JP2001242014A - 基板の温度測定方法および処理方法 - Google Patents
基板の温度測定方法および処理方法Info
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- G01K7/36—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using magnetic elements, e.g. magnets, coils
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来に比べて正確に基板の温度を測定すること
ができ、精度良く基板の処理を行うことのできる基板の
温度測定方法および処理方法を提供する。 【解決手段】ＬＣ回路１が形成されたダミーウエハＤＷ
の近傍に、ＤＩＰメーター２０を設け、ＤＩＰメーター
２０によりＬＣ回路１の共振周波数を検出し、この検出
結果から演算装置２４によりダミーウエハＤＷの温度を
算出する。
ができ、精度良く基板の処理を行うことのできる基板の
温度測定方法および処理方法を提供する。 【解決手段】ＬＣ回路１が形成されたダミーウエハＤＷ
の近傍に、ＤＩＰメーター２０を設け、ＤＩＰメーター
２０によりＬＣ回路１の共振周波数を検出し、この検出
結果から演算装置２４によりダミーウエハＤＷの温度を
算出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の温度測定方
法および基板の処理方法に係り、特に、半導体装置の製
造プロセスにおける半導体ウエハ（以下、ウエハとい
う。）や、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造プロセスにお
けるＬＣＤ基板等の温度測定方法および処理方法に関す
る。
法および基板の処理方法に係り、特に、半導体装置の製
造プロセスにおける半導体ウエハ（以下、ウエハとい
う。）や、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造プロセスにお
けるＬＣＤ基板等の温度測定方法および処理方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の製造プロセスや、液
晶表示装置（ＬＣＤ）の製造プロセスにおいては、その
回路パターンが微細化される傾向にあり、各種プロセス
における処理精度を向上させるため、ウエハやＬＣＤ基
板等の温度を精度良く管理しつつ各プロセスを行う必要
性が高まっている。
晶表示装置（ＬＣＤ）の製造プロセスにおいては、その
回路パターンが微細化される傾向にあり、各種プロセス
における処理精度を向上させるため、ウエハやＬＣＤ基
板等の温度を精度良く管理しつつ各プロセスを行う必要
性が高まっている。
【０００３】従来、半導体装置の製造プロセスにおける
ウエハ、および、液晶表示装置の製造プロセスにおける
ＬＣＤ基板等の温度を測定する方法としては、熱電対や
放射温度計を使用した温度測定方法が知られている。
ウエハ、および、液晶表示装置の製造プロセスにおける
ＬＣＤ基板等の温度を測定する方法としては、熱電対や
放射温度計を使用した温度測定方法が知られている。
【０００４】しかしながら、上記温度測定方法のうち、
熱電対を用いた温度測定方法では、測定対象の基板等に
熱電対を確実に接触させなければならず、また、熱電対
に接続されたリード線が存在するため、このリード線を
引き回す必要があるという問題があった。
熱電対を用いた温度測定方法では、測定対象の基板等に
熱電対を確実に接触させなければならず、また、熱電対
に接続されたリード線が存在するため、このリード線を
引き回す必要があるという問題があった。
【０００５】また、放射温度計を使用した温度測定方法
では、ウエハに非接触で温度測定を行えるという利点は
あるが、放射率が温度によって変化し、また、迷光の影
響を受けるため、正確な温度測定が困難であるという問
題があった。
では、ウエハに非接触で温度測定を行えるという利点は
あるが、放射率が温度によって変化し、また、迷光の影
響を受けるため、正確な温度測定が困難であるという問
題があった。
【０００６】また、上述したような問題を解決するた
め、特開平１０−１４２０６８号公報には、温度計側
部、制御部、メモリー部、演算部、データ送受信用アン
テナ、パワー受信用アンテナ等を設けた微小な温度測定
装置を、ウエハに貼り付け、この温度測定装置に外部か
らマイクロ波によって電力を供給して、上記制御部や演
算部等を作動させ、外部に温度測定信号を送出させるよ
うにした温度測定方法が開示されている。
め、特開平１０−１４２０６８号公報には、温度計側
部、制御部、メモリー部、演算部、データ送受信用アン
テナ、パワー受信用アンテナ等を設けた微小な温度測定
