JP2001112160A - 電流モニター端子のマイクロコンピュータへの入力方法 - Google Patents
電流モニター端子のマイクロコンピュータへの入力方法Info
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- JP2001112160A JP2001112160A JP28314399A JP28314399A JP2001112160A JP 2001112160 A JP2001112160 A JP 2001112160A JP 28314399 A JP28314399 A JP 28314399A JP 28314399 A JP28314399 A JP 28314399A JP 2001112160 A JP2001112160 A JP 2001112160A
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- microcomputer
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- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 電流モニター端子に対するマイコンに設けら
れているＡ／Ｄ変換機能を備えたＡ／Ｄ入力端子の使用
効率を向上させる。 【解決手段】 半導体リレー２，１０，１６，２２のド
レン側に電流検出用抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｓ３，Ｒｓ
４を接続して負荷３，１１，１７，２３に流れる電流値
をモニターする負荷電流モニター回路６，１３，１９，
２５を複数の負荷３，１１，１７，２３のそれぞれに設
け、複数の負荷３，１１，１７，２３のそれぞれに設け
た負荷電流モニター回路６，１３，１９，２５の出力を
アナログマルチプレクサ２８を介して任意に選定したア
ナログ出力値をマイクロコンピュータ８に内蔵される１
個のＡ／Ｄ変換器３１を介してＣＰＵに取り込むように
する。
れているＡ／Ｄ変換機能を備えたＡ／Ｄ入力端子の使用
効率を向上させる。 【解決手段】 半導体リレー２，１０，１６，２２のド
レン側に電流検出用抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｓ３，Ｒｓ
４を接続して負荷３，１１，１７，２３に流れる電流値
をモニターする負荷電流モニター回路６，１３，１９，
２５を複数の負荷３，１１，１７，２３のそれぞれに設
け、複数の負荷３，１１，１７，２３のそれぞれに設け
た負荷電流モニター回路６，１３，１９，２５の出力を
アナログマルチプレクサ２８を介して任意に選定したア
ナログ出力値をマイクロコンピュータ８に内蔵される１
個のＡ／Ｄ変換器３１を介してＣＰＵに取り込むように
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体リレーを用
いた半導体リレーシステムに係り、特にマイクロコンピ
ュータに内蔵される１個のＡ／Ｄ変換器を通してＣＰＵ
に取り込み、少ないＡ／Ｄ変換器で効率よくマイクロコ
ンピュータにデータの取り込みを行うことのできる電流
モニター端子のマイクロコンピュータへの入力方法に関
する。
いた半導体リレーシステムに係り、特にマイクロコンピ
ュータに内蔵される１個のＡ／Ｄ変換器を通してＣＰＵ
に取り込み、少ないＡ／Ｄ変換器で効率よくマイクロコ
ンピュータにデータの取り込みを行うことのできる電流
モニター端子のマイクロコンピュータへの入力方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、車両において、車載バッテリか
らの電源はパワーＭＯＳＦＥＴ及び絶縁被膜により被わ
れた電源線を介して車両の各部に配されている負荷に供
給されている。この電源線は、常時振動しているエンジ
ンルーム内等において車体に沿って配索されるが、何等
かの原因で電源線にデッドショートやレアショートが起
こり、過電流が流れることがある。近年では、自動車用
半導体リレーとして、パワーＭＯＳＦＥＴやＩＰＳ（Ｉ
ntelligent Power Switch）が使用されてきている。
このような半導体リレー、ＩＰＳにおいてはデバイスの
発熱を防ぐために、従来から負荷に流れる電流を制限す
るいろいろなカレントリミッタ方式が採られている。
らの電源はパワーＭＯＳＦＥＴ及び絶縁被膜により被わ
れた電源線を介して車両の各部に配されている負荷に供
給されている。この電源線は、常時振動しているエンジ
ンルーム内等において車体に沿って配索されるが、何等
かの原因で電源線にデッドショートやレアショートが起
こり、過電流が流れることがある。近年では、自動車用
半導体リレーとして、パワーＭＯＳＦＥＴやＩＰＳ（Ｉ
ntelligent Power Switch）が使用されてきている。
このような半導体リレー、ＩＰＳにおいてはデバイスの
発熱を防ぐために、従来から負荷に流れる電流を制限す
るいろいろなカレントリミッタ方式が採られている。
【０００３】マイクロコンピュータを用いて所定間隔で
電流値をサンプリングして負荷に流れる電流をモニター
して、この電流モニター値を読み、負荷に流れる電流を
常時チェックし、負荷に流れる電流が過電流状態か否か
を監視する必要がある。
電流値をサンプリングして負荷に流れる電流をモニター
して、この電流モニター値を読み、負荷に流れる電流を
常時チェックし、負荷に流れる電流が過電流状態か否か
を監視する必要がある。
【０００４】そこで、従来は、図２に示す如く、車載バ
ッテリからの電源電圧ＶＢは、負荷に供給される電流を
検出する電流検出用抵抗（シャント抵抗）Ｒｓ１と、半
導体リレー２のドレインＤ−ソースＳ間とを介してスト
ップランプ等の負荷３に供給される。この半導体リレー
２は、例えば、熱遮断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴが用いら
れ、この熱遮断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴは、ロジックレ
ベル（４Ｖ以上）駆動型パワーＭＯＳＦＥＴで、熱遮断
回路を内蔵しており、過熱状態のパワーＭＯＳＦＥＴ保
護が可能となっており、過熱遮断方式はラッチ型で、過
熱遮断回路動作後は、ゲート電圧０バイアスで復帰する
ものである。
ッテリからの電源電圧ＶＢは、負荷に供給される電流を
検出する電流検出用抵抗（シャント抵抗）Ｒｓ１と、半
導体リレー２のドレインＤ−ソースＳ間とを介してスト
ップランプ等の負荷３に供給される。この半導体リレー
２は、例えば、熱遮断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴが用いら
れ、この熱遮断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴは、ロジックレ
ベル（４Ｖ以上）駆動型パワーＭＯＳＦＥＴで、熱遮断
回路を内蔵しており、過熱状態のパワーＭＯＳＦＥＴ保
護が可能となっており、過熱遮断方式はラッチ型で、過
熱遮断回路動作後は、ゲート電圧０バイアスで復帰する
ものである。
【０００５】駆動回路４は、例えば、チャージポンプ回
路５により電源電圧ＶＢを昇圧したチャージポンプ出力
電圧ＶＰ（＝ＶＢ＋１０［Ｖ］）がコレクタに接続され
るＮＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタと、該Ｓ
Ｗトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたＮＰ
Ｎ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタとを有し、チャ
ージポンプ回路５側に接続されるＳＷトランジスタのエ
ミッタとアース側に接続されるＳＷトランジスタのコレ
クタとの接点が半導体リレー２のゲートＧに接続された
構成となっている。
路５により電源電圧ＶＢを昇圧したチャージポンプ出力
電圧ＶＰ（＝ＶＢ＋１０［Ｖ］）がコレクタに接続され
るＮＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタと、該Ｓ
Ｗトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたＮＰ
Ｎ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタとを有し、チャ
ージポンプ回路５側に接続されるＳＷトランジスタのエ
ミッタとアース側に接続されるＳＷトランジスタのコレ
クタとの接点が半導体リレー２のゲートＧに接続された
構成となっている。
【０００６】そして、駆動回路４は、２つの直列に接続
されるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５側
に接続されるＳＷトランジスタをオンさせると共にＳＷ
トランジスタをオフさせることにより、チャージポンプ
出力電圧ＶＰを半導体リレー２のゲートＧに印加して、
半導体リレー２をオンさせ、２つの直列に接続されるＳ
Ｗトランジスタの内のチャージポンプ回路５側に接続さ
れるＳＷトランジスタをオフさせると共にＳＷトランジ
スタをオンさせることにより、半導体リレー２のゲート
Ｇに対するチャージポンプ出力電圧ＶＰの印加を停止し
て、半導体リレー２をオフさせる機能を有している。
されるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５側
に接続されるＳＷトランジスタをオンさせると共にＳＷ
トランジスタをオフさせることにより、チャージポンプ
出力電圧ＶＰを半導体リレー２のゲートＧに印加して、
半導体リレー２をオンさせ、２つの直列に接続されるＳ
Ｗトランジスタの内のチャージポンプ回路５側に接続さ
れるＳＷトランジスタをオフさせると共にＳＷトランジ
スタをオンさせることにより、半導体リレー２のゲート
Ｇに対するチャージポンプ出力電圧ＶＰの印加を停止し
て、半導体リレー２をオフさせる機能を有している。
【０００７】また、車載バッテリと半導体リレー２との
間に設けられたシャント抵抗Ｒｓ１は、車載バッテリと
負荷３との間の電源線に流れる電流を電圧に変換するた
めの低抵抗で、この両端電圧を検出することにより電源
線に流れる電流の検出を行っている。このシャント抵抗
Ｒｓ１の両端は、負荷電流モニター回路６に接続されて
おり、この負荷電流モニター回路６は、電流検出手段と
して働き、シャント抵抗Ｒｓ１の両端電圧に応じた電圧
を出力することにより負荷電流を検出している。そし
て、このシャント抵抗Ｒｓ１は、例えば、数十ｍΩの抵
抗を用い、ハード的な過電流判定値、例えば、数十Ａを
決定するものである。
間に設けられたシャント抵抗Ｒｓ１は、車載バッテリと
負荷３との間の電源線に流れる電流を電圧に変換するた
めの低抵抗で、この両端電圧を検出することにより電源
線に流れる電流の検出を行っている。このシャント抵抗
Ｒｓ１の両端は、負荷電流モニター回路６に接続されて
おり、この負荷電流モニター回路６は、電流検出手段と
して働き、シャント抵抗Ｒｓ１の両端電圧に応じた電圧
を出力することにより負荷電流を検出している。そし
て、このシャント抵抗Ｒｓ１は、例えば、数十ｍΩの抵
抗を用い、ハード的な過電流判定値、例えば、数十Ａを
決定するものである。
【０００８】負荷電流モニター回路６の出力は、マイク
ロコンピュータ（マイコン）８に供給され、マイコン８
に内蔵されるＡ／Ｄ変換器９によりディジタル値に変換
された後、マイコン８のＣＰＵに取り込まれる。このマ
イコン８は、予め設定されている制御プログラムに従っ
て動作するＣＰＵと、このＣＰＵの制御プログラムを予
め格納しているＲＯＭと、ＣＰＵの演算実行時に必要な
データを一時的に保存するＲＡＭとによって構成されて
おり、マイコン８にスイッチＳＷのオン操作によって、
ゲート・ロジック回路７に対して駆動指示信号を出力す
る機能を有している。
ロコンピュータ（マイコン）８に供給され、マイコン８
に内蔵されるＡ／Ｄ変換器９によりディジタル値に変換
された後、マイコン８のＣＰＵに取り込まれる。このマ
イコン８は、予め設定されている制御プログラムに従っ
て動作するＣＰＵと、このＣＰＵの制御プログラムを予
め格納しているＲＯＭと、ＣＰＵの演算実行時に必要な
データを一時的に保存するＲＡＭとによって構成されて
おり、マイコン８にスイッチＳＷのオン操作によって、
ゲート・ロジック回路７に対して駆動指示信号を出力す
る機能を有している。
【０００９】また、車載バッテリからの電源電圧ＶＢ
は、負荷に供給される電流を検出する電流検出用抵抗
（シャント抵抗）Ｒｓ２と、半導体リレー１０のドレイ
ンＤ−ソースＳ間とを介して、前記負荷３とは異なるテ
ールランプ等の負荷１１に供給される。
は、負荷に供給される電流を検出する電流検出用抵抗
（シャント抵抗）Ｒｓ２と、半導体リレー１０のドレイ
ンＤ−ソースＳ間とを介して、前記負荷３とは異なるテ
ールランプ等の負荷１１に供給される。
【００１０】この半導体リレー１０は、半導体リレー２
と同様に構成され、駆動回路１２は、駆動回路４と同様
に構成されている。更に、シャント抵抗Ｒｓ２は、車載
バッテリと負荷１１との間の電源線に流れる電流を電圧
に変換するための低抵抗で、この両端電圧を検出するこ
とにより電源線に流れる電流の検出を行っている。この
シャント抵抗Ｒｓ２の両端は、負荷電流モニター回路６
と同一の負荷電流モニター回路１３が接続されている。
負荷電流モニター回路１３の出力は、マイクロコンピュ
ータ（マイコン）８に供給され、マイコン８に内蔵され
るＡ／Ｄ変換器１５によりディジタル値に変換された
後、マイコン８のＣＰＵに取り込まれる。
と同様に構成され、駆動回路１２は、駆動回路４と同様
に構成されている。更に、シャント抵抗Ｒｓ２は、車載
バッテリと負荷１１との間の電源線に流れる電流を電圧
に変換するための低抵抗で、この両端電圧を検出するこ
とにより電源線に流れる電流の検出を行っている。この
シャント抵抗Ｒｓ２の両端は、負荷電流モニター回路６
と同一の負荷電流モニター回路１３が接続されている。
負荷電流モニター回路１３の出力は、マイクロコンピュ
ータ（マイコン）８に供給され、マイコン８に内蔵され
るＡ／Ｄ変換器１５によりディジタル値に変換された
後、マイコン８のＣＰＵに取り込まれる。
【００１１】このマイコン８は、予め設定されている制
御プログラムに従って動作するＣＰＵと、このＣＰＵの
制御プログラムを予め格納しているＲＯＭと、ＣＰＵの
演算実行時に必要なデータを一時的に保存するＲＡＭと
によって構成されており、マイコン８にスイッチＳＷの
オン操作によって、ゲート・ロジック回路１４に対して
駆動指示信号を出力する機能を有している。
御プログラムに従って動作するＣＰＵと、このＣＰＵの
制御プログラムを予め格納しているＲＯＭと、ＣＰＵの
演算実行時に必要なデータを一時的に保存するＲＡＭと
によって構成されており、マイコン８にスイッチＳＷの
オン操作によって、ゲート・ロジック回路１４に対して
駆動指示信号を出力する機能を有している。
【００１２】また、車載バッテリからの電源電圧ＶＢ
は、負荷に供給される電流を検出する電流検出用抵抗
（シャント抵抗）Ｒｓ３と、半導体リレー１６のドレイ
ンＤ−ソースＳ間とを介して、前記負荷３、１１とは異
なるバックランプ等の負荷１７に供給される。この半導
体リレー１６は、半導体リレー２と同様に構成され、駆
動回路１８は、駆動回路４と同様に構成されている。更
に、シャント抵抗Ｒｓ３は、車載バッテリと負荷１７と
の間の電源線に流れる電流を電圧に変換するための低抵
抗で、この両端電圧を検出することにより電源線に流れ
る電流の検出を行っている。このシャント抵抗Ｒｓ３の
両端は、負荷電流モニター回路６と同一の負荷電流モニ
ター回路１９が接続されている。負荷電流モニター回路
１９の出力は、マイクロコンピュータ（マイコン）８に
供給され、マイコン８に内蔵されるＡ／Ｄ変換器２１に
よりディジタル値に変換された後、マイコン８のＣＰＵ
に取り込まれる。
は、負荷に供給される電流を検出する電流検出用抵抗
（シャント抵抗）Ｒｓ３と、半導体リレー１６のドレイ
ンＤ−ソースＳ間とを介して、前記負荷３、１１とは異
なるバックランプ等の負荷１７に供給される。この半導
体リレー１６は、半導体リレー２と同様に構成され、駆
動回路１８は、駆動回路４と同様に構成されている。更
に、シャント抵抗Ｒｓ３は、車載バッテリと負荷１７と
の間の電源線に流れる電流を電圧に変換するための低抵
抗で、この両端電圧を検出することにより電源線に流れ
る電流の検出を行っている。このシャント抵抗Ｒｓ３の
