JP2001119266A - 表面波装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 40
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02669—Edge reflection structures, i.e. resonating structures without metallic reflectors, e.g. Bleustein-Gulyaev-Shimizu [BGS], shear horizontal [SH], shear transverse [ST], Love waves devices
- H03H9/02677—Edge reflection structures, i.e. resonating structures without metallic reflectors, e.g. Bleustein-Gulyaev-Shimizu [BGS], shear horizontal [SH], shear transverse [ST], Love waves devices having specially shaped edges, e.g. stepped, U-shaped edges
-
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】バルク波によるリップルを低減して、所望の共
振特性、通過帯域特性を確実に得ることができる表面波
装置を提供する。 【解決手段】圧電基板２は対向する端面２１，２２を有
し、両端面２１，２２の内側の上面側に溝２３，２４が
それぞれ形成され、圧電基板２上面の溝２３，２４の間
には２つのＩＤＴ３，４が形成され、溝２３，２４の内
側の面２３ａ，２４ａが反射端面となっている。そし
て、基板端面２１，２２と反射端面２３ａ，２４ａとの
距離Ｌは８λ以下、反射端面の高さＨは２λ〜４λの範
囲に設定されている。
振特性、通過帯域特性を確実に得ることができる表面波
装置を提供する。 【解決手段】圧電基板２は対向する端面２１，２２を有
し、両端面２１，２２の内側の上面側に溝２３，２４が
それぞれ形成され、圧電基板２上面の溝２３，２４の間
には２つのＩＤＴ３，４が形成され、溝２３，２４の内
側の面２３ａ，２４ａが反射端面となっている。そし
て、基板端面２１，２２と反射端面２３ａ，２４ａとの
距離Ｌは８λ以下、反射端面の高さＨは２λ〜４λの範
囲に設定されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＨタイプの表面
波を利用した端面反射型の表面波装置に関する。
波を利用した端面反射型の表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＳＨタイプの表面波を利用し
た端面反射型の表面波装置が知られている。ＳＨタイプ
の表面波とは、ＢＧＳ波やラブ波等のように変位が表面
波伝搬方向と垂直で基板表面と平行な成分を主成分とす
る表面波をいう。このような端面反射型の表面波装置と
して、バルク波を抑制するために、あるい製造を容易と
するために、基板端面に段差あるいは基板に溝を設け、
基板端面の上部側端面または溝の内面を反射端面とした
構造のものがある（特開平４−８２３１５号公報、特開
平７−２６３９９８号公報参照）。例えば、特開平４−
８２３１５号公報では、基板端面であって表面からＳＨ
波のエネルギーの８０％が集中する厚み以上の厚みを隔
てた高さ位置に段差を設けることにより、ＳＨ波の共振
に対してバルク波共振の影響を遮断でき、バルク波共振
に基づく不要スプリアスが効果的に抑圧されるとされて
いる。
た端面反射型の表面波装置が知られている。ＳＨタイプ
の表面波とは、ＢＧＳ波やラブ波等のように変位が表面
波伝搬方向と垂直で基板表面と平行な成分を主成分とす
る表面波をいう。このような端面反射型の表面波装置と
して、バルク波を抑制するために、あるい製造を容易と
するために、基板端面に段差あるいは基板に溝を設け、
基板端面の上部側端面または溝の内面を反射端面とした
構造のものがある（特開平４−８２３１５号公報、特開
平７−２６３９９８号公報参照）。例えば、特開平４−
８２３１５号公報では、基板端面であって表面からＳＨ
波のエネルギーの８０％が集中する厚み以上の厚みを隔
てた高さ位置に段差を設けることにより、ＳＨ波の共振
に対してバルク波共振の影響を遮断でき、バルク波共振
に基づく不要スプリアスが効果的に抑圧されるとされて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように反射端面の高さを所定の高さ以上に設定した場合
にも、所望の共振特性や通過帯域特性が得られないこと
があった。すなわち、上記従来のように段差または溝に
より反射端面を形成した表面波装置において、その反射
端面の高さを適切な値に設定した場合にも、基板端面と
反射端面の距離が大きくなると、通過帯域内にリップル
が生じる等の問題があった。また、反射端面の高さを大
きくしていくと同様に通過帯域内にリップルが生じると
いう問題があった。
ように反射端面の高さを所定の高さ以上に設定した場合
にも、所望の共振特性や通過帯域特性が得られないこと
