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JP2001244073A - Organic thin film light emitting display - Google Patents

Organic thin film light emitting display

Info

Publication number
JP2001244073A
JP2001244073A JP2000055488A JP2000055488A JP2001244073A JP 2001244073 A JP2001244073 A JP 2001244073A JP 2000055488 A JP2000055488 A JP 2000055488A JP 2000055488 A JP2000055488 A JP 2000055488A JP 2001244073 A JP2001244073 A JP 2001244073A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
layer
upper electrode
emitting display
medium layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000055488A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Terao
豊 寺尾
Yotaro Shiraishi
洋太郎 白石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP2000055488A priority Critical patent/JP2001244073A/en
Publication of JP2001244073A publication Critical patent/JP2001244073A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザー加工により、素子に損傷を与えるこ
となく、容易に上部電極を任意の形状にパターニングす
ることができ、かつ、低コストで生産性の良好な有機薄
膜発光ディスプレイを提供する。 【解決手段】 基板と、該基板上に形成された下部電極
と、該下部電極上に設けられた、少なくとも発光層を含
む有機エレクトロルミネッセンス媒体層と、該有機エレ
クトロルミネッセンス媒体層上に形成された上部電極と
を有し、該下部電極と、該有機エレクトロルミネッセン
ス媒体層と、該上部電極との重なった部分を夫々発光画
素とする有機薄膜発光ディスプレイであって、前記上部
電極と前記有機エレクトロルミネッセンス媒体層とが、
レーザー加工により所定の形状にパターニングされてな
る有機薄膜発光ディスプレイにおいて、前記下部電極と
前記有機エレクトロルミネッセンス媒体層との間であっ
て少なくとも前記レーザー加工部に、前記上部電極より
も融点の低い材料からなる蒸発層が設けられている。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic thin-film light-emitting display in which an upper electrode can be easily patterned into an arbitrary shape by laser processing without damaging an element, and which has low cost and good productivity. I will provide a. A substrate, a lower electrode formed on the substrate, an organic electroluminescence medium layer including at least a light-emitting layer provided on the lower electrode, and formed on the organic electroluminescence medium layer An organic thin-film light-emitting display having an upper electrode, wherein the lower electrode, the organic electroluminescence medium layer, and an overlapping portion of the upper electrode each have a light-emitting pixel, wherein the upper electrode and the organic electroluminescence The media layer is
In an organic thin-film light emitting display that is patterned into a predetermined shape by laser processing, a material having a lower melting point than the upper electrode between the lower electrode and the organic electroluminescent medium layer and at least the laser-processed portion. Is provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス(以下、単に「EL」とも称する)素子に
関し、詳しくは、フラットパネルディスプレイ等に用い
られる、有機薄膜発光ディスプレイに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence (hereinafter, also referred to simply as "EL") element, and more particularly, to an organic thin-film light-emitting display used for a flat panel display or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】有機EL素子は、一般に、図2(a)お
よび(b)に示すような、透明基板1上に、ITO等か
らなる陽極の透明電極(下部電極)2と、有機物からな
る正孔輸送層4aおよび発光層4bを含む有機EL媒体
層4と、陰極である金属電極(上部電極)5とが順次形
成された、有機層が2層構造のもの(Appl. Ph
ys. Lett. 51巻、913頁、1987年)
や、陰極5と発光層4bとの間にさらに電子輸送層4c
を形成した、有機層が3層構造のものが知られている。
また、最近では、陽極2と正孔輸送層4aとの間に正孔
注入層を形成した4層構造のものもある(例えば、SI
D 97 DIGEST、1073頁、1997年)。
2. Description of the Related Art As shown in FIGS. 2A and 2B, an organic EL device is generally composed of a transparent electrode (lower electrode) 2 of an anode made of ITO or the like and an organic material on a transparent substrate 1 as shown in FIGS. An organic EL medium layer 4 including a hole transport layer 4a and a light emitting layer 4b, and a metal electrode (upper electrode) 5 serving as a cathode are sequentially formed. The organic layer has a two-layer structure (Appl. Ph.
ys. Lett. 51, 913, 1987)
And an electron transport layer 4c between the cathode 5 and the light emitting layer 4b.
Are known, in which the organic layer has a three-layer structure.
Recently, there is also a four-layer structure in which a hole injection layer is formed between the anode 2 and the hole transport layer 4a (for example, SI
D 97 DIGEST, p. 1073, 1997).

