JP2001110760A - シリコンウェハー用研磨助剤 - Google Patents
シリコンウェハー用研磨助剤Info
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 82
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 52
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- -1 oxypropylene group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 16
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical group CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWGLNWHWBCINBS-UHFFFAOYSA-N 3-nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC(O)=C1 QWGLNWHWBCINBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940029565 3-nonylphenol Drugs 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N aluminum;sodium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Na+].[Al+3] ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N butane-1,1-diol Chemical compound CCCC(O)O CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910001388 sodium aluminate Inorganic materials 0.000 description 1
- DAJSVUQLFFJUSX-UHFFFAOYSA-M sodium;dodecane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCS([O-])(=O)=O DAJSVUQLFFJUSX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体産業の発展に伴い、より高精度、高品
質のシリコンウェハーが求められ、それに伴いより高性
能のシリコンウェハー用の研磨液が求められている。 【解決手段】 本発明は、下記の一般式（１） ＨＯ−（ＰＯ）a−（ＥＯ）b−（ＰＯ）c−Ｈ （１） （式中、ＥＯはオキシエチレン基を表わし、ＰＯはオキ
シプロピレン基を表わし、ａ、ｂ及びｃは１以上の数を
表わす。）で表わされるブロック型ポリエーテルからな
るシリコンウェハー用研磨助剤及びこれを含むシリコン
ウェハー用研磨剤組成物を提供する。本発明の研磨助剤
を使用すると、ウェハー表面にヘイズが発生せず、表面
の平坦さや研磨速度等の研磨性能のより優れた研磨液が
得られる。
質のシリコンウェハーが求められ、それに伴いより高性
能のシリコンウェハー用の研磨液が求められている。 【解決手段】 本発明は、下記の一般式（１） ＨＯ−（ＰＯ）a−（ＥＯ）b−（ＰＯ）c−Ｈ （１） （式中、ＥＯはオキシエチレン基を表わし、ＰＯはオキ
シプロピレン基を表わし、ａ、ｂ及びｃは１以上の数を
表わす。）で表わされるブロック型ポリエーテルからな
るシリコンウェハー用研磨助剤及びこれを含むシリコン
ウェハー用研磨剤組成物を提供する。本発明の研磨助剤
を使用すると、ウェハー表面にヘイズが発生せず、表面
の平坦さや研磨速度等の研磨性能のより優れた研磨液が
得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造工程
でのシリコンウェハーの鏡面研磨に好適に使用されるシ
リコンウェハー用研磨助剤に関する。
でのシリコンウェハーの鏡面研磨に好適に使用されるシ
リコンウェハー用研磨助剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体用シリコンウェハーの鏡面研磨工
程には、シリコンインゴットから切断によって、シリコ
ンをウェハー状に切り出した際に生じる切断歪層及び表
面うねりを除去するラッピング工程（粗研磨）と、ラッ
ピング工程を経たラップドシリコンウェハーを、目的と
