JP2001218354A - 位相制御開閉装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電力系統に接続された変圧器等の変電機器に
とって過酷となる開閉装置の開閉に伴う過渡的な励磁突
入電流やサージ過電圧の発生を最小限に抑制する。 【解決手段】 三相電力系統の相間に、Δ結線を用いて
接続された変圧器に電源電圧を投入する各相毎の遮断器
５０、各遮断器を独立に開閉極動作する操作装置、遮断
器を投入時の各相の電圧波形、前記遮断器を遮断時の各
相の電流波形の位相を予測する基準位相検出部８２、前
回遮断時の各相における遮断器の遮断時刻と遮断直前の
電流値の正負の記憶内容より変圧器の各相の残留磁束を
予測する残留磁束検出部８３、各相の遮断器を投入する
際、変圧器の各相の予測残留磁束に基づき、各相投入時
の発生サージが最小となる投入電気角を予測する最適投
入点予測手段８１、予測投入電気角にて前記遮断器を投
開する閉極動作開始手段８１とを備えている。
とって過酷となる開閉装置の開閉に伴う過渡的な励磁突
入電流やサージ過電圧の発生を最小限に抑制する。 【解決手段】 三相電力系統の相間に、Δ結線を用いて
接続された変圧器に電源電圧を投入する各相毎の遮断器
５０、各遮断器を独立に開閉極動作する操作装置、遮断
器を投入時の各相の電圧波形、前記遮断器を遮断時の各
相の電流波形の位相を予測する基準位相検出部８２、前
回遮断時の各相における遮断器の遮断時刻と遮断直前の
電流値の正負の記憶内容より変圧器の各相の残留磁束を
予測する残留磁束検出部８３、各相の遮断器を投入する
際、変圧器の各相の予測残留磁束に基づき、各相投入時
の発生サージが最小となる投入電気角を予測する最適投
入点予測手段８１、予測投入電気角にて前記遮断器を投
開する閉極動作開始手段８１とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、遮断器５０等の電
力用開閉装置の開閉時刻を制御して、電力系統の送電線
に接続された変圧器、分路リアクトル、コンデンサバン
ク等の変電機器にとって過酷となる開閉装置の開閉に伴
う過渡的な励磁突入電流やサージ過電圧の発生を最小限
に抑制する位相制御開閉装置に関するものである。
力用開閉装置の開閉時刻を制御して、電力系統の送電線
に接続された変圧器、分路リアクトル、コンデンサバン
ク等の変電機器にとって過酷となる開閉装置の開閉に伴
う過渡的な励磁突入電流やサージ過電圧の発生を最小限
に抑制する位相制御開閉装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電力用開閉機器の閉極位相を制御して、
投入時に発生する励磁突入電流や開閉サージ電圧を抑制
したり、遮断器５０のアーク時間を制御して、無再点弧
となるアーク時間もしくは最適な遮断時間にて遮断器５
０を開極動作させて遮断する位相制御開閉装置を設けた
開閉機器（遮断器５０）の適用が拡大している。例え
ば、図２４は、特開平３−１５６８２０号公報に掲載さ
れた遮断器５０の投入位相制御装置に関する従来例と、
閉極動作時のＲ，Ｓ，Ｔ相の各電源電圧の基準波形並び
に動作タイミングを示すものである。
投入時に発生する励磁突入電流や開閉サージ電圧を抑制
したり、遮断器５０のアーク時間を制御して、無再点弧
となるアーク時間もしくは最適な遮断時間にて遮断器５
０を開極動作させて遮断する位相制御開閉装置を設けた
開閉機器（遮断器５０）の適用が拡大している。例え
ば、図２４は、特開平３−１５６８２０号公報に掲載さ
れた遮断器５０の投入位相制御装置に関する従来例と、
閉極動作時のＲ，Ｓ，Ｔ相の各電源電圧の基準波形並び
に動作タイミングを示すものである。
【０００３】図２４において、１０は中性点が接地され
たＹ結線の変圧器、５０は遮断器で、この遮断器５０の
消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子が独立に開
閉極動作することを可能にするため、それぞれ独立の操
作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃを有する。７２ａ，７２
ｂ，７２ｃはＲ、Ｓ、Ｔ相の電源電圧を計測する電圧計
測部、８０は、基準位相検出部８２および演算・動作制
御部８１からなる遮断器５０の位相制御開閉装置であ
る。
たＹ結線の変圧器、５０は遮断器で、この遮断器５０の
消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子が独立に開
閉極動作することを可能にするため、それぞれ独立の操
作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃを有する。７２ａ，７２
ｂ，７２ｃはＲ、Ｓ、Ｔ相の電源電圧を計測する電圧計
測部、８０は、基準位相検出部８２および演算・動作制
御部８１からなる遮断器５０の位相制御開閉装置であ
る。
【０００４】次に動作について説明する。Ｒ、Ｓ、Ｔ相
の電源電圧は、各電圧計測部７２ａ，７２ｂ，７２ｃに
て計測され、位相制御開閉装置８０の基準位相検出部８
２へ送信される。基準位相検出部８２では、Ｒ、Ｓ、Ｔ
相の電源電圧零点の周期を検出し、基準となる電圧零点
を設定して基準点Ｔstandardとする。遮断器５０が閉極
（投入）指令を受けた場合、位相制御開閉装置８０の演
算・動作制御部８１は、操作装置の周囲温度、操作力、
制御電圧の計測データより予測される閉極動作時間ｔ
close、および先行アーク時間ｔprearcを計算すると共
に、予め設定されたＲ、Ｓ、Ｔ相の投入目標点（例え
ば、電圧ピークなら電気角９０°）Ｔtargetから基準点
Ｔstandardまでの時間から、予測された閉極動作時間ｔ
closeを引き算し、かつ、先行アーク時間ｔprearcを加
算して動作同期時間ｔcontを計算する。位相制御開閉装
置８０の演算・動作制御部８１は、基準点Ｔstandardか
ら計算された動作同期時間ｔcontを経過後に各操作装置
５４ａ，５４ｂ，５４ｃに投入信号を与えて、各消弧室
５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子が開閉サージ現象
を最小限に抑制可能な所定の電気角にて独立に閉極動作
するよう制御する。以上、説明した制御シーケンスよ
り、電圧ピークにて遮断器５０の投入を実施することで
開閉サージ現象が抑制できる残留磁束が無い場合の変圧
器の投入制御および分路リアクトルの投入制御、また、
電圧零点にて遮断器５０の投入を実施することで開閉サ
ージ現象が抑制できるコンデンサバンクの投入制御およ
び無負荷送電線の投入制御などが実用化される。
の電源電圧は、各電圧計測部７２ａ，７２ｂ，７２ｃに
て計測され、位相制御開閉装置８０の基準位相検出部８
２へ送信される。基準位相検出部８２では、Ｒ、Ｓ、Ｔ
相の電源電圧零点の周期を検出し、基準となる電圧零点
を設定して基準点Ｔstandardとする。遮断器５０が閉極
（投入）指令を受けた場合、位相制御開閉装置８０の演
算・動作制御部８１は、操作装置の周囲温度、操作力、
制御電圧の計測データより予測される閉極動作時間ｔ
close、および先行アーク時間ｔprearcを計算すると共
に、予め設定されたＲ、Ｓ、Ｔ相の投入目標点（例え
ば、電圧ピークなら電気角９０°）Ｔtargetから基準点
Ｔstandardまでの時間から、予測された閉極動作時間ｔ
closeを引き算し、かつ、先行アーク時間ｔprearcを加
算して動作同期時間ｔcontを計算する。位相制御開閉装
置８０の演算・動作制御部８１は、基準点Ｔstandardか
ら計算された動作同期時間ｔcontを経過後に各操作装置
５４ａ，５４ｂ，５４ｃに投入信号を与えて、各消弧室
５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子が開閉サージ現象
を最小限に抑制可能な所定の電気角にて独立に閉極動作
するよう制御する。以上、説明した制御シーケンスよ
り、電圧ピークにて遮断器５０の投入を実施することで
開閉サージ現象が抑制できる残留磁束が無い場合の変圧
器の投入制御および分路リアクトルの投入制御、また、
電圧零点にて遮断器５０の投入を実施することで開閉サ
ージ現象が抑制できるコンデンサバンクの投入制御およ
び無負荷送電線の投入制御などが実用化される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来装置は、電圧ピー
クにて遮断器５０の投入を実施することで、開閉サージ
現象が抑制できる残留磁束が無い場合に変圧器の投入制
御および分路リアクトルの投入制御を行っていたが、実
際、変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０コアに残
留磁束があると開閉サージ現象を抑制して最適な投入タ
イミングで遮断器５０を動作させるのは困難であった。
クにて遮断器５０の投入を実施することで、開閉サージ
現象が抑制できる残留磁束が無い場合に変圧器の投入制
御および分路リアクトルの投入制御を行っていたが、実
際、変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０コアに残
留磁束があると開閉サージ現象を抑制して最適な投入タ
イミングで遮断器５０を動作させるのは困難であった。
【０００６】この発明は上記課題を解消するためになさ
れたもので、これまで実用化が難しいとされてきた変圧
器（もしくは、分路リアクトル）コアに残留磁束がある
場合について、変圧器（もしくは、分路リアクトル）各
相の残留磁束を予測すると共に、各相の残留磁束に応じ
た最適な投入タイミングで遮断器を動作させることによ
り、過渡的な開閉サージ現象を抑制できる位相制御装置
を提供することにある。
れたもので、これまで実用化が難しいとされてきた変圧
器（もしくは、分路リアクトル）コアに残留磁束がある
場合について、変圧器（もしくは、分路リアクトル）各
相の残留磁束を予測すると共に、各相の残留磁束に応じ
た最適な投入タイミングで遮断器を動作させることによ
り、過渡的な開閉サージ現象を抑制できる位相制御装置
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る位相制御
開閉装置は、三相電力系統の相間に、Δ結線、中性点が
直接接地されたＹ結線および中性点が非接接地の何れか
一つの結線方法を用いて接続されたリアクトル成分に接
続され、前記リアクトル成分の故障電流や負荷電流を遮
断すると共に、リアクトル成分を励磁するために前記三
相電力系統に投入する各相毎の遮断器と、前記各相毎の
電圧を計測する電圧計測手段と、前記遮断器における出
力の極間の電流を計測する電流計測手段と、前記相毎の
遮断器を独立に開閉極動作する操作装置と、この操作装
置近傍に設けられた温度計測部、各相の遮断器の各操作
装置の駆動操作圧力及び制御電圧を計測し、前記遮断器
が開閉極指令を受けた場合、各相に設けられた前記電圧
計測部および前記電流計測部により計測された電圧値お
よび電流値から、前記遮断器を投入時の各相の電圧波
形、前記遮断器を遮断時の各相の電流波形の位相および
周期的な零点を予測する基準位相検出手段と、前回遮断
時の前記各相における遮断器の遮断時刻と遮断直前の電
流値の正負を記憶し、この記憶内容より前記リアクトル
成分の各相の残留磁束を予測する残留磁束予測手段と、
前記各相の遮断器を投入する場合、前記残留磁束予測手
段により予測された前記リアクトル成分の各相の残留磁
束に基づき、各相投入時の発生サージが最小となる最適
な投入電気角を予測する最適投入点予測手段と、前記最
適投入点予測手段にて予測され設定された投入電気角に
て前記遮断器が電気的に投入されるように、前記遮断器
の閉極動作を開始させる閉極動作開始手段とを備えたも
のである。
開閉装置は、三相電力系統の相間に、Δ結線、中性点が
直接接地されたＹ結線および中性点が非接接地の何れか
一つの結線方法を用いて接続されたリアクトル成分に接
続され、前記リアクトル成分の故障電流や負荷電流を遮
断すると共に、リアクトル成分を励磁するために前記三
相電力系統に投入する各相毎の遮断器と、前記各相毎の
電圧を計測する電圧計測手段と、前記遮断器における出
力の極間の電流を計測する電流計測手段と、前記相毎の
遮断器を独立に開閉極動作する操作装置と、この操作装
置近傍に設けられた温度計測部、各相の遮断器の各操作
装置の駆動操作圧力及び制御電圧を計測し、前記遮断器
が開閉極指令を受けた場合、各相に設けられた前記電圧
計測部および前記電流計測部により計測された電圧値お
よび電流値から、前記遮断器を投入時の各相の電圧波
形、前記遮断器を遮断時の各相の電流波形の位相および
周期的な零点を予測する基準位相検出手段と、前回遮断
時の前記各相における遮断器の遮断時刻と遮断直前の電
流値の正負を記憶し、この記憶内容より前記リアクトル
成分の各相の残留磁束を予測する残留磁束予測手段と、
前記各相の遮断器を投入する場合、前記残留磁束予測手
段により予測された前記リアクトル成分の各相の残留磁
束に基づき、各相投入時の発生サージが最小となる最適
な投入電気角を予測する最適投入点予測手段と、前記最
適投入点予測手段にて予測され設定された投入電気角に
て前記遮断器が電気的に投入されるように、前記遮断器
の閉極動作を開始させる閉極動作開始手段とを備えたも
のである。
【０００８】また、この発明による前記残留磁束予測手
段は、遮断器による三相電力系統の前回の遮断時に最初
に遮断された第１遮断相の残留磁束を零と判定時に、次
に遮断される第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６
サイクル）遅れで遮断され、且つ、第１遮断相の遮断直
前の電流値が正、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の
場合、この第２遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束
−９０％）と判定し、最後に遮断される第３遮断相が第
２遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮断され、
且つ、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第３遮断相
の遮断直前の電流値が正の場合、前記第３遮断相の残留
磁束を正（例えば残留磁束９０％）と判定するか、ま
た、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相の残留
磁束を零と判定時に、次に遮断される第２遮断相が第１
遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮断され、且
つ、第１遮断相の遮断直前の電流値が負、第２遮断相の
遮断直前の電流値が正の場合、この第２遮断相の残留磁
束を正（例えば残留磁束９０％）と判定し、最後に遮断
される第３遮断相が第２遮断相の６０°（１／６サイク
ル）遅れで遮断され、且つ、第２遮断相の遮断直前の電
流値が正、第３遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、
この第３遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束−９０
％）と判定するものである。
段は、遮断器による三相電力系統の前回の遮断時に最初
に遮断された第１遮断相の残留磁束を零と判定時に、次
に遮断される第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６
サイクル）遅れで遮断され、且つ、第１遮断相の遮断直
前の電流値が正、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の
場合、この第２遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束
−９０％）と判定し、最後に遮断される第３遮断相が第
２遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮断され、
且つ、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第３遮断相
の遮断直前の電流値が正の場合、前記第３遮断相の残留
磁束を正（例えば残留磁束９０％）と判定するか、ま
た、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相の残留
磁束を零と判定時に、次に遮断される第２遮断相が第１
遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮断され、且
つ、第１遮断相の遮断直前の電流値が負、第２遮断相の
遮断直前の電流値が正の場合、この第２遮断相の残留磁
束を正（例えば残留磁束９０％）と判定し、最後に遮断
される第３遮断相が第２遮断相の６０°（１／６サイク
ル）遅れで遮断され、且つ、第２遮断相の遮断直前の電
流値が正、第３遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、
この第３遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束−９０
％）と判定するものである。
【０００９】また、この発明による前記残留磁束予測手
段は、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相の残
留磁束を零と判定時に、次に遮断される第２遮断相が第
１遮断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断さ
れ、且つ、第１遮断相の遮断直前の電流値が正、第２遮
断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第２遮断相の
残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定し、最
後に遮断される第３遮断相が第２遮断相の１２０°（１
／３サイクル）遅れで遮断され、且つ、第２遮断相の遮
断直前の電流値が正、第３遮断相の遮断直前の電流値が
正の場合、この第３遮断相の残留磁束を正（例えば残留
磁束９０％）と判定するか、また、前回の遮断時に最初
に遮断された第１遮断相の残留磁束を零と判定時に、次
に遮断される第２遮断相が第１遮断相の１２０°（１／
３サイクル）遅れで遮断され、且つ、第１遮断相の遮断
直前の電流値が負、第２遮断相の遮断直前の電流値が負
の場合、この第２遮断相の残留磁束を正（例えば残留磁
束９０％）と判定し、最後に遮断される第３遮断相が第
２遮断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断さ
れ、且つ、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第３遮
断相の遮断直前の電流値が負の場合、この第３遮断相の
残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定するも
のである。
段は、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相の残
留磁束を零と判定時に、次に遮断される第２遮断相が第
１遮断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断さ
れ、且つ、第１遮断相の遮断直前の電流値が正、第２遮
断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第２遮断相の
残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定し、最
後に遮断される第３遮断相が第２遮断相の１２０°（１
／３サイクル）遅れで遮断され、且つ、第２遮断相の遮
断直前の電流値が正、第３遮断相の遮断直前の電流値が
正の場合、この第３遮断相の残留磁束を正（例えば残留
磁束９０％）と判定するか、また、前回の遮断時に最初
に遮断された第１遮断相の残留磁束を零と判定時に、次
に遮断される第２遮断相が第１遮断相の１２０°（１／
３サイクル）遅れで遮断され、且つ、第１遮断相の遮断
直前の電流値が負、第２遮断相の遮断直前の電流値が負
の場合、この第２遮断相の残留磁束を正（例えば残留磁
束９０％）と判定し、最後に遮断される第３遮断相が第
２遮断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断さ
れ、且つ、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第３遮
断相の遮断直前の電流値が負の場合、この第３遮断相の
残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定するも
のである。
【００１０】また、この発明による残留磁束予測手段
は、正及び負の残留磁束の絶対値を予め入力する。
は、正及び負の残留磁束の絶対値を予め入力する。
【００１１】また、この発明による残留磁束予測手段
は、正及び負の残留磁束の絶対値を８０％乃至９０％と
設定すると共に、投入時の突入電流値が想定された値よ
り大きいときは、突入電流が想定された値に近似するよ
うに正および負の残留磁束の設定値を増減させる。
は、正及び負の残留磁束の絶対値を８０％乃至９０％と
設定すると共に、投入時の突入電流値が想定された値よ
り大きいときは、突入電流が想定された値に近似するよ
うに正および負の残留磁束の設定値を増減させる。
【００１２】また、この発明による位相開閉制御装置
は、残留磁束予測手段により各相の残留磁束をそれぞれ
零、負、正と判定すると共に、前記各相投入時の発生サ
ージが最小となる投入（閉極）時刻（電気角）を予測す
る最適投入点予測手段により残留磁束に応じた第１投入
相並びに第２投入相の投入時刻を電気角を設定すると共
に、第３投入相の投入時刻を第２投入相の投入時刻と同
時もしくはそれ以降と設定するものである。また、この
発明による位相開閉制御装置の最適投入点予測手段は、
中性点が直接接地されＹ結線された各相のリアクトル成
分の残留磁束予測手段が第１遮断相の残留磁束を零、第
２遮断相の残留磁束を負、第３遮断相の残留磁束を正と
予測した結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが
最小となる投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、
第１番目の投入相を残留磁束が零の相（第１遮断相）、
第２番目の投入相を残留磁束が正の相、第３番目の投入
相を残留磁束が負の相と設定すると共に、残留磁束が零
である第１投入相の投入時刻を電気角９０°（電圧ピー
ク）近傍に、もしくは６０°〜１２０°（電圧ピーク）
に、残留磁束が正である第２投入相の投入時刻を電気角
７５°近傍、もしくは６０°〜９０°に設定すると共
に、残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を第２投
入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定するもの
である。
は、残留磁束予測手段により各相の残留磁束をそれぞれ
零、負、正と判定すると共に、前記各相投入時の発生サ
ージが最小となる投入（閉極）時刻（電気角）を予測す
る最適投入点予測手段により残留磁束に応じた第１投入
相並びに第２投入相の投入時刻を電気角を設定すると共
に、第３投入相の投入時刻を第２投入相の投入時刻と同
時もしくはそれ以降と設定するものである。また、この
発明による位相開閉制御装置の最適投入点予測手段は、
中性点が直接接地されＹ結線された各相のリアクトル成
分の残留磁束予測手段が第１遮断相の残留磁束を零、第
２遮断相の残留磁束を負、第３遮断相の残留磁束を正と
予測した結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが
最小となる投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、
第１番目の投入相を残留磁束が零の相（第１遮断相）、
第２番目の投入相を残留磁束が正の相、第３番目の投入
相を残留磁束が負の相と設定すると共に、残留磁束が零
である第１投入相の投入時刻を電気角９０°（電圧ピー
ク）近傍に、もしくは６０°〜１２０°（電圧ピーク）
に、残留磁束が正である第２投入相の投入時刻を電気角
７５°近傍、もしくは６０°〜９０°に設定すると共
に、残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を第２投
入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定するもの
である。
【００１３】また、この発明による位相開閉制御装置の
最適投入点予測手段は、中性点が直接接地されＹ結線さ
れた各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が第１遮
断相の残留磁束を零、第２遮断相の残留磁束を負、第３
遮断相の残留磁束を正と予測した結果に基づき、前記各
相投入時の発生サージが最小となる投入（閉極）時刻
（電気角）を予測する際、第１番目の投入相を残留磁束
が零の相（第１遮断相）、第２番目の投入相を残留磁束
が負の相、第３番目の投入相を残留磁束が正の相と設定
すると共に、残留磁束が零である第１投入相の投入時刻
