JP2001288129A

JP2001288129A - パーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体

Info

Publication number: JP2001288129A
Application number: JP2001028243A
Authority: JP
Inventors: Masanobu Onishi; 正展大西; Kenichi Ikeda; 健一池田; Takashi Shimaoka; 孝史嶋岡; Masanori Yoshida; 正徳吉田
Original assignee: Nihon Nohyaku Co Ltd
Current assignee: Nihon Nohyaku Co Ltd
Priority date: 2000-02-04
Filing date: 2001-02-05
Publication date: 2001-10-16

Abstract

(57)【要約】【解決手段】一般式(I) 【化１】｛式中、Ｘ₁はＨ、ハロゲン、ホルミル、（ハロ） (C₁
-C₆)アルキル、(C₁-C₆) アルコキシ、(C₁-C₆) アルキル
チオ等、Ｘ₂はＨ、ハロゲン、ホルミル、ヒドロキシ、
(C₁-C₆)アルキル、(C₁-C₆) アルキルチオ、−Ｃ（＝
Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ₁はＨ、ハロゲン、ヒドロキシ、
(C₁-C₆)アルキル、ＮＲ₂Ｒ₃（式中、Ｒ ₂及びＲ₃は
Ｈ、 (C₁-C₆)アルキル等））、Ｘ₃はＨ、ハロゲン、ヒ
ドロキシ、、シアノ、イソシアネート、イソチオシアネ
ート、ヒドラジノ、ジアゾ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₁、−ＳＯ
₂-Ｒ₄（式中、Ｒ₄はハロゲン、ヒドロキシ、 (C₁-C₆)
アルキル、ＮＲ₅Ｒ₆（式中、Ｒ₅及びＲ₆はＨ、 (C₁
-C₆)アルキル））Ｘ₄はＨ、、ハロゲン、 (C₁-C₆)アル
キル、 (C₁-C₆)アルコキシ基。但し、公知の化合物を除
く。｝で表されるパーパーフルオロイソプロピルベンゼ
ン誘導体又はその塩類。【効果】農薬、医薬、界面活性剤等の各種工業材料の
合成中間体又は原料として有用な化合物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は新規なパーフルオロ
イソプロピルベンゼン誘導体又はその塩類に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】パーフルオロイソプロピルベンゼン類
は、主に物理化学的に特徴のある性質を示すパーフルオ
ロアルキル基を有することから、農薬、医薬、染料、界
面活性剤、湿潤剤、分散剤、ゴム材料、離型剤、撥水撥
油剤、光学材料、ガス分離膜材料、レジスト材料、防汚
塗料、耐候性塗料、紙加工剤、繊維処理剤、耐熱性や耐
候性などの特徴を持つ機能性樹脂、帯電防止剤、写真用
トナー、液晶材料、溶剤等の合成中間体又は原料として
有用である（例えば「ハロゲンケミカルズの最先端技
術」出版元シーエムシー）。

【０００３】従来、パーフルオロイソプロピルベンゼン
類に関して、その製造例はあまり報告されていない。文
献上、従来知られているパーフルオロイソプロピル基を
ベンゼン環に導入する方法としては、例えば、（ａ）．ハロゲン化ベンゼン類のハロゲンを金属銅の存
在下に２−ヨードヘプタフルオロプロパンを用いて置換
する方法、例えば（１）Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２
５，５９２１（１９６９）、（２）ドイツ公開特許第２
６０６９８２号公報、（３）日本化学会誌、１８７６
（１９７２）、（４）Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋ
ｉｎＴｒａｎｓ．１，６６１（１９８０）、（５）Ｂ
ｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，６５．２１４１
（１９９２）等に記載の方法がある。しかし、これらの
方法では予めベンゼン類の適切な位置にハロゲン原子を
導入しておく必要があること、過剰の銅が必要であるこ
と、更に反応条件が高温であること等、工業的には不利
である。又、ベンゼン類の置換基の種類によっては収率
が低く有効な方法ではない。

【０００４】（ｂ）．フルオロニトロベンゼン類に対し
てヘキサフルオロプロペンをフッ素アニオン存在下に反
応させる方法、例えば、（１）Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．
Ｃ，２２２１（１９６８）、（２）有機合成化学会誌，
２７，９９３（１９６９）、（３）日本化学会誌，，１
９８（１９７６）、（４）Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，５
１，１３１６７（１９９５）等に記載の方法がある。し
かし、これらの方法では基質がパーフルオロニトロベン
ゼン類やジニトロフルオロベンゼン類等の電子吸引基で
強く活性化されたものに限られるため、製造できる化合
物の置換基、構造等に制限がある。

【０００５】（ｃ）．無置換又は置換フェニルグリニャ
ル試薬をヘキサフルオロアセトンと反応させて製造でき
る１−ヒドロキシ−１−トリフルオロメチル−２，２，
２−トリフルオロエチルベンゼン類を適当なフッ素化剤
と反応させる方法、例えば、カナダ特許第１，０２２，
５７３号公報に記載の方法がある。しかし、この方法で
はフッ素化剤としてフッ化水素酸やＳＦ₄等の工業的に
取り扱いの困難な試薬を用いる等の反応条件により必ず
しも経済的ではない。（ｄ）．フェノール類に（ヘプタフルオロイソプロピ
ル）フェニルトードニウムトリフルオロメタンスルホネ
ートを反応させてパーフルオロイソプロピルフェノール
類を得る方法がＢｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐ
ｎ．，５７，３３６１（１９８４）に記載されている。
しかし、この方法では高価な試薬を用いること及び得ら
れるパーフルオロイソプロピル化される位置に関して選
択性が低いことにより工業的実用性が期待できない。

【０００６】（ｅ）．ヨードベンゼン類をパラジウム触
媒存在下、２−ヨードヘプタフルオロプロパンと亜鉛か
ら系内で調製したパーフルオロイソプロピル亜鉛化合物
を反応させて、パーフルオロイソプロピルベンゼン類を
得る方法がＣｈｅｍｉｓｔｒｙＬｅｔｔｅｒｓ，１３７
（１９８２）に記載されている。しかし、この方法では
亜鉛を用いる他、超音波下で反応させる必要がある等の
反応条件等が工業的に有利ではない。パーフルオロイソ
プロピルベンゼン類の製造方法としては、上記の方法で
目的とするベンゼン類にパーフルオロイソプロピル基を
導入するか、又は上記の方法で製造したパーフルオロイ
ソプロピルベンゼン類を構造変換することで目的化合物
を製造しており、いずれも実用的とはいえない。このよ
うに、従来の製造法が実用的でないことから、パーフル
オロイソプロピルベンゼン類の製造例は数少ないが、パ
ーフルオロイソプロピル基が物理的にも生化学的にも特
徴のある置換基であることもあって、いくつかの分野で
パーフルオロイソプロピル基が導入されたベンゼン類の
有用性が記載されている。

【０００７】パーフルオロイソプロピル基を置換基とし
て有する安息香酸類では、例えば、特開平９−３１９１
４７号公報にベンゼン環上にパーフルオロイソプロピル
基を有するフタル酸類が正帯電性荷電制御剤及び静電荷
像現像用トナーとして有用であることが記載されおり、
特開昭５９−６９７５５号公報には一部のパーフルオロ
イソプロピル基を有する安息香酸アミドが写真用シアン
カプラーとして有用であることが記載されている。又、
パーフルオロイソプロピルベンゼンスルホン酸類として
は、例えば、米国特許第３，５０１，５２２号公報に一
部のスルホン酸及びその塩が湿潤剤、分散剤として有用
であると記載されており、１−メチル−４−（１−トリ
フルオロメチル−１−ヒドロキシ−２，２，２−トリフ
ルオロエチル）ベンゼンを原料として、１−メチル−４
−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼンを経て、４−ヘ
プタフルオロ安息香酸を製造する方法が開示されてい
る。しかし、この製法はＳＦ₄、クロム酸といった毒性
の強い試薬を用いて製造しているため製造設備、廃棄物
処理等のコスト高により工業的に不利である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来知られた方法では
概して、パーフルオロイソプロピル基を導入する位置に
予めハロゲン原子が必要であったり、パーフルオロイソ
プロピル基を導入できるのが、フェノールやニトロベン
ゼン類など一定の置換基を有するベンゼン類である必要
があったため、過去に製造されたパーフルオロイソプロ
ピルベンゼン類の置換基の種類は少なかった。又、いず
れの方法も大量に製造するには有効でない等の問題点を
有している。そのため、パーフルオロイソプロピル基は
物理的に特徴があり様々な分野での有用性が期待できる
置換基であるにも拘わらず、これまでパーフルオロイソ
プロピルベンゼン類はあまり製造されてこなかった。

【０００９】本発明は、新規で有用なパーフルオロイソ
プロピルベンゼン誘導体又はその塩類を提供すること、
又、特願平１１−２２９３０４号公報に記載の方法に準
じて、容易に製造できるパーフルオロイソプロピルアニ
リン類を原料として使用して、各種のパーフルオロイソ
プロピルベンゼン誘導体を簡便に収率良く製造する方法
及び多様な新規パーフルオロイソプロピルベンゼン誘導
体を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は一般式(I)

