JP2001298342A - Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same - Google Patents
Surface acoustic wave device and method of manufacturing the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大型化すること無く、熱応力によるバンプの
接続電極からの剥離を防止できる弾性表面波デバイスを
提供することを目的とする。
【解決手段】 内部底面に外部接続用電極17を有する
パッケージ16と、このパッケージ16内に収納した弾
性表面波素子10と、パッケージ16の開口部を封止し
たリッド18とを備え、弾性表面波素子10と外部接続
用電極17とを第1及び第2のバンプ14,15を介し
て電気的に接続したものである。
(57) [Problem] To provide a surface acoustic wave device capable of preventing separation of a bump from a connection electrode due to thermal stress without increasing the size. SOLUTION: The package includes a package 16 having an external connection electrode 17 on an inner bottom surface, a surface acoustic wave element 10 housed in the package 16, and a lid 18 sealing an opening of the package 16. The device 10 and the external connection electrode 17 are electrically connected via first and second bumps 14 and 15.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は無線通信機器などに
使用される弾性表面波デバイスとその製造方法に関する
ものである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a surface acoustic wave device used for wireless communication equipment and the like, and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の弾性表面波デバイスについて、図
9を用いて説明する。2. Description of the Related Art A conventional surface acoustic wave device will be described with reference to FIG.
【0003】まず、圧電基板100上にインターデジタ
ルトランスデューサ電極101及びこのインターデジタ
ルトランスデューサ電極101に電気的に接続した接続
電極102とを形成して弾性表面波素子103を得る。
次に接続電極102上にバンプ104を形成する。First, an interdigital transducer electrode 101 and a connection electrode 102 electrically connected to the interdigital transducer electrode 101 are formed on a piezoelectric substrate 100 to obtain a surface acoustic wave element 103.
Next, a bump 104 is formed on the connection electrode 102.
【0004】次いでパッケージ105の外部接続用電極
106にバンプ104を位置合せし、圧電基板100上
から加圧すると共に超音波を当ててバンプ104と接続
電極102とを接合し、弾性表面波素子103をパッケ
ージ105に実装する。Next, the bump 104 is aligned with the external connection electrode 106 of the package 105, and the bump 104 and the connection electrode 102 are joined by applying pressure and applying ultrasonic waves from above the piezoelectric substrate 100, and the surface acoustic wave element 103 is removed. It is mounted on the package 105.
【0005】その後パッケージ105の開口部を半田1
07によりリッド108で封止して弾性表面波デバイス
としていた。Thereafter, the opening of the package 105 is
07, the package was sealed with a lid 108 to form a surface acoustic wave device.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記構成において、パ
ッケージ105と弾性表面波素子103との熱膨張係数
が大きく異なっていると、リフロー等の熱応力により発
生する歪みにより接続電極102からバンプ104が剥
離する可能性が大きいという問題点を有していた。In the above configuration, if the package 105 and the surface acoustic wave element 103 have significantly different coefficients of thermal expansion, the bumps 104 from the connection electrodes 102 may be displaced by the strain generated by thermal stress such as reflow. There was a problem that the possibility of peeling was large.
【0007】これを防止するためには、バンプ104の
高さを高くしてパッケージ105から弾性表面波素子1
03に加わる熱応力を緩和すれば良いのであるが、一つ
のバンプ104の高さを高くしようとすると、幅方向に
も大きくなるため、限られた大きさの接続電極102上
に熱応力を十分緩和できるだけのバンプ104を形成す
るのは困難であった。In order to prevent this, the height of the bump 104 is increased and the surface acoustic wave element 1
It is only necessary to reduce the thermal stress applied to the connection electrode 102. However, if the height of one bump 104 is to be increased, the height also increases in the width direction. It was difficult to form bumps 104 that could be alleviated.
