐｎｐ素子４Ｆが過電圧印
加となり、故障して短絡する。したがって、電流は、短
絡した圧接型のｐｎｐ素子４Ｆを通して流れることが可
能となり、残りの健全なスイッチング素子により、運転
を継続できる。
【００２８】一方、アーム５Ｎがオン状態で、モジュー
ル３ＦのＩＧＢＴが故障して開放になったとする。モジ
ュール３ＦのＩＧＢＴが故障して、開放となったので、
電流が一時的に遮断されるが、直流電圧源６の電圧等
が、故障したモジュール３Ｆに並列に接続された圧接型
のｐｎｐ素子４Ｆに印加されるので、圧接型のｐｎｐ素
子４Ｆが故障して短絡となる。したがって、短絡した圧
接型のｐｎｐ素子４Ｆを経由する電流の通流が可能とな
り、運転が即座に再開される。
ル３ＦのＩＧＢＴが故障して開放になったとする。モジ
ュール３ＦのＩＧＢＴが故障して、開放となったので、
電流が一時的に遮断されるが、直流電圧源６の電圧等
が、故障したモジュール３Ｆに並列に接続された圧接型
のｐｎｐ素子４Ｆに印加されるので、圧接型のｐｎｐ素
子４Ｆが故障して短絡となる。したがって、短絡した圧
接型のｐｎｐ素子４Ｆを経由する電流の通流が可能とな
り、運転が即座に再開される。
【００２９】
【実施形態２】図９は、図１の系統構成から、本発明に
よる電力変換装置の実施形態２における１相分の主要部
を抜き出して示すブロック図である。図３は、本実施形
態２のモジュール型スイッチング素子３内部の回路構成
を示す図であり、図４は、図３のモジュール型スイッチ
ング素子３の内部構造の一例を示す断面図である。図１
０は、圧接型のｐｎｐｎ素子４１の上面構造を示す図で
あり、図１１は、圧接型のｐｎｐｎ素子４１の内部構造
を示す断面図である。図１２は、実施形態２の直列スイ
ッチング素子のうち２段の直列分のみの実装構造を示す
平面図であり、図１３は、図１２の実装構造の側面図で
ある。
よる電力変換装置の実施形態２における１相分の主要部
を抜き出して示すブロック図である。図３は、本実施形
態２のモジュール型スイッチング素子３内部の回路構成
を示す図であり、図４は、図３のモジュール型スイッチ
ング素子３の内部構造の一例を示す断面図である。図１
０は、圧接型のｐｎｐｎ素子４１の上面構造を示す図で
あり、図１１は、圧接型のｐｎｐｎ素子４１の内部構造
を示す断面図である。図１２は、実施形態２の直列スイ
ッチング素子のうち２段の直列分のみの実装構造を示す
平面図であり、図１３は、図１２の実装構造の側面図で
ある。
【００３０】本実施形態２は、実施形態１における圧接
型のｐｎｐ素子４を圧接型のｐｎｐｎ素子４１に置き換
えた例である。圧接型のｐｎｐｎ素子４１としては、サ
イリスタやＧＴＯ素子等の高耐圧素子が多種類販売され
ているので、入手が容易である。
型のｐｎｐ素子４を圧接型のｐｎｐｎ素子４１に置き換
えた例である。圧接型のｐｎｐｎ素子４１としては、サ
イリスタやＧＴＯ素子等の高耐圧素子が多種類販売され
ているので、入手が容易である。
【００３１】実施形態２の動作上の効果は、実施形態１
の効果とほぼ同様である。
の効果とほぼ同様である。
【００３２】
【実施形態３】図１４は、図１の系統構成から、本発明
による電力変換装置の実施形態３における１相分の主要
部を抜き出して示すブロック図である。図３は、モジュ
ール型スイッチング素子３内部の回路構成を示す図であ
り、図４は、モジュール型スイッチング素子３の内部構
造の一例を示す断面図である。図１５は、圧接型ダイオ
ード素子４２の上面構造を示す図であり、図１６は、圧
接型ダイオード素子４２の内部構造を示す断面図であ
る。図１７は、実施形態３の直列スイッチング素子のう
ち２段の直列分のみの実装構造を示す平面図であり、図
１８は、図１７の実装構造の側面図である。
による電力変換装置の実施形態３における１相分の主要
部を抜き出して示すブロック図である。図３は、モジュ
ール型スイッチング素子３内部の回路構成を示す図であ
り、図４は、モジュール型スイッチング素子３の内部構
造の一例を示す断面図である。図１５は、圧接型ダイオ
ード素子４２の上面構造を示す図であり、図１６は、圧
接型ダイオード素子４２の内部構造を示す断面図であ
る。図１７は、実施形態３の直列スイッチング素子のう
ち２段の直列分のみの実装構造を示す平面図であり、図
１８は、図１７の実装構造の側面図である。
【００３３】本実施形態３においては、実施形態１のｐ
ｎｐ素子４や実施形態２のｐｎｐｎ素子４１に代えて、