があった。すなわち、上記従来のように段差または溝に
より反射端面を形成した表面波装置において、その反射
端面の高さを適切な値に設定した場合にも、基板端面と
反射端面の距離が大きくなると、通過帯域内にリップル
が生じる等の問題があった。また、反射端面の高さを大
きくしていくと同様に通過帯域内にリップルが生じると
いう問題があった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、バルク波による
リップルを低減して、所望の共振特性、通過帯域特性を
確実に得ることができる表面波装置を提供することにあ
る。
リップルを低減して、所望の共振特性、通過帯域特性を
確実に得ることができる表面波装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成され
たＩＤＴとを備え、前記ＩＤＴの外側の前記圧電基板の
上面側に表面波を反射させるための反射端面を構成する
溝または段差を設けた表面波装置において、表面波の波
長をλとしたときに、前記圧電基板の端面と前記反射端
面との距離Ｌを８λ以下に設定したことを特徴とする。
また、本発明は、上記構成において、反射端面の高さＨ
を２λ〜４λに設定したことを特徴とする。
に、本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成され
たＩＤＴとを備え、前記ＩＤＴの外側の前記圧電基板の
上面側に表面波を反射させるための反射端面を構成する
溝または段差を設けた表面波装置において、表面波の波
長をλとしたときに、前記圧電基板の端面と前記反射端
面との距離Ｌを８λ以下に設定したことを特徴とする。
また、本発明は、上記構成において、反射端面の高さＨ
を２λ〜４λに設定したことを特徴とする。
【０００６】本願発明者は、基板端面に段差あるいは基
板に溝を設け、基板端面の上部側端面または溝の内面を
反射端面とした端面反射型の表面波装置において、基板
端面と反射端面の距離を所定の値以下とすることによ
り、さらには反射端面の高さを所定の範囲内に設定する
ことにより、通過帯域内のリップルを低減できることを
見い出した。すなわち、後述の実験結果から明らかなよ
うに、上記構成によれば、通過帯域内のリップルを低減
することができ、所望の共振特性、通過帯域特性を得る
ことができる。これは、基板端面と反射端面の距離が適
切でないと、基板端面で反射されたバルク波が通過帯域
の特性に大きな影響を与えるためと考えられる。また、
反射端面の高さがある値以上となると、バルク波も反射
端面によって反射され、この反射されたバルク波が通過
帯域内特性に大きな影響を与えるためと考えらる。
板に溝を設け、基板端面の上部側端面または溝の内面を
反射端面とした端面反射型の表面波装置において、基板
端面と反射端面の距離を所定の値以下とすることによ
り、さらには反射端面の高さを所定の範囲内に設定する
ことにより、通過帯域内のリップルを低減できることを
見い出した。すなわち、後述の実験結果から明らかなよ
うに、上記構成によれば、通過帯域内のリップルを低減
することができ、所望の共振特性、通過帯域特性を得る
ことができる。これは、基板端面と反射端面の距離が適
切でないと、基板端面で反射されたバルク波が通過帯域
の特性に大きな影響を与えるためと考えられる。また、
反射端面の高さがある値以上となると、バルク波も反射
端面によって反射され、この反射されたバルク波が通過
帯域内特性に大きな影響を与えるためと考えらる。
【０００７】なお、本発明における表面波装置は、表面
波共振子、縦結合共振子型フィルタ、横結合共振子型フ
ィルタ、ラダー型フィルタ等のＳＨ波の表面波を利用し
た装置一般を含むものであり、１つ以上の任意の数のイ
ンターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）が圧電基板
上に設けられ、少なくとも１つのＩＤＴの少なくとも一
方側に表面波を反射させるための反射端面を形成した構
成を有するものである。
波共振子、縦結合共振子型フィルタ、横結合共振子型フ
ィルタ、ラダー型フィルタ等のＳＨ波の表面波を利用し
た装置一般を含むものであり、１つ以上の任意の数のイ
ンターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）が圧電基板
上に設けられ、少なくとも１つのＩＤＴの少なくとも一
方側に表面波を反射させるための反射端面を形成した構
成を有するものである。
【０００８】また、本発明に係る通信機装置は上記の特
徴を有する表面波装置を備えて構成される。これによ
り、特性が良好な通信機装置を得ることができる。
徴を有する表面波装置を備えて構成される。これによ
り、特性が良好な通信機装置を得ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態に係る表面
波装置の構成を図１〜図２を参照して説明する。図１は
外観斜視図、図２は断面図である。なお、以下の図にお
いてＩＤＴの電極指の幅を広い幅で図示しているが、実
際の製品においては電極指の幅は非常に細いものとなっ
ている。本実施形態の表面波装置は、端面反射型の縦結
合共振子型表面波フィルタであり、平面形状が矩形の圧
電基板２を備えている。圧電基板２は、例えば、チタン
