JP2001117249A - 電子写真感光体及び電子写真方法、電子写真装置ならびに電子写真装置用プロセスカートリッジ - Google Patents
電子写真感光体及び電子写真方法、電子写真装置ならびに電子写真装置用プロセスカートリッジInfo
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- JP2001117249A JP2001117249A JP29914599A JP29914599A JP2001117249A JP 2001117249 A JP2001117249 A JP 2001117249A JP 29914599 A JP29914599 A JP 29914599A JP 29914599 A JP29914599 A JP 29914599A JP 2001117249 A JP2001117249 A JP 2001117249A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 高感度を失うことなく繰り返し使用によって
も帯電性の低下、或いは残留電位の増大を生じない安定
な電子写真感光体の提供。また、繰り返し使用によって
も異常画像の少ない、安定した画像を得ることのできる
電子写真方法、電子写真装置、電子写真用プロセスカー
トリッジの提供。 【解決手段】 電荷発生層がCuKαの特性X線(波長
1.514Å)に対するブラッグ角2θの回折ピーク
(±0.2°)として、27.2°に最大回折ピークを
有し、且つ最も低角側の回折ピークとして7.3°にピ
ークを有するチタニルフタロシアニンを含有し、且つ電
子写真感光体の実使用時における画像光書き込み時の電
界強度における電荷輸送層の移動度が1×10−5(c
m/Vsec)以上であることを特徴とする。
も帯電性の低下、或いは残留電位の増大を生じない安定
な電子写真感光体の提供。また、繰り返し使用によって
も異常画像の少ない、安定した画像を得ることのできる
電子写真方法、電子写真装置、電子写真用プロセスカー
トリッジの提供。 【解決手段】 電荷発生層がCuKαの特性X線(波長
1.514Å)に対するブラッグ角2θの回折ピーク
(±0.2°)として、27.2°に最大回折ピークを
有し、且つ最も低角側の回折ピークとして7.3°にピ
ークを有するチタニルフタロシアニンを含有し、且つ電
子写真感光体の実使用時における画像光書き込み時の電
界強度における電荷輸送層の移動度が1×10−5(c
m/Vsec)以上であることを特徴とする。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な光導電材料
を用いた電子写真感光体に関する。詳しくは、特定のX
線回折スペクトルを与えるフタロシアニン結晶を用いた
電荷発生層と、その優れた光キャリア発生能を十分に活
かす物性値を持った電荷輸送層とからなる電子写真感光
体に関する。また、上記感光体を使用した電子写真方
法、電子写真装置、電子写真用プロセスカートリッジに
関する。
を用いた電子写真感光体に関する。詳しくは、特定のX
線回折スペクトルを与えるフタロシアニン結晶を用いた
電荷発生層と、その優れた光キャリア発生能を十分に活
かす物性値を持った電荷輸送層とからなる電子写真感光
体に関する。また、上記感光体を使用した電子写真方
法、電子写真装置、電子写真用プロセスカートリッジに
関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子写真方式を用いた情報処理シ
ステム機の発展は目覚ましいものがある。特に情報をデ
ジタル信号に変換して光によって情報記録を行なう光プ
リンターは、そのプリント品質、信頼性において向上が
著しい。このデジタル記録技術はプリンターのみならず
通常の複写機にも応用され所謂デジタル複写機が開発さ
れている。また、従来からあるアナログ複写にこのデジ
タル記録技術を搭載した複写機は、種々様々な情報処理
機能が付加されるため今後その需要性がますます高まっ
ていくと予想される。
ステム機の発展は目覚ましいものがある。特に情報をデ
ジタル信号に変換して光によって情報記録を行なう光プ
リンターは、そのプリント品質、信頼性において向上が
著しい。このデジタル記録技術はプリンターのみならず
通常の複写機にも応用され所謂デジタル複写機が開発さ
れている。また、従来からあるアナログ複写にこのデジ
タル記録技術を搭載した複写機は、種々様々な情報処理
機能が付加されるため今後その需要性がますます高まっ
ていくと予想される。
【0003】光プリンターの光源としては現在のところ
小型で安価で信頼性の高い半導体レーザー(LD)や発
光ダイオード(LED)が多く使われている。現在よく
使われているLEDの発光波長は660nmであり、L
Dの発光波長域は近赤外光領域にある。このため可視光
領域から近赤外光領域に高い感度を有する電子写真感光
体の開発が望まれている。
小型で安価で信頼性の高い半導体レーザー(LD)や発
光ダイオード(LED)が多く使われている。現在よく
使われているLEDの発光波長は660nmであり、L
Dの発光波長域は近赤外光領域にある。このため可視光
領域から近赤外光領域に高い感度を有する電子写真感光
体の開発が望まれている。
【0004】電子写真感光体の感光波長域は感光体に使
用される電荷発生物質の感光波長域によってほぼ決まっ
てしまう。そのため従来から各種アゾ顔料、多環キノン
系顔料、三方晶形セレン、各種フタロシアニン顔料等多
くの電荷発生物質が開発されている。それらの内、特開
平3−35064号公報、特開平3−35245号公
報、特開平3−37669号公報、特開平3−2690
64号公報、特開平7−319179号公報等に記載さ
れているチタニルフタロシアニン(TiOPcと略記さ
れる)は600〜800nmの長波長光に対して高感度
を示すため、光源がLEDやLDである電子写真プリン
ターやデジタル複写機用の感光体用材料として極めて重
要かつ有用である。
用される電荷発生物質の感光波長域によってほぼ決まっ
てしまう。そのため従来から各種アゾ顔料、多環キノン
系顔料、三方晶形セレン、各種フタロシアニン顔料等多
くの電荷発生物質が開発されている。それらの内、特開
平3−35064号公報、特開平3−35245号公
報、特開平3−37669号公報、特開平3−2690
64号公報、特開平7−319179号公報等に記載さ
れているチタニルフタロシアニン(TiOPcと略記さ
れる)は600〜800nmの長波長光に対して高感度
を示すため、光源がLEDやLDである電子写真プリン
ターやデジタル複写機用の感光体用材料として極めて重
要かつ有用である。
【0005】一方、カールソンプロセスおよび類似プロ
セスにおいて繰り返し使用される電子写真感光体の条件
としては、感度、受容電位、電位保持性、電位安定性、
残留電位、分光特性に代表される静電特性が優れている
ことが要求される。とりわけ、高感度感光体については
繰り返し使用による帯電性の低下と残留電位の上昇が、
感光体の寿命特性を支配することが多くの感光体で経験
的に知られており、前記チタニルフタロシアニンもこの
例外ではない。したがって、チタニルフタロシアニンを
用いた感光体の繰り返し使用による安定性は未だ十分と
はいえず、その技術の完成が熱望されていた。
セスにおいて繰り返し使用される電子写真感光体の条件
としては、感度、受容電位、電位保持性、電位安定性、
残留電位、分光特性に代表される静電特性が優れている
ことが要求される。とりわけ、高感度感光体については
繰り返し使用による帯電性の低下と残留電位の上昇が、
感光体の寿命特性を支配することが多くの感光体で経験
的に知られており、前記チタニルフタロシアニンもこの
例外ではない。したがって、チタニルフタロシアニンを
用いた感光体の繰り返し使用による安定性は未だ十分と
はいえず、その技術の完成が熱望されていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高感
度を失うことなく繰り返し使用によっても帯電性の低
下、或いは残留電位の増大を生じない安定な電子写真感
光体を提供することにある。また、繰り返し使用によっ
ても膜削れの少ない電子写真感光体を提供することにあ
る。別の目的は、繰り返し使用によっても異常画像の少
ない、安定した画像を得ることのできる電子写真方法、
電子写真装置、電子写真用プロセスカートリッジを提供
することにある。
度を失うことなく繰り返し使用によっても帯電性の低
下、或いは残留電位の増大を生じない安定な電子写真感
光体を提供することにある。また、繰り返し使用によっ
ても膜削れの少ない電子写真感光体を提供することにあ
る。別の目的は、繰り返し使用によっても異常画像の少
ない、安定した画像を得ることのできる電子写真方法、
電子写真装置、電子写真用プロセスカートリッジを提供
することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明で用いられるチタ
ニルフタロシアニン顔料の基本構造は次の一般式(A)
で表わされる。
ニルフタロシアニン顔料の基本構造は次の一般式(A)
で表わされる。
【0008】
【化7】 (式中、X1、X2、X3、X4は各々独立に各種ハロゲン
原子を表わし、n、m、l、kは各々独立的に0〜4の
数字を表わす。) 本発明者らは、TiOPcの結晶型に着目し、上記課題
を解決すべく感光体の繰り返し使用後の静電特性に関し
て鋭意検討を行ない、本発明を完成するに至った。
原子を表わし、n、m、l、kは各々独立的に0〜4の
数字を表わす。) 本発明者らは、TiOPcの結晶型に着目し、上記課題
を解決すべく感光体の繰り返し使用後の静電特性に関し
て鋭意検討を行ない、本発明を完成するに至った。
【0009】すなわち、本発明によれば、(1)「導電
性支持体上に少なくとも電荷発生物質を含有する電荷発
生層と低分子電荷輸送物質と不活性高分子を含有する電
荷輸送層を設けた電子写真感光体において、該電荷発生
層がCuKαの特性X線(波長1.514Å)に対する
ブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2°)として、少
なくとも27.2°に最大回折ピークを有し、且つ最も
低角側の回折ピークとして7.3°にピークを有するチ
タニルフタロシアニンを含有し、且つ、該電子写真感光
体の実使用時における画像光書き込み時の電界強度にお
ける該電荷輸送層の移動度が1×10-5(cm/Vse
c)以上であることを特徴とする電子写真感光体」、
(2)「前記チタニルフタロシアニンの9.4°より低
角側の領域における回折ピークが7.3°であることを
特徴とする前記第(1)項に記載の電子写真感光体」、
(3)「前記チタニルフタロシアニンが、7.4〜9.
4°の範囲にピークを有さないことを特徴とする前記第
(1)又は(2)項に記載の電子写真感光体」、(4)
「前記チタニルフタロシアニンが、28.6°にも同時
にピークを有する場合、その強度が27.2°の強度の
20%未満であることを特徴とする前記第(1)乃至
(3)項のいずれかに記載の電子写真感光体」、(5)
「前記チタニルフタロシアニンが、ハロゲン化チタンを
用いずに合成されたものであることを特徴とする前記第
(1)乃至(4)項のいずれかに記載の電子写真感光
体」が提供される。
性支持体上に少なくとも電荷発生物質を含有する電荷発
生層と低分子電荷輸送物質と不活性高分子を含有する電
荷輸送層を設けた電子写真感光体において、該電荷発生
層がCuKαの特性X線(波長1.514Å)に対する
ブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2°)として、少
なくとも27.2°に最大回折ピークを有し、且つ最も
低角側の回折ピークとして7.3°にピークを有するチ
タニルフタロシアニンを含有し、且つ、該電子写真感光
体の実使用時における画像光書き込み時の電界強度にお
ける該電荷輸送層の移動度が1×10-5(cm/Vse
c)以上であることを特徴とする電子写真感光体」、
(2)「前記チタニルフタロシアニンの9.4°より低
角側の領域における回折ピークが7.3°であることを
特徴とする前記第(1)項に記載の電子写真感光体」、
(3)「前記チタニルフタロシアニンが、7.4〜9.
4°の範囲にピークを有さないことを特徴とする前記第
(1)又は(2)項に記載の電子写真感光体」、(4)
「前記チタニルフタロシアニンが、28.6°にも同時
にピークを有する場合、その強度が27.2°の強度の
20%未満であることを特徴とする前記第(1)乃至
(3)項のいずれかに記載の電子写真感光体」、(5)
「前記チタニルフタロシアニンが、ハロゲン化チタンを
用いずに合成されたものであることを特徴とする前記第
(1)乃至(4)項のいずれかに記載の電子写真感光
体」が提供される。
【0010】また、本発明によれば(6)「前記低分子
の電荷輸送物質が下記一般式(I)で表わされる化合物
であることを特徴とする前記第(1)乃至(5)項に記
載の電子写真感光体;
の電荷輸送物質が下記一般式(I)で表わされる化合物
であることを特徴とする前記第(1)乃至(5)項に記
載の電子写真感光体;
【0011】
【化8】 (式中、R1、R2、R3及びR4は水素原子、置換もしく
は無置換の低級アルキル基、置換もしくは無置換のアリ
ール基を表わし、Ar1は置換又は無置換のアリール基
を表わし、Ar2は置換もしくは無置換のアリーレン基
を表わし、R1とAr1は共同で環を形成してもよく、ま
たkは0又は1の整数である。)」、(7)「前記低分
子の電荷輸送物質が下記一般式(II)で表わされる化合
物であることを特徴とする前記第(1)乃至(5)項に
記載の電子写真感光体;
は無置換の低級アルキル基、置換もしくは無置換のアリ
ール基を表わし、Ar1は置換又は無置換のアリール基
を表わし、Ar2は置換もしくは無置換のアリーレン基
を表わし、R1とAr1は共同で環を形成してもよく、ま
たkは0又は1の整数である。)」、(7)「前記低分
子の電荷輸送物質が下記一般式(II)で表わされる化合
物であることを特徴とする前記第(1)乃至(5)項に
記載の電子写真感光体;
【0012】
【化9】 (式中、R5は低級アルキル基、低級アルコキシ基又は
ハロゲン原子を表わし、lは0〜4の整数を表わし、R
6、R7は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わ
す。)」、(8)「前記低分子の電荷輸送物質が下記一
般式(III)で表わされる化合物であることを特徴とす
る前記第(1)乃至(5)項に記載の電子写真感光体;
ハロゲン原子を表わし、lは0〜4の整数を表わし、R
6、R7は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わ
す。)」、(8)「前記低分子の電荷輸送物質が下記一
般式(III)で表わされる化合物であることを特徴とす
る前記第(1)乃至(5)項に記載の電子写真感光体;
【0013】
【化10】 (式中、R8、R9及びR10は、水素原子、アミノ基、ア
ルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メ
チレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、
ハロゲン原子、又は置換もしくは無置換のアリール基を
表わす。mは1〜3の整数を表わす。)」、(9)「前
記低分子の電荷輸送物質が下記一般式(IV)で表わさ
れる化合物であることを特徴とする前記第(1)乃至
(5)項に記載の電子写真感光体;
ルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メ
チレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、
ハロゲン原子、又は置換もしくは無置換のアリール基を
表わす。mは1〜3の整数を表わす。)」、(9)「前
記低分子の電荷輸送物質が下記一般式(IV)で表わさ
れる化合物であることを特徴とする前記第(1)乃至
(5)項に記載の電子写真感光体;
【0014】
【化11】 (式中、A1、A2は置換もしくは無置換のアルキル基又
は置換もしくは無置換のアリール基を表わし、それぞれ
同一でも異なっていてもよい。Ar3は置換又は無置換
の縮合多環式炭化水素を表わす。)」、(10)「前記
低分子の電荷輸送物質が下記一般式(V)で表わされる
化合物であることを特徴とする前記第(1)乃至(5)
項に記載の電子写真感光体;
は置換もしくは無置換のアリール基を表わし、それぞれ
同一でも異なっていてもよい。Ar3は置換又は無置換
の縮合多環式炭化水素を表わす。)」、(10)「前記
低分子の電荷輸送物質が下記一般式(V)で表わされる
化合物であることを特徴とする前記第(1)乃至(5)
項に記載の電子写真感光体;
【0015】
【化12】 (式中、Ar4は芳香族基、R11は水素原子、置換もし
くは無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。pは
0又は1、qは1又は2であって、p=0、q=1の場
合、Ar4とR11は共同で環を形成してもよい。)」、
(11)「前記低分子の電荷輸送物質が下記一般式(V
I)で表わされる化合物であることを特徴とする前記第
(1)乃至(5)項に記載の電子写真感光体;
くは無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。pは
0又は1、qは1又は2であって、p=0、q=1の場
合、Ar4とR11は共同で環を形成してもよい。)」、
(11)「前記低分子の電荷輸送物質が下記一般式(V
I)で表わされる化合物であることを特徴とする前記第
(1)乃至(5)項に記載の電子写真感光体;
【0016】
【化13】 (式中、R12、R13は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、置換もしくは無置換のアルキル基等、R
14、R15は水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル
基、置換もしくは無置換のアルキル基、R16は水素原
子、低級アルキル基又はアルコキシ基を表わす。Wは水
素原子、置換もしくは無置換のアルキル基等、rは1〜
5の整数、sは1〜4の整数、tは0〜2の整数、uは
1〜3の整数、vは1〜2の整数を表わす。)」、(1
2)「前記電荷輸送層における低分子の電荷輸送物質濃
度が45wt%以下であることを特徴とする前記第
(1)項乃至第(11)項のいずれかに記載の電子写真
感光体」、(13)「前記不活性高分子がポリカーボネ
ートであることを特徴とする前記第(1)項乃至第(1
2)項のいずれかに記載の電子写真感光体」が提供され
る。
基、シアノ基、置換もしくは無置換のアルキル基等、R
14、R15は水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル
基、置換もしくは無置換のアルキル基、R16は水素原
子、低級アルキル基又はアルコキシ基を表わす。Wは水
素原子、置換もしくは無置換のアルキル基等、rは1〜
5の整数、sは1〜4の整数、tは0〜2の整数、uは
1〜3の整数、vは1〜2の整数を表わす。)」、(1
2)「前記電荷輸送層における低分子の電荷輸送物質濃
度が45wt%以下であることを特徴とする前記第
(1)項乃至第(11)項のいずれかに記載の電子写真
感光体」、(13)「前記不活性高分子がポリカーボネ
ートであることを特徴とする前記第(1)項乃至第(1
2)項のいずれかに記載の電子写真感光体」が提供され
る。
【0017】さらに、本発明によれば(14)「導電性
支持体上に少なくとも電荷発生物質を含有する電荷発生
層と高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層を設けた
電子写真感光体において、該電荷発生層がCuKαの特
性X線(波長1.514Å)に対するブラッグ角2θの
回折ピーク(±0.2°)として、少なくとも27.2
°に最大回折ピークを有し、且つ最も低角側の回折ピー
クとして7.3°にピークを有するチタニルフタロシア
ニンを含有し、且つ、該電子写真感光体の実使用時にお
ける画像光書き込み時の電界強度における該電荷輸送層
の移動度が1×10-5(cm/Vsec)以上であるこ
とを特徴とする電子写真感光体」、(15)「前記電子
写真感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送物
質が、少なくともトリアリールアミン構造を主鎖及び/
又は側鎖に含むポリカーボネートであることを特徴とす
る前記第(14)項に記載の電子写真感光体」、(1
6)「前記電荷輸送物質が下記一般式(VII)で表わ
される高分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記
第(15)項に記載の電子写真感光体;
支持体上に少なくとも電荷発生物質を含有する電荷発生
層と高分子電荷輸送物質を含有する電荷輸送層を設けた
電子写真感光体において、該電荷発生層がCuKαの特
性X線(波長1.514Å)に対するブラッグ角2θの
回折ピーク(±0.2°)として、少なくとも27.2
°に最大回折ピークを有し、且つ最も低角側の回折ピー
クとして7.3°にピークを有するチタニルフタロシア
ニンを含有し、且つ、該電子写真感光体の実使用時にお
ける画像光書き込み時の電界強度における該電荷輸送層
の移動度が1×10-5(cm/Vsec)以上であるこ
とを特徴とする電子写真感光体」、(15)「前記電子
写真感光体の電荷輸送層に含有される高分子電荷輸送物
質が、少なくともトリアリールアミン構造を主鎖及び/
又は側鎖に含むポリカーボネートであることを特徴とす
る前記第(14)項に記載の電子写真感光体」、(1
6)「前記電荷輸送物質が下記一般式(VII)で表わ
される高分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記
第(15)項に記載の電子写真感光体;
【0018】
【化14】 式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、R4は水素原子
又は置換もしくは無置換のアルキル基、R5、R 6は置換
もしくは無置換のアリール基、o、p、qはそれぞれ独
立して0〜4の整数、k、jは組成を表わし、0.1≦
k≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を
表わし5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価
基、環状脂肪族の2価基、または下記一般式で表わされ
る2価基を表わす。
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、R4は水素原子
又は置換もしくは無置換のアルキル基、R5、R 6は置換
もしくは無置換のアリール基、o、p、qはそれぞれ独
立して0〜4の整数、k、jは組成を表わし、0.1≦
k≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を
表わし5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価
基、環状脂肪族の2価基、または下記一般式で表わされ
る2価基を表わす。
【0019】
【化15】 式中、R101、R102は各々独立して置換もしくは無置換
のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表わ
す。l、mは0〜4の整数、Yは単結合、炭素原子数1
〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、
−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−CO−、−
CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の2価基を
表わす。)または、
のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表わ
す。l、mは0〜4の整数、Yは単結合、炭素原子数1
〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、
−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−CO−、−
CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の2価基を
表わす。)または、
【0020】
【化16】 (式中、aは1〜20の整数、bは1〜2000の整
数、R103、R104は置換または無置換のアルキル基又は
アリール基を表わす。)を表わす。ここで、R10 1とR
102、R103とR104は、それぞれ同一でも異なってもよ
い。」、(17)「前記電荷輸送物質が下記一般式(V
III)で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特
徴とする前記第(15)項に記載の電子写真感光体;
数、R103、R104は置換または無置換のアルキル基又は
アリール基を表わす。)を表わす。ここで、R10 1とR
102、R103とR104は、それぞれ同一でも異なってもよ
い。」、(17)「前記電荷輸送物質が下記一般式(V
III)で表わされる高分子電荷輸送物質であることを特
徴とする前記第(15)項に記載の電子写真感光体;
【0021】
【化17】 式中、R7、R8は置換もしくは無置換のアリール基、A
r1、Ar2、Ar3は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合と同じで
ある。」、(18)「前記電荷輸送物質が下記一般式
(IX)で表わされる高分子電荷輸送物質であることを
特徴とする前記第(15)項に記載の電子写真感光体;
r1、Ar2、Ar3は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合と同じで
ある。」、(18)「前記電荷輸送物質が下記一般式
(IX)で表わされる高分子電荷輸送物質であることを
特徴とする前記第(15)項に記載の電子写真感光体;
【0022】
【化18】 式中、R9、R10は置換もしくは無置換のアリール基、
Ar4、Ar5、Ar6は同一又は異なるアリレン基を表
わす。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合と同
じである。」、(19)「前記電荷輸送物質が下記一般
式(X)で表わされる高分子電荷輸送物質であることを
特徴とする前記第(15)項に記載の電子写真感光体;
Ar4、Ar5、Ar6は同一又は異なるアリレン基を表
わす。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合と同
じである。」、(19)「前記電荷輸送物質が下記一般
式(X)で表わされる高分子電荷輸送物質であることを
特徴とする前記第(15)項に記載の電子写真感光体;
【0023】
【化19】 式中、R11、R12は置換もしくは無置換のアリール基、
Ar7、Ar8、Ar9は同一又は異なるアリレン基、p
は1〜5の整数を表わす。X、k、jおよびnは、(V
II)式の場合と同じである。」、(20)「前記電荷
輸送物質が下記一般式(XI)で表わされる高分子電荷
輸送物質であることを特徴とする前記第(15)項に記
載の電子写真感光体;
Ar7、Ar8、Ar9は同一又は異なるアリレン基、p
は1〜5の整数を表わす。X、k、jおよびnは、(V
II)式の場合と同じである。」、(20)「前記電荷
輸送物質が下記一般式(XI)で表わされる高分子電荷
輸送物質であることを特徴とする前記第(15)項に記
載の電子写真感光体;
【0024】
【化20】 式中、R13、R14は置換もしくは無置換のアリール基、
Ar10、Ar11、Ar 12は同一又は異なるアリレン基、
X1、X2は置換もしくは無置換のエチレン基、又は置換
もしくは無置換のビニレン基を表わす。X、k、jおよ
びnは、(VII)式の場合と同じである。」、(2
1)「前記電荷輸送物質が下記一般式(XII)で表わさ
れる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記第
(15)項に記載の電子写真感光体;
Ar10、Ar11、Ar 12は同一又は異なるアリレン基、
X1、X2は置換もしくは無置換のエチレン基、又は置換
もしくは無置換のビニレン基を表わす。X、k、jおよ
びnは、(VII)式の場合と同じである。」、(2
1)「前記電荷輸送物質が下記一般式(XII)で表わさ
れる高分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記第
(15)項に記載の電子写真感光体;
【0025】
【化21】 式中、R15、R16、R17、R18は置換もしくは無置換の
アリール基、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16は同一又
は異なるアリレン基、Y1、Y2、Y3は単結合、置換も
しくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシ
クロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエ
ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
一であっても異なってもよい。X、k、jおよびnは、
(VII)式の場合と同じである。」、(22)「前記
電荷輸送物質が下記一般式(XIII)で表わされる高分
子電荷輸送物質であることを特徴とする前記第(15)
項に記載の電子写真感光体;
アリール基、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16は同一又
は異なるアリレン基、Y1、Y2、Y3は単結合、置換も
しくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシ
クロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエ
ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
一であっても異なってもよい。X、k、jおよびnは、
(VII)式の場合と同じである。」、(22)「前記
電荷輸送物質が下記一般式(XIII)で表わされる高分
子電荷輸送物質であることを特徴とする前記第(15)
項に記載の電子写真感光体;
【0026】
【化22】 式中、R19、R20は水素原子、置換もしくは無置換のア
リール基を表わし、R 19とR20は環を形成していてもよ
い。Ar17、Ar18、Ar19は同一又は異なるアリレン
基を表わす。X、k、jおよびnは、(2)式の場合と
同じである。」、(23)「前記電荷輸送物質が下記一
般式(XIV)で表わされる高分子電荷輸送物質であるこ
とを特徴とする前記第(15)項に記載の電子写真感光
体;
リール基を表わし、R 19とR20は環を形成していてもよ
い。Ar17、Ar18、Ar19は同一又は異なるアリレン
基を表わす。X、k、jおよびnは、(2)式の場合と
同じである。」、(23)「前記電荷輸送物質が下記一
般式(XIV)で表わされる高分子電荷輸送物質であるこ
とを特徴とする前記第(15)項に記載の電子写真感光
体;
【0027】
【化23】 式中、R21は置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、Ar20、Ar21、Ar22、Ar23は同一又は異なる
アリレン基を表わす。X、k、jおよびnは、(VI
I)式の場合と同じである。」、(24)「前記電荷輸
送物質が下記一般式(XV)で表わされる高分子電荷輸
送物質であることを特徴とする前記第(15)項に記載
の電子写真感光体;
し、Ar20、Ar21、Ar22、Ar23は同一又は異なる
アリレン基を表わす。X、k、jおよびnは、(VI
I)式の場合と同じである。」、(24)「前記電荷輸
送物質が下記一般式(XV)で表わされる高分子電荷輸
送物質であることを特徴とする前記第(15)項に記載
の電子写真感光体;
【0028】
【化24】 式中、R22、R23、R24、R25は置換もしくは無置換の
アリール基、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28
は同一又は異なるアリレン基を表わす。X、k、jおよ
びnは、(VII)式の場合と同じである。」、(2
5)「前記電荷輸送物質が下記一般式(XVI)で表わ
される高分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記
第(15)項に記載の電子写真感光体;
アリール基、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28
は同一又は異なるアリレン基を表わす。X、k、jおよ
びnは、(VII)式の場合と同じである。」、(2
5)「前記電荷輸送物質が下記一般式(XVI)で表わ
される高分子電荷輸送物質であることを特徴とする前記
第(15)項に記載の電子写真感光体;
【0029】
【化25】 式中、R26、R27は置換もしくは無置換のアリール基、
Ar29、Ar30、Ar 31は同一又は異なるアリレン基を
表わす。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合と
同じである。」が提供される。
Ar29、Ar30、Ar 31は同一又は異なるアリレン基を
表わす。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合と
同じである。」が提供される。
【0030】さらに、本発明によれば(26)「電子写
真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写、
クリーニング、除電を繰り返し行なう電子写真方法にお
いて、該電子写真感光体が前記第(1)項乃至第(2
5)項のいずれかに記載の電子写真感光体であることを
特徴とする電子写真方法」、(27)「少なくとも帯電
手段、画像露光手段、現像手段、転写手段、クリーニン
グ手段、除電手段および電子写真感光体を具備してなる
電子写真装置であって、該電子写真感光体が前記第
(1)項乃至第(25)項のいずれかに記載の電子写真
感光体であることを特徴とする電子写真装置」、(2
8)「少なくとも電子写真感光体を具備してなる電子写
真装置用プロセスカートリッジであって、該電子写真感
光体が前記第(1)項乃至第(25)項のいずれかに記
載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装
置用プロセスカートリッジ」が提供される。
真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写、
クリーニング、除電を繰り返し行なう電子写真方法にお
いて、該電子写真感光体が前記第(1)項乃至第(2
5)項のいずれかに記載の電子写真感光体であることを
特徴とする電子写真方法」、(27)「少なくとも帯電
手段、画像露光手段、現像手段、転写手段、クリーニン
グ手段、除電手段および電子写真感光体を具備してなる
電子写真装置であって、該電子写真感光体が前記第
(1)項乃至第(25)項のいずれかに記載の電子写真
感光体であることを特徴とする電子写真装置」、(2
8)「少なくとも電子写真感光体を具備してなる電子写
真装置用プロセスカートリッジであって、該電子写真感
光体が前記第(1)項乃至第(25)項のいずれかに記
載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装
置用プロセスカートリッジ」が提供される。
【0031】以下、詳細に本発明を説明する。先に記載
したように、本発明で用いられるチタニルフタロシアニ
ン顔料の基本構造は次の一般式(A)で表わされる。
したように、本発明で用いられるチタニルフタロシアニ
ン顔料の基本構造は次の一般式(A)で表わされる。
【0032】
【化26】 (式中、X1、X2、X3、X4は各々独立に各種ハロゲン
原子を表わし、n、m、l、kは各々独立的に0〜4の
数字を表わす。)
原子を表わし、n、m、l、kは各々独立的に0〜4の
数字を表わす。)
【0033】TiOPcの合成法や電子写真特性に関す
る文献としては、例えば特開昭57−148745号公
報、特開昭59−36254号公報、特開昭59−44
054号公報、特開昭59−31965号公報、特開昭
61−239248号公報、特開昭62−67094号
公報などが挙げられる。また、TiOPcには種々の結
晶系が知られており、特開昭59−49544号公報、
特開昭59−166959号公報、特開昭61−239
248号公報、特開昭62−67094号公報、特開昭
63−366号公報、特開昭63−116158号公
報、特開昭63−196067号公報、特開昭64−1
7066号公報等に各々結晶形の異なるTiOPcが開
示されている。
る文献としては、例えば特開昭57−148745号公
報、特開昭59−36254号公報、特開昭59−44
054号公報、特開昭59−31965号公報、特開昭
61−239248号公報、特開昭62−67094号
公報などが挙げられる。また、TiOPcには種々の結
晶系が知られており、特開昭59−49544号公報、
特開昭59−166959号公報、特開昭61−239
248号公報、特開昭62−67094号公報、特開昭
63−366号公報、特開昭63−116158号公
報、特開昭63−196067号公報、特開昭64−1
7066号公報等に各々結晶形の異なるTiOPcが開
示されている。
【0034】目的とする結晶形を得る方法は、公知の合
成過程と類似の過程による方法、洗浄・精製過程で結晶
を変える方法、特別に結晶変換工程を設ける方法が挙げ
られる。さらに、結晶変換工程を設ける方法の中には溶
媒、機械的な負荷による一般的な変換法ならびに、チタ
ニルフタロシアニンを硫酸中にて溶解せしめ、この溶液
を水に注ぎ得られる無定形結晶を経て上記変換を行なう
硫酸ペースティング法が挙げられる。
成過程と類似の過程による方法、洗浄・精製過程で結晶
を変える方法、特別に結晶変換工程を設ける方法が挙げ
られる。さらに、結晶変換工程を設ける方法の中には溶
媒、機械的な負荷による一般的な変換法ならびに、チタ
ニルフタロシアニンを硫酸中にて溶解せしめ、この溶液
を水に注ぎ得られる無定形結晶を経て上記変換を行なう
硫酸ペースティング法が挙げられる。
【0035】これらの中でも、不定形結晶を経た後、水
の存在下で有機溶媒と接触させることによる結晶変換に
より所望の結晶型を得る方法が好適に用いられる。特
に、最大回折ピークを7.0°に持ち、無定型結晶を用
いること、更に好ましくは7.0°のピークの半値巾が
1°以上のものが好適に使用できる。
の存在下で有機溶媒と接触させることによる結晶変換に
より所望の結晶型を得る方法が好適に用いられる。特
に、最大回折ピークを7.0°に持ち、無定型結晶を用
いること、更に好ましくは7.0°のピークの半値巾が
1°以上のものが好適に使用できる。
【0036】また、結晶変換に用いる有機溶媒は所定の
結晶型を得られるものであれば、いかなる有機溶媒も使
用できるが、特にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノ
ン、トルエン、塩化メチレン、二硫化炭素、オルトジク
ロロベンゼン、1,1,2−トリクロロエタンの中から
選ばれる一種を含むことが望ましい。なお、有機溶媒は
二種以上混合して用いても構わない。
結晶型を得られるものであれば、いかなる有機溶媒も使
用できるが、特にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノ
ン、トルエン、塩化メチレン、二硫化炭素、オルトジク
ロロベンゼン、1,1,2−トリクロロエタンの中から
選ばれる一種を含むことが望ましい。なお、有機溶媒は
二種以上混合して用いても構わない。
【0037】上述したように、高感度を示すTiOPc
を用いた感光体でもカールソンプロセスおよび類似プロ
セスにおいて繰り返し使用した場合、帯電性の低下と残
留電位の上昇を生じ、感光体の寿命が限定されていた。
本発明者らは、TiOPcの結晶型に着目し、この課題
を解決すべく感光体の繰り返し使用後の静電特性に関し
て検討を行なった結果、前述の特定のX線回折スペクト
ルを示す結晶を用いた場合に、良好な光感度を維持した
まま、繰り返し使用における帯電性の低下が少ない感光
体が得られることを確認した。
を用いた感光体でもカールソンプロセスおよび類似プロ
セスにおいて繰り返し使用した場合、帯電性の低下と残
留電位の上昇を生じ、感光体の寿命が限定されていた。
本発明者らは、TiOPcの結晶型に着目し、この課題
を解決すべく感光体の繰り返し使用後の静電特性に関し
て検討を行なった結果、前述の特定のX線回折スペクト
ルを示す結晶を用いた場合に、良好な光感度を維持した
まま、繰り返し使用における帯電性の低下が少ない感光
体が得られることを確認した。
【0038】このような場合、カールソンプロセス及び
類似プロセスにおける繰り返し使用に対する寿命を決定
する因子としては、感光体の耐摩耗性が浮上してくる。
従来用いられる低分子電荷輸送物質/不活性高分子から
なる分子分散高分子より構成される電荷輸送層は、その
移動度を大きくするために、低分子電荷輸送物質濃度を
高くする必要がある。このため、電荷輸送層の耐摩耗性
があまり高くなく、この点が感光体の寿命律速過程を決
める場合すらある。
類似プロセスにおける繰り返し使用に対する寿命を決定
する因子としては、感光体の耐摩耗性が浮上してくる。
従来用いられる低分子電荷輸送物質/不活性高分子から
なる分子分散高分子より構成される電荷輸送層は、その
移動度を大きくするために、低分子電荷輸送物質濃度を
高くする必要がある。このため、電荷輸送層の耐摩耗性
があまり高くなく、この点が感光体の寿命律速過程を決
める場合すらある。
【0039】この耐摩耗性に関して、高分子電荷輸送物
質の電荷輸送層への展開が挙げられる。高分子電荷輸送
物質は、電荷輸送ユニットが高分子中に化学結合で組み
込まれており、上記低分子分散系に比べ、耐摩耗特性が
はるかに良好である。また、低分子分散系に比べ、電荷
輸送ユニットを高密度に入れることが可能であり、高移
動度な電荷輸送層を設計することが可能である。しかし
ながら、高分子電荷輸送物質は一般的にバルキーな構造
である電荷輸送ユニットが高分子中に配列されているた
め、低分子分散系に比べると電荷輸送層のガス透過度が
高く、これを用いた感光体は反応性ガスへの暴露などの
ハザードに弱いという欠点を有していた。
質の電荷輸送層への展開が挙げられる。高分子電荷輸送
物質は、電荷輸送ユニットが高分子中に化学結合で組み
込まれており、上記低分子分散系に比べ、耐摩耗特性が
はるかに良好である。また、低分子分散系に比べ、電荷
輸送ユニットを高密度に入れることが可能であり、高移
動度な電荷輸送層を設計することが可能である。しかし
ながら、高分子電荷輸送物質は一般的にバルキーな構造
である電荷輸送ユニットが高分子中に配列されているた
め、低分子分散系に比べると電荷輸送層のガス透過度が
高く、これを用いた感光体は反応性ガスへの暴露などの
ハザードに弱いという欠点を有していた。
【0040】ところが、前記の特定のX線回折スペクト
ルを示すチタニルフタロシアニンはそれ単独で反応性ガ
スとの反応性が低く、これを用いた感光体は耐ガス性に
極めて優れているという利点をも有している。このた
め、この両者を組み合わせることにより、お互い単独で
は達成し得なかった静電的にも安定で、耐摩耗性に優れ
た感光体を設計できるようになる。この現象は、各々単
独ではその特性を活かし切れないものであったものが、
上記技術の併用で初めて達成されるものである。
ルを示すチタニルフタロシアニンはそれ単独で反応性ガ
スとの反応性が低く、これを用いた感光体は耐ガス性に
極めて優れているという利点をも有している。このた
め、この両者を組み合わせることにより、お互い単独で
は達成し得なかった静電的にも安定で、耐摩耗性に優れ
た感光体を設計できるようになる。この現象は、各々単
独ではその特性を活かし切れないものであったものが、
上記技術の併用で初めて達成されるものである。
【0041】一方、電荷輸送層(電荷輸送物質)の種類
によって、前記チタニルフタロシアニンの高い光キャリ
ア発生能を十分に機能させることができず、光感度の低
下や繰り返し使用における残留電位の増加が発生するこ
とがあった。本発明者らは、この点について検討した結
果、電荷輸送層の移動度でこの現象が説明できることを
見い出し、電荷輸送層が特定の移動度を有することで、
前記チタニルフタロシアニンの特性を最大限引き出せる
ことを見い出し、本発明を完成するに至った。
によって、前記チタニルフタロシアニンの高い光キャリ
ア発生能を十分に機能させることができず、光感度の低
下や繰り返し使用における残留電位の増加が発生するこ
とがあった。本発明者らは、この点について検討した結
果、電荷輸送層の移動度でこの現象が説明できることを
見い出し、電荷輸送層が特定の移動度を有することで、
前記チタニルフタロシアニンの特性を最大限引き出せる
ことを見い出し、本発明を完成するに至った。
【0042】更に、上述のようなチタニルフタロシアニ
ンも、その合成工程によって、それを用いた感光体の特
性が大きく異なる。チタニルフタロシアニンを合成する
ルートは幾つか知られているが、ハロゲン化チタンを用
いる方法が知られている。この方法により作製されたチ
タニルフタロシアニンを用いた感光体は、繰り返し使用
において、帯電性の低下が著しいことを見い出した。こ
れを回避するためには、ハロゲン化チタンを用いずに合
成する(例えば、有機チタンを原料とする)方法により
作製することが望ましい。
ンも、その合成工程によって、それを用いた感光体の特
性が大きく異なる。チタニルフタロシアニンを合成する
ルートは幾つか知られているが、ハロゲン化チタンを用
いる方法が知られている。この方法により作製されたチ
タニルフタロシアニンを用いた感光体は、繰り返し使用
において、帯電性の低下が著しいことを見い出した。こ
れを回避するためには、ハロゲン化チタンを用いずに合
成する(例えば、有機チタンを原料とする)方法により
作製することが望ましい。
【0043】本発明におけるTiOPcのX線回折スペ
クトルは、合成・精製・結晶変換工程等を経て作製され
たTiOPc結晶を市販のX線回折スペクトル測定装置
により測定することができる。
クトルは、合成・精製・結晶変換工程等を経て作製され
たTiOPc結晶を市販のX線回折スペクトル測定装置
により測定することができる。
【0044】本発明におけるTiOPにおける2θ=
7.3°、27.2°及び28.6°のピーク強度につ
いて説明する。一般的なX線回折スペクトルで、ベース
ライン補正を行なった後、それぞれのピーク強度を求め
た値が、本発明で言うところのピーク強度比である。
7.3°、27.2°及び28.6°のピーク強度につ
いて説明する。一般的なX線回折スペクトルで、ベース
ライン補正を行なった後、それぞれのピーク強度を求め
た値が、本発明で言うところのピーク強度比である。
【0045】また、電荷輸送層の移動度は、タイムオブ
フライト法或いはゼログラフィック法などで測定するこ
とが可能である。電界強度に対して広範囲な測定を行な
う場合にはタイムオブフライト法が有効な手段であり一
般的に用いられる。一般的には、測定対象となる電荷輸
送層を電極でサンドイッチ(片側は少なくとも半透明)
した構造のサンプルを作製し、チッソレーザーのような
波長の短い励起光源を用い、パルス光にして電荷輸送物
質を直接励起して光キャリアを生成させ、移動度を測定
するものである。
フライト法或いはゼログラフィック法などで測定するこ
とが可能である。電界強度に対して広範囲な測定を行な
う場合にはタイムオブフライト法が有効な手段であり一
般的に用いられる。一般的には、測定対象となる電荷輸
送層を電極でサンドイッチ(片側は少なくとも半透明)
した構造のサンプルを作製し、チッソレーザーのような
波長の短い励起光源を用い、パルス光にして電荷輸送物
質を直接励起して光キャリアを生成させ、移動度を測定
するものである。
