JP2001298144A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一体に形成した複数の半導体装置を分離する
際に、金属と樹脂との接合面に亀裂の生じるのを防止
し、切断に用いるブレードの目づまりを防止する。 【解決手段】 個々の半導体装置に用いられるアイラン
ド或いはリードの組を行列状に複数組設け、行方向に隣
接するアイランド或いはリードを連続させて一体に形成
したリードフレームを用意し、前記夫々の半導体素子と
前記リードとを電気的に接続し、半導体素子、アイラン
ド及びリードを封止する前記封止体を、列毎に複数を一
体に一つのキャビティとして樹脂モールドし、前記封止
体の列間の樹脂及びリードフレームをプレス切断し、前
記封止体の行間のキャビティをブレード切断して個別の
半導体装置に分離して、封止体底面にて露出し半導体装
置の外部端子となるアイランド或いはリードの外端部
が、前記封止体の相対する２側面に露出し、前記２側面
と直交する他の２側面には露出していない構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特に、底面端子型の半導体装置に適
用して有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路装置では、微細化の進展
によって、より多くの回路を単一の半導体チップに搭載
する高集積化が進められている。しかしながら、半導体
集積回路を構成する全ての素子を単一チップに集積した
場合には、モデルチェンジ等に伴う些細な仕様変更の度
に、集積回路の再設計を行なうこととなり、迅速な対応
が困難となる。そこで、こうした軽微な変更に対応する
ために、トランジスタ等回路素子の一部を集積化せずに
実装基板上で半導体集積回路に外付けする構成とし、こ
の外付けする回路素子を変えることによって、同一の半
導体集積回路装置を用いたままで軽微な変更に対応する
方法が採用されている。

【０００３】そして、半導体分野においては、顧客実装
面積・容積縮小を目的とした個別半導体装置の薄型化・
小型化が常に求められている。こうした単体の回路素子
にも小型化が求められており、例えば単体のトランジス
タでは、顧客要求により外形寸法１００６（平面形状１
ｍｍ×０．６ｍｍ）、或いは外形寸法０８０４（平面形
状０．８ｍｍ×０．４ｍｍ）といった微小な半導体装置
が求められている。

【０００４】こうした半導体装置を製造する方法として
は、例えば、特開平１１‐１０２９２４号公報に、セラ
ミック又はガラスエポキシ樹脂の基板を用い、トランス
ファーモールド方式またはポッティング方式によって樹
脂封止を行ない、封止後にダイシングにより切断・分離
して個別の半導体装置を形成する技術が記載されてい
る。

【０００５】この技術では、半導体装置は、多層のセラ
ミック基板の上面に形成された搭載部に、半導体素子の
ダイボンディングを行い、半導体素子の電極パッドとセ
ラミック基板の電極端子とをボンディングワイヤにより
接続し、前記電極端子が基板の底面に形成された外部端
子と基板の内部配線によって接続され、半導体素子、基
板の上面及び内側面、ボンディングワイヤを樹脂を用い
た封止体によって封止してある。

【０００６】この半導体装置の製造方法では、複数の半
導体装置の基板が行列状に複数連続して形成されてお
り、個々の半導体装置のダイボンディング・ワイヤボン
ディングが行なわれた後に、基板上面の複数の半導体素
子及びボンディングワイヤ等を樹脂により一括して封止
した後、ダイシングを用いて夫々切断し個別半導体装置
を形成する。

【０００７】この技術では、モールド時のゲート寸法に
係らず、個別半導体の外形寸法の縮小が可能となる。し
かし、セラミック基板のコストが従来のＣｕ、４２アロ
イ等を材料としたリードフレームに比べて高価であり、
加えて基板表面には、金等の高価なメッキを導体として
施さなければならないので製造原価が上昇する。また、
セラミックは焼結材料の為、セラミック基板の焼成工程
にて、焼成後の収縮誤差及び反りの問題が生じ、基板の
歩留まり向上に限界がある等のデメリットが有り、更
に、この結果、基板不具合部に不良処置（マーキング
等）を施し、ダイボンディング時には不良部分にダイボ
ンドを行なわないように工夫する等の処理が増加するこ
ととなる。

