JP2001295055A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
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- C03C2217/21—Oxides
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- C03C2217/231—In2O3/SnO2
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低温で良質の薄膜を形成することができ、かつ
簡易な装置で、安価な薄膜を形成することができる薄膜
形成方法を提供する。 【解決手段】薄膜形成材料１を塗布した複数の基板２
を、階層的にかつ一定間隔を保持して配列し、隣接する
２枚の基板２によって形成される間隙３に、導波手段４
を経由して導いた紫外線５を照射しながら熱処理する。
簡易な装置で、安価な薄膜を形成することができる薄膜
形成方法を提供する。 【解決手段】薄膜形成材料１を塗布した複数の基板２
を、階層的にかつ一定間隔を保持して配列し、隣接する
２枚の基板２によって形成される間隙３に、導波手段４
を経由して導いた紫外線５を照射しながら熱処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成方法に関
する。さらに詳しくは、低温で良質の薄膜を形成するこ
とができ、かつ簡易な装置で、安価な薄膜を形成するこ
とができる薄膜形成方法に関する。
する。さらに詳しくは、低温で良質の薄膜を形成するこ
とができ、かつ簡易な装置で、安価な薄膜を形成するこ
とができる薄膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜形成方法としては、スパッタ法、蒸
着法、塗布式法等が知られている。この中でもゾル・ゲ
ル法や熱分解法等の塗布式の薄膜形成方法は、簡易な装
置で、安価な薄膜を形成することができるため、絶縁
膜、誘電膜、及び透明導電膜等の形成方法として広く利
用されている。また、利用できる薄膜の種類も広がって
きており、その特性を生かして広い分野での利用が期待
されている。
着法、塗布式法等が知られている。この中でもゾル・ゲ
ル法や熱分解法等の塗布式の薄膜形成方法は、簡易な装
置で、安価な薄膜を形成することができるため、絶縁
膜、誘電膜、及び透明導電膜等の形成方法として広く利
用されている。また、利用できる薄膜の種類も広がって
きており、その特性を生かして広い分野での利用が期待
されている。
【０００３】しかし、従来の塗布式の薄膜形成方法で
は、良質な薄膜とするために薄膜形成材料の分解及び薄
膜形成の温度を、スパッタ法や蒸着法等の他の方法に比
べ高温にする必要があったため、薄膜の種類によっては
適用が困難な場合もあり、この方法の利用を制限する原
因となっていた。
は、良質な薄膜とするために薄膜形成材料の分解及び薄
膜形成の温度を、スパッタ法や蒸着法等の他の方法に比
べ高温にする必要があったため、薄膜の種類によっては
適用が困難な場合もあり、この方法の利用を制限する原
因となっていた。
【０００４】これに対して、薄膜形成材料を塗布した基
板を、紫外線を照射しながら熱処理を行う薄膜形成方法
が開示されている。
板を、紫外線を照射しながら熱処理を行う薄膜形成方法
が開示されている。
【０００５】この方法によると、紫外線照射の効果によ
り低温で良質な薄膜を形成することができる（例えば、
ＳｉＯ2薄膜を紫外線照射しながら熱処理を行って形成
すると、紫外線を照射しなかった場合に比べ、同一屈折
率の薄膜を約２００℃低温で形成することができる）。
また透明導電膜であるＩＴＯ薄膜も、低抵抗の薄膜を形
成することができる。
り低温で良質な薄膜を形成することができる（例えば、
ＳｉＯ2薄膜を紫外線照射しながら熱処理を行って形成
すると、紫外線を照射しなかった場合に比べ、同一屈折
率の薄膜を約２００℃低温で形成することができる）。
