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JP2001281308A - 磁気センサ及び位置検出装置 - Google Patents

磁気センサ及び位置検出装置

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Publication number
JP2001281308A
JP2001281308A JP2000095294A JP2000095294A JP2001281308A JP 2001281308 A JP2001281308 A JP 2001281308A JP 2000095294 A JP2000095294 A JP 2000095294A JP 2000095294 A JP2000095294 A JP 2000095294A JP 2001281308 A JP2001281308 A JP 2001281308A
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JP
Japan
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magnetic field
sensor
bias
magnetic
unit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2000095294A
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English (en)
Inventor
Yasuo Nekado
康夫 根門
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Sony Manufacturing Systems Corp
Original Assignee
Sony Precision Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Precision Technology Inc filed Critical Sony Precision Technology Inc
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Priority to DE60100915T priority patent/DE60100915T2/de
Priority to EP01107275A priority patent/EP1139069B1/en
Priority to US09/818,873 priority patent/US6541960B2/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部磁界を検出する感磁部の周囲温度等が変
化した場合であっても、感磁部に常に最適なバイアス磁
界を印加して、外部磁界の検出を良好に行えるようにす
る。 【解決手段】 第１及び第２のバイアスコイル２７ａ，
２７ｂを駆動制御するバイアス回路４６を設け、このバ
イアス回路４６が、第２のセンサコイル２９ｂに発生し
た電圧値をモニタリングして、この第２のセンサコイル
２９ｂに発生した電圧値が常に所望の電圧値と等しくな
るように、第１及び第２のバイアスコイル２７ａ，２７
ｂを駆動制御するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部磁界を検出す
る磁気センサ及びこの磁気センサを用いた位置検出装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、外部磁界を検出する磁気センサと
して、いわゆるフラックスゲート型センサと呼ばれる磁
気センサが知られている。このフラックスゲート型セン
サは、Ｎｉ−Ｆｅ合金等の高透磁率材料よりなるコアの
周囲に励磁コイル及びセンサコイルが巻回されてなる感
磁部を備えている。このフラックスゲート型センサで
は、感磁部の励磁コイルが、例えば、数十ｋＨｚの正弦
波若しくは矩形波にて駆動されると、検出コイルの巻回
中心軸方向に入射する外部磁界の大きさに応じて、感磁
部のコアのインダクタンスが変化することになる。フラ
ックスゲート型センサは、このコアのインダクタンス変
化を電圧変化に変換して検出することで、外部磁界の大
きさを検出するようにしている。
【０００３】このフラックスゲート型センサは、感磁部
に最適なバイアス磁界を印加するようにすると、例えば
地磁気の１／１０以下の微弱な磁界も検出できるほどに
検出感度を高めることができ、また、出力直線性を高め
て出力ダイナミックレンジを広く取ることができるよう
になる。したがって、このフラックスゲート型センサを
用いて外部磁界を検出する場合には、その感磁部に最適
なバイアス磁界を印加することが望ましい。
【０００４】また、フラックスゲート型センサに類似し
た磁気センサとして、いわゆる磁気インピーダンス効果
（以下、ＭＩ効果という。）を応用したＭＩ効果型セン
サが知られている。このＭＩ効果型センサは、感磁部の
検出コイルを直接駆動することで、上記フラックスゲー
ト型センサの励磁コイルに相当するコイルを省略した構
成となっている。
【０００５】このＭＩ効果型センサでは、感磁部の検出
コイルが、例えば、繰り返し周波数が数ＭＨｚ〜数十Ｍ
Ｈｚでパルス幅が数ｎｓ〜数十ｎｓ程度の高周波パル
ス、若しくは同様の繰り返し周波数の正弦波にて駆動さ
れると、検出コイルの巻回中心軸方向に入射する外部磁
界の大きさに応じて、検出コイルのインダクタンス成分
のみならず、高周波励磁によって発現する磁性体の表皮
効果により、検出コイルの実抵抗成分にも変化が生じる
ことになる。ＭＩ効果型センサは、これらインダクタン
ス成分の変化と実抵抗成分の変化とを合わせた検出コイ
ルのインピーダンス変化を電圧変化に変換して検出する
ことで、外部磁界の大きさを検出するようにしている。
【０００６】このＭＩ効果型センサは、このように検出
コイルのインピーダンス変化をもとに外部磁界の大きさ
を検出するようにしているので、フラックスゲート型セ
ンサに比べてより高い検出感度を有することになる。ま
た、このＭＩ効果型センサにおいても、感磁部に最適な
バイアス磁界を印加するようにすれば、検出感度を更に
