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JP2001110576A - Organic el element and manufacturing process for it - Google Patents

Organic el element and manufacturing process for it

Info

Publication number
JP2001110576A
JP2001110576A JP28972699A JP28972699A JP2001110576A JP 2001110576 A JP2001110576 A JP 2001110576A JP 28972699 A JP28972699 A JP 28972699A JP 28972699 A JP28972699 A JP 28972699A JP 2001110576 A JP2001110576 A JP 2001110576A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
light emitting
organic
wiring
organic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28972699A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Iiizumi
安広 飯泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Futaba Corp
Original Assignee
Futaba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Futaba Corp filed Critical Futaba Corp
Priority to JP28972699A priority Critical patent/JP2001110576A/en
Publication of JP2001110576A publication Critical patent/JP2001110576A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture organic EL elements having different thickness and different material of wiring of an electrode and wiring for another electrode, maintaining the prescribed light emitting area. SOLUTION: The anode 3 and lead out part 3b are formed on the substrate 2. The anode 3 corresponds to the shape of the light emitting part 10. The lead out part 3b is drawn up from the anode 3 to the edge of substrate 2. The organic layer 5 is laminated on the anode 3 using metal mask 4A. The cathode 6 and the cathode wiring 6b are formed on the organic layer 5 using a metal mask 4B. The anode wiring 7 is formed using a metal mask 4C on the lead out part 3b of the anode 3, which is separated for prescribed gap from the light emitting part 10 of a part of the organic layer 5. The organic layer 5 is inserted between the anode 3 and the cathode 6. The cathode 6 the cathode wiring 6b, and the anode wiring 7 are formed to have different film thickness using the different or equal material by suiting usage of metal mask 4B and metal mask 4C.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも一方が
透明電極からなる一対の電極間に有機化合物材料の薄膜
が積層された有機エレクトロルミネッセンス素子(以
下、有機EL素子と略称する)及びその製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device (hereinafter abbreviated as an organic EL device) in which a thin film of an organic compound material is laminated between a pair of electrodes at least one of which is a transparent electrode, and a method of manufacturing the same. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】有機EL素子は、蛍光性有機化合物を含
む薄膜を一対の電極をなす陽極と陰極との間に挟んだ構
造を有し、前記薄膜にホール(正孔)及び電子を注入し
て再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成
させ、この励起子が失活する際の光の放出(蛍光・燐
光)を利用して表示を行う素子である。
2. Description of the Related Art An organic EL device has a structure in which a thin film containing a fluorescent organic compound is sandwiched between an anode and a cathode forming a pair of electrodes, and holes (holes) and electrons are injected into the thin film. An exciton is generated by recombination, and display is performed using light emission (fluorescence / phosphorescence) when the exciton is deactivated.

【0003】図20及び図21は特開平5−30799
7号公報に開示される従来の有機EL素子の構造を示し
ている。
FIGS. 20 and 21 show Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-30799.
7 shows the structure of a conventional organic EL device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-107.

【0004】図20及び図21に示す有機EL素子51
は、ガラス透明基板52上に、透明陽極53、透明陽極
53より仕事関数の低い金属膜54、有機正孔輸送層5
5、有機化合物からなる発光層56及び金属陰極57が
順に積層されている。金属膜54は、Alに仕事関数の
低いLiを微量ドープした合金が用いられ、透明陽極5
3及び正孔輸送層55間の一部に積層されている。これ
により、透明陽極53の陽極配線からのホールの注入を
防ぎ、配線抵抗を低下させている。
[0004] The organic EL element 51 shown in FIGS.
A transparent anode 53, a metal film 54 having a lower work function than the transparent anode 53, and an organic hole transport layer 5
5, a light emitting layer 56 made of an organic compound and a metal cathode 57 are sequentially stacked. The metal film 54 is made of an alloy in which Al is doped with a small amount of Li having a low work function.
3 and a part between the hole transport layer 55. This prevents holes from being injected from the anode wiring of the transparent anode 53, thereby reducing the wiring resistance.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た図20及び図21に示す有機EL素子51では、透明
電極53のライン上に透明陽極53よりも仕事関数の低
い金属膜54を成膜する工程が増える。また、透明陽極
53の配線からのホールの注入を防ぐため、透明陽極5
3とホール輸送層の間にAlに仕事関数の低いLiを微
量ドープした合金からなる金属膜54を陽極配線として
用いることができるが、Al−Liの合金をターゲット
として用いて蒸着すると、正孔輸送層55との界面付近
ではその仕事関数がAlに近いものとなり、正孔が注入
されてしまう可能性がある。しかも、AlとLiを2元
蒸着により共蒸着する場合、そのレートコントロールが
難しいという問題があった。加えて、金属膜54の部分
が影になり、輝度むらを生じるおそれがあった。
However, in the above-described organic EL device 51 shown in FIGS. 20 and 21, a step of forming a metal film 54 having a work function lower than that of the transparent anode 53 on the line of the transparent electrode 53. Increase. In order to prevent holes from being injected from the wiring of the transparent anode 53, the transparent anode 5
A metal film 54 made of an alloy in which Al is doped with a small amount of Li having a low work function can be used as an anode wiring between the hole transport layer 3 and the hole transport layer. In the vicinity of the interface with the transport layer 55, the work function is close to that of Al, and holes may be injected. Moreover, when co-evaporating Al and Li by binary evaporation, there is a problem that the rate control is difficult. In addition, there is a possibility that the portion of the metal film 54 becomes a shadow, causing luminance unevenness.

【0006】上記従来の有機EL素子の他の構成とし
て、図22及び図23は特開平8−315981号公報
に開示される有機EL素子の構造を示している。
As another structure of the above-mentioned conventional organic EL device, FIGS. 22 and 23 show a structure of an organic EL device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-315981.

【0007】図22及び図23に示す有機EL素子61
は、ストライプ状のX−Yマトリックス電極により単純
マトリックス駆動させる構成であり、陰極電極をストラ
イプ状にパターニングするために電気絶縁性のオーバー
バンク部を有する隔壁を用いている。
The organic EL device 61 shown in FIGS. 22 and 23
Has a configuration in which simple matrix driving is performed by an XY matrix electrode having a stripe shape, and a partition having an electrically insulating overbank portion is used to pattern the cathode electrode in a stripe shape.

【0008】更に説明すると、基板62上には、ITO
などからなる第1表示電極ライン63が設けられてい
る。第1表示電極ライン63は互いに平行な複数のスト
ライプ状に配列されている。基板62及び第1表示電極
ライン63上には、第1表示電極ライン63に直交する
ように基板62上から突出する複数の電気絶縁性の隔壁
64が形成されている。この隔壁64は、少なくとも第
1表示電極ライン63の一部が露出するように形成され
る。
[0008] To further explain, on the substrate 62, ITO
A first display electrode line 63 is provided. The first display electrode lines 63 are arranged in a plurality of stripes parallel to each other. On the substrate 62 and the first display electrode lines 63, a plurality of electrically insulating partitions 64 projecting from the substrate 62 so as to be orthogonal to the first display electrode lines 63 are formed. The partition 64 is formed so that at least a part of the first display electrode line 63 is exposed.

【0009】隔壁64の上部には、基板62に平行な方
向に突出するオーバーハング部65が隔壁64の伸長方
向に沿って形成されている。露出している第1表示電極
ライン63の部分の各々の上には、少なくとも1層の有
機EL媒体の薄膜66が形成されている。有機EL媒体
の薄膜66上には、その伸長方向に沿って第2表示電極
ライン67が形成されている。そして、第1及び第2表
示電極ライン63,67が交差して挟まれた有機EL媒
体の部分が発光部に対応する。
On the upper part of the partition 64, an overhang portion 65 protruding in a direction parallel to the substrate 62 is formed along the extending direction of the partition 64. At least one layer of the organic EL medium thin film 66 is formed on each of the exposed portions of the first display electrode lines 63. On the thin film 66 of the organic EL medium, a second display electrode line 67 is formed along the extension direction. The portion of the organic EL medium sandwiched between the first and second display electrode lines 63 and 67 corresponds to a light emitting portion.

【0010】図22及び図23に示す有機EL素子61
の構成において、透明電極からなる第1表示電極ライン
63の配線(陽極配線)を形成する場合、第1表示電極
ライン63上にフォトリソ法によりAl等の抵抗率の小
さい配線を作製し、この配線の上をフォトリソ法により
絶縁膜で覆う構成が考えられるが、第1表示電極ライン
63の配線を形成するための陽極配線工程がある分だけ
製作工程数が増えるという問題を招く。しかも、第1表
示電極ライン63上に配線を形成して絶縁膜で覆うの
で、その分だけ発光面積が狭まるという問題を生ずる。
The organic EL device 61 shown in FIGS. 22 and 23
In the case of forming the wiring (anode wiring) of the first display electrode line 63 made of a transparent electrode, a wiring having a low resistivity, such as Al, is formed on the first display electrode line 63 by a photolithography method. Can be considered to be covered with an insulating film by a photolithography method. However, there is a problem that the number of manufacturing steps is increased by the amount of the anode wiring step for forming the wiring of the first display electrode line 63. In addition, since a wiring is formed on the first display electrode line 63 and is covered with the insulating film, there is a problem that the light emitting area is reduced accordingly.

【0011】このように、従来の有機EL素子では、金
属材料に比べて抵抗率が大きいITOを用いることによ
る画素毎の輝度むらを防ぐため、Al等の金属を陽極配
線として使用しているが、素子作製の工程数が増え、発
光部分が影になったり、発光面積を狭めるだけでなく、
陽極配線と陰極との膜厚や材料が異なる素子を簡便に作
製することができなかった。
As described above, in the conventional organic EL element, a metal such as Al is used as the anode wiring in order to prevent luminance unevenness in each pixel due to the use of ITO having a higher resistivity than the metal material. In addition to increasing the number of steps for fabricating the element, the light-emitting portion is not only shaded and the light-emitting area is reduced,
An element in which the thickness and the material of the anode wiring and the cathode are different from each other cannot be easily manufactured.

