JP2001214084A

JP2001214084A - 金属キレート色素及びこれを用いた光学記録媒体

Info

Publication number: JP2001214084A
Application number: JP2000025170A
Authority: JP
Inventors: Takashi Miyazawa; 隆司宮沢; Shuichi Maeda; 修一前田
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 2000-02-02
Filing date: 2000-02-02
Publication date: 2001-08-07

Abstract

(57)【要約】【課題】短波長の半導体レーザーによる記録再生に適
した光学記録媒体に使用できる色素を提供する。【解決手段】下記一般式（１）または（１）’で示さ
れる化合物と金属からなる金属キレート色素。【化１】（上記式中、Ａ及びＡ’は、これが結合している炭素原
子及び窒素原子を含有する複素芳香環残基を表し、Ｘは
活性水素原子を有する基を表し、Ｙは水素原子または任
意の置換基を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属キレート色素
及びかかる色素を記録層に用いた追記型光学記録媒体に
係わるものであり、詳しくは青色レーザー対応の追記型
光学記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、発振波長の短い半導体レーザーの
開発が進められ、従来使用されているレーザーの波長78
0nm、830nmよりも短波長のレーザー光を用いた高密度の
記録再生可能な光学記録媒体が求められている。従来提
案されている光学記録媒体としては、光磁気記録媒体、
相変化記録媒体、カルコゲン酸化物光記録媒体、有機色
素系光記録媒体等があるが、これらの中で有機色素系光
記録媒体は、コスト的に安価で且つ製造プロセス工程も
容易であるという点で優位性を有するものと考えられて
いる。

【０００３】現在、有機色素系光学記録媒体には、反射
率の高い金属層を有機色素層の上に積層したタイプの書
き込み型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が量産化され
広く知られているが、このＣＤ−Ｒの記録再生に使用さ
れるレーザーよりもさらに短波長の赤色半導体レーザー
で記録する高密度の有機色素系光学記録媒体（ＤＶＤ−
Ｒ）も開発され、実用化されている。しかし、より短波
長のレーザー発振が可能になるに従い、今後、更により
一層の高密度化を狙ったＤＶＤ−Ｒよりもさらに短波長
のレーザー、即ち青色半導体レーザー（波長350nm〜530
nm）で記録再生可能な光学記録媒体の必要性が高まって
くる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一般に、ＣＤ−Ｒ或い
はＤＶＤ−Ｒとして使用されている光学記録媒体は、短
波長の青色半導体レーザーで記録再生すると、反射率が
低く記録再生ができないという問題を有している。本発
明は、青色半導体レーザーによって記録再生が可能な有
機色素系光学記録媒体に適した色素及びこれを用いた光
学記録媒体を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは青色半導体
レーザーに高い感受性を有する有機色素について種々検
討した結果、イソチオキサゾール環を含むアゾ化合物と
金属からなる新規金属キレート色素を見出し、この色素
が青色半導体レーザーに対応する光学記録媒体の記録層
に使用し得ることを知得し本発明に到達した。すなわち
本発明の要旨は、下記一般式（１）または（１）’

【０００６】

【化２】

【０００７】（式(1)及び(1)'中、Ａ及びＡ'は、これが
結合している炭素原子及び窒素原子を含有する複素芳香
環残基を表し、Ｘは活性水素原子を有する基を表し、Ｙ
は水素原子または任意の置換基を表す。）で示される化
合物と金属からなる金属キレート色素及び係る色素を記
録層に含有する光学記録媒体に存する。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下本発明につき詳細に説明す
る。本発明の金属キレート色素は、前記一般式（１）ま
たは（１）'によって表されるアゾ化合物と金属からな
る。一般式(1)及び(1)'中、Ａ及びＡ'で示される複素芳
香環残基としては、これが結合する炭素原子及び窒素原
子を含有する複素環であれば広い範囲から選ばれるが、
通常５ー６員の複素芳香環及び係る複素芳香環とベンゼ
ン環との縮合環が挙げられ、好ましくは下記の複素環が
挙げられる。

