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JP2001290174A - 液晶装置 - Google Patents

液晶装置

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Publication number
JP2001290174A
JP2001290174A JP2000103436A JP2000103436A JP2001290174A JP 2001290174 A JP2001290174 A JP 2001290174A JP 2000103436 A JP2000103436 A JP 2000103436A JP 2000103436 A JP2000103436 A JP 2000103436A JP 2001290174 A JP2001290174 A JP 2001290174A
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal device
voltage
converter
temperature
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000103436A
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English (en)
Inventor
Kiyoshi Miura
聖志 三浦
Hideo Mori
秀雄 森
Yasushi Asao
恭史 浅尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2000103436A priority Critical patent/JP2001290174A/ja
Priority to US09/822,173 priority patent/US20010055007A1/en
Priority to KR1020010017878A priority patent/KR20020005398A/ko
Publication of JP2001290174A publication Critical patent/JP2001290174A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度等により電圧透過率特性が変化する液晶
を用いても、良好な表示を可能にする。 【解決手段】 一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶
素子と、デジタルの映像信号を入力されてそれを液晶の
電気光学特性に対応するように変換するデジタル信号処
理部と、該変換したデジタル信号をアナログ信号に変換
するDAコンバータ部とを備えた液晶装置に対し、前記
液晶素子の特性に合わせた電圧を液晶層に印加するため
に、前記DAコンバータの入出力特性と前記デジタル信
号処理部の信号処理の双方を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイや、プロジェクションディスプレイや、プリ
ンタ等に用いられるライトバルブに使用される液晶素子
およびそれらを使用した表示装置をはじめとする液晶装
置に関する。
【0002】
【従来技術】従来、TFT(Thin Film Transistor)
等の能動素子を用いた表示素子として広範に用いられて
いるネマティック液晶表示素子の代表的な液晶モードと
して、たとえばエム・シャット(M.Schadt)とダブリュ
ー・ヘルフリッヒ(W.Helfrich)著Applied Physics Le
tters第18巻、第4号(1971年2月15日発行)
第127頁から128頁において示されたツイステッド
ネマチック(TN(Twisted Nematic))モードが広く用
いられている。一方最近では、横方向電界を利用したイ
ンプレインスイッチング(IPS(In-Plain Switchin
g))モードや垂直配向(VA(Vertical Alignment))モ
ードを用いた液晶ディスプレイが発表されており、従来
型の液晶ディスプレイの欠点であった視野角特性の改善
がなされている。このように、こうしたネマティック液
晶を用いたTFT表示素子に用いるための液晶モードと
していくつかのモードが存在するのであるが、そのいず
れのモードの場合にも液晶の応答速度が数十ミリ秒以上
と遅く、さらなる応答速度の改善が要求されている。
【0003】このような従来型のネマティック液晶素子
の応答速度を改善するものとして、近年、カイラルスメ
クチック相を示す液晶を用いた液晶モードがいくつか提
案されている。例えば、「ショートピッチタイプの強誘
電性液晶」、「高分子安定型強誘電性液晶」、「無閾反