を電気角９０°（電圧ピーク）近傍に、もしくは６０°
１２０°（電圧ピーク）近傍に、残留磁束が負である第
２投入相の投入時刻を電気角３１５°、もしくは、電気
角３００°〜３３０°に設定すると共に、残留磁束が正
である第３投入相の投入時刻を第２投入相の投入時刻と
同時もしくはそれ以降と設定するものである。
最適投入点予測手段は、中性点が直接接地されＹ結線さ
れた各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が第１遮
断相の残留磁束を零、第２遮断相の残留磁束を負、第３
遮断相の残留磁束を正と予測した結果に基づき、前記各
相投入時の発生サージが最小となる投入（閉極）時刻
（電気角）を予測する際、第１番目の投入相を残留磁束
が零の相（第１遮断相）、第２番目の投入相を残留磁束
が負の相、第３番目の投入相を残留磁束が正の相と設定
すると共に、残留磁束が零である第１投入相の投入時刻
を電気角９０°（電圧ピーク）近傍に、もしくは６０°
１２０°（電圧ピーク）近傍に、残留磁束が負である第
２投入相の投入時刻を電気角３１５°、もしくは、電気
角３００°〜３３０°に設定すると共に、残留磁束が正
である第３投入相の投入時刻を第２投入相の投入時刻と
同時もしくはそれ以降と設定するものである。
【００１４】また、この発明による位相開閉制御装置の
最適投入点予測手段は、中性点が直接接地されたＹ結線
の各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が第１遮断
相の残留磁束を零、第２遮断相の残留磁束を正、第３遮
断相の残留磁束を負と予測した結果に基づき、前記各相
投入時の発生サージが最小となる投入（閉極）時刻（電
気角）を予測する際、第１番目の投入相を残留磁束が零
の相、第２番目の投入相を残留磁束が正の相、第３番目
の投入相を残留磁束が負の相と設定すると共に、残留磁
束が零である第１投入相の投入時刻を電気角９０°（電
圧ピーク）近傍に、もしくは電気角６０°〜１２０°
に、残留磁束が正である第２投入相の投入時刻を電気角
２８０°近傍に、もしくは電気角２６０°〜３００°
に、残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を第２投
入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定するもの
である。
最適投入点予測手段は、中性点が直接接地されたＹ結線
の各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が第１遮断
相の残留磁束を零、第２遮断相の残留磁束を正、第３遮
断相の残留磁束を負と予測した結果に基づき、前記各相
投入時の発生サージが最小となる投入（閉極）時刻（電
気角）を予測する際、第１番目の投入相を残留磁束が零
の相、第２番目の投入相を残留磁束が正の相、第３番目
の投入相を残留磁束が負の相と設定すると共に、残留磁
束が零である第１投入相の投入時刻を電気角９０°（電
圧ピーク）近傍に、もしくは電気角６０°〜１２０°
に、残留磁束が正である第２投入相の投入時刻を電気角
２８０°近傍に、もしくは電気角２６０°〜３００°
に、残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を第２投
入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定するもの
である。
【００１５】また、この発明による位相開閉制御装置の
最適投入点予測手段は、中性点が直接接地されたＹ結線
の各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が第１遮断
相の残留磁束を零、第２遮断相の残留磁束を正、第３遮
断相の残留磁束を負と予測した結果に基づき、前記各相
投入時の発生サージが最小となる投入（閉極）時刻（電
気角）を予測する際、第１番目の投入相を残留磁束が零
の相、第２番目の投入相を残留磁束が負の相、第３番目
の投入相を残留磁束正の相と設定すると共に、残留磁束
が零である第１投入相の投入時刻を電気角９０°（電圧
ピーク）近傍に、もしくは電気角６０°〜１２０°に、
残留磁束が負である第２投入相の投入時刻を電気角４０
°近傍に、もしくは電気角２０°〜６０°に、残留磁束
が正である第３投入相の投入時刻を第２投入相の投入時
刻と同時もしくはそれ以降と設定するものである。
最適投入点予測手段は、中性点が直接接地されたＹ結線
の各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が第１遮断
相の残留磁束を零、第２遮断相の残留磁束を正、第３遮
断相の残留磁束を負と予測した結果に基づき、前記各相
投入時の発生サージが最小となる投入（閉極）時刻（電
気角）を予測する際、第１番目の投入相を残留磁束が零
の相、第２番目の投入相を残留磁束が負の相、第３番目
の投入相を残留磁束正の相と設定すると共に、残留磁束
が零である第１投入相の投入時刻を電気角９０°（電圧
ピーク）近傍に、もしくは電気角６０°〜１２０°に、
残留磁束が負である第２投入相の投入時刻を電気角４０
°近傍に、もしくは電気角２０°〜６０°に、残留磁束
が正である第３投入相の投入時刻を第２投入相の投入時
刻と同時もしくはそれ以降と設定するものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１に係る位相制御開閉装置を各添付図面に従
って説明する。図１は、実施の形態１によるΔ結線の変
圧器（もしくは、分路リアクトル）１０の開閉に適用さ
れる遮断器５０の位相制御装置および各相Ｒ，Ｓ，Ｔの
電源電圧、磁束変化および電流を示すものである。図１
において、１０は一次巻線、二次巻線ともΔ結線された
変圧器、５０は各相の電力を遮断する遮断器５０で、遮
断器５０の消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子
が独立に開閉極動作することを可能にするため、それぞ
れ独立の操作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃを有する。７
２ａ，７２ｂ，７２ｃはＲ、Ｓ、Ｔ相の各電源電圧を計
測する電圧計測部、７４ａ，７４ｂ，７４ｃはＲ、Ｓ、
Ｔ相をそれぞれ流れる電流を計測する電流計測部、８０
Ａは基準位相検出部８２および残留磁束検出部８３およ
び演算・動作制御部８１からなる遮断器５０の位相制御
開閉装置である。
実施の形態１に係る位相制御開閉装置を各添付図面に従
って説明する。図１は、実施の形態１によるΔ結線の変
圧器（もしくは、分路リアクトル）１０の開閉に適用さ
れる遮断器５０の位相制御装置および各相Ｒ，Ｓ，Ｔの
電源電圧、磁束変化および電流を示すものである。図１
において、１０は一次巻線、二次巻線ともΔ結線された
変圧器、５０は各相の電力を遮断する遮断器５０で、遮
断器５０の消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子
が独立に開閉極動作することを可能にするため、それぞ
れ独立の操作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃを有する。７
２ａ，７２ｂ，７２ｃはＲ、Ｓ、Ｔ相の各電源電圧を計
測する電圧計測部、７４ａ，７４ｂ，７４ｃはＲ、Ｓ、
Ｔ相をそれぞれ流れる電流を計測する電流計測部、８０
Ａは基準位相検出部８２および残留磁束検出部８３およ
び演算・動作制御部８１からなる遮断器５０の位相制御
開閉装置である。
【００１７】次に本実施の形態１における位相制御装置
の動作について説明する。遮断器５０が閉極していると
き、Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電源電圧は、各電圧計測部７２ａ，
７２ｂ，７２ｃにて計測される。一方、Ｒ、Ｓ、Ｔ相を
それぞれ流れる電流は、各電流計測部７４ａ，７４ｂ，
７４ｃにて計測される。各計測結果は位相制御開閉装置
８０Ａの基準位相検出部８２および残留磁束検出部８３
へ送信される。図１に示すように、各相共磁束は相電源
電圧より位相が９０°遅れている。また、電流がピーク
となる瞬間に磁束も最大値をとる。遮断器５０に開極指
令を出して、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接
触子を開極した場合、各相の電流は１／６サイクル毎に
電流零点を向かえ、例えば、図１の相遮断点に示すよう
にＲ相→Ｔ相→Ｓ相の順に電流が遮断される。今、第１
番目の遮断相、ここではＲ相が遮断された場合、Δ結線
された変圧器１０のコアでは残り２つ相の電流経路によ
り、遮断されたＲ相の磁束は遮断前と同様の周期的な変
化を続ける。次に、第２番目の遮断相、ここではＴ相が
遮断された場合、この相には遮断直前の電流値と同じ極
性（このＴ相の場合、電流値は負から遮断しているの
で、残留磁束は負となる）の磁束が残留する。最後に、
第３番目の遮断相、ここではＳ相が遮断された場合、こ
の相には遮断直前の電流値と同じ極性（このＳ相の場
合、電流値は正から遮断しているので、残留磁束は正と
なる）の磁束が残留する。そして、変化していた第１番
目の遮断相、ここではＲ相の磁束は零に落ち着く。この
ように、Δ結線された変圧器１０のコアの残留磁束は、
遮断された相の順序と、遮断直前の電流の極性を位相制
御開閉装置８０の基準位相検出部８２および残留磁束検
出部８３で計測することにより正、負および零を判定す
ることが可能である。したがって、本実施の形態１の係
る位相制御開閉装置８０Ａの基準位相検出部８２および
残留磁束検出部８３は、前回の遮断時に最初に遮断され
た第１遮断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮
断される第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６サイ
クル）遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の
電流値が正、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の場
合、この第２遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束−
９０％）と判定すると共に、最後に遮断される第３遮断
相が第２遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮断
され、また、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第３
遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第３遮断相
の残留磁束を正（例えば残留磁束９０％）と判定する。
または、これとは逆に、前回の遮断時に最初に遮断され
た第１遮断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮
断される第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６サイ
クル）遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の
電流値が負、第２遮断相の遮断直前の電流値が正の場
合、この第２遮断相の残留磁束を正（例えば残留磁束９
０％）と判定すると共に、最後に遮断される第３遮断相
が第２遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮断さ
れ、また、第２遮断相の遮断直前の電流値が正、第３遮
断相の遮断直前の電流値が負の場合、この第３遮断相の
残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定する。
もしくは、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相
の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される第２
遮断相が第１遮断相の１２０°（１／３サイクル）遅れ
で遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値が
正、第２遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第
２遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）と
判定すると共に、最後に遮断される第３遮断相が第２遮
断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、ま
た、第２遮断相の遮断直前の電流値が正、第３遮断相の
遮断直前の電流値が正の場合、この第３遮断相の残留磁
束を正（例えば残留磁束９０％）と判定する。または、
これとは逆に、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮
断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される
第２遮断相が第１遮断相の１２０°（１／３サイクル）
遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値
が負、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この
第２遮断相の残留磁束を正（例えば残留磁束９０％）と
判定すると共に、最後に遮断される第３遮断相が第２遮
断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、ま
た、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第３遮断相の
遮断直前の電流値が負の場合、この第３遮断相の残留磁
束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定する。
の動作について説明する。遮断器５０が閉極していると
き、Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電源電圧は、各電圧計測部７２ａ，
７２ｂ，７２ｃにて計測される。一方、Ｒ、Ｓ、Ｔ相を
それぞれ流れる電流は、各電流計測部７４ａ，７４ｂ，
７４ｃにて計測される。各計測結果は位相制御開閉装置
８０Ａの基準位相検出部８２および残留磁束検出部８３
へ送信される。図１に示すように、各相共磁束は相電源
電圧より位相が９０°遅れている。また、電流がピーク
となる瞬間に磁束も最大値をとる。遮断器５０に開極指
令を出して、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接
触子を開極した場合、各相の電流は１／６サイクル毎に
電流零点を向かえ、例えば、図１の相遮断点に示すよう
にＲ相→Ｔ相→Ｓ相の順に電流が遮断される。今、第１
番目の遮断相、ここではＲ相が遮断された場合、Δ結線
された変圧器１０のコアでは残り２つ相の電流経路によ
り、遮断されたＲ相の磁束は遮断前と同様の周期的な変
化を続ける。次に、第２番目の遮断相、ここではＴ相が
遮断された場合、この相には遮断直前の電流値と同じ極
性（このＴ相の場合、電流値は負から遮断しているの
で、残留磁束は負となる）の磁束が残留する。最後に、
第３番目の遮断相、ここではＳ相が遮断された場合、こ
の相には遮断直前の電流値と同じ極性（このＳ相の場
合、電流値は正から遮断しているので、残留磁束は正と
なる）の磁束が残留する。そして、変化していた第１番
目の遮断相、ここではＲ相の磁束は零に落ち着く。この
ように、Δ結線された変圧器１０のコアの残留磁束は、
遮断された相の順序と、遮断直前の電流の極性を位相制
御開閉装置８０の基準位相検出部８２および残留磁束検
出部８３で計測することにより正、負および零を判定す
ることが可能である。したがって、本実施の形態１の係
る位相制御開閉装置８０Ａの基準位相検出部８２および
残留磁束検出部８３は、前回の遮断時に最初に遮断され
た第１遮断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮
断される第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６サイ
クル）遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の
電流値が正、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の場
合、この第２遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束−
９０％）と判定すると共に、最後に遮断される第３遮断
相が第２遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮断
され、また、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第３
遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第３遮断相
の残留磁束を正（例えば残留磁束９０％）と判定する。
または、これとは逆に、前回の遮断時に最初に遮断され
た第１遮断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮
断される第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６サイ
クル）遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の
電流値が負、第２遮断相の遮断直前の電流値が正の場
合、この第２遮断相の残留磁束を正（例えば残留磁束９
０％）と判定すると共に、最後に遮断される第３遮断相
が第２遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮断さ
れ、また、第２遮断相の遮断直前の電流値が正、第３遮
断相の遮断直前の電流値が負の場合、この第３遮断相の
残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定する。
もしくは、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相
の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される第２
遮断相が第１遮断相の１２０°（１／３サイクル）遅れ
で遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値が
正、第２遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第
２遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）と
判定すると共に、最後に遮断される第３遮断相が第２遮
断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、ま
た、第２遮断相の遮断直前の電流値が正、第３遮断相の
遮断直前の電流値が正の場合、この第３遮断相の残留磁
束を正（例えば残留磁束９０％）と判定する。または、
これとは逆に、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮
断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される
第２遮断相が第１遮断相の１２０°（１／３サイクル）
遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値
が負、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この
第２遮断相の残留磁束を正（例えば残留磁束９０％）と
判定すると共に、最後に遮断される第３遮断相が第２遮
断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、ま
た、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第３遮断相の
遮断直前の電流値が負の場合、この第３遮断相の残留磁
束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定する。
【００１８】以上のようにΔ結線された変圧器１０のコ
アに残留磁束が残っている場合に、開閉サージを最小に
抑制できる各相の最適投入角は、各相の残留磁束の値お
よび投入する順序により変わるが、総てのケースに関し
て一義的に決定できることが判った。そこで、正または
負の残留磁束が残る場合は、予めこの値を試験で求めて
おけば、例えば、正の場合は８０％、一方、負の場合は
−８０％とその値を設定することができ、この正負の残
留磁束の絶対値が判れば、電流計測部７４ａ，７４ｂ，
７４ｃにて計測される電流挙動より、各相の残留磁束が
正、負、零が本実施の形態のシーケンスで予測できるの
で、各相の最適投入角を決めることが可能となる。一
方、残留磁束の絶対値が不明の場合であっても、最初
に、正の場合は８０％、一方、負の場合は−８０％と設
定しておき、投入制御毎の各相の突入電流を電流計測部
７４ａ，７４ｂ，７４ｃにて計測し、その値が想定され
るサージレベルより大きい場合は、位相制御開閉装置８
０が、この残留電流の絶対値を増減させてサージレベル
を下げることが可能である。各相の投入目標点Ｔtarget
は、図６の表１に示すように、例えば、残留磁束が正
（残留磁束ｋ％）の相から投入する場合、この第１相の
投入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もしくはそ
れ以前と設定し、次に、残留磁束が負（残留磁束−ｋ
％）の相を投入する場合、この第２相の投入目標点を電
気角３０°−ｃｏｓ-1（ｋ／１００）もしくはその近傍
（±３０°程度内）と設定し、最後に、残留磁束が零の
相を投入する場合、この第３相の投入目標点を第２相投
入後から（３６３／３６０−１６９ｋ／３６００）サイ
クル後の電気角（８９＋３ｋ／２０）°もしくはその近
傍（±３０°程度内）と設定するものである。別の投入
目標点Ｔtargetは、残留磁束が正（残留磁束ｋ％）の相
から投入する場合、この第１相の投入目標点を、第２投
入相の投入時刻と同時もしくはそれ以前と設定し、次
に、残留磁束が零の相を投入する場合、この第２相の投
入目標点を電気角６０°もしくはその近傍（±３０°程
度内）と設定し、最後に、残留磁束が負の相（残留磁束
−ｋ％）を投入する場合、第２相投入後から（−２６／
３６０＋７ｋ／７２００）サイクル後の電気角（２７４
＋７ｋ／２０）°もしくはその近傍（±３０°程度内）
と設定するものである。更に、別の投入目標点Ｔtarget
は、残留磁束が零の相から投入する場合、この第１相の
投入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もしくはそ
れ以前と設定し、次に、残留磁束が負の相（残留磁束−
ｋ％）を投入する場合、この第２相の投入目標点を電気
角（１４６＋４６ｋ／２５）°もしくはその近傍（±３
０°程度内）と設定し、最後に、残留磁束が正の相（残
留磁束ｋ％）を投入する場合、第２相投入後から（１３
２／３６０−１３４ｋ／３６００）サイクル後の電気角
（３７５−１９５ｋ／１００）°もしくはその近傍（±
３０°程度内）と設定するものである。ここで、遮断器
５０に閉極（投入）指令が出された場合、Ｒ、Ｓ、Ｔ相
の電源電圧は、各電圧計測部７２ａ，７２ｂ，７２ｃに
て計測され、位相制御開閉装置８０Ａの基準位相検出部
８２へ送信される。基準位相検出部８２では、Ｒ、Ｓ、
Ｔ相の電源電圧零点の周期を検出し、基準となる電圧零
点を設定して基準点Ｔst andardとする。位相制御開閉装
置８０Ａの演算・動作制御部８１は、操作装置５４ａ，
５４ｂ，５４ｃの周囲温度、操作力、制御電圧の計測デ
ータより予測される閉極動作時間ｔclose、および先行
アーク時間ｔprearcを計算すると共に、予め設定された
各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の投入目標点Ｔtargetから基準点Ｔ
standardまでの時間から、予測された閉極動作時間ｔ
closeを引き算し、かつ、先行アーク時間ｔprearcを足
し算して求まる動作同期時間ｔcontを計算する。位相制
御開閉装置８０の演算・動作制御部８１は、基準点Ｔ
standardから計算された動作同期時間ｔcontを経過後に
各操作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃに投入信号を与え
て、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子が開
閉サージ現象を最小限に抑制可能な所定の電気角にて独
立に閉極動作するよう制御される。図２は、本実施の形
態の位相制御開閉装置８０Ａにより、Δ結線の変圧器
（もしくは、分路リアクトル）１０に対して各相の遮断
器５０を独立に投入制御した場合（第１投入相は残留磁
束零のＳ相）の遮断器５０の電圧および電流および変圧
器（もしくは、分路リアクトル）１０の磁束の変化（こ