【0012】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたものであり、電極用配線抵抗の低下を防止するた
め、一方の電極の電極用配線と他方の電極の電極用配線
との膜厚や材料の異なる素子を所定の発光面積を確保し
つつ簡便に作製することができる有機EL素子及びその
製造方法を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has been made in consideration of the above-described problems. In order to prevent a reduction in electrode wiring resistance, a film formed of an electrode wiring of one electrode and an electrode wiring of the other electrode is formed. It is an object of the present invention to provide an organic EL device capable of easily manufacturing devices having different thicknesses and materials while securing a predetermined light emitting area, and a method for manufacturing the same.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、少なくとも一方が透明電極から
なる一対の電極の間に発光層を含む有機層が設けられ、
前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分が発光部
をなす有機EL素子において、前記発光部以外の所に位
置する一方の電極の電極用配線と他方の電極の電極用配
線とは、異なる材料の金属膜又は同一材料で異なる膜厚
の金属膜からなることを特徴とする。
To achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, an organic layer including a light emitting layer is provided between a pair of electrodes, at least one of which is a transparent electrode,
In the organic EL element in which the portion of the organic layer sandwiched between the pair of electrodes constitutes a light emitting portion, the electrode wiring of one electrode and the electrode wiring of the other electrode located at a place other than the light emitting portion are: It is characterized by comprising metal films of different materials or metal films of the same material but of different thicknesses.

【0014】請求項2の発明は、少なくとも一方が透明
電極からなる一対の電極の間に発光層を含む有機層が設
けられ、前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分
が発光部をなす有機EL素子において、前記発光部に対
応して絶縁性基板の上に所定パターン形状に形成される
第1電極と、前記発光部と対応する位置から離れた前記
第1電極の一部分が露出し、少なくとも前記発光部と対
応する位置に前記第1電極が露出して所定の領域で区画
するように前記第1電極の上に形成される絶縁層と、前
記絶縁層により区画される領域内の少なくとも前記発光
部の領域と対応する前記第1電極の上に形成される有機
層と、前記有機層の上から形成される第2電極とを備
え、前記発光部以外の所に位置する前記第1電極の電極
用配線と前記第2電極の電極用配線とは、異なる材料の
金属膜又は同一材料で異なる膜厚の金属膜からなること
を特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, an organic layer including a light emitting layer is provided between a pair of electrodes at least one of which is a transparent electrode, and a portion of the organic layer sandwiched between the pair of electrodes constitutes a light emitting portion. In the organic EL element to be formed, a first electrode formed in a predetermined pattern shape on an insulating substrate corresponding to the light emitting unit and a part of the first electrode apart from a position corresponding to the light emitting unit are exposed. An insulating layer formed on the first electrode such that the first electrode is exposed at least at a position corresponding to the light emitting unit and is divided in a predetermined region; and an insulating layer formed in the region defined by the insulating layer. An organic layer formed on the first electrode corresponding to at least a region of the light emitting unit, and a second electrode formed on the organic layer, the second electrode being located other than the light emitting unit. One electrode wiring and the second electrode The use of the electrode wire, characterized by comprising the different thicknesses of the metal film is a metal film or the same materials of different materials.

【0015】請求項3の発明は、請求項2の有機EL素
子において、前記絶縁層は、前記発光部の形状に区画し
て前記第1電極及び電極用配線の上に形成される絶縁膜
と、前記一対の電極間及び前記第2電極間が電気的に絶
縁されるように前記絶縁膜の上に形成される絶縁リブと
からなることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the organic EL device of the second aspect, the insulating layer is formed in a shape of the light emitting portion and formed on the first electrode and the electrode wiring. And an insulating rib formed on the insulating film so that the pair of electrodes and the second electrode are electrically insulated from each other.

【0016】請求項4の発明は、請求項3の有機EL素
子において、前記第1電極と前記第2電極は、互いに交
差するストライプ状に形成されることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the organic EL device of the third aspect, the first electrode and the second electrode are formed in a stripe shape crossing each other.

【0017】請求項5の発明は、少なくとも一方が透明
電極からなる一対の電極の間に発光層を含む有機層が設
けられ、前記一対の電極の間に挟まれる前記有機層の部
分が発光部をなす有機EL素子の製造方法において、前
記発光部以外の所に位置する一方の電極の電極用配線と
他方の電極の電極用配線とを異なる材料の金属膜又は同
一材料で異なる膜厚の金属膜により形成する工程を含む
ことを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, an organic layer including a light emitting layer is provided between a pair of electrodes at least one of which is a transparent electrode, and a portion of the organic layer sandwiched between the pair of electrodes is a light emitting portion. In the method for manufacturing an organic EL element, the electrode wiring of one electrode and the electrode wiring of the other electrode located in places other than the light emitting portion are formed of a metal film of a different material or a metal film of the same material having a different thickness. The method is characterized by including a step of forming a film.

【0018】請求項6の発明は、少なくとも一方が透明
電極からなる一対の電極の間に発光層を含む有機層が設
けられ、前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分
が発光部をなす有機EL素子の製造方法において、前記
発光部に対応して絶縁性基板の上に第1電極及び電極用
配線を形成する工程と、前記発光部と対応する位置から
離れた前記第1電極の一部分が露出し、少なくとも前記
発光部と対応する位置に前記第1電極が露出して所定の
領域で区画するように前記第1電極及び電極用配線の上
に絶縁層を形成する工程と、金属マスクを用いて前記絶
縁層により区画される領域内の少なくとも前記発光部の
領域と対応する前記第1電極の上に有機層を形成する工
程と、金属マスクを用いて前記有機層の上から第2電極
を形成する工程と、金属マスクを用いて前記第1電極の
電極用配線の露出部分の上に更に電極用配線を形成する
工程とを含むことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, an organic layer including a light emitting layer is provided between a pair of electrodes at least one of which is a transparent electrode, and a portion of the organic layer sandwiched between the pair of electrodes constitutes a light emitting portion. Forming a first electrode and an electrode wiring on an insulating substrate corresponding to the light emitting unit; and forming the first electrode separated from a position corresponding to the light emitting unit. Forming an insulating layer on the first electrode and the electrode wiring such that a portion is exposed and the first electrode is exposed at least at a position corresponding to the light emitting unit and is divided into predetermined regions; Forming an organic layer on at least the first electrode corresponding to a region of the light emitting portion in a region defined by the insulating layer using a mask, and forming a first organic layer on the organic layer using a metal mask. Forming two electrodes; Characterized in that it comprises a step of further forming an electrode wiring on the exposed portion of the electrode wiring of the first electrode using a metal mask.

【0019】請求項7の発明は、少なくとも一方が透明
電極からなる一対の電極の間に発光層を含む有機層が設
けられ、前記一対の電極間に挟まれる前記有機層の部分
が発光部をなす有機EL素子の製造方法において、前記
発光部に対応して絶縁性基板の上に第1電極及び電極用
配線を形成する工程と、前記発光部の形状に区画して前
記第1電極及び電極用配線の上に絶縁膜を形成する工程
と、前記一対の電極間及び前記有機層の上に形成される
電極間が電気的に絶縁されるパターン形状で前記絶縁層
の上に絶縁リブを形成する工程と、金属マスクを用いて
前記絶縁層及び前記絶縁リブにより区画される領域内の
少なくとも前記発光部の領域と対応する前記第1電極の
上に有機層を形成する工程と、金属マスクを用いて前記
有機層の上から第2電極及び電極用配線を形成する工程
と、金属マスクを用いて前記第1電極の電極用配線の露
出部分の上に更に電極用配線を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, an organic layer including a light emitting layer is provided between a pair of electrodes at least one of which is a transparent electrode, and a portion of the organic layer sandwiched between the pair of electrodes constitutes a light emitting portion. Forming a first electrode and an electrode wiring on an insulating substrate corresponding to the light emitting unit; and forming the first electrode and the electrode in the shape of the light emitting unit. Forming an insulating film on the wiring, and forming insulating ribs on the insulating layer in a pattern shape in which the pair of electrodes and the electrodes formed on the organic layer are electrically insulated. Forming an organic layer on the first electrode corresponding to at least a region of the light emitting portion in a region defined by the insulating layer and the insulating rib using a metal mask; Using the organic layer from the top Forming a electrode and the electrode wiring, characterized in that it comprises a step of forming a further wiring electrode on the exposed portion of the electrode wiring of the first electrode using a metal mask.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】図1(a)〜(e)は本発明によ
る有機EL素子の第1実施の形態を示す図であって、そ
の製作工程を示す部分拡大平面図、図2(a)〜(c)
は同有機EL素子の製作工程を示す断面図である。な
お、各図では素子が形成される側の基板のみを示し、基
板の上に封着される封止部材の構成については省略して
いる。
1 (a) to 1 (e) are views showing a first embodiment of an organic EL device according to the present invention, which is a partially enlarged plan view showing a manufacturing process thereof, and FIGS. ) To (c)
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL element. In each drawing, only the substrate on which the element is formed is shown, and the configuration of the sealing member sealed on the substrate is omitted.

【0021】以下、第1実施の形態の有機EL素子の構
成を図1及び図2を参照しながら製作工程の手順に沿っ
て説明する。
Hereinafter, the structure of the organic EL device according to the first embodiment will be described along the procedure of the manufacturing process with reference to FIGS.