を高めることができ、また、出力直線性を高めて出力ダ
イナミックレンジを広く取ることができるようになる。
したがって、このＭＩ効果型センサを用いて外部磁界を
検出する場合にも、その感磁部に最適なバイアス磁界を
印加することが望ましい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】磁気センサの感磁部に
バイアス磁界を印加する方法としては、一般に、感磁部
の近傍に永久磁石を配設してこの永久磁石からの磁界を
感磁部に印加する方法や、感磁部の周囲にバイアスコイ
ルを巻回してこのバイアスコイルを駆動することにより
生じる磁界を感磁部に印加する方向が用いられる。
【０００８】永久磁石を用いてバイアス磁界を印加する
方法は、永久磁石が形状や材料の不均一性等に起因して
発生磁界にばらつきが生じやすく、適切なバイアス磁界
を印加するための永久磁石の選定や位置決めが困難であ
ること等から、製造コストの上昇や磁気センサの不安定
性を招いてしまうといった問題がある。
【０００９】これに対して、バイアスコイルを用いてバ
イアス磁界を印加する方法では、バイアスコイルに流す
電流値によってバイアスコイルから発生する磁界の大き
さが決定されるので、バイアスコイルに流す電流値を適
切な値に設定することで、磁気センサの感磁部に最適な
バイアス磁界を容易に印加することができる。したがっ
て、バイアスコイルを用いる方法は、感磁部にバイアス
磁界を印加する方法として非常に有効な方法である。
【００１０】ところで、磁気センサの出力特性は、磁気
センサが使用される環境、例えば、感磁部の周囲温度等
によって左右され、感磁部の周囲温度等が変化するとそ
れに応じてシフトすることとなる。例えば、上述したＭ
Ｉ効果型センサにおいては、感磁部の周囲温度が変化す
ると、この温度変化に伴って検出コイルのインピーダン
スが変化するので、これに応じて出力特性がシフトする
ことになる。このように、出力特性がシフトすると、磁
気センサの出力直線性を高めるために最適なバイアス点
がずれることになる。
【００１１】ここで、このような磁気センサに対してバ
イアスコイルを用いてバイアス磁界を印加する場合に、
バイアスコイルを常に一定の電流で駆動するようにする
と、感磁部の周囲温度の変化等に起因する最適なバイア
ス点の変動に追従することができず、感磁部に最適なバ
イアス磁界を印加できずに、磁気センサの出力直線性を
劣化させてしまう場合がある。
【００１２】本発明は、以上のような実情に鑑みて創案
されたものであって、感磁部の周囲温度等が変化した場
合であっても、感磁部に常に最適なバイアス磁界を印加
して、外部磁界の検出を良好に行えることができる磁気
センサ及びこれを用いた位置検出装置を提供することを
目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気センサ
は、複数のセンサ部を備える。これら複数のセンサ部
は、それぞれ、感磁部と、この感磁部にバイアス磁界を
印加するためのバイアス磁界発生手段とを有している。
また、この磁気センサは、複数のセンサ部のバイアス磁
界発生手段を駆動制御する駆動制御手段を備えている。
そして、この磁気センサでは、駆動制御手段が、複数の
センサ部のうちの１つのセンサ部の感磁部からの出力を
モニタリングして、このモニタリングした感磁部からの
出力が一定となるように、複数のセンサ部のバイアス磁
界発生手段を駆動制御するようにしている。
【００１４】以上のように構成される磁気センサでは、
センサ部の感磁部により外部磁界が検出される。このと
き、感磁部には、駆動制御手段により駆動制御されるバ
イアス磁界発生手段により、バイアス磁界が印加され
る。駆動制御手段は、複数のセンサ部のうちの１つのセ
ンサ部の感磁部からの出力をモニタリングして、このモ
ニタリングした感磁部からの出力が一定となるように、
複数のセンサ部のバイアス磁界発生手段を駆動制御す
る。
【００１５】したがって、この磁気センサでは、感磁部
の周囲温度等が変化した場合であっても、バイアス磁界
発生手段が感磁部に常に最適なバイアス磁界を印加する
ことが可能となり、出力直線性の向上を図ることができ
る。
【００１６】また、本発明に係る位置検出装置は、上記
磁気センサを用いた位置検出装置であって、位置に応じ
て強さや向きが変化する磁界を発生する磁界発生手段
と、磁界発生手段に対して相対的に移動する複数のセン
サ部とを備える。複数のセンサ部は、それぞれ、感磁部
と、この感磁部にバイアス磁界を印加するためのバイア
ス磁界発生手段とを有している。また、この位置検出装
置は、複数のセンサ部のバイアス磁界発生手段を駆動制
御する駆動制御手段と、複数のセンサ部の感磁部からの
出力をもとにしてこれら複数のセンサ部の磁界発生手段
に対する相対移動位置を検出する検出手段とを備えてい
る。そして、この位置検出装置では、駆動制御手段が、
複数のセンサ部のうちの１つのセンサ部の感磁部からの
出力をモニタリングして、このモニタリングした感磁部
からの出力が一定となるように、複数のセンサ部のバイ
アス磁界発生手段を駆動制御するようにしている。
【００１７】以上のように構成される位置検出装置で
は、複数のセンサ部が磁界発生手段に対して相対移動す
ることによって、磁界発生手段の位置に応じた磁界が複
数のセンサ部に入射することになる。複数のセンサ部に
入射した磁界発生手段からの磁界は、センサ部の感磁部
により検出されることになる。このとき、感磁部には、
駆動制御手段により駆動制御されるバイアス磁界発生手
段により、バイアス磁界が印加される。駆動制御手段
は、複数のセンサ部のうちの１つのセンサ部の感磁部か
らの出力をモニタリングして、このモニタリングした感
磁部からの出力が一定となるように、複数のセンサ部の
バイアス磁界発生手段を駆動制御する。したがって、感
磁部の周囲温度等が変化した場合であっても、バイアス
磁界発生手段が感磁部に常に最適なバイアス磁界を印加
することが可能となる。複数のセンサ部の感磁部からの
出力は、検出手段に供給される。検出手段は、この感磁
部からの出力をもとにして、複数のセンサ部の磁界発生
手段に対する相対位置を検出する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。
【００１９】本発明を適用した位置検出装置の概略構成