圧接型のダイオード４２を逆向きに２個直列接続した素
子を採用している。
ｎｐ素子４や実施形態２のｐｎｐｎ素子４１に代えて、
圧接型のダイオード４２を逆向きに２個直列接続した素
子を採用している。
【００３４】圧接型のダイオード４２は、ＩＧＢＴ１の
順耐圧と同等の順逆耐圧特性を有するので、定常時は、
圧接型のダイオード４２に電流が流れない。
順耐圧と同等の順逆耐圧特性を有するので、定常時は、
圧接型のダイオード４２に電流が流れない。
【００３５】例えば、アーム５Ｎがオフ状態において、
モジュール３ＦのＩＧＢＴが故障して、開放になったと
する。直流電圧源６の電圧は、故障したモジュール３Ｆ
に並列に接続された圧接型のダイオード４２ＡＦ、すな
わち、ダイオード４２のうちで、還流ダイオード２と同
じ向きのものと、他のモジュール３または圧接型のダイ
オード４２Ａとにより分圧される。次にアーム５Ｎの各
モジュール３にオン信号が印加されると、故障したモジ
ュール３Ｆを除くモジュール３は、ターンオンして、低
インピーダンスとなる。すると、圧接型のダイオード４
２ＡＦにかかる電圧が大きくなり、圧接型のダイオード
４２ＡＦも故障して短絡となる。したがって、電流は、
短絡した圧接型のダイオード４２ＡＦを経由して電流の
通流が可能となり、残りの健全なスイッチング素子によ
り、運転を継続できるようになる。
モジュール３ＦのＩＧＢＴが故障して、開放になったと
する。直流電圧源６の電圧は、故障したモジュール３Ｆ
に並列に接続された圧接型のダイオード４２ＡＦ、すな
わち、ダイオード４２のうちで、還流ダイオード２と同
じ向きのものと、他のモジュール３または圧接型のダイ
オード４２Ａとにより分圧される。次にアーム５Ｎの各
モジュール３にオン信号が印加されると、故障したモジ
ュール３Ｆを除くモジュール３は、ターンオンして、低
インピーダンスとなる。すると、圧接型のダイオード４
２ＡＦにかかる電圧が大きくなり、圧接型のダイオード
４２ＡＦも故障して短絡となる。したがって、電流は、
短絡した圧接型のダイオード４２ＡＦを経由して電流の
通流が可能となり、残りの健全なスイッチング素子によ
り、運転を継続できるようになる。
【００３６】一方、アーム５Ｎがオン状態において、モ
ジュール３ＦのＩＧＢＴが故障して開放になったとす
る。モジュール３ＦのＩＧＢＴが故障して開放される
と、電流が一時的に遮断されるが、直流電圧源６の電圧
が、故障したモジュール３Ｆに並列に接続された圧接型
のダイオード４２ＡＦに印加され、圧接型のダイオード
４２ＡＦも故障して短絡となる。したがって、短絡した
圧接型のダイオード４２ＡＦを経由して電流の通流が可
能となり、残りの健全なスイッチング素子により、運転
が即座に再開される。
ジュール３ＦのＩＧＢＴが故障して開放になったとす
る。モジュール３ＦのＩＧＢＴが故障して開放される
と、電流が一時的に遮断されるが、直流電圧源６の電圧
が、故障したモジュール３Ｆに並列に接続された圧接型
のダイオード４２ＡＦに印加され、圧接型のダイオード
４２ＡＦも故障して短絡となる。したがって、短絡した
圧接型のダイオード４２ＡＦを経由して電流の通流が可
能となり、残りの健全なスイッチング素子により、運転
が即座に再開される。
【００３７】
【実施形態４】図１９は、図１の系統構成から、本発明
による電力変換装置の実施形態４における１相分の主要
部を抜き出して示すブロック図である。図３は、モジュ
ール型スイッチング素子３内部の回路構成を示す図であ
り、図４は、モジュール型スイッチング素子３の内部構
造の一例を示す断面図である。圧接型ダイオード素子４
２の上面構造を示す図であり、図１６は、圧接型ダイオ
ード素子４２の内部構造を示す断面図である。図２０
は、実施形態４の直列スイッチング素子のうち２段の直
列分のみの実装構造を示す平面図であり、図２１は、図
２０の実装構造の側面図である。
による電力変換装置の実施形態４における１相分の主要
部を抜き出して示すブロック図である。図３は、モジュ
ール型スイッチング素子３内部の回路構成を示す図であ
り、図４は、モジュール型スイッチング素子３の内部構
造の一例を示す断面図である。圧接型ダイオード素子４
２の上面構造を示す図であり、図１６は、圧接型ダイオ
ード素子４２の内部構造を示す断面図である。図２０
は、実施形態４の直列スイッチング素子のうち２段の直
列分のみの実装構造を示す平面図であり、図２１は、図
２０の実装構造の側面図である。