酸ジルコン酸鉛系セラミックス等の圧電セラミックス、
またはＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３等の圧電単結晶によ
り構成されている。圧電基板２は対向する端面２１，２
２を有し、両端面２１，２２の内側の上面（一方主面）
側に両端面２１，２２と平行に溝２３，２４がそれぞれ
形成され、この溝２３，２４の内側の面２３ａ，２４ａ
が表面波を反射させるための反射端面として機能するよ
うに構成されている。
波装置の構成を図１〜図２を参照して説明する。図１は
外観斜視図、図２は断面図である。なお、以下の図にお
いてＩＤＴの電極指の幅を広い幅で図示しているが、実
際の製品においては電極指の幅は非常に細いものとなっ
ている。本実施形態の表面波装置は、端面反射型の縦結
合共振子型表面波フィルタであり、平面形状が矩形の圧
電基板２を備えている。圧電基板２は、例えば、チタン
酸ジルコン酸鉛系セラミックス等の圧電セラミックス、
またはＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３等の圧電単結晶によ
り構成されている。圧電基板２は対向する端面２１，２
２を有し、両端面２１，２２の内側の上面（一方主面）
側に両端面２１，２２と平行に溝２３，２４がそれぞれ
形成され、この溝２３，２４の内側の面２３ａ，２４ａ
が表面波を反射させるための反射端面として機能するよ
うに構成されている。
【００１０】圧電基板２の上面の溝２３，２４の間には
２つのＩＤＴ３，４が形成されている。ＩＤＴ３は一対
の櫛歯電極３ａ，３ｂからなり、櫛歯電極３ａ，３ｂは
それぞれ複数本の電極指を有し、櫛歯電極３ａの電極指
と櫛歯電極３ｂの電極指とは互いに間挿し合うように配
置されている。同様に、ＩＤＴ４は一対の櫛歯電極４
ａ，４ｂからなり、櫛歯電極４ａ，４ｂは櫛歯電極３
ａ，３ｂと同様に構成されている。各電極指は溝２３，
２４と平行に配置され、ＩＤＴ３，４の最も外側の電極
指３ｃ，４ｃはその外側端縁が反射端面２３ａ，２４ａ
に接して配置され、表面波の波長をλとしたとき、ＩＤ
Ｔ３，４の最も外側の電極指の幅は略λ／８とされ、他
の電極指の幅はすべて略λ／４とされている。
２つのＩＤＴ３，４が形成されている。ＩＤＴ３は一対
の櫛歯電極３ａ，３ｂからなり、櫛歯電極３ａ，３ｂは
それぞれ複数本の電極指を有し、櫛歯電極３ａの電極指
と櫛歯電極３ｂの電極指とは互いに間挿し合うように配
置されている。同様に、ＩＤＴ４は一対の櫛歯電極４
ａ，４ｂからなり、櫛歯電極４ａ，４ｂは櫛歯電極３
ａ，３ｂと同様に構成されている。各電極指は溝２３，
２４と平行に配置され、ＩＤＴ３，４の最も外側の電極
指３ｃ，４ｃはその外側端縁が反射端面２３ａ，２４ａ
に接して配置され、表面波の波長をλとしたとき、ＩＤ
Ｔ３，４の最も外側の電極指の幅は略λ／８とされ、他
の電極指の幅はすべて略λ／４とされている。
【００１１】この構成おいて、一方のＩＤＴに入力電圧
を印加すると、ＳＨ波の表面波が励振され、励振された
表面波は反射端面２３ａ，２４ａを結ぶ方向に伝搬し、
端面２３ａ，２４ａで反射されてさらに基本波と高次モ
ードの波とが結合し、定在波が端面２３ａ，２４ａ間に
発生する。この定在波に基づく出力は、他方のＩＤＴで
取り出され、ＳＨ波の表面波を利用した縦結合共振子型
フィルタとして動作する。
を印加すると、ＳＨ波の表面波が励振され、励振された
表面波は反射端面２３ａ，２４ａを結ぶ方向に伝搬し、
端面２３ａ，２４ａで反射されてさらに基本波と高次モ
ードの波とが結合し、定在波が端面２３ａ，２４ａ間に
発生する。この定在波に基づく出力は、他方のＩＤＴで
取り出され、ＳＨ波の表面波を利用した縦結合共振子型
フィルタとして動作する。
【００１２】そして、この表面波装置では、反射端面２
３ａ，２４ａから基板端面２１，２２までのそれぞれの
距離Ｌを８λ以下となるように形成している。また、反
射端面２３ａ，２４ａの高さすなわち溝２３，２４の深
さＨを２λ〜４λの範囲となるように形成している。
３ａ，２４ａから基板端面２１，２２までのそれぞれの
距離Ｌを８λ以下となるように形成している。また、反
射端面２３ａ，２４ａの高さすなわち溝２３，２４の深
さＨを２λ〜４λの範囲となるように形成している。
【００１３】次に、本発明の第２実施形態に係る表面波
装置の構成を図３に示す。本実施形態の表面波装置は、
基板端面に段差を設けて反射端面を形成したものであ
る。すなわち、この表面波装置では、圧電基板２の対向
２端面２１，２２に段差２５，２６がそれぞれ形成され
ている。段差２５，２６は圧電基板２の上面側を矩形状
に切り欠くように形成され、段差２５，２６よりも上方
側の端面２１ａ，２２ａを反射端面としている。この反
射端面２１ａ，２２ａの構成以外のＩＤＴを構成する部
分については、第１実施形態の構成と同様であり、その
説明を省略する。
装置の構成を図３に示す。本実施形態の表面波装置は、
基板端面に段差を設けて反射端面を形成したものであ
る。すなわち、この表面波装置では、圧電基板２の対向
２端面２１，２２に段差２５，２６がそれぞれ形成され
ている。段差２５，２６は圧電基板２の上面側を矩形状
に切り欠くように形成され、段差２５，２６よりも上方
側の端面２１ａ，２２ａを反射端面としている。この反
射端面２１ａ，２２ａの構成以外のＩＤＴを構成する部
分については、第１実施形態の構成と同様であり、その
説明を省略する。
【００１４】この表面波装置では、反射端面２１ａ，２
２ａから基板端面２１，２２までのそれぞれの距離Ｌを
８λ以下となるように形成し、反射端面２１ａ，２２ａ
の高さすなわち段差２５，２６の圧電基板２上面からの
距離Ｈを２λ〜４λの範囲となるように形成している。
２ａから基板端面２１，２２までのそれぞれの距離Ｌを
８λ以下となるように形成し、反射端面２１ａ，２２ａ
の高さすなわち段差２５，２６の圧電基板２上面からの
距離Ｈを２λ〜４λの範囲となるように形成している。
【００１５】上記第１及び第２実施形態の表面波装置
は、以下のように製造される。まず、圧電母基板に上記
表面波装置を構成するＩＤＴを多数形成する。次に、圧
電母基板の上面側に反射端面を形成するための溝（図１
及び図２における２３，２４）をダイサー等を用いて形
成する。この溝の形成はＩＤＴの最も外側の電極指３
ｃ，４ｃが所定の幅となるように、溝の内面にチッピン
グ等が発生しないように精度よく行われる。この溝の側
面の一方側が上記反射端面２１ａ，２２ａ，２３ａ，２
４ａとなっており、この溝の深さ（反射端面の高さ）は
２λ〜４λの範囲に設定される。次に、溝の外側または
溝内をダイサー等を用いて切断して個々の表面波装置に
分離する。このときの切断面が上記圧電基板２の端面２
１，２２となり、この切断面が各溝の内側の面から８λ
以下に設定される。すなわち、上記溝の外側を切断すれ
ば、第１実施形態の表面波装置となり、上記溝内を切断
すれば第２実施形態の表面波装置となり基板端面に段差
が形成される。このように、反射端面となる溝を形成し
た後反射端面とは異なる位置で圧電基板２を切断するこ
とにより、チッピング等のない精度の高い反射端面を形
成している。
は、以下のように製造される。まず、圧電母基板に上記
表面波装置を構成するＩＤＴを多数形成する。次に、圧
電母基板の上面側に反射端面を形成するための溝（図１
及び図２における２３，２４）をダイサー等を用いて形
成する。この溝の形成はＩＤＴの最も外側の電極指３
ｃ，４ｃが所定の幅となるように、溝の内面にチッピン
グ等が発生しないように精度よく行われる。この溝の側
面の一方側が上記反射端面２１ａ，２２ａ，２３ａ，２
４ａとなっており、この溝の深さ（反射端面の高さ）は
２λ〜４λの範囲に設定される。次に、溝の外側または
溝内をダイサー等を用いて切断して個々の表面波装置に
分離する。このときの切断面が上記圧電基板２の端面２
１，２２となり、この切断面が各溝の内側の面から８λ
以下に設定される。すなわち、上記溝の外側を切断すれ
ば、第１実施形態の表面波装置となり、上記溝内を切断
すれば第２実施形態の表面波装置となり基板端面に段差
が形成される。このように、反射端面となる溝を形成し
た後反射端面とは異なる位置で圧電基板２を切断するこ
とにより、チッピング等のない精度の高い反射端面を形
成している。
【００１６】次に、基板端面と反射端面の距離Ｌ、及び
反射端面の高さＨの限定理由を実験結果に基づいて説明
する。なお、このような表面波装置において、切断分離
前の状態すなわち上記距離Ｌを実質的に無限大とした場
合（実際には上記距離Ｌを５００λ以上とした場合）、
基板端面でのバルク波の反射は起こらないので、リップ
ルや挿入損失は最も小さくなる。また、挿入損失−周波
数特性における帯域内リップルは帯域内ＧＤＴ偏差に対
応しており、帯域内リップルをＧＤＴ偏差で評価した。
図４は、上記第１及び第２実施形態の表面波装置におい
て、圧電母基板を切断する前を基準としたときの切断後
の上記距離Ｌと通過帯域内のＧＤＴ偏差の変化量の関係
を示す図である。なお、ＩＤＴ３，４の電極指の総対数
を３４対、表面波の波長λを２０μｍ、反射端面の高さ
Ｈを３λとして構成した中心周波数１９０ＭＨｚ、通過
帯域幅５ＭＨｚの携帯電話の１ｓｔＩＦ用のフィルタで
ある。図４に示すように、帯域内ＧＤＴ偏差は基板端面
と反射端面との距離Ｌが８λを境界として大きく変化
し、距離Ｌが８λ以下でＧＤＴ偏差の変化量は小さく、
距離Ｌが８λ以上でＧＤＴ偏差の変化量は大きくなって
いる。すなわち、距離Ｌを８λ以下に設定すれば、通過
帯域内リップルを低減することができる。
反射端面の高さＨの限定理由を実験結果に基づいて説明
する。なお、このような表面波装置において、切断分離
前の状態すなわち上記距離Ｌを実質的に無限大とした場
合（実際には上記距離Ｌを５００λ以上とした場合）、
基板端面でのバルク波の反射は起こらないので、リップ
ルや挿入損失は最も小さくなる。また、挿入損失−周波
数特性における帯域内リップルは帯域内ＧＤＴ偏差に対
応しており、帯域内リップルをＧＤＴ偏差で評価した。
図４は、上記第１及び第２実施形態の表面波装置におい
て、圧電母基板を切断する前を基準としたときの切断後
の上記距離Ｌと通過帯域内のＧＤＴ偏差の変化量の関係
を示す図である。なお、ＩＤＴ３，４の電極指の総対数
を３４対、表面波の波長λを２０μｍ、反射端面の高さ
Ｈを３λとして構成した中心周波数１９０ＭＨｚ、通過
帯域幅５ＭＨｚの携帯電話の１ｓｔＩＦ用のフィルタで
ある。図４に示すように、帯域内ＧＤＴ偏差は基板端面
と反射端面との距離Ｌが８λを境界として大きく変化
し、距離Ｌが８λ以下でＧＤＴ偏差の変化量は小さく、
距離Ｌが８λ以上でＧＤＴ偏差の変化量は大きくなって
いる。すなわち、距離Ｌを８λ以下に設定すれば、通過
帯域内リップルを低減することができる。
【００１７】なお、反射端面にチッピング等が生じない
ように、つまり精度の高い反射端面を形成するために段
差は必要であり、距離Ｌはλ／１０以上に設定するのが
好ましい。
ように、つまり精度の高い反射端面を形成するために段
差は必要であり、距離Ｌはλ／１０以上に設定するのが
好ましい。
【００１８】図５は、上記実施形態の表面波装置で反射
端面の高さＨと帯域内ＧＤＴ偏差及び最小挿入損失の関
係を示す図である。なお、基板端面と反射端面との距離
Ｌをλとしたときのデータである。図５に示すように、
帯域内ＧＤＴ偏差は反射端面の高さＨが２λ〜４λの範
囲で小さくなっており使用レベルである０．１２５μｓ
以下となり、反射端面の高さＨが２λより小さくなる
と、表面波エネルギーを反射しきれず、最小挿入損失が
大きくなっている。すなわち、反射端面の高さＨを２λ
〜４λの範囲に設定すれば、通過帯域内リップル及び挿
入損失を低減することができ、良好な通過帯域特性を得
ることができる。
端面の高さＨと帯域内ＧＤＴ偏差及び最小挿入損失の関
係を示す図である。なお、基板端面と反射端面との距離
Ｌをλとしたときのデータである。図５に示すように、
帯域内ＧＤＴ偏差は反射端面の高さＨが２λ〜４λの範
囲で小さくなっており使用レベルである０．１２５μｓ
以下となり、反射端面の高さＨが２λより小さくなる
と、表面波エネルギーを反射しきれず、最小挿入損失が
大きくなっている。すなわち、反射端面の高さＨを２λ
〜４λの範囲に設定すれば、通過帯域内リップル及び挿
入損失を低減することができ、良好な通過帯域特性を得
ることができる。
【００１９】なお、上記実施形態では縦結合共振子型フ
ィルタの構成を例にとって説明したが、表面波装置とし
ては、横結合共振子型フィルタ、ラダー型フィルタまた
は表面波共振子であってもよい。また、反射端面をＩＤ
Ｔの両側に形成したものに限定されるものではなく、表
面波装置を構成するＩＤＴの片側に反射端面を設けＩＤ
Ｔの他方側に反射器を設けた構成であってもよい。例え
ば、複数の表面波共振子を同一圧電基板上に多数配置し
てラダー型フィルタを構成する場合、反射端面による端
面反射と反射器による反射とを利用した構成が採用され
る。
ィルタの構成を例にとって説明したが、表面波装置とし
ては、横結合共振子型フィルタ、ラダー型フィルタまた
は表面波共振子であってもよい。また、反射端面をＩＤ
Ｔの両側に形成したものに限定されるものではなく、表
面波装置を構成するＩＤＴの片側に反射端面を設けＩＤ
Ｔの他方側に反射器を設けた構成であってもよい。例え
ば、複数の表面波共振子を同一圧電基板上に多数配置し
てラダー型フィルタを構成する場合、反射端面による端
面反射と反射器による反射とを利用した構成が採用され
る。
【００２０】次に、本発明の第３実施形態に係る通信機
装置の構成を図６に示す。この通信機装置は、送信用フ
ィルタＴＸ及び受信用フィルタＲＸからなるデュプレク
サＤＰＸのアンテナ端にアンテナＡＮＴが接続され、送
信用フィルタＴＸの入力端に送信回路が接続され、受信
用フィルタＲＸの出力端に受信回路が接続されて構成さ
れている。送信回路からの送信信号は送信用フィルタＴ
Ｘを通してアンテナＡＮＴから発信される。また、アン
テナＡＮＴで受信された受信信号は受信用フィルタＲＸ
を通して受信回路に入力される。
装置の構成を図６に示す。この通信機装置は、送信用フ
ィルタＴＸ及び受信用フィルタＲＸからなるデュプレク
サＤＰＸのアンテナ端にアンテナＡＮＴが接続され、送
信用フィルタＴＸの入力端に送信回路が接続され、受信
用フィルタＲＸの出力端に受信回路が接続されて構成さ
れている。送信回路からの送信信号は送信用フィルタＴ
Ｘを通してアンテナＡＮＴから発信される。また、アン
テナＡＮＴで受信された受信信号は受信用フィルタＲＸ
を通して受信回路に入力される。
【００２１】ここに、受信用フィルタＲＸ、受信回路の
１ｓｔＩＦ用フィルタ、通信機装置の各種段間用フィル
タまたは発振用素子として、本発明に係る表面波装置を
採用することができる。本発明に係る表面波装置を用い
ることにより、特性が良好な通信機装置を得ることがで
きる。
１ｓｔＩＦ用フィルタ、通信機装置の各種段間用フィル
タまたは発振用素子として、本発明に係る表面波装置を
採用することができる。本発明に係る表面波装置を用い
ることにより、特性が良好な通信機装置を得ることがで
きる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る表面
波装置によれば、基板端面と反射端面の距離を８λ以下
とすることにより、バルク波によって生じる通過帯域内
のリップルを低減することができ、所望の共振特性また
は通過帯域特性を得ることができる。さらに、反射端面
の高さを２λ〜４λの範囲内に設定することにより、通
過帯域内のリップルを低減でき、所望の共振特性または
通過帯域特性を得ることができる。
波装置によれば、基板端面と反射端面の距離を８λ以下
とすることにより、バルク波によって生じる通過帯域内
のリップルを低減することができ、所望の共振特性また
は通過帯域特性を得ることができる。さらに、反射端面
の高さを２λ〜４λの範囲内に設定することにより、通
過帯域内のリップルを低減でき、所望の共振特性または
通過帯域特性を得ることができる。
【００２３】また、本発明に係る表面波装置を実装する
ことにより、特性が良好な通信機装置を得ることができ
る。
ことにより、特性が良好な通信機装置を得ることができ
る。
【図１】第１実施形態に係る表面波装置の斜視図であ
る。
る。
【図２】第１実施形態に係る表面波装置の断面図であ
る。
る。
【図３】第２実施形態に係る表面波装置の断面図であ
る。
る。
【図４】基板端面と反射端面との距離と帯域内ＧＤＴ偏
差の変化量の関係を示す図である。
差の変化量の関係を示す図である。
【図５】反射端面の高さと帯域内特性（ＧＤＴ偏差、挿
入損失）の関係を示す図である。
入損失）の関係を示す図である。
【図６】第３実施形態に係る通信機装置のブロック図で
ある。
ある。
２ 圧電基板 ２１，２２ 基板端面 ２１ａ，２２ａ 反射端面 ２３，２４ 溝 ２３ａ，２４ａ 反射端面 ３，４ ＩＤＴ
Claims (3)
- 【請求項１】 圧電基板と、前記圧電基板上に形成され
たＩＤＴとを備え、前記ＩＤＴの外側の前記圧電基板の
上面側に表面波を反射させるための反射端面を構成する
溝または段差を設けた表面波装置において、 表面波の波長をλとしたときに、前記圧電基板の端面と
前記反射端面との距離Ｌを８λ以下に設定したことを特
徴とする表面波装置。 - 【請求項２】 前記反射端面の高さＨを２λ〜４λに設
定したことを特徴とする請求項１に記載の表面波装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の表面波
装置を備えたことを特徴とする通信機装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29857799A JP3705722B2 (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 表面波装置 |
| SG200005833A SG87183A1 (en) | 1999-10-20 | 2000-10-11 | Surface acoustic wave device |
| TW089121180A TW486864B (en) | 1999-10-20 | 2000-10-11 | Surface acoustic wave device |
| EP00402866A EP1094602A3 (en) | 1999-10-20 | 2000-10-17 | Surface acoustic wave device |
| KR1020000061578A KR100811451B1 (ko) | 1999-10-20 | 2000-10-19 | 표면 탄성파 장치 |
| US09/692,668 US6731044B1 (en) | 1999-10-20 | 2000-10-20 | Surface acoustic wave device having an interdigital transducer provided on a main region of a piezoelectric substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29857799A JP3705722B2 (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001119266A true JP2001119266A (ja) | 2001-04-27 |
| JP3705722B2 JP3705722B2 (ja) | 2005-10-12 |
Family
ID=17861553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29857799A Expired - Fee Related JP3705722B2 (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 表面波装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6731044B1 (ja) |
| EP (1) | EP1094602A3 (ja) |
| JP (1) | JP3705722B2 (ja) |
| KR (1) | KR100811451B1 (ja) |
| SG (1) | SG87183A1 (ja) |
| TW (1) | TW486864B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019091992A (ja) * | 2017-11-13 | 2019-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
| US12095449B2 (en) | 2018-07-27 | 2024-09-17 | Soitec | Resonant cavity surface acoustic wave (SAW) filters |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483299B1 (ko) * | 2001-01-10 | 2005-04-18 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 장치 및 그 제조 방법 |
| US6839450B2 (en) | 2001-04-26 | 2005-01-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Detecting halftone modulations embedded in an image |
| JP3969311B2 (ja) * | 2003-01-20 | 2007-09-05 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型弾性表面波装置 |
| JP5956901B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2016-07-27 | 日本無線株式会社 | 被測定物特性測定装置 |
| KR20220095695A (ko) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | (주) 와이팜 | 표면탄성파 공진기 및 표면탄성파 필터 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2266395B1 (ja) * | 1974-03-26 | 1980-10-31 | Thomson Csf | |
| GB1513466A (en) * | 1975-09-19 | 1978-06-07 | Mullard Ltd | Acoustic surface wave devices |
| JPH0821830B2 (ja) * | 1990-07-24 | 1996-03-04 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
| US5220234A (en) * | 1992-03-02 | 1993-06-15 | Hewlett-Packard Company | Shear transverse wave device having selective trapping of wave energy |
| JPH07106911A (ja) * | 1993-10-06 | 1995-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波共振器および弾性表面波フィルタ |
| US5793146A (en) * | 1993-11-12 | 1998-08-11 | Rf Monolithics, Inc. | Surface acoustic wave transducer having selected reflectivity |
| JPH07142904A (ja) | 1993-11-15 | 1995-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体積層フィルタ |
| JP3206285B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2001-09-10 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波共振子 |
| JPH07297074A (ja) | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| US5793147A (en) * | 1994-05-30 | 1998-08-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface wave resonator having single component including a plurality of resonant units |
| JP3435868B2 (ja) * | 1995-01-13 | 2003-08-11 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波装置及びその製造方法 |
| JPH08204498A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | 端面反射型表面波装置 |
| JPH0969751A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JPH09190947A (ja) | 1996-01-11 | 1997-07-22 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| JPH09294045A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 端面反射型表面波共振子 |