また透明導電膜であるＩＴＯ薄膜も、低抵抗の薄膜を形
成することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来、この方
法で複数の基板に薄膜を形成する場合には、基板の薄膜
形成材料を塗布した面に紫外線を照射する必要上、複数
の基板を一面に並置してその上部から紫外線を照射して
いた。
法で複数の基板に薄膜を形成する場合には、基板の薄膜
形成材料を塗布した面に紫外線を照射する必要上、複数
の基板を一面に並置してその上部から紫外線を照射して
いた。
【０００７】このため、装置内の空間を有効に利用でき
ず、紫外線照射しない方法に比べ量産性が低下し、ま
た、量産性を向上させるために装置の大型化が必要にな
るという問題があった。
ず、紫外線照射しない方法に比べ量産性が低下し、ま
た、量産性を向上させるために装置の大型化が必要にな
るという問題があった。
【０００８】また、この方法で大きな基板、又は一面に
並置された複数の基板に均一に薄膜を形成するためには
紫外線を均一に照射する必要があり、従来は、棒状の紫
外線ランプを基板の上部で走査する方法、棒状の紫外線
ランプを多数配列する方法等が行われていた。
並置された複数の基板に均一に薄膜を形成するためには
紫外線を均一に照射する必要があり、従来は、棒状の紫
外線ランプを基板の上部で走査する方法、棒状の紫外線
ランプを多数配列する方法等が行われていた。
【０００９】このため、前者の方法では、複雑な装置が
必要となり、後者では多くの紫外線ランプが必要とな
り、結局、塗布式による簡易な装置で、安価な薄膜を形
成できるというメリットを減殺してしまうという問題が
あった。
必要となり、後者では多くの紫外線ランプが必要とな
り、結局、塗布式による簡易な装置で、安価な薄膜を形
成できるというメリットを減殺してしまうという問題が
あった。
【００１０】従って、本発明の目的は、低温で良質の薄
膜を形成することができ、かつ簡易な装置で、安価な薄
膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること
にある。
膜を形成することができ、かつ簡易な装置で、安価な薄
膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、以下の薄膜形成方法を提供するものであ
る。
成するため、以下の薄膜形成方法を提供するものであ
る。
【００１２】［１］薄膜形成材料を塗布した複数の基板
を、階層的にかつ一定間隔を保持して配列し、隣接する
２枚の基板によって形成される間隙に、導波手段を経由
して導いた紫外線を照射しながら熱処理することを特徴
とする薄膜形成方法。
を、階層的にかつ一定間隔を保持して配列し、隣接する
２枚の基板によって形成される間隙に、導波手段を経由
して導いた紫外線を照射しながら熱処理することを特徴
とする薄膜形成方法。
【００１３】［２］前記導波手段が、紫外線を出射する
出射端を前記間隙の入口に位置させて配設された前記
［１］に記載の薄膜形成方法。
出射端を前記間隙の入口に位置させて配設された前記
［１］に記載の薄膜形成方法。
【００１４】［３］前記導波手段が、紫外線照射面を備
えた導波板からなり、その紫外線照射面と前記基板の薄
膜形成面とを対向するように配設し、かつ前記紫外線照
射面の反対面に紫外線を乱反射させる凹凸を形成した前
記［１］又は［２］に記載の薄膜形成方法。
えた導波板からなり、その紫外線照射面と前記基板の薄
膜形成面とを対向するように配設し、かつ前記紫外線照
射面の反対面に紫外線を乱反射させる凹凸を形成した前
記［１］又は［２］に記載の薄膜形成方法。
【００１５】［４］前記熱処理を、酸素濃度、窒素濃
度、及び真空度のうち少なくとも1の雰囲気条件を調整
しながら行う前記［１］〜［３］のいずれかに記載の薄
膜形成方法。
度、及び真空度のうち少なくとも1の雰囲気条件を調整
しながら行う前記［１］〜［３］のいずれかに記載の薄
膜形成方法。
