JP2001110666A - 電子部品、および電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品、および電子部品の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高温状態と低温状態が繰り返されるような環境
下にあっても、外部電極の最外層に設けられたＳｎめっ
き層にホイスカーを発生させない電子部品を提供する。 【解決手段】電子部品の外部電極の最外層に設けられた
Ｓｎめっき層の平均結晶粒径を１μｍ以下に微細化する
ことで、高温状態と低温状態が繰り返される環境下にお
いてもＳｎめっき層にホイスカーが発生するのを抑制す
る。
下にあっても、外部電極の最外層に設けられたＳｎめっ
き層にホイスカーを発生させない電子部品を提供する。 【解決手段】電子部品の外部電極の最外層に設けられた
Ｓｎめっき層の平均結晶粒径を１μｍ以下に微細化する
ことで、高温状態と低温状態が繰り返される環境下にお
いてもＳｎめっき層にホイスカーが発生するのを抑制す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部電極の最外層
にＳｎめっき層の形成された電子部品に関するものであ
る。
にＳｎめっき層の形成された電子部品に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば、チップ型積層コンデンサ等の電
子部品では、チップ基体外部に形成された外部電極をは
んだ付けすることにより、プリント配線基板等に実装す
ることが一般的に行われている。この場合、比較的安価
なコストではんだ付け性の向上を図るために、外部電極
の最外層部にＳｎめっき層を形成した構成がしばしば用
いられている。Ｓｎめっき層ははんだ濡れ性が非常に良
好であり、またリフローやフロー等の処理により電子部
品を実装する場合に実装不良が発生しにくい等のメリッ
トを有しているためである。
子部品では、チップ基体外部に形成された外部電極をは
んだ付けすることにより、プリント配線基板等に実装す
ることが一般的に行われている。この場合、比較的安価
なコストではんだ付け性の向上を図るために、外部電極
の最外層部にＳｎめっき層を形成した構成がしばしば用
いられている。Ｓｎめっき層ははんだ濡れ性が非常に良
好であり、またリフローやフロー等の処理により電子部
品を実装する場合に実装不良が発生しにくい等のメリッ
トを有しているためである。
【０００３】また、上記電子部品の外部電極にＳｎめっ
き層を形成する場合、はんだ耐熱性の向上を図るために
Ｓｎめっき層の下層にＮｉ下地層やＮｉ合金下地層を形
成することが通常行われる。Ｎｉ下地層やＮｉ合金下地
層は、チップ基体表面に形成された厚膜電極がはんだ付
け時にはんだに溶融し吸い取られるのを防止する作用が
ある。
き層を形成する場合、はんだ耐熱性の向上を図るために
Ｓｎめっき層の下層にＮｉ下地層やＮｉ合金下地層を形
成することが通常行われる。Ｎｉ下地層やＮｉ合金下地
層は、チップ基体表面に形成された厚膜電極がはんだ付
け時にはんだに溶融し吸い取られるのを防止する作用が
ある。
【０００４】ところで、上記Ｓｎめっき層にはホイスカ
ーと呼ばれる髭状の突起物が発生することが知られてい
る。ホイスカーはＳｎめっき層を恒温状態に放置するだ
けで発生するが、その発生のメカニズムの詳細は明らか
になっていない。回路基板に実装された電子部品の外部
電極でこのホイスカーが発生すると、隣接する部品また
は配線パターンとの間で電気的な短絡が生じるという恐
れがある。
ーと呼ばれる髭状の突起物が発生することが知られてい
る。ホイスカーはＳｎめっき層を恒温状態に放置するだ
けで発生するが、その発生のメカニズムの詳細は明らか
になっていない。回路基板に実装された電子部品の外部
電極でこのホイスカーが発生すると、隣接する部品また
は配線パターンとの間で電気的な短絡が生じるという恐
れがある。
【０００５】このようなＳｎめっき層におけるホイスカ
ーを抑制する方法として、次のような方法が提案されて
いる。例えば、Ｓｎめっき層をＰｂ、Ａｇ、Ｂｉ等の異
種金属を少量添加したＳｎ合金めっき層にする方法や、
特開平２−１７０９９６に開示されるようにＳｎめっき
層を結晶粒径の小さな下層と結晶粒径の大きな上層との
２層に分ける方法等がある。しかし、Ｓｎ合金めっき層