【０００９】

【化３】

【００１０】上記式(イ)〜(レ)中、Ｄ₁〜Ｄ₄₂は、それ
ぞれ独立して、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜６の直鎖ま
たは分岐のアルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタ
フルオロメチル基、２−フルオロエチル基、２，２−ジ
フルオロエチル基、２、２、２−トリフルオロエチル
基、２Ｈ−テトラフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−
ｎ−プロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル
基、１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロピル基、１Ｈ，１
Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピル基、パーフルオロ−
ｎ−ブチル基、１−（トリフルオロメチル）テトラフル
オロエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，
２−トリフルオロエチル基、１−（トリフルオロメチ
ル）エチル基、１−（ジフルオロメチル）−２，２−ジ
フルオロメチル基、１−（フルオロメチル）−２−トリ
フルオロエチル基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエ
チル基、１，１−ジ（トリフルオロメチル）エチル基、
１−（トリフルオロエチル）−１−メチルエチル基、１
−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロピル基、１−メチル
−１Ｈ−パーフルオロブチル基等の炭素数１〜６の直鎖
または分岐のフッ化アルキル基；トリフルオロメトキシ
基、ペンタフルオロメトキシ基、２−フルオロエトキシ
基、２，２−ジフルオロエトキシ基、２，２，２−トリ
フルオロエトキシ基、２Ｈ−テトラフルオロエトキシ
基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロポキシ基、３、３、３−
トリフルオロプロポキシ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキ
シ基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブトキシ基、１−
（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエ
トキシ基、１−（トリフルオロメチル）−テトラフルオ
ロエトキシ基、１−（ジフルオロメチル）−２，２−ジ
フルオロエトキシ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロ
プロポキシ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブトキ
シ基、２，２−ジ（トリフルオロメチル）プロポキシ基
等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルコキシ
基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜６の環状アルキ
ル基；

【００１１】フェニル基、トリル基、キシリル基、メシ
チル基、ナフチル基等の炭素数６〜１８のアリール基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロ
ポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基等の炭素数１
〜６のアルコキシ基；アセチル基、プロピオニル基、ブ
チリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル
基、ピバロイル基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニ
ル基；ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニ
ル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜６の直鎖または分岐
のアルケニル基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニ
ル基等の炭素数３〜６の環状のアルケニル基；フッ素原
子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル
基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；ヒドロキシメチ
ル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜６のヒドロキ
シアルキル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシ
カルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブ
トキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基
等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；ニトロ
基；シアノ基；アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピル
アミノ基等の炭素数１〜１０のアルキルアミノ基；メト
キシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル
基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカル
ボニルエチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基等
の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；メ
チルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソ
プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチ
オ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基等
の炭素数１〜６のアルキルチオ基；トリフルオロメチル
チオ基、ペンタフルオロメチルチオ基、２―フルオロエ
チルチオ基、２，２−ジフルオロエチルチオ基、２Ｈ−
テトラフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プ
ロピルチオ基、３，３，３−トリフルオロプロピルチオ
基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、１Ｈ，１Ｈ，３
Ｈ−ヘキサフルオロブチルチオ基、１−（トリフルオロ
メチル）テトラフルオロエチルチオ基、１−（トリフル
オロメチル）−２，２，２−トリフルオロエチルチオ
基、１−（ジトリフルオロメチル）−２，２−ジフルオ
ロエチルチオ基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエチ
ルチオ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロピルチ
オ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブチル基、２，
２−ジ（トリフルオロメチル）プロピルチオ基、３−
（パーフルオロ−１−メチルエチル）プロピルチオ基等
の炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルキルチオ
基；

