JP2001116942A - Manufacturing method of optical waveguide - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光導波路の製造工程が複雑化すること
なく、ボイドの発生を防止でき、しかも各成膜層の残留
内部応力を除去して信号光の損失を低くすることが可能
な光導波路の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板の表面にコア層を直接、またはバ
ッファ層を介して成膜し、該コア層を所望のコア形状に
パターニングし、その上部にクラッド層を成膜した後、
各層の成膜温度よりも高い温度及び圧力による加熱・加
圧処理をクラッド層が表面に露出した状態で施す、また
は、基板表面部またはその上部に積層したバッファ層表
面部に所望のコア形状をなすように凹部を形成し、凹部
にコアを成膜した後、コアの成膜温度よりも高い温度及
び圧力による加熱・加圧処理をコアが表面に露出した状
態で施し、その上部にクラッド層を成膜することで、保
護膜とクラッド層との間の熱応力の発生を防止でき、か
つ工程も簡略化できる。
(57) [PROBLEMS] To prevent the generation of voids without complicating the manufacturing process of an optical waveguide, and to reduce the loss of signal light by removing the residual internal stress of each film formation layer. A possible method for manufacturing an optical waveguide is provided. SOLUTION: After forming a core layer directly or via a buffer layer on the surface of a substrate, patterning the core layer into a desired core shape, and forming a cladding layer thereon,
Heat / pressure treatment at a temperature and pressure higher than the film formation temperature of each layer is performed in a state where the clad layer is exposed on the surface, or a desired core shape is formed on the surface of the substrate or the surface of the buffer layer laminated thereon. After forming a concave portion to form a core and forming a core in the concave portion, a heating and pressing treatment at a temperature and pressure higher than the film forming temperature of the core is performed in a state where the core is exposed on the surface, and a cladding layer is formed on the upper portion thereof Is formed, the occurrence of thermal stress between the protective film and the cladding layer can be prevented, and the process can be simplified.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光通信など
に於て、信号光を伝送するデバイスに適用される光導波
路の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical waveguide applied to a device for transmitting signal light in, for example, optical communication.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来から、光通信等に用いられる平面光
波回路(PLC)として、所謂光スターカプラなどの光
導波路が例えば分岐器として用いられている。この光導
波路は、埋込み導波路構造でステップインデックス型屈
折率分布を有しているものが一般的である。2. Description of the Related Art Conventionally, as a planar lightwave circuit (PLC) used for optical communication or the like, an optical waveguide such as a so-called optical star coupler has been used as a branching device, for example. This optical waveguide is generally a buried waveguide structure having a step index type refractive index distribution.
【0003】このような光導波路は、石英あるいはシリ
コンウェーハ等からなる基板上にバッファ層(または下
部クラッド層)とコアと上部クラッド層とを備えてい
る。Such an optical waveguide includes a buffer layer (or lower cladding layer), a core, and an upper cladding layer on a substrate made of quartz or silicon wafer or the like.
【0004】光導波路を製造するには、まず、基板の表
面に、各種成膜法によりSiO2 を主成分とする低屈折
率のバッファ層及び高屈折率のコア層を成膜し、コア層
の表面にフォトレジストによって所定の導波路パターン
を形成したのち、RIE(Reactive Ion
Etching)などのエッチングを行うことにより、
所定パターンの導波路コアを成形する。その後、SiO
2 を主成分とする低屈折率の上部クラッド層を成膜す
る。最後にダイシング装置によって所定形状に切断す
る。そして、光の入出力端面を研磨することにより各光
導波路が完成する。To manufacture an optical waveguide, first, a low refractive index buffer layer mainly composed of SiO 2 and a high refractive index core layer are formed on the surface of a substrate by various film forming methods. After a predetermined waveguide pattern is formed on the surface of the substrate by a photoresist, RIE (Reactive Ion) is performed.
Etching), etc.,
A waveguide core having a predetermined pattern is formed. After that, the SiO
An upper cladding layer having a low refractive index and containing 2 as a main component is formed. Finally, it is cut into a predetermined shape by a dicing device. Each optical waveguide is completed by polishing the light input / output end face.
【0005】コアを形成する際には、その屈折率を、バ
ッファ層及び上部クラッド層の屈折率より0.2%〜
0.8%程度高くするため、成膜時に屈折率を高めるド
ープ剤を添加するか、あるいはバッファ層及び上部クラ
ッド層を形成する際に、それらの屈折率を下げるドープ
剤を添加する。When forming the core, the refractive index of the core is set to be 0.2% or less than the refractive index of the buffer layer and the upper cladding layer.
To increase the refractive index by about 0.8%, a dopant for increasing the refractive index is added at the time of film formation, or a dopant for lowering the refractive index is added when the buffer layer and the upper clad layer are formed.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記各層を成膜する場
合、主成分がSiO2 などからなる粉を堆積させた後、
1200℃から1500℃の温度に加熱して、前述した
粉を透明なガラス状に形成するFHD法があるが、処理
温度が高く、そのためにドープ剤が拡散したり、各層の
主成分のSiO2 からなるガラスが流動して、前述した
各層が所望の形状に形成しにくいなどの問題があること
から、各種化学蒸着法(CVD法、例えばプラズマCV
D法など)や各種物理蒸着法(PVD法、例えば真空蒸
着法など)、或いはこれらを組み合わせてなる成膜法
(以下、これら蒸着法を総称して低温成膜法と記す)を
用いることが提案されている。これら低温成膜法を用い
れば、FHD法に比較して例えば500℃程度の比較的
低温で上記各層を形成することができる。また、その膜
厚管理も比較的容易である。In the case of forming each of the above layers, after depositing a powder whose main component is SiO 2 or the like,
There is an FHD method in which the powder is heated to a temperature of 1200 ° C. to 1500 ° C. to form the above-mentioned powder into a transparent glass state. However, the processing temperature is high, so that the dopant diffuses or SiO 2 as a main component of each layer. Is difficult to form the above-mentioned layers into a desired shape due to the flow of the glass composed of various chemical vapor deposition methods (CVD methods, for example, plasma CV, etc.).
D method), various physical vapor deposition methods (PVD method, for example, vacuum vapor deposition method), or a film forming method combining these methods (hereinafter, these vapor deposition methods are collectively referred to as a low-temperature film forming method). Proposed. If these low-temperature film forming methods are used, the above-described layers can be formed at a relatively low temperature of, for example, about 500 ° C. as compared with the FHD method. Also, the thickness control is relatively easy.