【0008】そこで本発明は、例えパッケージと弾性表
面波素子との熱膨張係数が異なっていたとしても、接続
電極即ち弾性表面波デバイスを大型化すること無く、熱
応力によるバンプの接続電極からの剥離を防止できる弾
性表面波デバイスを提供することを目的とするものであ
る。Accordingly, the present invention provides a method for producing a bump from a connection electrode of a bump due to thermal stress without increasing the size of the connection electrode, that is, the surface acoustic wave device, even if the package and the surface acoustic wave element have different coefficients of thermal expansion. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device capable of preventing peeling.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の弾性表面波デバイスは、内部底面に外部接続
用電極を有するパッケージと、このパッケージ内に収納
した弾性表面波素子と、前記パッケージの開口部を封止
したリッドとを備え、前記弾性表面波素子と外部接続用
電極とをバンプを介して電気的に接続すると共に、前記
バンプは少なくとも二段構造としたものであり、バンプ
の幅は従来と同等で高さのみを高くすることができるの
で、上記目的を達成することができる。In order to achieve this object, a surface acoustic wave device according to the present invention comprises a package having an external connection electrode on an inner bottom surface, a surface acoustic wave element housed in the package, and A lid that seals an opening of the package, electrically connects the surface acoustic wave element and an external connection electrode via a bump, and the bump has at least a two-stage structure. Can be increased only in height, which is the same as in the prior art, so that the above object can be achieved.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、内部底面に外部接続用電極を有するパッケージと、
このパッケージ内に収納した弾性表面波素子と、前記パ
ッケージの開口部を封止したリッドとを備え、前記弾性
表面波素子と外部接続用電極とをバンプを介して電気的
に接続すると共に、前記バンプは少なくとも二段構造で
ある弾性表面波デバイスであり、リフロー等の熱応力に
より、バンプが接続電極から剥離するのを防止すること
ができる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 of the present invention provides a package having an external connection electrode on an inner bottom surface,
A surface acoustic wave element housed in the package, and a lid sealing an opening of the package, and electrically connecting the surface acoustic wave element and an external connection electrode via a bump; The bump is a surface acoustic wave device having at least a two-stage structure, and can prevent the bump from peeling off from the connection electrode due to thermal stress such as reflow.
【0011】請求項2に記載の発明は、弾性表面波素子
側のバンプをパッケージ側のバンプより柔らかくした請
求項1に記載の弾性表面波デバイスであり、接続電極と
バンプとの接合部にかかる応力をさらに低減することが
できる。According to a second aspect of the present invention, there is provided the surface acoustic wave device according to the first aspect, wherein the bump on the surface acoustic wave element is softer than the bump on the package. Stress can be further reduced.
【0012】請求項3に記載の発明は、圧電基板上に少
なくともインターデジタルトランスデューサ電極と、こ
のインターデジタルトランスデューサ電極に接続した接
続電極とを形成して弾性表面波素子を得る第1工程と、
次に前記接続電極上に第1のバンプを作製する第2工程
と、次いで前記第1のバンプ上に第2のバンプを作製す
る第3工程と、その後内部底面に外部接続用電極を有す
るパッケージ内に前記弾性表面波素子を前記第2のバン
プを前記外部接続用電極に位置合せし、前記圧電基板上
から加圧すると共に超音波を当てて前記外部接続用電極
と前記第2のバンプとを接合する第4工程と、次に前記
パッケージ開口部をリッドで封止する第5工程とを備え
た弾性表面波デバイスの製造方法であり、熱応力により
接続電極からバンプが剥離するのを防止できる弾性表面
波デバイスを得ることができる。According to a third aspect of the present invention, a first step of forming at least an interdigital transducer electrode on a piezoelectric substrate and a connection electrode connected to the interdigital transducer electrode to obtain a surface acoustic wave element;
Next, a second step of forming a first bump on the connection electrode, a third step of forming a second bump on the first bump, and then a package having an external connection electrode on an inner bottom surface In the surface acoustic wave element, the second bump is aligned with the external connection electrode, and the external connection electrode and the second bump are pressed by applying ultrasonic waves from above the piezoelectric substrate. This is a method for manufacturing a surface acoustic wave device, comprising a fourth step of joining and a fifth step of sealing the package opening with a lid, and can prevent peeling of a bump from a connection electrode due to thermal stress. A surface acoustic wave device can be obtained.