【0046】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電子写真感光体を
図面に沿って説明する。図1は、本発明の電子写真感光
体を表わす断面図であり、導電性支持体(31)上に、
電荷発生材料を主成分とする電荷発生層(35)と、電
荷輸送材料を主成分とする電荷輸送層(37)とが、積
層された構成をとっている。図2は、本発明の電子写真
感光体の別の構成例を表す断面図であり、電荷輸送層
(37)上に電荷発生層(35)が積層された構成をと
っている。
図面に沿って説明する。図1は、本発明の電子写真感光
体を表わす断面図であり、導電性支持体(31)上に、
電荷発生材料を主成分とする電荷発生層(35)と、電
荷輸送材料を主成分とする電荷輸送層(37)とが、積
層された構成をとっている。図2は、本発明の電子写真
感光体の別の構成例を表す断面図であり、電荷輸送層
(37)上に電荷発生層(35)が積層された構成をと
っている。
【0047】導電性支持体(31)としては、体積抵抗
1010Ω・cm以下の導電性を示すもの、例えば、アル
ミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、
白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属
酸化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィルム
状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、
あるいは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケ
ル、ステンレスなどの板およびそれらを、押し出し、引
き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩な
どの表面処理した管などを使用することができる。ま
た、特開昭52−36016号公報に開示されたエンド
レスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導
電性支持体(31)として用いることができる。
1010Ω・cm以下の導電性を示すもの、例えば、アル
ミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、
白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属
酸化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィルム
状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、
あるいは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケ
ル、ステンレスなどの板およびそれらを、押し出し、引
き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩な
どの表面処理した管などを使用することができる。ま
た、特開昭52−36016号公報に開示されたエンド
レスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導
電性支持体(31)として用いることができる。
【0048】この他、上記支持体上に導電性粉体を適当
な結着樹脂に分散して塗工したものも、本発明の導電性
支持体(31)として用いることができる。この導電性
粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラッ
ク、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、
亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化スズ、IT
Oなどの金属酸化物粉体などが挙げられる。また、同時
に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−
アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重
合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレ
ート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セ
ルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、
ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコ
ーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹
脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性、
熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。このよ
うな導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当
な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタ
ン、メチルエチルケトン、トルエンなどに分散して塗布
することにより設けることができる。
な結着樹脂に分散して塗工したものも、本発明の導電性
支持体(31)として用いることができる。この導電性
粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラッ
ク、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、
亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化スズ、IT
Oなどの金属酸化物粉体などが挙げられる。また、同時
に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−
アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重
合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレ
ート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セ
ルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、
ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコ
ーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹
脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性、
熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。このよ
うな導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当
な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタ
ン、メチルエチルケトン、トルエンなどに分散して塗布
することにより設けることができる。
【0049】さらに、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニ
ル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン
などの素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チュー
ブによって導電性層を設けてなるものも、本発明の導電
性支持体(31)として良好に用いることができる。
ル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン
などの素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チュー
ブによって導電性層を設けてなるものも、本発明の導電
性支持体(31)として良好に用いることができる。
【0050】次に感光層について説明する。感光層は電
荷発生層(35)と電荷輸送層(37)の積層構造で構
成される。電荷発生層(35)は、電荷発生材料として
上述した特定のX線回折スペクトルを示すTiOPcを
主成分とする層である。電荷発生層(35)は、前記T
iOPcを必要に応じてバインダー樹脂とともに適当な
溶剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音
波などを用いて分散し、これを導電性支持体上に塗布
し、乾燥することにより形成される。
荷発生層(35)と電荷輸送層(37)の積層構造で構
成される。電荷発生層(35)は、電荷発生材料として
上述した特定のX線回折スペクトルを示すTiOPcを
主成分とする層である。電荷発生層(35)は、前記T
iOPcを必要に応じてバインダー樹脂とともに適当な
溶剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音
波などを用いて分散し、これを導電性支持体上に塗布
し、乾燥することにより形成される。
【0051】必要に応じて電荷発生層(35)に用いら
れる結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エ
ポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコン
樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ
スルホン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリ
ルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェ
ノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢
酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリ
ビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられ
る。中でも、ポリビニルブチラールに代表されるポリビ
ニルアセタールは良好に使用され、特にアセチル化度が
4mol%以上のポリビニルアセタール(ブチラール)
は良好に使用される。結着樹脂の量は、電荷発生物質1
00重量部に対し0〜500重量部、好ましくは10〜
300重量部が適当である。
れる結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エ
ポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコン
樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ
スルホン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリ
ルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェ
ノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢
酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリ
ビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられ
る。中でも、ポリビニルブチラールに代表されるポリビ
ニルアセタールは良好に使用され、特にアセチル化度が
4mol%以上のポリビニルアセタール(ブチラール)
は良好に使用される。結着樹脂の量は、電荷発生物質1
00重量部に対し0〜500重量部、好ましくは10〜
300重量部が適当である。
【0052】電荷発生層(35)には、上述した特定の
X線回折スペクトルを与えるTiOPcの他にその他の
電荷発生材料を併用することも可能であり、その代表と
して、モノアゾ顔料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、
ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、キナクリドン系顔
料、キノン系縮合多環化合物、スクアリック酸系染料、
他のフタロシアニン系顔料、ナフタロシアニン系顔料、
アズレニウム塩系染料等が挙げられ用いられる。
X線回折スペクトルを与えるTiOPcの他にその他の
電荷発生材料を併用することも可能であり、その代表と
して、モノアゾ顔料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、
ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、キナクリドン系顔
料、キノン系縮合多環化合物、スクアリック酸系染料、
他のフタロシアニン系顔料、ナフタロシアニン系顔料、
アズレニウム塩系染料等が挙げられ用いられる。
【0053】ここで用いられる溶剤としては、イソプロ
パノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセル
ソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジ
クロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、
トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられるが、特
にケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒が良
好に使用される。塗布液の塗工法としては、浸漬塗工
法、スプレーコート、ビードコート、ノズルコート、ス
ピナーコート、リングコート等の方法を用いることがで
きる。電荷発生層(35)の膜厚は、0.01〜5μm
程度が適当であり、好ましくは0.1〜2μmである。
パノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセル
ソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジ
クロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、
トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられるが、特
にケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒が良
好に使用される。塗布液の塗工法としては、浸漬塗工
法、スプレーコート、ビードコート、ノズルコート、ス
ピナーコート、リングコート等の方法を用いることがで
きる。電荷発生層(35)の膜厚は、0.01〜5μm
程度が適当であり、好ましくは0.1〜2μmである。
【0054】電荷輸送層(37)は、低分子の電荷輸送
物質と不活性高分子を含有する層であり、電荷輸送層の
状態で測定された移動度が電界強度5×105(Vcm
-1)のときに、1×10-5(cmV-1sec-1)以上で
あるものが好ましい。電荷輸送層(37)は低分子の電
荷輸送物質及び不活性高分子を適当な溶剤に溶解ないし
分散し、塗布、乾燥することにより形成できる。また、
必要により可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加
することもできる。使用できる低分子電荷輸送物質とし
ては、それを用いて電荷輸送層を形成した際、前記物性
値を満足できるものは、より良好に使用できる。特に、
前記一般式(I)〜(VI)で表わされる化合物は有効
に使用できる。
物質と不活性高分子を含有する層であり、電荷輸送層の
状態で測定された移動度が電界強度5×105(Vcm
-1)のときに、1×10-5(cmV-1sec-1)以上で
あるものが好ましい。電荷輸送層(37)は低分子の電
荷輸送物質及び不活性高分子を適当な溶剤に溶解ないし
分散し、塗布、乾燥することにより形成できる。また、
必要により可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加
することもできる。使用できる低分子電荷輸送物質とし
ては、それを用いて電荷輸送層を形成した際、前記物性
値を満足できるものは、より良好に使用できる。特に、
前記一般式(I)〜(VI)で表わされる化合物は有効
に使用できる。
【0055】また、これら電荷輸送物質は単独で用いて
も構わないが、他の電荷輸送物質と2種以上混合して用
いても構わない。他に混合可能な電荷輸送物質には、正
孔輸送物質と電子輸送物質とがある。電荷輸送物質とし
ては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシア
ノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,7−
トリニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テト
ラニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラ
ニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサン
トン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,
2−b〕チオフェン−4−オン、1,3,7−トリニト
ロジベンゾチオフェン−5,5−ジオキサイド、ベンゾ
キノン誘導体等の電子受容性物質が挙げられる。
も構わないが、他の電荷輸送物質と2種以上混合して用
いても構わない。他に混合可能な電荷輸送物質には、正
孔輸送物質と電子輸送物質とがある。電荷輸送物質とし
ては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシア
ノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,7−
トリニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テト
ラニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラ
ニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサン
トン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,
2−b〕チオフェン−4−オン、1,3,7−トリニト
ロジベンゾチオフェン−5,5−ジオキサイド、ベンゾ
キノン誘導体等の電子受容性物質が挙げられる。
【0056】正孔輸送物質としては、ポリ−N−ビニル
カルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリ
ルエチルグルタメートおよびその誘導体、ピレン−ホル
ムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾ
ール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘
導体、モノアリールアミン誘導体、ジアリールアミン誘
導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、
α−フェニルスチルベン誘導体、、ベンジジン誘導体、
ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、
9−スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、
ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン
誘導体、ブタジエン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチ
ルベン誘導体、エナミン誘導体等その他公知の材料が挙
げられる。
カルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリ
ルエチルグルタメートおよびその誘導体、ピレン−ホル
ムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾ
ール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘
導体、モノアリールアミン誘導体、ジアリールアミン誘
導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、
α−フェニルスチルベン誘導体、、ベンジジン誘導体、
ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、
9−スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、
ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン
誘導体、ブタジエン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチ
ルベン誘導体、エナミン誘導体等その他公知の材料が挙
げられる。
【0057】以下に、一般式(I)〜(VI)で表わさ
れる低分子の電荷輸送物質を例示する。一般式(I)で
表わされる電荷輸送物質としては、表1に示したものが
挙げられる。
れる低分子の電荷輸送物質を例示する。一般式(I)で
表わされる電荷輸送物質としては、表1に示したものが
挙げられる。
【0058】
【表1−1】
【0059】
【表1−2】 一般式(II)で表わされる電荷輸送物質としては、表2
に示したものが挙げられる。
に示したものが挙げられる。
【0060】
【表2−1】
【0061】
【表2−2】 一般式(III)で表わされる電荷輸送物質としては、表
3に示したものが挙げられる。
3に示したものが挙げられる。
【0062】
【表3−1】
【0063】
【表3−2】 一般式(IV)で表わされる電荷輸送物質としては、表
4に示したものが挙げられる。
4に示したものが挙げられる。
【0064】
【表4−1】
【0065】
【表4−2】
【0066】
【表4−3】 一般式(V)で表わされる電荷輸送物質としては、表5
に示したものが挙げられる。
に示したものが挙げられる。
【0067】
【表5−1】
【0068】
【表5−2】 一般式(VI)で表わされる電荷輸送物質としては、表
6に示したものが挙げられる。
6に示したものが挙げられる。
【0069】
【表6−1】
【0070】
【表6−2】
【0071】
【表6−3】
【0072】
【表6−4】
【0073】また、不活性高分子としては、ポリスチレ
ン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−
ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合
体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリアレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネー
ト、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニル
トルエン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウ
レタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可
塑性または熱硬化性樹脂が挙げられ、中でもポリカーボ
ネートは透明性、耐摩耗性の点で良好に用いられる。
ン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−
ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合
体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリアレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネー
ト、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニル
トルエン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウ
レタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可
塑性または熱硬化性樹脂が挙げられ、中でもポリカーボ
ネートは透明性、耐摩耗性の点で良好に用いられる。
【0074】前記低分子の電荷輸送物質の量は不活性高
分子100重量部に対し、20〜300重量部、好まし
くは40〜150重量部が適当である。特に、耐摩耗性
の観点からは、電荷輸送層を構成する全材料中における
低分子電荷輸送物質の重量が45wt%以下であること
が好ましい。
分子100重量部に対し、20〜300重量部、好まし
くは40〜150重量部が適当である。特に、耐摩耗性
の観点からは、電荷輸送層を構成する全材料中における
低分子電荷輸送物質の重量が45wt%以下であること
が好ましい。
【0075】また、本発明における電荷輸送層(37)
は、前記低分子電荷輸送物質と不活性高分子を含有する
層に代えて、高分子電荷輸送物質を主成分とする層とす
ることができる。この場合、電荷輸送層(37)は、高
分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ないし分散し、塗
布、乾燥することにより形成できる。また、必要により
可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することも
できる。使用できる高分子電荷輸送物質としては、公知
の高分子電荷輸送物質を使用できるが、それを用いて電
荷輸送層を形成した際、前記物性値(移動度)を満足で
きるものは、より良好に使用できる。
は、前記低分子電荷輸送物質と不活性高分子を含有する
層に代えて、高分子電荷輸送物質を主成分とする層とす
ることができる。この場合、電荷輸送層(37)は、高
分子電荷輸送物質を適当な溶剤に溶解ないし分散し、塗
布、乾燥することにより形成できる。また、必要により
可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することも
できる。使用できる高分子電荷輸送物質としては、公知
の高分子電荷輸送物質を使用できるが、それを用いて電
荷輸送層を形成した際、前記物性値(移動度)を満足で
きるものは、より良好に使用できる。
【0076】特に、トリアリールアミン構造を主鎖およ
び/または側鎖に含むポリカーボネートが良好に用いら
れる。中でも、(VII)〜(XVI)式で表わされる高
分子電荷輸送物質が良好に用いられ、これらを以下に例
示し、具体例を示す。
び/または側鎖に含むポリカーボネートが良好に用いら
れる。中でも、(VII)〜(XVI)式で表わされる高
分子電荷輸送物質が良好に用いられ、これらを以下に例
示し、具体例を示す。
【0077】
【化27】 式中、R1、R2、R3はそれぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、R4は水素原子
又は置換もしくは無置換のアルキル基、R5、R 6は置換
もしくは無置換のアリール基、o、p、qはそれぞれ独
立して0〜4の整数、k、jは組成を表わし、0.1≦
k≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を
表わし5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価
基、環状脂肪族の2価基、または下記一般式で表わされ
る2価基を表わす。
無置換のアルキル基又はハロゲン原子、R4は水素原子
又は置換もしくは無置換のアルキル基、R5、R 6は置換
もしくは無置換のアリール基、o、p、qはそれぞれ独
立して0〜4の整数、k、jは組成を表わし、0.1≦
k≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を
表わし5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価
基、環状脂肪族の2価基、または下記一般式で表わされ
る2価基を表わす。
【0078】
【化28】 式中、R101、R102は各々独立して置換もしくは無置換
のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表わ
す。l、mは0〜4の整数、Yは単結合、炭素原子数1
〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、
−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−CO−、−
CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の2価基を
表わす。)または、
のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表わ
す。l、mは0〜4の整数、Yは単結合、炭素原子数1
〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、
−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−CO−、−
CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の2価基を
表わす。)または、
【0079】
【化29】 (式中、aは1〜20の整数、bは1〜2000の整
数、R103、R104は置換または無置換のアルキル基又は
アリール基を表わす。)を表わす。ここで、R10 1とR
102、R103とR104は、それぞれ同一でも異なってもよ
い。
数、R103、R104は置換または無置換のアルキル基又は
アリール基を表わす。)を表わす。ここで、R10 1とR
102、R103とR104は、それぞれ同一でも異なってもよ
い。
【0080】
【化30】 式中、R7、R8は置換もしくは無置換のアリール基、A
r1、Ar2、Ar3は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合と同じで
ある。
r1、Ar2、Ar3は同一又は異なるアリレン基を表わ
す。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合と同じで
ある。
【0081】
【化31】 式中、R9、R10は置換もしくは無置換のアリール基、
Ar4、Ar5、Ar6は同一又は異なるアリレン基を表
わす。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合と同じ
である。
Ar4、Ar5、Ar6は同一又は異なるアリレン基を表
わす。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合と同じ
である。
【0082】
【化32】 式中、R11、R12は置換もしくは無置換のアリール基、
Ar7、Ar8、Ar9は同一又は異なるアリレン基、p
は1〜5の整数を表わす。X、k、jおよびnは、(V
II)式の場合と同じである。
Ar7、Ar8、Ar9は同一又は異なるアリレン基、p
は1〜5の整数を表わす。X、k、jおよびnは、(V
II)式の場合と同じである。
【0083】
【化33】 式中、R13、R14は置換もしくは無置換のアリール基、
Ar10、Ar11、Ar 12は同一又は異なるアリレン基、
X1、X2は置換もしくは無置換のエチレン基、又は置換
もしくは無置換のビニレン基を表わす。X、k、jおよ
びnは、(VII)式の場合と同じである。
Ar10、Ar11、Ar 12は同一又は異なるアリレン基、
X1、X2は置換もしくは無置換のエチレン基、又は置換
もしくは無置換のビニレン基を表わす。X、k、jおよ
びnは、(VII)式の場合と同じである。
【0084】
【化34】 式中、R15、R16、R17、R18は置換もしくは無置換の
アリール基、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16は同一又
は異なるアリレン基、Y1、Y2、Y3は単結合、置換も
しくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシ
クロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエ
ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
一であっても異なってもよい。X、k、jおよびnは、
(VII)式の場合と同じである。
アリール基、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16は同一又
は異なるアリレン基、Y1、Y2、Y3は単結合、置換も
しくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシ
クロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエ
ーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表わし同
一であっても異なってもよい。X、k、jおよびnは、
(VII)式の場合と同じである。
【0085】
【化35】 式中、R19、R20は水素原子、置換もしくは無置換のア
リール基を表わし、R 19とR20は環を形成していてもよ
い。Ar17、Ar18、Ar19は同一又は異なるアリレン
基を表わす。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合
と同じである。
リール基を表わし、R 19とR20は環を形成していてもよ
い。Ar17、Ar18、Ar19は同一又は異なるアリレン
基を表わす。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合
と同じである。
【0086】
【化36】 式中、R21は置換もしくは無置換のアリール基を表わ
し、Ar20、Ar21、Ar22、Ar23は同一又は異なる
アリレン基を表わす。X、k、jおよびnは、(VII)
式の場合と同じである。
し、Ar20、Ar21、Ar22、Ar23は同一又は異なる
アリレン基を表わす。X、k、jおよびnは、(VII)
式の場合と同じである。
【0087】
【化37】 式中、R22、R23、R24、R25は置換もしくは無置換の
アリール基、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28
は同一又は異なるアリレン基を表わす。X、k、jおよ
びnは、(VII)式の場合と同じである。
アリール基、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27、Ar28
は同一又は異なるアリレン基を表わす。X、k、jおよ
びnは、(VII)式の場合と同じである。
【0088】
【化38】 式中、R26、R27は置換もしくは無置換のアリール基、
Ar29、Ar30、Ar 31は同一又は異なるアリレン基を
表わす。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合と同
じである。
Ar29、Ar30、Ar 31は同一又は異なるアリレン基を
表わす。X、k、jおよびnは、(VII)式の場合と同
じである。
【0089】これら高分子電荷輸送物質は単独で用いて
も構わないが、他の高分子電荷輸送物質と2種以上混合
して用いても構わない。また、低分子電荷輸送物質を併
用することも可能である。
も構わないが、他の高分子電荷輸送物質と2種以上混合
して用いても構わない。また、低分子電荷輸送物質を併
用することも可能である。
【0090】併用可能な低分子電荷輸送物質には、前記
低分子電荷輸送物質と不活性高分子を含有する層の場合
と同様、正孔輸送物質と電子輸送物質であり、これら正
孔輸送物質と電子輸送物質は前記低分子電荷輸送物質と
不活性高分子を含有する電子輸送層の場合と同様であ
る。
低分子電荷輸送物質と不活性高分子を含有する層の場合
と同様、正孔輸送物質と電子輸送物質であり、これら正
孔輸送物質と電子輸送物質は前記低分子電荷輸送物質と
不活性高分子を含有する電子輸送層の場合と同様であ
る。
【0091】また、必要に応じて不活性高分子を併用し
ても構わない。使用できる不活性高分子としては、ポリ
スチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチ
レン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸
共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリアレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネ
ート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニ
ルトルエン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル
樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、
ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱
可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。
ても構わない。使用できる不活性高分子としては、ポリ
スチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチ
レン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸
共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリアレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネ
ート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニ
ルトルエン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル
樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、
ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱
可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。
【0092】また、本発明においては低分子の電荷輸送
物質を用いた場合も高分子電荷輸送物質を用いた場合
も、電荷輸送層の膜厚は、5〜100μm程度とするこ
とが好ましい。ここで用いられる溶剤としては、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタ
ン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキ
サノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが用いられ
る。
物質を用いた場合も高分子電荷輸送物質を用いた場合
も、電荷輸送層の膜厚は、5〜100μm程度とするこ
とが好ましい。ここで用いられる溶剤としては、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタ
ン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキ
サノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが用いられ
る。
【0093】本発明の感光体において電荷輸送層(3
7)中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑
剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレー
トなど一般の樹脂の可塑剤として使用されているものが
そのまま使用でき、その使用量は、結着樹脂に対して0
〜30重量%程度が適当である。レベリング剤として
は、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコ
ーンオイルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフ
ルオロアルキル基を有するポリマーあるいは、オリゴマ
ーが使用され、その使用量は結着樹脂に対して、0〜1
重量%が適当である。
7)中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑
剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレー
トなど一般の樹脂の可塑剤として使用されているものが
そのまま使用でき、その使用量は、結着樹脂に対して0
〜30重量%程度が適当である。レベリング剤として
は、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコ
ーンオイルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフ
ルオロアルキル基を有するポリマーあるいは、オリゴマ
ーが使用され、その使用量は結着樹脂に対して、0〜1
重量%が適当である。
【0094】本発明の感光体においては、導電性支持体
(31)と感光層(電荷輸送層もしくは電荷発生層)と
の間に下引き層を設けることができる。下引き層は一般
には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感
光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤
に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。こ
のような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイ
ン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合
ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可
溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹
脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次
元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。ま
た、下引き層にはモアレ防止、残留電位の低減等のため
に酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、
酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の
微粉末顔料を加えてもよい。
(31)と感光層(電荷輸送層もしくは電荷発生層)と
の間に下引き層を設けることができる。下引き層は一般
には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感
光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤
に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。こ
のような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイ
ン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合
ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可
溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹
脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次
元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。ま
た、下引き層にはモアレ防止、残留電位の低減等のため
に酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、
酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の
微粉末顔料を加えてもよい。
【0095】これらの下引き層は前述の感光層における
ような適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができ
る。更に本発明における下引き層として、シランカップ
リング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング
剤等を使用することもできる。この他、本発明における
下引き層には、Al2O3を陽極酸化にて設けたものや、
ポリパラキシリレン(パリレン)等の有機物やSi
O2、SnO2、TiO2、ITO、CeO2等の無機物を
真空薄膜作成法にて設けたものも良好に使用できる。こ
のほかにも公知のものを用いることができる。下引き層
の膜厚は0〜5μmが適当である。
ような適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができ
る。更に本発明における下引き層として、シランカップ
リング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング
剤等を使用することもできる。この他、本発明における
下引き層には、Al2O3を陽極酸化にて設けたものや、
ポリパラキシリレン(パリレン)等の有機物やSi
O2、SnO2、TiO2、ITO、CeO2等の無機物を
真空薄膜作成法にて設けたものも良好に使用できる。こ
のほかにも公知のものを用いることができる。下引き層
の膜厚は0〜5μmが適当である。
【0096】本発明の感光体においては、感光層保護の
目的で、保護層が感光層(電荷輸送層もしくは電荷発生
層)の上に設けられることもある。保護層に使用される
材料としてはABS樹脂、ACS樹脂、オレフィン−ビ
ニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリル樹
脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポ
リアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホ
ン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリ
カーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、
ポリエチレンテレフタート、ポリイミド、アクリル樹
脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニ
レンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、AS樹
脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の
樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗性を向上
する目的でポリテトラフルオロエチレンのような弗素樹
脂、シリコーン樹脂およびこれらの樹脂に酸化チタン、
酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散したもの
等を添加することができる。保護層の形成法としては通
常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは0.1〜
10μm程度が適当である。また、以上のほかに真空薄
膜作成法にて形成したa−C、a−SiCなど公知の材
料を保護層として用いることができる。
目的で、保護層が感光層(電荷輸送層もしくは電荷発生
層)の上に設けられることもある。保護層に使用される
材料としてはABS樹脂、ACS樹脂、オレフィン−ビ
ニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリル樹
脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポ
リアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホ
ン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリ
カーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、
ポリエチレンテレフタート、ポリイミド、アクリル樹
脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニ
レンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、AS樹
脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の
樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗性を向上
する目的でポリテトラフルオロエチレンのような弗素樹
脂、シリコーン樹脂およびこれらの樹脂に酸化チタン、
酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散したもの
等を添加することができる。保護層の形成法としては通
常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは0.1〜
10μm程度が適当である。また、以上のほかに真空薄
膜作成法にて形成したa−C、a−SiCなど公知の材
料を保護層として用いることができる。
【0097】本発明の感光体においては感光層(電荷輸
送層もしくは電荷発生層)と保護層との間に中間層を設
けることも可能である。中間層には、一般にバインダー
樹脂を主成分として用いる。これら樹脂としては、ポリ
アミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポリビニル
ブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコ
ールなどが挙げられる。中間層の形成法としては、前述
のごとく通常の塗布法が採用される。なお、中間層の厚
さは、0.05〜2μm程度が適当である。
送層もしくは電荷発生層)と保護層との間に中間層を設
けることも可能である。中間層には、一般にバインダー
樹脂を主成分として用いる。これら樹脂としては、ポリ
アミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポリビニル
ブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコ
ールなどが挙げられる。中間層の形成法としては、前述
のごとく通常の塗布法が採用される。なお、中間層の厚
さは、0.05〜2μm程度が適当である。
【0098】また、本発明においては、耐環境性の改善
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸
収剤、低分子電荷輸送物質およびレベリング剤を添加す
ることができる。これらの化合物の代表的な材料を以下
に記す。各層に添加できる酸化防止剤として、例えば、
下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものでは
ない。
のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止す
る目的で、各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸
収剤、低分子電荷輸送物質およびレベリング剤を添加す
ることができる。これらの化合物の代表的な材料を以下
に記す。各層に添加できる酸化防止剤として、例えば、
下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものでは
ない。
【0099】(a)フェノール系化合物 2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニソール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エ
チルフェノール、n−オクタデシル−3−(4’−ヒド
ロキシ−3’,5’−ジ−t−ブチルフェノール)、
2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−
エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオ
ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、
4,4’−ブチリデンビス−(3−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル
−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、
1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5
−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼ
ン、テトラキス−[メチレン−3−(3’,5’−ジ−
t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト]メタン、ビス[3,3’−ビス(4’−ヒドロキシ
−3’−t−ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グ
リコールエステル、トコフェロール類等。
ドロキシアニソール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エ
チルフェノール、n−オクタデシル−3−(4’−ヒド
ロキシ−3’,5’−ジ−t−ブチルフェノール)、
2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−
エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオ
ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、
4,4’−ブチリデンビス−(3−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル
−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、
1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5
−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼ
ン、テトラキス−[メチレン−3−(3’,5’−ジ−
t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト]メタン、ビス[3,3’−ビス(4’−ヒドロキシ
−3’−t−ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グ
リコールエステル、トコフェロール類等。
【0100】(b)パラフェニレンジアミン類 N−フェニル−N’−イソプロピル−p−フェニレンジ
アミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレ
ンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−p−
フェニレンジアミン、N,N’−ジ−イソプロピル−p
−フェニレンジアミン、N,N’−ジメチル−N,N’
−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミン等。
アミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレ
ンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−p−
フェニレンジアミン、N,N’−ジ−イソプロピル−p
−フェニレンジアミン、N,N’−ジメチル−N,N’
−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミン等。
【0101】(c)ハイドロキノン類 2,5−ジ−t−オクチルハイドロキノン、2,6−ジ
ドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノ
ン、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t
−オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オ
クタデセニル)−5−メチルハイドロキノン等。
ドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノ
ン、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t
−オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オ
クタデセニル)−5−メチルハイドロキノン等。
【0102】(d)有機硫黄化合物類 ジラウリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−3,3’−チオジプロピオネート等。
アリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シル−3,3’−チオジプロピオネート等。
【0103】(e)有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホス
フィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキ
シ)ホスフィン等。
フィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキ
シ)ホスフィン等。
【0104】各層に添加できる可塑剤として、例えば下
記のものが挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。 (a)リン酸エステル系可塑剤 リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリ
オクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロ
ルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチ
ル、リン酸トリ−2−エチルヘキシル、リン酸トリフェ
ニル等。
記のものが挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。 (a)リン酸エステル系可塑剤 リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリ
オクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロ
ルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチ
ル、リン酸トリ−2−エチルヘキシル、リン酸トリフェ
ニル等。
【0105】(b)フタル酸エステル系可塑剤 フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソ
ブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタ
ル酸ジ−2−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチ
ル、フタル酸ジ−n−オクチル、フタル酸ジノニル、フ
タル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸
ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシク
ロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチル
ラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチル
デシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチル等。
ブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタ
ル酸ジ−2−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチ
ル、フタル酸ジ−n−オクチル、フタル酸ジノニル、フ
タル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸
ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシク
ロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチル
ラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチル
デシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチル等。
【0106】(c)芳香族カルボン酸エステル系可塑剤 トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−n
−オクチル、オキシ安息香酸オクチル等。
−オクチル、オキシ安息香酸オクチル等。
【0107】(d)脂肪酸二塩基酸エステル系可塑剤 アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−n−ヘキシル、ア
ジピン酸ジ−2−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−n−
オクチル、アジピン酸−n−オクチル−n−デシル、ア
ジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼラ
イン酸ジ−2−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、
セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸
ジ−n−オクチル、セバシン酸ジ−2−エチルヘキシ
ル、セバシン酸ジ−2−エトキシエチル、コハク酸ジオ
クチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸
ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−n−オクチル
等。
ジピン酸ジ−2−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−n−
オクチル、アジピン酸−n−オクチル−n−デシル、ア
ジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼラ
イン酸ジ−2−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、
セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸
ジ−n−オクチル、セバシン酸ジ−2−エチルヘキシ
ル、セバシン酸ジ−2−エトキシエチル、コハク酸ジオ
クチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸
ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−n−オクチル
等。
【0108】(e)脂肪酸エステル誘導体 オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステ
ル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトー
ルエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、
トリアセチン、トリブチリン等。
ル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトー
ルエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、
トリアセチン、トリブチリン等。
【0109】(f)オキシ酸エステル系可塑剤 アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブ
チル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルク
エン酸トリブチル等。
チル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルク
エン酸トリブチル等。
【0110】(g)エポキシ可塑剤 エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステ
アリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキ
システアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジ
ル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキ
シヘキサヒドロフタル酸ジデシル等。
アリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキ
システアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジ
ル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキ
シヘキサヒドロフタル酸ジデシル等。
【0111】(h)二価アルコールエステル系可塑剤 ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレング
リコールジ−2−エチルブチラート等。
リコールジ−2−エチルブチラート等。
【0112】(i)含塩素可塑剤 塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メ
チル、メトキシ塩素化脂肪酸メチル等。
チル、メトキシ塩素化脂肪酸メチル等。
【0113】(j)ポリエステル系可塑剤 ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセパケー
ト、ポリエステル、アセチル化ポリエステル等。
ト、ポリエステル、アセチル化ポリエステル等。
【0114】(k)スルホン酸誘導体 p−トルエンスルホンアミド、o−トルエンスルホンア
ミド、p−トルエンスルホンエチルアミド、o−トルエ
ンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−N−エチ
ルアミド、p−トルエンスルホン−N−シクロヘキシル
アミド等。
ミド、p−トルエンスルホンエチルアミド、o−トルエ
ンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−N−エチ
ルアミド、p−トルエンスルホン−N−シクロヘキシル
アミド等。
【0115】(l)クエン酸誘導体 クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、ク
エン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセ
チルクエン酸トリ−2−エチルヘキシル、アセチルクエ
ン酸−n−オクチルデシル等。
エン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセ
チルクエン酸トリ−2−エチルヘキシル、アセチルクエ
ン酸−n−オクチルデシル等。
【0116】(m)その他 ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、2
−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン
酸メチル等。
−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン
酸メチル等。
【0117】各層に添加できる滑剤としては、例えば以
下のものが挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。 (a)炭化水素系化合物 流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワック
ス、低重合ポリエチレン等。 (b)脂肪酸系化合物 ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン
酸、アラキジン酸、ベヘン酸等。 (c)脂肪酸アミド系化合物 ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミ
ド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステア
ロアミド等。 (d)エステル系化合物 脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコ
ールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステル等。 (e)アルコール系化合物 セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレング
リコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロール
等。 (f)金属石けん ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン
酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜
鉛、ステアリン酸マグネシウム等。 (g)天然ワックス カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボ
タロウ、モンタンロウ等。 (h)その他 シリコーン化合物、フッ素化合物等。
下のものが挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。 (a)炭化水素系化合物 流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワック
ス、低重合ポリエチレン等。 (b)脂肪酸系化合物 ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン
酸、アラキジン酸、ベヘン酸等。 (c)脂肪酸アミド系化合物 ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミ
ド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステア
ロアミド等。 (d)エステル系化合物 脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコ
ールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステル等。 (e)アルコール系化合物 セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレング
リコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロール
等。 (f)金属石けん ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン
酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜
鉛、ステアリン酸マグネシウム等。 (g)天然ワックス カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボ
タロウ、モンタンロウ等。 (h)その他 シリコーン化合物、フッ素化合物等。
【0118】各層に添加できる紫外線吸収剤としては、
例えば以下のものが挙げられるが、これらに限定される
ものではない。 (a)ベンゾフェノン系 2−ヒドロキシベンゾフェノン、2,4−ジヒドロキシ
ベンゾフェノン、2,2’,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベ
ンゾフェノン等。 (b)サルシレート系 フェニルサルシレート、2,4−ジ−t−ブチルフェニ
ル3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンゾエー
ト等。 (c)ベンゾトリアゾール系 (2’−ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、
(2’−ヒドロキシ−5’−メチルフェニル)ベンゾト
リアゾール、(2’−ヒドロキシ−5’−エチルフェニ
ル)ベンゾトリアゾール、(2’−ヒドロキシ−3’−
ターシャリブチル−5’−メチルフェニル)5−クロロ
ベンゾトリアゾール等。 (d)シアノアクリレート系 エチル−2−シアノ−3,3−ジフェニルアクリレー
ト、メチル−2−カルボメトキシ−3−(パラメトキ
シ)アクリレート等。 (e)クエンチャー(金属錯塩系) ニッケル(2,2’−チオビス(4−t−オクチル)フ
ェノレート)ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチル
ジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオ
ホスフェート等。 (f)HALS(ヒンダードアミン) ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジ
ル)セパケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメ
チル−4−ピペリジル)セパケート、1−[2−{3−
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオニルオキシ}エチル]−4−{3−(3,5−
ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニ
ルオキシ}−2,2,6,6−テトラメチルピリジン、
8−ベンジル−7,7,9,9−テトラメチル−3−オ
クチル−1,3,8−トリアザスピロ[4,5]ウンデ
カン−2,4−ジオン、4−ベンゾイルオキシ−2,
2,6,6−テトラメチルピペリジン等。
例えば以下のものが挙げられるが、これらに限定される
ものではない。 (a)ベンゾフェノン系 2−ヒドロキシベンゾフェノン、2,4−ジヒドロキシ
ベンゾフェノン、2,2’,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベ
ンゾフェノン等。 (b)サルシレート系 フェニルサルシレート、2,4−ジ−t−ブチルフェニ
ル3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンゾエー
ト等。 (c)ベンゾトリアゾール系 (2’−ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、
(2’−ヒドロキシ−5’−メチルフェニル)ベンゾト
リアゾール、(2’−ヒドロキシ−5’−エチルフェニ
ル)ベンゾトリアゾール、(2’−ヒドロキシ−3’−
ターシャリブチル−5’−メチルフェニル)5−クロロ
ベンゾトリアゾール等。 (d)シアノアクリレート系 エチル−2−シアノ−3,3−ジフェニルアクリレー
ト、メチル−2−カルボメトキシ−3−(パラメトキ
シ)アクリレート等。 (e)クエンチャー(金属錯塩系) ニッケル(2,2’−チオビス(4−t−オクチル)フ
ェノレート)ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチル
ジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオ
ホスフェート等。 (f)HALS(ヒンダードアミン) ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジ
ル)セパケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメ
チル−4−ピペリジル)セパケート、1−[2−{3−
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロピオニルオキシ}エチル]−4−{3−(3,5−
ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニ
ルオキシ}−2,2,6,6−テトラメチルピリジン、
8−ベンジル−7,7,9,9−テトラメチル−3−オ
クチル−1,3,8−トリアザスピロ[4,5]ウンデ
カン−2,4−ジオン、4−ベンゾイルオキシ−2,
2,6,6−テトラメチルピペリジン等。
【0119】次に図面を用いて本発明の電子写真方法な
らびに電子写真装置を詳しく説明する。図3は、本発明
の電子写真プロセスおよび電子写真装置を説明するため
の概略図であり、感光体(1)の周囲には、順に、除電
ランプ(2)、帯電チャージャ(3)、イレーサ
(4)、画像露光部(5)、現像ユニット(6)、転写
前チャージャ(7)、転写チャージャ(10)、分離チ
ャージャ(11)、分離爪(12)、クリーニング前チ
ャージャ(13)、ファーブラシ(14)、クリーニン
グブラシ(15)等の各ユニットが配置されている。レ
ジストローラ(8)により感光体(1)に供給された転
写紙(9)には転写位置でトナー像が転写される。下記
するような変形例も本発明の範疇に属するものである。
らびに電子写真装置を詳しく説明する。図3は、本発明
の電子写真プロセスおよび電子写真装置を説明するため
の概略図であり、感光体(1)の周囲には、順に、除電
ランプ(2)、帯電チャージャ(3)、イレーサ
(4)、画像露光部(5)、現像ユニット(6)、転写
前チャージャ(7)、転写チャージャ(10)、分離チ
ャージャ(11)、分離爪(12)、クリーニング前チ
ャージャ(13)、ファーブラシ(14)、クリーニン
グブラシ(15)等の各ユニットが配置されている。レ
ジストローラ(8)により感光体(1)に供給された転
写紙(9)には転写位置でトナー像が転写される。下記
するような変形例も本発明の範疇に属するものである。
【0120】図3において、感光体(1)は導電性支持
体上に特定のX線回折スペクトルを与えるチタニルフタ
ロシアニンを含有する電荷発生層と移動度が前述の値を
満足する電荷輸送層が積層された感光層からなるもので
ある。感光体(1)はドラム状の形状を示しているが、
シート状、エンドレスベルト状のものであってもよい。
帯電チャージャ(3)、転写前チャージャ(7)、転写
チャージャ(10)、分離チャージャ(11)、クリー
ニング前チャージャ(13)には、コロトロン、スコロ
トロン、固体帯電器(ソリッド・ステート・チャージ
ャ)、帯電ローラを始めとする公知の手段が用いられ
る。転写手段には、一般に上記の帯電器が使用できる
が、図に示されるように転写チャージャーと分離チャー
ジャーを併用したものが効果的である。
体上に特定のX線回折スペクトルを与えるチタニルフタ
ロシアニンを含有する電荷発生層と移動度が前述の値を
満足する電荷輸送層が積層された感光層からなるもので
ある。感光体(1)はドラム状の形状を示しているが、
シート状、エンドレスベルト状のものであってもよい。
帯電チャージャ(3)、転写前チャージャ(7)、転写
チャージャ(10)、分離チャージャ(11)、クリー
ニング前チャージャ(13)には、コロトロン、スコロ
トロン、固体帯電器(ソリッド・ステート・チャージ
ャ)、帯電ローラを始めとする公知の手段が用いられ
る。転写手段には、一般に上記の帯電器が使用できる
が、図に示されるように転写チャージャーと分離チャー
ジャーを併用したものが効果的である。
【0121】また、画像露光部(5)、除電ランプ
(2)等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハ
ロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード
(LED)、半導体レーザー(LD)、エレクトロルミ
ネッセンス(EL)などの発光物全般を用いることがで
きる。そして、所望の波長域の光のみを照射するため
に、シャープカットフィルター、バンドパスフィルタ
ー、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルタ
ー、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種
フィルターを用いることもできる。かかる光源等は、図
3に示される工程の他に、光照射を併用した転写工程、
除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光等の工程
を設けることにより、感光体に光が照射される。
(2)等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハ
ロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード
(LED)、半導体レーザー(LD)、エレクトロルミ
ネッセンス(EL)などの発光物全般を用いることがで
きる。そして、所望の波長域の光のみを照射するため
に、シャープカットフィルター、バンドパスフィルタ
ー、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルタ
ー、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種
フィルターを用いることもできる。かかる光源等は、図
3に示される工程の他に、光照射を併用した転写工程、
除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光等の工程
を設けることにより、感光体に光が照射される。
【0122】さて、現像ユニット(6)により、感光体
(1)上に現像されたトナーは、転写紙(9)に転写さ
れるが、全部が転写されるわけではなく、感光体(1)
上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーはファ
ーブラシ(14)およびブレード(15)により、感光
体より除去される。クリーニングは、クリーニングブラ
シだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシに
はファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知の
ものが用いられる。電子写真感光体に正(負)帯電を施
し、画像露光を行なうと、感光体表面上には正(負)の
静電潜像が形成される。これを負(正)極性のトナー
(検電微粒子)で現像すれば、ポジ画像が得られるし、
また正(負)極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得
られる。かかる現像手段には、公知の方法を適用するこ
とができ、また、除電手段にも公知の方法が用いられ
る。
(1)上に現像されたトナーは、転写紙(9)に転写さ
れるが、全部が転写されるわけではなく、感光体(1)
上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーはファ
ーブラシ(14)およびブレード(15)により、感光
体より除去される。クリーニングは、クリーニングブラ
シだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシに
はファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知の
ものが用いられる。電子写真感光体に正(負)帯電を施
し、画像露光を行なうと、感光体表面上には正(負)の
静電潜像が形成される。これを負(正)極性のトナー
(検電微粒子)で現像すれば、ポジ画像が得られるし、
また正(負)極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得
られる。かかる現像手段には、公知の方法を適用するこ
とができ、また、除電手段にも公知の方法が用いられ
る。
【0123】図4には、本発明による電子写真プロセス
の別の例を示す。感光体(21)は導電性支持体上に特
定のX線回折スペクトルを与えるチタニルフタロシアニ
ンを含有する電荷発生層と移動度が前述の値を満足する
電荷輸送層が積層された感光層からなるものであり、駆
動ローラ(22a)、(22b)により駆動され、帯電
器(23)による帯電、光源(24)による像露光、現
像(図示せず)、帯電器(25)を用いる転写、光源
(26)によるクリーニング前露光、ブラシ(27)に
よるクリーニング、光源(28)による除電が繰り返し
行なわれる。図4においては、感光体(21)(勿論こ
の場合は支持体が透光性である)に支持体側よりクリー
ニング前露光の光照射が行なわれる。
の別の例を示す。感光体(21)は導電性支持体上に特
定のX線回折スペクトルを与えるチタニルフタロシアニ
ンを含有する電荷発生層と移動度が前述の値を満足する
電荷輸送層が積層された感光層からなるものであり、駆
動ローラ(22a)、(22b)により駆動され、帯電
器(23)による帯電、光源(24)による像露光、現
像(図示せず)、帯電器(25)を用いる転写、光源
(26)によるクリーニング前露光、ブラシ(27)に
よるクリーニング、光源(28)による除電が繰り返し
行なわれる。図4においては、感光体(21)(勿論こ
の場合は支持体が透光性である)に支持体側よりクリー
ニング前露光の光照射が行なわれる。
【0124】以上の図示した電子写真プロセスは、本発
明における実施形態を例示するものであって、もちろん
他の実施形態も可能である。例えば、図4において支持
体側よりクリーニング前露光を行なっているが、これは
感光層側から行なってもよいし、また、像露光、除電光
の照射を支持体側から行なってもよい。
明における実施形態を例示するものであって、もちろん
他の実施形態も可能である。例えば、図4において支持
体側よりクリーニング前露光を行なっているが、これは
感光層側から行なってもよいし、また、像露光、除電光
の照射を支持体側から行なってもよい。
【0125】一方、光照射工程は、像露光、クリーニン
グ前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露
光、像露光のプレ露光、およびその他公知の光照射工程
を設けて、感光体に光照射を行なうこともできる。
グ前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露
光、像露光のプレ露光、およびその他公知の光照射工程
を設けて、感光体に光照射を行なうこともできる。
【0126】以上に示すような本発明の画像形成手段
は、複写装置、ファクシミリ、プリンター内に固定して
組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形
でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカート
リッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手
段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段
を含んだ1つの装置(部品)である。プロセスカートリ
ッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として、
図5に示すものが挙げられる。この例において、感光体
(16)は、導電性支持体上に特定のX線回折スペクト
ルを与えるチタニルフタロシアニンを含有する電荷発生
層と移動度が前述の値を満足する電荷輸送層が積層され
た感光層からなるものである。
は、複写装置、ファクシミリ、プリンター内に固定して
組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形
でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカート
リッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手
段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段
を含んだ1つの装置(部品)である。プロセスカートリ
ッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として、
図5に示すものが挙げられる。この例において、感光体
(16)は、導電性支持体上に特定のX線回折スペクト
ルを与えるチタニルフタロシアニンを含有する電荷発生
層と移動度が前述の値を満足する電荷輸送層が積層され
た感光層からなるものである。
【0127】
【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて説明するが、
本発明が実施例により制約を受けるものではない。な
お、部はすべて重量部である。
本発明が実施例により制約を受けるものではない。な
お、部はすべて重量部である。
【0128】[チタニルフタロシアニンの合成]まず、
本発明におけるチタニルフタロシアニンの具体的な合成
例を述べる。 [合成例1〜6、及び比較合成例1、2]1,3−ジイ
ミノイソインドリン29.2gとスルホラン200ml
を混合し、窒素気流下でチタニウムテトラブトキシド2
0.4gを滴下する。滴下終了後、徐々に180℃まで
昇温し、反応温度を170℃〜180℃の間に保ちなが
ら5時間撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷し
た後析出物を濾過し、クロロホルムで粉体が青色になる
まで洗浄し、つぎにメタノールで数回洗浄し、さらに8
0℃の熱水で数回洗浄した後乾燥し、粗チタニルフタロ
シアニンを得た。粗チタニルフタロシアニンを20倍量
の濃硫酸に溶解し、100倍量の氷水に撹拌しながら滴
下し、析出した結晶を濾過、ついで洗浄液が中性になる
まで水洗を繰り返し、チタニルフタロシアニン顔料のウ
ェットケーキを得た。得られたウェットケーキ2gを表
7に示す有機溶媒20gに投入し、4時間撹拌を行なっ
た。これにメタノール100gを追加して、1時間撹拌
を行なった後、濾過を行ない、乾燥して、本発明のチタ
ニルフタロシアニン粉末を得た。
本発明におけるチタニルフタロシアニンの具体的な合成
例を述べる。 [合成例1〜6、及び比較合成例1、2]1,3−ジイ
ミノイソインドリン29.2gとスルホラン200ml
を混合し、窒素気流下でチタニウムテトラブトキシド2
0.4gを滴下する。滴下終了後、徐々に180℃まで
昇温し、反応温度を170℃〜180℃の間に保ちなが
ら5時間撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷し
た後析出物を濾過し、クロロホルムで粉体が青色になる
まで洗浄し、つぎにメタノールで数回洗浄し、さらに8
0℃の熱水で数回洗浄した後乾燥し、粗チタニルフタロ
シアニンを得た。粗チタニルフタロシアニンを20倍量
の濃硫酸に溶解し、100倍量の氷水に撹拌しながら滴
下し、析出した結晶を濾過、ついで洗浄液が中性になる
まで水洗を繰り返し、チタニルフタロシアニン顔料のウ
ェットケーキを得た。得られたウェットケーキ2gを表
7に示す有機溶媒20gに投入し、4時間撹拌を行なっ
た。これにメタノール100gを追加して、1時間撹拌
を行なった後、濾過を行ない、乾燥して、本発明のチタ
ニルフタロシアニン粉末を得た。
【0129】得られたチタニルフタロシアニン粉末を、
下記の条件によりX線回折スペクトル測定した。 X線管球:Cu、電圧:50kV、電流:30mA、走
査速度:2°/分、走査範囲:3°〜40°、時定数:
2秒
下記の条件によりX線回折スペクトル測定した。 X線管球:Cu、電圧:50kV、電流:30mA、走
査速度:2°/分、走査範囲:3°〜40°、時定数:
2秒
【0130】X線回折スペクトルから、最低角側のピー
ク位置及び28.6°のピーク強度の27.2°のピー
ク強度に対する割合を次のように求めた。まず、スペク
トルをベースライン補正を行ない、27.2°及び2
8.6°のピーク強度を求める。これを単純に比較して
百分率として割合を求めた。その結果を併せて表7に示
す。なお、得られたウェットケーキを乾燥したものと合
成例1〜6及び比較合成例1、2で作製された顔料のX
線回折スペクトルを図6〜図9に示す。合成例1〜6の
スペクトルはほとんど同一なもののため、合成例4で作
製した顔料のX線回折スペクトルを代表例として図7に
示す。
ク位置及び28.6°のピーク強度の27.2°のピー
ク強度に対する割合を次のように求めた。まず、スペク
トルをベースライン補正を行ない、27.2°及び2
8.6°のピーク強度を求める。これを単純に比較して
百分率として割合を求めた。その結果を併せて表7に示
す。なお、得られたウェットケーキを乾燥したものと合
成例1〜6及び比較合成例1、2で作製された顔料のX
線回折スペクトルを図6〜図9に示す。合成例1〜6の
スペクトルはほとんど同一なもののため、合成例4で作
製した顔料のX線回折スペクトルを代表例として図7に
示す。
【0131】
【表7】
【0132】[比較合成例3]特開平1−299874
号公報に記載の方法に準じて顔料を作製した。すなわ
ち、合成例1で作製したウェットケーキを乾燥し、乾燥
物1gをポリエチレングリコール50gに加え、100
gのガラスビーズと共にサンドミルを行なった。結晶転
移後、希硫酸、水酸化アンモニウム水溶液で順次洗浄
し、乾燥して顔料を得た。
号公報に記載の方法に準じて顔料を作製した。すなわ
ち、合成例1で作製したウェットケーキを乾燥し、乾燥
物1gをポリエチレングリコール50gに加え、100
gのガラスビーズと共にサンドミルを行なった。結晶転