両端は、負荷電流モニター回路６と同一の負荷電流モニ
ター回路１９が接続されている。負荷電流モニター回路
１９の出力は、マイクロコンピュータ（マイコン）８に
供給され、マイコン８に内蔵されるＡ／Ｄ変換器２１に
よりディジタル値に変換された後、マイコン８のＣＰＵ
に取り込まれる。
【００１３】このマイコン８は、予め設定されている制
御プログラムに従って動作するＣＰＵと、このＣＰＵの
制御プログラムを予め格納しているＲＯＭと、ＣＰＵの
演算実行時に必要なデータを一時的に保存するＲＡＭと
によって構成されており、マイコン８にスイッチＳＷの
オン操作によって、ゲート・ロジック回路２０に対して
駆動指示信号を出力する機能を有している。
御プログラムに従って動作するＣＰＵと、このＣＰＵの
制御プログラムを予め格納しているＲＯＭと、ＣＰＵの
演算実行時に必要なデータを一時的に保存するＲＡＭと
によって構成されており、マイコン８にスイッチＳＷの
オン操作によって、ゲート・ロジック回路２０に対して
駆動指示信号を出力する機能を有している。
【００１４】また、車載バッテリからの電源電圧ＶＢ
は、負荷に供給される電流を検出する電流検出用抵抗
（シャント抵抗）Ｒｓ４と、半導体リレー２２のドレイ
ンＤ−ソースＳ間とを介して、前記負荷３、１１、１７
とは異なるバックランプ等の負荷２３に供給される。こ
の半導体リレー２２は、半導体リレー２と同様に構成さ
れ、駆動回路２４は、駆動回路４と同様に構成されてい
る。更に、シャント抵抗Ｒｓ４は、車載バッテリと負荷
２３との間の電源線に流れる電流を電圧に変換するため
の低抵抗で、この両端電圧を検出することにより電源線
に流れる電流の検出を行っている。このシャント抵抗Ｒ
ｓ４の両端は、負荷電流モニター回路６と同一の負荷電
流モニター回路２５が接続されている。負荷電流モニタ
ー回路２５の出力は、マイコン８に供給され、マイコン
８に内蔵されるＡ／Ｄ変換器２７によりディジタル値に
変換された後、マイコン８のＣＰＵに取り込まれる。
は、負荷に供給される電流を検出する電流検出用抵抗
（シャント抵抗）Ｒｓ４と、半導体リレー２２のドレイ
ンＤ−ソースＳ間とを介して、前記負荷３、１１、１７
とは異なるバックランプ等の負荷２３に供給される。こ
の半導体リレー２２は、半導体リレー２と同様に構成さ
れ、駆動回路２４は、駆動回路４と同様に構成されてい
る。更に、シャント抵抗Ｒｓ４は、車載バッテリと負荷
２３との間の電源線に流れる電流を電圧に変換するため
の低抵抗で、この両端電圧を検出することにより電源線
に流れる電流の検出を行っている。このシャント抵抗Ｒ
ｓ４の両端は、負荷電流モニター回路６と同一の負荷電
流モニター回路２５が接続されている。負荷電流モニタ
ー回路２５の出力は、マイコン８に供給され、マイコン
８に内蔵されるＡ／Ｄ変換器２７によりディジタル値に
変換された後、マイコン８のＣＰＵに取り込まれる。
【００１５】このマイコン８は、予め設定されている制
御プログラムに従って動作するＣＰＵと、このＣＰＵの
制御プログラムを予め格納しているＲＯＭと、ＣＰＵの
演算実行時に必要なデータを一時的に保存するＲＡＭと
によって構成されており、マイコン８にスイッチＳＷの
オン操作によって、ゲート・ロジック回路２６に対して
駆動指示信号を出力する機能を有している。
御プログラムに従って動作するＣＰＵと、このＣＰＵの
制御プログラムを予め格納しているＲＯＭと、ＣＰＵの
演算実行時に必要なデータを一時的に保存するＲＡＭと
によって構成されており、マイコン８にスイッチＳＷの
オン操作によって、ゲート・ロジック回路２６に対して
駆動指示信号を出力する機能を有している。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の半導
体リレーシステムにおいては、負荷が複数（多チャンネ
ル）ある場合、各負荷に対し、それぞれ半導体リレーを
介して車載バッテリからの電源電圧ＶＢを供給してお
り、それぞれの負荷に供給される電流値は個別に検出さ
れ、それぞれがマイコン８の内蔵されたＡ／Ｄ変換器
９，１５，２１，２７によってディジタル値に変換さ
れ、ＣＰＵに取り込まれる構成となっている。
体リレーシステムにおいては、負荷が複数（多チャンネ
ル）ある場合、各負荷に対し、それぞれ半導体リレーを
介して車載バッテリからの電源電圧ＶＢを供給してお
り、それぞれの負荷に供給される電流値は個別に検出さ
れ、それぞれがマイコン８の内蔵されたＡ／Ｄ変換器
９，１５，２１，２７によってディジタル値に変換さ
れ、ＣＰＵに取り込まれる構成となっている。
【００１７】したがって、負荷が多チャンネル（例え
ば、４チャンネル）ある場合、マイコンのＡ／Ｄ入力端
子の数も多チャンネル（例えば、４チャンネル）分を必
要となる。しかしながら、マイコン８に設けられている
Ｉ／Ｏの端子数は多いが、Ａ／Ｄ変換機能を備えたＡ／
Ｄ入力端子の数は限られているため、Ａ／Ｄ入力端子を
センサーからの検出値をマイコン８に取り込むのに用い
た方がＡ／Ｄ入力端子の利用法としては効率が良く、ラ
ンプ負荷のような単なるランプ負荷に流れる電流を検出
するだけの負荷電流モニター用として用いるのは、ラン
プ負荷のような頻繁に同時にモニターする必要がない負
荷電流モニター用として用いるのはＡ／Ｄ入力端子の利
用効率から適さないという問題を有している。また、マ
イコンに設けられているＩ／Ｏの端子数には、Ａ／Ｄ変
換機能を備えたＡ／Ｄ入力端子の数は限られているた
め、マイコンのＩ／ＯにＡ／Ｄ変換器を外付けにする
と、Ａ／Ｄ入力端子の利用数を抑えることはできるが、
実装面積が大きくなり小型化という点においては適さな
いものとなってしまうという問題を有している。
ば、４チャンネル）ある場合、マイコンのＡ／Ｄ入力端
子の数も多チャンネル（例えば、４チャンネル）分を必
要となる。しかしながら、マイコン８に設けられている
Ｉ／Ｏの端子数は多いが、Ａ／Ｄ変換機能を備えたＡ／
Ｄ入力端子の数は限られているため、Ａ／Ｄ入力端子を
センサーからの検出値をマイコン８に取り込むのに用い
た方がＡ／Ｄ入力端子の利用法としては効率が良く、ラ
ンプ負荷のような単なるランプ負荷に流れる電流を検出
するだけの負荷電流モニター用として用いるのは、ラン
プ負荷のような頻繁に同時にモニターする必要がない負
荷電流モニター用として用いるのはＡ／Ｄ入力端子の利
用効率から適さないという問題を有している。また、マ
イコンに設けられているＩ／Ｏの端子数には、Ａ／Ｄ変
換機能を備えたＡ／Ｄ入力端子の数は限られているた
め、マイコンのＩ／ＯにＡ／Ｄ変換器を外付けにする
と、Ａ／Ｄ入力端子の利用数を抑えることはできるが、
実装面積が大きくなり小型化という点においては適さな
いものとなってしまうという問題を有している。
【００１８】本発明の目的は、電流モニター端子に対す
るマイコンに設けられているＡ／Ｄ変換機能を備えたＡ
／Ｄ入力端子の使用効率を向上させることにある。
るマイコンに設けられているＡ／Ｄ変換機能を備えたＡ
／Ｄ入力端子の使用効率を向上させることにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１に記載の電流モニター端子のマイクロコ
ンピュータへの入力方法は、マイクロコンピュータでチ
ャージポンプ回路によって電源電圧を昇圧したチャージ
ポンプ出力電圧を、駆動回路を介して複数の負荷のそれ
ぞれに直列に接続される半導体リレーのゲートに印加す
ることにより、該半導体リレーをオン・オフ制御してそ
れぞれの負荷に電源を供給する半導体リレーシステムに
おいて，半導体リレーのドレン側に電流検出用抵抗を接
続して負荷に流れる電流値をモニターする負荷電流モニ
ター回路を複数の負荷のそれぞれに設け、複数の負荷の
それぞれに設けた負荷電流モニター回路の出力をアナロ
グマルチプレクサを介して任意に選定したアナログ出力
値をマイクロコンピュータに内蔵される１個のＡ／Ｄ変
換器を介してＣＰＵに取り込むようにしたものである。
このように構成することにより、請求項１に記載の発明
によると、電流モニター端子に対するマイコンに設けら
れているＡ／Ｄ変換機能を備えたＡ／Ｄ入力端子の使用
効率を向上させることができる。
めに、請求項１に記載の電流モニター端子のマイクロコ
ンピュータへの入力方法は、マイクロコンピュータでチ
ャージポンプ回路によって電源電圧を昇圧したチャージ
ポンプ出力電圧を、駆動回路を介して複数の負荷のそれ