【0013】請求項4に記載の発明は、第1のバンプよ
り第2のバンプを小さくする請求項3に記載の弾性表面
波デバイスの製造方法であり、第2のバンプを作製する
際多少位置ズレが発生したとしても確実に第1のバンプ
上に第2のバンプを形成することができる。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the third aspect, wherein the second bump is made smaller than the first bump. Even if the displacement occurs, the second bump can be reliably formed on the first bump.
【0014】請求項5に記載の発明は、第2工程後第3
工程前に、第1のバンプの表面を平面にする工程を設け
る請求項3に記載の弾性表面波デバイスの製造方法であ
り、第2のバンプを所望の形状に精度よく形成すること
ができる。According to a fifth aspect of the present invention, the third step is performed after the second step.
4. A method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 3, wherein a step of flattening the surface of the first bump is provided before the step, and the second bump can be formed into a desired shape with high accuracy.
【0015】請求項6に記載の発明は、圧電基板上に少
なくともインターデジタルトランスデューサ電極と、こ
のインターデジタルトランスデューサ電極に接続した接
続電極とを形成して弾性表面波素子を得る第1工程と、
次に前記接続電極上に第1のバンプを作製する第2工程
と、次いで内部底面に外部接続用電極及びこの外部接続
用電極上に設けた第2のバンプを有するパッケージ内に
前記弾性表面波素子を前記第1及び第2のバンプが接触
するように位置合せし、前記圧電基板上から加圧すると
共に超音波を当てて前記第1のバンプと前記第2のバン
プとを接合する第3工程と、次に前記パッケージ開口部
をリッドで封止する第4工程とを備えた弾性表面波デバ
イスの製造方法であり、リフロー等の熱応力による接続
電極からバンプが剥離するのを防止できる弾性表面波デ
バイスを得ることができる。According to a sixth aspect of the present invention, a first step of forming at least an interdigital transducer electrode on a piezoelectric substrate and a connection electrode connected to the interdigital transducer electrode to obtain a surface acoustic wave element;
Next, a second step of forming a first bump on the connection electrode, and then forming the surface acoustic wave in a package having an external connection electrode on the inner bottom surface and a second bump provided on the external connection electrode A third step of aligning the element so that the first and second bumps are in contact with each other, applying pressure from above the piezoelectric substrate, and applying ultrasonic waves to join the first and second bumps; And a fourth step of sealing the package opening with a lid, the method comprising the steps of: (a) forming a surface acoustic wave device; and (b) removing a bump from a connection electrode due to thermal stress such as reflow. A wave device can be obtained.
【0016】請求項7に記載の発明は、第1のバンプよ
り第2のバンプを大きくする請求項6に記載の弾性表面
波デバイスの製造方法であり、第1のバンプと第2のバ
ンプとを確実に接合できるものである。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the sixth aspect, wherein the second bump is made larger than the first bump. Can be securely joined.
【0017】請求項8に記載の発明は、第2のバンプの
表面を平面とする請求項6に記載の弾性表面波デバイス
の製造方法であり、第1のバンプと第2のバンプとの接
合を容易に行うことができる。According to an eighth aspect of the present invention, there is provided the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the sixth aspect, wherein the surface of the second bump is a flat surface, and the first bump and the second bump are joined. Can be easily performed.
