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JP2001229860A - X-ray image detector - Google Patents

X-ray image detector

Info

Publication number
JP2001229860A
JP2001229860A JP2000034206A JP2000034206A JP2001229860A JP 2001229860 A JP2001229860 A JP 2001229860A JP 2000034206 A JP2000034206 A JP 2000034206A JP 2000034206 A JP2000034206 A JP 2000034206A JP 2001229860 A JP2001229860 A JP 2001229860A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron emission
secondary electron
metal plate
ray image
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000034206A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Noji
隆司 野地
Kiyomi No
紀代美 能
Hiroyuki Aida
博之 會田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000034206A priority Critical patent/JP2001229860A/en
Publication of JP2001229860A publication Critical patent/JP2001229860A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】解像度およびコントラストの双方が良好な観測
画像が得られる平面型X線イメージ管を提供する。 【解決手段】この発明のX線画像検出器1は、貫通孔4
0が形成されている金属単板41,42に関し、深さ方
向に関し、出力蛍光面51に面する側(テーパ側)の側
から貫通孔40の概ね中央まで、金属単板42の材料に
比較して二次電子放出率が高いMgOと重量比で概ねM
gOの10%であるAlからなる薄膜47と、入力蛍光
面31に面する側の金属単板41の側から貫通孔40の
概ね中央まで、金属単板41の材料に比較して二次電子
放出率が低いTiN(窒化チタン),TiNO、金属炭
化物あるいは炭素系化合物もしくは窒素系化合物からな
る薄膜46を有する電子増倍器4を有している。され
る。
(57) [Problem] To provide a flat type X-ray image tube capable of obtaining an observation image with good resolution and contrast. An X-ray image detector according to the present invention includes a through-hole (4).
Regarding the metal veneers 41 and 42 in which 0 is formed, from the side facing the output fluorescent screen 51 (taper side) to the approximate center of the through hole 40 in the depth direction, the material is compared with the material of the metal veneer 42. And MgO which has a high secondary electron emission rate
The thin film 47 made of Al, which is 10% of gO, and the secondary electrons from the side of the single metal plate 41 facing the input phosphor screen 31 to the approximate center of the through hole 40 as compared with the material of the single metal plate 41. The electron multiplier 4 has a thin film 46 made of TiN (titanium nitride), TiNO, metal carbide, or a carbon-based compound or a nitrogen-based compound having a low emission rate. Is done.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、放射線であるX
線により得られる画像を光学的または電気的画像信号に
変換するX線画像検出器に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a radiation X
The present invention relates to an X-ray image detector that converts an image obtained by a line into an optical or electrical image signal.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、人体および物体の内部構造を調
べるためにはX線が有用であり、人体や物体に照射され
たX線の透過濃度分布すなわちX線強度分布またはX線
画像を可視光像またはX線に対応する電気的画像信号に
変換するための装置が広く利用されている。
2. Description of the Related Art In general, X-rays are useful for examining the internal structure of a human body or an object, and the transmission density distribution of X-rays irradiated on a human body or an object, that is, an X-ray intensity distribution or an X-ray image is visible light. Devices for converting an image or an electrical image signal corresponding to X-rays are widely used.

【0003】X線画像を可視光像あるいは電気画像信号
に変換するための装置としては、X線イメージ管(X線
像増強管)やX線ビジコン(X線画像検出器)が開発さ
れている。
[0003] As devices for converting an X-ray image into a visible light image or an electric image signal, an X-ray image tube (X-ray image intensifier) and an X-ray vidicon (X-ray image detector) have been developed. .

【0004】今日、X線イメージ管の厚さすなわち奥行
きを低減するために、真空容器内に電子増倍器を用いた
例が、報告されている。
[0004] Today, there have been reported examples of using an electron multiplier in a vacuum vessel to reduce the thickness, ie, depth, of an X-ray image tube.

【0005】例えば、米国特許第3,394,261号
公報には、X線イメージ管に、電子を増幅する機能を有
するマイクロ・チャンネル・プレート(MCP)を付加
した構成が開示されている。なお、MCPを用いたこの
種の奥行きの少ない薄型のX線イメージ管は、平面型X
線イメージ管と呼ばれている。
For example, US Pat. No. 3,394,261 discloses a configuration in which a micro channel plate (MCP) having a function of amplifying electrons is added to an X-ray image tube. It should be noted that this type of thin X-ray image tube having a small depth using an MCP is a flat X-ray image tube.
It is called a line image tube.

【0006】MCPすなわち電子増倍器は、複数の貫通
孔が面方向に所定間隔で開けられた所定の厚さの金属板
が絶縁材を介して積層されているもので、入力光電子を
光電変換する際のS/N(信号対ノイズ)比を改善でき
るとされている。なお、特開昭55−146854号公
報(特公昭62−41378号公報)には、二次電子を
得るために、金属板の孔の壁面をMgとAlの層を酸化
させた酸化膜を用いる例が、開示されている。
The MCP, or electron multiplier, has a structure in which a plurality of metal plates having a predetermined thickness and a plurality of through holes formed at predetermined intervals in a plane direction are laminated via an insulating material. It is said that the S / N (signal-to-noise) ratio can be improved. JP-A-55-146854 (JP-B-62-41378) uses an oxide film formed by oxidizing a layer of Mg and Al on the wall surface of a hole of a metal plate in order to obtain secondary electrons. Examples are disclosed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、米国特許第
3,394,261号公報に開示されているMCP構造
や周知の類似した平面型の電子増倍器においては、金属
板の孔の壁面で発生する二次電子が飛び出す角度や放出
エネルギーは不定であり、二次電子が金属板の孔の壁面
以外に衝突することが知られている。この壁面以外に衝
突した二次電子も新たに二次電子を放出するため、電子
の散乱が生じ、電子増倍器から出力蛍光面に向かう電子
である画像出力の分解能が低下する問題がある。
By the way, in the MCP structure disclosed in U.S. Pat. No. 3,394,261 and a well-known similar planar electron multiplier, the wall surface of the hole of the metal plate is used. It is known that the angle at which the generated secondary electrons fly out and the emission energy are undefined, and the secondary electrons collide with the metal plate other than the wall surfaces of the holes. Secondary electrons that collide with the wall surface also newly emit secondary electrons, so that electrons are scattered, and there is a problem that the resolution of an image output, which is electrons traveling from the electron multiplier to the output phosphor screen, is reduced.