【０００８】また、セラミック基板を用いた場合、セラ
ミックが脆性をもっているために、上下金型により挟持
しクランプ圧力を付加した時点で、若干の基板の反りに
よっても破損するおそれがあるので、従来方式である金
型を用いたスルーモールド方式の採用は困難であり、レ
ジンを塗布する等の別方法を用いる必要がある。レジン
を塗布する場合、塗布の厚み及び平坦度の制御が難しく
なる等の問題点が残っている。更に、基板上面を一括し
て樹脂封止する為、樹脂の収縮作用により分割前に大き
な反りを生ずる。更には、ダイシング方法等に依って切
削切断したパッケージの側面（セラミックと樹脂との接
合界面）より水分が進入し、完成品の長期信頼性に影響
を及ぼす可能性が有る等の問題点が、発明者等により明
らかとなった。

【０００９】他に、例えば特開平１０‐３１３０８２公
報には、リードフレームに複数の半導体素子を搭載し、
トランスファーモールド方式又はポッティング方式を用
いて一括樹脂封止し、ダイシングによって個別の半導体
装置に切断・分離する方法が開示されている。

【００１０】しかしながらこの方法では、基板上面を一
括して樹脂封止する為、比較的広い面積を１つのキャビ
ティとして封止することとなり、封止後に樹脂が硬化す
る際の収縮作用による応力によって、樹脂の分割前に大
きな大きな反りやねじれが生じてしまう。加えて、半導
体素子の搭載されるアイランド下面及びリード電極下面
が、半導体装置下面に露出する為、個別半導体装置の封
止体としては封止体下面部の絶縁範囲を広くすることが
難しい。その結果として、実装基板の回路設計時にアイ
ランド下面及びリード電極下面と配線との電気的ショー
トを回避する配慮が必要となる。半導体装置の下に位置
する基板領域に配線を通すことが難しくなり、回路設計
の自由度が低下する。また、搭載する半導体素子がパッ
ケージ寸法に近くなるに連れて、アイランド寸法を大き
くする必要があり、アイランド部とリード電極との距離
を十分に確保することが次第に困難となる。

【００１１】更に、前記半導体装置外形の一部は、封止
体の絶縁材料が硬化した後に切断された面によって構成
されるため、切断面からの水分の進入による個別半導体
装置の封止信頼性低下という問題が残っている。また、
個別半導体装置に切断する際の作業性及び切断精度に関
して充分な検討が為されていない等の問題点も有る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】こうした問題点を踏ま
えて、本発明者等は、個々の半導体装置に用いられるア
イランド或いはリードの組を複数組一体に形成したリー
ドフレームに、複数の半導体素子のダイボンディングを
行ない、複数の半導体素子を列毎に一つのキャビティと
して一体に封止体をモールドし、前記キャビティ及びリ
ードフレームを切断して、個別の半導体装置に分離する
技術を発明し、特願平１１‐１９９８９７号として出願
した。

【００１３】この技術では、個別の半導体装置に分離す
る際に、キャビティの樹脂とリードフレームの金属をダ
イシングブレードを用いて同時に切断しているが、切断
時の応力によって金属と樹脂との接合面に亀裂の生じる
ことがある。この亀裂が大きい場合には半導体素子の接
合界面又はワイヤボンディング接合部に達し不良品とな
り、亀裂が小さい場合にも温度サイクル・吸湿等の影響
によって経時的に半導体装置の信頼性を低下させること
がある。

【００１４】また、ダイシングブレードによって金属を
切断する場合には、特に銅等の比較的軟らかい金属の場
合には、切断面にダレと通称される上下方向への変形が
生じ、この変形が底面に設けられる外部電極の端部に生
じた場合には、電極面の平坦度が低下し、実装不良を生
じることがある。

【００１５】また、用いるブレードは樹脂と金属とを併
せて切断するのでブレードを何れかに最適化することが
できないため、銅等の比較的軟らかい金属をリードフレ
ームに用いた場合等には、この切断の際にブレードに金
属の目づまりが生じることがあり、場合によっては、こ
うした目づまりによって分離工程の進捗が影響を受ける
ことがある。