【0007】しかしながら、特に光スターカプラなどの
光導波路31にあっては、図9に示すように、基板32
上にバッファ層33を介してコア34が複数近接して配
置されている場合、この上に上部クラッド層34を形成
すると、隣接するコア34同士間にガラスが十分に充填
されず、隙間38(ボイド)が生じることがある。この
ボイド38があると、コア34の埋込みが完全でなくな
るため、光導波路が信号光を伝送する際の信号光の損失
が増加するという問題がある。また、図示はしていない
が、基板32に凹部を形成し、この凹部内にコアを形成
する場合、この凹部内にコアを構成するガラスが十分に
充填されず、上記よりも更に信号光の損失が増加すると
いう問題がある。However, particularly in the case of an optical waveguide 31 such as an optical star coupler, as shown in FIG.
When a plurality of cores 34 are arranged close to each other with a buffer layer 33 interposed therebetween, if the upper cladding layer 34 is formed thereon, the glass is not sufficiently filled between the adjacent cores 34 and the gaps 38 ( Voids). If the voids 38 are provided, the core 34 is not completely buried, so that there is a problem that the loss of the signal light when the optical waveguide transmits the signal light increases. Further, although not shown, when a concave portion is formed in the substrate 32 and a core is formed in the concave portion, the glass constituting the core is not sufficiently filled in the concave portion, so that the signal light is further transmitted than the above. There is a problem that loss increases.
【0008】また、上記各蒸着法で成膜された層にも内
部応力が残留し、偏波依存損失(PDL)が大きくなる
ことあり、これによっても信号光の損失が増加する。Further, the internal stress may remain in the layer formed by each of the above-mentioned vapor deposition methods, and the polarization dependent loss (PDL) may increase, which also increases the signal light loss.
【0009】そこで、本願と同一出願人による特願平9
−289813号明細書(特開平11−125727
号)には例えば熱間静水圧加圧法(HIP法:Hot
Isostatic Pressing)による加熱・
加圧処理を施す旨記載されている。この加熱・加圧処理
を行うことでコア及び上部クラッド層の残留内部応力を
除去し、かつボイドを塞ぐことができる。[0009] Therefore, Japanese Patent Application No. Hei 9
-289813 (JP-A-11-125727)
No.), for example, a hot isostatic pressing method (HIP method: Hot
Isostatic Pressing)
It is described that pressure treatment is performed. By performing the heat / pressure treatment, the residual internal stress in the core and the upper clad layer can be removed and the void can be closed.
【0010】このHIP法による加熱・加圧処理を行う
と、この処理に用いる例えばアルゴン(Ar)などのガ
スがコア及び/または上部クラッド層に入り込む。その
量によっては膜組成に悪影響を及ぼすことから、従来は
加熱・加圧処理を行う前に、露出する表面に保護膜を形
成し、処理後この保護膜を除去するようにしていた。When the heating and pressurizing treatment by the HIP method is performed, a gas such as argon (Ar) used for this treatment enters the core and / or the upper cladding layer. Conventionally, a protective film is formed on the exposed surface before the heating / pressurizing treatment, and the protective film is removed after the treatment, since the amount of the film adversely affects the film composition depending on the amount.
【0011】しかしながら、この保護膜の成膜/膜除去
の工程が光導波路の製造を煩雑にする一因となってい
た。また、保護層保護膜とコア及び/または上部クラッ
ド層との熱膨張係数の差により上記加熱・加圧処理を施
す際に生じる熱応力による悪影響も無視できない。However, the process of forming / removing the protective film has been one of the factors that complicates the production of the optical waveguide. In addition, due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the protective film and the core and / or upper clad layer, the adverse effect due to the thermal stress generated when performing the above-mentioned heating / pressing process cannot be ignored.
【0012】尚、上記したような光導波路は、その加工
に比較的高い精度が要求されることから、成膜、エッチ
ング、研磨等の各処理をできる限り少なくし、構造を単
純にすることが望ましいことは云うまでもない。例えば
特開昭61−210304号公報には、基板をガラス基
板としてそのままバッファ層(下部クラッド層)として
用いた構造が開示されている。この構造によれば、成膜
工程を1つ省くことができる。Since the optical waveguide as described above requires relatively high precision in its processing, it is necessary to reduce the number of processes such as film formation, etching and polishing as much as possible and to simplify the structure. Needless to say, this is desirable. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-210304 discloses a structure in which a substrate is used as a buffer layer (lower cladding layer) as a glass substrate. According to this structure, one film forming step can be omitted.
【0013】本発明は、上記したような従来技術の問題
点に鑑みなされたものであり、その主な目的は、光導波
路の製造工程が複雑化することなく、ボイドの発生を防
止でき、しかも各成膜層の残留内部応力を除去して信号
光の損失を低くすることが可能な光導波路の製造方法を
提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and has as its main object to prevent generation of voids without complicating the manufacturing process of an optical waveguide. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an optical waveguide that can reduce the loss of signal light by removing the residual internal stress of each film formation layer.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記した目的は、本発明
によれば、クラッド層によって覆われたコアを有する光
導波路の製造方法であって、ガラスからなる基板の表面
に、コア層を直接成膜し、所望のコア形状にパターニン
グし、その上部にクラッド層を成膜した後、前記各層の
成膜温度よりも高い温度及び圧力による加熱・加圧処理
を施すことを特徴とする光導波路の製造方法、または、
ガラスからなる基板の表面に所望のコア形状をなすよう
に形成した凹部に、コアを直接成膜した後、前記コアの
成膜温度よりも高い温度及び圧力による加熱・加圧処理
を施し、その上部にクラッド層を成膜することを特徴と
する光導波路の製造方法を提供することにより達成され
る。ガラス基板を下部クラッド層として用いることで工
程を簡略化できるばかりでなく、均一な密度の高精度な
下部クラッド層が容易に得られ、その上にコア及び上部
クラッド層を形成することで、全体の精度も向上するた
め信号光の損失を低くすることができる。しかも成膜後
に加熱・加圧処理を施すことにより各層の残留内部応力
が消失すると共に成膜時に上部クラッド層またはコアに
ボイドが生じても塞ぐことができ、一層信号光の損失を
低くすることができる。According to the present invention, there is provided a method for manufacturing an optical waveguide having a core covered by a cladding layer, wherein the core layer is directly formed on a surface of a glass substrate. An optical waveguide, comprising: forming a film, patterning it into a desired core shape, forming a cladding layer thereon, and then performing a heating / pressing process at a temperature and pressure higher than the film forming temperature of each layer. Manufacturing method of, or
After forming the core directly on the concave portion formed so as to form a desired core shape on the surface of the substrate made of glass, a heating and pressurizing treatment is performed at a temperature and pressure higher than the film forming temperature of the core. This is achieved by providing a method for manufacturing an optical waveguide, comprising forming a clad layer on the upper part. Not only can the process be simplified by using a glass substrate as the lower cladding layer, but also a high-precision lower cladding layer with a uniform density can be easily obtained, and by forming the core and upper cladding layer thereon, the overall , The loss of signal light can be reduced. In addition, by applying heat and pressure treatment after film formation, residual internal stress of each layer disappears, and even if a void is generated in the upper clad layer or core during film formation, it can be closed, further reducing the loss of signal light. Can be.
【0015】また、上記目的は、クラッド層によって覆
われたコアを有する光導波路の製造方法であって、基板
の表面にコア層を直接、またはバッファ層を介して成膜
し、該コア層を所望のコア形状にパターニングし、その
上部にクラッド層を成膜した後、前記各層の成膜温度よ
りも高い温度及び圧力による加熱・加圧処理を前記クラ
ッド層が表面に露出した状態で施すことを特徴とする光
導波路の製造方法、または、基板表面部にクラッド層に
よって覆われたコアを有する光導波路の製造方法であっ
て、前記基板表面部またはその上部に積層したバッファ
層表面部に所望のコア形状をなすように凹部を形成し、
前記凹部にコアを成膜した後、前記コアの成膜温度より
も高い温度及び圧力による加熱・加圧処理を該コアが表
面に露出した状態で施し、その上部にクラッド層を成膜
することを特徴とする光導波路の製造方法を提供するこ
とによっても達成される。加熱・加圧処理を上部クラッ
ド層またはコアが露出した状態で施すことで、保護膜に
よる熱応力の発生を防止でき、かつ工程も簡略化でき
る。ここで、上記光導波路の場合、コア及び上部クラッ
ド層の残留内部応力を除去し、かつボイドを塞ぐ程度の
例えば熱間静水圧加圧法(HIP法:Hot Isos
tatic Pressing)による加熱・加圧処理
を上部クラッド層またはコアが露出した状態で施して
も、それにより上部クラッド層またはコアに侵入するア
ルゴン(Ar)等が耐久性等へ悪影響を及ぼす心配はな
い。Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical waveguide having a core covered by a cladding layer, wherein the core layer is formed directly on the surface of the substrate or via a buffer layer, and the core layer is formed. After patterning into a desired core shape and forming a clad layer on the core, a heating / pressing process at a temperature and pressure higher than the film forming temperature of each layer is performed in a state where the clad layer is exposed on the surface. A method for producing an optical waveguide, or a method for producing an optical waveguide having a core covered by a cladding layer on a substrate surface portion, wherein the substrate surface portion or a buffer layer surface portion laminated on the substrate surface has a desired shape. A recess is formed so as to form a core shape of
After forming the core in the concave portion, performing a heating / pressing process at a temperature and pressure higher than the film forming temperature of the core in a state where the core is exposed on the surface, and forming a clad layer on the core. This is also achieved by providing a method for manufacturing an optical waveguide characterized by the following. By performing the heat and pressure treatment in a state where the upper clad layer or the core is exposed, generation of thermal stress due to the protective film can be prevented, and the process can be simplified. Here, in the case of the above-mentioned optical waveguide, for example, a hot isostatic pressing method (HIP method: Hot Isos) is used to remove residual internal stress of the core and the upper clad layer and to close the void.
Even if the heating / pressing treatment by static pressing is performed in a state where the upper clad layer or the core is exposed, there is no fear that argon (Ar) or the like penetrating the upper clad layer or the core adversely affects the durability and the like. .
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
について、添付の図面を参照して詳細に説明する。図1
は本発明の第1の実施形態に於ける光導波路1の斜視図
である。この光導波路1は、埋込み導波路構造を有し、
光信号を分岐するようなパターンにコア4が形成され、
例えば光通信に分岐器として用いられるものである。例
えば図示中左手前側に位置するコア4の一端6(入力
端)から信号光が入力され、図示中右奥側に位置する複
数のコア4の他端7(出力端)から信号光が出力するよ
うになっている。Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG.
FIG. 1 is a perspective view of an optical waveguide 1 according to a first embodiment of the present invention. This optical waveguide 1 has a buried waveguide structure,
The core 4 is formed in a pattern that branches the optical signal,
For example, it is used as a branching device in optical communication. For example, signal light is input from one end 6 (input end) of the core 4 located on the left front side in the drawing, and signal light is output from the other end 7 (output end) of the plurality of cores 4 located on the right rear side in the drawing. It has become.
【0017】図2は光導波路1のII−II線について
見た断面図である。石英等のガラスからなり、バッファ
層(下部クラッド層)を兼ねる基板2上にコア4が形成
され、このコア4及び基板2のコア4がない部分を覆う
ように上部クラッド層5が形成されている。FIG. 2 is a sectional view of the optical waveguide 1 taken along line II-II. A core 4 is formed on a substrate 2 made of glass such as quartz and also serving as a buffer layer (lower cladding layer), and an upper cladding layer 5 is formed so as to cover the core 4 and a portion of the substrate 2 where the core 4 is not provided. I have.
【0018】コア4は、断面が例えば一辺が8μm程度
の正方形をなしている。このコア4は基板2及び上部ク
ラッド層5よりもその屈折率が若干高く形成されてお
り、その内部を光通信などに用いられる信号光が通るよ
うになっている。また、上部クラッド層5は、基板2と
共にコア4を覆うように、基板2及びコア4上に、例え
ば厚さが25μm程度に形成されている。The cross section of the core 4 is, for example, a square having a side of about 8 μm. The core 4 is formed to have a slightly higher refractive index than the substrate 2 and the upper clad layer 5, so that signal light used for optical communication or the like passes through the inside. The upper clad layer 5 is formed on the substrate 2 and the core 4 to have a thickness of, for example, about 25 μm so as to cover the core 4 together with the substrate 2.
【0019】以下に、上記光導波路1の製造手順につい
て図3(a)〜図3(d)を参照して説明する。まず、
石英等からなるガラス基板2の表面に、低温成膜法とし
てのCVD法により例えば500℃程度の低温でSiO
2 を主成分とするコア層4′を成膜する(図3
(a))。このとき、ガラス基板2よりも0.2%〜
0.8%程度屈折率が高くなるように、リン(P)、チ
タン(Ti)、ゲルマニウム(Ge)、アルミニウム
(Al)、ホウ素(B)及びフッ素(F)から選択され
る1種または2種以上の屈折率調整用のドープ剤をコア
層4′に添加する。リン(P)、チタン(Ti)、ゲル
マニウム(Ge)、アルミニウム(Al)は、屈折率を
高めるためのドープ剤であり、ホウ素(B)、フッ素
(F)は屈折率を低くするためのドープ剤である。これ
らを単独で、または併せて添加することで所望の屈折率
を得ることができる。The procedure for manufacturing the optical waveguide 1 will be described below with reference to FIGS. 3 (a) to 3 (d). First,
On a surface of a glass substrate 2 made of quartz or the like, SiO 2 is deposited at a low temperature of, for example, about 500 ° C. by a CVD method as a low-temperature film forming method.
