[go: up one dir, main page]

JP2001267141A - Low-pass filter - Google Patents

Low-pass filter

Info

Publication number
JP2001267141A
JP2001267141A JP2000073046A JP2000073046A JP2001267141A JP 2001267141 A JP2001267141 A JP 2001267141A JP 2000073046 A JP2000073046 A JP 2000073046A JP 2000073046 A JP2000073046 A JP 2000073046A JP 2001267141 A JP2001267141 A JP 2001267141A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
dielectric
low
electrodes
pass filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000073046A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takami Hirai
隆己 平井
Yasuhiko Mizutani
靖彦 水谷
Kazuyuki Mizuno
和幸 水野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP2000073046A priority Critical patent/JP2001267141A/en
Publication of JP2001267141A publication Critical patent/JP2001267141A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable a low-pass filter to sufficiently exhibit the effect of miniatur ization resulting from the multilayered electrodes, the increased permittivity of a dielectric substrate, and so on, by eliminating the disadvantages of the multilayered electrodes, the increased permittivity of the dielectric substrate, and so on. SOLUTION: The dielectric substrate 12 is constituted by successively laminating a plurality of dielectric layers (first to fourth dielectric layers S1-S4) having low permittivity, for instance, two dielectric layers (fifth and sixth dielectric layers S5 and S6) having high permittivity, and a plurality of dielectric layers (seventh to tenth dielectric layers S7-S10) having low permittivity upon another. An input electrode 20, an output electrode 22, and an electrode 24 constituting an inductance L connected between the electrodes 20 and 22 are integrally formed on one main surface of the sixth dielectric layer S6, and first and third inner-layer earthing electrodes 40 and 44 are formed so as to sandwich the input electrode 20 between the electrodes 40 and 44. In addition, second and fourth inner-layer earthing electrodes 42 and 46 are formed so as to sandwich the output electrode 22 between the electrodes 42 and 46.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体基板に形成
されるローパスフィルタに関し、特に、送受信装置の送
信側に接続されるローパスフィルタに用いて好適なロー
パスフィルタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low-pass filter formed on a dielectric substrate, and more particularly, to a low-pass filter suitable for use as a low-pass filter connected to a transmitting side of a transmitting / receiving apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近の移動通信や携帯電話等では、送信
と受信とを単一のアンテナで共用化するようにしてい
る。
2. Description of the Related Art In recent mobile communications and portable telephones, transmission and reception are shared by a single antenna.

【0003】具体的に、送信と受信とで異なる周波数の
信号を用いる場合には、送信信号を通過させる帯域通過
フィルタと、受信信号を通過させる帯域通過フィルタを
組み合わせたデュプレクサをアンテナに接続し、アンテ
ナを共有化するようにしている。
Specifically, when signals having different frequencies are used for transmission and reception, a duplexer combining a band-pass filter for passing a transmission signal and a band-pass filter for passing a reception signal is connected to an antenna. The antenna is shared.

【0004】また、送信と受信とで同じ周波数を用いる
場合には、スイッチ回路を用いて送信と受信とを時間軸
上で切り換えることで、アンテナの共有化を図るように
している。
When the same frequency is used for transmission and reception, antennas are shared by switching between transmission and reception on a time axis using a switch circuit.

【0005】そして、前記送受信装置においては、特に
送信特性を向上させるために、例えば送受切換器の送信
側にローパスフィルタを接続するようにしている。
In the transmitting / receiving apparatus, a low-pass filter is connected to, for example, a transmission side of a transmission / reception switch in order to improve transmission characteristics.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、送受信装置
の送信側に接続されるローパスフィルタとしては、一般
に、小型化を図ることができるセラミック誘電体基板を
使用したものが採用される。
By the way, as a low-pass filter connected to the transmission side of the transmission / reception device, a low-pass filter using a ceramic dielectric substrate which can be downsized is generally adopted.

【0007】セラミック誘電体基板を使用したローパス
フィルタを小型化する場合、容量素子(誘電体層を挟ん
で対向する電極)を小型化する必要があるが、その方法
としては、誘電体層を薄くする方法、電極を多層化する
方法、セラミック誘電体基板の誘電率を高くする方法な
どが考えられる。
In order to reduce the size of a low-pass filter using a ceramic dielectric substrate, it is necessary to reduce the size of a capacitance element (electrodes opposed to each other with a dielectric layer interposed therebetween). And a method of increasing the dielectric constant of the ceramic dielectric substrate.

【0008】しかしながら、前記誘電体基板を薄くする
方法を採用した場合、絶縁破壊が生じたり、機械的な強
度が低下すると共に、製造過程での取り扱いが困難とな
り、製造コストが高騰するおそれがある。
However, when the method of making the dielectric substrate thinner is employed, dielectric breakdown may occur, mechanical strength may be reduced, handling may be difficult in a manufacturing process, and manufacturing costs may increase. .