を図１に示す。この図１に示す位置検出装置１は、位置
に応じて強さや向きが直線的に変化する磁界を発生する
スケール１０と、このスケール１０から発生する磁界を
検出する磁界検出部２０とを有している。これらスケー
ル１０と磁界検出部２０とは、いずれか一方が、工作機
械や産業用ロボット等の直線移動部分である可動部に取
り付けられ、他方が固定部に取り付けられる。そして、
工作機械や産業用ロボット等の可動部が直線移動するこ
とに伴って、磁界検出部２０がスケール１０の中心線Ａ
に沿って相対移動し、各移動位置においてスケール１０
から発生する磁界を検出して、これに応じた電気信号を
出力する。
【００２０】位置検出装置１では、磁界検出部２０から
出力された位置情報を示す電気信号が、図１において図
示しない駆動検出回路に供給される。そして、駆動検出
回路が磁界検出部２０から供給された電気信号に基づい
て、磁界検出部２０のスケール１０に対する相対移動量
や相対移動位置を検出することで、工作機械や産業用ロ
ボット等の可動部の移動量や移動距離を検出するように
している。なお、ここでは、最大４０ｍｍの範囲内で直
線移動する可動部の移動量や移動位置を適切に検出でき
るように、検出有効長が４０ｍｍに設定された位置検出
装置１を例に挙げて具体的に説明する。
【００２１】スケール１０は、例えば、フェライト系プ
ラスチックマグネット等が台形の板状に成形されてなる
第１乃至第４の発磁体１１，１２，１３，１４を備えて
いる。これら第１乃至第４の発磁体１１，１２，１３，
１４は、互いに同一形状に成形されており、主面に対し
て垂直な方向に着磁されている。なお、第１乃至第４の
発磁体１１，１２，１３，１４の材質は、フェライト系
プラスチックマグネットに限らず、例えば、ＳｍＣｏ系
の磁石やＮｄＦｅＢ系の磁石、焼結磁石、ＦｅＭｎやＡ
ｌＮｉＣｏ等の合金磁石等も適用可能である。
【００２２】これら各発磁体１１，１２，１３，１４
は、図２に示すように、互いに平行な第１の辺１５及び
第２の片１６と、これら第１の辺１５及び第２の辺１６
と直交する第３の辺１７と、第１の辺１５とにより形成
される角が鋭角とされる第４の辺１８とを有している。
第１の辺１５の長さＬ１は例えば約１．８ｍｍとされ、
第２の辺１６の長さＬ２は例えば約０．３５ｍｍとさ
れ、第３の辺１７の長さＬ３は例えば約２３ｍｍとされ
ている。
【００２３】これら各発磁体１１，１２，１３，１４
は、図３に示すように組み合わされて全体としてスケー
ル１０を構成している。すなわち、第１の発磁体１１と
第２の発磁体１２とが、互いの磁化方向が逆極性となる
と共に、互いの第３の辺１７同士を突き合わせるように
して配置され、第３の発磁体１３と第４の発磁体１４と
が、互いの磁化方向が逆極性となると共に、互いの第３
の辺１７同士を突き合わせるようにして配置されてい
る。また、第１の発磁体１１と第３の発磁体１３とは、
互いの磁化方向が逆極性となると共に、互いの第２の辺
１６同士が所定の空隙を介して対向するように配置さ
れ、第２の発磁体１２と第４の発磁体１４とは、互いの
磁化方向が逆極性となると共に、互いの第２の辺１６同
士が所定の空隙を介して対向するように配置されてい
る。
【００２４】このように、第１乃至第４の発磁体１１，
１２，１３，１４が組み合わされてなるスケール１０
は、長手方向の全長Ｌ１０が例えば約５２ｍｍとされ、
長手方向の両端部の幅Ｗ１が例えば３．６ｍｍとされ、
空隙を介して対向する部分の幅Ｗ２が例えば約０．７ｍ
ｍとされている。
【００２５】以上のように構成されるスケール１０は、
図１に示した中心線Ａに沿った長手方向の各位置におい
て、強さや向きが直線的に変化する磁界を発生する。す
なわち、このスケール１０から発生する磁界をみると、
中心線Ａ上において検出される各発磁体１１，１２，１
３，１４の主面に対して平行な成分の磁界の強さが、ス
ケール１０の長手方向の端部から、空隙が設けられた中
心部に向かうに従い次第に小さくなっている。そして、
磁化の向きは、スケール１０の長手方向の中心部を境に
反転している。したがって、このスケール１０の中心線
Ａ上における発磁体１１，１２，１３，１４の主面に対
して平行な成分の磁界が、スケール１０の長手方向にお
ける位置情報を示すものとなり、この磁界を検出するこ
とで、このスケール１０の長手方向における位置が検出
できることになる。特に、このスケール１０では、その
長手方向の両端側の一部を除く約４０ｍｍの範囲で、直
線性の高い磁界の変化が得られるので、この範囲内で磁
界検出部２０を相対移動させる（この範囲を検出有効長
とする）ようにすれば、磁界検出部２０の相対移動位置
を極めて精度良く検出できる。
【００２６】磁界検出部２０は、図４に示すように、矩
形の板状に成形され、主面を２つの領域に分割する切り
欠き部２１ａが設けられた基板２１を備えている。この
基板２１の主面上には、切り欠き部２１ａにより分割さ
れた２つの領域に、第１のセンサ部２２と、第２のセン
サ部２３とがそれぞれ取り付けられている。また、基板
２１の切り欠き部２１ａには、例えばＦｅ等の磁性材料
が厚さ約１ｍｍの板状に成形されてなる磁気シールド板
２４が嵌め込まれている。この磁気シールド板２４は、
スケール１０からの磁界のように局所的な外部磁界に対
して、第１のセンサ部２２と第２のセンサ部２３とに磁
界差を持たせるためのものである。そして、この磁界検
出部２０は、第１のセンサ部２２及び第２のセンサ部２
３が取り付けられた基板２１の一方の主面側及び、図示
しない信号線が接続される基板２１の他方の主面側が、
樹脂材料等よりなる保護材２５により被覆されている。
【００２７】第１及び第２のセンサ部２２，２３は、図
５乃至図７に示すように、樹脂材料等が円筒状に成形さ
れてなるコイルボビン２６と、このコイルボビン２６の
外周部に巻装されたバイアスコイル２７と、コイルボビ
ン２６の中心孔２６ａ内に装着されたコア部２８と、こ
のコア部２８に巻装されたセンサコイル２９とを備えて
いる。なお、図５は第１及び第２のセンサ部２２，２３
をコイルボビン２６の端面側から見た平面図を示し、図
６は図５におけるＡ−Ａ線断面図を示し、図７は図５に
おけるＢ−Ｂ線断面図を示している。
【００２８】コイルボビン２６は、長手方向の長さＬ２
０が例えば約５ｍｍとされ、バイアスコイル２７が巻装