A core layer 4 'mainly composed of 2 is formed (FIG. 3
(A)). At this time, 0.2% to
One or two selected from phosphorus (P), titanium (Ti), germanium (Ge), aluminum (Al), boron (B) and fluorine (F) such that the refractive index is increased by about 0.8%. At least one kind of dopant for adjusting the refractive index is added to the core layer 4 '. Phosphorus (P), titanium (Ti), germanium (Ge), and aluminum (Al) are dopants for increasing the refractive index, and boron (B) and fluorine (F) are dopants for decreasing the refractive index. Agent. A desired refractive index can be obtained by adding these alone or in combination.
【0020】また、一般的に、コア層4′の屈折率は光
通信に用いられる光ファイバのコアの屈折率と同じ方が
良い。本構成ではコア層4′のみをドープして基板2及
び上部クラッド層5にはドープしていないが、コア層
4′の屈折率を調整するのみではガラス基板2及び上部
クラッド層5との屈折率の差を確保しつつ光ファイバの
コアの屈折率と同じ屈折率とすることができない場合
は、ガラス基板2の製造時に屈折率を下げるドープ剤を
添加し、上部クラッド層5の成膜時にも屈折率を下げる
ドープ剤を添加し、各々の屈折率を調整しても良い。In general, the refractive index of the core layer 4 'is preferably the same as the refractive index of the core of an optical fiber used for optical communication. In this configuration, only the core layer 4 ′ is doped and the substrate 2 and the upper clad layer 5 are not doped, but only by adjusting the refractive index of the core layer 4 ′, the refractive index between the glass substrate 2 and the upper clad layer 5 is reduced. If the refractive index cannot be made the same as the refractive index of the core of the optical fiber while maintaining the difference in the refractive index, a doping agent for lowering the refractive index is added at the time of manufacturing the glass substrate 2, and at the time of forming the upper clad layer 5, Alternatively, a dopant for lowering the refractive index may be added to adjust the respective refractive indexes.
【0021】図4に示すように、本構成に用いるCVD
装置は、反応室22内にてホルダ23に基板2を保持
し、ヒータ24により加熱した状態で反応ガスを供給
し、例えば基板2の表面にコア層4′を析出させる一般
的な常圧CVD装置であるが、これに限定されず、プラ
ズマCVD装置や、PVD装置、真空蒸着装置、スパッ
タリング装置、イオンプレーティング装置等の各種低温
成膜法による成膜装置を用いることができる。As shown in FIG.
The apparatus holds a substrate 2 in a holder 23 in a reaction chamber 22 and supplies a reaction gas in a state where the substrate 2 is heated by a heater 24, for example, a general atmospheric pressure CVD for depositing a core layer 4 ′ on the surface of the substrate 2. The apparatus is not limited thereto, and a film forming apparatus using various low-temperature film forming methods such as a plasma CVD apparatus, a PVD apparatus, a vacuum evaporation apparatus, a sputtering apparatus, and an ion plating apparatus can be used.
【0022】この状態で必要に応じてコア層4′の成膜
温度よりも高く、かつ後記する加熱・加圧処理の加熱温
度よりも低い温度及び圧力による予備的な加熱処理を施
す。In this state, if necessary, a preliminary heat treatment is performed at a temperature and pressure higher than the film forming temperature of the core layer 4 'and lower than the heating temperature of the later-described heating / pressing treatment.
【0023】次に、コア層4′の表面にフォトレジスト
によって所定の導波路パターンを形成し、RIE等のエ
ッチングを行うことにより、所定パターンの導波路コア
4を形成する(図3(b))。Next, a predetermined waveguide pattern is formed on the surface of the core layer 4 'by photoresist, and etching such as RIE is performed to form the waveguide core 4 having a predetermined pattern (FIG. 3B). ).
【0024】その後、上記同様の低温膜形成方法によっ
て、SiO2 を主成分とする低屈折率の上部クラッド層
5を成膜する(図3(c))。このとき、コア4を近接
して複数形成した場合には、隣接するコア4間に、上部
クラッド層5を形成するSiO2 が充分に充填されず
に、ボイド8が生じることがある。Thereafter, an upper cladding layer 5 having a low refractive index and containing SiO 2 as a main component is formed by the same low-temperature film forming method as described above (FIG. 3C). At this time, if a plurality of cores 4 are formed close to each other, the voids 8 may be generated between the adjacent cores 4 because the SiO 2 forming the upper cladding layer 5 is not sufficiently filled.
【0025】そのため、光導波路1を、上部クラッド層
5が露出した状態で、HIP法によって周囲から加熱
し、かつ加圧することにより(加熱・加圧処理)、ボイ
ド8を実用上問題のない大きさまで小さくするか、ある
いは消滅させると共に基板2、各層4、5に成膜時に生
じた内部応力を除去する(図3(d))。このHIP法
では、アルゴン(Ar)などの不活性ガスを用いて15
00kgf/cm2 まで加圧し、かつ1100℃まで加
熱した状態を2時間程度維持するのが望ましい。ここ
で、HIP法による加熱・加圧処理では、光導波路1全
体を周囲から均等に加圧することとなるので、コア形状
等が変化する心配がない。Therefore, the optical waveguide 1 is heated and pressurized from the surroundings by the HIP method with the upper clad layer 5 exposed (heating / pressing treatment), so that the void 8 has a size that does not cause any practical problem. The internal stress generated at the time of film formation on the substrate 2 and each of the layers 4 and 5 is removed (FIG. 3D). In this HIP method, an inert gas such as argon (Ar) is
It is desirable to maintain the state of being pressurized to 00 kgf / cm 2 and heated to 1100 ° C. for about 2 hours. Here, in the heating / pressing process by the HIP method, the entire optical waveguide 1 is uniformly pressed from the surroundings, so that there is no fear that the core shape or the like changes.
【0026】本発明者らは、このHIP法における温度
条件及び圧力条件を表1に示すようにパラメトリックに
変化させたときのボイド8の消滅状況を観察した。尚、
表1において、温度は800℃、1000℃及び110
0℃と変化させ、圧力を300kgf/cm2 、100
0kgf/cm2 、1500kgf/cm2 及び170
0kgf/cm2 と変化させている。The present inventors observed the disappearance of the void 8 when the temperature and pressure conditions in the HIP method were changed parametrically as shown in Table 1. still,
In Table 1, the temperatures are 800 ° C, 1000 ° C and 110 ° C.
0 ° C and the pressure was 300 kgf / cm 2 , 100
0kgf / cm 2, 1500kgf / cm 2 and 170
It is changed to 0 kgf / cm 2 .
【0027】[0027]
【表1】 [Table 1]
【0028】この表1によれば、圧力が300kgf/
cm2 と1000kgf/cm2 のとき及び温度が80
0℃のときには、ボイド8を消滅させるのが困難である
のが明らかになった。また、圧力が1500kgf/c
m2 の時には温度が1100℃以上のときにボイド8を
消滅させることができ、圧力が1700kgf/cm 2
の時には温度が1000℃以上のときにボイド8を消滅
させることができるのが明らかになった。According to Table 1, the pressure is 300 kgf /
cmTwo And 1000kgf / cmTwo And when the temperature is 80
At 0 ° C., it is difficult to eliminate void 8
It became clear. Also, the pressure is 1500 kgf / c
mTwo When the temperature is 1100 ℃ or more, void 8
Can be extinguished, pressure is 1700kgf / cm Two
Void 8 disappears when the temperature is over 1000 ° C
It became clear that it could be done.
【0029】従って、本実施形態においては、HIP法
による加熱・加圧条件を、圧力が1500kgf/cm
2 でかつ温度が1100℃としているが、圧力が170
0kgf/cm2 でかつ温度が1000℃以上としても
良い。ただし、処理温度及び圧力はボイドを埋めること
ができる範囲で最低限とする。Therefore, in the present embodiment, the heating and pressurizing conditions by the HIP method are set such that the pressure is 1500 kgf / cm.
2 and the temperature is 1100 ° C, but the pressure is 170
The temperature may be 0 kgf / cm 2 and the temperature may be 1000 ° C. or higher. However, the processing temperature and pressure are set to the minimum as long as voids can be filled.
【0030】ここで、HIP法により加熱・加圧処理す
る場合、上部クラッド層5内にアルゴン(Ar)が侵入
して耐久性等が低下することが懸念されるが、上記する
加熱・加圧範囲では、即ちボイド8を実用上問題のない
大きさまで小さくするか、あるいは消滅させると共に基
板2、各層4、5に成膜時に生じた内部応力を除去する
程度の温度及び圧力では、上部クラッド層5内にアルゴ
ン(Ar)が侵入しても本構成のような光導波路の場
合、その耐久性に問題がないことが耐久評価により見い
だされた。従って、通常、HIP法により加熱・加圧処
理する場合に保護膜を省略することができ、その工程が
簡略化されている。Here, when the heating and pressurizing treatment is performed by the HIP method, there is a concern that argon (Ar) may enter the upper clad layer 5 to lower the durability and the like. In the range, that is, when the temperature and pressure are such that the void 8 is reduced to a size having no practical problem or eliminated and the internal stress generated during the film formation on the substrate 2 and each of the layers 4 and 5 is removed, the upper cladding layer It has been found by durability evaluation that the optical waveguide of the present configuration has no problem in durability even if argon (Ar) enters the interior of the optical waveguide 5. Therefore, the protective film can be omitted in the case of performing the heating and pressurizing treatment by the HIP method, and the process is simplified.
【0031】最後に、ダイシング装置によって、基板2
を所定形状に切断し、入出力端6、7の端面を研磨する
ことにより、光学的に平坦に仕上げて、図1に示すよう
な光スターカプラなどの個々の光導波路1を得る。Finally, the substrate 2 is cut by a dicing apparatus.
Is cut into a predetermined shape, and the end faces of the input and output ends 6 and 7 are polished to be optically flattened, thereby obtaining individual optical waveguides 1 such as an optical star coupler as shown in FIG.
【0032】図5は図1は本発明の第2の実施形態に於
ける図2と同様な断面図である。本構成では石英等のガ
ラスまたはセラミックからなる基板2上に、バッファ層
(下部クラッド層)3を介してコア4が形成され、この
コア4及びバッファ層3のコア4がない部分を覆うよう
に上部クラッド層5が形成されている。FIG. 5 is a sectional view similar to FIG. 2 of the second embodiment of the present invention. In this configuration, a core 4 is formed on a substrate 2 made of glass or ceramic such as quartz via a buffer layer (lower cladding layer) 3 so as to cover the core 4 and a portion of the buffer layer 3 where the core 4 is not provided. An upper clad layer 5 is formed.
【0033】以下に、上記光導波路1の製造手順につい
て図6(a)〜図6(e)を参照して説明する。まず、
基板2の表面に、第1の実施形態と同様に低温成膜法と
してのCVD法によりSiO2を主成分とするバッファ
層3を成膜する(図6(a))。The procedure for manufacturing the optical waveguide 1 will be described below with reference to FIGS. 6 (a) to 6 (e). First,
A buffer layer 3 mainly composed of SiO 2 is formed on the surface of the substrate 2 by a CVD method as a low-temperature film forming method as in the first embodiment (FIG. 6A).
【0034】次に、バッファ層3の表面に、同じくCV
D法によりSiO2を主成分とするコア層4′を成膜す
る(図6(b))。このとき、第1の実施形態と同様に
屈折率調整用のドープ剤をコア層4′に添加する。ここ
でも必要に応じてバッファ層3の成膜時に屈折率を下げ
るドープ剤を添加し、上部クラッド層5の成膜時にも屈
折率を下げるドープ剤を添加し、各々の屈折率を調整し
ても良い。この状態で必要に応じて高圧または常圧で周
囲から加熱し、予備的に熱処理を施す。Next, the CV is similarly applied to the surface of the buffer layer 3.
A core layer 4 'mainly composed of SiO 2 is formed by the method D (FIG. 6B). At this time, as in the first embodiment, a dopant for adjusting the refractive index is added to the core layer 4 '. Here also, a doping agent for lowering the refractive index is added when forming the buffer layer 3 as needed, and a doping agent for lowering the refractive index is also added when forming the upper cladding layer 5 to adjust each refractive index. Is also good. In this state, if necessary, heat is applied from the surroundings at a high pressure or a normal pressure to perform preliminary heat treatment.
【0035】次に、コア層5の表面にフォトレジストに
よって所定の導波路パターンを形成し、RIE等のエッ
チングを行うことにより、所定パターンの導波路コア4
を形成する(図6(c))。Next, a predetermined waveguide pattern is formed on the surface of the core layer 5 by using a photoresist, and etching such as RIE is performed, so that the waveguide core 4 having the predetermined pattern is formed.
Is formed (FIG. 6C).
【0036】次に、上記同様のCVD法によりSiO2
を主成分とする低屈折率の上部クラッド層5を成膜する
(図6(d))。そして、光導波路1を、上部クラッド
層5が露出した状態で、HIP法によって周囲から加熱
し、かつ加圧することにより(加熱・加圧処理)、ボイ
ド8を実用上問題のない大きさまで小さくするか、ある
いは消滅させると共に成膜時に基板2、各層3、4、5
に生じた内部応力を除去する(図6(e))。その後、
上記同様な切断、研磨等を行い、光導波路1が完成す
る。Next, SiO 2 is formed by the same CVD method as described above.
The upper clad layer 5 having a low refractive index and containing as a main component is formed (FIG. 6D). Then, the optical waveguide 1 is heated and pressurized from the periphery by the HIP method in a state where the upper clad layer 5 is exposed (heating / pressing treatment), so that the void 8 is reduced to a size having no practical problem. Or the substrate 2 and the layers 3, 4, 5
Is removed (FIG. 6 (e)). afterwards,
By performing the same cutting, polishing, and the like as described above, the optical waveguide 1 is completed.
【0037】図7(a)〜図7(e)は、本発明の第3
の実施形態を示す図3と同様な工程説明図である。本構
成の光導波路11は、基板12に凹部12aが形成さ
れ、この凹部12aにコア14が形成されている。そし
て、同一平面をなす基板12及びコア14の表面に上部
クラッド層15が形成されたものである(図7
(e))。FIGS. 7A to 7E show a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a process explanatory view similar to FIG. 3, showing the embodiment. In the optical waveguide 11 having this configuration, a concave portion 12a is formed in a substrate 12, and a core 14 is formed in the concave portion 12a. The upper clad layer 15 is formed on the surfaces of the substrate 12 and the core 14 which are on the same plane.
(E)).
【0038】光導波路11の製造手順としては、まず石
英等からなるガラス基板2の表面に、フォトレジストに
よって所定の導波路パターンを形成し、RIE等のエッ
チングを行うことにより、所定パターンの凹部12aを
形成する(図7(a))。The procedure for manufacturing the optical waveguide 11 is as follows. First, a predetermined waveguide pattern is formed by a photoresist on the surface of a glass substrate 2 made of quartz or the like, and etching such as RIE is performed to form a concave portion 12a having a predetermined pattern. Is formed (FIG. 7A).
【0039】次に、上記同様な低温成膜法によりコア層
14′を成膜する(図7(b))と共に上記同様にガラ
ス基板2よりも0.2%〜0.8%程度屈折率が高くな
るように、上記屈折率調整用のドープ剤をコア層14′
に添加する。このとき、凹部12a内にコア層14′を
形成するSiO2 が充分に充填されずに、ボイド18が
生じることがある。Next, the core layer 14 'is formed by the same low-temperature film forming method as described above (FIG. 7B), and the refractive index is about 0.2% to 0.8% higher than that of the glass substrate 2 as described above. The dopant for adjusting the refractive index is added to the core layer 14 ′ so that
To be added. At this time, the voids 18 may be generated because the SiO 2 forming the core layer 14 ′ is not sufficiently filled in the recess 12 a.
【0040】そのため、光導波路11を、コア層14′
が露出した状態で、HIP法によって周囲から加熱し、
かつ加圧することにより(加熱・加圧処理)、ボイド1
8を実用上問題のない大きさまで小さくするか、あるい
は消滅させると共に基板2とコア層14′に成膜時に生
じた内部応力を除去する(図7(c))。Therefore, the optical waveguide 11 is provided with the core layer 14 '.
In the state where is exposed, it is heated from the surroundings by the HIP method,
By applying pressure (heating / pressing treatment), void 1
8 is reduced to a practically acceptable size or eliminated, and the internal stress generated at the time of film formation on the substrate 2 and the core layer 14 'is removed (FIG. 7C).
【0041】次に、エッチングまたは研磨を行うことに
より、コア層14′を除去して基板2の表面を露出さ
せ、平坦化する(図7(d))。Next, the core layer 14 'is removed by etching or polishing to expose the surface of the substrate 2 and flatten it (FIG. 7D).
【0042】次に、上記同様の低温膜形成方法によっ
て、SiO2 を主成分とする低屈折率の上部クラッド層
15を成膜する(図7(e))。その後、上記同様な切
断、研磨等を行い、光導波路11が完成する。Next, an upper clad layer 15 mainly composed of SiO 2 and having a low refractive index is formed by the same low-temperature film forming method as described above (FIG. 7E). Thereafter, the same cutting, polishing, and the like are performed as described above, and the optical waveguide 11 is completed.
【0043】図8(a)〜図8(f)は、本発明の第4
の実施形態を示す工程説明図である。本構成の光導波路
11は、基板12に成膜されたバッファ層13に凹部1
3aが形成され、この凹部13aにコア14が形成さ
れ、そして同一平面をなすバッファ層13及びコア14
の表面に上部クラッド層15が形成されたものである
(図8(f))。FIGS. 8A to 8F show a fourth embodiment of the present invention.
It is a process explanatory view showing an embodiment. The optical waveguide 11 of this configuration is provided with a recess 1 in a buffer layer 13 formed on a substrate 12.
3a are formed, a core 14 is formed in the recess 13a, and the buffer layer 13 and the core 14
The upper clad layer 15 is formed on the surface of FIG.
【0044】光導波路11の製造手順としては、まず石
英等からなるガラス基板12の表面に、上記同様なCV
D法によりバッファ層13を成膜する(図8(a))。
そして、このバッファ層13にフォトレジストによって
所定の導波路パターンを形成し、RIE等のエッチング
を行うことにより、所定パターンの凹部13aを形成す
る(図8(b))。The procedure for manufacturing the optical waveguide 11 is as follows. First, the same CV as described above is placed on the surface of a glass substrate 12 made of quartz or the like.
The buffer layer 13 is formed by the method D (FIG. 8A).
Then, a predetermined waveguide pattern is formed on the buffer layer 13 by a photoresist, and etching such as RIE is performed to form a concave portion 13a having a predetermined pattern (FIG. 8B).
【0045】次に、上記同様なCVD法により、コア層
14′を成膜する(図8(c))と共に上記同様にガラ
ス基板12よりも0.2%〜0.8%程度屈折率が高く
なるように、上記屈折率調整用のドープ剤をコア層1
4′に添加する。このとき、凹部13a内にコア層1
4′を形成するSiO2が充分に充填されずに、ボイド
18が生じることがある。Next, the core layer 14 'is formed by the same CVD method as described above (FIG. 8C), and the refractive index is about 0.2% to 0.8% higher than that of the glass substrate 12 as described above. The doping agent for adjusting the refractive index is added to the core layer 1 so as to increase the refractive index.
Add to 4 '. At this time, the core layer 1 is placed in the recess 13a.
Voids 18 may be formed due to insufficient filling of the SiO 2 forming 4 ′.
【0046】そのため、光導波路11を、コア層14′
が露出した状態で、HIP法によって周囲から加熱し、
かつ加圧することにより(加熱・加圧処理)、ボイド1
8を実用上問題のない大きさまで小さくするか、あるい
は消滅させると共に基板12とコア層14′に成膜時に
生じた内部応力を除去する(図8(d))。Therefore, the optical waveguide 11 is provided with the core layer 14 '.
In the state where is exposed, it is heated from the surroundings by the HIP method,
By applying pressure (heating / pressing treatment), void 1
8 is reduced to a practically acceptable size or eliminated, and the internal stress generated during film formation on the substrate 12 and the core layer 14 'is removed (FIG. 8D).
【0047】次に、エッチングまたは研磨を行うことに
より、不要なコア層14′を除去して基板12の表面を
露出させ、コア14の表面と基板12の表面とを一致さ
せて平坦化する(図8(e))。Next, by performing etching or polishing, the unnecessary core layer 14 ′ is removed to expose the surface of the substrate 12, and the surface of the core 14 and the surface of the substrate 12 are flattened (FIG. 4B). FIG. 8 (e).
【0048】その後、上記同様のCVD法によって、S
iO2を主成分とする低屈折率の上部クラッド層15を
成膜する(図8(f))。その後、上記同様な切断、研
磨等を行い、光導波路11が完成する。Thereafter, S is formed by the same CVD method as described above.
An upper cladding layer 15 having a low refractive index containing iO 2 as a main component is formed (FIG. 8F). Thereafter, the same cutting, polishing, and the like are performed as described above, and the optical waveguide 11 is completed.
【0049】[0049]
【発明の効果】上記した説明により明らかなように、本
発明による光導波路の製造方法によれば、ガラスからな
る基板の表面にコア層を直接成膜し、所望のコア形状に
パターニングし、その上部にクラッド層を成膜した後、
各層の成膜温度よりも高い温度及び圧力による加熱・加
圧処理を施す、または、ガラスからなる基板の表面に所
望のコア形状をなすように形成した凹部に、コア層を直
接成膜した後、コア層の成膜温度よりも高い温度及び圧
力による加熱・加圧処理を施し、その上部にクラッド層
を成膜することで、工程を簡略化できるばかりでなく、
均一な密度の高精度な下部クラッド層が容易に得られ、
その上にコア及び上部クラッド層を形成することで、全
体の精度も向上するため信号光の損失を低くすることが
できる。しかも成膜後に加熱・加圧処理を施すことによ
り各層の残留内部応力が消失すると共に成膜時に上部ク
ラッド層またはコアにボイドが生じても塞ぐことがで
き、一層信号光の損失を低くすることができる。As is apparent from the above description, according to the method for manufacturing an optical waveguide according to the present invention, a core layer is formed directly on the surface of a glass substrate and patterned into a desired core shape. After forming a cladding layer on top,
After applying heat / pressure treatment at a temperature and pressure higher than the film formation temperature of each layer, or directly forming a core layer in a concave portion formed to have a desired core shape on the surface of a glass substrate By performing a heating and pressurizing process at a temperature and pressure higher than the core layer forming temperature and forming a clad layer thereon, the process can be simplified,
A high-precision lower cladding layer with uniform density can be easily obtained,
By forming the core and the upper clad layer thereon, the overall accuracy is also improved, so that the loss of signal light can be reduced. In addition, by applying heat and pressure treatment after film formation, residual internal stress of each layer disappears, and even if a void is generated in the upper clad layer or core during film formation, it can be closed, further reducing the loss of signal light. Can be.
【0050】また、基板の表面にコア層を直接、または
バッファ層を介して成膜し、該コア層を所望のコア形状
にパターニングし、その上部にクラッド層を成膜した
後、各層の成膜温度よりも高い温度及び圧力による加熱
・加圧処理をクラッド層が表面に露出した状態で施す、
または、基板表面部またはその上部に積層したバッファ
層表面部に所望のコア形状をなすように凹部を形成し、
凹部にコアを成膜した後、コアの成膜温度よりも高い温
度及び圧力による加熱・加圧処理をコアが表面に露出し
た状態で施し、その上部にクラッド層を成膜すること
で、保護膜とクラッド層との間の熱応力の発生を防止で
き、かつ工程も簡略化できる。Further, a core layer is formed directly or via a buffer layer on the surface of the substrate, the core layer is patterned into a desired core shape, and a clad layer is formed on the core layer. Heat and pressure treatment at a temperature and pressure higher than the film temperature is performed with the clad layer exposed on the surface,
Alternatively, a concave portion is formed on the surface of the substrate or on the surface of the buffer layer laminated thereon so as to form a desired core shape,
After the core is formed in the recess, the core is exposed to heat and pressure at a temperature and pressure higher than the core's film formation temperature, and the cladding layer is formed on the core to protect the core. Generation of thermal stress between the film and the cladding layer can be prevented, and the process can be simplified.
【図1】本発明が適用された第1の実施形態に於ける光
導波路としての光スターカプラの斜視図。FIG. 1 is a perspective view of an optical star coupler as an optical waveguide according to a first embodiment to which the present invention is applied.
【図2】図1のII−II線について見た拡大断面図。FIG. 2 is an enlarged sectional view taken along line II-II of FIG.
【図3】(a)〜(d)は、図1の光導波路の製造工程
を示す工程説明図。FIGS. 3 (a) to 3 (d) are process explanatory views showing a process of manufacturing the optical waveguide of FIG.
【図4】CVD法について説明する概念図。FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating a CVD method.
【図5】本発明が適用された第2の実施形態に於ける光
導波路の拡大断面図。FIG. 5 is an enlarged sectional view of an optical waveguide according to a second embodiment to which the present invention is applied.
【図6】(a)〜(e)は、図5の光導波路の製造工程
を示す工程説明図。6 (a) to 6 (e) are process explanatory views showing a manufacturing process of the optical waveguide of FIG. 5;
【図7】(a)〜(e)は、本発明が適用された第3の
実施形態に於ける光導波路の製造工程を示す工程説明
図。FIGS. 7A to 7E are process explanatory views showing a manufacturing process of an optical waveguide according to a third embodiment to which the present invention is applied.