【００３８】本実施形態４においては、実施形態１のｐ
ｎｐ素子４や実施形態２のｐｎｐｎ素子４１に代えて、
圧接型のダイオード４２が還流ダイオード２と同じ向き
に接続される。
ｎｐ素子４や実施形態２のｐｎｐｎ素子４１に代えて、
圧接型のダイオード４２が還流ダイオード２と同じ向き
に接続される。
【００３９】本実施形態４では、還流ダイオード２と電
気的に並列に圧接型ダイオード４２を接続するので、電
流容量に余裕ができる特徴がある。また、実施形態３よ
りも圧接型スイッチング素子数が少ないという利点もあ
る。
気的に並列に圧接型ダイオード４２を接続するので、電
流容量に余裕ができる特徴がある。また、実施形態３よ
りも圧接型スイッチング素子数が少ないという利点もあ
る。
【００４０】スイッチング素子の故障が発生した時の動
作および実施形態の効果は、実施形態１ないし３とほぼ
同様である。
作および実施形態の効果は、実施形態１ないし３とほぼ
同様である。
【００４１】
【実施形態５】実施形態１から４において、圧接型のｐ
ｎｐ素子４，圧接型のｐｎｐｎ素子４，圧接型ダイオー
ド素子４２の耐圧を、モジュール３の素子マージンを考
慮して、それよりも低く設定する。オフ状態において、
あるモジュール３に過電圧が印加されようとすると、モ
ジュール３に並列に接続された圧接型のｐｎｐ素子４，
圧接型のｐｎｐｎ素子４，圧接型ダイオード素子４２等
が、先に故障して短絡するので、モジュール３は故障し
ない。さらに、オフ状態においては、圧接型スイッチン
グ素子が短絡となるので、実施形態１から４のようなス
イッチング素子故障による瞬時の運転中断を経由するこ
となく、運転を継続できる。
ｎｐ素子４，圧接型のｐｎｐｎ素子４，圧接型ダイオー
ド素子４２の耐圧を、モジュール３の素子マージンを考
慮して、それよりも低く設定する。オフ状態において、
あるモジュール３に過電圧が印加されようとすると、モ
ジュール３に並列に接続された圧接型のｐｎｐ素子４，
圧接型のｐｎｐｎ素子４，圧接型ダイオード素子４２等
が、先に故障して短絡するので、モジュール３は故障し
ない。さらに、オフ状態においては、圧接型スイッチン
グ素子が短絡となるので、実施形態１から４のようなス
イッチング素子故障による瞬時の運転中断を経由するこ
となく、運転を継続できる。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、スイッチング素子の故
障が発生した時に、そのアームがオン状態であれば、故
障したスイッチング素子に並列接続された圧接型スイッ
チング素子にすべて印加され、その許容電圧を超えるの
で、圧接型スイッチング素子が短絡状態となり、そのア
ームはオン状態に復帰する。それ以降は、故障したスイ
ッチング素子をバイパスし、健全なスイッチング素子だ
けで、通常通りの運転を継続できる。
障が発生した時に、そのアームがオン状態であれば、故
障したスイッチング素子に並列接続された圧接型スイッ
チング素子にすべて印加され、その許容電圧を超えるの
で、圧接型スイッチング素子が短絡状態となり、そのア
ームはオン状態に復帰する。それ以降は、故障したスイ
ッチング素子をバイパスし、健全なスイッチング素子だ
けで、通常通りの運転を継続できる。
【００４３】一方、スイッチング素子の故障が発生した
時に、そのアームがオフ状態であれば、次のオン状態移
行時点で、故障したスイッチング素子に並列接続された
圧接型スイッチング素子が短絡状態となり、そのアーム
はオン状態に復帰する。それ以後は、通常通りの運転を
継続できる。
時に、そのアームがオフ状態であれば、次のオン状態移
行時点で、故障したスイッチング素子に並列接続された
圧接型スイッチング素子が短絡状態となり、そのアーム
はオン状態に復帰する。それ以後は、通常通りの運転を
継続できる。
【００４４】したがって、直列接続したモジュール型ス
イッチング素子のいずれかが故障した場合でも、実質的
に通常の運転を継続できるので、電力変換装置の信頼性
が高まる。
イッチング素子のいずれかが故障した場合でも、実質的
に通常の運転を継続できるので、電力変換装置の信頼性
が高まる。
【図１】本発明を適用する電力変換装置の全体構成を概
略的に示す系統図である。
略的に示す系統図である。
【図２】図１の系統構成から、本発明による電力変換装
置の実施形態１における１相分の主要部を抜き出して示
すブロック図である。
置の実施形態１における１相分の主要部を抜き出して示