【００１６】本発明の薄膜形成方法では、上記のよう
に、紫外線照射をしながら熱処理するため、低温で良質
の薄膜を形成することができる。また、複数の基板を階
層的にかつ一定間隔を保持して配列するため、装置の大
型化を要せずに量産性の向上、及び低コスト化を達成す
ることができる。また、隣接する２枚の基板によって形
成される間隙に、導波手段を経由して導いた紫外線を照
射するため、均一な薄膜を効率よく形成することができ
る。また、導波手段を、紫外線照射面を備えた導波板と
し、その紫外線照射面と基板の薄膜形成面とを対向する
ように配設し、かつ紫外線照射面の反対面に紫外線を乱
反射させる凹凸を形成したため、この紫外線の乱反射を
利用し、反対面の凹凸形状を最適に設計することによっ
て、均一な薄膜を効率よく形成することができる。
に、紫外線照射をしながら熱処理するため、低温で良質
の薄膜を形成することができる。また、複数の基板を階
層的にかつ一定間隔を保持して配列するため、装置の大
型化を要せずに量産性の向上、及び低コスト化を達成す
ることができる。また、隣接する２枚の基板によって形
成される間隙に、導波手段を経由して導いた紫外線を照
射するため、均一な薄膜を効率よく形成することができ
る。また、導波手段を、紫外線照射面を備えた導波板と
し、その紫外線照射面と基板の薄膜形成面とを対向する
ように配設し、かつ紫外線照射面の反対面に紫外線を乱
反射させる凹凸を形成したため、この紫外線の乱反射を
利用し、反対面の凹凸形状を最適に設計することによっ
て、均一な薄膜を効率よく形成することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しつつ具体的に説明する。
面を参照しつつ具体的に説明する。
【００１８】図１に示すように、本発明の薄膜形成方法
は、薄膜形成材料１を塗布した複数の基板２を、階層的
にかつ一定間隔を保持して配列し、隣接する２枚の基板
２によって形成される間隙３に、導波手段４を経由して
導いた紫外線５を照射しながら熱処理するものである。
以下、さらに具体的に説明する。
は、薄膜形成材料１を塗布した複数の基板２を、階層的
にかつ一定間隔を保持して配列し、隣接する２枚の基板
２によって形成される間隙３に、導波手段４を経由して
導いた紫外線５を照射しながら熱処理するものである。
以下、さらに具体的に説明する。
【００１９】本発明では、まず、薄膜形成材料１を塗布
した複数の基板２を、階層的にかつ一定間隔を保持して
配列する。本発明に用いられる薄膜形成材料１について
特に制限はないが、例えば、ＳｎドープIｎ、ＳｉＯ2等
を挙げることができる。特に、本発明では、低温で薄膜
を形成することができるため、高温での適用が困難な材
料に好適に適用することができる。
した複数の基板２を、階層的にかつ一定間隔を保持して
配列する。本発明に用いられる薄膜形成材料１について
特に制限はないが、例えば、ＳｎドープIｎ、ＳｉＯ2等
を挙げることができる。特に、本発明では、低温で薄膜
を形成することができるため、高温での適用が困難な材
料に好適に適用することができる。
【００２０】各基板２間の間隔については特に制限はな
く、隣接する２枚の基板２によって形成される間隙３に
紫外線が導入できる程度であればばよい。
く、隣接する２枚の基板２によって形成される間隙３に
紫外線が導入できる程度であればばよい。
【００２１】また、複数の基板２の配列についても階層
的に配列すること以外特に制限はないが、空間を有効に
利用し、装置の小型化及び量産化を図る観点からは複数
の基板２の末端２ａを揃えて略平行に配列するのが好ま
しい。この際、例えば、予め基板ホルダー８を所定の位
置に配設しておき、基板ホルダー８により基板２を固定
すること等を挙げることができる。
的に配列すること以外特に制限はないが、空間を有効に
利用し、装置の小型化及び量産化を図る観点からは複数
の基板２の末端２ａを揃えて略平行に配列するのが好ま
しい。この際、例えば、予め基板ホルダー８を所定の位