強誘電性液晶」などが提案されており、未だ実用化には
至っていないものの、いずれもサブミリ秒以下の高速応
答性が実現できると報告されている。
【0004】一方、我々は特願平10−177145
(以下「先願1」と記載)に記載されている素子を発明
し提案している。先願1の素子では、例えば、高温側よ
り等方性液体相(ISO.)−コレステリック相(C
h)−カイラルスメクチックC相(SmC* )、または
等方性液体相(ISO.)-カイラルスメクチックC相
(SmC* )を示す相系列の材料に着目し、仮想コーン
のエッジより内側の位置にて単安定化させるようにして
いる。そして例えば、Ch−SmC* 相転移の際、また
は等方相−SmC* 相転移の際に一対の基板間に正負い
ずれかのDC電圧を印加する、などによって層方向を一
方向に均一化させ、これにより高速応答かつ階調制御が
可能であり、動画質に優れた高輝度の液晶素子が、高い
量産性とともに実現しうる。そして先願1の素子は上述
の各種スメクチック液晶モードと比較して自発分極値を
小さくすることができることからTFT等のアクティブ
素子とのマッチングがよい素子となっている。
【0005】同様に、我々は特開2000−01007
6(以下「先願2」と記載)に記載されている素子を発
明し提案している。先願2の素子では、例えば、高温側
より等方性液体相(ISO.)−コレステリック相(C
h)−カイラルスメクチックC相(SmC*)、または
等方性液体相(ISO.)−カイラルスメクチックC相
(SmC*)を示す相系列の材料に着目し、仮想コーン
エッジの位置にて単安定化させるようにしている。そし
て例えば、Ch−SmC* 相転移の際、または等方相−
SmC* 相転移の際に一対の基板間に正負いずれかのD
C電圧を印加する、などによって層方向を一方向に均一
化させ、これにより高速応答かつ階調制御が可能であ
り、動画質に優れた高輝度の液晶素子が、高い量産性と
ともに実現しうる。また先願2の素子はヒステリシスが
小さく安定な中間調表示が実現でき、かつ上述した他の
各種スメクチック液晶モードと比較して自発分極値を小
さくすることができることからTFT等のアクティブ素
子とのマッチングがよい素子となっている。
【0006】以上述べたように、従来ネマティック液晶
を用いたTFT液晶ディスプレイが抱えていた応答速度
に関する問題点を解決できるという意味において、カイ
ラルスメクティック液晶、特に先願1、2の液晶素子を
用いた液晶表示素子の実現が期待されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このように、高速応答
性能など次世代のディスプレイ等に階調表示能を有する
先願のスメクチック液晶素子は期待されるものである。
【0008】しかしながら、スメクチック液晶素子は、
温度によってその電圧−透過率特性が変化することが一
般的に知られている。この様な素子を用いて各温度で良
好な表示を得るためには、各温度の液晶特性に合わせて
入力信号を変化させる(ガンマ補正を行う)ことが必要
となる。液晶の温度特性に合わせて、駆動条件を変化さ
せる提案は特開平11−311773になされている
が、具体的な温度に対する補正方法については言及され
ていない。
【0009】さて、ガンマ補正を行うにはいくつかの方
式が考えられる。まず、8ビットのデジタル信号を再び
8ビットのデジタル信号に変換する方式が考えられる。
この方式においては、通常直線的では無い液晶の電圧−
透過率特性のγ補正を、8ビットのデジタル信号から8
ビットのデジタル信号に変換して行い、DAコンバータ
として直線的なコンバージョン特性を持つものを用いる
と、液晶の電気光学特性とDAコンバータのコンバージ
ョン特性が大きく異なるため、階調をすべて再現するこ
とができないという問題がある。
【0010】次に、DAのコンバージョン特性を液晶の
電圧−透過率特性に合わせる方式が考えられる。この方
式においては、DAコンバータのコンバージョン特性を
液晶の電気光学特性に合わせて設計することも考えられ
るが、この場合、液晶の電気光学特性が温度によって変
化するため、全温度領域で良好な階調表現を得ることは
困難である。さらに、このような直線でないコンバージ
ョン特性をもったDAコンバータは複雑な回路を必要と
するため、回路規模の増大を招くという問題点もあっ
た。
【0011】さらに、8ビットのデジタル信号を10ビ
ットのデジタル信号に変換する方式が考えられる。8ビ
ットの信号を10ビットの信号に変換して10ビットの
DAコンバータを利用する場合は、DAコンバータのコ
ンバージョン特性が直線であっても、上記したような階
調の欠けは生じず、良好な表示を得ることができる。し
かしながら、この場合は液晶パネルのI/F(インター
フェース)部のバス幅が大きくなり、ピン数の増加ひい