【００１２】メチルスルホニル基、エチルスルホニル
基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニ
ル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホ
ニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチル
スルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル
基；トリフルオロメチルスルホニル基、ペンタフルオロ
エチルスルホニル基、２−フルオロエチルスルホニル
基、２，２−ジフルオロエチルスルホニル基、２，２，
２−トリフルオロエチルスルホニル基、ヘプタフルオロ
−ｎ−プロピルスルホニル基、３，３，３−トリフルオ
ロプロピルスルホニル基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフ
ルオロプロピルスルホニル基、パーフルオロ−ｎ−ブチ
ルスルホニル基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブチルス
ルホニル基、２−（パーフルオロブチル）エチルスルホ
ニル基、１−（トリフルオロメチル）テトラフルオロエ
チルスルホニル基、１−（トリフルオロメチル）−２，
２，２−トリフルオロエチルスルホニル基、１−（ジフ
ルオロメチル）−２，２−ジフルオロエチルスルホニル
基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエチルスルホニル
基、１−（トリフルオロエチル）−１−メチルエチルス
ルホニル基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロピル
スルホニル基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブチル
スルホニル基、２，２−ジ（トリフルオロメチル）プロ
ピルスルホニル基、３−（パーフルオロ−１−メチルエ
チル）プロピルスルホニル基等の炭素数１〜６の直鎖ま
たは分岐のフッ化アルキルスルホニル基；置換基として
アルコキシ基、フッ化アルキル基、ハロゲン原子等を有
するアリール基またはアリールカルボニル基；−ＣＤ₄₃
＝Ｃ（ＣＮ）Ｄ₄₄（Ｄ₄₃は水素原子、または前記Ｄ₁〜
Ｄ₄₂において定義したものと同様の炭素数１〜６のアル
キル基を表し、Ｄ₄₄はシアノ基または前記Ｄ₁〜Ｄ₄₂に
おいて定義したものと同様の炭素数２〜７のアルコキシ
カルボニル基を表す。）を表す。更にＤ₁〜Ｄ₄₂のう
ち、隣り合う基が結合して、環Ａまたは環Ａ'に縮合す
る環を形成してもよい。

【００１３】環Ａ及びＡ'の置換基Ｄ₁〜Ｄ₄₂として好ま
しくは、環Ａ及びＡ'の構造によって多少異なるが、水
素原子、無置換またはハロゲン化されたアルキル基、無
置換またはハロゲン化されたアルキルチオ基、無置換ま
たはハロゲン化されたアルコキシ基、ホルミル基、シア
ノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基またはハロゲン原子で
ある。この場合のハロゲンとしてはフッ素が好ましい。
環Ａまたは環Ａ'として例示した前記１７種の環の内、
より好ましいのは、オキサゾール環［(イ)、(ロ)］、ピ
ラゾール環［(ハ)］、イミダゾール環［(ニ)］、イソキ
サゾール環［(ホ)］、チアジアゾール環［(ヘ)、(ト)］
及びトリアゾール環［(チ)、(リ)、(ヌ)］である。

【００１４】一般式(1)及び(1)'において、Ｘとしては
ヒドロキシル基、アミノ基、スルホン酸基、カルボキシ
ル基、アルキルスルホニルアミノ基、チオール基などの
活性水素原子を有する基が挙げられ、好ましくは、ヒド
ロキシル基、スルホン酸基、アミノ基であり、特に好ま
しいのはヒドロキシル基である。

【００１５】Ｙは水素原子または任意の置換基を示す。
係る置換基としては例えば、炭素数１〜１２の直鎖又は
分岐のアルキル基；炭素数３〜１２の環状アルキル基；
炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルケニル基；炭素数
３〜１２の環状アルケニル基；炭素数６〜１８のアリー
ル基；炭素数２〜１２の直鎖又は分岐のアルキルカルボ
ニル基；炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルコキシ
基；炭素数１〜１２の直鎖または分岐のアルキルチオ
基；炭素数１〜１２の直鎖または分岐のフルオロアルキ
ル基；炭素数１〜１２の直鎖または分岐のフルオロアル
コキシ基；炭素数１〜１２の直鎖または分岐のフルオロ
アルキルチオ基；ハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；
ヒドロキシ基；ホルミル基；スルホン酸基；カルボキシ
ル基；−ＮＲ₁Ｒ₂で表されるアミノ基；−ＮＨＣＯＲ₃
で表されるアシルアミノ基；−ＮＨＣＯＯＲ₄で表され
るカーバメート基；−ＮＨＳＯ₂Ｒ₅で表されるスルホン
アミド基；−ＣＯＯＲ₆で表されるカルボン酸エステル
基；−ＣＯＮＲ₇Ｒ₈で表されるカルバモイル基；−ＳＯ
₂ＮＲ₉Ｒ₁₀で表されるスルファモイル基；−ＳＯ₃Ｒ₁ ₁
で表されるスルホン酸エステル基等が挙げられる。具体
的には、Ｄ₁〜Ｄ₄₂の説明で例示したと同様のものが挙
げられる。