される外周部の直径Ｌ２１が例えば約１．４ｍｍとされ
ている。また、コイルボビン２６のコア部２８が装着さ
れる中心孔２６ａの直径Ｌ２２は、例えば約０．８ｍｍ
とされている。
【００２９】バイアスコイル２７は、第１及び第２のセ
ンサ部２２，２３の外部磁界に対する出力直線性を高め
るためのものであり、例えば、直径約３０μｍのＣｕ線
が、コイルボビン２６の外周部のほぼ全域に亘って巻回
されてなる。具体的には、バイアスコイル２７は、例え
ば、コイルボビン２６の外周部に７４０回巻回されたＣ
ｕ線より構成され、そのコイル長は約４ｍｍとされてい
る。
【００３０】第１のセンサ部２２のバイアスコイル２７
と第２のセンサ部２３のバイアスコイル２７とは、互い
に並列となるように接続されて、後述する駆動検出回路
に組み込まれる。そして、第１のセンサ部２２のバイア
スコイル２７と第２のセンサ部２３のバイアスコイル２
７とは、駆動検出回路によってＤＣ駆動されることによ
って、第１のセンサ部２２及び第２のセンサ部２３の出
力直線性を良好なものとするためのバイアス磁界を発生
する。
【００３１】コア部２８は、図８に示すように、非磁性
金属等が長手方向の略中央部に切り欠き部３０ａを有す
る板状に成形されてなるコアベース３０を備え、このコ
アベース３０上に、例えばＮｉ−Ｆｅ系合金等の高透磁
率材料よりなるコア３１が接合された構成とされてい
る。そして、コアベース３０上にコア３１が接合された
状態で、コアベース３０の切り欠き部３０ａが設けられ
た箇所に、センサコイル２９が巻装されることになる。
【００３２】センサコイル２９は、図９に示すように、
コアベース３０の切り欠き部３０ａが設けられた箇所
に、例えば、直径約３０μｍのＣｕ線が１層分巻回され
てなる。具体的には、センサコイル２９は、コアベース
３０の切り欠き部３０ａが設けられた箇所に、コアベー
ス３０及びコア３１を巻芯として、バイアスコイル２７
と同軸に５０回巻回されたＣｕ線より構成され、そのコ
イル長は約１ｍｍとされている。
【００３３】第１のセンサ部２２のセンサコイル２９と
第２のセンサ部２３のセンサコイル２９とは、互いに並
列となるように接続されてブリッジ回路構成をとり、後
述する駆動検出回路に組み込まれる。そして、第１のセ
ンサ部２２のセンサコイル２９及び第２のセンサ部２３
のセンサコイル２９は、駆動検出回路によって互いに同
相に高周波駆動される。これにより、図９中矢印Ｂで示
す方向に、第１のセンサ部２２と第２のセンサ部２３と
で互いに同じ向きの磁界が励起されることになる。
【００３４】以上のように構成される磁界検出部２０
は、第１のセンサ部２２及び第２のセンサ部２３の長手
方向に沿って入射する外部磁界、すなわち、センサコイ
ル２９により励起される磁界の方向に平行な方向の外部
磁界に対して、高い感度を示すこととなる。磁界検出部
２０は、この高い感度を示す方向（感磁方向）が、図１
中矢印Ｙで示すスケール１０の幅方向に一致すると共
に、第１のセンサ部２２と第２のセンサ部２３とが、図
１中矢印Ｚで示す方向、すなわち、スケール１０の長手
方向（磁界検出部２０の相対移動方向）であるＸ方向と
スケール１０の幅方向であるＹ方向とにそれぞれ直交す
るＺ方向において異なる位置となるように、スケール１
０上に相対移動可能に配設される。
【００３５】以上のような位置検出装置１では、工作機
械や産業用ロボット等の直線移動部分である可動部が直
線移動すると、この可動部の移動に伴って、磁界検出部
２０がスケール１０上をその中心線Ａに沿って直線移動
することになる。磁界検出部２０がスケール１０上をそ
の中心線Ａに沿って直線移動すると、磁界検出部２０に
入射するスケール１０からの磁界の大きさや向きが直線
的に変化することになる。このため、駆動検出回路によ
り高周波駆動されたセンサコイル２９のインピーダンス
が、磁界検出部２０の相対移動位置に応じて直線的に変
化することになる。位置検出装置１では、以上のように
磁界検出部２０の相対移動位置に応じて変化するセンサ
コイル２９のインピーダンス変化を電圧変化に変換し
て、この電圧変化を検出することで、磁界検出部２０の
スケール１０に対する相対移動量や相対移動位置、すな
わち、磁界検出部２０或いはスケール１０が取り付けら
れた工作機械等の可動部の移動量や移動位置を検出する
ようにしている。
【００３６】また、この位置検出装置１では、磁界検出
部２０の第１のセンサ部２２と第２のセンサ部２３とが
図１中矢印Ｚで示す方向において互いに異なる位置に配
置されるので、スケール１０から生じる磁界について
は、第１のセンサ部２２に入射する磁界と第２のセンサ
部２３に入射する磁界とで磁界差が生じることになる。
特に、上述した磁界検出部２０のように、第１のセンサ
部２２と第２のセンサ部２３との間に磁気シールド板２
４を配設した場合には、スケール１０からの磁界がこの
磁気シールド板２４により遮断されることとなり、スケ
ール１０から生じる磁界は第１のセンサ部２２にのみ入
射して、第２のセンサ部２３にはほとんど入射しないこ
とになる。すなわち、第１のセンサ部２２と第２のセン
サ部２３とでスケール１０から生じる磁界の磁界差が非
常に大きくなる。
【００３７】このように、スケール１０から生じる磁界
については、第１のセンサ部２２に入射する磁界と第２
のセンサ部２３に入射する磁界とで磁界差が生じるの
で、位置検出装置１では、これら第１のセンサ部２２と
第２のセンサ部２３との差動出力を求めることで、磁界
検出部２０のスケール１０に対する相対移動量や相対移
動位置、すなわち、磁界検出部２０或いはスケール１０
が取り付けられた工作機械等の可動部の移動量や移動位
置を検出するようにしている。これにより、この位置検
出装置１においては、磁界検出部２０に重畳する電気的
ノイズや温度変化による出力変動をキャンセルして、可
動部の移動量や移動位置をより高精度に検出できること
になる。
【００３８】さらに、この位置検出装置１では、第１の
センサ部２２と第２のセンサ部２３とが互いに同相に駆
動されているので、これらの差動出力を求めることで、
地磁気等のように第１のセンサ部２２と第２のセンサ部
２３とに同相且つ一様に入射する外乱磁界の影響もキャ
ンセルして、可動部の移動量や移動位置をさらに高精度
に検出できることになる。
【００３９】ここで、位置検出装置１が備える駆動検出