【0008】一方、特開昭55―146854号公報
(特公昭62−41378号公報)に開示されたよう
に、電子増倍器を構成する金属板の貫通孔の表面をMg
とAlの酸化物で覆うと、酸化物があたかもコンデンサ
のように機能して、二次電子放出率が逆に低下すること
が発明者らによって、確認されている。
On the other hand, as disclosed in JP-A-55-146854 (JP-B-62-41378), the surface of a through-hole of a metal plate constituting an electron multiplier is made of Mg.
It has been confirmed by the present inventors that when covered with an oxide of Al and Al, the oxide functions as if it were a capacitor and the secondary electron emission rate is conversely reduced.

【0009】この発明の目的は、解像度が高く、出力画
像中のノイズ成分の低減によりコントラストの高い画像
が得られる平面型X線イメージ管を提供するものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a flat type X-ray tube capable of obtaining an image having a high resolution and a high contrast by reducing noise components in an output image.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この発明は、上述した問
題点に基づきなされたもので、真空を保持する真空容器
と、前記真空容器内に設けられ、外部から入射されたX
線を蛍光に変換する入力蛍光面と、前記真空容器中に配
置され、前記入力蛍光面により生じた蛍光を光電子に変
化する光電面と、前記真空容器中に配置され、面方向に
複数の孔が開けられた金属板を絶縁材により絶縁しなが
ら複数段積層され、各金属板に所定の電圧が印加される
ことにより、前記光電面から出射された光電子を増幅す
る電子増倍器と、前記真空容器中に配置され、前記電子
増倍器で増幅された光電子を可視光像に変換する出力蛍
光面と、前記出力蛍光面を保持し、前記可視光像を透過
する出力窓と、からなるX線画像検出器において、前記
金属板の各孔の光電子入射側内壁には、二次電子放出率
が前記金属板の材料よりも低い低二次電子放出率層が形
成され、上記光電子出射側内壁には、二次電子放出率が
前記金属板の材料よりも高い絶縁層中に導電性物質を添
加した高二次電子放出率層が形成されていることを特徴
とするX線画像検出器を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made based on the above-mentioned problems, and has a vacuum vessel for holding a vacuum and an X-ray provided in the vacuum vessel and having X-rays incident from outside.
An input phosphor screen for converting a line into fluorescence, a photocathode arranged in the vacuum vessel to change the fluorescence generated by the input phosphor screen into photoelectrons, and a plurality of holes arranged in the vacuum vessel in a plane direction. An electron multiplier that amplifies the photoelectrons emitted from the photocathode by applying a predetermined voltage to each metal plate while insulating the opened metal plate with an insulating material and applying a predetermined voltage to each metal plate, An output fluorescent screen that is disposed in a vacuum vessel and converts the photoelectrons amplified by the electron multiplier into a visible light image, and an output window that holds the output fluorescent screen and transmits the visible light image. In the X-ray image detector, a low secondary electron emission rate layer whose secondary electron emission rate is lower than that of the material of the metal plate is formed on a photoelectron incidence side inner wall of each hole of the metal plate. The inner wall has a secondary electron emission rate of the material of the metal plate. There is provided an X-ray image detector, characterized in that remote high insulation layer high secondary electron emission coefficient layer with added conductive substance in is formed.

【0011】なお、光電子入射側内壁とは、孔の深さ方
向でみて入力蛍光面寄りの部分をさし、光電子出射側内
壁とは、孔の深さ方向で見て出力蛍光面寄りの部分をさ
す。また、電子増倍器は、光電子を増幅するための金属
電極板に加えて光電子を集束束させるための集束用金属
電極板を有していてもよい。この集束用金属板は、孔が
増幅用金属板の孔の開口に整列するようにして形成され
た金属単板で構成できる。
The inner wall of the photoelectron incident side refers to a portion closer to the input phosphor screen when viewed in the depth direction of the hole, and the inner wall of the photoelectron emission side refers to a portion closer to the output phosphor screen as viewed in the depth direction of the hole. Point out. Further, the electron multiplier may have a focusing metal electrode plate for focusing photoelectrons in addition to the metal electrode plate for amplifying photoelectrons. The focusing metal plate can be formed of a single metal plate formed such that the holes are aligned with the openings of the holes of the amplification metal plate.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について、詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0013】図1は、この発明の実施の形態が適用され
る平面型X線画像検出器のX線像−可視光像変換部の構
成を示す概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an X-ray image-visible light image conversion section of a flat type X-ray image detector to which an embodiment of the present invention is applied.

【0014】図1において、X線画像検出器1の図示し
ない真空容器内には、図示しないX線源を出射されて、
観測対象物を透過したX線が入力される入力窓2、入力
窓2の内側で(真空容器内)の所定位置に設けられ、入
力窓2から入射されたX線を電子に変換する入力基板
3、入力基板3から出力された電子が到達することので
きる所定位置に設けられた電子増倍器4および電子増倍
器4により増幅された電子を可視光に変換して出力する
出力基板(出力窓)5が設けられている。なお、電子増
倍器4には、図2を用いて以下に説明する電源装置から
所定の電圧が供給される電力供給部6が形成されてい
る。
In FIG. 1, an X-ray source (not shown) is emitted into a vacuum vessel (not shown) of the X-ray image detector 1,
An input window 2 to which X-rays transmitted through the observation target are input, and an input substrate provided at a predetermined position (in a vacuum vessel) inside the input window 2 and converting X-rays incident from the input window 2 into electrons. 3. An electron multiplier 4 provided at a predetermined position where electrons output from the input substrate 3 can reach, and an output substrate that converts the electrons amplified by the electron multiplier 4 into visible light and outputs the visible light. An output window 5 is provided. The electron multiplier 4 is provided with a power supply unit 6 to which a predetermined voltage is supplied from a power supply device described below with reference to FIG.