置に配設しておき、基板ホルダー８により基板２を固定
すること等を挙げることができる。
【００２２】また、基板２の薄膜形成材料１を塗布した
面とは反対側の面における紫外線の反射を利用して効率
的な照射を行う観点から、隣接する２枚の基板２によっ
て形成される間隙３は、紫外線導入部３ａ以外は閉鎖し
た空間とすることが好ましい。例えば、基板の末端２ａ
とは反対側の末端２ｂにおける間隙３を、基板２に対し
垂直方向に配設した紫外線反射板６によって閉鎖するこ
と等を挙げることができる。また、基板ホルダー８によ
り基板を固定する場合には、基板２を固定した面とは反
対側の面８ａにおける紫外線の反射を利用して効率的な
照射を行う観点から、基板ホルダーの反対面８ａを紫外
線の反射率が高い材質とすることが好ましい。
面とは反対側の面における紫外線の反射を利用して効率
的な照射を行う観点から、隣接する２枚の基板２によっ
て形成される間隙３は、紫外線導入部３ａ以外は閉鎖し
た空間とすることが好ましい。例えば、基板の末端２ａ
とは反対側の末端２ｂにおける間隙３を、基板２に対し
垂直方向に配設した紫外線反射板６によって閉鎖するこ
と等を挙げることができる。また、基板ホルダー８によ
り基板を固定する場合には、基板２を固定した面とは反
対側の面８ａにおける紫外線の反射を利用して効率的な
照射を行う観点から、基板ホルダーの反対面８ａを紫外
線の反射率が高い材質とすることが好ましい。
【００２３】本発明では、次に、隣接する２枚の基板２
によって形成される間隙３に、導波手段４を経由して導
いた紫外線５を照射しながら熱処理する。
によって形成される間隙３に、導波手段４を経由して導
いた紫外線５を照射しながら熱処理する。
【００２４】導波手段４としては特に制限はないが、例
えば、石英板、メタクリル酸メチル板等を挙げることが
できる。
えば、石英板、メタクリル酸メチル板等を挙げることが
できる。
【００２５】導波手段４は、紫外線を出射する出射端４
ａを、隣接する２枚の基板２によって形成される間隙３
の入口に位置させて配置することが好ましい。また、図
２に示すように、導波手段４を、紫外線照射面を備えた
導波板からなり、その紫外線照射面４ｃと基板の薄膜形
成面とを対向するように配設し、かつ紫外線照射面４ｃ
の反対面４ｄに紫外線を乱反射させる凹凸を形成したも
のとしてもよい。この際、反対面４ｄの凹凸は、基板に
照射される紫外線の強度が均一になるように設計するこ
とが好ましい。
ａを、隣接する２枚の基板２によって形成される間隙３
の入口に位置させて配置することが好ましい。また、図
２に示すように、導波手段４を、紫外線照射面を備えた
導波板からなり、その紫外線照射面４ｃと基板の薄膜形
成面とを対向するように配設し、かつ紫外線照射面４ｃ
の反対面４ｄに紫外線を乱反射させる凹凸を形成したも
のとしてもよい。この際、反対面４ｄの凹凸は、基板に
照射される紫外線の強度が均一になるように設計するこ
とが好ましい。
【００２６】一方、導波手段４の他方の末端４ｂは、光
源部７に対向するように位置させて配置することが好ま
しい。
源部７に対向するように位置させて配置することが好ま
しい。
【００２７】光源７の配設位置としては特に制限はな
く、基板２に対していずれの位置でもよく、また、装置
を構成する、例えば、真空容器１１の内外いずれでもよ
い。
く、基板２に対していずれの位置でもよく、また、装置
を構成する、例えば、真空容器１１の内外いずれでもよ
い。
【００２８】本発明においては、紫外線照射の条件とし
ては特に制限はなく、紫外線照射をしながら熱処理を行
う通常の薄膜形成方法と同様にして行うことができる。
また、熱処理の条件についても特に制限はないが、好ま
しくは、３００〜７００℃、さらに好ましくは、４００
〜６００℃で行う。また、酸素濃度、窒素濃度、及び真
空度のうち少なくとも1の雰囲気条件を調整しながら行
うことが好ましい。
ては特に制限はなく、紫外線照射をしながら熱処理を行
う通常の薄膜形成方法と同様にして行うことができる。