【化２】｛式中、Ｘ₁は水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、
(C₁-C₆)アルキル基、ハロ (C₁-C₆)アルキル基、(C₁-
C₆) アルコキシ基、(C₁-C₆) アルキルチオ基、ヒドロキ
シ (C₁-C₆)アルキル基又は(C₁-C₆) アルキルカルボニル
オキシ (C₁-C₆)アルキル基を示し、Ｘ₂は水素原子、ハ
ロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、(C₁-C₆)アル
キル基、ハロ (C₁-C₆)アルキル基、(C₁-C₆) アルコキシ
基、(C₁-C₆) アルキルチオ基、 (C₁-C₆)アルキルスルフ
ィニル基、 (C₁-C₆)アルキルスルホニル基、ヒドロキシ
(C₁-C₆)アルキル基又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ
₁は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、 (C₁-C₆)
アルキル基、 (C₁-C₆)アルコキシ基又はＮＲ₂Ｒ₃（式
中、Ｒ₂及びＲ₃は同一又は異なっても良く、水素原
子、 (C₁-C₆)アルキル基又は (C₁-C₆)アルコキシ基を示
す。）を示す。）を示し、Ｘ₃は水素原子、ハロゲン原
子、ヒドロキシ基、シアノ基、

【００１１】イソシアネート基、イソチオシアネート
基、ヒドラジノ基、ジアゾ基、メルカプト基、(C₁-C₆)
アルコキシ基、 (C₁-C₆)アルキルチオ基、−Ｃ（＝Ｏ）
−Ｒ₁（式中、Ｒ₁は前記に同じ。）又は−ＳＯ₂-Ｒ₄
（式中、Ｒ₄はハロゲン原子、ヒドロキシ基、 (C₁-C₆)
アルキル基又はＮＲ₅Ｒ₆（式中、Ｒ₅及びＲ₆は同一
又は異なっても良く、水素原子又は (C₁-C₆)アルキル基
を示す。）を示す。）を示し、Ｘ₄は水素原子、ハロゲ
ン原子、 (C₁-C₆)アルキル基又は (C₁-C₆)アルコキシ基
を示す。但し、（１）Ｘ₁、Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示す場合、Ｘ₃
はヒドロキシカルボニル基又はメトキシカルボニル基を
除く。（２）Ｘ₁及びＸ₄が水素原子を示し、Ｘ₂がホルミル
基を示す場合、Ｘ₃はメトキシ基である場合を除く。（３）Ｘ₁、Ｘ₂又はＸ₃のうち、いずれか一つがメト
キシ基を示す場合、残りのＸ₁、Ｘ₂又はＸ₃及びＸ₄
は水素原子を除く。

【００１２】（４）Ｘ₂及びＸ₃のうち、いずれか一つ
がヒドロキシ基を示す場合、残りのＸ ₂又はＸ₃、Ｘ₁
及びＸ₄は水素原子を除く。（５）Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃又はＸ₄のうちいずれか一つが
フッ素原子を示す場合、残りのＸ₁、Ｘ₂、Ｘ₃又はＸ
₄は水素原子を除く。（６）Ｘ₁、Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示す場合、Ｘ₃
は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を除く。（７）Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃又はＸ₄のうち、いずれか一つ
がメチル基を示す場合、残りのＸ₁、Ｘ₂、Ｘ₃又はＸ
₄は水素原子を除く。（８）Ｘ₁、Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示す場合、Ｘ₃
はイソプロピル基又はクロロメチル基を除く。（９）Ｘ₁、Ｘ₃及びＸ₄が水素原子を示す場合、Ｘ₂
はトリフルオロメチル基を除く。（１０）Ｘ₁及びＸ₄がメチル基を示し、Ｘ₂が水素原
子を示す場合、Ｘ₃は水素原子又はヘプタフルオロイソ
プロピル基を除く。｝で表されるパーフルオロイソプロ
ピルベンゼン誘導体又はその塩類に関するものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明における一般式(I) で表さ
れるパーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体の一般式
(I) の定義において、その各置換基の定義中、『ｉ−』
はイソを、『ｓｅｃ−』はセカンダリーを、『ｔ−』は
ターシャリーを意味し、『アルキル基』又はアルキル部
分を示す『アルキル』は直鎖状又は分岐鎖状であっても
よく、『 (C₁-C₆)アルキル基』とは炭素数１〜６個を有
するアルキル基を示し、例えば、メチル基、エチル基、
プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチ
ル基、ｔ−ブチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチ
ルプロピル基、ヘキシル基、ヘプチル基等が挙げられ
る。

【００１４】『ハロゲン原子』とは塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子又はフッ素原子を示し、『ハロ (C₁-C₆)
アルキル基』とは、同一又は異なっても良く、その水素
原子の１個又はそれ以上がハロゲン原子で置換された炭
素原子数１〜６個の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を
示し、例えば、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチ
ル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、１−フルオロ
エチル基、１−クロロエチル基、１−ブロモエチル基、
２−クロロエチル基、２−ブロモエチル基、２，２，２
−トリフルオロエチル基、３−クロロブチル基、３−ブ
ロモブチル基、１−クロロペンチル基、１−クロロへキ
シル基、６ーブロモへキシル基等が挙げられる。

【００１５】『アルコキシ基』又は『アルコキシ』部分
を含む場合、直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基を意味
し、『 (C₁-C₆)アルコキシ基』とは、例えばメトキシ
基、エトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ
基、ｔ−ブトキシ基、１，２−ジメチルプロポキシ基、
ヘキシルオキシ基等が挙げられる。『ハロ (C₁-C₆)アル
コキシ基』とは、同一又は異なっても良く、その水素原
子の１個又はそれ以上がハロゲン原子で置換された炭素
原子数１〜６個の直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基を
示し、例えばジフルオロメトキシ基、トリフルオロメト
キシ基、２−クロロエトキシ基、２ーブロモエトキシ
基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、ペンタフル
オロエトキシ基、１，１，２，２，−テトラフルオロエ
トキシ基、３ークロロブトキシ基、３ーブロモブトキシ
基、１−クロロペンチルオキシ基、１−クロロへキシル
オキシ基、６ーブロモへキシルオキシ基等が挙げられ
る。

【００１６】『 (C₁-C₆)アルキルチオ基』とは、炭素原
子数１〜６個の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルチオ基を
示し、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｉ−プロピ
ルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、
ヘキシルチオ基等が挙げられる。『ハロ (C₁-C₆)アルキ
ルチオ基』とは、同一又は異なっても良く、その水素原
子の１個又はそれ以上がハロゲン原子で置換された炭素
原子数１〜６個の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルチオ基
を示し、例えばジフルオロメチルチオ基、トリフルオロ
メチルチオ基、２，２，２−トリフルオロエチルチオ
基、１，１，２，２−テトラフルオロエチルチオ基、２
−クロロエチルチオ基、３−ブロモエチルチオ基等が挙
げられる。『ヒドロキシ (C₁-C₆)アルキル基』とは、同
一又は異なってもよく、その水素原子の１個又はそれ以
上がヒドロキシ基で置換された炭素原子数１〜６個の直
鎖状又は分岐鎖状アルキル基を示し、例えばヒドロキシ
メチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエ
チル基等が挙げられる。

【００１７】以下に、本発明の一般式(I) で表されるパ
ーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体の代表的な製造
方法を例示するが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。〔製造方法１〕

【化３】（式中、Ｙ₁、Ｙ₂及びＹ₃は同一又は異なっても良
く、水素原子、ヒドロキシ基、塩素原子、臭素原子、フ
ッ素原子、 (C₁-C₆)アルキル基、 (C₁-C₆)アルコキシ基
又はヒドロキシ (C₁-C₆)アルキル基を示し、Ｗは酸素原
子又は硫黄原子を示す。）

【００１８】一般式(II)で表されるアニリン類とホスゲ
ン、ＴＣＦ（トリクロロクロロホメート）等とを不活性
溶媒の存在下又は不存在下、ＤＭＡＰ（４−ジメチルア
ミノピリジン）等の触媒の存在下又は不存在下に反応さ
せることにより、一般式(I-a) で表されるパーフルオロ
イソプロピルベンゼン誘導体を製造することができる。
一般式(I-a) で表されるパーフルオロイソプロピルベン
ゼン誘導体において、Ｗが酸素原子を示す化合物は、例
えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（１９３７）７
９，ｐ．１２３６、Ｏｒｇ．Ｓｙｎｔｈ．II，（１９４
３）ｐ．４５３、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，（１９６
６）３１，ｐ．５９６、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎ
ｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ（１９８７），２６（９），ｐ．８
９４、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ
（１９９５）, ３４（２２）, ｐ．２４９７に記載の方
法に準じて製造することができる。

【００１９】又、Ｗが硫黄原子を示す化合物は、例え
ば、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（１９４２）ｐ．３７４、
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（１９４６）６８，ｐ．
２５０６、ＬｉｅｂｉｇｓＡｎｎ．Ｃｈｅｍ．（１９
６２）６５７，９８、Ｂｕｌｌ．Ｃｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐ
ｎ．（１９７５）４８，ｐ．２９８１に記載の方法に準
じて製造することができる。出発物質である一般式(II)
で表されるアニリン類は特願平１１−３３８７０７号に
記載の方法に準じて製造することができる。