する表面精度に仕上げるポリッシング工程（精密研磨工
程）がある。又、後者のポリッシング工程には、大体の
精度に仕上げる１次ポリッシング工程（１次研磨工程）
と、目的とする表面精度に仕上げるファイナルポリッシ
ング工程（最終研磨工程）に分別され、場合によっては
１次ポリッシング工程を２つに分け、１次、２次ポリッ
シング工程と称する場合もある。従来、シリコンウェハ
ーの研磨剤としてはコロイダルシリカや酸化セリウムが
一般的に使用されてきた。しかし、コロイダルシリカ研
磨液や酸化セリウム研磨液のみを用いて研磨を行うと、
研磨工程終了時にシリコンウェハーの表面にヘイズ（曇
り）が生じるという問題がある。又、パウダー状シリカ
を研磨剤として用いるとヘイズは発生しにくいが、パウ
ダー状シリカを水溶液に均一に分散させる工程が新たに
必要となり、更に、静置しておくとパウダー状シリカが
沈殿するために常に研磨液を攪拌している必要があっ
た。特開平２−１２５４１３号公報、特開昭６１−２０
９９０９号公報、特開昭６１−２０９９１０号公報等に
は、コロイダルシリカを用いたシリコンウェハー研磨剤
及び研磨方法の改良法が提案されているが、根本的な問
題の解決にはなっていないのが現状であった。
程には、シリコンインゴットから切断によって、シリコ
ンをウェハー状に切り出した際に生じる切断歪層及び表
面うねりを除去するラッピング工程（粗研磨）と、ラッ
ピング工程を経たラップドシリコンウェハーを、目的と
する表面精度に仕上げるポリッシング工程（精密研磨工
程）がある。又、後者のポリッシング工程には、大体の
精度に仕上げる１次ポリッシング工程（１次研磨工程）
と、目的とする表面精度に仕上げるファイナルポリッシ
ング工程（最終研磨工程）に分別され、場合によっては
１次ポリッシング工程を２つに分け、１次、２次ポリッ
シング工程と称する場合もある。従来、シリコンウェハ
ーの研磨剤としてはコロイダルシリカや酸化セリウムが
一般的に使用されてきた。しかし、コロイダルシリカ研
磨液や酸化セリウム研磨液のみを用いて研磨を行うと、
研磨工程終了時にシリコンウェハーの表面にヘイズ（曇
り）が生じるという問題がある。又、パウダー状シリカ
を研磨剤として用いるとヘイズは発生しにくいが、パウ
ダー状シリカを水溶液に均一に分散させる工程が新たに
必要となり、更に、静置しておくとパウダー状シリカが
沈殿するために常に研磨液を攪拌している必要があっ
た。特開平２−１２５４１３号公報、特開昭６１−２０
９９０９号公報、特開昭６１−２０９９１０号公報等に
は、コロイダルシリカを用いたシリコンウェハー研磨剤
及び研磨方法の改良法が提案されているが、根本的な問
題の解決にはなっていないのが現状であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの問題を解決す
べく、従来から、コロイダルシリカ等のシリコン研磨液
に添加する研磨助剤が検討されてきた。例えば、特開平
４―２９１７２２号公報には、コロイダルシリカ及び特
定のＨＬＢ値を示す非イオン界面活性剤を含むシリコン
ウェハー用研磨剤が開示されている。特開平４―２９１
７２３号公報には、コロイダルシリカ及び特定のアニオ
ン界面活性剤を含むシリコンウェハー用研磨剤が開示さ
れている。これらの界面活性剤は、研磨液の表面張力を
調整して、研磨時に研磨されるシリコンウェハーの研磨
表面に研磨液を十分保持させるために使用されていた。
しかし、半導体産業の発展の結果、より高精度、高品質
のシリコンウェハーが求められるにつれ上述のような界
面活性剤ではヘイズの防止はできるが研磨表面の平坦さ
や研磨速度等の研磨助剤としての性能が不十分であるこ
とが指摘されはじめた。
べく、従来から、コロイダルシリカ等のシリコン研磨液
に添加する研磨助剤が検討されてきた。例えば、特開平
４―２９１７２２号公報には、コロイダルシリカ及び特
定のＨＬＢ値を示す非イオン界面活性剤を含むシリコン
ウェハー用研磨剤が開示されている。特開平４―２９１
７２３号公報には、コロイダルシリカ及び特定のアニオ
ン界面活性剤を含むシリコンウェハー用研磨剤が開示さ
れている。これらの界面活性剤は、研磨液の表面張力を
調整して、研磨時に研磨されるシリコンウェハーの研磨
表面に研磨液を十分保持させるために使用されていた。
しかし、半導体産業の発展の結果、より高精度、高品質
のシリコンウェハーが求められるにつれ上述のような界
面活性剤ではヘイズの防止はできるが研磨表面の平坦さ
や研磨速度等の研磨助剤としての性能が不十分であるこ
とが指摘されはじめた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは鋭意
