JP2001135681A - Wafer prober device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体は種々の産業において必要とされ
る極めて重要な製品であり、半導体チップは、例えば、
シリコン単結晶を所定の厚さにスライスしてシリコンウ
エハを作製した後、このシリコンウエハに種々の回路等
を形成することにより製造される。この半導体チップの
製造工程においては、シリコンウエハの段階でその電気
的特性が設計通りに動作するか否かを測定してチェック
するプロービング工程が必要であり、そのために所謂プ
ローバが用いられる。2. Description of the Related Art Semiconductors are extremely important products required in various industries.
The silicon wafer is manufactured by slicing a silicon single crystal to a predetermined thickness to produce a silicon wafer, and then forming various circuits and the like on the silicon wafer. In the semiconductor chip manufacturing process, a probing process is required to measure and check whether or not the electrical characteristics operate as designed at the stage of the silicon wafer. For this purpose, a so-called prober is used.
【０００３】このようなプローバとして、例えば、特許
第２５８７２８９号公報、特公平３−４０９４７号公
報、特開平１１−３１７２４号公報等には、アルミニウ
ム合金やステンレス鋼などの金属製チャックトップを有
するウエハプローバが開示されている（図１３参照）。
このようなウエハプローバでは、例えば、図１２に示す
ように、ウエハプローバ上にシリコンウエハを載置し、
このシリコンウエハにテスタピンを持つプローブカード
を押しつけ、加熱、冷却しながら電圧を印加して導通テ
ストを行う。図１２には、ウエハプローバに電源を接続
した図を示す。ウエハプローバのチャックトップ電極
（チャップトップ導体層）２、グランド電極６およびガ
ード電極５には、スルーホール１６、１７等を介して電
源Ｖ1 が接続されている。グランド電極６は接地されて
０電位となっている。また、チャックトップ電極２とガ
ード電極５とは等電位である。発熱体４１には、電源Ｖ
2 が、また、プローブ６０１には、電源Ｖ3 がそれぞれ
接続されている。As such a prober, for example, Japanese Patent No. 2587289, Japanese Patent Publication No. 3-40947, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-31724 disclose a wafer having a metal chuck top made of aluminum alloy or stainless steel. A prober is disclosed (see FIG. 13).
In such a wafer prober, for example, as shown in FIG. 12, a silicon wafer is placed on a wafer prober,
A probe card having tester pins is pressed against the silicon wafer, and a voltage is applied while heating and cooling to perform a continuity test. FIG. 12 shows a diagram in which a power supply is connected to the wafer prober. A power supply V 1 is connected to the chuck top electrode (chap top conductor layer) 2, the ground electrode 6, and the guard electrode 5 of the wafer prober via through holes 16, 17 and the like. The ground electrode 6 is grounded and has a zero potential. The chuck top electrode 2 and the guard electrode 5 have the same potential. The heating element 41 has a power supply V
2 and a power supply V 3 is connected to the probe 601.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
金属製のチャックトップを有するウエハプローバには、
次のような問題があった。まず、金属製であるため、チ
ャックトップの厚みは１５ｍｍ程度と厚くしなければな
らない。このようにチャックトップを厚くするのは、薄
い金属板では、プローブカードのテスタピンによりチャ
ックトップが押され、チャックトップの金属板に反りや
歪みが発生してしまい、金属板上に載置されるシリコン
ウエハが破損したり傾いたりしてしてしまうからであ
る。このため、チャックトップを厚くする必要がある
が、その結果、チャックトップの重量が大きくなり、ま
たかさばってしまう。However, a wafer prober having such a metal chuck top includes:
There were the following problems. First, since the chuck top is made of metal, the thickness of the chuck top must be as thick as about 15 mm. The reason why the chuck top is made thicker is that, in the case of a thin metal plate, the chuck top is pressed by the tester pin of the probe card, and the metal plate of the chuck top is warped or distorted, and is placed on the metal plate. This is because the silicon wafer is damaged or tilted. For this reason, it is necessary to make the chuck top thick, but as a result, the weight of the chuck top becomes large and bulky.
【０００５】また、熱伝導率が高い金属を使用している
にもかかわらず、昇温、降温特性が悪く、電圧や電流量
の変化に対してチャックトップ板の温度が迅速に追従し
ないため温度制御をしにくく、高温でシリコンウエハを
載置すると温度制御不能になってしまう。[0005] Further, despite the use of a metal having high thermal conductivity, the temperature rise and fall characteristics are poor, and the temperature of the chuck top plate does not quickly follow changes in voltage or current amount. It is difficult to control, and if a silicon wafer is placed at a high temperature, the temperature cannot be controlled.
【０００６】そこで、本発明者らはセラミック基板にチ
ャックトップ導体層を形成することによりこのような問
題を解決できることを想起した。しかしながら、最近の
シリコンウエハの大型化に合わせてセラミック基板を大
きくすると、セラミック基板であっても、プローブカー
ドのテスタピンの押圧で反りが発生するため、導通テス
トができなくなってしまうという問題点がさらに発生す
ることがわかった。Therefore, the present inventors have recalled that such a problem can be solved by forming a chuck top conductor layer on a ceramic substrate. However, if the size of the ceramic substrate is increased in accordance with the recent increase in the size of silicon wafers, even if the substrate is a ceramic substrate, warpage occurs due to the pressing of the tester pins of the probe card, so that the continuity test cannot be performed. It was found to happen.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明らは、上記課題に
鑑み、軽量でチャックトップ板の昇温、降温特性に優
れ、大型化してもセラミック基板に反りが発生しないウ
エハプローバ装置を得ることを目的として鋭意研究した
結果、表面にチャックトップ導体層が形成されたセラミ
ック基板と支持容器とからなるウエハプローバ装置にお
いて、セラミック基板を支持する複数の支持柱を支持容
器に設けることで前述のウエハプローバの反りの問題を
解決することができることを見出し、本発明を完成する
に至った。支持柱は、一定間隔で支持容器の底部に形成
されていることが望ましい。支持容器の形成密度にばら
つきが存在すると、強度が低い部分でセラミック基板が
反ったり割れたりすることがあるからである。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems, the present invention provides a wafer prober device which is lightweight, has excellent characteristics of increasing and decreasing the temperature of a chuck top plate, and does not warp a ceramic substrate even when the size is increased. As a result of diligent research for the purpose, in the wafer prober device consisting of a ceramic substrate having a chuck top conductor layer formed on the surface and a support container, by providing a plurality of support columns for supporting the ceramic substrate in the support container, The inventors have found that the problem of prober warpage can be solved, and have completed the present invention. The support columns are desirably formed on the bottom of the support container at regular intervals. This is because if there is a variation in the formation density of the support container, the ceramic substrate may be warped or cracked in a portion where the strength is low.
【０００８】即ち、本発明は、表面に導体層が形成され
たセラミック基板と支持容器とからなるウエハプローバ
装置であって、上記支持容器には、支持柱が形成されて
なることを特徴とするウエハプローバ装置である。セラ
ミック基板は、図１に示すように支持容器に嵌め込まれ
ていてもよく、図２に示すように支持容器に載置されて
いてもよい。また、図２の支持柱１５を高くして、支持
容器の外周と非接触としてもよい。さらに、発熱手段
は、セラミック基板の表面または内部に直接的に形成さ
れている場合に限らず、金属層等を介して間接的に形成
されていてもよい。この発明では、セラミック基板はチ
ャックトップ板、つまりプロービングステージとして機
能する。That is, the present invention relates to a wafer prober device comprising a ceramic substrate having a conductor layer formed on a surface thereof and a supporting container, wherein the supporting container is provided with a supporting column. It is a wafer prober device. The ceramic substrate may be fitted into the support container as shown in FIG. 1, or may be placed on the support container as shown in FIG. In addition, the height of the support column 15 in FIG. Further, the heat generating means is not limited to being formed directly on the surface or inside of the ceramic substrate, but may be formed indirectly via a metal layer or the like. In the present invention, the ceramic substrate functions as a chuck top plate, that is, a probing stage.
【０００９】上記ウエハプローバ装置において、該セラ
ミック基板には温度制御手段が設けられていることが望
ましい。また、上記ウエハプローバ装置において、上記
セラミック基板は、窒化物セラミック、炭化物セラミッ
クおよび酸化物セラミックに属するセラミックから選ば
れる少なくとも１種であることが望ましい。また、上記
温度制御手段は、ペルチェ素子であるか、または、発熱
体であることが望ましい。In the above wafer prober device, it is preferable that the ceramic substrate is provided with a temperature control means. In the wafer prober device, the ceramic substrate is desirably at least one selected from ceramics belonging to a nitride ceramic, a carbide ceramic, and an oxide ceramic. Preferably, the temperature control means is a Peltier element or a heating element.
【００１０】また、上記ウエハプローバ装置において、
上記セラミック基板中には、格子状のガード電極および
／またはグランド電極が形成されていることが望まし
い。また、上記セラミック基板の表面には溝が形成さ
れ、その溝には、空気の吸引孔が形成されていることが
望ましい。また、上記セラミック基板は、その直径が２
００ｍｍ以上であることが望ましい。特に、２００〜５
００ｍｍであることが最適である。このような大型のセ
ラミック基板ほど自重でたわみやすいからである。な
お、半導体と同種のセラミック基板の上に金属薄膜を形
成したプローバステージは、実開昭６２−１８０９４４
号公報や特開昭６２−２９１９３７号公報に開示されて
いるが、支持柱については記載されておらず、示唆もさ
れていない。以下、実施の形態に則して説明する。[0010] In the above wafer prober apparatus,
It is desirable that a grid-like guard electrode and / or a ground electrode be formed in the ceramic substrate. Preferably, a groove is formed on the surface of the ceramic substrate, and an air suction hole is formed in the groove. The ceramic substrate has a diameter of 2 mm.
Desirably, it is not less than 00 mm. In particular, 200-5
Optimally, it is 00 mm. This is because such a large ceramic substrate is more likely to bend under its own weight. A prober stage in which a metal thin film is formed on a ceramic substrate of the same type as a semiconductor is disclosed in Jpn.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-291937 and Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-291937, but do not disclose or suggest a support column. Hereinafter, a description will be given in accordance with an embodiment.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明のウエハプローバ装置は、
表面に導体層が形成されたセラミック基板と支持容器と
からなるウエハプローバ装置であって、上記支持容器に
は、支持柱が形成されてなることを特徴とする。なお、
本明細書においては、便宜上、表面に導体層等が形成さ
れたセラミック基板をウエハプローバというものとす
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A wafer prober device of the present invention
A wafer prober device comprising a ceramic substrate having a conductor layer formed on a surface thereof and a support container, wherein the support container is provided with support columns. In addition,
In this specification, for convenience, a ceramic substrate having a conductor layer or the like formed on its surface is referred to as a wafer prober.
【００１２】通常、ウエハプローバを構成するセラミッ
ク基板が大型の場合、プローブカードのテスタピンの押
圧で反りが発生してしまうが、本発明では、セラミック
基板を支持容器の底部に形成された支持柱でしっかり支
持しているので、セラミック基板に反りが発生するのを
防止することができる。Normally, when the ceramic substrate constituting the wafer prober is large, warping occurs due to the pressing of the tester pins of the probe card. However, in the present invention, the ceramic substrate is supported by a supporting column formed at the bottom of the supporting container. Since the ceramic substrate is firmly supported, it is possible to prevent the ceramic substrate from warping.
【００１３】このように本発明のウエハプローバ装置で
は、セラミック基板に反りが発生するのを防止すること
ができるため、大型のウエハプローバ装置を実現するこ
とができ、また高い圧力でプローブカードのテスタピン
を押圧することができ、導通試験を高い信頼性で実現す
ることができる。As described above, in the wafer prober device of the present invention, since it is possible to prevent the ceramic substrate from being warped, a large-sized wafer prober device can be realized, and the tester pin of the probe card can be formed at a high pressure. Can be pressed, and the continuity test can be realized with high reliability.
【００１４】本発明では、剛性の高いセラミックからな
る基板を使用しているため、プローブカードのテスタピ
ンによりチャックトップが押されてもチャックトップが
反ることはなく、チャックトップの厚さを金属に比べて
小さくすることができる。In the present invention, since the substrate made of ceramic having high rigidity is used, even if the chuck top is pushed by the tester pins of the probe card, the chuck top does not warp, and the thickness of the chuck top is reduced to metal. It can be smaller than that.