また、熱処理の条件についても特に制限はないが、好ま
しくは、３００〜７００℃、さらに好ましくは、４００
〜６００℃で行う。また、酸素濃度、窒素濃度、及び真
空度のうち少なくとも1の雰囲気条件を調整しながら行
うことが好ましい。
【００２９】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれら実施例によって何等制限されるも
のではない。
るが、本発明はこれら実施例によって何等制限されるも
のではない。
【００３０】実施例１ 図３は、本発明の薄膜形成方法の一実施例において用い
られる装置を模式的に示す説明図である。
られる装置を模式的に示す説明図である。
【００３１】図３に示すように、この装置は、ロータリ
ーポンプ１２とターボモレキュラーポンプ１３により１
０-6ｔｏｒｒまで脱気可能な真空容器１１を備える。ま
た、窒素及び酸素が、ガスタンクから配管を通じて真空
容器に供給されるガス供給部１４を備える。このガス供
給部１４の配管には、メインバルブとスローリークバノ
レブが設けられており、処理中の窒素、及び酸素の濃度
を制御できるようになっている。
ーポンプ１２とターボモレキュラーポンプ１３により１
０-6ｔｏｒｒまで脱気可能な真空容器１１を備える。ま
た、窒素及び酸素が、ガスタンクから配管を通じて真空
容器に供給されるガス供給部１４を備える。このガス供
給部１４の配管には、メインバルブとスローリークバノ
レブが設けられており、処理中の窒素、及び酸素の濃度
を制御できるようになっている。
【００３２】装置の内部には、ステンレス製の基板ホル
ダー１５が５ｍｍの間隔を保持して複数、水平に配列さ
れている。各基板ホルダー１５は、その長尺方向の一の
末端１５ｂが、厚さ１０ｍｍの加熱冷却管１９に接続さ
れ、各基板ホルダー１５間の間隙２３は、他の末端１５
ａ側のみ開口されている。
ダー１５が５ｍｍの間隔を保持して複数、水平に配列さ
れている。各基板ホルダー１５は、その長尺方向の一の
末端１５ｂが、厚さ１０ｍｍの加熱冷却管１９に接続さ
れ、各基板ホルダー１５間の間隙２３は、他の末端１５
ａ側のみ開口されている。
【００３３】加熱冷却管１９には、ヒーター２０と冷却
用の配管２１が設けられ、これにより装置内の温度を制
御する。
用の配管２１が設けられ、これにより装置内の温度を制
御する。
【００３４】この装置の側壁には、厚さ５ｍｍの石英板
１７が水平に複数枚、貫通している。この石英板板１７
の一の末端１７ａは、装置の外部に達し、側棒状の水銀
ランプ１６を備える紫外線発光装置に対向するように配
設されている。一方、他の末端１７ｂは、装置の内部に
達し、各基板ホルダー１５間の間隙２３の紫外線導入部
２３ａに対向するように配設されている。石英板１７
は、紫外線の導波手段として機能するものであり、これ
により外部の水銀ランプ１６で発生した紫外線を各基板
ホルダー１５間の間隙２３の紫外線導入部２３ａへ導く
ことができる。
１７が水平に複数枚、貫通している。この石英板板１７
の一の末端１７ａは、装置の外部に達し、側棒状の水銀
ランプ１６を備える紫外線発光装置に対向するように配
設されている。一方、他の末端１７ｂは、装置の内部に
達し、各基板ホルダー１５間の間隙２３の紫外線導入部
２３ａに対向するように配設されている。石英板１７
は、紫外線の導波手段として機能するものであり、これ
により外部の水銀ランプ１６で発生した紫外線を各基板
ホルダー１５間の間隙２３の紫外線導入部２３ａへ導く
ことができる。
【００３５】次に、上記装置を用いてＩＴＯ薄膜（Ｓｎ
ドープＩｎ２０３薄膜）を形成した例を示す。まず、ノ
ンアルカリガラス基板（３０ｃｍ×４０ｃｍ×１ｍｍ）
上にＩＴＯ薄膜用の熱分解性薄膜形成材料をスピンナー
により塗布し、その後、べーク炉で１５０℃で１５分乾
燥させ、アルコール分を蒸発させた。
ドープＩｎ２０３薄膜）を形成した例を示す。まず、ノ
ンアルカリガラス基板（３０ｃｍ×４０ｃｍ×１ｍｍ）
上にＩＴＯ薄膜用の熱分解性薄膜形成材料をスピンナー