を形成する方法はめっき浴の品質管理が困難であるとい
う問題を有する。また、Ｓｎめっき層を２層に分ける方
法では次のような問題が生じる。すなわち、電子部品の
外部電極にＳｎめっき層を形成する場合には、上述のよ
うにはんだ耐熱性の向上を図るためにＳｎめっき層の下
層にＮｉ下地層やＮｉ合金下地層を形成する必要があ
る。したがって、Ｓｎめっき層を２層に分ける方法では
厚膜電極上にＮｉ下地層やＮｉ合金下地層を形成した上
にＳｎめっき層を２層形成しなければないこととなり、
Ｓｎめっき工程が２回必要でコスト的に不利となる。
ーを抑制する方法として、次のような方法が提案されて
いる。例えば、Ｓｎめっき層をＰｂ、Ａｇ、Ｂｉ等の異
種金属を少量添加したＳｎ合金めっき層にする方法や、
特開平２−１７０９９６に開示されるようにＳｎめっき
層を結晶粒径の小さな下層と結晶粒径の大きな上層との
２層に分ける方法等がある。しかし、Ｓｎ合金めっき層
を形成する方法はめっき浴の品質管理が困難であるとい
う問題を有する。また、Ｓｎめっき層を２層に分ける方
法では次のような問題が生じる。すなわち、電子部品の
外部電極にＳｎめっき層を形成する場合には、上述のよ
うにはんだ耐熱性の向上を図るためにＳｎめっき層の下
層にＮｉ下地層やＮｉ合金下地層を形成する必要があ
る。したがって、Ｓｎめっき層を２層に分ける方法では
厚膜電極上にＮｉ下地層やＮｉ合金下地層を形成した上
にＳｎめっき層を２層形成しなければないこととなり、
Ｓｎめっき工程が２回必要でコスト的に不利となる。
【０００６】ところで、電子部品の外部電極のはんだ耐
熱性の向上を図るために形成する上記Ｎｉ下地層やＮｉ
合金下地層は、Ｓｎめっき層にホイスカーが発生するの
を抑制するという効果も有する。したがって、電子部品
の外部電極にＳｎめっき層を形成する場合には、Ｓｎめ
っき層の下層にＮｉ下地層やＮｉ合金下地層を形成する
ことで、外部電極のはんだ耐熱性を向上させると同時
に、電子部品が恒温状態に置かれた際にＳｎめっき層に
ホイスカーが発生するのを抑制することが可能となる。
熱性の向上を図るために形成する上記Ｎｉ下地層やＮｉ
合金下地層は、Ｓｎめっき層にホイスカーが発生するの
を抑制するという効果も有する。したがって、電子部品
の外部電極にＳｎめっき層を形成する場合には、Ｓｎめ
っき層の下層にＮｉ下地層やＮｉ合金下地層を形成する
ことで、外部電極のはんだ耐熱性を向上させると同時
に、電子部品が恒温状態に置かれた際にＳｎめっき層に
ホイスカーが発生するのを抑制することが可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような外部電極のＳｎめっき層の下層にＮｉ下地層やＮ
ｉ合金下地層を形成した電子部品であっても、高温状態
と低温状態が繰り返されるような環境下に置かれた場合
にはホイスカーが発生することが近年明らかになってき
た。このような環境下で発生するホイスカーは、恒温状
態で発生するホイスカーとは異なり屈曲した形状を有す
るものが多く、その長さは百数十μｍに達する。このホ
イスカー発生のメカニズムの詳細は明らかになっていな
いが、発生条件の違いやホイスカーの形状の違いから、
従来の恒温状態で発生するホイスカーとは全く異なる発
生メカニズムが働いているものと考えられている。今
後、回路部品の実装密度が高くなるに従い各部品および
配線パターンの間隔はさらに狭くなるため、上述のホイ
スカーによる短絡不良が生じる危険性はますます高くな
ることが予想される。
ような外部電極のＳｎめっき層の下層にＮｉ下地層やＮ
ｉ合金下地層を形成した電子部品であっても、高温状態
と低温状態が繰り返されるような環境下に置かれた場合
にはホイスカーが発生することが近年明らかになってき
た。このような環境下で発生するホイスカーは、恒温状
態で発生するホイスカーとは異なり屈曲した形状を有す
るものが多く、その長さは百数十μｍに達する。このホ
イスカー発生のメカニズムの詳細は明らかになっていな
いが、発生条件の違いやホイスカーの形状の違いから、
従来の恒温状態で発生するホイスカーとは全く異なる発
生メカニズムが働いているものと考えられている。今
後、回路部品の実装密度が高くなるに従い各部品および
配線パターンの間隔はさらに狭くなるため、上述のホイ
スカーによる短絡不良が生じる危険性はますます高くな