【００１６】本発明の課題は、こうした問題を解決し、
微小な半導体装置の封止体を比較的容易に低コストで行
ない得る技術の更なる信頼性及び生産性の向上を図るこ
とにある。

【００１７】本発明の前記ならびにその他の課題と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。

【００１９】アイランドに固定した半導体素子とリード
とを接続し封止体によって封止した半導体装置におい
て、前記アイランド或いはリードが封止体底面にて露出
して半導体装置の外部端子となり、このアイランド或い
はリードの外端部が、前記封止体の相対する２側面に露
出し、前記２側面と直交する他の２側面には露出してい
ない構成とする。

【００２０】また、その製造方法では、個々の半導体装
置に用いられるアイランド或いはリードの組を行列状に
複数組設け、行方向に隣接するアイランド或いはリード
を連続させて一体に形成したリードフレームを用意し、
このリードフレームの各アイランドに夫々半導体素子の
ダイボンディングを行ない、前記夫々の半導体素子と前
記リードとを電気的に接続し、半導体素子、アイランド
及びリードを封止する前記封止体を、列毎に複数を一体
に一つのキャビティとして樹脂モールドし、前記封止体
の列間の樹脂及びリードフレームをプレス切断し、前記
封止体の行間のキャビティをブレード切断して個別の半
導体装置に分離する。

【００２１】かかる本発明によれば、半導体素子寸法に
近似した半導体装置（ＣＳＰ：チップサイズパッケー
ジ）に関し、個別半導体素子搭載基板として金属材料を
用いたリードフレームの使用が可能となり、セラミック
基板を用いた場合より安価に製造することができる。

【００２２】また、半導体装置下面に、絶縁層を樹脂モ
ールド方法により形成したことにより、実装基板上に形
成された回路配線との電気的短絡を防止することができ
る。

【００２３】また、リードフレームをプレス切断するの
で、前記ダイシングによるダレの発生を防止することが
できるので、実装不良の発生を防止することができる。

【００２４】更に、ブレードを用いた切断では樹脂のみ
を切断するので、用いるブレードを樹脂の切断に最適化
することが可能となり、切断を円滑に進捗させることが
できる。

【００２５】加えて、複数の半導体素子を列毎に一つの
キャビティとして樹脂封止することによって、熱または
樹脂の収縮作用による反りを防止しつつ、仕上がり寸法
精度の良い個別半導体装置を提供することが可能とな
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。なお、実施の形態を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００２７】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態である半導体装置を封止体を透過して示す斜視図で
あり、図２は本発明の一実施の形態である半導体装置を
示す斜視図及びその底面の投影図である。

【００２８】本実施の形態の半導体装置では、単結晶シ
リコン等の半導体基板にＦＥＴ等の所定の素子を形成し
た半導体素子１を、例えば金等のロー材によってアイラ
ンド２に固定し、半導体素子１とリード３とをボンディ
ングワイヤ４によって接続してある。半導体素子１をダ
イボンディングするアイランド２には下面部内方及び外
方に凹部が設けられ、リード３には下面部外方に凹部が
設けられている。

【００２９】半導体素子１、アイランド２、リード３の
上面及び側面、ボンディングワイヤ４は、例えばエポキ
シ樹脂にフィラを混入させた封止樹脂を用いた封止体５
によって封止され、前記下面部の凹部も封止体５によっ
て覆われており、アイランド２及びリード３の外端部の
下面或いは角部には凹部が設けられている。アイランド
２の上面と半導体素子１の裏面電極とは導電性の接続が
されており、アイランド２の下面及びリード３の下面が
封止体５の底面から選択的に露出して半導体装置の外部
電極となる。

【００３０】封止体５の短手方向に沿った側面（以下、
短側面という）下部にはわずかに張出した平坦部５ａが
形成されており、この平坦部５ａではアイランド２及び
リード３の端部上面及び外端部が露出しているが、アイ
ランド２或いはリード３の端部は、封止体５の長手方向
に沿った側面（以下、長側面という）には露出していな
い。

