JP2001217074A - Manufacturing method of organic EL element - Google Patents
Manufacturing method of organic EL elementInfo
- Publication number
- JP2001217074A JP2001217074A JP2000024381A JP2000024381A JP2001217074A JP 2001217074 A JP2001217074 A JP 2001217074A JP 2000024381 A JP2000024381 A JP 2000024381A JP 2000024381 A JP2000024381 A JP 2000024381A JP 2001217074 A JP2001217074 A JP 2001217074A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- hole injection
- injection layer
- partition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 正孔注入層又は正孔輸送層を隔壁の機能を有
する層として形成することにより、十分な発光領域を有
する有機EL素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】 透明基板1の表面に、陽極2を、スパッ
タリング法により成膜した後、エッチングして形成し、
次いで、特定の正孔注入材料をトルエンに溶解し、スピ
ンコート法により陽極2が形成された透明基板1の表面
に塗布し、塗膜3を形成した。その後、塗膜3の上方に
配設されたパターニング用マスク4を介して紫外線を照
射し、塗膜3の所定部位のみを露光させ、硬化させた
後、トルエンにより現像し、縦方向の断面が逆テーパー
形状を有する厚さ500nmの隔壁として機能する正孔
注入層5を形成した。次いで、発光層等からなる厚さ5
0nmの有機EL薄膜6及びMg−Ag合金からなる厚
さ150nmの陰極7を、この順に成膜し、封止部材
(図示せず)を接合し、有機EL素子を製造した。
(57) Abstract: Provided is a method for manufacturing an organic EL device having a sufficient light emitting region by forming a hole injection layer or a hole transport layer as a layer having a function of a partition. SOLUTION: An anode 2 is formed on a surface of a transparent substrate 1 by a sputtering method and then formed by etching.
Next, a specific hole injection material was dissolved in toluene, and applied to the surface of the transparent substrate 1 on which the anode 2 was formed by spin coating to form a coating film 3. After that, ultraviolet rays are irradiated through a patterning mask 4 disposed above the coating film 3 to expose and cure only a predetermined portion of the coating film 3 and then developed with toluene. A hole injection layer 5 having a reverse taper shape and functioning as a partition having a thickness of 500 nm was formed. Next, a thickness 5 composed of a light emitting layer or the like
An organic EL thin film 6 having a thickness of 0 nm and a cathode 7 having a thickness of 150 nm made of an Mg-Ag alloy were formed in this order, and a sealing member (not shown) was joined to manufacture an organic EL device.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、隔壁として機能し
得る正孔注入層又は正孔輸送層を形成することにより、
有効発光領域を十分に広くすることができ、精細なパタ
ーニングが可能な有機EL(エレクトロルミネセンス)
素子の製造方法に関する。The present invention relates to a method for forming a hole injection layer or a hole transport layer which can function as a partition wall.
Organic EL (electroluminescence) that can make the effective light emitting area sufficiently large and enables fine patterning
The present invention relates to a device manufacturing method.
【0002】[0002]
【従来の技術】有機EL素子の製造において、発光層及
び陰極等を形成するための薄膜をマイクロパターニング
することは、発光材料等の耐熱性、耐溶剤性及び耐湿性
などが低い等の理由により困難である。蒸着マスクを用
いてパターニングする方法もあるが、被蒸着面とマスク
との密着不良により、蒸発した発光材料等がマスクの下
面に入り込み、精細なパターニングは容易ではない。一
方、マスクを被蒸着面に強制的に密着させた場合は、マ
スクの接触により薄膜が傷付くことがあり、陽極と陰極
とが短絡することもある。2. Description of the Related Art In the manufacture of an organic EL device, micro-patterning of a thin film for forming a light emitting layer and a cathode is performed due to low heat resistance, solvent resistance, moisture resistance, etc. of a light emitting material. Have difficulty. There is also a method of patterning using a vapor deposition mask, but due to poor adhesion between the surface to be vapor-deposited and the mask, the evaporated luminescent material or the like enters the lower surface of the mask, and fine patterning is not easy. On the other hand, when the mask is forcibly brought into close contact with the deposition surface, the thin film may be damaged by the contact of the mask, and the anode and the cathode may be short-circuited.