【００１６】また上記の直鎖、分岐鎖、環状のアルキル
基、直鎖、分岐鎖、環状のアルケニル基、アリール基
は、更に置換されていても良く、置換基としては、メト
キシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ
基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基
等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ
基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、エト
キシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシブト
キシ基等の炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；
メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキ
シ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシメトキシ
エトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数３
〜１２のアルコキシアルコキシアルコキシ基；アリルオ
キシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数
６〜１２のアリール基（これらは置換基でさらに置換さ
れていてもよい。）；フェノキシ基、トリルオキシ基、
キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１
２のアリールオキシ基；アリルオキシ基、ビニルオキシ
基等の炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基；シアノ
基；ニトロ基；ヒドロキシル基；テトラヒドロフリル
基；アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルアミノ基等の炭素数１〜１０のアルキルアミノ
基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミ
ノ基、n-プロピルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６
のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等のハロゲン基；メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イ
ソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル等の
炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボ
ニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピル
カルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ
基、n-ブチルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のア
ルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオキシ
基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボ
ニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、n-
ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコ
キシカルボニルオキシ基等で置換されていてもよい。さ
らに炭素数３〜１２の環状アルキル基、炭素数２〜１２
の直鎖又は分岐のアルケニル基の置換基としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチ
ル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-へプチル基等
の炭素数１〜１２の直鎖又は分岐のアルキル基等が挙げ
られる。

【００１７】Ｒ₁〜Ｒ₁₁はそれぞれ水素原子、置換され
てもよい直鎖または分岐のアルキル基、置換されてもよ
い環状アルキル基、置換されてもよいアルケニル基、置
換されてもよい環状アルケニル基、置換されてもよいフ
ェニル基を表す（置換基は前述したものが挙げられ
る）。

【００１８】Ｙとして好ましいのは、無置換またはハロ
ゲン化されたアルキル基、無置換またはハロゲン化され
たアルキルチオ基、無置換またはハロゲン化されたアル
コキシ基、無置換または置換された炭素数６〜１８のア
リール基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、アル
コキシカルボニル基またはハロゲン原子である。アルキ
ル基、アルキルチオ基、アルコキシ基の置換基であるハ
ロゲンとしては、特にフッ素原子が好ましい。

【００１９】一般式（１）または（１）'で表される化
合物の好ましい例としては、例えば下記表ー１〜表ー６
の化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定される
ものではない。

【００２０】

【表１】

【００２１】

【表２】

【００２２】

【表３】

【００２３】

【表４】

【００２４】

【表５】

【００２５】

【表６】

【００２６】なお、本明細書中、「ｔ−Ｂｕ」はターシ
ャリブチル基を、「ｉ−Ｐｒ」はイソプロピル基を表
す。一般式（１）または（１）’の化合物とキレートを
生成する金属としては、錯体形成可能な各種金属を用い
ることができるが、吸収スペクトルの形状が良好である
という点からＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｐｄ等の
遷移金属が好ましい。

【００２７】本発明の金属キレート色素の製造法は特に
限定されるものではなく、それ自体公知の反応を利用し
て合成することが出来る。例えば、一般式（１）で示さ
れる化合物は以下の経路で製造することが出来る。

【００２８】

【化４】

【００２９】（式中、Ａ，Ｘ，Ｙは前示（１）式と同じ
意味を有す）先ず、複素環アミン（ａ）を、定法に従ってジアゾ化す
る。得られたジアゾ化物を、定法に従って、イソキサゾ
ール誘導体（ｂ）とカップリングさせる。得られた一般
式（１）の化合物は、溶媒に溶解し、同じ溶媒に溶解可
能な上述の遷移金属の化合物を加え、撹拌することによ
り、本発明の金属キレート色素が得られる。一般式
（１）’の化合物も同様にして製造できる。