検討し、特定の構造を有するポリエーテルが従来の研磨
助剤より優れた性能を示すことを発見し本発明を完成さ
せた。即ち、本発明は、下記の一般式（１） ＨＯ−（ＰＯ）a−（ＥＯ）b−（ＰＯ）c−Ｈ （１） （式中、ＥＯはオキシエチレン基を表わし、ＰＯはオキ
シプロピレン基を表わし、ａ、ｂ及びｃは１以上の数を
表わす。）で表わされるブロック型ポリエーテルからな
るシリコンウェハー用研磨助剤である。
検討し、特定の構造を有するポリエーテルが従来の研磨
助剤より優れた性能を示すことを発見し本発明を完成さ
せた。即ち、本発明は、下記の一般式（１） ＨＯ−（ＰＯ）a−（ＥＯ）b−（ＰＯ）c−Ｈ （１） （式中、ＥＯはオキシエチレン基を表わし、ＰＯはオキ
シプロピレン基を表わし、ａ、ｂ及びｃは１以上の数を
表わす。）で表わされるブロック型ポリエーテルからな
るシリコンウェハー用研磨助剤である。
【０００５】
【発明の実施の形態】一般式（１）において、ＥＯはオ
キシエチレン基を表わし、ＰＯはオキシプロピレン基を
表わす。ａ、ｂ及びｃは１以上の数を表わす。ａ、ｂ及
びｃの好ましい値の範囲は、一般式（１）で表わされる
ブロック型ポリエーテルの分子量及びＨＬＢ等によって
相関的に変化するので一概には言えないが、ａ＋ｃ及び
ｂはそれぞれ通常は２〜５００程度、更に好ましくは１
０〜１００程度である。一般式（１）で表わされるブロ
ック型ポリエーテルは、エチレンオキサイドをｂモル重
合させて得られたポリエチレングリコールに、プロピレ
ンオキサイドをａ＋ｃモル付加させることにより得るこ
とができる。この際、ベースとなるポリエチレングリコ
ールの分子量や、付加させるプロピレンオキサイドの量
等により、得られるブロック型ポリエーテルの物性、例
えば、表面張力、親水性等を制御することができるの
で、研磨されるシリコンウェハーや研磨する方法に適し
たブロック型ポリエーテルを選択して使用することが可
能である。
キシエチレン基を表わし、ＰＯはオキシプロピレン基を
表わす。ａ、ｂ及びｃは１以上の数を表わす。ａ、ｂ及
びｃの好ましい値の範囲は、一般式（１）で表わされる
ブロック型ポリエーテルの分子量及びＨＬＢ等によって
相関的に変化するので一概には言えないが、ａ＋ｃ及び
ｂはそれぞれ通常は２〜５００程度、更に好ましくは１
０〜１００程度である。一般式（１）で表わされるブロ
ック型ポリエーテルは、エチレンオキサイドをｂモル重
合させて得られたポリエチレングリコールに、プロピレ
ンオキサイドをａ＋ｃモル付加させることにより得るこ
とができる。この際、ベースとなるポリエチレングリコ
ールの分子量や、付加させるプロピレンオキサイドの量
等により、得られるブロック型ポリエーテルの物性、例
えば、表面張力、親水性等を制御することができるの
で、研磨されるシリコンウェハーや研磨する方法に適し
たブロック型ポリエーテルを選択して使用することが可
能である。
【０００６】又、一般式（１）で表わされるブロック型
ポリエーテルの分子量は特に限定されないが、あまり小
さすぎると、研磨液の表面張力を調整する効果等が不十
分になり、あまり大きすぎると、一般式（１）で表わさ
れるブロック型ポリエーテルの粘度が上昇しすぎるた
め、１，０００〜１０，０００が好ましい。一般式
（１）で表わされるブロック型ポリエーテルは、１種を
単独で使用することは勿論、ａ、ｂ又はｃの値が異なる
２種以上のブロック型ポリエーテルを使用することがで
き、研磨液の表面張力や親水性等を微調整したい場合
は、２種以上を併用して使用することが好ましい。一般
式（１）で表わされるブロック型ポリエーテルの中で
も、シリコンウェハーを研磨する研磨液に特に好ましい
表面張力を与えるものは、ＥＯ及びＰＯの重量比がＥ
Ｏ：ＰＯ＝５：９５〜６０：４０であるブロック型ポリ
エーテルである。このようなブロック型ポリエーテルを
使用した場合は、研磨液にシリコンウェハーを研磨する
のに特に適した表面張力を与えることができるので、ヘ
イズが無く、研磨表面が平滑・平坦なシリコンウェハー
を得ることができ、その結果高性能の半導体素子が得ら
れる。
ポリエーテルの分子量は特に限定されないが、あまり小
さすぎると、研磨液の表面張力を調整する効果等が不十
分になり、あまり大きすぎると、一般式（１）で表わさ
れるブロック型ポリエーテルの粘度が上昇しすぎるた
め、１，０００〜１０，０００が好ましい。一般式
（１）で表わされるブロック型ポリエーテルは、１種を
単独で使用することは勿論、ａ、ｂ又はｃの値が異なる
２種以上のブロック型ポリエーテルを使用することがで
き、研磨液の表面張力や親水性等を微調整したい場合
は、２種以上を併用して使用することが好ましい。一般
式（１）で表わされるブロック型ポリエーテルの中で
