JP2001226774A - 反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法 - Google Patents
反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法Info
- Publication number
- JP2001226774A JP2001226774A JP2000035045A JP2000035045A JP2001226774A JP 2001226774 A JP2001226774 A JP 2001226774A JP 2000035045 A JP2000035045 A JP 2000035045A JP 2000035045 A JP2000035045 A JP 2000035045A JP 2001226774 A JP2001226774 A JP 2001226774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- reaction
- gas
- inner cylinder
- products
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 103
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 title claims abstract description 80
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 59
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Prevention Of Fouling (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空チャンバーと該真空チャンバーを排気す
る真空ポンプの間を接続する配管内に反応副生成物が付
着堆積することなく、定期的メンテナンスによる半導体
製造装置の稼動率を低下させることのない反応副生成物
の配管内付着防止装置及び付着防止方法を提供するこ
と。 【解決手段】 反応真空チャンバーを排気する排気系の
配管内に反応副生成物が付着するのを防止する反応副生
成物の配管内付着防止装置であって、配管１０を外筒１
２と内筒１１を有する２重構造とし、真空断熱状態の該
内筒１１を加熱手段１３で該内筒１１の内面を反応副生
成物が付着しない温度に加熱すると共に、該内筒１１の
内壁面に沿って不活性ガスや窒素ガスを導入する。これ
により内筒１１は真空断熱状態となり反応副生成物が付
着しない温度に加熱することが容易となる。また、内筒
１１の内壁面に沿って不活性ガスや窒素ガスを導入し、
ガス流層１８を形成することにより、反応副生成物が付
着するのを防止できる。
る真空ポンプの間を接続する配管内に反応副生成物が付
着堆積することなく、定期的メンテナンスによる半導体
製造装置の稼動率を低下させることのない反応副生成物
の配管内付着防止装置及び付着防止方法を提供するこ
と。 【解決手段】 反応真空チャンバーを排気する排気系の
配管内に反応副生成物が付着するのを防止する反応副生
成物の配管内付着防止装置であって、配管１０を外筒１
２と内筒１１を有する２重構造とし、真空断熱状態の該
内筒１１を加熱手段１３で該内筒１１の内面を反応副生
成物が付着しない温度に加熱すると共に、該内筒１１の
内壁面に沿って不活性ガスや窒素ガスを導入する。これ
により内筒１１は真空断熱状態となり反応副生成物が付
着しない温度に加熱することが容易となる。また、内筒
１１の内壁面に沿って不活性ガスや窒素ガスを導入し、
ガス流層１８を形成することにより、反応副生成物が付
着するのを防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体製造
装置等の真空チャンバーを真空にするための真空排気系
の配管内に反応副生成物が付着するのを防止する反応副
生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法に関する
ものである。
装置等の真空チャンバーを真空にするための真空排気系
の配管内に反応副生成物が付着するのを防止する反応副
生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】減圧化学気相成長装置（ＣＶＤ）は、石
英管の反応炉（真空チャンバー）を具備し、該反応炉に
金属製排気ラインを介して真空ポンプが接続されてい
る。このような、減圧化学気相成長装置において、酸化
膜、窒化膜の形成プロセスは特に反応副生成物が多量に
発生し、真空ポンプの短期間での停止や配管の定期的な
洗浄による装置の稼動率の低下が問題になっている。
英管の反応炉（真空チャンバー）を具備し、該反応炉に
金属製排気ラインを介して真空ポンプが接続されてい
る。このような、減圧化学気相成長装置において、酸化
膜、窒化膜の形成プロセスは特に反応副生成物が多量に
発生し、真空ポンプの短期間での停止や配管の定期的な
洗浄による装置の稼動率の低下が問題になっている。
【０００３】反応副生成物による真空ポンプの停止を防
ぐために、反応炉と真空ポンプの間に設置する様々なタ
イプのトラップが開発され、販売され、それぞれ効果を
あげている。しかしながら、反応炉とトラップ間の配管
には、依然として反応副生成物が流れ込み、配管内壁面
に付着堆積するという問題がある。この対策として配管
外表面に加熱用ヒータを巻き付け、配管を加熱すること
により、反応副生成物の凝結・堆積を防止している。
ぐために、反応炉と真空ポンプの間に設置する様々なタ
イプのトラップが開発され、販売され、それぞれ効果を
あげている。しかしながら、反応炉とトラップ間の配管
には、依然として反応副生成物が流れ込み、配管内壁面
に付着堆積するという問題がある。この対策として配管
外表面に加熱用ヒータを巻き付け、配管を加熱すること
により、反応副生成物の凝結・堆積を防止している。
【０００４】上記従来の方法では、大気側にヒータの熱
が逃げるため、配管温度が十分に上がらないという問題
があった。特に酸化膜の形成プロセスでは、反応副生成
物の昇華温度が高くさらに反応副生成物の量も多いた
め、十分な効果が得られなかった。
が逃げるため、配管温度が十分に上がらないという問題
があった。特に酸化膜の形成プロセスでは、反応副生成
物の昇華温度が高くさらに反応副生成物の量も多いた
め、十分な効果が得られなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、真空チャンバーと該真空チャンバ
ーを排気する真空ポンプの間を接続する配管内に反応副
生成物が付着堆積することなく、定期的メンテナンスに
よる半導体製造装置の稼動率を低下させることのない反
応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法を提
供することを目的とする。
みてなされたもので、真空チャンバーと該真空チャンバ
ーを排気する真空ポンプの間を接続する配管内に反応副
生成物が付着堆積することなく、定期的メンテナンスに
よる半導体製造装置の稼動率を低下させることのない反
応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、反応真空チャンバーを排気す
る排気系の配管内に反応副生成物が付着するのを防止す
る反応副生成物の配管内付着防止装置であって、配管を