【0003】特開平5−275172号公報等には、I
TOからなる陽極が形成された基板上に隔壁を平行に配
置し、この基板に隔壁に対して垂直方向、基板面に対し
て斜め方向から発光材料、陰極材料等を蒸着することに
よりパターニングする方法が開示されている。また、特
開平8−315981号公報には、複数の第1表示電極
が形成された基板の表面に、オーバーハング部を有する
複数の電気絶縁性の隔壁が第1表示電極と直行する方向
に設けられ、第1表示電極の表面に発光層等と第2表示
電極とが形成された有機エレクトロルミネッセンスディ
スプレイパネル及びその製造方法が開示されている。し
かし、これらの公報に開示された方法では、本来の素子
構成部材とは異なる隔壁を別途形成する必要があり、工
程が煩雑となり、有効発光領域が狭くなるという問題が
ある。[0003] JP-A-5-275172 and the like disclose I
A method in which partitions are arranged in parallel on a substrate on which an anode made of TO is formed, and a luminescent material, a cathode material, and the like are deposited on the substrate in a direction perpendicular to the partitions and oblique to the substrate surface. Is disclosed. Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-315981 discloses that a plurality of electrically insulating partitions having overhang portions are provided on a surface of a substrate on which a plurality of first display electrodes are formed in a direction perpendicular to the first display electrodes. In addition, an organic electroluminescent display panel in which a light emitting layer and the like and a second display electrode are formed on a surface of a first display electrode and a method of manufacturing the same are disclosed. However, according to the methods disclosed in these publications, it is necessary to separately form a partition wall different from the original element constituent member, and there is a problem that the process is complicated and an effective light emitting region is narrowed.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の従来
技術の問題点を解決するものであり、隔壁を本来の素子
構成部材である正孔注入層又は正孔輸送層により形成す
ることにより、十分な有効発光領域を有し、精細なパタ
ーンを備える素子を、通常の工程で容易に製造すること
ができる有機EL素子の製造方法を提供することを目的
とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art. The partition is formed by a hole injection layer or a hole transport layer, which is an original element constituting member. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an organic EL device which has a sufficient effective light emitting region and can easily manufacture a device having a fine pattern in a usual process.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】第1発明の有機EL素子
の製造方法は、ドットマトリックス電極構成を有する有
機EL素子の製造方法において、陽極が形成された基板
の表面に、正孔注入層及び正孔輸送層のうちのいずれか
一方を、フォトリソグラフィ法により陰極方向に帯状に
形成した後、上記正孔注入層又は上記正孔輸送層の上面
に、少なくとも発光層及び陰極を順次形成することを特
徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an organic EL device having a dot matrix electrode configuration, wherein a hole injection layer and a hole injection layer are formed on a surface of a substrate on which an anode is formed. After forming any one of the hole transport layers in a strip shape in the cathode direction by a photolithography method, at least a light emitting layer and a cathode are sequentially formed on the upper surface of the hole injection layer or the hole transport layer. It is characterized by.
【0006】フォトリソグラフィ法により形成される上
記「正孔注入層」又は上記「正孔輸送層」は、陰極と同
方向に帯状に形成され、隔壁として機能し、これらの上
面に発光層等と陰極とが形成される。正孔注入層を隔壁
として形成する場合は、この正孔注入層の表面に通常の
正孔輸送層を形成してもよいし、正孔輸送層はなくても
よい。また、正孔輸送層を隔壁として形成する場合は、
陽極が形成された基板の表面に予め通常の正孔注入層を
形成し、その表面に隔壁として機能する正孔輸送層を形
成してもよいし、正孔注入層はなくてもよい。The above-mentioned “hole injection layer” or “hole transport layer” formed by photolithography is formed in a strip shape in the same direction as the cathode, functions as a partition, and has a light emitting layer and the like on its upper surface. A cathode is formed. When the hole injection layer is formed as a partition, a normal hole transport layer may be formed on the surface of the hole injection layer, or the hole transport layer may not be provided. When the hole transport layer is formed as a partition,
A normal hole injection layer may be formed in advance on the surface of the substrate on which the anode is formed, and a hole transport layer functioning as a partition may be formed on the surface, or the hole injection layer may not be provided.
【0007】陽極が形成された基板の表面には、隔壁と
して機能する又は通常の正孔注入層及び正孔輸送層が形
成され、隔壁として機能する正孔注入層又は正孔輸送層
の上面には、発光層、並びに必要に応じて電子輸送層及
び電子注入層が設けられ、これらの有機層からなる有機
EL薄膜が形成される。更に、この有機EL薄膜の上面
に陰極が設けられる。正孔注入層又は正孔輸送層を隔壁
として機能させ、相隣る陰極を確実に分離させるために
は、正孔注入層又は正孔輸送層は、これらを除く有機E
L薄膜と陰極との合計厚さを越える厚さとする必要があ
る。On the surface of the substrate on which the anode has been formed, a hole injection layer or a hole transport layer which functions as a partition or a normal hole injection layer is formed, and is formed on the upper surface of the hole injection layer or the hole transport layer which functions as a partition. Is provided with a light emitting layer, and, if necessary, an electron transport layer and an electron injection layer, and an organic EL thin film composed of these organic layers is formed. Further, a cathode is provided on the upper surface of the organic EL thin film. In order for the hole injection layer or the hole transport layer to function as a partition and to reliably separate adjacent cathodes, the hole injection layer or the hole transport layer must be formed of an organic material other than these.
The thickness must exceed the total thickness of the L thin film and the cathode.
【0008】陽極、有機EL薄膜及び陰極の各々の厚さ
は特に限定されないが、陽極は150〜300nm、陰
極は50〜200nmとすることができる。また、隔壁
として形成される正孔注入層又は正孔輸送層を除く有機
EL薄膜の厚さは、形成される層によっても異なるが2
0〜150nmとすることができる。陰極及び隔壁とし
て形成される各層を除く有機EL薄膜の厚さを上記の範
囲とした場合は、隔壁として形成される正孔注入層又は
正孔輸送層の厚さは、陰極と隔壁として形成される各層
を除く有機EL薄膜との合計厚さを越える厚さ、即ち、
70〜350nmを越える厚さとすることができる。The thickness of each of the anode, the organic EL thin film, and the cathode is not particularly limited, but the thickness of the anode can be 150 to 300 nm and the thickness of the cathode can be 50 to 200 nm. In addition, the thickness of the organic EL thin film excluding the hole injection layer or the hole transport layer formed as a partition varies depending on the layer to be formed.
It can be 0 to 150 nm. When the thickness of the organic EL thin film excluding each layer formed as the cathode and the partition is within the above range, the thickness of the hole injection layer or the hole transport layer formed as the partition is formed as the cathode and the partition. Thickness exceeding the total thickness of the organic EL thin film excluding each layer, ie,
The thickness can exceed 70-350 nm.