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| EP0862266B1 (en) * | 1997-02-12 | 2003-05-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Surface-acoustic-wave filters with poles of attenuation created by impedance circuits |
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| JPH11136083A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-05-21 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
| JP2000278091A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-10-06 | Murata Mfg Co Ltd | 端面反射型表面波装置 |
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-
1999
- 1999-10-20 JP JP29857799A patent/JP3705722B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-11 SG SG200005833A patent/SG87183A1/en unknown
- 2000-10-11 TW TW089121180A patent/TW486864B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-10-17 EP EP00402866A patent/EP1094602A3/en not_active Withdrawn
- 2000-10-19 KR KR1020000061578A patent/KR100811451B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-20 US US09/692,668 patent/US6731044B1/en not_active Expired - Fee Related
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| JP7037333B2 (ja) | 2017-11-13 | 2022-03-16 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
| US12095449B2 (en) | 2018-07-27 | 2024-09-17 | Soitec | Resonant cavity surface acoustic wave (SAW) filters |
| JP7649811B2 (ja) | 2018-07-27 | 2025-03-21 | ソイテック | 共振キャビティ表面音響波（ｓａｗ）フィルタ |
| US12289100B2 (en) | 2018-07-27 | 2025-04-29 | Soitec | Resonant cavity surface acoustic wave (SAW) filters |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG87183A1 (en) | 2002-03-19 |
| EP1094602A2 (en) | 2001-04-25 |
| EP1094602A3 (en) | 2005-05-25 |
| JP3705722B2 (ja) | 2005-10-12 |
| US6731044B1 (en) | 2004-05-04 |
| TW486864B (en) | 2002-05-11 |
| KR20010051135A (ko) | 2001-06-25 |
| KR100811451B1 (ko) | 2008-03-10 |
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|---|---|---|---|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090805 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100805 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100805 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110805 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120805 Year of fee payment: 7 |
|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120805 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130805 Year of fee payment: 8 |
|
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