てはシステム規模の増大を招くことになる。通常、液晶
表示装置ではドットレートを下げる目的で映像信号を複
数のバスに分割して伝送するのが一般的であり、例え
ば、4つの映像信号でパラレルに伝送しようとすると8
ビットの映像信号では32(=8×4)ピンであったも
のが10ビットの映像信号では40ピンにもなってしま
う。
【0012】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、温度により電圧透過率特性が変化する液晶を用い
ても、良好な表示が可能な液晶装置を提供することを目
的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明では、一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶
素子と、デジタルの映像信号を入力されてそれを液晶の
電気光学特性に対応するように変換するデジタル信号処
理部と、該変換したデジタル信号をアナログ信号に変換
するDAコンバータ部とを備えた液晶装置において、前
記液晶素子の特性に合わせた電圧を液晶層に印加するた
めに、前記DAコンバータの入出力特性と前記デジタル
信号処理部の信号処理の双方を制御することを特徴とす
る。
【0014】本発明の好ましい実施の形態において、前
記液晶素子は、複数の走査線と複数の走査線の交点にス
イッチを介して画素電極が形成されたアクティブマトリ
クス基板と対向電極基板との間に液晶を挟持してなる。
また、前記アクティブマトリクス基板には温度モニタ手
段が配置されており、該温度モニタの出力によって、前
記デジタル信号処理部の内容を最適な内容に書き変える
とともに、該DAコンバータの入出力特性を変化させ
る。さらに、前記液晶素子の最大透過率または最大反射
率に応じて光源輝度の時間積分値を変調し、該液晶素子
の最大透過光量または最大反射光量を一定とする。
【0015】
【作用】上記の構成により、液晶の電圧透過率特性が温
度によって変化する液晶であっても、広い温度範囲にお
いて、良好な表示特性を得る液晶表示素子を提供するこ
とができる。
【0016】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図1は本発明に係る実施例を示したブロック図であ
る。図においては8ビットの映像信号(画像データ)は
デジタルγ補正部103を介して8ビットの映像信号に
変換される。この時変換された8ビットの映像信号は、
DAコンバータ106に入力してアナログ信号に変換さ
れ、そのアナログ信号が表示部(液晶パネル)107の
各画素へ書き込まれる。
【0017】また、表示部107には温度モニタ手段1
08が配置されており、温度をデジタルのデータとし
て、外部に読み出すことができる。外部に読み出された
温度データは、デジタルγ補正部103、およびDAコ
ンバータ部106に入力される。また、温度データは、
バックライト制御部111へも入力される。バックライ
ト制御部111は、各温度における最大輝度がほぼ等し
くなる様にバックライト112の輝度を制御する。
【0018】まず、DAコンバータ106においては、
表示部107の液晶の特性に合わせて、そのコンバージ
ョン特性(入出力特性)を変化させる。
【0019】図5は、その一例を示したものである。本
実施例では、DAコンバータ106は、8ビットで構成
され、上位3ビットの上位DA部と、下位5ビットの下
位DA部の2段に分かれており、上位3ビットにおい
て、温度情報を入力してコンバージョン特性の変調を行
っている。上位DA部は8分割された抵抗51によって
構成されている。コンバージョン特性の変調は、図中、
レファレンス電圧発生器(Vref gen.)113で発生し
たレファレンス電圧Vref1およびVref2を上位DA部に
入力するノードを、温度モニタ108の出力に対応して
セレクタ114によって適時選択することにより行われ
る。なおこの時、下位DA部のDAコンバージョン特性
はリニアな特性に設定してある。
【0020】なお、本発明で用いられるDAコンバータ
は、DAのコンバージョン特性を表示部の駆動中に変え
得るものであれば、本実施例にとらわれるものではな
い。例えば、本実施例ではレファレンス電圧は2レベル
で示されているが、より良好な階調表現をする場合に
は、レファレンス電圧の数を増やすことにより実現可能
である。但し、レファレンス電圧を増やすことは、その
ための回路構成も複雑になることを意味する。よって、
必要な階調数により、適時選ぶ必要がある。
【0021】また、本実施例では、レファレンス電圧を
入力するノードを温度により選択する形をとっている
が、入力ノード数を固定(例えば2つ)してDAコンバ
ータのレファレンス電圧を入力ノード数よりも多く用意
し、その中から、各温度に適合するレファレンス電圧を