【0009】また、前記電極を多層化する方法を採用し
た場合は、厚さ方向での小型化に制限が生じると共に、
多層電極を導通させるためのスルーホールや側面パター
ンが必要になるという問題が生じ、側面パターンを設け
た場合、ローパスフィルタの外部に設けられるシールド
導体の影響を受けやすくなることが懸念される。
Further, when the method of forming the electrodes in a multilayer structure is employed, miniaturization in the thickness direction is restricted, and
There arises a problem that a through hole and a side pattern for conducting the multilayer electrode are required, and when the side pattern is provided, there is a concern that the side electrode is likely to be affected by a shield conductor provided outside the low-pass filter.

【0010】また、セラミック誘電体基板の誘電率を高
くする方法を採用した場合、ローパスフィルタを構成す
るインダクタンスが低下することから、所望のインダク
タンスを得るために、例えば電極をコイル形状にした場
合は、コイルの巻数を増やしたり、コイルの断面積を増
加させる必要があり、しかも、これらの増加をなるべく
コイル長を増加させずに行わなければならず、設計が困
難になると共に、自ずからサイズの大型化を招くことと
なる。
When the method of increasing the dielectric constant of the ceramic dielectric substrate is adopted, the inductance constituting the low-pass filter is reduced. Therefore, in order to obtain a desired inductance, for example, when the electrode is formed in a coil shape, It is necessary to increase the number of turns of the coil or increase the cross-sectional area of the coil, and these increases must be performed without increasing the coil length as much as possible. Will be caused.

【0011】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、電極の多層化やセラミック誘電体基板の
高誘電率化等による欠点を排除することができ、これら
電極の多層化やセラミック誘電体基板の高誘電率化等に
よる小型化の効果を十分に発揮させることができるロー
パスフィルタを提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such problems, and can eliminate disadvantages caused by increasing the number of electrodes and increasing the dielectric constant of a ceramic dielectric substrate. An object of the present invention is to provide a low-pass filter capable of sufficiently exhibiting the effect of miniaturization by increasing the dielectric constant of a ceramic dielectric substrate.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明に係るローパスフ
ィルタは、互いに誘電率の異なる複数の誘電体層が積層
されて構成された誘電体基板を有し、前記誘電体基板を
構成する前記複数の誘電体層のうち、誘電率の高い誘電
体層に入力電極と出力電極とこれら電極間に接続された
インダクタンスを構成する電極が形成され、前記入力電
極と接地との間に容量を形成するための第1の電極と、
前記出力電極と接地との間に容量を形成するための第2
の電極とを有することを特徴とする。
A low-pass filter according to the present invention has a dielectric substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers having different dielectric constants from each other. Of the dielectric layers, an input electrode, an output electrode, and an electrode forming an inductance connected between these electrodes are formed on a dielectric layer having a high dielectric constant, and a capacitance is formed between the input electrode and ground. A first electrode for
A second capacitor for forming a capacitor between the output electrode and ground;
And an electrode of

【0013】これにより、まず、入力電極と第1の電極
間、並びに出力電極と第2の電極間にそれぞれ容量が形
成されるが、これら入力電極と第1の電極間、並びに出
力電極と第2の電極間には誘電率の高い誘電体層が存在
するため、前記容量を大きくすることができる。
As a result, first, capacitance is formed between the input electrode and the first electrode, and between the output electrode and the second electrode. The capacitance is formed between the input electrode and the first electrode, and between the output electrode and the first electrode. Since a dielectric layer having a high dielectric constant exists between the two electrodes, the capacitance can be increased.

【0014】一方、インダクタンスを構成する電極も高
い誘電率の誘電体層に形成されることになるが、この高
い誘電率の誘電体層に積層される低い誘電率の誘電体層
の存在によって、電界が低い誘電率の誘電体層に集中す
ることとなり、前記インダクタンスを構成する電極に基
づく特性インピーダンスの低下が抑制されることにな
る。即ち、擬似的に低い誘電率の誘電体層にインダクタ
ンスを構成する電極が形成されることになり、高い誘電
率の誘電体層を用いたことによる弊害を回避することが
できる。
On the other hand, the electrodes constituting the inductance are also formed on the dielectric layer having a high dielectric constant. However, due to the presence of the dielectric layer having a low dielectric constant laminated on the dielectric layer having a high dielectric constant, The electric field is concentrated on the dielectric layer having a low dielectric constant, so that a decrease in the characteristic impedance due to the electrodes constituting the inductance is suppressed. That is, the electrodes constituting the inductance are formed on the dielectric layer having a low dielectric constant in a pseudo manner, and the adverse effects caused by using the dielectric layer having a high dielectric constant can be avoided.

【0015】このように、本発明においては、誘電体基
板の高誘電率化によるローパスフィルタの小型化の効果
を十分に発揮させることができる。
As described above, in the present invention, the effect of miniaturizing the low-pass filter by increasing the dielectric constant of the dielectric substrate can be sufficiently exhibited.

【0016】そして、前記誘電体基板は、前記誘電率の
高い誘電体層の両主面がそれぞれ誘電率の低い誘電体層
で挟まれた構成を有することが好ましい。
Preferably, the dielectric substrate has a structure in which both main surfaces of the dielectric layer having a high dielectric constant are sandwiched by dielectric layers having a low dielectric constant.