【0003】図2に示す有機EL素子を用いた有機薄膜
発光ディスプレイには、例えば、図3に示すようなX、
Yマトリクス型(単純マトリクス型)がある。この有機
薄膜発光ディスプレイは、透明ガラス基板1上に、IT
O等の複数の透明電極2と、正孔輸送層4aおよび発光
層4bからなる有機EL媒体層4と、透明電極2と直交
する方向の金属陰極(上部電極)5と、を順に積層して
形成される。正孔輸送層と、発光層と、所望に応じてさ
らに電子輸送層とを挟持して、互いに直交する方向に対
をなして形成される透明陽極および金属陰極により有機
EL素子となる発光部が形成され、この透明陽極および
金属陰極の各々の交差領域の発光部を1単位として1画
素が形成される。このような複数個の有機EL素子を画
素数に応じて一枚の素子基板上に形成したパネルを、そ
の周囲から突出した透明陽極および金属陰極を介して駆
動することによって、フラットパネルディスプレイ装置
が構成される。
[0003] In an organic thin-film light emitting display using the organic EL element shown in FIG. 2, for example, X, as shown in FIG.
There is a Y matrix type (simple matrix type). This organic thin-film light emitting display has an IT
A plurality of transparent electrodes 2 such as O, an organic EL medium layer 4 including a hole transport layer 4a and a light emitting layer 4b, and a metal cathode (upper electrode) 5 in a direction orthogonal to the transparent electrode 2 are sequentially laminated. It is formed. A light-emitting portion serving as an organic EL element is formed by a transparent anode and a metal cathode formed in pairs in directions orthogonal to each other with the hole transport layer, the light-emitting layer, and, if desired, further interposed the electron transport layer. One pixel is formed by using the light emitting portion in the intersection area of each of the transparent anode and the metal cathode as one unit. By driving a panel in which a plurality of such organic EL elements are formed on a single element substrate in accordance with the number of pixels through a transparent anode and a metal cathode protruding from the periphery thereof, a flat panel display device is realized. Be composed.

【0004】一般に、下部電極である陽極のパターニン
グは、基板上に陽極材料を成膜した後、フォトリソグラ
フィ法により行われる。即ち、陽極膜上にフォトレジス
トを塗布して、露光、現像を行い、レジストを所望の形
状にパターニングした後に陽極材料をエッチングして、
レジストを剥離する。
Generally, the patterning of the anode as the lower electrode is performed by a photolithography method after forming an anode material on a substrate. That is, a photoresist is applied on the anode film, exposed and developed, and after the resist is patterned into a desired shape, the anode material is etched.
The resist is stripped.

【0005】一方、電荷注入層や発光層に用いられる有
機EL媒体の耐熱性、耐溶剤性、耐湿性の低さのため
に、上部電極をフォトリソグラフィ法によってパターニ
ングすることは極めて困難である。蒸着マスクを用いて
パターニングする方法(特開平9−320758号公報
を参照)もあるが、この場合、基板とマスクとの密着不
良によって蒸着物の回り込みによるパターンぼけが生じ
たり、マスク部の細い微細なパターンを形成しようとす
るとマスクの強度不良によりマスクが撓んでしまう等の
問題が生じ、精度のよいパターンを形成することができ
ない。
On the other hand, it is extremely difficult to pattern the upper electrode by photolithography because of the low heat resistance, solvent resistance and moisture resistance of the organic EL medium used for the charge injection layer and the light emitting layer. There is also a method of patterning using an evaporation mask (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-320758). In this case, however, poor adhesion between the substrate and the mask causes pattern blurring due to the wraparound of the evaporation material, or a fine and fine If an attempt is made to form a precise pattern, problems such as bending of the mask due to poor strength of the mask occur, and an accurate pattern cannot be formed.