【0022】図1及び図2に示すように、有機EL素子
1A(1)は、3×2の表示パターンを基板2の上に有
するもので、ガラス等の透明性及び絶縁性を有する基板
2を基部としている。まず、図1(a)及び図2(a)
に示すように、スパッタ法、分子線蒸着法等の手法、更
にフォトリソ法を用いて基板2の上に第1電極としての
陽極3及び導出部(電極用配線)3bを所定のパターン
形状に形成する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the organic EL element 1A (1) has a 3 × 2 display pattern on the substrate 2 and is made of a transparent and insulating substrate 2 such as glass. Is based. First, FIGS. 1A and 2A
As shown in (1), an anode 3 as a first electrode and a lead-out section (electrode wiring) 3b are formed in a predetermined pattern shape on a substrate 2 by using a technique such as a sputtering method, a molecular beam evaporation method, and a photolithography method. I do.

【0023】図1(a)に示すように、陽極3は、矩形
状に形成された3つの部分からなる。各陽極3の下端部
には、基板2の左端部まで引き出されたL字状の導出部
(電極用配線)3bが一体に形成されている。陽極3及
び導出部3bは、例えばITO(酸化インジウムと錫の
複合酸化物)等のように表面の仕事関数が4.0eV以
上の透明な物質で構成する。
As shown in FIG. 1A, the anode 3 is composed of three rectangular parts. At the lower end of each anode 3, an L-shaped lead-out portion (electrode wiring) 3b extended to the left end of the substrate 2 is integrally formed. The anode 3 and the lead portion 3b are made of a transparent material having a surface work function of 4.0 eV or more, such as ITO (composite oxide of indium oxide and tin).

【0024】次に、図1(b)及び図2(b)に示すよ
うに、金属マスク4Aを用いて陽極3の上に有機層5を
成膜する。金属マスク4Aとしては、図1(b)の斜線
で示すように、発光部10の発光エリア(陽極3と後工
程で形成される陰極6との間に挟まれた有機層5の部分
に相当)を十分カバーする領域に開口を有するものを用
いる。
Next, as shown in FIGS. 1B and 2B, an organic layer 5 is formed on the anode 3 using a metal mask 4A. As shown by hatching in FIG. 1B, the metal mask 4A has a light emitting area of the light emitting unit 10 (corresponding to a portion of the organic layer 5 sandwiched between the anode 3 and the cathode 6 formed in a later step). ) Is used that has an opening in a region that sufficiently covers the above.

【0025】そして、陽極3上の発光部10に対応する
部分以外を金属マスク4Aで覆い、陽極3よりも一回り
大きな矩形状に有機層5を成膜する。この有機層5は、
所定の色(例えば緑色、赤色など)で発光する発光層の
みの単層、又は所定の色で発光する発光層を含む多層に
成膜される。
Then, the portion other than the portion corresponding to the light emitting portion 10 on the anode 3 is covered with a metal mask 4A, and the organic layer 5 is formed in a rectangular shape slightly larger than the anode 3. This organic layer 5
It is formed into a single layer of only a light emitting layer that emits light of a predetermined color (for example, green, red, or the like) or a multilayer including a light emitting layer that emits light of a predetermined color.

【0026】次に、図1(c)及び図2(c)に示すよ
うに、陽極3の上に積層した有機層5の上に、第2電極
としての陰極6及び陰極配線(電極用配線)6bを金属
マスク4Bを用いて形成する。図1(c)に示すよう
に、陰極6は、陽極3と直交して矩形状に形成された2
つの部分からなる。各陰極6の左側端部には、基板2の
上端部まで引き出されたL字状の陰極配線6bが一体に
形成されている。陰極6及び陰極配線6bは、有機層5
を挟んで発光部10以外では陽極3及び導出部3bと交
差しないように形成する。上記金属マスク4Bとして
は、図1(c)の斜線及び図2(c)に示すように、発
光部10の発光エリアをカバーする領域、この領域に連
通して基板2の上端部との間の陰極6及び陰極配線6b
の形成位置に開口を有するものを用いる。
Next, as shown in FIGS. 1C and 2C, a cathode 6 as a second electrode and a cathode wiring (electrode wiring) are formed on the organic layer 5 laminated on the anode 3. ) 6b is formed using the metal mask 4B. As shown in FIG. 1 (c), the cathode 6 has a rectangular shape orthogonal to the anode 3.
Consists of two parts. At the left end of each cathode 6, an L-shaped cathode wiring 6b extending to the upper end of the substrate 2 is integrally formed. The cathode 6 and the cathode wiring 6b are formed of the organic layer 5
Are formed so as not to intersect with the anode 3 and the lead-out portion 3b except for the light-emitting portion 10 with the. As shown in FIG. 1C and FIG. 2C, the metal mask 4B has a region covering the light-emitting area of the light-emitting portion 10 and a region between the metal mask 4B and the upper end of the substrate 2 communicating with this region. Cathode 6 and cathode wiring 6b
The one having an opening at the formation position is used.

【0027】そして、図1(c)に示すように、陽極3
に対向して有機層5上に陰極6を形成し、この陰極6に
連続して基板2の上端部に引き出されるように陰極配線
6bを形成する。
Then, as shown in FIG.
A cathode 6 is formed on the organic layer 5 so as to face the cathode, and a cathode wiring 6b is formed so as to be drawn out to the upper end of the substrate 2 continuously to the cathode 6.

【0028】次に、図1(d)及び図2(d)に示すよ
うに、陽極3(発光部10)から所定のギャップH1を
おいて陽極3の導出部3bの上に金属マスク4Cを用い
て陽極配線7を形成する。上記金属マスク4Cとして
は、図1(d)の斜線及び図2(d)に示すように、陽
極3aから所定のギャップH1をおいて陽極3の導出部
3bの位置に開口を有するものを用いる。そして、図2
(d)に示すように、陽極3と陰極6との間に挟まれた
有機層5の6つの矩形部分が発光部10として機能す
る。
Next, as shown in FIGS. 1D and 2D, a metal mask 4C is placed on the lead-out portion 3b of the anode 3 with a predetermined gap H1 from the anode 3 (light-emitting portion 10). The anode wiring 7 is formed by using this. As shown in FIG. 1D and FIG. 2D, the metal mask 4C having an opening at the position of the lead-out portion 3b of the anode 3 with a predetermined gap H1 from the anode 3a is used. . And FIG.
As shown in (d), six rectangular portions of the organic layer 5 sandwiched between the anode 3 and the cathode 6 function as the light emitting unit 10.

【0029】上記陰極6、陰極配線6b及び陽極配線7
の材料としては、陽極3の材料よりも抵抗率の低い材料
(仕事関数の小さい材料)、Li,Na,Mg,Ca等
の金属単体、及びその化合物、或いはAl:Li,M
g:In,Mg:Ag等の各種合金を用いることができ
る。
The above-mentioned cathode 6, cathode wiring 6b and anode wiring 7
Are materials having a lower resistivity than the material of the anode 3 (materials having a small work function), simple metals such as Li, Na, Mg, Ca and the like, and compounds thereof, or Al: Li, M
Various alloys such as g: In and Mg: Ag can be used.

【0030】なお、陰極6、陰極配線6b及び陽極配線
7とは、金属マスクを使い分けることにより、同一材料
は勿論のこと、異なる材料を使用することも可能であ
る。また、陰極6、陰極配線6b及び陽極配線7とを異
なる厚さで形成することが可能である。
The cathode 6, the cathode wiring 6b and the anode wiring 7 can be made of the same material or different materials by using a metal mask. Further, it is possible to form the cathode 6, the cathode wiring 6b and the anode wiring 7 with different thicknesses.

【0031】ところで、陰極6は、有機層5に対する電
子の注入がし易いように仕事関数の小さいAl:Li等
の合金を使用した方が好ましく、陰極配線6b及び陽極
配線7については、少なくとも導電性を有していればよ
いので、陰極6を形成した後、陰極配線6bと陽極配線
7を同時に形成するようにしてもよい。
It is preferable that the cathode 6 be made of an alloy such as Al: Li having a small work function so that electrons can be easily injected into the organic layer 5. Therefore, after forming the cathode 6, the cathode wiring 6b and the anode wiring 7 may be formed at the same time.

【0032】図示はしないが、上記陰極6、陰極配線6
b及び陽極配線7の形成後、水分を十分取り除いた不活
性ガス中で封止部材(ガラス等の基板、金属キャップ
等)を基板2の上面に封着して封止を行い、有機EL素
子1Aの作製プロセスを完了する。
Although not shown, the cathode 6 and the cathode wiring 6 are not shown.
After the formation of b and the anode wiring 7, a sealing member (a substrate such as glass, a metal cap, etc.) is sealed on the upper surface of the substrate 2 in an inert gas from which moisture has been sufficiently removed, and sealing is performed. Complete the fabrication process for 1A.

【0033】次に、図3は本発明による有機EL素子の
第2実施の形態を示す断面図である。なお、第2実施の
形態の有機EL素子は、上記第1実施の形態と同様の工
程により作製されるものであり、同一の構成要素には同
一番号を付してその説明を省略する。
FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of the organic EL device according to the present invention. The organic EL device according to the second embodiment is manufactured by the same steps as those in the first embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0034】第2実施の形態の有機EL素子1B(1)
は、上記第1実施の形態の有機EL素子1Aの変形例で
ある。すなわち、第2実施の形態の有機EL素子1Bで
は、陽極3の導出部(電極用配線)3bが基板2の下端
部に向かって中途位置まで引き出され、第1実施の形態
よりも短く形成されている。図3に示すように、導出部
3bの長さは、上記ギャップH1以上で、陽極配線7の
一部が重なる部分を有していればよい。
The organic EL device 1B (1) of the second embodiment
Is a modification of the organic EL element 1A of the first embodiment. That is, in the organic EL element 1B of the second embodiment, the lead-out portion (electrode wiring) 3b of the anode 3 is drawn out toward the lower end of the substrate 2 to an intermediate position, and is formed shorter than in the first embodiment. ing. As shown in FIG. 3, the length of the lead-out portion 3b may be equal to or greater than the gap H1 and may have a portion where the anode wiring 7 partially overlaps.