も、シリコンウェハーを研磨する研磨液に特に好ましい
表面張力を与えるものは、ＥＯ及びＰＯの重量比がＥ
Ｏ：ＰＯ＝５：９５〜６０：４０であるブロック型ポリ
エーテルである。このようなブロック型ポリエーテルを
使用した場合は、研磨液にシリコンウェハーを研磨する
のに特に適した表面張力を与えることができるので、ヘ
イズが無く、研磨表面が平滑・平坦なシリコンウェハー
を得ることができ、その結果高性能の半導体素子が得ら
れる。
【０００７】更に、一般式（１）で表わされるブロック
型ポリエーテルは、次の一般式（２）で表わされるブロ
ック型ポリエーテルと併用することができる。 ＨＯ−（ＥＯ）d−（ＰＯ）e−（ＥＯ）f−Ｈ （２） 一般式（２）において、ｄ、ｅ及びｆは１以上の数を表
わす。ｄ、ｅ及びｆの好ましい値の範囲は、一般式
（２）で表わされるブロック型ポリエーテルの分子量及
びＨＬＢ等によって相関的に変化するので一概には言え
ないが、ｄ＋ｆ及びｅがそれぞれ通常は２〜５００程
度、更に好ましくは１０〜１００程度である。一般式
（２）で表わされるブロック型ポリエーテルは、プロピ
レンオキサイドをｅモル重合させて得られたポリプロピ
レングリコールに、エチレンオキサイドをｄ＋ｆモル付
加させることにより得ることができる。
型ポリエーテルは、次の一般式（２）で表わされるブロ
ック型ポリエーテルと併用することができる。 ＨＯ−（ＥＯ）d−（ＰＯ）e−（ＥＯ）f−Ｈ （２） 一般式（２）において、ｄ、ｅ及びｆは１以上の数を表
わす。ｄ、ｅ及びｆの好ましい値の範囲は、一般式
（２）で表わされるブロック型ポリエーテルの分子量及
びＨＬＢ等によって相関的に変化するので一概には言え
ないが、ｄ＋ｆ及びｅがそれぞれ通常は２〜５００程
度、更に好ましくは１０〜１００程度である。一般式
（２）で表わされるブロック型ポリエーテルは、プロピ
レンオキサイドをｅモル重合させて得られたポリプロピ
レングリコールに、エチレンオキサイドをｄ＋ｆモル付
加させることにより得ることができる。
【０００８】又、一般式（１）で表わされるブロック型
ポリエーテルに、更に、例えば、プロピレングリコー
ル、エチレングリコール、ブタンジオール等のグリコー
ル系溶剤を添加すると、研磨液の粘度を下げ、又、コロ
イダルシリカ等の水分散シリカの分散性を向上させるの
で好ましい。ブロック型ポリエーテルとグリコール系溶
剤を併用する場合は、ブロック型ポリエーテルを、ブロ
ック型ポリエーテルとグリコール系溶剤からなる組成物
の全量に対して６０〜９９重量％、グリコール系溶剤を
組成物全量に対して１〜４０重量％とすることが好まし
い。
ポリエーテルに、更に、例えば、プロピレングリコー
ル、エチレングリコール、ブタンジオール等のグリコー
ル系溶剤を添加すると、研磨液の粘度を下げ、又、コロ
イダルシリカ等の水分散シリカの分散性を向上させるの
で好ましい。ブロック型ポリエーテルとグリコール系溶
剤を併用する場合は、ブロック型ポリエーテルを、ブロ
ック型ポリエーテルとグリコール系溶剤からなる組成物
の全量に対して６０〜９９重量％、グリコール系溶剤を
組成物全量に対して１〜４０重量％とすることが好まし
い。
【０００９】上記の本発明のシリコンウェハー用研磨助
剤は、通常、研磨剤である水分散シリカに添加して使用
される。水分散シリカとしては、例えば、水分散パウダ
ーシリカ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、中でも
ｐＨ８〜１２に調整されたアルカリ性コロイダルシリカ
が好ましい。アルカリ性コロイダルシリカの中でも、平
均粒子径は７〜１００μｍのものが好ましく、アルカリ
性コロイダルシリカの濃度は２０〜６０重量％が好まし
い。
剤は、通常、研磨剤である水分散シリカに添加して使用
される。水分散シリカとしては、例えば、水分散パウダ
ーシリカ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、中でも
ｐＨ８〜１２に調整されたアルカリ性コロイダルシリカ
が好ましい。アルカリ性コロイダルシリカの中でも、平
均粒子径は７〜１００μｍのものが好ましく、アルカリ
性コロイダルシリカの濃度は２０〜６０重量％が好まし
い。
【００１０】本発明のシリコンウェハー用研磨助剤の添
加量は特に限定されないが、水分散シリカの固形分に対
して０．００５〜５重量％添加することが好ましい。そ
の他、本発明のシリコンウェハー研磨助剤は、メタノー
ル、エタノール、２−プロパノール等の低級アルコー
ル；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロ
ソルブ、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブ
チルカルビトール等の低級アルコールのアルコキシレー
ト；高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物等の
界面活性剤と併用することができる。本発明のシリコン
ウェハー研磨助剤は、シリコンウェハーのラッピング工
程又はポリッシング工程の何れにも使用することがで
き、研磨液の表面張力を適切な値に調整することができ
るため、シリコンウェハー上にヘイズが無く、表面が平
滑・平坦なシリコンウェハーを得ることができ、その結
果高性能の半導体素子が得られる。
加量は特に限定されないが、水分散シリカの固形分に対
して０．００５〜５重量％添加することが好ましい。そ
の他、本発明のシリコンウェハー研磨助剤は、メタノー
ル、エタノール、２−プロパノール等の低級アルコー
ル；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロ
ソルブ、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブ
チルカルビトール等の低級アルコールのアルコキシレー
ト；高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物等の
界面活性剤と併用することができる。本発明のシリコン
ウェハー研磨助剤は、シリコンウェハーのラッピング工
程又はポリッシング工程の何れにも使用することがで
き、研磨液の表面張力を適切な値に調整することができ
るため、シリコンウェハー上にヘイズが無く、表面が平
滑・平坦なシリコンウェハーを得ることができ、その結
果高性能の半導体素子が得られる。
【００１１】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。尚、以下の実施例中、％は特に記載が無い限り
重量基準である。評価試験に用いた本発明の研磨助剤及
び比較品は以下のとおりである。
明する。尚、以下の実施例中、％は特に記載が無い限り
重量基準である。評価試験に用いた本発明の研磨助剤及
び比較品は以下のとおりである。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】※：表１及び表２において、ポリエーテル
（Ａ）及び（Ｂ）は一般式（１）で表わされるブロック
型ポリエーテルであり、ポリエーテル（Ｃ）は一般式
（２）で表わされるブロック型ポリエーテルである。
（Ａ）及び（Ｂ）は一般式（１）で表わされるブロック
型ポリエーテルであり、ポリエーテル（Ｃ）は一般式
（２）で表わされるブロック型ポリエーテルである。
【００１５】 比較品１ アルミン酸ナトリウム 比較品２ ラウリルスルホン酸ナトリウム 比較品３ ノニルフェノールエチレンオキサイド１０モ
ル付加物 比較品４ （ブランク）
ル付加物 比較品４ （ブランク）
【００１６】（実施例１）コロイダルシリカとしてアデ
ライトＡＴ−３０Ｓ（商品名、旭電化工業製、平均粒子
径７〜１０μｍ、シリカ固形分３０％）を用い、これを
水でシリカ固形分５．０％に希釈した。これに、前記本
発明の研磨助剤及び比較品をシリカ固形分に対して０．
１％（比較品１は１．０％）添加し、よく攪拌して均一
化して希釈研磨液とした。これらの希釈研磨液を使用し
て、スライシングした４インチのシリコンウェハー１０
０枚についてラッピング処理を行った。ラッピング処理
後、１００枚のシリコンウェハーについて、ウェハーの
擦り傷、ウェハーの割れ、ウェハーの微小表面クラック
の各不良項目に該当するものの枚数を数えた。その結果
を表３に示す。
ライトＡＴ−３０Ｓ（商品名、旭電化工業製、平均粒子
径７〜１０μｍ、シリカ固形分３０％）を用い、これを
水でシリカ固形分５．０％に希釈した。これに、前記本
発明の研磨助剤及び比較品をシリカ固形分に対して０．
１％（比較品１は１．０％）添加し、よく攪拌して均一
化して希釈研磨液とした。これらの希釈研磨液を使用し
て、スライシングした４インチのシリコンウェハー１０
０枚についてラッピング処理を行った。ラッピング処理
後、１００枚のシリコンウェハーについて、ウェハーの
擦り傷、ウェハーの割れ、ウェハーの微小表面クラック
の各不良項目に該当するものの枚数を数えた。その結果
を表３に示す。
【００１７】
【表３】
【００１８】（実施例２）コロイダルシリカとしてアデ
ライトＡＴ−３０Ｓ（商品名、旭電化工業製、平均粒子
径７〜１０μｍ、シリカ固形分３０％）を用い、これを
水でシリカ固形分５．０％に希釈した。これに本発明の
研磨助剤及び比較品をシリカ固形分に対して０．１％