【００３１】封止体５から露出して外部電極となるアイ
ランド２の部分及びリード３の部分の厚さは、封止体５
から露出しないアイランド２の部分及びリード３の部分
の厚さよりも厚い構造となっており、アイランド２の下
面内方に凹部を形成し、樹脂封止を行うことによって半
導体装置の下面部電極間の絶縁層を広げることが可能と
なり、実装基板の回路配線との電気的短絡防止ができ
る。この結果、半導体装置実装基板設計時、パッケージ
下面絶縁部に回路配線を配置することが可能となり、実
装基板の縮小化に寄与することができる。

【００３２】また、アイランド２とリード３との下面部
外方に凹部を設け、外端の下面を夫々内側に後退させる
ことによって、半導体装置の底面では、アイランド２及
びリード３の電極として機能する露出面が封止体５と同
一平面となり、かつその周囲が封止体５によって囲まれ
ている。このため外部電極はアイランド２及びリード３
の露出面に施されたメッキの厚さ分周囲の封止体５から
均等に浮き出た形状となり、ハンダ付け等による実装基
板への実装を確実に行なうことができる。

【００３３】続いて、本実施の形態の半導体装置の製造
方法について、図３乃至図１４を用いて説明する。

【００３４】図３は本実施の形態の半導体装置の製造に
用いられるリードフレームを示す平面図であり、図４は
図３中のａ部を拡大して示す平面図及び縦断面図であ
る。リードフレーム６には、図４中に破線にて示す封止
体５形成領域毎に、個別の半導体装置となる夫々のアイ
ランド２及びリード３が、行列状に連続的に形成してあ
る。夫々のアイランド２及びリード３は、行方向にアイ
ランド２とリード３とが交互に配置され、列方向には隣
接する封止領域間にて即ち封止領域外で連結されてい
る。

【００３５】リードフレーム６としては、銅系または鉄
系の材料を用いるので、多層セラミック基板を用いる場
合に比べて、半導体素子寸法に近似した半導体装置の材
料費を抑制することができる。

【００３６】先ず、リードフレーム６のアイランド２上
に半導体素子１が適切な接合ロー材によってダイボンデ
ィングされる。この際、リードフレーム下面のアイラン
ド２の凹部に対応させて凹凸を設けたヒートブロックに
よって接触加熱されることによってリードフレーム６は
適切な接合温度条件下に保持される。ダイボンディング
後、ボンディングワイヤ４により半導体素子１の電極パ
ッドとリード３の上面とを電気的に接続するワイヤボン
ディングを行なう。このダイボンディング及びワイヤボ
ンディング作業はリードフレーム６に配置した全てのア
イランド２及びリード３に対して施される。

【００３７】こうしてダイボンディング及びワイヤボン
ディングを完了したリードフレーム６をトランスファー
モールド装置の下金型にセットし、その後、上金型によ
りリードフレーム６を挟み込み、封止樹脂を注入し、各
列を夫々一つのキャビティ７として、その列に並ぶ複数
の半導体素子１を一体に封止する樹脂封止を行なう。

【００３８】この樹脂封止では、リードフレーム６下面
の凹部にも樹脂が十分に充填される様に行い、この凹部
に充填された封止樹脂は、個別半導体装置に分割した後
は、半導体装置底面の絶縁層の役割を果たす。各キャビ
ティ７に充填した半導体封止用樹脂を硬化させた後、次
工程前に不要な樹脂部分であるランナ７ａ及びゲート７
ｂを切除する。この状態の平面図を図５に示し、図５中
のａ部を拡大した平面図及び縦断面図を図６に、斜視図
を図７に示す。なお、図５中ではキャビティ７、ランナ
７ａ及びゲート７ｂ以外の樹脂が充填される部分に斜線
を付してある。

【００３９】本実施の形態では一列に並んだ複数の封止
体５を列毎に一つのキャビティ７として樹脂封止するこ
とによって、封止樹脂の硬化時に生ずる収縮に影響され
て、リードフレーム６が行方向に湾曲或いは反って、全
体が変形するのを防止することができる。この結果、リ
ードフレーム６の大型化が可能となり、取得数を増やす
ことができる。なお、キャビティ７列間にキャビティ７
と平行にリードフレームの略全幅にわたってスリットを
設けることによって、熱応力或いは封止後の樹脂硬化の
過程において生じるレジン収縮等の変形を抑制すること
も可能である。