【0035】次に、図4〜図11は本発明による有機E
L素子の第3実施の形態を示している。図4(a)有機
EL素子の部分拡大平面図、図4(b)は図4(a)に
おいて陰極及び陽極配線を剥がした状態を示す部分拡大
平面図、図5は図4(a)のA−A線断面図、図6は図
4(a)のB−B線断面図、図7は図4(a)のC−C
線断面図、図8は図4(a)のD−D線断面図、図9は
図4(a)のE−E線断面図、図10(a)〜(d)は
有機EL素子の製作工程を示す断面図、図11(a)〜
(c)は図10に続く有機EL素子の製作工程を示す断
面図である。なお、各図では素子が形成される側の基板
のみを示し、基板の上に封着される封止部材の構成につ
いては省略している。
Next, FIGS. 4 to 11 show the organic E according to the present invention.
13 shows a third embodiment of the L element. 4 (a) is a partially enlarged plan view of the organic EL element, FIG. 4 (b) is a partially enlarged plan view showing a state where the cathode and anode wirings are peeled off in FIG. 4 (a), and FIG. 6 is a sectional view taken along line BB of FIG. 4 (a), and FIG. 7 is a sectional view taken along line CC of FIG. 4 (a).
8 is a sectional view taken along line DD of FIG. 4A, FIG. 9 is a sectional view taken along line EE of FIG. 4A, and FIGS. Sectional drawing which shows a manufacturing process, FIG.
FIG. 11C is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the organic EL element following FIG. 10. In each drawing, only the substrate on which the element is formed is shown, and the configuration of the sealing member sealed on the substrate is omitted.

【0036】以下、第3実施の形態の有機EL素子の構
成を図4〜図11を参照しながら製作工程の手順に沿っ
て説明する。
Hereinafter, the structure of the organic EL device according to the third embodiment will be described along the procedure of the manufacturing process with reference to FIGS.

【0037】図4に示すように、第3実施の形態の有機
EL素子1C(1)は、基板2に対して左右に並設され
た2つの縦長矩形状の固定表示パターンを有するもの
で、ガラス等の透明性及び絶縁性を有する基板2を基部
としている。まず、図10(a),(b)に示すよう
に、基板2の上に第1電極としての陽極3をスパッタ
法、分子線蒸着法等の手法により形成した後、フォトリ
ソ法を用いて所定のパターン形状に形成する。
As shown in FIG. 4, the organic EL element 1C (1) of the third embodiment has two vertically long rectangular fixed display patterns arranged side by side with respect to the substrate 2. The substrate 2 is made of a transparent and insulating substrate 2 such as glass. First, as shown in FIGS. 10A and 10B, an anode 3 as a first electrode is formed on a substrate 2 by a method such as a sputtering method or a molecular beam evaporation method, and then is formed by a photolithography method. Is formed in a pattern shape.

【0038】図4(b)及び図5〜図9の各断面図に示
すように、陽極3は、基板2の左右に平行に並んで形成
された2本のストライプ状のパターンからなり、パター
ン間が上端部で接続されている。陽極3は、例えばIT
O(酸化インジウムと錫の複合酸化物)等のように表面
の仕事関数が4.0eV以上の透明な物質で構成する。
As shown in FIG. 4B and the cross-sectional views of FIGS. 5 to 9, the anode 3 is composed of two stripe-shaped patterns formed in parallel on the left and right sides of the substrate 2. The space is connected at the upper end. The anode 3 is made of, for example, IT
It is composed of a transparent material having a surface work function of 4.0 eV or more, such as O (composite oxide of indium oxide and tin).

【0039】次に、図10(c)に示すように、陽極3
の上に絶縁膜(絶縁層)11を成膜する。絶縁膜11
は、後工程で形成される陽極配線7と発光部10以外を
覆うように陽極3の上に積層形成する。絶縁膜11は、
例えばネガ型感光性ポリイミドの他、薄膜で蒸着可能な
絶縁物材料であるSiN、SiO2 等で構成することが
できる。本例ではネガ型感光性ポリイミドを用いて絶縁
膜11を形成している。
Next, as shown in FIG.
An insulating film (insulating layer) 11 is formed thereon. Insulating film 11
Is formed on the anode 3 so as to cover portions other than the anode wiring 7 and the light emitting portion 10 formed in a later step. The insulating film 11
For example, in addition to the negative photosensitive polyimide, it can be composed of an insulating material that can be deposited as a thin film, such as SiN or SiO 2 . In this example, the insulating film 11 is formed using negative photosensitive polyimide.

【0040】上記絶縁膜11を形成する場合には、陽極
3の上にスピンコート法により所定の塗膜厚(例えば1
5μm)となるようにネガ型感光性ポリイミド膜を形成
し、所定のプリベーク処理を行う。そして、陽極3上の
発光部10及び陽極配線7以外を覆うように製作された
露光マスクを用い、陽極3に発光部10及び陽極配線7
となる部分以外の絶縁パターン部分の露光処理を行う。
そして、現像完了後、所定のイミド処理を行う。これに
より、陽極3の上に所定パターン形状の絶縁膜11が積
層形成される。図4(b)及び図5〜図9の各断面図に
示すように、絶縁膜11は、陽極3の右側縁部分及び発
光部10に対応する部分以外を覆うように陽極3の上に
積層形成される。
When the insulating film 11 is formed, a predetermined coating thickness (for example, 1) is formed on the anode 3 by spin coating.
A negative photosensitive polyimide film is formed so as to have a thickness of 5 μm), and a predetermined pre-bake treatment is performed. Then, the light emitting unit 10 and the anode wiring 7 are formed on the anode 3 by using an exposure mask manufactured so as to cover portions other than the light emitting unit 10 and the anode wiring 7 on the anode 3.
Exposure processing is performed on the insulating pattern portion other than the portion to be formed.
After completion of the development, a predetermined imide treatment is performed. Thus, the insulating film 11 having a predetermined pattern is formed on the anode 3. As shown in FIG. 4B and the cross-sectional views of FIGS. 5 to 9, the insulating film 11 is stacked on the anode 3 so as to cover portions other than the right edge portion of the anode 3 and a portion corresponding to the light emitting unit 10. It is formed.

【0041】次に、図10(d)に示すように、絶縁膜
11の上に絶縁リブ(絶縁層)12を成膜する。絶縁リ
ブ12は、発光部10の発光エリアを形作るように絶縁
膜11の上に所定の高さをもって積層形成する。絶縁リ
ブ12は、絶縁膜11と同様、例えばネガ型感光性ポリ
イミドの他、薄膜で蒸着可能な絶縁物材料であるSi
N、SiO2 等で構成することができる。本例ではネガ
型感光性ポリイミドを用いて絶縁リブ12を形成してい
る。
Next, as shown in FIG. 10D, an insulating rib (insulating layer) 12 is formed on the insulating film 11. The insulating rib 12 is formed on the insulating film 11 with a predetermined height so as to form a light emitting area of the light emitting unit 10. Like the insulating film 11, the insulating rib 12 is made of, for example, a negative photosensitive polyimide, or a thin-film insulating material Si
It can be made of N, SiO 2 or the like. In this embodiment, the insulating ribs 12 are formed using negative photosensitive polyimide.

【0042】上記絶縁リブ12を形成する場合には、絶
縁膜11の上にスピンコート法により所定の塗膜厚(例
えば20μm)となるようにネガ型感光性ポリイミド膜
を形成し、所定のプリベーク処理を行う。その後、発光
部10の発光エリアを形作るように製作された露光マス
クを用い、上記ネガ型感光性ポリイミド膜を適正な露光
量で処理する。露光後、所定の条件で現像・リンス処理
を行う。これにより、絶縁膜11の上に所定パターン形
状の絶縁リブ12が積層形成される。
When the insulating ribs 12 are formed, a negative photosensitive polyimide film is formed on the insulating film 11 by a spin coating method so as to have a predetermined coating thickness (for example, 20 μm), and a predetermined prebaking is performed. Perform processing. Thereafter, the negative photosensitive polyimide film is processed with an appropriate exposure using an exposure mask manufactured so as to form a light emitting area of the light emitting section 10. After the exposure, development and rinsing are performed under predetermined conditions. As a result, the insulating ribs 12 having a predetermined pattern are formed on the insulating film 11.

【0043】次に、図11(a)に示すように、絶縁リ
ブ12によって区画された陽極3の上に金属マスク13
Aを用いて有機層5を成膜し、更に図11(b)に示す
ように、有機層5の上に陰極6(電極用配線を含む)を
成膜する。金属マスク13Aとしては、絶縁リブ12に
より区画された領域(陽極3と陰極6との間に挟まれた
有機層5の発光部10の発光エリアに相当)に開口を有
するものを用いる。そして、発光部10に対応する部分
以外を金属マスク13Aで覆い、絶縁リブ12により区
画された領域内の陽極3の上に有機層5を成膜した後、
有機層5の上に陰極6を成膜する。
Next, as shown in FIG. 11A, a metal mask 13 is placed on the anode 3 partitioned by the insulating ribs 12.
A is used to form an organic layer 5, and a cathode 6 (including an electrode wiring) is formed on the organic layer 5 as shown in FIG. As the metal mask 13A, a metal mask having an opening in a region defined by the insulating ribs 12 (corresponding to a light emitting area of the light emitting portion 10 of the organic layer 5 sandwiched between the anode 3 and the cathode 6) is used. Then, a portion other than the portion corresponding to the light emitting unit 10 is covered with the metal mask 13A, and the organic layer 5 is formed on the anode 3 in a region defined by the insulating rib 12,
The cathode 6 is formed on the organic layer 5.