装置を、ウエハに貼り付け、この温度測定装置に外部か
らマイクロ波によって電力を供給して、上記制御部や演
算部等を作動させ、外部に温度測定信号を送出させるよ
うにした温度測定方法が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の方法では、温度測定対象のウエハに、制御部、
演算部、メモリ−部等の電子部品を組み込むため、これ
らの電子部品自体の特性が温度によって変化してしま
い、送出される温度測定信号が温度変化の影響を大きく
受け、温度を正確に測定できないという問題がある。
た従来の方法では、温度測定対象のウエハに、制御部、
演算部、メモリ−部等の電子部品を組み込むため、これ
らの電子部品自体の特性が温度によって変化してしま
い、送出される温度測定信号が温度変化の影響を大きく
受け、温度を正確に測定できないという問題がある。
【０００８】本発明は、上記従来の問題を解決するため
になされたもので、従来に比べて正確に基板の温度を測
定することができ、精度良く基板の処理を行うことので
きる基板の温度測定方法および処理方法を提供しようと
するものである。
になされたもので、従来に比べて正確に基板の温度を測
定することができ、精度良く基板の処理を行うことので
きる基板の温度測定方法および処理方法を提供しようと
するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
に少なくとも１つの共振回路を設け、前記共振回路に電
磁波を照射して、前記共振回路の共振周波数を検出し、
この検出された共振周波数から前記基板の温度を求める
ことを特徴とする。
に少なくとも１つの共振回路を設け、前記共振回路に電
磁波を照射して、前記共振回路の共振周波数を検出し、
この検出された共振周波数から前記基板の温度を求める
ことを特徴とする。
【００１０】請求項２の発明は、請求項１記載の基板の
温度測定方法において、前記共振回路が、前記基板上に
直接形成されたものであることを特徴とする。
温度測定方法において、前記共振回路が、前記基板上に
直接形成されたものであることを特徴とする。
【００１１】請求項３の発明は、請求項１記載の基板の
温度測定方法において、前記共振回路が、前記基板上に
貼り付けられたものであることを特徴とする。
温度測定方法において、前記共振回路が、前記基板上に
貼り付けられたものであることを特徴とする。
【００１２】請求項４の発明は、請求項１乃至３いずれ
か１項記載の基板の温度測定方法において、前記共振周
波数が０．１Ｍ〜１０００ＭＨｚであることを特徴とす
る。請求項５の発明は、請求項１乃至４いずれか１項記
載の基板の温度測定方法において、前記基板が、温度測
定用の基板であることを特徴とする。
か１項記載の基板の温度測定方法において、前記共振周
波数が０．１Ｍ〜１０００ＭＨｚであることを特徴とす
る。請求項５の発明は、請求項１乃至４いずれか１項記
載の基板の温度測定方法において、前記基板が、温度測
定用の基板であることを特徴とする。
【００１３】請求項６の発明は、請求項１乃至４いずれ
か１項記載の基板の温度測定方法において、前記基板
が、製品用の基板であることを特徴とする。
か１項記載の基板の温度測定方法において、前記基板
が、製品用の基板であることを特徴とする。
【００１４】請求項７の発明は、請求項６記載の基板の
温度測定方法によって温度測定を行いつつ前記基板の処
理を行い、前記温度測定の結果に基づいて、前記基板の
処理条件を変更することを特徴とする。
温度測定方法によって温度測定を行いつつ前記基板の処
理を行い、前記温度測定の結果に基づいて、前記基板の
処理条件を変更することを特徴とする。
【００１５】本発明の基板の温度測定方法および処理方
法によれば、基板に少なくとも１つの共振回路を設け、
この共振回路の共振周波数の温度依存性を利用すること
により、基板に複雑な電子回路等を設けることなく、か
つ、基板に対して非接触で遠隔的に基板の温度を測定す
ることができる。
法によれば、基板に少なくとも１つの共振回路を設け、
この共振回路の共振周波数の温度依存性を利用すること
により、基板に複雑な電子回路等を設けることなく、か
つ、基板に対して非接触で遠隔的に基板の温度を測定す
ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
温度測定方法について図面を参照しながら詳細に説明す
る。
温度測定方法について図面を参照しながら詳細に説明す
る。
【００１７】図１は、本発明の実施の形態に係る温度測
定方法を概略的に示したもので、同図に示すように、基
板としてのダミーウエハＤＷには、ある特定の周波数
（温度によって変動する。）で共振する共振回路として
ＬＣ回路１が形成されている。このＬＣ回路１は、コイ