【００２０】〔製造方法２〕

【化４】（式中、Ｙ₁、Ｙ₂及びＹ₃は前記と同じくし、Ｙ₄は
水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、スルホニルハ
ライド基又はヒドラジノ基若しくはその塩を示す。）一般式(II)で表されるアニリン類を亜硝酸ナトリウム等
と、酸性溶媒を用いて反応させて得られるアニリン類の
ジアゾニウム塩と金属ハロゲン化物とを、銅等の金属触
媒の存在下又は不存在下に反応することにより、一般式
(I-b) で表されるパーフルオロイソプロピルベンゼン誘
導体を製造することができる。

【００２１】本製造方法は、一般式(I-b) で表されるパ
ーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体のうち、Ｙ₄が
水素原子を示す化合物は、例えばＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，ｐ．２０９５（１９４９）：Ｏｒｇ．Ｒｅａｃ
ｔ．，２，ｐ．２６２（１９４４）、Ｏｒｇ．Ｓｙｎｔ
ｈ．，（１９５５）III ，２９５、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅ
ｍ．，８３，ｐ．１２５１（１９６１）等に、Ｙ₄がフ
ッ素原子のものについては、例えば、Ｏｒｇ．Ｒｅａｃ
ｔ．，５，ｐ．１９３（１９４９）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈ
ｅｍ．，３６，ｐ．６３（１９７１）に、Ｙ₄が塩素原
子のものについては、例えば、Ｏｒｇ，Ｓｙｎｔｈ．，
Ｉ，ｐ．１７０，（１９４１）、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，ｐ．８１９（１９４５）に、Ｙ₄が臭素原子のも
のについては、例えば、Ｏｒｇ．Ｓｙｎｔｈ．III ，
ｐ．１８５（１９５５）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２
３，ｐ．１１３９（１９５８）に、及びＹ₄がヨウ素原
子のものについては、例えば、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．
３，ｐ．５５（１９３８）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．７０，ｐ．１５７（１９４８）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ．９２，ｐ．２１７５（１９７０）、Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．９３，ｐ．４８４５（１９７
１）等に記載の方法により製造することができる。

【００２２】又、Ｙ₄がヒドロキシ基を示す化合物は、
例えばＯｒｇ．Ｓｙｎｔｈ．，Ｉ，ｐ．４０４（１９４
１）、Ｏｒｇ．Ｓｙｎｔｈ．，III ，ｐ．１３０（１９
５５）、Ｃａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，４１，ｐ．１６５３
（１９６３）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３２，ｐ．３
８４４（１９６７）に、Ｙ₄がスルホニルハライド基を
示す化合物については、例えばＪ．Ｐｒａｋｔ．Ｃｈｅ
ｍ．〔２〕１５２，ｐ．２５１（１９３９）、Ｒｅｃ
ｌ．Ｔｒａｖ．Ｃｈｉｍ．Ｐａｙｓ−Ｂａｓ．，８４，
ｐ．２２（１９６５）に、Ｙ₄がヒドラジノ基又はその
塩を示す化合物については、例えばＯｒｇ．Ｓｙｎｔ
ｈ．，Ｉ，ｐ．４４２（１９４１）に記載の方法に準じ
て、それぞれの化合物を製造することができる。又、一
般式(I-b) で表されるパーフルオロイソプロピルベンゼ
ン誘導体で、Ｙ ₄がアルデヒド基を示す化合物は、上記
製法で得られるＹ₄がヒドロキシ基を示す化合物を常法
によって酸化することにより製造することができる。

【００２３】〔製造方法３〕

【化５】（式中、Ｙ₁、Ｙ₂及びＹ₃は前記と同じくし、Ｙ₅は
塩素原子、ヨウ素原子又は臭素原子を示し、Ｒは水素原
子又は(C₁-C₁₂)アルキル基を示す。）一般式(III) で表されるハロゲン化ベンゼン類を塩基、
トリフェニルホスフィン、ビスジフェニルホスフィノブ
タン等の有機リン化合物、パラジウム、ニッケル、コバ
ルト等の遷移金属又はそれらの錯体及び不活性溶媒の存
在下に一酸化炭素と反応させることにより一般式(I-c)
で表されるパーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体を
製造することができる。本製造方法は、例えば、Ｂｕｌ
ｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，４８，ｐ．２０７５
（１９７５）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１１，
ｐ．８７４２（１９８９）に記載された方法に準じて製
造することができる。

【００２４】一般式(I-c) で表されるパーフルオロイソ
プロピルベンゼン誘導体から以下の方法により、一般式
(I-d) 、一般式(I-e) 、一般式(I-f) 及び一般式(I-g)
で表されるパーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体を
製造することができる。

【化６】（式中、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃及びＲは前記に同じくし、Ｈ
ａｌはハロゲン原子を示す。）本反応は常法により反応することができる。

【００２５】

【実施例】以下に本発明の代表的な実施例を例示する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。１．ハロベンゼン類の製造。実施例１．１−クロロ−４−ヘプタフルオロイソプロピ
ルベンゼンの製造。

【化７】濃塩酸（３０ｍｌ）を水（１０ｍｌ）で希釈した中に４
−ヘプタフルオロイソプロピルアニリン（１０ｇ、３
８．３ミリモル）を加えて懸濁状とした。次いで反応温
度が１０℃以下になるように亜硝酸ナトリウム（２．９
ｇ、４２ミリモル）水溶液（１０ｍｌ）を徐々に加え
た。添加終了後、更に２０分間撹拌した。該ジアゾニウ
ム塩溶液を別途調製した塩化銅（Ｉ）（５．７ｇ、５７
ミリモル）塩酸（２５ｍｌ）溶液に室温で徐々に加え
た。次いで３０分間室温で撹拌して、１時間加熱した
後、室温に冷却し、ヘキサンを加えて有機層を分離し、
有機層を水で一回、チオ硫酸ナトリウム水溶液で二回、
飽和食塩水で一回で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、減圧下に濃縮することにより目的物の粗生成物
（８．６ｇ、粗収率８０％）を得た。物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 7.49(d.2H), 8.07(d.2H).

【００２６】実施例２．１−ブロモー２−フルオロ−４
−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼンの製造。

【化８】４７％臭化水素水（５０ｍｌ）を水（１５ｍｌ）で希釈
した中に２−フルオロ−４−ヘプタフルオロイソプロピ
ルアニリン（１５．７ｇ、５６ミリモル）を加えた。次
いで反応温度が１０℃以下になるよう亜硝酸ナトリウム
（４．１ｇ、５９ミリモル）水溶液（２０ｍｌ）を徐々
に加えた。添加終了後更に２０分間撹拌した。該ジアゾ
ニウム塩溶液を別途調製した臭化銅（Ｉ）（４．０ｇ、
２６ミリモル）の４７％臭化水素水（４０ｍｌ）溶液
に、６５℃で一度に加え、６０〜８０℃で２時間撹拌し
た後、室温まで冷却し、ヘキサンを加えて有機層を分離
し、有機層を水で一回、チオ硫酸ナトリウム水溶液で二
回、飽和食塩水で一回で洗浄した。無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、減圧下に濃縮することにより目的物の粗生成
物（１５ｇ、粗収率７８％）を得た。物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 7.294(d.1H), 7.39(d.1H),
7.72(t.1H). ｎＤ１．４３１８（２１．３℃）

【００２７】実施例３. １−ブロモー３ーヘプタフルオ
ロイソプロピルベンゼンの製造。

【化９】塩酸水（６０ｍｌ）を水（２０ｍｌ）で希釈した中に、
２ーブロモ−４−ヘプタフルオロイソプロピルアニリン
（２０ｇ、５９ミリモル）を加えて懸濁状とした。次い
で反応温度が５℃となるように亜硝酸ナトリウム（４．
３ｇ、６２ミリモル）水溶液（１５ｍｌ）を徐々に滴下
した。滴下終了後、更に３０分間撹拌した。該ジアゾニ
ウム塩溶液に５〜１０℃でジ亜リン酸（３５ｍｌ）を、
１時間かけて数度に分けて滴下した。滴下終了後、更に
室温で３時間撹拌した後、ヘキサンを加えて有機層を分
離し、有機層を水で一回、飽和食塩水で一回で洗浄し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下に濃縮して得た残
渣をカラムクロマトグラフィーで精製することにより目
的物（１７．２ｇ、粗収率９０％）を得た。物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 7.39(t.1H), 7.554(d.1H),
7.69(m.1H),7.76(s.1H).

