JP2001118728A - Multilayer inductor array - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 インダクタンス値が安定し、さらに製品の小
型化、部品配置の制約の防止、実装面積の削減ができる
積層インダクタアレイを提供することを目的とする。
【解決手段】 要求される実装面積に対応した部品外形
寸法をもち、前記部品外形寸法内に低い磁気的結合要因
を有すべく並設された複数の特定領域内にそれぞれイン
ダクタ要素である内部導体13a,13b,13c,1
3dを形成した複数の第1の絶縁層11と、前記第1の
絶縁層11に設けられた複数のインダクタ要素をサンド
イッチすべく前記第1の絶縁層11の上下面に配設され
た第2の絶縁層14と第3の絶縁層15とを備え、前記
第2の絶縁層14と第3の絶縁層15にてサンドイッチ
された第1の絶縁層11に配設した複数のインダクタ要
素を低い磁気的結合要因をもって積層したものである。
(57) [Problem] To provide a multilayer inductor array having a stable inductance value, capable of further miniaturizing a product, preventing restrictions on component arrangement, and reducing a mounting area. SOLUTION: Internal conductors each having an inductor dimension corresponding to a required mounting area are provided in a plurality of specific regions juxtaposed so as to have a low magnetic coupling factor within the component dimension. 13a, 13b, 13c, 1
3d and a plurality of first insulating layers 11 formed on the upper and lower surfaces of the first insulating layer 11 for sandwiching a plurality of inductor elements provided on the first insulating layer 11. , And a plurality of inductor elements disposed on the first insulating layer 11 sandwiched between the second insulating layer 14 and the third insulating layer 15. They are stacked with a magnetic coupling factor.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子機器に使
用され、ノイズとしての高周波電流が印加されたときに
高インダクタンス値となって、電子機器にノイズが侵入
することを防止する積層インダクタアレイに関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer inductor array which is used in various electronic equipment and has a high inductance value when a high-frequency current as noise is applied to prevent the noise from entering the electronic equipment. It is about.
【0002】[0002]
【従来の技術】最近のパソコン、携帯電話などの電子機
器に見られる小型化、高性能化には目を見張るものがあ
る。これらの動向に伴い、電子回路部の高密度実装化が
図られ、チップ部品のダウンサイジング化、高性能化が
求められている。一方、液晶ディスプレイ周辺のバスラ
インなどに隣接して数個から数十個使用される積層イン
ダクタに関しては、単品部品単独のダウンサイジング化
よりも複数の部品をワンパッケージするアレイ化の方が
実装面積、実装効率の点で有用性が高くなっている。2. Description of the Related Art There has been a remarkable reduction in size and performance of electronic devices such as personal computers and mobile phones. In accordance with these trends, high-density mounting of electronic circuit parts has been attempted, and downsizing and high performance of chip components have been demanded. On the other hand, for multilayer inductors that are used several to several dozens adjacent to the bus line around the LCD display etc., the mounting area of an array in which multiple components are packaged in one package is smaller than downsizing of individual components alone. However, its usefulness is high in terms of mounting efficiency.
【0003】以下、従来の積層インダクタアレイについ
て説明する。Hereinafter, a conventional laminated inductor array will be described.
【0004】図10は従来の積層インダクタアレイの斜
視図、図11は同積層インダクタアレイの分解斜視図で
ある。FIG. 10 is a perspective view of a conventional laminated inductor array, and FIG. 11 is an exploded perspective view of the laminated inductor array.
【0005】図10、図11において、1は第1の絶縁
層で、Ag等の導電材料を充填したスルーホール2を有
し、フェライトからなる。3は複数の渦巻き状に形成さ
れた内部導体で、第1の絶縁層1の上下面に設けられ、
且つその先端は第1の絶縁層1の一端縁まで延びてい
る。このとき、第1の絶縁層1の上下面に位置する内部
導体3同士がスルーホール2を介して接続されることに
よって、複数の独立した渦巻き状のコイルが形成され
る。4は第2の絶縁層で、複数の独立した渦巻き状のコ
イルの上下に複数設けられている。5は焼結体で、第1
の絶縁層1、第2の絶縁層4、及び内部導体3を積層
し、焼結することによって設けられている。6は外部電
極で、焼結体5の対向する両側面に複数形成され、独立
した渦巻き状のコイル同士を短絡させないように、独立
した渦巻き状のコイルの各両端部に電子部品に接続され
ている。In FIGS. 10 and 11, reference numeral 1 denotes a first insulating layer having a through hole 2 filled with a conductive material such as Ag and made of ferrite. Reference numeral 3 denotes a plurality of spirally formed internal conductors, which are provided on the upper and lower surfaces of the first insulating layer 1,
The tip extends to one edge of the first insulating layer 1. At this time, a plurality of independent spiral coils are formed by connecting the internal conductors 3 located on the upper and lower surfaces of the first insulating layer 1 via the through holes 2. Reference numeral 4 denotes a second insulating layer, which is provided above and below a plurality of independent spiral coils. 5 is a sintered body, the first
The insulating layer 1, the second insulating layer 4, and the internal conductor 3 are laminated and sintered. Reference numerals 6 denote external electrodes, which are formed on a plurality of opposite side surfaces of the sintered body 5 and are connected to electronic components at both ends of the independent spiral coil so as not to short-circuit the independent spiral coils. I have.
【0006】以上のように構成された従来の積層インダ
クタアレイについて、以下にその製造方法を図面を参照
しながら説明する。A method of manufacturing the conventional laminated inductor array having the above-described configuration will be described below with reference to the drawings.
【0007】図12(a)〜(e)は従来の積層インダ
クタアレイの製造方法を示す工程図である。FIGS. 12A to 12E are process diagrams showing a conventional method for manufacturing a laminated inductor array.
【0008】まず、図12(a)に示すように、無機材
料としてのフェライト粉体、及び樹脂を主成分とするス
ラリーからドクターブレード法により第1の絶縁層1、
第2の絶縁層4を作製する。First, as shown in FIG. 12A, a first insulating layer 1 is formed from a ferrite powder as an inorganic material and a slurry containing a resin as a main component by a doctor blade method.
The second insulating layer 4 is formed.
【0009】次に、図12(b)に示すように、第1の
絶縁層1の中央部に穴開け加工をして複数のスルーホー
ル2を形成し、このスルーホール2にAg等の導電材料
を充填する。Next, as shown in FIG. 12 (b), a plurality of through holes 2 are formed by punching a hole in the center of the first insulating layer 1, and a conductive material such as Ag is formed in the through holes 2. Fill the material.
【0010】次に、図12(c)に示すように、Agペ
ーストの印刷またはAgめっきなどにより、複数の渦巻
き状の内部導体3を形成する。そして、第1の絶縁層1
の上下面に複数の内部導体3を、スルーホール2を介し
て接続されるように重ね合わせて複数の独立した渦巻き
状のコイルを形成する。また、複数の内部導体3の先端
を第1の絶縁層1の一端縁まで延ばして形成する。さら
に、複数の独立した渦巻き状のコイルの上下に第2の絶
縁層4を所定の厚みになるまで積層する。Next, as shown in FIG. 12C, a plurality of spiral inner conductors 3 are formed by printing of an Ag paste or Ag plating. And the first insulating layer 1
A plurality of independent spiral coils are formed by overlapping a plurality of internal conductors 3 on the upper and lower surfaces so as to be connected via the through holes 2. Further, the tips of the plurality of internal conductors 3 are formed to extend to one edge of the first insulating layer 1. Further, a second insulating layer 4 is laminated on and under a plurality of independent spiral coils until a predetermined thickness is obtained.
【0011】次に、図12(d)に示すように、この積
層されたものを空気中で加熱して樹脂を燃焼除去し、8
50〜950℃程度の高温で焼結して焼結体5を形成す
る。このとき、焼結体5の一端面から複数の内部導体3
の先端が露出している。Next, as shown in FIG. 12D, the laminated product is heated in air to burn and remove the resin.
The sintered body 5 is formed by sintering at a high temperature of about 50 to 950 ° C. At this time, a plurality of internal conductors 3
The tip of is exposed.
【0012】なお、焼結前の第1の絶縁層1と第2の絶
縁層4とは、同一の材料、同一の工法を用いることによ
って、焼結後の透磁率は同じ値を示している。The first insulating layer 1 and the second insulating layer 4 before sintering have the same value of magnetic permeability after sintering by using the same material and the same method. .
【0013】最後に、図12(e)に示すように、焼結
体5の対向する両側面に、焼結体5の一端面から露出し
ている複数の内部導体3の先端と電気的に接続されるよ
うに、Ag系の導電ペーストを塗布して550〜900
℃で焼き付けることにより複数の外部電極6を形成し
て、従来の積層インダクタアレイを製造していた。この
とき、外部電極6が独立した渦巻き状のコイル同士を短
絡させないように、外部電極6を独立した渦巻き状のコ
イルの各両端部と電気的に接続させている。[0013] Finally, as shown in FIG. 12 (e), the tips of the plurality of internal conductors 3 exposed from one end face of the sintered body 5 are electrically connected to both opposing side surfaces of the sintered body 5. An Ag-based conductive paste is applied so as to be connected, and 550 to 900
A plurality of external electrodes 6 were formed by baking at a temperature of ° C. to manufacture a conventional multilayer inductor array. At this time, the external electrode 6 is electrically connected to both ends of the independent spiral coil so that the independent spiral coil does not short-circuit the independent spiral coils.
【0014】[0014]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の積層インダクタアレイは、部品の小型化によって隣
接する各内部導体3間の距離が接近した場合、隣り合う
内部導体3間の磁気的及び静電気的結合によるクロスト
ークが発生するため、一つの積層インダクタアレイにお
ける各内部導体3におけるインダクタンス値が安定しな
いという課題を有していた。However, in the above-mentioned conventional laminated inductor array, when the distance between adjacent internal conductors 3 becomes short due to the miniaturization of components, magnetic and electrostatic between adjacent internal conductors 3 become small. Since crosstalk occurs due to the coupling, there is a problem that the inductance value of each internal conductor 3 in one laminated inductor array is not stable.
【0015】なお、このように積層インダクタアレイの
インダクタンス値が安定しない場合、ノイズが電子機器
に進入して電子機器が誤動作などを起こす危険性があ
る。If the inductance value of the multilayer inductor array is not stable as described above, there is a risk that noise may enter the electronic device and cause the electronic device to malfunction.
【0016】このクロストーク対策としては、実開平7
−10927号公報や実開平7−10914号公報のマ
イクロフィルム等に記載されている構造が考えられてい
る。これらは、素体間に発生したクロストークを逃がす
ための共通グランド電極を素体間に形成し、さらにこの
共通グランド電極を素体長手方向の両端部にある外部グ
ランド電極に接続して、この外部グランド電極がプリン
ト基板にはんだ付けされる構造になっている。つまり素
体間に発生するクロストークを、素体間に共通グランド
電極を介在させることによって低減している。しかしな
がら、この構造では、部品実装面となるプリント基板上
にグランド電極を形成する必要があり、部品配置に制約
を受けたり、実装面積を削減することが困難であった。As a countermeasure against this crosstalk, Japanese Utility Model 7
Structures described in microfilms and the like in JP-A-10927 and JP-A-7-10914 have been considered. In these, a common ground electrode for releasing crosstalk generated between the element bodies is formed between the element bodies, and this common ground electrode is connected to external ground electrodes at both ends in the longitudinal direction of the element body. An external ground electrode is structured to be soldered to a printed circuit board. That is, crosstalk generated between the element bodies is reduced by interposing the common ground electrode between the element bodies. However, in this structure, it is necessary to form a ground electrode on a printed circuit board which is a component mounting surface, and it is difficult to reduce the mounting area due to restrictions on the component arrangement.
【0017】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、インダクタンス値が安定し、さらに製品の小形化、
部品配置の制約の防止、実装面積の削減ができる積層イ
ンダクタアレイを提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, in which the inductance value is stabilized, and the product can be downsized.
It is an object of the present invention to provide a multilayer inductor array capable of preventing restrictions on component arrangement and reducing a mounting area.
【0018】[0018]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の積層インダクタアレイは、要求される実装面
積に対応した部品外形寸法をもち、前記部品外形寸法内
に低い磁気的結合要因を有すべく並設された複数の特定
領域内にそれぞれインダクタ要素である内部導体を形成
した複数の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層に設けら
れた複数のインダクタ要素をサンドイッチすべく前記第
1の絶縁層の上下面に配設された第2の絶縁層と第3の
絶縁層とを備え、前記第2の絶縁層と第3の絶縁層にて
サンドイッチされた第1の絶縁層に配設した複数のイン
ダクタ要素を低い磁気的結合要因をもって積層したもの
で、この構成によれば、インダクタンス値が安定し、さ
らに製品の小型化、部品配置の制約の防止、実装面積の
削減ができる積層インダクタアレイが得られる。In order to achieve the above object, a laminated inductor array according to the present invention has a component external dimension corresponding to a required mounting area, and a low magnetic coupling factor is included in the component external dimension. In order to sandwich a plurality of first insulating layers each having an internal conductor serving as an inductor element in a plurality of specific regions arranged side by side and a plurality of inductor elements provided in the first insulating layer, A second insulating layer disposed on the upper and lower surfaces of the first insulating layer; and a third insulating layer, wherein the first insulating layer is sandwiched between the second insulating layer and the third insulating layer. A plurality of inductor elements arranged in a layer are stacked with a low magnetic coupling factor. According to this configuration, the inductance value is stable, furthermore, the size of the product is reduced, the arrangement of components is prevented, and the mounting area is reduced. Can be laminated Ndakutaarei is obtained.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、要求される実装面積に対応した部品外形寸法をも
ち、前記部品外形寸法内に低い磁気的結合要因を有すべ
く並設された複数の特定領域内にそれぞれインダクタ要
素である内部導体を形成した複数の第1の絶縁層と、前
記第1の絶縁層に設けられた複数のインダクタ要素をサ
ンドイッチすべく前記第1の絶縁層の上下面に配設され
た第2の絶縁層と第3の絶縁層とを備え、前記第2の絶
縁層と第3の絶縁層にてサンドイッチされた第1の絶縁
層に配設した複数のインダクタ要素を低い磁気的結合要
因をもって積層したもので、この構成によれば、一つの
第1の絶縁層における複数の内部導体間のクロストー
ク、積層された複数の第1の絶縁層に形成された内部導
体間のクロストークをそれぞれ抑制できるため、インダ
クタンス値を安定させることができる。これに加えて、
クロストークを抑制することができることによって、共
通グランド電極が不要となるため、製品の小型化、部品
配置の制約の防止や実装面積の削減ができるという作用
を有するものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 of the present invention has a component external dimension corresponding to a required mounting area, and is juxtaposed to have a low magnetic coupling factor in the component external dimension. A plurality of first insulating layers each having an internal conductor that is an inductor element formed in each of the plurality of specified regions, and the first insulating layer sandwiching the plurality of inductor elements provided in the first insulating layer. A second insulating layer disposed on the upper and lower surfaces of the layer and a third insulating layer, the first insulating layer being sandwiched between the second insulating layer and the third insulating layer; According to this configuration, a plurality of inductor elements are stacked with a low magnetic coupling factor. According to this configuration, crosstalk between a plurality of internal conductors in one first insulating layer, a plurality of stacked first insulating layers, Reduce crosstalk between the formed internal conductors. Since it respectively suppressed, it is possible to stabilize an inductance value. In addition to this,
Since the crosstalk can be suppressed, a common ground electrode is not required, which has an effect that the product can be reduced in size, restrictions on component arrangement can be prevented, and a mounting area can be reduced.
【0020】請求項2に記載の発明は、複数の第2の絶
縁層間に、第1の絶縁層、第2の絶縁層、第3の絶縁層
より透磁率が低い少なくとも1層以上の第4の絶縁層を
形成したもので、この構成によれば、積層された第1の
絶縁層に形成された内部導体間に、第1の絶縁層、第2
の絶縁層、第3の絶縁層より透磁率が低い第4の絶縁層
があるため、これらの内部導体間のクロストークをさら
に抑制でき、これにより、インダクタンス値をさらに安
定させることができる。これに加えて、クロストークを
抑制することができることによって、共通グランド電極
が不要となるため、製品の小型化、部品配置の制約の防
止や実装面積の削減ができるという作用を有するもので
ある。According to a second aspect of the present invention, at least one fourth layer having a lower magnetic permeability than the first insulating layer, the second insulating layer, and the third insulating layer is provided between the plurality of second insulating layers. According to this configuration, the first insulating layer and the second insulating layer are provided between the internal conductors formed on the laminated first insulating layer.
Since the first and second insulating layers have a lower magnetic permeability than the third and fourth insulating layers, crosstalk between these internal conductors can be further suppressed, and the inductance value can be further stabilized. In addition, since the crosstalk can be suppressed, a common ground electrode is not required, which has an effect that the product can be reduced in size, restrictions on component arrangement can be prevented, and a mounting area can be reduced.
【0021】請求項3に記載の発明は、焼結後の第4の
絶縁層の密度を、焼結後の第1の絶縁層、第2の絶縁
層、第3の絶縁層の密度より小さくなるようにしたもの
で、この構成によれば、積層された第1の絶縁層に形成
された内部導体間に、第1の絶縁層、第2の絶縁層、第
3の絶縁層より透磁率が低い第4の絶縁層があるため、
これらの内部導体間のクロストークを抑制でき、これに
より、インダクタンス値を安定させることができる。こ
れに加えて、クロストークを抑制することができること
によって、共通グランド電極が不要となるため、製品の
小型化、部品配置の制約の防止や実装面積の削減ができ
るという作用を有するものである。According to a third aspect of the present invention, the density of the fourth insulating layer after sintering is smaller than the densities of the first insulating layer, the second insulating layer, and the third insulating layer after sintering. According to this configuration, the permeability between the inner conductors formed in the stacked first insulating layers is higher than that of the first, second, and third insulating layers. Because there is a fourth insulating layer with low
Crosstalk between these internal conductors can be suppressed, thereby stabilizing the inductance value. In addition, since the crosstalk can be suppressed, a common ground electrode is not required, which has an effect that the product can be reduced in size, restrictions on component arrangement can be prevented, and a mounting area can be reduced.
【0022】請求項4に記載の発明は、第4の絶縁層を
構成する無機材料中の複数の酸化物の配合比率を、第1
の絶縁層、第2の絶縁層、第3の絶縁層を構成する無機
材料中の複数の酸化物の配合比率と異なるようにしたも
ので、この構成によれば、積層された第1の絶縁層に形
成された内部導体間に、第1の絶縁層、第2の絶縁層、
第3の絶縁層より透磁率が低い第4の絶縁層があるた
め、これらの内部導体間のクロストークを抑制でき、こ
れにより、インダクタンス値を安定させることができ
る。これに加えて、クロストークを抑制することができ
ることによって、共通グランド電極が不要となるため、
製品の小型化、部品配置の制約の防止や実装面積の削減
ができるという作用を有するものである。According to a fourth aspect of the present invention, the compounding ratio of the plurality of oxides in the inorganic material constituting the fourth insulating layer is set to the first ratio.
According to this configuration, the mixing ratio of the plurality of oxides in the inorganic material constituting the insulating layer, the second insulating layer, and the third insulating layer is different from that of the first insulating layer. A first insulating layer, a second insulating layer, between internal conductors formed in the layers;
Since there is the fourth insulating layer having a lower magnetic permeability than the third insulating layer, crosstalk between these internal conductors can be suppressed, and thereby the inductance value can be stabilized. In addition, the ability to suppress crosstalk eliminates the need for a common ground electrode,
This has the effect of enabling downsizing of products, prevention of restrictions on component arrangement, and reduction of mounting area.
【0023】請求項5に記載の発明は、第4の絶縁層に
空隙部を設けるようにしたもので、この構成によれば、
積層された第1の絶縁層に形成された内部導体間に、第
1の絶縁層、第2の絶縁層、第3の絶縁層より透磁率が
低い第4の絶縁層があるため、これらの内部導体間のク
ロストークを抑制でき、これにより、インダクタンス値
を安定させることができる。これに加えて、クロストー
クを抑制することができることによって、共通グランド
電極が不要となるため、製品の小型化、部品配置の制約
の防止や実装面積の削減ができる。さらに各絶縁層を構
成している無機材料を変更することもないため、他材料
(ガラス、その他の非磁性セラミック材料など)の使用
による各絶縁層の接合付近における異元素の相互拡散を
考慮する必要なく第4の絶縁層の透磁率を低くすること
ができるという作用を有するものである。According to a fifth aspect of the present invention, a void is provided in the fourth insulating layer.
Since the first insulating layer, the second insulating layer, and the fourth insulating layer having a lower magnetic permeability than the third insulating layer exist between the inner conductors formed in the stacked first insulating layers, Crosstalk between the internal conductors can be suppressed, thereby stabilizing the inductance value. In addition, since the crosstalk can be suppressed, a common ground electrode becomes unnecessary, so that the product can be reduced in size, restrictions on component arrangement can be prevented, and the mounting area can be reduced. Further, since the inorganic material constituting each insulating layer is not changed, mutual diffusion of different elements near the junction of each insulating layer due to the use of other materials (glass, other non-magnetic ceramic materials, etc.) is taken into consideration. This has the effect that the magnetic permeability of the fourth insulating layer can be lowered without necessity.
【0024】請求項6に記載の発明は、焼結前の第4の
絶縁層における無機材料と樹脂との配合比率を、焼結前
の第1の絶縁層、第2の絶縁層、第3の絶縁層における
無機材料と樹脂との配合比率に比べて、樹脂が無機材料
より多くなるようにしたもので、この構成によれば、焼
結時に樹脂が燃焼除去されて第4の絶縁層の密度が小さ
くなることによって、第4の絶縁層は第1の絶縁層、第
2の絶縁層、第3の絶縁層より透磁率が低くなり、さら
に、この第4の絶縁層が積層された第1の絶縁層に形成
された内部導体間にあるため、これらの内部導体間のク
ロストークを抑制でき、これにより、インダクタンス値
を安定させることができる。これに加えて、クロストー
クを抑制することができることによって、共通グランド
電極が不要となるため、製品の小型化、部品配置の制約
の防止や実装面積の削減ができる。さらに各絶縁層を構
成している無機材料を変更することもないため、他材料
(ガラス、その他の非磁性セラミック材料など)の使用
による各絶縁層の接合付近における異元素の相互拡散を
考慮する必要なく第4の絶縁層の透磁率を低くすること
ができるという作用を有するものである。According to a sixth aspect of the present invention, the compounding ratio of the inorganic material and the resin in the fourth insulating layer before sintering is determined by comparing the first insulating layer, the second insulating layer, and the third insulating layer before sintering. Compared with the mixing ratio of the inorganic material and the resin in the insulating layer, the amount of the resin is larger than that of the inorganic material. According to this configuration, the resin is burned and removed at the time of sintering and the fourth insulating layer is formed. As the density decreases, the fourth insulating layer has a lower magnetic permeability than the first, second, and third insulating layers, and the fourth insulating layer further includes the fourth insulating layer laminated thereon. Since it is between the internal conductors formed on the one insulating layer, crosstalk between these internal conductors can be suppressed, and thereby the inductance value can be stabilized. In addition, since the crosstalk can be suppressed, a common ground electrode becomes unnecessary, so that the product can be reduced in size, restrictions on component arrangement can be prevented, and the mounting area can be reduced. Further, since the inorganic material constituting each insulating layer is not changed, mutual diffusion of different elements near the junction of each insulating layer due to the use of other materials (glass, other non-magnetic ceramic materials, etc.) is taken into consideration. This has the effect that the magnetic permeability of the fourth insulating layer can be lowered without necessity.
【0025】請求項7に記載の発明は、焼結前の第4の
絶縁層における無機材料の粒子径を、焼結前の第1の絶
縁層、第2の絶縁層、第3の絶縁層における無機材料の
粒子径に比べて大きくなるようにしたもので、この構成
によれば、熱処理を加えて粒子径を大きくした無機材料
を用いて作製した絶縁層は、焼結後の密度が小さくなる
ため、第4の絶縁層の密度を小さくすることができ、こ
れにより、第4の絶縁層は第1の絶縁層、第2の絶縁
層、第3の絶縁層より透磁率が低くなり、さらに、この
第4の絶縁層が積層された第1の絶縁層に形成された内
部導体間にあるため、これらの内部導体間のクロストー
クを抑制でき、これにより、インダクタンス値を安定さ
せることができる。これに加えて、クロストークを抑制
することができることによって、共通グランド電極が不
要となるため、製品の小型化、部品配置の制約の防止や
実装面積の削減ができる。さらに各絶縁層を構成してい
る無機材料を変更することもないため、他材料(ガラ
ス、その他の非磁性セラミック材料など)の使用による
各絶縁層の接合付近における異元素の相互拡散を考慮す
る必要なく第4の絶縁層の透磁率を低くすることができ
るという作用を有するものである。According to a seventh aspect of the present invention, the particle diameter of the inorganic material in the fourth insulating layer before sintering is determined by determining the particle size of the first insulating layer, the second insulating layer, and the third insulating layer before sintering. According to this configuration, the insulating layer made of an inorganic material whose particle size has been increased by heat treatment has a low density after sintering. Therefore, the density of the fourth insulating layer can be reduced, whereby the fourth insulating layer has a lower magnetic permeability than the first insulating layer, the second insulating layer, and the third insulating layer, Further, since the fourth insulating layer is located between the internal conductors formed on the laminated first insulating layer, crosstalk between these internal conductors can be suppressed, thereby stabilizing the inductance value. it can. In addition, since the crosstalk can be suppressed, a common ground electrode becomes unnecessary, so that the product can be reduced in size, restrictions on component arrangement can be prevented, and the mounting area can be reduced. Further, since the inorganic material constituting each insulating layer is not changed, mutual diffusion of different elements near the junction of each insulating layer due to the use of other materials (glass, other non-magnetic ceramic materials, etc.) is taken into consideration. This has the effect that the magnetic permeability of the fourth insulating layer can be lowered without necessity.
【0026】以下、本発明の一実施の形態における積層
インダクタアレイについて、図面を参照しながら説明す
る。Hereinafter, a laminated inductor array according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0027】図1は本発明の一実施の形態における積層
インダクタアレイの分解斜視図、図2(a)は同積層イ
ンダクタアレイの斜視図、図2(b)は図2(a)にお
けるA−A線断面図、図2(c)は図2(a)における
B−B線断面図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of a laminated inductor array according to an embodiment of the present invention, FIG. 2A is a perspective view of the laminated inductor array, and FIG. FIG. 2C is a cross-sectional view taken along a line BB in FIG. 2A.
【0028】図1、図2(a)〜(c)において、11
は第1の絶縁層で、Ag等の導電材料を充填したスルー
ホール12を有し、無機材料としてのNi−Cu−Zn
系フェライト粉体の酸化物、及び樹脂からなる。13
a,13b,13c,13dはAg、Ag−Pdなどか
らなる渦巻き状のインダクタ要素である内部導体で、そ
れぞれ第1の絶縁層11の上下面における特定の領域内
に設けられており、且つその先端は第1の絶縁層11の
一端縁まで延びている。このとき、第1の絶縁層11の
上下面に位置する内部導体13a同士をスルーホール1
2を介して電気的に接続させることによって、一つの渦
巻き状のインダクタ要素であるコイルが形成されてい
る。他の内部導体13b,13c,13dについても同
様にすることによって、合計四つの独立した渦巻き状の
インダクタ要素であるコイルが形成されている。14は
第2の絶縁層で、内部導体13a,13bによって形成
されたコイルの下面、及び内部導体13c,13dによ
って形成されたコイルの上面に2層設けられている。1
5は第3の絶縁層で、内部導体13a,13b,13
c,13dによって形成される全ての独立した渦巻き状
のコイルの上下に位置している。つまり、内部導体13
a,13bによって形成されたコイルの上面、及び内部
導体13c,13dによって形成されたコイルの下面に
所定の枚数設けられている。上記より、インダクタ要素
であるコイルは第2の絶縁層14と第3の絶縁層15に
よってサンドイッチされていることになる。16は第4
の絶縁層で、焼結後の密度は、第1の絶縁層11、第2
の絶縁層14、第3の絶縁層15の焼結後の密度より低
くなっており、2層となっている第2の絶縁層14間
に、内部導体13a,13b,13c,13dと接触し
ないように1層形成されている。もちろん第4の絶縁層
16は少なくとも1層以上あればよい。17は焼結体
で、第1の絶縁層11、第2の絶縁層14、第4の絶縁
層16、第3の絶縁層15及び内部導体13a,13
b,13c,13dを積層、焼結することによって設け
られている。18a,18b,18c,18dは外部電
極で、焼結体17の対向する両側面に複数設けられ、独
立した渦巻き状のコイル同士を短絡させないように、独
立した渦巻き状のコイルの各両端部に電気的に接続され
ている。In FIGS. 1 and 2 (a) to 2 (c), 11
Is a first insulating layer having a through hole 12 filled with a conductive material such as Ag, and Ni-Cu-Zn as an inorganic material.
It consists of an oxide of a ferrite powder and a resin. 13
Reference numerals a, 13b, 13c, and 13d denote internal conductors, which are spiral inductor elements made of Ag, Ag-Pd, or the like, and are provided in specific regions on the upper and lower surfaces of the first insulating layer 11, respectively. The tip extends to one edge of the first insulating layer 11. At this time, the inner conductors 13a located on the upper and lower surfaces of the first insulating layer 11 are
By making electrical connection through the coil 2, a coil that is one spiral inductor element is formed. The same applies to the other internal conductors 13b, 13c, and 13d, thereby forming a total of four independent spiral inductor coils. A second insulating layer 14 is provided in two layers on the lower surface of the coil formed by the internal conductors 13a and 13b and the upper surface of the coil formed by the internal conductors 13c and 13d. 1
Reference numeral 5 denotes a third insulating layer, and the inner conductors 13a, 13b, 13
c, 13d are located above and below all independent spiral coils. That is, the inner conductor 13
A predetermined number is provided on the upper surface of the coil formed by a and 13b and the lower surface of the coil formed by the internal conductors 13c and 13d. From the above, the coil as the inductor element is sandwiched by the second insulating layer 14 and the third insulating layer 15. 16 is the fourth
The density after sintering is the first insulating layer 11, the second
And the third insulating layer 15 has a density lower than that of the second insulating layer 14, and does not contact the internal conductors 13a, 13b, 13c, and 13d between the two second insulating layers 14. Thus, one layer is formed. Of course, the fourth insulating layer 16 may have at least one layer. Reference numeral 17 denotes a sintered body, which includes a first insulating layer 11, a second insulating layer 14, a fourth insulating layer 16, a third insulating layer 15, and internal conductors 13a and 13a.
b, 13c, and 13d are provided by stacking and sintering. Reference numerals 18a, 18b, 18c, and 18d denote external electrodes, which are provided on a plurality of opposite side surfaces of the sintered body 17 and are provided at both ends of the independent spiral coils so as not to short-circuit the independent spiral coils. It is electrically connected.
【0029】このように本発明の一実施の形態における
積層インダクタアレイは、第2の絶縁層14及び第4の
絶縁層16を挟んで上方に並設された内部導体13a,
13bと下方に並設された内部導体13c,13dが2
階建て構造となるように配置されている。つまり、第1
の絶縁層11に2つの内部導体13a,13bあるいは
13c,13dが形成され、かつ内部導体13a,13
bは第2の絶縁層14及び第4の絶縁層16の上方に、
内部導体13c,13dは第2の絶縁層14及び第4の
絶縁層16の下方にそれぞれ形成された第1の絶縁層1
1に配置されている。また、完成した積層インダクタア
レイは、実装面積に対応した部品外形寸法をもってい
る。As described above, in the laminated inductor array according to the embodiment of the present invention, the internal conductors 13a, which are juxtaposed upward with the second insulating layer 14 and the fourth insulating layer 16 interposed therebetween, are provided.
13b and the inner conductors 13c and 13d juxtaposed below are 2
It is arranged to have a story structure. That is, the first
The inner conductors 13a, 13b or 13c, 13d are formed on the insulating layer 11 of
b is above the second insulating layer 14 and the fourth insulating layer 16,
The internal conductors 13c and 13d are formed on the first insulating layer 1 formed below the second insulating layer 14 and the fourth insulating layer 16, respectively.
1. Also, the completed laminated inductor array has component external dimensions corresponding to the mounting area.
【0030】なお、第4の絶縁層16の焼結後の密度
は、第1の絶縁層11、第2の絶縁層14及び第3の絶
縁層15の焼結後の密度より低くなっているため、第4
の絶縁層16の焼結後の透磁率は、第1の絶縁層11、
第2の絶縁層14及び第3の絶縁層15の焼結後の透磁
率より低くなっている。The density of the fourth insulating layer 16 after sintering is lower than the density of the first insulating layer 11, the second insulating layer 14, and the third insulating layer 15 after sintering. Because the fourth
The magnetic permeability after sintering of the insulating layer 16 of the first insulating layer 11,
The magnetic permeability after sintering of the second insulating layer 14 and the third insulating layer 15 is lower.
【0031】また、第4の絶縁層16を2層の第2の絶
縁層14間に形成することによって、第4の絶縁層16
が内部導体13a,13b,13c,13dと接触しな
いように形成される。これにより、各内部導体13a,
13b,13c,13dにおけるインダクタンス値が焼
結後の透磁率が低い第4の絶縁層16によって低下する
ことがなくなる。従って第4の絶縁層16が内部導体1
3a,13b,13c,13dと接触しないように、第
2の絶縁層14は少なくとも2層以上形成する必要があ
る。Further, by forming the fourth insulating layer 16 between the two second insulating layers 14, the fourth insulating layer 16 is formed.
Are formed so as not to contact the internal conductors 13a, 13b, 13c, 13d. Thereby, each internal conductor 13a,
The inductance value in 13b, 13c, and 13d is not reduced by the fourth insulating layer 16 having low magnetic permeability after sintering. Therefore, the fourth insulating layer 16 is
It is necessary to form at least two or more second insulating layers 14 so as not to contact with 3a, 13b, 13c and 13d.
【0032】以上のように構成された本発明の一実施の
形態における積層インダクタアレイについて、以下にそ
の製造方法を図面を参照しながら説明する。The manufacturing method of the laminated inductor array according to the embodiment of the present invention configured as described above will be described below with reference to the drawings.
【0033】図3(a)〜(f)は本発明の一実施の形
態における積層インダクタアレイの製造方法を示す工程
図である。FIGS. 3A to 3F are process diagrams showing a method for manufacturing a laminated inductor array according to an embodiment of the present invention.
【0034】まず、図3(a)に示すように、無機材料
であるNi−Cu−Zn系フェライト粉体の酸化物、及
び樹脂からなるスラリーの混合物からドクターブレード
法によって第1の絶縁層11、第2の絶縁層14、第3
の絶縁層15を作製する。First, as shown in FIG. 3A, a first insulating layer 11 is formed from a mixture of an oxide of a Ni—Cu—Zn ferrite powder, which is an inorganic material, and a resin by a doctor blade method. , The second insulating layer 14, the third
Is formed.
【0035】次に、図3(b)に示すように、第1の絶
縁層11の定められた箇所に穴あけ加工して複数のスル
ーホール12を形成し、このスルーホール12にAg等
の導電材料を充填する。Next, as shown in FIG. 3B, a plurality of through-holes 12 are formed by drilling a predetermined portion of the first insulating layer 11, and a conductive material such as Ag is formed in the through-holes 12. Fill the material.
【0036】次に、図3(c)に示すように、Ag、A
g−Pdなどからなる渦巻き状に形成されたインダクタ
要素である複数の内部導体13a,13b,13c,1
3dを作製する。Next, as shown in FIG.
A plurality of internal conductors 13a, 13b, 13c, 1 which are spiral-shaped inductor elements made of g-Pd or the like.
3d is produced.
【0037】なお、内部導体13a,13b,13c,
13dは、螺旋状、蛇行状、あるいは直線状のいずれで
もよい。The internal conductors 13a, 13b, 13c,
13d may be spiral, meandering, or linear.
【0038】次に、図3(d)に示すように、無機材料
であるNi−Cu−Zn系フェライト粉体の酸化物、及
び樹脂からなるスラリーの混合物からドクターブレード
法によって第4の絶縁層16を作製する。この第4の絶
縁層16の焼結後の密度は、第1の絶縁層11、第2の
絶縁層14、第3の絶縁層15の焼結後の密度より小さ
くなっている。Next, as shown in FIG. 3D, a fourth insulating layer is formed by a doctor blade method from a mixture of a slurry of an oxide of a Ni—Cu—Zn ferrite powder as an inorganic material and a resin. 16 is manufactured. The sintered density of the fourth insulating layer 16 is smaller than the sintered density of the first insulating layer 11, the second insulating layer 14, and the third insulating layer 15.
【0039】なお、第4の絶縁層16として、その全面
の焼結後の密度が、第1の絶縁層11、第2の絶縁層1
4、第3の絶縁層15の焼結後の密度より小さくなって
いなくても、少なくとも第4の絶縁層16における、内
部導体13a,13bと、内部導体13a,13bの下
方に位置する内部導体13c,13dとが対向する位置
に相当する部分の焼結後の密度が、第1の絶縁層11、
第2の絶縁層14、第3の絶縁層15の焼結後の密度よ
り小さくなっていればよい。The density of the fourth insulating layer 16 after sintering over its entire surface is the first insulating layer 11 and the second insulating layer 1.
4. Even if the density of the third insulating layer 15 is not lower than the sintered density, at least the inner conductors 13a and 13b and the inner conductors located below the inner conductors 13a and 13b in the fourth insulating layer 16 The density after sintering of the portion corresponding to the position where 13c, 13d is opposed to the first insulating layer 11,
It is only necessary that the density of the second insulating layer 14 and the third insulating layer 15 be lower than the density after sintering.
【0040】次に、第1の絶縁層11の上下面に位置す
る内部導体13a同士をスルーホール12を介して電気
的に接続して、一つの渦巻き状のインダクタ要素である
コイルを形成する。また、他の内部導体13b,13
c,13dについても同様にして、合計四つの渦巻き状
のコイルを形成する。なお、このとき各渦巻き状のコイ
ルは独立した状態になるようにする。Next, the internal conductors 13a located on the upper and lower surfaces of the first insulating layer 11 are electrically connected to each other through the through holes 12, thereby forming a coil as a spiral inductor element. Further, the other inner conductors 13b, 13
Similarly, a total of four spiral coils are formed for c and 13d. At this time, each spiral coil is made to be independent.
【0041】次に、図3(e)に示すように、内部導体
13a,13bの下面、及び内部導体13c,13dの
上面に少なくとも第2の絶縁層14を2層形成し、さら
に第4の絶縁層16を、第2の絶縁層14間に、内部導
体13a,13b,13c,13dと接触しないように
少なくとも1層形成する。そしてさらに、内部導体13
a,13b,13c,13dによって形成される全ての
独立した渦巻き状のコイルの上下に、第3の絶縁層15
を積層する。その後、約70kg/cm2の圧力を加え
た後、空気中で加熱してバインダーを燃焼除去し、そし
て850〜1000℃程度の高温で焼結して、焼結体1
7を形成する。このとき、焼結体17の一端面から内部
導体13a,13b,13c,13dの先端が露出して
いる。Next, as shown in FIG. 3E, at least two second insulating layers 14 are formed on the lower surfaces of the internal conductors 13a and 13b and the upper surfaces of the internal conductors 13c and 13d. At least one insulating layer 16 is formed between the second insulating layers 14 so as not to contact the internal conductors 13a, 13b, 13c, and 13d. And furthermore, the inner conductor 13
a, 13b, 13c and 13d, a third insulating layer 15 above and below all independent spiral coils.
Are laminated. Thereafter, after applying a pressure of about 70 kg / cm 2 , the binder is burned and removed by heating in air, and sintered at a high temperature of about 850 to 1000 ° C.
7 is formed. At this time, the tips of the internal conductors 13a, 13b, 13c, 13d are exposed from one end surface of the sintered body 17.
【0042】最後に、図3(f)に示すように、焼結体
17の対向する両側面に、焼結体17の一端面から露出
している内部導体13a,13b,13c,13dの先
端と電気的に接続されるように、複数の外部電極18
a,18b,18c,18dを形成して、本発明の一実
施の形態における積層インダクタアレイを製造する。こ
のとき、複数の外部電極18a,18b,18c,18
dは独立した各渦巻き状のコイル同士を短絡させないよ
うに、且つ独立した各渦巻き状のコイルの両端部と電気
的に接続させるようにする。Finally, as shown in FIG. 3 (f), the tips of the internal conductors 13a, 13b, 13c, 13d exposed from one end face of the sintered body 17 are provided on both sides of the sintered body 17 facing each other. The plurality of external electrodes 18 are electrically connected to the
The laminated inductor array according to one embodiment of the present invention is manufactured by forming a, 18b, 18c, and 18d. At this time, the plurality of external electrodes 18a, 18b, 18c, 18
d is such that the independent spiral coils are not short-circuited and electrically connected to both ends of the independent spiral coils.
【0043】なお、複数の外部電極18a,18b,1
8c,18dは、端面電極、Niめっき、Snめっきな
どの低融点金属めっきからなる。端面電極は、独立した
各渦巻き状のコイルの両端部と電気的に接続されるよう
にAg、Ag−Pd、Ni、Cu、あるいはAgとNi
またはCuとの合金の導電ペーストを塗布して550〜
900℃で焼き付けることにより形成する。また、蒸
着、スパッタリングなどによって形成してもよい。さら
に、焼結前の状態で端面電極を形成した後、同時に一体
焼成しても良い。そして、この端面電極を覆うようにN
iめっきを施し、さらにこのNiめっきを覆うようにS
nめっきなどの低融点金属めっきを施す。The plurality of external electrodes 18a, 18b, 1
8c and 18d are made of low-melting metal plating such as end face electrodes, Ni plating and Sn plating. The end face electrode is made of Ag, Ag-Pd, Ni, Cu, or Ag and Ni so as to be electrically connected to both ends of each independent spiral coil.
Alternatively, a conductive paste of an alloy with Cu is applied and
It is formed by baking at 900 ° C. Further, it may be formed by vapor deposition, sputtering or the like. Furthermore, after forming the end face electrodes before sintering, they may be simultaneously fired together. Then, N is applied to cover this end face electrode.
i plating, and S
Low melting metal plating such as n plating is performed.
【0044】なお、図1、図2(a)〜(c)において
は、隣り合う外部電極18a,18b,18c,18d
にそれぞれ対応する焼結体17の一端面から露出してい
る隣り合う内部導体13a,13b,13c,13d
を、第4の絶縁層16の上下方向に対する位置が交互に
なるように形成しているが、必ずしも隣り合う外部電極
18a,18b,18c,18dにそれぞれ対応する焼
結体17の一端面から露出している隣り合う内部導体1
3a,13b,13c,13dが第4の絶縁層16の上
下方向に対する位置が交互になるように形成しなくても
良い。In FIGS. 1 and 2A to 2C, adjacent external electrodes 18a, 18b, 18c, 18d
, Adjacent internal conductors 13a, 13b, 13c, 13d exposed from one end face of the corresponding sintered body 17 respectively.
Are formed so that the positions of the fourth insulating layer 16 in the vertical direction are alternated, but are not necessarily exposed from one end faces of the sintered body 17 corresponding to the adjacent external electrodes 18a, 18b, 18c, 18d. Adjacent inner conductor 1
The third insulating layers 3a, 13b, 13c, and 13d need not be formed so that the positions of the fourth insulating layers 16 in the vertical direction are alternated.
【0045】図4は隣り合う外部電極18a,18b,
18c,18dにそれぞれ対応する焼結体17の一端面
から露出している隣り合う内部導体13a,13b,1
3c,13dが第4の絶縁層16の上下方向に対する位
置が交互になるように形成されていない積層インダクタ
アレイの分解斜視図、図5(a)は同積層インダクタア
レイの斜視図、図5(b)は図5(a)のA−A線断面
図、図6は同積層インダクタアレイの斜視図(外部電極
18a,18b,18c,18dは図示せず)である。FIG. 4 shows adjacent external electrodes 18a, 18b,
Adjacent internal conductors 13a, 13b, 1 exposed from one end surfaces of the sintered body 17 corresponding to 18c, 18d, respectively.
FIG. 5A is an exploded perspective view of the multilayer inductor array in which 3c and 13d are not formed so that the positions of the fourth insulating layer 16 in the vertical direction are alternately arranged. FIG. FIG. 5B is a sectional view taken along line AA of FIG. 5A, and FIG. 6 is a perspective view of the laminated inductor array (external electrodes 18a, 18b, 18c and 18d are not shown).
【0046】なお、図4、図5(a),(b)、図6に
ついては、上記した本発明の一実施の形態における積層
インダクタアレイと同じ符号を付け、その説明は省略す
る。4, 5 (a), 5 (b), and 6 are given the same reference numerals as those of the laminated inductor array according to the embodiment of the present invention, and description thereof is omitted.
【0047】上記した本発明の一実施の形態における積
層インダクタアレイにおいては、複数の第1の絶縁層1
1に内部導体(この場合2つずつ)を設けるようにし、
且つこの内部導体が特定領域内に形成されているため、
全ての内部導体13a,13b,13c,13dが一つ
の第1の絶縁層11に形成されている場合と比べて、一
つの第1の絶縁層における複数の内部導体間のクロスト
ーク、積層された複数の第1の絶縁層に形成された内部
導体間のクロストークをそれぞれ抑制でき、インダクタ
ンス値を安定させることができるという効果が得られ
る。In the multilayer inductor array according to the embodiment of the present invention, the plurality of first insulating layers 1
1 is provided with internal conductors (in this case, two each),
And because this internal conductor is formed in a specific area,
Compared to the case where all the inner conductors 13a, 13b, 13c, 13d are formed on one first insulating layer 11, the crosstalk between the plurality of inner conductors in one first insulating layer is stacked. The crosstalk between the internal conductors formed on the plurality of first insulating layers can be suppressed, and the effect of stabilizing the inductance value can be obtained.
【0048】すなわち、一つの第1の絶縁層11におい
て複数の内部導体13a,13b間あるいは13c,1
3d間の距離が接近しなくなるため、一つの第1の絶縁
層11に並設された複数の内部導体13a,13b間、
あるいは13c,13d間は低い磁気的結合要因を有す
ることになり、この結果、一つの第1の絶縁層11にお
ける内部導体13a,13b間あるいは13c,13d
間のクロストークを抑制できるため、インダクタンス値
を安定させることができる。さらに、積層された複数の
第1の絶縁層11において複数の内部導体13a,13
b,13c,13dとの間の距離が遠くなるため、積層
された複数の第1の絶縁層11に並設された複数の内部
導体13a,13b,13c,13dとの間は低い磁気
的結合要因を有することになり、この結果、複数の第1
の絶縁層11に形成された内部導体13a,13bと1
3c,13dとの間のクロストークを抑制できるため、
インダクタンス値を安定させることができる。That is, in one first insulating layer 11, between a plurality of internal conductors 13a, 13b or 13c, 1
Since the distance between the inner conductors 3a and 3b does not approach each other, the distance between the plurality of internal conductors 13a and 13b arranged in parallel on one first insulating layer 11 is reduced.
Alternatively, there is a low magnetic coupling factor between 13c and 13d, and as a result, between the internal conductors 13a and 13b or 13c and 13d in one first insulating layer 11.
Since the crosstalk between them can be suppressed, the inductance value can be stabilized. Further, the plurality of inner conductors 13a, 13
b, 13c, and 13d, the distance between them is long, so that a low magnetic coupling is provided between the plurality of internal conductors 13a, 13b, 13c, and 13d arranged in parallel on the plurality of stacked first insulating layers 11. Factors, which result in multiple primary
Inner conductors 13a, 13b and 1 formed on the insulating layer 11 of FIG.
3c and 13d can be suppressed from crosstalk,
The inductance value can be stabilized.
【0049】また、積層された複数の第1の絶縁層11
に形成された内部導体13a,13bと13c,13d
との間については、第1の絶縁層11、第2の絶縁層1
4、第3の絶縁層15より透磁率が低い第4の絶縁層1
6があるため、積層された複数の第1の絶縁層11に並
設された複数の内部導体13a,13bと13c,13
dとの間はさらに低い磁気的結合要因を有することにな
り、この結果、複数の第1の絶縁層11に形成された内
部導体13a,13bと13c,13dとの間のクロス
トークをさらに抑制できるため、インダクタンス値をさ
らに安定させることができる。Further, the plurality of first insulating layers 11
Internal conductors 13a, 13b and 13c, 13d formed in
Between the first insulating layer 11 and the second insulating layer 1
4. Fourth insulating layer 1 having a lower magnetic permeability than third insulating layer 15
6, the plurality of inner conductors 13a, 13b and 13c, 13c arranged in parallel on the plurality of stacked first insulating layers 11 are provided.
d has a lower magnetic coupling factor, and as a result, crosstalk between the internal conductors 13a, 13b and 13c, 13d formed in the plurality of first insulating layers 11 is further suppressed. Therefore, the inductance value can be further stabilized.
【0050】さらに、このように各内部導体13a,1
3b,13c,13d間のクロストークを抑制すること
ができることによって、共通グランド電極が不要となる
ため、製品の小型化、部品配置の制約の防止や実装面積
の削減ができるという効果も得られる。Further, as described above, each internal conductor 13a, 1
Since the crosstalk between 3b, 13c, and 13d can be suppressed, a common ground electrode is not required, so that the effects of reducing the size of the product, preventing restrictions on component arrangement, and reducing the mounting area can be obtained.
【0051】また、第1の絶縁層11に形成される複数
の内部導体13a,13b,13c,13dのうち、少
なくとも一つの内部導体(この場合2つずつ)は第2の
絶縁層14及び第4の絶縁層16の上方あるいは下方に
形成された別の第1の絶縁層11に形成されることにな
るため、一つの第1の絶縁層11に形成される内部導体
の数が少なくて済む。さらに、完成した積層インダクタ
アレイは、実装面積に対応した部品外形寸法をもってい
るため、各内部導体13a,13b,13c,13dを
形成できる面積を大きくできるため、各内部導体13
a,13b,13c,13dで発生する磁界を大きくで
き、これにより、容易にインダクタンス値を高くできる
という効果も期待できる。At least one of the plurality of internal conductors 13a, 13b, 13c, 13d formed on the first insulating layer 11 (two in this case) is formed on the second insulating layer 14 and the second insulating layer 14. Since it is formed on another first insulating layer 11 formed above or below the four insulating layers 16, the number of internal conductors formed on one first insulating layer 11 can be reduced. . Furthermore, since the completed laminated inductor array has component outer dimensions corresponding to the mounting area, the area in which the internal conductors 13a, 13b, 13c, and 13d can be formed can be increased.
The magnetic fields generated at a, 13b, 13c, and 13d can be increased, and thereby an effect that the inductance value can be easily increased can be expected.
【0052】ここで、第4の絶縁層16の焼結後の密度
を小さくする方法として、下記の4方法が考えられる。Here, the following four methods are conceivable as methods for reducing the density of the fourth insulating layer 16 after sintering.
【0053】第4の絶縁層16を構成する無機材料中
の複数の酸化物の配合比率を、第1の絶縁層11、第2
の絶縁層14、第3の絶縁層15を構成する無機材料中
の複数の酸化物の配合比率と異なるようにする。The compounding ratio of the plurality of oxides in the inorganic material constituting the fourth insulating layer 16 is determined by the first insulating layer 11 and the second insulating layer 11.
Is different from the mixing ratio of the plurality of oxides in the inorganic material forming the insulating layer 14 and the third insulating layer 15.
【0054】第4の絶縁層16に空隙部を設ける。A void is provided in the fourth insulating layer 16.
【0055】焼結前の第4の絶縁層16における無機
材料と樹脂との配合比率を、焼結前の第1の絶縁層1
1、第2の絶縁層14、第3の絶縁層15における無機
材料と樹脂との配合比率に比べて、樹脂が無機材料より
多くなるようにする。The compounding ratio of the inorganic material and the resin in the fourth insulating layer 16 before sintering is determined by the first insulating layer 1 before sintering.
The amount of the resin is larger than that of the inorganic material in comparison with the mixing ratio of the inorganic material and the resin in the first, second and third insulating layers 14 and 15.
【0056】焼結前の第4の絶縁層16における無機
材料の粒子径を、焼結前の第1の絶縁層11、第2の絶
縁層14、第3の絶縁層15における無機材料の粒子径
に比べて大きくする。The particle diameter of the inorganic material in the fourth insulating layer 16 before sintering is adjusted to the particle diameter of the inorganic material in the first insulating layer 11, the second insulating layer 14, and the third insulating layer 15 before sintering. Make it larger than the diameter.
【0057】図7は、上記した本発明の一実施の形態に
おける他の例である〜の積層インダクタアレイ、及
び従来の積層インダクタアレイにおけるクロストークに
よる電流の減衰量を測定した結果を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the results of measuring the amount of current attenuation due to crosstalk in the laminated inductor array (1), which is another example of the embodiment of the present invention described above, and the conventional laminated inductor array. is there.
【0058】実験方法としては、各積層インダクタアレ
イに周波数が異なる電流を印加したときの電流の減衰量
を測定した。この減衰量はクロストークによって電流値
が減衰した量を示し、この減衰量が多いほど、隣接する
各内部導体間に発生する磁気的結合によるクロストーク
が大きく、その結果インダクタンス値が小さくなる。As an experimental method, the amount of current attenuation when currents having different frequencies were applied to each laminated inductor array was measured. This attenuation indicates the amount by which the current value is attenuated by the crosstalk. As the attenuation increases, the crosstalk due to the magnetic coupling generated between the adjacent internal conductors increases, and as a result, the inductance value decreases.
【0059】図8(a)は本発明の一実施の形態におけ
る他の例である〜の積層インダクタアレイの断面
図、図8(b)は従来の積層インダクタアレイAの断面
図、図8(c)は従来の積層インダクタアレイBの断面
図である。また符号は、図8(a)に示す本発明の一実
施の形態における他の例である〜の積層インダクタ
アレイについては図1、図2(a)〜(c)に示す本発
明の一実施の形態と同じ符号、図8(b),(c)に示
す従来の積層インダクタアレイA,Bについては、図1
0、図11に示す従来の積層インダクタアレイと同じ符
号を付ける。FIG. 8A is a cross-sectional view of a laminated inductor array which is another example of one embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a cross-sectional view of a conventional laminated inductor array A, and FIG. (c) is a sectional view of a conventional laminated inductor array B. In addition, the reference numeral is another example of the embodiment of the present invention shown in FIG. 8A, and the laminated inductor array of is an embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 and 2A to 2C. 1 (b) and 8 (c), the conventional multilayer inductor arrays A and B shown in FIGS.
0, the same reference numerals as in the conventional laminated inductor array shown in FIG.
【0060】なお、従来の積層インダクタアレイAは、
積層体内部の上下方向に対して等しい位置に隣接する内
部導体2を形成した構造のものであり、従来の積層イン
ダクタアレイBは、積層体内部の上下方向に対して交互
にずれた位置に隣接する内部導体2を形成した構造のも
のである。The conventional laminated inductor array A is
It has a structure in which adjacent internal conductors 2 are formed at equal positions in the vertical direction inside the multilayer body. The conventional multilayer inductor array B is adjacent to a position alternately shifted in the vertical direction inside the multilayer body. It has a structure in which an internal conductor 2 is formed.
【0061】また、いずれの積層インダクタアレイも寸
法が長さ3.2mm、幅1.6mm、高さ1.2mm
で、4素子内蔵、各内部導体の直流抵抗値が600Ω程
度であるものを使用した。もちろん、直流抵抗値が異な
るものを用いても同様な傾向、結果が得られるものであ
る。The dimensions of all the laminated inductor arrays are 3.2 mm in length, 1.6 mm in width, and 1.2 mm in height.
In this case, those having four elements built-in and having a DC resistance value of about 600Ω for each internal conductor were used. Of course, similar tendencies and results can be obtained by using different DC resistance values.
【0062】における積層インダクタアレイとして、
第1の絶縁層11、第2の絶縁層14及び第3の絶縁層
15に対しては重量比がNiO:CuO:ZnO:Fe
2O3=10:10:15:65である配合比率の無機材
料を用い、また第4の絶縁層16に対しては重量比がN
iO:CuO:ZnO:Fe2O3=20:10:5:6
5である配合比率の無機材料を用いた。この焼結体は、
重量比でNiO:CuO:ZnO:Fe2O3=10:1
0:15:65である配合比率の無機材料を有する絶縁
層のみで積層し焼成した焼結体に対して、透磁率が85
%低下した。As the laminated inductor array in the above,
The weight ratio of the first insulating layer 11, the second insulating layer 14, and the third insulating layer 15 is NiO: CuO: ZnO: Fe.
2 O 3 = 10: 10: 15: using an inorganic material mixing ratio is 65 and a weight ratio with respect to the fourth insulating layer 16 is N
iO: CuO: ZnO: Fe 2 O 3 = 20: 10: 5: 6
An inorganic material having a compounding ratio of 5 was used. This sintered body
NiO: CuO: ZnO: Fe 2 O 3 = 10: 1 by weight ratio
The magnetic permeability is 85 for a sintered body laminated and fired only with an insulating layer having an inorganic material having a compounding ratio of 0:15:65.
% Decreased.
【0063】における積層インダクタアレイとして、
焼結前の第4の絶縁層16に約80μm×約500μm
の空隙部3つを設けた。図9(a)はその斜視図、図9
(b)は図9(a)におけるA−A線断面図を示す。な
お、図9(a),(b)において、空隙部19を設けた
点のみが図1に示した本発明の一実施の形態と異なるた
め、その説明は省略し、同じ符号を付ける。As the laminated inductor array in the above,
About 80 μm × about 500 μm is applied to the fourth insulating layer 16 before sintering.
Are provided. FIG. 9A is a perspective view of FIG.
9B is a sectional view taken along line AA in FIG. 9 (a) and 9 (b) are different from the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 only in that a gap 19 is provided.
【0064】における積層インダクタアレイとして、
第1の絶縁層11、第2の絶縁層14及び第3の絶縁層
15における焼結前の無機材料と樹脂の重量比を10
0:5とし、第4の絶縁層16における無機材料と樹脂
の重量比を100:15としたものを用いた。この焼結
体は焼結時に樹脂が燃焼除去されるため、焼結後の密度
が小さくなり、無機材料と樹脂の重量比が100:5の
絶縁層のみを積層して焼成した焼結体に対して、焼結後
の密度が10%、透磁率が70%低下した。As the laminated inductor array in the above,
The weight ratio between the inorganic material and the resin before sintering in the first insulating layer 11, the second insulating layer 14, and the third insulating layer 15 is 10
The ratio was 0: 5, and the weight ratio of the inorganic material to the resin in the fourth insulating layer 16 was 100: 15. In this sintered body, the resin is burned off during sintering, so that the density after sintering is reduced, and a sintered body obtained by laminating only an insulating layer having a weight ratio of inorganic material to resin of 100: 5 is fired. On the other hand, the density after sintering decreased by 10% and the magnetic permeability decreased by 70%.
【0065】における積層インダクタアレイとして、
第1の絶縁層11、第2の絶縁層14及び第3の絶縁層
15における焼結前の無機材料の平均粒径を1μmと
し、第4の絶縁層16における焼結前の無機材料の平均
粒径を5μmとしたものを用いた。この焼結体は無機材
料の粒径が大きいため、焼結後の密度が小さくなり、無
機材料の平均粒径が1μmの絶縁層のみを積層し焼成し
た焼結体に対して、焼結後の密度が5%、透磁率が30
%低下した。As the laminated inductor array in the above,
The average particle size of the inorganic material before sintering in the first insulating layer 11, the second insulating layer 14, and the third insulating layer 15 is 1 μm, and the average particle size of the inorganic material before sintering in the fourth insulating layer 16 is The one having a particle size of 5 μm was used. Since the sintered body has a large particle diameter of the inorganic material, the density after sintering becomes small. Has a density of 5% and a magnetic permeability of 30.
% Decreased.
【0066】図7から明らかなように、上記した〜
における本発明の一実施の形態の他の例である積層イン
ダクタアレイの方が、従来の積層インダクタアレイより
電流値が減衰する量が少ない。つまり、隣接する各内部
導体間に発生する磁気的結合によるクロストークが小さ
く、インダクタンス値は高い。As is apparent from FIG.
In the multilayer inductor array which is another example of the embodiment of the present invention, the current value attenuates less than the conventional multilayer inductor array. That is, crosstalk due to magnetic coupling generated between adjacent internal conductors is small, and the inductance value is high.
【0067】なお、従来例Bは、積層体内部の上下方向
に対して交互にずれた位置に隣接する内部導体2を形成
したため、隣接する内部導体2間の距離が長くなり、こ
れにより、隣接する内部導体2間での磁気的結合は従来
例Aと比較して小さくなるため、従来例Bは従来例Aよ
り、クロストークが小さいと推定できる。In the conventional example B, since the adjacent internal conductors 2 are formed at positions alternately displaced from each other in the vertical direction inside the laminated body, the distance between the adjacent internal conductors 2 is increased, thereby increasing the distance between the adjacent internal conductors 2. Since the magnetic coupling between the internal conductors 2 is smaller than that of the conventional example A, it can be estimated that the conventional example B has smaller crosstalk than the conventional example A.
【0068】上記した〜における積層インダクタア
レイは、積層された第1の絶縁層に形成された内部導体
間に、第1の絶縁層、第2の絶縁層、第3の絶縁層より
透磁率が低い第4の絶縁層を形成できるため、積層され
た複数の第1の絶縁層11に並設された複数の内部導体
13a,13b,13c,13dとの間は低い磁気的結
合要因を有することになり、この結果、複数の第1の絶
縁層11に形成された内部導体13a,13b,13
c,13dとの間のクロストークを抑制できるため、イ
ンダクタンス値を安定させることができる。これに加え
て、このようにクロストークを抑制することができるこ
とによって、共通グランド電極が不要となるため、製品
の小型化、部品配置の制約の防止や実装面積の削減がで
きるという効果が得られる。In the above-described laminated inductor array, the magnetic permeability between the internal conductors formed in the laminated first insulating layer is higher than that of the first, second, and third insulating layers. Since a low fourth insulating layer can be formed, a low magnetic coupling factor exists between the plurality of internal conductors 13a, 13b, 13c, and 13d arranged in parallel with the plurality of stacked first insulating layers 11. As a result, the internal conductors 13a, 13b, 13 formed on the plurality of first insulating layers 11
Since the crosstalk between c and 13d can be suppressed, the inductance value can be stabilized. In addition to this, since the crosstalk can be suppressed in this way, a common ground electrode is not required, so that the effects of reducing the size of the product, preventing restrictions on component arrangement, and reducing the mounting area can be obtained. .
【0069】また、上記した〜は、第1の絶縁層1
1、第2の絶縁層14、第4の絶縁層16、第3の絶縁
層15を構成している無機材料を変更することもないた
め、他材料(ガラス、その他の非磁性セラミック材料な
ど)の使用による第1の絶縁層11、第2の絶縁層1
4、第4の絶縁層16、第3の絶縁層15の各接合付近
における異元素の相互拡散を考慮する必要なく第4の絶
縁層16の透磁率を低くすることができるという効果も
期待できる。ただし、第1の絶縁層11、第2の絶縁層
14、第4の絶縁層16、第3の絶縁層15の各接合付
近における異元素の相互拡散が発生すると、第4の絶縁
層16の組成が変化するため、第4の絶縁層16の透磁
率が必ずしも第1の絶縁層11、第2の絶縁層14、第
3の絶縁層15より透磁率が低くなるとは限らない。Further, the above-mentioned items 1 to 1 indicate the first insulating layer 1
Since the inorganic materials constituting the first, second insulating layers 14, the fourth insulating layers 16, and the third insulating layers 15 are not changed, other materials (glass, other nonmagnetic ceramic materials, and the like) are used. First insulating layer 11, second insulating layer 1 by using
The effect that the magnetic permeability of the fourth insulating layer 16 can be reduced without having to consider the mutual diffusion of different elements in the vicinity of each junction of the fourth, fourth insulating layer 16 and the third insulating layer 15 can also be expected. . However, when mutual diffusion of different elements near each junction of the first insulating layer 11, the second insulating layer 14, the fourth insulating layer 16, and the third insulating layer 15 occurs, the fourth insulating layer 16 Since the composition changes, the magnetic permeability of the fourth insulating layer 16 is not always lower than that of the first insulating layer 11, the second insulating layer 14, and the third insulating layer 15.
【0070】なお、上記した本発明の一実施の形態にお
いては、第2の絶縁層14及び第4の絶縁層16を挟ん
で上方の内部導体13a,13bと下方の内部導体13
c,13dが2階建て構造となるように配置したものに
ついて説明したが、各内部導体が2層以上の第4の絶縁
層16を介して3階建て以上の構造となるように配置さ
れても、上記本発明の一実施の形態と同等の効果が得ら
れるものである。また、内部導体は必ずしも4つでなく
てもよい。In the above-described embodiment of the present invention, the upper internal conductors 13a and 13b and the lower internal conductor 13 with the second insulating layer 14 and the fourth insulating layer 16 interposed therebetween.
Although the description has been given of the case where c and 13d are arranged so as to have a two-story structure, each internal conductor is arranged so as to have a three-story or more structure through two or more fourth insulating layers 16. Also, an effect equivalent to that of the above-described embodiment of the present invention can be obtained. Also, the number of internal conductors is not necessarily four.