選択する構成も可能である。
【0022】このようにして構成された、DAコンバー
タ106を、図6に示す様な、高温と低温で、電圧透過
率特性の異なる液晶に対して適用したコンバージョン特
性が、図7である。すなわち、出力電圧に対して、Vre
f1、Vref2の電圧で、頂点を持つ折れ線で表されるコン
バージョン特性を持つ様に構成されている。液晶の特性
変化に対応するには、Vref1およびVref2に対応する入
力データ(階調位置)を変化させる。すなわち、低温時
には、Vref1をI_L1、Vref2をI_L2に、入力すること
で、低温時のコンバージョン特性を実現し、高温時に
は、Vref1をI_H1、Vref2をI_H2に、入力することで、
高温時のコンバージョン特性を実現している。なお、液
晶の透過率の補正については、バックライトの輝度を調
整して、最大輝度がほぼ等しくなる様に調整しているた
め、DAコンバータ106のコンバージョン特性を設計
するに当っては、規格化された液晶透過率を用いてい
る。
【0023】次に、デジタルγ補正部103について説
明する。デジタルγ補正部103においては、前述のD
Aコンバータ106でDA変換した時に、液晶の電気光
学特性に合った電圧が液晶層に印加できる様に、用意さ
れたガンマテーブル105を参照し、デジタルγ補正部
が現在の温度に適応するγ補正を行う様にデジタルγ補
正部に設けられたγ補正用メモリの内容を書き変えるこ
とができる。
【0024】図2は本実施例に応用可能なγ補正用メモ
リの構成を示した図である。図では、入力された8ビッ
トの映像信号のうち、上位4ビットを行アドレスに、下
位4ビットを列アドレスに入力し、対応する8ビットの
映像信号として読み出す構成になっている。21は行デ
コーダ、22は列デコーダ、23はメモリセルアレイで
ある。
【0025】なお、本実施例に応用する場合、アレイ2
3を構成するメモリセルは非破壊で読み出し可能である
ことが望ましい。例えば図3は一般的なSRAMセルを
示した回路図であるが、本実施例においてはこのような
非破壊読み出しが可能なメモリセルを用いることが望ま
しい。
【0026】なお、このメモリ内容の書き変えおよび、
DAコンバータ106の特性を変化させるタイミング
は、電源投入時、1フィールドごと、数秒ごと、数分ご
となど、設計者が任意に設定でき、タイミングとしては
垂直のブランキング期間を利用するのが好ましい。
【0027】図4は本実施例に応用可能な温度モニタ手
段の回路の一例を示している。同図の回路においてはp
nダイオード41に流れる電流はほぼ一定であり、この
結果pnダイオードの順方向電圧が温度Tに比例する。
この電圧を図示した回路で読み出し、なおかつADコン
バータ42によってデジタルデータに変換する。以上に
より、温度Tをデジタル信号として出力可能であり、外
部には図1で示したレジスタ115を介して外部に読み
出すことができる。
【0028】図8(a)、図9(a)はそれぞれ、本実
施例によるガンマ補正を行った時の高温時、低温時の液
晶特性における入力データに対する表示輝度を示したも
のである。また、図8(b)、図9(b)は、図8
(a)、図9(a)の一部を拡大したものである。な
お、最大輝度はバックライトを低温側で明るくする様に
制御している。その方法としては、バックライトにLE
Dを用いて、パルス幅変調により行っている。
【0029】図10(a)、図11(a)はそれぞれ、
比較のために、8ビットのデジタルγ補正のみで、温度
補償を行った場合の、高温時、低温時の液晶特性入力デ
ータに対する表示輝度を示したものであり、図10
(b)、図11(b)は、それぞれその一部を拡大した
ものである。また、両者の階調数を比較した表を、以下
に示す。
【0030】
【表1】
【0031】図8から図11までを比較して明らかな様
に、デジタルガンマ補正と、DAのコンバージョン特
性、バックライトの輝度変調を、温度によって変調する
ことにより、より高い階調性を得ることができた。
【0032】また、図示しないが、本実施例に対し、温
度変化に対してデジタルガンマ補正を行わず、DAのコ
ンバージョン特性のみを変調した場合には、画像信号に
対する表示輝度の直線性が得られず、良好な表示特性が
得られない。
【0033】本実施例によれば、複数の走査線と複数の
走査線の交点にスイッチを介して画素電極が形成された
アクティブマトリクス基板と対向電極基板との間に液晶
を挟持してなる液晶表示素子を用いた液晶装置におい
て、前記アクティブマトリクス基板には温度モニタ手段
が配置されており、前記液晶表示装置に入力する映像信
号はデジタルの信号であり、液晶の電気光学特性に対応
するように信号を変換するデジタル信号処理部と、該変
換したデジタル信号をアナログ信号に変換するDAコン
バータ部とを備え、該温度モニタの出力によって、該デ