外筒と内筒を有する２重構造とし、真空断熱状態の該内
筒を加熱手段で該内筒内面を反応副生成物が付着しない
温度に加熱すると共に、該内筒の内壁面に沿って不活性
ガスや窒素ガスを導入したことを特徴とする。
請求項１に記載の発明は、反応真空チャンバーを排気す
る排気系の配管内に反応副生成物が付着するのを防止す
る反応副生成物の配管内付着防止装置であって、配管を
外筒と内筒を有する２重構造とし、真空断熱状態の該内
筒を加熱手段で該内筒内面を反応副生成物が付着しない
温度に加熱すると共に、該内筒の内壁面に沿って不活性
ガスや窒素ガスを導入したことを特徴とする。
【０００７】上記のように配管を２重構造とすることに
より、内筒を真空断熱状態とすることができるから、加
熱手段で内筒を反応副生成物が付着しない温度に加熱す
ることが容易で、且つ配管の内筒の内壁面に沿って不活
性ガスや窒素ガスを導入し、該内壁面に不活性ガスや窒
素ガスの流れ層を形成するから、真空チャンバーからの
反応副生成物が付着するのを防止できる。
より、内筒を真空断熱状態とすることができるから、加
熱手段で内筒を反応副生成物が付着しない温度に加熱す
ることが容易で、且つ配管の内筒の内壁面に沿って不活
性ガスや窒素ガスを導入し、該内壁面に不活性ガスや窒
素ガスの流れ層を形成するから、真空チャンバーからの
反応副生成物が付着するのを防止できる。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の反応副生成物の配管内付着防止装置において、
配管の内筒と外筒の間に沿って不活性ガスや窒素ガスを
導入し、加熱手段により昇温した該不活性ガスや窒素ガ
スを更に該内筒内壁面に沿って導入したことを特徴とす
る。
に記載の反応副生成物の配管内付着防止装置において、
配管の内筒と外筒の間に沿って不活性ガスや窒素ガスを
導入し、加熱手段により昇温した該不活性ガスや窒素ガ
スを更に該内筒内壁面に沿って導入したことを特徴とす
る。
【０００９】上記のように配管の内筒と外筒の間に沿っ
て不活性ガスや窒素ガスを導入することにより、このガ
スは内筒を加熱する加熱手段の熱により加熱され昇温す
るから、この昇温した不活性ガスや窒素ガスを該内筒内
壁面に沿って導入し、該内壁面に該昇温したガスの流れ
層を形成することにより、反応副生成物の付着を更に効
果的に防止できる。
て不活性ガスや窒素ガスを導入することにより、このガ
スは内筒を加熱する加熱手段の熱により加熱され昇温す
るから、この昇温した不活性ガスや窒素ガスを該内筒内
壁面に沿って導入し、該内壁面に該昇温したガスの流れ
層を形成することにより、反応副生成物の付着を更に効
果的に防止できる。
【００１０】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の反応副生成物の配管内付着防止装置において、
配管の内筒を多孔質体で構成すると共に、該配管の内筒
と外筒の間に沿って不活性ガスや窒素ガスを導入し、昇
温した該不活性ガスや窒素ガスを該内筒の多孔を通して
内壁面に噴出させることを特徴とする。
に記載の反応副生成物の配管内付着防止装置において、
配管の内筒を多孔質体で構成すると共に、該配管の内筒
と外筒の間に沿って不活性ガスや窒素ガスを導入し、昇
温した該不活性ガスや窒素ガスを該内筒の多孔を通して
内壁面に噴出させることを特徴とする。
【００１１】上記のように内筒の多孔を通して内壁面に
昇温した該不活性ガスや窒素ガスを噴出するので、該内
壁面に沿って不活性ガスや窒素ガスの噴出が形成され、
反応副生成物の内壁面への付着を防止する。また付着し
た反応副生成物を吹き飛ばす。
昇温した該不活性ガスや窒素ガスを噴出するので、該内
壁面に沿って不活性ガスや窒素ガスの噴出が形成され、
反応副生成物の内壁面への付着を防止する。また付着し
た反応副生成物を吹き飛ばす。
【００１２】また、請求項４に記載の発明は、反応真空
チャンバーを排気する排気系の配管内に反応副生成物が
付着するのを防止する反応副生成物の配管内付着防止方
法であって、プロセス前に配管を冷却すると共に、該配
管内にアンモニアガス、アルゴンガス、窒素ガス等少な
くとも一種類以上のガスを導入し、その内壁面に該ガス
を凝結させ、プロセス中に反応副生成物を凝縮させ、プ
ロセス終了後、冷却を停止し、プロセス前に凝結させた
ガスを気化させることにより、凝縮させた反応副生成物
も一緒に排出させることを特徴とする。
チャンバーを排気する排気系の配管内に反応副生成物が
付着するのを防止する反応副生成物の配管内付着防止方
法であって、プロセス前に配管を冷却すると共に、該配
管内にアンモニアガス、アルゴンガス、窒素ガス等少な
くとも一種類以上のガスを導入し、その内壁面に該ガス
を凝結させ、プロセス中に反応副生成物を凝縮させ、プ
ロセス終了後、冷却を停止し、プロセス前に凝結させた
ガスを気化させることにより、凝縮させた反応副生成物
も一緒に排出させることを特徴とする。
【００１３】また、請求項５に記載の発明は、反応真空
チャンバーを排気する排気系の配管内に反応副生成物が
付着するのを防止する反応副生成物の配管内付着防止装
置であって、配管は外筒と内筒を有する２重構造にする
と共に、該外筒と内筒の間に冷媒を導入する冷媒導入手
段と、該配管の内筒内にアンモニアガス、アルゴンガ
ス、窒素ガス等少なくとも一種類以上のガスを導入する
ガス導入手段を設け、プロセス前に配管の外筒と内筒の
間に冷媒導入手段で冷媒を導入して該内筒を冷却すると
共に、該内筒内にガス導入手段でアンモニアガス、アル
ゴンガス、窒素ガス等少なくとも一種類以上のガスを導
入し、その内壁面に該ガスを凝結させ、プロセス中には
反応副生成物を凝縮させ、プロセス終了後、冷却を停止
し、内筒内壁面に凝結させたガスを気化させると共に、
凝縮させた反応副生成物も一緒に排出させることを特徴
とする。
チャンバーを排気する排気系の配管内に反応副生成物が
付着するのを防止する反応副生成物の配管内付着防止装
置であって、配管は外筒と内筒を有する２重構造にする
と共に、該外筒と内筒の間に冷媒を導入する冷媒導入手
段と、該配管の内筒内にアンモニアガス、アルゴンガ
ス、窒素ガス等少なくとも一種類以上のガスを導入する
ガス導入手段を設け、プロセス前に配管の外筒と内筒の
間に冷媒導入手段で冷媒を導入して該内筒を冷却すると
共に、該内筒内にガス導入手段でアンモニアガス、アル
ゴンガス、窒素ガス等少なくとも一種類以上のガスを導
入し、その内壁面に該ガスを凝結させ、プロセス中には
反応副生成物を凝縮させ、プロセス終了後、冷却を停止
し、内筒内壁面に凝結させたガスを気化させると共に、
凝縮させた反応副生成物も一緒に排出させることを特徴
とする。
【００１４】上記のようにプロセス前に配管を冷却し、
該配管内に導入したアンモニアガス、アルゴンガス、窒
素ガス等少なくとも一種類以上のガスを内壁面に凝結さ
せ、プロセス中に内筒内を通る反応副生成物を凝縮さ
せ、プロセス終了後、冷却を停止プロセス前に凝結させ
たガスを気化させ、凝縮させた反応副生成物も一緒に排
出させるので、プロセス終了毎に内筒内壁面に付着する
反応副生成物を排出することができる。
該配管内に導入したアンモニアガス、アルゴンガス、窒
素ガス等少なくとも一種類以上のガスを内壁面に凝結さ
せ、プロセス中に内筒内を通る反応副生成物を凝縮さ
せ、プロセス終了後、冷却を停止プロセス前に凝結させ
たガスを気化させ、凝縮させた反応副生成物も一緒に排
出させるので、プロセス終了毎に内筒内壁面に付着する
反応副生成物を排出することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図１は本発明に係る反応副生成