こでは残留磁束を１００％と仮定）を示すものである。
これを見ると、第１投入相および第２投入相は、残留磁
束が負のＲ相が遮断器５０の電気角３０°で、残留磁束
が正のＴ相が遮断器５０の電気角１５０°で投入されて
おり、第１および２相の投入後、１０．８ｍｓ後（５０
Ｈｚ）に残留磁束が零のＳ相が遮断器５０の電気角１０
４°で投入されることで変圧器（もしくは、分路リアク
トル）１０への突入電流が抑制されていることがわか
る。図３は、本実施の形態１の位相制御開閉装置８０Ａ
により、Δ結線の変圧器（もしくは、分路リアクトル）
１０に対して各相の遮断器５０を独立に投入制御した場
合（第１投入相は残留磁束負のＲ相）の遮断器５０の電
圧および電流および変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）１０の磁束の変化を示すものである。これを見る
と、第１投入相および第２投入相は、残留磁束が正のＴ
相が遮断器５０の電気角３００°で、残留磁束が零のＳ
相が遮断器５０の電気角６０°で投入されており、第１
および２相の投入後、７．２ｍｓ後（５０Ｈｚ）に残留
磁束が零のＲ相が遮断器５０の電気角３０９°で投入さ
れることで変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０へ
の突入電流が抑制されていることがわかる。図４は、本
実施の形態１の位相制御開閉装置８０Ａにより、Δ結線
の変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０に対して各
相の遮断器５０を独立に投入制御した場合（第１投入相
は残留磁束正のＴ相）の遮断器５０の電圧および電流お
よび変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０の磁束の
変化を示すものである。これを見ると、第１投入相およ
び第２投入相は、残留磁束が負のＲ相が遮断器５０の電
気角３３０°で、残留磁束が零のＳ相が遮断器５０の電
気角２１０°で投入されており、第１および２相の投入
後、１．９ｍｓ後（５０Ｈｚ）に残留磁束が零のＲ相が
遮断器５０の電気角１２４°で投入されることで変圧器
（もしくは、分路リアクトル）１０への突入電流が抑制
されていることがわかる。なお、以上の例において、第
２および第３相は同時に投入しなくても、どちらか一方
のみ投入時刻を制御すれば、残りの相は、任意の時刻に
投入しても、サージ抑制効果は同じである。図５は、本
実施の形態１の位相制御開閉装置８０Ａにより、Δ結線
の変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０に対して各
相の遮断器５０を同時に投入制御した場合の遮断器５０
の電圧および電流および変圧器（もしくは、分路リアク
トル）１０の磁束の変化を示すものである。これを見る
と、残留磁束が零のＳ相が遮断器５０の電気角２４０
°、残留磁束が正のＴ相が遮断器５０の電気角１２０°
および残留磁束が負のＲ相が遮断器５０の電気角０°で
同時に投入されることで変圧器（もしくは、分路リアク
トル）１０への突入電流が抑制されていることがわか
る。
アに残留磁束が残っている場合に、開閉サージを最小に
抑制できる各相の最適投入角は、各相の残留磁束の値お
よび投入する順序により変わるが、総てのケースに関し
て一義的に決定できることが判った。そこで、正または
負の残留磁束が残る場合は、予めこの値を試験で求めて
おけば、例えば、正の場合は８０％、一方、負の場合は
−８０％とその値を設定することができ、この正負の残
留磁束の絶対値が判れば、電流計測部７４ａ，７４ｂ，
７４ｃにて計測される電流挙動より、各相の残留磁束が
正、負、零が本実施の形態のシーケンスで予測できるの
で、各相の最適投入角を決めることが可能となる。一
方、残留磁束の絶対値が不明の場合であっても、最初
に、正の場合は８０％、一方、負の場合は−８０％と設
定しておき、投入制御毎の各相の突入電流を電流計測部
７４ａ，７４ｂ，７４ｃにて計測し、その値が想定され
るサージレベルより大きい場合は、位相制御開閉装置８
０が、この残留電流の絶対値を増減させてサージレベル
を下げることが可能である。各相の投入目標点Ｔtarget
は、図６の表１に示すように、例えば、残留磁束が正
（残留磁束ｋ％）の相から投入する場合、この第１相の
投入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もしくはそ
れ以前と設定し、次に、残留磁束が負（残留磁束−ｋ
％）の相を投入する場合、この第２相の投入目標点を電
気角３０°−ｃｏｓ-1（ｋ／１００）もしくはその近傍
（±３０°程度内）と設定し、最後に、残留磁束が零の
相を投入する場合、この第３相の投入目標点を第２相投
入後から（３６３／３６０−１６９ｋ／３６００）サイ
クル後の電気角（８９＋３ｋ／２０）°もしくはその近
傍（±３０°程度内）と設定するものである。別の投入
目標点Ｔtargetは、残留磁束が正（残留磁束ｋ％）の相
から投入する場合、この第１相の投入目標点を、第２投
入相の投入時刻と同時もしくはそれ以前と設定し、次
に、残留磁束が零の相を投入する場合、この第２相の投
入目標点を電気角６０°もしくはその近傍（±３０°程
度内）と設定し、最後に、残留磁束が負の相（残留磁束
−ｋ％）を投入する場合、第２相投入後から（−２６／
３６０＋７ｋ／７２００）サイクル後の電気角（２７４
＋７ｋ／２０）°もしくはその近傍（±３０°程度内）
と設定するものである。更に、別の投入目標点Ｔtarget
は、残留磁束が零の相から投入する場合、この第１相の
投入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もしくはそ
れ以前と設定し、次に、残留磁束が負の相（残留磁束−
ｋ％）を投入する場合、この第２相の投入目標点を電気
角（１４６＋４６ｋ／２５）°もしくはその近傍（±３
０°程度内）と設定し、最後に、残留磁束が正の相（残
留磁束ｋ％）を投入する場合、第２相投入後から（１３
２／３６０−１３４ｋ／３６００）サイクル後の電気角
（３７５−１９５ｋ／１００）°もしくはその近傍（±
３０°程度内）と設定するものである。ここで、遮断器
５０に閉極（投入）指令が出された場合、Ｒ、Ｓ、Ｔ相
の電源電圧は、各電圧計測部７２ａ，７２ｂ，７２ｃに
て計測され、位相制御開閉装置８０Ａの基準位相検出部
８２へ送信される。基準位相検出部８２では、Ｒ、Ｓ、
Ｔ相の電源電圧零点の周期を検出し、基準となる電圧零
点を設定して基準点Ｔst andardとする。位相制御開閉装
置８０Ａの演算・動作制御部８１は、操作装置５４ａ，
５４ｂ，５４ｃの周囲温度、操作力、制御電圧の計測デ
ータより予測される閉極動作時間ｔclose、および先行
アーク時間ｔprearcを計算すると共に、予め設定された
各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の投入目標点Ｔtargetから基準点Ｔ
standardまでの時間から、予測された閉極動作時間ｔ
closeを引き算し、かつ、先行アーク時間ｔprearcを足
し算して求まる動作同期時間ｔcontを計算する。位相制
御開閉装置８０の演算・動作制御部８１は、基準点Ｔ
standardから計算された動作同期時間ｔcontを経過後に
各操作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃに投入信号を与え
て、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子が開
閉サージ現象を最小限に抑制可能な所定の電気角にて独
立に閉極動作するよう制御される。図２は、本実施の形
態の位相制御開閉装置８０Ａにより、Δ結線の変圧器
（もしくは、分路リアクトル）１０に対して各相の遮断
器５０を独立に投入制御した場合（第１投入相は残留磁
束零のＳ相）の遮断器５０の電圧および電流および変圧
器（もしくは、分路リアクトル）１０の磁束の変化（こ
こでは残留磁束を１００％と仮定）を示すものである。
これを見ると、第１投入相および第２投入相は、残留磁
束が負のＲ相が遮断器５０の電気角３０°で、残留磁束
が正のＴ相が遮断器５０の電気角１５０°で投入されて
おり、第１および２相の投入後、１０．８ｍｓ後（５０
Ｈｚ）に残留磁束が零のＳ相が遮断器５０の電気角１０
４°で投入されることで変圧器（もしくは、分路リアク
トル）１０への突入電流が抑制されていることがわか
る。図３は、本実施の形態１の位相制御開閉装置８０Ａ
により、Δ結線の変圧器（もしくは、分路リアクトル）
１０に対して各相の遮断器５０を独立に投入制御した場
合（第１投入相は残留磁束負のＲ相）の遮断器５０の電
圧および電流および変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）１０の磁束の変化を示すものである。これを見る
と、第１投入相および第２投入相は、残留磁束が正のＴ
相が遮断器５０の電気角３００°で、残留磁束が零のＳ
相が遮断器５０の電気角６０°で投入されており、第１
および２相の投入後、７．２ｍｓ後（５０Ｈｚ）に残留
磁束が零のＲ相が遮断器５０の電気角３０９°で投入さ
れることで変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０へ
の突入電流が抑制されていることがわかる。図４は、本
実施の形態１の位相制御開閉装置８０Ａにより、Δ結線
の変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０に対して各
相の遮断器５０を独立に投入制御した場合（第１投入相
は残留磁束正のＴ相）の遮断器５０の電圧および電流お
よび変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０の磁束の
変化を示すものである。これを見ると、第１投入相およ
び第２投入相は、残留磁束が負のＲ相が遮断器５０の電
気角３３０°で、残留磁束が零のＳ相が遮断器５０の電
気角２１０°で投入されており、第１および２相の投入
後、１．９ｍｓ後（５０Ｈｚ）に残留磁束が零のＲ相が
遮断器５０の電気角１２４°で投入されることで変圧器
（もしくは、分路リアクトル）１０への突入電流が抑制
されていることがわかる。なお、以上の例において、第
２および第３相は同時に投入しなくても、どちらか一方
のみ投入時刻を制御すれば、残りの相は、任意の時刻に
投入しても、サージ抑制効果は同じである。図５は、本
実施の形態１の位相制御開閉装置８０Ａにより、Δ結線
の変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０に対して各
相の遮断器５０を同時に投入制御した場合の遮断器５０
の電圧および電流および変圧器（もしくは、分路リアク
トル）１０の磁束の変化を示すものである。これを見る
と、残留磁束が零のＳ相が遮断器５０の電気角２４０
°、残留磁束が正のＴ相が遮断器５０の電気角１２０°
および残留磁束が負のＲ相が遮断器５０の電気角０°で
同時に投入されることで変圧器（もしくは、分路リアク
トル）１０への突入電流が抑制されていることがわか
る。
【００１９】実施の形態２．次に本発明の実施の形態２
の係る位相制御開閉装置８０Ｂを各添付図面について説
明する。図７は、本発明の実施の形態による一次巻線、
二次巻線とも中性点が接地されたＹ結線の変圧器（もし
くは、分路リアクトル）１０の開閉に適用される遮断器
５０の位相制御装置および各相の電源電圧、磁束変化お
よび電流を示すものである。図７において、１０は中性
点が接地されたＹ結線の変圧器、５０は遮断器５０で、
この遮断器５０の消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各
接触子が独立に開閉極動作することを可能にするため、
それぞれ独立の操作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃを有す
る。７２ａ，７２ｂ，７２ｃは各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電圧を
計測する電圧計測部、７４ａ，７４ｂ，７４ｃは各Ｒ、
Ｓ、Ｔ相を流れる電流を計測する電流計測部、８０Ｂ
は、基準位相検出部および残留磁束検出部８３および演
算・動作制御部からなる遮断器５０の位相制御開閉装置
である。尚、本実施の形態に係る位相制御開閉装置８０
Ｂの構成は実施の形態１に係る位相制御開閉装置８０Ａ
と同様である。次に動作について説明する。遮断器５０
が閉極しているとき、Ｒ、Ｓ、Ｔ相の各電源電圧は、各
電圧計測部７２ａ，７２ｂ，７２ｃにて計測され、一
方、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相をそれぞれ流れる電流は、各電流計
測部７４ａ，７４ｂ，７４ｃにて計測されて、位相制御
開閉装置８０Ｂの基準位相検出部８２および残留磁束検
出部８３へ送信される。図７に示すように、各相共磁束
は電圧より位相が９０°遅れている。また、電流がピー
クとなる瞬間に磁束も最大値をとる。遮断器５０に開極
指令を出して、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各
接触子を開極した場合、各相の電流は１／６サイクル毎
に電流零点を向かえ、例えば、図７の相遮断点に示され
るようにＲ相→Ｔ相→Ｓ相の順に電流が遮断される。
今、第１番目の遮断相、ここではＲ相が遮断された場
合、Ｙ結線された変圧器１０のコアでは残り２つ相の電
流経路により、遮断されたＲ相の磁束は遮断前と同様の
周期的な変化を続ける。次に、第２番目の遮断相、ここ
ではＴ相が遮断された場合、この相には遮断直前の電流
値と同じ極性（このＴ相の場合、電流値は負から遮断し
ているので、残留磁束は負となる）の磁束が残留する。
最後に、第３番目の遮断相、ここではＳ相が遮断された
場合、この相には遮断直前の電流値と同じ極性（このＳ
相の場合、電流値は正から遮断しているので、残留磁束
は正となる）の磁束が残留する。そして、変化していた
第１番目の遮断相、ここではＲ相の磁束は零に落ち着
く。このように、Ｙ結線された変圧器１０のコアの残留
磁束は、遮断された相の順序と、遮断直前の電流の極性
を位相制御開閉装置８０Ｂの基準位相検出部８２および
残留磁束検出部８３で計測することにより正、負および
零を判定することが可能である。したがって、本実施の
形態の位相制御開閉装置８０Ｂの基準位相検出部８２お
よび残留磁束検出部８３は、前回の遮断時に最初に遮断
された第１遮断相の残留磁束を零と判定すると共に、次
に遮断される第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６
サイクル）遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直
前の電流値が正、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の
場合、この第２遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束
−９０％）と判定すると共に、最後に遮断される第３遮
断相が第２遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮
断され、また、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第
３遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第３遮断
相の残留磁束を正（例えば残留磁束９０％）と判定す
る。または、これとは逆に、前回の遮断時に最初に遮断
された第１遮断相の残留磁束を零と判定すると共に、次
に遮断される第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６
サイクル）遅れで遮断される。また、第１遮断相の遮断
直前の電流値が負、第２遮断相の遮断直前の電流値が正
の場合、この第２遮断相の残留磁束を正（例えば残留磁
束９０％）と判定すると共に、最後に遮断される第３遮
断相が第２遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮
断され、また、第２遮断相の遮断直前の電流値が正、第
３遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この第３遮断
相の残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定す
る。もしくは、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮
断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される
第２遮断相が第１遮断相の１２０°（１／３サイクル）
遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値
が正、第２遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、この
第２遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）
と判定すると共に、最後に遮断される第３遮断相が第２
遮断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、
また、第２遮断相の遮断直前の電流値が正、第３遮断相
の遮断直前の電流値が正の場合、この第３遮断相の残留
磁束を正（例えば残留磁束９０％）と判定する。また、
これとは逆に、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮
断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される
第２遮断相が第１遮断相の１２０°（１／３サイクル）
遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値
が負、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この
第２遮断相の残留磁束を正（例えば残留磁束９０％）と
判定すると共に、最後に遮断される第３遮断相が第２遮
断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、ま
た、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第３遮断相の
遮断直前の電流値が負の場合、この第３遮断相の残留磁
束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定する。以上の
ように中性点が接地されたＹ結線の変圧器１０のコアに
残留磁束が残っている場合に、開閉サージを最小に抑制
できる各相の最適投入角は、各相の残留磁束の値および
投入する順序により変わるが、総てのケースに関して一
義的に決定できることが判った。そこで、正または負の
残留磁束が残る場合は、予めこの値を試験で求めておけ
ば、例えば、正の場合は８０％、一方、負の場合は−８
０％とその値を設定することができ、この正負の残留磁
束の絶対値が判れば、電流計測部７４ａ，７４ｂ，７４
ｃにて計測される電流挙動より、各相の残留磁束が正、
負、零が本発明のシーケンスで予測できるので、各相の
最適投入角を決めることが可能となる。一方、残留磁束
の絶対値が不明の場合であっても、最初に、正の場合は
８０％、他方、負の場合は−８０％と設定しておき、投
入制御毎の各相の突入電流を電流計測部７４ａ，７４
ｂ，７４ｃにて計測し、その値が想定されるサージレベ
ルより大きい場合は、位相制御開閉装置８０が、この残
留電流の絶対値を増減させてサージレベルを下げること
が可能である。各相の投入目標点Ｔtargetは、図１２の
表２に示すように、例えば、残留磁束が零の第１遮断相
から投入する場合、この第１相の投入目標点を、電圧ピ
ークもしくはその近傍と設定し、次に、残留磁束が正
（残留磁束ｋ％）の相を投入する場合、この第２相の投
入目標点を、第１相投入後から（１／４＋ｋ／９００）
サイクル後の電気角（６０＋３９ｋ／１００）°もしく
はその近傍（±３０°程度内）と設定し、最後に、残留
磁束が負の相を投入する場合、この第３相の投入目標点
を、第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設
定するものである。別の投入目標点Ｔtargetは、残留磁
束が負（残留磁束−ｋ％）の相から投入する場合、この
第１相の投入目標点を、電気角θ＝ｃｏｓ-1（−ｋ／１
００）もしくはその近傍（±３０°程度内）と設定す
る。この目標点は、残留磁束が−１００％では電圧零点
もしくはその近傍となり、残留磁束が−８０％では、電
気角３７°，１４３°，２１７°，３２３°もしくはそ
の近傍となる。次に、残留磁束が零の相を投入する場
合、この第２相の投入目標点を、第１相投入後から（−
１／６０＋ｋ／９００）サイクル後の電気角（２３４＋
３９ｋ／１００）°もしくはその近傍（±３０°程度
内）と設定し、最後に、残留磁束が正の相を投入する場
合、この第３相の投入目標点を、第２投入相の投入時刻
と同時もしくはそれ以降と設定するものである。更に、
別の投入目標点Ｔtargetは、残留磁束が正（残留磁束ｋ
％）の相から投入する場合、この第１相の投入目標点
を、電気角θ＝ｃｏｓ-1（ｋ／１００）もしくはその近
傍（±３０°程度内）と設定する。この目標点は、残留
磁束が１００％では電圧零点もしくはその近傍（±３０
°程度内）となり、残留磁束が８０％では、電気角３７
°，１４３°，２１７°，３２３°もしくはその近傍
（±３０°程度内）となる。次に、残留磁束が負（残留
磁束−ｋ％）の相を投入する場合、この第２相の投入目
標点を、第１相投入後から（２０／３９＋ｋ／３６０
０）サイクル後の電気角（２４５＋１０ｋ／１００）°
もしくはその近傍（±３０°程度内）と設定し、最後
に、残留磁束が零の相を投入する場合、この第３相の投
入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ
以降と設定するものである。ここで、遮断器５０に閉極
（投入）指令が出された場合、Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電源電圧
は、各電圧計測部７２ａ，７２ｂ，７２ｃにて計測さ
れ、位相制御開閉装置８０Ｂの基準位相検出部８２へ送
信される。基準位相検出部８２では、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の
電圧零点の周期を検出し、基準となる電圧零点を設定し
て基準点Ｔstan dardとする。位相制御開閉装置８０Ｂの
演算・動作制御部８１は、操作装置５４ａ，５４ｂ，５
４ｃの周囲温度、操作力、制御電圧の計測データより予
測される閉極動作時間ｔclose、および先行アーク時間
ｔprearcを計算すると共に、予め設定された各Ｒ、Ｓ、
Ｔ相の投入目標点Ｔtargetから基準点Ｔstandardまでの
時間から、予測された閉極動作時間ｔcloseを引き算
し、かつ、先行アーク時間ｔprearcを足し算して求まる
動作同期時間ｔcontを計算する。位相制御開閉装置８０
Ｂの演算・動作制御部８１は、基準点Ｔstandardから計
算された動作同期時間ｔcontを経過後に各操作装置５４
ａ，５４ｂ，５４ｃに投入信号を与えて、各消弧室５２
ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子が開閉サージ現象を最
小限に抑制可能な所定の電気角にて独立に閉極動作する
よう制御される。図８は、本実施の形態２の位相制御開
閉装置８０Ｂにより、直接接地されたＹ結線の変圧器
（もしくは、分路リアクトル）１０に対して各相の遮断
器５０を独立に投入制御した場合（第１投入相は残留磁
束零のＳ相）の遮断器５０の電圧および電流および変圧
器（もしくは、分路リアクトル）１０の磁束の変化（こ
こでは残留磁束を１００％と仮定）を示すものである。
これを見ると、第１投入相は、残留磁束が零のＳ相で遮
断器５０の電圧ピーク点で投入されており、第１相の投
入後、７．１７ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＴ相が電気角９９
°およびＲ相が電気角３３９°で同時に投入されること
で変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０への突入電
流が抑制されていることがわかる。図９は、本実施の形
態２の位相制御開閉装置８０Ｂにより、直接接地された
Ｙ結線の変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０に対
して各相の遮断器５０を独立に投入制御した場合（第１
投入相は残留磁束負のＲ相）の遮断器５０の電圧および
電流および変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０の
磁束の変化を示すものである。これを見ると、第１投入
相は、残留磁束が零のＲ相で遮断器５０の電圧が上昇傾
向にある電圧零点で投入されており、第１相の投入後、
１．８６ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＴ相が電気角１５３°お
