[go: up one dir, main page]

JP2001281298A - Inspection probe board and method of manufacturing the same - Google Patents

Inspection probe board and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JP2001281298A
JP2001281298A JP2000097801A JP2000097801A JP2001281298A JP 2001281298 A JP2001281298 A JP 2001281298A JP 2000097801 A JP2000097801 A JP 2000097801A JP 2000097801 A JP2000097801 A JP 2000097801A JP 2001281298 A JP2001281298 A JP 2001281298A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal plating
plating
substrate
inspection
land
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000097801A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Chinda
聡 珍田
Katsumi Suzuki
勝美 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP2000097801A priority Critical patent/JP2001281298A/en
Publication of JP2001281298A publication Critical patent/JP2001281298A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】狭いピッチの外部端子を有する半導体装置の検
査を行える検査用プローブ基板を提供すること。 【解決手段】検査用プローブ基板を絶縁性がある基板
と、検査する半導体装置もしくは電子装置の外部端子の
位置に合わせて前記基板上に形成された複数個のランド
と、前記各ランド上にそれぞれ電気的に接続されるよう
に形成され、半導体装置もしくは電子装置の外部端子と
接触する金属めっき突起と、前記ランド形成面と反対面
の基板上に検査装置と接続する引き出しリードと、前記
基板内に設けられ、前記ランド及び前記引き出しリード
を導通する導通ビアとからで形成する。
[PROBLEMS] To provide an inspection probe board capable of inspecting a semiconductor device having external terminals with a narrow pitch. The inspection probe substrate has an insulating substrate, a plurality of lands formed on the substrate according to the positions of external terminals of a semiconductor device or an electronic device to be inspected, and a plurality of lands formed on each of the lands. A metal plating protrusion formed so as to be electrically connected and in contact with an external terminal of the semiconductor device or the electronic device; a lead lead connected to an inspection device on a substrate opposite to the land forming surface; And a conductive via for conducting the land and the lead-out lead.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、外部端子と電気的
に接続して、半導体装置または電子装置の検査を行うた
めの検査用プローブ基板及びその製造法に関し、特に、
半導体集積回路チップ/CSPパッケージの品質を単体
のまま検査する検査用プローブ基板及びその製造法に適
用して有効な技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe board for testing a semiconductor device or an electronic device by being electrically connected to an external terminal, and a method of manufacturing the same.
The present invention relates to an inspection probe substrate for inspecting the quality of a semiconductor integrated circuit chip / CSP package as a single unit and a technique effective when applied to a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】パッケージしていないベアチップを複数
個搭載したプリント基板を、MCM(Multi Chip Modul
e )という。このMCMは電子機器の発展とともに、本
質的ニーズである軽薄短小に対応する有効な手段とし
て、機器開発の重要な技術に位置付けられるようになっ
てきた。
2. Description of the Related Art A printed circuit board having a plurality of unpackaged bare chips mounted thereon is mounted on an MCM (Multi Chip Modul).
e). With the development of electronic devices, the MCM has come to be positioned as an important technology for device development as an effective means for responding to essential needs such as light and thin.

【0003】また、パッケージをする場合でも、パッケ
ージ基材量を最小限とし、パッケージ面積(体積)がチ
ップとほぼ等しいくらいに小型化したCSP(Chip Siz
e /Scale Package )の開発が極めて活発で、デバイス
メーカから種々の形状の小型パッケージが発表されてい
る。このCSPパッケージの多くは、外部端子はパッケ
ージの裏面にはんだボールを配列するBGA構造であ
る。
[0003] Further, even in the case of packaging, a CSP (Chip Siz) miniaturized so as to minimize the amount of package base material and to have a package area (volume) substantially equal to a chip.
e / Scale Package) is being actively developed, and device manufacturers have announced small packages of various shapes. Many of the CSP packages have a BGA structure in which external terminals are arranged with solder balls on the back surface of the package.

【0004】しかし、これらのベアチップやCSPの最
大の障壁は、品質保証されたチップ/パッケージ(KG
D:Known Good Die)選別のための非破壊検査方法であ
り、そのためにはチップの電極パッドあるいはパッケー
ジの外部端子用はんだボールと接触して電気的導通を確
保するための突起を設けた、検査用ブロープ基板の開発
がポイントとなる。
[0004] However, the biggest barrier to these bare chips and CSPs is the quality-assured chip / package (KG).
D: Known Good Die) This is a non-destructive inspection method for selection. For this purpose, an inspection is provided in which a projection is provided to ensure electrical continuity by contacting with an electrode pad of a chip or a solder ball for an external terminal of a package. The key point is the development of a probe board for use.

【0005】従来は、チップのアルミパッドの位置に合
わせてタングステン製の微小針を設けたブロープ基板が
使われていた。
Conventionally, a probe substrate provided with tungsten microneedles in accordance with the position of the aluminum pad of the chip has been used.

【0006】しかし、チップの小形化、多ピン化にとも
ない、パッド数や端子数が増大し、またパッドや端子ピ
ッチはますます狭くなっているため、タングステン針を
配置したプローブ基板では、基板自体の製造に大きな制
約が生じている。
However, the number of pads and the number of terminals are increasing with the miniaturization of chips and the increase in the number of pins, and the pitch of pads and terminals is becoming increasingly narrower. There is a great restriction on the manufacture of the.

【0007】そのため現在、テープキャリアと微小バン
プ製造技術を組み合わせたKGD判別用プローブ組み込
みソケットが開発されている。
[0007] For this reason, at present, a socket incorporating a probe for KGD discrimination, which is a combination of a tape carrier and a micro bump manufacturing technique, has been developed.

【0008】これらの構造は、微細配線を設けた基板
に、チップの電極パッドあるいはパッケージの外部端子
のはんだボールに対応する位置に突起を設け、このプロ
ーブ基板と上型の間にチップを挟む方式となっている。
In these structures, a projection is provided on a substrate provided with fine wiring at a position corresponding to a solder ball of an electrode pad of a chip or an external terminal of a package, and a chip is sandwiched between the probe substrate and an upper die. It has become.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】パッケ−ジの外部端子
として裏面にリフロー接続するはんだボールのピッチは
現在0.5mmにまで狭くなっている。したがって、上記
従来技術では、その狭ピッチに対応した微細な接触用突
起の形成が難しいという問題点があった。
The pitch of the solder balls to be reflow-connected to the back surface as external terminals of the package is currently narrowed to 0.5 mm. Therefore, in the above-described prior art, there is a problem that it is difficult to form a fine contact projection corresponding to the narrow pitch.

【0010】また、0.5mmピッチで突起を形成するラ
ンドをプローブ基板に配列すると、引き出しリードの形
成が困難になるという問題点があった。特に、狭いピッ
チで外部端子をパッケージの裏面に全配列するフルグリ
ット配列の場合には、上記プローブ基板では対処できな
い。
Further, when lands forming projections at a pitch of 0.5 mm are arranged on the probe substrate, there is a problem that it is difficult to form lead leads. In particular, in the case of a full grid arrangement in which the external terminals are all arranged on the back surface of the package at a narrow pitch, the above-mentioned probe substrate cannot cope with the problem.

【0011】本発明の目的は、上記問題点を解決するた
めに成されたものであり、その目的は狭いピッチの外部
端子を有する半導体装置の検査を行える検査用プローブ
基板を提供するものである。
An object of the present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an inspection probe board capable of inspecting a semiconductor device having external terminals with a narrow pitch. .

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれ
ば、下記のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present invention, typical ones will be briefly described as follows.