回路について説明する。この位置検出装置１が備える駆
動検出回路４０は、図１０に示すように、発振回路４１
と、発振回路４１からのパルス信号に基づき第１のセン
サ部２２のセンサコイル２９（以下、第１のセンサコイ
ル２９ａという。）及び第２のセンサ部２３のセンサコ
イル２９（以下、第２のセンサコイル２９ｂという。）
の駆動電流をスイッチングするスイッチング回路４２
と、第１のセンサコイル２９ａの出力電圧を検出して平
滑化する第１の平滑化回路４３と、第２のセンサコイル
２９ｂの出力電圧を検出して平滑化する第２の平滑化回
路４４と、第１の平滑化回路４３と第２の平滑化回路４
４との出力電圧の差分を検出して差動信号を出力する差
動増幅回路４５と、第１のセンサ部２２のバイアスコイ
ル２７（以下、第１のバイアスコイル２７ａという。）
及び第２のセンサ部２３のバイアスコイル２７（以下、
第２のバイアスコイル２７ｂという。）を駆動制御する
バイアス回路４６とを有している。
【００４０】発振回路４１は、例えば、周波数１ＭＨ
ｚ，パルス幅１００ｎｓの高周波パルス信号を出力す
る。この図１０に例示する発振回路４１は、マルチバイ
ブレータ応用型で部品点数が少なく、安価に構成できる
という特徴を有している。また、この発振回路４１は、
ＲＣ発振のため、各センサコイル２９ａ，２９ｂの特性
に影響を与えることもない。なお、発振回路４１として
は、例えばコルピッツ発振回路や水晶発振子を用いた発
振回路を適用することも可能である。
【００４１】スイッチング回路４２は、発振回路４１か
ら出力された高周波パルス信号に応じて、第１のセンサ
コイル２９ａ及び第２のセンサコイル２９ｂに流れる駆
動電流をスイッチングする。
【００４２】なお、各センサコイル２９ａ，２９ｂの駆
動は正弦波で行うようにしてもよいが、パルス信号は、
高調波成分を含むので各センサコイル２９ａ，２９ｂを
効率よく駆動させることができ、デューティ比調整がで
きるので消費電力を少なくすることができ、また、ＤＣ
成分を含むので外部磁界に対するインピーダンス変化点
を任意に変更することができるという利点がある。した
がって、各センサコイル２９ａ，２９ｂの駆動はパルス
波で行うことが望ましい。
【００４３】第１のセンサコイル２９ａ及び第２のセン
サコイル２９ｂは、上述したように、互いに並列となる
ように接続されてブリッジ回路構成をとり、駆動検出回
路４０に組み込まれている。具体的には、第１のセンサ
コイル２９ａは、一端がブリッジ抵抗４８を介して電源
４７に接続され、他端がスイッチング回路４２に接続さ
れている。また、第２のセンサコイル２９ｂは、一端が
ブリッジ抵抗４９を介して電源４７に接続され、他端が
スイッチング回路４２に接続されている。このように互
いに並列に駆動検出回路４０に組み込まれたセンサコイ
ル２９ａ，２９ｂは、スイッチング回路４２によりスイ
ッチングされることにより同相駆動され、互いに同相に
高周波励磁されることになる。
【００４４】第１の平滑回路４３は、カソードが第１の
センサコイル２９ａとブリッジ抵抗４８との接続点に接
続されたダイオード５０と、一端が電源４７に接続され
他端がダイオード５０のアノードに接続された抵抗５１
と、一端がグランドに接続され他端がダイオード５０の
アノードに接続されたコンデンサ５２とから構成され
る。この第１の平滑回路４３は、高周波励磁された第１
のセンサコイル２９ａに発生する電圧を平滑化する。
【００４５】また、第２の平滑回路４４は、カソードが
第２のセンサコイル２９ｂとブリッジ抵抗４９との接続
点に接続されたダイオード５３と、一端が電源４７に接
続され他端がダイオード５３のアノードに接続された抵
抗５４と、一端がグランドに接続され他端がダイオード
５３のアノードに接続されたコンデンサ５５とから構成
される。この第２の平滑回路４４は、高周波励磁された
第２のセンサコイル２９ｂに発生する電圧を平滑化す
る。
【００４６】差動増幅回路４５は、そのマイナス側入力
端子が抵抗５６を介して第１の平滑回路４３のダイオー
ド５０のアノードに接続され、そのプラス側入力端子が
抵抗５７を介して第２の平滑回路４４のダイオード５３
のアノードに接続されている。この差動増幅回路４５
は、第１のセンサコイル２９ａに発生し第１の平滑回路
４３により平滑化された電圧と、第２のセンサコイル２
９ｂに発生し第２の平滑回路４４により平滑化された電
圧との差分を増幅する。
【００４７】バイアス回路４６は、第１のセンサコイル
２９ａ及び第２のセンサコイル２９ｂの磁界に対するイ
ンピーダンス変化を良好にするために、第１のバイアス
コイル２７ａ及び第２のバイアスコイル２７ｂを駆動制
御して、第１のセンサ部２２及び第２のセンサ部２３に
適切なバイアス磁界を印加するためのものである。
【００４８】このバイアス回路４６は、マイナス側入力
端子に第２のセンサコイル２９ｂに発生し第２の平滑回
路４４により平滑化された電圧値が入力され、プラス側
入力端子に所望の電圧値が入力されるようになされたオ
ペアンプ５８を備えている。このオペアンプ５８の出力
端子には、第１のバイアスコイル２７ａ及び第２のバイ
アスコイル２７ｂが接続されている。
【００４９】このように構成されたバイアス回路４６で
は、オペアンプ５８のプラス側入力端子に入力される所
望の電圧値に従って、オペアンプ５８の出力端子に接続
された第１のバイアスコイル２７ａ及び第２のバイアス
コイル２７ｂを適切に駆動制御することができ、第２の
センサコイル２９ｂに発生し第２の平滑回路４４により
平滑化された電圧値を、常にオペアンプ５８のプラス側
入力端子に入力される所望の電圧値に等しくすることが
できる。これにより、磁界検出部２０の周囲温度が変化
することに起因して、第１のセンサコイル２９ａや第２
のセンサコイル２９ｂのインピーダンスに変化が生じた
場合であっても、第１のセンサ部２２及び第２のセンサ
部２３に対して常に最適なバイアス磁界を印加すること
ができるようになり、出力直線性の向上を図ることが可
能となる。
【００５０】ところで、第１のセンサコイル２９ａ及び
第２のセンサコイル２９ｂは高周波パルス信号にて駆動
されているので、ＤＣ成分がすでに重畳された状態とな
っている。したがって、これら第１のセンサコイル２９
ａ及び第２のセンサコイル２９ｂの磁界に対するインピ
ーダンス変化を最も良好にする最適な磁気バイアス量
は、各センサコイル２９ａ，２９ｂの励磁駆動方向と同