【0044】なお、上記有機層5は、所定の色(例えば
緑色、赤色など)で発光する発光層のみの単層、又は所
定の色で発光する発光層を含む多層に成膜される。
The organic layer 5 is formed as a single layer of only a light emitting layer that emits light of a predetermined color (for example, green or red) or a multilayer including a light emitting layer that emits light of a predetermined color.

【0045】次に、図4(a)及び図11(c)に示す
ように、絶縁リブ12によって区画された陽極3を覆う
ように金属マスク13Bを用いて露出する陽極3の右縁
部分の上に陽極配線7を形成する。金属マスク13Bと
しては、絶縁リブ12により区画された領域(陽極3と
陰極6との間に挟まれた有機層5の発光部10の発光エ
リアに相当)以外の部分に開口を有するものを用いる。
そして、図4(b)及び図5〜図9の各断面図に示すよ
うに、陽極3と陰極6との間に挟まれた有機層5の縦長
矩形部分が発光部10となる。上記陰極6及び陽極配線
7の形成は、通常の正蒸着で行われ、特に斜め方向から
の蒸着は必要ない。
Next, as shown in FIGS. 4A and 11C, the right edge portion of the anode 3 exposed by using the metal mask 13B so as to cover the anode 3 partitioned by the insulating ribs 12 is formed. An anode wiring 7 is formed thereon. As the metal mask 13B, a mask having an opening in a portion other than a region defined by the insulating ribs 12 (corresponding to a light emitting area of the light emitting portion 10 of the organic layer 5 sandwiched between the anode 3 and the cathode 6) is used. .
Then, as shown in FIG. 4B and the cross-sectional views of FIGS. 5 to 9, a vertically long rectangular portion of the organic layer 5 sandwiched between the anode 3 and the cathode 6 becomes the light emitting unit 10. The formation of the cathode 6 and the anode wiring 7 is performed by normal forward evaporation, and there is no particular need for oblique evaporation.

【0046】上記構成において、陽極3と陰極6との間
の電気的な絶縁は、絶縁膜11と絶縁リブ12を介して
達成される。また、隣合う陰極6間の電気的な絶縁は絶
縁リブ12によって達成される。更に、有機層5から陰
極6はセルフアライメントで一義的に規定される。
In the above configuration, electrical insulation between the anode 3 and the cathode 6 is achieved via the insulating film 11 and the insulating rib 12. Electrical insulation between the adjacent cathodes 6 is achieved by the insulating ribs 12. Further, the cathode 6 from the organic layer 5 is uniquely defined by self-alignment.

【0047】上記陰極6(電極用配線を含む)及び陽極
配線7の材料としては、陽極3の材料よりも抵抗率の低
い材料(仕事関数の小さい材料)、例えばLi,Na,
Mg,Ca等の金属単体、及びその化合物、或いはA
l:Li,Mg:In,Mg:Ag等の各種合金を用い
ることができる。
As the material of the cathode 6 (including the electrode wiring) and the anode wiring 7, a material having a lower resistivity (a material having a lower work function) than the material of the anode 3, for example, Li, Na,
Simple metals such as Mg and Ca and their compounds, or A
Various alloys such as l: Li, Mg: In, and Mg: Ag can be used.

【0048】なお、陰極6(電極用配線を含む)と陽極
配線7とは、金属マスクを使い分けることにより、同一
材料は勿論のこと、異なる材料を使用することも可能で
ある。また、陰極6(電極用配線を含む)と陽極配線7
とを異なる厚さで形成することが可能である。
The cathode 6 (including the electrode wiring) and the anode wiring 7 can be made of different materials as well as the same material by using different metal masks. Further, a cathode 6 (including an electrode wiring) and an anode wiring 7
Can be formed with different thicknesses.

【0049】ところで、第1実施の形態でも説明したよ
うに、陰極6は、有機層5に対する電子の注入がし易い
ように仕事関数の小さいAl:Li等の合金を使用した
方が好ましく、陰極6の電極用配線及び陽極配線7につ
いては、少なくとも導電性を有していればよい。
As described in the first embodiment, the cathode 6 is preferably made of an alloy such as Al: Li having a small work function so that electrons can be easily injected into the organic layer 5. The electrode wiring 6 and the anode wiring 7 need only have at least conductivity.

【0050】したがって、金属マスク13Aを用いて有
機層5の上に陰極6を形成した後、金属マスク13Bを
用いずに陰極6の電極用配線と陽極配線7を同時に形成
するようにしてもよい。
Therefore, after forming the cathode 6 on the organic layer 5 using the metal mask 13A, the electrode wiring and the anode wiring 7 of the cathode 6 may be formed simultaneously without using the metal mask 13B. .

【0051】図示はしないが、陰極6及び陽極配線7の
形成後、水分を十分取り除いた不活性ガス中で封止部材
(ガラス等の基板、金属キャップ等)を基板2の上面に
封着して封止を行い、有機EL素子1Cの作製プロセス
を完了する。
Although not shown, after forming the cathode 6 and the anode wiring 7, a sealing member (a substrate of glass or the like, a metal cap, etc.) is sealed on the upper surface of the substrate 2 in an inert gas from which moisture has been sufficiently removed. To complete the manufacturing process of the organic EL element 1C.

【0052】次に、図12〜図19は本発明による有機
EL素子の第4実施の形態を示している。図12は有機
EL素子の部分拡大平面図、図13は(a)〜(d)は
図12のF−F,G−G,H−H,I−I線断面図、図
14は陽極を形成した基板の部分拡大平面図、図15は
図14の状態から絶縁膜を成膜した状態の部分拡大平面
図、図16は図15の状態から絶縁リブを成膜した状態
の部分拡大平面図、図17は図16の状態から有機層を
成膜した状態の部分拡大平面図、図18(a)〜(c)
は有機EL素子の製作工程を示す断面図、図19(a)
〜(c)は図18に続く有機EL素子の製作工程を示す
断面図である。なお、各図では素子が形成される側の基
板のみを示し、基板の上に封着される封止部材の構成に
ついては省略している。
Next, FIGS. 12 to 19 show an organic EL device according to a fourth embodiment of the present invention. 12 is a partially enlarged plan view of the organic EL element, FIGS. 13A to 13D are cross-sectional views taken along lines FF, GG, HH, and II in FIG. 12, and FIG. FIG. 15 is a partially enlarged plan view of a state in which an insulating film is formed from the state of FIG. 14, and FIG. 16 is a partially enlarged plan view of a state in which an insulating rib is formed from the state of FIG. FIG. 17 is a partially enlarged plan view showing a state where an organic layer is formed from the state shown in FIG. 16, and FIGS. 18 (a) to 18 (c).
Is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL device, and FIG.
FIG. 19C is a cross-sectional view showing a step of manufacturing the organic EL element following FIG. In each drawing, only the substrate on which the element is formed is shown, and the configuration of the sealing member sealed on the substrate is omitted.

【0053】以下、第4実施の形態の有機EL素子の構
成を図12〜図19を参照しながら製作工程の手順に沿
って説明する。
Hereinafter, the structure of the organic EL device according to the fourth embodiment will be described with reference to FIGS.

【0054】図12に示すように、第4実施の形態の有
機EL素子1D(1)は、基板2に対してマトリクス状
に配置された矩形状の表示パターンを有するもので、ガ
ラス等の透明性及び絶縁性を有する基板2を基部として
いる。まず、図18(a)に示すように、基板2の上に
第1電極としての陽極3をスパッタ法、分子線蒸着法等
の手法により形成した後、フォトリソ法を用いて所定の
パターン形状に形成する。
As shown in FIG. 12, the organic EL element 1D (1) of the fourth embodiment has a rectangular display pattern arranged in a matrix with respect to the substrate 2 and is made of a transparent material such as glass. The substrate 2 has properties and insulating properties. First, as shown in FIG. 18A, an anode 3 as a first electrode is formed on a substrate 2 by a method such as a sputtering method or a molecular beam evaporation method, and then formed into a predetermined pattern shape by a photolithography method. Form.

【0055】図13(a)〜(d)及び図14に示すよ
うに、陽極3は、基板2の上下方向に所定間隔をおいて
平行に形成された4本のストライプ状パターンからな
る。陽極3は、例えばITO(酸化インジウムと錫の複
合酸化物)等のように表面の仕事関数が4.0eV以上
の透明な物質で構成する。
As shown in FIGS. 13 (a) to 13 (d) and FIG. 14, the anode 3 is composed of four stripe-shaped patterns formed in parallel with a predetermined interval in the vertical direction of the substrate 2. The anode 3 is made of a transparent material having a surface work function of 4.0 eV or more, such as ITO (composite oxide of indium oxide and tin).

【0056】次に、図18(b)に示すように、陽極3
の上に絶縁膜(絶縁層)11を成膜する。絶縁膜11
は、発光部10の発光エリアを形作るように陽極3の上
から積層形成する。絶縁膜11は、例えばネガ型感光性
ポリイミドの他、薄膜で蒸着可能な絶縁物材料であるS
iN、SiO2 等で構成することができる。本例ではネ
ガ型感光性ポリイミドを用いて絶縁膜11を形成してい
る。
Next, as shown in FIG.
An insulating film (insulating layer) 11 is formed thereon. Insulating film 11
Is formed on the anode 3 so as to form a light emitting area of the light emitting section 10. The insulating film 11 is made of, for example, a negative photosensitive polyimide or an insulating material that can be deposited as a thin film.
It can be made of iN, SiO 2 or the like. In this example, the insulating film 11 is formed using negative photosensitive polyimide.