により塗布し、その後、べーク炉で１５０℃で１５分乾
燥させ、アルコール分を蒸発させた。
【００３６】この基板を前述の装置内に２０枚セット
し、真空脱気後、酸素を導入し、基板温度が３００℃に
なるまで加熱した。
し、真空脱気後、酸素を導入し、基板温度が３００℃に
なるまで加熱した。
【００３７】次に、水銀ランプ１６を点灯し、紫外線を
石英板１７を経由して階層的に配設された各基板ホルダ
ー１５間の間隙２３の紫外線導入部２３ａから基板表面
へと導入した。紫外線は、基板１８表面と、基板ホルダ
ー１５の下部表面との間で反射を繰り返しながら進行し
ていき、加熱冷却板１９に達したところで加熱冷却板１
９の外壁表面で反射され、再び反射を繰り返しながら各
基板ホルダー１５間の開口された間隙へと進行した。
石英板１７を経由して階層的に配設された各基板ホルダ
ー１５間の間隙２３の紫外線導入部２３ａから基板表面
へと導入した。紫外線は、基板１８表面と、基板ホルダ
ー１５の下部表面との間で反射を繰り返しながら進行し
ていき、加熱冷却板１９に達したところで加熱冷却板１
９の外壁表面で反射され、再び反射を繰り返しながら各
基板ホルダー１５間の開口された間隙へと進行した。
【００３８】この状態で、３０分経過後、酸素ガスを真
空脱気し、５００℃まで加熱し、３０分保持した。その
後、ヒーター２０のスイッチを切り、加熱冷却管１９に
冷却ガス２２ａを流して急冷を開始し、基板温度が１５
０℃まで下がったら、真空容器内に空気を導入するとと
もに、加熱冷却管１９に冷却水２２ｂを流して、基板を
冷却し、ＩＴＯ薄膜を形成した基板を得た。
空脱気し、５００℃まで加熱し、３０分保持した。その
後、ヒーター２０のスイッチを切り、加熱冷却管１９に
冷却ガス２２ａを流して急冷を開始し、基板温度が１５
０℃まで下がったら、真空容器内に空気を導入するとと
もに、加熱冷却管１９に冷却水２２ｂを流して、基板を
冷却し、ＩＴＯ薄膜を形成した基板を得た。
【００３９】以上のようにしてＩＴＯ薄膜を形成した基
板とを熱処理の際に紫外線照射をせずＩＴＯ薄膜を形成
した基板とを比較評価した。
板とを熱処理の際に紫外線照射をせずＩＴＯ薄膜を形成
した基板とを比較評価した。
【００４０】紫外線照射をせずＩＴＯ薄膜を形成した基
板の表面抵抗は５００Ω／□であり、面内抵抗バラツキ
は約２５％であった。これに対して、紫外線照射してＩ
ＴＯ薄膜を形成した基板では、表面抵抗は８０Ω／□で
あり、面内抵抗バラツキは約１０％であった。
板の表面抵抗は５００Ω／□であり、面内抵抗バラツキ
は約２５％であった。これに対して、紫外線照射してＩ
ＴＯ薄膜を形成した基板では、表面抵抗は８０Ω／□で
あり、面内抵抗バラツキは約１０％であった。
【００４１】このように、本発明の実施例で得られた基
板は、紫外線照射による効果が十分発揮され、良質のＩ
ＴＯ薄膜を形成できることが認められた。
板は、紫外線照射による効果が十分発揮され、良質のＩ
ＴＯ薄膜を形成できることが認められた。
【００４２】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の塗布式の薄
膜形成方法によると、低温で良質の薄膜を形成すること
ができ、かつ簡易な装置で、安価な薄膜を形成すること
ができる薄膜形成方法を提供することができる。
膜形成方法によると、低温で良質の薄膜を形成すること
ができ、かつ簡易な装置で、安価な薄膜を形成すること
ができる薄膜形成方法を提供することができる。
【００４３】
【図１】本発明の塗布式の薄膜形成方法における一の実
施の形態を模式的に示す断面図である。
施の形態を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の塗布式の薄膜形成方法における他の実
施の形態を模式的に示す断面図である。
施の形態を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の塗布式の薄膜形成方法における一の実
施例を模式的に示す説明図である。