物の配管内付着防止装置の構成例を示す図である。図１
において、１０は反応真空チャンバーを真空ポンプで排
気する排気系の配管であり、該配管１０の左端側は図示
しない反応真空チャンバーに接続され、右端側は図示し
ない真空ポンプ又は図示しないトラップに接続されてい
る。
面に基づいて説明する。図１は本発明に係る反応副生成
物の配管内付着防止装置の構成例を示す図である。図１
において、１０は反応真空チャンバーを真空ポンプで排
気する排気系の配管であり、該配管１０の左端側は図示
しない反応真空チャンバーに接続され、右端側は図示し
ない真空ポンプ又は図示しないトラップに接続されてい
る。
【００１６】配管１０は内筒１１と外筒１２を有する２
重構造である。内筒１１の外周には該内筒１１を加熱す
るための加熱手段１３が設けられている。内筒１１と外
筒１２は、例えば金属材料で構成され、ガス流入側（反
応真空チャンバー側）の端部でセラミック材等の断熱材
１７を介在させて結合されている。また、配管１０のガ
ス流入側の端部には不活性ガス（例えばアルゴンガス）
や窒素（Ｎ2）ガスを内筒１１内に導入するガス導入口
１６が設けられている。
重構造である。内筒１１の外周には該内筒１１を加熱す
るための加熱手段１３が設けられている。内筒１１と外
筒１２は、例えば金属材料で構成され、ガス流入側（反
応真空チャンバー側）の端部でセラミック材等の断熱材
１７を介在させて結合されている。また、配管１０のガ
ス流入側の端部には不活性ガス（例えばアルゴンガス）
や窒素（Ｎ2）ガスを内筒１１内に導入するガス導入口
１６が設けられている。
【００１７】上記構成の反応副生成物の配管内付着防止
装置において、図示しない真空ポンプで図示しない反応
真空チャンバーを排気すると、反応真空チャンバーから
のガスは矢印１４に示すように流れる。配管１０内は真
空状態となる。配管１０内を真空状態にすることによ
り、内筒１１の内部空間に連通する内筒１１と外筒１２
の間（実際には加熱手段１３の外周面と外筒１２の内周
面）の空隙１５も真空状態となり、内筒１１は真空断熱
状態となる。該真空断熱状態となった内筒１１は加熱手
段１３により、容易に高温（３００℃以上）となる。ま
た、内筒１１と外筒１２の間に真空状態の空隙１５があ
るので、外筒１２は高温とならない。
装置において、図示しない真空ポンプで図示しない反応
真空チャンバーを排気すると、反応真空チャンバーから
のガスは矢印１４に示すように流れる。配管１０内は真
空状態となる。配管１０内を真空状態にすることによ
り、内筒１１の内部空間に連通する内筒１１と外筒１２
の間（実際には加熱手段１３の外周面と外筒１２の内周
面）の空隙１５も真空状態となり、内筒１１は真空断熱
状態となる。該真空断熱状態となった内筒１１は加熱手
段１３により、容易に高温（３００℃以上）となる。ま
た、内筒１１と外筒１２の間に真空状態の空隙１５があ
るので、外筒１２は高温とならない。
【００１８】上記のように内筒１１が加熱手段１３によ
り加熱され、その内壁面が高温に維持されているため、
反応副生物は凝結することなく、内壁面に付着・堆積し
ない。また、ガス導入口１６から内筒１１の内壁面に沿
って不活性ガスや窒素ガスを導入して、該内壁面に沿っ
てガス流層１８を形成する。これにより反応副生成物の
内壁面への付着を防止できる。なお、上記加熱手段１３
としては、電気加熱ヒータやオイル加熱ヒータ等内筒１
１を高温に加熱できるものであればよい。
り加熱され、その内壁面が高温に維持されているため、
反応副生物は凝結することなく、内壁面に付着・堆積し
ない。また、ガス導入口１６から内筒１１の内壁面に沿
って不活性ガスや窒素ガスを導入して、該内壁面に沿っ
てガス流層１８を形成する。これにより反応副生成物の
内壁面への付着を防止できる。なお、上記加熱手段１３
としては、電気加熱ヒータやオイル加熱ヒータ等内筒１
１を高温に加熱できるものであればよい。
【００１９】また、配管１０の内壁面（内筒１１の内壁
面）に形成される不活性ガスや窒素ガスのガス流層１８
の剥離を防止するため、上記構成の配管１０を直列に接
続して、反応副生成物の配管内付着防止装置を構成して
もよい。
面）に形成される不活性ガスや窒素ガスのガス流層１８
の剥離を防止するため、上記構成の配管１０を直列に接
続して、反応副生成物の配管内付着防止装置を構成して
もよい。
【００２０】図２は本発明に係る反応副生成物の配管内
付着防止装置の構成例を示す図である。図２において、
図１と同一符号を付した部分は同一又は相当部分を示
す。また、他の図面においても同様とする。内筒１１と
外筒１２はガス流出側（真空ポンプ側）の端部でセラミ
ック材等の断熱材１７を介在させて結合されている。ま
た、配管１０のガス流出側の端部には不活性ガス（例え
ばアルゴンガス）や窒素（Ｎ2）ガスを内筒１１内に導
入するガス導入口１６が設けられている。
付着防止装置の構成例を示す図である。図２において、
図１と同一符号を付した部分は同一又は相当部分を示
す。また、他の図面においても同様とする。内筒１１と
外筒１２はガス流出側（真空ポンプ側）の端部でセラミ
ック材等の断熱材１７を介在させて結合されている。ま
た、配管１０のガス流出側の端部には不活性ガス（例え
ばアルゴンガス）や窒素（Ｎ2）ガスを内筒１１内に導
入するガス導入口１６が設けられている。
【００２１】上記構成の反応副生成物の配管内付着防止
装置において、図示しない真空ポンプで図示しない反応
真空チャンバーを排気すると、反応真空チャンバーから
のガスは矢印１４に示すように流れ、配管１０内は真空
状態となる。配管１０内を真空状態にすることにより、
内筒１１の内部空間に連通する内筒１１と外筒１２の間
の空隙１５も真空状態となり、内筒１１は真空断熱状態
となる。該真空断熱状態となった内筒１１は加熱手段１
３により容易に高温（３００℃以上）となる。
装置において、図示しない真空ポンプで図示しない反応
真空チャンバーを排気すると、反応真空チャンバーから
のガスは矢印１４に示すように流れ、配管１０内は真空
状態となる。配管１０内を真空状態にすることにより、
内筒１１の内部空間に連通する内筒１１と外筒１２の間
の空隙１５も真空状態となり、内筒１１は真空断熱状態
となる。該真空断熱状態となった内筒１１は加熱手段１
３により容易に高温（３００℃以上）となる。
【００２２】上記のように内筒１１が加熱手段１３によ
り加熱され、その内壁面が高温に維持されているため、
反応副生物は凝結することなく、内壁面に付着・堆積し
ない。また、ガス導入口１６から内筒１１と外筒１２の
間の空隙１５に導入された不活性ガスや窒素ガスは加熱
手段１３に加熱されて昇温し、空隙１５と内筒１１の内
部空間を連通する連通口１９を通って、該内壁面に沿っ
てガス流層１８を形成する。これにより内筒１１の内壁
面には高温のガス流層１８が形成されることにより、よ
りいっそう反応副生成物の内壁面への付着を防止でき
る。
り加熱され、その内壁面が高温に維持されているため、
反応副生物は凝結することなく、内壁面に付着・堆積し
ない。また、ガス導入口１６から内筒１１と外筒１２の
間の空隙１５に導入された不活性ガスや窒素ガスは加熱
手段１３に加熱されて昇温し、空隙１５と内筒１１の内
部空間を連通する連通口１９を通って、該内壁面に沿っ
てガス流層１８を形成する。これにより内筒１１の内壁
面には高温のガス流層１８が形成されることにより、よ
りいっそう反応副生成物の内壁面への付着を防止でき
る。
【００２３】また、図２に示す配管内付着防止装置も配
管１０の内壁面（内筒１１の内壁面）に形成される不活