【0006】このような問題を解決する方法として、エ
キシマレーザーやYAGレーザー等を用いたレーザー加
工が提案されている(特開平8−222371号、特開
平9−320760号公報を参照)。一般に、有機EL
媒体上に形成される陰極は、AlやMg等の金属の単体
もしくはこれらの合金であり、金属光沢を有するため、
加工に用いるレーザー光を高い反射率で反射してしま
い、加工しようとする部分がレーザー光から加工に必要
な熱を十分吸収するためには高いレーザー光強度が必要
である。しかし、このような高強度のレーザーを用いた
場合、広範囲に熱が分散して、レーザー光照射部周辺の
有機層がダメージを受けたり、加工する陰極部分の下層
の陽極に損傷が生ずる等の問題が発生する。また、使用
するレーザー光の強度分布等によりレーザー光の弱い部
分がある場合、陰極が完全に除去されず、加工形成した
陰極ラインエッヂ周辺にバリが生じて、これが陽極との
短絡の原因になるという問題がある。これらの問題に対
しては、例えば、特開平9−50888号公報におい
て、陽極と有機EL媒体層との間に耐熱性を有するレー
ザー保護層を設けることや、陰極上にレーザー吸収層を
設けることが提案されている。
As a method for solving such a problem, laser processing using an excimer laser, a YAG laser, or the like has been proposed (see Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 8-222371 and 9-320760). Generally, organic EL
The cathode formed on the medium is a simple substance of a metal such as Al or Mg or an alloy thereof, and has a metallic luster.
Laser light used for processing is reflected at a high reflectance, and a high intensity of laser light is necessary for a portion to be processed to sufficiently absorb heat required for processing from the laser light. However, when such a high-intensity laser is used, heat is dispersed over a wide area, and the organic layer around the laser beam irradiation part is damaged, and the anode under the cathode part to be processed is damaged. Problems arise. In addition, when there is a weak portion of the laser beam due to the intensity distribution of the laser beam to be used, the cathode is not completely removed, and burrs are generated around the processed cathode line edge, which causes a short circuit with the anode. There is a problem. To solve these problems, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-50888 discloses that a laser protective layer having heat resistance is provided between an anode and an organic EL medium layer, and a laser absorbing layer is provided on a cathode. Has been proposed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、陰極
(上部電極)の下地に陰極材料よりも融点の低い有機E
L媒体等の有機膜が存在する部分(図4中に示す9)で
は、レーザー照射時にその有機膜の蒸発が陰極の除去を
補助するため、陰極加工に要するレーザー出力は、下地
に有機膜のない部分(図4中に示す10)の加工に必要
な出力と比較して小さくなる。従って、レーザーを用い
て陰極(上部電極)加工を行う場合には未加工不良を防
ぐためにレーザー出力を下地に有機膜がない部分に合わ
せる必要があるが、このとき、下地に有機膜が存在する
部分では、レーザー出力が過剰となってしまうためにレ
ーザー光照射部周辺に熱が蓄積し、発光に関わる有機層
がダメージを受けて、ディスプレイを作製した際に画素
内で非発光領域が形成されるという問題があり、これは
上記技術によっては解消されていなかった。
However, under the cathode (upper electrode), an organic E having a lower melting point than the cathode material is used.
In the portion where the organic film such as the L medium exists (9 in FIG. 4), the evaporation of the organic film at the time of laser irradiation assists the removal of the cathode. The output becomes smaller as compared with the output required for machining the portion (10 shown in FIG. 4) that does not exist. Therefore, when processing the cathode (upper electrode) using a laser, it is necessary to adjust the laser output to a portion where there is no organic film on the base in order to prevent unprocessed defects. At this time, the organic film exists on the base. In some areas, heat builds up around the laser light-irradiated area due to excessive laser output, damaging the organic layer involved in light emission, and forming non-light-emitting areas in the pixels when the display is manufactured. This problem has not been solved by the above technology.

【0008】これに対し、下地に応じてレーザー出力を
変更しつつ加工を行うという手段が考えられるが、レー
ザー出力の調整と加工ステージの移動とを同時に自動制
御する機能を付加すると、加工装置が高価になるという
難点がある。また、レーザー出力を一定にして繰返し照
射回数を変更するという手段も考えられるが、この場
合、下地に有機膜がない部分ではレーザーのスキャンス
ピードを落としたり、複数回スキャンを行うことになる
ため、加工時間が増大して生産性が低下するとの問題を
生ずる。即ち、レーザー光による有機ELディスプレイ
の上部電極のパターニングは、有効な手段ではあるもの
の、依然として解決すべき問題点を有するものであっ
た。
On the other hand, there is a method of processing while changing the laser output in accordance with the base. However, if a function for automatically controlling the adjustment of the laser output and the movement of the processing stage is added at the same time, the processing apparatus is required. There is a drawback that it becomes expensive. It is also conceivable to change the number of times of irradiation repeatedly while keeping the laser output constant.In this case, however, the scanning speed of the laser is reduced or the scanning is performed multiple times in a portion where there is no organic film on the base. There is a problem that the processing time increases and the productivity decreases. That is, although the patterning of the upper electrode of the organic EL display by laser light is an effective means, it still has a problem to be solved.