【0017】また、前記第1の電極を、前記入力電極の
両主面に対して前記誘電率の高い誘電体層を間に挟んで
それぞれ重ねられた2つの電極本体と、これら電極本体
を接続するリード電極にて構成し、前記第2の電極を、
前記出力電極の両主面に対して前記誘電率の高い誘電体
層を間に挟んでそれぞれ重ねられた2つの電極本体と、
これら電極本体を接続する接続用電極にて構成するよう
にしてもよい。この場合、前記第1及び第2の電極にお
ける各接続用電極を、それぞれスルーホールで構成する
ようにしてもよい。
Further, the first electrode is connected to two electrode bodies which are respectively stacked on both main surfaces of the input electrode with the dielectric layer having a high dielectric constant interposed therebetween, and these electrode bodies are connected to each other. And the second electrode is constituted by:
Two electrode bodies respectively stacked on both main surfaces of the output electrode with the high dielectric constant dielectric layer interposed therebetween,
It may be constituted by connection electrodes for connecting these electrode bodies. In this case, each connection electrode in the first and second electrodes may be configured with a through hole.

【0018】これらの構成により、入力電極を間に挟ん
で2枚の電極本体が平面的に重ねられ、また、出力電極
を間に挟んで2枚の電極本体が平面的に重ねられた形態
となり、しかも、それぞれの2枚の電極本体間に高い誘
電率の誘電体層が介在することとなるため、電極の多層
化による容量の増大化と、高誘電率による容量の増大化
の相乗効果を得ることができる。
According to these configurations, two electrode bodies are superposed two-dimensionally with the input electrode interposed therebetween, and two electrode main bodies are superposed two-dimensionally with the output electrode interposed therebetween. In addition, since a dielectric layer having a high dielectric constant is interposed between each two electrode bodies, a synergistic effect of increasing the capacitance by increasing the number of electrodes and increasing the capacitance by increasing the dielectric constant is achieved. Obtainable.

【0019】そして、前記第1及び第2の電極を前記ス
ルーホールを介して前記誘電体基板の表面に形成された
接地電極に直接接続するようにしてもよい。この場合、
多層化された電極を広い側面パターンを用いて接地電極
に接続する必要がなくなるため、誘電体基板の外部に設
けられるシールド導体の影響を受け難くなり、特性の劣
化を防止することができる。
Further, the first and second electrodes may be directly connected to a ground electrode formed on the surface of the dielectric substrate via the through hole. in this case,
Since it is not necessary to connect the multilayered electrode to the ground electrode using a wide side pattern, it is less likely to be affected by a shield conductor provided outside the dielectric substrate, and deterioration of characteristics can be prevented.

【0020】また、前記インダクタンスを構成する電極
をミアンダ形状としてもよい。この場合、インダクタン
スを誘電体層上に効率よく形成することができ、設計の
自由度も広がる。
The electrodes constituting the inductance may have a meandering shape. In this case, the inductance can be efficiently formed on the dielectric layer, and the degree of freedom in design is widened.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るローパスフィ
ルタの実施の形態例を図1〜図4を参照しながら説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a low-pass filter according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0022】本実施の形態に係るローパスフィルタ10
は、図1に示すように、互いに誘電率の異なる複数の誘
電体層が積層されて構成された誘電体基板12を有す
る。具体的には、前記誘電体基板12は、図2に示すよ
うに、低い誘電率(例えば誘電率εr=7)を有する複
数の誘電体層(例えば第1〜第4の誘電体層S1〜S
4)と、高い誘電率(例えば誘電率εr=85)を有す
る例えば2つの誘電体層(第5及び第6の誘電体層S5
及びS6)と、低い誘電率(例えば誘電率εr=7)を
有する複数の誘電体層(例えば第7〜第10の誘電体層
S7〜S10)とが順次積層されて構成されている。こ
れら第1〜第10の誘電体層S1〜S10はそれぞれ1
枚あるいは複数枚の層にて構成される。
The low-pass filter 10 according to the present embodiment
As shown in FIG. 1, has a dielectric substrate 12 formed by laminating a plurality of dielectric layers having different dielectric constants from each other. Specifically, as shown in FIG. 2, the dielectric substrate 12 includes a plurality of dielectric layers (for example, first to fourth dielectric layers S1 to S1) having a low dielectric constant (for example, dielectric constant εr = 7). S
4) and, for example, two dielectric layers (fifth and sixth dielectric layers S5) having a high dielectric constant (for example, dielectric constant εr = 85).
And S6), and a plurality of dielectric layers (for example, seventh to tenth dielectric layers S7 to S10) having a low dielectric constant (for example, dielectric constant εr = 7) are sequentially laminated. Each of the first to tenth dielectric layers S1 to S10 is 1
It is composed of one or more layers.