すブロック図である。
【図３】モジュール型スイッチング素子内部の回路構成
を示す図である。
を示す図である。
【図４】モジュール型スイッチング素子の内部構造の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図５】圧接型のｐｎｐ素子４の上面構造を示す図であ
る。
る。
【図６】圧接型のｐｎｐ素子の内部構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】図１の直列スイッチング素子のうち２段の直列
分のみの実装構造を示す平面図である。
分のみの実装構造を示す平面図である。
【図８】図７の実装構造の側面図である。
【図９】図１の系統構成から、本発明による電力変換装
置の実施形態２における１相分の主要部を抜き出して示
すブロック図である。
置の実施形態２における１相分の主要部を抜き出して示
すブロック図である。
【図１０】圧接型のｐｎｐｎ素子４１の上面構造を示す
図である。
図である。
【図１１】圧接型のｐｎｐｎ素子４１の内部構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図１２】実施形態２の直列スイッチング素子のうち２
段の直列分のみの実装構造を示す平面図である。
段の直列分のみの実装構造を示す平面図である。
【図１３】図１２の実装構造の側面図である。
【図１４】図１の系統構成から、本発明による電力変換
装置の実施形態３における１相分の主要部を抜き出して
示すブロック図である。
装置の実施形態３における１相分の主要部を抜き出して
示すブロック図である。
【図１５】圧接型ダイオード素子４２の上面構造を示す
図である。
図である。
【図１６】圧接型ダイオード素子４２の内部構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図１７】実施形態３の直列スイッチング素子のうち２
段の直列分のみの実装構造を示す平面図である。
段の直列分のみの実装構造を示す平面図である。
【図１８】図１７の実装構造の側面図である。
【図１９】図１の系統構成から、本発明による電力変換
装置の実施形態４における１相分の主要部を抜き出して
示すブロック図である。
装置の実施形態４における１相分の主要部を抜き出して
示すブロック図である。
【図２０】実施形態４の直列スイッチング素子のうち２
段の直列分のみの実装構造を示す平面図である。
段の直列分のみの実装構造を示す平面図である。
【図２１】図２０の実装構造の側面図である。
【符号の説明】 １ ＩＧＢＴ １１ ＩＧＢＴチップ １１１ エミッタ電極 １１２ コレクタ電極 ２ 還流ダイオード ２１ 還流ダイオードチップ ３ モジュール ３Ｆ 故障するモジュール ３４１ エミッタ端子 ３４１１ エミッタ補助端子 ３４１５ エミッタパッド ３４２ コレクタ端子 ３４２５ コレクタパッド ３５ ワイヤボンディング ４ 圧接型のｐｎｐ素子 ４０１ ｐｎｐチップ ４Ｆ 圧接型のｐｎｐ素子 ４１ 圧接型のｐｎｐｎ素子 ４１Ｆ 圧接型のｐｎｐｎ素子 ４１１ ｐｎｐｎチップ ４２ 圧接型のダイオード ４２Ｆ 圧接型のダイオード ４２Ａ 圧接型のダイオード ４２ＡＦ 圧接型のダイオード ４２１ ダイオードチップ ４２２ カソード電極 ４２３ アノード電極 ４２５ モリブデンバッファ ４３ パッケージ ４４１ カソード端子 ４４２ アノード端子 ５ アーム ５Ｎ Ｎアーム ５Ｐ Ｐアーム ６ 直流電圧源 ７ インダクタンス負荷 ７１ トランス ８０ 加圧治具 ８３ 上電極 ８４ 下電極 ８５ 冷却フィン ８６ ボルト ８７ ばね付き上板 ８８ 下板 ９００ １直列素子群 ９０１ 他の直列素子群 ９９９ 断面個所
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０２Ｍ 7/12 Ｈ０２Ｍ 7/12 Ｈ 7/5387 7/5387 Ｚ (72)発明者 伊予谷 隆二 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 5H006 HA07 5H007 AA06 CA01 CB05 CC05 CC06 DA05 FA03 FA06 FA13 HA04 5H740 AA04 BA11 BA15 BA18 BB05 BB07 BB08 BC01 BC02 MM11 PP01 PP02
Claims (6)