【0009】そこで本発明の目的は、上記課題を解消し
て、レーザー加工により、素子に損傷を与えることな
く、容易に上部電極を任意の形状にパターニングするこ
とができ、かつ、低コストで生産性の良好な有機薄膜発
光ディスプレイを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to easily pattern an upper electrode into an arbitrary shape by laser processing without damaging the element, and to produce the electrode at low cost. An object of the present invention is to provide an organic thin-film light-emitting display having good properties.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の有機薄膜発光ディスプレイは、基板と、該
基板上に形成された下部電極と、該下部電極上に設けら
れた、少なくとも発光層を含む有機エレクトロルミネッ
センス媒体層と、該有機エレクトロルミネッセンス媒体
層上に形成された上部電極とを有し、該下部電極と、該
有機エレクトロルミネッセンス媒体層と、該上部電極と
の重なった部分を夫々発光画素とする有機薄膜発光ディ
スプレイであって、前記上部電極と前記有機エレクトロ
ルミネッセンス媒体層とが、レーザー加工により所定の
形状にパターニングされてなる有機薄膜発光ディスプレ
イにおいて、前記下部電極と前記有機エレクトロルミネ
ッセンス媒体層との間であって少なくとも前記レーザー
加工部に、前記上部電極よりも融点の低い材料からなる
蒸発層が設けられていることを特徴とするものである。
In order to solve the above problems, an organic thin film light emitting display according to the present invention comprises a substrate, a lower electrode formed on the substrate, and at least a lower electrode provided on the lower electrode. An organic electroluminescence medium layer including a light emitting layer, and an upper electrode formed on the organic electroluminescence medium layer, and a portion where the lower electrode, the organic electroluminescence medium layer, and the upper electrode overlap each other. An organic thin-film light-emitting display, each having a light-emitting pixel, wherein the upper electrode and the organic electroluminescent medium layer are patterned into a predetermined shape by laser processing, wherein the lower electrode and the organic Between the electroluminescent medium layer and at least the laser-processed portion, It is characterized in that the evaporation layer consisting of low melting point material is provided than the electrode.

【0011】本発明においては、前記蒸発層が有機化合
物、特には、光感応性樹脂からなることが好ましい。ま
た、前記蒸発層が、前記レーザー加工部であって、前記
上部電極の下部に前記有機エレクトロルミネッセンス媒
体層が存在しない部分に設けられていることが好まし
い。
In the present invention, it is preferable that the evaporating layer is made of an organic compound, particularly, a photosensitive resin. Further, it is preferable that the evaporation layer is provided in a portion where the organic electroluminescence medium layer does not exist below the upper electrode in the laser processing portion.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の有機薄膜発光ディ
スプレイの実施の形態について、図面を参照しながら詳
細に説明する。図1は、本発明の有機薄膜発光ディスプ
レイの概略を示す部分斜視図であり、基板1上に、スト
ライプ状に配列された下部電極2(陽極)と、基板1お
よび下部電極2上に、これと直交する方向に形成された
蒸発層3と、少なくとも下部電極2と上部電極5との交
差部分に存在するよう成膜された有機EL媒体層4と、
さらにこの上に形成された上部電極5とから構成されて
いる。この上部電極5には、図示するように、レーザー
光加工により加工部が設けられ、これにより複数の上部
電極ライン5’が形成されている。下部電極2と上部電
極ライン5’とが交差して有機EL媒体層4を挟持する
部分が発光部に対応し、一画素を形成している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the organic thin-film light emitting display of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a partial perspective view schematically showing an organic thin-film light emitting display of the present invention, in which a lower electrode 2 (anode) arranged in a stripe on a substrate 1 and a lower electrode 2 on the substrate 1 and the lower electrode 2. An organic EL medium layer 4 formed so as to be present at least at an intersection of the lower electrode 2 and the upper electrode 5;
Further, the upper electrode 5 is formed thereon. As shown, the upper electrode 5 is provided with a processed portion by laser light processing, thereby forming a plurality of upper electrode lines 5 '. The portion where the lower electrode 2 and the upper electrode line 5 'intersect and sandwich the organic EL medium layer 4 corresponds to the light emitting portion, and forms one pixel.