ることが予想される。
【０００８】そこで本発明は、高温状態と低温状態が繰
り返されるような環境下にあっても、外部電極に設けら
れたＳｎめっき層にホイスカーを発生させない電子部品
を提供することを目的とする。
り返されるような環境下にあっても、外部電極に設けら
れたＳｎめっき層にホイスカーを発生させない電子部品
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究の
結果、高温状態と低温状態が繰り返されるような環境下
においてＳｎめっき層にホイスカーが発生する場合に、
Ｓｎめっき層の平均結晶粒径とホイスカーの発生の程度
に相関があることを見出した。すなわち、Ｓｎめっき層
の結晶粒子を微細化することで、具体的には平均結晶粒
径を１μｍ以下とすることでホイスカーの発生が抑制で
きることを見出した。
結果、高温状態と低温状態が繰り返されるような環境下
においてＳｎめっき層にホイスカーが発生する場合に、
Ｓｎめっき層の平均結晶粒径とホイスカーの発生の程度
に相関があることを見出した。すなわち、Ｓｎめっき層
の結晶粒子を微細化することで、具体的には平均結晶粒
径を１μｍ以下とすることでホイスカーの発生が抑制で
きることを見出した。
【００１０】したがって、本発明における電子部品は、
基体表面に形成された複数の層からなる外部電極の最外
層にＳｎめっき層が設けられてなる電子部品において、
Ｓｎめっき層の平均結晶粒径が１μｍ以下であることを
特徴とする。このように、外部電極の最外層に設けられ
たＳｎめっき層の平均結晶粒径が１μｍ以下とすること
で、高温状態と低温状態が繰り返されるような環境下に
おいても外部電極にホイスカーが発生するのを抑制する
ことができる。上記のような外部電極を有する電子部品
が回路基板に実装された場合、使用状況によって温度状
態が変化するような環境下においても、隣接する部品ま
たは配線パターンとの間の電気的短絡を防ぐことがで
き、今後の回路部品の実装のさらなる高密度化にも対応
可能になる。
基体表面に形成された複数の層からなる外部電極の最外
層にＳｎめっき層が設けられてなる電子部品において、
Ｓｎめっき層の平均結晶粒径が１μｍ以下であることを
特徴とする。このように、外部電極の最外層に設けられ
たＳｎめっき層の平均結晶粒径が１μｍ以下とすること
で、高温状態と低温状態が繰り返されるような環境下に
おいても外部電極にホイスカーが発生するのを抑制する
ことができる。上記のような外部電極を有する電子部品
が回路基板に実装された場合、使用状況によって温度状
態が変化するような環境下においても、隣接する部品ま
たは配線パターンとの間の電気的短絡を防ぐことがで
き、今後の回路部品の実装のさらなる高密度化にも対応
可能になる。
【００１１】また、Ｓｎめっき層の下層には、Ｎｉ層ま
たはＮｉ合金層を形成することが望ましい。本発明のよ
うに電子部品の外部電極としてＳｎめっき層を形成する
場合、Ｎｉ層またはＮｉ合金層は基体表面に形成された
厚膜電極がはんだに溶融し吸い取られるのを防止し、外
部電極のはんだ耐熱性を向上させるために必要なためで
ある。また、Ｎｉ層やＮｉ合金層は恒温状態におけるホ
イスカーの発生を抑制する効果も同時に有する。
たはＮｉ合金層を形成することが望ましい。本発明のよ
うに電子部品の外部電極としてＳｎめっき層を形成する
場合、Ｎｉ層またはＮｉ合金層は基体表面に形成された
厚膜電極がはんだに溶融し吸い取られるのを防止し、外
部電極のはんだ耐熱性を向上させるために必要なためで
ある。また、Ｎｉ層やＮｉ合金層は恒温状態におけるホ
イスカーの発生を抑制する効果も同時に有する。
【００１２】上記Ｓｎめっき層は電解めっき等の湿式め
っきにより形成することができ、外部電極がセラミック
スやガラス等のセラミック基体表面に形成される場合、
Ｓｎめっき層はｐＨが３〜１０のめっき浴を用いて形成
されることが望ましい。強酸性や強アルカリ性のめっき
浴では、これらのセラミック基体を侵食する恐れがある
ためである。
っきにより形成することができ、外部電極がセラミック
スやガラス等のセラミック基体表面に形成される場合、
Ｓｎめっき層はｐＨが３〜１０のめっき浴を用いて形成
されることが望ましい。強酸性や強アルカリ性のめっき
浴では、これらのセラミック基体を侵食する恐れがある
ためである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品の一実施