方向にバイアス磁界を印加させる場合と、各センサコイ
ル２９ａ，２９ｂの励磁駆動方向とは逆方向にバイアス
磁界を印加させる場合とで異なったものとなる。このた
め、各センサコイル２９ａ，２９ｂの励磁駆動方向とは
逆方向にバイアス磁界を印加させる場合には、各センサ
コイル２９ａ，２９ｂの励磁駆動方向と同方向にバイア
ス磁界を印加させる場合と比較して、より大きなバイア
ス磁界を印加する必要がある。
【００５１】各センサコイル２９ａ，２９ｂの励磁駆動
方向とは逆方向にバイアス磁界を印加させるようにした
場合、以上のように比較的大きなバイアス磁界を印加す
る必要があるが、この場合には、各センサコイル２９
ａ，２９ｂの励磁駆動方向と同方向にバイアス磁界を印
加させる場合と同程度のインピーダンス変化特性を得な
がら、磁界検出部２０の外部磁界に対する感度を比較的
緩やかなものとすることができる。したがって、外乱磁
界に対する磁界検出部２０の安定性を要求する場合に
は、各センサコイル２９ａ，２９ｂの励磁駆動方向とは
逆方向にバイアス磁界を印加させるようすることが望ま
しい。一方、外乱磁界に対する磁界検出部２０の安定性
よりも磁界検出部２０の感度の向上が求められる場合に
は、各センサコイル２９ａ，２９ｂの励磁駆動方向と同
方向にバイアス磁界を印加させるようにすればよい。
【００５２】以上のように構成される駆動検出回路４０
では、発振回路４１から出力された高周波パルス信号に
応じてスイッチング回路４２がスイッチングされること
により、第１のセンサコイル２９ａ及び第２のセンサコ
イル２９ｂが同相駆動され、互いに同相に高周波励磁さ
れる。このとき、高周波励磁された第１のセンサコイル
２９ａのインピーダンスと、第２のセンサコイル２９ｂ
のインピーダンスは、これらセンサコイル２９ａ，２９
ｂの励磁方向と平行な方向に入射する外部磁界の大きさ
によって決定される。
【００５３】ここで、第１のセンサ部２２と第２のセン
サ部２３とは、上述したように、スケール１０からの磁
界に対して磁界差が生じる位置にそれぞれ配置されてい
るので、第１のセンサコイル２９ａのインピーダンスと
第２のセンサコイル２９ｂのインピーダンスに差が生じ
ることとなる。そして、これら各センサコイル２９ａ，
２９ｂのインピーダンスの差は、磁界検出部２０のスケ
ール１０に対する相対位置に応じて変化することとな
る。
【００５４】駆動検出回路４０では、この第１のセンサ
コイル２９ａのインピーダンスに応じた電圧を第１の平
滑回路４３により平滑化して差動増幅回路４５に供給
し、第２のセンサ部２３のセンサコイル２９ｂのインピ
ーダンスに応じた電圧を第２の平滑回路４４により平滑
化して差動増幅回路４５に供給している。そして、差動
増幅回路４５においてこれらの差動出力を求めること
で、磁界検出部２０のスケール１０に対する相対移動量
や相対移動位置を検出できるようにしている。
【００５５】なお、本発明を適用した位置検出装置１の
駆動検出回路４０は、図１０に示した例に限定されるも
のではなく、各センサコイル２９ａ，２９ｂを同相駆動
すると共に、これらセンサコイル２９ａ，２９ｂのイン
ピーダンス変化に応じた電圧変化を差動出力として検出
でき、また、バイアスコイル２７ａ，２７ｂを適切に駆
動制御して、第１のセンサ部２２及び第２のセンサ部２
３に最適なバイアス磁界を印加できるるように構成され
たものであれば、どのようなものであってもよい。
【００５６】以上のように構成された位置検出装置１の
出力特性を図１１に示す。この図１１から、位置検出装
置１によれば、検出有効長である４０ｍｍの範囲で磁界
検出部２０がスケール１０に対して相対移動したとき
に、２〜３Ｖの範囲で直線的に変化する出力が得られる
ことが分かる。したがって、この位置検出装置１の備え
るスケール１０或いは磁界検出部２０のいずれか一方を
工作機械や産業用ロボット等の可動部に取り付け、他方
を固定部に取り付けて、可動部の移動に伴い磁界検出部
２０がスケール１０に対して相対移動するようにすれ
ば、工作機械や産業用ロボット等の可動部の移動量や移
動位置を４０ｍｍの範囲で高精度に検出することができ
る。
【００５７】また、位置検出装置１では、上述したよう
に、磁界検出部２０がスケール１０に対して相対移動す
ることにより生じる各センサコイル２９ａ，２９ｂのイ
ンピーダンス変化を電圧変化に変換し、これらの差動出
力を求めることで、磁界検出部２０のスケール１０に対
する相対移動位置を検出するようにしているので、電気
的ノイズや各センサコイル２９ａ，２９ｂの温度変化に
よる出力特性変動等をキャンセルしながら、磁界検出部
２０のスケール１０に対する相対移動量や相対移動位
置、すなわち、これらが取り付けられた工作機械等の可
動部の移動量や移動位置を非常に高精度に検出すること
ができる。
【００５８】また、本発明を適用した位置検出装置１に
おいては、上述したように、互いに同相駆動された第１
のセンサ部２２と第２のセンサ部２３との差動出力を求
めることで、磁界検出部２０のスケール１０に対する相
対移動位置を検出するようにしているので、地磁気等の
ように第１のセンサ部２２と第２のセンサ部２３とに同
相且つ一様に入射する外乱磁界の影響もキャンセルし
て、工作機械等の可動部の移動量や移動位置をさらに高
精度に検出できることになる。
【００５９】ここで、上述した構成の本発明を適用した
位置検出装置１の地磁気等の外乱磁界に対する出力特性
を図１２に示す。また、比較対象として、互いに逆相駆
動された２つのセンサ部の差動出力を求めることで磁気
センサのスケールに対する相対位置を検出するようにし
た位置検出装置の地磁気等の外乱磁界に対する出力特性
を図１２に合わせて示す。ここで、これら位置検出装置
の地磁気等の外乱磁界に対する出力特性は、磁気センサ
を中心として、位置検出装置をＺ軸（図１中矢印Ｚで示
す方向）周りに回転させたときの出力を検出することで
求めた。
【００６０】この図１２から、比較対象の位置検出装置
は、磁気センサを中心としてＺ軸周りに回転させると出
力に変動が生じることが分かる。このとき、磁気センサ
のスケールに対する相対位置は変化していないので、こ
の出力の変動は、地磁気等の外乱磁界に起因して生じる
ものである。このように、地磁気等の外乱磁界に起因し
て出力の変動が生じると、磁気センサのスケールに対す