【0015】入力基板3は、例えばAl製の基板30
に、所定の厚さのCsI(よう化セシウムにより形成さ
れた入力蛍光膜、以下Csl膜と示す)31、所定の厚
さのITO(酸化インジウム−錫の薄膜)のような透明
導電膜32、およびK(カリウム),Cs(セシウム)
またはNa(ナトリウム)等により構成される光電面3
3を有している。
The input substrate 3 is a substrate 30 made of, for example, Al.
A CsI (a phosphor film formed of cesium iodide, hereinafter referred to as a Csl film) 31 having a predetermined thickness, a transparent conductive film 32 such as ITO (a thin film of indium-tin oxide) having a predetermined thickness, And K (potassium), Cs (cesium)
Or photoelectric surface 3 composed of Na (sodium) or the like
Three.

【0016】電子増倍器4は、複数の貫通孔40が面方
向に所定間隔で開けられた所定厚さの金属単板41およ
び42が積層され、あるいは一枚の金属単板からなる金
属板43および金属板43相互間に位置された複数個の
ビーズ状のセラミック、好ましくは凝集性がガラスビー
ズよりも低度で、絶縁性に優れるジルコニアからなる絶
縁体44からなる。なお、絶縁体44は、例えば1列な
いし複数列置きに設けられてもよい。また、絶縁体44
は、金属板の所定の位置に、低融点のフリットガラス4
5により接合されている。
The electron multiplier 4 is formed by laminating single metal plates 41 and 42 each having a predetermined thickness in which a plurality of through holes 40 are formed at predetermined intervals in a plane direction, or a single metal single plate. A plurality of bead-shaped ceramics, preferably an insulator 44 made of zirconia, which has a lower cohesiveness than glass beads and is excellent in insulation, is provided between the metal plate 43 and the metal plate 43. Note that the insulators 44 may be provided, for example, in one or more rows. Also, the insulator 44
Is a low melting point frit glass 4 at a predetermined position on a metal plate.
5 are joined.

【0017】金属単板41および42、および金属板4
3には、例えば軟鉄(Fe)またはアンバー合金等が利
用されている。
Single metal plates 41 and 42 and metal plate 4
For example, soft iron (Fe) or an invar alloy or the like is used for 3.

【0018】各金属板相互の間隔は、例えば1〜100
0μmの範囲内で、いずれの導体層間でも概ね一定の間
隔になるように設定されている。また、各金属板相互に
は、電源装置11により、V〜Vで示される大きさ
の電位差が与えられている。なお、入力基板3のCsI
膜31と電子増倍器4の1段目の金属板との間には、電
源装置11から、Vで示される電位差が与えられてい
る。
The distance between the metal plates is, for example, 1 to 100.
Within the range of 0 μm, the distance is set to be substantially constant between any of the conductor layers. In addition, a potential difference having a magnitude indicated by V 2 to V n is given to each metal plate by the power supply device 11. The CsI of the input board 3
A potential difference indicated by V 1 is given from the power supply device 11 between the film 31 and the first-stage metal plate of the electron multiplier 4.

【0019】出力基板5は、ガラス板50とガラス板5
0の電子増倍器4の側に設けられた所定の厚さの出力蛍
光膜51と出力蛍光膜51よりも電子増倍器4の側に設
けられ、例えばアルミニウムからなる光反射性金属膜5
2を有している。なお、電子増倍器4のn段目の金属板
と、出力基板5の出力蛍光膜51との間には、電源装置
11から、Vで示される電位差(加速電圧)が与えら
れている。
The output substrate 5 includes a glass plate 50 and a glass plate 5.
The output fluorescent film 51 of a predetermined thickness provided on the side of the electron multiplier 4 and the light reflective metal film 5 provided on the electron multiplier 4 side of the output fluorescent film 51 and made of, for example, aluminum.
Two. Note that the n-th stage of the metal plate of the electron multiplier 4, between the output phosphor film 51 of the output board 5, from the power supply 11, a potential difference represented by V a (acceleration voltage) is applied .

【0020】図2は、図1に示したX線画像検出器に接
続される電源装置を説明する概略図である。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a power supply device connected to the X-ray image detector shown in FIG.

【0021】図2に示されるように、電源装置10は、
図示しない商用電源を受電して24V直流電圧を出力す
る電源トランス11、電源トランス11からの直流24
V電圧を所定の直流電圧に変換する第1ないし第3のD
C−DCコンバータ12〜14およびDC−DCコンバ
ータ12〜14のうちの1つ(ここでは第2のDC−D
Cコンバータ13とする)からの直流電圧を所定の電圧
に分割して、電子増倍器5の各金属板に供給するための
分割抵抗器15を有している。なお、第3のDC−DC
コンバータ14は、図示しない外囲器内に生じる不純物
(元素)ガスを除去するための詳述しないイオンポンプ
を駆動するための電源装置として、また、第1のDC−
DCコンバータ12は、加速電圧V出力するととも
に、詳述しないカソードへの電源装置として、それぞれ
独立に利用される。
As shown in FIG. 2, the power supply 10
A power transformer 11 that receives a commercial power supply (not shown) and outputs a 24 V DC voltage;
A first to a third D for converting the V voltage into a predetermined DC voltage
One of the C-DC converters 12 to 14 and the DC-DC converters 12 to 14 (here, the second DC-D
And a dividing resistor 15 for dividing the DC voltage from the C converter 13 into a predetermined voltage and supplying the divided voltage to each metal plate of the electron multiplier 5. The third DC-DC
The converter 14 serves as a power supply for driving an ion pump (not shown) for removing an impurity (element) gas generated in an envelope (not shown), and a first DC-DC converter.
DC converter 12 is adapted to the acceleration voltage V a output, as a power supply device to the cathode which is not described in detail, is used independently.