【0013】本発明においては、蒸発層3が、下部電極
2と有機EL媒体層4との間の少なくともレーザー加工
部において、上部電極5よりも融点の低い材料から形成
されていればよく、他の条件等は適宜設定することが可
能である。これにより、上部電極2の下地には有機EL
媒体層または蒸発層3が必ず存在することとなり、レー
ザー光照射時には、有機EL媒体層4が存在しない部分
では、蒸発層3が有機EL媒体層4と同様に上部電極の
除去を補助することで、一定の、しかもより小さなレー
ザー出力で、部分的なスキャン回数の変更を要せずに、
均一な上部電極の加工を行うことができる。また、蒸発
層3は融点が低いためにレーザー光の熱を吸収して蒸発
しやすいことから、周囲に熱が拡散しにくく、発光層や
下部電極2(陽極)等に対し損傷を与えることがない。
In the present invention, it is sufficient that the evaporation layer 3 is formed of a material having a lower melting point than the upper electrode 5 at least in the laser-processed portion between the lower electrode 2 and the organic EL medium layer 4. Can be appropriately set. Thereby, the organic EL is formed under the upper electrode 2.
The medium layer or the evaporation layer 3 always exists, and at the time of laser beam irradiation, in the portion where the organic EL medium layer 4 does not exist, the evaporation layer 3 assists the removal of the upper electrode similarly to the organic EL medium layer 4. , With a constant and smaller laser power, without the need to change the number of partial scans,
Uniform processing of the upper electrode can be performed. Further, since the evaporating layer 3 has a low melting point, it easily absorbs heat of the laser beam and easily evaporates. Therefore, heat is hardly diffused to the surroundings, and the light emitting layer and the lower electrode 2 (anode) may be damaged. Absent.

【0014】蒸発層3の材料としては、上述のように、
上部電極5よりも低融点、好適には、有機EL媒体層4
に用いる材料の融点に近い融点の材料であれば特に制限
はないが、有機化合物、特には、光感応性樹脂からなる
ことが好ましい。例えば、一般的なフォトレジスト材料
を用いて、スピンコート法にて成膜し、プリベークの
後、露光、現像、所望に応じポストべーク、の各工程を
順次行うことにより形成することができる。
As described above, the material of the evaporating layer 3 is as follows.
Melting point lower than upper electrode 5, preferably organic EL medium layer 4
There is no particular limitation as long as the material has a melting point close to the melting point of the material used in the above, but it is preferable that the material is made of an organic compound, particularly a photosensitive resin. For example, using a general photoresist material, a film is formed by a spin coating method, and after pre-baking, it can be formed by sequentially performing each step of exposure, development, and post-baking as desired. .

【0015】基板1としては、石英やガラス板の他に、
ポリエステル、ポリメタクリルアクリレート、ポリカー
ボネート、ポリサルホン等の透明な合成樹脂板を用いる
ことができる。また、金属板や金属箔、プラスティック
フィルム等を用いてもよい。
As the substrate 1, besides quartz and a glass plate,
A transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacryl acrylate, polycarbonate, and polysulfone can be used. Further, a metal plate, a metal foil, a plastic film, or the like may be used.

【0016】下部電極2は、陽極であっても陰極であっ
てもよいが、基板1を透明基板とする場合には、陽極と
して正孔注入の役割を担わせる。このように基板1およ
び下部電極を透明にした場合には、発光は基板1側から
取り出すことになるが、これとは逆に、上部電極5’を
透明電極材料で構成して、発光を上部電極側から取り出
すこともできる。この場合は、光の取り出し効率を高め
るために、下部電極材料に金属を用いるか、基板の成膜
面とは反対側の面に反射膜を形成することが好ましい。
陽極用の材料としては、ITO(In23+SnO2
インジウムスズ酸化物)、インジウム亜鉛酸化物(In
23+ZnO)等を挙げることができる。また、これら
透明導電膜と金属膜との積層体を用いてもよい。
The lower electrode 2 may be either an anode or a cathode. However, when the substrate 1 is a transparent substrate, the lower electrode 2 serves as an anode to play a role of hole injection. When the substrate 1 and the lower electrode are made transparent as described above, light emission is extracted from the substrate 1 side. Conversely, the upper electrode 5 ′ is made of a transparent electrode material, and the light emission is made upper. It can also be taken out from the electrode side. In this case, in order to increase the light extraction efficiency, it is preferable to use a metal for the lower electrode material or to form a reflective film on the surface opposite to the film formation surface of the substrate.
Materials for the anode include ITO (In 2 O 3 + SnO 2 ,
Indium tin oxide), indium zinc oxide (In
2 O 3 + ZnO) and the like. Alternatively, a laminate of these transparent conductive films and a metal film may be used.

【0017】下部電極2の形成方法は特に制限されず、
慣用の方法、例えば、スパッタリング法等により成膜
し、フォトリソグラフィ法によりストライプ状に加工す
ることができる。また、下部電極2は、ラインエッヂが
テーパー形状となるよう形成することが好ましい。
The method for forming the lower electrode 2 is not particularly limited.
A film can be formed by a conventional method, for example, a sputtering method, and processed into a stripe by a photolithography method. Further, the lower electrode 2 is preferably formed so that the line edge has a tapered shape.