ル２とコンデンサ３とからその主要部が構成されてお
り、通常の半導体装置を製造するのと同様なフォトリソ
グラフィ法等により、ダミーウエハＤＷ上に直接形成さ
れている。
定方法を概略的に示したもので、同図に示すように、基
板としてのダミーウエハＤＷには、ある特定の周波数
（温度によって変動する。）で共振する共振回路として
ＬＣ回路１が形成されている。このＬＣ回路１は、コイ
ル２とコンデンサ３とからその主要部が構成されてお
り、通常の半導体装置を製造するのと同様なフォトリソ
グラフィ法等により、ダミーウエハＤＷ上に直接形成さ
れている。
【００１８】なお、本実施の形態における上記ダミーウ
エハＤＷは、実際に半導体装置を製造するための製品用
ウエハと同様な形状に構成され、温度測定用にのみ使用
されるものである。つまり、製品用ウエハと同様に、例
えば、熱処理用のオーブン、エッチング装置、ＣＶＤ装
置等の処理室内のウエハ載置部にこのダミーウエハＤＷ
を配置し、これらの装置を実際の処理の際と同様に動作
させることによって、処理の際の実際の温度を測定する
ためのものである。
エハＤＷは、実際に半導体装置を製造するための製品用
ウエハと同様な形状に構成され、温度測定用にのみ使用
されるものである。つまり、製品用ウエハと同様に、例
えば、熱処理用のオーブン、エッチング装置、ＣＶＤ装
置等の処理室内のウエハ載置部にこのダミーウエハＤＷ
を配置し、これらの装置を実際の処理の際と同様に動作
させることによって、処理の際の実際の温度を測定する
ためのものである。
【００１９】ここで、図２および図３を参照して、フォ
トリソグラフィ法等により、ダミーウエハＤＷ上にＬＣ
回路１を直接形成する工程の一例を、説明する。
トリソグラフィ法等により、ダミーウエハＤＷ上にＬＣ
回路１を直接形成する工程の一例を、説明する。
【００２０】まず、ダミーウエハＤＷのＳｉ層１０上
に、例えばスピンコート法によりフォトレジスト１１を
均一に塗布し、所定パターンのマスクを介して露光し、
現像して、当該パターンを転写する（図２ａ（１）およ
び（２））。
に、例えばスピンコート法によりフォトレジスト１１を
均一に塗布し、所定パターンのマスクを介して露光し、
現像して、当該パターンを転写する（図２ａ（１）およ
び（２））。
【００２１】次に、フォトレジスト１１をマスクとして
Ｓｉ層１０に不純物イオンを打ち込むことにより、所定
形状の導電性領域１３を形成し、アッシング等によりマ
スクとして使用したフォトレジストを除去する（図２ｂ
（１）および（２））。
Ｓｉ層１０に不純物イオンを打ち込むことにより、所定
形状の導電性領域１３を形成し、アッシング等によりマ
スクとして使用したフォトレジストを除去する（図２ｂ
（１）および（２））。
【００２２】次に、ダミーウエハＤＷ上に、コンデンサ
内の誘電体となる誘電体層、例えばＳｉＯ2 層１４を、
ＣＶＤ法等により形成し、このＳｉＯ2 層１４に、フォ
トレジストをマスクとしたフォトリソグラフィ法等によ
り、コンタクトホール１５を形成する（図２ｃ（１）お
よび（２））。
内の誘電体となる誘電体層、例えばＳｉＯ2 層１４を、
ＣＶＤ法等により形成し、このＳｉＯ2 層１４に、フォ
トレジストをマスクとしたフォトリソグラフィ法等によ
り、コンタクトホール１５を形成する（図２ｃ（１）お
よび（２））。
【００２３】続いて、ＳｉＯ2 層１４上及びコンタクト
ホール１５内に、電極層となる導電層１６、例えばＰｏ
ｌｙ−Ｓｉ層やＡｌ層等を、ＣＶＤ法やスパッタ法等に
より形成し、さらに、その上にフォトレジスト１７を塗
布して露光、現像を行い、略渦巻き状のコイル部分と平
板状のコンデンサ部分及びこれらを接続する配線部分か
らなるフォトレジストパターンを形成する（図３ｄ
（１）および（２））。
ホール１５内に、電極層となる導電層１６、例えばＰｏ
ｌｙ−Ｓｉ層やＡｌ層等を、ＣＶＤ法やスパッタ法等に
より形成し、さらに、その上にフォトレジスト１７を塗
布して露光、現像を行い、略渦巻き状のコイル部分と平
板状のコンデンサ部分及びこれらを接続する配線部分か
らなるフォトレジストパターンを形成する（図３ｄ
（１）および（２））。
【００２４】その後、上記フォトレジストパターンをマ
スクとして、導電層１６をエッチングし、しかる後、ア
ッシングにより、マスクとして使用したフォトレジスト
を除去して、略渦巻き状のコイル部分と平板状のコンデ
ンサ部分及びこれらを接続する配線部分からなる導電層
パターン１９を形成する（図３ｅ（１）および
（２））。
スクとして、導電層１６をエッチングし、しかる後、ア
ッシングにより、マスクとして使用したフォトレジスト
を除去して、略渦巻き状のコイル部分と平板状のコンデ
ンサ部分及びこれらを接続する配線部分からなる導電層
パターン１９を形成する（図３ｅ（１）および
（２））。