る相対移動量や相対移動位置を適切に検出することがで
きない。
【００６１】これに対して、本発明を適用した位置検出
装置１は、磁界検出部２０を中心としてＺ軸周りに回転
させた場合でも、出力に変動が生じていないことが分か
る。これは、本発明を適用した位置検出装置１では、互
いに同相駆動された第１のセンサ部２２と第２のセンサ
部２３との差動出力を求めることで、磁界検出部２０の
スケール１０に対する相対移動位置を検出するようにし
ているので、地磁気等のように第１のセンサ部２２と第
２のセンサ部２３とに同相且つ一様に入射する外乱磁界
については、その影響をキャンセルすることができるか
らである。なお、図１２では、位置検出装置１０をＺ軸
周りに回転させたときの出力特性を示したが、位置検出
装置１０をＸ軸（図１中矢印Ｘで示す方向）周りに回転
させたときや、位置検出装置１０をＹ軸（図１中矢印Ｙ
で示す方向）周りに回転させたときも、Ｚ軸周りに回転
させたときと同様に、出力にほとんど変動が生じないこ
とが確認された。
【００６２】以上のように、本発明を適用した位置検出
装置１では、地磁気等の外乱磁界による影響を有効にキ
ャンセルすることができるので、磁界検出部２０のスケ
ール１０に対する相対移動量や相対移動位置、すなわ
ち、これらが取り付けられた工作機械等の可動部の移動
量や移動位置を極めて精度良く検出することができる。
【００６３】また、本発明を適用した位置検出装置１に
おいては、上述したように、第１のバイアスコイル２７
ａを備える第１のセンサ部２２と、第２のバイアスコイ
ル２７ｂを備える第２のセンサ部２３とを互いに同方向
の外部磁界に対して検出感度を有するように同相駆動
し、第２のセンサ部２３からの出力を基準出力として、
この基準出力が一定電圧となるように、バイアス回路４
６により各バイアスコイル２７ａ，２７ｂを駆動制御す
るようにしているので、磁界検出部２０の周囲温度が変
化することに起因して、第１のセンサコイル２９ａや第
２のセンサコイル２９ｂのインピーダンスに変化が生じ
た場合であっても、第１のセンサ部２２及び第２のセン
サ部２３に対して常に最適なバイアス磁界を印加するこ
とができ、出力直線性を向上させて、磁界検出部２０の
スケール１０に対する相対移動量や相対移動位置、すな
わち、これらが取り付けられた工作機械等の可動部の移
動量や移動位置をさらに高精度に検出することができ
る。
【００６４】ここで、上述した構成の本発明を適用した
位置検出装置１において、磁界検出部２０の周囲温度が
変化した場合の出力変化を図１３に示す。また、比較対
象として、第１のセンサ部及び第２のセンサ部に対して
常に一定のバイアス磁界を印加するように構成された位
置検出装置において、磁気センサの周囲温度が変化した
場合の出力変化を図１４に示す。
【００６５】図１４から、比較対象の位置検出装置で
は、磁気センサの周囲温度が変化すると、出力に大きな
変動が生じることが分かる。これは、比較対象の位置検
出装置では、磁気センサの周囲温度とは無関係に常に一
定のバイアス磁界を印加するようにしているため、磁気
センサの周囲温度の変化によりセンサコイルのインピー
ダンスに変動が生じて最適なバイアス点が変動すると、
最適なバイアス磁界を印加することができないからであ
る。このように、磁気センサの周囲温度の変化に起因し
て出力の変動が生じると、磁気センサのスケールに対す
る相対移動量や相対移動位置の適切な検出が阻害される
ことになる。
【００６６】これに対して、本発明を適用した位置検出
装置１では、図１３に示すように、磁界検出部２０の周
囲温度が変化した場合でも、出力の変動を大幅に抑制す
ることができる。これは、本発明を適用した位置検出装
置１では、互いに同相駆動された第１及び第２のセンサ
部２２，２３のうち、第２のセンサ部２３からの出力を
基準出力として、この基準出力が一定電圧となるよう
に、バイアス回路４６により各バイアスコイル２７ａ，
２７ｂを駆動制御するようにしており、磁界検出部２０
の周囲温度が変化することに起因して、第１のセンサコ
イル２９ａや第２のセンサコイル２９ｂのインピーダン
スに変化が生じた場合であっても、第１のセンサ部２２
及び第２のセンサ部２３に対して常に最適なバイアス磁
界を印加することができるようになされているからであ
る。
【００６７】以上のように、本発明を適用した位置検出
装置１では、磁界検出部２０の周囲温度の変化に起因す
る出力変動を大幅に抑制することができるので、磁界検
出部２０のスケール１０に対する相対移動量や相対移動
位置、すなわち、これらが取り付けられた工作機械等の
可動部の移動量や移動位置をさらに高精度に検出するこ
とができる。
【００６８】なお、上述した位置検出装置１は、本発明
に係る位置検出装置の一構成例を示したものであり、本
発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であ
る。
【００６９】例えば、上述した位置検出装置１では、位
置に応じて強さや向きが変化する磁界を発生する磁界発
生手段として、主面に対して垂直な方向に着磁された第
１乃至第４の発磁体１１，１２，１３，１４が組み合わ
されてなるスケール１０を備えているが、このスケール
１０に変えて、例えば、図１５に示すように、磁界検出
部２０の相対移動方向（Ｘ方向）に対して垂直で、且つ
主面に対して平行なＹ方向に着磁され、Ｘ方向に沿って
等間隔で逆向きの磁界を発生するスケール７０を磁界発
生手段として備えるようにしてもよい。
【００７０】また、上述した位置検出装置１では、スケ
ール１０からの磁界を検出する磁界検出部として、いわ
ゆるＭＩ効果（磁気インピーダンス効果）を利用したＭ
Ｉ効果型センサとして構成された磁界検出部２０を用い
ているが、例えば、フラックスゲート型センサとして構
成された磁界検出部や、ＭＲ効果（磁気抵抗効果）を利
用したＭＲセンサとして構成された磁界検出部等、バイ
アス磁界を印加して使用される磁界検出部であれば、ど
のようなものを用いるようにしてもよい。
【００７１】また、上述した位置検出装置１では、磁界
検出部２０の第１のセンサ部２２と第２のセンサ部２３
とを、共にスケール１０の一方の主面側に配設し、第１
のセンサ部２２がスケール１０に近接した位置に配置さ
れ、第２のセンサ部２３がスケール１０から離間した位
置に配置されるようにすることで、スケール１０から第