例を、図１を用いて説明する。図１はチップ型積層セラ
ミックコンデンサ１を示す断面図であって、主としてセ
ラミック基体２とセラミック基体２の両端にコ字状に形
成された外部電極３とから構成されている。外部電極は
セラミック基体２に接して形成された厚膜電極４、厚膜
電極４上に形成されたＮｉめっき層５、Ｎｉめっき層５
上に形成され外部電極の最外層に位置して設けられたＳ
ｎめっき層６とから構成されている。ここで、厚膜電極
４はＡｇペーストの焼き付けによって、Ｎｉめっき層５
はＮｉの電解めっきによって、Ｓｎめっき層６はＳｎの
電解めっきによってそれぞれ形成される。なお、厚膜電
極４はＡｇペースト以外にＣｕペーストを用いてもよい
し、Ｎｉめっき層５はＮｉ合金めっき層を用いてもよ
い。
例を、図１を用いて説明する。図１はチップ型積層セラ
ミックコンデンサ１を示す断面図であって、主としてセ
ラミック基体２とセラミック基体２の両端にコ字状に形
成された外部電極３とから構成されている。外部電極は
セラミック基体２に接して形成された厚膜電極４、厚膜
電極４上に形成されたＮｉめっき層５、Ｎｉめっき層５
上に形成され外部電極の最外層に位置して設けられたＳ
ｎめっき層６とから構成されている。ここで、厚膜電極
４はＡｇペーストの焼き付けによって、Ｎｉめっき層５
はＮｉの電解めっきによって、Ｓｎめっき層６はＳｎの
電解めっきによってそれぞれ形成される。なお、厚膜電
極４はＡｇペースト以外にＣｕペーストを用いてもよい
し、Ｎｉめっき層５はＮｉ合金めっき層を用いてもよ
い。
【００１４】上述の電子部品のＳｎめっき層６を以下の
表１〜７に示す条件のめっき浴（実施例１〜３、比較例
１〜４）を用いて形成し、平均結晶粒径の異なる数種類
のＳｎめっき層を得た。Ｓｎめっき層の平均結晶粒径
は、めっき浴の構成剤種とその比率や電流密度等のめっ
き条件により変化するため、めっき条件を調整すること
によって所望の平均結晶粒径を有するＳｎめっき層が得
られた。また、セラミック基体２が侵食されないようめ
っき浴はｐＨ３〜１０とし、各めっき浴においてアンモ
ニア水をｐＨ調整用として添加した。なお、本実施例で
は錫の錯化剤として弱酸性から弱アルカリ性の錯化剤で
あるクエン酸およびグルコン酸を用いたが、これらに限
定されるものではない。その他のめっき条件についても
目的の趣旨に沿って任意に変更することができる。
表１〜７に示す条件のめっき浴（実施例１〜３、比較例
１〜４）を用いて形成し、平均結晶粒径の異なる数種類
のＳｎめっき層を得た。Ｓｎめっき層の平均結晶粒径
は、めっき浴の構成剤種とその比率や電流密度等のめっ
き条件により変化するため、めっき条件を調整すること
によって所望の平均結晶粒径を有するＳｎめっき層が得
られた。また、セラミック基体２が侵食されないようめ
っき浴はｐＨ３〜１０とし、各めっき浴においてアンモ
ニア水をｐＨ調整用として添加した。なお、本実施例で
は錫の錯化剤として弱酸性から弱アルカリ性の錯化剤で
あるクエン酸およびグルコン酸を用いたが、これらに限
定されるものではない。その他のめっき条件についても
目的の趣旨に沿って任意に変更することができる。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】
【表４】
【００１９】
【表５】
【００２０】
【表６】
【００２１】
【表７】
【００２２】上記めっき浴を用いて形成されたＳｎめっ
き層６を有する電子部品を高温状態と低温状態が繰り返
される環境下に放置後、Ｓｎめっき層の平均結晶粒径と
ホイスカーの発生状況との関係を調べた。具体的には、
温度変化−４０℃〜８５℃、保持時間（温度移行時間を
含む）３０分、温度移行時間３〜５分、温度変化サイク
ル１０００サイクル、の環境下に放置後、走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）および走査型イオン顕微鏡（ＳＩＭ）を
用いて、Ｓｎめっき層の平均結晶粒径、ホイスカーの発
生密度およびホイスカーの最大長さを観察した。その結
果を表８に示す。
き層６を有する電子部品を高温状態と低温状態が繰り返
される環境下に放置後、Ｓｎめっき層の平均結晶粒径と
ホイスカーの発生状況との関係を調べた。具体的には、
温度変化−４０℃〜８５℃、保持時間（温度移行時間を