【0018】以下本発明の実施の形態について図面を参
照しながら説明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0019】図1は本発明の実施の形態1における弾性
表面波デバイスの断面図、図2は図1の要部拡大断面
図、図3(a)〜(c)は実施の形態1におけるバンプ
形成工程を説明するための断面図、図4は実施の形態1
におけるバンプと外部接続用電極との接合を説明するた
めの断面図、図5は本発明の実施の形態2における弾性
表面波デバイスの断面図、図6は図5の要部拡大断面
図、図7(a)、(b)は実施の形態2におけるバンプ
形成工程を説明するための断面図、図8は実施の形態2
におけるバンプと外部接続用電極との接合を説明するた
めの断面図であり、10は弾性表面波素子、11は圧電
基板、12はインターデジタルトランスデューサ電極、
13は接続電極、14は第1のバンプ、15は第2のバ
ンプ、16はパッケージ、17は外部接続用電極、18
はリッド、19は半田、20はバンプ表面を平面状にす
るためのバンプレベラー、21は超音波と圧力をかける
ためのUS(Ultrasonic)ツールである。FIG. 1 is a cross-sectional view of a surface acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of an essential part of FIG. 1, and FIGS. FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a forming process, and FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a surface acoustic wave device according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part of FIG. 7 (a) and 7 (b) are cross-sectional views for explaining a bump forming step in the second embodiment, and FIG.
10 is a cross-sectional view for explaining the bonding between the bumps and the external connection electrodes in FIG. 10, 10 is a surface acoustic wave element, 11 is a piezoelectric substrate, 12 is an interdigital transducer electrode,
13 is a connection electrode, 14 is a first bump, 15 is a second bump, 16 is a package, 17 is an external connection electrode, 18
Is a lid, 19 is solder, 20 is a bump leveler for flattening the bump surface, and 21 is a US (Ultrasonic) tool for applying ultrasonic waves and pressure.
【0020】(実施の形態1)まず、圧電基板11の表
面上にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いて
入、出力のインターデジタルトランスデューサ電極12
及びこのインターデジタルトランスデューサ電極12に
電気的に接続する接続電極13を形成し、弾性表面波素
子10を得る。(Embodiment 1) First, an interdigital transducer electrode 12 which is input and output on the surface of a piezoelectric substrate 11 using aluminum or an aluminum alloy.
Then, the connection electrode 13 electrically connected to the interdigital transducer electrode 12 is formed, and the surface acoustic wave device 10 is obtained.
【0021】次に図3(a)に示すように中心部に金線
を設けたボンディングツールを用いて弾性表面波素子1
0の接続電極13上に第1のバンプ14を形成する。次
いで、図3(b)に示すようにこの第1のバンプ14の
表面をバンプレベラー20で平面状にした後、図3
(c)に示すようにこの上に第2のバンプ15を形成す
る。ここで第1及び第2のバンプ14,15とも金ある
いは金合金を用いて形成したものである。またこの時図
2に示すように第1のバンプ14を第2のバンプ15よ
りも大きく形成することにより、第2のバンプ15の形
成位置が多少位置ずれを起こしたとしても、確実にかつ
十分な接合強度で第1のバンプ14上に第2のバンプ1
5を形成することができる。Next, as shown in FIG. 3A, a surface acoustic wave device 1 is formed by using a bonding tool having a gold wire provided at the center.
The first bumps 14 are formed on the 0 connection electrodes 13. Next, as shown in FIG. 3B, the surface of the first bump 14 is made flat by a bump leveler 20.
As shown in (c), a second bump 15 is formed thereon. Here, both the first and second bumps 14 and 15 are formed using gold or a gold alloy. At this time, by forming the first bumps 14 larger than the second bumps 15 as shown in FIG. 2, even if the formation positions of the second bumps 15 are slightly displaced, they can be reliably and sufficiently formed. The second bump 1 is formed on the first bump 14 with a high bonding strength.
5 can be formed.
【0022】次いでパッケージ16の内部底面に設けた
外部接続用電極17に第2のバンプ15の先端が接触す
るように位置合せする。この外部接続用電極17も金あ
るいは金合金を用いて形成したものである。Next, alignment is performed so that the tip of the second bump 15 contacts the external connection electrode 17 provided on the inner bottom surface of the package 16. The external connection electrode 17 is also formed using gold or a gold alloy.