【００２５】また、必要に応じて、上述のようにして形
成したＬＣ回路の上に保護膜を付ける。
成したＬＣ回路の上に保護膜を付ける。
【００２６】このようにして、ダミーウエハＤＷ上に、
導電性領域１３と導電層パターン１９がコンタクトホー
ル１５を介して接続され、かつ、誘電体層としてのＳｉ
Ｏ2層１４を挟んで導電性領域１３と導電層パターン１
９が配置され、さらに渦巻き状のコイル部分を有するＬ
Ｃ回路１を、直接形成することができる。
導電性領域１３と導電層パターン１９がコンタクトホー
ル１５を介して接続され、かつ、誘電体層としてのＳｉ
Ｏ2層１４を挟んで導電性領域１３と導電層パターン１
９が配置され、さらに渦巻き状のコイル部分を有するＬ
Ｃ回路１を、直接形成することができる。
【００２７】上記ＬＣ回路１は、必要に応じて、ダミー
ウエハＤＷ上の所定箇所に１又は複数形成され、夫々の
箇所の温度を検出可能とする。
ウエハＤＷ上の所定箇所に１又は複数形成され、夫々の
箇所の温度を検出可能とする。
【００２８】上述したようにしてＬＣ回路１が形成され
たダミーウエハＤＷの近傍には、図１に示すように、Ｌ
Ｃ回路１の共振周波数を検出するための手段として、例
えばＤＩＰメーター２０が設けられる。
たダミーウエハＤＷの近傍には、図１に示すように、Ｌ
Ｃ回路１の共振周波数を検出するための手段として、例
えばＤＩＰメーター２０が設けられる。
【００２９】上記ＤＩＰメーター２０は、アンテナ２２
から、所定周波数領域の電磁波を掃引するように発振
し、この電磁波の周波数がＬＣ回路１の共振周波数とな
った際に、ＬＣ回路１にエネルギーが吸収され、図４の
グラフに示すように落ち込むことを利用して、ＬＣ回路
１の共振周波数を検出可能に構成されている。
から、所定周波数領域の電磁波を掃引するように発振
し、この電磁波の周波数がＬＣ回路１の共振周波数とな
った際に、ＬＣ回路１にエネルギーが吸収され、図４の
グラフに示すように落ち込むことを利用して、ＬＣ回路
１の共振周波数を検出可能に構成されている。
【００３０】また、上記ＤＩＰメーター２０による検出
結果は、演算装置２４に入力され、この演算装置２４に
よって、ＬＣ回路１の共振周波数から、ダミーウエハＤ
Ｗの温度を算出する。
結果は、演算装置２４に入力され、この演算装置２４に
よって、ＬＣ回路１の共振周波数から、ダミーウエハＤ
Ｗの温度を算出する。
【００３１】すなわち、一般にＬＣ回路１の共振周波数
（ｆｒ）は、コイル２のインダクタンスをＬ、コンデン
サ３のキャパシタンスをＣとして、 ｆｒ＝１／［２π（ＬＣ）1/2 ］ と表される。
（ｆｒ）は、コイル２のインダクタンスをＬ、コンデン
サ３のキャパシタンスをＣとして、 ｆｒ＝１／［２π（ＬＣ）1/2 ］ と表される。
【００３２】また、コイル２のインダクタンスＬ、コン
デンサ３のキャパシタンスＣは、温度依存性があり、そ
の値が温度によって変化するので、共振周波数も温度に
よって変化し、例えば、縦軸を温度Ｔ、横軸を共振周波
数ｆｒとした図５のグラフに示すように変化する。
デンサ３のキャパシタンスＣは、温度依存性があり、そ
の値が温度によって変化するので、共振周波数も温度に
よって変化し、例えば、縦軸を温度Ｔ、横軸を共振周波
数ｆｒとした図５のグラフに示すように変化する。
【００３３】したがって、予めＬＣ回路１の温度Ｔと、
共振周波数ｆｒとの関係を求めておき、演算装置２４内
にデータとして蓄積しておくことで、その共振周波数ｆ
ｒの値からダミーウエハＤＷの正確な温度を求めること
ができる。
共振周波数ｆｒとの関係を求めておき、演算装置２４内
にデータとして蓄積しておくことで、その共振周波数ｆ
ｒの値からダミーウエハＤＷの正確な温度を求めること
ができる。
【００３４】なお、上記共振周波数ｆｒは、任意の周波
数とすることができるが、温度測定の分解能等から、約
０．１Ｍ〜１０００ＭＨｚ程度の周波数とすることが好
ましい。このため、ＬＣ回路１の共振周波数が上記周波
数の範囲となるよう、コイル２のインダクタンスの値、
および、コンデンサ３のキャパシタンスの値を選択する
ことが好ましい。
数とすることができるが、温度測定の分解能等から、約
０．１Ｍ〜１０００ＭＨｚ程度の周波数とすることが好
ましい。このため、ＬＣ回路１の共振周波数が上記周波
数の範囲となるよう、コイル２のインダクタンスの値、
および、コンデンサ３のキャパシタンスの値を選択する
ことが好ましい。
【００３５】上記のＬＣ回路１が形成されたダミ−ウエ
ハＤＷは、製品用ウエハの処理を開始する前等に、各種
の処理装置のウエハ処理部に配置され、製品用ウエハの
処理と同様な処理を行い、その時の温度を測定する。
ハＤＷは、製品用ウエハの処理を開始する前等に、各種
の処理装置のウエハ処理部に配置され、製品用ウエハの
処理と同様な処理を行い、その時の温度を測定する。
【００３６】そして、この時の温度測定結果を、製品用
ウエハの処理を行う際にフィードバックすることによっ
て、製品用ウエハをより正確に所望の処理温度に制御し
た状態で処理を行うことができる。
ウエハの処理を行う際にフィードバックすることによっ
て、製品用ウエハをより正確に所望の処理温度に制御し
た状態で処理を行うことができる。
【００３７】例えば、製品用ウエハにフォトレジストを
用いた一連のリソグラフィー工程において、製品用ウエ
ハをホットプレート上に載置して一枚ずつ加熱処理する
所謂オーブン等において、製品用ウエハの処理を開始す
る前等において、上述したホットプレート上にダミ−ウ
エハＤＷを載置し、製品用ウエハと同様に加熱処理を行
う。
用いた一連のリソグラフィー工程において、製品用ウエ
ハをホットプレート上に載置して一枚ずつ加熱処理する
所謂オーブン等において、製品用ウエハの処理を開始す
る前等において、上述したホットプレート上にダミ−ウ
エハＤＷを載置し、製品用ウエハと同様に加熱処理を行
う。
【００３８】そして、オーブンの上部等に、ＤＩＰメー
ター２０のアンテナ２２が位置するように予め配置して
おき、処理中のダミ−ウエハＤＷの実際の温度を測定
し、オーブンの設定温度とダミ−ウエハＤＷの実際の温
度との間に誤差がどの程度生じるかを検出しておき、製
品用ウエハの処理を行う際に、このような誤差を小さく
するようにオーブンの設定温度を調整することによっ
て、製品用ウエハをより精度良く所望の処理温度に保っ
た状態で処理を行うことができる。
ター２０のアンテナ２２が位置するように予め配置して
おき、処理中のダミ−ウエハＤＷの実際の温度を測定
し、オーブンの設定温度とダミ−ウエハＤＷの実際の温
度との間に誤差がどの程度生じるかを検出しておき、製
品用ウエハの処理を行う際に、このような誤差を小さく
するようにオーブンの設定温度を調整することによっ
て、製品用ウエハをより精度良く所望の処理温度に保っ
た状態で処理を行うことができる。
【００３９】なお、ＤＩＰメーター２０については、そ
のアンテナ２２の部分のみ、オーブンの近傍に配置して
おき、本体部分については、オーブンから離れた位置に
配置しておくことによって、オーブンの熱の影響を受け
ることなく、ダミ−ウエハＤＷの温度を測定することが
できる。
のアンテナ２２の部分のみ、オーブンの近傍に配置して
おき、本体部分については、オーブンから離れた位置に
配置しておくことによって、オーブンの熱の影響を受け
ることなく、ダミ−ウエハＤＷの温度を測定することが
できる。
【００４０】また、上記温度測定において、例えば、ウ
エハの中心部、周辺部等の複数点における温度分布を測
定する必要がある場合は、かかる測定点に対応した複数
のＬＣ回路１をダミ−ウエハＤＷに組み込んでおくこと
によって、これらの複数の測定点における温度分布を測
定することができる。
エハの中心部、周辺部等の複数点における温度分布を測
定する必要がある場合は、かかる測定点に対応した複数
のＬＣ回路１をダミ−ウエハＤＷに組み込んでおくこと
によって、これらの複数の測定点における温度分布を測
定することができる。
【００４１】この場合、オーブンの上部に各ＬＣ回路１
に対応した数のアンテナ２２を設けても、アンテナ２２
の位置を移動可能として、１又は複数のアンテナ２２で
複数のＬＣ回路１に対応するようにしても良い。
に対応した数のアンテナ２２を設けても、アンテナ２２
の位置を移動可能として、１又は複数のアンテナ２２で
複数のＬＣ回路１に対応するようにしても良い。
【００４２】また、複数のアンテナ２２を設けた場合、
これらのアンテナ２２を順次電気的に切り替えて使用す
ることにより、アンテナ数よりも少ない数のＤＩＰメー
ター本体で対応することが可能である。
これらのアンテナ２２を順次電気的に切り替えて使用す
ることにより、アンテナ数よりも少ない数のＤＩＰメー
ター本体で対応することが可能である。
【００４３】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、ダミーウエハＤＷにＬＣ回路１を直接形成し、その
共振周波数をＤＩＰメーター２０によって検出すること
により、ダミ−ウエハＤＷに非接触で、ダミ−ウエハＤ
Ｗの正確な温度測定を行うことができる。
ば、ダミーウエハＤＷにＬＣ回路１を直接形成し、その
共振周波数をＤＩＰメーター２０によって検出すること
により、ダミ−ウエハＤＷに非接触で、ダミ−ウエハＤ
Ｗの正確な温度測定を行うことができる。
【００４４】また、ダミ−ウエハＤＷ上に、ＬＣ回路１
以外の回路、例えば増幅回路や演算回路等を温度測定の
ために設ける必要がないため、これらの回路の温度依存
性の影響を考慮する必要がなく、広い温度範囲におい
て、正確に温度測定を行うことができる。
以外の回路、例えば増幅回路や演算回路等を温度測定の
ために設ける必要がないため、これらの回路の温度依存
性の影響を考慮する必要がなく、広い温度範囲におい
て、正確に温度測定を行うことができる。
【００４５】さらに、ダミ−ウエハＤＷ上に、リソグラ
フィ法等の半導体装置を製造するための通常の工程で、
ＬＣ回路１を形成するので、通常の半導体装置の製造ラ
インを使用して、ダミ−ウエハＤＷにＬＣ回路１を形成
することができる。
フィ法等の半導体装置を製造するための通常の工程で、
ＬＣ回路１を形成するので、通常の半導体装置の製造ラ
インを使用して、ダミ−ウエハＤＷにＬＣ回路１を形成
することができる。
【００４６】なお、上述した例では、ダミ−ウエハＤＷ
上に直接ＬＣ回路１を形成した場合について説明した
が、例えば、他の薄い基板上に形成したＬＣ回路を、ダ
ミ−ウエハＤＷ上に貼り付けて使用することも可能であ
る。
上に直接ＬＣ回路１を形成した場合について説明した
が、例えば、他の薄い基板上に形成したＬＣ回路を、ダ
ミ−ウエハＤＷ上に貼り付けて使用することも可能であ
る。
【００４７】また、ダミ−ウエハＤＷではなく、製品用
ウエハに、直接ＬＣ回路１を形成したり、他の薄い基板
上に形成したＬＣ回路を、製品用ウエハに貼り付けて、
実際の製品用ウエハの処理を行うプロセスの最中に、直
接製品用ウエハの温度を測定することも可能である。
ウエハに、直接ＬＣ回路１を形成したり、他の薄い基板
上に形成したＬＣ回路を、製品用ウエハに貼り付けて、
実際の製品用ウエハの処理を行うプロセスの最中に、直
接製品用ウエハの温度を測定することも可能である。
【００４８】この場合、処理されている製品用ウエハの
温度をリアルタイムで測定し、その温度を制御すること
が可能となる。
温度をリアルタイムで測定し、その温度を制御すること
が可能となる。
【００４９】なお、本発明方法は、上述したオーブンに
よる加熱処理の他、各種成膜処理、エッチング処理、フ
ォトレジストの塗布、現像処理等、温度の制御を行いつ
つ処理を行うものであれば、あらゆる処理に使用するこ
とができる。
よる加熱処理の他、各種成膜処理、エッチング処理、フ
ォトレジストの塗布、現像処理等、温度の制御を行いつ
つ処理を行うものであれば、あらゆる処理に使用するこ
とができる。
【００５０】また、上述した例では、ＤＩＰメータ−２
０を使用して共振周波数を測定した場合について説明し
たが、インピーダンスメータにアンテナを取付けて、同
様に共振周波数を測定することができる。
０を使用して共振周波数を測定した場合について説明し
たが、インピーダンスメータにアンテナを取付けて、同
様に共振周波数を測定することができる。
【００５１】次に、図６および図７を参照して、リソグ
ラフィ法等によりダミ−ウエハＤＷにＬＣ回路１を形成
する他の工程の例について説明する。
ラフィ法等によりダミ−ウエハＤＷにＬＣ回路１を形成
する他の工程の例について説明する。
【００５２】まず、ダミ−ウエハＤＷのＳｉ層３０上
に、ＳｉＯ2 層３１を形成する（図６ａ（１）および
（２））。
に、ＳｉＯ2 層３１を形成する（図６ａ（１）および
（２））。
【００５３】この後、例えばＰｏｌｙ−Ｓｉ層、Ａｌ層
等を形成した後フォトリソグラフィー法によるパターニ
ングを行い、あるいは、Ａｌ等のマスクスパッタを行う
ことにより、ＳｉＯ2 層３１上に、所定形状の下部電極
層３２を形成する（図６ｂ（１）および（２））。
等を形成した後フォトリソグラフィー法によるパターニ
ングを行い、あるいは、Ａｌ等のマスクスパッタを行う
ことにより、ＳｉＯ2 層３１上に、所定形状の下部電極
層３２を形成する（図６ｂ（１）および（２））。
【００５４】次に、下部電極層３２上にＣＶＤ法等によ
りコンデンサ内の誘電体となる誘電体層、例えばＳｉＯ
2 層３３を形成し、続いて、フォトレジストを用いたフ
ォトリソグラフィー等により、ＳｉＯ2 層３３の一部に
コンタクトホール３４を形成する（図６ｃ（１）および
（２））。
りコンデンサ内の誘電体となる誘電体層、例えばＳｉＯ
2 層３３を形成し、続いて、フォトレジストを用いたフ
ォトリソグラフィー等により、ＳｉＯ2 層３３の一部に
コンタクトホール３４を形成する（図６ｃ（１）および
（２））。
【００５５】この後、ＳｉＯ2 層３３上及びコンタクト
ホール３４内に、例えばＰｏｌｙ−Ｓｉ層、Ａｌ層等を
形成した後フォトリソグラフィー等によりパターニング
を行い、あるいは、Ａｌ等のマスクスパッタにより、所
定形状の上部電極層３５を形成する（図７ｅ（１）およ
び（２））。
ホール３４内に、例えばＰｏｌｙ−Ｓｉ層、Ａｌ層等を
形成した後フォトリソグラフィー等によりパターニング
を行い、あるいは、Ａｌ等のマスクスパッタにより、所
定形状の上部電極層３５を形成する（図７ｅ（１）およ
び（２））。
【００５６】また、必要に応じて、上述のようにして形
成したＬＣ回路の上に保護膜を付ける点は、前述した工
程の場合と同様である。
成したＬＣ回路の上に保護膜を付ける点は、前述した工
程の場合と同様である。
【００５７】以上のような工程によっても、ダミーウエ
ハＤＷ（あるいは製品用ウエハ）上に、下部電極層３２
と上部電極層３５がコンタクトホール３４を介して接続
され、かつ、誘電体層としてのＳｉＯ2 層３３を挟んで
下部電極層３２と上部電極層３５が配置され、さらに渦
巻き状のコイル部分を有するＬＣ回路を、直接形成する
ことができる。
ハＤＷ（あるいは製品用ウエハ）上に、下部電極層３２
と上部電極層３５がコンタクトホール３４を介して接続
され、かつ、誘電体層としてのＳｉＯ2 層３３を挟んで
下部電極層３２と上部電極層３５が配置され、さらに渦
巻き状のコイル部分を有するＬＣ回路を、直接形成する
ことができる。
【００５８】なお、上述した２つの例では、ＬＣ回路の
コイル形状を、略渦巻き状とした場合について示した
が、コイル形状は、略渦巻き状に限らず、コイルとして
作用する形状であればどのような形状としてもよいこと
は、勿論である。
コイル形状を、略渦巻き状とした場合について示した
が、コイル形状は、略渦巻き状に限らず、コイルとして
作用する形状であればどのような形状としてもよいこと
は、勿論である。
【００５９】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、従来に比べて正確に基板の温度を測定することがで
き、精度良く基板の処理を行うことのできる基板の温度
測定方法および処理方法を提供することができる。
ば、従来に比べて正確に基板の温度を測定することがで
き、精度良く基板の処理を行うことのできる基板の温度
測定方法および処理方法を提供することができる。
【図１】本発明に係る温度測定方法を示した概念図。
【図２】本発明に係る共振回路を形成する工程を段階的
に示した図。
に示した図。
【図３】本発明に係る共振回路を形成する工程を段階的
に示した図。
に示した図。
【図４】周波数と共振回路に照射された電磁波のエネル
ギとの関係を示したグラフ。
ギとの関係を示したグラフ。
【図５】共振周波数ｆｒと温度Ｔとの関係を表したグラ
フ。
フ。
【図６】本発明に係る共振回路を形成する工程を段階的
に示した図。
に示した図。
【図７】本発明に係る共振回路を形成する工程を段階的
に示した図。
に示した図。
ＤＷ………ダミ−ウエハ １……ＬＣ回路 ２……コイル ３……コンデンサ ２０……ＤＩＰメーター ２２……アンテナ ２４……演算装置
Claims (7)
- 【請求項１】 基板に少なくとも１つの共振回路を設
け、 前記共振回路に電磁波を照射して、前記共振回路の共振
周波数を検出し、この検出された共振周波数から前記基
板の温度を求めることを特徴とする基板の温度測定方
法。 - 【請求項２】 前記共振回路が、前記基板上に直接形成
されたものであることを特徴とする請求項１記載の基板
の温度測定方法。 - 【請求項３】 前記共振回路が、前記基板上に貼り付け
られたものであることを特徴とする請求項１記載の基板
の温度測定方法。 - 【請求項４】 前記共振周波数が０．１Ｍ〜１０００Ｍ
Ｈｚであることを特徴とする請求項１乃至３いずれか１
項記載の基板の温度測定方法。 - 【請求項５】 前記基板が、温度測定用の基板であるこ
とを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項記載の基板
の温度測定方法。 - 【請求項６】 前記基板が、製品用の基板であることを
特徴とする請求項１乃至４いずれか１項記載の基板の温
度測定方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の基板の温度測定方法によ
って温度測定を行いつつ前記基板の処理を行い、前記温
度測定の結果に基づいて、前記基板の処理条件を変更す
ることを特徴とする基板の処理方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000054523A JP2001242014A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 基板の温度測定方法および処理方法 |
| KR1020027011350A KR100652536B1 (ko) | 2000-02-29 | 2001-01-29 | 반도체 기판의 온도를 공진 회로에 의해 측정하기 위한방법 및 장치 |
| US10/203,815 US6773158B2 (en) | 2000-02-29 | 2001-01-29 | Resonant circuit for measuring temperature profile of a semiconductor substrate |