【0013】(1)検査用プローブ基板は、絶縁性があ
る基板と、検査する半導体装置もしくは電子装置の外部
端子の位置に合わせて前記基板上に形成された複数個の
ランドと、前記各ランド上にそれぞれ電気的に接続され
るように形成され、半導体装置もしくは電子装置の外部
端子と接触する金属めっき突起と、前記ランド形成面と
反対面の基板上に検査装置と接続する引き出しリード
と、前記基板内に設けられ、前記ランド及び前記引き出
しリードを導通する導通ビアとからなる。
(1) An inspection probe substrate includes an insulating substrate, a plurality of lands formed on the substrate corresponding to the positions of external terminals of a semiconductor device or an electronic device to be inspected, and the lands. A metal plating protrusion formed in such a manner as to be electrically connected to an external terminal of a semiconductor device or an electronic device, and a lead lead connected to an inspection device on a substrate opposite to the land forming surface, It is provided in the substrate, and includes a conductive via that connects the land and the lead-out lead.

【0014】(2)(1)の検査用プローブ基板であっ
て、前記金属めっき突起は、複数個の小めっき突起から
なる。
(2) In the inspection probe board according to (1), the metal plating projection is composed of a plurality of small plating projections.

【0015】(3)(1)、または(2)の検査用プロ
ーブ基板において、前記金属めっき突起は、少なくとも
前記外部端子との接触部分に酸化防止金属膜を形成す
る。
(3) In the inspection probe substrate according to (1) or (2), the metal plating protrusion forms an antioxidant metal film at least at a portion in contact with the external terminal.

【0016】(4)(1)、または(2)の検査用プロ
ーブ基板において、前記ランド及びその上に形成された
前記金属めっき突起を酸化防止金属膜で一括被覆形成す
る。
(4) In the inspection probe substrate of (1) or (2), the lands and the metal plating protrusions formed thereon are collectively covered with an antioxidant metal film.

【0017】(5)(3)、または(4)の検査用プロ
ーブ基板において、前記酸化防止金属膜は、貴金属めっ
きである。
(5) In the inspection probe substrate of (3) or (4), the antioxidant metal film is a noble metal plating.

【0018】(6)(1)乃至(5)の何れか1つの検
査用プローブ基板において、前記金属めっき突起は、無
電解めっき法で形成された金属めっき突起である。
(6) In the inspection probe substrate according to any one of (1) to (5), the metal plating projection is a metal plating projection formed by an electroless plating method.

【0019】(7)検査する半導体装置もしくは電子装
置の外部端子の位置に合わせて基板に複数個のランドを
形成し、前記各ランド上に前記外部端子と接触する金属
めっき突起を形成した検査用プローブ基板の製造方法で
あって、絶縁性のある基板の両面にそれぞれ導電性薄膜
が設けられた2metalのテープキャリアを用意し、
何れか一面の導電性薄膜を所定位置で開口し、その開口
位置で他面の導電性薄膜まで達するビア穴を前記基板内
に形成し、前記開口した導電性薄膜上及び前記ビア穴内
に所定の厚さの銅めっきを施し、開口していない面の導
電性薄膜をエッチングして引き出しリードを形成し、銅
めっきが施された導電性薄膜をエッチングしてランドを
形成し、前記ランド形成面上にレジスト膜を形成し、半
導体装置または電子装置の外部端子に合致する位置のラ
ンド上にレジスト膜の開口部を形成し、前記レジスト膜
の開口部が形成されたテープキャリアを金属めっき液に
浸漬して無電解めっき、電気めっき、またはそれらを組
み合わせを行い、前記開口部が埋まる厚さに金属めっき
層を形成し、前記レジスト膜を除去し、前記配線パター
ン上に金属めっき突起を形成する。
(7) A plurality of lands are formed on a substrate in accordance with the positions of external terminals of a semiconductor device or an electronic device to be inspected, and a metal plating projection is formed on each of the lands to contact the external terminals. A method of manufacturing a probe substrate, comprising preparing a 2-metal tape carrier in which conductive thin films are provided on both surfaces of an insulating substrate,
One of the conductive thin films is opened at a predetermined position, and a via hole reaching the conductive thin film on the other surface is formed in the substrate at the opening position, and a predetermined via hole is formed on the opened conductive thin film and in the via hole. Copper plating of a thickness, etching of the conductive thin film on the unopened surface to form a lead lead, etching of the conductive thin film coated with copper to form a land, and forming a land on the land forming surface. A resist film is formed on the land, an opening of the resist film is formed on a land corresponding to an external terminal of the semiconductor device or the electronic device, and the tape carrier having the opening of the resist film is immersed in a metal plating solution. Performing electroless plating, electroplating, or a combination thereof, forming a metal plating layer to a thickness that fills the opening, removing the resist film, and forming a metal plating on the wiring pattern. To form a cause.

【0020】(8)(7)の検査用プローブ基板の製造
方法において、前記金属めっき突起が形成された後に、
前記ランド、前記引き出しリード、前記導通ビア、及び
前記金属めっき突起に所定の厚さの貴金属めっきを形成
する。
(8) In the method of manufacturing an inspection probe substrate according to (7), after the metal plating protrusion is formed,
A noble metal plating of a predetermined thickness is formed on the land, the lead, the conductive via, and the metal plating protrusion.

【0021】(9)検査する半導体装置もしくは電子装
置の外部端子の位置に合わせて基板に複数個のランドを
形成し、前記各ランド上に前記外部端子と接触する金属
めっき突起を形成した検査用プローブ基板の製造方法で
あって、絶縁性のある基板の両面にそれぞれ導電性薄膜
が設けられた2metalのテープキャリアを用意し、
何れか一面の導電性薄膜を所定位置で開口し、その開口
位置で他面の導電性薄膜まで達するビア穴を前記基板内
に形成し、前記開口した導電性薄膜上及び前記ビア穴内
にビア穴を埋め込む厚さの金属めっきを施し、ランド形
成箇所以外の金属めっき及び導電性薄膜を取り除き、金
属めっき突起形成箇所にレジスト膜を形成し、このレジ
スト膜で金属めっきのハーフエッチングを行って金属め
っき突起を形成し、レジスト膜を取り除き、ランド形成
面と反対の面の導電性薄膜をエッチングして引き出しリ
ード形成し、前記ランド上に金属めっき突起を形成す
る。
(9) A plurality of lands are formed on a substrate in accordance with the positions of external terminals of a semiconductor device or an electronic device to be inspected, and a metal plating projection is formed on each of the lands to contact the external terminals. A method of manufacturing a probe substrate, comprising preparing a 2-metal tape carrier in which conductive thin films are provided on both surfaces of an insulating substrate,
One of the conductive thin films is opened at a predetermined position, a via hole is formed in the substrate at the opening position to reach the conductive thin film on the other surface, and a via hole is formed on the opened conductive thin film and in the via hole. Metal plating is applied to a thickness that embeds the metal plating, the metal plating and the conductive thin film other than the land formation location are removed, a resist film is formed at the metal plating projection formation location, and metal plating is performed by half-etching the metal plating with this resist film. The protrusions are formed, the resist film is removed, the conductive thin film on the surface opposite to the land formation surface is etched to form lead leads, and metal plating protrusions are formed on the lands.

【0022】(10)(9)の検査用プローブ基板の製
造方法において、前記金属めっき突起が形成された後
に、前記ランド、前記引き出しリード、前記導通ビア、
及び前記金属めっき突起に所定の厚さの貴金属めっきを
形成する。
(10) In the method of manufacturing an inspection probe substrate according to (9), after the metal plating projection is formed, the land, the lead-out lead, the conductive via,
And forming a noble metal plating of a predetermined thickness on the metal plating protrusion.