【0023】次に、圧電基板11の裏面からUSツール
21で加圧後、超音波をかけるとともに、徐々に加圧力
を大きくしていく。このようにすることにより、第2の
バンプ15の先端部分が軟化し、外部接続用電極17と
金属間化合物を形成していき、両者の結合強度が十分確
保された段階で超音波接合を終了する。Next, after applying pressure from the back surface of the piezoelectric substrate 11 with the US tool 21, ultrasonic waves are applied and the pressing force is gradually increased. By doing so, the tip portion of the second bump 15 is softened to form an intermetallic compound with the external connection electrode 17, and the ultrasonic bonding is terminated when the bonding strength between the two is sufficiently ensured. I do.
【0024】その後パッケージ16の開口部を半田19
を用いてリッド18で封止して図1に示す弾性表面波デ
バイスを得る。Thereafter, the opening of the package 16 is
The surface acoustic wave device shown in FIG.
【0025】このようにして得た弾性表面波デバイス
は、従来と比較して大型化すること無くバンプの高さが
高いので、この弾性表面波デバイスを実装する時などの
リフロー等の熱応力により、接続電極13から第1のバ
ンプ14が剥離するのを防止できるので、長期信頼性に
優れたものとなる。The surface acoustic wave device obtained in this way has a higher bump height without increasing the size as compared with the prior art. Therefore, the surface acoustic wave device is subject to thermal stress such as reflow when mounting the surface acoustic wave device. In addition, since the first bumps 14 can be prevented from peeling off from the connection electrodes 13, the long-term reliability is excellent.
【0026】なお、弾性表面波素子10をパッケージ1
6に実装する際の超音波接合時に、たわみ振動により第
1及び第2のバンプ14,15及び弾性表面波素子10
が、第2のバンプ15と外部接続用電極17との接合部
を支点として水平方向に往復運動をすることとなる。そ
のため第1のバンプ14と接続電極13との接合部に応
力がかかることとなるのであるが、本発明においてはバ
ンプ全体の高さを高くしたことにより、この応力を緩和
できるため、弾性表面波素子10にクラックが発生する
ことも防止できる。Note that the surface acoustic wave element 10 is
6, the first and second bumps 14 and 15 and the surface acoustic wave element 10 are flexibly vibrated during ultrasonic bonding.
However, the reciprocating motion is performed in the horizontal direction with the joint between the second bump 15 and the external connection electrode 17 as a fulcrum. For this reason, stress is applied to the joint between the first bump 14 and the connection electrode 13. In the present invention, by increasing the overall height of the bump, this stress can be alleviated. The occurrence of cracks in the element 10 can also be prevented.
【0027】(実施の形態2)まず、実施の形態1と同
様にして圧電基板11の表面上にアルミニウムあるいは
アルミニウム合金を用いて入、出力のインターデジタル
トランスデューサ電極12及びこのインターデジタルト
ランスデューサ電極12に電気的に接続する接続電極1
3を形成し、弾性表面波素子10を得る。(Embodiment 2) First, in the same manner as in Embodiment 1, aluminum or an aluminum alloy is used to enter and output the interdigital transducer electrode 12 and the interdigital transducer electrode 12 on the surface of the piezoelectric substrate 11. Connection electrode 1 for electrical connection
3 is formed, and the surface acoustic wave device 10 is obtained.
【0028】次に図7(a)に示すように弾性表面波素
子10の接続電極13上に第1のバンプ14を形成す
る。また図7(b)に示すようにパッケージ16の内部
底面に設けた外部接続用電極17上に第2のバンプ15
を作製し、この表面をバンプレベラー20で平面状にす
る。その後、図8に示すように第2のバンプ15上に第
1のバンプ14を位置合わせして、圧電基板11の裏面
からUSツール21で加圧後、超音波をかけるととも
に、徐々に加圧力を大きくしていく。このようにするこ
とにより、第1及び第2のバンプ14,15の接触部分
が軟化し、両者の間で金属間化合物を形成していき、両
者の結合強度が十分確保された段階で超音波接合を終了
する。Next, as shown in FIG. 7A, a first bump 14 is formed on the connection electrode 13 of the surface acoustic wave device 10. As shown in FIG. 7B, a second bump 15 is formed on an external connection electrode 17 provided on the inner bottom surface of the package 16.