【００２８】実施例４. ４−ヘプタフルオロイソプロピ
ルーヨードベンゼンの製造。

【化１０】氷浴下、濃硫酸（７．５ｇ、７６．６ミリモル）を水
（３０ｍｌ）で希釈し、４−ヘプタフルオロイソプロピ
ルアニリン（１０ｇ、３８．３ミリモル）を加えた。次
いで反応温度が０℃以下になるように亜硝酸ナトリウム
（２．９ｇ、４２ミリモル）水溶液（２０ｍｌ）を徐々
に加え、更に２０分間撹拌した後、濃硫酸（３．８ｇ）
を加えた。該ジアゾニウム塩溶液を別途調製したヨウ化
カリウム（９．５ｇ、５７．５ミリモル）水溶液（２０
ｍｌ）に室温で徐々に加えた。次いで１時間加熱還流し
た後、室温に冷却し、ヘキサンを加えて有機層を分離
し、有機層を水で一回、チオ硫酸ナトリウム水溶液で二
回、飽和食塩水で一回で洗浄した後、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥後、減圧下に濃縮することにより目的物の粗生
成物（１３ｇ、粗収率８７％）を得た。

【００２９】同様の方法で、以下のパーフルオロイソプ
ロピルベンゼン誘導体を得た。１−クロロー３−フルオロ−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 7.23-7.33(m.2H), 7.56(t.1H). ¹⁹F-NMR δ(CDCl₃) ; -75.82(6F), -106.73(1F), -178.6(1F). １−クロロー２，６−ジメチル−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.44(s.6H), 7.305(s.2H). １−クロロ−４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.45(s.3H), 7.38(d.1H), 7.46(m.2H). １−クロロ−４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メトキシベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.95(s.3H), 7.12(s.1H), 7.14(d.1H), 7.50(d,1H).

【００３０】１−ブロモ−４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.48(s.3H), 7.27(d.1H), 7.45(s.1H), 7.66(d,1H). １−ブロモ−４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.50(d.3H), 7.34(d.1H), 7.42(d.1H), 7.46(s,1H). １−ブロモー２，６−ジメチル−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.48(s.6H), 7.29(s.2H). １−ブロモ−４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メトキシベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.944(s.3H), 7.08(brs.2H), 7.67(d.1H). １−ブロモー３−フルオロ−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 7.39-7.52(m.3H). ¹⁹F-NMR δ(CDCl₃) ; -75.77(6F), -106.64(1F), -178.61(1F).

【００３１】１−ブロモ−４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルチオベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.51(s.3H), 7.21(m.1H), 7.285(s.1H), 7.645(d.1H). １−ブロモー２，６−ジクロロ−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 7.604(s,2H). ¹⁹F-NMR δ(CDCl₃) ; -75.98(6F), -182.61(1F). １−ヨード−４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.47(d.3H), 7.18(d.1H), 7.62(d.1H), 7.68(s.1). ｎＤ１．４１４２（２４．２℃）１−ヨード−４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.504(s.3H), 7.10(d.1H), 7.44(s.1H), 7.94(d,1H).

【００３２】１−ヨードー２，６−ジメチル−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.54(s.6H), 7.26(s.2H). ¹⁹F-NMR δ(CDCl₃) ; -76.15(d,7F), -183.28(m,1F). １−ヨード−４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.51(s.3H), 7.10(d.1H), 7.444(s.1H), 7.94(d.1H). １−ヨード−４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルチオベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.50(s.3H), 7.06(d.1H), 7.235(s.1H), 7.91(d.1H) １−ヨード−４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メトキシベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.93(s.3H), 6.94(d.1H), 6.98(s.1H), 7.90(d.1H).

【００３３】２．アルキルベンゼン類の製造実施例５. １−メチルー２ーヘプタフルオロイソプロピ
ルベンゼンの製造。

【化１１】氷浴下、濃塩酸（９０ｍｌ）を水（３０ｍｌ）で希釈し
た中に、４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチル
アニリン（３０ｇ、１０９ミリモル）の氷酢酸（３０ｍ
ｌ）溶液を加えた。次いで反応温度が５℃以下になるよ
うに亜硝酸ナトリウム（８ｇ、１１５ミリモル）水溶液
（１５ｍｌ）を徐々に加えた。加え終わった後、更に1
間時撹拌し、ジ亜リン酸（５０ｍｌ）を加えて徐々に昇
温させ室温で１５時間撹拌した。次いでヘキサンを加え
て有機層を分離し、有機層を水で二回、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液で一回、飽和食塩水で一回洗浄し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下に濃縮することにより
目的物の粗生成物（１９ｇ）を得た。

【００３４】同様の反応で、以下の化合物を製造した。１−メチルー３ーヘプタフルオロイソプロピルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.42(s.3H), 7.35-7.41(m.4H). １，２−ジメチルー３ーヘプタフルオロイソプロピルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.35(s.3H), 2.40(d.3H), 7.13-7.19(m.1H), 7.29-7.63(m.2H). １−エチルー３ーヘプタフルオロイソプロピルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 1.27(t.3H), 2.73(dd.2H), 7.37-7.48(m.4H). ¹⁹F-NMR δ(CDCl₃) ; -76.23(d.7F), -183.08(m.1F). １−クロロメチルー２ーヘプタフルオロイソプロピルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 4.79(d.2H), 7.44(m.1H), 7.52-7.63(m.3H). １−メチルー２ーヘプタフルオロイソプロピルー５ーメチルチオベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.49(d.3H), 2.495(s.3H), 7.09(s.1H), 7.11(d.1H), 7.37(d.1H).

【００３５】２ーヘプタフルオロイソプロピルベンジルアルコール物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 4.925(d.2H), 7.41(d.1H), 7.51-7.59(m.2H), 7.81(d.1H). １−メチルー２ーヘプタフルオロイソプロピルー５ーメトキシベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.49(d.3H), 3.824(s.3H), 6.78(s.1H), 6.79(d.1H), 7.40(d.1H). ｎＤ１．４１１４（２４．２℃）２’ーヘプタフルオロイソプロピルベンジルアセテート物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.125(s.3H), 5.32(d.2H), 7.44(m.1H), 7.51-7.59(m.3H). １−ブロモメチルー２ーヘプタフルオロイソプロピルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 4.68(d.2H), 7.40-7.45(m.1H),7.50-7.58(m.3H).

【００３６】３．安息香酸類の製造。実施例７. メチル４−ヘプタフルオロイソプロピル−
３−メチルベンゾエートの製造。

【化１２】オートクレーブ中に１−ヨード−４−ヘプタフルオロイ
ソプロピル−３−メチルベンゼン（１．０ｇ、２．６ミ
リモル）、塩化パラジウム（１０ｍｌ、２モル％）、ト
リフェニルホスフィン（５４ｇ、８モル％）及びトリエ
チルアミン（０．５２ｇ、５．２ミリモル）をメタノー
ル（１０ｍｌ）に懸濁した。次いでオートクレーブ中を
一酸化炭素で置換し、容器内の圧力を約１４気圧にし
た。これを約１２０℃に加熱して８時間撹拌した。次い
で室温に冷却した後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮後、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸
エチル＝９：１）で精製することにより目的物（０．７
７ｇ、収率９４％）を得た。

【００３７】実施例８．エチル２ーフルオロ−４−ヘ
プタフルオロイソプロピルベンゾエートの製造。

【化１３】オートクレーブ中に１−ブロモー２−フルオロ−４−ヘ
プタフルオロイソプロピルベンゼン（１０．０ｇ、２９
ミリモル）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム（１．０ｇ、５モル％）及びトリエチルアミ
ン（３．５ｇ、３５ミリモル）をエタノール（６０ｍ
ｌ）に懸濁した。次いでオートクレーブ中を一酸化炭素
で置換し、容器内の圧力を約１４気圧にした。これを約
１２０℃に加熱して８時間撹拌した。次いで室温に冷却
した後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮後シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝９：
１）で精製することにより目的物（７．４ｇ、収率７５
％）を得た。

【００３８】実施例９．メチル４−ヘプタフルオロイ
ソプロピルベンゾエートの製造。

【化１４】オートクレーブ中に１−ブロモ−４−ヘプタフルオロイ
ソプロピルベンゼン（１１．８ｇ、３１．７ミリモル）
とジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（１．１ｇ、５モル％）及び炭酸カリウム（３．２ｇ、
３１．７ミリモル）をメタノール（５０ｍｌ）に懸濁し
た。次いでオートクレーブ中を一酸化炭素で置換し、容
器内の圧力を約１４気圧にした。これを約１１０℃に加
熱して６時間撹拌した。次いで室温に冷却した後、不溶
物を濾別し、濾液を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝９：１）で精製する
ことにより目的物（７．４ｇ、収率７５％）を得た。

【００３９】同様にして以下の化合物を製造した。メチル２，６−ジメチル−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゾエート物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.37(s.6H), 3.94(s.3H), 7.27(s.2H). メチル４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メトキシベンゾエート物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.92(s.3H), 3.95(s.3H), 7.19(s.1H), 7.21(d.1H), 7.87(d.1H). メチル４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルベンゾエート物性：ｍ．ｐ．３９〜４０℃ エチル２，６ージメチル−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゾエート物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 1.41(t.3H), 2.38(s.6H), 4.43(dd.2H), 7.33(s.2H).