【0023】このように、金属めっき突起を用いること
で、小型化、多ピン化された半導体装置の検査を行える
安価な検査用プローブ基板を提供できる。
As described above, by using the metal plating protrusion, it is possible to provide an inexpensive probe board for inspection capable of inspecting a miniaturized and multi-pin semiconductor device.

【0024】また、検査装置と接続する引き出しリード
を導通ビアを介して基板の裏面に形成し、めっき突起と
引き出しリードとを絶縁テープ(ポリイミドテープ)の
同一面に形成しない構造にすることによって、狭いピッ
チでめっき突起を形成しても、その引き出しリードの引
き出し線の形成が困難になることはなくなるので、狭い
ピッチの外部端子を有する半導体装置の検査を行える検
査用プローブ基板を提供することが可能になる。
Further, by forming a lead lead connected to the inspection device on the back surface of the substrate via a conductive via and not forming the plating protrusion and the lead lead on the same surface of the insulating tape (polyimide tape), Even if plating protrusions are formed at a narrow pitch, it is not difficult to form lead lines of the lead leads. Therefore, it is possible to provide an inspection probe substrate that can inspect a semiconductor device having external terminals with a narrow pitch. Will be possible.

【0025】また、金属めっき突起を無電解金属めっき
で形成することにより、金属めっき突起の硬度が増すの
で、耐久性に優れた検査用プローブ基板を提供できる。
Further, since the hardness of the metal plating projection is increased by forming the metal plating projection by electroless metal plating, it is possible to provide an inspection probe board having excellent durability.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】本発明にかかる一実施形態の検査
用プローブ基板を図面を用いて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An inspection probe board according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0027】図1は、本実施形態の検査用プローブ基板
の構成を説明するための平面図である。図2は、図1に
示すA−A線で切った断面図を示す。なお、図1,図2
は、主要部分の構成を説明し易いように示してある。
FIG. 1 is a plan view for explaining the configuration of the inspection probe substrate of the present embodiment. FIG. 2 is a sectional view taken along line AA shown in FIG. 1 and 2
Are shown for easy explanation of the configuration of the main part.

【0028】図1,図2に示すように、本実施形態の検
査用プローブ100は、ポリイミド等の絶縁テープ10
と、検査する半導体装置の外部端子の位置に合わせて絶
縁テープ10上に設けられ銅箔等の導電性薄膜で形成さ
れたランド11と、絶縁テープ10のランド11形成面
と反対面に形成された検査装置(図示せず)と接続され
る引き出しリード111と、ランド11と引き出しリー
ド111とを電気的に接続する導通ビア112と、外部
端子との接続位置に合わせてそのランド11上に設けら
れためっき突起12とから構成される。
As shown in FIGS. 1 and 2, an inspection probe 100 of the present embodiment comprises an insulating tape 10 made of polyimide or the like.
A land 11 provided on the insulating tape 10 in accordance with the position of the external terminal of the semiconductor device to be inspected and formed of a conductive thin film such as a copper foil; and a land 11 formed on the surface of the insulating tape 10 opposite to the land 11 forming surface. Lead 111 connected to the inspection device (not shown), a conductive via 112 electrically connecting the land 11 and the lead 111, and provided on the land 11 in accordance with the connection position with the external terminal. And the plated projections 12 provided.

【0029】この絶縁テープ10は、検査する半導体装
置の絶縁性があり、かつ半導体装置の外部端子の凸凹
(例えば、ボール端子の高さの誤差)を吸収するために
変形しやすいフレキシブル材料を用いる。例えば、ポリ
イミド、液晶ポリマ等である。
The insulating tape 10 is made of a flexible material which has an insulating property of a semiconductor device to be inspected and is easily deformed to absorb irregularities (for example, errors in the height of ball terminals) of external terminals of the semiconductor device. . For example, polyimide, liquid crystal polymer, and the like.

【0030】ランド11及び引き出しリード111は、
導電性材料で加工しやすい薄膜金属をエッチングして形
成される。ランド11は導通ビア112と引き出しリー
ド111を介して検査装置(ここでは図示せず)と電気
的に接続される。
The land 11 and the lead 111 are
It is formed by etching a thin film metal which is easy to process with a conductive material. The land 11 is electrically connected to an inspection device (not shown here) via the conductive via 112 and the lead 111.

【0031】導通ビア112は、ランド11及び引き出
しリードをビア穴を介して電気的に接続するビア導通め
っきである。ここでは、無電解、または電気めっきで形
成された金属めっきで形成する。この金属めっきとして
は、例えば、銅を用いる。
The conductive via 112 is a via conductive plating for electrically connecting the land 11 and the lead lead through the via hole. Here, it is formed by electroless or metal plating formed by electroplating. As this metal plating, for example, copper is used.

【0032】なお、図2に示すように、本実施形態では
ビア穴の表面のみを被覆する導通ビア112を示してい
るが、これに限定されるものではなく、ビア穴全体を埋
めるようにした金属めっきであっても構わない。
As shown in FIG. 2, the present embodiment shows the conductive via 112 covering only the surface of the via hole. However, the present invention is not limited to this, and the entire via hole is filled. Metal plating may be used.

【0033】めっき突起12は、導電性が高い材料(金
属)を電気めっき、または無電解めっきすることによっ
て形成する。また、半導体装置の外部端子と押圧接触す
るため、耐久性を高めるために硬質に形成するのがよ
い。このため、特に無電解めっき法による金属めっきで
形成するのがよい。この無電解金属めっきは、電気金属
めっきに比べ、硬質に積層されるためである。ここで、
ニッケルを例に挙げると、無電解ニッケルめっきで形成
された突起のピッカーズ硬度はHv450〜600であ
り、電気ニッケルめっきで形成された突起のピッカーズ
硬度はHv180程度であり、無電解めっき法と電解め
っき法とで形成された突起の硬度の差は明らかである。
The plating protrusions 12 are formed by electroplating or electroless plating a material (metal) having high conductivity. In addition, since the semiconductor device is in pressure contact with an external terminal of the semiconductor device, the semiconductor device is preferably formed to be hard to enhance durability. For this reason, it is particularly preferable to form by metal plating by an electroless plating method. This is because the electroless metal plating is laminated harder than the electric metal plating. here,
Taking nickel as an example, the Pickers hardness of the protrusions formed by electroless nickel plating is Hv450 to 600, and the Pickers hardness of the protrusions formed by electronickel plating is about Hv180. The difference in hardness between the projections formed by the method and the method is apparent.

【0034】無電解金属めっきの中でも、特に、無電解
ニッケルめっきは導電性が高く、硬質であるため、この
めっき突起12には最適である。他には、無電解銅めっ
きを用いるとよい。
Among the electroless metal platings, the electroless nickel plating is particularly suitable for the plating projection 12 because it has high conductivity and is hard. Alternatively, electroless copper plating may be used.

【0035】また、図3に示すように、この無電解金属
めっきで形成されためっき突起12上に、外部端子との
接触部分の酸化防止のための金属めっき(例えば、金め
っき)13を施すこともある。
As shown in FIG. 3, metal plating (for example, gold plating) 13 for preventing oxidation of a contact portion with an external terminal is applied on the plating protrusion 12 formed by the electroless metal plating. Sometimes.

【0036】なお、この金めっき13は、ランド11と
めっき突起12の接合力をより一層高めるために、これ
らを一括して被覆されるように形成される。また、この
金めっき13は、ランド11の全体に施す必要がないの
で、めっき突起12とその周辺部のランド11だけに形
成しても構わない。
The gold plating 13 is formed so as to cover the lands 11 and the plating protrusions 12 in a collective manner in order to further increase the bonding strength. Further, since the gold plating 13 does not need to be applied to the entire land 11, the gold plating 13 may be formed only on the plating protrusion 12 and the land 11 around the plating protrusion 12.