性ガスや窒素ガスのガス流層１８の剥離を防止するた
め、図１の場合と同様、配管１０を直列に接続して、反
応副生成物の配管内付着防止装置を構成してもよい。
管１０の内壁面（内筒１１の内壁面）に形成される不活
性ガスや窒素ガスのガス流層１８の剥離を防止するた
め、図１の場合と同様、配管１０を直列に接続して、反
応副生成物の配管内付着防止装置を構成してもよい。
【００２４】図３は本発明に係る反応副生成物の配管内
付着防止装置の構成例を示す図である。本配管内付着防
止装置の配管１０は内筒１１と外筒１２の２重構造であ
り、内筒１１は多数の孔１１ａを有する多孔質体（多数
の孔１１ａを形成したもの或いは多孔質セラミック体）
で構成され、加熱手段１３も同様に多孔１３ａを有する
多孔質体で構成している。
付着防止装置の構成例を示す図である。本配管内付着防
止装置の配管１０は内筒１１と外筒１２の２重構造であ
り、内筒１１は多数の孔１１ａを有する多孔質体（多数
の孔１１ａを形成したもの或いは多孔質セラミック体）
で構成され、加熱手段１３も同様に多孔１３ａを有する
多孔質体で構成している。
【００２５】上記構成の反応副生成物の配管内付着防止
装置において、図示しない真空ポンプで図示しない反応
真空チャンバーを排気すると、反応真空チャンバーから
のガスは矢印１４に示すように流れ、配管１０内は真空
状態となる。この状態でガス導入口１６から不活性ガス
や窒素ガスを導入すると、該ガスは内筒１１と外筒１２
の空隙１５に流れ込み、加熱手段１３により加熱され高
温に昇温する。また、内筒１１は加熱手段１３により加
熱され、その内壁面が高温に維持される。
装置において、図示しない真空ポンプで図示しない反応
真空チャンバーを排気すると、反応真空チャンバーから
のガスは矢印１４に示すように流れ、配管１０内は真空
状態となる。この状態でガス導入口１６から不活性ガス
や窒素ガスを導入すると、該ガスは内筒１１と外筒１２
の空隙１５に流れ込み、加熱手段１３により加熱され高
温に昇温する。また、内筒１１は加熱手段１３により加
熱され、その内壁面が高温に維持される。
【００２６】また、上記昇温されたガスは加熱手段１３
の多数の孔１３ａ及び内筒１１の多数の孔１１ａを通っ
てその内壁面に噴出し、該内壁面に高温の不活性ガスや
窒素ガスの噴出層２０を形成する。このように内筒１１
の内壁面は加熱され、更に高温に昇温されたガスの噴出
層２０で覆われているので、反応副生成物は、内壁面に
付着・堆積しない。なお、ガス導入口１６から不活性ガ
スや窒素ガスを断続的に噴出させることにより、内筒１
１の内壁面に付着した反応副生成物を吹き飛ばすように
してもよい。
の多数の孔１３ａ及び内筒１１の多数の孔１１ａを通っ
てその内壁面に噴出し、該内壁面に高温の不活性ガスや
窒素ガスの噴出層２０を形成する。このように内筒１１
の内壁面は加熱され、更に高温に昇温されたガスの噴出
層２０で覆われているので、反応副生成物は、内壁面に
付着・堆積しない。なお、ガス導入口１６から不活性ガ
スや窒素ガスを断続的に噴出させることにより、内筒１
１の内壁面に付着した反応副生成物を吹き飛ばすように
してもよい。
【００２７】図４は本発明に係る反応副生成物の配管内
付着防止装置の構成例を示す図である。本配管内付着防
止装置の配管１０は内筒１１と外筒１２の２重構造であ
り、外筒１２の内壁面と外筒１２と内筒１１の両端の間
に断熱材２１を設け、該断熱材２１と内筒１１の外周の
間の空隙１５に液体窒素等の冷媒を導入する冷媒導入口
２２と導出する冷媒導出口２３を設けている。
付着防止装置の構成例を示す図である。本配管内付着防
止装置の配管１０は内筒１１と外筒１２の２重構造であ
り、外筒１２の内壁面と外筒１２と内筒１１の両端の間
に断熱材２１を設け、該断熱材２１と内筒１１の外周の
間の空隙１５に液体窒素等の冷媒を導入する冷媒導入口
２２と導出する冷媒導出口２３を設けている。
【００２８】上記構成の反応副生成物の配管内付着防止
装置において、図示しない真空ポンプで、図示しない反
応真空チャンバーを排気し、反応真空チャンバー内で反
応プロセスを行う前に空隙１５に液体窒素等の冷媒を供
給し、内筒１１を冷却する。この状態で配管１０内にア
ンモニアガス、アルゴンガス、窒素ガスを導入し、内筒
１１の内面にこのガスを凝結させ、凝結膜（固体膜）２
４を形成する。そして反応真空チャンバー内での反応プ
ロセス中は反応副生成物（ガス）を凝結膜２４上面に凝
縮（液体及び固体状態）させる。
装置において、図示しない真空ポンプで、図示しない反
応真空チャンバーを排気し、反応真空チャンバー内で反
応プロセスを行う前に空隙１５に液体窒素等の冷媒を供
給し、内筒１１を冷却する。この状態で配管１０内にア
ンモニアガス、アルゴンガス、窒素ガスを導入し、内筒
１１の内面にこのガスを凝結させ、凝結膜（固体膜）２
４を形成する。そして反応真空チャンバー内での反応プ
ロセス中は反応副生成物（ガス）を凝結膜２４上面に凝
縮（液体及び固体状態）させる。
【００２９】反応プロセス終了後は、空隙１５に供給す
る冷媒を停止すると共に内部の冷媒を排出し、内筒１１
の冷却を停止する。これにより、反応プロセス前に凝結
された凝結膜２４は気化すると共に、凝縮した反応副生
成物も該気化により剥離され、排出される。
る冷媒を停止すると共に内部の冷媒を排出し、内筒１１
の冷却を停止する。これにより、反応プロセス前に凝結
された凝結膜２４は気化すると共に、凝縮した反応副生
成物も該気化により剥離され、排出される。
【００３０】上記配管内付着防止装置は配管１０の内筒
１１の内壁面に反応副生成物が付着するのを防止するこ
とができるから、配管１０内の清掃等のメンテナンスが
不要となり、半導体製造設備に用いれば、設備の稼動率
を大幅に向上させることが可能となる。
１１の内壁面に反応副生成物が付着するのを防止するこ
とができるから、配管１０内の清掃等のメンテナンスが
不要となり、半導体製造設備に用いれば、設備の稼動率
を大幅に向上させることが可能となる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、各請求項に記載の
発明によれば下記のような優れた効果が得られる。
発明によれば下記のような優れた効果が得られる。
【００３２】排気系の配管内に反応副生成物が付着する
のを防止することができるから、配管の定期的なメンテ
ナンスが必要なくなり、反応真空チャンバーの稼動率を
大幅に向上させることができる。
のを防止することができるから、配管の定期的なメンテ
ナンスが必要なくなり、反応真空チャンバーの稼動率を
大幅に向上させることができる。
【００３３】また、本発明に係る反応副生成物の配管内
付着防止装置及び付着防止方法は、ＡｓＳｇ（砒素ガラ
ス）膜の成膜プロセスにも容易に適用でき、この場合は
配管のメンテナンス時に作業者がＡｓ（砒素）に曝され
る恐れがなく（従来は作業者がＡｓに曝される恐れがあ
った）、作業の安全性を図ることができる。
付着防止装置及び付着防止方法は、ＡｓＳｇ（砒素ガラ
ス）膜の成膜プロセスにも容易に適用でき、この場合は
配管のメンテナンス時に作業者がＡｓ（砒素）に曝され
る恐れがなく（従来は作業者がＡｓに曝される恐れがあ
った）、作業の安全性を図ることができる。
【図１】本発明に係る反応副生成物の配管内付着防止装
置の構成例を示す図である。
置の構成例を示す図である。
【図２】本発明に係る反応副生成物の配管内付着防止装
置の構成例を示す図である。
置の構成例を示す図である。
【図３】本発明に係る反応副生成物の配管内付着防止装
置の構成例を示す図である。
置の構成例を示す図である。