【0022】分割抵抗器15は、入力基板3のCsI膜
31と電子増倍器4の1段目の金属板との間に印加すべ
き電位差V、電子増倍器4の1段目からn−2段目の
それぞれの金属板間に印加すべき電位差V〜Vn−1
および電子増倍器4のn−1段目とn段目の金属板との
間に印加すべき電位差Vを発生するために、複数の抵
抗素子または可変抵抗素子が組み合わせられたものであ
る。
The potential divider V 1 to be applied between the CsI film 31 of the input substrate 3 and the first stage metal plate of the electron multiplier 4, the potential difference V 1 from the first stage of the electron multiplier 4 potential difference to be applied to each of the metal plates of the n-2 stage V 2 ~V n-1
And to generate a potential difference V n to be applied between the electron multiplier n-1 stage 4 and the n-th stage of the metal plate, in which a combined plurality of resistive elements or variable resistive element .

【0023】なお、電位差Vを発生する抵抗素子と電
位差Vn−1および電位差Vを発生する抵抗素子に
は、可変抵抗が用いられ、それ以外の電位差V〜V
n−2を発生する抵抗素子には、固定抵抗が用いられ
る。
[0023] Note that the resistive element and the potential difference V n-1 and the resistance element for generating a potential difference V n to generate a potential difference V 1, the variable resistor is used, the other potential V 2 ~V
A fixed resistor is used for the resistance element that generates n−2 .

【0024】この分割抵抗器15により、電位差V
n−2およびVn−1は、いずれも300Vに、電位
差Vは200V〜1kVに、電位差Vは、1〜30
0Vに、それぞれに設定される。
The potential difference V 2 -V
V n−2 and V n−1 are both 300 V, the potential difference V 1 is 200 V to 1 kV, and the potential difference V n is 1 to 30 V.
Each is set to 0V.

【0025】一方、加速電圧Vは、第1のDC−DC
コンバータ12により、0〜25kVの範囲に設定され
る。
On the other hand, the acceleration voltage V a, the first DC-DC
The voltage is set in the range of 0 to 25 kV by converter 12.

【0026】図3は、図1に示したX線画像検出器の電
子増倍器の個々の導体層の貫通孔について詳細に説明す
るための部分拡大図である。
FIG. 3 is a partially enlarged view for explaining in detail a through hole in each conductor layer of the electron multiplier of the X-ray image detector shown in FIG.

【0027】図3に示すように、電子増倍器4のn段の
金属板のうち、n−1段目およびn段目を除く個々の金
属板は、入力基板3の入力蛍光面31側に向けられる金
属単板41と出力基板5の出力蛍光面51側に向けられ
る金属単板42からなる。
As shown in FIG. 3, among the n-stage metal plates of the electron multiplier 4, the individual metal plates except for the (n−1) -th stage and the n-th stage are connected to the input fluorescent screen 31 side of the input substrate 3. And a single metal plate 42 directed to the output fluorescent screen 51 side of the output substrate 5.

【0028】それぞれの金属単板41,42は、ダブル
サイドエッチングにより、一方の面の側の貫通孔40が
テーパ状に、他の一方の面の側の貫通孔40が半径rで
定義される球状に、それぞれエッチングされている。す
なわち、各金属単板41,42の貫通孔40は、深さ方
向に関し、一方の開口部がテーパ状で、他の一方の開口
部が球状の断面形状を有している。なお、この実施の形
態においては、2枚の金属単板41,42が、それぞれ
の貫通孔40のテーパ状の部分が外側を向くように、相
互に積層されて金属板43を構成している。
The single metal plates 41 and 42 are formed by double side etching so that the through hole 40 on one side is tapered and the through hole 40 on the other side is defined by a radius r. Each is spherically etched. That is, in the through hole 40 of each of the metal veneers 41 and 42, one opening has a tapered shape and the other opening has a spherical cross-sectional shape in the depth direction. In this embodiment, two metal veneers 41 and 42 are laminated on each other such that the tapered portion of each through hole 40 faces outward. .

【0029】金属単板41および42が積層された金属
板43の貫通孔40の内面は、深さ方向に関し、出力蛍
光面51に面する側(テーパ側)の側から貫通孔40の
概ね中央まで、金属単板42の材料に比較して二次電子
放出率が高いMgO(酸化マグネシウム)に対し、重量
比で概ねMgOの10%であるAl(アルミニウム)が
添加された薄膜(高二次電子放出率層)47とにより覆
われている。なお、Alは、好ましくは、MgOの薄層
の表層部分(貫通孔40の内径側)寄りに位置される。
The inner surface of the through hole 40 of the metal plate 43 on which the metal single plates 41 and 42 are laminated is substantially at the center of the through hole 40 from the side facing the output fluorescent screen 51 (taper side) in the depth direction. Up to MgO (magnesium oxide), which has a high secondary electron emission rate as compared with the material of the metal single plate 42, a thin film (Al) having a weight ratio of Al (aluminum), which is approximately 10% of MgO, is added. (An emission rate layer) 47. In addition, Al is preferably located near the surface portion (the inner diameter side of the through hole 40) of the thin layer of MgO.

【0030】貫通孔40の内面は、また、入力蛍光面3
1に面する側の金属単板41の側から貫通孔40の概ね
中央まで、金属単板41の材料に比較して二次電子放出
率が低いTiN(窒化チタン),TiNO、金属炭化物
あるいは炭素系化合物もしくは窒素系化合物からなる薄
膜(低二次電子放出率層)46により覆われている。
The inner surface of the through hole 40 is also provided with the input fluorescent screen 3.
1 from the side of the metal veneer 41 to the approximate center of the through hole 40, the secondary electron emission rate is lower than that of the metal veneer 41, such as TiN (titanium nitride), TiNO, metal carbide or carbon. It is covered with a thin film (low secondary electron emission rate layer) 46 made of a nitrogen-based compound or a nitrogen-based compound.