【0037】これにより、めっき突起12部分をランド
11全面で支えるように接合されるので、接合強度が増
大し、繰り返し使用によるめっき突起12の脱落を防止
でき、耐久性により優れた検査用プローブ基板を提供で
きる。
As a result, the joints are supported so that the plating protrusions 12 are supported by the entire surface of the land 11, so that the bonding strength is increased, the plating protrusions 12 can be prevented from falling off due to repeated use, and the inspection probe board is more durable. Can be provided.

【0038】なお、ランド11とめっき突起12を被覆
するめっき層は、金めっき13に限るものではなく、例
えば、ロジウム、パラジウム、白金、銀などの酸化され
にくい貴金属めっきが好ましい。また、これらの貴金属
めっきは、めっき突起12の接触抵抗を軽減するので、
品質検査をより正確に行える。
The plating layer that covers the lands 11 and the plating projections 12 is not limited to the gold plating 13, but is preferably a noble metal plating such as rhodium, palladium, platinum, and silver which is hardly oxidized. In addition, since these noble metal platings reduce the contact resistance of the plating protrusions 12,
Quality inspection can be performed more accurately.

【0039】また、本実施形態では、めっき突起12は
一つの突起から形成されたものを取り挙げたが、ランド
11上に形成できるのであれば、めっき突起12を複数
個の小突起で形成してもよい。このとき、細かいピッチ
で形成すればするほど、外部端子との接触箇所が多くな
り、かつ外部端子との接触時に小突起のエッジ部分で外
部端子の酸化皮膜をより多くワイピングでき、接触抵抗
を低下させることができるので、より正確な検査を行う
ことが可能になる。
In this embodiment, the plating protrusion 12 is formed from one protrusion. However, if the plating protrusion 12 can be formed on the land 11, the plating protrusion 12 may be formed by a plurality of small protrusions. You may. At this time, the finer the pitch, the more contact points with the external terminal, and the more the oxide film of the external terminal can be wiped at the edge of the small projection when in contact with the external terminal, lowering the contact resistance Can be performed, so that more accurate inspection can be performed.

【0040】次に、本実施形態の検査用プローブ基板1
00の製造方法について図面を用いて説明する。図4,
図5は、本実施形態の検査用プローブ基板100の製造
方法を説明するための図である。
Next, the inspection probe substrate 1 of the present embodiment
00 will be described with reference to the drawings. FIG.
FIG. 5 is a diagram for explaining a method of manufacturing the inspection probe substrate 100 according to the present embodiment.

【0041】本実施形態の検査用プローブ基板100
は、まず、図4(a)に示すように、銅箔21(18μ
m)/ポリイミドテープ10(25μm)/銅箔21
(18μm)からなる2層銅箔付きテープキャリア材
(2metalテープ材)を用意する。
Inspection probe substrate 100 of the present embodiment
First, as shown in FIG. 4A, the copper foil 21 (18 μm)
m) / Polyimide tape 10 (25 μm) / copper foil 21
A tape carrier material (2 metal tape material) with a two-layer copper foil made of (18 μm) is prepared.

【0042】次に、図4(b)に示すように、フォトエ
ッチング工程により、導通ビア112を形成する箇所の
銅箔21を開口し、炭酸ガスレーザ等でポリイミドテー
プ10にビア穴(ブラインドビア)22を開口する。
Next, as shown in FIG. 4B, the copper foil 21 where the conductive via 112 is to be formed is opened by a photo-etching step, and a via hole (blind via) is formed in the polyimide tape 10 with a carbon dioxide gas laser or the like. 22 is opened.

【0043】次に、図4(c)に示すように、ポリイミ
ドテープ10のビア穴22の壁面に導通化処理を施した
後、裏面を遮蔽して銅箔21上及びビア穴22内に導通
化銅めっきを形成する。このときのめっき方法は、無電
解めっき法、電気めっき法、及びそれらの組み合わせで
も構わない。
Next, as shown in FIG. 4 (c), after the wall surface of the via hole 22 of the polyimide tape 10 is subjected to a conduction treatment, the back surface is shielded and the conduction is formed on the copper foil 21 and in the via hole 22. Form copper oxide plating. The plating method at this time may be an electroless plating method, an electroplating method, or a combination thereof.

【0044】次に、図4(d)に示すように、めっき形
成面を遮蔽してそのテープキャリア材の裏面の銅箔21
に、ポジ型フォトレジスト23(例えば、PMER:東
京応化社)を塗布し、フォトレジスト塗布面に露光、現
像、エッチング、レジスト膜剥離等の一連のフォトファ
ブリケーションを施し、引き出しリード111を形成す
る。
Next, as shown in FIG. 4 (d), the plating surface is shielded to cover the copper foil 21 on the back surface of the tape carrier material.
, A positive photoresist 23 (for example, PMER: Tokyo Ohkasha Co., Ltd.) is applied, and a series of photofabrications such as exposure, development, etching, and resist film peeling are performed on the photoresist-coated surface to form a lead 111. .

【0045】次に、図5(e)に示すように、引き出し
リード111の形成と同様に、引き出しリード111形
成面を遮蔽してめっき形成面にランド11を形成する。
Next, as shown in FIG. 5E, similarly to the formation of the lead-out lead 111, the surface on which the lead-out lead 111 is formed is shielded to form the land 11 on the plating formation surface.

【0046】次に、このランド11形成面上に厚付け用
のドライフィルムレジスト26を塗布してレジスト膜を
形成し、図5(f)に示すように、これに露光及び現像
を施し、半導体装置のアルミパッドまたはボール端子
(不図示)に合致する位置のランド11上にレジスト開
口部24を形成する。なお、めっき突起12が複数個あ
る場合は、複数の開口部24を形成する。
Next, a dry film resist 26 for thickening is applied on the surface on which the lands 11 are formed to form a resist film. The resist film is exposed and developed as shown in FIG. A resist opening 24 is formed on the land 11 at a position corresponding to an aluminum pad or a ball terminal (not shown) of the apparatus. When there are a plurality of plating protrusions 12, a plurality of openings 24 are formed.

【0047】次に、そのレジスト開口部24が形成され
た基板(ポリイミドテープ10、ランド11、ビア穴2
2、及び引き出しリード111を含むテープキャリア
材)をニッケルめっき液に浸漬して無電解めっきを行
い、図5(g)に示すように、レジスト開口部24がほ
ぼ埋まる厚さ(約20μm)にレジスト開口部内にニッ
ケルめっき層(めっき突起)12を形成する。
Next, the substrate (polyimide tape 10, land 11, via hole 2) on which the resist opening 24 is formed is formed.
2 and a tape carrier material including the lead-out lead 111) are immersed in a nickel plating solution to perform electroless plating, and as shown in FIG. 5 (g), to a thickness (about 20 μm) that almost completely fills the resist opening 24. A nickel plating layer (plating protrusion) 12 is formed in the resist opening.

【0048】次に、図5(h)に示すように、めっき突
起12が形成された基板を金めっき液中に浸して電解め
っきを行い、無電解で形成されたニッケルのめっき突起
12の表面に金めっき13(厚さ約0.5μm)を形成
し、専用剥離液を用いてレジスト26を溶解除去し、ラ
ンド11上に金めっき13を施したニッケルのめっき突
起12を形成する。このように、作成した基板を所望の
サイズに切断し、図6に示すように、検査する半導体装
置31のボール端子32とニッケルめっき突起12とを
接触するようにプローブソケット30に設置する検査用
プローブ基板100を形成する。
Next, as shown in FIG. 5 (h), the substrate on which the plating protrusions 12 are formed is immersed in a gold plating solution to perform electrolytic plating, and the surface of the electroless nickel plating protrusions 12 is formed. Gold plating 13 (thickness: about 0.5 μm) is formed on the lands 11, the resist 26 is dissolved and removed using a dedicated stripping solution, and the nickel plating protrusions 12 on which the gold plating 13 is applied are formed on the lands 11. In this way, the prepared substrate is cut into a desired size, and as shown in FIG. 6, a test terminal is mounted on the probe socket 30 so that the ball terminals 32 of the semiconductor device 31 to be tested come into contact with the nickel plating protrusions 12. The probe substrate 100 is formed.