【００４０】また、例えば一つの列に形成される半導体
装置の数が多いためにキャビティ７が長くなると列方向
にレジンの反りが生じる場合がある。そうした場合に
は、キャビティ７を列方向に分割する。即ち、複数の半
導体装置を列毎に樹脂封止するキャビティ７を列方向に
複数形成する構成とすることも可能である。

【００４１】次に、アイランド２及びリード３のキャビ
ティ７から露出する部分が半導体装置の外部電極となる
リードフレーム６下面にハンダ等のメッキを施す。この
メッキに先立って液体ホーニング等の処理によるメッキ
付着面に付着した樹脂等の異物の除去を行う。この浄化
処理によって封止体５とリードフレーム６との間に隙間
が生じることがある。また、リードフレーム６を、予め
パラジウムメッキ等の方法を用いて比較的軟質な材料で
予め覆っておくことも可能であり、このような処理を施
すことによって、この軟質材料が謂わばパッキングとし
て機能し、モールド時に樹脂が外部電極面へ付着するの
を防止することができる。このパラジウムメッキ等の方
法を用いれば、前記異物除去処理を省略することが可能
であり、封止体５とリードフレーム６との間に前記異物
除去処理によって隙間が生じるのを防止することができ
る。

【００４２】更に、基板実装の際のハンダ付け性を向上
させるため、外部電極面にハンダメッキ等のメッキ処理
を行なう。前記のように予めリードフレームにパラジウ
ム等がメッキされている場合には、パラジウムメッキが
ハンダ付け性に優れているため、外部電極面のハンダ等
のメッキ処理を省略して、工程数を削減することも可能
である。なお最近では、パラジウムメッキのハンダ付け
性を更に高めるため、パラジウムメッキ表面に金をフラ
ッシュ処理する場合もある。

【００４３】次工程にて、封止樹脂表面等に製品名等を
刻印（マーキング）した後に、列毎に一つのキャビティ
７として封止されている複数の半導体装置を個別の半導
体装置に分割する。その手順を以下に説明する。

【００４４】先ず、図８の（ａ）に示すように、各キャ
ビティ７の平坦部を上金型８及び下金型９で挟み、切断
金型１０によってプレス切断する。この際、また、切断
部分のリードフレーム６は下面に凹部が設けられて切断
面積が小さくされているため、容易にキャビティ７樹脂
とリードフレーム６の金属とをプレス切断することがで
きる。プレス切断によってキャビティ７列間の不用部分
を除去した状態を図８の（ｂ）及び図９に示す。

【００４５】また、こうした切断によって、切断面に切
断方向に沿って小さな突起（バリと通称されている）が
生じることがある。このような突起が実装面である底面
に向かって形成された場合には、半導体装置と実装基板
との間に間隙が生じ、実装不良となることがある。本実
施の形態では、半導体装置のアイランド２及びリード３
の下面部外方に、夫々凹部を設けてあるのでアイランド
２或いはリード３の端部は、三方を封止体５によって挟
まれ上面を上金型８によって抑えられているために、切
断の際に前記突起が生じにくくなり、突起が生じた場合
にも半導体装置の底面から突出することがない。更に、
本実施の形態では底面側から切断金型１０がプレス切断
するため、このようなバリが生じたとしても、突起が底
面側に生じないため実装不良の原因とはならない。ま
た、アイランド２及びリード３が、前記凹部によって封
止体５に強固に保持されることとなり、外部より加えら
れた力によってアイランド２或いはリード３が剥離・脱
落或いは接合部分への亀裂の発生等が生じにくくなる。