【0009】相隣る陰極をより確実に分離させるために
は、この厚さを、陰極と隔壁として機能する各層を除く
有機EL薄膜との合計厚さより100〜150nm以上
厚くすることが好ましく、隔壁として形成される正孔注
入層又は正孔輸送層の厚さは、200nm以上とするこ
とがより好ましい。一方、正孔注入層又は正孔輸送層そ
のものも抵抗を有するため、この層が厚過ぎる場合は発
光特性が低下し、同程度の輝度を得るためには高い電圧
を印加する必要がある。そのため、隔壁として形成され
る正孔注入層又は正孔輸送層の厚さは5μm以下とする
ことが好ましく、1μm以下、特に0.5μm以下とす
ることがより好ましい。In order to more reliably separate adjacent cathodes, it is preferable that the thickness be 100 to 150 nm or more than the total thickness of the cathode and the organic EL thin film excluding each layer functioning as a partition. The thickness of the hole injection layer or hole transport layer formed as above is more preferably 200 nm or more. On the other hand, since the hole injection layer or the hole transport layer itself also has resistance, if this layer is too thick, the light emission characteristics deteriorate, and it is necessary to apply a high voltage to obtain the same level of luminance. Therefore, the thickness of the hole injection layer or the hole transport layer formed as a partition is preferably 5 μm or less, more preferably 1 μm or less, and particularly preferably 0.5 μm or less.
【0010】所定のパターンを有し、隔壁として機能す
る正孔注入層又は正孔輸送層の形成に用いられる正孔注
入材料及び正孔輸送材料は、フォトリソグラフィ法によ
り各層を形成し得るものであればよく、特に限定されな
い。そのような正孔注入材料及び正孔輸送材料として
は、一般式(1)、(2)、(3)及び(4)により表
される第3級アミン化合物とカルボニル化合物との付加
縮合物から、それらの特性により選択して使用すること
ができる。これらの付加縮合物のGPC法により測定し
た数平均分子量は3000〜1000000、特に10
000〜1000000であることが好ましい。また、
各一般式において、R1は水素原子又はメチル基、エチ
ル基、イソプロピル基及びtert−ブチル基等のアル
キル基、メトキシ基及びエトキシ基等のアルコキシル
基、並びにトリル基等のアリール基などであり、nは重
合度を表す正の整数である。The hole injecting material and the hole transporting material used to form the hole injecting layer or the hole transporting layer having a predetermined pattern and functioning as a partition can be formed by photolithography. There is no particular limitation as long as it exists. Examples of such a hole injection material and a hole transport material include an addition condensate of a tertiary amine compound represented by the general formulas (1), (2), (3) and (4) with a carbonyl compound. , Can be selected and used depending on their characteristics. The number average molecular weight of these addition condensates measured by the GPC method is 3,000 to 1,000,000, particularly 10
It is preferably from 000 to 1,000,000. Also,
In each formula, R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group and a tert-butyl group, an alkoxyl group such as a methoxy group and an ethoxy group, and an aryl group such as a tolyl group; n is a positive integer representing the degree of polymerization.
【0011】[0011]
【化1】 Embedded image
【0012】[0012]
【化2】 Embedded image
【0013】[0013]
【化3】 Embedded image
【0014】[0014]
【化4】 Embedded image
【0015】また、この特定の正孔注入材料及び正孔輸
送材料としては、トリフェニルアミン含有ポリエーテル
ケトン、ポリ[N−(p−フェニルアミノ)フェニルメ
タクリルアミド]等の他、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)等の複素環化合物の重合体などを用いることもでき
る。The specific hole injecting material and hole transporting material include triphenylamine-containing polyetherketone, poly [N- (p-phenylamino) phenylmethacrylamide], and poly (N- A polymer of a heterocyclic compound such as vinyl carbazole) can also be used.
【0016】これらの正孔注入材料及び正孔輸送材料に
は、フォトリソグラフィ法による成形性が損なわれない
範囲で、他の正孔注入材料及び正孔輸送材料を配合し、
併用することもできる。そのような正孔注入材料及び正
孔輸送材料としては、重合体ではない低分子量の有機化
合物が挙げられ、正孔注入材料としては、銅フタロシア
ニン錯体等を使用することができ、正孔輸送材料として
は、トリフェニルアミン誘導体等を用いることができ
る。These hole injecting materials and hole transporting materials are blended with other hole injecting materials and hole transporting materials as long as the formability by photolithography is not impaired.
They can be used together. Examples of such a hole injecting material and a hole transporting material include a low molecular weight organic compound that is not a polymer.As the hole injecting material, a copper phthalocyanine complex or the like can be used. For example, a triphenylamine derivative or the like can be used.
【0017】隔壁として機能する正孔注入層又は正孔輸
送層は、各材料をトルエン、クロロホルム等の有機溶媒
に溶解させ、スピンコート法、ドクターブレード法等に
より所定の厚さに成膜し、形成される薄膜にパターニン
グ用のマスクを用いて紫外線等を照射し、所要部位を硬
化させた後、トルエン等の有機溶媒により現像すること
によって形成することができる。また、前記一般式
(1)〜(4)の付加縮合物の生成に用いられる第三級
アミン化合物の置換基にジアゾニウム塩を導入すること
により生成する付加縮合物の場合は、成膜及び露光の
後、アルカリ水溶液により現像することによって形成す
ることもできる。The hole injecting layer or the hole transporting layer, which functions as a partition, is formed by dissolving each material in an organic solvent such as toluene and chloroform, and forming a film to a predetermined thickness by a spin coating method, a doctor blade method or the like. The thin film to be formed can be formed by irradiating a thin film with ultraviolet rays or the like using a patterning mask, curing a required portion, and then developing the thin film with an organic solvent such as toluene. In addition, in the case of an addition condensate formed by introducing a diazonium salt into a substituent of a tertiary amine compound used for forming the addition condensate of the general formulas (1) to (4), film formation and exposure Thereafter, it can be formed by developing with an aqueous alkali solution.