【0057】上記絶縁膜11を形成する場合には、陽極
3の上にスピンコート法により所定の塗膜厚(例えば1
5μm)となるようにネガ型感光性ポリイミド膜を形成
し、所定のプリベーク処理を行う。そして、陽極3上の
発光部10及び陽極配線7以外を覆うように製作された
露光マスクを用い、陽極3に発光部10及び陽極配線7
となる部分以外の絶縁パターン部分の露光処理を行う。
そして、現像完了後、所定のイミド処理を行う。これに
より、陽極3の上に所定パターン形状の絶縁膜11が積
層形成される。
When the insulating film 11 is formed, a predetermined coating thickness (for example, 1) is formed on the anode 3 by spin coating.
A negative photosensitive polyimide film is formed so as to have a thickness of 5 μm), and a predetermined pre-bake treatment is performed. Then, the light emitting unit 10 and the anode wiring 7 are formed on the anode 3 by using an exposure mask manufactured so as to cover portions other than the light emitting unit 10 and the anode wiring 7 on the anode 3.
Exposure processing is performed on the insulating pattern portion other than the portion to be formed.
After completion of the development, a predetermined imide treatment is performed. Thus, the insulating film 11 having a predetermined pattern is formed on the anode 3.

【0058】本例における絶縁膜11は、図13(a)
〜(d)及び図15に示すように、各陽極3の上下縁部
分を覆うようにストライプ状に陽極3の上から積層形成
されるとともに、陽極3に直交して所定間隔おきにスト
ライプ状に陽極3の上から積層形成される。これによ
り、発光部10の発光エリアを形作るように陽極3が区
画される。
The insulating film 11 in this example is formed as shown in FIG.
15 (d) and FIG. 15, the anodes 3 are laminated on the anodes 3 so as to cover the upper and lower edges of the anodes 3, and are arranged in a stripe shape at predetermined intervals perpendicular to the anodes 3. A laminate is formed from above the anode 3. Thereby, the anode 3 is partitioned so as to form a light emitting area of the light emitting unit 10.

【0059】次に、図18(c)に示すように、絶縁膜
11の上に絶縁リブ(絶縁層)12を成膜する。絶縁リ
ブ12は、有機層5が積層される領域を除く絶縁膜11
の上に所定の高さをもって積層形成する。絶縁リブ12
は、絶縁膜11と同様、例えばネガ型感光性ポリイミド
の他、薄膜で蒸着可能な絶縁物材料であるSiN、Si
2 等で構成することができる。本例ではネガ型感光性
ポリイミドを用いて絶縁リブ12を形成している。
Next, as shown in FIG. 18C, an insulating rib (insulating layer) 12 is formed on the insulating film 11. The insulating ribs 12 are formed on the insulating film 11 except for the region where the organic layer 5 is laminated.
Are formed at a predetermined height on the substrate. Insulating rib 12
In the same manner as the insulating film 11, for example, in addition to a negative photosensitive polyimide, SiN or Si which is an insulating material that can be deposited in a thin film.
It can be composed of O 2 or the like. In this embodiment, the insulating ribs 12 are formed using negative photosensitive polyimide.

【0060】上記絶縁リブ12を形成する場合には、絶
縁膜11の上にスピンコート法により所定の塗膜厚(例
えば20μm)となるようにネガ型感光性ポリイミド膜
を形成し、所定のプリベーク処理を行う。その後、発光
部10の発光エリアを形作るように製作された露光マス
クを用い、上記ネガ型感光性ポリイミド膜を適正な露光
量で処理する。露光後、所定の条件で現像・リンス処理
を行う。これにより、絶縁膜11の上に所定パターン形
状の絶縁リブ12が積層形成される。
When the insulating ribs 12 are formed, a negative photosensitive polyimide film is formed on the insulating film 11 by a spin coating method so as to have a predetermined coating thickness (for example, 20 μm), and a predetermined prebaking is performed. Perform processing. Thereafter, the negative photosensitive polyimide film is processed with an appropriate exposure using an exposure mask manufactured so as to form a light emitting area of the light emitting section 10. After the exposure, development and rinsing are performed under predetermined conditions. As a result, the insulating ribs 12 having a predetermined pattern are formed on the insulating film 11.

【0061】本例における絶縁リブ12は、図13
(a)〜(d)及び図16に示すように、有機層5が積
層される領域を除いて上下左右が基板2の端部まで引き
出されて絶縁膜11の上に梯子状に形成される。
The insulating ribs 12 in the present example correspond to FIG.
As shown in FIGS. 16A to 16D and FIG. 16, the upper, lower, left, and right parts are pulled out to the end of the substrate 2 except for the region where the organic layer 5 is laminated, and are formed in a ladder shape on the insulating film 11. .

【0062】次に、図17及び図19(a)に示すよう
に、絶縁膜11及び絶縁リブ12によって区画された陽
極3の上に金属マスク14Aを用いて有機層5を成膜す
る。金属マスク14Aとしては、絶縁リブ12により区
画された領域に開口を有するものを用いる。
Next, as shown in FIG. 17 and FIG. 19A, the organic layer 5 is formed on the anode 3 partitioned by the insulating film 11 and the insulating rib 12 using the metal mask 14A. A metal mask having an opening in a region defined by the insulating ribs 12 is used as the metal mask 14A.

【0063】そして、絶縁リブ12で区画された領域以
外の部分を金属マスク14Aで覆い、絶縁リブ12によ
り区画された領域内の陽極3の上に有機層5を成膜す
る。図17の例では、絶縁リブ12で区画された領域の
左から赤色で発光する有機層、緑色で発光する有機層、
青色で発光する有機層が順番に積層されており、これら
赤色、緑色、青色の発光部により1つの画素を構成して
いる。これにより、フルカラーによるマトリクス表示を
可能としており、上記有機層を同一の単色で発光する有
機層で形成すればモノクロム表示となる。なお、上記有
機層5は、所定の色で発光する発光層のみの単層、又は
所定の色で発光する発光層を含む多層に成膜される。
Then, the portion other than the region defined by the insulating ribs 12 is covered with a metal mask 14A, and the organic layer 5 is formed on the anode 3 in the region defined by the insulating ribs 12. In the example of FIG. 17, an organic layer that emits red light, an organic layer that emits green light from the left of the region partitioned by the insulating ribs 12,
Organic layers that emit blue light are sequentially stacked, and one pixel is constituted by these red, green, and blue light-emitting portions. This enables full-color matrix display. If the organic layer is formed of an organic layer that emits light of the same single color, a monochrome display is obtained. The organic layer 5 is formed as a single layer of only a light emitting layer emitting light of a predetermined color or a multilayer including a light emitting layer emitting light of a predetermined color.

【0064】次に、図19(b)に示すように、上記金
属マスク14Aを用いて有機層5の上に陰極6(電極用
配線を含む)を成膜する。続いて、図19(c)に示す
ように、絶縁リブ12によって区画された陽極3を覆う
ように金属マスク14Bを用いて露出する陽極3の右縁
部分の上に陽極配線7を形成する。金属マスク14Bと
しては、絶縁リブ12により区画された領域(陽極3と
陰極6との間に挟まれた有機層5の発光部10の発光エ
リアに相当)以外の部分に開口を有するものを用いる。
そして、陽極3と陰極6との間に挟まれた有機層5の矩
形部分が発光部10となる。上記陰極6及び陽極配線7
の形成は、通常の正蒸着で行われ、特に斜め方向からの
蒸着は必要ない。
Next, as shown in FIG. 19B, a cathode 6 (including an electrode wiring) is formed on the organic layer 5 using the metal mask 14A. Subsequently, as shown in FIG. 19C, the anode wiring 7 is formed on the right edge portion of the exposed anode 3 using the metal mask 14B so as to cover the anode 3 partitioned by the insulating ribs 12. As the metal mask 14B, a metal mask having an opening in a portion other than a region defined by the insulating ribs 12 (corresponding to a light emitting area of the light emitting portion 10 of the organic layer 5 sandwiched between the anode 3 and the cathode 6) is used. .
Then, a rectangular portion of the organic layer 5 sandwiched between the anode 3 and the cathode 6 becomes the light emitting unit 10. The above-mentioned cathode 6 and anode wiring 7
Is formed by ordinary normal vapor deposition, and it is not particularly necessary to perform vapor deposition from an oblique direction.

【0065】上記構成において、陽極3と陰極6との間
の電気的な絶縁は、絶縁膜11と絶縁リブ12を介して
達成される。また、隣合う陰極6間の電気的な絶縁は絶
縁リブ12によって達成される。更に、有機層5から陰
極6はセルフアライメントで一義的に規定される。
In the above configuration, electrical insulation between the anode 3 and the cathode 6 is achieved through the insulating film 11 and the insulating ribs 12. Electrical insulation between the adjacent cathodes 6 is achieved by the insulating ribs 12. Further, the cathode 6 from the organic layer 5 is uniquely defined by self-alignment.

【0066】上記陰極6(電極用配線を含む)及び陽極
配線7の材料としては、陽極3の材料よりも抵抗率の低
い材料(仕事関数の小さい材料)、例えばLi,Na,
Mg,Ca等の金属単体、及びその化合物、或いはA
l:Li,Mg:In,Mg:Ag等の各種合金を用い
ることができる。
As the material of the cathode 6 (including the electrode wiring) and the anode wiring 7, a material having a lower resistivity (a material having a lower work function) than the material of the anode 3, for example, Li, Na,
Simple metals such as Mg and Ca and their compounds, or A
Various alloys such as l: Li, Mg: In, and Mg: Ag can be used.

【0067】なお、陰極6(電極用配線を含む)と陽極
配線7とは、金属マスクを使い分けることにより、同一
材料は勿論のこと、異なる材料を使用することも可能で
ある。また、陰極6(電極用配線を含む)と陽極配線7
とを異なる厚さで形成することが可能である。
The cathode 6 (including the electrode wiring) and the anode wiring 7 can be made of different materials as well as the same material by using a different metal mask. Further, a cathode 6 (including an electrode wiring) and an anode wiring 7
Can be formed with different thicknesses.