The surface is made flat by the bump leveler 20. Thereafter, as shown in FIG. 8, the first bumps 14 are positioned on the second bumps 15 and pressurized by the US tool 21 from the back surface of the piezoelectric substrate 11, and then, while applying ultrasonic waves, the pressing force is gradually increased. To increase. By doing so, the contact portion between the first and second bumps 14 and 15 is softened, an intermetallic compound is formed between the two, and the ultrasonic wave is formed when the bonding strength between the two is sufficiently ensured. End the joining.
【0029】ここで第1及び第2のバンプ14,15と
も金あるいは金合金を用いて形成したものである。また
図6に示すように第2のバンプ15を第1のバンプ14
よりも大きく形成することにより、第1のバンプ14を
第2のバンプ15上に位置合わせする際多少位置ずれを
起こしたとしても、確実にかつ十分な接合強度で第1の
バンプ14と第2のバンプ15とを接合することができ
る。外部接続用電極17も金あるいは金合金を用いて形
成したものである。Here, both the first and second bumps 14 and 15 are formed using gold or a gold alloy. Also, as shown in FIG. 6, the second bump 15 is
By forming the first bump 14 larger than the first bump 14, the first bump 14 and the second bump 15 can be reliably and sufficiently bonded even if the first bump 14 is slightly misaligned on the second bump 15. And the bumps 15 can be bonded. The external connection electrode 17 is also formed using gold or a gold alloy.
【0030】その後パッケージ16の開口部を半田19
を用いてリッド18で封止して図5、図6に示す弾性表
面波デバイスを得る。Thereafter, the opening of the package 16 is
The surface acoustic wave device shown in FIG. 5 and FIG.
【0031】本実施の形態2の弾性表面波デバイスも実
施の形態1の弾性表面波デバイスと同様に従来と比較し
て大型化すること無くバンプの高さが高いので、この弾
性表面波デバイスを実装する時などのリフロー等の熱応
力により、接続電極13から第1のバンプ14が剥離す
るのを防止できるので、長期信頼性に優れたものとな
る。The surface acoustic wave device according to the second embodiment also has the same height as the surface acoustic wave device according to the first embodiment without increasing the size of the bump as compared with the prior art. Since the first bump 14 can be prevented from peeling off from the connection electrode 13 due to thermal stress such as reflow at the time of mounting or the like, long-term reliability is excellent.
【0032】以下本発明のポイントについて記載する。Hereinafter, the points of the present invention will be described.
【0033】(1)接続電極13は、上記実施の形態に
おいてはアルミニウムを用いて形成したが、第1のバン
プ14との結合をより強固なものとするために、第1の
バンプ14を形成する金属で形成するか、あるいは接続
電極13の表面を第1のバンプ14を形成する金属で被
覆することが望ましい。(1) Although the connection electrodes 13 are formed using aluminum in the above embodiment, the first bumps 14 are formed in order to make the connection with the first bumps 14 stronger. It is preferable that the first electrode 14 be covered with a metal that forms the first bump 14.
【0034】(2)外部接続用電極17は第2のバンプ
15と同じ金を用いて形成したが、第2のバンプ15と
異なる金属を用いて形成する場合は、接合強度を確保す
るためにその表面を第2のバンプ15と同じ金属で被覆
することが望ましい。(2) The external connection electrode 17 is formed by using the same gold as the second bump 15. However, when the external connection electrode 17 is formed by using a metal different from the second bump 15, it is necessary to secure the bonding strength. It is desirable that the surface be covered with the same metal as the second bump 15.
【0035】(3)第1のバンプ14と第2のバンプ1
5は、十分な接合強度を得るため同じ金属で形成するこ
とが好ましい。(3) First bump 14 and second bump 1
5 is preferably formed of the same metal in order to obtain a sufficient bonding strength.