【００３０】本発明の金属キレート色素は、例えば該色
素を含む溶液から成膜を形成する際の薄膜形成性に優れ
ているので、光学記録媒体の記録層に使用する色素とし
て有用である。また、本発明の金属キレート色素は、該
色素を含有する記録層塗布膜がより短い波長（350nm〜5
00nm）領域に、レーザー光による記録再生に適した強度
の吸収を有し、短波長レーザーに対応する記録再生用光
学記録媒体の記録層に使用する色素として極めて有用で
ある。本発明の光学記録媒体は、基本的には基板と前記
金属キレート色素を含む記録層とから構成されるもので
あるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層、金属反
射層、保護層等を設けても良い。好ましい層構成の一例
としては、記録層上に金、銀、アルミニウムのような金
属反射層および保護層を設けた高反射率の媒体が挙げら
れる。

【００３１】以下、この構造の媒体を例に、本発明の光
学記録媒体について説明する。本発明の光学記録媒体に
おける基板の材質としては、基本的には記録光及び再生
光の波長で透明であればよい。このような材質として
は、例えば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の合成樹脂、ガラス、ガラス上に光硬化性樹脂等の放
射線硬化樹脂からなる被覆層を設けたもの等が挙げられ
るが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出成型ポ
リカーボネート樹脂が特に好ましい。耐薬品性、耐吸湿
性等の点からは、非晶質ポリオレフィンが好ましい。ま
た、高速応答性等の点からは、ガラス基板が好ましい。

【００３２】これらの基板材料は射出成形法等により円
盤状の基板に成形される。必要に応じて、基板表面に案
内溝やピットを形成することもある。このような案内溝
やピットは、基板の成形時に付与することが好ましい
が、基板の上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与すること
もできる。案内溝がスパイラル状の場合、この溝ピッチ
が0.5〜1.2μｍ程度であることが好ましい。

【００３３】基板上、または必要に応じて下引き層等を
設けた上に、本発明のキレート色素を含む記録層を形成
する。記録層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッ
タリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピン
コート法、浸漬法等一般に行われている薄膜形成法が挙
げられるが、量産性、コスト面からスピンコート法が特
に好ましい。スピンコート法による成膜の場合、回転数
は500〜5000rpmが好ましく、スピンコートの後、場合に
よっては加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行っ
ても良い。

【００３４】ドクターブレード法、キャスト法、スピン
コート法、浸漬法等の塗布方法により記録層を形成する
場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒であれば
よく、特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコー
ル、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノン等のケトンアル
コール系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等
のセロソルブ系溶媒；n-ヘキサン、n-オクタン等の鎖状
炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、
n-ブチルシクロヘキサン、tert-ブチルシクロヘキサ
ン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶媒；テトラフ
ルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘ
キサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアル
コール系溶媒；乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチ
ル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒等が挙げら
れる。

【００３５】また、記録層は、記録層の安定や耐光性向
上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キ
レート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレー
ト、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキ
シム、ビスジチオ−α-ジケトン等）等や、記録感度向
上のために金属系化合物等の記録感度向上剤を含有して
いても良い。ここで金属系化合物とは、遷移金属等の金
属原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれる
ものを言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチ
ン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナン
トロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジ
オキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピ
リジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯
体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有
機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定
されないが、遷移金属であることが好ましい。

【００３６】さらに、必要に応じて他系統の色素を併用
することもできる。他系統の色素としては、主として記
録用のレーザー波長域に吸収を有し、照射されたレーザ
ー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録層、反
射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を伴
いピットが形成されるならば特に制限されない。また、
CD-Rのような770〜830nmから選ばれた波長の近赤外レー
ザーやDVD-Rのような620〜690nmから選ばれた赤色レー
ザーでの記録に適する色素を併用して、複数の波長域で
レーザーでの記録に対応する光記録媒体とすることもで
きる。

【００３７】他系統の色素としては含金属アゾ系色素、
フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シア
ニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金
属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、
メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノ
ン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系
色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウ
ム系色素等が挙げられる。

【００３８】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましい
バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケ
トン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウ
レタン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィン等が挙げられる。記録層の膜厚は、
記録方法により異なってくる場合があり、特に限定する
ものではないが、好ましくは50〜300nmである。