【0023】そして、この実施の形態に係るローパスフ
ィルタ10においては、第6の誘電体層S6の一主面
に、入力電極20と、出力電極22と、これら電極20
及び22間に接続されたインダクタンスLを構成する電
極24と、前記入力電極20と誘電体基板12の一方の
側面に形成された入力端子30(図1参照)とを電気的
に接続する第1のリード電極100と、前記出力電極2
2と誘電体基板12の他方の側面に形成された出力端子
32(図1参照)とを電気的に接続する第2のリード電
極102とが一体に形成されている。インダクタンスL
を構成する電極24は、ミアンダ形状とされている。
In the low-pass filter 10 according to this embodiment, the input electrode 20, the output electrode 22, and the electrodes 20 are formed on one main surface of the sixth dielectric layer S6.
And an input terminal 30 (see FIG. 1) formed between the input electrode 20 and one side surface of the dielectric substrate 12. Lead electrode 100 and the output electrode 2
2 and a second lead electrode 102 for electrically connecting the output terminal 32 (see FIG. 1) formed on the other side surface of the dielectric substrate 12 are integrally formed. Inductance L
Is formed in a meandering shape.

【0024】前記第6の誘電体層S6の上層に位置する
第5の誘電体層S5の一主面には、前記入力電極20及
び出力電極22にそれぞれ対応する箇所に、該入力電極
20及び出力電極22とそれぞれ平面的に重なる第1及
び第2の内層アース電極40及び42が形成されてい
る。
On one main surface of the fifth dielectric layer S5, which is located above the sixth dielectric layer S6, the input electrode 20 and the output electrode 22 are provided at positions corresponding to the input electrode 20 and the output electrode 22, respectively. First and second inner-layer ground electrodes 40 and 42 respectively overlapping the output electrode 22 in a plane are formed.

【0025】前記第6の誘電体層S6の下層に位置する
第7の誘電体層S7の一主面にも、前記入力電極20及
び出力電極22にそれぞれ対応する箇所に、該入力電極
20及び出力電極22とそれぞれ平面的に重なる第3及
び第4の内層アース電極44及び46が形成されてい
る。
The input electrode 20 and the output electrode 22 are also formed on one main surface of the seventh dielectric layer S7 located below the sixth dielectric layer S6. Third and fourth inner-layer ground electrodes 44 and 46, which respectively overlap the output electrode 22 in a plane, are formed.

【0026】また、第2の誘電体層S2の一主面には、
前記第5の誘電体層S5上に形成された前記第1及び第
2の内層アース電極40及び42を含むように幅広の内
層アース電極104が形成され、第10の誘電体層S1
0の一主面には、前記第7の誘電体層S7上に形成され
た前記第3及び第4の内層アース電極44及び46を含
むように幅広の内層アース電極106が形成され、これ
ら内層アース電極104及び106は、図1に示すよう
に、誘電体基板12の側面(入力端子30や出力端子3
2が形成された側面とは別の側面)と上面にかけて形成
されたアース電極52に電気的に接続されている。
Further, on one principal surface of the second dielectric layer S2,
A wide inner earth electrode 104 is formed to include the first and second inner earth electrodes 40 and 42 formed on the fifth dielectric layer S5, and a tenth dielectric layer S1 is formed.
0, a wide inner earth electrode 106 is formed so as to include the third and fourth inner earth electrodes 44 and 46 formed on the seventh dielectric layer S7. As shown in FIG. 1, the ground electrodes 104 and 106 are connected to the side surface (the input terminal 30 and the output terminal 3) of the dielectric substrate 12.
2 is electrically connected to a ground electrode 52 formed on the upper surface and the other side surface.

【0027】上述の第1〜第4の内層アース電極40、
42、44及び46のうち、入力電極20側の第1及び
第3の内層アース電極40及び44は、第2〜第9の誘
電体層S2〜S9に形成された第1のスルーホール50
を介して互いに電気的に接続されると共に、幅広の内層
アース電極104及び106に電気的に接続されてい
る。
The above-mentioned first to fourth inner layer earth electrodes 40,
Of the 42, 44, and 46, the first and third inner-layer ground electrodes 40 and 44 on the input electrode 20 side are the first through holes 50 formed in the second to ninth dielectric layers S2 to S9.
And are electrically connected to the wide inner layer earth electrodes 104 and 106.

【0028】また、前記第1〜第4の内層アース電極4
0、42、44及び46のうち、出力電極22側の第2
及び第4の内層アース電極42及び46は、第2〜第9
の誘電体層S2〜S9に形成された第2のスルーホール
54を介して互いに電気的に接続されると共に、幅広の
内層アース電極104及び106に電気的に接続されて
いる。
The first to fourth inner-layer ground electrodes 4
0, 42, 44 and 46, the second on the output electrode 22 side.
And the fourth inner layer ground electrodes 42 and 46
Are electrically connected to each other through the second through holes 54 formed in the dielectric layers S2 to S9, and are also electrically connected to the wide inner-layer ground electrodes 104 and 106.

【0029】本実施の形態に係るローパスフィルタ10
は、基本的には以上のように構成されるものであるが、
ここで、各電極の電気的な結合について図3及び図4を
参照しながら説明する。
The low-pass filter 10 according to the present embodiment
Is basically configured as above,
Here, the electrical coupling of each electrode will be described with reference to FIGS.

【0030】まず、入力端子30と電気的に接続された
入力電極20と第1及び第3の内層アース電極40及び
44間にはそれぞれ静電容量C1及びC2が形成され、
出力端子32と電気的に接続された出力電極22と第2
及び第4の内層アース電極42及び46間にはそれぞれ
静電容量C3及びC4が形成される。
First, capacitances C1 and C2 are formed between the input electrode 20 electrically connected to the input terminal 30 and the first and third inner-layer ground electrodes 40 and 44, respectively.
The output electrode 22 electrically connected to the output terminal 32 and the second
Further, capacitances C3 and C4 are formed between the fourth inner-layer ground electrodes 42 and 46, respectively.