【0068】陰極6は、第1,2実施の形態と同様、有
機層5に対する電子の注入がし易いように仕事関数の小
さいAl:Li等の合金を使用した方が好ましく、陰極
6の電極用配線及び陽極配線7については、少なくとも
導電性を有していればよい。
As in the first and second embodiments, it is preferable to use an alloy such as Al: Li having a small work function so that electrons can be easily injected into the organic layer 5 as in the first and second embodiments. The use wiring and the anode wiring 7 only need to have at least conductivity.

【0069】したがって、金属マスク13Aを用いて有
機層5の上に陰極6を形成した後、金属マスク13Bを
用いずに陰極6の電極用配線と陽極配線7を同時に形成
するようにしてもよい。
Therefore, after forming the cathode 6 on the organic layer 5 using the metal mask 13A, the electrode wiring and the anode wiring 7 of the cathode 6 may be simultaneously formed without using the metal mask 13B. .

【0070】図示はしないが、陰極6及び陽極配線7の
形成後、水分を十分取り除いた不活性ガス中で封止部材
(ガラス等の基板、金属キャップ等)を基板2の上面に
封着して封止を行い、有機EL素子1Dの作製プロセス
を完了する。
Although not shown, after forming the cathode 6 and the anode wiring 7, a sealing member (a substrate such as glass, a metal cap, etc.) is sealed on the upper surface of the substrate 2 in an inert gas from which moisture has been sufficiently removed. To complete the manufacturing process of the organic EL element 1D.

【0071】上述した第3、第4実施の形態において、
絶縁膜11を形成するための感光性ポリイミド膜の塗膜
厚を15μm、絶縁リブ12を形成するための感光性ポ
リイミド膜の塗膜厚を20μmとし、露光後、所定の条
件で現像・リンス処理を行った場合には、絶縁リブ12
の総膜厚が33μm、絶縁膜の膜厚が3μmとなる。そ
の後、窒素雰囲気中の400℃ピークでホールド30分
間の熱処理(イミド化)を施すと、この熱処理により、
最終的に絶縁リブの総膜厚が16μm、絶縁膜の膜厚が
1.5μmとなる。
In the third and fourth embodiments described above,
The photosensitive polyimide film for forming the insulating film 11 has a coating thickness of 15 μm, and the photosensitive polyimide film for forming the insulating ribs 12 has a coating thickness of 20 μm. After exposure, development and rinsing are performed under predetermined conditions. Is performed, the insulating rib 12
Is 33 μm, and the thickness of the insulating film is 3 μm. After that, a heat treatment (imidization) for 30 minutes at a hold at a peak of 400 ° C. in a nitrogen atmosphere is performed.
Finally, the total thickness of the insulating ribs is 16 μm, and the thickness of the insulating film is 1.5 μm.

【0072】なお、上記絶縁膜11と絶縁リブ12の総
膜厚は、10μmより厚く、50μm以下が好ましい。
また、各実施の形態において、有機層5のパターンは、
特にストライプ状である必要はなく、また発光部10の
形状についても矩形状に限るものではない。
The total thickness of the insulating film 11 and the insulating ribs 12 is preferably more than 10 μm and not more than 50 μm.
In each embodiment, the pattern of the organic layer 5 is
In particular, it is not necessary to have a stripe shape, and the shape of the light emitting unit 10 is not limited to a rectangular shape.

【0073】このように、本実施の形態の有機EL素子
によれば、陽極3の陽極配線7と陰極6の電極用配線
(陰極配線6b)とを、パターン形状に応じてマスクを
使い分けて部分蒸着することにより、異なる材料又は同
一材料で異なる膜厚により形成することができる。しか
も、従来のように配線により発光を妨げることなく、所
望の発光面積を十分に確保して簡便に作製することがで
きる。
As described above, according to the organic EL device of the present embodiment, the anode wiring 7 of the anode 3 and the electrode wiring (cathode wiring 6b) of the cathode 6 are partially separated by using a mask in accordance with the pattern shape. By vapor deposition, different materials or the same material can be formed with different thicknesses. In addition, a desired light emitting area can be sufficiently secured and the device can be easily manufactured without hindering light emission by wiring as in the related art.

【0074】また、陽極配線7は、発光部10から外れ
た位置で、陽極3よりも抵抗率の低いAl等の金属材料
による形成が可能であり、少なくとも一部が2層構造と
なるので、配線としての信頼性の向上を図ることができ
る。
Further, the anode wiring 7 can be formed of a metal material such as Al having a lower resistivity than the anode 3 at a position separated from the light emitting portion 10 and at least a part thereof has a two-layer structure. The reliability of the wiring can be improved.

【0075】ところで、上述した各実施の形態における
陽極3と陰極6を逆転させた構成としてもよい。この場
合、陽極3側から発光が観察されるので、基板2は透光
性を有する必要はなく、陰極6側の封止部材が透光性を
有する部材で構成される。すなわち、一対の電極(陽極
3、陰極6)は、発光を取り出す電極側が少なくとも透
明性を有する導電材料(透明電極)で形成されていれば
よい。
By the way, the anode 3 and the cathode 6 in each of the above embodiments may be reversed. In this case, since light emission is observed from the anode 3 side, the substrate 2 does not need to have translucency, and the sealing member on the cathode 6 side is formed of a translucent member. That is, the pair of electrodes (the anode 3 and the cathode 6) only needs to be formed of a conductive material (transparent electrode) having at least transparency on the electrode side from which light is emitted.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、パターン形状に応じてマスクを使い分けて部分
蒸着することにより、所望の発光面積を確保した上で、
有機層の上の電極用配線と基板側の電極用配線とを異な
る材料又は同一材料で異なる膜厚により簡便に作製する
ことができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, a desired light emitting area is secured by performing partial vapor deposition using a mask according to the pattern shape.
The electrode wiring on the organic layer and the electrode wiring on the substrate side can be easily made of different materials or the same material with different film thicknesses.

【0077】また、有機層の上の電極用配線は、発光部
から外れた位置で、基板側の電極よりも抵抗率の低い金
属材料による形成が可能であり、少なくとも一部が2層
構造となるので、配線としての信頼性の向上を図ること
ができる。
The electrode wiring on the organic layer can be formed of a metal material having a lower resistivity than the electrode on the substrate side at a position separated from the light emitting portion, and at least a part thereof has a two-layer structure. Therefore, the reliability of the wiring can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)〜(e)本発明による有機EL素子の第
1実施の形態を示す図であって、その製作工程を示す部
分拡大平面図
1 (a) to 1 (e) are views showing a first embodiment of an organic EL device according to the present invention, and are partially enlarged plan views showing manufacturing steps thereof.

【図2】(a)〜(d)第1実施の形態の有機EL素子
の製作工程を示す断面図
FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the organic EL device according to the first embodiment.

【図3】本発明による有機EL素子の第2実施の形態を
示す断面図
FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of the organic EL device according to the present invention.

【図4】(a)本発明による有機EL素子の第3実施の
形態を示す部分拡大平面図(b)(a)において陰極を
剥がした状態を示す部分拡大平面図
FIG. 4 (a) is a partially enlarged plan view showing a third embodiment of the organic EL device according to the present invention. FIG. 4 (b) is a partially enlarged plan view showing a state where a cathode is removed in FIG. 4 (a).

【図5】図4(a)のA−A線断面図FIG. 5 is a sectional view taken along line AA of FIG.

【図6】図4(a)のB−B線断面図FIG. 6 is a sectional view taken along line BB of FIG.

【図7】図4(a)のC−C線断面図FIG. 7 is a sectional view taken along line CC of FIG.

【図8】図4(a)のD−D線断面図FIG. 8 is a sectional view taken along line DD of FIG.

【図9】図4(a)のE−E線断面図FIG. 9 is a sectional view taken along line EE of FIG.

【図10】(a)〜(d)第3実施の形態の有機EL素
子の製作工程を示す断面図
FIGS. 10A to 10D are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of an organic EL device according to a third embodiment.

【図11】(a)〜(c)図10に続く有機EL素子の
製作工程を示す断面図
FIGS. 11A to 11C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the organic EL element following FIG.

【図12】本発明による有機EL素子の第4実施の形態
を示す部分拡大平面図
FIG. 12 is a partially enlarged plan view showing a fourth embodiment of the organic EL device according to the present invention.

【図13】(a)〜(d)図12のF−F,G−G,H
−H,I−I線断面図
13 (a) to 13 (d) are FF, GG, and H in FIG.
-H, II sectional view

【図14】第4実施の形態において陽極を形成した基板
の部分拡大平面図
FIG. 14 is a partially enlarged plan view of a substrate on which an anode is formed in the fourth embodiment.

【図15】図14の状態から絶縁膜を成膜した状態の部
分拡大平面図
15 is a partially enlarged plan view showing a state where an insulating film is formed from the state shown in FIG. 14;

【図16】図15の状態から絶縁リブを成膜した状態の
部分拡大平面図
FIG. 16 is a partially enlarged plan view showing a state where insulating ribs are formed from the state shown in FIG. 15;

【図17】図16の状態から有機層を成膜した状態の部
分拡大平面図
FIG. 17 is a partially enlarged plan view showing a state where an organic layer is formed from the state shown in FIG. 16;

【図18】(a)〜(c)第4実施の形態の有機EL素
子の製作工程を示す断面図
FIGS. 18A to 18C are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of an organic EL device according to a fourth embodiment.

【図19】(a)〜(c)図18に続く有機EL素子の
製作工程を示す断面図
FIGS. 19A to 19C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the organic EL element following FIG.

【図20】特開平5−307997号公報に開示される
従来の有機EL素子の構造を示す斜視図
FIG. 20 is a perspective view showing the structure of a conventional organic EL device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-307997.