【0036】(4)実施の形態1においては第1のバン
プの表面を平面状にしてから第2のバンプ15を形成
し、実施の形態2においては第2のバンプ15の表面を
平面状にしてから第1のバンプ14を接合した。このよ
うに両者を接合する前に、一方のバンプの表面を平面に
することにより、実施の形態1においては第2のバンプ
15を所望の形状に作製しやすく、実施の形態2におい
ては第1のバンプ14と第2のバンプ15との接合がし
やすくなる。しかしながら必ずしも一方のバンプ表面を
平面状にする必要はない。(4) In the first embodiment, the surface of the first bump is made flat, and then the second bump 15 is formed. In the second embodiment, the surface of the second bump 15 is made flat. After that, the first bumps 14 were bonded. By making the surface of one of the bumps flat before joining the two in this way, the second bump 15 can be easily formed into a desired shape in the first embodiment, and the first bump 15 in the second embodiment. Bonding between the second bump 15 and the second bump 15 becomes easier. However, it is not always necessary to make one bump surface flat.
【0037】[0037]
【発明の効果】以上本発明によると、例えパッケージと
弾性表面波素子との熱膨張係数が異なっていたとして
も、接続電極即ち弾性表面波デバイスを大型化すること
無く、熱応力によるバンプの接続電極からの剥離を防止
できる弾性表面波デバイスを提供することができる。As described above, according to the present invention, even if the thermal expansion coefficient of the package differs from that of the surface acoustic wave element, the bumps can be connected by the thermal stress without increasing the size of the connection electrode, that is, the surface acoustic wave device. It is possible to provide a surface acoustic wave device capable of preventing separation from an electrode.
【図1】本発明の実施の形態1における弾性表面波デバ
イスの断面図FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
【図2】図1の要部拡大断面図FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of FIG.
【図3】(a)本発明の実施の形態1におけるバンプ形
成を説明するための断面図 (b)本発明の実施の形態1におけるバンプ形成を説明
するための断面図 (c)本発明の実施の形態1におけるバンプ形成を説明
するための断面図FIG. 3A is a cross-sectional view illustrating the formation of a bump according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating the formation of a bump according to the first embodiment of the present invention. Sectional view for explaining bump formation in Embodiment 1.
【図4】本発明の実施の形態1におけるバンプと外部接
続用電極との接合を説明するための断面図FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining bonding between the bump and the external connection electrode according to the first embodiment of the present invention.
【図5】本発明の実施の形態2に示す弾性表面波デバイ
スの断面図FIG. 5 is a sectional view of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
【図6】図5の要部拡大断面図FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part of FIG. 5;
【図7】(a)本発明の実施の形態2におけるバンプ形
成工程を説明するための断面図 (b)本発明の実施の形態2におけるバンプ形成工程を
説明するための断面図FIG. 7A is a cross-sectional view illustrating a bump forming step according to a second embodiment of the present invention. FIG. 7B is a cross-sectional view illustrating a bump forming step according to the second embodiment of the present invention.
【図8】本発明の実施の形態2におけるバンプと外部接
続用電極との接合を説明するための断面図FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining bonding between a bump and an electrode for external connection according to a second embodiment of the present invention.
【図9】従来の弾性表面波デバイスの断面図FIG. 9 is a sectional view of a conventional surface acoustic wave device.
10 弾性表面波素子 11 圧電基板 12 インターデジタルトランスデューサ電極 13 接続電極 14 第1のバンプ 15 第2のバンプ 16 パッケージ 17 外部接続用電極 18 リッド 19 半田 20 バンプレベラー 21 USツール DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Surface acoustic wave element 11 Piezoelectric substrate 12 Interdigital transducer electrode 13 Connection electrode 14 First bump 15 Second bump 16 Package 17 External connection electrode 18 Lid 19 Solder 20 Bump leveler 21 US tool
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/92 602G ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/92 602G
Claims (8)
ケージと、このパッケージ内に収納した弾性表面波素子
と、前記パッケージの開口部を封止したリッドとを備
え、前記弾性表面波素子と外部接続用電極とをバンプを
介して電気的に接続すると共に、前記バンプは少なくと
も二段構造とした弾性表面波デバイス。1. A package having an external connection electrode on an inner bottom surface, a surface acoustic wave element housed in the package, and a lid sealing an opening of the package. A surface acoustic wave device in which a connection electrode is electrically connected via a bump and the bump has at least a two-stage structure.