【００４６】なお、切断部分の樹脂がリードフレーム６
と比べて薄い場合、或いは切断部分の金属部分の断面積
が大きい場合等には、リードフレーム６とキャビティ７
との間に剥離の生じる可能性が高くなる。こうした場合
には、このプレス切断に先立って、図１０に平面図を図
１１に部分拡大平面図及び断面図を示すように、切断部
分に溝１１を形成しておいてもよい。溝１１としては、
アイランド２或いはリード３の薄い部分を切断し、その
凹部に充填された封止体５の樹脂が露出する程度が望ま
しい。この溝１１を設けることによって、図１２の
（ａ）に示すように金型８，９，１０を用いたプレス切
断によってキャビティ７に加えられるストレスを更に低
減させることができる。また、封止に用いられる樹脂は
金属と比較して脆性体であるため、溝を設けることによ
って、プレス切断が容易になる。こうした溝は、図１２
の（ｂ）に示すように、ブレード１２を用いたダイシン
グによって容易に形成することができる。

【００４７】次に、粘着性のダイシングテープにリード
フレーム６下面（外部電極面）を貼り付け、更にその周
囲をリング状のテープホルダーに固定する。ダイシング
テープとしては、後の剥離工程で粘着成分がリードフレ
ーム６下面に残り難いもの、例えば紫外線照射型のテー
プ（所謂ＵＶテープ）が望ましい。続いて、ダイシング
位置合わせスリットを基準としてダイシング装置（ウエ
ーハダイシング装置の流用が可能：図示せず）によっ
て、図１３及び図１４に示すように、個別半導体装置に
切削分割する。切削方法としては、半導体ウエーハ切断
時に常用されている所謂フルカットダイシング方法を用
い、ブレード１２を用いてキャビティ７は完全に切断す
るが、ダイシングテープ１２は部分的に切断し一体化し
たままとする。リードフレーム６に切断目標となる位置
合わせ認識マークとしてスリット或いは貫通孔（図面中
には記載せず）を施しておくことによって、樹脂封止、
フレームハンダメッキを施した後、ダイシングにて個別
半導体装置に切断する過程において、切断寸法精度を保
証することができる。

【００４８】このダイシングでは、キャビティ７の樹脂
のみを切断する。樹脂は金属と比較して脆性体であるた
め、樹脂のみの切断はダイシングを迅速に行なうことが
可能であり、また、切断する樹脂に最適化したブレード
１２を用いることが可能となるため、ブレード１２の目
づまりも生じにくい。更に、ダイシングテープに貼り付
けた状態でフルカット方法により切断するため、切断後
の個別半導体装置が飛散することなく、その位置関係も
ずれることはない為、その後の扱いが容易になる。

【００４９】また、従来のスルーモールド方式により、
半導体素子別にキャビティを形成する場合、封止体サイ
ズが小さくなる程、封止樹脂導入路であるゲートを小さ
く構成しなければならず、レジン注入の観点からその限
界寸法がある。本方式によれば、後に不要部分を切削切
断すれば良いので、ゲートのサイズによって制約される
ことがない。また、多層セラミック基板を用いた場合と
の比較では、セラミックが脆性材料である点或いは基板
焼成過程において若干の変形が生じている点を考慮する
と、従来の金型を用いたトランスファーモールド方法に
より樹脂封止することは困難であるが、本願発明の如く
リードフレームを用いた場合にはこの様な懸念はない。

【００５０】この後、各半導体装置の電気的特性を測定
する。この測定では、分離された各半導体装置が接着さ
れた状態の前記テープホルダーを、複数枚一組にリング
カセットに入れた状態で選別工程のハンドリング装置の
ローダー部にセットする。セットされたテープホルダー
は、一枚毎にハンドリング装置のローディング部に移送
する。ハンドリング装置は、従来のダイレクトピックア
ップ方式のダイボンダと同様の構成であり、リングホル
ダと協働する個別半導体装置突き上げ機構を具備し、予
め設定された座標位置または認識装置の認識結果から指
定された座標位置データに基づき、突き上げ動作を行い
ダイシングテープより所定の半導体装置を引き剥がす。
なお引き剥がす際には、紫外線照射型のダイシングテー
プを用いた場合は、紫外線照射を適量行い半導体装置底
面とダイシングテープとの接合強度を弱めることによっ
て、粘着成分が半導体装置底面に残存するのを防止する
ことができる。