【0031】なお、上述した金属板43は、ダブルサイ
ドエッチングにより、貫通孔40の深¥さ方向の形状が
球面とテーパとに形成された金属単板41および42の
それぞれに、テーパが形成されている側の面からMgO
とAlの薄層47またはTiNやTiNOの薄層46
を、例えばスパッタリング法やCVD等の手法により深
さ方向に成長させたものを、貫通孔どうしを位置合わせ
して接合することによっても得られる。
The above-mentioned metal plate 43 is tapered by double side etching into single metal plates 41 and 42 in which the shape of the through hole 40 in the depth direction is spherical and tapered, respectively. MgO from the side where
And a thin layer 47 of Al or a thin layer 46 of TiN or TiNO
Can also be obtained by aligning and bonding through holes to each other and growing them in the depth direction by a method such as sputtering or CVD.

【0032】一方、電子増倍器4のn段目およびn−1
段目の金属板43の貫通孔40の内面には、例えばTi
Nのみからなる薄層(低二次電子放出率層)48が形成
されている。すなわち、n段目およびn−1段目の金属
板43は、出力蛍光面51に向かう電子を集束して加速
することのできる制御電極として機能する。
On the other hand, the n-th stage and n-1
On the inner surface of the through hole 40 of the metal plate 43 of the step, for example, Ti
A thin layer (low secondary electron emission rate layer) 48 consisting only of N is formed. That is, the n-th and (n-1) -th metal plates 43 function as control electrodes capable of converging and accelerating the electrons directed to the output phosphor screen 51.

【0033】次に、図1および図4を用いて、X線画像
検出器1の動作を説明する。なお、図4は、図1に示し
たX線画像検出器1の電子増倍器4の一部を拡大して示
した部分拡大図である。
Next, the operation of the X-ray image detector 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a partially enlarged view showing a part of the electron multiplier 4 of the X-ray image detector 1 shown in FIG.

【0034】図示しないX線源から放射されたX線Rが
観測対象、例えば人体を通過することにより濃度分布が
与えられたX線Rは、入力窓2を通過して入力面3の
CsI膜31に到達し、CsI膜31により蛍光R
変換され、透明導電膜32を通過して光電面33に到達
し、光電面33により光電子Eに変換されて、真空中に
放出される。
The unshown X-ray source emitting X-rays R are observed object from, for example X-ray R 1 concentration distribution is given by passing through the human body, the input surface 3 passes through the input window 2 CsI reaches the film 31, converted by the CsI film 31 to the fluorescent R 2, and reaches the photocathode 33 through the transparent conductive film 32, is converted into photoelectrons E by the photocathode 33, it is emitted into the vacuum.

【0035】このとき、光電子Eは、入力基板3のCs
I膜31と電子増倍器4の初段の金属板との間に印加さ
れた電位差Vにより加速されて初段の金属板に到達す
る。
At this time, the photoelectrons E are applied to Cs of the input substrate 3.
It is accelerated to reach the first stage of the metal plate by the potential difference V 1 applied between the first-stage metal plates I film 31 and the electron multiplier 4.

【0036】電子増倍器4に到達した光電子Eは、金属
板の貫通孔40に導かれ、貫通孔40の深さ方向で、入
力基板3と反対の側に位置されている金属単板42の側
の内壁に衝突し、二次電子増幅現象で1個以上の電子E
となり、それぞれの金属板間に印加される電位差V
〜Vn−1と最終段(n段目)の金属板と出力基板5の
出力蛍光面51間の加速電圧Vにより、次の段の金属
板または出力基板5の出力蛍光面51に向けて、順に加
速され、いずれかの金属板の貫通孔40の内壁に衝突し
て新たに1個以上の電子Eとなる。
The photoelectrons E reaching the electron multiplier 4 are guided to the through holes 40 of the metal plate, and the metal single plate 42 located on the side opposite to the input substrate 3 in the depth direction of the through holes 40. Collides with the inner wall on the side of, and one or more electrons E
2 and the potential difference V 2 applied between the respective metal plates
The accelerating voltage V a between the output phosphor surface 51 of ~V n-1 and the last stage the metal plate and the output substrate 5 (n-th stage), towards the output phosphor surface 51 of the metal plate or output board 5 of the next stage Te are accelerated sequentially, the new one or more electron E 2 collides with the inner wall of the through hole 40 of one of the metal plate.

【0037】なお、貫通孔40に入射する光電子Eおよ
び電子Eは、図4に示すように、金属板の入力基板3
側に面する平面部分や、貫通孔40の深さ方向の金属単
板41側の貫通孔部分(薄層46が形成されている領
域)に衝突した場合には、新たに二次電子Eが放出さ
れることが確率的に少なく、反対に、貫通孔40の深さ
方向の金属単板42の側の貫通孔部分(薄層47が形成
されている領域)に衝突した場合に、効率よく、新たな
二次電子Eが放出されるので、ノイズ成分が生じにく
い条件で、順次増幅される。
[0037] Incidentally, optoelectronic E and electronic E 2 enters the through hole 40, as shown in FIG. 4, the input substrate 3 of the metal plate
When a collision occurs with the flat portion facing the side or the through-hole portion (the region where the thin layer 46 is formed) on the metal single plate 41 side in the depth direction of the through-hole 40, the secondary electrons E 2 are newly added. Is unlikely to be released, and conversely, when it collides with the through-hole portion (the region where the thin layer 47 is formed) on the side of the single metal plate 42 in the depth direction of the through-hole 40, the efficiency is reduced. well, since new secondary electrons E 2 is released, under the condition that the noise component is hardly generated, it is sequentially amplified.