ぞれに直列に接続される半導体リレーのゲートに印加す
ることにより、該半導体リレーをオン・オフ制御してそ
れぞれの負荷に電源を供給する半導体リレーシステムに
おいて，半導体リレーのドレン側に電流検出用抵抗を接
続して負荷に流れる電流値をモニターする負荷電流モニ
ター回路を複数の負荷のそれぞれに設け、複数の負荷の
それぞれに設けた負荷電流モニター回路の出力をアナロ
グマルチプレクサを介して任意に選定したアナログ出力
値をマイクロコンピュータに内蔵される１個のＡ／Ｄ変
換器を介してＣＰＵに取り込むようにしたものである。
このように構成することにより、請求項１に記載の発明
によると、電流モニター端子に対するマイコンに設けら
れているＡ／Ｄ変換機能を備えたＡ／Ｄ入力端子の使用
効率を向上させることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施の形態に
ついて説明する。図１には、本発明に係る電流モニター
端子のマイクロコンピュータへの入力方法の一実施の形
態を示す半導体モニターシステムの回路図が示されてい
る。
ついて説明する。図１には、本発明に係る電流モニター
端子のマイクロコンピュータへの入力方法の一実施の形
態を示す半導体モニターシステムの回路図が示されてい
る。
【００２１】図において、車載バッテリからの電源電圧
ＶＢは、負荷３に供給される電流を検出する電流検出用
抵抗（シャント抵抗）Ｒｓ１と、半導体リレー２（例え
ば、半導体スイッチ素子としての熱遮断回路内蔵型ＭＯ
ＳＦＥＴ）のドレインＤ−ソースＳ間とを介してストッ
プランプ等の負荷３に供給される。この半導体リレー２
は、例えば、熱遮断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴが用いら
れ、この熱遮断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴは、ロジックレ
ベル（４Ｖ以上）駆動型パワーＭＯＳＦＥＴで、熱遮断
回路を内蔵しており、過熱状態のパワーＭＯＳＦＥＴ保
護が可能となっており、過熱遮断方式はラッチ型で、過
熱遮断回路動作後は、ゲート電圧０バイアスで復帰する
ものである。
ＶＢは、負荷３に供給される電流を検出する電流検出用
抵抗（シャント抵抗）Ｒｓ１と、半導体リレー２（例え
ば、半導体スイッチ素子としての熱遮断回路内蔵型ＭＯ
ＳＦＥＴ）のドレインＤ−ソースＳ間とを介してストッ
プランプ等の負荷３に供給される。この半導体リレー２
は、例えば、熱遮断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴが用いら
れ、この熱遮断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴは、ロジックレ
ベル（４Ｖ以上）駆動型パワーＭＯＳＦＥＴで、熱遮断
回路を内蔵しており、過熱状態のパワーＭＯＳＦＥＴ保
護が可能となっており、過熱遮断方式はラッチ型で、過
熱遮断回路動作後は、ゲート電圧０バイアスで復帰する
ものである。
【００２２】駆動回路４は、例えば、チャージポンプ回
路５により電源電圧ＶＢを昇圧したチャージポンプ出力
電圧ＶＰ（＝ＶＢ＋１０［Ｖ］）がコレクタに接続され
るＮＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタと、該Ｓ
Ｗトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたＮＰ
Ｎ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタとを有し、チャ
ージポンプ回路５側に接続されるＳＷトランジスタのエ
ミッタとアース側に接続されるＳＷトランジスタのコレ
クタとの接点が半導体リレー２のゲートＧに接続された
構成となっている。
路５により電源電圧ＶＢを昇圧したチャージポンプ出力
電圧ＶＰ（＝ＶＢ＋１０［Ｖ］）がコレクタに接続され
るＮＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタと、該Ｓ
Ｗトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたＮＰ
Ｎ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタとを有し、チャ
ージポンプ回路５側に接続されるＳＷトランジスタのエ
ミッタとアース側に接続されるＳＷトランジスタのコレ
クタとの接点が半導体リレー２のゲートＧに接続された
構成となっている。
【００２３】そして、駆動回路４は、２つの直列に接続
されるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５側
に接続されるＳＷトランジスタをオンさせると共にＳＷ
トランジスタをオフさせることにより、チャージポンプ
出力電圧ＶＰを半導体リレー２のゲートＧに印加して、
半導体リレー２をオンさせ、２つの直列に接続されるＳ
Ｗトランジスタの内のチャージポンプ回路５側に接続さ
れるＳＷトランジスタをオフさせると共にＳＷトランジ
スタをオンさせることにより、半導体リレー２のゲート
Ｇに対するチャージポンプ出力電圧ＶＰの印加を停止し
て、半導体リレー２をオフさせる機能を有している。
されるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５側
に接続されるＳＷトランジスタをオンさせると共にＳＷ
トランジスタをオフさせることにより、チャージポンプ
出力電圧ＶＰを半導体リレー２のゲートＧに印加して、
半導体リレー２をオンさせ、２つの直列に接続されるＳ
Ｗトランジスタの内のチャージポンプ回路５側に接続さ
れるＳＷトランジスタをオフさせると共にＳＷトランジ
スタをオンさせることにより、半導体リレー２のゲート
Ｇに対するチャージポンプ出力電圧ＶＰの印加を停止し
て、半導体リレー２をオフさせる機能を有している。
【００２４】また、車載バッテリと半導体リレー２との
間に設けられたシャント抵抗Ｒｓ１は、車載バッテリと
負荷３との間の電源線に流れる電流を電圧に変換するた
めの低抵抗で、この両端電圧を検出することにより電源
線に流れる電流の検出を行っている。このシャント抵抗
Ｒｓ１の両端は、負荷電流モニター回路６に接続されて
おり、この負荷電流モニター回路６は、電流検出手段と
して働き、シャント抵抗Ｒｓ１の両端電圧に応じた電圧
を出力することにより負荷電流を検出している。そし
て、このシャント抵抗Ｒｓ１は、例えば、数十ｍΩの抵
抗を用い、ハード的な過電流判定値、例えば、数十Ａを
決定するものである。負荷電流モニター回路６の出力
は、アナログマルチプレクサ２８に入力される。このア
ナログマルチプレクサ２８は、多数のアナログ信号（マ
ルチプレクサの最大容量まで）の内の１個を選択しＡ／
Ｄ変換器の入力に与えるものである。
間に設けられたシャント抵抗Ｒｓ１は、車載バッテリと
負荷３との間の電源線に流れる電流を電圧に変換するた
めの低抵抗で、この両端電圧を検出することにより電源
線に流れる電流の検出を行っている。このシャント抵抗
Ｒｓ１の両端は、負荷電流モニター回路６に接続されて
おり、この負荷電流モニター回路６は、電流検出手段と
して働き、シャント抵抗Ｒｓ１の両端電圧に応じた電圧
を出力することにより負荷電流を検出している。そし
て、このシャント抵抗Ｒｓ１は、例えば、数十ｍΩの抵
抗を用い、ハード的な過電流判定値、例えば、数十Ａを
決定するものである。負荷電流モニター回路６の出力
は、アナログマルチプレクサ２８に入力される。このア
ナログマルチプレクサ２８は、多数のアナログ信号（マ
ルチプレクサの最大容量まで）の内の１個を選択しＡ／
Ｄ変換器の入力に与えるものである。
【００２５】また、車載バッテリからの電源電圧ＶＢ
は、負荷３とは別な負荷１１に供給される電流を検出す
る電流検出用抵抗（シャント抵抗）Ｒｓ２と、半導体リ
レー１０（例えば、半導体スイッチ素子としての熱遮断
回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴ）のドレインＤ−ソースＳ間と
を介してテールランプ等のランプ負荷１１に供給され
る。この半導体リレー１０は、例えば、熱遮断回路内蔵
型ＭＯＳＦＥＴが用いられ、この熱遮断回路内蔵型ＭＯ