施例を模式的に示す説明図である。
１：薄膜形成材料 ２：基板 ２ａ：末端 ２ｂ：反対側の末端 ３：間隙 ３ａ：紫外線導入部 ４：導波手段 ４ａ：末端（出射端） ４ｂ：末端（入光端） ４ｃ：紫外線照射面 ４ｄ：反対面 ５：紫外線 ６：紫外線反射板 ７：光源 ８：基板ホルダー ８ａ：反対面 １１：真空容器 １２：ロータリーポンプ １３：ターボモレキュラーポンプ １４：ガス供給部 １５：基板ホルダー １５ａ：末端（加熱冷却管側） １５ｂ：末端（紫外線導入部側） １６：水銀ランプ １７：石英板（導波手段） １７ａ：末端（水銀ランプ側） １７ｂ：末端（紫外線導入部側） １８：基板 １９：加熱冷却管 ２０：ヒーター ２１：冷却用の配管 ２２ａ：冷却ガス ２２ｂ：冷却水 ２３：間隙 ２３ａ：紫外線導入部
Claims (4)
- 【請求項１】薄膜形成材料を塗布した複数の基板を、階
層的にかつ一定間隔を保持して配列し、隣接する２枚の
基板によって形成される間隙に、導波手段を経由して導
いた紫外線を照射しながら熱処理することを特徴とする
薄膜形成方法。 - 【請求項２】前記導波手段が、紫外線を出射する出射端
を前記間隙の入口に位置させて配設された請求項１に記
載の薄膜形成方法。 - 【請求項３】前記導波手段が、紫外線照射面を備えた導
波板からなり、その紫外線照射面と前記基板の薄膜形成
面とを対向するように配設し、かつ前記紫外線照射面の
反対面に紫外線を乱反射させる凹凸を形成した請求項１
又は２に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項４】前記熱処理を、酸素濃度、窒素濃度、及び
真空度のうち少なくとも1の雰囲気条件を調整しながら
行う請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000110634A JP2001295055A (ja) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000110634A JP2001295055A (ja) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001295055A true JP2001295055A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18623114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000110634A Pending JP2001295055A (ja) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001295055A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014111843A (ja) * | 2014-01-29 | 2014-06-19 | Nitto Denko Corp | 透明導電性薄膜の製造方法 |
| JP2019054267A (ja) * | 2009-06-30 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2000
- 2000-04-12 JP JP2000110634A patent/JP2001295055A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019054267A (ja) * | 2009-06-30 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2014111843A (ja) * | 2014-01-29 | 2014-06-19 | Nitto Denko Corp | 透明導電性薄膜の製造方法 |
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