【0038】詳細には、電子増倍器4において、電子の
散乱の影響により出力画像のコントラストを高めるため
には、前段の金属板で放出された電子Eが次段の金属
板の貫通孔40の壁面のMgOとAlが被膜された部分
(低二次電子放出率層)47にのみ、確実に到達するこ
とが望ましいが、実際には、金属板の平面部分(入力蛍
光面側の面)や貫通孔40の壁面のうちの貫通孔40の
深さ方向の中途の(2枚の金属単板41,42を積層し
た状態で)貫通孔40の内径が最小となる部分までの間
の領域に衝突した光電子Eまたは二次電子Eにより発
生した二次電子Eが次段の金属板の表面に衝突して散
乱電子が発生する確率が40%程度であることが確認さ
れている。
[0038] Specifically, in the electron multiplier 4, in order to increase the contrast of the output image due to the influence of electron scattering, the through-hole of the electron E 2 emitted in front of the metal plate next metal plate It is desirable that the surface of the metal plate 40 be surely reached only the portion (low secondary electron emission rate layer) 47 coated with MgO and Al, but actually, the flat portion of the metal plate (the surface on the input fluorescent surface side) is desired. ) And a portion of the wall surface of the through hole 40 in the depth direction of the through hole 40 (in a state where the two metal single plates 41 and 42 are laminated) to a portion where the inner diameter of the through hole 40 is minimized. it has been confirmed that the probability of the secondary electrons E 2 generated by optoelectronic E or secondary electrons E 2 having collided with the area scattered electrons collide with the surface of the next stage of the metal plate will occur is about 40% .

【0039】なお、コンピュータシミュレーションによ
れば、金属板の厚さや間隔および貫通孔の径あるいは加
速電圧などを考慮しても、光電子Eまたは二次電子E
により発生した二次電子Eが次段の金属板の貫通孔4
0の壁面の所定の位置(この実施の形態ではMgO+A
l層47)にのみ到達する確率を、70%程度よりも高
めることは困難である(散乱電子が発生する確率を30
%よりも低くすることが困難である)。
According to the computer simulation, the photoelectrons E or the secondary electrons E 2 are taken into consideration even in consideration of the thickness and interval of the metal plate, the diameter of the through hole, the acceleration voltage, and the like.
Holes 4 secondary electrons E 2 that occurred in the next stage of the metal plate by
0 predetermined position (MgO + A in this embodiment)
It is difficult to increase the probability of reaching only the I layer 47) to be higher than about 70% (the probability of generation of scattered electrons is 30).
% Is difficult to lower).

【0040】このため、金属板の表面(ここでは、入力
蛍光面31に面する側である)に、光電子Eもしくは二
次電子Eが衝突した場合であっても、二次電子E
放出されにくい構造とすることで、電子増倍器4から出
力蛍光面51に向かって出力される画像である二次電子
が散乱されて出力画像のコントラストが低下するこ
とを抑制できる。
Therefore, even when the photoelectrons E or the secondary electrons E 2 collide with the surface of the metal plate (here, the side facing the input fluorescent screen 31), the secondary electrons E 2 are generated. with released structure difficult, it can be suppressed, which is an image secondary electrons E 2 output from the electron multiplier 4 toward the output phosphor screen 51 is the contrast of the output image is scattered is reduced.

【0041】以下、光電子Eの金属板の貫通孔40への
電子の衝突と二次電子の発生が繰り返されることで、電
子増倍器4に入射した光電子Eは次第に増幅され、電子
増倍器4から出力基板5の出力蛍光面51に向けて放出
される。
Thereafter, the photoelectrons E incident on the electron multiplier 4 are gradually amplified by repeating the collision of the electrons of the photoelectrons E against the through holes 40 of the metal plate and the generation of the secondary electrons. 4 is emitted toward the output fluorescent screen 51 of the output substrate 5.

【0042】このとき、放出される電子Eの量は、入
射光電子Eの量に比例し、金属板を構成する金属単板4
1,42および43の材質、金属単板41,42および
43の厚さ、金属単板41,42および貫通孔40の孔
の形状(曲率r)、薄層47のMgOとAlの混合比に
より決まる二次電子放出係数、絶縁体44の厚さ(金属
板相互間の距離)、および金属板相互間に印加される電
位差V〜Vおよび最終段の金属板と出力基板5との
間の加速電圧Vに応じて生じる電界分布に左右され、
かつ金属板が積層されている層数により増幅率が決定さ
れる。
At this time, the amount of the emitted electrons E 2 is proportional to the amount of the incident photoelectrons E, and the single metal plate 4 constituting the metal plate
1, 42 and 43, the thickness of the metal veneers 41, 42 and 43, the shape (curvature r) of the metal veneers 41 and 42 and the through hole 40, and the mixing ratio of MgO and Al in the thin layer 47. determined secondary electron emission coefficient, between the thickness of the insulator 44 (the distance between the metal plate other), and the metal plate of the potential difference V 2 ~V n and the last stage is applied between the metal plate mutually the output board 5 It depends on the electric field distribution generated depending on the accelerating voltage V a,
The amplification factor is determined by the number of layers on which the metal plates are stacked.

【0043】なお、電子増倍器4の複数段の金属板のう
ちの最終段(n段目)の金属板と、その前段のn−1段
目の金属板は、出力基板5の出力蛍光面51に向かう電
子E が出力蛍光面51の面方向に不所望に広がること
を抑制することができ、出力画像のコントラストおよび
解像度をためるために有益である。
The electron multiplier 4 has a plurality of metal plates.
The last (n-th) metal plate and the previous (n-1) -th metal plate
The metal plate of the eye is charged by
Child E 2Undesirably spreads in the plane direction of the output phosphor screen 51
Can be suppressed, the contrast of the output image and
Useful for accumulating resolution.

【0044】このようにして、入力窓2に外部から入射
したX線(X線画像)Rは、電子増倍器4により増幅
されて、出力基板5の出力面(基板50)に、可視光像
として出力される。
As described above, the X-ray (X-ray image) R 1 incident from the outside on the input window 2 is amplified by the electron multiplier 4 and is visible on the output surface (substrate 50) of the output substrate 5. It is output as the light image R 3.

【0045】なお、可視光像Rは、不所望に歪まされ
ることなく、外囲器3の入力窓2側の入射面に入射した
倍率と等しい等倍で、電子増倍器4による増幅時の電子
軌道の広がりの影響であるぼけや滲みもなく、出力基板
5に出力される。
The visible light image R 3 is amplified by the electron multiplier 4 at the same magnification as that incident on the incident surface on the input window 2 side of the envelope 3 without being undesirably distorted. It is output to the output substrate 5 without blurring or bleeding, which is the effect of the spread of the electron orbit at the time.