移後、希硫酸、水酸化アンモニウム水溶液で順次洗浄
し、乾燥して顔料を得た。
【0133】[比較合成例4]特開平3−269064
号公報に記載の方法に準じて顔料を作製した。すなわ
ち、合成例1で作製したウェットケーキを乾燥し、乾燥
物1gをイオン交換水10gとモノクロルベンゼン1g
の混合溶媒中で1時間撹拌(50℃)した後、メタノー
ルとイオン交換水で洗浄し、乾燥して顔料を得た。
号公報に記載の方法に準じて顔料を作製した。すなわ
ち、合成例1で作製したウェットケーキを乾燥し、乾燥
物1gをイオン交換水10gとモノクロルベンゼン1g
の混合溶媒中で1時間撹拌(50℃)した後、メタノー
ルとイオン交換水で洗浄し、乾燥して顔料を得た。
【0134】[比較合成例5]特開平2−8256号公
報に記載の方法に準じて顔料を作製した。すなわち、フ
タロジニトリル9.8gと1−クロロナフタレン75m
lを撹拌混合し、窒素気流下で四塩化チタン2.2ml
を滴下する。滴下終了後、徐々に200℃まで昇温し、
反応温度を200℃〜220℃の間に保ちながら3時間
撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷し130℃
になったところ熱時濾過し、次いで、1−クロロナフタ
レンで粉体が青色になるまで洗浄し、つぎにメタノール
で数回洗浄し、さらに80℃の熱水で数回洗浄した後乾
燥し、顔料を得た。
報に記載の方法に準じて顔料を作製した。すなわち、フ
タロジニトリル9.8gと1−クロロナフタレン75m
lを撹拌混合し、窒素気流下で四塩化チタン2.2ml
を滴下する。滴下終了後、徐々に200℃まで昇温し、
反応温度を200℃〜220℃の間に保ちながら3時間
撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷し130℃
になったところ熱時濾過し、次いで、1−クロロナフタ
レンで粉体が青色になるまで洗浄し、つぎにメタノール
で数回洗浄し、さらに80℃の熱水で数回洗浄した後乾
燥し、顔料を得た。
【0135】[比較合成例6]特開昭64−17066
号公報に記載の方法に準じて顔料を作製した。すなわ
ち、α型TiOPc5部を食塩10g及びポリエチレン
グリコール5gと共にサンドグラインダーにて100
℃、10時間結晶変換処理を行なった。これをイオン交
換水及びメタノールで洗浄し、希硫酸水溶液で精製し、
イオン交換水で酸分がなくなるまで洗浄した後、乾燥し
て顔料を得た。
号公報に記載の方法に準じて顔料を作製した。すなわ
ち、α型TiOPc5部を食塩10g及びポリエチレン
グリコール5gと共にサンドグラインダーにて100
℃、10時間結晶変換処理を行なった。これをイオン交
換水及びメタノールで洗浄し、希硫酸水溶液で精製し、
イオン交換水で酸分がなくなるまで洗浄した後、乾燥し
て顔料を得た。
【0136】以上の比較合成例3〜6で作製した顔料は
前述と同様の方法でX線回折スペクトルを測定し、それ
ぞれの公報に記載のスペクトルと同様であることを確認
した。結果を表8に示す。
前述と同様の方法でX線回折スペクトルを測定し、それ
ぞれの公報に記載のスペクトルと同様であることを確認
した。結果を表8に示す。
【0137】
【表8】
【0138】[電荷輸送層に低分子電荷輸送物質と不活
性高分子とを含有する例] [実施例1〜6及び比較例1、2]電鋳ニッケル・ベル
ト上に下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層塗工液、
および電荷輸送層塗工液を、順次塗布・乾燥し、4μm
の中間層、0.3μmの電荷発生層、25μmの電荷輸
送層からなる電子写真感光体を形成した。
性高分子とを含有する例] [実施例1〜6及び比較例1、2]電鋳ニッケル・ベル
ト上に下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層塗工液、
および電荷輸送層塗工液を、順次塗布・乾燥し、4μm
の中間層、0.3μmの電荷発生層、25μmの電荷輸
送層からなる電子写真感光体を形成した。
【0139】 下引き層塗工液 二酸化チタン粉末 15部 ポリビニルブチラール 6部 2−ブタノン 150部
【0140】 電荷発生層塗工液 合成例1〜6及び比較合成例1、2で合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール 6部 メチルエチルケトン 600部 メチルエチルケトンにポリビニルブチラールを溶解し、
次いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングに
より分散を行なった。
次いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングに
より分散を行なった。
【0141】 電荷輸送層塗工液 A型ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 7部
【0142】
【化39】
【0143】[実施例7]実施例1における電荷輸送層
塗工液中の電荷輸送物質を以下のものに変更した以外は
実施例1と同様に電子写真感光体を作製した。
塗工液中の電荷輸送物質を以下のものに変更した以外は
実施例1と同様に電子写真感光体を作製した。
【0144】
【化40】
【0145】[実施例8]実施例1における電荷輸送層
塗工液中の電荷輸送物質を以下のものに変更した以外は
実施例1と同様に電子写真感光体を作製した。
塗工液中の電荷輸送物質を以下のものに変更した以外は
実施例1と同様に電子写真感光体を作製した。
【0146】
【化41】
【0147】[実施例9]実施例1における電荷輸送層
塗工液中の電荷輸送物質を以下のものに変更した以外は
実施例1と同様に電子写真感光体を作製した。
塗工液中の電荷輸送物質を以下のものに変更した以外は
実施例1と同様に電子写真感光体を作製した。
【0148】
【化42】
【0149】[実施例10]実施例1における電荷輸送
層塗工液中の電荷輸送物質を以下のものに変更した以外
は実施例1と同様に電子写真感光体を作製した。
層塗工液中の電荷輸送物質を以下のものに変更した以外
は実施例1と同様に電子写真感光体を作製した。
【0150】
【化43】
【0151】[実施例11]実施例1における電荷輸送
層塗工液中の電荷輸送物質を以下のものに変更した以外
は実施例1と同様に電子写真感光体を作製した。
層塗工液中の電荷輸送物質を以下のものに変更した以外
は実施例1と同様に電子写真感光体を作製した。
【0152】
【化44】
【0153】[比較例3〜8]実施例1〜6における電
荷輸送層塗工液中の電荷輸送物質を以下のものに変更し
た以外は実施例1〜6と同様に電子写真感光体を作製し
た。
荷輸送層塗工液中の電荷輸送物質を以下のものに変更し
た以外は実施例1〜6と同様に電子写真感光体を作製し
た。
【0154】
【化45】
【0155】実施例1〜11及び比較例1〜8で作製し
た電子写真感光体を図4に示す電子写真プロセス(ただ
し、クリーニング前露光はなし)に装着し、画像露光光
源を780nmの半導体レーザー(ポリゴン・ミラーに
よる画像書き込み)として、現像直前の感光体の表面電
位が測定できるように表面電位計のプローブを挿入し
た。連続して1万枚の印刷を行ない、そのときの画像露
光部と画像非露光部の表面電位を初期と1万枚後に測定
した。結果を表9に示す。なお、各感光体に使用した電
荷輸送層と同じ組成の移動度測定用の試料を作製し、画
像非露光部に相当する電界強度のときの移動度(cm2
/Vsec)を測定した。この結果も併せて表9に示
す。
た電子写真感光体を図4に示す電子写真プロセス(ただ
し、クリーニング前露光はなし)に装着し、画像露光光
源を780nmの半導体レーザー(ポリゴン・ミラーに
よる画像書き込み)として、現像直前の感光体の表面電
位が測定できるように表面電位計のプローブを挿入し
た。連続して1万枚の印刷を行ない、そのときの画像露
光部と画像非露光部の表面電位を初期と1万枚後に測定
した。結果を表9に示す。なお、各感光体に使用した電
荷輸送層と同じ組成の移動度測定用の試料を作製し、画
像非露光部に相当する電界強度のときの移動度(cm2
/Vsec)を測定した。この結果も併せて表9に示
す。
【0156】
【表9】
【0157】表9より、実施例1〜6の電子写真感光体
は繰り返し使用後にも、安定した表面電位を維持してい
ることがわかる。
は繰り返し使用後にも、安定した表面電位を維持してい
ることがわかる。
【0158】[実施例12及び比較例9、10]アルミ
ニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗工液、電荷
発生層塗工液、および電荷輸送層塗工液を順次塗布・乾
燥し、3.5μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、
28μmの電荷輸送層からなる電子写真感光体を形成し
た。
ニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗工液、電荷
発生層塗工液、および電荷輸送層塗工液を順次塗布・乾
燥し、3.5μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、
28μmの電荷輸送層からなる電子写真感光体を形成し
た。
【0159】 下引き層塗工液 二酸化チタン粉末 400部 メラミン樹脂 65部 アルキッド樹脂 120部 2−ブタノン 400部
【0160】 電荷発生層塗工液 合成例1及び比較合成例3、4で合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール 10部 酢酸n−プロピル 600部 酢酸n−プロピルにポリビニルブチラールを溶解し、次
いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングによ
り分散を行なった。
いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングによ
り分散を行なった。
【0161】 電荷輸送層塗工液 Z型ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 7部
【0162】
【化46】
【0163】[実施例13]実施例12における電荷輸
送層塗工液を以下の組成のものに変更した以外は実施例
12と同様に電子写真感光体を作製した。
送層塗工液を以下の組成のものに変更した以外は実施例
12と同様に電子写真感光体を作製した。
【0164】 電荷輸送層塗工液 Z型ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 8部
【0165】
【化47】
【0166】[実施例14]実施例12における電荷輸
送層塗工液を以下の組成のものに変更した以外は実施例
12と同様に電子写真感光体を作製した。
送層塗工液を以下の組成のものに変更した以外は実施例
12と同様に電子写真感光体を作製した。
【0167】 電荷輸送層塗工液 Z型ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 10部
【0168】
【化48】
【0169】上記の実施例12〜14及び比較例9、1
0の各電子写真感光体を図4に示す電子写真プロセスに
装着し(ただし、画像露光光源を780nmに発光を持
つLDとした)、連続して1万枚の印刷を行ない、その
ときの画像を初期と1万枚後に評価した。結果を表10
に示す。
0の各電子写真感光体を図4に示す電子写真プロセスに
装着し(ただし、画像露光光源を780nmに発光を持
つLDとした)、連続して1万枚の印刷を行ない、その
ときの画像を初期と1万枚後に評価した。結果を表10
に示す。
【0170】
【表10】
【0171】表10から実施例12、13の電子写真感
光体は繰り返し使用後にも、良好な画像を維持している
ことがわかる。また、実施例14の感光体は特に問題に
ならない範囲であるが、実施例12、13の感光体に比
べると、繰り返し使用後の画像がやや劣ることがわか
る。
光体は繰り返し使用後にも、良好な画像を維持している
ことがわかる。また、実施例14の感光体は特に問題に
ならない範囲であるが、実施例12、13の感光体に比
べると、繰り返し使用後の画像がやや劣ることがわか
る。
【0172】[実施例15]アルミニウムシリンダー表
面を陽極酸化処理した後、封孔処理を行なった。この上
に下記電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を順次塗布
・乾燥し、各々0.2μmの電荷発生層、20μmの電
荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作製し
た。
面を陽極酸化処理した後、封孔処理を行なった。この上
に下記電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を順次塗布
・乾燥し、各々0.2μmの電荷発生層、20μmの電
荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作製し
た。
【0173】 電荷発生層塗工液 合成例4で合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール 10部 酢酸n−ブチル 600部 酢酸n−ブチルにポリビニルブチラールを溶解し、次い
でそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより
分散を行なった。
でそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより
分散を行なった。
【0174】 電荷輸送層塗工液 ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 7部
【0175】
【化49】
【0176】[実施例16]実施例15における電荷輸
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
【0177】 電荷輸送層塗工液 ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 7部
【0178】
【化50】
【0179】[実施例17]実施例15における電荷輸
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
【0180】 電荷輸送層塗工液 ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 7部
【0181】
【化51】
【0182】[実施例18]実施例15における電荷輸
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
【0183】 電荷輸送層塗工液 ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 7部
【0184】
【化52】
【0185】[実施例19]実施例15における電荷輸
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
【0186】 電荷輸送層塗工液 ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 7部
【0187】
【化53】
【0188】[実施例20]実施例15における電荷輸
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
【0189】 電荷輸送層塗工液 ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 7部
【0190】
【化54】
【0191】[比較例11]実施例15における電荷発
生層を以下のものに変更した以外は実施例15と同様に
電子写真感光体を作製した。
生層を以下のものに変更した以外は実施例15と同様に
電子写真感光体を作製した。
【0192】 電荷発生層塗工液 比較合成例5で合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール 10部 酢酸n−ブチル 600部 酢酸n−ブチルにポリビニルブチラールを溶解し、次い
でそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより
分散を行なった。
でそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより
分散を行なった。
【0193】[比較例12]実施例15における電荷発
生層を以下のものに変更した以外は実施例15と同様に
電子写真感光体を作製した。
生層を以下のものに変更した以外は実施例15と同様に
電子写真感光体を作製した。
【0194】 電荷発生層塗工液 比較合成例6で合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール 10部 酢酸n−ブチル 600部 酢酸n−ブチルにポリビニルブチラールを溶解し、次い
でそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより
分散を行なった。
でそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより
分散を行なった。
【0195】[比較例13]実施例15における電荷輸
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
【0196】 電荷輸送層塗工液 ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 7部
【0197】
【化55】
【0198】[比較例14]実施例15における電荷輸
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
送層塗工液を以下のものに変更した以外は実施例15と
同様に電子写真感光体を作製した。
【0199】 電荷輸送層塗工液 ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 7部
【0200】
【化56】 実施例15〜20及び比較例11〜14で作製した電子
写真感光体を図6に示す電子写真用プロセスカートリッ
ジに装着した後、画像形成装置に搭載した。ただし、画
像露光光源を780nmの半導体レーザー(ポリゴン・
ミラーによる画像書き込み)として、現像直前の感光体
の表面電位が測定できるように表面電位計のプローブを
挿入した。連続して1万枚の印刷を行ない、そのときの
画像露光部と画像非露光部の表面電位を初期と1万枚後
に測定した。また、実施例1の場合と同様に、電荷輸送
層の移動度を測定した。結果を表11に示す。
写真感光体を図6に示す電子写真用プロセスカートリッ
ジに装着した後、画像形成装置に搭載した。ただし、画
像露光光源を780nmの半導体レーザー(ポリゴン・
ミラーによる画像書き込み)として、現像直前の感光体
の表面電位が測定できるように表面電位計のプローブを
挿入した。連続して1万枚の印刷を行ない、そのときの
画像露光部と画像非露光部の表面電位を初期と1万枚後
に測定した。また、実施例1の場合と同様に、電荷輸送
層の移動度を測定した。結果を表11に示す。
【0201】
【表11】
【0202】表11から、実施例15〜20の電子写真
感光体は繰り返し使用後にも、安定した表面電位を維持
していることがわかる。
感光体は繰り返し使用後にも、安定した表面電位を維持
していることがわかる。
【0203】[電荷輸送層に高分子電荷輸送物質を含有
する例] [実施例21〜26及び比較例15、16]電鋳ニッケ
ル・ベルト上に下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層
塗工液、および電荷輸送層塗工液を、順次塗布・乾燥
し、4μmの中間層、0.3μmの電荷発生層、25μ
mの電荷輸送層からなる電子写真感光体を形成した。
する例] [実施例21〜26及び比較例15、16]電鋳ニッケ
ル・ベルト上に下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層
塗工液、および電荷輸送層塗工液を、順次塗布・乾燥
し、4μmの中間層、0.3μmの電荷発生層、25μ
mの電荷輸送層からなる電子写真感光体を形成した。
【0204】 下引き層塗工液 二酸化チタン粉末 15部 ポリビニルブチラール 6部 2−ブタノン 150部
【0205】 電荷発生層塗工液 合成例1〜6及び比較合成例1、2で合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール 6部 メチルエチルケトン 600部 メチルエチルケトンにポリビニルブチラールを溶解し、
次いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングに
より分散を行なった。
次いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングに
より分散を行なった。
【0206】 電荷輸送層塗工液 塩化メチレン 100部 下記構造式の高分子電荷輸送物質 10部
【0207】
【化57】
【0208】[実施例27]実施例21における電荷輸
送層塗工液中の高分子電荷輸送物質を以下のものに変更
した以外は実施例21と同様に電子写真感光体を作製し
た。
送層塗工液中の高分子電荷輸送物質を以下のものに変更
した以外は実施例21と同様に電子写真感光体を作製し
た。
【0209】
【化58】
【0210】[実施例28]実施例21における電荷輸
送層塗工液中の高分子電荷輸送物質を以下のものに変更
した以外は実施例21と同様に電子写真感光体を作製し
た。
送層塗工液中の高分子電荷輸送物質を以下のものに変更
した以外は実施例21と同様に電子写真感光体を作製し
た。
【0211】
【化59】
【0212】[比較例15、16]実施例21における
電荷輸送層塗工液中の高分子電荷輸送物質を比較合成例
1、比較合成例2のものに変更した以外は実施例21と
同様に電子写真感光体を作製した。
電荷輸送層塗工液中の高分子電荷輸送物質を比較合成例
1、比較合成例2のものに変更した以外は実施例21と
同様に電子写真感光体を作製した。
【0213】実施例21〜28及び比較例15、16で
作製した電子写真感光体を図4に示す電子写真プロセス
(ただし、クリーニング前露光はなし)に装着し、画像
露光光源を780nmの半導体レーザー(ポリゴン・ミ
ラーによる画像書き込み)として、現像直前の感光体の
表面電位が測定できるように表面電位計のプローブを挿
入した。連続して3万枚の印刷を行ない、そのときの画
像露光部と画像非露光部の表面電位を初期と3万枚後に
測定した。結果を表12に示す。なお、各感光体に使用
した電荷輸送層と同じ組成の移動度測定用の試料を作製
し、電界強度5×105(V/cm)のときの移動度
(cm2/Vsec)を測定した。この結果も併せて表
12に示す。
作製した電子写真感光体を図4に示す電子写真プロセス
(ただし、クリーニング前露光はなし)に装着し、画像
露光光源を780nmの半導体レーザー(ポリゴン・ミ
ラーによる画像書き込み)として、現像直前の感光体の
表面電位が測定できるように表面電位計のプローブを挿
入した。連続して3万枚の印刷を行ない、そのときの画
像露光部と画像非露光部の表面電位を初期と3万枚後に
測定した。結果を表12に示す。なお、各感光体に使用
した電荷輸送層と同じ組成の移動度測定用の試料を作製
し、電界強度5×105(V/cm)のときの移動度
(cm2/Vsec)を測定した。この結果も併せて表
12に示す。
【0214】
【表12】
【0215】表12より、実施例21〜28の電子写真
感光体は繰り返し使用後にも、安定した表面電位を維持
していることがわかる。
感光体は繰り返し使用後にも、安定した表面電位を維持
していることがわかる。
【0216】[実施例29及び比較例17、18]アル
ミニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗工液、電
荷発生層塗工液、および電荷輸送層塗工液を順次塗布・
乾燥し、3.5μmの中間層、0.2μmの電荷発生