（比較品１は１．０％）添加し、よく攪拌して均一化し
て希釈研磨液とした。この希釈研磨液を以下の条件でポ
リッシングマシーンに流し込み、１次ポリッシング工程
を経た１次ポリッシングシリコンウェハーを研磨した。
ライトＡＴ−３０Ｓ（商品名、旭電化工業製、平均粒子
径７〜１０μｍ、シリカ固形分３０％）を用い、これを
水でシリカ固形分５．０％に希釈した。これに本発明の
研磨助剤及び比較品をシリカ固形分に対して０．１％
（比較品１は１．０％）添加し、よく攪拌して均一化し
て希釈研磨液とした。この希釈研磨液を以下の条件でポ
リッシングマシーンに流し込み、１次ポリッシング工程
を経た１次ポリッシングシリコンウェハーを研磨した。
【００１９】＜条件＞ ポリッシングマシーン：ＬＰＨ−１５改良機（ラップマ
スター製） ポリッシング盤直径：１５インチ 加工圧力：１００ｇ／ｃｍ2 加工温度：３０℃ 加工液供給量：１０リットル／時間 加工時間：１時間 加工枚数：１枚 ポリッシャー：ＳＵＰＲＥＭＥ ＲＮ−Ｈ（ローデル・
ニッタ製） 上記条件下でファイナルポリッシングを行い、終了後、
ウェハー表面を乾燥させないように注意して過酸化水素
―アンモニア溶液で８０℃でＲＣＡ洗浄した。洗浄後、
クイックダンプ洗浄を行い、スピンドライヤーで乾燥さ
せた。乾燥後、以下の評価を行った。
スター製） ポリッシング盤直径：１５インチ 加工圧力：１００ｇ／ｃｍ2 加工温度：３０℃ 加工液供給量：１０リットル／時間 加工時間：１時間 加工枚数：１枚 ポリッシャー：ＳＵＰＲＥＭＥ ＲＮ−Ｈ（ローデル・
ニッタ製） 上記条件下でファイナルポリッシングを行い、終了後、
ウェハー表面を乾燥させないように注意して過酸化水素
―アンモニア溶液で８０℃でＲＣＡ洗浄した。洗浄後、
クイックダンプ洗浄を行い、スピンドライヤーで乾燥さ
せた。乾燥後、以下の評価を行った。
【００２０】評価１：ヘイズの有無 グリーンベンチ内でハロゲン平行光（超高輝度検査用照
明装置Ｕ１Ｈ−１Ｈ、インテック製）のウェハー表面か
らの反射を目視で観察し、ヘイズの発生を観察した。 評価２：表面粗さ 研磨ウェハーの表面粗さを光学干渉式粗さ計（ＷＹＫＯ
ＴＯＰＯ−３Ｄ、ＷＹＫＯ製、２５０μｍ）で平均２乗
粗さを測定した。 評価３：平坦度 研磨ウェハーの表面平坦度、即ち研磨ウェハーの最大厚
さと最小厚さの差（ＴＴＶ）を、ＴＴＶ測定装置（ＡＤ
Ｅマイクロスキャン８３００、ＡＤＥ製）により測定し
た。 評価４：研磨速度 研磨中のシリコンウェハーの研磨速度を研磨後のウェハ
ーの膜厚減を７×７点測定し算出した。これらの評価結
果を表４に示す。
明装置Ｕ１Ｈ−１Ｈ、インテック製）のウェハー表面か
らの反射を目視で観察し、ヘイズの発生を観察した。 評価２：表面粗さ 研磨ウェハーの表面粗さを光学干渉式粗さ計（ＷＹＫＯ
ＴＯＰＯ−３Ｄ、ＷＹＫＯ製、２５０μｍ）で平均２乗
粗さを測定した。 評価３：平坦度 研磨ウェハーの表面平坦度、即ち研磨ウェハーの最大厚
さと最小厚さの差（ＴＴＶ）を、ＴＴＶ測定装置（ＡＤ
Ｅマイクロスキャン８３００、ＡＤＥ製）により測定し
た。 評価４：研磨速度 研磨中のシリコンウェハーの研磨速度を研磨後のウェハ
ーの膜厚減を７×７点測定し算出した。これらの評価結
果を表４に示す。
【００２１】
【表４】
【００２２】以上の実施例の各評価結果から、本発明の
研磨助剤を使用した研磨液は、アニオン界面活性剤（比
較品２）、非イオン界面活性剤（比較品３）を使用した
研磨液に比べて、シリコンウェハーの割れや擦り傷がな
く、表面粗さ、平坦度、研磨速度等に優れていることが
分かる。
研磨助剤を使用した研磨液は、アニオン界面活性剤（比
較品２）、非イオン界面活性剤（比較品３）を使用した
研磨液に比べて、シリコンウェハーの割れや擦り傷がな
く、表面粗さ、平坦度、研磨速度等に優れていることが
分かる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の効果は、より研磨性能の優れた
研磨液を与える新規なシリコンウェハー研磨助剤を提供
したことにある。
研磨液を与える新規なシリコンウェハー研磨助剤を提供
したことにある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０ Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０Ｃ
Claims (7)
- 【請求項１】 下記の一般式（１） ＨＯ−（ＰＯ）a−（ＥＯ）b−（ＰＯ）c−Ｈ （１） （式中、ＥＯはオキシエチレン基を表わし、ＰＯはオキ
シプロピレン基を表わし、ａ、ｂ及びｃは１以上の数を
表わす。）で表わされるブロック型ポリエーテルからな