【００１５】また、チャックトップの厚さを金属に比べ
て小さくすることができるため、熱伝導率が金属より低
いセラミックであっても結果的に熱容量が小さくなり、
昇温、降温特性を改善することができる。Further, since the thickness of the chuck top can be made smaller than that of a metal, even if the ceramic has a lower thermal conductivity than a metal, the resulting heat capacity becomes small.
Heating and cooling characteristics can be improved.
【００１６】図１（ａ）は、本発明のウエハプローバ装
置の一実施形態を模式的に示した縦断面図であり、
（ｂ）は、（ａ）図におけるＢ−Ｂ線断面図である。ま
た、図２は、上記ウエハプローバ装置の他の実施形態を
模式的に示した縦断面図である。FIG. 1A is a longitudinal sectional view schematically showing one embodiment of a wafer prober device of the present invention.
FIG. 2B is a sectional view taken along line BB in FIG. FIG. 2 is a longitudinal sectional view schematically showing another embodiment of the wafer prober device.
【００１７】ウエハプローバ装置を構成する支持容器１
１は、上部開放型の有底円筒容器であり、円筒の最上部
は、ウエハプローバ１０１を断熱材１０を介して嵌め込
むことができるような形状に構成されている。A support container 1 constituting a wafer prober device
Reference numeral 1 denotes a cylindrical container having an open top and a bottom, and the uppermost portion of the cylinder is formed in a shape such that the wafer prober 101 can be fitted through the heat insulating material 10.
【００１８】また、ウエハプローバ１０１を嵌め込んだ
後、吸引口１３から空気を吸引することにより、ウエハ
プローバ１０１に形成された吸引孔８（図３参照）から
空気を吸い込み、ウエハプローバ１０１上に載置された
シリコンウエハの吸着を行うとともに、ウエハプローバ
自身を支持容器１１にしっかりと固定することができる
ようになっている。After the wafer prober 101 is fitted, air is sucked from the suction port 13 to suck air from the suction holes 8 (see FIG. 3) formed in the wafer prober 101, and the air is sucked onto the wafer prober 101. The mounted silicon wafer can be sucked and the wafer prober itself can be firmly fixed to the support container 11.
【００１９】また、この支持容器１１は、ウエハプロー
バ１０１が嵌め込まれた状態で、ウエハプローバ１０１
の底面を多数の箇所で断熱材１０を介して支持すること
ができるように、多数の支持柱１５が一定の配列で形成
されている。なお、このウエハプローバ装置を構成する
ウエハプローバについては、後で詳述する。The support container 11 is mounted on the wafer prober 101 with the wafer prober 101 fitted therein.
A number of support columns 15 are formed in a fixed arrangement so that the bottom surface can be supported at many places via the heat insulating material 10. The wafer prober constituting the wafer prober will be described later in detail.
【００２０】一方、図２に示したウエハプローバ装置に
おける支持容器２１は、図１に示した支持容器１１と同
様に一定配列で支持柱１５が形成され、ウエハプローバ
１０１を吸着固定することができるとともに、その内部
に冷却ガスの吹き出し口１２を有し、冷媒注入口１４か
ら冷却ガスを吸入して、支持容器の内部を流通させるこ
とにより、ウエハプローバ１０１の温度調整を行うこと
ができるようになっている。なお、ウエハプローバ１０
１の底面に形成された発熱体４１の周囲には、シリカ等
からなる保護層４１が形成され、発熱体４１が支持柱１
５と直接接触することにより破損するのを防止してい
る。On the other hand, in the support container 21 in the wafer prober device shown in FIG. 2, the support columns 15 are formed in a fixed arrangement similarly to the support container 11 shown in FIG. 1, and the wafer prober 101 can be fixed by suction. In addition, a cooling gas blowout port 12 is provided inside the cooling gas inlet port, and a cooling gas is sucked in from the cooling medium inlet port 14 and allowed to flow through the inside of the supporting container so that the temperature of the wafer prober 101 can be adjusted. Has become. The wafer prober 10
A protective layer 41 made of silica or the like is formed around the heating element 41 formed on the bottom surface of the supporting column 1.
5 is prevented from being damaged by direct contact.
【００２１】支持容器は、アルミニウム合金、ステンレ
ス、セラミックなどで構成する。支持柱１５は、１〜１
０ｍｍ間隔で碁盤目状に配列されていることが望まし
い。均等に圧力を分散させるためである。The supporting container is made of aluminum alloy, stainless steel, ceramic or the like. The support columns 15 are 1 to 1
It is desirable to arrange them in a grid pattern at 0 mm intervals. This is for evenly dispersing the pressure.
【００２２】図３は、上記ウエハプローバ装置を構成す
るウエハプローバの一実施形態を模式的に示した断面図
であり、図４は、その平面図であり、図５は、その底面
図であり、図６は、図３に示したウエハプローバにおけ
るＡ−Ａ線断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of the wafer prober constituting the wafer prober apparatus, FIG. 4 is a plan view thereof, and FIG. 5 is a bottom view thereof. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line AA of the wafer prober shown in FIG.
【００２３】このウエハプローバでは、平面視円形状の
セラミック基板３の表面に、同心円形状の溝７が形成さ
れるとともに、溝７の一部にシリコンウエハを吸引する
ための複数の吸引孔８が設けられており、溝７を含むセ
ラミック基板３の大部分にシリコンウエハの電極と接続
するためのチャックトップ導体層２が円形状に形成され
ている。In this wafer prober, concentric grooves 7 are formed on the surface of the ceramic substrate 3 having a circular shape in plan view, and a plurality of suction holes 8 for sucking a silicon wafer are formed in a part of the grooves 7. The chuck top conductor layer 2 for connection with the electrode of the silicon wafer is formed in a circular shape on most of the ceramic substrate 3 including the groove 7.
【００２４】一方、セラミック基板３の底面には、シリ
コンウエハの温度をコントロールするために、図５に示
したような平面視同心円形状の発熱体４１が設けられて
おり、発熱体４１の両端には、外部端子ピン１９１が接
続、固定され、セラミック基板３の内部には、ストレイ
キャパシタやノイズを除去するためにガード電極５とグ
ランド電極６とが設けられている。On the other hand, on the bottom surface of the ceramic substrate 3, heating elements 41 having a concentric circular shape in plan view as shown in FIG. 5 are provided in order to control the temperature of the silicon wafer. The external terminal pins 191 are connected and fixed, and a guard electrode 5 and a ground electrode 6 are provided inside the ceramic substrate 3 for removing stray capacitors and noise.
【００２５】上記ウエハプローバは、例えば、図３〜６
に示したような構成を有するものである。以下におい
て、上記ウエハプローバを構成する各部材、および、ウ
エハプローバの他の実施形態等について、順次詳細に説
明していくことにする。The wafer prober is, for example, shown in FIGS.
Has the configuration as shown in FIG. Hereinafter, each member constituting the wafer prober, other embodiments of the wafer prober, and the like will be sequentially described in detail.
【００２６】上記ウエハプローバ装置を構成するウエハ
プローバに使用されるセラミック基板は、窒化物セラミ
ック、炭化物セラミックおよび酸化物セラミックに属す
るセラミックから選ばれる少なくとも１種であることが
望ましい。The ceramic substrate used in the wafer prober constituting the wafer prober device is desirably at least one selected from ceramics belonging to nitride ceramics, carbide ceramics and oxide ceramics.
【００２７】上記窒化物セラミックとしては、金属窒化
物セラミック、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。また、上
記炭化物セラミックとしては、金属炭化物セラミック、
例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、
炭化タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。Examples of the nitride ceramic include metal nitride ceramics, for example, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, titanium nitride and the like. Further, as the carbide ceramic, metal carbide ceramic,
For example, silicon carbide, zirconium carbide, titanium carbide,
Examples include tantalum carbide and tungsten carbide.
【００２８】上記酸化物セラミックとしては、金属酸化
物セラミック、例えば、アルミナ、ジルコニア、コージ
ェライト、ムライト等が挙げられる。これらのセラミッ
クは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。Examples of the oxide ceramic include metal oxide ceramics such as alumina, zirconia, cordierite, and mullite. These ceramics may be used alone or in combination of two or more.
【００２９】これらのセラミックの中では、窒化物セラ
ミック、炭化物セラミックの方が酸化物セラミックに比
べて望ましい。熱伝導率が高いからである。また、窒化
物セラミックの中では窒化アルミニウムが最も好適であ
る。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いからであ
る。Among these ceramics, nitride ceramics and carbide ceramics are more preferable than oxide ceramics. This is because the thermal conductivity is high. Also, among nitride ceramics, aluminum nitride is most preferred. This is because the thermal conductivity is the highest at 180 W / m · K.
【００３０】前記セラミック中には、カーボンを１００
〜２０００ｐｐｍ含むことが望ましい。セラミック内の
電極パターンを隠蔽し、かつ、高輻射熱が得られるから
である。カーボンは、Ｘ線回折で検出可能な結晶質また
は検出不能な非晶質の一方または両方であってもよい。The ceramic contains 100 carbon atoms.
It is desirable to contain ２０００2000 ppm. This is because the electrode pattern in the ceramic is concealed and high radiant heat is obtained. The carbon may be one or both of crystalline or non-detectable amorphous by X-ray diffraction.
【００３１】本発明におけるチャックトップのセラミッ
ク基板の厚さは、チャックトップ導体層より厚いことが
必要であり、具体的には１〜２０ｍｍが望ましく、１〜
１０ｍｍが最適である。また、本発明においては、シリ
コンウエハの裏面を電極として使用するため、セラミッ
ク基板の表面にチャックトップ導体層が形成されてい
る。The thickness of the chuck top ceramic substrate in the present invention needs to be thicker than the chuck top conductor layer, and specifically, is preferably 1 to 20 mm.
10 mm is optimal. In the present invention, a chuck top conductor layer is formed on the surface of the ceramic substrate in order to use the back surface of the silicon wafer as an electrode.
【００３２】上記チャックトップ導体層の厚さは、１〜
２０μｍが望ましい。１μｍ未満では抵抗値が高くなり
すぎて電極として働かず、一方、２０μｍを超えると導
体の持つ応力によって剥離しやすくなってしまうからで
ある。The thickness of the chuck top conductor layer is 1 to
20 μm is desirable. If the thickness is less than 1 μm, the resistance value becomes too high to function as an electrode, while if it exceeds 20 μm, the conductor tends to be peeled off due to the stress of the conductor.
【００３３】チャックトップ導体層としては、例えば、
銅、チタン、クロム、ニッケル、貴金属（金、銀、白金
等）、タングステン、モリブデンなどの高融点金属から
選ばれる少なくとも１種の金属を使用することができ
る。As the chuck top conductor layer, for example,
At least one metal selected from refractory metals such as copper, titanium, chromium, nickel, precious metals (such as gold, silver, and platinum), tungsten, and molybdenum can be used.
【００３４】チャックトップ導体層は、金属や導電性セ
ラミックからなる多孔質体であってもよい。多孔質体の
場合は、後述するような吸引吸着のための溝を形成する
必要がなく、溝の存在を理由としたウエハの破損を防止
することができるだけでなく、表面全体で均一な吸引吸
着を実現できるからである。このような多孔質体として
は、金属焼結体を使用することができる。また、多孔質
体を使用した場合は、その厚さは、１〜２００μｍで使
用することができる。多孔質体とセラミック基板との接
合は、半田やろう材を用いる。The chuck top conductor layer may be a porous body made of metal or conductive ceramic. In the case of a porous body, it is not necessary to form a groove for suction and suction as described later, and not only can the wafer be prevented from being damaged due to the presence of the groove, but also a uniform suction and suction over the entire surface. It is because it can realize. As such a porous body, a metal sintered body can be used. When a porous body is used, the thickness can be 1 to 200 μm. For joining the porous body and the ceramic substrate, solder or brazing material is used.