【図8】(a)〜(f)は、本発明が適用された第4の
実施形態に於ける光導波路の製造工程を示す工程説明
図。FIGS. 8A to 8F are process explanatory views showing a manufacturing process of an optical waveguide according to a fourth embodiment to which the present invention is applied.
【図9】従来の光導波路としての光スターカプラの拡大
断面図。FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of an optical star coupler as a conventional optical waveguide.
1 光導波路 2 ガラス基板 3 バッファ層 4 コア 4′ コア層 5 上部クラッド層 6、7 入出力端 8 ボイド 11 光導波路 12 ガラス基板 13 バッファ層 14 コア 14′ コア層 15 上部クラッド層 18 ボイド 22 反応室 23 ホルダ 24 ヒータ 31 光導波路 32 基板 33 バッファ層 34 コア 35 上部クラッド層 38 ボイド REFERENCE SIGNS LIST 1 optical waveguide 2 glass substrate 3 buffer layer 4 core 4 ′ core layer 5 upper cladding layer 6, 7 input / output end 8 void 11 optical waveguide 12 glass substrate 13 buffer layer 14 core 14 ′ core layer 15 upper cladding layer 18 void 22 reaction Chamber 23 Holder 24 Heater 31 Optical waveguide 32 Substrate 33 Buffer layer 34 Core 35 Upper cladding layer 38 Void
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 夏目 豊 神奈川県横浜市金沢区福浦3丁目10番地 日本発条株式会社内 (72)発明者 千田 孝之 神奈川県横浜市金沢区福浦3丁目10番地 日本発条株式会社内 Fターム(参考) 2H047 KA04 PA00 PA03 PA11 PA21 QA04 TA31 TA42 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Yutaka Natsume 3-10-10, Fukuura, Kanazawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Japan Co., Ltd. (72) Inventor Takayuki Senda 3--10, Fukuura, Kanazawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Japan F term (reference) within 2H047 KA04 PA00 PA03 PA11 PA21 QA04 TA31 TA42
Claims (7)
する光導波路の製造方法であって、 ガラスからなる基板の表面にコア層を直接成膜し、所望
のコア形状にパターニングし、その上部にクラッド層を
成膜した後、 前記各層の成膜温度よりも高い温度及び圧力による加熱
・加圧処理を施すことを特徴とする光導波路の製造方
法。1. A method for manufacturing an optical waveguide having a core covered by a clad layer, comprising: forming a core layer directly on a surface of a glass substrate, patterning the core layer into a desired core shape, and forming a clad layer on the core layer. A method for manufacturing an optical waveguide, comprising, after forming a layer, performing a heating / pressing process at a temperature and pressure higher than the film forming temperature of each layer.
する光導波路の製造方法であって、 ガラスからなる基板の表面に所望のコア形状をなすよう
に凹部を形成し、該凹部にコアを成膜した後、 前記コアの成膜温度よりも高い温度及び圧力による加熱
・加圧処理を施し、その上部にクラッド層を成膜するこ
とを特徴とする光導波路の製造方法。2. A method for manufacturing an optical waveguide having a core covered by a cladding layer, wherein a concave portion is formed on a surface of a substrate made of glass so as to have a desired core shape, and a core is formed in the concave portion. And then subjecting the core to a heating and pressurizing treatment at a temperature and pressure higher than the film forming temperature, and forming a clad layer on the core.
する光導波路の製造方法であって、 基板の表面にコア層を直接、またはバッファ層を介して
成膜し、該コア層を所望のコア形状にパターニングし、
その上部にクラッド層を成膜した後、 前記各層の成膜温度よりも高い温度及び圧力による加熱
・加圧処理を前記クラッド層が表面に露出した状態で施
すことを特徴とする光導波路の製造方法。3. A method for manufacturing an optical waveguide having a core covered by a cladding layer, comprising forming a core layer directly on a surface of a substrate or via a buffer layer, and forming the core layer into a desired core shape. Patterned into
After forming a cladding layer on the upper part thereof, a heating / pressing process at a temperature and pressure higher than the film forming temperature of each layer is performed in a state where the cladding layer is exposed on the surface. Method.
れたコアを有する光導波路の製造方法であって、 前記基板表面部またはその上部に積層したバッファ層表
面部に所望のコア形状をなすように凹部を形成し、 前記凹部にコアを成膜した後、 前記コアの成膜温度よりも高い温度及び圧力による加熱
・加圧処理を該コアが表面に露出した状態で施し、その
上部にクラッド層を成膜することを特徴とする光導波路
の製造方法。4. A method for manufacturing an optical waveguide having a core covered by a cladding layer on a substrate surface, wherein a desired core shape is formed on the surface of the substrate or on the surface of a buffer layer laminated thereon. After forming a concave portion and forming a core in the concave portion, a heating / pressing process at a temperature and pressure higher than the film forming temperature of the core is performed in a state where the core is exposed on the surface, and a cladding layer is formed on the upper portion. A method for manufacturing an optical waveguide, comprising:
(P)、チタン(Ti)、ゲルマニウム(Ge)、アル
ミニウム(Al)、ホウ素(B)及びフッ素(F)から
選択される1種または2種以上のドープ剤を前記コアに
添加することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいず
れかに記載の光導波路の製造方法。5. One or more selected from phosphorus (P), titanium (Ti), germanium (Ge), aluminum (Al), boron (B) and fluorine (F) to adjust the refractive index of the core. The method of manufacturing an optical waveguide according to claim 1, wherein two or more dopants are added to the core.
法により施すことを特徴とする請求項1乃至請求項5の
いずれかに記載の光導波路の製造方法。6. The method of manufacturing an optical waveguide according to claim 1, wherein the heating / pressing treatment is performed by a hot isostatic pressing method.
着法またはこれらを組み合わせた低温成膜法のいずれか
により成膜することを特徴とする請求項1乃至請求項6
のいずれかに記載の光導波路の製造方法。7. The method according to claim 1, wherein each of the layers is formed by one of a chemical vapor deposition method, a physical vapor deposition method, and a low-temperature film forming method in which these are combined.
The method for manufacturing an optical waveguide according to any one of the above.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000206107A JP2001116942A (en) | 1999-08-06 | 2000-07-07 | Manufacturing method of optical waveguide |
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Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP22431299 | 1999-08-06 | ||
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Publications (1)
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|---|---|
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ID=26525980
Family Applications (1)
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| JP (1) | JP2001116942A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007010760A (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for forming resin body, method for forming structure for optical waveguide, and method for forming optical component |
-
2000
- 2000-07-07 JP JP2000206107A patent/JP2001116942A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007010760A (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for forming resin body, method for forming structure for optical waveguide, and method for forming optical component |
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