【００３９】記録層の上には、反射層を形成してもよ
く、その膜厚は好ましくは、50〜300nmである。反射層
の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いも
の、例えば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta、Cr
及びPdの金属を単独あるいは合金にして用いることが可
能である。この中でもAu、Al、Agは反射率が高く反射層
の材料として適している。これらを主成分とする以外に
下記のものを含んでいても良い。例えば、Mg、Se、Hf、
Ｖ、Nb、Ru、Ｗ、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Cu、Zn、C
d、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Biなどの金属及
び半金属を挙げることができる。なかでもAgを主成分と
しているものはコストが安い点、高反射率が出やすい
点、更に後で述べる印刷受容層を設ける場合には地色が
白く美しいものが得られる点等から特に好ましい。ここ
で主成分とは含有率が５０％以上のものをいう。

【００４０】金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率
薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として
用いることも可能である。反射層を形成する方法として
は、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化
学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上
や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性
の向上等のために公知の無機系または有機系の中間層、
接着層を設けることもできる。

【００４１】反射層の上に形成する保護層の材料として
は、反射層を外力から保護するものであれば特に限定さ
れない。有機物質の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げ
ることができる。また、無機物質としては、SiO₂、Si
N₄、MgF₂、SnO₂等が挙げられる。

【００４２】熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な
溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって
形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、そのままも
しくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後にこの
塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによ
って形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、
例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレー
ト、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹
脂を用いることができる。これらの材料は単独であるい
は混合して用いても良いし、１層だけではなく多層膜に
して用いても良い。

【００４３】保護層の形成方法としては、記録層と同様
にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法
や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でもスピ
ンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般に0.1〜1
00μmの範囲であるが、本発明においては、３〜30μmが
好ましい。

【００４４】また、反射層面に更に基板を貼り合わせて
も良く、あるいは反射層面相互を内面とし対向させ光記
録媒体２枚を貼り合わせても良い。基板鏡面側に、表面
保護やゴミ等の付着防止のために紫外線硬化樹脂、無機
系薄膜等を成膜してもよい。なお、記録再生光の入射面
ではない面に、インクジェット、感熱転写等の各種印刷
手段或いは筆記具等にて記入（記録）が可能な印刷受容
層を形成することもできる。

【００４５】本発明の光学記録媒体について使用される
レーザー光は、高密度記録のため波長は短いほど好まし
いが、特に350〜530nmのレーザー光が好ましい。かかる
レーザー光の代表例としては、中心波長410nm、515nmの
レーザー光が挙げられる。波長350〜530nmの範囲のレー
ザー光の一例は、410nmの青色または515nmの青緑色の高
出力半導体レーザーを使用することにより得ることがで
きるが、その他、例えば、(a)基本発振波長が740〜960n
mの連続発振可能な半導体レーザー、または(b)半導体レ
ーザーによって励起され、且つ基本発振波長が740〜960
nmの連続発振可能な固体レーザーのいずれかを第二高調
波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換することによって
も得ることができる。

【００４６】上記のＳＨＧとしては、反転対称性を欠く
ピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が
860nmの半導体レーザーの場合、その倍波の430nm、また
半導体レーザー励起の固体レーザーの場合は、Crドープ
したLiSrAlF₆結晶（基本発振波長860nm）からの倍波の4
30nmなどが挙げられる。

【００４７】上記のようにして得られた本発明の光学記
録媒体への記録は、基板の両面または片面に設けた記録
層に0.4〜0.6μm程度に集束したレーザー光を照射する
ことにより行う。レーザー光の照射された部分には、レ
ーザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶解等
の記録層の熱的変形が起こり、光学的特性が変化する。
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
（光学的特性の変化）が起きている部分と起きていない
部分の反射率の差を読みとることにより行う。

【００４８】

【実施例】以下本発明を実施例により更に具体的に説明
するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施
例によって限定されるものではない。実施例１（ａ）色素の製造

【００４９】

【化５】

【００５０】上記構造式［I］で示される3-アミノ-5-(t
ert-ブチル)-イソキサゾール１．４１ｇ（０．０１ｍｏ
ｌ）を酢酸１０ｍｌ、リン酸９ｇ中に溶解させ、０〜５
℃で攪拌し、ここに４３％ニトロシル硫酸３．５２ｇを
滴下して１時間攪拌してジアゾ化を行った。得られたジ
アゾ化反応液を、下記構造式［ＩＩ］