【００３５】チャックトップ導体層としては、ニッケル
を含むものであることが望ましい。硬度が高く、テスタ
ピンの押圧に対しても変形等しにくいからである。チャ
ックトップ導体層の具体的な構成としては、例えば、初
めにニッケルスパッタリング層を形成し、その上に無電
解ニッケルめっき層を設けたものや、チタン、モリブデ
ン、ニッケルをこの順序でスパッタリングし、さらにそ
の上にニッケルを無電解めっきもしくは電解めっきで析
出させたもの等が挙げられる。It is desirable that the chuck top conductor layer contains nickel. This is because the hardness is high and the tester pin is hardly deformed even when pressed. As a specific configuration of the chuck top conductor layer, for example, a nickel sputtering layer is formed first, an electroless nickel plating layer is provided thereon, and titanium, molybdenum, and nickel are sputtered in this order. A material obtained by depositing nickel thereon by electroless plating or electrolytic plating may be used.
【００３６】また、チタン、モリブデン、ニッケルをこ
の順序でスパッタリングし、さらにその上に銅およびニ
ッケルを無電解めっきで析出させたものであってもよ
い。銅層を形成することでチャックトップ電極の抵抗値
を低減させることができるからである。Alternatively, titanium, molybdenum, and nickel may be sputtered in this order, and copper and nickel may be further deposited thereon by electroless plating. This is because the resistance of the chuck top electrode can be reduced by forming the copper layer.
【００３７】さらに、チタン、銅をこの順でスパッタリ
ングし、さらにその上にニッケルを無電解めっきもしく
は電解めっきで析出させたものであってもよい。また、
クロム、銅をこの順でスパッタリングし、さらにその上
にニッケルを無電解めっきもしくは電解めっきで析出さ
せたものとすることも可能である。Further, titanium and copper may be sputtered in this order, and nickel may be further deposited thereon by electroless plating or electrolytic plating. Also,
It is also possible to sputter chromium and copper in this order, and further deposit nickel thereon by electroless plating or electrolytic plating.
【００３８】上記チタン、クロムは、セラミックとの密
着性を向上させることができ、また、モリブデンはニッ
ケルとの密着性を改善することができる。チタン、クロ
ムの厚みは０．１〜０．５μｍ、モリブデンの厚みは
０．５〜７．０μｍ、ニッケルの厚みは０．４〜２．５
μｍが望ましい。Titanium and chromium can improve the adhesion to ceramic, and molybdenum can improve the adhesion to nickel. Titanium and chromium have a thickness of 0.1 to 0.5 μm, molybdenum has a thickness of 0.5 to 7.0 μm, and nickel has a thickness of 0.4 to 2.5
μm is desirable.
【００３９】上記チャックトップ導体層の表面には、貴
金属層（金、銀、白金、パラジウム）が形成されている
ことが望ましい。貴金属層は、卑金属のマイグレーショ
ンによる汚染を防止することができるからである。貴金
属層の厚さは、０．０１〜１５μｍが望ましい。Preferably, a noble metal layer (gold, silver, platinum, palladium) is formed on the surface of the chuck top conductor layer. This is because the noble metal layer can prevent contamination due to migration of the base metal. The thickness of the noble metal layer is desirably 0.01 to 15 μm.
【００４０】本発明においては、セラミック基板に温度
制御手段を設けておくことが望ましい。加熱または冷却
しながらシリコンウエハの導通試験を行うことができる
からである。In the present invention, it is desirable to provide a temperature control means on the ceramic substrate. This is because the conduction test of the silicon wafer can be performed while heating or cooling.
【００４１】上記温度制御手段としては図５に示した発
熱体４１のほかに、ペルチェ素子であってもよい。発熱
体を設ける場合は、冷却手段としてエアー等の冷媒の吹
きつけ口などを設けておいてもよい。発熱体は、複数層
設けてもよい。この場合は、各層のパターンは相互に補
完するように形成されて、加熱面からみるとどこかの層
にパターンが形成された状態が望ましい。例えば、互い
に千鳥の配置になっている構造である。The temperature control means may be a Peltier element in addition to the heating element 41 shown in FIG. When a heating element is provided, a blowing port for a refrigerant such as air may be provided as cooling means. A plurality of heating elements may be provided. In this case, it is desirable that the patterns of the respective layers are formed so as to complement each other, and that the pattern is formed on any layer when viewed from the heating surface. For example, the structure is a staggered arrangement.
【００４２】発熱体としては、例えば、金属または導電
性セラミックの焼結体、金属箔、金属線等が挙げられ
る。金属焼結体としては、タングステン、モリブデンか
ら選ばれる少なくとも１種が好ましい。これらの金属は
比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を有する
からである。Examples of the heating element include a sintered body of metal or conductive ceramic, a metal foil, a metal wire and the like. As the metal sintered body, at least one selected from tungsten and molybdenum is preferable. This is because these metals are relatively hard to oxidize and have a resistance value sufficient to generate heat.
【００４３】また、導電性セラミックとしては、タング
ステン、モリブデンの炭化物から選ばれる少なくとも１
種を使用することができる。さらに、セラミック基板の
外側に発熱体を形成する場合には、金属焼結体として
は、貴金属（金、銀、パラジウム、白金）、ニッケルを
使用することが望ましい。具体的には銀、銀−パラジウ
ムなどを使用することができる。上記金属焼結体に使用
される金属粒子は、球状、リン片状、もしくは球状とリ
ン片状の混合物を使用することができる。The conductive ceramic may be at least one selected from carbides of tungsten and molybdenum.
Seeds can be used. Further, when a heating element is formed outside the ceramic substrate, it is desirable to use a noble metal (gold, silver, palladium, platinum) or nickel as the metal sintered body. Specifically, silver, silver-palladium, or the like can be used. The metal particles used in the metal sintered body may be spherical, scaly, or a mixture of spherical and scaly.
【００４４】金属焼結体中には、金属酸化物を添加して
もよい。上記金属酸化物を使用するのは、窒化物セラミ
ックまたは炭化物セラミックと金属粒子を密着させるた
めである。上記金属酸化物により、窒化物セラミックま
たは炭化物セラミックと金属粒子との密着性が改善され
る理由は明確ではないが、金属粒子表面および窒化物セ
ラミックまたは炭化物セラミックの表面はわずかに酸化
膜が形成されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介
して焼結して一体化し、金属粒子と窒化物セラミックま
たは炭化物セラミックが密着するのではないかと考えら
れる。A metal oxide may be added to the metal sintered body. The use of the metal oxide is for bringing the nitride ceramic or carbide ceramic and the metal particles into close contact. Although it is not clear why the metal oxide improves the adhesion between the nitride ceramic or the carbide ceramic and the metal particles, an oxide film is slightly formed on the surface of the metal particles and the surface of the nitride ceramic or the carbide ceramic. It is considered that the oxide films are sintered and integrated via the metal oxide, and the metal particles and the nitride ceramic or the carbide ceramic adhere to each other.
【００４５】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ 2 Ｏ3 ）、アル
ミナ、イットリア、チタニアから選ばれる少なくとも１
種が好ましい。これらの酸化物は、発熱体の抵抗値を大
きくすることなく、金属粒子と窒化物セラミックまたは
炭化物セラミックとの密着性を改善できるからである。As the metal oxide, for example, oxidized
Lead, zinc oxide, silica, boron oxide (B Two OThree ), Al
At least one selected from Mina, Yttria and Titania
Species are preferred. These oxides increase the resistance of the heating element.
Metal particles and nitride ceramic or
This is because the adhesion with the carbide ceramic can be improved.
【００４６】上記金属酸化物は、金属粒子に対して０．
１重量％以上１０重量％未満であることが望ましい。抵
抗値が大きくなりすぎず、金属粒子と窒化物セラミック
または炭化物セラミックとの密着性を改善することがで
きるからである。The above metal oxide is used in an amount of 0.
It is desirable that the content be 1% by weight or more and less than 10% by weight. This is because the resistance value does not become too large, and the adhesion between the metal particles and the nitride ceramic or the carbide ceramic can be improved.
【００４７】また、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホ
ウ素（Ｂ2 Ｏ3 ）、アルミナ、イットリア、チタニアの
割合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合
に、酸化鉛が１〜１０重量部、シリカが１〜３０重量
部、酸化ホウ素が５〜５０重量部、酸化亜鉛が２０〜７
０重量部、アルミナが１〜１０重量部、イットリアが１
〜５０重量部、チタニアが１〜５０重量部が好ましい。
但し、これらの合計が１００重量部を超えない範囲で調
整されることが望ましい。これらの範囲が特に窒化物セ
ラミックとの密着性を改善できる範囲だからである。The ratio of lead oxide, zinc oxide, silica, boron oxide (B 2 O 3 ), alumina, yttria, and titania is such that when the total amount of metal oxide is 100 parts by weight, 10 parts by weight, 1 to 30 parts by weight of silica, 5 to 50 parts by weight of boron oxide, 20 to 7 parts of zinc oxide
0 parts by weight, alumina 1 to 10 parts by weight, yttria 1
-50 parts by weight and titania of 1-50 parts by weight are preferred.
However, it is desirable that the total be adjusted so that the total does not exceed 100 parts by weight. This is because these ranges are ranges in which the adhesion with the nitride ceramic can be particularly improved.
【００４８】発熱体をセラミック基板の表面に設ける場
合は、発熱体の表面は、金属層４１０で被覆されている
ことが望ましい（図１１（ｅ）参照）。発熱体は、金属
粒子の焼結体であり、露出していると酸化しやすく、こ
の酸化により抵抗値が変化してしまう。そこで、表面を
金属層で被覆することにより、酸化を防止することがで
きるのである。When the heating element is provided on the surface of the ceramic substrate, it is desirable that the surface of the heating element be covered with a metal layer 410 (see FIG. 11E). The heating element is a sintered body of metal particles, and is easily oxidized when exposed, and the oxidation changes the resistance value. Therefore, oxidation can be prevented by coating the surface with a metal layer.
【００４９】金属層の厚さは、０．１〜１０μｍが望ま
しい。発熱体の抵抗値を変化させることなく、発熱体の
酸化を防止することができる範囲だからである。被覆に
使用される金属は、非酸化性の金属であればよい。具体
的には、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルから選ば
れる少なくとも１種以上が好ましい。なかでもニッケル
がさらに好ましい。発熱体には電源と接続するための端
子が必要であり、この端子は、半田を介して発熱体に取
り付けるが、ニッケルは半田の熱拡散を防止するからで
ある。接続端子しては、コバール製の端子ピンを使用す
ることができる。なお、発熱体をヒータ板内部に形成す
る場合は、発熱体表面が酸化されることがないため、被
覆は不要である。発熱体をヒータ板内部に形成する場
合、発熱体の表面の一部が露出していてもよい。The thickness of the metal layer is desirably 0.1 to 10 μm. This is because the oxidation of the heating element can be prevented without changing the resistance value of the heating element. The metal used for coating may be a non-oxidizing metal. Specifically, at least one selected from gold, silver, palladium, platinum, and nickel is preferable. Among them, nickel is more preferable. The heating element requires a terminal for connection to a power supply, and this terminal is attached to the heating element via solder. Nickel prevents heat diffusion of the solder. As connection terminals, terminal pins made of Kovar can be used. In the case where the heating element is formed inside the heater plate, the heating element surface is not oxidized, and thus no coating is required. When the heating element is formed inside the heater plate, a part of the surface of the heating element may be exposed.
【００５０】発熱体として使用する金属箔としては、ニ
ッケル箔、ステンレス箔をエッチング等でパターン形成
して発熱体としたものが望ましい。パターン化した金属
箔は、樹脂フィルム等ではり合わせてもよい。金属線と
しては、例えば、タングステン線、モリブデン線等が挙
げられる。As the metal foil used as the heating element, it is desirable to use a nickel foil or a stainless steel foil as a heating element by forming a pattern by etching or the like. The patterned metal foil may be bonded with a resin film or the like. Examples of the metal wire include a tungsten wire and a molybdenum wire.
【００５１】温度制御手段としてペルチェ素子を使用す
る場合は、電流の流れる方向を変えることにより発熱、
冷却両方行うことができるため有利である。ペルチェ素
子は、図９に示すように、ｐ型、ｎ型の熱電素子４４０
を直列に接続し、これをセラミック板４４１などに接合
させることにより形成される。ペルチェ素子としては、
例えば、シリコン・ゲルマニウム系、ビスマス・アンチ
モン系、鉛・テルル系材料等が挙げられる。When a Peltier element is used as the temperature control means, heat is generated by changing the direction of current flow.
This is advantageous because both cooling can be performed. As shown in FIG. 9, the Peltier element is a p-type or n-type thermoelectric element 440.
Are connected in series and joined to a ceramic plate 441 or the like. As a Peltier element,
For example, a silicon-germanium-based material, a bismuth-antimony-based material, a lead / tellurium-based material, and the like can be given.
【００５２】本発明では、温度制御手段とチャックトッ
プ導体層との間に少なくとも１層以上の導電層が形成さ
れていることが望ましい。図３におけるガード電極５と
グランド電極６が上記導体層に相当する。ガード電極５
は、測定回路内に介在するストレイキャパシタをキャン
セルするための電極であり、測定回路（即ち、図３のチ
ャックトップ導体層２）の接地電位が与えられている。
また、グランド電極６は、温度制御手段からのノイズを
キャンセルするために設けられている。これらの電極の
厚さは、１〜２０μｍが望ましい。薄すぎると、抵抗値
が高くなり、厚すぎるとセラミック基板が反ったり、熱
衝撃性が低下するからである。In the present invention, it is desirable that at least one or more conductive layers are formed between the temperature control means and the chuck top conductive layer. The guard electrode 5 and the ground electrode 6 in FIG. 3 correspond to the conductor layer. Guard electrode 5
Is an electrode for canceling the stray capacitor interposed in the measurement circuit, and is supplied with the ground potential of the measurement circuit (that is, the chuck top conductor layer 2 in FIG. 3).
The ground electrode 6 is provided to cancel noise from the temperature control unit. The thickness of these electrodes is desirably 1 to 20 μm. If the thickness is too small, the resistance value increases, and if the thickness is too large, the ceramic substrate warps or the thermal shock resistance decreases.
【００５３】これらのガード電極５、グランド電極６
は、図６に示したような格子状に設けられていることが
望ましい。即ち、円形状の導体層５１の内部に矩形状の
導体層非形成部５２が多数整列して存在する形状であ
る。このような形状としたのは、導体層上下のセラミッ
ク同士の密着性を改善するためである。本発明のウエハ
プローバ装置を構成するウエハプローバのチャックトッ
プ導体層形成面には図４に示したように溝７と空気の吸
引孔８が形成されていることが望ましい。吸引孔８は、
複数設けられて均一な吸着が図られる。シリコンウエハ
Ｗを載置して吸引孔８から空気を吸引してシリコンウエ
ハＷを吸着させることができるからである。The guard electrode 5 and the ground electrode 6
Are desirably provided in a lattice shape as shown in FIG. That is, the shape is such that a large number of rectangular conductor layer non-formed portions 52 are aligned and present inside the circular conductor layer 51. This shape is used to improve the adhesion between the ceramics above and below the conductor layer. As shown in FIG. 4, it is desirable that a groove 7 and an air suction hole 8 are formed on the chuck top conductor layer forming surface of the wafer prober constituting the wafer prober device of the present invention. The suction hole 8
A plurality is provided to achieve uniform adsorption. This is because the silicon wafer W can be placed and the air can be sucked from the suction holes 8 to suck the silicon wafer W.
【００５４】本発明で用いるウエハプローバとしては、
例えば、図３に示すようにセラミック基板３の底面に発
熱体４１が設けられ、発熱体４１とチャックトップ導体
層２との間にガード電極５の層とグランド電極６の層と
がそれぞれ設けられた構成のウエハプローバ１０１、図
７に示すようにセラミック基板３の内部に扁平形状の発
熱体４２が設けられ、発熱体４２とチャックトップ導体
層２との間にガード電極５とグランド電極６とが設けら
れた構成のウエハプローバ２０１、図８に示すようにセ
ラミック基板３の内部に発熱体である金属線４３が埋設
され、金属線４３とチャックトップ導体層２との間にガ
ード電極５とグランド電極６とが設けられた構成のウエ
ハプローバ３０１、図９に示すようにペルチェ素子４４
（熱電素子４４０とセラミック基板４４１からなる）が
セラミック基板３の外側に形成され、ペルチェ素子４４
とチャックトップ導体層２との間にガード電極５とグラ
ンド電極６とが設けられた構成のウエハプローバ４０１
等が挙げられる。いずれのウエハプローバも、溝７と吸
引孔８とを必ず有している。As the wafer prober used in the present invention,
For example, as shown in FIG. 3, a heating element 41 is provided on the bottom surface of the ceramic substrate 3, and a layer of the guard electrode 5 and a layer of the ground electrode 6 are provided between the heating element 41 and the chuck top conductor layer 2. 7, a flat heating element 42 is provided inside the ceramic substrate 3 as shown in FIG. 7, and a guard electrode 5 and a ground electrode 6 are provided between the heating element 42 and the chuck top conductor layer 2. A metal wire 43 serving as a heating element is embedded in a ceramic substrate 3 as shown in FIG. 8, and a guard electrode 5 is provided between the metal wire 43 and the chuck top conductor layer 2 as shown in FIG. The wafer prober 301 provided with the ground electrode 6 and the Peltier element 44 as shown in FIG.
(Composed of a thermoelectric element 440 and a ceramic substrate 441) is formed outside the ceramic substrate 3 and the Peltier element 44
Wafer prober 401 having a configuration in which guard electrode 5 and ground electrode 6 are provided between the electrode and chuck top conductor layer 2.
And the like. Each wafer prober always has a groove 7 and a suction hole 8.
【００５５】本発明では、図３〜９に示したようにセラ
ミック基板３の内部に発熱体４２、４３が形成され（図
７〜８）、セラミック基板３の内部にガード電極５、グ
ランド電極６（図３〜９）が形成されるため、これらと
外部端子とを接続するための接続部（スルーホール）１
６、１７、１８が必要となる。スルーホール１６、１
７、１８は、タングステンペースト、モリブデンペース
トなどの高融点金属、タングステンカーバイド、モリブ
デンカーバイドなどの導電性セラミックを充填すること
により形成される。In the present invention, the heating elements 42 and 43 are formed inside the ceramic substrate 3 as shown in FIGS. 3 to 9 (FIGS. 7 to 8), and the guard electrode 5 and the ground electrode 6 are formed inside the ceramic substrate 3. (FIGS. 3 to 9) are formed, so that a connection portion (through hole) 1 for connecting these to an external terminal is formed.
6, 17, and 18 are required. Through hole 16, 1
7 and 18 are formed by filling a high melting point metal such as a tungsten paste or a molybdenum paste, or a conductive ceramic such as tungsten carbide or molybdenum carbide.
【００５６】また、接続部（スルーホール）１６、１
７、１８の直径は、０．１〜１０ｍｍが望ましい。断線
を防止しつつ、クラックや歪みを防止できるからであ
る。このスルーホールを接続パッドとして外部端子ピン
を接続する（図１１（ｇ）参照）。The connection parts (through holes) 16, 1
The diameter of 7, 18 is desirably 0.1 to 10 mm. This is because cracks and distortion can be prevented while preventing disconnection. External terminal pins are connected using the through holes as connection pads (see FIG. 11 (g)).
【００５７】接続は、半田、ろう材により行う。ろう材
としては銀ろう、パラジウムろう、アルミニウムろう、
金ろうを使用する。金ろうとしては、Ａｕ−Ｎｉ合金が
望ましい。Ａｕ−Ｎｉ合金は、タングステンとの密着性
に優れるからである。The connection is made by solder or brazing material. As brazing materials, silver brazing, palladium brazing, aluminum brazing,
Use gold brazing. As the gold solder, an Au-Ni alloy is desirable. This is because the Au-Ni alloy has excellent adhesion to tungsten.
【００５８】Ａｕ／Ｎｉの比率は、〔８１．５〜８２．
５（重量％）〕／〔１８．５〜１７．５（重量％）〕が
望ましい。Ａｕ−Ｎｉ層の厚さは、０．１〜５０μｍが
望ましい。接続を確保するに充分な範囲だからである。
また、１０-6〜１０-5Ｐａの高真空で５００℃〜１００
０℃の高温で使用するとＡｕ−Ｃｕ合金では劣化する
が、Ａｕ−Ｎｉ合金ではこのような劣化がなく有利であ
る。また、Ａｕ−Ｎｉ合金中の不純物元素量は全量を１
００重量部とした場合に１重量部未満であることが望ま
しい。The ratio of Au / Ni is [81.5-82.
5 (% by weight)] / [18.5 to 17.5 (% by weight)] is desirable. The thickness of the Au—Ni layer is desirably 0.1 to 50 μm. This is because the range is sufficient to secure the connection.
In addition, 500 ° C. to 100 ° C. in a high vacuum of 10 −6 to 10 −5 Pa
When used at a high temperature of 0 ° C., the Au—Cu alloy deteriorates, but the Au—Ni alloy is advantageous because such deterioration does not occur. The total amount of impurity elements in the Au—Ni alloy is 1
When the amount is 00 parts by weight, it is desirably less than 1 part by weight.
【００５９】本発明では、必要に応じてセラミック基板
に熱電対を埋め込んでおくことができる。熱電対により
発熱体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流
量を変えて、温度を制御することができるからである。
熱電対の金属線の接合部位の大きさは、各金属線の素線
径と同一か、もしくは、それよりも大きく、かつ、０．
５ｍｍ以下がよい。このような構成によって、接合部分
の熱容量が小さくなり、温度が正確に、また、迅速に電
流値に変換されるのである。このため、温度制御性が向
上してウエハの加熱面の温度分布が小さくなるのであ
る。上記熱電対としては、例えば、ＪＩＳ−Ｃ−１６０
２（１９８０）に挙げられるように、Ｋ型、Ｒ型、Ｂ
型、Ｓ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対が挙げられる。In the present invention, a thermocouple can be embedded in a ceramic substrate as needed. This is because the temperature of the heating element can be measured by a thermocouple, and the temperature and the amount of current can be changed based on the data to control the temperature.
The size of the joining portion of the metal wires of the thermocouple is equal to or larger than the element diameter of each metal wire.
5 mm or less is preferable. With such a configuration, the heat capacity of the junction is reduced, and the temperature is accurately and quickly converted to a current value. For this reason, the temperature controllability is improved and the temperature distribution on the heated surface of the wafer is reduced. As the thermocouple, for example, JIS-C-160
2 (1980), K-type, R-type, B-type
Type, S type, E type, J type, and T type thermocouples.
【００６０】Ｋ型は、Ｎｉ／Ｃｒ合金とＮｉ合金の組合
せ、Ｒ型はＰｔ−１３％Ｒｈ合金とＰｔの組合せ、Ｂ型
は、Ｐｔ−３０％Ｒｈ合金とＰｔ−６５％Ｒｈ合金の組
合せ、Ｓ型は、Ｐｔ−１０％Ｒｈ合金とＰｔの組合せ、
Ｅ型は、Ｎｉ／Ｃｒ合金とＣｕ／Ｎｉ合金の組合せ、Ｊ
型はＦｅとＣｕ／Ｎｉ合金の組合せ、Ｔ型は、ＣｕとＣ
ｕ／ｎｉ合金の組合せである。The K type is a combination of a Ni / Cr alloy and a Ni alloy, the R type is a combination of a Pt-13% Rh alloy and Pt, and the B type is a combination of a Pt-30% Rh alloy and a Pt-65% Rh alloy. , S type is a combination of Pt-10% Rh alloy and Pt,
Type E is a combination of Ni / Cr alloy and Cu / Ni alloy, J
The mold is a combination of Fe and Cu / Ni alloy, and the T mold is Cu and C
It is a combination of u / ni alloys.
【００６１】次に、本発明のウエハプローバ装置を構成
するウエハプローバの製造方法の一例を図１０〜１１に
示した断面図に基づき説明する。 （１）まず、酸化物セラミック、窒化物セラミック、炭
化物セラミックなどのセラミックの粉体をバインダおよ
び溶剤と混合してグリーンシート３０を得る。前述した
セラミック粉体としては、例えば、窒化アルミニウム、
炭化ケイ素などを使用することができ、必要に応じて、
イットリアなどの焼結助剤などを加えてもよい。Next, an example of a method for manufacturing a wafer prober constituting the wafer prober apparatus of the present invention will be described with reference to the sectional views shown in FIGS. (1) First, a green sheet 30 is obtained by mixing a ceramic powder such as an oxide ceramic, a nitride ceramic, and a carbide ceramic with a binder and a solvent. As the ceramic powder described above, for example, aluminum nitride,
Silicon carbide or the like can be used, and if necessary,
A sintering aid such as yttria may be added.
【００６２】また、バインダとしては、アクリル系バイ
ンダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニ
ルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
さらに、溶媒としては、α−テルピネオール、グリコー
ルから選ばれる少なくとも１種が望ましい。これらを混
合して得られるペーストをドクターブレード法でシート
状に成形してグリーンシート３０を作製する。The binder is preferably at least one selected from an acrylic binder, ethyl cellulose, butyl cellosolve, and polyvinyl alcohol.
Further, as the solvent, at least one selected from α-terpineol and glycol is desirable. A paste obtained by mixing them is formed into a sheet by a doctor blade method to produce a green sheet 30.
【００６３】グリーンシート３０に、必要に応じてシリ
コンウエハの支持ピンを挿入する貫通孔や熱電対を埋め
込む凹部を設けておくことができる。貫通孔や凹部は、
パンチングなどで形成することができる。グリーンシー
ト３０の厚さは、０．１〜５ｍｍ程度が好ましい。The green sheet 30 may be provided with a through hole for inserting a support pin of a silicon wafer or a concave portion for burying a thermocouple, if necessary. Through holes and recesses
It can be formed by punching or the like. The thickness of the green sheet 30 is preferably about 0.1 to 5 mm.
【００６４】次に、グリーンシート３０にガード電極、
グランド電極を印刷する。印刷は、グリーンシート３０
の収縮率を考慮して所望のアスペクト比が得られるよう
に行い、これによりガード電極印刷体５０、グランド電
極印刷体６０を得る。印刷体は、導電性セラミック、金
属粒子などを含む導電性ペーストを印刷することにより
形成する。Next, a guard electrode is provided on the green sheet 30.
Print the ground electrode. The printing is green sheet 30
Is performed so as to obtain a desired aspect ratio in consideration of the shrinkage ratio of the guard electrode, thereby obtaining the guard electrode print 50 and the ground electrode print 60. The printed body is formed by printing a conductive paste containing conductive ceramic, metal particles, and the like.
【００６５】これらの導電性ペースト中に含まれる導電
性セラミック粒子としては、タングステンまたはモリブ
デンの炭化物が最適である。酸化しにくく熱伝導率が低
下しにくいからである。また、金属粒子としては、例え
ば、タングステン、モリブデン、白金、ニッケルなどを
使用することができる。As the conductive ceramic particles contained in these conductive pastes, carbides of tungsten or molybdenum are most suitable. This is because it is difficult to be oxidized and the thermal conductivity is not easily reduced. Further, as the metal particles, for example, tungsten, molybdenum, platinum, nickel and the like can be used.
【００６６】導電性セラミック粒子、金属粒子の平均粒
子径は０．１〜５μｍが好ましい。これらの粒子は、大
きすぎても小さすぎてもペーストを印刷しにくいからで
ある。このようなペーストとしては、金属粒子または導
電性セラミック粒子８５〜９７重量部、アクリル系、エ
チルセルロース、ブチルセロソルブおよびポリビニルア
ルコールから選ばれる少なくとも１種のバインダ１．５
〜１０重量部、α−テルピネオール、グリコール、エチ
ルアルコールおよびブタノールから選ばれる少なくとも
１種の溶媒を１．５〜１０重量部混合して調製したぺー
ストが最適である。さらに、パンチング等で形成した孔
に、導電ペーストを充填してスルーホール印刷体１６
０、１７０を得る。The average particle size of the conductive ceramic particles and metal particles is preferably 0.1 to 5 μm. This is because it is difficult to print the paste if these particles are too large or too small. As such a paste, 85 to 97 parts by weight of metal particles or conductive ceramic particles, at least one kind of binder 1.5 selected from acrylic, ethyl cellulose, butyl cellosolve and polyvinyl alcohol are used.
The best is a paste prepared by mixing 1.5 to 10 parts by weight of at least one solvent selected from α-terpineol, glycol, ethyl alcohol and butanol. Further, holes formed by punching or the like are filled with a conductive paste to form a through-hole printed body 16.
0, 170 are obtained.
【００６７】次に、図１０（ａ）に示すように、印刷体
５０、６０、１６０、１７０を有するグリーンシート３
０と、印刷体を有さないグリーンシート３０を積層す
る。発熱体形成側に印刷体を有さないグリーンシート３
０を積層するのは、スルーホールの端面が露出して、発
熱体形成の焼成の際に酸化してしまうことを防止するた
めである。もしスルーホールの端面が露出したまま、発
熱体形成の焼成を行うのであれば、ニッケルなどの酸化
しにくい金属をスパッタリングする必要があり、さらに
好ましくは、Ａｕ−Ｎｉの金ろうで被覆してもよい。Next, as shown in FIG. 10A, the green sheet 3 having the prints 50, 60, 160, 170
0 and the green sheet 30 having no printed body are laminated. Green sheet 3 having no printed body on the heating element forming side
The reason why 0 is laminated is to prevent the end face of the through hole from being exposed and being oxidized during firing for forming the heating element. If the baking for forming the heating element is performed while the end face of the through hole is exposed, it is necessary to sputter a metal that is difficult to oxidize, such as nickel. Good.
【００６８】（２）次に、図１０（ｂ）に示すように、
積層体の加熱および加圧を行い、グリーンシートおよび
導電ペーストを焼結させる。加熱温度は、１０００〜２
０００℃、加圧は１００〜２００ｋｇ／ｃｍ2 が好まし
く、これらの加熱および加圧は、不活性ガス雰囲気下で
行う。不活性ガスとしては、アルゴン、窒素などを使用
することができる。この工程でスルーホール１６、１
７、ガード電極５、グランド電極６が形成される。(2) Next, as shown in FIG.
The laminate is heated and pressed to sinter the green sheet and the conductive paste. Heating temperature is 1000-2
000 ° C., the pressure is preferably 100 to 200 kg / cm 2 , and the heating and pressurization are performed in an inert gas atmosphere. As the inert gas, argon, nitrogen, or the like can be used. In this process, the through holes 16, 1
7, a guard electrode 5, and a ground electrode 6 are formed.
【００６９】（３）次に、図１０（ｃ）に示すように、
焼結体の表面に溝７を設ける。溝７は、ドリル、サンド
ブラスト等により形成する。 （４）次に、図１０（ｄ）に示すように、焼結体の底面
に導電ペーストを印刷してこれを焼成し、発熱体４１を
作製する。(3) Next, as shown in FIG.
Grooves 7 are provided on the surface of the sintered body. The groove 7 is formed by a drill, sand blast, or the like. (4) Next, as shown in FIG. 10 (d), a conductive paste is printed on the bottom surface of the sintered body and baked to produce the heating element 41.
【００７０】（５）次に、図１１（ｅ）に示すように、
ウエハ載置面（溝形成面）にチタン、モリブデン、ニッ
ケル等をスパッタリングした後、無電解ニッケルめっき
等を施しチャックトップ導体層２を設ける。このとき同
時に、発熱体４１の表面にも無電解ニッケルめっき等に
より保護層４１０を形成する。(5) Next, as shown in FIG.
After sputtering titanium, molybdenum, nickel, or the like on the wafer mounting surface (groove forming surface), the chuck top conductor layer 2 is provided by performing electroless nickel plating or the like. At this time, a protective layer 410 is also formed on the surface of the heating element 41 by electroless nickel plating or the like.
【００７１】（６）次に、図１１（ｆ）に示すように、
溝７から裏面にかけて貫通する吸引孔８、外部端子接続
のための袋孔１８０を設ける。袋孔の内壁は、その少な
くとも一部が導電化され、その導電化された内壁は、ガ
ード電極、グランド電極などと接続されていることが望
ましい。 （７）最後に、図１１（ｇ）に示すように、発熱体４１
表面の取りつけ部位に半田ペーストを印刷した後、外部
端子ピン１９１を乗せて、加熱してリフローする。加熱
温度は、２００〜５００℃が好適である。(6) Next, as shown in FIG.
A suction hole 8 penetrating from the groove 7 to the back surface and a blind hole 180 for connecting an external terminal are provided. It is preferable that at least a part of the inner wall of the blind hole is conductive, and the conductive inner wall is connected to a guard electrode, a ground electrode, or the like. (7) Finally, as shown in FIG.
After the solder paste is printed on the mounting portion on the front surface, the external terminal pins 191 are placed and heated to reflow. The heating temperature is preferably from 200 to 500C.
【００７２】また、袋孔１８０にも金ろうを介して外部
端子１９、１９０を設ける。さらに、必要に応じて、有
底孔を設け、その内部に熱電対を埋め込むことができ
る。半田は銀−鉛、鉛−スズ、ビスマス−スズなどの合
金を使用することができる。なお、半田層の厚さは、
０．１〜５０μｍが望ましい。半田による接続を確保す
るに充分な範囲だからである。この後、製造されたウエ
ハプローバ１０１を、例えば、図１に示した支持容器１
１に嵌め込むことにより、ウエハプローバ装置を作製す
ることができる。Further, external terminals 19 and 190 are also provided in the blind hole 180 via gold brazing. Furthermore, if necessary, a bottomed hole can be provided, and a thermocouple can be embedded therein. As the solder, alloys such as silver-lead, lead-tin, and bismuth-tin can be used. The thickness of the solder layer is
0.1 to 50 μm is desirable. This is because the range is sufficient to secure the connection by soldering. Thereafter, the manufactured wafer prober 101 is placed in, for example, the support container 1 shown in FIG.
The wafer prober apparatus can be manufactured by fitting the wafer prober into the wafer prober apparatus.
【００７３】なお、上記説明ではウエハプローバ１０１
（図３参照）を例にしたが、ウエハプローバ２０１（図
７参照）を製造する場合は、発熱体をグリーンシートに
印刷すればよい。また、ウエハプローバ３０１（図８参
照）を製造する場合は、セラミック粉体にガード電極、
グランド電極として金属板を、また金属線を発熱体にし
て埋め込み、焼結すればよい。さらに、ウエハプローバ
４０１（図９参照）を製造する場合は、ペルチェ素子を
溶射金属層を介して接合すればよい。In the above description, the wafer prober 101
Although (see FIG. 3) is taken as an example, when manufacturing the wafer prober 201 (see FIG. 7), the heating element may be printed on a green sheet. Further, when manufacturing the wafer prober 301 (see FIG. 8), a guard electrode,
What is necessary is just to embed and sinter a metal plate as a ground electrode and a metal wire as a heating element. Further, when manufacturing the wafer prober 401 (see FIG. 9), the Peltier element may be joined via a sprayed metal layer.
【００７４】[0074]
【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。 （実施例１）ウエハプローバ１０１（図３参照）の製造 （１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．
４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１１．５重量部、
分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノール
とからなるアルコール５３重量部を混合した組成物を用
い、ドクターブレード法により成形を行って厚さ０．４
７ｍｍのグリーンシートを得た。The present invention will be described in more detail below. (Example 1) Production of wafer prober 101 (see FIG. 3) (1) 100 parts by weight of aluminum nitride powder (manufactured by Tokuyama Corporation, average particle size 1.1 μm), yttria (average particle size: 0.1 μm)
4 μm) 4 parts by weight, acrylic binder 11.5 parts by weight,
Using a composition obtained by mixing 0.5 part by weight of a dispersant and 53 parts by weight of alcohol composed of 1-butanol and ethanol, molding was performed by a doctor blade method to a thickness of 0.4.
A 7 mm green sheet was obtained.
【００７５】（２）このグリーンシートを８０℃で５時
間乾燥させた後、パンチングにて発熱体と外部端子ピン
と接続するためのスルーホール用の貫通孔を設けた。 （３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子
１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−
テルピネオール溶媒３．５重量および分散剤０．３重量
部を混合して導電性ペーストＡとした。(2) After drying this green sheet at 80 ° C. for 5 hours, a through-hole for a through-hole for connecting the heating element to an external terminal pin was provided by punching. (3) 100 parts by weight of tungsten carbide particles having an average particle diameter of 1 μm, 3.0 parts by weight of an acrylic binder, α-
A conductive paste A was prepared by mixing 3.5 parts by weight of a terpineol solvent and 0.3 parts by weight of a dispersant.
【００７６】また、平均粒子径３μｍのタングステン粒
子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α
−テルピネオール溶媒３．７重量および分散剤０．２重
量部を混合して導電性ペーストＢとした。Further, 100 parts by weight of tungsten particles having an average particle diameter of 3 μm, 1.9 parts by weight of an acrylic binder, α
-Conductive paste B was prepared by mixing 3.7 parts by weight of a terpineol solvent and 0.2 parts by weight of a dispersant.
【００７７】次に、グリーンシートに、この導電性ペー
ストＡを用いたスクリーン印刷で、格子状のガード電極
用印刷体５０、グランド電極用印刷体６０を印刷した。
また、端子ピンと接続するためのスルーホール用の貫通
孔に導電性ペーストＢを充填した。Next, a grid-shaped printed body for guard electrode 50 and a printed body for ground electrode 60 were printed on the green sheet by screen printing using the conductive paste A.
In addition, conductive paste B was filled in through holes for through holes for connecting to terminal pins.
【００７８】さらに、印刷されたグリーンシートおよび
印刷がされていないグリーンシートを５０枚積層して１
３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で一体化することによ
り積層体を作製した（図１０（ａ）参照）。Further, 50 sheets of printed green sheets and unprinted green sheets were laminated and 1
A laminate was produced by integrating at 30 ° C. and a pressure of 80 kg / cm 2 (see FIG. 10A).
【００７９】（４）次に、この積層体を窒素ガス中で６
００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／
ｃｍ2 で３時間ホットプレスし、厚さ４ｍｍの窒化アル
ミニウム板状体を得た。得られた板状体を、直径２３０
ｍｍの円形状に切り出してセラミック製の板状体とした
（図１０（ｂ）参照）。スルーホール１６、１７の大き
さは、直径０．２ｍｍ、深さ０．２ｍｍであった。ま
た、ガード電極５、グランド電極６の厚さは１０μｍ、
ガード電極５の形成位置は、ウエハ載置面から１ｍｍ、
グランド電極６の形成位置は、ウエハ載置面から１．２
ｍｍであった。また、ガード電極５およびグランド電極
６の導体非形成領域（方形）の１辺の大きさは、０．５
ｍｍであった。(4) Next, this laminate is placed in nitrogen gas for 6 hours.
Degreasing at 00 ° C for 5 hours, 1890 ° C, pressure 150kg /
By hot pressing at 3 cm 2 for 3 hours, an aluminum nitride plate having a thickness of 4 mm was obtained. The obtained plate-like body was formed with a diameter of 230
It was cut out into a circular shape of mm to obtain a ceramic plate (see FIG. 10B). The size of the through holes 16 and 17 was 0.2 mm in diameter and 0.2 mm in depth. The thickness of the guard electrode 5 and the ground electrode 6 is 10 μm,
The formation position of the guard electrode 5 is 1 mm from the wafer mounting surface,
The formation position of the ground electrode 6 is set at a distance of 1.2 from the wafer mounting surface.
mm. The size of one side of the conductor non-forming region (square) of the guard electrode 5 and the ground electrode 6 is 0.5
mm.
【００８０】（５）上記（４）で得た板状体を、ダイア
モンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等に
よるブラスト処理で表面に熱電対のための凹部（図示せ
ず）およびシリコンウエハ吸着用の溝７（幅０．５ｍ
ｍ、深さ０．５ｍｍ）を設けた（図１０（ｃ）参照）。(5) After polishing the plate-like body obtained in the above (4) with a diamond grindstone, a mask is placed, and a concave portion (not shown) for a thermocouple is formed on the surface by blasting with SiC or the like. And groove 7 for silicon wafer suction (width 0.5m)
m, depth 0.5 mm) (see FIG. 10C).
【００８１】（６）さらに、ウエハ載置面に対向する面
に発熱体４１を印刷した。印刷は導電ペーストを用い
た。導電ペーストは、プリント配線板のスルーホール形
成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ
６０３Ｄを使用した。この導電ペーストは、銀／鉛ペー
ストであり、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、
アルミナからなる金属酸化物（それぞれの重量比率は、
５／５５／１０／２５／５）を銀１００重量部に対して
７．５重量部含むものであった。また、銀の形状は平均
粒径４．５μｍでリン片状のものであった。(6) Further, the heating element 41 was printed on the surface facing the wafer mounting surface. For printing, a conductive paste was used. The conductive paste is Solvest PS manufactured by Tokurika Kagaku Kenkyusho, which is used to form through holes in printed wiring boards.
603D was used. This conductive paste is a silver / lead paste, and includes lead oxide, zinc oxide, silica, boron oxide,
Metal oxide composed of alumina (the weight ratio of each is
5/55/10/25/5) was contained in an amount of 7.5 parts by weight based on 100 parts by weight of silver. The silver had a scaly shape with an average particle size of 4.5 μm.
【００８２】（７）導電ペーストを印刷したヒータ板を
７８０℃で加熱焼成して、導電ペースト中の銀、鉛を焼
結させるとともにセラミック基板３に焼き付けた。さら
に硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３０ｇ／ｌ、塩化ア
ンモニウム３０ｇ／ｌおよびロッシェル塩６０ｇ／ｌを
含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴にヒータ板
を浸漬して、銀の焼結体４１の表面に厚さ１μｍ、ホウ
素の含有量が１重量％以下のニッケル層４１０を析出さ
せた。この後、ヒータ板は、１２０℃で３時間アニーリ
ング処理を施した。銀の焼結体からなる発熱体は、厚さ
が５μｍ、幅２．４ｍｍであり、面積抵抗率が７．７ｍ
Ω／□であった（図１０（ｄ））。(7) The heater plate on which the conductive paste was printed was heated and fired at 780 ° C. to sinter silver and lead in the conductive paste and to bake the ceramic substrate 3. Further, the heater plate is immersed in an electroless nickel plating bath composed of an aqueous solution containing 30 g / l of nickel sulfate, 30 g / l of boric acid, 30 g / l of ammonium chloride and 60 g / l of Rochelle salt, so that the surface of the silver sintered body 41 A nickel layer 410 having a thickness of 1 μm and a boron content of 1% by weight or less was deposited. Thereafter, the heater plate was annealed at 120 ° C. for 3 hours. The heating element made of a silver sintered body has a thickness of 5 μm, a width of 2.4 mm, and a sheet resistivity of 7.7 m.
Ω / □ (FIG. 10D).
【００８３】（８）溝７が形成された面に、スパッタリ
ング法により、順次、チタン層、モリブデン層、ニッケ
ル層を形成した。スパッタリングのための装置は、日本
真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を使用した。スパ
ッタリングの条件は気圧０．６Ｐａ、温度１００℃、電
力２００Ｗであり、スパッタリング時間は、３０秒から
１分の範囲内で、各金属によって調整した。得られた膜
の厚さは、蛍光Ｘ線分析計の画像から、チタン層は０．
３μｍ、モリブデン層は２μｍ、ニッケル層は１μｍで
あった。(8) On the surface where the groove 7 was formed, a titanium layer, a molybdenum layer and a nickel layer were sequentially formed by a sputtering method. As a device for sputtering, SV-4540 manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd. was used. Sputtering conditions were as follows: atmospheric pressure: 0.6 Pa, temperature: 100 ° C., power: 200 W. Sputtering time was adjusted for each metal within a range of 30 seconds to 1 minute. From the image of the X-ray fluorescence spectrometer, the thickness of the obtained film was 0.1 mm for the titanium layer.
The thickness was 3 μm, the thickness of the molybdenum layer was 2 μm, and the thickness of the nickel layer was 1 μm.
【００８４】（９）硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３
０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌおよびロッシェ
ル塩６０ｇ／ｌを含む水溶液からなる無電解ニッケルめ
っき浴、および、硫酸ニッケル２５０〜３５０ｇ／ｌ、
塩化ニッケル４０〜７０ｇ／ｌ、ホウ酸３０〜５０ｇ／
ｌを含み、硫酸でｐＨ２．４〜４．５に調整した電解ニ
ッケルめっき浴を用いて、上記（８）で得られたセラミ
ック板を浸漬し、スパッタリングにより形成された金属
層の表面に厚さ７μｍ、ホウ素の含有量が１重量％以下
のニッケル層を析出させ、１２０℃で３時間アニーリン
グした。発熱体表面は、電流を流さず、電解ニッケルめ
っきで被覆されない。(9) Nickel sulfate 30 g / l, boric acid 3
Electroless nickel plating bath comprising an aqueous solution containing 0 g / l, ammonium chloride 30 g / l and Rochelle salt 60 g / l, and nickel sulfate 250-350 g / l,
Nickel chloride 40-70 g / l, boric acid 30-50 g /
The ceramic plate obtained in the above (8) is immersed in an electrolytic nickel plating bath containing sulfuric acid and adjusted to pH 2.4 to 4.5 with sulfuric acid, and has a thickness on the surface of the metal layer formed by sputtering. A nickel layer having a thickness of 7 μm and a boron content of 1% by weight or less was deposited and annealed at 120 ° C. for 3 hours. The surface of the heating element does not pass current and is not covered with electrolytic nickel plating.
【００８５】さらに、表面にシアン化金カリウム２ｇ／
ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム
５０ｇ／ｌおよび次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌを含
む無電解金めっき液に、９３℃の条件で１分間浸漬し、
ニッケルめっき層１５上に厚さ１μｍの金めっき層を形
成した（図１１（ｅ）参照）。Further, 2 g of potassium potassium cyanide /
l, 75 g / l ammonium chloride, 50 g / l sodium citrate and 10 g / l sodium hypophosphite in an electroless gold plating solution at 93 ° C. for 1 minute,
A gold plating layer having a thickness of 1 μm was formed on the nickel plating layer 15 (see FIG. 11E).
【００８６】（１０）溝７から裏面に抜ける空気吸引孔
８をドリル加工により形成し、さらにスルーホール１
６、１７を露出させるための袋孔１８０を設けた（図１
０（ｆ）参照）。この袋孔１８０にＮｉ−Ａｕ合金（Ａ
ｕ８１．５重量％、Ｎｉ１８．４重量％、不純物０．１
重量％）からなる金ろうを用い、９７０℃で加熱リフロ
ーしてコバール製の外部端子ピン１９、１９０を接続さ
せた（図１１（ｇ）参照）。また、発熱体に半田（スズ
９／鉛１）を介してコバール製の外部端子ピン１９１を
形成した。(10) An air suction hole 8 extending from the groove 7 to the back surface is formed by drilling.
A blind hole 180 for exposing 6 and 17 was provided (FIG. 1).
0 (f)). A Ni-Au alloy (A
u81.5% by weight, Ni 18.4% by weight, impurities 0.1
(% By weight), and heated and reflowed at 970 ° C. to connect the external terminal pins 19 and 190 made of Kovar (see FIG. 11 (g)). Also, external terminal pins 191 made of Kovar were formed on the heating element via solder (tin 9 / lead 1).
【００８７】（１１）次に、温度制御のための複数熱電
対を凹部に埋め込み、ウエハプローバヒータ１０１を得
た。 （１２）このウエハプローバ１０１を、図１に示した支
持容器にセラミックファイバー（イビデン社製 商品名
イビウール）からなる断熱材１０を介して嵌め込み、
吸引口１３から吸引した。(11) Next, a plurality of thermocouples for temperature control were buried in the recesses to obtain a wafer prober heater 101. (12) The wafer prober 101 is fitted into the support container shown in FIG. 1 via a heat insulating material 10 made of ceramic fiber (trade name: IBIWUL, manufactured by IBIDEN),
Suction was performed through the suction port 13.
【００８８】（実施例２）ウエハプローバ２０１（図７
参照）の製造 （１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．
４μｍ）４重量部、アクリルバイダー１１．５重量部、
分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノール
とからなるアルコール５３重量部を混合した組成物を、
ドクターブレード法により成形し、厚さ０．４７ｍｍの
グリーンシートを得た。(Embodiment 2) Wafer prober 201 (FIG. 7)
(1) 100 parts by weight of aluminum nitride powder (manufactured by Tokuyama Corporation, average particle size: 1.1 μm), yttria (average particle size: 0.1 μm)
4 μm) 4 parts by weight, acrylic binder 11.5 parts by weight,
A composition obtained by mixing 0.5 part by weight of a dispersant and 53 parts by weight of alcohol composed of 1-butanol and ethanol,
The green sheet was formed by a doctor blade method to obtain a green sheet having a thickness of 0.47 mm.
【００８９】（２）このグリーンシートを８０℃で５時
間乾燥させた後、パンチングにて発熱体と外部端子ピン
と接続するためのスルーホール用の貫通孔を設けた。 （３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子
１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−
テルピネオール溶媒３．５重量および分散剤０．３重量
部を混合して導電性ペーストＡとした。(2) After drying this green sheet at 80 ° C. for 5 hours, a through-hole for a through-hole for connecting the heating element to an external terminal pin was provided by punching. (3) 100 parts by weight of tungsten carbide particles having an average particle diameter of 1 μm, 3.0 parts by weight of an acrylic binder, α-
A conductive paste A was prepared by mixing 3.5 parts by weight of a terpineol solvent and 0.3 parts by weight of a dispersant.
【００９０】また、平均粒子径３μｍのタングステン粒
子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α
−テルピネオール溶媒３．７重量および分散剤０．２重
量部を混合して導電性ペーストＢとした。Further, 100 parts by weight of tungsten particles having an average particle diameter of 3 μm, 1.9 parts by weight of an acrylic binder, α
-Conductive paste B was prepared by mixing 3.7 parts by weight of a terpineol solvent and 0.2 parts by weight of a dispersant.
【００９１】次に、グリーンシートに、この導電性ペー
ストＡを用いたスクリーン印刷で、格子状のガード電極
用印刷体、グランド電極用印刷体を印刷した。さらに、
発熱体を図３に示すように同心円パターンとして印刷し
た。Next, a grid-shaped printed body for a guard electrode and a printed body for a ground electrode were printed on the green sheet by screen printing using the conductive paste A. further,
The heating element was printed as a concentric pattern as shown in FIG.
【００９２】また、端子ピンと接続するためのスルーホ
ール用の貫通孔に導電性ペーストＢを充填した。さら
に、印刷されたグリーンシートおよび印刷がされていな
いグリーンシートを５０枚積層して１３０℃、８０ｋｇ
／ｃｍ2 の圧力で一体化し、積層体を作製した。Further, a conductive paste B was filled in a through hole for a through hole for connecting to a terminal pin. Further, 50 printed green sheets and unprinted green sheets are laminated on each other at 130 ° C. and 80 kg.
/ Cm 2 to obtain a laminate.
【００９３】（４）次に、この積層体を窒素ガス中で６
００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／
ｃｍ2 で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アル
ミニウム板状体を得た。これを直径２３０ｍｍの円状に
切り出してセラミック製の板状体とした。スルーホール
の大きさは直径２．０ｍｍ、深さ３．０ｍｍであった。
また、ガード電極５、グランド電極６の厚さは６μｍ、
ガード電極５の形成位置は、ウエハ載置面から０．７ｍ
ｍ、グランド電極６の形成位置は、ウエハ載置面から
１．４ｍｍ、発熱体の形成位置は、ウエハ載置面から
２．８ｍｍであった。また、ガード電極５およびグラン
ド電極６の導体非形成領域（方形）の１辺の大きさは、
０．５ｍｍであった。(4) Next, this laminate is placed in nitrogen gas for 6 hours.
Degreasing at 00 ° C for 5 hours, 1890 ° C, pressure 150kg /
Hot pressing was performed for 3 hours at 2 cm 2 to obtain a 3 mm-thick aluminum nitride plate. This was cut into a circular shape having a diameter of 230 mm to obtain a ceramic plate. The size of the through hole was 2.0 mm in diameter and 3.0 mm in depth.
The thickness of the guard electrode 5 and the ground electrode 6 is 6 μm,
The formation position of the guard electrode 5 is 0.7 m from the wafer mounting surface.
m, the formation position of the ground electrode 6 was 1.4 mm from the wafer mounting surface, and the formation position of the heating element was 2.8 mm from the wafer mounting surface. The size of one side of the conductor non-forming region (square) of the guard electrode 5 and the ground electrode 6 is
0.5 mm.
【００９４】（５）上記（４）で得た板状体を、ダイア
モンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等に
よるブラスト処理で表面に熱電対のための凹部（図示せ
ず）およびシリコンウエハ吸着用の溝７（幅０．５ｍ
ｍ、深さ０．５ｍｍ）を設けた。(5) After polishing the plate-like body obtained in the above (4) with a diamond grindstone, a mask is placed, and a blast treatment with SiC or the like is performed on the surface to form a recess for a thermocouple (not shown). And groove 7 for silicon wafer suction (width 0.5m)
m, depth 0.5 mm).
【００９５】（６）溝７が形成された面にスパッタリン
グにてチタン、モリブデン、ニッケル層を形成した。ス
パッタリングのための装置は、日本真空技術株式会社製
のＳＶ−４５４０を使用した。スパッタリングの条件は
気圧０．６Ｐａ、温度１００℃、電力２００Ｗで、スパ
ッタリングの時間は、３０秒から１分の間で、各金属に
より調整した。得られた膜は、蛍光Ｘ線分析計の画像か
らチタンは０．５μｍ、モリブデンは４μｍ、ニッケル
は１．５μｍであった。(6) Titanium, molybdenum and nickel layers were formed on the surface where the grooves 7 were formed by sputtering. As a device for sputtering, SV-4540 manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd. was used. Sputtering conditions were an atmospheric pressure of 0.6 Pa, a temperature of 100 ° C., and a power of 200 W. The sputtering time was adjusted from 30 seconds to 1 minute for each metal. The obtained film was 0.5 μm for titanium, 4 μm for molybdenum, and 1.5 μm for nickel from the image of the X-ray fluorescence spectrometer.
【００９６】（７）硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３
０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌ、ロッシェル塩
６０ｇ／ｌを含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき
浴に（６）で得られたセラミック板３を浸漬して、スパ
ッタリングにより形成された金属層の表面に厚さ７μ
ｍ、ホウ素の含有量が１重量％以下のニッケル層を析出
させ、１２０℃で３時間アニーリングした。(7) Nickel sulfate 30 g / l, boric acid 3
The ceramic plate 3 obtained in (6) is immersed in an electroless nickel plating bath comprising an aqueous solution containing 0 g / l, ammonium chloride 30 g / l, and Rochelle salt 60 g / l, and the surface of the metal layer formed by sputtering. 7μ thick
A nickel layer having a content of m and boron of 1% by weight or less was deposited and annealed at 120 ° C. for 3 hours.
【００９７】さらに、表面にシアン化金カリウム２ｇ／
ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム
５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる
無電解金めっき液に９３℃の条件で１分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層上に厚さ１μｍの金めっき層を形成し
た。Further, 2 g of potassium potassium cyanide /
1, 75 g / l ammonium chloride, 50 g / l sodium citrate, and 10 g / l sodium hypophosphite for 1 minute at 93 ° C. in an electroless gold plating solution to give a thickness of 1 μm on the nickel plating layer. Was formed.
【００９８】（８）溝７から裏面に抜ける空気吸引孔８
をドリル加工により形成し、さらにスルーホール１６、
１７を露出させるための袋孔１８０を設けた。この袋孔
１８０にＮｉ−Ａｕ合金（Ａｕ８１．５重量％、Ｎｉ１
８．４重量％、不純物０．１重量％）からなる金ろうを
用い、９７０℃で加熱リフローしてコバール製の外部端
子ピン１９、１９０を接続させた。外部端子１９、１９
０は、Ｗ製でもよい。(8) Air suction hole 8 that passes from groove 7 to the back surface
Are formed by drilling, and through holes 16 and
A bag hole 180 for exposing 17 was provided. A Ni-Au alloy (81.5% by weight of Au, Ni1
The external terminal pins 19 and 190 made of Kovar were connected by heating and reflowing at 970 ° C. using a gold brass composed of 8.4% by weight and 0.1% by weight of impurities. External terminals 19, 19
0 may be made of W.
【００９９】（９）温度制御のための複数熱電対を凹部
に埋め込み、ウエハプローバヒータ２０１を得た。 （１０）このウエハプローバ２０１を、図２に示した支
持容器にセラミックファイバー（イビデン社製：商品名
イビウール）からなる断熱材１０を介して嵌め込み、
吸引口１３から吸引した。(9) A plurality of thermocouples for temperature control were buried in the recesses to obtain a wafer prober heater 201. (10) This wafer prober 201 is fitted into the support container shown in FIG. 2 via a heat insulating material 10 made of ceramic fiber (trade name: IBIDEN, manufactured by IBIDEN),
Suction was performed through the suction port 13.
【０１００】（実施例３） ウエハプローバ３０１（図
８参照）の製造 （１）厚さ１０μｍのタングステン箔を打抜き加工する
ことにより格子状の電極を形成した。格子状の電極２枚
（ぞれぞれガード電極５、グランド電極６となるもの）
およびタングステン線を窒化アルミニウム粉末（トクヤ
マ社製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリ
ア（平均粒径０．４μｍ）４重量部とともに、成形型中
に入れて窒素ガス中で１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃ
ｍ2 で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミ
ニウム板状体を得た。これを直径２３０ｍｍの円状に切
り出して板状体とした。 （２）この板状体に対し、実施例２の（５）〜（１０）
の工程を実施し、ウエハプローバ３０１を得、実施例１
と同様にウエハプローバ３０１を図１に示した支持容器
１１に嵌め込み、吸引口１３から吸引した。Example 3 Manufacture of Wafer Prober 301 (see FIG. 8) (1) A 10 μm-thick tungsten foil was punched to form a grid-like electrode. Two grid-like electrodes (they become guard electrode 5 and ground electrode 6, respectively)
And a tungsten wire, together with 100 parts by weight of aluminum nitride powder (manufactured by Tokuyama Corporation, average particle size 1.1 μm) and 4 parts by weight of yttria (average particle size 0.4 μm), placed in a molding die at 1890 ° C. in nitrogen gas; Pressure 150kg / c
By hot pressing at m 2 for 3 hours, a 3 mm-thick aluminum nitride plate was obtained. This was cut into a circular shape having a diameter of 230 mm to obtain a plate-like body. (2) For this plate-like body, (5) to (10) of Example 2
Step 1 was performed to obtain a wafer prober 301.
Similarly, the wafer prober 301 was fitted into the support container 11 shown in FIG.
【０１０１】（実施例４） ウエハプローバ４０１（図
９参照）の製造 実施例１の（１）〜（５）、および、（８）〜（１０）
を実施した後、さらにウエハ載置面に対向する面にニッ
ケルを溶射し、この後、鉛・テルル系のペルチェ素子を
接合させ、ウエハプローバを得、実施例１と同様にウエ
ハプローバ４０１を図１に示した支持容器１１に嵌め込
み、吸引口１３から吸引した。(Example 4) Production of wafer prober 401 (see Fig. 9) (1) to (5) and (8) to (10) of Example 1
Is performed, nickel is sprayed on the surface opposite to the wafer mounting surface, and then a lead / tellurium-based Peltier element is joined to obtain a wafer prober. The sample was fitted into the support container 11 shown in FIG.