【0049】また、めっき突起12が複数個の突起で形
成した場合は、図7の接続部分の拡大図に示すように、
半導体装置31のボール端子32に対してめっき突起1
2が複数箇所で押圧接触されて電気的に接続されるの
で、接触面積が大きく取れ、且つめっき突起12のエッ
ジ部分がボール端子32の酸化皮膜をワイピングするの
で、接触抵抗を低下させることができ、より正確な検査
を行うことが可能になる。
When the plating protrusion 12 is formed by a plurality of protrusions, as shown in an enlarged view of the connection portion in FIG.
Plating protrusion 1 is applied to ball terminal 32 of semiconductor device 31.
2 are pressed and contacted at a plurality of locations to be electrically connected, so that a large contact area can be obtained, and the edge portion of the plating protrusion 12 wipes the oxide film of the ball terminal 32, so that the contact resistance can be reduced. , More accurate inspection can be performed.

【0050】なお、めっき突起12の形成は、上記の金
めっき/ニッケルめっきの組み合わせに限定されるもの
ではなく、パラジウム、ロジウム、ニッケル合金、ダイ
ヤモンド、シリカなどの硬質粉末を含有した複合めっき
皮膜など、多様な組み合わせの使用が可能である。
The formation of the plating protrusions 12 is not limited to the above-described combination of gold plating / nickel plating, but may be a composite plating film containing a hard powder such as palladium, rhodium, a nickel alloy, diamond, or silica. Various combinations can be used.

【0051】このように、絶縁性があるテープと、前記
基板上に形成された所定の配線パターンと、前記配線パ
ターン上に電気的に接続されるように形成され、半導体
装置もしくは電子装置の外部端子と接触する無電解めっ
き法で形成されためっき突起12とを備えることによ
り、小型化、多ピン化された半導体装置の検査を行える
安価な検査用プローブ基板を提供できる。
As described above, the insulating tape, the predetermined wiring pattern formed on the substrate and the wiring pattern are formed so as to be electrically connected to each other. Providing the plating protrusions 12 formed by the electroless plating method in contact with the terminals makes it possible to provide an inexpensive inspection probe substrate that can inspect a miniaturized and multi-pin semiconductor device.

【0052】また、検査装置と接続する引き出しリード
111を導通ビア112を介して基板の裏面に形成し、
めっき突起12と引き出しリード111とを絶縁テープ
(ポリイミドテープ)の同一面に形成しない構造にする
ことによって、狭いピッチでめっき突起12を形成して
も、その引き出しリード111の引き出し線の形成が困
難になることはなくなるので、狭いピッチの外部端子を
有する半導体装置の検査を行える検査用プローブ基板を
提供することが可能になる。
Further, a lead 111 connected to the inspection device is formed on the back surface of the substrate via the conductive via 112,
Since the plating protrusions 12 and the lead-out leads 111 are not formed on the same surface of the insulating tape (polyimide tape), it is difficult to form lead-out lines of the lead-out leads 111 even if the plating protrusions 12 are formed at a narrow pitch. Therefore, it is possible to provide an inspection probe board capable of inspecting a semiconductor device having external terminals with a narrow pitch.

【0053】さらに、めっき突起12を無電解金属めっ
きで形成することにより、めっき突起12の硬度が増す
ので、耐久性に優れた検査用プローブ基板を提供でき
る。
Further, by forming the plating protrusions 12 by electroless metal plating, the hardness of the plating protrusions 12 is increased, so that it is possible to provide an inspection probe substrate having excellent durability.

【0054】なお、本実施形態では、半導体装置31を
検査する場合について説明してきたが、本発明はこれに
限るものではなく、例えば、電子装置の検査にも適応で
きる。
In the present embodiment, the case where the semiconductor device 31 is inspected has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to, for example, the inspection of an electronic device.

【0055】(実施例1):ビア穴の埋め込み型導通ビ
ア 図8は、本実施例1の検査用プローブ基板の構成を説明
するための断面図である。なお、本実施例1の検査用プ
ローブ基板の全体図は、図1に示す平面図とほぼ同様で
あるため、省略している。
(Embodiment 1): Conductive vias buried in via holes FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the configuration of the inspection probe substrate of the present embodiment 1. Note that the overall view of the inspection probe board of the first embodiment is omitted because it is almost the same as the plan view shown in FIG.

【0056】図8に示すように、本実施例1の検査用プ
ローブ100aは、ポリイミド等の絶縁テープ10と、
検査する半導体装置の外部端子の位置に合わせて絶縁テ
ープ10上に設けられ銅箔等の導電性薄膜で形成された
ランド11と、絶縁テープ10のランド11形成面と反
対面に形成され、検査装置(図示せず)と接続される引
き出しリード111と、ランド11と引き出しリード1
11とを電気的に接続する導通ビア112aと、外部端
子との接続位置に合わせてそのランド11上に設けられ
ためっき突起12とから構成される。
As shown in FIG. 8, an inspection probe 100a according to the first embodiment includes an insulating tape 10 made of polyimide or the like.
A land 11 provided on the insulating tape 10 in accordance with the position of the external terminal of the semiconductor device to be inspected and formed of a conductive thin film such as a copper foil, and a land 11 formed on the surface of the insulating tape 10 opposite to the surface on which the land 11 is formed. Leader 111 connected to a device (not shown), land 11 and leader 1
The conductive vias 112a electrically connect the conductive vias 11 to each other, and the plating protrusions 12 provided on the lands 11 in accordance with the connection positions with the external terminals.

【0057】導通ビア112aは、ビア穴を金属(ここ
では銅とする)めっきで埋め込み、ランド11及び引き
出しリードをビア穴を介して電気的に接続するものであ
る。上述の実施形態と同様に、無電解、または電気めっ
きで形成された金属めっきである。この金属めっきは銅
に限定されるものではなく、導電性がある材料であれば
よく、例えば、ニッケル等を用いても構わない。特に、
無電解ニッケルめっきを用いると、実施形態と同様な理
由で突起の耐久性が向上する。
The conductive vias 112a fill the via holes with metal (here, copper) plating, and electrically connect the lands 11 and the lead leads through the via holes. Similar to the above-described embodiment, the metal plating is formed by electroless or electroplating. This metal plating is not limited to copper, but may be any material having conductivity, for example, nickel or the like. In particular,
When the electroless nickel plating is used, the durability of the protrusion is improved for the same reason as in the embodiment.

【0058】また、酸化防止と接触抵抗を軽減するため
に、ランド11、めっき突起12、引き出しリード11
1、及び導通ビア112aを金めっき13で被覆しても
よい。
In order to prevent oxidation and reduce contact resistance, lands 11, plating protrusions 12, lead leads 11
1 and the conductive via 112 a may be covered with gold plating 13.

【0059】次に、本実施例1の検査用プローブ基板1
00aの製造方法について図面を用いて説明する。図9
〜図11は、本実施例1の検査用プローブ基板100a
の製造方法を説明するための図である。
Next, the inspection probe substrate 1 of the first embodiment
00a will be described with reference to the drawings. FIG.
FIG. 11 to FIG. 11 show the inspection probe substrate 100a of the first embodiment.
FIG. 7 is a diagram for explaining the manufacturing method of the first embodiment.

【0060】本実施例1の検査用プローブ基板100a
は、図9(a)に示すように、銅箔21(18μm)/
ポリイミドテープ10(25μm)/銅箔21(18μ
m)からなる2層銅箔付きテープキャリア材(いわゆる
2metalテープ材)を用意する。
Inspection probe substrate 100a of the first embodiment
Is, as shown in FIG. 9A, a copper foil 21 (18 μm) /
Polyimide tape 10 (25 μm) / copper foil 21 (18 μm)
m), a tape carrier material with a two-layer copper foil (so-called 2-metal tape material) is prepared.

【0061】次に、図9(b)に示すように、フォトエ
ッチング工程により、導通ビア112を形成する箇所の
銅箔21を開口し、炭酸ガスレーザ等でポリイミドテー
プ10にビア穴(ブラインドビア)22を開口する。
Next, as shown in FIG. 9B, the copper foil 21 where the conductive via 112 is to be formed is opened by a photo-etching process, and a via hole (blind via) is formed in the polyimide tape 10 using a carbon dioxide gas laser or the like. 22 is opened.

【0062】次に、ポリイミドテープ10のビア穴22
の壁面に導通化処理を施した後、裏面を遮蔽して、ビア
フィリング用銅めっき液(例えば、メルテックス製を用
いる)で銅めっき25を施す。これによリ、図9(c)
に示すように、ビア穴22内は銅めっき25で埋込まれ
(導通ビア112aの形成)、上下銅箔間が電気的に導
通化すると共に、ビア穴22の開口側の銅箔21には銅
めっき25が約20μmめっきされる。
Next, the via hole 22 of the polyimide tape 10
After conducting the conductive treatment on the wall surface of the above, the back surface is shielded, and copper plating 25 is applied with a copper plating solution for via filling (for example, using a product of Meltex). As a result, FIG. 9 (c)
As shown in (2), the inside of the via hole 22 is embedded with copper plating 25 (formation of the conductive via 112a) to electrically connect the upper and lower copper foils, and the copper foil 21 on the opening side of the via hole 22 is Copper plating 25 is plated by about 20 μm.

【0063】次に、図9(d)に示すように、この銅め
っき面の銅箔21および裏面銅箔21の全面にフォトレ
ジスト23を塗布した後、露光および現像工程を経て銅
めっき面に所望の形状にフォトレジスト23を残留させ
る。
Next, as shown in FIG. 9D, a photoresist 23 is applied to the entire surface of the copper foil 21 on the copper-plated surface and the entire surface of the back-surface copper foil 21, and then exposed and developed to form a film on the copper-plated surface. The photoresist 23 is left in a desired shape.

【0064】そして、図10(e)に示すように、塩化
第二鉄水溶液をスプレーして銅めっき面をエッチング加
工成形し、図10(f)に示すように、フォトレジスト
23を取り除き、ランド11の上に銅めっき25を形成
する。
Then, as shown in FIG. 10 (e), an aqueous solution of ferric chloride is sprayed to form the copper-plated surface by etching, and as shown in FIG. 10 (f), the photoresist 23 is removed and the land is removed. Copper plating 25 is formed on 11.

【0065】次に、銅めっき上の所定位置(めっき突起
12の形成位置)に再びフォトレジスト23を塗布し、
露光および現像工程を経て、図10(g)に示す形状の
フォトレジスト23を形成する。
Next, a photoresist 23 is applied again to a predetermined position on the copper plating (the position where the plating protrusion 12 is formed).
After exposure and development steps, a photoresist 23 having the shape shown in FIG. 10G is formed.

【0066】次に、再度、塩化第二鉄水溶液をスプレー
し、図10(h)に示すように、フォトレジスト23塗
布部の下の銅めっき25部分を残し、パターンをハーフ
エッチングし、図11(i)に示すように、レジストを
剥膜して銅のめっき突起12を形成する。
Next, an aqueous solution of ferric chloride is sprayed again, and the pattern is half-etched while leaving the copper plating 25 under the photoresist 23 coating portion, as shown in FIG. As shown in (i), the resist is stripped to form copper plating protrusions 12.

【0067】次に、図11(j)に示すように、ランド
11及びめっき突起12部分と裏面の銅箔25にフォト
レジスト23を塗布して露光、現像、エッチングを行
い、図11(k)に示すように、裏面の引き出しリード
111を形成する。
Next, as shown in FIG. 11 (j), a photoresist 23 is applied to the lands 11 and the plating protrusions 12 and the copper foil 25 on the back surface, and is exposed, developed and etched. As shown in FIG. 7, a lead 111 on the back surface is formed.

【0068】次に、フォトレジスト23を取り除き、図
11(l)に示すように、プローブ基板を形成する。
Next, the photoresist 23 is removed, and a probe substrate is formed as shown in FIG.

【0069】また、ランド11及びめっき突起12の酸
化を防止と、接触時の抵抗を下げるために、ニッケルを
約1μm電気めっきした後、金を約0.5μm電気めっ
きしてもよい。
Further, in order to prevent oxidation of the lands 11 and the plating protrusions 12 and to reduce the resistance at the time of contact, nickel may be electroplated by about 1 μm, and then gold may be electroplated by about 0.5 μm.

【0070】なお、めっき突起12は複数個の突起で形
成してもよい。その場合は、1個当たりの突起のサイズ
は、φ100μm程度以下がよい。
Incidentally, the plating protrusion 12 may be formed by a plurality of protrusions. In this case, the size of each projection is preferably about 100 μm or less.

【0071】また、突起の形状は、円柱状に限るもので
はなく、三角柱、四角柱、または多角柱状であってもよ
い。また、複数個並べる配置形状もいろんなパターンが
考えられるが、複数個並べる間隔は少なくとも装置の外
部端子の径より小さいピッチで並べる必要がある。
The shape of the projection is not limited to a column, but may be a triangle, a square, or a polygon. Also, various patterns can be considered for the arrangement shape of the plurality of devices, but it is necessary to arrange the plurality of devices at a pitch at least smaller than the diameter of the external terminals of the device.

【0072】これにより、半導体装置の配置ズレにより
外部端子の接触位置がズレることによる半導体装置の外
部端子ヘの接触力が弱くなることと、酸化膜を破壊でき
ないことを抑止できる。
Thus, it is possible to prevent the contact position of the external terminal from being shifted due to the misalignment of the semiconductor device, thereby reducing the contact force with the external terminal of the semiconductor device and preventing the oxide film from being destroyed.

【0073】また、レジスト23としては、上述したフ
ォトレジストの代わりにドライフィルムレジストを用い
てもよい。
As the resist 23, a dry film resist may be used instead of the above-described photoresist.

【0074】このように、検査装置と接続する引き出し
リード111を導通ビア112aを介して基板の裏面に
形成し、めっき突起12と引き出しリード111とを絶
縁テープ(ポリイミドテープ)の同一面に形成しない構
造にすることによって、狭いピッチでめっき突起12を
形成しても、その引き出しリード111の引き出し線の
形成が困難になることはなくなるので、狭いピッチの外
部端子を有する半導体装置の検査を行える検査用プロー
ブ基板を提供することが可能になる。
As described above, the lead 111 to be connected to the inspection device is formed on the back surface of the substrate via the conductive via 112a, and the plating protrusion 12 and the lead 111 are not formed on the same surface of the insulating tape (polyimide tape). By adopting the structure, even if the plating protrusions 12 are formed at a narrow pitch, it is not difficult to form the lead lines of the lead leads 111. Therefore, an inspection that can inspect a semiconductor device having an external terminal with a narrow pitch can be performed. It is possible to provide a probe substrate for use.

【0075】また、本実施例1の検査用プローブ基板1
00aでは、導通ビア112aとめっき突起12の形成
をそれぞれ別工程で行うことなく、1回のめっき工程で
同時形成するので、安価な検査用プローブ基板を提供で
きる。
Further, the inspection probe substrate 1 of the first embodiment
In the case of 00a, the conductive via 112a and the plating protrusion 12 are formed simultaneously in one plating step without being formed in separate steps, so that an inexpensive inspection probe substrate can be provided.

【0076】さらに、めっき工程は特に長い処理時間を
必要とするので、特にこのめっき工程数を削減できるこ
とで、製造時間の短縮も可能となる。
Furthermore, since the plating step requires a particularly long processing time, the number of plating steps can be reduced, and the manufacturing time can be reduced.

【0077】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
As described above, the invention made by the present inventor
Although specifically described based on the embodiment, the present invention
It is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified without departing from the scope of the invention.

【0078】[0078]

【発明の効果】本発明において開示される発明のうち代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
The effects obtained by the representative inventions among the inventions disclosed in the present invention will be briefly described.
It is as follows.

【0079】めっき突起と引き出しリードとを絶縁テー
プ(ポリイミドテープ)の同一面に形成しない構造にす
ることによって、狭いピッチでめっき突起を形成して
も、その引き出しリードの引き出し線の形成が困難にな
ることはなくなるので、狭いピッチの外部端子を有する
半導体装置の検査を行える検査用プローブ基板を提供す
ることが可能になる。
By forming a structure in which the plating protrusion and the lead are not formed on the same surface of the insulating tape (polyimide tape), even if the plating protrusion is formed at a narrow pitch, it is difficult to form the lead of the lead. Therefore, it is possible to provide an inspection probe board that can inspect a semiconductor device having external terminals with a narrow pitch.

【0080】また、めっき突起を無電解金属めっきで形
成することにより、めっき突起の硬度が増すので、耐久
性に優れた検査用プローブ基板を提供できる。
Further, by forming the plating protrusions by electroless metal plating, the hardness of the plating protrusions is increased, so that it is possible to provide an inspection probe substrate having excellent durability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態の検査用プローブ基板の構
成を説明するための平面図である。
FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration of an inspection probe substrate according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示すA−A線で切った断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG.

【図3】金めっきを施した検査用プローブ基板の構成を
説明するための平面図である。
FIG. 3 is a plan view for explaining the configuration of a gold-plated inspection probe substrate.

【図4】本実施形態の検査用プローブ基板100の製造
方法を説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing the inspection probe substrate 100 according to the embodiment.

【図5】本実施形態の検査用プローブ基板100の製造
方法を説明するための図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a method for manufacturing the inspection probe substrate 100 according to the embodiment.

【図6】検査用プローブ基板を用いるプローブソケット
の構成を説明するための図である。
FIG. 6 is a view for explaining a configuration of a probe socket using the inspection probe board.

【図7】めっき突起と外部端子の接続部分を説明するた
めの拡大図である。
FIG. 7 is an enlarged view for explaining a connection portion between a plating protrusion and an external terminal.

【図8】本実施例1の検査用プローブ基板の構成を説明
するための断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the configuration of the inspection probe substrate of the first embodiment.

【図9】本実施例1の検査用プローブ基板の製造方法を
説明するための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining the method for manufacturing the inspection probe substrate according to the first embodiment.

【図10】本実施例1の検査用プローブ基板の製造方法
を説明するための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining the method of manufacturing the inspection probe substrate according to the first embodiment.

【図11】本実施例1の検査用プローブ基板の製造方法
を説明するための図である。
FIG. 11 is a diagram for explaining the method for manufacturing the inspection probe substrate according to the first embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 絶縁テープ 11 ランド 12 めっき突起 13 金めっき 21 銅箔 22 ビア穴 23 レジスト膜 24 開口部 30 プローブソケット 31 半導体装置 32 ボール端子 100,100a 検査用プローブ基板 111 引き出し線 112,112a 導通ビア DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Insulation tape 11 Land 12 Plating projection 13 Gold plating 21 Copper foil 22 Via hole 23 Resist film 24 Opening 30 Probe socket 31 Semiconductor device 32 Ball terminal 100, 100a Inspection probe board 111 Lead wire 112, 112a Conducting via