【0031】その結果、図4に示すように、入力端子3
0と接地との間には、入力側の2つの静電容量C1及び
C2の合成容量C10が挿入接続され、出力端子32と
接地との間に、出力側の2つの静電容量C3及びC4の
合成容量C11が挿入接続されたかたちとなる。また、
入力端子30と出力端子32間には、ミアンダ形状の電
極24によってインダクタンスLが挿入接続されたかた
ちとなる。即ち、合成容量C10、C11及びインダク
タンスLによって1つのローパスフィルタ10が構成さ
れることになる。
As a result, as shown in FIG.
0 and the ground, a combined capacitance C10 of the two input-side capacitances C1 and C2 is inserted and connected. Between the output terminal 32 and the ground, the two output-side capacitances C3 and C4 are connected. Is formed by inserting and connecting the combined capacitor C11. Also,
An inductance L is inserted and connected between the input terminal 30 and the output terminal 32 by the meandering electrode 24. That is, one low-pass filter 10 is constituted by the combined capacitors C10 and C11 and the inductance L.

【0032】このように、本実施の形態に係るローパス
フィルタ10は、入力電極20と第1及び第3の内層ア
ース電極40及び44間、並びに出力電極22と第2及
び第4の内層アース電極42及び46間にそれぞれ静電
容量C1及びC2並びにC3及びC4が形成されるが、
これら入力電極20と第1及び第3の内層アース電極4
0及び44間、並びに出力電極22と第2及び第4の内
層アース電極42及び46間には高誘電率の第5及び第
6の誘電体層S5及びS6が存在するため、これら静電
容量C1、C2、C3及びC4を大きくすることができ
る。
As described above, the low-pass filter 10 according to the present embodiment comprises the input electrode 20 and the first and third inner-layer earth electrodes 40 and 44, and the output electrode 22 and the second and fourth inner-layer earth electrodes. Capacitors C1 and C2 and C3 and C4 are formed between 42 and 46, respectively.
The input electrode 20 and the first and third inner-layer ground electrodes 4
0 and 44, and between the output electrode 22 and the second and fourth inner-layer ground electrodes 42 and 46, the fifth and sixth dielectric layers S5 and S6 having a high dielectric constant exist. C1, C2, C3 and C4 can be increased.

【0033】一方、インダクタンスLを構成する電極2
4も高い誘電率の誘電体層S5及びS6に形成されるこ
とになる。
On the other hand, the electrode 2 forming the inductance L
4 is also formed on the dielectric layers S5 and S6 having a high dielectric constant.

【0034】ここで、ストリップラインによってインダ
クタンスLを構成した場合を想定したとき、インダクタ
ンスLは、(1/ω)・Z0・sinθ[ヘンリー]と
なる。なお、ωは角周波数(2πf)、θはストリップ
ラインの電気長、Z0は特性インピーダンスである。こ
れにより、誘電率εrが高くなると、特性インピーダン
スZ0が低くなり、インダクタンスLは低くなる。
Here, assuming that the inductance L is constituted by a strip line, the inductance L becomes (1 / ω) · Z 0 · sin θ [Henry]. Note that ω is the angular frequency (2πf), θ is the electrical length of the strip line, and Z 0 is the characteristic impedance. Thus, when the dielectric constant εr increases, the characteristic impedance Z 0 decreases, and the inductance L decreases.

【0035】従って、必要なインダクタンスLを得るた
めには、特性インピーダンスZ0を大きくすればよい
が、そのためには、誘電体基板12の厚みを大きくする
必要があり、しかも、この増加をなるべくストリップラ
イン長を増加させずに行わなければならず、設計が困難
になると共に、ローパスフィルタの大型化を招くことと
なる。
Therefore, in order to obtain the required inductance L, it is necessary to increase the characteristic impedance Z 0 , but for that purpose, it is necessary to increase the thickness of the dielectric substrate 12, and furthermore, the increase in the thickness This must be performed without increasing the line length, which makes the design difficult and increases the size of the low-pass filter.

【0036】しかし、本実施の形態に係るローパスフィ
ルタ10は、誘電率の高い第5及び第6の誘電体層S5
及びS6の上層及び下層にそれぞれ誘電率の低い第1〜
第4の誘電体層S1〜S4並びに第7〜第10の誘電体
層S7〜S10を積層するようにしている。この場合、
マックスウェルの方程式より、電束密度を一定としたと
き、電界は、誘電率の低い誘電体層S1〜S4、S7〜
S10に集中することになり、前記インダクタンスLは
低下しない。即ち、電極24に基づく特性インピーダン
スの低下が抑制されることになる。
However, the low-pass filter 10 according to the present embodiment has the fifth and sixth dielectric layers S5 having a high dielectric constant.
And the first and second layers having low dielectric constants in the upper layer and the lower layer
The fourth dielectric layers S1 to S4 and the seventh to tenth dielectric layers S7 to S10 are laminated. in this case,
According to Maxwell's equation, when the electric flux density is constant, the electric field is reduced by the dielectric layers S1 to S4 and S7 to
As a result, the inductance L does not decrease. That is, a decrease in the characteristic impedance due to the electrode 24 is suppressed.