【図４】本発明に係る反応副生成物の配管内付着防止装
置の構成例を示す図である。
置の構成例を示す図である。
【符号の説明】 １０ 配管 １１ 内筒 １２ 外筒 １３ 加熱手段 １５ 空隙 １６ ガス導入口 １７ 断熱材 １８ ガス流層 １９ 連通口 ２０ 不活性ガスや窒素ガスの噴出層 ２１ 断熱材 ２２ 冷媒導入口 ２３ 冷媒導出口 ２４ 凝結膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B117 AA08 BA51 4K030 EA11 KA22 KA26 5F045 AC12 BB08 BB14 BB20 EB05 EC07 EC09 EE14 EG01 EG05 EG08
Claims (5)
- 【請求項１】 反応真空チャンバーを排気する排気系の
配管内に反応副生成物が付着するのを防止する反応副生
成物の配管内付着防止装置であって、 前記配管を外筒と内筒を有する２重構造とし、真空断熱
状態の該内筒を加熱手段で該内筒内面を前記反応副生成
物が付着しない温度に加熱すると共に、該内筒の内壁面
に沿って不活性ガスや窒素ガスを導入したことを特徴と
する反応副生成物の配管内付着防止装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の反応副生成物の配管内
付着防止装置において、 前記配管の内筒と外筒の間に沿って不活性ガスや窒素ガ
スを導入し、前記加熱手段により昇温した不活性ガスや
窒素ガスを該内筒内壁面に沿って導入したことを特徴と
する反応副生成物の配管内付着防止装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の反応副生成物の配管内
付着防止装置において、 前記配管の内筒を多孔質体で構成すると共に、該配管の
内筒と外筒の間に沿って不活性ガスや窒素ガスを導入
し、昇温した該不活性ガスや窒素ガスを該内筒の多孔を
通して内壁面に噴出させることを特徴とする反応副生成
物の配管内付着防止装置。 - 【請求項４】 反応真空チャンバーを排気する排気系の
配管内に反応副生成物が付着するのを防止する反応副生
成物の配管内付着防止方法であって、 プロセス前に前記配管を冷却すると共に、該配管内にア
ンモニアガス、アルゴンガス、窒素ガス等少なくとも一
種類以上のガスを導入し、その内壁面に該ガスを凝結さ
せ、プロセス中に反応副生成物を凝縮させ、プロセス終
了後、前記冷却を停止し、前記プロセス前に凝結させた
ガスを気化させることにより、前記凝縮させた反応副生
成物も一緒に排出させることを特徴とする反応副生成物
の配管内付着防止方法。 - 【請求項５】 反応真空チャンバーを排気する排気系の
配管内に反応副生成物が付着するのを防止する反応副生
成物の配管内付着防止装置であって、 前記配管は外筒と内筒を有する２重構造にすると共に、
該外筒と内筒の間に冷媒を導入する冷媒導入手段と、該
配管の内筒内にアンモニアガス、アルゴンガス、窒素ガ
ス等少なくとも一種類以上のガスを導入するガス導入手
段を設け、 プロセス前に前記配管の外筒と内筒の間に前記冷媒導入
手段で冷媒を導入して該内筒を冷却すると共に、該内筒
内に前記ガス導入手段でアンモニアガス、アルゴンガ
ス、窒素ガス等少なくとも一種類以上のガスを導入し、
その内壁面に該ガスを凝結させ、プロセス中には反応副
生成物を凝縮させ、プロセス終了後、冷却を停止し、前
記内筒内壁面に凝結させたガスを気化させると共に、前
記凝縮させた反応副生成物も一緒に排出させることを特
徴とする反応副生成物の配管内付着防止装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000035045A JP4252702B2 (ja) | 2000-02-14 | 2000-02-14 | 反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法 |
| PCT/JP2001/001000 WO2001059177A1 (fr) | 2000-02-14 | 2001-02-14 | Tuyau d'echappement equipe de moyens permettant de prevenir l'agglutination de sous-produit reactif et procede permettant de prevenir l'agglutination |
| EP01904404A EP1270763A4 (en) | 2000-02-14 | 2001-02-14 | EXHAUST PIPE WITH DEVICE FOR PREVENTION AGAINST ADDITION OF BY-PRODUCTS AND METHOD FOR PREVENTION AGAINST ADDITION |
| CNB2005101096322A CN100532639C (zh) | 2000-02-14 | 2001-02-14 | 具有反应副产物沉积防止装置的排气管和沉积防止方法 |
| KR1020027010495A KR100760319B1 (ko) | 2000-02-14 | 2001-02-14 | 반응 부생성물 부착방지수단을 구비하는 배기관 및부착방지방법 |
| TW090103321A TW480192B (en) | 2000-02-14 | 2001-02-14 | Exhaust pipe provided with a device for preventing reaction byproduct from adhering thereto, and method therefor |
| US10/203,804 US7635501B2 (en) | 2000-02-14 | 2001-02-14 | Exhaust pipe having means for preventing deposition of a reaction by-product and method for preventing deposition of a reaction by-product |
| CNB01804980XA CN1223703C (zh) | 2000-02-14 | 2001-02-14 | 具有反应副产物沉积防止装置的排气管和沉积防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000035045A JP4252702B2 (ja) | 2000-02-14 | 2000-02-14 | 反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001226774A true JP2001226774A (ja) | 2001-08-21 |
| JP4252702B2 JP4252702B2 (ja) | 2009-04-08 |
Family
ID=18559302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000035045A Expired - Fee Related JP4252702B2 (ja) | 2000-02-14 | 2000-02-14 | 反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7635501B2 (ja) |
| EP (1) | EP1270763A4 (ja) |
| JP (1) | JP4252702B2 (ja) |
| KR (1) | KR100760319B1 (ja) |