【００５１】（実施の形態２）図１５は本発明の他の実
施の形態である半導体装置を示す斜視図であり、（ａ）
はその外形を、（ｂ）は封止体を透過して内部を示して
ある。

【００５２】本実施の形態の半導体装置では、単結晶シ
リコン等の半導体基板にＦＥＴ等の所定の素子を形成し
た半導体素子１を、例えば金等のロー材によってアイラ
ンド２に固定し、半導体素子１とリード３とをボンディ
ングワイヤ４によって接続してある。半導体素子１をダ
イボンディングするアイランド２には下面部内方及び外
方に凹部が設けられ、リード３には下面部外方に凹部が
設けられている。

【００５３】半導体素子１、アイランド２、リード３の
上面及び側面、ボンディングワイヤ４は、例えばエポキ
シ樹脂にフィラを混入させた封止樹脂を用いた封止体１
３によって封止されているが、本実施の形態の封止体１
３では、単一の封止体１３に半導体素子１、アイランド
２及びリード３の組が２組封止されている点が、前述し
た実施の形態とは相異しているが、他の構成は前述した
実施の形態と同様である。

【００５４】例えば、封止体１３の短手方向に沿った側
面（以下、短側面という）下部にはわずかに張出した平
坦部１３ａが形成されており、この平坦部１３ａではア
イランド２及びリード３の端部上面及び外端部が露出し
ているが、アイランド２或いはリード３の端部は、封止
体１３の長手方向に沿った側面（以下、長側面という）
には露出しない構成となっている。このため、長側面側
に隣接して形成される複数の半導体装置を、図１６に示
すようにブレード１２による切断位置を変更するだけ
で、金型変更等をすることなしに、一体化することが可
能となる。

【００５５】封止される半導体素子としては、同種の素
子を搭載して耐圧或いは許容電流を向上させることが可
能となり、更に異種の素子、例えば発振回路の発振用の
素子と増幅用の素子とを搭載してもよい。そして搭載し
た素子は、ボンディングワイヤ４によって互いにアイラ
ンド２或いはリード３を接続して必要な接続を行ない、
回路としての配線長を短縮することも可能である。ま
た、単一の封止体１２によって封止する、半導体素子
１、アイランド２及びリード３の組を３組以上とする構
成も可能である。

【００５６】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明
は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
勿論である。

【００５７】例えば、以上の説明では、主として本発明
者によってなされた発明をその背景となった利用分野で
あるトランジスタについてレジン封止によるＣＳＰ(Chi
p Size Package)技術を適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、本発明は、ダイオ
ード或いはＱＦＮ型半導体装置等の他の形式の半導体装
置にも広く適用が可能である。

【００５８】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。 （１）本発明によれば、半導体素子寸法に近似した半導
体装置(ＣＳＰ)に関し、個別半導体素子搭載基板として
金属材料を用いたリードフレームの使用が可能となると
いう効果がある。 （２）本発明によれば、微小な半導体装置の封止体を一
括モールドによって樹脂封止することができるという効
果がある。 （３）本発明によれば、上記効果（１）（２）により、
半導体装置を安価に製造することができるという効果が
ある。 （４）本発明によれば、ダイシングによって、切断面に
切断方向に沿って突起が生じるのを防止することができ
るという効果がある。 （５）本発明によれば、上記効果（４）により、実装不
良の発生を防止することができるという効果がある。 （６）本発明によれば、、樹脂のみをブレード切断する
ため目づまりが生じにくく、分離工程の効率を向上させ
ることができるという効果がある。 （７）本発明によれば、金属と樹脂との接合界面に亀裂
が入りにくいので、耐湿性が向上するという効果があ
る。 （８）本発明によれば、複数の半導体素子を単一の封止
体に封止した半導体装置を、金型の変更なしに製造する
ことができるという効果がある。 （９）本発明によれば、半導体装置下面に、絶縁層を樹
脂モールド方法により形成したことにより、実装基板上
に形成された回路配線との電気的短絡を防止することが
できるという効果がある。 （１０）本発明によれば、複数の半導体素子を列毎に一
つのキャビティとして樹脂封止することによって、熱ま
たは樹脂の収縮作用による反りを防止しつつ、仕上がり
寸法精度の良い個別半導体装置を提供することが可能と
なるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置を封止
体を透視して示す斜視図である。