ジタル信号処理部の変換内容を最適な内容に書き変える
とともに、DAコンバータの入出力特性を変化させるこ
とで、該温度に対応する液晶特性に合わせた電圧を液晶
層に印加することで、温度により電圧−透過率特性が変
化する液晶を用いても、良好な表示が可能な液晶表示装
置を提供することが出来る。
【0034】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明によれば、温度
等により電圧−透過率特性が変化する液晶を用いても、
良好な表示が可能な液晶表示装置を提供することが出来
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例を示したブロック図であ
る。
【図2】 本実施例で用いられるデジタルガンマ補正の
信号処理部の一例を示すブロック図である。
【図3】 図2におけるメモリーセルの一例を示す等価
回路図である。
【図4】 本実施例で用いられる温度検出回路の一例を
示す回路図である。
【図5】 本実施例で用いたDAコンバータの略図であ
る。
【図6】 本実施例で用いた液晶の電圧透過率特性図で
ある。
【図7】 本実施例で用いたDAコンバータのコンバー
ジョン特性図である。
【図8】 (a)は本実施例による、高温時の液晶特性
の、ガンマ補正後の出力階調と入力階調を比較したグラ
フ、(b)は(a)のA部を拡大した図である。
【図9】 (a)は本実施例による、低温時の液晶特性
の、ガンマ補正後の出力階調と入力階調を比較したグラ
フ、(b)は(a)のA部を拡大した図である。
【図10】 (a)は本実施例と比較した、デジタルガ
ンマ補正のみの場合の、高温時の液晶特性の、ガンマ補
正後の出力階調と入力階調を比較したグラフ、(b)は
(a)のA部を拡大した図である。
【図11】 (a)は本実施例と比較した、デジタルガ
ンマ補正のみの場合の、低温時の液晶特性の、ガンマ補
正後の出力階調と入力階調を比較したグラフ、(b)は
(a)のA部を拡大した図である。
【図12】 比較例におけるDAコンバータのコンバー
ジョン特性を示したグラフである。
【符号の説明】
103:デジタルγ補正部、105:テーブル、10
6:DAコンバータ、107:表示パネル、108:温
度モニタ手段、111:バックライト制御部、112:
バックライト、113:レファレンス電圧発生器、11
4:セレクタ、115:レジスタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 338 G09F 9/35 5C094 9/35 G09G 3/20 623F G09G 3/20 623 641Q 641 3/36 3/36 H04N 5/66 102B H04N 5/66 102 G02F 1/137 510 (72)発明者 浅尾 恭史 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 Fターム(参考) 2H088 GA04 JA17 MA09 MA13 2H093 NA53 NC02 NC44 NC57 ND02 ND44 NF17 5C006 AA11 AC11 AC21 AF46 AF51 AF53 AF83 BA19 BB15 BC12 BC16 BF24 BF43 FA19 5C058 AA06 BA02 BA07 BA13 BA35 BB04 BB05 5C080 AA10 BB05 DD20 EE29 FF11 GG09 GG11 JJ02 JJ03 JJ05 5C094 AA12 AA34 BA03 BA44 CA19 CA25 GA10 HA08 JA09

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶
    素子と、デジタルの映像信号を入力されてそれを液晶の
    電気光学特性に対応するように変換するデジタル信号処
    理部と、該変換したデジタル信号をアナログ信号に変換
    するDAコンバータ部とを備えた液晶装置において、 前記DAコンバータの入出力特性と前記デジタル信号処
    理部の信号処理の双方を制御することにより、前記液晶
    素子の特性に合わせた電圧を液晶層に印加することを特
    徴とする液晶装置。
  2. 【請求項2】 前記デジタル信号処理部の入力ビット数
    と、該デジタル信号処理部の出力ビット数と、前記DA
    コンバータのビット数とが等しいことを特徴とする請求
    項1に記載の液晶装置。
  3. 【請求項3】 前記液晶素子は、複数の走査線と複数の
    走査線の交点にスイッチを介して画素電極が形成された
    アクティブマトリクス基板と対向電極基板との間に液晶
    を挟持してなる液晶素子であることを特徴とする請求項
    1または2に記載の液晶装置。