| CN (2) | CN1223703C (ja) |
| TW (1) | TW480192B (ja) |
| WO (1) | WO2001059177A1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030065853A (ko) * | 2002-02-01 | 2003-08-09 | 유니셈 주식회사 | 폐가스 처리 장치 |
| KR100475746B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조설비의 배기 시스템 및 그 방법 |
| JP2005109002A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2007019089A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Soken Kogyo Kk | Ｃｖｄ装置の排気系配管への副生成物の付着防止方法、及び副生成物の付着防止機能を備えたｃｖｄ装置 |
| JP2013503464A (ja) * | 2009-08-25 | 2013-01-31 | アイクストロン、エスイー | Ｃｖｄ方法およびｃｖｄ反応炉 |
| JP2014503119A (ja) * | 2011-01-04 | 2014-02-06 | ジェイ−ソリューション カンパニー，リミテッド | 省エネルギー型のサイレンサーアセンブリ、これを備える半導体製造用真空ポンプ、及び窒素ガスの加熱方法 |
| JP7470460B1 (ja) | 2023-01-30 | 2024-04-18 | 大成技研株式会社 | 配管アダプター |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7459187B2 (en) * | 2003-10-29 | 2008-12-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Surface-treatment method and equipment |
| US7771514B1 (en) * | 2004-02-03 | 2010-08-10 | Airgard, Inc. | Apparatus and method for providing heated effluent gases to a scrubber |
| JP4749785B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置 |
| GB0516695D0 (en) | 2005-08-15 | 2005-09-21 | Boc Group Plc | Microwave plasma reactor |
| JP5036354B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法 |
| KR101094913B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2011-12-16 | 소이텍 | Iii-v 족 반도체 물질을 형성하기 위한 제조 공정 시스템 |
| US7611684B2 (en) * | 2006-08-09 | 2009-11-03 | Airgard, Inc. | Effluent gas scrubber and method of scrubbing effluent gasses |
| KR100791073B1 (ko) * | 2006-08-16 | 2008-01-02 | 삼성전자주식회사 | 난류 날개들을 갖는 배기 배관 및 배기 시스템 |
| US9481944B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same |
| US9481943B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gallium trichloride injection scheme |
| WO2008064077A2 (en) | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials |
| KR101379410B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2014-04-11 | 소이텍 | 3-5족 반도체 재료들의 대량생산을 위한 설비 |
| KR101330156B1 (ko) | 2006-11-22 | 2013-12-20 | 소이텍 | 삼염화 갈륨 주입 구조 |
| US20090223441A1 (en) * | 2006-11-22 | 2009-09-10 | Chantal Arena | High volume delivery system for gallium trichloride |
| JP5244814B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2013-07-24 | ソイテック | 化学気相成長チャンバ用の温度制御されたパージゲート弁を使用した方法、アセンブリ及びシステム |
| US7854792B2 (en) * | 2008-09-17 | 2010-12-21 | Airgard, Inc. | Reactive gas control |
| US20100083940A1 (en) * | 2008-10-04 | 2010-04-08 | Woodford Leon Vrazel | Cryogenic air cooler for improving power and fuel efficiency of a motor vehicle internal combustion engine |
| KR101071937B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2011-10-11 | 이승룡 | 질소가스 분사장치 |
| CN102061457B (zh) * | 2010-10-28 | 2012-10-31 | 理想能源设备(上海)有限公司 | 气相反应装置 |
| KR20140136594A (ko) * | 2013-05-20 | 2014-12-01 | 삼성전자주식회사 | 배기 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 설비 |
| DE102015107297A1 (de) * | 2015-05-11 | 2016-11-17 | Von Ardenne Gmbh | Prozessieranordnung |
| JP6054471B2 (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-27 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置および原子層成長装置排気部 |
| JP6054470B2 (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-27 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置 |