【００４０】メチル３−フルオロ−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゾエート物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.965(s.3H), 7.72(t.1H), 7.86(m.1H), 7.96(m.1H). メチル４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチルベンゾエート物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.59(d.3H), 3.94(s.3H), 7.56(d.1H), 7.914(d.1H), 7.955(s.1H). メチル４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルスルホニルベンゾエート物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.38(s.3H), 4.014(s.3H), 7.86(d.1H), 7.945(d.1H), 8.38(s.1H). ｎＤ１．４４５０（２７．２℃）

【００４１】安息香酸類に関する従来技術との比較米国特許３，４６２，４８２号公報には、一部のヘプタ
フルオロイソプロピル基を持つ安息香酸アニリド類、例
えば４−（ヘプタフルオロイソプロピル）ベンズ−４−
クロロアニリドが除草剤・殺虫剤・殺ダニ剤として有用
であることが記載されている。この原料となる４−ヘプ
タフルオロイソプロピル安息香酸の製造法も開示されて
いるが、これは１−メチル−４−（１−トリフルオロメ
チルー１−ヒドロキシー２，２，２−トリフルオロエチ
ル）ベンゼンを原料として、１−メチル−４−ヘプタフ
ルオロイソプロピルベンゼンを経て、４−ヘプタフルオ
ロ安息香酸を得ているが、ＳＦ₄、クロム酸といった毒
性の強い化合物を用いて製造しており実用的な製造方法
とは言えない。

【００４２】本発明の方法を用いれば、４−ヘプタフル
オロイソプロピルアニリンを原料として、１−シアノ−
４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼン又は１−ハロ
−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼン（”ハロ”
は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す）を経て、
４−ヘプタフルオロイソプロピル安息香酸を製造するこ
とができ、より実用的である。

【００４３】実施例１０. ４−ヘプタフルオロイソプロ
ピルベンゾイックアシッドの製造。

【化１５】氷浴下にメチル４−ヘプタフルオロイソプロピルベン
ゾエート０．５ｇ、１．５ミリモル）のエタノール（４
ｍｌ）溶液に水酸化ナトリウム（０．１ｇ、２．５ミリ
モル）を水（４ｍｌ）に溶解した溶液を滴下した。約２
時間撹拌した後にヘキサンと水を加え、水層を分離し
た。水層に３Ｎ−塩酸を加えて酸性にした後、酢酸エチ
ルを加えて有機層を分離した。有機層を無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥後、減圧下に濃縮することにより目的物
（９．０ｇ、収率９３％）を得た。

【００４４】実施例１１．４−ヘプタフルオロイソプロ
ピル−３−メチルベンゾイックアシッドの製造。

【化１６】氷浴下にメチル４−ヘプタフルオロイソプロピル−３
−メチルベンゾエート（０．４ｇ、１．３ミリモル）を
メタノール（４ｍｌ）に溶解した溶液に水酸化ナトリウ
ム（０．１ｇ、２．５ミリモル）を水（４ｍｌ）に溶解
した溶液を滴下した。約２時間撹拌した後にヘキサンと
水を加え、水層を分離した。水層に３Ｎ−塩酸を加えて
酸性にした後、酢酸エチルを加えて有機層を分離した。
有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下に濃縮す
ることにより目的物（０．３２ｇ、収率８４％）を得
た。

【００４５】実施例１２．２−フルオロ−４−ヘプタフ
ルオロイソプロピルベンゾイックアシッドの製造。

【化１７】氷浴下にエチル２−フルオロ−４−ヘプタフルオロイ
ソプロピルベンゾエート（０．５ｇ、１．５ミリモル）
をエタノール（４ｍｌ）に溶解した溶液に水酸化ナトリ
ウム（０．１ｇ、２．５ミリモル）を水（４ｍｌ）に溶
解した溶液を滴下した。約２時間撹拌した後にヘキサン
と水を加え、水層を分離した。水層に３Ｎ−塩酸を加え
て酸性にした後、酢酸エチルを加えて有機層を分離し
た。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下に濃
縮することにより目的物（０．３８ｇ、収率８３％）を
得た。

【００４６】同様にして以下の化合物を製造した２−フルオロ−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゾイックアシッド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 7.484(d.1H), 7.52(d.1H), 8.18(t.1H), 10.55(brs.1H). ４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メトキシベンゾイックアシッド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 4.124(s.3H), 7.28(s.1H), 7.37(m.1H), 8.27(d.1H). ｍ．ｐ．９６〜９７℃

【００４７】４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルベンゾイックアシッド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.72(s.3H), 7.53(s.1H), 7.54(d.1H), 8.18(d.1H). ｍ．ｐ．１０８〜１０９℃ ２，６−ジメチル−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゾイックアシッド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.505(s.6H), 7.34(s.2H). ｍ．ｐ．８０〜８１℃ ３−フルオロ−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゾイックアシッド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 7.784(t.1H), 7.94(d.1H), 8.05(m.1H), 11.40(brs.1H). ¹⁹F-NMR δ(CDCl₃) ; -75.49(6F), -107.54(1F), -178.29(1F). ｍ．ｐ．５４〜５８℃

【００４８】４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチルベンゾイックアシッド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.62(d.3H), 7.62(d.1H), 8.00(d.1H), 8.03(s.1H). ｍ．ｐ．１２９〜１３０℃ ４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルスルホニルベンゾイックアシッド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.45(s.3H), 7.99(m.2H), 8.41(s.1H), 9.42(brs.1H). ４．安息香酸ハライド類の製造。

【００４９】実施例１３．４−ヘプタフルオロイソプロ
ピル−３−メチルベンゾイルクロライドの製造。

【化１８】４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチル安息香酸
（０．３２ｇ、１．０ミリモル）を塩化チオニル（３ｍ
ｌ）に溶解しジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を一滴加
えて３時間加熱還流した。反応終了後、室温まで冷却
し、塩化チオニルを減圧下に留去することにより目的物
の粗生成物を得た。

【００５０】同様にして以下の化合物を製造した。３−ヘプタフルオロイソプロピルベンゾイルクロライド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 7.71(s.1H), 7.94(d.1H), 8.33(d.1H), 8.37(s.1H). ¹⁹F-NMR δ(CDCl₃) ; -76.04(6F), -182.83(1F), ４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルベンゾイルクロライド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.65(s.3H), 7.555(s.1H), 7.615(d.1H), 8.31(d.1H). ４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メトキシベンゾイルクロライド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.984(s.3H), 7.22(s.1H), 7.30(d.1H), 8.15(d.1H). ４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルチオベンゾイルクロライド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.34(s.3H), 8.04(d.1H), 8.40(d.1H), ４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルスルホニルベンゾイルクロリド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.34(s.3H), 8.04(s.2H), 8.40(s.1H). ４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチルベンゾイルクロリド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.64(d.3H), 7.66(d.1H), 8.00-8.05(m.2H).

【００５１】５．安息香酸アミド類の製造。実施例１４. ４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メ
チル安息香酸アミドの製造。

【化１９】氷浴下に４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチル
ベンゾイルクロライド（０．４ｇ）の粗生成物にアンモ
ニア水（５ｍｌ）を加えて約３０分間撹拌した。酢酸エ
チルを加えて有機層を分離し、有機層を無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥後、減圧下に濃縮することにより目的物
（０．３ｇ、粗収率９８％）を得た。

【００５２】同様にして以下の化合物を製造した。４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルベンズアミド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 4.03(s.3H), 7.20(s.1H), 7.32(d.1H), 8.32(d,1H). ｍ．ｐ．１０４〜１０５℃ ３−フルオロ−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンズアミド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 6.47(brs.2H), 7.66-7.71(m.3H). ¹⁹F-NMR δ(CDCl₃) ; -75.64(6F), -107.53(1F), -178.44(1F). ｍ．ｐ．８５〜８６℃ ４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチルベンズアミド物性：¹H-NMR δ(DMSO-d₆) ; 2.53(d.3H), 7.59(d.1H), 7.86(d.1H), 7.90(s.1H). ｍ．ｐ．６６〜６８℃

【００５３】６．シアノベンゼン類の製造。実施例１５. １−シアノ−４−ヘプタフルオロイソプロ
ピル−３−メチルベンゼンの製造。

【化２０】４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチルベンズア
ミド（０．３ｇ、１ミリモル）を塩化チオニル（４ｍ
ｌ）に溶解し１時間加熱還流した。室温に冷却した後、
塩化チオニルを減圧下に留去し残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝９：１）で
精製することにより目的物（０．２２ｇ、収率７８％）
を得た。

【００５４】同様にして以下の化合物を製造した。１−シアノ−４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.41(s.3H), 7.33-7.41(m.3H). １−シアノ−４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メトキシベンゼン１−シアノー３−フルオロ−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 7.55(d.1H), 7.63(d.1H), 7.79(t.1H). １−シアノ−４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチルベンゼン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.59(d.3H), 7.60(brs.3H).