【0037】つまり、本実施の形態においては、擬似的
に低い誘電率の誘電体層にインダクタンスLを構成する
電極24が形成されることになり、高い誘電率の誘電体
層S5及びS6を用いたことによる弊害を回避すること
ができる。このように、本実施の形態においては、誘電
体基板12の高誘電率化によるローパスフィルタ10の
小型化の効果を十分に発揮させることができる。
That is, in the present embodiment, the electrode 24 constituting the inductance L is formed on the dielectric layer having a pseudo low dielectric constant, and the dielectric layers S5 and S6 having high dielectric constant are used. It is possible to avoid the adverse effects caused by this. Thus, in the present embodiment, the effect of miniaturizing the low-pass filter 10 by increasing the dielectric constant of the dielectric substrate 12 can be sufficiently exhibited.

【0038】特に、この実施の形態では、入力電極20
を間に挟んで第1及び第3の内層アース電極40及び4
4が平面的に重ねられ、また、出力電極22を間に挟ん
で第2及び第4の内層アース電極42及び46が平面的
に重ねられた形態となり、しかも、第1及び第3の内層
アース電極40及び44間並びに第2及び第4の内層ア
ース電極42及び46間に高誘電率の第5及び第6の誘
電体層S5及びS6が介在することになるため、電極の
多層化による容量の増大化と、高誘電率による容量の増
大化の相乗効果を得ることができる。
In particular, in this embodiment, the input electrode 20
Between the first and third inner-layer ground electrodes 40 and 4
4 are superimposed two-dimensionally, and the second and fourth inner-layer earth electrodes 42 and 46 are superimposed two-dimensionally with the output electrode 22 interposed therebetween. Since the fifth and sixth dielectric layers S5 and S6 having a high dielectric constant are interposed between the electrodes 40 and 44 and between the second and fourth inner-layer ground electrodes 42 and 46, the capacitance due to the multilayered electrodes is formed. And the increase in capacitance due to the high dielectric constant can have a synergistic effect.

【0039】更に、本実施の形態では、第1及び第3の
内層アース電極40及び44を第1のスルーホール50
を介して誘電体基板12の下面に形成されたアース電極
52に直接接続し、第2及び第4の内層アース電極42
及び46を第2のスルーホール54を介して誘電体基板
12の下面に形成されたアース電極52に直接接続する
ようにしている。
Further, in this embodiment, the first and third inner-layer ground electrodes 40 and 44 are connected to the first through-hole 50.
Is directly connected to the ground electrode 52 formed on the lower surface of the dielectric substrate 12 through the second and fourth inner-layer ground electrodes 42.
And 46 are directly connected to a ground electrode 52 formed on the lower surface of the dielectric substrate 12 via a second through hole 54.

【0040】この場合、多層化された内層アース電極4
0、42、44及び46を広い側面パターンを用いてア
ース電極52に接続する必要がなくなるため、誘電体基
板12の外部に設けられるシールド導体の影響を受け難
くなり、特性の劣化を防止することができる。
In this case, the multilayered inner earth electrode 4
Since it is not necessary to connect 0, 42, 44 and 46 to the ground electrode 52 using a wide side pattern, the influence of a shield conductor provided outside the dielectric substrate 12 is reduced, and deterioration of characteristics is prevented. Can be.

【0041】また、本実施の形態では、インダクタンス
Lを構成する電極24をミアンダ形状としたので、イン
ダクタンスLを誘電体層S6上に効率よく形成すること
ができ、設計の自由度を拡大させることができる。
In the present embodiment, since the electrodes 24 forming the inductance L have a meandering shape, the inductance L can be efficiently formed on the dielectric layer S6, and the degree of freedom in design can be increased. Can be.

【0042】なお、この発明に係るローパスフィルタ
は、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱
することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんで
ある。
The low-pass filter according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can adopt various configurations without departing from the gist of the present invention.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るロー
パスフィルタによれば、電極の多層化や誘電体基板の高
誘電率化等による欠点を排除することができ、これら電
極の多層化や誘電体基板の高誘電率化等による小型化の
効果を十分に発揮させることができる。
As described above, according to the low-pass filter according to the present invention, it is possible to eliminate the drawbacks caused by increasing the number of electrodes and increasing the dielectric constant of the dielectric substrate. The effect of miniaturization by increasing the dielectric constant of the dielectric substrate can be sufficiently exerted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施の形態に係るローパスフィルタを示す斜
視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a low-pass filter according to an embodiment.

【図2】本実施の形態に係るローパスフィルタの構成を
示す分解斜視図である。
FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating a configuration of a low-pass filter according to the present embodiment.

【図3】本実施の形態に係るローパスフィルタの構成を
示す縦断面図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view illustrating a configuration of a low-pass filter according to the present embodiment.