【図21】図20の部分断面図FIG. 21 is a partial sectional view of FIG. 20;

【図22】特開平8−315981号公報に開示される
従来の有機EL素子の構造を示す斜視図
FIG. 22 is a perspective view showing the structure of a conventional organic EL device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-315981.

【図23】図22の部分断面図FIG. 23 is a partial sectional view of FIG. 22;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1(1A〜1D)…有機EL素子、2…基板、3…陽
極、3b…導出部(電極用配線)、4A〜4C…金属マ
スク、5…有機層、6…陰極、6b…陰極配線、7…陽
極配線、10…発光部、11…絶縁膜(絶縁層)、12
…絶縁リブ(絶縁層)、13A〜13C…金属マスク、
14A〜14C…金属マスク。
1 (1A to 1D): organic EL element, 2: substrate, 3: anode, 3b: lead-out portion (wiring for electrode), 4A to 4C: metal mask, 5: organic layer, 6: cathode, 6b: cathode wiring, 7 ... Anode wiring, 10 ... Light emitting section, 11 ... Insulating film (insulating layer), 12
... insulating ribs (insulating layers), 13A to 13C ... metal masks,
14A to 14C: Metal mask.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/22 H05B 33/22 Z ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 33/22 H05B 33/22 Z

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも一方が透明電極からなる一対
の電極の間に発光層を含む有機層が設けられ、前記一対
の電極間に挟まれる前記有機層の部分が発光部をなす有
機EL素子において、 前記発光部以外の所に位置する一方の電極の電極用配線
と他方の電極の電極用配線とは、異なる材料の金属膜又
は同一材料で異なる膜厚の金属膜からなることを特徴と
する有機EL素子。
An organic EL device in which an organic layer including a light emitting layer is provided between a pair of electrodes at least one of which is a transparent electrode, and a portion of the organic layer sandwiched between the pair of electrodes forms a light emitting portion. The electrode wiring of one electrode and the electrode wiring of the other electrode located in places other than the light emitting portion are made of metal films of different materials or metal films of the same material and different film thicknesses. Organic EL element.
【請求項2】 少なくとも一方が透明電極からなる一対
の電極の間に発光層を含む有機層が設けられ、前記一対
の電極間に挟まれる前記有機層の部分が発光部をなす有
機EL素子において、 前記発光部に対応して絶縁性基板の上に所定パターン形
状に形成される第1電極と、 前記発光部と対応する位置から離れた前記第1電極の一
部分が露出し、少なくとも前記発光部と対応する位置に
前記第1電極が露出して所定の領域で区画するように前
記第1電極の上に形成される絶縁層と、 前記絶縁層により区画される領域内の少なくとも前記発
光部の領域と対応する前記第1電極の上に形成される有
機層と、 前記有機層の上から形成される第2電極とを備え、 前記発光部以外の所に位置する前記第1電極の電極用配
線と前記第2電極の電極用配線とは、異なる材料の金属
膜又は同一材料で異なる膜厚の金属膜からなることを特
徴とする有機EL素子。
2. An organic EL device in which an organic layer including a light emitting layer is provided between a pair of electrodes at least one of which is a transparent electrode, and a portion of the organic layer sandwiched between the pair of electrodes constitutes a light emitting section. A first electrode formed in a predetermined pattern on an insulating substrate corresponding to the light emitting unit; and a part of the first electrode apart from a position corresponding to the light emitting unit is exposed, and at least the light emitting unit is exposed. An insulating layer formed on the first electrode so that the first electrode is exposed at a position corresponding to the first electrode and is divided into a predetermined region; and at least the light emitting unit in a region defined by the insulating layer. An organic layer formed on the first electrode corresponding to a region; and a second electrode formed on the organic layer, for an electrode of the first electrode located at a place other than the light emitting section. Wiring and wiring for electrode of the second electrode An organic EL element characterized in that it consists of different thicknesses of the metal film is a metal film or the same materials of different materials.
【請求項3】 前記絶縁層は、前記発光部の形状に区画
して前記第1電極及び電極用配線の上に形成される絶縁
膜と、前記一対の電極間及び前記第2電極間が電気的に
絶縁されるように前記絶縁膜の上に形成される絶縁リブ
とからなることを特徴とする請求項2記載の有機EL素
子。
3. The electrical connection between the insulating layer and the insulating film formed on the first electrode and the electrode wiring in the shape of the light emitting portion and between the pair of electrodes and the second electrode. 3. The organic EL device according to claim 2, comprising insulating ribs formed on the insulating film so as to be electrically insulated.
【請求項4】 前記第1電極と前記第2電極は、互いに
交差するストライプ状に形成されることを特徴とする請
求項3記載の有機EL素子。
4. The organic EL device according to claim 3, wherein the first electrode and the second electrode are formed in stripes crossing each other.
【請求項5】 少なくとも一方が透明電極からなる一対
の電極の間に発光層を含む有機層が設けられ、前記一対
の電極の間に挟まれる前記有機層の部分が発光部をなす
有機EL素子の製造方法において、 前記発光部以外の所に位置する一方の電極の電極用配線
と他方の電極の電極用配線とを異なる材料の金属膜又は
同一材料で異なる膜厚の金属膜により形成する工程を含
むことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
5. An organic EL element in which an organic layer including a light emitting layer is provided between a pair of electrodes at least one of which is a transparent electrode, and a portion of the organic layer sandwiched between the pair of electrodes constitutes a light emitting section. Forming the electrode wiring of one electrode and the electrode wiring of the other electrode located in places other than the light-emitting portion by metal films of different materials or metal films of the same material but different thicknesses. A method for producing an organic EL device, comprising:
【請求項6】 少なくとも一方が透明電極からなる一対
の電極の間に発光層を含む有機層が設けられ、前記一対
の電極間に挟まれる前記有機層の部分が発光部をなす有
機EL素子の製造方法において、 前記発光部に対応して絶縁性基板の上に第1電極及び電
極用配線を形成する工程と、 前記発光部と対応する位置から離れた前記第1電極の一
部分が露出し、少なくとも前記発光部と対応する位置に
前記第1電極が露出して所定の領域で区画するように前
記第1電極及び電極用配線の上に絶縁層を形成する工程
と、 金属マスクを用いて前記絶縁層により区画される領域内
の少なくとも前記発光部の領域と対応する前記第1電極
の上に有機層を形成する工程と、 金属マスクを用いて前記有機層の上から第2電極を形成
する工程と、 金属マスクを用いて前記第1電極の電極用配線の露出部
分の上に更に電極用配線を形成する工程とを含むことを
特徴とする有機EL素子の製造方法。
6. An organic EL device according to claim 1, wherein an organic layer including a light emitting layer is provided between a pair of electrodes at least one of which is a transparent electrode, and a portion of the organic layer sandwiched between the pair of electrodes constitutes a light emitting section. In the manufacturing method, a step of forming a first electrode and an electrode wiring on an insulating substrate corresponding to the light emitting unit; and exposing a part of the first electrode away from a position corresponding to the light emitting unit; Forming an insulating layer on the first electrode and the electrode wiring so that the first electrode is exposed at least at a position corresponding to the light emitting unit and is divided into predetermined regions; and Forming an organic layer on at least the first electrode corresponding to a region of the light emitting unit in a region defined by an insulating layer; and forming a second electrode from above the organic layer using a metal mask. Process and metal mask The method for manufacturing an organic EL device which comprises a step of forming a further wiring electrode on the exposed portion of the electrode wiring of the first electrode have.
【請求項7】 少なくとも一方が透明電極からなる一対
の電極の間に発光層を含む有機層が設けられ、前記一対
の電極間に挟まれる前記有機層の部分が発光部をなす有
機EL素子の製造方法において、 前記発光部に対応して絶縁性基板の上に第1電極及び電
極用配線を形成する工程と、 前記発光部の形状に区画して前記第1電極及び電極用配
線の上に絶縁膜を形成する工程と、 前記一対の電極間及び前記有機層の上に形成される電極
間が電気的に絶縁されるパターン形状で前記絶縁層の上
に絶縁リブを形成する工程と、 金属マスクを用いて前記絶縁層及び前記絶縁リブにより
区画される領域内の少なくとも前記発光部の領域と対応
する前記第1電極の上に有機層を形成する工程と、 金属マスクを用いて前記有機層の上から第2電極及び電
極用配線を形成する工程と、 金属マスクを用いて前記第1電極の電極用配線の露出部
分の上に更に電極用配線を形成する工程とを含むことを
特徴とする有機EL素子の製造方法。
7. An organic EL device according to claim 1, wherein an organic layer including a light emitting layer is provided between a pair of electrodes at least one of which is a transparent electrode, and a portion of the organic layer sandwiched between the pair of electrodes constitutes a light emitting section. In the manufacturing method, a step of forming a first electrode and an electrode wiring on an insulating substrate corresponding to the light emitting unit; and forming the first electrode and the electrode wiring in a shape of the light emitting unit. A step of forming an insulating film; a step of forming insulating ribs on the insulating layer in a pattern shape in which the pair of electrodes and the electrodes formed on the organic layer are electrically insulated; Forming an organic layer on at least the first electrode corresponding to at least a region of the light emitting portion in a region defined by the insulating layer and the insulating rib using a mask; and forming the organic layer using a metal mask. Second electrode and electrode from above Process and method of manufacturing an organic EL element which comprises a step of further forming an electrode wiring on the exposed portion of the electrode wiring of the first electrode using a metal mask to form the wiring.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100527187B1 (en) * 2003-05-01 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 high efficiency OLED and Method for fabricating the same
JP2007073856A (en) * 2005-09-09 2007-03-22 Sony Corp Method for forming conductive pattern, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing organic electroluminescent element

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