【００５１】

【化６】

【００５２】で示される3-フェニル-5-イソキサゾロン
１．７７ｇ（０．０１１mol）、尿素０．４ｇ、酢酸ナ
トリウム３．７ｇをメタノール４０ｍｌ＋水１０ｍｌに
溶解させた溶液へ、０〜５℃、ｐＨ３〜５に調節しなが
ら滴下した。滴下終了後さらに３時間攪拌を行った後、
反応液を濾過し、濾過物を水で洗浄し、乾燥させた。こ
の粗生成物を、φ35mm×450mmのカラムに充填したシリ
カゲルを用い、展開溶媒（酢酸エチル）でクロマトグラ
フィーを行い、目的物の単離を行い、下記の構造式［Ｉ
ＩＩ］で示される化合物を１．５３ｇ（収率４９％）を
得た。

【００５３】

【化７】

【００５４】構造式［ＩＩＩ］の化合物０．４ｇをテト
ラヒドロフラン２５ｍｌ中に溶解し、室温で攪拌条件
下、酢酸ニッケル４水和物０．１９ｇ／メタノール３．
５ｍｌ溶液を滴下した。滴下後２時間攪拌を行い、濾過
して不溶物を除去した。その後濾液に脱塩水４５ｍｌを
加えて沈殿を析出させ、さらに２時間攪拌後、濾過をし
て生成物を採取した。生成物は水で洗浄、乾燥させて、
下記の構造式［ＩＶ］で示される金属キレート色素０．
３５ｇ（収率８０％）を得た。この化合物のマススペク
トルm/z＝３１３、クロロホルム中でのλmax＝３９６n
m、モル吸光係数は３．２×１０⁴ であった。

【００５５】

【化８】

【００５６】（ｂ）評価構造式［ＩＶ］で示される色素をオクタフルオロペンタ
ノールに溶解し、1.0wt%に調整した。これをろ過してで
きた溶解液を直径120mm、厚さ1.2mmの射出成型ポリカー
ボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布
し、塗布後、１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜
の最大吸収波長（λmax）は、４０３nmであった。

【００５７】この塗布膜上に、スパッタリング法等にて
銀膜を成膜して反射層を形成し、更に紫外線硬化型樹脂
をスピンコート等にて塗布・ＵＶ照射により硬化させて
保護層を形成し、光学記録媒体とすることができる。こ
の光学記録媒体は、塗布膜のλmaxの値より、例えば中
心波長410nmの半導体レーザーによる記録再生が可能と
考えられる。

【００５８】

【発明の効果】本発明金属キレート色素の溶液は、短波
長のレーザー光による記録再生に適した吸収を有する塗
布膜を形成することが出来、且つ成膜性にも優れている
ので、本発明金属キレート色素を用いた記録層を有する
記録媒体は、短波長レーザーに対応する記録再生用光学
記録媒体として有用である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式（１）または（１）'で示さ
れる化合物と金属からなる金属キレート色素。【化１】（式(1)及び(1)'中、Ａ及びＡ'は、これが結合している
炭素原子及び窒素原子を含有する複素芳香環残基を表
し、Ｘは活性水素原子を有する基を表し、Ｙは水素原子
または任意の置換基を表す。）
【請求項２】一般式(1)及び(1)'において、Ａ及びＡ'
が、オキサゾール環、ピラゾール環、イミダゾール環、
イソキサゾール環、チアジアゾール環またはトリアゾー
ル環残基を表すことを特徴とする請求項１に記載の金属
キレート色素。
【請求項３】一般式(1)及び(1)'において、Ａ及びＡ'が
イソキサゾール環残基であることを特徴とする請求項２
記載の金属キレート色素。
【請求項４】金属が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｎ及
びＰｄからなる群より選ばれることを特徴とする請求項
１乃至３の何れかに記載の金属キレート色素。
【請求項５】基板上にレーザーによる情報の記録及
び、又は再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体
において、該記録層が請求項１乃至４の何れかに記載の
金属キレート色素を含有することを特徴とする光学記録
媒体。
【請求項６】情報の記録又は再生のレーザー波長が35
0nm〜530nmであることを特徴とする請求項５に記載の光
学記録媒体。