ＳＦＥＴは、ロジックレベル（４Ｖ以上）駆動型パワー
ＭＯＳＦＥＴで、熱遮断回路を内蔵しており、過熱状態
のパワーＭＯＳＦＥＴ保護が可能となっており、過熱遮
断方式はラッチ型で、過熱遮断回路動作後は、ゲート電
圧０バイアスで復帰するものである。
は、負荷３とは別な負荷１１に供給される電流を検出す
る電流検出用抵抗（シャント抵抗）Ｒｓ２と、半導体リ
レー１０（例えば、半導体スイッチ素子としての熱遮断
回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴ）のドレインＤ−ソースＳ間と
を介してテールランプ等のランプ負荷１１に供給され
る。この半導体リレー１０は、例えば、熱遮断回路内蔵
型ＭＯＳＦＥＴが用いられ、この熱遮断回路内蔵型ＭＯ
ＳＦＥＴは、ロジックレベル（４Ｖ以上）駆動型パワー
ＭＯＳＦＥＴで、熱遮断回路を内蔵しており、過熱状態
のパワーＭＯＳＦＥＴ保護が可能となっており、過熱遮
断方式はラッチ型で、過熱遮断回路動作後は、ゲート電
圧０バイアスで復帰するものである。
【００２６】駆動回路１２は、例えば、チャージポンプ
回路５により電源電圧ＶＢを昇圧したチャージポンプ出
力電圧ＶＰ（＝ＶＢ＋１０［Ｖ］）がコレクタに接続さ
れるＮＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタと、該
ＳＷトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたＮ
ＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタとを有し、チ
ャージポンプ回路５側に接続されるＳＷトランジスタの
エミッタとアース側に接続されるＳＷトランジスタのコ
レクタとの接点が半導体リレー２のゲートＧに接続され
た構成となっている。
回路５により電源電圧ＶＢを昇圧したチャージポンプ出
力電圧ＶＰ（＝ＶＢ＋１０［Ｖ］）がコレクタに接続さ
れるＮＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタと、該
ＳＷトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたＮ
ＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタとを有し、チ
ャージポンプ回路５側に接続されるＳＷトランジスタの
エミッタとアース側に接続されるＳＷトランジスタのコ
レクタとの接点が半導体リレー２のゲートＧに接続され
た構成となっている。
【００２７】そして、駆動回路１２は、２つの直列に接
続されるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５
側に接続されるＳＷトランジスタをオンさせると共にＳ
Ｗトランジスタをオフさせることにより、チャージポン
プ出力電圧ＶＰを半導体リレー１０のゲートＧに印加し
て、半導体リレー１０をオンさせ、２つの直列に接続さ
れるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５側に
接続されるＳＷトランジスタをオフさせると共にＳＷト
ランジスタをオンさせることにより、半導体リレー１０
のゲートＧに対するチャージポンプ出力電圧ＶＰの印加
を停止して、半導体リレー１０をオフさせる機能を有し
ている。
続されるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５
側に接続されるＳＷトランジスタをオンさせると共にＳ
Ｗトランジスタをオフさせることにより、チャージポン
プ出力電圧ＶＰを半導体リレー１０のゲートＧに印加し
て、半導体リレー１０をオンさせ、２つの直列に接続さ
れるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５側に
接続されるＳＷトランジスタをオフさせると共にＳＷト
ランジスタをオンさせることにより、半導体リレー１０
のゲートＧに対するチャージポンプ出力電圧ＶＰの印加
を停止して、半導体リレー１０をオフさせる機能を有し
ている。
【００２８】また、車載バッテリと半導体リレー１０と
の間に設けられたシャント抵抗Ｒｓ２は、車載バッテリ
とランプ負荷１１との間の電源線に流れる電流を電圧に
変換するための低抵抗で、この両端電圧を検出すること
により電源線に流れる電流の検出を行っている。このシ
ャント抵抗Ｒｓ２の両端は、負荷電流モニター回路１３
に接続されており、この負荷電流モニター回路１３は、
電流検出手段として働き、シャント抵抗Ｒｓ２の両端電
圧に応じた電圧を出力することにより負荷電流を検出し
ている。そして、このシャント抵抗Ｒｓ２は、例えば、
数十ｍΩの抵抗を用い、ハード的な過電流判定値、例え
ば、数十Ａを決定するものである。負荷電流モニター回
路１３の出力は、アナログマルチプレクサ２８に入力さ
れる。このアナログマルチプレクサ２８は、多数のアナ
ログ信号（マルチプレクサの最大容量まで）の内の１個
を選択しＡ／Ｄ変換器の入力に与えるものである。
の間に設けられたシャント抵抗Ｒｓ２は、車載バッテリ
とランプ負荷１１との間の電源線に流れる電流を電圧に
変換するための低抵抗で、この両端電圧を検出すること
により電源線に流れる電流の検出を行っている。このシ
ャント抵抗Ｒｓ２の両端は、負荷電流モニター回路１３
に接続されており、この負荷電流モニター回路１３は、
電流検出手段として働き、シャント抵抗Ｒｓ２の両端電
圧に応じた電圧を出力することにより負荷電流を検出し
ている。そして、このシャント抵抗Ｒｓ２は、例えば、
数十ｍΩの抵抗を用い、ハード的な過電流判定値、例え
ば、数十Ａを決定するものである。負荷電流モニター回
路１３の出力は、アナログマルチプレクサ２８に入力さ
れる。このアナログマルチプレクサ２８は、多数のアナ
ログ信号（マルチプレクサの最大容量まで）の内の１個
を選択しＡ／Ｄ変換器の入力に与えるものである。
【００２９】また、車載バッテリからの電源電圧ＶＢ
は、ランプ負荷１１とは別な負荷１７に供給される電流
を検出する電流検出用抵抗（シャント抵抗）Ｒｓ３と、
半導体リレー１６（例えば、半導体スイッチ素子として
の熱遮断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴ）のドレインＤ−ソー
スＳ間とを介してバックランプ等のランプ負荷１７に供
給される。この半導体リレー１６は、例えば、熱遮断回
路内蔵型ＭＯＳＦＥＴが用いられ、この熱遮断回路内蔵
型ＭＯＳＦＥＴは、ロジックレベル（４Ｖ以上）駆動型
パワーＭＯＳＦＥＴで、熱遮断回路を内蔵しており、過
熱状態のパワーＭＯＳＦＥＴ保護が可能となっており、
過熱遮断方式はラッチ型で、過熱遮断回路動作後は、ゲ
ート電圧０バイアスで復帰するものである。
は、ランプ負荷１１とは別な負荷１７に供給される電流
を検出する電流検出用抵抗（シャント抵抗）Ｒｓ３と、
半導体リレー１６（例えば、半導体スイッチ素子として
の熱遮断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴ）のドレインＤ−ソー
スＳ間とを介してバックランプ等のランプ負荷１７に供
給される。この半導体リレー１６は、例えば、熱遮断回
路内蔵型ＭＯＳＦＥＴが用いられ、この熱遮断回路内蔵
型ＭＯＳＦＥＴは、ロジックレベル（４Ｖ以上）駆動型
パワーＭＯＳＦＥＴで、熱遮断回路を内蔵しており、過
熱状態のパワーＭＯＳＦＥＴ保護が可能となっており、
過熱遮断方式はラッチ型で、過熱遮断回路動作後は、ゲ
ート電圧０バイアスで復帰するものである。
【００３０】駆動回路１９は、例えば、チャージポンプ
回路５により電源電圧ＶＢを昇圧したチャージポンプ出
力電圧ＶＰ（＝ＶＢ＋１０［Ｖ］）がコレクタに接続さ
れるＮＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタと、該
ＳＷトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたＮ
ＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタとを有し、チ
ャージポンプ回路５側に接続されるＳＷトランジスタの
エミッタとアース側に接続されるＳＷトランジスタのコ