【図4】本実施の形態に係るローパスフィルタの等価回
路図である。
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the low-pass filter according to the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…ローパスフィルタ 12…誘電体基
板 20…入力電極 22…出力電極 24…インダクタンスを構成する電極 30…入力端子 32…出力端子 40…第1の内
層アース電極 42…第2の内層アース電極 44…第3の内
層アース電極 46…第4の内層アース電極 50…第1のス
ルーホール 52…アース電極 54…第2のス
ルーホール S1〜S4、S7〜S10…誘電率の低い誘電体層 S5、S6…誘電率の高い誘電体層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Low-pass filter 12 ... Dielectric substrate 20 ... Input electrode 22 ... Output electrode 24 ... Electrode which comprises inductance 30 ... Input terminal 32 ... Output terminal 40 ... 1st inner-layer earth electrode 42 ... 2nd inner-layer earth electrode 44 ... Third inner-layer ground electrode 46 Fourth inner-layer ground electrode 50 First through-hole 52 Ground electrode 54 Second through-hole S1 to S4, S7 to S10 Dielectric layers S5 and S6 having a low dielectric constant ... Dielectric layer with high dielectric constant

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 和幸 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 日 本碍子株式会社内 Fターム(参考) 5E070 AA05 AB01 CB03 CB12 CB17 CB18 EA01 5E082 AA01 AB03 BB02 BC39 DD08 EE04 EE17 FF05 FG06 FG26 GG10 GG28 JJ02 KK08 LL15 5J024 AA01 BA02 DA00 DA04 DA29 DA35 EA01 FA03  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Kazuyuki Mizuno 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi Japan F Co., Ltd. F-term (reference) 5E070 AA05 AB01 CB03 CB12 CB17 CB18 EA01 5E082 AA01 AB03 BB02 BC39 DD08 EE04 EE17 FF05 FG06 FG26 GG10 GG28 JJ02 KK08 LL15 5J024 AA01 BA02 DA00 DA04 DA29 DA35 EA01 FA03

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】互いに誘電率の異なる複数の誘電体層が積
層されて構成された誘電体基板を有し、 前記誘電体基板を構成する前記複数の誘電体層のうち、
誘電率の高い誘電体層に入力電極と出力電極とこれら電
極間に接続されたインダクタンスを構成する電極が形成
され、 前記入力電極と接地との間に容量を形成するための第1
の電極と、前記出力電極と接地との間に容量を形成する
ための第2の電極とを有することを特徴とするローパス
フィルタ。
1. A dielectric substrate comprising a plurality of dielectric layers having different dielectric constants stacked on each other, wherein the plurality of dielectric layers constituting the dielectric substrate include:
An input electrode, an output electrode, and an electrode forming an inductance connected between these electrodes are formed on a dielectric layer having a high dielectric constant, and a first electrode for forming a capacitance between the input electrode and ground is formed.
And a second electrode for forming a capacitor between the output electrode and the ground.
【請求項2】請求項1記載のローパスフィルタにおい
て、 前記誘電体基板は、前記誘電率の高い誘電体層の両主面
がそれぞれ誘電率の低い誘電体層で挟まれた構成を有す
ることを特徴とするローパスフィルタ。
2. The low-pass filter according to claim 1, wherein said dielectric substrate has a structure in which both main surfaces of said dielectric layer having a high dielectric constant are sandwiched by dielectric layers each having a low dielectric constant. Characteristic low-pass filter.
【請求項3】請求項1又は2記載のローパスフィルタに
おいて、 前記第1の電極は、前記入力電極の両主面に対して前記
誘電率の高い誘電体層を間に挟んでそれぞれ重ねられた
2つの電極本体と、これら電極本体を接続する接続用電
極にて構成され、 前記第2の電極は、前記出力電極の両主面に対して前記
誘電率の高い誘電体層を間に挟んでそれぞれ重ねられた
2つの電極本体と、これら電極本体を接続する接続用電
極にて構成されていることを特徴とするローパスフィル
タ。
3. The low-pass filter according to claim 1, wherein the first electrode is overlapped on both main surfaces of the input electrode with the dielectric layer having a high dielectric constant interposed therebetween. It is composed of two electrode bodies and connection electrodes for connecting these electrode bodies, and the second electrode has the dielectric layer having a high dielectric constant interposed between both main surfaces of the output electrode. A low-pass filter comprising two electrode bodies superposed on each other and a connection electrode for connecting these electrode bodies.
【請求項4】請求項3記載のローパスフィルタにおい
て、 前記第1及び第2の電極における各接続用電極が、それ
ぞれスルーホールで構成されていることを特徴とするロ
ーパスフィルタ。
4. The low-pass filter according to claim 3, wherein each of the connection electrodes in the first and second electrodes is constituted by a through hole.
【請求項5】請求項4記載のローパスフィルタにおい
て、 前記第1及び第2の電極が前記スルーホールを介して前
記誘電体基板の表面に形成された接地電極に直接接続さ
れていることを特徴とするローパスフィルタ。
5. The low-pass filter according to claim 4, wherein said first and second electrodes are directly connected to a ground electrode formed on a surface of said dielectric substrate via said through hole. And a low pass filter.
【請求項6】請求項1〜5のいずれか1項に記載のロー
パスフィルタにおいて、 前記インダクタンスを構成する電極がミアンダ形状を有
することを特徴とするローパスフィルタ。
6. The low-pass filter according to claim 1, wherein an electrode forming the inductance has a meandering shape.
JP2000073046A 2000-03-15 2000-03-15 Low-pass filter Pending JP2001267141A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000073046A JP2001267141A (en) 2000-03-15 2000-03-15 Low-pass filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000073046A JP2001267141A (en) 2000-03-15 2000-03-15 Low-pass filter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001267141A true JP2001267141A (en) 2001-09-28