含む）３０分、温度移行時間３〜５分、温度変化サイク
ル１０００サイクル、の環境下に放置後、走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）および走査型イオン顕微鏡（ＳＩＭ）を
用いて、Ｓｎめっき層の平均結晶粒径、ホイスカーの発
生密度およびホイスカーの最大長さを観察した。その結
果を表８に示す。
【００２３】
【表８】
【００２４】上述の結果からも明らかなように、実施例
１〜３のめっき浴を用いて形成された平均結晶粒径が１
μｍ以下のＳｎめっき層は、高温状態と低温状態が繰り
返されるような環境下においてもホイスカーの発生が抑
制されていることが確認できる。一方、比較例１〜４の
めっき浴を用いて形成された平均結晶粒径が１μｍより
大きなＳｎめっき層は、高温状態と低温状態が繰り返さ
れるような環境下ではホイスカーが発生しており、しか
も平均結晶粒径が大きくなるにしたがってホイスカーの
発生の程度も大きくなっていることがわかる。
１〜３のめっき浴を用いて形成された平均結晶粒径が１
μｍ以下のＳｎめっき層は、高温状態と低温状態が繰り
返されるような環境下においてもホイスカーの発生が抑
制されていることが確認できる。一方、比較例１〜４の
めっき浴を用いて形成された平均結晶粒径が１μｍより
大きなＳｎめっき層は、高温状態と低温状態が繰り返さ
れるような環境下ではホイスカーが発生しており、しか
も平均結晶粒径が大きくなるにしたがってホイスカーの
発生の程度も大きくなっていることがわかる。
【００２５】ところで、めっき層を光沢を有するか否か
で分類する場合があるが、光沢の有無は主にめっき層表
面の平滑度に起因する光の反射の程度に基づくもので、
本発明における平均結晶粒径との間に直接の関係はな
い。
で分類する場合があるが、光沢の有無は主にめっき層表
面の平滑度に起因する光の反射の程度に基づくもので、
本発明における平均結晶粒径との間に直接の関係はな
い。
【００２６】なお、上記実施例では電子部品としてチッ
プ型積層セラミックコンデンサコンデンサを用いる場合
について示したが、これに限られるものではなく、本発
明はチップ型セラミックコイルやチップ型セラミックサ
ーミスタ等いずれのチップ型電子部品においても適用す
ることができる。
プ型積層セラミックコンデンサコンデンサを用いる場合
について示したが、これに限られるものではなく、本発
明はチップ型セラミックコイルやチップ型セラミックサ
ーミスタ等いずれのチップ型電子部品においても適用す
ることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基体表面
に形成された外部電極の最外層にＳｎめっき層が設けら
れた電子部品においてＳｎめっき層の平均結晶粒径を１
μｍ以下に微細化することで、高温状態と低温状態が繰
り返されるような環境下においてもＳｎめっき層にホイ
スカーが発生するのを抑制することができた。かかる電
子部品が回路基板に実装された場合、使用状況によって
温度状態が変化するような環境下においても、隣接する
部品または配線パターンとの間で電気的短絡が生じるの
を防ぐことができる。
に形成された外部電極の最外層にＳｎめっき層が設けら
れた電子部品においてＳｎめっき層の平均結晶粒径を１
μｍ以下に微細化することで、高温状態と低温状態が繰
り返されるような環境下においてもＳｎめっき層にホイ
スカーが発生するのを抑制することができた。かかる電
子部品が回路基板に実装された場合、使用状況によって
温度状態が変化するような環境下においても、隣接する
部品または配線パターンとの間で電気的短絡が生じるの
を防ぐことができる。
【図１】本発明における電子部品の一実施例を示す断面
図である。
図である。
１ セラミックコンデンサ ２ セラミック基体 ３ 外部電極 ４ 厚膜電極 ５ Ｎｉめっき層 ６ Ｓｎめっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２５Ｄ 5/54 Ｃ２５Ｄ 5/54 7/00 7/00 Ｇ Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１ Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１Ｂ ３１１ ３１１Ｅ Ｆターム(参考） 4K023 AA12 AA17 BA15 CB03 CB04 CB13 CB33 DA02 DA03 DA04 DA07 DA08 4K024 AA03 AA07 AB02 AB03 BA15 BB09 CA01 CA02 CA03 CA04 CA06 DA10 4K044 AA13 AB05 BA06 BA08 BA10 BB04 BC14 CA18 CA24 5E001 AB03 AC04 AC09 AH07 AJ03 5E082 AA01 AB03 FF05 FG26 GG10 GG11 GG26 PP09 PP10