よびＳ相が電気角２７３°で同時に投入されることで変
圧器（もしくは、分路リアクトル）１０への突入電流が
抑制されていることがわかる。図１０は、本実施の形態
２の位相制御開閉装置８０Ｂにより、直接接地されたＹ
結線の変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０に対し
て各相の遮断器５０を独立に投入制御した場合（第１投
入相は残留磁束正のＴ相）の遮断器５０の電圧および電
流および変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０の磁
束の変化を示すものである。これを見ると、第１投入相
は、残留磁束が正のＴ相で遮断器５０の電圧が減少傾向
にある電圧零点で投入されており、第１相の投入後、
４．１４ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＳ相が電気角１３４°お
よびＲ相が電気角２５５°で同時に投入されることで変
圧器（もしくは、分路リアクトル）１０への突入電流が
抑制されていることがわかる。なお、以上の例におい
て、第２および第３相は同時に投入しなくても、どちら
か一方のみ投入時刻を制御すれば、残りの相は、任意の
時刻に投入しても、サージ抑制効果は同じである。図１
１は、本実施の形態２の位相制御開閉装置８０Ｂによ
り、直接接地されたＹ結線の変圧器（もしくは、分路リ
アクトル）１０に対して各相の遮断器５０を同時に投入
制御した場合の遮断器５０の電圧および電流および変圧
器（もしくは、分路リアクトル）１０の磁束の変化を示
すものである。これを見ると、残留磁束が零のＳ相で遮
断器５０の電圧ピーク、残留磁束が正のＴ相が電気角１
５０°および残留磁束が負のＲ相が電気角３０°で同時
に投入されることで変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）１０への突入電流が抑制されていることがわかる。
の係る位相制御開閉装置８０Ｂを各添付図面について説
明する。図７は、本発明の実施の形態による一次巻線、
二次巻線とも中性点が接地されたＹ結線の変圧器（もし
くは、分路リアクトル）１０の開閉に適用される遮断器
５０の位相制御装置および各相の電源電圧、磁束変化お
よび電流を示すものである。図７において、１０は中性
点が接地されたＹ結線の変圧器、５０は遮断器５０で、
この遮断器５０の消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各
接触子が独立に開閉極動作することを可能にするため、
それぞれ独立の操作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃを有す
る。７２ａ，７２ｂ，７２ｃは各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電圧を
計測する電圧計測部、７４ａ，７４ｂ，７４ｃは各Ｒ、
Ｓ、Ｔ相を流れる電流を計測する電流計測部、８０Ｂ
は、基準位相検出部および残留磁束検出部８３および演
算・動作制御部からなる遮断器５０の位相制御開閉装置
である。尚、本実施の形態に係る位相制御開閉装置８０
Ｂの構成は実施の形態１に係る位相制御開閉装置８０Ａ
と同様である。次に動作について説明する。遮断器５０
が閉極しているとき、Ｒ、Ｓ、Ｔ相の各電源電圧は、各
電圧計測部７２ａ，７２ｂ，７２ｃにて計測され、一
方、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相をそれぞれ流れる電流は、各電流計
測部７４ａ，７４ｂ，７４ｃにて計測されて、位相制御
開閉装置８０Ｂの基準位相検出部８２および残留磁束検
出部８３へ送信される。図７に示すように、各相共磁束
は電圧より位相が９０°遅れている。また、電流がピー
クとなる瞬間に磁束も最大値をとる。遮断器５０に開極
指令を出して、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各
接触子を開極した場合、各相の電流は１／６サイクル毎
に電流零点を向かえ、例えば、図７の相遮断点に示され
るようにＲ相→Ｔ相→Ｓ相の順に電流が遮断される。
今、第１番目の遮断相、ここではＲ相が遮断された場
合、Ｙ結線された変圧器１０のコアでは残り２つ相の電
流経路により、遮断されたＲ相の磁束は遮断前と同様の
周期的な変化を続ける。次に、第２番目の遮断相、ここ
ではＴ相が遮断された場合、この相には遮断直前の電流
値と同じ極性（このＴ相の場合、電流値は負から遮断し
ているので、残留磁束は負となる）の磁束が残留する。
最後に、第３番目の遮断相、ここではＳ相が遮断された
場合、この相には遮断直前の電流値と同じ極性（このＳ
相の場合、電流値は正から遮断しているので、残留磁束
は正となる）の磁束が残留する。そして、変化していた
第１番目の遮断相、ここではＲ相の磁束は零に落ち着
く。このように、Ｙ結線された変圧器１０のコアの残留
磁束は、遮断された相の順序と、遮断直前の電流の極性
を位相制御開閉装置８０Ｂの基準位相検出部８２および
残留磁束検出部８３で計測することにより正、負および
零を判定することが可能である。したがって、本実施の
形態の位相制御開閉装置８０Ｂの基準位相検出部８２お
よび残留磁束検出部８３は、前回の遮断時に最初に遮断
された第１遮断相の残留磁束を零と判定すると共に、次
に遮断される第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６
サイクル）遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直
前の電流値が正、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の
場合、この第２遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束
−９０％）と判定すると共に、最後に遮断される第３遮
断相が第２遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮
断され、また、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第
３遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第３遮断
相の残留磁束を正（例えば残留磁束９０％）と判定す
る。または、これとは逆に、前回の遮断時に最初に遮断
された第１遮断相の残留磁束を零と判定すると共に、次
に遮断される第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６
サイクル）遅れで遮断される。また、第１遮断相の遮断
直前の電流値が負、第２遮断相の遮断直前の電流値が正
の場合、この第２遮断相の残留磁束を正（例えば残留磁
束９０％）と判定すると共に、最後に遮断される第３遮
断相が第２遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮
断され、また、第２遮断相の遮断直前の電流値が正、第
３遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この第３遮断
相の残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定す
る。もしくは、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮
断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される
第２遮断相が第１遮断相の１２０°（１／３サイクル）
遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値
が正、第２遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、この
第２遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）
と判定すると共に、最後に遮断される第３遮断相が第２
遮断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、
また、第２遮断相の遮断直前の電流値が正、第３遮断相
の遮断直前の電流値が正の場合、この第３遮断相の残留
磁束を正（例えば残留磁束９０％）と判定する。また、
これとは逆に、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮
断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される
第２遮断相が第１遮断相の１２０°（１／３サイクル）
遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値
が負、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この
第２遮断相の残留磁束を正（例えば残留磁束９０％）と
判定すると共に、最後に遮断される第３遮断相が第２遮
断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、ま
た、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第３遮断相の
遮断直前の電流値が負の場合、この第３遮断相の残留磁
束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定する。以上の
ように中性点が接地されたＹ結線の変圧器１０のコアに
残留磁束が残っている場合に、開閉サージを最小に抑制
できる各相の最適投入角は、各相の残留磁束の値および
投入する順序により変わるが、総てのケースに関して一
義的に決定できることが判った。そこで、正または負の
残留磁束が残る場合は、予めこの値を試験で求めておけ
ば、例えば、正の場合は８０％、一方、負の場合は−８
０％とその値を設定することができ、この正負の残留磁
束の絶対値が判れば、電流計測部７４ａ，７４ｂ，７４
ｃにて計測される電流挙動より、各相の残留磁束が正、
負、零が本発明のシーケンスで予測できるので、各相の
最適投入角を決めることが可能となる。一方、残留磁束
の絶対値が不明の場合であっても、最初に、正の場合は
８０％、他方、負の場合は−８０％と設定しておき、投
入制御毎の各相の突入電流を電流計測部７４ａ，７４
ｂ，７４ｃにて計測し、その値が想定されるサージレベ
ルより大きい場合は、位相制御開閉装置８０が、この残
留電流の絶対値を増減させてサージレベルを下げること
が可能である。各相の投入目標点Ｔtargetは、図１２の
表２に示すように、例えば、残留磁束が零の第１遮断相
から投入する場合、この第１相の投入目標点を、電圧ピ
ークもしくはその近傍と設定し、次に、残留磁束が正
（残留磁束ｋ％）の相を投入する場合、この第２相の投
入目標点を、第１相投入後から（１／４＋ｋ／９００）
サイクル後の電気角（６０＋３９ｋ／１００）°もしく
はその近傍（±３０°程度内）と設定し、最後に、残留
磁束が負の相を投入する場合、この第３相の投入目標点
を、第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設
定するものである。別の投入目標点Ｔtargetは、残留磁
束が負（残留磁束−ｋ％）の相から投入する場合、この
第１相の投入目標点を、電気角θ＝ｃｏｓ-1（−ｋ／１
００）もしくはその近傍（±３０°程度内）と設定す
る。この目標点は、残留磁束が−１００％では電圧零点
もしくはその近傍となり、残留磁束が−８０％では、電
気角３７°，１４３°，２１７°，３２３°もしくはそ
の近傍となる。次に、残留磁束が零の相を投入する場
合、この第２相の投入目標点を、第１相投入後から（−
１／６０＋ｋ／９００）サイクル後の電気角（２３４＋
３９ｋ／１００）°もしくはその近傍（±３０°程度
内）と設定し、最後に、残留磁束が正の相を投入する場
合、この第３相の投入目標点を、第２投入相の投入時刻
と同時もしくはそれ以降と設定するものである。更に、
別の投入目標点Ｔtargetは、残留磁束が正（残留磁束ｋ
％）の相から投入する場合、この第１相の投入目標点
を、電気角θ＝ｃｏｓ-1（ｋ／１００）もしくはその近
傍（±３０°程度内）と設定する。この目標点は、残留
磁束が１００％では電圧零点もしくはその近傍（±３０
°程度内）となり、残留磁束が８０％では、電気角３７
°，１４３°，２１７°，３２３°もしくはその近傍
（±３０°程度内）となる。次に、残留磁束が負（残留
磁束−ｋ％）の相を投入する場合、この第２相の投入目
標点を、第１相投入後から（２０／３９＋ｋ／３６０
０）サイクル後の電気角（２４５＋１０ｋ／１００）°
もしくはその近傍（±３０°程度内）と設定し、最後
に、残留磁束が零の相を投入する場合、この第３相の投
入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ
以降と設定するものである。ここで、遮断器５０に閉極
（投入）指令が出された場合、Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電源電圧
は、各電圧計測部７２ａ，７２ｂ，７２ｃにて計測さ
れ、位相制御開閉装置８０Ｂの基準位相検出部８２へ送
信される。基準位相検出部８２では、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の
電圧零点の周期を検出し、基準となる電圧零点を設定し
て基準点Ｔstan dardとする。位相制御開閉装置８０Ｂの
演算・動作制御部８１は、操作装置５４ａ，５４ｂ，５
４ｃの周囲温度、操作力、制御電圧の計測データより予
測される閉極動作時間ｔclose、および先行アーク時間
ｔprearcを計算すると共に、予め設定された各Ｒ、Ｓ、
Ｔ相の投入目標点Ｔtargetから基準点Ｔstandardまでの
時間から、予測された閉極動作時間ｔcloseを引き算
し、かつ、先行アーク時間ｔprearcを足し算して求まる
動作同期時間ｔcontを計算する。位相制御開閉装置８０
Ｂの演算・動作制御部８１は、基準点Ｔstandardから計
算された動作同期時間ｔcontを経過後に各操作装置５４
ａ，５４ｂ，５４ｃに投入信号を与えて、各消弧室５２
ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子が開閉サージ現象を最
小限に抑制可能な所定の電気角にて独立に閉極動作する
よう制御される。図８は、本実施の形態２の位相制御開
閉装置８０Ｂにより、直接接地されたＹ結線の変圧器
（もしくは、分路リアクトル）１０に対して各相の遮断
器５０を独立に投入制御した場合（第１投入相は残留磁
束零のＳ相）の遮断器５０の電圧および電流および変圧
器（もしくは、分路リアクトル）１０の磁束の変化（こ
こでは残留磁束を１００％と仮定）を示すものである。
これを見ると、第１投入相は、残留磁束が零のＳ相で遮
断器５０の電圧ピーク点で投入されており、第１相の投
入後、７．１７ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＴ相が電気角９９
°およびＲ相が電気角３３９°で同時に投入されること
で変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０への突入電
流が抑制されていることがわかる。図９は、本実施の形
態２の位相制御開閉装置８０Ｂにより、直接接地された
Ｙ結線の変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０に対
して各相の遮断器５０を独立に投入制御した場合（第１
投入相は残留磁束負のＲ相）の遮断器５０の電圧および
電流および変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０の
磁束の変化を示すものである。これを見ると、第１投入
相は、残留磁束が零のＲ相で遮断器５０の電圧が上昇傾
向にある電圧零点で投入されており、第１相の投入後、
１．８６ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＴ相が電気角１５３°お
よびＳ相が電気角２７３°で同時に投入されることで変
圧器（もしくは、分路リアクトル）１０への突入電流が
抑制されていることがわかる。図１０は、本実施の形態
２の位相制御開閉装置８０Ｂにより、直接接地されたＹ
結線の変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０に対し
て各相の遮断器５０を独立に投入制御した場合（第１投
入相は残留磁束正のＴ相）の遮断器５０の電圧および電
流および変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０の磁
束の変化を示すものである。これを見ると、第１投入相
は、残留磁束が正のＴ相で遮断器５０の電圧が減少傾向
にある電圧零点で投入されており、第１相の投入後、
４．１４ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＳ相が電気角１３４°お
よびＲ相が電気角２５５°で同時に投入されることで変
圧器（もしくは、分路リアクトル）１０への突入電流が
抑制されていることがわかる。なお、以上の例におい
て、第２および第３相は同時に投入しなくても、どちら
か一方のみ投入時刻を制御すれば、残りの相は、任意の
時刻に投入しても、サージ抑制効果は同じである。図１
１は、本実施の形態２の位相制御開閉装置８０Ｂによ
り、直接接地されたＹ結線の変圧器（もしくは、分路リ
アクトル）１０に対して各相の遮断器５０を同時に投入
制御した場合の遮断器５０の電圧および電流および変圧
器（もしくは、分路リアクトル）１０の磁束の変化を示
すものである。これを見ると、残留磁束が零のＳ相で遮
断器５０の電圧ピーク、残留磁束が正のＴ相が電気角１
５０°および残留磁束が負のＲ相が電気角３０°で同時
に投入されることで変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）１０への突入電流が抑制されていることがわかる。
【００２０】実施の形態３．本発明の実施の形態３に係
る位相制御開閉装置を各添付図面について説明する。図
１３は、本発明の実施の形態による中性点が非接地され
たＹ結線の変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０開
閉に適用される遮断器５０の開閉極位相を制御する位相
制御開閉装置８０Ｃおよび各相の電源電圧、磁束変化お
よび電流を示すものである。図１３において、１０は中
性点が非接地のＹ結線された変圧器、５０は遮断器５０
で、この遮断器５０の消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内
の各接触子が独立に開閉極動作することを可能にするた
め、それぞれ独立の操作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃを
有する。７２ａ，７２ｂ，７２ｃは各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電
圧を計測する電圧計測部、７４ａ，７４ｂ，７４ｃは各
Ｒ、Ｓ、Ｔ相を流れる電流を計測する電流計測部、８０
Ｃは基準位相検出部８２および残留磁束検出部８３およ
び演算・動作制御部８１からなる遮断器５０の位相制御
開閉装置である。次に動作について説明する。遮断器５
０が閉極しているとき、Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電源電圧は、各
電圧計測部７２ａ，７２ｂ，７２ｃにて計測され、一
方、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相を流れる電流は、各電流計測部７４
ａ，７４ｂ，７４ｃにて計測されて、位相制御開閉装置
８０Ｂの基準位相検出部８２および残留磁束検出部８３
へ送信される。図１３に示すように、各相共磁束は電源
電圧より位相が９０°遅れている。また、電流がピーク
となる瞬間に磁束も最大値をとる。遮断器５０に開極指
令を出して、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接
触子を開極した場合、各相の電流は１／６サイクル毎に
電流零点をむかえ、例えば、図１３に示す相遮断点のよ
うにＲ相→Ｔ相→Ｓ相の順に電流が遮断される。今、第
１番目の遮断相、ここではＲ相が遮断された場合、Ｙ結
線された変圧器のコアでは残り２つ相の電流経路によ
り、遮断されたＲ相の磁束は遮断前と同様の周期的な変
化を続ける。次に、第２番目の遮断相、ここではＴ相が
遮断された場合、この相には遮断直前の電流値と同じ極
性（このＴ相の場合、電流値は負から遮断しているの
で、残留磁束は負となる）の磁束が残留する。最後に、
第３番目の遮断相、ここではＳ相が遮断された場合、こ
の相には遮断直前の電流値と同じ極性（このＳ相の場
合、電流値は正から遮断しているので、残留磁束は正と
なる）の磁束が残留する。そして、変化していた第１番
目の遮断相、ここではＲ相の磁束は零に落ち着く。この
ように、非接地のＹ結線された変圧器１０のコアの残留
磁束は、遮断された相の順序と、遮断直前の電流の極性
を位相制御開閉装置８０Ｃの基準位相検出部および残留
磁束検出部８３で計測することにより正、負および零を
判定することが可能である。したがって、本発明の位相
制御開閉装置８０Ｃの基準位相検出部８２および残留磁
束検出部８３は、前回の遮断時に最初に遮断された第１
遮断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断され
る第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６サイクル）
遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値
が正、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この
第２遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）
と判定すると共に、最後に遮断される第３遮断相が第２
遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮断され、ま
た、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第３遮断相の
遮断直前の電流値が正の場合、この第３遮断相の残留磁
束を正（例えば残留磁束９０％）と判定する。または、
これとは逆に、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮
断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される
第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６サイクル）遅
れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値が
負、第２遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第
２遮断相の残留磁束を正（例えば残留磁束９０％）と判
定すると共に、最後に遮断される第３遮断相が第２遮断
相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮断され、また、
第２遮断相の遮断直前の電流値が正、第３遮断相の遮断
直前の電流値が負の場合、この第３遮断相の残留磁束を
負（例えば残留磁束−９０％）と判定する。もしくは、
前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相の残留磁束
を零と判定すると共に、次に遮断される第２遮断相が第
１遮断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断さ
れ、また、第１遮断相の遮断直前の電流値が正、第２遮
断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第２遮断相の
残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定すると
共に、最後に遮断される第３遮断相が第２遮断相の１２
０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、また、第２遮
断相の遮断直前の電流値が正、第３遮断相の遮断直前の
電流値が正の場合、この第３遮断相の残留磁束を正（例
えば残留磁束９０％）と判定する。または、これとは逆
に、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相の残留
磁束を零と判定すると共に、次に遮断される第２遮断相
が第１遮断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断
され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値が負、第２
遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この第２遮断相
の残留磁束を正（例えば残留磁束９０％）と判定すると
共に、最後に遮断される第３遮断相が第２遮断相の１２
０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、また、第２遮
断相の遮断直前の電流値が負、第３遮断相の遮断直前の
電流値が負の場合、この第３遮断相の残留磁束を負（例
えば残留磁束−９０％）と判定する。以上のように中性
点が非接地のＹ結線された変圧器１０のコアに残留磁束
が残っている場合に、開閉サージを最小に抑制できる各
相の最適投入角は、各相の残留磁束の値および投入する
順序により変わるが、総てのケースに関して一義的に決
定できることが判った。そこで、正または負の残留磁束
が残る場合は、予めこの値を試験で求めておけば、例え
ば、正の場合は８０％、一方、負の場合は−８０％とそ
の値を設定することができ、この正負の残留磁束の絶対
値が判れば、電流計測部７４ａ，７４ｂ，７４ｃにて計
測される電流挙動より、各相の残留磁束が正、負、零が
本発明のシーケンスで予測できるので、各相の最適投入
角を決めることが可能となる。一方、残留磁束の絶対値
が不明の場合であっても、最初に、正の場合は８０％、
一方、負の場合は−８０％と設定しておき、投入制御毎
の各相の突入電流を電流計測部７４ａ，７４ｂ，７４ｃ
にて計測し、その値が想定されるサージレベルより大き
い場合は、位相制御開閉装置８０が、この残留電流の絶
対値を増減させてサージレベルを下げることが可能であ
る。各相の投入目標点Ｔtargetは、図１８の表３に示す
ように、例えば、残留磁束が正（残留磁束ｋ％）の相か
ら投入する場合、この第１相の投入目標点を、第２投入
相の投入時刻と同時もしくはそれ以前と設定し、次に、
残留磁束が負（残留磁束−ｋ％）の相を投入する場合、
この第２相の投入目標点を電気角３０°もしくはその近
傍（±３０°程度内）と設定し、最後に、残留磁束が零
の相を投入する場合、この第３相の投入目標点を第２相
投入後から１／２サイクル後の電気角９０°もしくはそ
の近傍（±３０°程度内）と設定するものである。別の
投入目標点Ｔtargetは、残留磁束が正（残留磁束ｋ％）
の相から投入する場合、この第１相の投入目標点を、第
２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以前と設定し、
次に、残留磁束が零の相を投入する場合、この第２相の
投入目標点を電気角２７０°もしくはその近傍（±３０
°程度内）と設定し、最後に、残留磁束が負の相（残留
磁束−ｋ％）を投入する場合、第２相投入後から（２７
２／３６０−ｋ／１８００）サイクル後の電気角（３０
２−ｋ／５）°もしくはその近傍（±３０°程度内）と
設定するものである。更に、別の投入目標点Ｔ
targetは、残留磁束が零の相から投入する場合、この第
１相の投入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もし
くはそれ以前と設定し、次に、残留磁束が負の相（残留
磁束−ｋ％）を投入する場合、この第２相の投入目標点
を電気角３０°もしくはその近傍（±３０°程度内）と
設定し、最後に、残留磁束が正の相（残留磁束ｋ％）を
投入する場合、第２相投入後から（１５／２４−１３ｋ
／２４００）サイクル後の電気角（３７５−１９５ｋ／
１００）°もしくはその近傍（±３０°程度内）と設定
するものである。ここで、遮断器５０に閉極（投入）指
令が出された場合、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電圧は、各電圧計
測部７２ａ，７２ｂ，７２ｃにて計測され、位相制御開
閉装置８０Ｃの基準位相検出部８３へ送信される。基準
位相検出部８２では、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電圧零点の周期
を検出し、基準となる電圧零点を設定して基準点Ｔ
standa rdとする。位相制御開閉装置８０Ｃの演算・動作
制御部８１は、操作装置の周囲温度、操作力、制御電圧
の計測データより予測される閉極動作時間ｔclose、お
よび先行アーク時間ｔprearcを計算すると共に、予め設
定された各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の投入目標点Ｔtargetから基準
点Ｔstandardまでの時間から、予測された閉極動作時間
ｔ closeを引き算し、かつ、先行アーク時間ｔprearcを
足し算して求まる動作同期時間ｔcontを計算する。位相
制御開閉装置８０Ｃの演算・動作制御部８１は、基準点
Ｔstandardから計算された動作同期時間ｔcontを経過後
に各操作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃに投入信号を与え
て、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子が開
閉サージ現象を最小限に抑制可能な所定の電気角にて独
立に閉極動作するよう制御される。図１４は、本実施の
形態３の位相制御開閉装置８０Ｃにより、非接地のＹ結
線の変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０に対して
各相の遮断器５０を独立に投入制御した場合（第１投入
相は残留磁束零のＳ相）の遮断器５０の電圧および電流
および変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０の磁束
の変化（ここでは残留磁束を１００％と仮定）を示すも
のである。これを見ると、第１投入相および第２投入相
は、残留磁束が負のＲ相が遮断器５０の電気角３０°
で、残留磁束が正のＴ相が遮断器５０の電気角１５０°
で投入されており、第１および２相の投入後、１０ｍｓ
後（５０Ｈｚ）に残留磁束が零のＳ相が遮断器５０の電
気角９０°で投入されることで変圧器（もしくは、分路
リアクトル）１０への突入電流が抑制されていることが
わかる。図１５は、本実施の形態３の位相制御開閉装置
８０Ｃにより、非接地のＹ結線の変圧器（もしくは、分
路リアクトル）１０に対して各相の遮断器５０を独立に
投入制御した場合（第１投入相は残留磁束負のＲ相）の
遮断器５０の電圧および電流および変圧器（もしくは、
分路リアクトル）１０の磁束の変化を示すものである。
これを見ると、第１投入相および第２投入相は、残留磁
束が正のＴ相が遮断器５０の電気角１５０°で、残留磁
束が零のＳ相が遮断器５０の電気角２７０°で投入され
ており、第１および２相の投入後、１４ｍｓ後（５０Ｈ
ｚ）に残留磁束が零のＲ相が遮断器５０の電気角２８２
°で投入されることで変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）１０への突入電流が抑制されていることがわかる。
図１６は、本実施の形態３の位相制御開閉装置により、
非接地のＹ結線の変圧器（もしくは、分路リアクトル）
１０に対して各相の遮断器５０を独立に投入制御した場
合（第１投入相は残留磁束正のＴ相）の遮断器５０の電
圧および電流および変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）１０の磁束の変化を示すものである。これを見る
と、第１投入相および第２投入相は、残留磁束が負のＲ
相が遮断器５０の電気角３０°で、残留磁束が零のＳ相
が遮断器５０の電気角２７０°で投入されており、第１
および２相の投入後、１．７ｍｓ後（５０Ｈｚ）に残留
磁束が零のＲ相が遮断器５０の電気角１８０°で投入さ
れることで変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０へ
の突入電流が抑制されていることがわかる。なお、以上
の例において、第２および第３相は同時に投入しなくて
も、どちらか一方のみ投入時刻を制御すれば、残りの相
は、任意の時刻に投入しても、サージ抑制効果は同じで
ある。図１７は、本実施の形態３の位相制御開閉装置に
より、非接地のＹ結線の変圧器（もしくは、分路リアク
トル）１０に対して各相の遮断器５０を同時に投入制御
した場合の遮断器５０の電圧および電流および変圧器
（もしくは、分路リアクトル）１０の磁束の変化を示す
ものである。これを見ると、残留磁束が零のＳ相で遮断
器５０の電圧ピーク、残留磁束が正のＴ相が電気角１５
０°および残留磁束が負のＲ相が電気角３０°で同時に
投入されることで変圧器（もしくは、分路リアクトル）
１０への突入電流が抑制されていることがわかる。
る位相制御開閉装置を各添付図面について説明する。図
１３は、本発明の実施の形態による中性点が非接地され
たＹ結線の変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０開
閉に適用される遮断器５０の開閉極位相を制御する位相
制御開閉装置８０Ｃおよび各相の電源電圧、磁束変化お
よび電流を示すものである。図１３において、１０は中
性点が非接地のＹ結線された変圧器、５０は遮断器５０
で、この遮断器５０の消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内
の各接触子が独立に開閉極動作することを可能にするた
め、それぞれ独立の操作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃを
有する。７２ａ，７２ｂ，７２ｃは各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電
圧を計測する電圧計測部、７４ａ，７４ｂ，７４ｃは各
Ｒ、Ｓ、Ｔ相を流れる電流を計測する電流計測部、８０
Ｃは基準位相検出部８２および残留磁束検出部８３およ
び演算・動作制御部８１からなる遮断器５０の位相制御
開閉装置である。次に動作について説明する。遮断器５
０が閉極しているとき、Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電源電圧は、各
電圧計測部７２ａ，７２ｂ，７２ｃにて計測され、一
方、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相を流れる電流は、各電流計測部７４
ａ，７４ｂ，７４ｃにて計測されて、位相制御開閉装置
８０Ｂの基準位相検出部８２および残留磁束検出部８３
へ送信される。図１３に示すように、各相共磁束は電源
電圧より位相が９０°遅れている。また、電流がピーク
となる瞬間に磁束も最大値をとる。遮断器５０に開極指
令を出して、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接
触子を開極した場合、各相の電流は１／６サイクル毎に
電流零点をむかえ、例えば、図１３に示す相遮断点のよ
うにＲ相→Ｔ相→Ｓ相の順に電流が遮断される。今、第
１番目の遮断相、ここではＲ相が遮断された場合、Ｙ結
線された変圧器のコアでは残り２つ相の電流経路によ
り、遮断されたＲ相の磁束は遮断前と同様の周期的な変
化を続ける。次に、第２番目の遮断相、ここではＴ相が
遮断された場合、この相には遮断直前の電流値と同じ極
性（このＴ相の場合、電流値は負から遮断しているの
で、残留磁束は負となる）の磁束が残留する。最後に、
第３番目の遮断相、ここではＳ相が遮断された場合、こ
の相には遮断直前の電流値と同じ極性（このＳ相の場
合、電流値は正から遮断しているので、残留磁束は正と
なる）の磁束が残留する。そして、変化していた第１番
目の遮断相、ここではＲ相の磁束は零に落ち着く。この
ように、非接地のＹ結線された変圧器１０のコアの残留
磁束は、遮断された相の順序と、遮断直前の電流の極性
を位相制御開閉装置８０Ｃの基準位相検出部および残留
磁束検出部８３で計測することにより正、負および零を
判定することが可能である。したがって、本発明の位相
制御開閉装置８０Ｃの基準位相検出部８２および残留磁
束検出部８３は、前回の遮断時に最初に遮断された第１
遮断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断され
る第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６サイクル）
遅れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値
が正、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この
第２遮断相の残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）
と判定すると共に、最後に遮断される第３遮断相が第２
遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮断され、ま
た、第２遮断相の遮断直前の電流値が負、第３遮断相の
遮断直前の電流値が正の場合、この第３遮断相の残留磁
束を正（例えば残留磁束９０％）と判定する。または、
これとは逆に、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮
断相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される
第２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６サイクル）遅
れで遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値が
負、第２遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第
２遮断相の残留磁束を正（例えば残留磁束９０％）と判
定すると共に、最後に遮断される第３遮断相が第２遮断
相の６０°（１／６サイクル）遅れで遮断され、また、
第２遮断相の遮断直前の電流値が正、第３遮断相の遮断
直前の電流値が負の場合、この第３遮断相の残留磁束を
負（例えば残留磁束−９０％）と判定する。もしくは、
前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相の残留磁束
を零と判定すると共に、次に遮断される第２遮断相が第
１遮断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断さ
れ、また、第１遮断相の遮断直前の電流値が正、第２遮
断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第２遮断相の
残留磁束を負（例えば残留磁束−９０％）と判定すると
共に、最後に遮断される第３遮断相が第２遮断相の１２
０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、また、第２遮
断相の遮断直前の電流値が正、第３遮断相の遮断直前の
電流値が正の場合、この第３遮断相の残留磁束を正（例
えば残留磁束９０％）と判定する。または、これとは逆
に、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相の残留
磁束を零と判定すると共に、次に遮断される第２遮断相
が第１遮断相の１２０°（１／３サイクル）遅れで遮断
され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値が負、第２
遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この第２遮断相
の残留磁束を正（例えば残留磁束９０％）と判定すると
共に、最後に遮断される第３遮断相が第２遮断相の１２
０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、また、第２遮
断相の遮断直前の電流値が負、第３遮断相の遮断直前の
電流値が負の場合、この第３遮断相の残留磁束を負（例
えば残留磁束−９０％）と判定する。以上のように中性
点が非接地のＹ結線された変圧器１０のコアに残留磁束
が残っている場合に、開閉サージを最小に抑制できる各
相の最適投入角は、各相の残留磁束の値および投入する
順序により変わるが、総てのケースに関して一義的に決
定できることが判った。そこで、正または負の残留磁束
が残る場合は、予めこの値を試験で求めておけば、例え
ば、正の場合は８０％、一方、負の場合は−８０％とそ
の値を設定することができ、この正負の残留磁束の絶対
値が判れば、電流計測部７４ａ，７４ｂ，７４ｃにて計
測される電流挙動より、各相の残留磁束が正、負、零が
本発明のシーケンスで予測できるので、各相の最適投入
角を決めることが可能となる。一方、残留磁束の絶対値
が不明の場合であっても、最初に、正の場合は８０％、
一方、負の場合は−８０％と設定しておき、投入制御毎
の各相の突入電流を電流計測部７４ａ，７４ｂ，７４ｃ
にて計測し、その値が想定されるサージレベルより大き
い場合は、位相制御開閉装置８０が、この残留電流の絶
対値を増減させてサージレベルを下げることが可能であ
る。各相の投入目標点Ｔtargetは、図１８の表３に示す
ように、例えば、残留磁束が正（残留磁束ｋ％）の相か
ら投入する場合、この第１相の投入目標点を、第２投入
相の投入時刻と同時もしくはそれ以前と設定し、次に、
残留磁束が負（残留磁束−ｋ％）の相を投入する場合、
この第２相の投入目標点を電気角３０°もしくはその近
傍（±３０°程度内）と設定し、最後に、残留磁束が零
の相を投入する場合、この第３相の投入目標点を第２相
投入後から１／２サイクル後の電気角９０°もしくはそ
の近傍（±３０°程度内）と設定するものである。別の
投入目標点Ｔtargetは、残留磁束が正（残留磁束ｋ％）
の相から投入する場合、この第１相の投入目標点を、第
２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以前と設定し、
次に、残留磁束が零の相を投入する場合、この第２相の
投入目標点を電気角２７０°もしくはその近傍（±３０
°程度内）と設定し、最後に、残留磁束が負の相（残留
磁束−ｋ％）を投入する場合、第２相投入後から（２７
２／３６０−ｋ／１８００）サイクル後の電気角（３０
２−ｋ／５）°もしくはその近傍（±３０°程度内）と
設定するものである。更に、別の投入目標点Ｔ
targetは、残留磁束が零の相から投入する場合、この第
１相の投入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もし
くはそれ以前と設定し、次に、残留磁束が負の相（残留
磁束−ｋ％）を投入する場合、この第２相の投入目標点
を電気角３０°もしくはその近傍（±３０°程度内）と
設定し、最後に、残留磁束が正の相（残留磁束ｋ％）を
投入する場合、第２相投入後から（１５／２４−１３ｋ
／２４００）サイクル後の電気角（３７５−１９５ｋ／
１００）°もしくはその近傍（±３０°程度内）と設定
するものである。ここで、遮断器５０に閉極（投入）指
令が出された場合、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電圧は、各電圧計
測部７２ａ，７２ｂ，７２ｃにて計測され、位相制御開
閉装置８０Ｃの基準位相検出部８３へ送信される。基準
位相検出部８２では、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電圧零点の周期
を検出し、基準となる電圧零点を設定して基準点Ｔ
standa rdとする。位相制御開閉装置８０Ｃの演算・動作
制御部８１は、操作装置の周囲温度、操作力、制御電圧
の計測データより予測される閉極動作時間ｔclose、お
よび先行アーク時間ｔprearcを計算すると共に、予め設
定された各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の投入目標点Ｔtargetから基準
点Ｔstandardまでの時間から、予測された閉極動作時間
ｔ closeを引き算し、かつ、先行アーク時間ｔprearcを
足し算して求まる動作同期時間ｔcontを計算する。位相
制御開閉装置８０Ｃの演算・動作制御部８１は、基準点
Ｔstandardから計算された動作同期時間ｔcontを経過後
に各操作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃに投入信号を与え
て、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子が開
閉サージ現象を最小限に抑制可能な所定の電気角にて独
立に閉極動作するよう制御される。図１４は、本実施の
形態３の位相制御開閉装置８０Ｃにより、非接地のＹ結
線の変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０に対して
各相の遮断器５０を独立に投入制御した場合（第１投入
相は残留磁束零のＳ相）の遮断器５０の電圧および電流
および変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０の磁束
の変化（ここでは残留磁束を１００％と仮定）を示すも
のである。これを見ると、第１投入相および第２投入相
は、残留磁束が負のＲ相が遮断器５０の電気角３０°
で、残留磁束が正のＴ相が遮断器５０の電気角１５０°
で投入されており、第１および２相の投入後、１０ｍｓ
後（５０Ｈｚ）に残留磁束が零のＳ相が遮断器５０の電
気角９０°で投入されることで変圧器（もしくは、分路
リアクトル）１０への突入電流が抑制されていることが
わかる。図１５は、本実施の形態３の位相制御開閉装置
８０Ｃにより、非接地のＹ結線の変圧器（もしくは、分
路リアクトル）１０に対して各相の遮断器５０を独立に
投入制御した場合（第１投入相は残留磁束負のＲ相）の
遮断器５０の電圧および電流および変圧器（もしくは、
分路リアクトル）１０の磁束の変化を示すものである。
これを見ると、第１投入相および第２投入相は、残留磁
束が正のＴ相が遮断器５０の電気角１５０°で、残留磁
束が零のＳ相が遮断器５０の電気角２７０°で投入され
ており、第１および２相の投入後、１４ｍｓ後（５０Ｈ
ｚ）に残留磁束が零のＲ相が遮断器５０の電気角２８２
°で投入されることで変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）１０への突入電流が抑制されていることがわかる。
図１６は、本実施の形態３の位相制御開閉装置により、
非接地のＹ結線の変圧器（もしくは、分路リアクトル）
１０に対して各相の遮断器５０を独立に投入制御した場
合（第１投入相は残留磁束正のＴ相）の遮断器５０の電
圧および電流および変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）１０の磁束の変化を示すものである。これを見る
と、第１投入相および第２投入相は、残留磁束が負のＲ
相が遮断器５０の電気角３０°で、残留磁束が零のＳ相
が遮断器５０の電気角２７０°で投入されており、第１
および２相の投入後、１．７ｍｓ後（５０Ｈｚ）に残留
磁束が零のＲ相が遮断器５０の電気角１８０°で投入さ
れることで変圧器（もしくは、分路リアクトル）１０へ
の突入電流が抑制されていることがわかる。なお、以上
の例において、第２および第３相は同時に投入しなくて
も、どちらか一方のみ投入時刻を制御すれば、残りの相
は、任意の時刻に投入しても、サージ抑制効果は同じで
ある。図１７は、本実施の形態３の位相制御開閉装置に
より、非接地のＹ結線の変圧器（もしくは、分路リアク
トル）１０に対して各相の遮断器５０を同時に投入制御
した場合の遮断器５０の電圧および電流および変圧器
（もしくは、分路リアクトル）１０の磁束の変化を示す
ものである。これを見ると、残留磁束が零のＳ相で遮断
器５０の電圧ピーク、残留磁束が正のＴ相が電気角１５
０°および残留磁束が負のＲ相が電気角３０°で同時に
投入されることで変圧器（もしくは、分路リアクトル）
１０への突入電流が抑制されていることがわかる。
【００２１】実施の形態４．この発明の実施の形態４に
係る位相制御開閉装置について説明する。尚、装置の回
路構成は図７に示す同様である。、次に本実施の形態４
の動作について説明する。遮断器５０が閉極していると
き、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電圧は、各電圧計測部７２ａ，７
２ｂ，７２ｃにて計測され、一方、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相を流
れる電流は、各電流計測部７４ａ，７４ｂ，７４ｃにて
計測されて、位相制御開閉装置８０の基準位相検出部お
よび残留磁束検出部８３へ送信される。
係る位相制御開閉装置について説明する。尚、装置の回
路構成は図７に示す同様である。、次に本実施の形態４
の動作について説明する。遮断器５０が閉極していると
き、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電圧は、各電圧計測部７２ａ，７
２ｂ，７２ｃにて計測され、一方、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相を流
れる電流は、各電流計測部７４ａ，７４ｂ，７４ｃにて
計測されて、位相制御開閉装置８０の基準位相検出部お
よび残留磁束検出部８３へ送信される。
【００２２】図７に示すように、各相共磁束は電圧より
位相が９０°遅れている。また、電流がピークとなる瞬
間に磁束も最大値をとる。遮断器５０に開極指令を出し
て、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子を開
極した場合、各相の電流は１／６サイクル毎に電流零点
を向かえ、例えば、図７に示すようにＲ相→Ｔ相→Ｓ相
の順に電流が遮断される。
位相が９０°遅れている。また、電流がピークとなる瞬
間に磁束も最大値をとる。遮断器５０に開極指令を出し
て、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内の各接触子を開
極した場合、各相の電流は１／６サイクル毎に電流零点
を向かえ、例えば、図７に示すようにＲ相→Ｔ相→Ｓ相
の順に電流が遮断される。
【００２３】今、第１番目の遮断相、ここではＲ相が遮
断された場合、Ｙ結線された変圧器のコアでは残り２つ
相の電流経路により、遮断されたＲ相の磁束は遮断前と
同様の周期的な変化を続ける。次に、第２番目の遮断
相、ここではＴ相が遮断された場合、この相には遮断直
前の電流値と同じ極性（このＴ相の場合、電流値は負か
ら遮断しているので、残留磁束は負となる）の磁束が残
留する。最後に、第３番目の遮断相、ここではＳ相が遮
断された場合、この相には遮断直前の電流値と同じ極性
（このＳ相の場合、電流値は正から遮断しているので、
残留磁束は正となる）の磁束が残留する。そして、変化
していた第１番目の遮断相、ここではＲ相の磁束は零に
落ち着く。
断された場合、Ｙ結線された変圧器のコアでは残り２つ
相の電流経路により、遮断されたＲ相の磁束は遮断前と
同様の周期的な変化を続ける。次に、第２番目の遮断
相、ここではＴ相が遮断された場合、この相には遮断直
前の電流値と同じ極性（このＴ相の場合、電流値は負か
ら遮断しているので、残留磁束は負となる）の磁束が残
留する。最後に、第３番目の遮断相、ここではＳ相が遮
断された場合、この相には遮断直前の電流値と同じ極性
（このＳ相の場合、電流値は正から遮断しているので、
残留磁束は正となる）の磁束が残留する。そして、変化
していた第１番目の遮断相、ここではＲ相の磁束は零に
落ち着く。
【００２４】このように、中性点が直接接地されたＹ結
線の変圧器１０のコアの残留磁束は、遮断された相の順
序と、遮断直前の電流の極性を位相制御開閉装置８０の
基準位相検出部および残留磁束検出部８３で計測するこ
とにより正、負および零を判定することが可能である。
線の変圧器１０のコアの残留磁束は、遮断された相の順
序と、遮断直前の電流の極性を位相制御開閉装置８０の
基準位相検出部および残留磁束検出部８３で計測するこ
とにより正、負および零を判定することが可能である。
【００２５】したがって、本実施の形態４に係る位相制
御開閉装置８０の基準位相検出部８２および残留磁束検
出部８３は、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断
相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される第
２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れ
で遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値が
正、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この第
２遮断相の残留磁束を負と判定すると共に、最後に遮断
される第３遮断相が第２遮断相の６０°（１／６サイク
ル）遅れで遮断され、また、第２遮断相の遮断直前の電
流値が負、第３遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、
この第３遮断相の残留磁束を正と判定するするか、これ
とは逆に、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相
の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される第２
遮断相が第１遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで
遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値が負、
第２遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第２遮
断相の残留磁束を正と判定すると共に、最後に遮断され
る第３遮断相が第２遮断相の６０°（１／６サイクル）
遅れで遮断され、また、第２遮断相の遮断直前の電流値
が正、第３遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この
第３遮断相の残留磁束を負と判定する。
御開閉装置８０の基準位相検出部８２および残留磁束検
出部８３は、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断
相の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される第
２遮断相が第１遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れ
で遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値が
正、第２遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この第
２遮断相の残留磁束を負と判定すると共に、最後に遮断
される第３遮断相が第２遮断相の６０°（１／６サイク
ル）遅れで遮断され、また、第２遮断相の遮断直前の電
流値が負、第３遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、
この第３遮断相の残留磁束を正と判定するするか、これ
とは逆に、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相
の残留磁束を零と判定すると共に、次に遮断される第２
遮断相が第１遮断相の６０°（１／６サイクル）遅れで
遮断され、また、第１遮断相の遮断直前の電流値が負、
第２遮断相の遮断直前の電流値が正の場合、この第２遮
断相の残留磁束を正と判定すると共に、最後に遮断され
る第３遮断相が第２遮断相の６０°（１／６サイクル）
遅れで遮断され、また、第２遮断相の遮断直前の電流値
が正、第３遮断相の遮断直前の電流値が負の場合、この
第３遮断相の残留磁束を負と判定する。
【００２６】各相の投入目標点Ｔtargetは、図２３の表
４に示すように、各相の残留磁束をそれぞれ第１遮断相
を零、第２遮断相を負、第３遮断相を正と判定した場
合、この第１相の投入目標点を、電圧ピークもしくはそ
の近傍と設定し、次に、残留磁束が正の相を投入する場
合、この第２相の投入目標点を、第１相投入後から１０
５／３６０サイクル後の電気角７５°もしくはその近傍
（±１５°程度内）と設定し、最後に、残留磁束が負の
相を投入する場合、この第３相の投入目標点を、第２投
入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定するもの
である。
４に示すように、各相の残留磁束をそれぞれ第１遮断相
を零、第２遮断相を負、第３遮断相を正と判定した場
合、この第１相の投入目標点を、電圧ピークもしくはそ
の近傍と設定し、次に、残留磁束が正の相を投入する場
合、この第２相の投入目標点を、第１相投入後から１０
５／３６０サイクル後の電気角７５°もしくはその近傍
（±１５°程度内）と設定し、最後に、残留磁束が負の
相を投入する場合、この第３相の投入目標点を、第２投
入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定するもの
である。
【００２７】別の投入目標点Ｔtargetは、各相の残留磁
束をそれぞれ第１遮断相を零、第２遮断相を負、第３遮
断相を正と判定した場合、この第１相の投入目標点を、
電圧ピークもしくはその近傍と設定し、次に、残留磁束
が負の相を投入する場合、この第２相の投入目標点を、
第１相投入後から１０５／３６０サイクル後の電気角３
１５°もしくはその近傍（±１５°程度内）と設定し、
最後に、残留磁束が正の相を投入する場合、この第３相
の投入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もしくは
それ以降と設定するものである。
束をそれぞれ第１遮断相を零、第２遮断相を負、第３遮
断相を正と判定した場合、この第１相の投入目標点を、
電圧ピークもしくはその近傍と設定し、次に、残留磁束
が負の相を投入する場合、この第２相の投入目標点を、
第１相投入後から１０５／３６０サイクル後の電気角３
１５°もしくはその近傍（±１５°程度内）と設定し、
最後に、残留磁束が正の相を投入する場合、この第３相
の投入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もしくは
それ以降と設定するものである。
【００２８】更に別の投入目標点Ｔtargetは、各相の残
留磁束をそれぞれ第１遮断相を零、第２遮断相を正、第
３遮断相を負と判定した場合、この第１相の投入目標点
を、電圧ピークもしくはその近傍と設定し、次に、残留
磁束が正の相を投入する場合、この第２相の投入目標点
を、第１相投入後から７０／３６０サイクル後の電気角
２８０°もしくはその近傍（±２０°程度内）と設定
し、最後に、残留磁束が負の相を投入する場合、この第
３相の投入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もし
くはそれ以降と設定するものである。
留磁束をそれぞれ第１遮断相を零、第２遮断相を正、第
３遮断相を負と判定した場合、この第１相の投入目標点
を、電圧ピークもしくはその近傍と設定し、次に、残留
磁束が正の相を投入する場合、この第２相の投入目標点
を、第１相投入後から７０／３６０サイクル後の電気角
２８０°もしくはその近傍（±２０°程度内）と設定
し、最後に、残留磁束が負の相を投入する場合、この第
３相の投入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もし
くはそれ以降と設定するものである。
【００２９】更に別の投入目標点Ｔtargetは、各相の残
留磁束をそれぞれ第１遮断相を零、第２遮断相を正、第
３遮断相を負と判定した場合、この第１相の投入目標点
を、電圧ピークもしくはその近傍と設定し、次に、残留
磁束が負の相を投入する場合、この第２相の投入目標点
を、第１相投入後から７０／３６０サイクル後の電気角
４０°もしくはその近傍（±２０°程度内）と設定し、
最後に、残留磁束が正の相を投入する場合、この第３相
の投入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もしくは
それ以降と設定するものである。
留磁束をそれぞれ第１遮断相を零、第２遮断相を正、第
３遮断相を負と判定した場合、この第１相の投入目標点
を、電圧ピークもしくはその近傍と設定し、次に、残留
磁束が負の相を投入する場合、この第２相の投入目標点
を、第１相投入後から７０／３６０サイクル後の電気角
４０°もしくはその近傍（±２０°程度内）と設定し、
最後に、残留磁束が正の相を投入する場合、この第３相
の投入目標点を、第２投入相の投入時刻と同時もしくは
それ以降と設定するものである。
【００３０】以上のように中性点が接地されたＹ結線の
変圧器１０のコアに残留磁束が残っている場合に、開閉
サージを最小に抑制できる各相の最適投入角は、各相の
残留磁束の値および投入する順序により変わるが、総て
のケースに関して一義的に決定できることが判った。
変圧器１０のコアに残留磁束が残っている場合に、開閉
サージを最小に抑制できる各相の最適投入角は、各相の
残留磁束の値および投入する順序により変わるが、総て
のケースに関して一義的に決定できることが判った。
【００３１】ここで、遮断器５０に閉極（投入）指令が
出された場合、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電圧は、各電圧計測部
７２ａ，７２ｂ，７２ｃにて計測され、位相制御開閉装
置８０の基準位相検出部８３へ送信される。基準位相検
出部８２では、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電圧零点の周期を検出
し、基準となる電圧零点を設定して基準点Ｔstandardと
する。
出された場合、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電圧は、各電圧計測部
７２ａ，７２ｂ，７２ｃにて計測され、位相制御開閉装
置８０の基準位相検出部８３へ送信される。基準位相検
出部８２では、各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の電圧零点の周期を検出
し、基準となる電圧零点を設定して基準点Ｔstandardと
する。
【００３２】位相制御開閉装置８０の演算・動作制御部
８１は、操作装置の周囲温度、操作力、制御電圧の計測
データより予測される閉極動作時間ｔclose、および先
行アーク時間ｔprearcを計算すると共に、予め設定され
た各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の投入目標点Ｔtargetから基準点Ｔ
standardまでの時間から、予測された閉極動作時間ｔcl
oseを引き算し、かつ、先行アーク時間ｔprearcを足し
算して求まる動作同期時間ｔcontを計算する。
８１は、操作装置の周囲温度、操作力、制御電圧の計測
データより予測される閉極動作時間ｔclose、および先
行アーク時間ｔprearcを計算すると共に、予め設定され
た各Ｒ、Ｓ、Ｔ相の投入目標点Ｔtargetから基準点Ｔ
standardまでの時間から、予測された閉極動作時間ｔcl
oseを引き算し、かつ、先行アーク時間ｔprearcを足し
算して求まる動作同期時間ｔcontを計算する。
【００３３】位相制御開閉装置８０の演算・動作制御部
８１は、基準点Ｔstandardから計算された動作同期時間
ｔcontを経過後に各操作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃに
投入信号を与えて、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内
の各接触子が開閉サージ現象を最小限に抑制可能な所定
の電気角にて独立に閉極動作するよう制御される。
８１は、基準点Ｔstandardから計算された動作同期時間
ｔcontを経過後に各操作装置５４ａ，５４ｂ，５４ｃに
投入信号を与えて、各消弧室５２ａ，５２ｂ，５２ｃ内
の各接触子が開閉サージ現象を最小限に抑制可能な所定
の電気角にて独立に閉極動作するよう制御される。
【００３４】図１９は、本実施の形態４に係る位相制御
開閉装置により、直接接地されたＹ結線の変圧器（もし
くは、分路リアクトル）に対して、各相の残留磁束をそ
れぞれ第１遮断相を零、第２遮断相を負、第３遮断相を
正と判定すると共に、第１番目の投入相を残留磁束が零
の相（第１遮断相）、第２番目の投入相を残留磁束が正
の相、第３番目の投入相を残留磁束が負の相と設定し
て、各相の遮断器を独立に投入制御した場合の遮断器の
電圧および電流および変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）の磁束の変化（ここでは残留磁束を８０％と仮定）
を示すものである。
開閉装置により、直接接地されたＹ結線の変圧器（もし
くは、分路リアクトル）に対して、各相の残留磁束をそ
れぞれ第１遮断相を零、第２遮断相を負、第３遮断相を
正と判定すると共に、第１番目の投入相を残留磁束が零
の相（第１遮断相）、第２番目の投入相を残留磁束が正
の相、第３番目の投入相を残留磁束が負の相と設定し
て、各相の遮断器を独立に投入制御した場合の遮断器の
電圧および電流および変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）の磁束の変化（ここでは残留磁束を８０％と仮定）
を示すものである。
【００３５】図１９より見ると、第１投入相は、残留磁
束が零のＲ相で遮断器の電圧ピーク点で投入されてお
り、第１相の投入後、５．８ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＳ相
が電気角７５°で投入されており、Ｔ相が第２相投入後
の任意の電気角で投入されることで変圧器（もしくは、
分路リアクトル）への突入電流が抑制されていることが
わかる。
束が零のＲ相で遮断器の電圧ピーク点で投入されてお
り、第１相の投入後、５．８ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＳ相
が電気角７５°で投入されており、Ｔ相が第２相投入後
の任意の電気角で投入されることで変圧器（もしくは、
分路リアクトル）への突入電流が抑制されていることが
わかる。
【００３６】図２０は、本実施の形態４に係る位相制御
開閉装置により、直接接地されたＹ結線の変圧器（もし
くは、分路リアクトル）に対して、各相の残留磁束をそ
れぞれ第１遮断相を零、第２遮断相を負、第３遮断相を
正と判定すると共に、第１番目の投入相を残留磁束が零
の相（第１遮断相）、第２番目の投入相を残留磁束が負
の相、第３番目の投入相を残留磁束が正の相と設定し
て、各相の遮断器を独立に投入制御した場合の遮断器の
電圧および電流および変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）の磁束の変化（ここでは残留磁束を８０％と仮定）
を示すものである。
開閉装置により、直接接地されたＹ結線の変圧器（もし
くは、分路リアクトル）に対して、各相の残留磁束をそ
れぞれ第１遮断相を零、第２遮断相を負、第３遮断相を
正と判定すると共に、第１番目の投入相を残留磁束が零
の相（第１遮断相）、第２番目の投入相を残留磁束が負
の相、第３番目の投入相を残留磁束が正の相と設定し
て、各相の遮断器を独立に投入制御した場合の遮断器の
電圧および電流および変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）の磁束の変化（ここでは残留磁束を８０％と仮定）
を示すものである。
【００３７】図２０より見ると、第１投入相は、残留磁
束が零のＲ相で遮断器の電圧ピーク点で投入されてお
り、第１相の投入後、５．８ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＴ相
が電気角３１５°で投入されており、Ｓ相が第２相投入
後の任意の電気角で投入されることで変圧器（もしく
は、分路リアクトル）への突入電流が抑制されているこ
とがわかる。
束が零のＲ相で遮断器の電圧ピーク点で投入されてお
り、第１相の投入後、５．８ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＴ相
が電気角３１５°で投入されており、Ｓ相が第２相投入
後の任意の電気角で投入されることで変圧器（もしく
は、分路リアクトル）への突入電流が抑制されているこ
とがわかる。
【００３８】図２１は、本発明の位相制御開閉装置によ
り、直接接地されたＹ結線の変圧器（もしくは、分路リ
アクトル）に対して、各相の残留磁束をそれぞれ第１遮
断相を零、第２遮断相を正、第３遮断相を負と判定した
と共に、第１番目の投入相を残留磁束が零の相（第１遮
断相）、第２番目の投入相を残留磁束が正の相、第３番
目の投入相を残留磁束が負の相と設定して、各相の遮断
器を独立に投入制御した場合の遮断器の電圧および電流
および変圧器（もしくは、分路リアクトル）の磁束の変
化（ここでは残留磁束を８０％と仮定）を示すものであ
る。
り、直接接地されたＹ結線の変圧器（もしくは、分路リ
アクトル）に対して、各相の残留磁束をそれぞれ第１遮
断相を零、第２遮断相を正、第３遮断相を負と判定した
と共に、第１番目の投入相を残留磁束が零の相（第１遮
断相）、第２番目の投入相を残留磁束が正の相、第３番
目の投入相を残留磁束が負の相と設定して、各相の遮断
器を独立に投入制御した場合の遮断器の電圧および電流
および変圧器（もしくは、分路リアクトル）の磁束の変
化（ここでは残留磁束を８０％と仮定）を示すものであ
る。
【００３９】図２１より見ると、第１投入相は、残留磁
束が零のＲ相で遮断器の電圧ピーク点で投入されてお
り、第１相の投入後、３．９ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＴ相
が電気角２８０°で投入されており、Ｓ相が第２相投入
後の任意の電気角で投入されることで変圧器（もしく
は、分路リアクトル）への突入電流が抑制されているこ
とがわかる。
束が零のＲ相で遮断器の電圧ピーク点で投入されてお
り、第１相の投入後、３．９ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＴ相
が電気角２８０°で投入されており、Ｓ相が第２相投入
後の任意の電気角で投入されることで変圧器（もしく
は、分路リアクトル）への突入電流が抑制されているこ
とがわかる。
【００４０】図２２は、本発明の位相制御開閉装置によ
り、直接接地されたＹ結線の変圧器（もしくは、分路リ
アクトル）に対して、各相の残留磁束をそれぞれ第１遮
断相を零、第２遮断相を正、第３遮断相を負と判定する
と共に、第１番目の投入相を残留磁束が零の相（第１遮
断相）、第２番目の投入相を残留磁束が負の相、第３番
目の投入相を残留磁束が正の相と設定して、各相の遮断
器を独立に投入制御した場合の遮断器の電圧および電流
および変圧器（もしくは、分路リアクトル）の磁束の変
化（ここでは残留磁束を８０％と仮定）を示すものであ
る。
り、直接接地されたＹ結線の変圧器（もしくは、分路リ
アクトル）に対して、各相の残留磁束をそれぞれ第１遮
断相を零、第２遮断相を正、第３遮断相を負と判定する
と共に、第１番目の投入相を残留磁束が零の相（第１遮
断相）、第２番目の投入相を残留磁束が負の相、第３番
目の投入相を残留磁束が正の相と設定して、各相の遮断
器を独立に投入制御した場合の遮断器の電圧および電流
および変圧器（もしくは、分路リアクトル）の磁束の変
化（ここでは残留磁束を８０％と仮定）を示すものであ
る。
【００４１】図２２より見ると、第１投入相は、残留磁
束が零のＲ相で遮断器の電圧ピーク点で投入されてお
り、第１相の投入後、３．９ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＳ相
が電気角４０°で投入されており、Ｔ相が第２相投入後
の任意の電気角で投入されることで変圧器（もしくは、
分路リアクトル）への突入電流が抑制されていることが
わかる。
束が零のＲ相で遮断器の電圧ピーク点で投入されてお
り、第１相の投入後、３．９ｍｓ後（５０Ｈｚ）にＳ相
が電気角４０°で投入されており、Ｔ相が第２相投入後
の任意の電気角で投入されることで変圧器（もしくは、
分路リアクトル）への突入電流が抑制されていることが
わかる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の開閉極位
相制御遮断装置では、変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）１０各相の残留磁束を予測すると共に、各相の残留
磁束に応じた最適な投入タイミングで遮断器５０を動作
させることにより、過渡的な開閉サージ現象を抑制でき
る位相制御装置を提供することができる。
相制御遮断装置では、変圧器（もしくは、分路リアクト
ル）１０各相の残留磁束を予測すると共に、各相の残留
磁束に応じた最適な投入タイミングで遮断器５０を動作
させることにより、過渡的な開閉サージ現象を抑制でき
る位相制御装置を提供することができる。
【図１】 本発明の実施の形態１による遮断器と位相制
御開閉装置および電流、電圧、磁束変化を示す図であ
る。
御開閉装置および電流、電圧、磁束変化を示す図であ
る。
【図２】 本発明の実施の形態１による位相制御開閉装
置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示
す図である。
置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示
す図である。
【図３】 本発明の実施の形態１による位相制御開閉装
置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示
す図である。
置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示
す図である。
【図４】 本発明の実施の形態１による位相制御開閉装
置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示
す図である。
置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示
す図である。
【図５】 本発明の実施の形態１による位相制御開閉装
置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示
す図である。
置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示
す図である。
【図６】 本発明の実施の形態１による位相制御開閉装
置の投入目標点を示す表である。
置の投入目標点を示す表である。
【図７】 本発明の実施の形態２による遮断器と位相制
御開閉装置および電流、電圧、磁束変化を示す図であ
る。
御開閉装置および電流、電圧、磁束変化を示す図であ
る。
【図８】 本発明の実施の形態２による位相制御開閉装
置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示
す図である。
置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示
す図である。
【図９】 本発明の実施の形態２による位相制御開閉装
置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示
す図である。
置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示
す図である。
【図１０】 本発明の実施の形態２による位相制御開閉
装置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を
示す図である。
装置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を
示す図である。
【図１１】 本発明の実施の形態２による位相制御開閉
装置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を
示す図である。
装置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を
示す図である。
【図１２】 本発明の実施の形態２による位相制御開閉
装置の投入目標点を示す表である。
装置の投入目標点を示す表である。
【図１３】 本発明の実施の形態３による遮断器５０と
位相制御開閉装置および電流、電圧、磁束変化を示す図
である。
位相制御開閉装置および電流、電圧、磁束変化を示す図
である。
【図１４】 本発明の実施の形態３による位相制御開閉
装置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を
示す図である。
装置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を
示す図である。
【図１５】 本発明の実施の形態３による位相制御開閉
装置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を
示す図である。
装置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を
示す図である。
【図１６】 本発明の実施の形態３による位相制御開閉
装置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を
示す図である。
装置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を
示す図である。
【図１７】 本発明の実施の形態３による位相制御開閉
装置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を
示す図である。
装置による変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を
示す図である。
【図１８】 本発明の実施の形態３による位相制御開閉
装置の投入目標点を示す表である。
装置の投入目標点を示す表である。
【図１９】 本実施の形態４による位相制御開閉装置に
よる変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示す図
である。
よる変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示す図
である。
【図２０】 本実施の形態４による位相制御開閉装置に
よる変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示す図
である。
よる変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示す図
である。
【図２１】 本実施の形態４による位相制御開閉装置に
よる変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示す図
である。
よる変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示す図
である。
【図２２】 本実施の形態４による位相制御開閉装置に
よる変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示す図
である。
よる変圧器投入制御時の電流、電圧、磁束変化を示す図
である。
【図２３】 本実施の形態４による位相制御開閉装置の
投入目標点を示した表である。
投入目標点を示した表である。
【図２４】 従来の実施例による位相制御装置および閉
極動作シーケンスを示す図である。
極動作シーケンスを示す図である。
１０ 変圧器、５０ 遮断器、５２ａ，５２ｂ，５２ｃ
遮断器５０の各相の消弧室、５４ａ，５４ｂ，５４ｃ
遮断器５０の各相の操作装置、７２ａ，７２ｂ，７２
ｃ 電圧計測部、７４ａ，７４ｂ，７４ｃ 電流計測
部、８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ 位相制御開閉装置、８１
演算・動作制御部、８２ 基準位相検出部、８３ 残
留磁束検出部。
遮断器５０の各相の消弧室、５４ａ，５４ｂ，５４ｃ
遮断器５０の各相の操作装置、７２ａ，７２ｂ，７２
ｃ 電圧計測部、７４ａ，７４ｂ，７４ｃ 電流計測
部、８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ 位相制御開閉装置、８１
演算・動作制御部、８２ 基準位相検出部、８３ 残
留磁束検出部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 香山 治彦 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5G028 FB03 FD02
Claims (36)
- 【請求項１】 三相電力系統の相間に、Δ結線、中性点
が直接接地されたＹ結線および中性点が非接接地の何れ
か一つの結線方法を用いて接続されたリアクトル成分に
接続され、前記リアクトル成分の故障電流や負荷電流を
遮断すると共に、リアクトル成分を励磁するために前記
三相電力系統に投入する各相毎の遮断器と、 前記各相毎の電圧を計測する電圧計測手段と、 前記遮断器における出力の極間の電流を計測する電流計
測手段と、 前記相毎の遮断器を独立に開閉極動作する操作装置と、 この操作装置近傍に設けられた温度計測部、各相の遮断
器の各操作装置の駆動操作圧力及び制御電圧を計測し、
前記遮断器が開閉極指令を受けた場合、各相に設けられ
た前記電圧計測部および前記電流計測部により計測され
た電圧値および電流値から、前記遮断器を投入時の各相
の電圧波形、前記遮断器を遮断時の各相の電流波形の位
相および周期的な零点を予測する基準位相検出手段と、 前回遮断時の前記各相における遮断器の遮断時刻と遮断
直前の電流値の正負を記憶し、この記憶内容より前記リ
アクトル成分の各相の残留磁束を予測する残留磁束予測
手段と、 前記各相の遮断器を投入する場合、前記残留磁束予測手
段により予測された前記リアクトル成分の各相の残留磁
束に基づき、各相投入時の発生サージが最小となる最適
な投入電気角を予測する最適投入点予測手段と、 前記最適投入点予測手段にて予測され設定された投入電
気角にて前記遮断器が電気的に投入されるように、前記
遮断器の閉極動作を開始させる閉極動作開始手段とを備
えたことを特徴とする位相制御開閉装置。 - 【請求項２】 前記残留磁束予測手段は、遮断器による
三相電力系統の前回の遮断時に最初に遮断された第１遮
断相の残留磁束を零と判定時に、 次に遮断される第２遮断相が第１遮断相の電気角６０°
（１／６サイクル）遅れで遮断され、且つ、第１遮断相
の遮断直前の電流値が正、第２遮断相の遮断直前の電流
値が負の場合、この第２遮断相の残留磁束を負（例えば
残留磁束−９０％）と判定し、 最後に遮断される第３遮断相が第２遮断相の電気角６０
°（１／６サイクル）遅れで遮断され、且つ、第２遮断
相の遮断直前の電流値が負、第３遮断相の遮断直前の電
流値が正の場合、前記第３遮断相の残留磁束を正（例え
ば残留磁束９０％）と判定するか、 また、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相の残
留磁束を零と判定時に、 次に遮断される第２遮断相が第１遮断相の電気角６０°
（１／６サイクル）遅れで遮断され、且つ、第１遮断相
の遮断直前の電流値が負、第２遮断相の遮断直前の電流
値が正の場合、この第２遮断相の残留磁束を正（例えば
残留磁束９０％）と判定し、 最後に遮断される第３遮断相が第２遮断相の電気角６０
°（１／６サイクル）遅れで遮断され、且つ、第２遮断
相の遮断直前の電流値が正、第３遮断相の遮断直前の電
流値が負の場合、この第３遮断相の残留磁束を負（例え
ば残留磁束−９０％）と判定することを特徴とする請求
項１に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項３】 前記残留磁束予測手段は、前回の遮断時
に最初に遮断された第１遮断相の残留磁束を零と判定時
に、 次に遮断される第２遮断相が第１遮断相の電気角１２０
°（１／３サイクル）遅れで遮断され、且つ、第１遮断
相の遮断直前の電流値が正、第２遮断相の遮断直前の電
流値が正の場合、この第２遮断相の残留磁束を負（例え
ば残留磁束−９０％）と判定し、 最後に遮断される第３遮断相が第２遮断相の電気角１２
０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、且つ、第２遮
断相の遮断直前の電流値が正、第３遮断相の遮断直前の
電流値が正の場合、この第３遮断相の残留磁束を正（例
えば残留磁束９０％）と判定するか、 また、前回の遮断時に最初に遮断された第１遮断相の残
留磁束を零と判定時に、 次に遮断される第２遮断相が第１遮断相の電気角１２０
°（１／３サイクル）遅れで遮断され、且つ、第１遮断
相の遮断直前の電流値が負、第２遮断相の遮断直前の電
流値が負の場合、この第２遮断相の残留磁束を正（例え
ば残留磁束９０％）と判定し、 最後に遮断される第３遮断相が第２遮断相の電気角１２
０°（１／３サイクル）遅れで遮断され、且つ、第２遮
断相の遮断直前の電流値が負、第３遮断相の遮断直前の
電流値が負の場合、この第３遮断相の残留磁束を負（例
えば残留磁束−９０％）と判定することを特徴とする請
求項１に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項４】 前記残留磁束予測手段は、正及び負の残
留磁束の絶対値を予め入力することを特徴とする請求項
２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項５】 前記残留磁束予測手段は、正及び負の残
留磁束の絶対値を８０％乃至９０％と設定すると共に、
投入時の突入電流値が想定された値より大きいときは、
突入電流が想定された値に近似するように正および負の
残留磁束の設定値を増減させることを特徴とする請求項
２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項６】 前記最適投入点予測手段は、前記Δ結線
されたリアクトル成分の各相の残留磁束予測手段が各相
の残留磁束をそれぞれ零（０％）、負（残留磁束−ｋ
％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した結果に基づき、前
記各相投入時の発生サージが最小となる投入時刻を予測
する際、第１番目の投入相を残留磁束が正の相、第２番
目の投入相を残留磁束が負の相、第３番目の投入相を残
留磁束が零の相（第１遮断相）と設定すると共に、残留
磁束が正である第１投入相の投入時刻を第２相投入時刻
と同時もしくはそれ以前の任意のタイミングと設定する
と共に、 残留磁束が負（残留磁束−ｋ％）である第２投入相の投
入時刻を電気角（−１８４＋４６ｋ／２５）°〜（−１
２４＋４６ｋ／２５）°、もしくは、電気角−ｃｏｓ-1
（ｋ／１００）〜６０°−ｃｏｓ-1（ｋ／１００）°
に、 残留磁束が零である第３投入相の投入時刻を電気角（５
９＋３ｋ／２０）°〜（１１９＋３ｋ／２０）°に設定
することを特徴とする請求項２に記載に位相制御開閉装
置。 - 【請求項７】 前記最適投入点予測手段は、前記Δ結線
された各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が各相
の残留磁束をそれぞれ零（０％）、負（残留磁束−ｋ
％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した結果に基づき、前
記各相投入時の発生サージが最小となる投入（閉極）時
刻（電気角）を予測する際、第１番目の投入相を残留磁
束が負の相、第２番目の投入相を残留磁束が正の相、第
３番目の投入相を残留磁束が零の相（第１遮断相）と設
定すると共に、 残留磁束が負である第１投入相の投入時刻を第２相投入
時刻と同時もしくはそれ以前の任意のタイミングと設定
すると共に、 残留磁束が正（残留磁束ｋ％）である第２投入相の投入
時刻を電気角（−６４＋４６ｋ／２５）°〜（−４＋４
６ｋ／２５）°、もしくは、電気角１２０°−ｃｏｓ-1
（ｋ／１００）°〜１８０°−ｃｏｓ-1（ｋ／１００）
°に、 残留磁束が零である第３投入相の投入時刻を電気角（５
９＋３ｋ／２０）°〜（１１９＋３ｋ／２０）°に設定
することを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装
置。 - 【請求項８】 前記最適投入点予測手段は、前記Δ結線
された各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が各相
の残留磁束をそれぞれ零（０％）、負（残留磁束−ｋ
％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した結果に基づき、前
記各相投入時の発生サージが最小となる投入（閉極）時
刻（電気角）を予測する際、第１番目の投入相を残留磁
束が正の相、第２番目の投入相を残留磁束が零の相（第
１遮断相）、第３番目の投入相を残留磁束が負の相と設
定すると共に、 残留磁束が正である第１投入相の投入時刻を第２相投入
時刻と同時もしくはそれ以前の任意のタイミングと設定
すると共に、 残留磁束が零である第２投入相の投入時刻を電気角９０
°〜３０°に、 残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を電気角（２
４４＋７ｋ／２０）°〜（３０４＋７ｋ／２０）°に設
定することを記載の請求項２に記載の位相制御開閉装
置。 - 【請求項９】 前記最適投入点予測手段は、前記Δ結線
された各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が各相
の残留磁束をそれぞれ零（０％）、負（残留磁束−ｋ
％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した結果に基づき、前
記各相投入時の発生サージが最小となる投入（閉極）時
刻（電気角）を予測する際、第１番目の投入相を残留磁
束が零の相（第１遮断相）、第２番目の投入相を残留磁
束が正の相、第３番目の投入相を残留磁束が負の相と設
定すると共に、 残留磁束が零である第１投入相の投入時刻を第２相投入
時刻と同時もしくはそれ以前の任意のタイミングと設定
すると共に、 残留磁束が正（残留磁束ｋ％）である第２投入相の投入
時刻を電気角３３０°〜２７０°に、 残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を電気角（２
４４＋７ｋ／２０）°〜（３０４＋７ｋ／２０）°に設
定することを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉
装置。 - 【請求項１０】 前記最適投入点予測手段は、前記Δ結
線された各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が各
相の残留磁束をそれぞれ零（０％）、負（残留磁束−ｋ
％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した結果に基づき、前
記各相投入時の発生サージが最小となる投入（閉極）時
刻（電気角）を予測する際、第１番目の投入相を残留磁
束が零の相（第１遮断相）、第２番目の投入相を残留磁
束が負の相、第３番目の投入相を残留磁束が正の相と設
定すると共に、 残留磁束が零である第１投入相の投入時刻を第２相投入
時刻と同時もしくはそれ以前の任意のタイミングに設定
すると共に、 残留磁束が負である第２投入相の投入時刻を電気角（１
１６＋４６ｋ／２５）°〜（１７６＋４６ｋ／２５）
°、もしくは、電気角３００°−ｃｏｓ-1（ｋ／１０
０）°〜３６０°−ｃｏｓ-1（ｋ／１００）°、残留磁
束が正である第３投入相の投入時刻を電気角（３４５−
１９５ｋ／１００）°〜（４０５−１９５ｋ／１００）
°に設定することを特徴とする請求項２に記載の位相制
御開閉装置。 - 【請求項１１】 前記最適投入点予測手段は、前記Δ結
線された各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が各
相の残留磁束をそれぞれ零（０％）、負（残留磁束−ｋ
％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した結果に基づき、前
記各相投入時の発生サージが最小となる投入（閉極）時
刻（電気角）を予測する際、第１番目の投入相を残留磁
束が負の相、第２番目の投入相を残留磁束が零の相（第
１遮断相）、第３番目の投入相を残留磁束が正の相と設
定すると共に、 残留磁束が負である第１投入相の投入時刻を第２相投入
時刻と同時もしくはそれ以前の任意のタイミングと設定
すると共に、 残留磁束が零である第２投入相の投入時刻を電気角（−
４＋４６ｋ／２５）°〜（５６＋４６ｋ／２５）°に、
もしくは、望ましくは電気角１８０°−ｃｏｓ -1（ｋ／
１００）〜２４０°−ｃｏｓ-1（ｋ／１００）°に、 残留磁束が正である第３投入相の投入時刻を電気角（３
４５−１９５ｋ／１００）°〜（４０５−１９５ｋ／１
００）°に設定することを特徴とする請求項２に記載の
位相制御開閉装置。 - 【請求項１２】 前記最適投入点予測手段は、前記Δ結
線された各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が各
相の残留磁束をそれぞれ零、負、正と予測した結果に基
づき、前記各相投入時の発生サージが最小となる投入
（閉極）時刻（電気角）を予測する際、 残留磁束が零である第１および第２投入相の投入時刻を
３００°〜２４００°（電圧ピーク）近傍に、もしく
は、電気角１２０°〜６０°（電圧ピーク）近傍に、 さらに、残留磁束が負である第１および第２投入相の投
入時刻を電気角６０°〜３０°に、もしくは、電気角２
４０°〜１８０°に設定すると共に、 残留磁束が正である第３投入相の投入時刻を第１および
第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定す
ることを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装
置。 - 【請求項１３】 前記最適投入点予測手段は、前記Δ結
線された各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が各
相の残留磁束をそれぞれ零、負、正と予測した結果に基
づき、前記各相投入時の発生サージが最小となる投入
（閉極）時刻（電気角）を予測する際、 残留磁束が零である第１および第２投入相の投入時刻を
電気角３００°〜２４０°（電圧ピーク）近傍に、もし
くは電気角１２０°〜６０°（電圧ピーク）近傍に、 さらに、残留磁束が正である第１および第２投入相の投
入時刻を電気角１８０°〜１２０°に、もしくは、電気
角３６０°〜３００°に設定すると共に、 残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を第１および
第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定す
ることを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装
置。 - 【請求項１４】 前記最適投入点予測手段は、前記Δ結
線された各相のリアクトル成分の残留磁束予測手段が各
相の残留磁束をそれぞれ零、負、正と予測した結果に基
づき、前記各相投入時の発生サージが最小となる投入
（閉極）時刻（電気角）を予測する際、 残留磁束が負である第１および第２投入相の投入時刻を
電気角６０°〜０°に、もしくは、電気角２４０°〜１
８０°にさらに、残留磁束が正である第１および第２投
入相の投入時刻を電気角１８０°〜１２０°に、もしく
は、電気角３６０°〜３００°に設定すると共に、 残留磁束が零である第３投入相の投入時刻を第１および
第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定す
ることを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装
置。 - 【請求項１５】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されＹ結線された各相のリアクトル成分の残留
磁束予測手段が各相の残留磁束予測手段により各相の残
留磁束をそれぞれ零（０％）、負（残留磁束−ｋ％）、
正（残留磁束ｋ％）と予測した結果に基づき、前記各相
投入時の発生サージが最小となる投入（閉極）時刻（電
気角）を予測する際、第１番目の投入相を残留磁束が零
の相（第１遮断相）、第２番目の投入相を残留磁束が正
の相、第３番目の投入相を残留磁束が負の相と設定する
と共に、 残留磁束が零である第１投入相の投入時刻を電気角１２
０°〜６０°（電圧ピーク）近傍に、もしくは電気角３
００°〜２４０°（電圧ピーク）近傍に、 残留磁束が正である第２投入相の投入時刻を電気角（３
０°＋３９°ｋ／１００）〜（９０°＋３９°ｋ／１０
０）、もしくは、電気角（２１０°＋３９°ｋ／１０
０）〜（２７０°＋３９°ｋ／１００）に設定すると共
に、 残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を第２投入相
の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定することを特
徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項１６】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されＹ結線された各相のリアクトル成分の残留
磁束予測手段が第１遮断相の残留磁束を零、第２遮断相
の残留磁束を負、第３遮断相の残留磁束を正と予測した
結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小とな
る投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目
の投入相を残留磁束が零の相（第１遮断相）、第２番目
の投入相を残留磁束が正の相、第３番目の投入相を残留
磁束が負の相と設定すると共に、 残留磁束が零である第１投入相の投入時刻を電気角９０
°（電圧ピーク）近傍に、もしくは６０°〜１２０°
（電圧ピーク）に、 残留磁束が正である第２投入相の投入時刻を電気角７５
°近傍、もしくは６０°〜９０°に設定すると共に、 残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を第２投入相
の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定することを特
徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項１７】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されＹ結線された各相のリアクトル成分の残留
磁束予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零（０％）、
負（残留磁束−ｋ％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した
結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小とな
る投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目
の投入相を残留磁束が零の相（第１遮断相）、第２番目
の投入相を残留磁束が負の相、第３番目の投入相を残留
磁束が正の相と設定すると共に、 残留磁束が零である第１投入相の投入時刻を電気角１２
０°から６０°（電圧ピーク）近傍に、もしくは３００
°〜２４０°（電圧ピーク）近傍に、 残留磁束が負である第２投入相の投入時刻を電気角（２
７０°＋３９°ｋ／１００）〜（３３０°＋３９°ｋ／
１００）、もしくは、電気角（９０°＋３９°ｋ／１０
０）〜（１５０°＋３９°ｋ／１００）に設定すると共
に、 残留磁束が正である第３投入相の投入時刻を第２投入相
の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定することを特
徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項１８】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されＹ結線された各相のリアクトル成分の残留
磁束予測手段が第１遮断相の残留磁束を零、第２遮断相
の残留磁束を負、第３遮断相の残留磁束を正と予測した
結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小とな
る投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目
の投入相を残留磁束が零の相（第１遮断相）、第２番目
の投入相を残留磁束が負の相、第３番目の投入相を残留
磁束が正の相と設定すると共に、 残留磁束が零である第１投入相の投入時刻を電気角９０
°（電圧ピーク）近傍に、もしくは６０°〜１２０°
（電圧ピーク）近傍に、 残留磁束が負である第２投入相の投入時刻を電気角３１
５°、もしくは、電気角３００°〜３３０°に設定する
と共に、 残留磁束が正である第３投入相の投入時刻を第２投入相
の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定することを特
徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項１９】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されＹ結線された各相のリアクトル成分の残留
磁束予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零（０％）、
負（残留磁束−ｋ％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した
結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小とな
る投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目
の投入相を残留磁束が負の相、第２番目の投入相を残留
磁束が正の相、第３番目の投入相を残留磁束が零の相
（第１遮断相）と設定すると共に、 残留磁束が負（残留磁束−ｋ％）である第１投入相の投
入時刻を電気角θ＝ｃｏｓ-1（−ｋ／１００）−３０°
〜ｃｏｓ-1（−ｋ／１００）＋３０°、即ち、残留磁束
がｋ＝１００％とすると、電気角３３０°（＝−３０
°）〜３０°、もしくは電気角１５０°〜２１０°に、 残留磁束が正（残留磁束ｋ％）である第２投入相の投入
時刻を電気角（８４°＋３９°ｋ／１００）〜（１４４
°＋３９°ｋ／１００）、もしくは電気角（２６４°＋
３９°ｋ／１００）〜（３２４°＋３９°ｋ／１００）
に設定すると共に、 残留磁束が零である第３投入相の投入時刻を第２投入相
の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定することを特
徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項２０】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されＹ結線された各相のリアクトル成分の残留
磁束予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零（０％）、
負（残留磁束−ｋ％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した
結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小とな
る投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目
の投入相を残留磁束が負の相、第２番目の投入相を残留
磁束が零の相（第１遮断相）、第３番目の投入相を残留
磁束が正の相と設定すると共に、 残留磁束が負（残留磁束−ｋ％）である第１投入相の投
入時刻を電気角θ＝ｃｏｓ-1（−ｋ／１００）−３０°
〜ｃｏｓ-1（−ｋ／１００）＋３０°、即ち、残留磁束
がｋ＝１００％とすると、電気角３３０°（−３０°）
〜３０°、もしくは電気角１５０°〜２１０°に、 残留磁束が零である第２投入相の投入時刻を電気角（２
０４°＋３９°ｋ／１００）〜（２６４°＋３９°ｋ／
１００）、もしくは電気角（１４°＋３９°ｋ／１０
０）〜（７４°＋３９°ｋ／１００）に設定すると共
に、 残留磁束が正である第３投入相の投入時刻を第２投入相
の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定することを特
徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項２１】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されＹ結線された各相のリアクトル成分の残留
磁束予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零（０％）、
負（残留磁束−ｋ％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した
結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小とな
る投入（閉極）時刻（電気角）を予測す際、第１番目の
投入相を残留磁束が正の相、第２番目の投入相を残留磁
束が零の相（第１遮断相）、第３番目の投入相を残留磁
束が負の相と設定すると共に、 残留磁束が正（残留磁束ｋ％）である第１投入相の投入
時刻を電気角θ＝ｃｏｓ-1（−ｋ／１００）−３０°〜
ｃｏｓ-1（−ｋ／１００）＋３０°、即ち、残留磁束が
１００％とすると、電気角１５０°〜２１０°、もしく
は電気角０°（電圧零点）近傍、望ましくは電気角３３
０°（＝−３０°）〜３０°に、 残留磁束が零である第２投入相の投入時刻を電気角（９
５°＋１０°ｋ／１００）〜（１５５°＋１０°ｋ／１
００）、もしくは電気角（２７５°＋１０°ｋ／１０
０）〜（３３５°＋１０°ｋ／１００）に定すると共
に、 残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を第２投入相
の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定することを特
徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項２２】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されＹ結線された各相のリアクトル成分の残留
磁束予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零（０％）、
負（残留磁束−ｋ％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した
結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小とな
る投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目
の投入相を残留磁束が正の相、第２番目の投入相を残留
磁束が負の相、第３番目の投入相を残留磁束が零の相
（第１遮断相）と設定すると共に、 残留磁束が正（残留磁束ｋ％）である第１投入相の投入
時刻を電気角θ＝ｃｏｓ-1（−ｋ／１００）−３０°〜
ｃｏｓ-1（−ｋ／１００）＋３０°、即ち、残留磁束が
ｋ＝１００％とすると、電気角１５０°〜２１０°、も
しくは電気角３３０°（＝−３０°）〜３０°に、 残留磁束が負である第２投入相の投入時刻を電気角（２
１５°＋１０°ｋ／１００）〜（２７５°＋１０°ｋ／
１００）、もしくは電気角（３５°＋１０°ｋ／１０
０）〜（９５°＋１０°ｋ／１００）に設定すると共
に、 残留磁束が零である第３投入相の投入時刻を第２投入相
の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定することを特
徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項２３】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されＹ結線された各相のリアクトル成分の残留
磁束予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零、負、正と
予測した結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが
最小となる投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、 残留磁束が零である第１および第２投入相の投入時刻を
電気角３００°〜２４０°（電圧ピーク）近傍に、もし
くは電気角１２０°〜６０°（電圧ピーク）近傍に、 さらに、残留磁束が負である第１および第２投入相の投
入時刻を電気角６０°から０°、もしくは電気角２４０
°〜１８０°に設定すると共に、 残留磁束が正である第３投入相の投入時刻を第１および
第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定す
ることを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装
置。 - 【請求項２４】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されＹ結線された各相のリアクトル成分の残留
磁束予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零、負、正と
予測した結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが
最小となる投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、 残留磁束が零である第１および第２投入相の投入時刻を
電気角３００°〜２４０°（電圧ピーク）近傍に、もし
くは電気角１２０°〜６０°（電圧ピーク）近傍に、 さらに、残留磁束が正である第１および第２投入相の投
入時刻を電気角１８０°〜１２０°に、もしくは電気角
３６０°〜３００°に設定すると共に、 残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を第１および
第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定す
ることを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装
置。 - 【請求項２５】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されたＹ結線の各相のリアクトル成分の残留磁
束予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零、負、正と予
測した結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最
小となる投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、 残留磁束が負である第１および第２投入相の投入時刻を
電気角６０°〜０°に、もしくは電気角２４０°〜１８
０°に、 さらに、残留磁束が正である第１および第２投入相の投
入時刻を電気角１８０°〜１２０°に、もしくは電気角
３６０°〜３００°に設定すると共に、 残留磁束が零である第３投入相の投入時刻を第１および
第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定す
ることを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装
置。 - 【請求項２６】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されたＹ結線の各相のリアクトル成分の残留磁
束予測手段が第１遮断相の残留磁束を零、第２遮断相の
残留磁束を正、第３遮断相の残留磁束を負と予測した結
果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小となる
投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目の
投入相を残留磁束が零の相、第２番目の投入相を残留磁
束が正の相、第３番目の投入相を残留磁束が負の相と設
定すると共に、 残留磁束が零である第１投入相の投入時刻を電気角９０
°（電圧ピーク）近傍に、もしくは電気角６０°〜１２
０°に、 残留磁束が正である第２投入相の投入時刻を電気角２８
０°近傍に、もしくは電気角２６０°〜３００°に、残
留磁束が負である第３投入相の投入時刻を第２投入相の
投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定することを特徴
とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項２７】 前記最適投入点予測手段は、中性点が
直接接地されたＹ結線の各相のリアクトル成分の残留磁
束予測手段が第１遮断相の残留磁束を零、第２遮断相の
残留磁束を正、第３遮断相の残留磁束を負と予測した結
果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小となる
投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目の
投入相を残留磁束が零の相、第２番目の投入相を残留磁
束が負の相、第３番目の投入相を残留磁束正の相と設定
すると共に、 残留磁束が零である第１投入相の投入時刻を電気角９０
°（電圧ピーク）近傍に、もしくは電気角６０°〜１２
０°に、残留磁束が負である第２投入相の投入時刻を電
気角４０°近傍に、もしくは電気角２０°〜６０°に、
残留磁束が正である第３投入相の投入時刻を第２投入相
の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定することを特
徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項２８】 前記最適投入点予測手段は、中性点を
非接接地したＹ結線の各相のＹ結線の各相のリアクトル
成分の残留磁束予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零
（０％）、負（残留磁束−ｋ％）、正（残留磁束ｋ％）
と予測した結果に基づき、前記各相投入時の発生サージ
が最小となる投入（閉極）時刻（電気角）を予測する
際、第１番目の投入相を残留磁束が正の相、第２番目の
投入相を残留磁束が負の相、第３番目の投入相を残留磁
束が零の相（第１遮断相）と設定すると共に、 残留磁束が正である第１投入相の投入時刻を第２相投入
時刻と同時もしくはそれ以前の任意のタイミングと設定
すると共に、 残留磁束が負である第２投入相の投入時刻を電気角６０
°〜０°に、 残留磁束が零である第３投入相の投入時刻を電気角１２
０°〜６０°（電圧ピーク）近傍に、もしくは電気角３
００°〜２４０°（電圧ピーク）近傍に設定することを
特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項２９】 前記最適投入点予測手段は、中性点を
非接接地したＹ結線の各相のリアクトル成分の残留磁束
予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零（０％）、負
（残留磁束−ｋ％）、正（残留磁束ｋ％）と予測したけ
結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小とな
る投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目
の投入相を残留磁束が負の相、第２番目の投入相を残留
磁束が正の相、第３番目の投入相を残留磁束が零の相
（第１遮断相）と設定すると共に、残留磁束が負である
第１投入相の投入時刻を第２相投入時刻と同時もしくは
それ以前の任意のタイミングと設定すると共に、 残留磁束が正である第２投入相の投入時刻を電気角１８
０°〜１２０°に、 残留磁束が零である第３投入相の投入時刻を電気角１２
０°〜６０°に、もしくは、電気角３００°〜２４０°
に設定することを特徴とする請求項２に記載の位相制御
開閉装置。 - 【請求項３０】 前記最適投入点予測手段は、中性点を
非接接地したＹ結線の各相のリアクトル成分の残留磁束
予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零（０％）、負
（残留磁束−ｋ％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した結
果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小となる
投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目の
投入相を残留磁束が正の相、第２番目の投入相を残留磁
束が零の相（第１遮断相）、第３番目の投入相を残留磁
束が負の相と設定すると共に、残留磁束が正である第１
投入相の投入時刻を第２相投入時刻と同時もしくはそれ
以前の任意のタイミングと設定すると共に、 残留磁束が零である第２投入相の投入時刻を電気角３０
０°〜２４０°に、 残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を電気角（２
７２−ｋ／５）°〜（３３２−ｋ／５）°に設定するこ
とを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項３１】 前記最適投入点予測手段は、中性点を
非接接地したＹ結線の各相のリアクトル成分の残留磁束
予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零（０％）、負
（残留磁束−ｋ％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した結
果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小となる
投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目の
投入相を残留磁束が零の相（第１遮断相）、第２番目の
投入相を残留磁束が正の相、第３番目の投入相を残留磁
束が負の相と設定すると共に、残留磁束が零である第１
投入相の投入時刻を第２相投入時刻と同時もしくはそれ
以前の任意のタイミングと設定すると共に、 残留磁束が正である第２投入相の投入時刻を電気角１８
０°〜１２０°に、 残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を電気角（２
７２−ｋ／５）°〜（３３２−ｋ／５）°に設定するこ
とを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装置。 - 【請求項３２】 前記最適投入点予測手段は、中性点を
非接接地したＹ結線の各相のリアクトル成分の残留磁束
予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零（０％）、負
（残留磁束−ｋ％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した結
果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小となる
投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目の
投入相を残留磁束が零の相（第１遮断相）、第２番目の
投入相を残留磁束が負の相、第３番目の投入相を残留磁
束が正の相と設定すると共に、残留磁束が零である第１
投入相の投入時刻を第２相投入時刻と同時もしくはそれ
以前の任意のタイミングと設定すると共に、 残留磁束が負である第２投入相の投入時刻を電気角６０
°〜０°に、 残留磁束が正である第３投入相の投入時刻を電気角（３
４５−１９５ｋ／１００）°〜（４０５−１９５ｋ／１
００）°に設定することを特徴とする請求項２に記載の
位相制御開閉装置。 - 【請求項３３】 前記最適投入点予測手段は、中性点を
非接接地したＹ結線の各相のリアクトル成分の残留磁束
予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零（０％）、負
（残留磁束−ｋ％）、正（残留磁束ｋ％）と予測した結
果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小となる
投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、第１番目の
投入相を残留磁束が負の相、第２番目の投入相を残留磁
束が零の相（第１遮断相）、第３番目の投入相を残留磁
束が正の相と設定すると共に、 残留磁束が負である第１投入相の投入時刻を第２相投入
時刻と同時もしくはそれ以前の任意のタイミングと設定
すると共に、 残留磁束が零である第２投入相の投入時刻を電気角３０
０°〜２４０°に、 残留磁束が正である第３投入相の投入時刻を電気角（３
４５−１９５ｋ／１００）°〜（４０５−１９５ｋ／１
００）°に設定することを特徴とする請求項２に記載の
位相制御開閉装置。 - 【請求項３４】 前記最適投入点予測手段は、中性点を
非接接地したＹ結線の各相のリアクトル成分の残留磁束
予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零、負、正と予測
した結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小
となる投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、 残留磁束が零である第１および第２投入相の投入時刻を
電気角３００°〜２４０°（電圧ピーク）に、もしくは
電気角１２０°〜６０°（電圧ピーク）近傍に 、さらに、残留磁束が負である第１および第２投入相の
投入時刻を電気角６０°〜０°、もしくは、電気角２４
０°〜１８０°に設定すると共に、 残留磁束が正である第３投入相の投入時刻を第１および
第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定す
ることを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装
置。 - 【請求項３５】 前記最適投入点予測手段は、中性点を
非接接地したＹ結線の各相のリアクトル成分の残留磁束
予測手段により各相の残留磁束をそれぞれ零、負、正と
予測した結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが
最小となる投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、 残留磁束が零である第１および第２投入相の投入時刻を
電気角２７０°〜３００°（電圧ピーク）近傍に、もし
くは、電気角１２０°〜６０°（電圧ピーク）近傍に、 さらに、残留磁束が正である第１および第２投入相の投
入時刻を電気角１８０〜１２０°もしくは、電気角３６
０°〜３００°に設定すると共に、 残留磁束が負である第３投入相の投入時刻を第１および
第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定す
ることを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装
置。 - 【請求項３６】 前記最適投入点予測手段は、中性点を
非接接地したＹ結線のリアクトル成分の各相の残留磁束
予測手段が各相の残留磁束をそれぞれ零、負、正と予測
した結果に基づき、前記各相投入時の発生サージが最小
となる投入（閉極）時刻（電気角）を予測する際、 残留磁束が負である第１および第２投入相の投入時刻を
電気角６０°〜０°もしくは電気角２４０°〜１８０°
に、 さらに、残留磁束が正である第１および第２投入相の投
入時刻を電気角１８０°〜１２０°、もしくは電気角３
６０°〜３００°に設定すると共に、 残留磁束が零である第３投入相の投入時刻を第１および
第２投入相の投入時刻と同時もしくはそれ以降と設定す
ることを特徴とする請求項２に記載の位相制御開閉装
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