るシリコンウェハー用研磨助剤。 - 【請求項２】 一般式（１）で表わされるブロック型ポ
リエーテルの分子量が、１，０００〜１０，０００であ
る請求項１に記載のシリコンウェハー用研磨助剤。 - 【請求項３】 一般式（１）中のＥＯ及びＰＯの重量比
が、ＥＯ：ＰＯ＝５：９５〜６０：４０であるブロック
型ポリエーテルからなる請求項１又は２に記載のシリコ
ンウェハー用研磨助剤。 - 【請求項４】 更に、下記の一般式（２） ＨＯ−（ＥＯ）d−（ＰＯ）e−（ＥＯ）f−Ｈ （２） （式中、ＥＯはオキシエチレン基を表わし、ＰＯはオキ
シプロピレン基を表わし、ｄ、ｅ及びｆは１以上の数を
表わす。）で表わされるブロック型ポリエーテルを含有
する請求項１乃至３の何れか１項に記載のシリコンウェ
ハー用研磨助剤。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の何れか１項に記載のシ
リコンウェハー用研磨助剤及びコロイダルシリカを含む
シリコンウェハー用研磨剤組成物。 - 【請求項６】 請求項５に記載のシリコンウェハー用研
磨剤組成物を用いるシリコンウェハーの研磨方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載のシリコンウェハーの研
磨方法により研磨されたシリコンウェハー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28289399A JP2001110760A (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | シリコンウェハー用研磨助剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28289399A JP2001110760A (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | シリコンウェハー用研磨助剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110760A true JP2001110760A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17658477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28289399A Withdrawn JP2001110760A (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | シリコンウェハー用研磨助剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001110760A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004113908A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Kobe Steel Ltd | 変色チタン材の洗浄方法および洗浄剤、チタン材 |
| JP2005175498A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Samsung Electronics Co Ltd | スラリー組成物及びそれを用いる化学機械的研磨工程を含む半導体素子の製造方法 |
| US7204865B2 (en) * | 2003-09-05 | 2007-04-17 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| US7314578B2 (en) * | 2003-12-12 | 2008-01-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slurry compositions and CMP methods using the same |
| DE112008002628T5 (de) | 2007-09-28 | 2010-11-04 | Nitta Haas Inc. | Polierzusammensetzung |
| JP2011097050A (ja) * | 2009-10-01 | 2011-05-12 | Nitta Haas Inc | 研磨組成物 |
| DE102011011911A1 (de) | 2010-03-02 | 2011-12-01 | Fujimi Incorporated | Polierzusammensetzung und diese verwendendes Polierverfahren |