【0046】上記の実施例においては、高二次電子放出
率層にアルミニウム族元素を不純物として微量添加する
ことにより、この二次電子放出率層に光電子が衝突した
際に発生するチャージを分散させて、効率的に二次電子
を生成することができる。このアルミニウム族元素は、
MgO層中に均一に含まれている必要はなく、チャージ
のたまりやすい二次電子放出層表面近傍でより高濃度に
形成してもよい。さらには、二次電子放出層の表面に、
ごく薄いAl膜を形成してもよい。このようにすれば、
二次電子放出層に蓄積されたチャージがAl層を介して
速やかに散逸するため、より効率的に二次電子を放出す
ることができる。
In the above embodiment, by adding a small amount of an aluminum group element as an impurity to the high secondary electron emission rate layer, the charge generated when photoelectrons collide with the secondary electron emission rate layer is dispersed. Thus, secondary electrons can be efficiently generated. This aluminum group element
It is not necessary for the MgO layer to be uniformly contained in the MgO layer, and the MgO layer may be formed at a higher concentration in the vicinity of the surface of the secondary electron emitting layer where charges easily accumulate. Furthermore, on the surface of the secondary electron emission layer,
An extremely thin Al film may be formed. If you do this,
Since the charge accumulated in the secondary electron emission layer is quickly dissipated through the Al layer, secondary electrons can be emitted more efficiently.

【0047】このAl層は、例えばMgO材料とAl材
料の同時蒸着終了後に、所定時間Al材料を単独で蒸着
することにより、容易に形成される。より具体的には、
スパッタリング装置内に設けられたターゲットと成膜室
との間のシャッタの開閉時間を調整し、MgOターゲッ
ト側のシャッタを閉じて成膜室から隔離後、所定時間A
lターゲット側のシャッタをオープンにしておく。この
方法によれば、シャッタの開閉シーケンスのみを変更す
ればよく、プロセス制御が容易になる。
The Al layer can be easily formed by, for example, depositing the Al material alone for a predetermined time after the simultaneous deposition of the MgO material and the Al material is completed. More specifically,
The shutter opening / closing time between the target provided in the sputtering apparatus and the film formation chamber is adjusted, the shutter on the MgO target side is closed and isolated from the film formation chamber, and a predetermined time A
l Keep the target side shutter open. According to this method, only the opening / closing sequence of the shutter needs to be changed, and the process control is facilitated.

【0048】Al層の厚さは、0.1μm未満では二次
電子放出層に蓄積されたチャージを散逸させる能力が十
分でなく、また10μmを越えると下層のMgO層への
電子の到達を阻害するために、十分な二次電子放出が得
られなくなることから、0.1ないし10μmの範囲が
好適である。なお、Al層は、以上説明したように、こ
の発明のX線画像検出器においては、電子増倍器の出力
側に設けられる導体層の間隔および印加される電位差を
最適に設定することにより、歪みやぼけあるいは滲みの
ない観測対象物の観測画像を得ることのできるX線画像
検出器が提供される。
If the thickness of the Al layer is less than 0.1 μm, the ability to dissipate the charge accumulated in the secondary electron emission layer is not sufficient, and if it exceeds 10 μm, the arrival of electrons to the lower MgO layer is hindered. Therefore, a sufficient secondary electron emission cannot be obtained, so that the range of 0.1 to 10 μm is preferable. As described above, in the X-ray image detector of the present invention, the Al layer is formed by optimally setting the distance between the conductor layers provided on the output side of the electron multiplier and the applied potential difference. An X-ray image detector capable of obtaining an observation image of an observation target without distortion, blur, or bleeding is provided.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上説明したように、この発明のX線画
像検出器においては、歪みのない観測画像が得られるX
線画像検出器が、低コストで小型に形成される。
As described above, in the X-ray image detector according to the present invention, an X-ray image with no distortion can be obtained.
The line image detector is formed at low cost and small.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施の形態に関わるX線画像検出
器の一例を示す概略図。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of an X-ray image detector according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示した電子増倍器に所定の電圧を供給す
る電源装置を説明する概略図。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a power supply device that supplies a predetermined voltage to the electron multiplier shown in FIG.

【図3】図1に示したX線画像検出器の電子増倍器の個
々の導体層の貫通孔について詳細に説明するための部分
拡大図。
FIG. 3 is a partially enlarged view for describing in detail a through hole in each conductor layer of the electron multiplier of the X-ray image detector shown in FIG. 1;

【図4】図1および図3に示した電子増倍器の導体層に
より増幅された電子の軌道の変化を説明する概略拡大
図。
FIG. 4 is a schematic enlarged view illustrating a change in the trajectory of electrons amplified by a conductor layer of the electron multiplier shown in FIGS. 1 and 3.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・X線画像検出器、 2・・・入力窓、 3・・・入力基板、 4・・・電子増倍器、 5・・・出力基板、 6・・・電力供給部、 10・・・電源装置、 30・・・基板、 31・・・CsI膜(入力蛍光膜)、 32・・・透明導電膜、 33・・・光電面、 40・・・貫通孔、 41・・・金属単板(金属板)、 42・・・金属単板(金属板)、 43・・・金属板(金属単板)、 44・・・ガラスビーズ(絶縁体)、 45・・・フリットガラス、 46・・・低二次電子放出率層、 47・・・高二次電子放出率層、 48・・・低二次電子放出率層、 50・・・ガラス基板、 51・・・出力蛍光膜、 52・・・光反射膜。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... X-ray image detector, 2 ... Input window, 3 ... Input board, 4 ... Electron multiplier, 5 ... Output board, 6 ... Power supply part, 10. ..Power supply device, 30 ... substrate, 31 ... CsI film (input fluorescent film), 32 ... transparent conductive film, 33 ... photoelectric surface, 40 ... through hole, 41 ... metal Single plate (metal plate), 42: Single metal plate (metal plate), 43: Metal plate (single metal plate), 44: Glass beads (insulator), 45: Frit glass, 46 ... Low secondary electron emission rate layer, 47 ... High secondary electron emission rate layer, 48 ... Low secondary electron emission rate layer, 50 ... Glass substrate, 51 ... Output fluorescent film, 52 ... light reflection film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 會田 博之 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須電子管工場内 Fターム(参考) 5C037 GG05 GH02 GH05 GH11  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Hiroyuki Aida 1385-1 Shimoishigami, Otawara-shi, Tochigi Prefecture F-term in Toshiba Nasu Electronic Tube Factory (reference) 5C037 GG05 GH02 GH05 GH05 GH11