| PCT/JP2001/000564 WO2001065224A1 (en) | 2000-02-29 | 2001-01-29 | Method and apparatus for measuring the temperature of a semiconductor substrate by means of a resonant circuit |
| TW090102792A TW483034B (en) | 2000-02-29 | 2001-02-08 | Substrate temperature measuring method, substrate processing, substrate temperature measuring equipment and semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000054523A JP2001242014A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 基板の温度測定方法および処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001242014A true JP2001242014A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=18575766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000054523A Withdrawn JP2001242014A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 基板の温度測定方法および処理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6773158B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001242014A (ja) |
| KR (1) | KR100652536B1 (ja) |
| TW (1) | TW483034B (ja) |
| WO (1) | WO2001065224A1 (ja) |
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| JP2024161211A (ja) * | 2017-04-17 | 2024-11-15 | フィリップ・モーリス・プロダクツ・ソシエテ・アノニム | 誘導加熱システム内の温度を検知するためのデバイス、システム、および方法 |
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| CN111380627A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 电磁加热器具及其温度检测方法和装置 |
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2000
- 2000-02-29 JP JP2000054523A patent/JP2001242014A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-01-29 KR KR1020027011350A patent/KR100652536B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-29 WO PCT/JP2001/000564 patent/WO2001065224A1/en not_active Ceased
- 2001-01-29 US US10/203,815 patent/US6773158B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-08 TW TW090102792A patent/TW483034B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020077517A (ko) | 2002-10-11 |
| US20030012255A1 (en) | 2003-01-16 |
| KR100652536B1 (ko) | 2006-12-01 |
| WO2001065224A1 (en) | 2001-09-07 |
| TW483034B (en) | 2002-04-11 |
| US6773158B2 (en) | 2004-08-10 |
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