| JP2014130966A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Kao Corp | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
| WO2015019911A1 (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | コニカミノルタ株式会社 | Ｃｍｐ用研磨液 |
| WO2024190532A1 (ja) * | 2023-03-14 | 2024-09-19 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の濃縮液および研磨方法 |
-
1999
- 1999-10-04 JP JP28289399A patent/JP2001110760A/ja not_active Withdrawn
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004113908A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Kobe Steel Ltd | 変色チタン材の洗浄方法および洗浄剤、チタン材 |
| EP2236574A1 (en) | 2003-09-05 | 2010-10-06 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| US7204865B2 (en) * | 2003-09-05 | 2007-04-17 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
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| CN100526409C (zh) * | 2003-12-12 | 2009-08-12 | 三星电子株式会社 | 浆料成分及利用其的cmp方法 |
| US7718535B2 (en) | 2003-12-12 | 2010-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slurry compositions and CMP methods using the same |
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| DE112008002628T5 (de) | 2007-09-28 | 2010-11-04 | Nitta Haas Inc. | Polierzusammensetzung |
| US8540894B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-09-24 | Nitta Haas Incorporated | Polishing composition |
| DE112008002628B4 (de) | 2007-09-28 | 2018-07-19 | Nitta Haas Inc. | Polierzusammensetzung |
| JP2011097050A (ja) * | 2009-10-01 | 2011-05-12 | Nitta Haas Inc | 研磨組成物 |
| DE102011011911A1 (de) | 2010-03-02 | 2011-12-01 | Fujimi Incorporated | Polierzusammensetzung und diese verwendendes Polierverfahren |
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| WO2015019911A1 (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | コニカミノルタ株式会社 | Ｃｍｐ用研磨液 |
| WO2024190532A1 (ja) * | 2023-03-14 | 2024-09-19 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の濃縮液および研磨方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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