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】真空を保持する真空容器と、前記真空容器
内に設けられ、外部から入射されたX線を蛍光に変換す
る入力蛍光面と、前記真空容器中に配置され、前記入力
蛍光面により生じた蛍光を光電子に変化する光電面と、
前記真空容器中に配置され、面方向に複数の孔が開けら
れた金属板を絶縁材により絶縁しながら複数段積層さ
れ、各金属板に所定の電圧が印加されることにより、前
記光電面から出射された光電子を増幅する電子増倍器
と、前記真空容器中に配置され、前記電子増倍器で増幅
された光電子を可視光像に変換する出力蛍光面と、前記
出力蛍光面を保持し、前記可視光像を透過する出力窓
と、からなるX線画像検出器において、 前記金属板の各孔の光電子入射側内壁には、二次電子放
出率が前記金属板の材料よりも低い低二次電子放出率層
が形成され、上記光電子出射側内壁には、二次電子放出
率が前記金属板の材料よりも高い絶縁層中に導電性物質
を添加した高二次電子放出率層が形成されていることを
特徴とするX線画像検出器。
A vacuum vessel for holding a vacuum; an input phosphor screen provided in the vacuum vessel for converting X-rays incident from outside into fluorescent light; and an input phosphor screen disposed in the vacuum vessel. A photocathode which changes the fluorescence generated by the photoelectrons,
Arranged in the vacuum vessel, a metal plate having a plurality of holes formed in a plane direction is insulated by an insulating material, and a plurality of layers are stacked, and a predetermined voltage is applied to each metal plate, so that the metal plate is separated from the photoelectric surface. An electron multiplier that amplifies the emitted photoelectrons, an output phosphor screen that is arranged in the vacuum vessel and converts the photoelectrons amplified by the electron multiplier into a visible light image, and holds the output phosphor screen. An X-ray image detector comprising: an output window that transmits the visible light image; and an inner wall on the photoelectron incidence side of each hole of the metal plate, the secondary electron emission rate of which is lower than the material of the metal plate. A secondary electron emission layer is formed, and a high secondary electron emission layer formed by adding a conductive substance to an insulating layer having a higher secondary electron emission rate than the material of the metal plate is formed on the inner wall of the photoelectron emission side. An X-ray image detector, comprising:
【請求項2】前記低二次電子放出率層は、TiN,Ti
NO、金属炭化物あるいは炭素系化合物もしくは窒素系
化合物を含むことを特徴とする請求項1記載のX線画像
検出器。
2. The method according to claim 1, wherein the low secondary electron emission rate layer comprises TiN, Ti.
2. The X-ray image detector according to claim 1, wherein the X-ray image detector contains NO, a metal carbide, a carbon compound, or a nitrogen compound.
【請求項3】前記高二次電子放出率層を構成する絶縁層
は、MgO層であることを特徴とする請求項1記載のX
線画像検出器。
3. The X according to claim 1, wherein the insulating layer constituting the high secondary electron emission rate layer is an MgO layer.
Line image detector.
【請求項4】前記高二次電子放出率層に含まれる導電性
の材質は、アルミニウム族の元素を含むことを特徴とす
る請求項1または3に記載のX線画像検出器。
4. The X-ray image detector according to claim 1, wherein the conductive material contained in the high secondary electron emission layer contains an aluminum group element.
【請求項5】前記高二次電子放出率層のMgOに対する
アルミニウム族元素の混合比率は、10%以下であるこ
とを特徴とする請求項1または3および4のいずれかに
記載のX線画像検出器。
5. The X-ray image detection device according to claim 1, wherein a mixing ratio of the aluminum group element to MgO in the high secondary electron emission layer is 10% or less. vessel.
【請求項6】前記高二次電子放出率層の表面近傍で前記
アルミニウム族元素がより高濃度に含有されることを特
徴とする請求項5記載のX線画像検出器。
6. The X-ray image detector according to claim 5, wherein said aluminum group element is contained at a higher concentration near the surface of said high secondary electron emission rate layer.
【請求項7】前記高二次電子放出率層の表面に、厚さ
0.1ないし10μmのアルミニウム族元素からなる膜
が形成されていることを特徴とする請求項5記載のX線
画像検出器。
7. An X-ray image detector according to claim 5, wherein a film made of an aluminum group element having a thickness of 0.1 to 10 μm is formed on a surface of said high secondary electron emission rate layer. .
【請求項8】前記金属板は、それぞれ、貫通孔が形成さ
れ、その開口位置を合わせて重ね合わせられた2枚の金
属単板により構成されることを特徴とする請求項1記載
のX線画像検出器。
8. The X-ray according to claim 1, wherein each of said metal plates is formed of two metal single plates which are formed with through holes and are superposed with their opening positions aligned. Image detector.
【請求項9】前記2枚の金属単板のうち光電子入射側の
単板の上記各貫通孔内壁には、二次電子放出率が前記金
属単板の材料よりも低い低二次電子放出率層が形成さ
れ、上記光電子出射側の単板の上記各貫通孔内壁には、
二次電子放出率が前記金属単板の材料よりも高い高二次
電子放出率層が形成されていることを特徴とする請求項
8記載のX線画像検出器。
9. A low secondary electron emission rate whose secondary electron emission rate is lower than that of the material of the metal single sheet on the inner wall of each through hole of the single sheet on the photoelectron incidence side of the two metal single sheets. A layer is formed, and on the inner wall of each through hole of the single plate on the photoelectron emission side,
The X-ray image detector according to claim 8, wherein a high secondary electron emission rate layer having a higher secondary electron emission rate than the material of the single metal plate is formed.
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