【０１０２】（実施例５） 炭化珪素をセラミック基板
とするウエハプローバの製造 以下に記載する事項または条件以外は、実施例３の場合
と同様にして、ウエハプローバを製造した。即ち、平均
粒径１．０μｍの炭化ケイ素粉末１００重量部を使用
し、また、格子状の電極２枚（ぞれぞれガード電極５、
グランド電極６となるもの）、および、表面にテトラエ
トキシシラン１０重量％、塩酸０．５重量％および水８
９．５重量％からなるゾル溶液を塗布したタングステン
線を使用し、１９００℃の温度で焼成した。なお、ゾル
溶液は焼成でＳｉＯ2 となって絶縁層を構成する。次
に、実施例５で得られたウエハプローバ４０１を、実施
例１と同様に図１に示した支持容器１１に嵌め込み、吸
引口１３から吸引した。Example 5 Production of Wafer Probe Using Silicon Carbide as Ceramic Substrate A wafer prober was produced in the same manner as in Example 3 except for the following items or conditions. That is, 100 parts by weight of silicon carbide powder having an average particle diameter of 1.0 μm was used, and two grid-like electrodes (guard electrodes 5 and 5, respectively) were used.
Ground electrode 6), and 10% by weight of tetraethoxysilane, 0.5% by weight of hydrochloric acid and 8% by weight of water on the surface.
It was fired at a temperature of 1900 ° C. using a tungsten wire coated with a 9.5 wt% sol solution. The sol solution becomes SiO 2 by firing to form an insulating layer. Next, the wafer prober 401 obtained in Example 5 was fitted into the support container 11 shown in FIG.
【０１０３】（実施例６） アルミナをセラミック基板
とするウエハプローバの製造 以下に記載する工程または条件以外は、実施例１の場合
と同様にして、ウエハプローバを製造した。アルミナ粉
末（トクヤマ製、平均粒径１．５μｍ）１００重量部、
アクリルバイダー１１．５重量部、分散剤０．５重量部
および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコー
ル５３重量部を混合した組成物を、ドクターブレード法
を用いて成形し、厚さ０．５ｍｍのグリーンシートを得
た。また、焼成温度を１０００℃とした。次に、実施例
６で得られたウエハプローバを、実施例１と同様に図１
に示した支持容器１１に嵌め込み、吸引口１３から吸引
した。(Example 6) Production of a wafer prober using alumina as a ceramic substrate A wafer prober was produced in the same manner as in Example 1 except for the steps or conditions described below. 100 parts by weight of alumina powder (manufactured by Tokuyama, average particle size 1.5 μm)
A composition obtained by mixing 11.5 parts by weight of an acrylic binder, 0.5 parts by weight of a dispersant, and 53 parts by weight of alcohol composed of 1-butanol and ethanol was molded by a doctor blade method to form a composition having a thickness of 0.5 mm. I got a green sheet. The firing temperature was set to 1000 ° C. Next, the wafer prober obtained in Example 6 was replaced with the wafer prober shown in FIG.
And sucked through the suction port 13.
【０１０４】（実施例７） （１）平均粒子径３μｍのタングステン粉末を円板状の
成形治具に入れて、窒素ガス中で温度１８９０℃、圧力
１５０ｋｇ／ｃｍ2 で３時間ホットプレスして、直径２
００ｍｍ、厚さ１１０μｍのタングステン製の多孔質チ
ャックトップ導体層を得た。Example 7 (1) Tungsten powder having an average particle diameter of 3 μm was put in a disc-shaped molding jig, and hot-pressed at 1890 ° C. under a pressure of 150 kg / cm 2 in nitrogen gas for 3 hours. , Diameter 2
A porous chuck top conductor layer made of tungsten and having a thickness of 00 mm and a thickness of 110 μm was obtained.
【０１０５】（２）次に、実施例１の（１）〜（４）、
および、（５）〜（７）と同様の工程を実施し、ガード
電極、グランド電極、発熱体を有するセラミック基板を
得た。(2) Next, (1) to (4) of Example 1
Then, the same steps as (5) to (7) were performed to obtain a ceramic substrate having a guard electrode, a ground electrode, and a heating element.
【０１０６】（３）上記（１）で得た多孔質チャックト
ップ導体層を金ろう（実施例１の（１０）と同じもの）
の粉末を介してセラミック基板に載置し、９７０℃でリ
フローした。 （４）実施例１の（１０）〜（１２）と同様の工程を実
施してウエハプローバを得た。次に、実施例７で得られ
たウエハプローバを、実施例１と同様に図１に示した支
持容器１１に嵌め込み、吸引口１３から吸引した。この
実施例で得られたウエハプローバは、チャックトップ導
体層に半導体ウエハが均一に吸着する。(3) The porous chuck top conductor layer obtained in the above (1) is made of gold brazing (the same as (10) in Example 1).
Was placed on a ceramic substrate via the above powder, and reflowed at 970 ° C. (4) The same steps as (10) and (12) of Example 1 were performed to obtain a wafer prober. Next, the wafer prober obtained in Example 7 was fitted into the support container 11 shown in FIG. In the wafer prober obtained in this embodiment, the semiconductor wafer is uniformly adsorbed on the chuck top conductor layer.
【０１０７】（比較例１）実施例１で製造したウエハプ
ローバ１０１を、支持柱を有さない支持容器に嵌め込
み、吸引口より吸引した。(Comparative Example 1) The wafer prober 101 manufactured in Example 1 was fitted into a support container having no support column, and was sucked through the suction port.
【０１０８】評価方法 支持容器上に載置された上記実施例および比較例で製造
したウエハプローバの上に、図１２に示したようにシリ
コンウエハＷを載置し、加熱などの温度制御を行いなが
ら、プローブカード６０１を押圧して導通テストを行っ
た。その際、１５０℃に昇温するまでの時間をそれぞれ
測定した。また、１５ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でプローブカ
ードを押圧した場合のウエハプローバの反り量について
測定した。反り量は、京セラ社製 形状測定器、商品名
「ナノウェイ」を使用した。結果を下記の表１に示し
た。[0108]Evaluation method Manufactured in the above examples and comparative examples mounted on a support container
On the wafer prober that has been
Place the con-wafer W and perform temperature control such as heating.
Press the probe card 601 to perform a continuity test.
Was. At that time, the time required to raise the temperature to
It was measured. In addition, 15kg / cmTwo Probe force at pressure
Warpage of Wafer Prober When Pressing a Probe
It was measured. The amount of warpage is measured by Kyocera's shape measuring instrument, trade name
"Nanoway" was used. The results are shown in Table 1 below.
Was.
【０１０９】[0109]
【表１】 [Table 1]
【０１１０】[0110]
【発明の効果】以上説明のように、本願発明のウエハプ
ローバ装置は、プローブカードを押圧した場合にも反り
がなく、シリコンウエハの破損や測定ミスを有効に防止
することができるとともに、軽量で昇温、降温特性に優
れている。As described above, the wafer prober device of the present invention does not warp even when the probe card is pressed, can effectively prevent damage to the silicon wafer and measurement errors, and is lightweight. Excellent heating and cooling characteristics.
【図１】（ａ）は、本発明のウエハプローバ装置の一例
を模式的に示す縦断面図であり、（ｂ）は、そのＢ−Ｂ
線断面図である。FIG. 1A is a longitudinal sectional view schematically showing one example of a wafer prober device of the present invention, and FIG.
It is a line sectional view.
【図２】本発明のウエハプローバ装置の他の一例を模式
的に示す縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view schematically showing another example of the wafer prober device of the present invention.
【図３】本発明のウエハプローバ装置を構成するウエハ
プローバの一例を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing one example of a wafer prober constituting the wafer prober device of the present invention.
【図４】図３に示したウエハプローバの平面図である。FIG. 4 is a plan view of the wafer prober shown in FIG. 3;
【図５】図３に示したウエハプローバの底面図である。FIG. 5 is a bottom view of the wafer prober shown in FIG. 3;
【図６】図３に示したウエハプローバのＡ−Ａ線断面図
である。FIG. 6 is a sectional view taken along line AA of the wafer prober shown in FIG. 3;
【図７】本発明のウエハプローバ装置を構成するウエハ
プローバの一例を模式的に示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing one example of a wafer prober constituting the wafer prober device of the present invention.
【図８】本発明のウエハプローバ装置を構成するウエハ
プローバの一例を模式的に示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing one example of a wafer prober constituting the wafer prober device of the present invention.
【図９】本発明のウエハプローバ装置を構成するウエハ
プローバの一例を模式的に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing one example of a wafer prober constituting the wafer prober device of the present invention.
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のウエハプローバ
装置の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。FIGS. 10A to 10D are cross-sectional views schematically showing a part of the manufacturing process of the wafer prober device of the present invention.
【図１１】（ｅ）〜（ｇ）は、本発明のウエハプローバ
装置の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。FIGS. 11E to 11G are cross-sectional views schematically showing a part of the manufacturing process of the wafer prober device of the present invention.
【図１２】本発明のウエハプローバ装置を構成するウエ
ハプローバを用いて導通テストを行っている状態を模式
的に示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a continuity test is being performed using a wafer prober included in the wafer prober apparatus of the present invention.
【図１３】従来のウエハプローバを模式的に示す断面図
である。FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a conventional wafer prober.
１０１、２０１、３０１、４０１ ウエハプローバ ２ チャックトップ導体層 ３ セラミック基板 ５ ガード電極 ６ グランド電極 ７ 溝 ８ 吸引孔 １０ 断熱材 １１、２１ 支持容器 １２ 吹き出し口 １３ 吸引口 １４ 冷媒注入口 １５ 支持柱 １６、１７ スルーホール １８ 袋孔 １９、１９０、１９１ 外部端子ピン ４１、４２ 発熱体 ４１０ 保護層 ４３ 金属線 ４４ ペルチェ素子 ４４０ 熱電素子 ４４１ セラミック基板 ５１ 導体層 ５２ 導体層非形成部 101, 201, 301, 401 Wafer prober 2 Chuck top conductor layer 3 Ceramic substrate 5 Guard electrode 6 Ground electrode 7 Groove 8 Suction hole 10 Heat insulating material 11, 21 Support container 12 Blow-out port 13 Suction port 14 Refrigerant injection port 15 Support column 16 , 17 through hole 18 blind hole 19, 190, 191 external terminal pin 41, 42 heating element 410 protective layer 43 metal wire 44 Peltier element 440 thermoelectric element 441 ceramic substrate 51 conductor layer 52 conductor layer non-forming portion
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０５Ｋ 7/20 Ｓ Ｈ０５Ｋ 7/20 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｋ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/68 H05K 7/20 S H05K 7/20 G01R 31/28 K
Claims (9)
板と支持容器とからなるウエハプローバ装置であって、
前記支持容器には、支持柱が形成されてなることを特徴
とするウエハプローバ装置。1. A wafer prober device comprising a ceramic substrate having a conductor layer formed on a surface thereof and a support container,
A wafer prober device, wherein a support column is formed in the support container.
設けられてなる請求項１に記載のウエハプローバ装置。2. The wafer prober device according to claim 1, wherein said ceramic substrate is provided with a temperature control means.
ク、炭化物セラミックおよび酸化物セラミックに属する
セラミックから選ばれる少なくとも１種である請求項１
または２に記載のウエハプローバ装置。3. The ceramic substrate according to claim 1, wherein said ceramic substrate is at least one selected from ceramics belonging to a nitride ceramic, a carbide ceramic and an oxide ceramic.
Or the wafer prober device according to 2.
る請求項２または３に記載のウエハプローバ装置。4. The wafer prober device according to claim 2, wherein said temperature control means is a Peltier device.
項２または３に記載のウエハプローバ装置。5. The wafer prober according to claim 2, wherein said temperature control means is a heating element.
ード電極および／またはグランド電極が形成されてなる
請求項１〜５のいずれか１に記載のウエハプローバ装
置。6. The wafer prober device according to claim 1, wherein a grid-like guard electrode and / or a ground electrode are formed in the ceramic substrate.
されてなる請求項１〜６のいずれか１に記載のウエハプ
ローバ装置。7. The wafer prober device according to claim 1, wherein a groove is formed on a surface of said ceramic substrate.
され、その溝には空気の吸引孔が形成されてなる請求項
１〜７のいずれか１に記載のウエハプローバ装置。8. The wafer prober device according to claim 1, wherein a groove is formed on a surface of said ceramic substrate, and an air suction hole is formed in said groove.
０ｍｍ以上である請求項１〜８のいずれか１に記載のウ
エハプローバ装置。9. The ceramic substrate has a diameter of 20.
The wafer prober device according to any one of claims 1 to 8, wherein the thickness is 0 mm or more.
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