【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置を示す
斜視図及びその底面の投影図である。

【図３】本実施の形態に用いられるリードフレームを示
す平面図である。

【図４】図３中のａ部を拡大して示す平面図及び断面図
である。

【図５】本発明の一実施の形態である半導体装置を製造
工程毎に示す平面図である。

【図６】図５中のａ部を拡大して示す平面図及び断面図
である。

【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置を製造
工程毎に示す斜視図である。

【図８】本発明の一実施の形態である半導体装置を製造
工程毎に示す断面図及び斜視図である。

【図９】本発明の一実施の形態である半導体装置を製造
工程毎に示す平面図である。

【図１０】本発明の一実施の形態である半導体装置を製
造工程毎に示す平面図である。

【図１１】図１０中のａ部を拡大して示す平面図及び断
面図である。

【図１２】本発明の一実施の形態である半導体装置を製
造工程毎に示す断面図及び斜視図である。

【図１３】本発明の一実施の形態である半導体装置を製
造工程毎に示す平面図である。

【図１４】本発明の一実施の形態である半導体装置を製
造工程毎に示す斜視図である。

【図１５】本発明の他の実施の形態である半導体装置を
示す平面図である。

【図１６】本発明の他の形態である半導体装置の製造方
法を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…半導体素子、２…アイランド、３…リード、４…ボ
ンディングワイヤ、５，１３…封止体、６…リードフレ
ーム、７…キャビティ、７ａ…ランナ、７ｂ…ゲート、
８…上金型、９…下金型、１０…切断金型、１１…溝、
１２…ブレード。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 25/18 (72)発明者 藤田 直樹 群馬県高崎市西横手町１番地１ 日立東部 セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 三上 昭夫 群馬県高崎市西横手町１番地１ 日立東部 セミコンダクタ株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DB15 FA04 5F061 AA01 BA01 CA21 CB13 DD12 5F067 AA07 AA09 AB04 BA02 BA08 BB04 BE02 DE02 DE20

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アイランドに固定した半導体素子とリー
   ドとを接続し封止体によって封止した半導体装置におい
   て、 前記アイランド或いはリードが封止体底面にて露出して
   半導体装置の外部端子となり、このアイランド或いはリ
   ードの外端部が、前記封止体の相対する２側面に露出
   し、前記２側面と直交する他の２側面には露出していな
   いことを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記アイランド或いはリードの外端部の
   下面或いは外端部の側面角部の少なくとも何れかに凹部
   が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半
   導体装置。
3. 【請求項３】 前記アイランド或いはリードの外端部が
   露出している前記封止体の相対する２側面に平坦部が設
   けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に
   記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記アイランド或いはリードの外端部が
   露出している封止体の相対する２側面に沿った方向に隣
   接する複数組のアイランド及びリードが同一の封止体に
   封止され、夫々のアイランドに同種又は異種の半導体素
   子が固定されていることを特徴とする請求項１乃至請求
   項３の何れか一項に記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 アイランドに固定した半導体素子とリー
   ドとを接続し封止体によって封止した半導体装置の製造
   方法において、 個々の半導体装置に用いられるアイランド或いはリード
   の組を行列状に複数組設け、行方向に隣接するアイラン
   ド或いはリードを連続させて一体に形成したリードフレ
   ームを用意し、このリードフレームの各アイランドに夫
   々半導体素子のダイボンディングを行なう工程と、 前記夫々の半導体素子と前記リードとを電気的に接続す
   る工程と、 半導体素子、アイランド及びリードを封止する前記封止
   体を、列毎に複数を一体に一つのキャビティとして樹脂
   モールドする工程と、 前記封止体の列間の樹脂及びリードフレームをプレス切
   断する工程と、 前記封止体の行間のキャビティをブレード切断して個別
   の半導体装置に分離する工程とを有することを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。