Family

ID=18591357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000073046A Pending JP2001267141A (en) 2000-03-15 2000-03-15 Low-pass filter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001267141A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006222797A (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Tdk Corp Low pass filter, module component, and method of manufacturing low pass filter
WO2008035684A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Panasonic Corporation Chip-type filter
JP2008078370A (en) * 2006-09-21 2008-04-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Chip type solid electrolytic capacitor
JP2008103447A (en) * 2006-10-18 2008-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Chip type solid electrolytic capacitor
JP2008108881A (en) * 2006-10-25 2008-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Printed circuit board and chip-type solid electrolytic capacitor mounted thereon
JP2012138634A (en) * 2012-04-18 2012-07-19 Panasonic Corp Chip-type solid electrolytic capacitor
CN107017857A (en) * 2017-05-22 2017-08-04 中国电子科技集团公司第四十三研究所 A kind of ceramic low pass filter of miniature multilayer
WO2017169102A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社村田製作所 Electronic component
CN111262545A (en) * 2020-03-26 2020-06-09 西安广和通无线通信有限公司 Low-pass filter
CN113965178A (en) * 2021-09-30 2022-01-21 合肥移瑞通信技术有限公司 Low-pass filter based on ceramic patch

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006222797A (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Tdk Corp Low pass filter, module component, and method of manufacturing low pass filter
WO2008035684A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Panasonic Corporation Chip-type filter
JP2008078370A (en) * 2006-09-21 2008-04-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Chip type solid electrolytic capacitor
US7612987B2 (en) 2006-09-21 2009-11-03 Panasonic Corporation Chip-type filter
JP2008103447A (en) * 2006-10-18 2008-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Chip type solid electrolytic capacitor
JP2008108881A (en) * 2006-10-25 2008-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Printed circuit board and chip-type solid electrolytic capacitor mounted thereon
JP2012138634A (en) * 2012-04-18 2012-07-19 Panasonic Corp Chip-type solid electrolytic capacitor
WO2017169102A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社村田製作所 Electronic component
CN108886348A (en) * 2016-03-31 2018-11-23 株式会社村田制作所 Electronic component
JPWO2017169102A1 (en) * 2016-03-31 2019-01-31 株式会社村田製作所 Electronic components
TWI659522B (en) * 2016-03-31 2019-05-11 日商村田製作所股份有限公司 Electronic parts
US10637429B2 (en) 2016-03-31 2020-04-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component
CN108886348B (en) * 2016-03-31 2022-06-10 株式会社村田制作所 Electronic component
CN107017857A (en) * 2017-05-22 2017-08-04 中国电子科技集团公司第四十三研究所 A kind of ceramic low pass filter of miniature multilayer
CN107017857B (en) * 2017-05-22 2023-11-21 中国电子科技集团公司第四十三研究所 Miniature multilayer ceramic low-pass filter
CN111262545A (en) * 2020-03-26 2020-06-09 西安广和通无线通信有限公司 Low-pass filter
CN111262545B (en) * 2020-03-26 2023-06-16 西安广和通无线通信有限公司 Low pass filter
CN113965178A (en) * 2021-09-30 2022-01-21 合肥移瑞通信技术有限公司 Low-pass filter based on ceramic patch

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5817795B2 (en) High frequency module
JP6183456B2 (en) High frequency module
JP6249020B2 (en) High frequency module
JP6406266B2 (en) High frequency module
JP6183461B2 (en) High frequency module
JPH0621701A (en) Filter inclusing dielectric resonator
JP2004289760A (en) Wiring board with built-in low-pass filter
JP2004254257A (en) Wiring board with built-in low-pass filter
JP2004304615A (en) High frequency composite part
JP3390344B2 (en) Laminated dielectric filter and high frequency circuit board
JP2001267141A (en) Low-pass filter
JP2008182598A (en) Left-handed system transmission line, bypass filter and communication equipment
JPH1197962A (en) High-frequency component
US11368135B2 (en) High-frequency module
JPH11219825A (en) Surface mount type balun transformer
US7782157B2 (en) Resonant circuit, filter circuit, and multilayered substrate
JP2002271109A (en) Laminated duplexer element
JP2002026677A (en) Layered lc high pass filter and frequency branching circuit for mobile communication unit and front end module
JPH10276117A (en) Composite switch circuit parts
JP7740460B2 (en) Filter module and electronic device
JP2005303419A (en) Diplexer
JP2003209413A (en) Balun transformer
JP2004320556A (en) Passive components
JPH11274876A (en) Low-pass filter and circuit board
JP2585865Y2 (en) Dielectric stripline resonator

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080520

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20081007