【0018】有機EL媒体層4は、発光層の単一層、正
孔輸送層および発光層の2層構造、または、正孔輸送
層、発光層および電子輸送層の3層構造等の種々の構成
とすることができる。また、有機EL媒体層4の材料と
しては、例えば、銅フタロシアニン、N,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ビス(3メチルフェニル)−1,1’
−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)、トリス
(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)等を挙
げることができる。
The organic EL medium layer 4 has various structures such as a single layer of a light-emitting layer, a two-layer structure of a hole transport layer and a light-emitting layer, or a three-layer structure of a hole transport layer, a light-emitting layer and an electron transport layer. It can be. Examples of the material of the organic EL medium layer 4 include copper phthalocyanine, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1 ′.
- biphenyl-4,4'-diamine (TPD), tris (8-quinolinol) can be mentioned aluminum (Alq 3) or the like.

【0019】また、上部電極5は、例えば、Al−Li
合金などを用いて形成することができ、本発明において
は、上部電極5を成膜した後、レーザー加工を用いて上
部電極ライン5’および有機EL媒体層4を所定の形状
にパターニングする。かかるレーザー加工部には本発明
に係る蒸発層3が設けられているため、一定の低強度レ
ーザー光により、下部に有機EL媒体層4が存在しない
部分においても一様に上部電極5を加工することが可能
となる。
The upper electrode 5 is made of, for example, Al-Li
In the present invention, after forming the upper electrode 5, the upper electrode line 5 ′ and the organic EL medium layer 4 are patterned into a predetermined shape using laser processing. Since the laser processing section is provided with the evaporating layer 3 according to the present invention, the upper electrode 5 is uniformly processed by a constant low-intensity laser beam even in a portion where the organic EL medium layer 4 does not exist below. It becomes possible.

【0020】レーザー加工は、エキシマレーザー(Ar
F、KrF、XeCl)や、YAGレーザー(SHG、
THG、FHG含む)等を用いて行うことができ、レー
ザー光をレンズにより数十〜数百μmに絞って走査した
り、面光源として用い、加工部のみを透過するようなマ
スクを用いて基板に対し照射する。尚、レーザー光の強
度は、蒸発層3を蒸発させて、さらに下部電極2まで傷
つけることがないよう、適切に調整する必要がある。
Laser processing is performed using an excimer laser (Ar
F, KrF, XeCl) and YAG laser (SHG,
THG, FHG) (including THG), etc., and scans with a laser beam focused to several tens to several hundreds of μm using a lens, or as a surface light source, using a mask that transmits only through the processed part. Irradiation. The intensity of the laser beam needs to be appropriately adjusted so that the evaporation layer 3 is not evaporated and the lower electrode 2 is not damaged.

【0021】[0021]

【実施例】以下、本発明を、実施例を用いてより詳細に
説明する。本発明の有機薄膜発光ディスプレイを、図5
に示す製造工程に従い製造した。最初に、ガラス製の透
明基板1上に、ITOからなる透明電極材料をスパッタ
リング法にて成膜し、フォトリソグラフィ法によりスト
ライプ状に加工して、透明な下部電極2を形成した(図
5(a))。下部電極2は、膜厚約100nm、線幅9
0μm、ギャップ20μmとした。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. The organic thin film light emitting display of the present invention is shown in FIG.
In accordance with the manufacturing process shown in FIG. First, a transparent electrode material made of ITO is formed on a transparent substrate 1 made of glass by a sputtering method and processed into a stripe shape by a photolithography method to form a transparent lower electrode 2 (FIG. 5 ( a)). The lower electrode 2 has a thickness of about 100 nm and a line width of 9 nm.
The thickness was set to 0 μm and the gap was set to 20 μm.

【0022】次に、下部電極2が形成された基板1上
に、ノボラック系樹脂を用いたポジ型フォトレジスト
(東京応化製、OFPR−800)をスピンコート法に
て成膜して、通常のフォトリソグラフィ法により、画素
領域7が除去されるようにパターニングを行って、蒸発
層3を形成した(図5(b))。即ち、膜厚約1.2μ
mに成膜した後、クリーンオーブンにてプリベークを行
い、線幅30μm、ギャップ300μmのライン形状の
マスクを用いて露光、現像を行うことにより、蒸発層3
とした。
Next, on the substrate 1 on which the lower electrode 2 is formed, a positive type photoresist (OFPR-800, manufactured by Tokyo Ohka) using a novolak resin is formed into a film by a spin coating method. The evaporation layer 3 was formed by patterning by photolithography so that the pixel region 7 was removed (FIG. 5B). That is, the film thickness is about 1.2 μm.
m, a pre-bake is performed in a clean oven, and exposure and development are performed using a line-shaped mask having a line width of 30 μm and a gap of 300 μm.
And

【0023】次に、図5(c)に示すように、下部電極
2および蒸発層3上に有機EL媒体層4および上部電極
5を、抵抗加熱法により順次真空蒸着した。有機EL媒
体層4の蒸着は以下のように行った。まず、N,N’−
ジフェニル−N,N’−ビス(3メチルフェニル)−
1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)
からなる有機正孔輸送層4aと、トリス(8−キノリノ
ール)アルミニウム(Alq3)からなる発光層4bと
を、夫々膜厚約50nmにて成膜し、さらに、上部電極
層としてのAl−Li合金を膜厚約100nmとなるよ
うに成膜した。
Next, as shown in FIG. 5C, an organic EL medium layer 4 and an upper electrode 5 were sequentially vacuum-deposited on the lower electrode 2 and the evaporating layer 3 by a resistance heating method. The deposition of the organic EL medium layer 4 was performed as follows. First, N, N'-
Diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl)-
1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD)
An organic hole transport layer 4a made of and a light emitting layer 4b made of tris (8-quinolinol) aluminum (Alq 3 ) are each formed to a thickness of about 50 nm, and further, Al—Li as an upper electrode layer is formed. The alloy was deposited to a thickness of about 100 nm.

【0024】次に、図5(d)に示すように、レーザー
加工部6に対し上方よりレーザー光8を照射して、レー
ザー加工部6の蒸発層3、有機EL媒体層4および上部
電極5を蒸発させて除去し、図5(e)に示すように上
部電極5’を分離した。このようにして、図5(b)の
画素領域7に対応した複数の画素が形成された良好な有
機薄膜発光ディスプレイを得ることができた。
Next, as shown in FIG. 5D, a laser beam 8 is applied to the laser processing section 6 from above, thereby evaporating the layer 3, the organic EL medium layer 4, and the upper electrode 5 of the laser processing section 6. Was removed by evaporation, and the upper electrode 5 ′ was separated as shown in FIG. In this way, a good organic thin-film light emitting display in which a plurality of pixels corresponding to the pixel region 7 in FIG. 5B were formed was obtained.

【0025】尚、レーザー加工には、住友重機械工業
製、EX−700シリーズ エキシマレーザー加工装置
(KrFレーザー:Lumonics社製、PM−84
8K型レーザー発振器)を使用した。マスクとレンズを
用い、レーザー光を線幅20μmに絞って走査すること
により、レーザー出力100mJ/pulse〜450
mJ/pulseの範囲で、下層に影響されることな
く、良好な上部電極加工が得られた。
For laser processing, an EX-700 series excimer laser processing apparatus (KrF laser: manufactured by Lumonics, PM-84, manufactured by Sumitomo Heavy Industries, Ltd.)
8K laser oscillator) was used. By using a mask and a lens and scanning with a laser beam focused to a line width of 20 μm, a laser output of 100 mJ / pulse to 450 m
In the range of mJ / pulse, favorable upper electrode processing was obtained without being affected by the lower layer.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の有機
薄膜発光ディスプレイによれば、下部電極と有機EL媒
体層との間の少なくともレーザー加工部に、被加工電極
よりも融点の低い材料からなる蒸発層を設けることによ
り、上部電極の加工部の下層に少なくとも有機EL媒体
層または蒸発層が存在するために、下層に依存すること
なく、一定の、より低いレーザー光強度により、任意の
形状の上部電極を一様に加工することが可能となる。ま
た、本発明に係る蒸発層はレーザー加工時の下部電極の
損傷を防ぐ機能も有するため、歩留りのよい製造が可能
であり、生産性を向上し、低コスト化をも図ることがで
きるものである。
As described above, according to the organic thin-film light emitting display of the present invention, at least the laser-processed portion between the lower electrode and the organic EL medium layer is made of a material having a lower melting point than the electrode to be processed. By providing the vaporized layer, there is at least the organic EL medium layer or the vaporized layer below the processed portion of the upper electrode. Can be uniformly processed. Further, since the evaporating layer according to the present invention also has a function of preventing damage to the lower electrode during laser processing, it is possible to manufacture with a good yield, improve productivity, and achieve cost reduction. is there.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一例の有機薄膜発光ディスプレイを示
す切欠部分斜視図である。
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing an example of an organic thin-film light emitting display of the present invention.