【0018】この露光により、薄膜の上面側から紫外線
等が照射されるため、薄膜の上面側は陽極側と比べて硬
化され易く、現像後、未硬化物が除去されることによ
り、薄膜の上面側から陽極側へと縦断面における幅が小
さくなる、所謂、逆テーパーを有する断面形状の正孔注
入層又は正孔輸送層が形成される。この傾斜の程度は各
材料にベンゾフェノン等の紫外線吸収剤を、各材料と紫
外線吸収剤との合計量を100質量%とした場合に、
0.01〜0.1質量%程度配合することにより調整す
ることができる。正孔注入層又は正孔輸送層の縦断面は
テーパーを有さない、即ち、上面側と陽極側とで幅が略
同じであってもよいが、陽極側のほうが広い順テーパー
では、その後の発光層等の有機層及び陰極の形成が通常
の真空蒸着法等では困難である。尚、この紫外線吸収剤
の配合量により、露光による硬化の程度及び硬化速度を
調整することもできる。By this exposure, ultraviolet light or the like is irradiated from the upper surface side of the thin film, so that the upper surface side of the thin film is hardened more easily than the anode side. A hole injection layer or a hole transport layer having a so-called reverse tapered cross-sectional shape in which the width in the vertical cross section decreases from the side to the anode side is formed. The degree of this inclination is as follows, when the ultraviolet absorber such as benzophenone is used for each material, and the total amount of each material and the ultraviolet absorber is 100% by mass.
It can be adjusted by adding about 0.01 to 0.1% by mass. The vertical cross section of the hole injection layer or the hole transport layer has no taper, that is, the width may be substantially the same on the upper surface side and the anode side, but in the forward taper where the anode side is wider, the subsequent It is difficult to form an organic layer such as a light emitting layer and a cathode by a normal vacuum deposition method or the like. The degree of curing by exposure and the curing speed can be adjusted by adjusting the amount of the ultraviolet absorber.
【0019】上記「有機EL素子」は、基板と、この基
板の表面に陽極、有機EL薄膜及び陰極が順次積層さ
れ、形成される有機EL積層体と、基板の端縁に接合さ
れ、有機EL積層体を封止する封止部材と、により形成
される。基板としては、ソーダ石灰ガラス等のガラス類
の他、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスル
ホン、ポリカーボネート等の合成樹脂及び石英等の透明
性を有するものを使用することができる。これらのうち
では特にガラスからなる基板が多用される。The "organic EL device" is composed of a substrate, an anode, an organic EL thin film, and a cathode sequentially laminated on the surface of the substrate, and an organic EL laminate formed and joined to an edge of the substrate. And a sealing member for sealing the laminate. As the substrate, in addition to glasses such as soda lime glass, synthetic resins such as polyethylene terephthalate, polyether sulfone, and polycarbonate, and transparent materials such as quartz can be used. Of these, a substrate made of glass is particularly frequently used.
【0020】発光層は、アルミキノリウム錯体及びベン
ゾキノリノールBe錯体等の発光材料により形成するこ
とができる。また、これらの発光材料に、キナクリドン
誘導体、DCM誘導体等のドーピング剤を配合すること
もできる。電子輸送層は、アルミキノリウム錯体及びヒ
ドロキシフラボンBe錯体等により形成することがで
き、電子注入層は、LiF等のアルカリ金属のフッ化物
又は酸化物及びBaF2等のアルカリ土類金属のフッ化
物などにより形成することができる。The light emitting layer can be formed of a light emitting material such as an aluminum quinolium complex and a benzoquinolinol Be complex. Further, a doping agent such as a quinacridone derivative or a DCM derivative can be added to these light emitting materials. The electron transport layer can be formed of an aluminum quinolium complex, a hydroxyflavone Be complex, or the like, and the electron injection layer is a fluoride or oxide of an alkali metal such as LiF or a fluoride of an alkaline earth metal such as BaF 2. And the like.
【0021】陽極は、金、ニッケル等の金属単体、及び
ITO、CuI、SnO2、ZnO等の金属化合物によ
り形成することができる。これらのうち、生産性、安定
した導電性等の観点からITOが特に好ましい。陰極
は、Mg−Ag合金、ナトリウム、Na−K合金、マグ
ネシウム、リチウム、アルミニウム等により形成するこ
とができる。これら陽極と陰極は、通常、各々ストライ
プ状に形成され、それらが直行し、ドットマトリックス
電極が構成されるが、必ずしも直行していなくてもよ
く、また、各電極は湾曲していても、蛇行していてもよ
い。The anode can be formed of a simple metal such as gold and nickel, and a metal compound such as ITO, CuI, SnO 2 , and ZnO. Of these, ITO is particularly preferred from the viewpoints of productivity, stable conductivity, and the like. The cathode can be formed of an Mg-Ag alloy, sodium, a Na-K alloy, magnesium, lithium, aluminum, or the like. These anodes and cathodes are usually formed in stripes, respectively, and they are perpendicular to each other to form a dot matrix electrode.However, they do not necessarily have to be perpendicular to each other. It may be.