| JP6050860B1 (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-21 | 株式会社日本製鋼所 | プラズマ原子層成長装置 |
| JP5990626B1 (ja) * | 2015-05-26 | 2016-09-14 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置 |
| CN105887044A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-08-24 | 上海华力微电子有限公司 | 防止在沉积工艺的吹扫过程中对真空阀门档板污染的方法 |
| KR102362761B1 (ko) * | 2017-11-22 | 2022-02-15 | 씨에스케이(주) | 가스 처리 장치 |
| WO2019180772A1 (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | カンケンテクノ株式会社 | 排ガスの減圧除害方法及びその装置 |
| CN111676464A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-09-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体加工设备的排气装置及半导体加工设备 |
| CN112760708B (zh) * | 2020-12-14 | 2023-01-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 排气装置及化学气相沉积设备 |
| CN112447489A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-03-05 | 上海谙邦半导体设备有限公司 | 一种反应腔装置及其工作方法 |
| CN113025994A (zh) * | 2021-03-04 | 2021-06-25 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种炉管清洁方法 |
| CN113737270B (zh) * | 2021-09-03 | 2022-09-16 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种热场的排气装置 |
| CN114134572B (zh) * | 2021-11-12 | 2024-06-21 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种hvpe法生长氮化铝的辅助加热体装置及方法 |
| CN114483530B (zh) * | 2021-12-31 | 2024-03-26 | 山东微波电真空技术有限公司 | 一种卧式排气设备 |
| KR20250059513A (ko) * | 2022-09-08 | 2025-05-02 | 램 리써치 코포레이션 | 기판 프로세싱 시스템의 배기 라인 (exhaust line) 을 위한 가스 냉각 커버 |
| CN118841307A (zh) * | 2024-07-05 | 2024-10-25 | 成都高真科技有限公司 | 排气管组件以及半导体制造设备 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60136220A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPS62270777A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-25 | Ulvac Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2677606B2 (ja) * | 1988-06-08 | 1997-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP2997703B2 (ja) | 1990-04-27 | 2000-01-11 | 三井化学株式会社 | ポリカーボネート化合物の製造方法 |
| CN1021528C (zh) * | 1991-03-19 | 1993-07-07 | 浙江大学 | 半导体气相外延的减压方法及系统 |
| US5253613A (en) * | 1992-04-30 | 1993-10-19 | General Electric Company | High power AC traction inverter cooling |
| JP3246708B2 (ja) * | 1995-05-02 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ装置及びこれを用いた未反応処理ガス排気機構 |
| US6332925B1 (en) | 1996-05-23 | 2001-12-25 | Ebara Corporation | Evacuation system |
| JP3238099B2 (ja) | 1996-05-23 | 2001-12-10 | 株式会社荏原製作所 | 真空排気システム |
| US5935283A (en) * | 1996-12-31 | 1999-08-10 | Atmi Ecosys Corporation | Clog-resistant entry structure for introducing a particulate solids-containing and/or solids-forming gas stream to a gas processing system |
| CN1147345C (zh) | 1998-03-10 | 2004-04-28 | 高级技术材料公司 | 防止颗粒材料粘附到通道内表面的方法及装置 |
| JP2000252273A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置 |
-
2000
- 2000-02-14 JP JP2000035045A patent/JP4252702B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-14 CN CNB01804980XA patent/CN1223703C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-14 KR KR1020027010495A patent/KR100760319B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-14 WO PCT/JP2001/001000 patent/WO2001059177A1/ja not_active Ceased
- 2001-02-14 US US10/203,804 patent/US7635501B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-14 TW TW090103321A patent/TW480192B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-14 EP EP01904404A patent/EP1270763A4/en not_active Withdrawn
- 2001-02-14 CN CNB2005101096322A patent/CN100532639C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030065853A (ko) * | 2002-02-01 | 2003-08-09 | 유니셈 주식회사 | 폐가스 처리 장치 |
| KR100475746B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조설비의 배기 시스템 및 그 방법 |
| JP2005109002A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2007019089A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Soken Kogyo Kk | Ｃｖｄ装置の排気系配管への副生成物の付着防止方法、及び副生成物の付着防止機能を備えたｃｖｄ装置 |
| JP2013503464A (ja) * | 2009-08-25 | 2013-01-31 | アイクストロン、エスイー | Ｃｖｄ方法およびｃｖｄ反応炉 |
| JP2014503119A (ja) * | 2011-01-04 | 2014-02-06 | ジェイ−ソリューション カンパニー，リミテッド | 省エネルギー型のサイレンサーアセンブリ、これを備える半導体製造用真空ポンプ、及び窒素ガスの加熱方法 |
| JP7470460B1 (ja) | 2023-01-30 | 2024-04-18 | 大成技研株式会社 | 配管アダプター |
| JP2024107995A (ja) * | 2023-01-30 | 2024-08-09 | 大成技研株式会社 | 配管アダプター |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1401014A (zh) | 2003-03-05 |
| US7635501B2 (en) | 2009-12-22 |
| CN1223703C (zh) | 2005-10-19 |
| WO2001059177A1 (fr) | 2001-08-16 |
| KR100760319B1 (ko) | 2007-09-20 |
| US20030136365A1 (en) | 2003-07-24 |
| TW480192B (en) | 2002-03-21 |
| CN100532639C (zh) | 2009-08-26 |
| EP1270763A1 (en) | 2003-01-02 |
| CN1821441A (zh) | 2006-08-23 |
| EP1270763A4 (en) | 2004-09-15 |
| JP4252702B2 (ja) | 2009-04-08 |
| KR20020086527A (ko) | 2002-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001226774A (ja) | 反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法 | |
| US6099649A (en) | Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal | |
| US6107198A (en) | Ammonium chloride vaporizer cold trap | |
| US5817575A (en) | Prevention of clogging in CVD apparatus | |
| JP3539446B2 (ja) | 副生成物トラップ装置及びその洗浄方法 | |
| WO2005000440A1 (ja) | トラップ装置、処理システム及び不純物除去方法 | |
| US5303558A (en) | Thermal trap for gaseous materials | |
| KR100656538B1 (ko) | 반응로 배기 시스템에서 고형 부산물 생성 방지 장치 | |
| JP2001015498A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0559277B2 (ja) | ||
| JPH10116822A (ja) | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 | |
| JP4111269B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4252142B2 (ja) | ガス処理装置およびそれに用いられる原料供給系のパージ機構 | |
| KR100719336B1 (ko) | 반도체 제조장치의 펌핑 시스템 | |
| JP2000038672A (ja) | 物質を析出させるための装置 | |
| JP3093716B2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置 | |
| JP4256174B2 (ja) | 減圧気相成長装置 | |
| JP2003124127A (ja) | 半導体製造装置及びその排気配管及びメンテナンス方法 | |
| JP3959174B2 (ja) | 半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法、水冷トラップ装置 | |
| JPH06173010A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2832322B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR20010028218A (ko) | 2중 챔버벽을 구비한 반도체 소자 제조장치 | |
| JPH0337189A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH05211125A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH1079379A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070828 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071029 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071029 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080304 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080418 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080418 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090120 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090122 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120130 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |