JP2001118768A - マスクのアライメント方法および露光装置 - Google Patents
マスクのアライメント方法および露光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性を向上させることのできるマスクのア
ライメント方法および露光装置を提供することを課題と
する。 【解決手段】 基準となるプレートアライメント顕微鏡
３１Ｙにおいて、基準となるベースライン量を計測し、
この基準となるベースライン量と、予め記憶された、基
準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙに対する各
他のプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１
Ａとの相対位置関係とから、各プレートアライメント顕
微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａにおけるベースライン量を
求め、このようにして求められたベースライン量に基づ
いて、基板ステージ上に載置されたプレートをレチクル
に対して位置合わせする構成とした。
ライメント方法および露光装置を提供することを課題と
する。 【解決手段】 基準となるプレートアライメント顕微鏡
３１Ｙにおいて、基準となるベースライン量を計測し、
この基準となるベースライン量と、予め記憶された、基
準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙに対する各
他のプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１
Ａとの相対位置関係とから、各プレートアライメント顕
微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａにおけるベースライン量を
求め、このようにして求められたベースライン量に基づ
いて、基板ステージ上に載置されたプレートをレチクル
に対して位置合わせする構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ板等を製造するにあたり、複数のマスクを所定の
位置に対して順次位置決めしながら基板に対する露光を
行う際に用いて好適なマスクの位置合わせ方法およびそ
れを用いた露光装置に関するものである。
プレイ板等を製造するにあたり、複数のマスクを所定の
位置に対して順次位置決めしながら基板に対する露光を
行う際に用いて好適なマスクの位置合わせ方法およびそ
れを用いた露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路または液晶ディス
プレイ板等を製造する際には、露光装置により、レチク
ル（マスク）に形成された所定の回路パターンをプレー
ト（基板）上に投影露光している。特に液晶ディスプレ
イ板等を製造するにあたっては、露光装置において、複
数のレチクルをレチクルチェンジャ上に保持し、当該レ
チクルチェンジャを移動することにより複数のレチクル
のパターンをプレート上に順次重ねて露光する。
プレイ板等を製造する際には、露光装置により、レチク
ル（マスク）に形成された所定の回路パターンをプレー
ト（基板）上に投影露光している。特に液晶ディスプレ
イ板等を製造するにあたっては、露光装置において、複
数のレチクルをレチクルチェンジャ上に保持し、当該レ
チクルチェンジャを移動することにより複数のレチクル
のパターンをプレート上に順次重ねて露光する。
【０００３】図５に示すように、露光装置１は、ＸＹ方
向に移動自在なステージ２を備え、このステージ２上に
プレートＰが保持されるようになっている。また、投影
光学系３の上方には、図示しないレチクルチェンジャが
設けられており、このレチクルチェンジャでは、複数の
レチクルＲを吸着保持し、これらを水平方向に移動でき
るようになっている。このような露光装置１では、図示
しない光源からの露光光を、当該露光光の光路上に位置
決めされたレチクルＲおよび投影光学系３を介してプレ
ートＰ上に照射することにより、レチクルＲに形成され
たパターンの像がプレートＰ上に露光されるようになっ
ている。そして、レチクルチェンジャ（図示なし）で、
複数のレチクルＲを順次所定の位置に移動させ、それぞ
れのレチクルＲで上記と同様にしてパターンのプレート
Ｐへの重ね露光を行うのである。
向に移動自在なステージ２を備え、このステージ２上に
プレートＰが保持されるようになっている。また、投影
光学系３の上方には、図示しないレチクルチェンジャが
設けられており、このレチクルチェンジャでは、複数の
レチクルＲを吸着保持し、これらを水平方向に移動でき
るようになっている。このような露光装置１では、図示
しない光源からの露光光を、当該露光光の光路上に位置
決めされたレチクルＲおよび投影光学系３を介してプレ
ートＰ上に照射することにより、レチクルＲに形成され
たパターンの像がプレートＰ上に露光されるようになっ
ている。そして、レチクルチェンジャ（図示なし）で、
複数のレチクルＲを順次所定の位置に移動させ、それぞ
れのレチクルＲで上記と同様にしてパターンのプレート
Ｐへの重ね露光を行うのである。
【０００４】ところで上記露光装置１においては、各レ
チクルＲの所定位置への位置合わせを以下のようにして
行っている。露光装置１には、レチクルＲの上方に例え
ば二組のレチクル顕微鏡５ａ、５ｂが備えられている。
そして、レチクルＲには、レチクル中心を挟んで対称な
位置に、アライメントマークＲＭａ、ＲＭｂが設けられ
ている。一方、ステージ２には、基準となるフィデュー
シャルマークＦＭを有した基準部材が設けられている。
また、ステージ２の位置は、レーザ干渉計等で計測でき
るようになっている。さらに、投影光学系３の周囲に
は、オフ・アクシス方式の基板アライメント系７が備え
られている。この基板アライメント系７としては、例え
ば計４組のプレートアライメント顕微鏡が備えられてい
る。
チクルＲの所定位置への位置合わせを以下のようにして
行っている。露光装置１には、レチクルＲの上方に例え
ば二組のレチクル顕微鏡５ａ、５ｂが備えられている。
そして、レチクルＲには、レチクル中心を挟んで対称な
位置に、アライメントマークＲＭａ、ＲＭｂが設けられ
ている。一方、ステージ２には、基準となるフィデュー
シャルマークＦＭを有した基準部材が設けられている。
また、ステージ２の位置は、レーザ干渉計等で計測でき
るようになっている。さらに、投影光学系３の周囲に
は、オフ・アクシス方式の基板アライメント系７が備え
られている。この基板アライメント系７としては、例え
ば計４組のプレートアライメント顕微鏡が備えられてい
る。
【０００５】そして、いわゆるスルーザレンズ（ＴＴ
Ｌ）方式によって、レチクル顕微鏡５ａで、レチクルＲ
のアライメントマークＲＭａと、ステージ２上のフィデ
ューシャルマークＦＭが一致するようステージ２を移動
させ、このときのステージ２の位置Ｘ１をレーザ干渉計
等でそれぞれ計測する。同様に、レチクル顕微鏡５ｂ
で、レチクルＲのアライメントマークＲＭｂと、ステー
ジ２上のフィデューシャルマークＦＭが一致するようス
テージ２を移動させ、このときのステージ２の位置Ｘ２
をレーザ干渉計等でそれぞれ計測する。位置Ｘ１とＸ２
の中心位置をＸ３とすると、この位置Ｘ３はレチクル中
心と共役な位置である。さらに、オフ・アクシス方式の
基板アライメント系７の指標マークに、ステージ２上の
フィデューシャルマークＦＭを一致させ、このときのス
テージ２の位置Ｘ４をレーザ干渉計等で計測する。
Ｌ）方式によって、レチクル顕微鏡５ａで、レチクルＲ
のアライメントマークＲＭａと、ステージ２上のフィデ
ューシャルマークＦＭが一致するようステージ２を移動
させ、このときのステージ２の位置Ｘ１をレーザ干渉計
等でそれぞれ計測する。同様に、レチクル顕微鏡５ｂ
で、レチクルＲのアライメントマークＲＭｂと、ステー
ジ２上のフィデューシャルマークＦＭが一致するようス
テージ２を移動させ、このときのステージ２の位置Ｘ２
をレーザ干渉計等でそれぞれ計測する。位置Ｘ１とＸ２
の中心位置をＸ３とすると、この位置Ｘ３はレチクル中
心と共役な位置である。さらに、オフ・アクシス方式の
基板アライメント系７の指標マークに、ステージ２上の
フィデューシャルマークＦＭを一致させ、このときのス
テージ２の位置Ｘ４をレーザ干渉計等で計測する。
【０００６】これらの計測結果から、レチクルＲと基板
アライメント系７との相対位置、すなわちベースライン
量を求める。ベースライン量は、差（Ｘ３−Ｘ４）を計
算することで求められる。このようにして計測されたベ
ースライン量に基づいて、ステージ２上に載置されたプ
レートＰを、基板アライメント系７により、レチクルＲ
に対して位置合わせ（アライメント）するようになって
いる。
アライメント系７との相対位置、すなわちベースライン
量を求める。ベースライン量は、差（Ｘ３−Ｘ４）を計
算することで求められる。このようにして計測されたベ
ースライン量に基づいて、ステージ２上に載置されたプ
レートＰを、基板アライメント系７により、レチクルＲ
に対して位置合わせ（アライメント）するようになって
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の露光装置には、以下のような問題が存在
する。前述の如く、液晶ディスプレイ板等を製造するに
あたっては、複数のレチクルＲをプレートＰに対して順
次露光するようになっており、各レチクルＲをプレート
Ｐに対して位置合わせする必要がある。このとき、１枚
目だけでなく２枚目以降の各レチクルＲにおいても、上
記したようにＴＴＬ方式でベースライン量の計測を行う
必要がある。したがって、前ロットの露光終了の後、レ
チクルＲを入れ替えて次ロットの露光を行う際に必要と
なるベースライン量を計測する。このとき、図６のフロ
ーチャートに示す如く、基板アライメント系７として複
数設けられているプレートアライメント顕微鏡全てにお
いて、それぞれのベースライン量の計測を行っていた。
しかしながら、全てのプレートアライメント顕微鏡につ
いてベースライン量計測を行っていたのでは、レチクル
Ｒのセットアップに時間が掛かり、生産性の低下につな
がっていた。本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、生産性を向上させることのできるマスクの
アライメント方法および露光装置を提供することを課題
とする。
たような従来の露光装置には、以下のような問題が存在
する。前述の如く、液晶ディスプレイ板等を製造するに
あたっては、複数のレチクルＲをプレートＰに対して順
次露光するようになっており、各レチクルＲをプレート
Ｐに対して位置合わせする必要がある。このとき、１枚
目だけでなく２枚目以降の各レチクルＲにおいても、上
記したようにＴＴＬ方式でベースライン量の計測を行う
必要がある。したがって、前ロットの露光終了の後、レ
チクルＲを入れ替えて次ロットの露光を行う際に必要と
なるベースライン量を計測する。このとき、図６のフロ
ーチャートに示す如く、基板アライメント系７として複
数設けられているプレートアライメント顕微鏡全てにお
いて、それぞれのベースライン量の計測を行っていた。
しかしながら、全てのプレートアライメント顕微鏡につ
いてベースライン量計測を行っていたのでは、レチクル
Ｒのセットアップに時間が掛かり、生産性の低下につな
がっていた。本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、生産性を向上させることのできるマスクの
アライメント方法および露光装置を提供することを課題
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
マスク（Ｒ）に形成されたパターンを露光光で照明し、
投影光学系（１２）を介して基板（Ｐ）上に転写する
際、該基板（Ｐ）を位置決めするアライメントセンサ
（３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）と前記マスク
（Ｒ）の中心との相対位置関係であるベースライン量を
求めて、前記アライメントセンサ（３１Ｙ，３１Ｔ，３
１Ｘ，３１Ａ）を用いて前記基板（Ｐ）と前記マスク
（Ｒ）とを位置合わせするアライメント方法において、
前記アライメントセンサ（３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３
１Ａ）は複数設けられており、予め所定位置に配置され
た複数の前記アライメントセンサ（３１Ｙ，３１Ｔ，３
１Ｘ，３１Ａ）のうちの１つを基準として、該基準とな
るアライメントセンサ（３１Ｙ）に対する他のアライメ
ントセンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）それぞれの相対
位置関係を計測し、前記マスク（Ｒ）の中心と前記基準
のアライメントセンサ（３１Ｙ）との相対位置である基
準のベースライン量を計測し、前記基準となるアライメ
ントセンサ（３１Ｙ）に対する前記他のアライメントセ
ンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）の相対位置関係と、前
記基準のベースライン量の計測結果とに基づいて、前記
他のアライメントセンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）そ
れぞれのベースライン量を求め、前記基準のベースライ
ン量と、前記他のアライメントセンサ（３１Ｔ，３１
Ｘ，３１Ａ）それぞれのベースライン量とに基づいて、
前記マスク（Ｒ）と前記基板（Ｐ）とを位置合わせする
ことを特徴としている。
マスク（Ｒ）に形成されたパターンを露光光で照明し、
投影光学系（１２）を介して基板（Ｐ）上に転写する
際、該基板（Ｐ）を位置決めするアライメントセンサ
（３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）と前記マスク
（Ｒ）の中心との相対位置関係であるベースライン量を
求めて、前記アライメントセンサ（３１Ｙ，３１Ｔ，３
１Ｘ，３１Ａ）を用いて前記基板（Ｐ）と前記マスク
（Ｒ）とを位置合わせするアライメント方法において、
前記アライメントセンサ（３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３
１Ａ）は複数設けられており、予め所定位置に配置され
た複数の前記アライメントセンサ（３１Ｙ，３１Ｔ，３
１Ｘ，３１Ａ）のうちの１つを基準として、該基準とな
るアライメントセンサ（３１Ｙ）に対する他のアライメ
ントセンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）それぞれの相対
位置関係を計測し、前記マスク（Ｒ）の中心と前記基準
のアライメントセンサ（３１Ｙ）との相対位置である基
準のベースライン量を計測し、前記基準となるアライメ
ントセンサ（３１Ｙ）に対する前記他のアライメントセ
ンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）の相対位置関係と、前
記基準のベースライン量の計測結果とに基づいて、前記
他のアライメントセンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）そ
れぞれのベースライン量を求め、前記基準のベースライ
ン量と、前記他のアライメントセンサ（３１Ｔ，３１
Ｘ，３１Ａ）それぞれのベースライン量とに基づいて、
前記マスク（Ｒ）と前記基板（Ｐ）とを位置合わせする
ことを特徴としている。
【０００９】複数設けられたアライメントセンサ（３１
Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）のうち、基準となるアラ
イメントセンサ（３１Ｙ）に対する他のアライメントセ
ンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）それぞれの相対位置関
係を計測することにより、全てのアライメントセンサ
（３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）についてそれぞれ
ベースライン量を計測することなく、基板（Ｐ）とマス
ク（Ｒ）とを位置合わせすることができる。
Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）のうち、基準となるアラ
イメントセンサ（３１Ｙ）に対する他のアライメントセ
ンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）それぞれの相対位置関
係を計測することにより、全てのアライメントセンサ
（３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）についてそれぞれ
ベースライン量を計測することなく、基板（Ｐ）とマス
ク（Ｒ）とを位置合わせすることができる。
【００１０】請求項５に係るマスク（Ｒ）に形成された
パターンを露光光で照明し、投影光学系（１２）を介し
て基板（Ｐ）上に転写する露光装置（１０）であって、
前記マスク（Ｒ）を位置決めするマスク位置決め手段
（１４）と、前記投影光学系（１２）の周囲に設けられ
て、前記基板（Ｐ）上に配置された複数の基板アライメ
ントマーク（ＦＭ）をそれぞれ検出する複数のアライメ
ントセンサ（３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）と、前
記アライメントセンサ（３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１
Ａ）と前記マスク（Ｒ）の所定位置との間の相対位置関
係であるベースライン量を測定するベースライン測定手
段（３０）と、前記複数のアライメントセンサ（３１
Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）のうちの一つを基準とし
て、該基準となるアライメントセンサ（３１Ｙ）に対す
る他のアライメントセンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）
それぞれの相対位置関係を記憶する記憶手段（３２）
と、前記マスク（Ｒ）を異なるマスク（Ｒ）に交換する
マスク交換手段と、前記マスク交換手段で前記マスク交
換するときに、前記ベースライン量と前記記憶手段（３
２）に記憶された前記相対位置関係とに基づいて、前記
アライメントセンサ（３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１
Ａ）で前記基板（Ｐ）を位置決めする制御手段（３２）
とを備えたことを特徴としている。
パターンを露光光で照明し、投影光学系（１２）を介し
て基板（Ｐ）上に転写する露光装置（１０）であって、
前記マスク（Ｒ）を位置決めするマスク位置決め手段
（１４）と、前記投影光学系（１２）の周囲に設けられ
て、前記基板（Ｐ）上に配置された複数の基板アライメ
ントマーク（ＦＭ）をそれぞれ検出する複数のアライメ
ントセンサ（３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）と、前
記アライメントセンサ（３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１
Ａ）と前記マスク（Ｒ）の所定位置との間の相対位置関
係であるベースライン量を測定するベースライン測定手
段（３０）と、前記複数のアライメントセンサ（３１
Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）のうちの一つを基準とし
て、該基準となるアライメントセンサ（３１Ｙ）に対す
る他のアライメントセンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）
それぞれの相対位置関係を記憶する記憶手段（３２）
と、前記マスク（Ｒ）を異なるマスク（Ｒ）に交換する
マスク交換手段と、前記マスク交換手段で前記マスク交
換するときに、前記ベースライン量と前記記憶手段（３
２）に記憶された前記相対位置関係とに基づいて、前記
アライメントセンサ（３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１
Ａ）で前記基板（Ｐ）を位置決めする制御手段（３２）
とを備えたことを特徴としている。
【００１１】このようにして、記憶手段（３２）で記憶
した基準となるアライメントセンサ（３１Ｙ）に対する
他のアライメントセンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）の
相対位置関係と、ベースライン測定手段（３０）で測定
した基準のアライメントセンサ（３１Ｙ）とマスク
（Ｒ）の所定位置とのベースライン量とを用い、他のア
ライメントセンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）それぞれ
のベースライン量を求めることができる。そして、これ
により、制御手段（３２）でマスク（Ｒ）を位置決めす
ることにより、請求項１に係るマスクのアライメント方
法を実現することができる。
した基準となるアライメントセンサ（３１Ｙ）に対する
他のアライメントセンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）の
相対位置関係と、ベースライン測定手段（３０）で測定
した基準のアライメントセンサ（３１Ｙ）とマスク
（Ｒ）の所定位置とのベースライン量とを用い、他のア
ライメントセンサ（３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ）それぞれ
のベースライン量を求めることができる。そして、これ
により、制御手段（３２）でマスク（Ｒ）を位置決めす
ることにより、請求項１に係るマスクのアライメント方
法を実現することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るマスクのアラ
イメント方法および露光装置の実施の形態の一例を、図
１ないし図３を参照して説明する。
イメント方法および露光装置の実施の形態の一例を、図
１ないし図３を参照して説明する。
【００１３】図１に示すように、露光装置１０は、ＸＹ
方向に移動自在な基板ステージ１１を備え、この基板ス
テージ１１上にプレート（基板）Ｐが保持されるように
なっている。また、投影光学系１２の上方にはレチクル
チェンジャ（マスク交換手段；図示なし）が設けられて
おり、このレチクルチェンジャ（図示なし）では、複数
のレチクル（マスク）Ｒを吸着保持し、これらを水平方
向に移動できるようになっている。
方向に移動自在な基板ステージ１１を備え、この基板ス
テージ１１上にプレート（基板）Ｐが保持されるように
なっている。また、投影光学系１２の上方にはレチクル
チェンジャ（マスク交換手段；図示なし）が設けられて
おり、このレチクルチェンジャ（図示なし）では、複数
のレチクル（マスク）Ｒを吸着保持し、これらを水平方
向に移動できるようになっている。
【００１４】このような露光装置１０では、光源１３か
らの露光光を、当該露光光の光路上に位置決めされたレ
チクルＲおよび投影光学系１２を介してプレートＰ上に
照射することにより、レチクルＲに形成されたパターン
の像がプレートＰ上に露光されるようになっている。そ
して、レチクルチェンジャ（図示なし）で、複数のレチ
クルＲを順次所定の位置に移動させ、それぞれのレチク
ルＲで上記と同様にしてパターンのプレートＰへの重ね
露光を行う概略構成となっている。
らの露光光を、当該露光光の光路上に位置決めされたレ
チクルＲおよび投影光学系１２を介してプレートＰ上に
照射することにより、レチクルＲに形成されたパターン
の像がプレートＰ上に露光されるようになっている。そ
して、レチクルチェンジャ（図示なし）で、複数のレチ
クルＲを順次所定の位置に移動させ、それぞれのレチク
ルＲで上記と同様にしてパターンのプレートＰへの重ね
露光を行う概略構成となっている。
【００１５】上記露光装置１０において、レチクルＲ
は、レチクルステージ（マスク位置決め手段）１４上に
保持されており、このレチクルステージ１４には移動鏡
（図示なし）が固定されており、レーザ干渉計（図示な
し）で移動鏡（図示なし）との距離を計測することで、
基板ステージ１１のＸＹ２次元方向の位置を計測する。
レチクルアライメントコントローラ１５は、レーザ干渉
計（図示なし）の出力によって、レチクルステージ１４
の位置をモニターしながら、モータ等の駆動手段をサー
ボ制御することで、レチクルステージ１４を所望の位置
に移動させるようになっている。
は、レチクルステージ（マスク位置決め手段）１４上に
保持されており、このレチクルステージ１４には移動鏡
（図示なし）が固定されており、レーザ干渉計（図示な
し）で移動鏡（図示なし）との距離を計測することで、
基板ステージ１１のＸＹ２次元方向の位置を計測する。
レチクルアライメントコントローラ１５は、レーザ干渉
計（図示なし）の出力によって、レチクルステージ１４
の位置をモニターしながら、モータ等の駆動手段をサー
ボ制御することで、レチクルステージ１４を所望の位置
に移動させるようになっている。
【００１６】一方、基板ステージ１１は、２次元方向に
移動可能に設けられており、これには移動鏡２１が固定
されており、レーザ干渉計２２で移動鏡２１との距離を
計測することで、基板ステージ１１のＸＹ２次元方向の
位置を計測するようになっている。ステージコントロー
ラ２３は、レーザ干渉計２２の出力によって、基板ステ
ージ１１の位置をモニターしながら、モータ等の駆動手
段１１Ｄをサーボ制御し、基板ステージ１１を所望の位
置に移動させるようになっている。
移動可能に設けられており、これには移動鏡２１が固定
されており、レーザ干渉計２２で移動鏡２１との距離を
計測することで、基板ステージ１１のＸＹ２次元方向の
位置を計測するようになっている。ステージコントロー
ラ２３は、レーザ干渉計２２の出力によって、基板ステ
ージ１１の位置をモニターしながら、モータ等の駆動手
段１１Ｄをサーボ制御し、基板ステージ１１を所望の位
置に移動させるようになっている。
【００１７】この露光装置１０には、レチクルＲの上方
に例えば二組のレチクル顕微鏡２５ａ、２５ｂが備えら
れている。そして、レチクルＲには、レチクル中心を挟
んで対称な位置に、アライメントマーク（図示なし）が
設けられている。一方、基板ステージ１１には、基準と
なるフィデューシャルマーク（基板アライメントマー
ク）ＦＭを有した基準部材が設けられており、フィデュ
ーシャルマークＦＭの下には、両者の位置関係を計測す
ることができる不図示のセンサー（例えばフォトマルチ
プライヤ）が埋め込まれている。
に例えば二組のレチクル顕微鏡２５ａ、２５ｂが備えら
れている。そして、レチクルＲには、レチクル中心を挟
んで対称な位置に、アライメントマーク（図示なし）が
設けられている。一方、基板ステージ１１には、基準と
なるフィデューシャルマーク（基板アライメントマー
ク）ＦＭを有した基準部材が設けられており、フィデュ
ーシャルマークＦＭの下には、両者の位置関係を計測す
ることができる不図示のセンサー（例えばフォトマルチ
プライヤ）が埋め込まれている。
【００１８】そして投影光学系１２の周囲には、オフ・
アクシス方式の基板アライメント系（ベースライン計測
手段）３０が備えられている。図２に示すように、この
基板アライメント系３０としては、例えば計４組のプレ
ートアライメント顕微鏡（アライメントセンサ）３１
Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａが備えられている。
アクシス方式の基板アライメント系（ベースライン計測
手段）３０が備えられている。図２に示すように、この
基板アライメント系３０としては、例えば計４組のプレ
ートアライメント顕微鏡（アライメントセンサ）３１
Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａが備えられている。
【００１９】さらに、基板アライメント系３０のプレー
トアライメントコントローラ（記憶手段、制御手段）３
２では、複数のプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ，３
１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａのうちの少なくとも１つを基準と
し、この基準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ
に対する他のプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１
Ｘ，３１Ａそれぞれの相対位置関係を記憶するようにな
っている。
トアライメントコントローラ（記憶手段、制御手段）３
２では、複数のプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ，３
１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａのうちの少なくとも１つを基準と
し、この基準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ
に対する他のプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１
Ｘ，３１Ａそれぞれの相対位置関係を記憶するようにな
っている。
【００２０】上記のような露光装置１０では、レチクル
Ｒの位置合わせを以下のようにして行うようになってい
る。すなわち、基板アライメント系３０を構成するプレ
ートアライメント顕微鏡３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１
Ａの相対位置関係は、機械的に本体に保持されているも
のであるため、その相対的な位置関係は、レチクルセッ
トアップ動作等に影響を受けるものではない。したがっ
て、ここでは、ロット切替時にレチクルＲの位置合わせ
を行うにあたり、基準となるプレートアライメント顕微
鏡３１Ｙのみにおいてベースライン計測を行い、他のプ
レートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａにお
いては、基準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ
との相対位置関係に基づいてベースラインを算出して求
めるようになっているのである。
Ｒの位置合わせを以下のようにして行うようになってい
る。すなわち、基板アライメント系３０を構成するプレ
ートアライメント顕微鏡３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１
Ａの相対位置関係は、機械的に本体に保持されているも
のであるため、その相対的な位置関係は、レチクルセッ
トアップ動作等に影響を受けるものではない。したがっ
て、ここでは、ロット切替時にレチクルＲの位置合わせ
を行うにあたり、基準となるプレートアライメント顕微
鏡３１Ｙのみにおいてベースライン計測を行い、他のプ
レートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａにお
いては、基準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ
との相対位置関係に基づいてベースラインを算出して求
めるようになっているのである。
【００２１】より詳しくは、図３に示すフローチャート
のようになる。まず、装置起動後（ステップＳ１）、１
ロット目においては各プレートアライメント顕微鏡３１
Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａのそれぞれにおいて位置計
測を行い、各プレートアライメント顕微鏡３１Ｙ，３１
Ｔ，３１Ｘ，３１Ａにおけるベースライン量を計測す
る。これには、従来と同様、いわゆるスルーザレンズ
（ＴＴＬ）方式によって、レチクル顕微鏡２５ａ，２５
ｂで、レチクルＲのアライメントマーク（図示なし）
と、基板ステージ１１上のフィデューシャルマークＦＭ
が一致するよう基板ステージ１１を移動させ、このとき
の基板ステージ１１の位置をレーザ干渉計２２等でそれ
ぞれ計測し、これによりレチクル中心と共役な位置を求
める。さらに、オフ・アクシス方式の基板アライメント
系３０を構成するプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ，
３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａそれぞれの指標マークに、基板
ステージ１１上のフィデューシャルマークＦＭを順次一
致させ、このときの基板ステージ１１の位置をレーザ干
渉計等で計測する（ステップＳ２〜Ｓ５）。そして、こ
れらの計測結果から、レチクルＲと基板アライメント系
３０を構成するプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ，３
１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａそれぞれとの相対位置、すなわち
ベースライン量を求める（ステップＳ６）。
のようになる。まず、装置起動後（ステップＳ１）、１
ロット目においては各プレートアライメント顕微鏡３１
Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａのそれぞれにおいて位置計
測を行い、各プレートアライメント顕微鏡３１Ｙ，３１
Ｔ，３１Ｘ，３１Ａにおけるベースライン量を計測す
る。これには、従来と同様、いわゆるスルーザレンズ
（ＴＴＬ）方式によって、レチクル顕微鏡２５ａ，２５
ｂで、レチクルＲのアライメントマーク（図示なし）
と、基板ステージ１１上のフィデューシャルマークＦＭ
が一致するよう基板ステージ１１を移動させ、このとき
の基板ステージ１１の位置をレーザ干渉計２２等でそれ
ぞれ計測し、これによりレチクル中心と共役な位置を求
める。さらに、オフ・アクシス方式の基板アライメント
系３０を構成するプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ，
３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａそれぞれの指標マークに、基板
ステージ１１上のフィデューシャルマークＦＭを順次一
致させ、このときの基板ステージ１１の位置をレーザ干
渉計等で計測する（ステップＳ２〜Ｓ５）。そして、こ
れらの計測結果から、レチクルＲと基板アライメント系
３０を構成するプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ，３
１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａそれぞれとの相対位置、すなわち
ベースライン量を求める（ステップＳ６）。
【００２２】このとき、プレートアライメント顕微鏡３
１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａそれぞれのベースライン
量から、基準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ
に対する他のプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１
Ｘ，３１Ａの相対位置関係（Ｘ・Ｙ座標）を算出し、プ
レートアライメントコントローラ３２で記憶する（ステ
ップＳ７）。
１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａそれぞれのベースライン
量から、基準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ
に対する他のプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１
Ｘ，３１Ａの相対位置関係（Ｘ・Ｙ座標）を算出し、プ
レートアライメントコントローラ３２で記憶する（ステ
ップＳ７）。
【００２３】そして、このようにして計測されたベース
ライン量に基づいて、基板ステージ１１上に載置された
プレートＰを、基板アライメント系３０により、レチク
ルＲに対して位置合わせ（アライメント）するようにな
っている（ステップＳ８）。
ライン量に基づいて、基板ステージ１１上に載置された
プレートＰを、基板アライメント系３０により、レチク
ルＲに対して位置合わせ（アライメント）するようにな
っている（ステップＳ８）。
【００２４】この後、２ロット目以降、ロット切替時
（ステップＳ９）に、異なるレチクルＲの位置合わせを
行うに際しては、基準となるプレートアライメント顕微
鏡３１Ｙにおいて、上記と同様、スルーザレンズ（ＴＴ
Ｌ）方式によって、レチクルＲと、基準となるプレート
アライメント顕微鏡３１Ｙとの相対位置、すなわちベー
スライン量を計測する（ステップＳ１０、Ｓ１１）。
（ステップＳ９）に、異なるレチクルＲの位置合わせを
行うに際しては、基準となるプレートアライメント顕微
鏡３１Ｙにおいて、上記と同様、スルーザレンズ（ＴＴ
Ｌ）方式によって、レチクルＲと、基準となるプレート
アライメント顕微鏡３１Ｙとの相対位置、すなわちベー
スライン量を計測する（ステップＳ１０、Ｓ１１）。
【００２５】そして、この計測されたベースライン量
と、プレートアライメントコントローラ３２に記憶され
ている、基準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ
に対する各他のプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３
１Ｘ，３１Ａとの相対位置関係とから、各プレートアラ
イメント顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａにおけるレチク
ルＲとの相対位置、すなわちベースライン量をプレート
アライメントコントローラ３２で算出する（ステップＳ
１２）。
と、プレートアライメントコントローラ３２に記憶され
ている、基準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙ
に対する各他のプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３
１Ｘ，３１Ａとの相対位置関係とから、各プレートアラ
イメント顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａにおけるレチク
ルＲとの相対位置、すなわちベースライン量をプレート
アライメントコントローラ３２で算出する（ステップＳ
１２）。
【００２６】このようにして計測および算出されたベー
スライン量に基づいて、ステージ上に載置されたプレー
トＰを基板アライメント系３０によりレチクルＲに対し
て位置合わせするようになっているのである。
スライン量に基づいて、ステージ上に載置されたプレー
トＰを基板アライメント系３０によりレチクルＲに対し
て位置合わせするようになっているのである。
【００２７】上述したように、基準となるプレートアラ
イメント顕微鏡３１Ｙにおいて、基準となるベースライ
ン量を計測し、この基準となるベースライン量と、プレ
ートアライメントコントローラ３２に記憶されている、
基準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙに対する
各他のプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３
１Ａとの相対位置関係とから、各プレートアライメント
顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａにおけるベースライン量
を求め、このようにして求められたベースライン量に基
づいて、基板ステージ１１上に載置されたプレートＰを
レチクルＲに対して位置合わせする構成とした。これに
より、プレートアライメント顕微鏡３１Ｙ，３１Ｔ，３
１Ｘ，３１Ａの全てにおいてそれぞれベースライン量を
計測することなくアライメントを行うことができ、その
結果ロット切替時のレチクルセットアップを効率良く行
うことができ、生産性を向上させることができる。
イメント顕微鏡３１Ｙにおいて、基準となるベースライ
ン量を計測し、この基準となるベースライン量と、プレ
ートアライメントコントローラ３２に記憶されている、
基準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙに対する
各他のプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３
１Ａとの相対位置関係とから、各プレートアライメント
顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａにおけるベースライン量
を求め、このようにして求められたベースライン量に基
づいて、基板ステージ１１上に載置されたプレートＰを
レチクルＲに対して位置合わせする構成とした。これに
より、プレートアライメント顕微鏡３１Ｙ，３１Ｔ，３
１Ｘ，３１Ａの全てにおいてそれぞれベースライン量を
計測することなくアライメントを行うことができ、その
結果ロット切替時のレチクルセットアップを効率良く行
うことができ、生産性を向上させることができる。
【００２８】ところで、上記した基板アライメント系３
０を構成するプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１
Ｘ，３１Ａの、基準となるプレートアライメント顕微鏡
３１Ｙに対する相対位置計測およびプレートアライメン
トコントローラ３２における記憶の更新は、予め定めた
所定間隔毎に行うのが好ましい。例えば、予め定めた所
定のロット数毎、あるいは１０時間、１日等といった所
定時間毎等に行うようにしても良い。このとき、プレー
トアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａの相対位
置計測および記憶の更新は、一度に行う必要はなく、例
えば、プレートアライメント顕微鏡３１Ｔの相対位置計
測および記憶更新を行った後、所定間隔が経過した後
に、今度はプレートアライメント顕微鏡３１Ｘの相対位
置計測および記憶更新を行い、さらに所定間隔が経過し
た後にプレートアライメント顕微鏡３１Ａの相対位置計
測および記憶更新を行うようにしても良い。これに限ら
ず、基準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙと、
他のプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１
Ａのうちの少なくとも一つ、つまり合計すると、プレー
トアライメント顕微鏡３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ
のうち、少なくとも２つ以上の位置計測および記憶更新
を順次行うようにしても良い。
０を構成するプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１
Ｘ，３１Ａの、基準となるプレートアライメント顕微鏡
３１Ｙに対する相対位置計測およびプレートアライメン
トコントローラ３２における記憶の更新は、予め定めた
所定間隔毎に行うのが好ましい。例えば、予め定めた所
定のロット数毎、あるいは１０時間、１日等といった所
定時間毎等に行うようにしても良い。このとき、プレー
トアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａの相対位
置計測および記憶の更新は、一度に行う必要はなく、例
えば、プレートアライメント顕微鏡３１Ｔの相対位置計
測および記憶更新を行った後、所定間隔が経過した後
に、今度はプレートアライメント顕微鏡３１Ｘの相対位
置計測および記憶更新を行い、さらに所定間隔が経過し
た後にプレートアライメント顕微鏡３１Ａの相対位置計
測および記憶更新を行うようにしても良い。これに限ら
ず、基準となるプレートアライメント顕微鏡３１Ｙと、
他のプレートアライメント顕微鏡３１Ｔ，３１Ｘ，３１
Ａのうちの少なくとも一つ、つまり合計すると、プレー
トアライメント顕微鏡３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ
のうち、少なくとも２つ以上の位置計測および記憶更新
を順次行うようにしても良い。
【００２９】また、前記相対位置関係の計測は、マスク
を交換するときに限らずに、同一のマスクを使用してい
る間に、ベースライン量および相対位置関係の計測を定
期的に行い、ベースライン量と相対位置関係とを更新す
るようにしても良い。これは例えば、１つのロットの処
理量が多い場合等に特に有効となる。
を交換するときに限らずに、同一のマスクを使用してい
る間に、ベースライン量および相対位置関係の計測を定
期的に行い、ベースライン量と相対位置関係とを更新す
るようにしても良い。これは例えば、１つのロットの処
理量が多い場合等に特に有効となる。
【００３０】さらには、プレートアライメント顕微鏡３
１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａどうしの相対位置関係を
計測するときには、計測を複数回行い、その計測結果を
平均化し、プレートアライメントコントローラ３２に記
憶させるのが、その精度を向上させるうえで好ましい。
１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａどうしの相対位置関係を
計測するときには、計測を複数回行い、その計測結果を
平均化し、プレートアライメントコントローラ３２に記
憶させるのが、その精度を向上させるうえで好ましい。
【００３１】なお、上記実施の形態において、プレート
アライメント顕微鏡の相対位置関係の計測間隔、あるい
はベースライン量および相対位置関係の計測間隔等につ
いては何ら問うものではない。また、基板アライメント
系を構成するプレートアライメント顕微鏡の数や構成等
についても、上記したものはあくまでも一例であり、上
記以外の構成のものについても同様に適用することが可
能である。
アライメント顕微鏡の相対位置関係の計測間隔、あるい
はベースライン量および相対位置関係の計測間隔等につ
いては何ら問うものではない。また、基板アライメント
系を構成するプレートアライメント顕微鏡の数や構成等
についても、上記したものはあくまでも一例であり、上
記以外の構成のものについても同様に適用することが可
能である。
【００３２】また、上記実施の形態では、フィデューシ
ャルマークＦＭのセンサーとして、例えばフォトマルチ
プライヤを用いる構成としたが、これに代えて、ＣＣＤ
を用いた画像処理系のものを用いる構成とすることも可
能である。
ャルマークＦＭのセンサーとして、例えばフォトマルチ
プライヤを用いる構成としたが、これに代えて、ＣＣＤ
を用いた画像処理系のものを用いる構成とすることも可
能である。
【００３３】さらに、本実施の形態のプレートＰとして
は、液晶表示デバイス用の基板のみならず、半導体デバ
イス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用のセラミッ
クウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたは
レチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用
される。
は、液晶表示デバイス用の基板のみならず、半導体デバ
イス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用のセラミッ
クウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたは
レチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用
される。
【００３４】露光装置１０としては、レチクルＲとプレ
ートＰとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露
光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装
置（スキャニング・ステッパー；USP5,473,410）の他
に、レチクルＲとプレートＰとを静止した状態でレチク
ルＲのパターンを露光し、プレートＰを順次ステップ移
動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装
置（ステッパー）にも適用することができる。
ートＰとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露
光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装
置（スキャニング・ステッパー；USP5,473,410）の他
に、レチクルＲとプレートＰとを静止した状態でレチク
ルＲのパターンを露光し、プレートＰを順次ステップ移
動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装
置（ステッパー）にも適用することができる。
【００３５】露光装置１０の種類としては、基板に液晶
表示デバイスパターンを露光する液晶表示デバイス製造
用のものに限られず、ウエハに半導体デバイスパターン
を露光する半導体デバイス製造用の露光装置や、薄膜磁
気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクルなどを
製造するための露光装置などにも広く適用できる。
表示デバイスパターンを露光する液晶表示デバイス製造
用のものに限られず、ウエハに半導体デバイスパターン
を露光する半導体デバイス製造用の露光装置や、薄膜磁
気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクルなどを
製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００３６】また、照明光の光源として、超高圧水銀ラ
ンプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４
０４．７ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシ
マレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９
３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線
や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例え
ば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射
型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ6）、タンタル
（Ｔａ）を用いることができる。また、ＹＡＧレーザや
半導体レーザ等の高周波などを用いてもよい。
ンプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４
０４．７ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシ
マレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９
３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線
や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例え
ば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射
型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ6）、タンタル
（Ｔａ）を用いることができる。また、ＹＡＧレーザや
半導体レーザ等の高周波などを用いてもよい。
【００３７】投影光学系１２の倍率は、等倍系のみなら
ず縮小系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光
学系１２としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用
いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過
する材料を用い、Ｆ2レーザやＸ線を用いる場合は反射
屈折系または屈折系の光学系にし（レチクルＲも反射型
タイプのものを用いる）、また電子線を用いる場合には
光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学
系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真
空状態にすることはいうまでもない。
ず縮小系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光
学系１２としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用
いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過
する材料を用い、Ｆ2レーザやＸ線を用いる場合は反射
屈折系または屈折系の光学系にし（レチクルＲも反射型
タイプのものを用いる）、また電子線を用いる場合には
光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学
系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真
空状態にすることはいうまでもない。
【００３８】基板ステージ１１やレチクルステージ１４
にリニアモータ（USP5,623,853またはUSP5,528,118参
照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上
型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁
気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各基板ステー
ジ１１やレチクルステージ１４は、ガイドに沿って移動
するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイ
プであってもよい。各基板ステージ１１やレチクルステ
ージ１４の駆動機構としては、二次元に磁石を配置した
磁石ユニット（永久磁石）と、二次元にコイルを配置し
た電機子ユニットとを対向させ電磁力により各基板ステ
ージ１１やレチクルステージ１４を駆動する平面モータ
を用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニ
ットとのいずれか一方を基板ステージ１１やレチクルス
テージ１４に接続し、磁石ユニットと電機子ユニットと
の他方を基板ステージ１１やレチクルステージ１４の移
動面側（ベース）に設ければよい。基板ステージ１１の
移動により発生する反力は、投影光学系１２に伝わらな
いように、特開平８−１６６４７５号公報（USP5,528,1
18）に記載されているように、フレーム部材を用いて機
械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明はこのよう
な構造を備えた露光装置においても適用可能である。レ
チクルステージ１４の移動により発生する反力は、投影
光学系１２に伝わらないように、特開平８−３３０２２
４号公報（US S/N 08/416,558）に記載されているよう
に、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がし
てもよい。本発明はこのような構造を備えた露光装置に
おいても適用可能である。
にリニアモータ（USP5,623,853またはUSP5,528,118参
照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上
型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁
気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各基板ステー
ジ１１やレチクルステージ１４は、ガイドに沿って移動
するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイ
プであってもよい。各基板ステージ１１やレチクルステ
ージ１４の駆動機構としては、二次元に磁石を配置した
磁石ユニット（永久磁石）と、二次元にコイルを配置し
た電機子ユニットとを対向させ電磁力により各基板ステ
ージ１１やレチクルステージ１４を駆動する平面モータ
を用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニ
ットとのいずれか一方を基板ステージ１１やレチクルス
テージ１４に接続し、磁石ユニットと電機子ユニットと
の他方を基板ステージ１１やレチクルステージ１４の移
動面側（ベース）に設ければよい。基板ステージ１１の
移動により発生する反力は、投影光学系１２に伝わらな
いように、特開平８−１６６４７５号公報（USP5,528,1
18）に記載されているように、フレーム部材を用いて機
械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明はこのよう
な構造を備えた露光装置においても適用可能である。レ
チクルステージ１４の移動により発生する反力は、投影
光学系１２に伝わらないように、特開平８−３３０２２
４号公報（US S/N 08/416,558）に記載されているよう
に、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がし
てもよい。本発明はこのような構造を備えた露光装置に
おいても適用可能である。
【００３９】以上のように、本願実施形態の露光装置１
０は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含
む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精
度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造さ
れる。これら各種精度を確保するために、この組み立て
の前後には、各種光学系については光学的精度を達成す
るための調整、各種機械系については機械的精度を達成
するための調整、各種電気系については電気的精度を達
成するための調整が行われる。各種サブシステムから露
光装置１０への組み立て工程は、各種サブシステム相互
の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管
接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置
１０への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組
み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシス
テムの露光装置１０への組み立て工程が終了したら、総
合調整が行われ、露光装置１０全体としての各種精度が
確保される。なお、露光装置１０の製造は温度およびク
リーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望
ましい。
０は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含
む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精
度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造さ
れる。これら各種精度を確保するために、この組み立て
の前後には、各種光学系については光学的精度を達成す
るための調整、各種機械系については機械的精度を達成
するための調整、各種電気系については電気的精度を達
成するための調整が行われる。各種サブシステムから露
光装置１０への組み立て工程は、各種サブシステム相互
の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管
接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置
１０への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組
み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシス
テムの露光装置１０への組み立て工程が終了したら、総
合調整が行われ、露光装置１０全体としての各種精度が
確保される。なお、露光装置１０の製造は温度およびク
リーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望
ましい。
【００４０】液晶表示デバイスや半導体デバイス等のデ
バイスは、図４に示すように、液晶表示デバイス等の機
能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップ
に基づいたレチクルＲ（マスク）を製作するステップ２
０２、石英等からプレートＰ、またはシリコン材料から
ウエハ等の基板を製作するステップ２０３、前述した実
施の形態の露光装置１０によりレチクルＲのパターンを
基板であるプレートＰ（またはウエハ）に露光するステ
ップ２０４、液晶表示デバイス等を組み立てるステップ
（ウエハの場合、ダイシング工程、ボンディング工程、
パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等
を経て製造される。
バイスは、図４に示すように、液晶表示デバイス等の機
能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップ
に基づいたレチクルＲ（マスク）を製作するステップ２
０２、石英等からプレートＰ、またはシリコン材料から
ウエハ等の基板を製作するステップ２０３、前述した実
施の形態の露光装置１０によりレチクルＲのパターンを
基板であるプレートＰ（またはウエハ）に露光するステ
ップ２０４、液晶表示デバイス等を組み立てるステップ
（ウエハの場合、ダイシング工程、ボンディング工程、
パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等
を経て製造される。
【００４１】これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない
範囲内であれば、いかなる構成を採用しても良く、また
上記したような構成を適宜選択的に組み合わせたものと
しても良いのは言うまでもない。
範囲内であれば、いかなる構成を採用しても良く、また
上記したような構成を適宜選択的に組み合わせたものと
しても良いのは言うまでもない。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るマス
クのアライメント方法および露光装置によれば、複数設
けられたアライメントセンサのうち、基準となるアライ
メントセンサに対する他のアライメントセンサそれぞれ
の相対位置関係を計測することにより、全てのアライメ
ントセンサについてそれぞれベースライン量を計測する
ことなく、基板とマスクとを位置合わせすることができ
る。その結果、ロット切替時のレチクルセットアップを
効率良く行うことができ、生産性を向上させることがで
きる。
クのアライメント方法および露光装置によれば、複数設
けられたアライメントセンサのうち、基準となるアライ
メントセンサに対する他のアライメントセンサそれぞれ
の相対位置関係を計測することにより、全てのアライメ
ントセンサについてそれぞれベースライン量を計測する
ことなく、基板とマスクとを位置合わせすることができ
る。その結果、ロット切替時のレチクルセットアップを
効率良く行うことができ、生産性を向上させることがで
きる。
【図１】 本発明に係るマスクのアライメント方法およ
び露光装置の一例を示す概略構成図である。
び露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】 前記露光装置の基板アライメント系を示す図
である。
である。
【図３】 上記マスクのアライメント方法を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図４】 本発明に係るマスクのアライメント方法およ
び露光装置を適用して製造されるデバイスの製造工程を
示すフローチャートである。
び露光装置を適用して製造されるデバイスの製造工程を
示すフローチャートである。
【図５】 従来のマスクのアライメント方法および露光
装置の一例を示す概略構成図である。
装置の一例を示す概略構成図である。
【図６】 従来のマスクの位置合わせ方法を示すフロー
チャートである。
チャートである。
１０ 露光装置 １２ 投影光学系 １４ レチクルステージ（マスク位置決め手段） ３０ 基板アライメント系（ベースライン測定手段） ３１Ｙ，３１Ｔ，３１Ｘ，３１Ａ プレートアライメン
ト顕微鏡（アライメントセンサ） ３２ プレートアライメントコントローラ（記憶手段、
制御手段） ＦＭ フィデューシャルマーク（基板アライメントマー
ク） Ｐ プレート（基板） Ｒ レチクル（マスク）
ト顕微鏡（アライメントセンサ） ３２ プレートアライメントコントローラ（記憶手段、
制御手段） ＦＭ フィデューシャルマーク（基板アライメントマー
ク） Ｐ プレート（基板） Ｒ レチクル（マスク）
Claims (6)
- 【請求項１】 マスクに形成されたパターンを露光光で
照明し、投影光学系を介して基板上に転写する際、該基
板を位置決めするアライメントセンサと前記マスクの中
心との相対位置関係であるベースライン量を求めて、前
記アライメントセンサを用いて前記基板と前記マスクと
を位置合わせするアライメント方法において、 前記アライメントセンサは複数設けられており、予め所
定位置に配置された複数の前記アライメントセンサのう
ちの１つを基準として、該基準となるアライメントセン
サに対する他のアライメントセンサそれぞれの相対位置
関係を計測し、 前記マスクの中心と前記基準のアライメントセンサとの
相対位置である基準のベースライン量を計測し、 前記基準となるアライメントセンサに対する前記他のア
ライメントセンサの相対位置関係と、前記基準のベース
ライン量の計測結果とに基づいて、前記他のアライメン
トセンサそれぞれのベースライン量を求め、 前記基準のベースライン量と、前記他のアライメントセ
ンサそれぞれのベースライン量とに基づいて、前記マス
クと前記基板とを位置合わせすることを特徴とするマス
クのアライメント方法。 - 【請求項２】 前記複数のアライメントセンサどうしの
相対位置関係の計測および記憶の更新を、予め定めた所
定間隔毎に行うことを特徴とする請求項１記載のマスク
のアライメント方法。 - 【請求項３】 前記複数のアライメントセンサのうち少
なくとも２つについて、相対位置関係の計測および記憶
の更新を行うことを特徴とする請求項２記載のマスクの
アライメント方法。 - 【請求項４】 前記複数のアライメントセンサどうしの
相対位置関係の計測を複数回行い、これら複数回の計測
データを平均化してこれを記憶することを特徴とする請
求項１から３のいずれかに記載のマスクのアライメント
方法。 - 【請求項５】 マスクに形成されたパターンを露光光で
照明し、投影光学系を介して基板上に転写する露光装置
であって、 前記マスクを位置決めするマスク位置決め手段と、 前記投影光学系の周囲に設けられて、前記基板上に配置
された複数の基板アライメントマークをそれぞれ検出す
る複数のアライメントセンサと、 前記アライメントセンサと前記マスクの所定位置との間
の相対位置関係であるベースライン量を測定するベース
ライン測定手段と、 前記複数のアライメントセンサのうちの一つを基準とし
て、該基準となるアライメントセンサに対する他のアラ
イメントセンサそれぞれの相対位置関係を記憶する記憶
手段と、 前記マスクを異なるマスクに交換するマスク交換手段
と、 前記マスク交換手段で前記マスク交換するときに、前記
ベースライン量と前記記憶手段に記憶された前記相対位
置関係とに基づいて、前記アライメントセンサで前記基
板を位置決めする制御手段とを備えたことを特徴とする
露光装置。 - 【請求項６】 前記制御手段は、前記マスク交換手段で
前記マスクを交換する時以外に、定期的に前記ベースラ
イン量と前記相対位置関係とを計測し、前記ベースライ
ン量と前記相対位置関係とを更新するように制御するこ
とを特徴とする請求項５記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29438099A JP2001118768A (ja) | 1999-10-15 | 1999-10-15 | マスクのアライメント方法および露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29438099A JP2001118768A (ja) | 1999-10-15 | 1999-10-15 | マスクのアライメント方法および露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118768A true JP2001118768A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=17806984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29438099A Withdrawn JP2001118768A (ja) | 1999-10-15 | 1999-10-15 | マスクのアライメント方法および露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001118768A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007149807A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Nikon Corp | 位置検出装置及び露光装置 |
| JP2015179290A (ja) * | 2006-08-31 | 2015-10-08 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2016009767A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品の製造方法 |
-
1999
- 1999-10-15 JP JP29438099A patent/JP2001118768A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007149807A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Nikon Corp | 位置検出装置及び露光装置 |
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| JP2016027414A (ja) * | 2006-08-31 | 2016-02-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2016028285A (ja) * | 2006-08-31 | 2016-02-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2016106254A (ja) * | 2006-08-31 | 2016-06-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2016009767A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品の製造方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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