【0022】有機EL素子を構成するこれらの各層は、
真空蒸着法により形成することができ、スピンコート
法、キャスト法、スパッタリング法及びLB法等、他の
各種の方法によっても形成することができる。Each of these layers constituting the organic EL element comprises:
It can be formed by a vacuum evaporation method, and can also be formed by other various methods such as a spin coating method, a casting method, a sputtering method, and an LB method.
【0023】封止部材としては、ステンレス鋼、アルミ
ニウム又はその合金等の金属、ソーダ石灰ガラス、珪酸
塩ガラス等のガラス、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂
等の合成樹脂などからなるものを使用することができ
る。この封止部材と基板の周縁との接合は、エポキシ樹
脂、アクリレート系樹脂等の熱硬化性樹脂の他、光硬化
性樹脂等の封止樹脂により行うことができる。これらの
うち、輝度の低下等を抑えるため、水分等が透過し難い
硬化体が形成される封止樹脂を使用することが好まし
い。また、素子に加わる熱応力を緩和することができ、
且つ硬化速度の大きい光硬化性樹脂がより好ましい。As the sealing member, a member made of a metal such as stainless steel, aluminum or an alloy thereof, a glass such as soda-lime glass or silicate glass, or a synthetic resin such as an acrylic resin or a styrene resin is used. Can be. The joining between the sealing member and the peripheral edge of the substrate can be performed using a thermosetting resin such as an epoxy resin or an acrylate resin, or a sealing resin such as a photocurable resin. Among these, it is preferable to use a sealing resin that forms a cured body through which moisture or the like hardly permeates in order to suppress a decrease in luminance or the like. Also, thermal stress applied to the element can be reduced,
A photocurable resin having a high curing rate is more preferable.
【0024】[0024]
【発明の実施の形態】以下、図1乃至図7を用いて実施
例により本発明を更に詳しく説明する。 実施例1 ガラス製の透明基板1の表面に、スパッタリング法によ
りITOを成膜し、エッチングによりストライプ状の陽
極2を形成した。その後、前記一般式(1)により表さ
れる重合体(R1は水素原子である。)をトルエンに溶
解し、このトルエン溶液をスピンコート法により陽極2
が形成された透明基板1の表面に塗布し、乾燥し、トル
エンを除去して塗膜3を形成し、図1に示す積層体を得
た。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of an embodiment with reference to FIGS. Example 1 An ITO film was formed on the surface of a transparent substrate 1 made of glass by a sputtering method, and a striped anode 2 was formed by etching. Thereafter, the polymer represented by the general formula (1) (R 1 is a hydrogen atom) is dissolved in toluene, and this toluene solution is applied to the anode 2 by spin coating.
Was applied to the surface of the transparent substrate 1 on which was formed, dried, and toluene was removed to form a coating film 3 to obtain a laminate shown in FIG.
【0025】次いで、図2に示すように、塗膜3の上方
にパターニング用マスク4を配設し、このマスクを介し
て紫外線を照射し、塗膜3の所定部位のみを露光させ、
硬化させた後、トルエンにより現像し、必要に応じて未
硬化物を除去した。このようにして、図3の、縦断面が
逆テーパー形状である厚さ500nmの隔壁として機能
する正孔注入層5を形成した。その後、この正孔注入層
5の上面に、真空蒸着法により、発光層等からなる厚さ
50nmの有機EL薄膜6(正孔注入層5を除く。)及
びMg−Ag合金からなる厚さ150nmのストライプ
状の陰極7を、この順に成膜し、有機EL積層体を形成
し、図4に示す透明基板1と有機EL積層体とからなる
複合体を形成した。次いで、透明基板1の周縁に封止部
材(図示せず)を封止樹脂により接合し、有機EL積層
体を封止し、有機EL素子を製造した。Next, as shown in FIG. 2, a patterning mask 4 is provided above the coating film 3, and ultraviolet light is irradiated through the mask to expose only a predetermined portion of the coating film 3.
After the curing, development was performed with toluene, and uncured materials were removed as necessary. In this manner, the hole injection layer 5 functioning as a 500-nm-thick partition wall having a vertical cross section and an inversely tapered shape in FIG. 3 was formed. Thereafter, on the upper surface of the hole injection layer 5, a 50 nm-thick organic EL thin film 6 (excluding the hole injection layer 5) composed of a light emitting layer and the like and a 150 nm thickness composed of an Mg-Ag alloy are formed by a vacuum evaporation method. Are formed in this order to form an organic EL laminate, thereby forming a composite comprising the transparent substrate 1 and the organic EL laminate shown in FIG. Next, a sealing member (not shown) was joined to the peripheral edge of the transparent substrate 1 with a sealing resin to seal the organic EL laminate, thereby manufacturing an organic EL element.
【0026】この有機EL素子では、有機EL薄膜6と
陰極7との合計厚さは200nmであり、隔壁として機
能する正孔注入層5の厚さは500nmである。従っ
て、正孔注入層5の上面にストライプ状に形成された各
陰極7は、図4に示すように互いに分離されるととも
に、陽極2とも十分に離間されており、陽極2と陰極7
との短絡が確実に防止される。In this organic EL device, the total thickness of the organic EL thin film 6 and the cathode 7 is 200 nm, and the thickness of the hole injection layer 5 functioning as a partition is 500 nm. Therefore, the cathodes 7 formed in a stripe shape on the upper surface of the hole injection layer 5 are separated from each other as shown in FIG. 4 and sufficiently separated from the anode 2.
Short circuit is reliably prevented.
【0027】実施例2 紫外線照射時間を実施例1より長くし、塗膜を完全に硬
化させることにより、テーパーを有さない縦断面形状を
備え、隔壁として機能する正孔注入層5を形成し、陰極
材料を斜め方向から蒸着させ、陰極7を形成した他は、
実施例1と同様にして有機EL素子を製造した。このよ
うにして製造された有機EL素子では、正孔注入層5の
上面及び片方の側面に形成されたストライプ状の各陰極
7は、図5に示すように互いに分離されるとともに、陽
極2とも離間されており、陽極2と陰極7との短絡が確
実に防止される。Example 2 By making the ultraviolet irradiation time longer than that in Example 1 and completely curing the coating film, the hole injection layer 5 having a vertical cross-section without taper and functioning as a partition was formed. , Except that the cathode material was deposited obliquely to form the cathode 7,
An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 1. In the organic EL device manufactured in this manner, the striped cathodes 7 formed on the upper surface and one side surface of the hole injection layer 5 are separated from each other as shown in FIG. Since they are separated from each other, a short circuit between the anode 2 and the cathode 7 is reliably prevented.
【0028】実施例3 陽極2が形成された透明基板1の表面に、隔壁として機
能する相隣る正孔注入層5の各々の下面側方と所要幅で
重なる絶縁層8を形成した他は、実施例1と同様にして
有機EL素子を製造した。この絶縁層8は図6に示すよ
うに形成され、これによって陽極2と陰極7との短絡が
より確実に防止される。絶縁層8は、陽極2が形成され
た透明基板1の表面に、フォトレジスト材料をスピンコ
ート法等により塗布し、乾燥して塗膜を形成した後、露
光、現像、洗浄し、加熱することにより形成した。Embodiment 3 An insulating layer 8 is formed on the surface of the transparent substrate 1 on which the anode 2 is formed, and the insulating layer 8 is overlapped by a required width with the lower surface of each of the adjacent hole injection layers 5 functioning as partition walls. An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 1. This insulating layer 8 is formed as shown in FIG. 6, whereby the short circuit between the anode 2 and the cathode 7 is more reliably prevented. The insulating layer 8 is formed by applying a photoresist material to the surface of the transparent substrate 1 on which the anode 2 is formed by a spin coating method or the like, drying and forming a coating film, and then exposing, developing, washing, and heating. Formed.
【0029】比較例1 陽極2が形成された透明基板1の表面に、陽極2と直交
方向に所定間隔でストライプ状の絶縁層8を実施例3と
同様にして形成し、この絶縁層8の幅方向の中央部に、
従来技術にあるようにポリイミド樹脂からなるテーパー
形状の断面を有する図7に示す隔壁9を形成し、これら
の各々の隔壁9の間に有機EL薄膜6(この薄膜では、
正孔注入層及び正孔輸送層が形成されている場合は、こ
れらの各層を含む。)及び陰極7を真空蒸着法により順
次形成し、有機EL素子を製造した。COMPARATIVE EXAMPLE 1 A striped insulating layer 8 was formed on the surface of the transparent substrate 1 on which the anode 2 was formed at predetermined intervals in a direction perpendicular to the anode 2 in the same manner as in Example 3. In the center in the width direction,
As in the prior art, a partition 9 shown in FIG. 7 having a tapered cross section made of a polyimide resin is formed, and an organic EL thin film 6 (in this thin film,
When a hole injection layer and a hole transport layer are formed, these layers are included. ) And the cathode 7 were sequentially formed by a vacuum evaporation method to produce an organic EL device.
【0030】実施例3では、隔壁として機能する正孔注
入層は陽極との密着性等に配慮する必要はなく、絶縁層
も、図6に示すように各々の正孔注入層の下面側方の近
縁にのみ形成すればよい。そのため、正孔注入層の互い
の間隔は特に制限されず、1μm程度にまで狭くするこ
とができ、絶縁層の幅も高々10μm程度で十分であ
る。一方、比較例1の従来例のように隔壁を別途形成す
る場合は、陽極と陰極との短絡を防止するために実用上
は絶縁層が必須であり、しかも、図7に示すように絶縁
層の幅方向の中央部に隔壁を形成しなければならず、絶
縁層と隔壁とを十分に密着させるため、また、フォトリ
ソグラフィ法の技術的な制約により、隔壁の幅は10μ
m程度以上とせざるを得ず、絶縁層の幅は少なくとも2
0μmとする必要がある。In the third embodiment, it is not necessary to consider the adhesion of the hole injection layer to the anode, etc., for the hole injection layer functioning as a partition, and the insulating layer is formed on the lower side of each hole injection layer as shown in FIG. Need only be formed in the vicinity of. Therefore, the distance between the hole injection layers is not particularly limited, and can be reduced to about 1 μm, and the width of the insulating layer is at most about 10 μm. On the other hand, when a partition is separately formed as in the conventional example of Comparative Example 1, an insulating layer is practically indispensable in order to prevent a short circuit between the anode and the cathode, and as shown in FIG. The partition must be formed at the center in the width direction, and the width of the partition is 10 μm due to the close contact between the insulating layer and the partition and the technical limitation of the photolithography method.
m or more, and the width of the insulating layer is at least 2
It must be 0 μm.
【0031】これらの理由により、実施例3の有機EL
素子では、比較例1の素子に比べて有効発光領域を広く
することができる。実施例3及び比較例1のようにして
製造した特定のサイズの有機EL素子の有効発光領域率
を比較して表1に示す。For these reasons, the organic EL of Example 3
In the device, the effective light emitting area can be made wider than that of the device of Comparative Example 1. Table 1 shows a comparison of the effective light emitting area ratios of the organic EL elements of a specific size manufactured as in Example 3 and Comparative Example 1.
【0032】[0032]
【表1】 [Table 1]
【0033】表1の結果によれば、5.2インチサイズ
及び5.7インチサイズのいずれの有機EL素子におい
ても、有効発光領域率は実施例3の場合は比較例1の場
合に比べて約10%大きくなっており、本発明の有機E
L素子では、有効発光領域を十分に広くすることができ
るとの効果が裏付けられている。According to the results shown in Table 1, the effective light emitting area ratio of the 5.2-inch and 5.7-inch organic EL devices in Example 3 was higher than that in Comparative Example 1 in both cases. About 10% larger than the organic E of the present invention.
In the L element, the effect that the effective light emitting region can be sufficiently widened is supported.
【0034】尚、本発明においては、上記の実施例に限
られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更
した実施例とすることができる。例えば、実施例2の有
機EL素子では、陽極2と陰極7とは有機EL薄膜6を
介して離間されているが、より確実に短絡を防止するた
め、この有機EL素子においても、陽極2が形成された
透明基板1の表面に、正孔注入層5の各々の下面側方と
所要幅で重なる絶縁層を形成することが好ましい。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, but may be variously modified within the scope of the present invention according to the purpose and application. For example, in the organic EL element of Example 2, the anode 2 and the cathode 7 are separated via the organic EL thin film 6, but in order to more reliably prevent a short circuit, the anode 2 is also used in this organic EL element. It is preferable that an insulating layer is formed on the surface of the formed transparent substrate 1 so as to overlap the lower surface of each of the hole injection layers 5 with a required width.
【0035】[0035]
【発明の効果】本発明によれば、本来の素子構成部材で
ある正孔注入層又は正孔輸送層を隔壁として機能させる
ことにより、十分な有効発光領域を有し、精細なパター
ンを備える有機EL素子を、通常の工程で容易に製造す
ることができる。According to the present invention, a hole injection layer or a hole transport layer, which is an elementary element, is made to function as a partition wall, thereby providing an organic light emitting device having a sufficient effective light emitting region and a fine pattern. An EL element can be easily manufactured by a usual process.
【図1】実施例における基板、陽極及び正孔注入層を形
成することとなる塗膜からなる積層体の縦断面を示す模
式図である。FIG. 1 is a schematic view showing a longitudinal section of a laminate composed of a coating film on which a substrate, an anode and a hole injection layer are formed in Examples.
【図2】塗膜を露光するため、上方にパターニング用マ
スクを配設した様子を表す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a state in which a patterning mask is provided above to expose a coating film.
【図3】露光、現像により形成された縦断面がテーパー
形状である正孔注入層を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing a hole injection layer having a tapered vertical cross section formed by exposure and development.
【図4】正孔注入層の上面に、この正孔注入層を除く有
機EL薄膜及び陰極が形成された積層体の縦断面を示す
模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing a vertical cross section of a laminate in which an organic EL thin film and a cathode except for the hole injection layer are formed on the upper surface of the hole injection layer.
【図5】正孔注入層をテーパーを有さない断面形状を備
えるものとし、斜め方向から蒸着することにより陰極が
形成された複合体の縦断面を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing a longitudinal section of a composite in which a hole injection layer has a cross-sectional shape having no taper and a cathode is formed by vapor deposition from an oblique direction.
【図6】本発明の有機EL素子における隔壁として機能
する正孔注入層及び絶縁層等の縦断面を示す模式図であ
る。FIG. 6 is a schematic diagram showing a vertical cross section of a hole injection layer, an insulating layer, and the like functioning as a partition in the organic EL device of the present invention.
【図7】有機EL素子の構成部材とは異なる部材として
別途形成された従来の隔壁及び絶縁層等の縦断面を示す
模式図である。FIG. 7 is a schematic view showing a longitudinal section of a conventional partition wall, insulating layer, and the like separately formed as a member different from a constituent member of an organic EL element.
1;透明基板、2;陽極、3;塗膜、4;パターニング
用マスク、5;隔壁として機能する正孔注入層、6;有
機EL薄膜、7;陰極、8;絶縁層、9;従来技術にお
けるポリイミド樹脂からなる隔壁。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Transparent substrate, 2; Anode, 3; Coating, 4; Patterning mask, 5; Hole injection layer functioning as a partition, 6; Organic EL thin film, 7; Cathode, 8; Insulating layer, 9; Made of a polyimide resin.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牟田 光治 愛知県刈谷市豊田町2丁目1番地 株式会 社豊田自動織機製作所内 (72)発明者 和泉 一朗 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地 株式会社東海理化内 Fターム(参考) 3K007 AB18 BA06 BB01 CA01 CA02 CA05 CB01 CB03 DA00 DB03 EB00 FA01 FA02 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Koji Muta 2-1-1 Toyota-cho, Kariya-shi, Aichi Prefecture Inside Toyota Industries Corporation (72) Inventor Ichiro Izumi 3-260 Toyota, Oguchi-machi, Oguchi-machi, Niwa-gun, Aichi Prefecture. Tokai Rika Co., Ltd. F term (reference) 3K007 AB18 BA06 BB01 CA01 CA02 CA05 CB01 CB03 DA00 DB03 EB00 FA01 FA02
Claims (1)
機EL素子の製造方法において、陽極が形成された基板
の表面に、正孔注入層及び正孔輸送層のうちのいずれか
一方を、フォトリソグラフィ法により陰極方向に帯状に
形成した後、上記正孔注入層又は上記正孔輸送層の上面
に、少なくとも発光層及び陰極を順次形成することを特
徴とする有機EL素子の製造方法。In a method of manufacturing an organic EL device having a dot matrix electrode configuration, one of a hole injection layer and a hole transport layer is formed on a surface of a substrate on which an anode is formed by a photolithography method. A method for manufacturing an organic EL device, comprising: forming a strip in the direction of a cathode, and then sequentially forming at least a light emitting layer and a cathode on the upper surface of the hole injection layer or the hole transport layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000024381A JP2001217074A (en) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | Manufacturing method of organic EL element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000024381A JP2001217074A (en) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | Manufacturing method of organic EL element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001217074A true JP2001217074A (en) | 2001-08-10 |
Family
ID=18550380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000024381A Pending JP2001217074A (en) | 2000-02-01 | 2000-02-01 | Manufacturing method of organic EL element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001217074A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059663A (en) * | 2001-08-22 | 2003-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of manufacturing electroluminescent device |
| JP2003137933A (en) * | 2001-11-01 | 2003-05-14 | Nichia Chem Ind Ltd | Polyacetylene having thiophene ring in side chain and organic electroluminescent device using the same |
| WO2009044675A1 (en) | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Ulvac, Inc. | Organic el element and organic el element manufacturing method |
| WO2013073670A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 昭和電工株式会社 | Organic light-emitting element and method for producing organic light-emitting element |
| CN113427850A (en) * | 2021-06-22 | 2021-09-24 | 哈尔滨工程大学 | Simply-assembled pyramid lattice sandwich structure and preparation method thereof |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05258859A (en) * | 1991-12-30 | 1993-10-08 | Eastman Kodak Co | Light emitting device and manufacture thereof |
| JPH08315981A (en) * | 1995-03-13 | 1996-11-29 | Pioneer Electron Corp | Organic electroluminescence display panel and manufacturing method thereof |
| JPH1050481A (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Pioneer Electron Corp | Organic electroluminescent device |
| JPH1187065A (en) * | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Toppan Printing Co Ltd | EL device and hole-transporting condensate used for its production |
-
2000
- 2000-02-01 JP JP2000024381A patent/JP2001217074A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05258859A (en) * | 1991-12-30 | 1993-10-08 | Eastman Kodak Co | Light emitting device and manufacture thereof |
| JPH08315981A (en) * | 1995-03-13 | 1996-11-29 | Pioneer Electron Corp | Organic electroluminescence display panel and manufacturing method thereof |
| JPH1050481A (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Pioneer Electron Corp | Organic electroluminescent device |
| JPH1187065A (en) * | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Toppan Printing Co Ltd | EL device and hole-transporting condensate used for its production |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059663A (en) * | 2001-08-22 | 2003-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of manufacturing electroluminescent device |
| JP2003137933A (en) * | 2001-11-01 | 2003-05-14 | Nichia Chem Ind Ltd | Polyacetylene having thiophene ring in side chain and organic electroluminescent device using the same |
| WO2009044675A1 (en) | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Ulvac, Inc. | Organic el element and organic el element manufacturing method |
| US8147287B2 (en) | 2007-10-02 | 2012-04-03 | Ulvac, Inc. | Organic EL element and a method for manufacturing the organic EL element |
| WO2013073670A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 昭和電工株式会社 | Organic light-emitting element and method for producing organic light-emitting element |
| CN113427850A (en) * | 2021-06-22 | 2021-09-24 | 哈尔滨工程大学 | Simply-assembled pyramid lattice sandwich structure and preparation method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3902938B2 (en) | Organic light emitting device manufacturing method, organic light emitting display manufacturing method, organic light emitting device, and organic light emitting display | |
| JP5708482B2 (en) | Organic electroluminescent device and method of manufacturing organic electroluminescent device | |
| US8686629B2 (en) | Organic light emitting display device with partition wall having first and second tapered structures | |
| JP5625448B2 (en) | Method for manufacturing organic EL element and organic EL image display device | |
| CN103053040B (en) | Organic el element | |
| CN102217114A (en) | Organic electroluminescent device | |
| WO1999046961A1 (en) | Method of manufacturing organic el display | |
| KR101614035B1 (en) | Organic light emitting device and method for preparing the same | |
| CN101336491B (en) | Organic light emitting transistor device and method for manufacturing the same | |
| JP2001217078A (en) | Organic light emitting device and method of manufacturing the same | |
| CN105789239A (en) | Double-sided light emitting device for OLED display screen and preparation method | |
| JP3736179B2 (en) | Organic thin film light emitting device | |
| JP4131924B2 (en) | Organic EL display device | |
| CN100594627C (en) | Method of patterning conductive polymer layer, organic light emitting device, and method of manufacturing the organic light emitting device | |
| JP2001217074A (en) | Manufacturing method of organic EL element | |
| JP2005174726A (en) | Organic el element and its forming method | |
| JPH097763A (en) | Method for manufacturing organic thin film EL device | |
| CN101160002A (en) | A kind of organic electroluminescence device and preparation method thereof | |
| JP2001085167A (en) | Organic el element and its manufacturing method | |
| CN101049049A (en) | Organic electroluminescence display panel and method for manufacturing the same | |
| JP2004311111A (en) | Method for manufacturing organic electroluminescent element and organic electroluminescent element | |
| JP2000067601A (en) | Manufacture of electrochemical luminescence element | |
| JP2004103502A (en) | Organic el display device | |
| TWI545820B (en) | Organic EL element, and organic EL device | |
| JPWO2011070681A1 (en) | Organic EL panel and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |