JP2001267278A - 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置 - Google Patents
廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置Info
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Abstract
液、特に3種類以上の廃液を連続的にかつ有効に分離回
収することができ、従って生産効率を向上させることが
でき、さらには、100μm以下の非常に薄いウェーハ
をその外周部のみの接触で回転保持することができ、さ
らに超音波ジェットノズルによる洗浄やブラシ洗浄をも
可能としたウェーハ回転保持装置を具備した廃液回収機
構付ウェーハ表面処理装置を提供する。 【解決手段】ウェーハ表面を処理液や洗浄液によって処
理するウェーハ表面処理装置であって、表面処理される
ウェーハを回転保持するウェーハ回転保持装置と該ウェ
ーハ回転保持装置の周囲に上下動可能に設けられた廃液
回収機構とを有し、該廃液回収機構が互いに上下動可能
に設けられた複数個の環状廃液回収樋からなり、処理液
及び洗浄液の種類によって複数個の環状廃液回収樋を使
い分け、それぞれの廃液を分離回収するようにした。
Description
理液や洗浄液によって処理する際に、処理液や洗浄液の
種類に応じてそれぞれの廃液を有効に分離回収すること
ができるようにした廃液回収機構付ウェーハ表面処理装
置に関する。
の処理としては、バックグラインディング後のダメージ
層を除去するためのエッチング処理の他に、現像液のウ
ェーハへの塗布、回路パターンを露光したウェーハ表面
に現像液が塗布されたウェーハに半導体回路を焼き付け
たものの現像処理、ウェーハ表面の洗浄等をあげること
ができる。
は、ウェーハをチャックし回転するウェーハ回転保持装
置とチャックされたウェーハの上面に必要な処理液(薬
液)を供給する処理液供給手段及びウェーハ上面に洗浄
液を供給する洗浄液供給手段等から構成されている(例
えば、特開平8−88168号公報)。
のダメージ層の除去のためのエッチングは混酸(例え
ば、フッ酸+硝酸等)を用いて1回行えば足りるもので
あり、上記した公報に開示されるように処理液(例え
ば、混酸)と洗浄液とを回収すればよいものであった。
の表面改質の必要性が出てきており、上記した最初のエ
ッチング後に表面改質のためのエッチングを1回又は複
数回行うのが通常である。このように複数回の表面処理
を行うとそれだけ時間がかかるために生産効率の低下に
つながるという問題が新たに生じている。また、処理液
(薬液)も複数使うことになるので、その廃液回収を考
慮すると、上記した従来技術のように1種類の処理液と
洗浄液という2種類の使用済の廃液回収を行う装置では
足りず、3種類以上の廃液を回収することのできる装置
の必要性が生じてきた。
常に薄いウェーハに対してエッチング又は洗浄等を行う
際に、その片面処理が必要となるが、その回転保持手段
も従来のようにウェーハ下面を吸着回転保持するような
形式では回転保持が困難になってきており、新しい形式
の回転保持手段が待望されている。
題点に鑑みなされたもので、処理液及び洗浄液の種類に
応じてそれぞれの廃液、特に3種類以上の廃液を連続的
にかつ有効に分離回収することができ、従って生産効率
を向上させることができ、さらには、100μm以下の
非常に薄いウェーハをその外周部のみの接触で回転保持
することができ、さらに超音波ジェットノズルによる洗
浄やブラシ洗浄をも可能としたウェーハ回転保持装置を
具備した廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置を提供す
ることを目的とする。
に、本発明の廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置は、
ウェーハ表面を処理液や洗浄液によって処理するウェー
ハ表面処理装置であって、表面処理されるウェーハを回
転保持するウェーハ回転保持装置と該ウェーハ回転保持
装置の周囲に上下動可能に設けられた廃液回収機構とを
有し、該廃液回収機構が互いに上下動可能に設けられた
複数個の環状廃液回収樋からなり、処理液及び洗浄液の
種類によって複数個の環状廃液回収樋を使い分け、それ
ぞれの廃液を分離回収するようにしたことを特徴とす
る。上記した環状廃液回収樋を連続的に上下させること
によってウェーハの表面処理に用いられた処理液及び洗
浄液を連続的に回収することができ、生産効率の向上を
図ることができる。
3種類の廃液を回収することができる利点がある。
に媒体流路を形成した回転円板と、該回転円板の中心部
に穿設された貫通孔と、該回転円板の上面に設けられた
複数個のウェーハ受け部とを有し、該ウェーハ受け部を
介してウェーハを該回転円板の上方に間隔を介在させて
載置し、該回転円板を回転させると、該媒体流路内の媒
体が、回転による遠心力によって外方に排出され、これ
によって該媒体流路内に減圧状態を出現せしめ、この減
圧状態の吸引力によって、該回転円板の下面側から該貫
通孔を介して吸引された媒体が該回転円板の上面に供給
され、該媒体流路を通って連続的に外方に排出され、こ
のようにして該回転円板が回転している限り該媒体流路
内に減圧状態を出現せしめ、この減圧状態の吸引力によ
って該ウェーハを下方に吸引し該ウェーハ受け部によっ
て回転保持するようにした構成を有するのが好ましい。
の薄いウェーハに自然にソリが発生している場合であっ
ても、本発明に用いられる新規なウェーハ回転保持装置
にそのまま載置して回転保持すると回転による遠心力に
よってウェーハのソリが解消し何の支障もなく回転保持
することができる利点がある。
持装置が、上記回転円板の下面側から上記貫通孔に媒体
を強制供給する媒体強制供給手段をさらに有し、上記減
圧状態を維持しつつ該回転円板の下面側から該貫通孔に
媒体を強制供給するのが好適である。このような構成と
することによって、ウェーハ上面を処理するためにウェ
ーハ上面側に供給される薬液がウェーハ下面側に回り込
むこのを防止することができる利点がある。
旋状又は渦巻状に設け、上記媒体流路を該回転円板の上
面と相対向する羽根板とウェーハの下面との間に形成す
るのが好適である。
設した回転シャフトを上記回転円板の下面中央部に垂設
し、該回転シャフト及び該回転円板を回転させると該回
転シャフトの中空部の下端開口部から吸引された媒体が
該中空部及び貫通孔を通って該回転円板の上面に供給さ
れるようにすることも可能である。
れ上記中空部の開口度合を調整することによって上記媒
体流路の減圧状態を調整するようにした減圧調整手段を
さらに設ける構成とすれば、ウェーハ厚さに応じた減圧
状態を自在に設定できるので吸引力が強すぎてウェーハ
が変形する等の事故は皆無となる。
る下側ガイドピンとウェーハ外側面を受ける外側ガイド
ピンとによって構成することができる。また、上記ウェ
ーハ受け部は回転円板の上面であれば受け作用に支障の
ない限りどこに設置してもよいが、羽根板の上面に設け
れば、回転円板の上面スペースを有効利用できる利点が
ある。
の上方に邪魔板を設け、該貫通孔を介して該回転円盤の
上面に供給される媒体を該邪魔板によて羽根板方向に誘
導する構成とすれば、媒体中に不純物等が混入した場合
でも媒体がウェーハの下面に直接吹き付けられることは
ないので不純物等によって汚染されるという事故の防止
や操業中にウェーハが割れた場合の媒体の上方への吹き
出しを防止することができるという有利さがある。
フラット(オリフラ)部を受けるオリフラ受け部又はノ
ッチ部を受けるノッチ受け部を設けておけば、ウェーハ
は回転円板上面に係止されているので、両者は常に一緒
に回転することとなる。したがって、例えウェーハの回
転保持中にウェーハ上面に薬液等が注加されウェーハに
対して回転方向の反対方向への力が加わったとしても、
ウェーハは常に回転円板とともに回転し、両者の間に回
転のズレが生ずることはなく、後述する両者の回転のズ
レによる問題は発生しないという利点がある。
即ち気体単独、例えば空気や、液体単独、例えば純水、
薬液等の他に両者を混合して用いることができる。
付図面に基づいて説明するが、本発明の技術思想から逸
脱しない限り種々の変形が可能なことはいうまでもな
い。
面処理装置の断面的側面概略説明図でウェーハのロード
時又はアンロード時の状態を示す。図2は図1の状態か
ら廃液回収機構の全体を上昇させて内側廃液回収樋を利
用する状態を示す同上の断面的側面概略説明図である。
図3は図2の状態から内側廃液回収樋のみを降下させて
中間廃液回収樋を利用する状態を示す同上の断面的側面
概略説明図である。図4は図3の状態から中間廃液回収
樋のみを降下させて外側廃液回収樋を利用する状態を示
す同上の断面的側面概略説明図である。
収機構付ウェーハ表面処理装置で、中央部を中空部Hと
した環状の廃液回収機構50と、該中空部Hの内部に設
けられたウェーハ回転保持装置10とを有している。該
ウェーハ回転保持装置10は、ウェーハ保持部10aと
該ウェーハ保持部10aを回転自在に支承する回転シャ
フト20とから構成されている。廃液回収機構50は、
外方に傾斜する環状外側斜面部材52と該外側斜面部材
52の先端部を内側に折曲して形成された外側角筒部5
4とを有している。該外側斜面部材52の内側には該外
側斜面部材52と同様に傾斜する中間斜面部材56と該
中間斜面部材56の先端部を内側に折曲して形成された
中間角筒部58が設けられている。該中間斜面部材56
の内側には該中間斜面部材56と同様に傾斜する内側斜
面部材60と該中間斜面部材56の先端部を内側に折曲
して形成された内側角筒部62が設けられている。
上下動可能とされており、したがって、廃液回収機構5
0の全体が該ウェーハ回転保持装置10に対して上下動
可能に配置されている。該中間斜面部材56及び中間角
筒部58は該外側斜面部材52及び外側角筒部54に対
して上下動可能とされており、該中間斜面部材56の外
面は該外側斜面部材52の内面に当接しかつ該中間角筒
部58の外壁58aの外面は外側角筒部54の内壁54
bの外面と摺動可能とされている。
該中間斜面部材56及び中間角筒部58に対して上下動
可能とされており、該内側斜面部材60の外面は該中間
斜面部材56の内面に当接しかつ該内側角筒部62の外
壁62aの外面は中間角筒部58の内壁58bの外面と
摺動可能とされている。
該中間斜面部材56及び中間角筒部58の外壁58aの
一部によって、外側環状廃液回収樋64が形成される。
該中間斜面部材56、該中間角筒部58、該内側斜面部
材60及び内側角筒部62の外壁62aの一部によっ
て、中間環状廃液回収樋66が形成される。該内側斜面
部材60及び該内側角筒部62によって内側環状廃液回
収樋68が形成される。
(図示例では3個)の環状廃液回収樋64,66,68
を備え、該廃液回収樋64,66,68は互いに上下動
可能に取りつけられている。該廃液回収樋64,66,
68の底面は一方向に傾斜せしめられており、傾斜の最
下部に廃液回収管70,72,74が設けられている。
76は薬液や洗浄液を注加する処理液注加手段で、注加
する薬液等の種類に応じて複数本(図示例では3本)の
注加パイプ76a,76b,76cが垂設されている。
構付ウェーハ表面処理装置Sの作用を混酸エッチング、
希フッ酸エッチング及びリンス洗浄を行う場合を例とし
て説明する。まず、図1に示すように廃液回収機構50
をその外側斜面部材52の内端の最上端縁部によりウェ
ーハ回転保持装置10のウェーハWの保持位置よりもや
や下方になるように位置せしめる。この状態でウェーハ
Wをウェーハ回転保持装置10に保持せしめる。
すように、廃液回収機構50の全体を上昇させて内側角
筒部62の内壁62bの上端縁部がウェーハ回転保持装
置10のウェーハWの保持位置の近傍に位置するように
移動させる。この状態で、ウェーハWの回転を行うとと
もに処理液注加手段76を注加位置に移動させて該回転
ウェーハWの上面に混酸の注加パイプ76aから混酸を
注加して混酸エッチングを行う。この時、ウェーハWの
上面に注加された混酸は回転するウェーハWの遠心力に
よって外側方に飛散せしめられるが、この飛散した混酸
は開口部68aを介して内側廃液回収樋68内に収容さ
れ、続いて該内側廃液回収樋68の底面の傾斜に従って
流下して混酸用の廃液回収管74を介して回収される。
すように、図2の状態から内側斜面部材60及び内側角
筒部62を降下させて、内側斜面部材60の上端縁部が
ウェーハ回転保持装置10のウェーハWの保持位置の近
傍に位置するように移動させる。この状態で、ウェーハ
Wの回転を行うとともに処理液注加手段76の希フッ酸
の注加パイプ76bから希フッ酸を注加して希フッ酸エ
ッチングを行う。この時ウェーハWの上面に注加された
希フッ酸は回転するウェーハWの遠心力によって外側方
に飛散せしめられるが、この飛散した希フッ酸は開口部
66aを介して中間廃液回収樋66内に収容され、続い
て該中間廃液回収樋66の底面の傾斜に従って流下して
希フッ酸用の廃液回収管72を介して回収される。
に、図3の状態から中間斜面部材56及び中間角筒部5
8を降下させて、中間斜面部材56の上端縁部がウェー
ハ回転保持装置10のウェーハWの保持位置の近傍に位
置するように移動させる。この状態で、ウェーハWの回
転を行うとともに処理液注加手段76の純水の注加パイ
プ76cから純水を注加してリンス洗浄を行う。この
時、ウェーハWの上面に注加された純水は回転するウェ
ーハWの遠心力によって外側方に飛散せしめられるが、
この飛散した純水は開口部64aを介して外側廃液回収
樋64内に収容され、続いて該外側廃液回収樋64の底
面の傾斜に従って流下してリンス液用の廃液回収管70
を介して回収される。
ング及びリンス洗浄を終了後、中間斜面部材56、中間
角筒部58及び内側斜面部材60及び内側角筒部62を
それぞれ上昇させるとともに廃液回収機構50の全体を
上昇させて、図1に示すように廃液回収機構50をその
外側斜面部材52の内端の最上端縁部よりウェーハ回転
保持装置10のウェーハWの保持位置よりもやや下方に
なるように位置せしめる。この状態でウェーハWをウェ
ーハ回転保持装置10から取り外す。
は、従来公知の回転状態のウェーハを保持するチャック
手段を用いてもよいが、下記するように新規のウェーハ
回転保持装置10を用いるのが好適である。以下にその
構成を添付図面中、図5〜図15によって説明する。
回転保持装置の1例を示す斜視的説明図、図6は図5の
ウェーハ回転保持装置にウェーハを回転保持させた状態
を示す斜視的説明図、図7は羽根板の他の例を示す上面
図及び図8は羽根板の別の例を示す上面図である。
ェーハ回転保持装置で、回転円板12を有している。該
回転円板12の中心部には貫通孔14が穿設されてい
る。該回転円板12の上面には、複数枚(図示例では1
6枚)の羽根板16が所定間隔をおいて放射状に立設さ
れている。
ェーハWの外周部を受けるウェーハ受け部18が設けら
れている。このウェーハ受け部18の形状はウェーハW
の外周部を受けることができれば特別の限定はないが、
図示例では受け段部とされている。このウェーハ受け部
18は必ずしも羽根板16に設ける必要性はなく、支障
がない限り、該回転円板12の上面に直接設けることも
可能である。また、このウェーハ受け部18の設置個数
は、ウェーハWが回転状態でも回転保持できる個数、例
えば3個以上であればよいが、図示例では4個のウェー
ハ受け部18を対称位置に設けた場合を示した。
された回転シャフトで、その内部には上記貫通孔14に
連通する中空部22が軸方向に穿設されている。該中空
部22は該回転シャフト20の下端で開口し、下端開口
部24となっている。
整手段26、図示例では減圧調整バルブが取りつけられ
ている。該減圧調整手段26は、該回転シャフト20の
中空部22の開口度合を調整することによって該中空部
22内を流れる空気量を制御することができる。図示例
では、この減圧調整手段26を回転シャフト20の下端
部に設けた場合を示したが、中空部22の開口度合を調
整できればよいもので、必ずしも下端部に設ける必要は
なく、中間部や上部など適宜位置に設置することができ
る。
れたプーリで、モータ30のモータプーリ32にプーリ
ベルト34を介して接続されている。該モータ30を駆
動するとモータプーリ32が回転し、その回転はプーリ
ベルト34を介してプーリ28に伝達され、該回転シャ
フト20が回転するように構成されている。
る。本発明に用いられるウェーハ回転保持装置10にお
いては、媒体としては、例えば空気等の気体や純水、薬
液等の液体の他に両者を混合したものも用いられるが、
空気を媒体とした場合を例として説明する。
部18を介してウェーハWを回転円板12の上面の上方
に、即ち間隔を介在させて、具体的には羽根板16の上
面の上方に間隔を介在させて配置する。さらに、減圧調
整手段26によって回転シャフト20の中空部22の開
口度合を該ウェーハWの厚さに対応して最適の減圧状態
となるように調整する。なお、該中空部22の開口を広
げれば減圧の度合が小となり、その開口を狭めれば減圧
の度合が大となる。
2の開口度合の他に、回転円板12の回転速度の調整に
よって行うことができる。回転円板12の回転を早くす
れば減圧度合は大となり、その回転を遅くすれば減圧度
合は小となる。
面への媒体、例えば空気の供給を不図示の媒体(空気)
補給手段によって行い、その補給媒体(空気)量を増減
することによって減圧度合を調整することができる。補
給媒体(空気)量が大となれば減圧度合は小となり、補
給媒体(空気)量が小となれば減圧度合は大となる。
ータプーリ32、プーリベルト34及びプーリ28を介
してモータ30の回転が回転シャフト20に伝達され、
該回転シャフト20に連結された回転円板12が回転す
る。この回転円板12が回転すると、回転による遠心力
によって、回転円板12上面の媒体(空気)が外方に排
出され、すなわち回転円板12の上面と一対の相対向す
る羽根板16,16とウェーハWの下面との間に形成さ
れた複数の媒体(空気)流路36を介して該回転円板1
2上の媒体(空気)Aが外方に排出される。
て該媒体(空気)流路36内は減圧状態となる。この減
圧状態の吸引力によって該回転シャフト20の中空部2
2の下端開口部24から吸気された媒体(空気)Aが該
中空部22及び貫通孔14を通って該回転円板12の上
面に供給され、引き続いて該媒体(空気)流路36内を
通って外方に連続的に排気され、該媒体(空気)流路3
6内は引き続いて減圧状態を維持する。
体(空気)流路36内は減圧状態となっている。この媒
体(空気)流路36の減圧状態の吸引力によって該ウェ
ーハWはその外周部がウェーハ受け部18に固定回転保
持される。この時、該ウェーハWの背面は羽根板16の
上面の上方に位置しており、該羽根板16の上面に接触
することはない。
薄いウェーハW(例えば、厚さ0.1mm以下)の場合に
は中央部分が垂れ下がるという不都合が生じる場合があ
る。しかし、本発明においては、減圧調整手段26によ
って回転シャフト20の中空部22の開口度合を自在に
制御できるので、薄いウェーハWの場合には中空部22
の開口を広げて減圧の度合を小さくして吸引力を弱くし
ウェーハが垂れ下がらずかつウェーハ受け部18には回
転保持固定されるようにすることができる。
薄いウェーハに自然にソリが発生している場合が多い
が、そのような場合であっても本発明のウェーハ回転保
持装置にソリの発生した状態のまま載置して回転保持す
ると回転による遠心力によってウェーハのソリが解消し
て何の支障もなく回転保持することができるので、従来
のように回転保持前にソリを修正する必要がなく、その
分の手間が解消する利点がある。この回転保持によって
ウェーハのソリが修正するものではないので回転を止め
ればソリが復活してしまうことはいうまでもない。
を回転円板12上面に放射状に立設した場合を示した
が、図7に示したように螺旋状又は図8に示したように
渦巻状に設けることもできる。放射状又は螺旋状に羽根
板16を設ける場合には、羽根板16を複数枚用いて複
数の媒体流路36を設ける必要があるが、渦巻状に羽根
板16を設ける場合には羽根板16を複数枚用いること
も勿論できるが、図8に示したように1枚の羽根板16
によって1個の媒体流路36を形成するようにしても同
様の作用効果を達成することができる。
12の上面に別体として立設する例を示したが、羽根板
16によって回転円板12の上面に媒体流路36が形成
されればよいもので、例えば媒体流路36の部分を溝状
に穿設して羽根板16の部分を隆起させた状態で残すこ
とによって、該回転円板12の上面に一体的に羽根板1
6を設けることも可能である。
持装置は、上記した図示例以外にも種々の変形が可能で
あり、以下に説明する。
回転保持装置の他の例を示す断面的側面概略説明図であ
る。図10は図9の回転円板の拡大上面図である。図1
1は図9の回転円板の要部拡大図である。図12は図1
1の一部断面説明図である。
空気を用いた場合を説明したが、その他の媒体が使用で
きることは既述した通りである。図9には、媒体Aとし
て純水と空気を混合した純水ミストを用いる場合が示さ
れている。混合室40において、純水槽42から供給さ
れる純水と別途供給される空気とが混合されて純水と空
気とからなる純水ミストAとなり、導管44を介して流
量調節器26Aに供給される。流量調節器26Aで流量
が調節された純水ミストAは回転シャフト20の中空部
22を通って図5〜図6の場合と同様に回転円板12の
上面側に導入される。
媒体流路36内に形成される減圧状態による吸引力によ
って吸引されるようにしてもよいが、本実施例において
は、コンプレッサーやモーター等の媒体強制供給手段3
8によって強制的に該混合室40に供給され、したがっ
て該混合室40において混合された純水ミストAも該媒
体強制供給手段38の影響を受けて導管44及び中空部
22を介して該貫通孔14に強制的に供給される。この
ような構成とすることによって、ウェーハ上面を処理す
るためにウェーハ上面側に供給される薬液がウェーハ下
面側に回り込むのが防止される。これは強制供給された
媒体Aがウェーハ下面に吹きつけられることによって行
われるものである。
部に穿設された貫通孔14の上方に位置するように該回
転円板12に設けられた邪魔板である。該貫通孔14を
介して該回転円板12の上面に供給される媒体(純水ミ
スト)Aは該邪魔板46によって羽根板16方向に誘導
される。
に不純物が混入した場合でも媒体AがウェーハWの下面
に直接吹き付けられることはないので不純物等によって
汚染されるという事故が防止され、また操業中にウェー
ハWが割れた場合の媒体Aの上方への吹き出しが防止さ
れるという利点がある。
は、ウェーハWを回転させつつ上面側にエッチング液を
供給してエッチングを行う際などに、ウェーハ下面側に
純水ミストによってバックサイドリンスを同時に行うこ
とができるという有利性がある。
8が、図5及び図6に示した例と異なり、図11及び図
12によく示されるごとく、ウェーハWの下面を受ける
下側ガイドピン18aとウェーハWの外側面を受ける外
側ガイドピン18bとから構成されている。なお、上記
説明以外の構成は、図5〜図6の構成と同様であるので
再度の説明は省略する。
同様に、回転円板12を回転させると、回転による遠心
力によって、回転円板12上面の媒体が外方に排気さ
れ、即ち貫通孔14を通った媒体Aは邪魔板46の下面
を介して側方に誘導され、続いて回転円板12の上面と
一対の相対向する羽根板16,16とウェーハWの下面
との間に形成された複数の媒体流路36を介して該回転
円板12上の媒体Aが外方に排出される。
させることによって、媒体Aをウェーハ下面に積極的に
吹きつけ、ウェーハ上面側に供給されるエッチング液等
の薬液がウェーハ下面側に廻り込むのを防止することが
できる。この媒体Aの強制供給は邪魔板46の有無とは
関係なく行えることはいうまでもない。
持装置において、回転保持状態のウェーハWの上面に薬
液等を注加すると、薬液等の粘性によって回転保持装置
10の回転方向と逆方向にウェーハWが引張られ、ウェ
ーハWの回転と回転保持装置10の回転との間で回転の
差(ウェーハの回転が低下する)が生じ(図13)、そ
の回転のズレによってウェーハ下面の下側ガイドピン
との接触摩擦の増大による傷の発生、ウェーハの回転
ムラによるエッチング処理等の処理状態のバラツキの発
生、ウェーハ回転の低下に起因する遠心力の低下によ
る薬液等のウェーハ下面側への廻り込みの増加等の問題
が発生することがある。
ウェーハWのオリエンテーションフラット(オリフラ)
面Fに当接するオリフラストッパーピンFP(図14)
やウェーハWのノッチ部Nに当接するノッチストッパー
ピンNP(図15)をウェーハWの上面に立設すること
によってウェーハWの回転と回転保持装置10の回転と
の間で回転の差が生じないようにすれば、上記したよう
な両者の回転のズレによる問題が発生することはなくな
る。
ーハ回転保持装置は、スピンエッチング装置、スピン乾
燥装置、スピンコーティング装置等のようにウェーハを
回転させつつ処理を行う装置に好適に適用することがで
きる。
面処理装置によれば、処理液及び洗浄液の種類に応じて
それぞれの廃液、即ち複数の廃液、特に3種類以上の廃
液を連続的にかつ有効に分離回収することができ、従っ
て生産効率を向上させることができ、さらには、100
μm以下の非常に薄いウェーハをその外周部のみの接触
で回転保持することができ、さらに超音波ジェットノズ
ルによる洗浄やブラシ洗浄をも可能となるという効果が
達成される。
持装置を用いることによって、真空源装置、加圧空気供
給装置やガス供給装置等を必要とすることなく、簡易な
機構によって回転円板上面に減圧状態を出現せしめ、ウ
ェーハの背面側に接触することなくウェーハの回転保持
を行うことができ、かつ減圧の度合を簡単に調整でき、
薄いウェーハ(厚さ0.1mm以下)であっても変形する
ことなく回転保持することができるという効果をあわせ
て達成することができる。
置の断面的側面概略説明図である。
せた状態を示す同上の断面的側面概略説明図である。
せた状態を示す同上の断面的側面概略説明図である。
せた状態を示す同上の断面的側面概略説明図である。
一つの実施の形態を示す斜視的説明図である。
転保持させた状態を示す斜視的説明図である。
他の実施の形態を示す断面的側面概略説明図である。
るウェーハ上面に薬液を注加した際のウェーハ回転とウ
ェーハ回転保持装置の回転とのズレの発生状態を示す上
面説明図である。
ーピンにウェーハのオリフラ面を係止させた状態を示す
上面説明図である。
ピンにウェーハのノッチ部を係止させた状態を示す上面
説明図である。
貫通孔、16:羽根板、18:ウェーハ受け部、18
a:下側ガイドピン、18b:外側ガイドピン、20:
回転シャフト、22:中空部、24:下端開口部、2
6:減圧調整手段、26A:流量調節器、28:プー
リ、30:モータ、32:モータプーリ、16,16:
羽根板、34:プーリベルト、36:媒体流路、38:
媒体強制供給手段、40:混合室、42:純水槽、4
4:導管、46:邪魔板、50:廃液回収機構、52:
外側斜面部材、54:外側角筒部、56:中間斜面部
材、58:中間角筒部、60:内側斜面部材、62:内
側角筒部、64,66,68:環状廃液回収樋、70,
72,74:廃液回収管、76:処理液注加手段、76
a,76b,76c:注加パイプ、A:媒体、FP:オ
リフラ受け部、NP:ノッチ受け部、W:ウェーハ。
Claims (13)
- 【請求項1】 ウェーハ表面を処理液や洗浄液によって
処理するウェーハ表面処理装置であって、表面処理され
るウェーハを回転保持するウェーハ回転保持装置と該ウ
ェーハ回転保持装置の周囲に上下動可能に設けられた廃
液回収機構とを有し、該廃液回収機構が互いに上下動可
能に設けられた複数個の環状廃液回収樋からなり、処理
液及び洗浄液の種類によって複数個の環状廃液回収樋を
使い分け、それぞれの廃液を分離回収するようにしたこ
とを特徴とする廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置。 - 【請求項2】 前記環状廃液回収樋を3個設けたことを
特徴とする請求項1記載のウェーハ表面処理装置。 - 【請求項3】 前記ウェーハ回転保持装置が、上面に媒
体流路を形成した回転円板と、該回転円板の中心部に穿
設された貫通孔と、該回転円板の上面に設けられた複数
個のウェーハ受け部とを有し、該ウェーハ受け部を介し
てウェーハを該回転円板の上方に間隔を介在させて載置
し、該回転円板を回転させると、該媒体流路内の媒体
が、回転による遠心力によって外方に排出され、これに
よって該媒体流路内に減圧状態を出現せしめ、この減圧
状態の吸引力によって、該回転円板の下面側から該貫通
孔を介して吸引された媒体が該回転円板の上面に供給さ
れ、該媒体流路を通って連続的に外方に排出され、この
ようにして該回転円板が回転している限り該媒体流路内
に減圧状態を出現せしめ、この減圧状態の吸引力によっ
て該ウェーハを下方に吸引し該ウェーハ受け部によって
回転保持するようにしたことを特徴とする請求項1又は
2記載のウェーハ表面処理装置。 - 【請求項4】 前記回転円板の下面側から前記貫通孔に
媒体を強制供給する媒体強制供給手段をさらに有し、前
記減圧状態を維持しつつ該回転円板の下面側から該貫通
孔に媒体を強制供給するようにしたことを特徴とする請
求項1〜3のいずれか1項記載のウェーハ表面処理装
置。 - 【請求項5】 前記回転円板の上面に羽根板を放射状、
螺旋状又は渦巻状に設け、前記媒体流路が該回転円板の
上面と相対向する羽根板とウェーハの下面との間に形成
されることを特徴とする請求項3又は4記載のウェーハ
表面処理装置。 - 【請求項6】 前記貫通孔に連通する中空部を軸方向に
穿設した回転シャフトを前記回転円板の下面中央部に垂
設し、該回転シャフト及び該回転円板を回転させると該
回転シャフトの中空部の下端開口部から吸引された媒体
が該中空部及び貫通孔を通って該回転円板の上面に供給
されるようにしたことを特徴とする請求項3〜5のいず
れか1項記載のウェーハ表面処理装置。 - 【請求項7】 前記回転シャフトの適宜位置に取りつけ
られ前記中空部の開口度合を調整することによって前記
媒体流路の減圧状態を調整するようにした減圧調整手段
をさらに設けたことを特徴とする請求項6記載のウェー
ハ表面処理装置。 - 【請求項8】 前記ウェーハ受け部がウェーハ下面を受
ける下側ガイドピンとウェーハ外側面を受ける外側ガイ
ドピンとからなることを特徴とする請求項3〜7のいず
れか1項記載のウェーハ表面処理装置。 - 【請求項9】 前記ウェーハ受け部を羽根板の上面に設
けたことを特徴とする請求項4〜7のいずれか1項記載
のウェーハ表面処理装置。 - 【請求項10】 前記回転円板の中心部に穿設された貫
通孔の上方に邪魔板を設け、該貫通孔を介して該回転円
板の上面に供給される媒体を該邪魔板によって羽根板方
向に誘導するようにしたことを特徴とする請求項3〜9
のいずれか1項記載のウェーハ表面処理装置。 - 【請求項11】 前記回転円板の上面にオリエンテーシ
ョンフラット部を受けるオリフラ受け部を設けたことを
特徴とする請求項3〜10のいずれか1項記載のウェー
ハ回転保持装置。 - 【請求項12】 前記回転円板の上面にノッチ部を受け
るノッチ受け部を設けたことを特徴とする請求項3〜1
0のいずれか1項記載のウェーハ回転保持装置。 - 【請求項13】 前記媒体が気体及び/又は液体である
ことを特徴とする請求項3〜12のいずれか1項記載の
ウェーハ表面処理装置。
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|---|---|
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Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031460A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及びその方法 |
| WO2004070807A1 (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Personal Creation Ltd. | 基板の処理装置及び基板の処理方法 |
| JP2004335956A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Sprout Co Ltd | 基板処理装置およびその処理方法 |
| WO2006107549A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-12 | Fsi International, Inc. | Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| JP2006286831A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2006286833A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| KR100637719B1 (ko) | 2005-10-05 | 2006-10-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP2007035840A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Asap:Kk | 基板処理装置 |
| KR100757911B1 (ko) | 2006-08-22 | 2007-09-12 | (주)이노맥스 | 웨이퍼의 액처리장치 |
| WO2010001781A1 (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピン処理装置及びスピン処理方法 |
| US7913706B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-03-29 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
| JP2011254016A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板液処理装置 |
| JP2011254019A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板液処理装置 |
| US8235062B2 (en) | 2008-05-09 | 2012-08-07 | Fsi International, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
| US8313609B2 (en) | 2005-03-31 | 2012-11-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US8387635B2 (en) | 2006-07-07 | 2013-03-05 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| US9484230B2 (en) | 2010-06-03 | 2016-11-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus |
| KR101787197B1 (ko) * | 2015-01-22 | 2017-11-15 | 사이언테크 코포레이션 | 유체공정 처리장치 |
| JP2018018854A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
| KR20200063680A (ko) * | 2018-11-28 | 2020-06-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| US11114316B2 (en) | 2016-07-25 | 2021-09-07 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| CN115973995A (zh) * | 2022-12-16 | 2023-04-18 | 浙江大学 | 一种成像芯片批量表面处理、分区功能化的装置及方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180121562A (ko) | 2016-04-21 | 2018-11-07 | 미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤 | 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구 및 공급 방법과 웨이퍼 회전 유지 장치 |
| WO2017204082A1 (ja) | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
| US11056362B2 (en) | 2016-05-26 | 2021-07-06 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | Wafer heating and holding mechanism and method for rotary table, and wafer rotating and holding device |
-
2000
- 2000-03-16 JP JP2000073307A patent/JP4257816B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031460A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及びその方法 |
| WO2004070807A1 (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Personal Creation Ltd. | 基板の処理装置及び基板の処理方法 |
| JP2004335956A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Sprout Co Ltd | 基板処理装置およびその処理方法 |
| JP2006286831A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US8313609B2 (en) | 2005-03-31 | 2012-11-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2006286833A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US8545668B2 (en) | 2005-03-31 | 2013-10-01 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| WO2006107549A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-12 | Fsi International, Inc. | Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| JP2008535252A (ja) * | 2005-04-01 | 2008-08-28 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド | 一つ又はそれ以上の処理流体を用いた、マイクロエレクトロニクス用加工物に使用されるツール用の移動かつ入れ子化できる、コンパクトなダクトシステム |
| US8899248B2 (en) | 2005-04-01 | 2014-12-02 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| US8656936B2 (en) | 2005-04-01 | 2014-02-25 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| US7681581B2 (en) | 2005-04-01 | 2010-03-23 | Fsi International, Inc. | Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| KR100993311B1 (ko) | 2005-04-01 | 2010-11-09 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 하나 이상의 처리 유체로 마이크로일렉트로닉 작업물을 처리하는 장치용 이동 및 중첩 가능한 배플들을 포함하는 소형 덕트 시스템 |
| US8544483B2 (en) | 2005-04-01 | 2013-10-01 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| JP2007035840A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Asap:Kk | 基板処理装置 |
| KR100637719B1 (ko) | 2005-10-05 | 2006-10-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| US8978675B2 (en) | 2006-07-07 | 2015-03-17 | Tel Fsi, Inc. | Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles |
| US9666456B2 (en) | 2006-07-07 | 2017-05-30 | Tel Fsi, Inc. | Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles |
| US8967167B2 (en) | 2006-07-07 | 2015-03-03 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| US8668778B2 (en) | 2006-07-07 | 2014-03-11 | Tel Fsi, Inc. | Method of removing liquid from a barrier structure |
| US8387635B2 (en) | 2006-07-07 | 2013-03-05 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| KR100757911B1 (ko) | 2006-08-22 | 2007-09-12 | (주)이노맥스 | 웨이퍼의 액처리장치 |
| US7913706B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-03-29 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
| US9039840B2 (en) | 2008-05-09 | 2015-05-26 | Tel Fsi, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
| US8684015B2 (en) | 2008-05-09 | 2014-04-01 | Tel Fsi, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
| US8235062B2 (en) | 2008-05-09 | 2012-08-07 | Fsi International, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
| TWI396233B (zh) * | 2008-06-30 | 2013-05-11 | 芝浦機械電子裝置股份有限公司 | A rotation processing device and a rotation processing method |
| US8377251B2 (en) | 2008-06-30 | 2013-02-19 | Shibaura Mechatronics Corporation | Spin processing apparatus and spin processing method |
| WO2010001781A1 (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピン処理装置及びスピン処理方法 |
| JP2010010554A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及びスピン処理方法 |
| KR101621990B1 (ko) * | 2010-06-03 | 2016-05-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치, 기판 액처리 장치의 제어 방법 및 기판 액처리 장치의 제어 방법을 기판 액처리 장치로 실시하게 하는 기록 매체 |
| JP2011254016A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板液処理装置 |
| JP2011254019A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板液処理装置 |
| US9484230B2 (en) | 2010-06-03 | 2016-11-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus |
| TWI569887B (zh) * | 2010-06-03 | 2017-02-11 | 東京威力科創股份有限公司 | Substrate liquid treatment device |
| US8881751B2 (en) | 2010-06-03 | 2014-11-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, method of controlling substrate liquid processing apparatus, and storage medium performing substrate liquid processing apparatus control method on substrate liquid processing apparatus |
| KR101787197B1 (ko) * | 2015-01-22 | 2017-11-15 | 사이언테크 코포레이션 | 유체공정 처리장치 |
| JP2018018854A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
| US11114316B2 (en) | 2016-07-25 | 2021-09-07 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| KR20200063680A (ko) * | 2018-11-28 | 2020-06-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR102174762B1 (ko) * | 2018-11-28 | 2020-11-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| CN115973995A (zh) * | 2022-12-16 | 2023-04-18 | 浙江大学 | 一种成像芯片批量表面处理、分区功能化的装置及方法 |
| CN115973995B (zh) * | 2022-12-16 | 2025-07-22 | 浙江大学 | 一种成像芯片批量表面处理、分区功能化的装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4257816B2 (ja) | 2009-04-22 |
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