層、28μmの電荷輸送層からなる電子写真感光体を形
成した。
ミニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗工液、電
荷発生層塗工液、および電荷輸送層塗工液を順次塗布・
乾燥し、3.5μmの中間層、0.2μmの電荷発生
層、28μmの電荷輸送層からなる電子写真感光体を形
成した。
【0217】 下引き層塗工液 二酸化チタン粉末 400部 メラミン樹脂 65部 アルキッド樹脂 120部 2−ブタノン 400部
【0218】 電荷発生層塗工液 合成例3及び比較合成例3、4で合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール 10部 酢酸n−プロピル 600部 酢酸n−プロピルにポリビニルブチラールを溶解し、次
いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングによ
り分散を行なった。
いでそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングによ
り分散を行なった。
【0219】 電荷輸送層塗工液 塩化メチレン 100部 下記構造式の高分子電荷輸送物質 10部
【0220】
【化60】
【0221】[実施例30]実施例29における電荷輸
送層塗工液中の高分子電荷輸送物質を以下のものに変更
した以外は実施例29と同様に電子写真感光体を作製し
た。
送層塗工液中の高分子電荷輸送物質を以下のものに変更
した以外は実施例29と同様に電子写真感光体を作製し
た。
【0222】
【化61】
【0223】[比較例19]実施例29における電荷輸
送層塗工液を以下の組成のものに変更した以外は実施例
29と同様に電子写真感光体を作製した。
送層塗工液を以下の組成のものに変更した以外は実施例
29と同様に電子写真感光体を作製した。
【0224】 電荷輸送層塗工液 A型ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 10部
【0225】
【化62】
【0226】上記の実施例29、30及び比較例17〜
19の各電子写真感光体を図4に示す電子写真プロセス
に装着し(ただし、画像露光光源を780nmに発光を
持つLDとした)、連続して5万枚の印刷を行ない、そ
のときの画像を初期と5万枚後に評価した。結果を表1
3に示す。
19の各電子写真感光体を図4に示す電子写真プロセス
に装着し(ただし、画像露光光源を780nmに発光を
持つLDとした)、連続して5万枚の印刷を行ない、そ
のときの画像を初期と5万枚後に評価した。結果を表1
3に示す。
【0227】
【表13】
【0228】表13から実施例29、30の電子写真感
光体は繰り返し使用後にも、良好な画像を維持している
ことがわかる。また、実施例29及び比較例19の感光
体の10万枚の印刷による電荷輸送層の膜厚変化も調べ
たが、実施例29の感光体に比べ、比較例19の感光体
は約2倍程度摩耗量が大きかった。
光体は繰り返し使用後にも、良好な画像を維持している
ことがわかる。また、実施例29及び比較例19の感光
体の10万枚の印刷による電荷輸送層の膜厚変化も調べ
たが、実施例29の感光体に比べ、比較例19の感光体
は約2倍程度摩耗量が大きかった。
【0229】[実施例31]アルミニウムシリンダー表
面を陽極酸化処理した後、封孔処理を行なった。この上
に下記電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を順次塗布
・乾燥し、各々0.2μmの電荷発生層、20μmの電
荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作製し
た。
面を陽極酸化処理した後、封孔処理を行なった。この上
に下記電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を順次塗布
・乾燥し、各々0.2μmの電荷発生層、20μmの電
荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作製し
た。
【0230】 電荷発生層塗工液 合成例4で合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール 10部 酢酸n−ブチル 600部 酢酸n−ブチルにポリビニルブチラールを溶解し、次い
でそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより
分散を行なった。
でそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより
分散を行なった。
【0231】 電荷輸送層塗工液 塩化メチレン 100部 下記構造式の高分子電荷輸送物質 10部
【0232】
【化63】
【0233】[実施例32]実施例31における電荷輸
送層塗工液中の高分子電荷輸送物質を以下のものに変更
した以外は実施例31と同様に電子写真感光体を作製し
た。
送層塗工液中の高分子電荷輸送物質を以下のものに変更
した以外は実施例31と同様に電子写真感光体を作製し
た。
【0234】
【化64】
【0235】[実施例33]実施例31における電荷輸
送層塗工液中の高分子電荷輸送物質を以下のものに変更
した以外は実施例31と同様に電子写真感光体を作製し
た。
送層塗工液中の高分子電荷輸送物質を以下のものに変更
した以外は実施例31と同様に電子写真感光体を作製し
た。
【0236】
【化65】
【0237】[比較例20]実施例31における電荷発
生層を以下のものに変更した以外は実施例31と同様に
電子写真感光体を作製した。
生層を以下のものに変更した以外は実施例31と同様に
電子写真感光体を作製した。
【0238】 電荷発生層塗工液 比較合成例5で合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール 10部 酢酸n−ブチル 600部 酢酸n−ブチルにポリビニルブチラールを溶解し、次い
でそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより
分散を行なった。
でそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより
分散を行なった。
【0239】[比較例21]実施例31における電荷発
生層を以下のものに変更した以外は実施例31と同様に
電子写真感光体を作製した。
生層を以下のものに変更した以外は実施例31と同様に
電子写真感光体を作製した。
【0240】 電荷発生層塗工液 比較合成例6で合成した顔料 15部 ポリビニルブチラール 10部 酢酸n−ブチル 600部 酢酸n−ブチルにポリビニルブチラールを溶解し、次い
でそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより
分散を行なった。
でそれぞれ合成した顔料を加え、ビーズミリングにより
分散を行なった。
【0241】実施例31〜33及び比較例20、21で
作製した電子写真感光体を図6に示す電子写真用プロセ
スカートリッジに装着した後、画像形成装置に搭載し
た。ただし、画像露光光源を780nmの半導体レーザ
ー(ポリゴン・ミラーによる画像書き込み)として、現
像直前の感光体の表面電位が測定できるように表面電位
計のプローブを挿入した。連続して3万枚の印刷を行な
い、そのときの画像露光部と画像非露光部の表面電位を
初期と3万枚後に測定した。なお、各感光体に使用した
電荷輸送層と同じ組成の移動度測定用の試料を作製し、
画像非露光部に相当する電界強度のときの移動度(cm
2/Vsec)を測定した。結果を併せて表14に示
す。
作製した電子写真感光体を図6に示す電子写真用プロセ
スカートリッジに装着した後、画像形成装置に搭載し
た。ただし、画像露光光源を780nmの半導体レーザ
ー(ポリゴン・ミラーによる画像書き込み)として、現
像直前の感光体の表面電位が測定できるように表面電位
計のプローブを挿入した。連続して3万枚の印刷を行な
い、そのときの画像露光部と画像非露光部の表面電位を
初期と3万枚後に測定した。なお、各感光体に使用した
電荷輸送層と同じ組成の移動度測定用の試料を作製し、
画像非露光部に相当する電界強度のときの移動度(cm
2/Vsec)を測定した。結果を併せて表14に示
す。
【0242】
【表14】
【0243】表14から、実施例31、32の電子写真
感光体は繰り返し使用後にも、安定した表面電位を維持
していることがわかる。
感光体は繰り返し使用後にも、安定した表面電位を維持
していることがわかる。
【0244】
【発明の効果】以上、詳細且つ具体的な説明から明らか
なように、本発明によれば、特定のX線回折スペクトル
をを与えるチタニルフタロシアニンを用い、且つ低分子
電荷輸送物質と不活性高分子とを含有する電荷輸送層の
移動度が電界強度5×105(V/cm)のときに1×
10-5(cm/Vsec)以上であることによって、こ
れを使用した感光体において、高感度を失うことなく、
繰り返し使用によっても帯電性の低下と残留電位の上昇
を生じない安定な電子写真感光体が提供される。また、
特定のX線回折スペクトルを与えるチタニルフタロシア
ニンを含有する電荷発生層と、高分子電荷輸送物質を含
有する電荷輸送層を用いることによって、高感度を失う
ことなく、繰り返し使用によっても帯電性の低下と残留
電位の上昇を生じない安定で高耐摩耗性の電子写真感光
体が提供される。さらに、前述の感光体を用いることに
より、高感度を失うことなく繰り返し使用によっても帯
電性の低下と残留電位の上昇を生じない安定な電子写真
方法が提供される。更にまた、高感度を失うことなく繰
り返し使用によっても帯電性の低下と残留電位の上昇を
生じない安定な電子写真装置および電子写真装置用プロ
セスカートリッジが提供される。
なように、本発明によれば、特定のX線回折スペクトル
をを与えるチタニルフタロシアニンを用い、且つ低分子
電荷輸送物質と不活性高分子とを含有する電荷輸送層の
移動度が電界強度5×105(V/cm)のときに1×
10-5(cm/Vsec)以上であることによって、こ
れを使用した感光体において、高感度を失うことなく、
繰り返し使用によっても帯電性の低下と残留電位の上昇
を生じない安定な電子写真感光体が提供される。また、
特定のX線回折スペクトルを与えるチタニルフタロシア
ニンを含有する電荷発生層と、高分子電荷輸送物質を含
有する電荷輸送層を用いることによって、高感度を失う
ことなく、繰り返し使用によっても帯電性の低下と残留
電位の上昇を生じない安定で高耐摩耗性の電子写真感光
体が提供される。さらに、前述の感光体を用いることに
より、高感度を失うことなく繰り返し使用によっても帯
電性の低下と残留電位の上昇を生じない安定な電子写真
方法が提供される。更にまた、高感度を失うことなく繰
り返し使用によっても帯電性の低下と残留電位の上昇を
生じない安定な電子写真装置および電子写真装置用プロ
セスカートリッジが提供される。
【図1】本発明の電子写真感光体の構成例を示す断面図
である。
である。
【図2】本発明の電子写真感光体の別の構成例を示す断
面図である。
面図である。
【図3】本発明の電子写真プロセスおよび電子写真装置
を説明するための概略図である。
を説明するための概略図である。
【図4】本発明による電子写真プロセスの別の例を示す
概略図である。
概略図である。
【図5】本発明のプロセスカートリッジを示す図であ
る。
る。
【図6】ウェットケーキ乾燥品のX線回折スペクトルを
示す図である。
示す図である。
【図7】合成例4で作製した顔料のX線回折スペクトル
を示す図である。
を示す図である。
【図8】比較合成例1で作製した顔料のX線回折スペク
トルを示す図である。
トルを示す図である。
【図9】比較合成例2で作製した顔料のX線回折スペク
トルを示す図である。
トルを示す図である。
1 感光体 2 除電ランプ 3 帯電チャージャ 4 イレーサ 5 画像露光部 6 現像ユニット 7 転写前チャージャ 8 レジストローラ 9 転写紙 10 転写チャージャ 11 分離チャージャ 12 分離爪 13 クリーニング前チャージャ 14 ファーブラシ 15 クリーニングブラシ 16 感光体 17 帯電チャージャ 18 クリーニングブラシ 19 画像露光部 20 現像ローラ 21 感光体 22a 駆動ローラ 22b 駆動ローラ 23 帯電チャージャ 24 像露光源 25 転写チャージャ 26 クリーニング前露光 27 クリーニングブラシ 28 除電光源 31 導電性支持体 35 電荷発生層 37 電荷輸送層
Claims (18)
- 【請求項1】 導電性支持体上に少なくとも電荷発生物
質を含有する電荷発生層と低分子電荷輸送物質と不活性
高分子を含有する電荷輸送層を設けた電子写真感光体に
おいて、該電荷発生層がCuKαの特性X線(波長1.
514Å)に対するブラッグ角2θの回折ピーク(±
0.2°)として、少なくとも27.2°に最大回折ピ
ークを有し、且つ最も低角側の回折ピークとして7.3
°にピークを有するチタニルフタロシアニンを含有し、
且つ、該電子写真感光体の実使用時における画像光書き
込み時の電界強度における該電荷輸送層の移動度が1×
10-5(cm/Vsec)以上であることを特徴とする
電子写真感光体。 - 【請求項2】 前記チタニルフタロシアニンの9.4°
より低角側の領域における回折ピークが7.3°である
ことを特徴とする請求項1に記載の電子写真感光体。 - 【請求項3】 前記チタニルフタロシアニンが、7.4
〜9.4°の範囲にピークを有さないことを特徴とする
請求項1又は2に記載の電子写真感光体。 - 【請求項4】 前記チタニルフタロシアニンが、28.
6°にも同時にピークを有する場合、その強度が27.
2°の強度の20%未満であることを特徴とする請求項
1乃至3のいずれかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項5】 前記チタニルフタロシアニンが、ハロゲ
ン化チタンを用いずに合成されたものであることを特徴
とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電子写真感光
体。 - 【請求項6】 前記低分子の電荷輸送物質が下記一般式
(I)で表わされる化合物であることを特徴とする請求
項1乃至5のいずれかに記載の電子写真感光体。 【化1】 (式中、R1、R2、R3及びR4は水素原子、置換もしく
は無置換の低級アルキル基、置換もしくは無置換のアリ
ール基を表わし、Ar1は置換又は無置換のアリール基
を表わし、Ar2は置換もしくは無置換のアリーレン基
を表わし、R1とAr1は共同で環を形成してもよく、ま
たkは0又は1の整数である。) - 【請求項7】 前記低分子の電荷輸送物質が下記一般式
(II)で表わされる化合物であることを特徴とする請求
項1乃至5のいずれかに記載の電子写真感光体。 【化2】 (式中、R5は低級アルキル基、低級アルコキシ基又は
ハロゲン原子を表わし、lは0〜4の整数を表わし、R
6、R7は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わ
す。) - 【請求項8】 前記低分子の電荷輸送物質が下記一般式
(III)で表わされる化合物であることを特徴とする請
求項1乃至5のいずれかに記載の電子写真感光体。 【化3】 (式中、R8、R9及びR10は、水素原子、アミノ基、ア
ルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メ
チレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、
ハロゲン原子、又は置換もしくは無置換のアリール基を
表わす。mは1〜3の整数を表わす。) - 【請求項9】 前記低分子の電荷輸送物質が下記一般式
(IV)で表わされる化合物であることを特徴とする請
求項1乃至5のいずれかに記載の電子写真感光体。 【化4】 (式中、A1、A2は置換もしくは無置換のアルキル基又
は置換もしくは無置換のアリール基を表わし、それぞれ
同一でも異なっていてもよい。Ar3は置換又は無置換
の縮合多環式炭化水素を表わす。) - 【請求項10】 前記低分子の電荷輸送物質が下記一般
式(V)で表わされる化合物であることを特徴とする請
求項1乃至5のいずれかに記載の電子写真感光体。 【化5】 (式中、Ar4は芳香族基、R11は水素原子、置換もし
くは無置換のアルキル基又はアリール基を表わす。pは
0又は1、qは1又は2であって、p=0、q=1の場
合、Ar4とR11は共同で環を形成してもよい。) - 【請求項11】 前記低分子の電荷輸送物質が下記一般
式(VI)で表わされる化合物であることを特徴とする
請求項1乃至5のいずれかに記載の電子写真感光体。 【化6】 (式中、R12、R13は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、置換もしくは無置換のアルキル基等、R
14、R15は水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル
基、置換もしくは無置換のアルキル基、R16は水素原
子、低級アルキル基又はアルコキシ基を表わす。Wは水
素原子、置換もしくは無置換のアルキル基等、rは1〜
5の整数、sは1〜4の整数、tは0〜2の整数、uは
1〜3の整数、vは1〜2の整数を表わす。) - 【請求項12】 前記電荷輸送層における低分子の電荷
輸送物質濃度が45wt%以下であることを特徴とする
請求項1乃至11のいずれかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項13】 前記不活性高分子がポリカーボネート
であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに
記載の電子写真感光体。 - 【請求項14】 導電性支持体上に少なくとも電荷発生
物質を含有する電荷発生層と高分子電荷輸送物質を含有
する電荷輸送層を設けた電子写真感光体において、該電
荷発生層がCuKαの特性X線(波長1.514Å)に
対するブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2°)とし
て、少なくとも27.2°に最大回折ピークを有し、且
つ最も低角側の回折ピークとして7.3°にピークを有
するチタニルフタロシアニンを含有し、且つ、該電子写
真感光体の実使用時における画像光書き込み時の電界強
度における該電荷輸送層の移動度が1×10-5(cm/
Vsec)以上であることを特徴とする電子写真感光
体。 - 【請求項15】 前記電子写真感光体の電荷輸送層に含
有される高分子電荷輸送物質が、少なくともトリアリー
ルアミン構造を主鎖及び/又は側鎖に含むポリカーボネ
ートであることを特徴とする請求項14に記載の電子写
真感光体。 - 【請求項16】 電子写真感光体に、少なくとも帯電、
画像露光、現像、転写、クリーニング、除電を繰り返し
行なう電子写真方法において、該電子写真感光体が請求
項1乃至15のいずれかに記載の電子写真感光体である
ことを特徴とする電子写真方法。 - 【請求項17】 少なくとも帯電手段、画像露光手段、
現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段およ
び電子写真感光体を具備してなる電子写真装置であっ
て、該電子写真感光体が請求項1乃至15のいずれかに
記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真
装置。 - 【請求項18】 少なくとも電子写真感光体を具備して
なる電子写真装置用プロセスカートリッジであって、該
電子写真感光体が請求項1乃至15のいずれかに記載の
電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置用
プロセスカートリッジ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29914599A JP2001117249A (ja) | 1999-10-21 | 1999-10-21 | 電子写真感光体及び電子写真方法、電子写真装置ならびに電子写真装置用プロセスカートリッジ |
| US09/566,958 US7186490B1 (en) | 1999-05-06 | 2000-05-08 | Photosensitive material, electrophotographic photoreceptor using the material, and electrophotographic image forming method and apparatus using the photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29914599A JP2001117249A (ja) | 1999-10-21 | 1999-10-21 | 電子写真感光体及び電子写真方法、電子写真装置ならびに電子写真装置用プロセスカートリッジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001117249A true JP2001117249A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=17868717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29914599A Pending JP2001117249A (ja) | 1999-05-06 | 1999-10-21 | 電子写真感光体及び電子写真方法、電子写真装置ならびに電子写真装置用プロセスカートリッジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001117249A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006251418A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2006259018A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| US7419751B2 (en) | 2002-06-13 | 2008-09-02 | Ricoh Company, Ltd. | Titanylphthalocyanine crystal and method of producing the titanylphthalocyanine crystal, and electrophotographic photoreceptor, method, apparatus and process cartridge using the titanylphthalocyanine crystal |
-
1999
- 1999-10-21 JP JP29914599A patent/JP2001117249A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7419751B2 (en) | 2002-06-13 | 2008-09-02 | Ricoh Company, Ltd. | Titanylphthalocyanine crystal and method of producing the titanylphthalocyanine crystal, and electrophotographic photoreceptor, method, apparatus and process cartridge using the titanylphthalocyanine crystal |
| JP2006251418A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2006259018A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置及び画像形成方法 |
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