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁性がある基板と、検査する半導体装置
もしくは電子装置の外部端子の位置に合わせて前記基板
上に形成された複数個のランドと、前記各ランド上にそ
れぞれ電気的に接続されるように形成され、半導体装置
もしくは電子装置の外部端子と接触する金属めっき突起
と、前記ランド形成面と反対面の基板上に検査装置と接
続する引き出しリードと、前記基板内に設けられ、前記
ランド及び前記引き出しリードを導通する導通ビアとか
らなることを特徴とする検査用プローブ基板。
1. An electrically insulating substrate, a plurality of lands formed on the substrate according to the positions of external terminals of a semiconductor device or an electronic device to be inspected, and electrically connected to each of the lands. Metal plating protrusions that are formed so as to be in contact with external terminals of a semiconductor device or an electronic device, and lead leads that are connected to an inspection device on a substrate on a surface opposite to the land forming surface, and are provided in the substrate, An inspection probe substrate, comprising: a conductive via that connects the land and the lead.
【請求項2】前記請求項1に記載の検査用プローブ基板
であって、 前記金属めっき突起は、複数個の小めっき突起からなる
ことを特徴とする検査用プローブ。
2. The inspection probe board according to claim 1, wherein the metal plating projection comprises a plurality of small plating projections.
【請求項3】前記請求項1、または2に記載の検査用プ
ローブ基板において、 前記金属めっき突起は、少なくとも前記外部端子との接
触部分に酸化防止金属膜を形成したことを特徴とする検
査用プローブ基板。
3. The inspection probe board according to claim 1, wherein the metal plating projection has an antioxidant metal film formed at least in a contact portion with the external terminal. Probe board.
【請求項4】前記請求項1、または2に記載の検査用プ
ローブ基板において、 前記ランド及びその上に形成された前記金属めっき突起
を酸化防止金属膜で一括被覆形成したことを特徴とする
検査用プローブ基板。
4. The inspection probe substrate according to claim 1, wherein the lands and the metal plating projections formed thereon are collectively covered with an antioxidant metal film. Probe board.
【請求項5】前記請求項3、または4に記載の検査用プ
ローブ基板において、 前記酸化防止金属膜は、貴金属めっきであることを特徴
とする検査用プローブ基板。
5. The inspection probe board according to claim 3, wherein the oxidation preventing metal film is a noble metal plating.
【請求項6】前記請求項1乃至請求項5の何れか1つに
記載の検査用プローブ基板において、 前記金属めっき突起は、無電解めっき法で形成された金
属めっき突起であることを特徴とする検査用プローブ基
板。
6. The inspection probe board according to claim 1, wherein the metal plating projection is a metal plating projection formed by an electroless plating method. Inspection probe substrate.
【請求項7】検査する半導体装置もしくは電子装置の外
部端子の位置に合わせて基板に複数個のランドを形成
し、前記各ランド上に前記外部端子と接触する金属めっ
き突起を形成した検査用プローブ基板の製造方法であっ
て、 絶縁性のある基板の両面にそれぞれ導電性薄膜が設けら
れた2metalのテープキャリアを用意し、何れか一
面の導電性薄膜を所定位置で開口し、その開口位置で他
面の導電性薄膜まで達するビア穴を前記基板内に形成
し、前記開口した導電性薄膜上及び前記ビア穴内に所定
の厚さの銅めっきを施し、開口していない面の導電性薄
膜をエッチングして引き出しリードを形成し、銅めっき
が施された導電性薄膜をエッチングしてランドを形成
し、前記ランド形成面上にレジスト膜を形成し、半導体
装置または電子装置の外部端子に合致する位置のランド
上にレジスト膜の開口部を形成し、前記レジスト膜の開
口部が形成されたテープキャリアを金属めっき液に浸漬
して無電解めっき、電気めっき、またはそれらを組み合
わせを行い、前記開口部が埋まる厚さに金属めっき層を
形成し、前記レジスト膜を除去し、前記配線パターン上
に金属めっき突起を形成したことを特徴とする検査用プ
ローブ基板の製造方法。
7. An inspection probe in which a plurality of lands are formed on a substrate in accordance with the positions of external terminals of a semiconductor device or an electronic device to be inspected, and a metal plating protrusion is formed on each of the lands to contact the external terminals. A method for manufacturing a substrate, comprising preparing a 2-metal tape carrier in which conductive thin films are provided on both surfaces of an insulating substrate, and opening the conductive thin film on any one surface at a predetermined position; A via hole reaching the conductive thin film on the other surface is formed in the substrate, a predetermined thickness of copper plating is applied on the opened conductive thin film and in the via hole, and the conductive thin film on the unopened surface is removed. Forming a lead by etching, forming a land by etching the copper-plated conductive thin film, forming a resist film on the land forming surface, and forming a semiconductor device or an electronic device. An opening of a resist film is formed on a land at a position corresponding to the external terminal of the above, and the tape carrier having the opening of the resist film formed thereon is immersed in a metal plating solution to perform electroless plating, electroplating, or A method for manufacturing a probe board for inspection, comprising: combining, forming a metal plating layer so as to fill the opening, removing the resist film, and forming a metal plating protrusion on the wiring pattern.
【請求項8】前記請求項7に記載の検査用プローブ基板
の製造方法において、 前記金属めっき突起が形成された後に、前記ランド、前
記引き出しリード、前記導通ビア、及び前記金属めっき
突起に所定の厚さの貴金属めっきを形成したことを特徴
とする検査用プローブ基板の製造方法。
8. The method of manufacturing a probe board for inspection according to claim 7, wherein after the metal plating protrusion is formed, a predetermined number is applied to the land, the lead-out lead, the conductive via, and the metal plating protrusion. A method of manufacturing a probe board for inspection, wherein a noble metal plating having a thickness is formed.
【請求項9】検査する半導体装置もしくは電子装置の外
部端子の位置に合わせて基板に複数個のランドを形成
し、前記各ランド上に前記外部端子と接触する金属めっ
き突起を形成した検査用プローブ基板の製造方法であっ
て、 絶縁性のある基板の両面にそれぞれ導電性薄膜が設けら
れた2metalのテープキャリアを用意し、何れか一
面の導電性薄膜を所定位置で開口し、その開口位置で他
面の導電性薄膜まで達するビア穴を前記基板内に形成
し、前記開口した導電性薄膜上及び前記ビア穴内にビア
穴を埋め込む厚さの金属めっきを施し、ランド形成箇所
以外の金属めっき及び導電性薄膜を取り除き、金属めっ
き突起形成箇所にレジスト膜を形成し、このレジスト膜
で金属めっきのハーフエッチングを行って金属めっき突
起を形成し、レジスト膜を取り除き、ランド形成面と反
対の面の導電性薄膜をエッチングして引き出しリード形
成し、前記ランド上に金属めっき突起を形成したことを
特徴とする検査用プローブ基板の製造方法。
9. An inspection probe in which a plurality of lands are formed on a substrate in accordance with the positions of external terminals of a semiconductor device or an electronic device to be inspected, and a metal plating projection is formed on each of the lands to contact the external terminals. A method for manufacturing a substrate, comprising preparing a 2-metal tape carrier in which conductive thin films are provided on both surfaces of an insulating substrate, and opening the conductive thin film on any one surface at a predetermined position; A via hole reaching the conductive thin film on the other surface is formed in the substrate, a metal plating having a thickness to bury the via hole in the opened conductive thin film and in the via hole is applied, and a metal plating other than a land forming portion and The conductive thin film is removed, a resist film is formed at the position where the metal plating protrusion is to be formed, and the metal film is half-etched with the resist film to form the metal plating protrusion. A method for manufacturing an inspection probe substrate, comprising: removing a strike film, etching a conductive thin film on a surface opposite to a land formation surface, forming a lead, and forming a metal plating protrusion on the land.
【請求項10】前記請求項9に記載の検査用プローブ基
板の製造方法において、 前記金属めっき突起が形成された後に、前記ランド、前
記引き出しリード、前記導通ビア、及び前記金属めっき
突起に所定の厚さの貴金属めっきを形成したことを特徴
とする検査用プローブ基板の製造方法。
10. The method of manufacturing a probe board for inspection according to claim 9, wherein after the metal plating projection is formed, a predetermined number is applied to the land, the lead-out lead, the conductive via, and the metal plating projection. A method of manufacturing a probe board for inspection, wherein a noble metal plating having a thickness is formed.
JP2000097801A 2000-03-30 2000-03-30 Inspection probe board and method of manufacturing the same Pending JP2001281298A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000097801A JP2001281298A (en) 2000-03-30 2000-03-30 Inspection probe board and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000097801A JP2001281298A (en) 2000-03-30 2000-03-30 Inspection probe board and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001281298A true JP2001281298A (en) 2001-10-10

Family

ID=18612375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000097801A Pending JP2001281298A (en) 2000-03-30 2000-03-30 Inspection probe board and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001281298A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108379737A (en) * 2018-03-21 2018-08-10 江西合力泰科技有限公司 A kind of pulse therapy winding displacement and its manufacturing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108379737A (en) * 2018-03-21 2018-08-10 江西合力泰科技有限公司 A kind of pulse therapy winding displacement and its manufacturing method
CN108379737B (en) * 2018-03-21 2023-07-04 江西合力泰科技有限公司 Pulse therapy flat cable and manufacturing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6422879B2 (en) IC socket for surface-mounting semiconductor device
CN101673694A (en) Method for manufacturing space transformer of semiconductor test probe card
JP3692978B2 (en) Wiring board manufacturing method
US6527563B2 (en) Grid interposer
JPH1164425A (en) Method and device for continuity inspection in electronic part
US6948242B2 (en) Process for producing a contact-making device
US6846735B1 (en) Compliant test probe with jagged contact surface
KR20000052513A (en) Substrate for inspecting electronic device, method of manufacturing substrate, and method of inspecting electronic device
JP3246841B2 (en) Probe structure
JP3482937B2 (en) Inspection probe substrate and method of manufacturing the same
JP2001281298A (en) Inspection probe board and method of manufacturing the same
JPH0727789A (en) Circuit wiring board and manufacturing method thereof
JPH06347480A (en) Probe structure
JP2001242219A (en) Inspection probe board and method of manufacturing the same
JP2842416B2 (en) Socket for semiconductor device
JP2001242194A (en) Inspection probe board and method of manufacturing the same
JP3589135B2 (en) Inspection probe board and manufacturing method thereof
JP4131137B2 (en) Interposer substrate continuity inspection method
JPH0878554A (en) BGA type semiconductor device
JP2000180471A (en) Probe board for bare chip inspection
JP2003232811A (en) Inspection probe substrate and method of manufacturing the same
JPH06347481A (en) Probe structure
JP2006275579A (en) Inspection board and inspection equipment
JP2000009795A (en) Probe board for bare chip inspection
JP2003232831A (en) Inspection wiring board and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040917

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040928

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041126

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050712