- 【請求項１】 阻止すべき電圧に応じて直列接続された
複数の自己消弧型半導体スイッチング素子を有する電力
変換装置において、 前記自己消弧型半導体スイッチング素子が、半導体チッ
プを絶縁基板上に搭載したモジュール型スイッチング素
子であり、 前記モジュール型スイッチング素子と電気的に並列に、
半導体チップを両面からパッケージ電極で挟み込んだ圧
接型スイッチング素子を接続したことを特徴とする電力
変換装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の電力変換装置におい
て、 前記圧接型スイッチング素子が、ｐｎｐ構造の半導体素
子であることを特徴とする電力変換装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の電力変換装置におい
て、 前記圧接型スイッチング素子が、ｐｎｐｎ構造の半導体
素子であることを特徴とする電力変換装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の電力変換装置におい
て、 前記圧接型スイッチング素子が、互いに電気的に逆向き
に直列接続されたダイオードであることを特徴とする電
力変換装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の電力変換装置におい
て、 前記圧接型スイッチング素子が、前記モジュール型スイ
ッチング素子内の還流ダイオードと同じ向きに接続され
るダイオードであることを特徴とする電力変換装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか一項に記載
の電力変換装置において、 前記圧接型スイッチング素子の耐圧が、前記モジュール
型スイッチング素子の耐圧よりも低いことを特徴とする
電力変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000047667A JP2001238460A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000047667A JP2001238460A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 電力変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001238460A true JP2001238460A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18569883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000047667A Pending JP2001238460A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001238460A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7301755B2 (en) * | 2003-12-17 | 2007-11-27 | Siemens Vdo Automotive Corporation | Architecture for power modules such as power inverters |
| WO2009075366A1 (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Tokyo Institute Of Technology | ソフトスイッチング電力変換装置 |
| JP2010512135A (ja) * | 2006-12-08 | 2010-04-15 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 電圧形インバータの直流側短絡を制御するための半導体保護素子 |
| JP2013027260A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-04 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
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