レクタとの接点が半導体リレー１１のゲートＧに接続さ
れた構成となっている。
回路５により電源電圧ＶＢを昇圧したチャージポンプ出
力電圧ＶＰ（＝ＶＢ＋１０［Ｖ］）がコレクタに接続さ
れるＮＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタと、該
ＳＷトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたＮ
ＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタとを有し、チ
ャージポンプ回路５側に接続されるＳＷトランジスタの
エミッタとアース側に接続されるＳＷトランジスタのコ
レクタとの接点が半導体リレー１１のゲートＧに接続さ
れた構成となっている。
【００３１】そして、駆動回路１９は、２つの直列に接
続されるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５
側に接続されるＳＷトランジスタをオンさせると共にＳ
Ｗトランジスタをオフさせることにより、チャージポン
プ出力電圧ＶＰを半導体リレー１６のゲートＧに印加し
て、半導体リレー１６をオンさせ、２つの直列に接続さ
れるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５側に
接続されるＳＷトランジスタをオフさせると共にＳＷト
ランジスタをオンさせることにより、半導体リレー１６
のゲートＧに対するチャージポンプ出力電圧ＶＰの印加
を停止して、半導体リレー１６をオフさせる機能を有し
ている。
続されるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５
側に接続されるＳＷトランジスタをオンさせると共にＳ
Ｗトランジスタをオフさせることにより、チャージポン
プ出力電圧ＶＰを半導体リレー１６のゲートＧに印加し
て、半導体リレー１６をオンさせ、２つの直列に接続さ
れるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５側に
接続されるＳＷトランジスタをオフさせると共にＳＷト
ランジスタをオンさせることにより、半導体リレー１６
のゲートＧに対するチャージポンプ出力電圧ＶＰの印加
を停止して、半導体リレー１６をオフさせる機能を有し
ている。
【００３２】また、車載バッテリと半導体リレー１６と
の間に設けられたシャント抵抗Ｒｓ３は、車載バッテリ
とランプ負荷１７との間の電源線に流れる電流を電圧に
変換するための低抵抗で、この両端電圧を検出すること
により電源線に流れる電流の検出を行っている。このシ
ャント抵抗Ｒｓ３の両端は、負荷電流モニター回路１９
に接続されており、この負荷電流モニター回路１９は、
電流検出手段として働き、シャント抵抗Ｒｓ３の両端電
圧に応じた電圧を出力することにより負荷電流を検出し
ている。そして、このシャント抵抗Ｒｓ３は、例えば、
数十ｍΩの抵抗を用い、ハード的な過電流判定値、例え
ば、数十Ａを決定するものである。負荷電流モニター回
路１９の出力は、アナログマルチプレクサ２８に入力さ
れる。このアナログマルチプレクサ２８は、多数のアナ
ログ信号（マルチプレクサの最大容量まで）の内の１個
を選択しＡ／Ｄ変換器の入力に与えるものである。
の間に設けられたシャント抵抗Ｒｓ３は、車載バッテリ
とランプ負荷１７との間の電源線に流れる電流を電圧に
変換するための低抵抗で、この両端電圧を検出すること
により電源線に流れる電流の検出を行っている。このシ
ャント抵抗Ｒｓ３の両端は、負荷電流モニター回路１９
に接続されており、この負荷電流モニター回路１９は、
電流検出手段として働き、シャント抵抗Ｒｓ３の両端電
圧に応じた電圧を出力することにより負荷電流を検出し
ている。そして、このシャント抵抗Ｒｓ３は、例えば、
数十ｍΩの抵抗を用い、ハード的な過電流判定値、例え
ば、数十Ａを決定するものである。負荷電流モニター回
路１９の出力は、アナログマルチプレクサ２８に入力さ
れる。このアナログマルチプレクサ２８は、多数のアナ
ログ信号（マルチプレクサの最大容量まで）の内の１個
を選択しＡ／Ｄ変換器の入力に与えるものである。
【００３３】また、車載バッテリからの電源電圧ＶＢ
は、ランプ負荷１７とは別な負荷２３に供給される電流
を検出する電流検出用抵抗（シャント抵抗）Ｒｓ４と、
半導体リレー２２（例えば、半導体スイッチ素子として
の熱遮断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴ）のドレインＤ−ソー
スＳ間とを介してパーキングランプ等のランプ負荷２３
に供給される。この半導体リレー２２は、例えば、熱遮
断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴが用いられ、この熱遮断回路
内蔵型ＭＯＳＦＥＴは、ロジックレベル（４Ｖ以上）駆
動型パワーＭＯＳＦＥＴで、熱遮断回路を内蔵してお
り、過熱状態のパワーＭＯＳＦＥＴ保護が可能となって
おり、過熱遮断方式はラッチ型で、過熱遮断回路動作後
は、ゲート電圧０バイアスで復帰するものである。
は、ランプ負荷１７とは別な負荷２３に供給される電流
を検出する電流検出用抵抗（シャント抵抗）Ｒｓ４と、
半導体リレー２２（例えば、半導体スイッチ素子として
の熱遮断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴ）のドレインＤ−ソー
スＳ間とを介してパーキングランプ等のランプ負荷２３
に供給される。この半導体リレー２２は、例えば、熱遮
断回路内蔵型ＭＯＳＦＥＴが用いられ、この熱遮断回路
内蔵型ＭＯＳＦＥＴは、ロジックレベル（４Ｖ以上）駆
動型パワーＭＯＳＦＥＴで、熱遮断回路を内蔵してお
り、過熱状態のパワーＭＯＳＦＥＴ保護が可能となって
おり、過熱遮断方式はラッチ型で、過熱遮断回路動作後
は、ゲート電圧０バイアスで復帰するものである。
【００３４】駆動回路２５は、例えば、チャージポンプ
回路５により電源電圧ＶＢを昇圧したチャージポンプ出
力電圧ＶＰ（＝ＶＢ＋１０［Ｖ］）がコレクタに接続さ
れるＮＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタと、該
ＳＷトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたＮ
ＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタとを有し、チ
ャージポンプ回路５側に接続されるＳＷトランジスタの
エミッタとアース側に接続されるＳＷトランジスタのコ
レクタとの接点が半導体リレー２２のゲートＧに接続さ
れた構成となっている。
回路５により電源電圧ＶＢを昇圧したチャージポンプ出
力電圧ＶＰ（＝ＶＢ＋１０［Ｖ］）がコレクタに接続さ
れるＮＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタと、該
ＳＷトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたＮ
ＰＮ型スイッチング（ＳＷ）トランジスタとを有し、チ
ャージポンプ回路５側に接続されるＳＷトランジスタの
エミッタとアース側に接続されるＳＷトランジスタのコ
レクタとの接点が半導体リレー２２のゲートＧに接続さ
れた構成となっている。
【００３５】そして、駆動回路２５は、２つの直列に接
続されるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５
側に接続されるＳＷトランジスタをオンさせると共にＳ
Ｗトランジスタをオフさせることにより、チャージポン
プ出力電圧ＶＰを半導体リレー２２のゲートＧに印加し
て、半導体リレー２２をオンさせ、２つの直列に接続さ
れるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５側に
接続されるＳＷトランジスタをオフさせると共にＳＷト
ランジスタをオンさせることにより、半導体リレー２２
のゲートＧに対するチャージポンプ出力電圧ＶＰの印加
を停止して、半導体リレー２２をオフさせる機能を有し
ている。
続されるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５