Claims (6)
- 【請求項１】基体表面に形成された複数の層からなる外
部電極の最外層にＳｎめっき層が設けられてなる電子部
品において、 前記Ｓｎめっき層の平均結晶粒径が１μｍ以下であるこ
とを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】前記Ｓｎめっき層の下層に、Ｎｉ層または
Ｎｉ合金層が形成されたことを特徴とする請求項１に記
載の電子部品。 - 【請求項３】基体表面に複数の層からなる外部電極が形
成されてなる電子部品において、 前記外部電極は、基体表面に形成された厚膜電極と、厚
膜電極上に形成されたＮｉ層またはＮｉ合金層と、Ｎｉ
層またはＮｉ合金層上に形成されたＳｎめっき層とを有
し、 前記Ｓｎめっき層の平均結晶粒径が１μｍ以下であるこ
とを特徴とする電子部品。 - 【請求項４】前記基体がセラミック基体であることを特
徴とする請求項１ないし３に記載の電子部品。 - 【請求項５】前記Ｓｎめっき層は、ｐＨが３〜１０のめ
っき浴を用いた湿式めっきにより形成されたことを特徴
とする請求項１ないし４に記載の電子部品。 - 【請求項６】セラミック基体表面に複数の層からなる外
部電極を形成してなる電子部品の製造方法において、 前記外部電極は、セラミック基体表面に厚膜電極を形成
する工程と、厚膜電極上にＮｉ層またはＮｉ合金層を形
成する工程と、Ｎｉ層またはＮｉ合金層上に平均結晶粒
径が１μｍ以下のＳｎめっき層を形成する工程とを有し
て形成され、 前記Ｓｎめっき層は、ｐＨが３〜１０のめっき浴を用い
た湿式めっきにより形成されることを特徴とする電子部
品の製造方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP28817599A JP2001110666A (ja) | 1999-10-08 | 1999-10-08 | 電子部品、および電子部品の製造方法 |
| US09/680,610 US6373683B1 (en) | 1999-10-08 | 2000-10-06 | Electronic parts |
| US10/087,767 US6769160B2 (en) | 1999-10-08 | 2002-03-05 | Process for manufacturing electronic part |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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ID=17726794
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|---|---|
| US (2) | US6373683B1 (ja) |
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| WO2025154605A1 (ja) * | 2024-01-17 | 2025-07-24 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
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2000
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-
2002
- 2002-03-05 US US10/087,767 patent/US6769160B2/en not_active Expired - Lifetime
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