【0071】[0071]
【発明の効果】以上のように本発明の積層インダクタア
レイは、要求される実装面積に対応した部品外形寸法を
もち、前記部品外形寸法内に低い磁気的結合要因を有す
べく並設された複数の特定領域内にそれぞれインダクタ
要素である内部導体を形成した複数の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層に設けられた複数のインダクタ要素を
サンドイッチすべく前記第1の絶縁層の上下面に配設さ
れた第2の絶縁層と第3の絶縁層とを備え、前記第2の
絶縁層と第3の絶縁層にてサンドイッチされた第1の絶
縁層に配設した複数のインダクタ要素を低い磁気的結合
要因をもって積層したもので、この構成によれば、一つ
の第1の絶縁層における複数の内部導体間のクロストー
ク、積層された複数の第1の絶縁層に形成された内部導
体間のクロストークをそれぞれ抑制できるため、インダ
クタンス値を安定させることができる。これに加えて、
クロストークを抑制することができることによって、共
通グランド電極が不要となるため、製品の小型化、部品
配置の制約の防止や実装面積の削減ができるという優れ
た効果を有するものである。As described above, the laminated inductor arrays of the present invention have component external dimensions corresponding to the required mounting area, and are arranged in parallel so as to have a low magnetic coupling factor within the component external dimensions. A plurality of first insulating layers each having an internal conductor that is an inductor element formed in a plurality of specific regions;
A second insulating layer provided on upper and lower surfaces of the first insulating layer to sandwich a plurality of inductor elements provided on the first insulating layer; and a second insulating layer provided on the upper and lower surfaces of the first insulating layer. A plurality of inductor elements provided on the first insulating layer sandwiched between the first insulating layer and the third insulating layer are laminated with a low magnetic coupling factor. According to this configuration, one first Since crosstalk between the plurality of internal conductors in the insulating layer and crosstalk between the internal conductors formed in the stacked first insulating layers can be suppressed, the inductance value can be stabilized. In addition to this,
Since the crosstalk can be suppressed, a common ground electrode is not required. Therefore, there is an excellent effect that the product can be reduced in size, restrictions on component arrangement can be prevented, and the mounting area can be reduced.
【図1】本発明の一実施の形態における積層インダクタ
アレイの分解斜視図FIG. 1 is an exploded perspective view of a multilayer inductor array according to an embodiment of the present invention.
【図2】(a)同積層インダクタアレイの斜視図 (b)図2(a)におけるA−A線断面図 (c)図2(a)におけるB−B線断面図2A is a perspective view of the multilayer inductor array, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2A, and FIG. 2C is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 2A.
【図3】(a)〜(f)同積層インダクタアレイの製造
方法を示す製造工程図FIGS. 3A to 3F are manufacturing process diagrams showing a manufacturing method of the multilayer inductor array;
【図4】隣り合う外部電極にそれぞれ対応する焼結体の
一端面から露出している隣り合う内部導体が第4の絶縁
層の上下方向に対する位置が交互になるように形成され
ていない本発明の一実施の形態における積層インダクタ
アレイの分解斜視図FIG. 4 is a view showing the present invention in which adjacent internal conductors exposed from one end surfaces of sintered bodies respectively corresponding to adjacent external electrodes are not formed such that positions of a fourth insulating layer in the vertical direction are alternately arranged; Exploded perspective view of a multilayer inductor array according to one embodiment
【図5】(a)同積層インダクタアレイの斜視図 (b)図5(a)におけるA−A線断面図5A is a perspective view of the laminated inductor array, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
【図6】同積層インダクタアレイの斜視図FIG. 6 is a perspective view of the multilayer inductor array.
【図7】本発明の一実施の形態における他の例である
〜の積層インダクタアレイ、及び従来の積層インダク
タアレイにおけるクロストークによる電流の減衰量を測
定した結果を示す図FIG. 7 is a diagram showing the results of measuring the amount of current attenuation due to crosstalk in the laminated inductor array of (1), which is another example of the embodiment of the present invention, and the conventional laminated inductor array.
【図8】(a)本発明の一実施の形態における他の例で
ある〜の積層インダクタアレイの断面図 (b)従来の積層インダクタアレイAの断面図 (c)従来の積層インダクタアレイBの断面図8A is a cross-sectional view of a multilayer inductor array according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a cross-sectional view of a conventional multilayer inductor array A. FIG. Sectional view
【図9】(a)本発明の一実施の形態における他の例で
あるの積層インダクタアレイの斜視図 (b)図9(a)におけるA−A線断面図9A is a perspective view of a laminated inductor array as another example according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9B is a sectional view taken along line AA in FIG. 9A.
【図10】従来の積層インダクタアレイの斜視図FIG. 10 is a perspective view of a conventional multilayer inductor array.
【図11】同積層インダクタアレイの分解斜視図FIG. 11 is an exploded perspective view of the multilayer inductor array.
【図12】(a)〜(e)同積層インダクタアレイの製
造方法を示す製造工程図FIGS. 12A to 12E are manufacturing process diagrams showing a method for manufacturing the multilayer inductor array;
11 第1の絶縁層 13a,13b,13c,13d 内部導体 14 第2の絶縁層 15 第3の絶縁層 16 第4の絶縁層 18a,18b,18c,18d 外部電極 19 空隙部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 1st insulating layer 13a, 13b, 13c, 13d Internal conductor 14 2nd insulating layer 15 3rd insulating layer 16 4th insulating layer 18a, 18b, 18c, 18d External electrode 19 Void
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鷲▲崎▼ 智幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中森 達哉 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大石 一夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5E070 AA01 AA05 AB01 BA12 CB13 CB17 CB20 EA01 EB03 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Washi ▲ Saki ▼ Tomoyuki 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Tatsuya Nakamori 1006 Kadoma Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. In-house (72) Inventor Kazuo Oishi 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.F-term (reference) 5E070 AA01 AA05 AB01 BA12 CB13 CB17 CB20 EA01 EB03
Claims (7)
寸法をもち、前記部品外形寸法内に低い磁気的結合要因
を有すべく並設された複数の特定領域内にそれぞれイン
ダクタ要素である内部導体を形成した複数の第1の絶縁
層と、前記第1の絶縁層に設けられた複数のインダクタ
要素をサンドイッチすべく前記第1の絶縁層の上下面に
配設された第2の絶縁層と第3の絶縁層とを備え、前記
第2の絶縁層と第3の絶縁層にてサンドイッチされた第
1の絶縁層に配設した複数のインダクタ要素を低い磁気
的結合要因をもって積層した積層インダクタアレイ。An internal component, which has inductor external dimensions corresponding to a required mounting area and is provided in a plurality of specific regions juxtaposed so as to have a low magnetic coupling factor within the external dimensions of the component, respectively. A plurality of first insulating layers on which conductors are formed, and a second insulating layer disposed on upper and lower surfaces of the first insulating layer so as to sandwich a plurality of inductor elements provided on the first insulating layer And a third insulating layer, wherein a plurality of inductor elements disposed on the first insulating layer sandwiched between the second insulating layer and the third insulating layer are stacked with a low magnetic coupling factor. Inductor array.
層、第2の絶縁層、第3の絶縁層より透磁率が低い少な
くとも1層以上の第4の絶縁層を形成した請求項1記載
の積層インダクタアレイ。2. The method according to claim 1, wherein at least one fourth insulating layer having a lower magnetic permeability than the first insulating layer, the second insulating layer, and the third insulating layer is formed between the plurality of second insulating layers. Item 2. The multilayer inductor array according to Item 1.
の第1の絶縁層、第2の絶縁層、第3の絶縁層の密度よ
り小さくなるようにした請求項2記載の積層インダクタ
アレイ。3. The density of the fourth insulating layer after sintering is smaller than the density of the first insulating layer, the second insulating layer, and the third insulating layer after sintering. The laminated inductor array as described in the above.
数の酸化物の配合比率を、第1の絶縁層、第2の絶縁
層、第3の絶縁層を構成する無機材料中の複数の酸化物
の配合比率と異なるようにした請求項2記載の積層イン
ダクタアレイ。4. A compounding ratio of a plurality of oxides in an inorganic material forming a fourth insulating layer is determined by changing a mixing ratio of a plurality of oxides in an inorganic material forming a first insulating layer, a second insulating layer, and a third insulating layer. 3. The multilayer inductor array according to claim 2, wherein the mixing ratio of the plurality of oxides is different.
た請求項2記載の積層インダクタアレイ。5. The multilayer inductor array according to claim 2, wherein a void is provided in the fourth insulating layer.
と樹脂との配合比率を、焼結前の第1の絶縁層、第2の
絶縁層、第3の絶縁層における無機材料と樹脂との配合
比率に比べて、樹脂が無機材料より多くなるようにした
請求項2記載の積層インダクタアレイ。6. The compounding ratio of the inorganic material and the resin in the fourth insulating layer before sintering is determined by the ratio of the inorganic material in the first insulating layer, the second insulating layer, and the inorganic material in the third insulating layer before sintering. 3. The multilayer inductor array according to claim 2, wherein the amount of the resin is larger than that of the inorganic material as compared with the mixing ratio with the resin.
の粒子径を、焼結前の第1の絶縁層、第2の絶縁層、第
3の絶縁層における無機材料の粒子径に比べて大きくな
るようにした請求項2記載の積層インダクタアレイ。7. The particle size of the inorganic material in the fourth insulating layer before sintering is changed to the particle size of the inorganic material in the first insulating layer, the second insulating layer, and the third insulating layer before sintering. 3. The multilayer inductor array according to claim 2, wherein the size of the multilayer inductor array is increased.
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Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006324490A (en) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic component and manufacturing method thereof |
| JP2007234893A (en) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Tdk Corp | Coil part |
| WO2008013071A1 (en) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter array |
| US7880564B2 (en) | 2006-07-27 | 2011-02-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter array |
| JP2010287785A (en) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Murata Mfg Co Ltd | Coil device array |
| JP2013055333A (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Magnetic substrate and method for manufacturing the same |
| KR101506760B1 (en) * | 2011-08-31 | 2015-03-30 | 삼성전기주식회사 | Magnetic substrate and method for manufacturing magnetic substrate |
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