  4. 【請求項4】 前記アクティブマトリクス基板には温度
    モニタ手段が配置されており、該温度モニタの出力によ
    って、前記デジタル信号処理部の変換特性および前記D
    Aコンバータの入出力特性を変化させること特徴とする
    請求項3に記載の液晶装置。
  5. 【請求項5】 前記デジタル信号処理部は、前記液晶の
    電気光学特性に応じた変換テーブルを有し、前記温度モ
    ニタの出力によって該変換テーブルの内容を最適な内容
    に書き変えること特徴とする請求項4に記載の液晶装
    置。
  6. 【請求項6】 前記DAコンバータには、レファレンス
    電圧として、二つの電源電圧以外に複数のレファレンス
    電圧が用意されているとともに、該レファレンス電圧を
    印加する複数のノードが用意されており、該複数のレフ
    ァレンス電圧をn、該複数のノードをmとした時に、n
    <mの関係にあり、該DAコンバータの入出力特性を変
    化させる手段は、前記各々のレファレンス電圧を入力す
    るノードを温度に応じて選択することにより行うことを
    特徴とする請求項4または5に記載の液晶装置。
  7. 【請求項7】 前記DAコンバータには、レファレンス
    電圧として、二つの電源電圧以外に複数のレファレンス
    電圧が用意されているとともに、該レファレンス電圧を
    印加する複数のノードが用意されており、該複数のレフ
    ァレンス電圧をn、該複数のノードをmとした時に、n
    >mの関係にあり、該DAコンバータの入出力特性を変
    化させる手段は、前記複数のレファレンス電圧から前記
    各ノードに入力するレファレンス電圧を温度に応じて選
    択することによって行うことを特徴とする請求項4また
    は5に記載の液晶装置。
  8. 【請求項8】 前記液晶素子の最大透過率または最大反
    射率に応じて該液晶素子を照射する光源輝度の時間積分
    値を変調し、該液晶素子の最大透過光量または最大反射
    光量を一定とすることを特徴とする請求項1乃至7のい
    ずれかに記載の液晶装置。
  9. 【請求項9】 前記液晶は、温度によって電圧−透過率
    特性が変化することを特徴とする請求項1乃至8のいず
    れかに記載の液晶装置。
  10. 【請求項10】 前記液晶がカイラルスメクチック液晶
    であることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれかに
    記載の液晶装置。
  11. 【請求項11】 前記カイラルスメクチック液晶の相転
    移系列が、高温側より、等方性液体相(ISO.)−コ
    レステリック相(Ch)−カイラルスメクチックC相、
    または等方性液体相(ISO.)−カイラルスメクチッ
    クC相であることを特徴とする請求項10に記載の液晶
    装置。
  12. 【請求項12】 前記液晶素子が、電圧無印加時では、
    該液晶の平均分子軸が単安定化された第一の状態を示
    し、第一の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸
    は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位
    置から一方の側にチルトし、該第一の極性とは逆極性の
    第二の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該
    単安定化された位置から第一の極性の電圧を印加したと
    きとは逆側にチルトする液晶素子であって、前記第一の
    極性の電圧印加時と第二の極性の電圧印加時の液晶の平
    均分子軸の該第一の状態における単安定化された位置を
    基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ
    1、β2としたとき、β1>β2となる液晶素子である
    ことを特徴とする請求項10または11に記載の液晶装
    置。
  13. 【請求項13】 前記チルトの角度β1、β2の関係
    が、β1≧5×β2となることを特徴とする請求項12
    に記載の液晶装置。
  14. 【請求項14】 前記チルトの角度β2が実質的に0で
    あることを特徴とする請求項13に記載の液晶装置。
  15. 【請求項15】 前記カイラルスメクチック液晶のバル
    ク状態でのらせんピッチがセル厚の2倍より長いことを
    特徴とする請求項10〜14のいずれかに記載の液晶装
    置。
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