側に接続されるＳＷトランジスタをオンさせると共にＳ
Ｗトランジスタをオフさせることにより、チャージポン
プ出力電圧ＶＰを半導体リレー２２のゲートＧに印加し
て、半導体リレー２２をオンさせ、２つの直列に接続さ
れるＳＷトランジスタの内のチャージポンプ回路５側に
接続されるＳＷトランジスタをオフさせると共にＳＷト
ランジスタをオンさせることにより、半導体リレー２２
のゲートＧに対するチャージポンプ出力電圧ＶＰの印加
を停止して、半導体リレー２２をオフさせる機能を有し
ている。
【００３６】また、車載バッテリと半導体リレー２２と
の間に設けられたシャント抵抗Ｒｓ４は、車載バッテリ
とランプ負荷２３との間の電源線に流れる電流を電圧に
変換するための低抵抗で、この両端電圧を検出すること
により電源線に流れる電流の検出を行っている。このシ
ャント抵抗Ｒｓ４の両端は、負荷電流モニター回路２５
に接続されており、この負荷電流モニター回路２５は、
電流検出手段として働き、シャント抵抗Ｒｓ４の両端電
圧に応じた電圧を出力することにより負荷電流を検出し
ている。そして、このシャント抵抗Ｒｓ４は、例えば、
数十ｍΩの抵抗を用い、ハード的な過電流判定値、例え
ば、数十Ａを決定するものである。負荷電流モニター回
路２５の出力は、アナログマルチプレクサ２８に入力さ
れる。このアナログマルチプレクサ２８は、多数のアナ
ログ信号（マルチプレクサの最大容量まで）の内の１個
を選択しＡ／Ｄ変換器の入力に与えるものである。
の間に設けられたシャント抵抗Ｒｓ４は、車載バッテリ
とランプ負荷２３との間の電源線に流れる電流を電圧に
変換するための低抵抗で、この両端電圧を検出すること
により電源線に流れる電流の検出を行っている。このシ
ャント抵抗Ｒｓ４の両端は、負荷電流モニター回路２５
に接続されており、この負荷電流モニター回路２５は、
電流検出手段として働き、シャント抵抗Ｒｓ４の両端電
圧に応じた電圧を出力することにより負荷電流を検出し
ている。そして、このシャント抵抗Ｒｓ４は、例えば、
数十ｍΩの抵抗を用い、ハード的な過電流判定値、例え
ば、数十Ａを決定するものである。負荷電流モニター回
路２５の出力は、アナログマルチプレクサ２８に入力さ
れる。このアナログマルチプレクサ２８は、多数のアナ
ログ信号（マルチプレクサの最大容量まで）の内の１個
を選択しＡ／Ｄ変換器の入力に与えるものである。
【００３７】アナログマルチプレクサ２８の出力端子に
は、ＯＲ回路２９が接続されている。このＯＲ回路２９
は、アナログマルチプレクサ２８から出力される多数の
アナログ信号のいずれかが入力されたとき、その入力さ
れたアナログ信号を出力する機能を有するものである。
このようにアナログマルチプレクサ２８は、負荷電流モ
ニター回路６、１３、１９、２５からの出力アナログ信
号の内の１個を選択し出力するものであるから、このＯ
Ｒ回路２９から出力されたアナログ信号（負荷電流モニ
ター回路６、１３、１９、２５の出力アナログ信号の内
のいずれかの出力信号）は、増幅器３０によって増幅さ
れてマイクロコンピュータ（マイコン）８に供給され、
マイコン８に内蔵されるＡ／Ｄ変換器３１によりディジ
タル値に変換された後、マイコン８のＣＰＵに取り込ま
れる。
は、ＯＲ回路２９が接続されている。このＯＲ回路２９
は、アナログマルチプレクサ２８から出力される多数の
アナログ信号のいずれかが入力されたとき、その入力さ
れたアナログ信号を出力する機能を有するものである。
このようにアナログマルチプレクサ２８は、負荷電流モ
ニター回路６、１３、１９、２５からの出力アナログ信
号の内の１個を選択し出力するものであるから、このＯ
Ｒ回路２９から出力されたアナログ信号（負荷電流モニ
ター回路６、１３、１９、２５の出力アナログ信号の内
のいずれかの出力信号）は、増幅器３０によって増幅さ
れてマイクロコンピュータ（マイコン）８に供給され、
マイコン８に内蔵されるＡ／Ｄ変換器３１によりディジ
タル値に変換された後、マイコン８のＣＰＵに取り込ま
れる。
【００３８】このマイコン８は、予め設定されている制
御プログラムに従って動作するＣＰＵと、このＣＰＵの
制御プログラムを予め格納しているＲＯＭと、ＣＰＵの
演算実行時に必要なデータを一時的に保存するＲＡＭと
によって構成されており、マイコン８にスイッチＳＷの
オン操作によって、ゲート・ロジック回路７、１４、２
０、２６のそれぞれに対して駆動指示信号を出力する機
能を有している。
御プログラムに従って動作するＣＰＵと、このＣＰＵの
制御プログラムを予め格納しているＲＯＭと、ＣＰＵの
演算実行時に必要なデータを一時的に保存するＲＡＭと
によって構成されており、マイコン８にスイッチＳＷの
オン操作によって、ゲート・ロジック回路７、１４、２
０、２６のそれぞれに対して駆動指示信号を出力する機
能を有している。
【００３９】このように構成される電流モニター端子の
マイクロコンピュータへの入力方法を示す半導体モニタ
ーシステムの回路動作について説明する。まず、電源投
入時は、マイコン８から動作させようとするランプ負荷
回路のゲート・ロジック回路７、１４、２０，２６に電
圧Ｖｉｎが印加されると、この電圧は、ゲート・ロジッ
ク回路７、１４、２０、２６を介して駆動回路４、１
２、１８、２４を通って半導体リレー（熱遮断回路内蔵
型ＭＯＳＦＥＴ）２、１０、１６、２２のゲートＧに印
加される。すると、半導体リレー２、１０、１７、２２
のゲートＧ−ソースＳ間の電圧ＶＧＳは、徐々に昇圧し
ていき、活性領域から飽和領域に移る期間で、半導体リ
レー２、１０、１７、２２は完全にオン状態になる。
マイクロコンピュータへの入力方法を示す半導体モニタ
ーシステムの回路動作について説明する。まず、電源投
入時は、マイコン８から動作させようとするランプ負荷
回路のゲート・ロジック回路７、１４、２０，２６に電
圧Ｖｉｎが印加されると、この電圧は、ゲート・ロジッ
ク回路７、１４、２０、２６を介して駆動回路４、１
２、１８、２４を通って半導体リレー（熱遮断回路内蔵
型ＭＯＳＦＥＴ）２、１０、１６、２２のゲートＧに印
加される。すると、半導体リレー２、１０、１７、２２
のゲートＧ−ソースＳ間の電圧ＶＧＳは、徐々に昇圧し
ていき、活性領域から飽和領域に移る期間で、半導体リ
レー２、１０、１７、２２は完全にオン状態になる。
【００４０】また、マイコン８は、常時所定時間（例え
ば、数ｍｓｅｃ）毎に、Ａ／Ｄ変換器３１によりディジ
タル変換された、負荷電流モニター回路６、１３、１
９、２５の内の動作しているランプ負荷に流れる電流値
（シャント抵抗Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒｓ４の両端
の電位差によって検出）を、負荷電流モニター回路６、
１３、１９、２５の内の選択されたいずれかの出力アナ
ログ信号をサンプリングし、このサンプリングした負荷
に流れる負荷電流によって過電流を検出する。この過電
流を検出すると、マイコン８は、ゲート・ロジック回路
１４への駆動指示信号Ｓ２の出力を停止する。
ば、数ｍｓｅｃ）毎に、Ａ／Ｄ変換器３１によりディジ
タル変換された、負荷電流モニター回路６、１３、１
９、２５の内の動作しているランプ負荷に流れる電流値
（シャント抵抗Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒｓ４の両端
の電位差によって検出）を、負荷電流モニター回路６、
１３、１９、２５の内の選択されたいずれかの出力アナ
ログ信号をサンプリングし、このサンプリングした負荷
に流れる負荷電流によって過電流を検出する。この過電
流を検出すると、マイコン８は、ゲート・ロジック回路
１４への駆動指示信号Ｓ２の出力を停止する。
【００４１】動作しているランプ負荷に流れる電流値
（シャント抵抗Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒｓ４の両端
の電位差によって検出）を負荷電流モニター回路６、１
３、１９、２５から出力されるアナログ信号のサンプリ
ングは、マイコン８からのアナログマルチプレクサ２８
への選択指令信号によって選択された負荷電流モニター
回路６、１３、１９、２５をアナログマルチプレクサ２
８によって選択して行うことになる。
（シャント抵抗Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒｓ４の両端