【００５５】７．フェノール類の製造。実施例１６. ４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メ
チルフェノールの製造。

【化２１】氷浴下に４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチル
アニリン（５ｇ、１８ミリモル）を氷酢酸（２５ｍｌ）
に溶解し濃硫酸（３．６ｇ）を加えた。次いで反応温度
が０℃以下になるように亜硝酸ナトリウム（１．４ｇ、
２０ミリモル）を水（３ｍｌ）に溶解した溶液を徐々に
加えた。加え終わった後、更に３０分間撹拌した後、水
（３ｍｌ）を加えて約８０℃に加熱し５時間撹拌した。
反応終了後、室温に冷却し、ヘキサンを加えて有機層を
分離し、有機層を水で二回、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液で一回、飽和食塩水で一回洗浄し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥後、減圧下に濃縮し、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）で精
製することにより目的物（４．０ｇ、収率８１％）を得
た。

【００５６】同様にして以下の化合物を製造した４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルフェノール物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.26(s.3H), 5.80(brs.1H), 6.84(d.1H), 7.30(d.1H), 7.33(s.1H). ４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メトキシフェノール物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.88(s.3H), 6.74(d.1H), 6.94(s.1H), 6.96(d.1H), ４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチルフェノール物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.46(s.1H), 5.19(s.1H), 6.74(brs.2H), 7.44(d,1H). ｎＤ１．４２４２（２４．１℃）２，６−ジメトキシ−４−ヘプタフルオロイソプロピルフェノール物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.89(s.3H), 3.94(s.6H), 5.82(s.1H), 6.785(s,2H). ２，６−ジメチル−４−ヘプタフルオロイソプロピルフェノール物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.26(s.6H), 5.3(brs.1H), 7.19(s.2H).

【００５７】８．ベンゼンスルホニルハライド類の製
造。実施例１７. ４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メ
チルベンゼンスルホニルクロライドの製造。

【化２２】氷浴下に４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチル
アニリン（５ｇ、１８．２ミリモル）を氷酢酸（５ｍ
ｌ）に溶解し、更に濃塩酸（１５ｍｌ）を加えた。次い
で反応温度が０℃以下になるように亜硝酸ナトリウム
（１．４ｇ、２０ミリモル）を水（３ｍｌ）に溶解した
溶液を徐々に加えた。加え終わった後、更に２０分間撹
拌した。該ジアゾニウム塩溶液を別途調製した亜硫酸水
素ナトリウム（５．３ｇ、５１ミリモル）、塩化銅
（０．３５ｇ、３．５ミリモル）、氷酢酸（３４ｍｌ）
及び濃塩酸（７ｍｌ）の混合物にに室温で徐々に加え
た。室温で２．５時間撹拌した後、ヘキサンを加えて有
機層を分離し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
減圧下に濃縮することにより目的物（４．４ｇ、収率６
７％）を得た。

【００５８】同様にして以下の化合物を製造した。４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルベンゼンスルホニルクロライド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.88(s.3H), 7.69(brs.2H), 8.21(d.1H). ４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メトキシベンゼンスルホニルクロライド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 4.125(s.3H), 7.34(s.1H), 7.35(d.1H), 8.10(d.1H). ３−フルオロ−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼンスルホニルクロライド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 7.89-8.03(m.3H). ¹⁹F-NMR δ(CDCl₃) ; -75.23(6F), -177.9(1F). ４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチルベンゼンスルホニルクロリド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.69(d.3H), 7.77(d.1H), 7.95(d.1H), 7.97(s.1H). ２，６−ジメチル−４−ヘプタフルオロイソプロピルベンゼンスルホニルクロライド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.09(s.6H), 7.32(d.2H),

【００５９】９．スルホンアミド類の製造。実施例１８．３−フルオロ−４−ヘプタフルオロイソプ
ロピルベンゼンスルホンアミドの製造。

【化２３】２８％アンモニア水１．０ｇを含むテトラヒドロフラン
（ＴＨＦ）２０ｍｌ中に、氷冷下、３−フルオロ−４−
ヘプタフルオロイソプロピルベンゼンスルホニルクロラ
イド０．６ｇ（１．６５ミリモル）のＴＨＦ溶液２ｍｌ
を滴下した。室印で２時間攪拌後、該溶液を水中に注
ぎ、酢酸エチルで目的物を抽出した。抽出液を飽和食塩
水で洗浄し、乾燥した後、減圧下に溶媒を留去し、得ら
れた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
することにより、目的物０．５ｇを得た。物性：¹H-NMR δ(DMSO-d₆) ; 7.76(brs.2H), 7.91-7.95(m.2H), 8.06(t.1H). 同様にして以下の化合物を得た。４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチルベンゼンスルホンアミド物性：¹HNMR δ(CDCl₃) ; 2.62(d.3H), 4.87(brs.2H), 7.65(d.1H), 7.83(d.1H), 7.86(d.1H). ｍ．ｐ．１３０℃

【００６０】１０．フェニルヒドラジン類の製造。実施例１８．２，６−ジメチル−４−ヘプタフルオロイ
ソプロピルフェニヒドラジン・塩酸塩の製造。

【化２４】塩酸（３０ｍｌ）中に２，６−ジメチル−４−ヘプタフ
ルオロイソプロピルアニリン（１０ｇ、３４．７ミリモ
ル）を加えた中に、亜硝酸ナトリウム（２．６ｇ、２ミ
リモル）の水溶液（２４ｍｌ）を５℃以下で滴下した。
更に１５分間撹拌した後、該ジアゾニウム塩溶液を無水
塩化スズ（２０．４ｇ、１０８ミリモル）を含む塩酸水
（８５ｍｌ）に室温下で滴下した。析出したケーキ状の
固体を濾取し、これを水、ヘキサンで順次洗浄すること
により目的物（８．５ｇ、収率７２％）を得た。物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.474(s.6H), 7.37(s.2H), 9.99(brs.2H). ¹⁹F.NMR δ(CDCl₃) ;-70.81(d.7F), -177.36(m.1F).

【００６１】同様にして以下の化合物を得た。４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルフェニルヒドラジン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.13(s.3H), 3.41(brs.2H), 5.30(brs.1H), 7.04(d.1H), 7.23(s.1H), 7.59(d.1H). ２，６−ジクロロ−４−ヘプタフルオロイソプロピルフェニルヒドラジン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 4.06(brs.2H), 5.83(brs.1H), 7.47(s.2H). ¹⁹F-NMR δ(CDCl₃) ; -76.23(6F), -182.45(1F). １１．イソシアネート類の製造。

【００６２】実施例１９．４−ヘプタフルオロイソプロ
ピルフェニルイソシアネートの製造。

【化２５】トリホスゲン（１．１ｇ、３．６ミリモル）を含むトル
エン溶液（７０ｍｌ）中に、４−ヘプタフルオロイソプ
ロピルアニリン（３ｇ、１０．９ミリモル）を含むトル
エン溶液（５ｍｌ）を加温下に滴下した。滴下終了後、
反応液を４時間加熱還流し、溶媒を減圧下に留去、残渣
にヘキサンを加えて懸濁させた溶液を濾過して得た濾液
を濃縮することにより目的物（３ｇ）を得た。同様にし
て以下の化合物を得た。４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メトキシイソシアネート物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.895(s.3H), 7.07(s.1H), 7.10-7.16(m.2H). ｍ．ｐ．３８〜３９℃ １２．ベンズアルデヒド類の製造。２ーヘプタフルオロイソプロピルベンズアルデヒド物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 7.68(m.3H), 8.04(m.1H), 10.48(d.1H).

【００６３】１３．イソチオシアネート類実施例２０．４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メ
トキシフェニルイソチオシアネートの製造。

【化２６】トルエン１００ｍｌ中に溶解した４−ヘプタフルオロイ
ソプロピル−２−メトキシアニリン１．３ｇ（１１．５
ミリモル）に、室温下、チオホスゲン１．３ｇ（１１．
５ミリモル）を滴下し、２時間加熱還流を行った後、室
温に戻し、減圧下に溶媒を留去することにより、目的物
３．３ｇ（１０．９ミリモル）を得た。物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 3.96(s.3H), 7.10(s.1H), 7.11-7.22(m.2H).

【００６４】１４．アセトフェノン類の製造。実施例２１．４−ヘプタフルオロイソプロピルアセトフ
ェノンの製造。

【化２７】ｎ−ブタノール（５０ｍｌ）に１−ブロモ−４−ヘプタ
フルオロイソプロピルベンゼン（８．０ｇ、２４．６ミ
リモル）、ｎ−ブチルビニルエーテル（１１．１ミリモ
ル）、炭酸ナトリウム（１１．７ｇ、１１１ミリモ
ル）、ｄｐｐｐ（１，３−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）プロパン、０．８７ｇ、１．８ミリモル）及び酢酸
パラジウム（０．２８ｇ、１７．４ミリモル）を加えて
１１時間加熱還流した。該溶液を室温に戻して濾過し、
得られたろ液を濃縮し、残渣に３Ｎ−塩酸水（４０ｍ
ｌ）を加えて３０分間激しく撹拌した後、ヘキサンで抽
出し、有機層を飽和食塩水で洗浄して減圧下に溶媒を留
去し、得た残渣をカラムクロマトグラフィーで精製する
ことにより目的物５．６ｇ、収率７９％）を得た。物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.65(s.3H), 7.74(d.2H), 8.08(d.2H). ｎＤ１．４３４１（２１．５℃）

【００６５】同様にして以下の化合物を得た。２，６−ジメチル−４−ヘプタフルオロイソプロピルアセトフェノン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.31(s.6H), 2.50(s.3H), 7.25(s.2H). ¹⁹F-NMR δ(CDCl₃) ; -76.06(6F), -183.33(1F). ３−フルオロ−４−ヘプタフルオロイソプロピルアセトフェノン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.64(s.3H), 7.73-7.79(m.2H), 7.86(m.1H). ４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチルアセトフェノン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.61(d.3H), 2.624(s.3H), 7.60(d.1H), 7.83(d.1H), 7.85(s.1H). ４−ヘプタフルオロイソプロピル−２−メチルアセトフェノン物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.565(s.3H), 2.60(s.3H), 7.49(s.1H), 7.504(d.1H), 7.76(d,1H).