素子側よりも柔らかくした請求項1に記載の弾性表面波
デバイス。2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the bumps are softer on the package side than on the surface acoustic wave element side.
ルトランスデューサ電極と、このインターデジタルトラ
ンスデューサ電極に接続した接続電極とを形成して弾性
表面波素子を得る第1工程と、次に前記接続電極上に第
1のバンプを作製する第2工程と、次いで前記第1のバ
ンプ上に第2のバンプを作製する第3工程と、その後内
部底面に外部接続用電極を有するパッケージ内に前記弾
性表面波素子を前記第2のバンプを前記外部接続用電極
に位置合せし、前記圧電基板上から加圧すると共に超音
波を当てて前記外部接続用電極と前記第2のバンプとを
接合する第4工程と、次に前記パッケージ開口部をリッ
ドで封止する第5工程とを備えた弾性表面波デバイスの
製造方法。3. A first step of forming at least an interdigital transducer electrode on a piezoelectric substrate and a connection electrode connected to the interdigital transducer electrode to obtain a surface acoustic wave element, and then forming a first step on the connection electrode. A second step of forming a first bump, a third step of forming a second bump on the first bump, and then mounting the surface acoustic wave element in a package having an external connection electrode on an inner bottom surface. A fourth step of aligning the second bump with the external connection electrode, applying pressure and applying ultrasonic waves from above the piezoelectric substrate to join the external connection electrode and the second bump, and And a fifth step of sealing the package opening with a lid.
する請求項3に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。4. The method according to claim 3, wherein the second bump is smaller than the first bump.
の表面を平面にする工程を設ける請求項3に記載の弾性
表面波デバイスの製造方法。5. The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 3, wherein a step of flattening the surface of the first bump is provided after the second step and before the third step.
ルトランスデューサ電極と、このインターデジタルトラ
ンスデューサ電極に接続した接続電極とを形成して弾性
表面波素子を得る第1工程と、次に前記接続電極上に第
1のバンプを作製する第2工程と、次いで内部底面に外
部接続用電極及びこの外部接続用電極上に設けた第2の
バンプを有するパッケージ内に前記弾性表面波素子を前
記第1及び第2のバンプが接触するように位置合せし、
前記圧電基板上から加圧すると共に超音波を当てて前記
第1のバンプと前記第2のバンプとを接合する第3工程
と、次に前記パッケージ開口部をリッドで封止する第4
工程とを備えた弾性表面波デバイスの製造方法。6. A first step of forming at least an interdigital transducer electrode on a piezoelectric substrate and a connection electrode connected to the interdigital transducer electrode to obtain a surface acoustic wave element, and then forming a first step on the connection electrode. A second step of producing the first bump, and then mounting the surface acoustic wave element in a package having an external connection electrode on the inner bottom surface and a second bump provided on the external connection electrode. Align the bumps so that they touch,
A third step of applying pressure and applying ultrasonic waves from above the piezoelectric substrate to join the first bump and the second bump, and a fourth step of sealing the package opening with a lid.
And a method for manufacturing a surface acoustic wave device.
する請求項6に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。7. The method according to claim 6, wherein the second bump is larger than the first bump.
6に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。8. The method according to claim 6, wherein the surface of the second bump is a flat surface.
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| CN119133134A (en) * | 2024-08-08 | 2024-12-13 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | A radio frequency chip flip-chip interconnection structure and preparation method |
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- 2000-04-12 JP JP2000110268A patent/JP2001298342A/en active Pending
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