１のセンサ部２２に入射する磁界と、スケール１０から
第２のセンサ部２３に入射する磁界とに磁界差を生じさ
せるようにしているが、例えば、図１６に示すように、
第１のセンサ部２２をスケール１０の一方の主面側に配
設し、第２のセンサ部２３をスケール１０の他方の主面
側に配設するようにして、スケール１０から第１のセン
サ部２２に入射する磁界と、スケール１０から第２のセ
ンサ部２３に入射する磁界とに磁界差を生じさせるよう
にしてもよい。
【００７２】この場合、スケール１０から第１のセンサ
部２２に入射する磁界の向きと、スケール１０から第２
のセンサ部２３に入射する磁界の向きとが逆向きとなる
ので、第１のセンサ部２２からの出力と第２のセンサ部
２３からの出力との差動出力を求めるようにすれば、地
磁気等のように第１のセンサ部２２と第２のセンサ部２
３とに同相且つ一様に入射する外乱磁界の影響はキャン
セルしながら、上述した例に比べてより大きな出力を得
ることが可能となる。
【００７３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、外部磁界を検出する感磁部の周囲温度等が変化し
た場合であっても、この感磁部に常に最適なバイアス磁
界を印加することができるので、外部磁界の検出を非常
に精度良く行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した位置検出装置の概略構成を示
す斜視図である。
【図２】スケールを構成する発磁体の平面図である。
【図３】上記発磁体が組み合わされて構成されるスケー
ルの平面図である。
【図４】磁気センサの概略構成を示す斜視図である。
【図５】上記磁気センサが備えるセンサ部をその端面側
から見た平面図である。
【図６】図５におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図７】図５におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】上記センサ部が備えるコア部の分解斜視図であ
る。
【図９】センサコイルが巻装されたコア部の平面図であ
る。
【図１０】本発明を適用した位置検出装置が備える駆動
検出回路の回路図である。
【図１１】本発明を適用した位置検出装置の出力特性を
示す図である。
【図１２】本発明を適用した位置検出装置の地磁気等の
外乱磁界に対する出力特性と、比較対象の位置検出装置
の地磁気等の外乱磁界に対する出力特性とを合わせて示
す図である。
【図１３】本発明を適用した位置検出装置において、磁
気センサの周囲温度が変化した場合の出力変化を示す図
である。
【図１４】比較対象の位置検出装置において、磁気セン
サの周囲温度が変化した場合の出力変化を示す図であ
る。
【図１５】本発明を適用した位置検出装置の他の例を示
す斜視図である。
【図１６】本発明を適用した位置検出装置の更に他の例
を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 位置検出装置、 １０ スケール、 ２０ 磁界検
出部、 ２２ 第１のセンサ部、 ２３ 第２のセンサ
部、 ２４ 磁気シールド板、 ２７ バイアスコイ
ル、 ２８ コア部、 ２９ センサコイル、 ４０
駆動検出回路、４１ 発振回路、 ４２ スイッチング
回路、 ４５ 差動増幅回路、 ４６バイアス回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F063 AA02 BA21 CB01 DA05 DD03 EA02 GA03 GA29 GA33 GA38 KA01 LA27 2F077 AA13 CC02 FF03 FF16 FF39 TT01 TT11 TT82 UU01 VV02 2G017 AA02 AB02 AC09 AD42 AD51 BA03 BA05

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 感磁部と、この感磁部にバイアス磁界を
    印加するためのバイアス磁界発生手段とを有する複数の
    センサ部と、 上記複数のセンサ部のバイアス磁界発生手段を駆動制御
    する駆動制御手段とを備え、 上記駆動制御手段は、上記複数のセンサ部のうちの１つ
    のセンサ部の感磁部からの出力をモニタリングして、こ
    のモニタリングした上記感磁部からの出力が一定となる
    ように、上記複数のセンサ部のバイアス磁界発生手段を
    駆動制御することを特徴とする磁気センサ。
  2. 【請求項２】 上記バイアス磁界発生手段は、上記感磁
    部の周囲に巻回されたバイアスコイルを有し、 上記駆動制御手段は、上記バイアスコイルに流す電流を
    調整することで、上記バイアス磁界発生手段を駆動制御
    することを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
  3. 【請求項３】 上記感磁部は、高透磁率材料よりなるコ
    ア部と、このコア部の周囲に巻回された高周波駆動され
    るセンサコイルとを備え、外部磁界に応じて変化する上
    記センサコイルのインピーダンス変化をもとに、外部磁
    界を検出することを特徴とする請求項１記載の磁気セン
    サ。
  4. 【請求項４】 位置に応じて強さや向きが変化する磁界
    を発生する磁界発生手段と、 感磁部と、この感磁部にバイアス磁界を印加するための
    バイアス磁界発生手段とを有し、上記磁界発生手段に対
    して相対的に移動する複数のセンサ部と、 上記複数のセンサ部のバイアス磁界発生手段を駆動制御
    する駆動制御手段と、 上記複数のセンサ部の感磁部からの出力をもとに、上記
    複数のセンサ部の上記磁界発生手段に対する相対移動位
    置を検出する検出手段とを備え、 上記駆動制御手段は、上記複数のセンサ部のうちの１つ
    のセンサ部の感磁部からの出力をモニタリングして、こ
    のモニタリングした上記感磁部からの出力が一定となる
    ように、上記複数のセンサ部のバイアス磁界発生手段を
    駆動制御することを特徴とする位置検出装置。
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