【図2】有機エレクトロルミネッセンス素子を示す部分
断面図である。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing an organic electroluminescence element.

【図3】一般的な有機薄膜発光ディスプレイの構成を示
す切欠斜視図である。
FIG. 3 is a cutaway perspective view showing a configuration of a general organic thin film light emitting display.

【図4】従来の有機薄膜発光ディスプレイを示す部分斜
視図である。
FIG. 4 is a partial perspective view showing a conventional organic thin film light emitting display.

【図5】本発明の有機薄膜発光ディスプレイの製造工程
を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view showing a manufacturing process of the organic thin film light emitting display of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 下部電極 3 蒸発層 4 有機EL媒体層 4a 正孔輸送層 4b 発光層 4c 電子輸送層 5 上部電極 5’ 上部電極ライン 6 レーザー加工部 7 画素領域 8 レーザー光 9 上部電極の下層が有機化合物層である部分 10 上部電極の下層に有機化合物が無い部分 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Lower electrode 3 Evaporation layer 4 Organic EL medium layer 4a Hole transport layer 4b Emission layer 4c Electron transport layer 5 Upper electrode 5 'Upper electrode line 6 Laser processing part 7 Pixel area 8 Laser light 9 Lower layer of upper electrode is organic Part which is a compound layer 10 Part where there is no organic compound in the lower layer of the upper electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/14 H05B 33/22 Z 33/22 B23K 101:36 // B23K 101:36 H01L 21/302 Z Fターム(参考) 3K007 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EA02 EB00 FA01 4E068 AC00 DA09 5F004 AA01 AA06 BA20 BB03 BB04 DB12 DB26 DB31 EA00 EA01 EB02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 33/14 H05B 33/22 Z 33/22 B23K 101: 36 // B23K 101: 36 H01L 21/302 Z F term (reference) 3K007 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EA02 EB00 FA01 4E068 AC00 DA09 5F004 AA01 AA06 BA20 BB03 BB04 DB12 DB26 DB31 EA00 EA01 EB02

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板と、該基板上に形成された下部電極
と、該下部電極上に設けられた、少なくとも発光層を含
む有機エレクトロルミネッセンス媒体層と、該有機エレ
クトロルミネッセンス媒体層上に形成された上部電極と
を有し、該下部電極と、該有機エレクトロルミネッセン
ス媒体層と、該上部電極との重なった部分を夫々発光画
素とする有機薄膜発光ディスプレイであって、前記上部
電極と前記有機エレクトロルミネッセンス媒体層とが、
レーザー加工により所定の形状にパターニングされてな
る有機薄膜発光ディスプレイにおいて、 前記下部電極と前記有機エレクトロルミネッセンス媒体
層との間であって少なくとも前記レーザー加工部に、前
記上部電極よりも融点の低い材料からなる蒸発層が設け
られていることを特徴とする有機薄膜発光ディスプレ
イ。
1. A substrate, a lower electrode formed on the substrate, an organic electroluminescence medium layer including at least a light emitting layer provided on the lower electrode, and formed on the organic electroluminescence medium layer An organic thin-film light-emitting display having an upper electrode, wherein the lower electrode, the organic electroluminescence medium layer, and an overlapping portion of the upper electrode each have a light-emitting pixel. The luminescent medium layer
In an organic thin-film light emitting display that is patterned into a predetermined shape by laser processing, between the lower electrode and the organic electroluminescent medium layer and at least the laser-processed portion, from a material having a lower melting point than the upper electrode. An organic thin-film light-emitting display comprising an evaporation layer.
【請求項2】 前記蒸発層が有機化合物からなる請求項
1記載の有機薄膜発光ディスプレイ。
2. The organic thin-film light emitting display according to claim 1, wherein said evaporating layer comprises an organic compound.
【請求項3】 前記蒸発層が光感応性樹脂からなる請求
項1または2記載の有機薄膜発光ディスプレイ。
3. The organic thin-film light emitting display according to claim 1, wherein said evaporating layer is made of a photosensitive resin.
【請求項4】 前記蒸発層が、前記レーザー加工部であ
って、前記上部電極の下部に前記有機エレクトロルミネ
ッセンス媒体層が存在しない部分に設けられている請求
項1〜3のうちいずれか一項記載の有機薄膜発光ディス
プレイ。
4. The laser processing unit according to claim 1, wherein the evaporation layer is provided in a portion where the organic electroluminescence medium layer does not exist below the upper electrode. The organic thin-film light-emitting display according to the above.
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