の電位差によって検出）を負荷電流モニター回路６、１
３、１９、２５から出力されるアナログ信号のサンプリ
ングは、マイコン８からのアナログマルチプレクサ２８
への選択指令信号によって選択された負荷電流モニター
回路６、１３、１９、２５をアナログマルチプレクサ２
８によって選択して行うことになる。
【００４２】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、請求項１に記載の発明によれば、電流モニ
ター端子に対するマイコンに設けられているＡ／Ｄ変換
機能を備えたＡ／Ｄ入力端子の使用効率を向上すること
ができる。
ているので、請求項１に記載の発明によれば、電流モニ
ター端子に対するマイコンに設けられているＡ／Ｄ変換
機能を備えたＡ／Ｄ入力端子の使用効率を向上すること
ができる。
【図１】本発明に係る電流モニター端子のマイクロコン
ピュータへの入力方法の一実施の形態を示す半導体モニ
ターシステムの回路図である。
ピュータへの入力方法の一実施の形態を示す半導体モニ
ターシステムの回路図である。
【図２】従来の半導体モニターシステムの回路図であ
る。
る。
１………………………………………車載バッテリ ２、１０，１６，２２………………半導体リレー ３、１１，１７，２３………………負荷 ４、１２，１８，２４………………駆動回路 ５………………………………………チャージポンプ回路 ６、１３，１９，２５………………負荷電流モニター回
路 ７、１４，２０，２６………………ゲート・ロジック回
路 ８………………………………………マイクロコンピュー
タ ２８……………………………………アナログマルチプレ
クサ ２９……………………………………ＯＲ回路 ３０……………………………………増幅器 ３１……………………………………Ａ／Ｄ変換器
路 ７、１４，２０，２６………………ゲート・ロジック回
路 ８………………………………………マイクロコンピュー
タ ２８……………………………………アナログマルチプレ
クサ ２９……………………………………ＯＲ回路 ３０……………………………………増幅器 ３１……………………………………Ａ／Ｄ変換器
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G014 AA03 AA27 AB24 AB26 AB38 AC16 5G004 AA04 AB03 BA03 BA04 DA02 DC05 DC07 DC13 EA01 FA01 5J055 AX36 AX46 AX62 AX67 BX03 BX16 CX28 DX13 DX22 DX44 DX48 DX53 DX54 EX04 EX06 EX11 EY01 EY17 EZ09 EZ13 EZ24 EZ25 EZ29 EZ30 EZ39 EZ55 EZ57 FX04 FX32 GX01
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロコンピュータでチャージポンプ
回路によって電源電圧を昇圧したチャージポンプ出力電
圧を、駆動回路を介して複数の負荷のそれぞれに直列に
接続される半導体リレーのゲートに印加することによ
り、該半導体リレーをオン・オフ制御してそれぞれの負
荷に電源を供給する半導体リレーシステムにおいて，前
記半導体リレーのドレン側に電流検出用抵抗を接続して
負荷に流れる電流値をモニターする負荷電流モニター回
路を複数の負荷のそれぞれに設け、 前記複数の負荷のそれぞれに設けた負荷電流モニター回
路の出力をアナログマルチプレクサを介して任意に選定
したアナログ出力値をマイクロコンピュータに内蔵され
る１個のＡ／Ｄ変換器を介してＣＰＵに取り込むように
したことを特徴とする電流モニター端子のマイクロコン
ピュータへの入力方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28314399A JP2001112160A (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | 電流モニター端子のマイクロコンピュータへの入力方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28314399A JP2001112160A (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | 電流モニター端子のマイクロコンピュータへの入力方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001112160A true JP2001112160A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17661792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28314399A Pending JP2001112160A (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | 電流モニター端子のマイクロコンピュータへの入力方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001112160A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005252968A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Denso Corp | 過電流保護回路 |
| US7356276B2 (en) | 2005-01-05 | 2008-04-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High voltage generator and method of sensing roller resistance |
| WO2009048052A1 (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-16 | Autonetworks Technologies, Ltd. | 回路保護装置及び電気接続箱 |
| JP7584367B2 (ja) | 2021-07-20 | 2024-11-15 | 株式会社東芝 | 多チャネルスイッチｉｃ |
-
1999
- 1999-10-04 JP JP28314399A patent/JP2001112160A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005252968A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Denso Corp | 過電流保護回路 |
| US7356276B2 (en) | 2005-01-05 | 2008-04-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High voltage generator and method of sensing roller resistance |
| WO2009048052A1 (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-16 | Autonetworks Technologies, Ltd. | 回路保護装置及び電気接続箱 |
| US8305724B2 (en) | 2007-10-09 | 2012-11-06 | Autonetworks Technologies, Ltd | Circuit protector and electric connection box |
| JP5370156B2 (ja) * | 2007-10-09 | 2013-12-18 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路保護装置及び電気接続箱 |
| JP7584367B2 (ja) | 2021-07-20 | 2024-11-15 | 株式会社東芝 | 多チャネルスイッチｉｃ |
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