【００６６】１５．ジアゾニウム塩の製造。４−ヘプタフルオロイソプロピル−３−メチル−フェニルジアゾニウムテトラフルオロボレート物性：¹H-NMR δ(CDCl₃) ; 2.675(d.3H), 8.25(d.1H), 8.74(d.1H), 8.81(s.1H). ¹⁹F-NMR δ(CDCl₃) ; -69.40(6F), -143.99(4F), -174.51(1F).

【００６７】本発明のパーフルオロイソプロピルベンゼ
ン誘導体は、例えば農薬活性を示す以下の化合物の製造
に使用することができる。参考例１，１−ジメチル−３−（４−ヘプタフルオロイ
ソプロピルフェニル）尿素の製造。ジメチルアミン（５０％ａｑ．０．３８ｇ、４．２ミリ
モル）を含むテトラヒドロフラン（１５ｍｌ）中に、４
−ヘプタフルオロイソプロピルフェニルイソシアネート
（１ｇ、３．５ミリモル）を含むテトラヒドロフラン溶
液（２ｍｌ）を室温下に加えた。更に２時間撹拌した
後、水中に注いで酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食
塩水で洗浄した後、溶媒を減圧下に留去して得た残渣を
カラムクロマトグラフィーで精製することにより目的物
（０．８４ｇ、収率７５％）を得た。物性：ｍ．ｐ．１５１．４〜１５４．２℃

【００６８】参考例２．出芽後の水田雑草に対する除草
効果試験１万分の１アールポットに土壌を詰めて水田状態にし、
水田雑草であるイヌビエ、ホタルイの種子を出芽前の状
態に調製した。これに参考例１で得た化合物を有効成分
とする薬剤を所定薬量の薬液として処理をした。処理２
１日後に除草効果を調査し、無処理と比較して除草率を
算出し、下記の基準に従って判定を行った。除草活性の判定基準。５・・・１００％の除草率。４・・・９０％〜９９％の除草率。３・・・７０％〜８９％の除草率。２・・・４０％〜６９％の除草率。１・・・１％〜３９％の除草率。０・・・０％の除草率。

【００６９】又、同時にイネに対する薬害の調査も行
い、下記の基準で判定した。薬害の判定基準。５・・・１００％の除草率。４・・・９０％〜９９％の除草率。３・・・７０％〜８９％の除草率。２・・・４０％〜６９％の除草率。１・・・２１％〜３９％の除草率。０・・・０％〜２０％の除草率（薬害なし）。その結果、５ｋｇ／ｈａの薬量でイヌビエに対して４、
ホタルイに対して２の除草活性を示し水稲の薬害は０で
あった。

【００７０】試験例２出芽前の畑地雑草に対する除草
効果縦１０ｃｍ×横２０ｃｍ×高さ５ｃｍのポリエチレン製
バットに土壌を詰め、これにシロイナズナ、ベントグラ
ス、コナギ及び畑地作物としてコムギ及びダイズの種子
を播種覆土した。これに参考例１で得た化合物を有効成
分とする薬液を所定濃度の散布液として処理した。処理
１４日後に除草効果を調査し、試験例１と同様にして殺
草率を算出し、判定を行った。同時にダイズ及びコムギ
に対する薬害を調査して、試験例１に準じて判定を行っ
た。その結果、５ｋｇ／ｈａの薬量でシロイナズナ、コ
ナギに対して５、ベントグラスに対して４の除草活性を
示した。この時、コムギ及びダイズに対する薬害は０で
あった。

【００７１】試験例３出芽後の畑地雑草に対する除草
効果。縦１０ｃｍｘ横２０ｃｍｘ高さ５ｃｍのポリエチレン製
バットに土壌を詰め、これに下記に示す畑地雑草の種子
を播種覆土し、各々１〜２葉期になるまで生育させ、こ
れに参考例１で得た化合物を有効成分とする薬剤の所定
濃度の散布液を処理した。処理１４日後に除草効果を調
査し、試験例１と同様にして殺草率を算出し、判定を行
った。同時にダイズ及びコムギに対する薬害を調査し
て、試験例１に準じて判定を行った。その結果、５ｋｇ
／ｈａの薬量でシロイナズナに対して５、ベントグラ
ス、コナギに対して３の除草活性を示した。ダイズ及び
コムギに対する薬害は見られなかった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０７Ｃ 233/65 Ｃ０７Ｃ 233/65 243/22 243/22 255/50 255/50 265/12 265/12 309/86 309/86 311/16 311/16 Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AB84 BJ50 BM10 BM71 BR30 BS30 BS90 BV71 FC52 FE13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式(I) 【化１】｛式中、Ｘ₁は水素原子、ハロゲン原子、ホルミル基、
(C₁-C₆)アルキル基、ハロ (C₁-C₆)アルキル基、(C₁-
C₆) アルコキシ基、(C₁-C₆) アルキルチオ基、ヒドロキ
シ (C₁-C₆)アルキル基又は(C₁-C₆) アルキルカルボニル
オキシ (C₁-C₆)アルキル基を示し、Ｘ₂は水素原子、ハ
ロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、(C₁-C₆)アル
キル基、ハロ (C₁-C₆)アルキル基、(C₁-C₆) アルコキシ
基、(C₁-C₆) アルキルチオ基、 (C₁-C₆)アルキルスルフ
ィニル基、 (C₁-C₆)アルキルスルホニル基、ヒドロキシ
(C₁-C₆)アルキル基又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ
₁は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、 (C₁-C₆)
アルキル基、 (C₁-C₆)アルコキシ基又はＮＲ₂Ｒ₃（式
中、Ｒ₂及びＲ₃は同一又は異なっても良く、水素原
子、 (C₁-C₆)アルキル基又は (C₁-C₆)アルコキシ基を示
す。）を示す。）を示し、Ｘ₃は水素原子、ハロゲン原
子、ヒドロキシ基、シアノ基、イソシアネート基、イソ
チオシアネート基、ヒドラジノ基、ジアゾ基、メルカプ
ト基、(C₁-C₆) アルコキシ基、 (C₁-C₆)アルキルチオ
基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ₁は前記に同じ。）
又は−ＳＯ₂-Ｒ₄（式中、Ｒ₄はハロゲン原子、ヒドロ
キシ基、 (C₁-C₆)アルキル基又はＮＲ₅Ｒ₆（式中、Ｒ
₅及びＲ₆は同一又は異なっても良く、水素原子又は
(C₁-C₆)アルキル基を示す。）を示す。）を示し、Ｘ₄
は水素原子、ハロゲン原子、 (C₁-C₆)アルキル基又は
(C₁-C₆)アルコキシ基を示す。但し、（１）Ｘ₁、Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示す場合、Ｘ₃
はヒドロキシカルボニル基又はメトキシカルボニル基を
除く。（２）Ｘ₁及びＸ₄が水素原子を示し、Ｘ₂がホルミル
基を示す場合、Ｘ₃はメトキシ基である場合を除く。（３）Ｘ₁、Ｘ₂又はＸ₃のうち、いずれか一つがメト
キシ基を示す場合、残りのＸ₁、Ｘ₂又はＸ₃及びＸ₄
は水素原子を除く。（４）Ｘ₂及びＸ₃のうち、いずれか一つがヒドロキシ
基を示す場合、残りのＸ ₂又はＸ₃、Ｘ₁及びＸ₄は水
素原子を除く。（５）Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃又はＸ₄のうちいずれか一つが
フッ素原子を示す場合、残りのＸ₁、Ｘ₂、Ｘ₃又はＸ
₄は水素原子を除く。（６）Ｘ₁、Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示す場合、Ｘ₃
は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を除く。（７）Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃又はＸ₄のうち、いずれか一つ
がメチル基を示す場合、残りのＸ₁、Ｘ₂、Ｘ₃又はＸ
₄は水素原子を除く。（８）Ｘ₁、Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示す場合、Ｘ₃
はイソプロピル基又はクロロメチル基を除く。（９）Ｘ₁、Ｘ₃及びＸ₄が水素原子を示す場合、Ｘ₂
はトリフルオロメチル基を除く。（１０）Ｘ₁及びＸ₄がメチル基を示し、Ｘ₂が水素原
子を示す場合、Ｘ₃は水素原子又はヘプタフルオロイソ
プロピル基を除く。｝で表されるパーフルオロイソプロ
ピルベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項２】Ｘ₁がホルミル基、(C₁-C₆) アルキル
基、ハロ (C₁-C₆)アルキル基、ヒドロキシ (C₁-C₆)アル
キル基又は (C₁-C₆)アルキルカルボニルオキシ(C₁-C₆)
アルキル基を示し、Ｘ₂、Ｘ₃及びＸ₄が水素原子を示
す請求項１記載のパーフルオロイソプロピルベンゼン誘
導体又はその塩類。
【請求項３】Ｘ₁、Ｘ₃及びＸ₄が水素原子を示し、
Ｘ₂が (C₁-C₆)アルキル基、ハロ (C₁-C₆)アルキル基、
ヒドロキシ (C₁-C₆)アルキル基、 (C₁-C₆)アルキルカル
ボニル基又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ₁は水素原
子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、 (C₁-C₆)アルキル
基、 (C₁-C₆)アルコキシ基又はＮＲ₂Ｒ ₃（式中、Ｒ₂
及びＲ₃は同一又は異なっても良く、水素原子、 (C₁-C
₆)アルキル基又は (C₁-C₆)アルコキシ基を示す。）を示
す。）を示す請求項１記載のパーフルオロイソプロピル
ベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項４】Ｘ₁、Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示し、
Ｘ₃がイソシアネート基、イソチオシアネート基又は
(C₁-C₆)アルキルカルボニル基を示す請求項１記載のパ
ーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項５】Ｘ₁及びＸ₄が水素原子を示し、Ｘ₂が
ヒドロキシ基、 (C₁-C₆)アルキル基又は (C₁-C₆)アルコ
キシ基を示し、Ｘ₃がハロゲン原子、ヒドロキシ基、シ
アノ基、イソシアネート基、イソチオシアネート基、ヒ
ドラジノ基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ₁は水素原
子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、 (C₁-C₆)アルキル
基、 (C₁-C₆)アルコキシ基又はＮＲ₂Ｒ₃（式中、Ｒ₂
及びＲ₃は同一又は異なっても良く、水素原子、 (C₁-
C₆)アルキル基又は (C₁-C₆)アルコキシ基を示す。）を
示す。）又は−ＳＯ₂-Ｒ₄（式中、Ｒ₄はハロゲン原
子、ヒドロキシ基又はＮＲ₅Ｒ₆（式中、Ｒ₅及びＲ₆
は同一又は異なっても良く、水素原子又は (C₁-C₆)アル
キル基を示す。）を示す。）を示す請求項１記載のパー
フルオロイソプロピルベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項６】Ｘ₁及びＸ₄が水素原子を示し、Ｘ₂が
ハロゲン原子を示し、Ｘ₃がハロゲン原子又は−Ｃ（＝
Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ₁はハロゲン原子、ヒドロキシ
基、 (C₁-C₆)アルキル基、 (C₁-C₆)アルコキシ基又はＮ
Ｒ₂Ｒ₃（式中、Ｒ₂及びＲ₃は同一又は異なっても良
く、水素原子又は (C₁-C₆)アルキル基を示す。）を示
す。）を示す請求項１記載のパーフルオロイソプロピル
ベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項７】Ｘ₁がハロゲン原子又は (C₁-C₆)アルキ
ル基を示し、Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示し、Ｘ₃がハ
ロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ジアゾ基、−Ｃ
（＝Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ₁はハロゲン原子、ヒドロキ
シ基、 (C₁-C ₆)アルキル基、 (C₁-C₆)アルコキシ基又は
ＮＲ₂Ｒ₃（式中、Ｒ₂及びＲ₃は同一又は異なっても
良く、水素原子又は (C₁-C₆)アルキル基を示す。）を示
す。）又はＳＯ₂-Ｒ₄（式中、Ｒ₄はハロゲン原子、ヒ
ドロキシ基又はＮＲ₅Ｒ₆（式中、Ｒ₅及びＲ₆は同一
又は異なっても良く、水素原子又は (C₁-C₆)アルキル基
を示す。）を示す。）を示す請求項１記載のパーフルオ
ロイソプロピルベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項８】Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示し、Ｘ₁が
(C₁-C₆)アルキルチオ基であり、Ｘ₃がハロゲン原子又
は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ₁はハロゲン原子、ヒ
ドロキシル基又は (C₁-C₆)アルコキシ基を示す。）を示
す請求項１記載のパーフルオロイソプロピルベンゼン誘
導体又はその塩類。
【請求項９】Ｘ₁が水素原子を示し、Ｘ₂及びＸ₄が
(C₁-C₆)アルキル基を示し、Ｘ₃がハロゲン原子、ヒド
ラジノ基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ₁はハロゲン
原子、ヒドロキシ基、 (C₁-C₆)アルキル基、 (C₁-C₆)ア
ルコキシ基又はＮＲ₂Ｒ₃（式中、Ｒ₂及びＲ₃は同一
又は異なっても良く、水素原子又は (C₁-C₆)アルキル基
を示す。）を示す。）又は−ＳＯ₂-Ｒ₄（式中、Ｒ₄は
ハロゲン原子、ヒドロキシ基又はＮＲ₅Ｒ₆（式中、Ｒ
₅及びＲ₆は前記に同じ。）を示す。）を示す請求項１
記載のパーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体又はそ
の塩類。
【請求項１０】Ｘ₁が水素原子を示し、Ｘ₂及びＸ₄
がメトキシ基を示し、Ｘ₃がヒドロキシ基を示す請求項
１記載のベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項１１】Ｘ₂、Ｘ₃及びＸ₄が水素原子を示
し、Ｘ₁がホルミル基、メチル基、ヒドロキシメチル
基、クロロメチル基、ブロモメチル基、アセトキシメチ
ル基を示す請求項１記載のパーフルオロイソプロピルベ
ンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項１２】Ｘ₁、Ｘ₃及びＸ₄が水素原子を示
し、Ｘ₂がホルミル基、エチル基、クロロメチル基、ヒ
ドロキシルメチル基、アセチル基又はＮ−メトキシ−Ｎ
−メチルアミノカルボニル基を示す請求項１記載のパー
フルオロイソプロピルベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項１３】Ｘ₁、Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示
し、Ｘ₃がイソシアネート基又はアセチル基を示す請求
項１記載のパーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体又
はその塩類。
【請求項１４】Ｘ₁及びＸ₄が水素原子を示し、Ｘ₂
がメチル基を示し、Ｘ₃が塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子、ヒドロキシ基、シアノ基、イソチオシアネート
基、ヒドラジノ基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ₁は
水素原子、塩素原子、ヒドロキシ基、メトキシ基又はア
ミノ基を示す。）又は−ＳＯ₂-Ｒ₄（式中、Ｒ₄は塩素
原子又はアミノ基を示す。）を示す請求項１記載のパー
フルオロイソプロピルベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項１５】Ｘ₁及びＸ₄が水素原子を示し、Ｘ₂
がメトキシ基を示しで、Ｘ₃が塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、イ
ソシアネート基、イソチオシアネート基、−Ｃ（＝Ｏ）
−Ｒ₁（式中、Ｒ₁は水素原子、塩素原子、メトキシ
基、ヒドロキシル基又はアミノ基を示す。）又は−ＳＯ
₂-Ｒ₄（式中、Ｒ₄は塩素原子又はアミノ基を示す。）
を示す請求項１記載のパーフルオロイソプロピルベンゼ
ン誘導体又はその塩類。
【請求項１６】Ｘ₁及びＸ₄が水素原子を示し、Ｘ₂
がフッ素原子を示し、Ｘ₃が臭素原子又は−Ｃ（＝Ｏ）
−Ｒ₁（式中、Ｒ₁は塩素原子、ヒドロキシル基、メト
キシ基又はエトキシ基を示す。）を示す請求項１記載の
パーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体又はその塩
類。
【請求項１７】Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示し、Ｘ₁
がメチル基を示し、Ｘ₃が臭素原子、ヒドロキシ基、シ
アノ基、ジアゾ基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ₁は
塩素原子、ヒドロキシル基、メチル基、メトキシ基又は
アミノ基を示す。）又は−ＳＯ₂-Ｒ₄（式中、Ｒ₄は塩
素原子又はアミノ基を示す。）を示す請求項１記載のパ
ーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項１８】Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示し、Ｘ₁
がフッ素原子を示し、Ｘ₃が塩素原子、臭素原子、シア
ノ基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ₁は塩素原子、ヒ
ドロキシ基、メチル基、メトキシ基又はアミノ基を示
す。）又は−ＳＯ₂-Ｒ₄（式中、Ｒ₄は塩素原子又はア
ミノ基を示す。）を示す請求項１記載のパーフルオロイ
ソプロピルベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項１９】Ｘ₂及びＸ₄が水素原子を示し、Ｘ₁
がメチルチオ基を示し、Ｘ₃が臭素原子、ヨウ素原子、
─Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₁（式中、Ｒ₁は塩素原子、ヒドロキ
シ基又はメトキシ基を示す。）を示す請求項１記載のパ
ーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項２０】Ｘ₁が水素原子を示し、Ｘ₂及びＸ₄
がメチル基を示し、Ｘ₃が塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子、カルボキシル基、メトキシカルボニル基、アセチ
ル基、ヒドラジノ基又は−ＳＯ₂-Ｒ₄（式中、Ｒ₄は塩
素原子又はアミノ基を示す。）を示す請求項１記載のパ
ーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体又はその塩類。
【請求項２１】Ｘ₁が水素原子を示し、Ｘ₂及びＸ₄
がメトキシ基を示し、Ｘ₃がヒドロキシ基を示す請求項
１記載のパーフルオロイソプロピルベンゼン誘導体又は
その塩類。